KR101156699B1 - Method of preparing metal substrate for electronic device and package of the same - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 108
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 108
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 33
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 8
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 7
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims 2
- 238000007743 anodising Methods 0.000 claims 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 14
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 230000009969 flowable effect Effects 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
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Abstract
전자소자 실장용 금속기판의 제조방법 및 전자소자 패키지 제조방법이 제안된다. 제안된 전자소자 실장용 금속기판의 제조방법에서 금속기판은 금속판을 관통하는 제1홀을 형성하고, 제1홀 내부에 절연부를 형성한 후, 절연부를 관통하는 제2홀을 형성하여 제2홀에 전도성물질을 충진하여 금속판에 실장될 전자소자에 전원을 공급할 수 있도록 전극부를 형성하여 제조된다. A method of manufacturing a metal substrate for mounting an electronic device and a method of manufacturing an electronic device package are proposed. In the proposed method of manufacturing a metal substrate for mounting an electronic device, the metal substrate forms a first hole penetrating the metal plate, an insulation part is formed inside the first hole, and then a second hole penetrating the insulation part is formed. It is manufactured by forming an electrode part so as to supply power to an electronic device to be mounted on a metal plate by filling a conductive material in it.
Description
본 발명은 전자소자 실장용 금속기판의 제조방법 및 전자소자 패키지 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 전자소자의 동작 중 발생되는 열을 효과적으로 방출할 수 있어서 전자소자의 사용수명을 연장하고, 사용기간 동안 고성능을 유지하도록 하는 실장용 기판을 제조할 수 있는 전자소자 실장용 금속기판의 제조방법 및 전자소자 패키지 제조방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a method for manufacturing a metal substrate for mounting an electronic device and a method for manufacturing an electronic device package, and more particularly, to effectively dissipate heat generated during operation of the electronic device to extend the service life of the electronic device, The present invention relates to a method for manufacturing a metal substrate for mounting an electronic device and a method for manufacturing an electronic device package capable of manufacturing a mounting board for maintaining high performance during a use period.
오늘날 전자제품을 제조하는 기술은 매우 다양하게 급속히 변화하고 있고, 전자부품은 더욱 소형화, 고성능화되어가고 있다. 이에 따라, 전자부품은 동작시 발열량이 많이 증가하는 추세이고, 발열에 따른 제품 열화를 방지하기 위하여 제조시 방열특성을 강화하고자 하는 노력이 지속되어 왔다. Today, the technology for manufacturing electronic products is rapidly changing in a variety of ways, and electronic components are becoming smaller and higher in performance. Accordingly, the amount of heat generated during the operation of electronic components increases, and efforts to strengthen heat dissipation characteristics during manufacture have been continued to prevent product deterioration due to heat generation.
예를 들어, LED 조명분야에서 반도체 소자인 LED칩은 자체에서 발생되는 열로 인하여 LED칩에 많은 영향을 미칠 수 있고 이는 곧 LED조명의 성능 및 수명에 결정적인 요인이 된다. For example, LED chips, which are semiconductor devices in the LED lighting field, can have a great influence on LED chips due to the heat generated from them, which is a decisive factor in the performance and life of LED lighting.
LED칩은 패키지화되어 조명에 장착된다. LED 패키지는 LED칩을 인쇄회로기판에 실장하고 이를 전기적으로 연결하여 발광시켜 동작한다. LED 칩은 그 특성에 따라 광을 발생시킴과 동시에 열을 발생시키며 이때, 그 열을 패키지 외부로 방출시켜 과열되지 않도록 하여야 사용수명 및 출력효율이 우수하다. The LED chip is packaged and mounted on the light. The LED package operates by mounting an LED chip on a printed circuit board and electrically connecting the LED chip. The LED chip generates light and heat at the same time, and at this time, the heat is emitted to the outside of the package to prevent it from overheating.
그러나, LED 칩 아래의 인쇄회로기판은 통상 열전도성이 높지 않은 FR-4와 같은 소재를 사용하기 때문에 LED 칩의 동작 중 발생되는 열을 패키지 외부로 효과적으로 방출할 수 없다. However, since the printed circuit board under the LED chip usually uses a material such as FR-4, which is not high in thermal conductivity, heat generated during the operation of the LED chip cannot be effectively released to the outside of the package.
따라서, LED 칩과 같이 동작 중 발열량이 많고, 그 발열에 의하여 소자의 성능에 영향을 미치는 경우에 소자의 수명이 단축되고 성능이 저하되는 문제를 방지하기 위한 기술개발이 요청되었다. Therefore, when the amount of heat generated during operation, like the LED chip, and the heat generation affects the performance of the device, the development of a technology for preventing the problem that the life of the device is shortened and the performance is reduced.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 전자소자의 동작 중 발생되는 열을 효과적으로 방출할 수 있어서 전자소자의 사용수명을 연장하고, 사용기간 동안 고성능을 유지하도록 하는 실장용 기판을 제조할 수 있는 전자소자 실장용 금속기판의 제조방법 및 전자소자 패키지 제조방법을 제공하는데 있다.
The present invention is to solve the above-mentioned problems, an object of the present invention is to mount to enable to effectively release the heat generated during the operation of the electronic device to extend the service life of the electronic device, and to maintain high performance for the period of use The present invention provides a method for manufacturing a metal substrate for mounting an electronic device and a method for manufacturing an electronic device package capable of manufacturing a substrate.
이상과 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 전자소자 실장용 금속기판의 제조방법은 금속판을 관통하는 제1홀을 형성하는 제1홀 형성단계; 제1홀 내부에 절연부를 형성하는 절연부 형성단계; 절연부를 관통하는 제2홀을 형성하는 제2홀 형성단계; 및 제2홀에 전도성물질을 충진하여 금속판에 실장될 전자소자에 전원을 공급할 수 있도록 전극부를 형성하는 전극부 형성단계;를 포함한다. According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a metal substrate for mounting an electronic device, the method including: forming a first hole through a metal plate; An insulating part forming step of forming an insulating part in the first hole; A second hole forming step of forming a second hole penetrating the insulation; And an electrode part forming step of forming an electrode part so as to supply power to an electronic device to be mounted on the metal plate by filling a conductive material in the second hole.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 금속판을 관통하는 제1홀을 형성하는 제1홀 형성단계, 제1홀 내부에 절연부를 형성하는 절연부 형성단계, 절연부를 관통하는 제2홀을 형성하는 제2홀 형성단계, 및 제2홀에 전도성물질을 충진하여 전극부를 형성하는 전극부 형성단계를 포함하는 금속기판을 제조하는 금속기판제조단계; 금속기판의 상면에 전자소자를 실장하는 실장단계; 및 전자소자 및 전극부를 전기적으로 연결하는 연결단계;를 포함하는 전자소자패키지 제조방법이 제공된다.
According to another aspect of the invention, the first hole forming step of forming a first hole penetrating the metal plate, the insulating part forming step of forming an insulating portion inside the first hole, the second hole forming a second hole through the insulating portion A metal substrate manufacturing step of manufacturing a metal substrate including a hole forming step and an electrode part forming step of filling the second hole with a conductive material to form an electrode part; A mounting step of mounting an electronic device on an upper surface of the metal substrate; And a connecting step of electrically connecting the electronic device and the electrode unit.
본 발명에 따르면, LED 칩과 같이 동작 중 발열하는 소자의 경우 효과적으로 열을 방출할 수 있는 전자소자 실장용 금속기판을 제조할 수 있어서, 전자소자의 사용수명을 연장하고, 사용기간 동안 고성능을 유지하도록 하는 효과가 있다.
According to the present invention, in the case of a device that generates heat during operation, such as an LED chip, it is possible to manufacture a metal substrate for mounting the electronic device that can effectively release heat, thereby extending the service life of the electronic device, and maintains high performance during the service period It has the effect of making it work.
도 1a 내지 도 1d는 본 발명의 일실시예에 따른 전자소자 실장용 금속기판의 제조방법의 설명에 제공되는 도면들이다.
도 2 내지 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 전자소자 실장용 금속기판의 제조방법에 따라 제조된 전자소자 실장용 금속기판의 단면도들이다.
도 6 내지 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 전자소자 패키지 제조방법에 따라 제조된 전자소자 패키지의 단면도들이다. 1A to 1D are views provided to explain a method of manufacturing a metal substrate for mounting an electronic device according to an embodiment of the present invention.
2 to 5 are cross-sectional views of an electronic device mounting metal substrate manufactured according to a method of manufacturing an electronic device mounting metal substrate according to an embodiment of the present invention.
6 to 8 are cross-sectional views of electronic device packages manufactured according to the electronic device package manufacturing method according to an embodiment of the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시형태는 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 첨부된 도면에서 특정 패턴을 갖는 구성요소가 있을 수 있으나, 이는 설명 또는 구별의 편의를 위한 것이므로 특정패턴을 갖는다고 하여도 본 발명이 그 구성요소만을 갖는 특징으로 한정되는 것은 아니다.
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, embodiments of the present invention may be modified in various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. Embodiments of the present invention are provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. In the accompanying drawings, there may be a component having a specific pattern, but this is for convenience of description or distinction, but the present invention is not limited to a feature having only the component even if the apparatus has a specific pattern.
도 1a 내지 도 1d는 본 발명의 일실시예에 따른 전자소자 실장용 금속기판의 제조방법의 설명에 제공되는 도면들이다. 전자소자 실장용 금속기판을 제조하기 위하여 먼저, 도 1a에서와 같이 금속판(110)을 준비하여 관통홀인 제1홀(111h)을 형성한다. 제1홀(111h)은 금속판(110)의 두께를 고려하여 드릴이나 펀치를 사용하여 형성하거나, 에칭하여 형성될 수 있다. 금속판(110)은 방열성능이 우수한 금속이면 어떤 금속이든 사용할 수 있고, 예를 들면, 알루미늄이 사용될 수 있다. 1A to 1D are views provided to explain a method of manufacturing a metal substrate for mounting an electronic device according to an embodiment of the present invention. In order to manufacture a metal substrate for mounting an electronic device, first, as shown in FIG. 1A, a
제1홀(111h)이 형성되면, 제1홀(111h)의 내부에 절연부(120)를 형성한다. 절연부(120)는 제1홀(111h) 내부를 채우면서, 금속판(110)의 상면 및 하면의 일부까지 연장될 수 있다(도 1b 참조). 절연부(120)는 제1홀(111h)에 절연물질을 채워 형성될 수 있다. 예를 들어, 절연부(120)는 유동성 절연수지를 제1홀(111h)에 채우고 이를 경화시켜 형성될 수 있다. 수지의 경화는 상온경화, 가열 또는 적외선 조사로 수행될 수 있다. 절연부(120)가 금속판(110)의 상면 및 하면 일부까지 연장될 수 있도록, 절연물질을 인쇄할 때 제1홀(111h) 지름보다 크게 인쇄하여 연장시킬 수 있다. When the
절연부(120)를 형성하기 전에, 제1홀(111h) 내부를 아노다이징(anodizing) 또는 산화시킬 수 있다. 금속판(110)을 아노다이징 또는 산화시켜 제1홀(111h) 내부의 금속을 산화시키는 경우, 금속판(110)과 추후 형성될 전극부(130)는 보다 효과적으로 절연될 수 있다. Before forming the
도 1c에서는 절연부(120)를 관통하는 제2홀(121h)이 형성된다. 제2홀(121h)은 절연부(120)의 내부에 형성되므로, 드릴 등에 의해 형성될 수 있다. In FIG. 1C, a
절연부(120)에 제2홀(121h)이 형성되면, 제2홀(121h) 내부에 전도성 물질이 충진된다(도 1d 참조). 충진된 전도성 물질은 금속판(110)에 실장될 전자소자(미도시)에 전원을 공급하는 전극부(130)이고, 전극부(130)가 형성되어 금속기판(100)이 형성된다. 전극부(130)는 제2홀(121h)의 내부와, 절연부(120)의 상면 및 하면의 일부에 형성될 수 있다. When the
전극부(130)는 제2홀(121h)을 도금하거나, 제2홀(121h)에 금속핀을 삽입하거나 또는 도전성 페이스트를 인쇄하고 이를 경화시켜 형성될 수 있다. 전극부(130)가 절연부(120)의 상면 및 하면 일부까지 연장될 수 있도록, 전도성 물질을 인쇄할 때 제2홀(121h) 지름보다 크게 인쇄하여 연장시킬 수 있다. 전도성 물질로 사용되는 도전성 페이스트는 Ag, Cu, 및 C 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The
금속기판(100)은 전극부(130) 중 외부로 노출된 영역 및 금속판(110) 중 외부로 노출된 영역을 도금하여 이를 보호할 수 있다. 도금은 Cu, Ni, Au, Ag, 및 Sn 중 적어도 하나의 금속으로 수행될 수 있다. 또한, 금속기판(100)은 도금단계를 수행하기 전에 금속판(110)의 방열기능을 향상시키기 위하여 금속페이스트, 예를 들어, 실버 페이스트를 인쇄하여 방열패드(미도시)가 더 형성될 수 있다.
The
도 2 내지 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 전자소자 실장용 금속기판의 제조방법에 따라 제조된 전자소자 실장용 금속기판의 단면도들이다. 2 to 5 are cross-sectional views of an electronic device mounting metal substrate manufactured according to a method of manufacturing an electronic device mounting metal substrate according to an embodiment of the present invention.
도 2에서 금속기판은 전극부(130) 형성단계 후에, 금속판(110), 절연부(120), 및 전극부(130)가 형성된 상부가 연마된다. 연마된 금속기판의 상부에는 전자소자(미도시)가 양 전극부(130) 사이의 전자소자 실장영역인 A영역에 실장될 수 있다. 이하, 도 1을 참조하여 기설명된 구성에 대한 설명은 생략한다. In FIG. 2, after the
전자소자(미도시)가 LED칩과 같은 발광소자인 경우, 광이 전면으로 방출되도록 하기 위하여 금속기판(100)의 상면에 A영역 및 전극부(130)의 일부를 노출되도록 하면서 반사막(140)이 형성될 수 있다. 전극부(130)는 실장될 전자소자(미도시)와 전기적으로 연결되어 전자소자(미도시)에 전원을 인가한다. 반사막(140)은 광추출을 위하여 필요한 영역에 형성될 수 있으나 A영역은 확보될 수 있도록 형성되어야 한다. In the case where the electronic device (not shown) is a light emitting device such as an LED chip, the
반사막(140)은 광반사가 가능한 물질이면 어떤 물질이든 사용가능하다. 반사막(140)은 반사율이 높은 금속, 세라믹, 및 수지 중 적어도 하나일 수 있다.
The
도 3은 금속판(110)에 오목부(150)가 형성되어 있다. 이하, 도 1 및 도 2를 참조하여 기설명된 구성에 대한 설명은 생략한다. 3, the
오목부(150)는 전자소자(미도시)가 실장될 영역에 형성된다. 전자소자(미도시)가 LED칩과 같은 발광소자인 경우, 광을 전면으로 향하게 하기 위하여 오목부(150) 내부에 전자소자(미도시)를 실장시킨다. 전자소자(미도시)에서 발광된 광은 오목부(150) 내부에서 반사되다 전면으로 향하게 된다. 또는 전자소자(미도시)가 외부 충격에 매우 약한 경우, 전자소자(미도시)를 보호하기 위하여 오목부(150)를 형성하여 내부에 실장시킬 수 있다. The
도 3에서, 오목부(150)의 형상은 측면이 소정각도를 갖는 형태로 도시되어 있으나, 전자소자(미도시)의 특성에 따라 측면이 바닥면과 직각을 이룰 수도 있고, 바닥면에서의 너비가 상부에서의 너비보다 크게 형성될 수도 있다.
In FIG. 3, the shape of the
도 4에서는 전극부(230)가 금속기판의 측면에 노출되도록 형성된다. 이하. 도 1 내지 도 3을 참조하여 기설명된 구성에 대한 설명은 생략한다. 전극부(230)가 금속기판의 측면으로 노출될 수 있도록 전극부(230)의 외부에 형성된 금속판(210) 및 절연부(220)는 제거된다. In FIG. 4, the
도 4에서와 같이 전극부(230)가 금속기판의 측면에 노출된 경우, 방열기능을 하는 금속판(210) 이외의 금속판이 제거되고, 절연부 또한 제거되어 금속기판의 크기가 작아져 전자소자(미도시)를 실장하여 제작될 패키지의 크기가 전체적으로 소형화될 수 있다.
As shown in FIG. 4, when the
도 5는 상면에 금속판(310)에 실장될 전자소자(미도시)의 측면을 둘러싸도록 반사판(360)이 형성된 금속기판의 단면도이다. 이하, 도 1 내지 도 4를 참조하여 기설명된 구성에 대한 설명은 생략한다. 전자소자(미도시)가 LED칩과 같은 발광소자인 경우, 전자소자(미도시)의 측면을 둘러싸는 반사판(360) 내에서 광이 반사되다가 전면으로 향하게 된다. 반사판(360)은 금속판(310)과 일체형으로 형성되거나 별도로 형성되어 금속판(310)상에 부착될 수 있다. 또한, 반사판(360)은 금속판(310)상의 절연부(320)나 전극부(330)상에 부착될 수 있다.
FIG. 5 is a cross-sectional view of a metal substrate on which a
도 6 내지 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 전자소자 패키지 제조방법에 따라 제조된 전자소자 패키지의 단면도들이다. 이하, 도 1 내지 도 5를 참조하여 기설명된 구성에 대한 설명은 생략한다.6 to 8 are cross-sectional views of electronic device packages manufactured according to the electronic device package manufacturing method according to an embodiment of the present invention. Hereinafter, the description of the configuration described with reference to FIGS. 1 to 5 will be omitted.
전자소자 실장용 금속기판을 이용하여 전자소자 패키지를 제조하기 위하여, 금속판(410)에 제1홀, 절연부(420), 제2홀, 및 전극부(430)를 형성하여 금속기판이 제조되면, 금속기판의 상면에 전자소자(480)를 실장한다. 전자소자(480)가 실장되면, 전원을 공급하기 위하여 전자소자(480)와 전극부(430)를 전기적으로 연결하여 전자소자 패키지를 제조한다. In order to manufacture an electronic device package using a metal substrate for mounting an electronic device, when a metal substrate is manufactured by forming a first hole, an insulating
도 6에는, 도 2와 같이 제조된 금속기판을 이용한 전자소자 패키지를 나타낸다. 도 6의 금속기판은 상부표면에 연마되고, 전자소자(480)를 실장하기 위한 영역을 제외하고는 반사막(440)이 형성되어 있다. 이외에도, 전자소자(480)가 실장된 금속판(410)의 하면에는 전자소자(480)에서 발생하는 열을 보다 효과적으로 방출할 수 있도록 방열패드(470)를 더 형성한다. 방열패드(470)는 열전도성이 높은 물질로 구성하여 금속판(410)을 통해서 전달된 열을 외부로 효과적으로 방출할 수 있다. 6 shows an electronic device package using a metal substrate manufactured as in FIG. The metal substrate of FIG. 6 is polished on the upper surface, and a
또한, 금속기판의 하면에는 전극부(430)와 금속판(410) 또는 방열패드(470) 사이에 접합패드(475)를 형성한다. 접합패드(475)는 전자소자 패키지를 기판 등에 실장할 때 접합하기 위한 패드로서, 예를 들면 솔더 페이스트를 인쇄하여 형성할 수 있다. In addition, a
전자소자(480)가 실장영역에 실장되면, 전극부(430)와 전기적으로 연결된다. 연결단계는, 와이어본딩, 솔더링 및 도전성 접착제를 이용한 접착법 중 적어도 어느 하나의 방법에 의해 수행될 수 있다. 도 6에서 전자소자(480)는 전극부(430)와 본딩와이어(485)로 연결되어 있다. When the
전자소자(480)가 LED인 경우, 금속기판상에 반사판(460)을 형성하여 광을 전면으로 향하게 할 수 있다. 전자소자(480)가 실장되면, 전자소자(480)를 보호하기 위하여 전자소자(480)의 상부에 몰딩물질을 채워 몰딩부(490)를 형성한다. 반사판(460)이 형성된 경우, 반사판(460)과 전자소자(480)의 실장영역이 오목한 영역을 형성하므로 유동성 에폭시 수지 등을 오목한 영역에 채우고 경화시켜 몰딩부(490)를 형성할 수 있다. 도 6과 달리, 반사판이 없는 경우에는 몰딩부를 전자소자 상부에 유동성 에폭시 수지와 같은 몰딩물질을 떨어뜨려 렌즈 형태로 형성할 수도 있다. 또는, 몰딩부(490)와 같이 도 6의 오목한 영역을 모두 채울 수 있지만, 이와 달리 상부에 캡을 씌워 전자소자를 보호할 수 있다.
When the
도 7에는 금속판(510)의 전자소자(580) 실장영역에 오목부(550)가 형성되어 있는 전자소자 패키지가 나타나있다. 이하, 도 6을 참조하여 기설명한 구성에 대한 설명은 생략한다. FIG. 7 illustrates an electronic device package in which recesses 550 are formed in the mounting area of the
금속기판에는 금속판(510), 절연부(520), 전극부(530), 방열패드(570) 및 접합패드(575)가 형성되어 있고, 금속기판의 상면은 연마된 형태로 도시되어 있다. 금속판(510)의 상면에 전자소자(580)가 실장된 영역은 오목부(550)가 형성되어 있고, 전자소자(580)는 오목부(550) 내에 실장되면서 전극부(530)와 본딩와이어(585)로 전기적으로 연결되어 있다. 그 상부를 몰딩부(590)가 전체적으로 몰딩하고 있다. The
도 7의 전자소자 패키지는 도 6에서와 달리 반사판이 없고, 그 대신 금속판(510)에 오목부(550)가 형성되어 있으므로 전자소자(580)가 LED 칩인 경우에도 오목부의 측면이 반사판의 역할을 하여 광을 전면으로 향하게 한다. 따라서, 반사판을 별도로 형성하지 않았으므로 전자소자 패키지의 두께가 작아져 보다 소형화가 가능하다. Unlike in FIG. 6, the electronic device package of FIG. 7 does not have a reflecting plate. Instead, the
도 7에서 몰딩부(590)는 금속기판의 상부 전체를 몰딩하고 있으나, 전자소자(580)의 종류나 본딩와이어(585)의 강도 등과 같은 특징에 따라 몰딩부(590)는 달라질 수 있다. 예를 들어, 본딩와이어(585) 부분까지 몰딩하도록 형성하거나, 전자소자(580)가 위치한 오목부(550)만을 몰딩하도록 형성할 수 있어서, 몰딩부(590)의 두께 및 너비 등을 조절할 수 있다.
In FIG. 7, the
도 8에는 금속기판의 측면에 전극부(630)가 노출되어 있는 형태의 전자소자 패키지가 나타나있다. 이하, 도 6 및 도 7을 참조하여 기설명한 구성에 대한 설명은 생략한다. 8 illustrates an electronic device package in which the
금속기판에는 금속판(610), 절연부(620), 전극부(630), 방열패드(670) 및 접합패드(675)가 형성되어 있다. 금속판(610)의 상면에 반사판(660)이 형성되어 있고, 전자소자(680)는 금속판(610) 상에 실장되어 전극부(630)와 본딩와이어(685)로 전기적으로 연결되어 있다. 그 상부를 몰딩부(690)가 전체적으로 몰딩하고 있다. The
도 8에서, 금속기판은 전극부(630)가 노출되도록, 전극부(630) 외부에 있었던 금속판 및 절연부가 제거되었다. 따라서, 도 6에서의 전자소자 패키지와 비교하여 도 8의 전자소자 패키지의 너비는 좁기 때문에 전체적인 전자소자 패키지의 크기가 소형화될 수 있다. 따라서, 도 8과 달리 반사판(660)이 없다면, 몰딩부가 렌즈 형태로 되는 경우 높이도 작아질 수 있어서 너비 및 높이가 모두 작은 형태의 소형화된 전자소자 패키지를 구현하는 것이 가능하다.
In FIG. 8, the metal substrate and the insulating portion that were outside the
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니라, 첨부된 청구범위에 의해 해석되어야 한다. 또한, 본 발명에 대하여 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당해 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.
The invention is not to be limited by the foregoing embodiments and the accompanying drawings, but should be construed by the appended claims. In addition, it will be apparent to those skilled in the art that various forms of substitution, modification, and alteration are possible within the scope of the present invention without departing from the technical spirit of the present invention.
110, 210, 310, 410, 510, 610 금속판
111h 제1홀
120, 220, 320, 420, 520, 620 절연부
121h 제2홀
130, 230, 330, 430, 530, 630 전극부
140, 440 반사막
150, 550 오목부
360, 460, 660 반사판
470, 570, 670 방열패드
475, 575, 675 접합패드
480, 580, 680 전자소자
485, 585, 685 본딩 와이어
490, 590, 690 몰딩부110, 210, 310, 410, 510, 610 metal plate
111h Hall 1
120, 220, 320, 420, 520, 620 insulation
121h Hall 2
130, 230, 330, 430, 530, 630 electrode part
140, 440 Reflective Film
150, 550 recessed
360, 460, 660 Reflector
470, 570, 670 heat sink
475, 575, 675 bonding pads
480, 580, 680 electronics
485, 585, 685 bonding wire
490, 590, 690 Molding Part
Claims (21)
상기 제1홀 내부에 절연부를 형성하는 절연부 형성단계;
상기 절연부를 관통하는 제2홀을 형성하는 제2홀 형성단계;
상기 제2홀에 전도성물질을 충진하여 상기 금속판에 실장될 전자소자에 전원을 공급할 수 있도록 전극부를 형성하는 전극부 형성단계;
상기 금속판, 상기 절연부 및 상기 전극부가 형성된 금속기판의 상면을 연마하는 연마단계;
상기 연마된 금속기판 상면에 반사막을 형성하되, 상기 전극부가 상면으로 노출되도록 하고 전자소자 실장영역이 확보되도록 상기 반사막이 형성되는 반사막 형성단계를 포함하는 전자소자 실장용 금속기판의 제조방법. A first hole forming step of forming a first hole penetrating the metal plate;
An insulating part forming step of forming an insulating part in the first hole;
A second hole forming step of forming a second hole penetrating the insulation;
An electrode part forming step of forming an electrode part so as to supply power to the electronic device to be mounted on the metal plate by filling a conductive material in the second hole;
A polishing step of polishing an upper surface of the metal substrate on which the metal plate, the insulating part and the electrode part are formed;
And forming a reflective film on an upper surface of the polished metal substrate, wherein the reflective film is formed to expose the electrode portion to the upper surface and to secure an electronic device mounting area.
상기 제1홀 형성단계는 드릴 및 펀치 중 어느 하나에 의해 수행되거나, 금속에칭법에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 전자소자 실장용 금속기판의 제조방법. The method according to claim 1,
The first hole forming step is performed by any one of a drill and a punch, or a method of manufacturing a metal substrate for mounting an electronic device, characterized in that performed by a metal etching method.
상기 절연부 형성단계 전에 상기 제1홀 내부를 아노다이징(anodizing) 또는 산화시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자소자 실장용 금속기판의 제조방법. The method according to claim 1,
And anodizing or oxidizing the inside of the first hole before the forming of the insulating part.
상기 절연부 형성단계는 상기 제1홀 내부, 상기 금속판의 상부 및 하부의 일부에 상기 절연부가 형성되는 단계인 것을 특징으로 하는 전자소자 실장용 금속기판의 제조방법. The method according to claim 1,
The forming of the insulating part may include forming the insulating part in the first hole, a part of the upper part and the lower part of the metal plate.
상기 절연부 형성단계는, 상기 제1홀 내부에 수지를 인쇄하는 단계; 및 상온경화, 가열 또는 적외선조사하여 상기 수지를 경화시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자소자 실장용 금속기판의 제조방법. The method according to claim 1,
The forming of the insulating part may include printing resin inside the first hole; And curing the resin by room temperature curing, heating, or infrared radiation. 2.
상기 제2홀 형성단계는 드릴에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 전자소자 실장용 금속기판의 제조방법. The method according to claim 1,
The second hole forming step is a manufacturing method of an electronic device mounting metal substrate, characterized in that performed by a drill.
상기 전극부 형성단계는 상기 제2홀 내부, 상기 절연부의 상부 및 하부의 일부에 상기 전극부가 형성되는 단계인 것을 특징으로 하는 전자소자 실장용 금속기판의 제조방법. The method according to claim 1,
The forming of the electrode unit is a method of manufacturing a metal substrate for mounting an electronic device, characterized in that the electrode portion is formed in the second hole, the upper portion and the lower portion of the insulating portion.
상기 전극부 형성단계는 상기 제2홀을 도금하는 방법, 금속핀을 삽입하는 방법, 및 도전성 페이스트 인쇄 후 경화시키는 방법 중 선택된 어느 하나의 방법에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 전자소자 실장용 금속기판의 제조방법. The method according to claim 1,
The forming of the electrode part may be performed by any one of a method of plating the second hole, inserting a metal pin, and curing after printing a conductive paste. Manufacturing method.
상기 도전성 페이스트는 Ag, Cu, 및 C 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자소자 실장용 금속기판의 제조방법. The method according to claim 8,
The conductive paste is a method of manufacturing a metal substrate for electronic device mounting, characterized in that it comprises at least one of Ag, Cu, and C.
상기 반사막은 금속, 세라믹, 및 수지 중 적어도 하나의 반사물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자소자 실장용 금속기판의 제조방법. The method according to claim 1,
The reflective film is a manufacturing method of an electronic device mounting metal substrate comprising a reflective material of at least one of a metal, a ceramic, and a resin.
상기 금속판의 상면에 전자소자 실장용 오목부가 형성되는 오목부 형성단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자소자 실장용 금속기판의 제조방법. The method according to claim 1,
And a recess forming step of forming an recess for mounting the electronic device on the upper surface of the metal plate.
상기 전극부 중 외부로 노출된 영역 및 상기 금속판 중 외부로 노출된 영역을 도금하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자소자 실장용 금속기판의 제조방법. The method according to claim 1,
The method of manufacturing an electronic device mounting metal substrate further comprises the step of plating an area exposed to the outside of the electrode portion and the area exposed to the outside of the metal plate.
상기 도금하는 단계는 Cu, Ni, Au, Ag, 및 Sn 중 적어도 하나의 금속으로 도금하는 단계인 것을 특징으로 하는 전자소자 실장용 금속기판의 제조방법. The method according to claim 14,
The plating is a method of manufacturing a metal substrate for electronic device mounting, characterized in that the step of plating with at least one metal of Cu, Ni, Au, Ag, and Sn.
상기 전극부가 상기 금속기판의 측면에 노출되도록, 상기 금속판 및 상기 절연부를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자소자 실장용 금속기판의 제조방법.The method according to claim 1,
And removing the metal plate and the insulating part so that the electrode part is exposed to the side surface of the metal substrate.
상기 금속기판의 상면에 금속판에 실장될 전자소자의 측면을 둘러싸도록 반사판을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자소자 실장용 금속기판의 제조방법.The method according to claim 1,
And forming a reflecting plate on the upper surface of the metal substrate so as to surround a side surface of the electronic device to be mounted on the metal plate.
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101382363B1 (en) * | 2012-08-28 | 2014-04-08 | 주식회사 아모센스 | Method for manufacturing led package having varistor substrate and led package having varistor substrate thereby |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1041623A (en) * | 1996-07-19 | 1998-02-13 | Nippon Avionics Co Ltd | Metal core printed circuit board and manufacturing method therefor |
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