KR101133494B1 - Method and apparatus for detecting capacitance in touch sensor, capacitance detecting circuit - Google Patents

Method and apparatus for detecting capacitance in touch sensor, capacitance detecting circuit Download PDF

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Abstract

본 발명은 터치센서(touch sensor)의 정전용량(capacitance) 측정 장치 및 방법, 정전용량 측정 회로에 관한 것이다. 종래의 정전용량 측정 기술에서는, 충전 분할(charging sharing)에 의해 상호 정전용량(mutual capacitance) 값의 측정이 제대로 이루어지지 않는 문제가 발생하는데, 측정하려는 곳의 정전용량 값을 정확히 미리 알 수 있다면 좋지만, 그럴 수 없기 때문에 일정 크기 이상의 캐패시터를 구현하여야 한다. 이로 인해, 외장 캐패시터로만 구현이 가능하며, 패널 로드 별로 각기 다른 가중 치를 두는 연산 방법을 택할 수밖에 없다. 이에 본 발명에서는, 터치센서의 패널 로드(panel load)의 정전용량(capacitance) 변화를 빠르고 정확하게 측정할 수 있으며, 터치센서의 터치 감도를 증가시키면서 노이즈(noise)에 강인한 터치센서의 정전용량 측정 기술을 마련하고자 한다.The present invention relates to an apparatus and method for measuring capacitance of a touch sensor, and a capacitance measuring circuit. In the conventional capacitance measurement technology, the problem of mutual capacitance value not being properly measured by charging sharing, but it is good if the capacitance value of the place to be measured can be known in advance. Since this is not possible, a capacitor of more than a certain size must be implemented. Because of this, it can only be implemented with an external capacitor, and the choice of calculation method with different weights for each panel load is inevitable. Therefore, in the present invention, it is possible to quickly and accurately measure the capacitance change of the panel load of the touch sensor, and to increase the touch sensitivity of the touch sensor, while measuring the capacitance of the touch sensor that is robust to noise. To prepare.

터치센서, 정전용량, 기준전압 Touch sensor, capacitance, reference voltage

Description

터치센서의 정전용량 측정 장치 및 방법, 정전용량 측정 회로{METHOD AND APPARATUS FOR DETECTING CAPACITANCE IN TOUCH SENSOR, CAPACITANCE DETECTING CIRCUIT}Capacitive measuring device and method of touch sensor, capacitance measuring circuit {METHOD AND APPARATUS FOR DETECTING CAPACITANCE IN TOUCH SENSOR, CAPACITANCE DETECTING CIRCUIT}

본 발명은 터치센서(touch sensor)의 정전용량(capacitance) 측정 기술에 관한 것으로, 특히 빠른 시간 내에 정확한 정전용량 변화를 측정하는데 적합한 터치센서의 정전용량 측정 장치 및 방법, 정전용량 측정 회로에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a technology for measuring capacitance of a touch sensor, and more particularly, to a capacitive measuring device and method of a touch sensor suitable for measuring accurate capacitance change in a short time, and a capacitance measuring circuit. .

터치센서(touch sensor)에서 정전용량은, 전극과 연결된 전기적 소자인 캐패시터(capacitor) 또는 그와 등가를 이루는 물질 또는 인체의 접촉에 의해서 결정된다. 이때, 인체의 경우 손가락 또는 신체의 특정 부위를 전극(PAD)에 직접 접촉을 할 경우뿐만 아니라 전극(PAD)에 직접 접촉은 하지 않더라도 전극(PAD)과 불특정 거리로 근접하는 것만으로도 전극(PAD)과 인체 사이에는 미세한 정전용량(capacitance) 성분이 형성됨을 알 수 있다.In a touch sensor, the capacitance is determined by the contact of a capacitor or an equivalent material or human body with an electrical element connected to the electrode. In this case, the human body may not only directly contact a finger or a specific part of the body with the electrode PAD, but even if the human body does not directly contact the electrode PAD, the electrode PAD may be approached at an unspecified distance. It can be seen that a fine capacitance component is formed between the body and the human body.

또한, 근접된 신체부위와 전극과의 거리의 변화에 따라 정전용량이 변화되게 되며, 이는 전극과 신체와의 거리가 가까울수록 정전용량이 증가되고 멀어질수록 정전용량이 감소되는 결과로 측정이 된다.In addition, the capacitance changes according to the change of the distance between the adjacent body part and the electrode, which is measured as a result that the capacitance increases as the distance between the electrode and the body gets closer and the capacitance decreases as the distance goes away. .

이렇듯 전극과 신체부위와의 거리 변화에 따라 발생하는 정전용량의 변화량을 측정하여 전극과 인체와의 거리를 일정 수준으로 판단할 수 있으며, 이러한 판단의 결과를 이용하여 특정 임계 정전용량의 값을 설정한 후에 전극으로부터 측정된 정전용량 성분이 임계값 보다 크면 스위치가 접촉된 것으로 판단하고 그렇지 않은 경우는 스위치가 비접촉된 것으로 판단한다.As such, the distance between the electrode and the human body can be determined to a certain level by measuring the change in capacitance generated by the change of the distance between the electrode and the body part, and the value of a specific critical capacitance is set using the result of the determination. After that, if the capacitance component measured from the electrode is larger than the threshold value, it is determined that the switch is in contact, otherwise it is determined that the switch is non-contact.

임계값은 터치센서의 파워 온(Power On)시점에서 접촉이 되지 않았을 시의 초기 측정된 값과, 주변 환경에 의해서 변화되는 값을 실험적으로 산출한 후에 그 값을 초기 측정값에 가감하여 결정하는 것이 일반적인 방식이다.The threshold value is determined by experimentally calculating the initial measured value when no contact is made at the power-on time of the touch sensor and the value changed by the surrounding environment, and then subtracting the value from the initial measured value. This is the general way.

이러한 방식을 통해 반도체로 구현한 제품이 터치센서 IC이다. 현재 터치센서 IC는 기존에 각종 전자제품에 사용되던 기계적 스위치를 대신하여 이미 수많은 전자제품(휴대폰, TV, 세탁기, 에어컨, 전자레인지 등)에 적용되어 사용되고 있다.In this way, a semiconductor product is a touch sensor IC. Currently, touch sensor ICs are used in many electronic products (mobile phones, TVs, washing machines, air conditioners, microwave ovens, etc.) instead of mechanical switches used in various electronic products.

그런데 이러한 터치센서 IC에서는 전극과 인체 사이에 형성된 정전용량이 불과 수 pF(피코패럿) 내지 수십 pF 정도에 불과하기 때문에, 이를 계산 및 측정하기 위한 여러 기법들이 제안된 바 있다.However, in the touch sensor IC, since the capacitance formed between the electrode and the human body is only a few pF (picofarad) to several tens of pF, various techniques for calculating and measuring this have been proposed.

종래의 정전용량 측정 기법의 일환으로, 전기적 스위치를 이용하여 전극(PAD)을 완전히 그라운드로 방전시킨 후에 전압에 연결된 정전류원으로부터 전극과 인체에 의해서 생성된 정전용량의 캐패시터 성분을 기준전압까지 충전되는 데에 소요되는 시간을 고속의 클럭(count clock)을 이용한 타이머(timer)로 측정하여 타이머의 값에 의해 정전용량의 값을 측정하는 기술이 있다.As part of the conventional capacitance measurement technique, the electrode PAD is completely discharged to ground using an electrical switch, and then the capacitor component of the capacitance generated by the electrode and the human body is charged from the constant current source connected to the voltage to the reference voltage. There is a technique of measuring the value of the capacitance by the value of the timer by measuring the time required by the timer (timer) using a high speed clock (count clock).

이러한 종래의 기술은 정전용량의 측정을 위해 사용되는 고속 클럭의 한계로 인해 방전시에는 상대적으로 매우 짧은 시간에 방전을 완료하며, 충전시에는 충분한 타이머의 값을 얻기 위해서 매우 작은 전류를 공급하는 전류원(current source)을 사용한다.This conventional technique has a relatively short time when discharging due to the limitation of the high-speed clock used for measuring capacitance, and a current source that supplies very small current to obtain a sufficient timer value during charging. (current source)

이와 같이, 전류 값이 작을수록 보다 많은 시간을 확보하여 보다 많은 타이머 값을 측정할 수는 있으나, 반면에 충전하는 데에 사용되는 전류가 너무 작으면 외부의 노이즈(noise)에 대한 영향과 터치센서 반도체 내부의 기생전류에 의한 영향이 증가하여 충전에 소요되는 시간의 변화량이 노이즈 성분에 의해서 증가 또는 감소되는 경향으로 나타나기 때문에 효율적으로 정전용량을 충전하는 데에는 많은 문제점들이 발생할 수 있다.In this way, the smaller the current value is, the more time can be obtained by measuring more timer values. On the other hand, if the current used for charging is too small, the effect on external noise and touch sensor Since the influence of parasitic current inside the semiconductor increases, the amount of change in the time required for charging tends to increase or decrease due to the noise component, and thus, many problems may occur in charging the capacitance efficiently.

종래의 터치센서의 정전용량 측정을 위한 또 다른 기술로서, 전기적 스위치를 이용하여 전극(PAD)을 완전히 VDD로 충전시킨 후에 그라운드(GND)에 연결된 저항을 통해 전극과 인체에 의해 생성된 정전용량의 캐패시터 성분을 기준전압까지 방전되는 데에 소요되는 시간을 고속의 클럭을 이용한 타이머로 측정하여 타이머의 값에 의해 정전용량의 값을 측정하였다.As another technique for measuring the capacitance of a conventional touch sensor, the electrode PAD is fully charged to VDD using an electrical switch, and then the capacitance generated by the electrode and the human body through a resistor connected to the ground GND. The time taken to discharge the capacitor component to the reference voltage was measured by a timer using a high speed clock, and the value of the capacitance was measured by the timer value.

이와 같은 종래기술 또한 정전용량의 측정을 위해 사용되는 고속 클럭의 한계에 의해서 급속 충전시에는 상대적으로 매우 짧은 시간에 충전을 완료하며, 방전시에는 충분한 값을 얻기 위해 MEGA OHM이상의 상당히 큰 저항을 연결하여 사용한다. 이때, 일반적으로 캐패시터에 충전된 전하가 저항을 통해 방전되는 경우 방전 전류는 수백 pA 내지 수 uA 정도의 미세 전류를 사용한다.This conventional technology also, due to the limitation of the high-speed clock used for measuring capacitance, completes charging in a relatively short time during fast charging, and connects a fairly large resistance of MEGA OHM or more to obtain a sufficient value during discharge. Use it. In this case, in general, when the charge charged in the capacitor is discharged through the resistor, the discharge current uses a fine current of several hundred pA to several uA.

하지만, 위와 같은 종래기술 역시 일반적으로 사람의 손가락과 전극 사이에서 얻어지는 정전용량이 수 pF ~ 수십 pF정도에 불과 함으로 방전을 하는 전류의 값을 줄일수록 더 많은 충전 시간이 소요되어 보다 많은 타이머 값을 측정할 수 있어 유리하나, 반면에 충전하는 데에 사용되는 전류가 너무 작으면 외부의 노이즈에 대한 영향과 터치센서 반도체 내부의 기생전류에 의한 영향이 증가하여 충전에 소요되는 시간의 변화량이 노이즈 성분에 의해서 증가 또는 감소되는 경향으로 나타나기 때문에 효율적으로 정전용량을 충전하는데 소요되는 시간을 측정하는데 많은 문제점들이 발생하게 된다.However, in the conventional art, the capacitance obtained between the human finger and the electrode is generally only a few pF to several tens of pF, so as the value of the current to discharge is reduced, more charging time is required and more timer value is obtained. On the other hand, if the current used for charging is too small, the influence of external noise and parasitic current inside the touch sensor semiconductor increases, so the amount of change in the time required for charging is noisy. Because of the tendency to increase or decrease by, many problems arise in measuring the time taken to efficiently charge the capacitance.

게다가, 종래의 정전용량 측정 기술에서는, 충전 분할(charging sharing)에 의해 상호 정전용량(mutual capacitance) 값의 측정이 제대로 이루어지지 않는 문제가 발생하는데, 측정하려는 곳의 정전용량 값을 정확히 미리 알 수 있다면 좋지만, 그럴 수 없기 때문에 일정 크기 이상의 캐패시터를 구현하여야 한다.In addition, in the conventional capacitance measurement technology, there is a problem in that mutual capacitance values are not properly measured due to charging sharing. That's fine, but you can't, so you'll need to implement a capacitor of a certain size.

이로 인해, 외장 캐패시터로만 구현이 가능하며, 패널 로드 별로 각기 다른 가중 치를 두는 연산 방법을 택할 수밖에 없다.Because of this, it can only be implemented with an external capacitor, and the choice of calculation method with different weights for each panel load is inevitable.

본 발명은 상술한 종래의 상황을 감안한 것으로, 터치센서의 패널 로드(panel load)의 정전용량(capacitance) 변화를 빠르고 정확하게 측정할 수 있는 터치센서의 정전용량 측정 기술을 마련하고자 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described conventional situation, and aims to provide a technology for measuring capacitance of a touch sensor that can quickly and accurately measure capacitance change of a panel load of a touch sensor.

또한 본 발명은, 터치센서의 터치 감도를 증가시키면서 노이즈(noise)에 강인한 터치센서의 정전용량 측정 기술을 마련하고자 한다.In addition, the present invention is to provide a technology for measuring the capacitance of the touch sensor that is robust to noise while increasing the touch sensitivity of the touch sensor.

본 발명의 과제를 해결하기 위한 터치센서(touch sensor)의 정전용량(capacitance) 측정 장치에 따르면, 기준전압에 의거한 구동 기준전압에 따라 패널 로드를 구동시키는 패널 구동부와, 상기 패널 구동부에서 상기 패널 로드로 공급되는 패널 로드 구동 전류를 검출하여 상기 패널 로드의 로드 캐패시터의 정전용량(capacitance)을 검출하는 캐패시터 로드 검출부를 포함할 수 있다.According to an apparatus for measuring capacitance of a touch sensor for solving the problems of the present invention, a panel driver for driving a panel rod according to a driving reference voltage based on a reference voltage, and the panel in the panel driver It may include a capacitor load detector for detecting the capacitance of the load capacitor of the panel load by detecting the panel load driving current supplied to the load.

여기서, 상기 패널 구동부는, 상기 기준전압에 의거한 구동 기준전압을 발생하는 기준전압 발생부와, 상기 기준전압 발생부로부터 인가되는 기준전압에 따라 상기 패널 로드로 상기 패널 로드 구동 전류를 공급하는 OP앰프를 포함할 수 있다.The panel driver may include a reference voltage generator for generating a driving reference voltage based on the reference voltage, and an OP for supplying the panel load driving current to the panel load according to a reference voltage applied from the reference voltage generator. It may include an amplifier.

또한, 상기 캐패시터 로드 검출부는, 상기 터치센서의 초기화 이후 상기 패널 구동부에서 상기 패널 로드로 제공되는 상기 패널 로드 구동 전류의 상승 및 하강을 검출할 수 있다.The capacitor load detector may detect the rising and falling of the panel load driving current provided from the panel driver to the panel rod after initialization of the touch sensor.

또한, 상기 캐패시터 로드 검출부는, 선택신호가 로(low)일 때 인에이블(enable)되고, 상기 선택신호가 하이(high)일 때 디스에이블(disable)되는 상승전류 검출부와, 상기 선택신호가 로일 때 디스에이블되고, 상기 선택신호가 하이일 때 인에이블되는 하강전류 검출부를 포함할 수 있다.The capacitor load detector may be enabled when the selection signal is low and is disabled when the selection signal is high, and the selection signal is loil. And a falling current detection unit disabled when the selection signal is high and enabled when the selection signal is high.

또한, 상기 상승전류 검출부는, 상기 선택신호가 로일 때 인에이블되어 상기 패널 구동부에서 상기 패널 로드로 공급되는 상기 패널 로드 구동 전류에서 상승전류 성분을 검출할 수 있다.The rising current detector may be enabled when the selection signal is low to detect a rising current component in the panel load driving current supplied from the panel driver to the panel load.

또한, 상기 상승전류 성분은, 상기 패널 로드가 저 전압에서 고 전압으로 구동될 때의 전류 성분일 수 있다.In addition, the rising current component may be a current component when the panel load is driven from a low voltage to a high voltage.

또한, 상기 하강전류 검출부는, 상기 선택신호가 하이일 때 인에이블되어 상기 패널 구동부에서 상기 패널 로드로 공급되는 상기 패널 로드 구동 전류에서 하강전류 성분을 검출할 수 있다.The falling current detector may be enabled when the selection signal is high to detect a falling current component in the panel load driving current supplied from the panel driver to the panel rod.

또한, 상기 하강전류 성분은, 상기 패널 로드가 고 전압에서 저 전압으로 구동될 때의 전류 성분일 수 있다.In addition, the falling current component may be a current component when the panel load is driven from a high voltage to a low voltage.

또한, 상기 캐패시터 로드 검출부는, 상기 상승전류 성분 또는 상기 하강전류 성분을 충전하는 센싱 캐패시터를 더 포함할 수 있다.The capacitor load detector may further include a sensing capacitor configured to charge the rising current component or the falling current component.

또한, 상기 캐패시터 로드 검출부는, 상기 상승전류 성분 또는 상기 하강전류 성분이 상기 센싱 캐패시터에 충전되고 기 설정된 시간이 경과하여 상기 센싱 캐패시터가 완전 충전되는 경우, 상기 패널 로드의 상기 로드 캐패시터의 정전용량을 검출할 수 있다.The capacitor load detector may be configured to adjust the capacitance of the load capacitor of the panel load when the rising current component or the falling current component is charged to the sensing capacitor and the sensing capacitor is fully charged after a predetermined time elapses. Can be detected.

또한, 상기 로드 캐패시터의 정전용량은, 상기 캐패시터 로드 검출부의 센싱 전압의 전위 변화가 없을 때 검출될 수 있다.In addition, the capacitance of the load capacitor may be detected when there is no potential change in the sensing voltage of the capacitor load detector.

또한, 상기 캐패시터 로드 검출부는, 상기 패널 로드의 로드 전압과 상기 로드 캐패시터의 정전용량의 곱이, 상기 캐패시터 로드 검출부의 상기 센싱 전압과 상기 센싱 캐패시터의 정전용량의 곱과 같아지는 조건에서 상기 로드 캐패시터의 정전용량을 검출할 수 있다.The capacitor load detector may further include the load voltage of the panel load and the capacitance of the load capacitor equal to the product of the sensing voltage of the capacitor load detector and the capacitance of the sensing capacitor. Capacitance can be detected.

본 발명의 과제를 해결하기 위한 터치센서의 정전용량 측정 회로에 따르면, 제 1 PMOS 트랜지스터와, 상기 제 1 PMOS 트랜지스터의 드레인(drain) 단자와 그 드레인 단자가 직렬로 연결되고 소스(source) 단자가 접지와 연결되는 제 1 NMOS 트랜지스터로 이루어진 패널 구동 회로를 포함하고, 상기 제 1 PMOS 트랜지스터의 게이트(gate) 단자와 그 게이트 단자가 직렬로 연결되는 제 2 PMOS 트랜지스터와, 상기 제 1 NMOS 트랜지스터의 게이트 단자와 그 게이트 단자가 직렬로 연결되고 드레인 단자가 상기 제 2 PMOS 트랜지스터의 드레인 단자와 직렬로 연결되며 소스 단자가 상기 접지와 연결되는 제 2 NMOS 트랜지스터와, 상기 제 2 NMOS 트랜지스터의 드레인 단자와 그 드레인 단자가 직렬로 연결되고 소스 단자가 상기 접지와 연결되는 제 3 NMOS 트랜지스터와, 상기 제 3 NMOS 트랜지스터의 게이트 단자와 그 게이트 단자가 직렬로 연결되고 소스 단자가 접지와 연결되는 제 4 NMOS 트랜지스터와, 상기 제 4 NMOS 트랜지스터의 드레인 단자와 그 드레인 단자가 직렬로 연결되는 제 3 PMOS 트랜지스터와, 상기 제 3 PMOS 트랜지스터의 게이트 단자와 그 게이트 단자가 직렬로 연결되는 제 4 PMOS 트랜지스터와, 상기 제 4 PMOS 트랜지스터의 드레인 단자와 그 일단이 직렬로 연결되는 센싱 캐패시터로 이루어진 전류 검출 회로를 포함할 수 있다.According to the capacitance measuring circuit of the touch sensor for solving the problem of the present invention, the drain terminal of the first PMOS transistor, the drain terminal and the drain terminal of the first PMOS transistor is connected in series and the source terminal A panel driving circuit comprising a first NMOS transistor connected to a ground, a second PMOS transistor having a gate terminal of the first PMOS transistor and a gate terminal thereof connected in series, and a gate of the first NMOS transistor; A second NMOS transistor connected in series with a terminal thereof, a gate terminal thereof, a drain terminal connected in series with a drain terminal of the second PMOS transistor, and a source terminal connected with the ground; a drain terminal of the second NMOS transistor; A third NMOS transistor having a drain terminal connected in series and a source terminal connected to the ground; and the third NMOS transistor; A fourth NMOS transistor having a gate terminal of the jistor connected to the gate terminal thereof in series and a source terminal connected to the ground; a third PMOS transistor having the drain terminal of the fourth NMOS transistor connected in series; And a current detection circuit including a fourth PMOS transistor in which a gate terminal of the third PMOS transistor and a gate terminal thereof are connected in series, and a sensing capacitor in which a drain terminal of the fourth PMOS transistor and one end thereof are connected in series. .

여기서, 상기 제 1 PMOS 트랜지스터를 통해 구동되는 전류값은, 상기 제 2 PMOS 트랜지스터를 통해 상기 접지로 유기되는 전류값과, 상기 패널 구동 회로에 의해 패널 로드로 구동되는 전류값의 합과 동일할 수 있다.Here, the current value driven through the first PMOS transistor may be equal to the sum of the current value induced to the ground through the second PMOS transistor and the current value driven by the panel driving circuit to the panel load. have.

또한, 상기 제 2 PMOS 트랜지스터는, 상기 제 1 PMOS 트랜지스터의 게이트 전압으로 제어되어 상기 제 1 PMOS 트랜지스터의 전류를 카피(copy)할 수 있다.The second PMOS transistor may be controlled by a gate voltage of the first PMOS transistor to copy a current of the first PMOS transistor.

또한, 상기 제 2 NMOS 트랜지스터는, 상기 제 1 NMOS 트랜지스터의 게이트 전압으로 제어되어 상기 제 1 NMOS 트랜지스터의 전류를 카피할 수 있다.The second NMOS transistor may be controlled by a gate voltage of the first NMOS transistor to copy a current of the first NMOS transistor.

또한, 상기 제 4 NMOS 트랜지스터는, 제 3 NMOS 트랜지스터의 게이트 전압으로 제어되어 상기 제 3 NMOS 트랜지스터의 전류를 카피할 수 있다.The fourth NMOS transistor may be controlled by the gate voltage of the third NMOS transistor to copy a current of the third NMOS transistor.

또한, 상기 제 4 PMOS 트랜지스터는, 상기 제 3 PMOS 트랜지스터의 게이트 전압으로 제어되어 상기 제 3 PMOS 트랜지스터의 전류를 카피할 수 있다.The fourth PMOS transistor may be controlled by a gate voltage of the third PMOS transistor to copy a current of the third PMOS transistor.

또한, 상기 제 4 PMOS 트랜지스터에 카피된 상기 제 3 PMOS 트랜지스터의 전류에 의해 상기 센싱 캐패시터가 충전될 수 있다.In addition, the sensing capacitor may be charged by the current of the third PMOS transistor copied into the fourth PMOS transistor.

또한, 상기 터치센서의 정전용량 측정 회로는, 상기 센싱 캐패시터의 완전 충전시, 상기 제 1 PMOS 트랜지스터를 통해 구동되는 전류값과 상기 제 2 PMOS 트랜지스터를 통해 상기 접지로 유기되는 전류값이 동일할 수 있다.In addition, the capacitance measuring circuit of the touch sensor may have a current value driven through the first PMOS transistor and a current value induced to the ground through the second PMOS transistor when the sensing capacitor is fully charged. have.

또한, 상기 센싱 캐패시터의 완전 충전시, 상기 패널 구동 회로에 의해 패널 로드로 구동되는 전류값은 0일 수 있다.In addition, when the sensing capacitor is fully charged, the current value driven by the panel driving circuit to the panel load may be zero.

또한, 상기 전류 검출 회로는, 상기 패널 로드의 로드 전압과 로드 캐패시터의 정전용량의 곱이, 상기 전류 검출 회로의 센싱 전압과 상기 센싱 캐패시터의 정전용량의 곱과 같아지는 조건에서 상기 로드 캐패시터의 정전용량을 검출할 수 있다.In addition, the current detection circuit, the capacitance of the load capacitor under the condition that the product of the load voltage of the panel load and the capacitance of the load capacitor is equal to the product of the sensing voltage of the current detection circuit and the capacitance of the sensing capacitor. Can be detected.

본 발명의 과제를 해결하기 위한 터치센서의 정전용량 측정 방법에 따르면, 터치센서의 센싱 전압이 초기화되면 기준전압을 제 1 설정 레벨에서 상기 제 1 설정 레벨의 상위 레벨인 제 2 설정 레벨로 천이시키는 과정과, 기 설정 시간 경과 후 상기 터치센서의 로드 전압이 상기 제 2 설정 레벨로 수렴될 때, 상기 터치센서의 센싱 정전용량을 검출하여 상기 터치센서의 패널 로드의 로드 정전용량을 측정하는 과정을 포함할 수 있다.According to the capacitance measuring method of the touch sensor for solving the problem of the present invention, when the sensing voltage of the touch sensor is initialized to transition the reference voltage from the first setting level to the second setting level that is higher than the first setting level And detecting a sensing capacitance of the touch sensor when the load voltage of the touch sensor converges to the second setting level after a preset time elapses, and measuring the load capacitance of the panel rod of the touch sensor. It may include.

여기서, 상기 천이시키는 과정은, 전류 상승 동작일 수 있다.Here, the transition may be a current raising operation.

또한, 상기 패널 로드로 유기되는 전류는, 충전 전류일 수 있다.In addition, the current induced by the panel rod may be a charging current.

본 발명의 과제를 해결하기 위한 터치센서의 정전용량 측정 방법에 따르면, 터치센서의 센싱 전압이 초기화되면 기준전압을 제 2 설정 레벨에서 상기 제 2 설정 레벨의 하위 레벨인 제 1 설정 레벨로 천이시키는 과정과, 기 설정 시간 경과 후 상기 터치센서의 로드 전압이 상기 제 1 설정 레벨로 수렴될 때, 상기 터치센서의 센싱 정전용량을 검출하여 상기 터치센서의 패널 로드의 로드 정전용량을 측정하는 과정을 포함할 수 있다.According to the capacitance measuring method of the touch sensor for solving the problem of the present invention, when the sensing voltage of the touch sensor is initialized to transition the reference voltage from the second setting level to the first setting level which is a lower level of the second setting level And detecting the sensing capacitance of the touch sensor when the load voltage of the touch sensor converges to the first set level after a preset time elapses, and measuring the load capacitance of the panel rod of the touch sensor. It may include.

여기서, 상기 천이시키는 과정은, 전류 하강 동작일 수 있다.Here, the transition may be a current drop operation.

또한, 상기 패널 로드로 유기되는 전류는, 방전 전류일 수 있다.In addition, the current induced by the panel rod may be a discharge current.

본 발명에 의하면, 터치센서의 상승전류 및 하강전류를 검출하여 패널 로드(panel load)의 정전용량(capacitance) 값의 변화를 정확히 감지해 낼 수 있는 바, 터치 감도를 증가시키면서 회로 구현을 간소화할 수 있으며, 데이터 처리 속도 를 증가시키면서 노이즈(noise)에 강인한 특성을 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to accurately detect the change in the capacitance value of the panel load by detecting the rising current and the falling current of the touch sensor, thereby simplifying the circuit implementation while increasing the touch sensitivity. It can provide robustness against noise while increasing data processing speed.

터치센서의 기본 동작은 터치 동작에 의한 패널 로드 정전용량의 변화량을 감지해 내는 것이다. 종래에 제시된 센싱 기술들은 센싱 과정에서 정확한 센싱 값을 추출해 낼 수 없기 때문에, 대략적인 값으로 연산을 수행하였다. 이로 인해 구현 회로가 매우 복잡해 지고, 구조적으로 패널 로드 크기에 따라 선택사항들을 고려해야 하는 문제가 있다.The basic operation of the touch sensor is to detect the amount of change in the panel load capacitance caused by the touch operation. Since the conventional sensing techniques cannot extract an accurate sensing value in the sensing process, the sensing technique is performed with an approximate value. This adds significant complexity to the implementation circuitry and poses a challenge to consider options depending on the panel load size.

본 발명에서는, 패널 로드의 정전용량 값을 정확히 측정할 수 있는 기술을 제안하고자 한다.In the present invention, to propose a technique that can accurately measure the capacitance value of the panel load.

본 발명에서는 패널 로드의 크기에 상관 없이 약속된 레벨로 구동을 하게 되면 패널의 정전용량 값을 정확히 측정할 수 있기 때문에 터치가 된 경우 어느 정도의 터치가 이루어졌는지 출력 값을 리니어(linear)하게 측정할 수 있다.In the present invention, since the capacitance value of the panel can be accurately measured when driving at a predetermined level regardless of the size of the panel load, the output value is linearly measured by how much touch is made when the touch is made. can do.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하 게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 도면부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but can be implemented in various different forms, and only the embodiments make the disclosure of the present invention complete, and the general knowledge in the art to which the present invention belongs. It is provided to fully inform the person having the scope of the invention, the invention is defined only by the scope of the claims. Like numbers refer to like elements throughout.

본 발명의 실시예들을 설명함에 있어서 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 그리고 후술되는 용어들은 본 발명의 실시예에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.In describing the embodiments of the present invention, if it is determined that a detailed description of a known function or configuration may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. In addition, terms to be described below are terms defined in consideration of functions in the embodiments of the present invention, which may vary according to intentions or customs of users and operators. Therefore, the definition should be based on the contents throughout this specification.

첨부된 블록도의 각 블록과 흐름도의 각 단계의 조합들은 컴퓨터 프로그램 인스트럭션들에 의해 수행될 수도 있다. 이들 컴퓨터 프로그램 인스트럭션들은 범용 컴퓨터, 특수용 컴퓨터 또는 기타 프로그램 가능한 데이터 프로세싱 장비의 프로세서에 탑재될 수 있으므로, 컴퓨터 또는 기타 프로그램 가능한 데이터 프로세싱 장비의 프로세서를 통해 수행되는 그 인스트럭션들이 블록도의 각 블록 또는 흐름도의 각 단계에서 설명된 기능들을 수행하는 수단을 생성하게 된다. 이들 컴퓨터 프로그램 인스트럭션들은 특정 방식으로 기능을 구현하기 위해 컴퓨터 또는 기타 프로그램 가능한 데이터 프로세싱 장비를 지향할 수 있는 컴퓨터 이용 가능 또는 컴퓨터 판독 가능 메모리에 저장되는 것도 가능하므로, 그 컴퓨터 이용가능 또는 컴퓨터 판독 가능 메모리에 저장된 인스트럭션들은 블록도의 각 블록 또는 흐름도 각 단계에서 설명된 기능을 수행하는 인스트럭션 수단을 내포하는 제조 품목을 생산하는 것도 가능하다. 컴퓨터 프로그램 인스트럭션들은 컴퓨터 또는 기타 프로그 램 가능한 데이터 프로세싱 장비 상에 탑재되는 것도 가능하므로, 컴퓨터 또는 기타 프로그램 가능한 데이터 프로세싱 장비 상에서 일련의 동작 단계들이 수행되어 컴퓨터로 실행되는 프로세스를 생성해서 컴퓨터 또는 기타 프로그램 가능한 데이터 프로세싱 장비를 수행하는 인스트럭션들은 블록도의 각 블록 및 흐름도의 각 단계에서 설명된 기능들을 실행하기 위한 단계들을 제공하는 것도 가능하다. Each block of the accompanying block diagrams and combinations of steps of the flowchart may be performed by computer program instructions. These computer program instructions may be mounted on a processor of a general purpose computer, special purpose computer, or other programmable data processing equipment such that instructions executed through the processor of the computer or other programmable data processing equipment may not be included in each block or flowchart of the block diagram. It will create means for performing the functions described in each step. These computer program instructions may be stored in a computer usable or computer readable memory that can be directed to a computer or other programmable data processing equipment to implement functionality in a particular manner, and thus the computer usable or computer readable memory. It is also possible for the instructions stored in to produce an article of manufacture containing instruction means for performing the functions described in each block or flowchart of each step of the block diagram. Computer program instructions may also be mounted on a computer or other programmable data processing equipment, such that a series of operating steps may be performed on the computer or other programmable data processing equipment to create a computer-implemented process that may be executed by the computer or other programmable data. Instructions for performing data processing equipment may also provide steps for performing the functions described in each block of the block diagram and in each step of the flowchart.

또한, 각 블록 또는 각 단계는 특정된 논리적 기능(들)을 실행하기 위한 하나 이상의 실행 가능한 인스트럭션들을 포함하는 모듈, 세그먼트 또는 코드의 일부를 나타낼 수 있다. 또, 몇 가지 대체 실시예들에서는 블록들 또는 단계들에서 언급된 기능들이 순서를 벗어나서 발생하는 것도 가능함을 주목해야 한다. 예컨대, 잇달아 도시되어 있는 두 개의 블록들 또는 단계들은 사실 실질적으로 동시에 수행되는 것도 가능하고 또는 그 블록들 또는 단계들이 때때로 해당하는 기능에 따라 역순으로 수행되는 것도 가능하다.In addition, each block or step may represent a portion of a module, segment or code that includes one or more executable instructions for executing a specified logical function (s). It should also be noted that in some alternative embodiments, the functions noted in the blocks or steps may occur out of order. For example, the two blocks or steps shown in succession may in fact be executed substantially concurrently or the blocks or steps may sometimes be performed in the reverse order, depending on the functionality involved.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 터치센서(touch sensor)의 정전용량(capacitance) 측정 장치에 대한 개략적인 블록 구성도로서, 패널(panel) 구동부(100), 패널 로드(load)(200), 캐패시터(capacitor) 로드 검출부(300) 등을 포함할 수 있다.1 is a schematic block diagram of an apparatus for measuring capacitance of a touch sensor according to an exemplary embodiment of the present invention, which includes a panel driver 100 and a panel load 200. , A capacitor load detector 300, and the like.

도 1에 도시한 바와 같이, 패널 구동부(100)는, 패널 로드(200)를 구동시키 는 역할을 하며, 기준 전압 발생부(10) 및 OP앰프(12)로 구성될 수 있다.As shown in FIG. 1, the panel driver 100 serves to drive the panel rod 200 and may include a reference voltage generator 10 and an OP amplifier 12.

여기서, 기준 전압 발생부(10)는 외부로부터 인가되는 기준 전압에 따라 OP앰프(12)로 일정한 구동 기준 전압을 인가하는 역할을 할 수 있다.Here, the reference voltage generator 10 may serve to apply a constant driving reference voltage to the OP amplifier 12 according to a reference voltage applied from the outside.

OP앰프(12)는 기준 전압 발생부(10)로부터 인가되는 기준 전압에 대응하여 패널 로드(200)를 구동시키는데, 이때, OP앰프(12)에서 패널 로드(200)로 패널 로드 구동 전류가 공급될 수 있다.The OP amplifier 12 drives the panel load 200 in response to the reference voltage applied from the reference voltage generator 10, wherein the panel load driving current is supplied from the OP amplifier 12 to the panel load 200. Can be.

패널 로드(200)는, 패널 구동부(100)의 OP앰프(12)로부터의 패널 로드 구동 전류에 따라 내부의 로드 캐패시터(CL)에 전하를 충전하는 역할을 할 수 있다.The panel rod 200 may serve to charge electric charges in the internal load capacitor CL according to the panel load driving current from the OP amplifier 12 of the panel driver 100.

본 실시예에 따른 캐패시터 로드 검출부(300)는, 패널 구동부(100)에서 패널 로드(200)로 공급되는 패널 로드 구동 전류를 검출하여 상기 패널 로드(200)의 로드 캐패시터(CL)의 정전용량을 측정하는 역할을 할 수 있다.The capacitor load detector 300 according to the present exemplary embodiment detects a panel load driving current supplied from the panel driver 100 to the panel rod 200 to determine the capacitance of the load capacitor CL of the panel rod 200. Can act as a measure

이러한 캐패시터 로드 검출부(300)는, 선택신호 발생부(30), 상승전류 검출부(32), 하강전류 검출부(34), 센싱 캐패시터(CS) 등을 포함할 수 있다.The capacitor load detector 300 may include a selection signal generator 30, a rising current detector 32, a falling current detector 34, a sensing capacitor CS, and the like.

여기서, 선택신호 발생부(30)는 하이(high) 또는 로(low)의 선택신호를 발생하여 상승전류 검출부(32) 및/또는 하강전류 검출부(34)로 제공할 수 있다.Here, the selection signal generator 30 may generate a high or low selection signal and provide the selected signal to the rising current detector 32 and / or the falling current detector 34.

상승전류 검출부(32)는 선택신호 발생부(30)로부터의 선택신호가 로일 때 인에이블(enable)되고 선택신호가 하이일 때 디스에이블(disable)되며, 로 선택신호에 의한 인에이블시 패널 구동부(100)에서 패널 로드(200)로 공급되는 패널 로드 구동 전류에서 상승전류 성분(패널 로드(200)가 저 전압(low voltage)에서 고 전압(high voltage)으로 구동될 때의 전류 성분)을 검출하는 역할을 수행할 수 있다.The rising current detector 32 is enabled when the selection signal from the selection signal generator 30 is low, and is disabled when the selection signal is high, and the panel driver is enabled when the selection signal is high. The rising current component (current component when the panel rod 200 is driven from low voltage to high voltage) is detected in the panel load driving current supplied to the panel rod 200 at 100. It can play a role.

하강전류 검출부(34)는 선택신호 발생부(30)로부터의 선택신호가 로일 때 디스에이블되고 선택신호가 하이일 때 인에이블되며, 하이 선택신호에 의한 인에이블시 패널 구동부(100)에서 패널 로드(200)로 공급되는 패널 로드 구동 전류에서 하강전류 성분(패널 로드(200)가 고 전압에서 저 전압으로 구동될 때의 전류 성분)을 검출하는 역할을 수행할 수 있다.The falling current detection unit 34 is disabled when the selection signal from the selection signal generator 30 is low and is enabled when the selection signal is high, and the panel load is loaded by the panel driver 100 when the selection signal is enabled. The falling current component (the current component when the panel rod 200 is driven from the high voltage to the low voltage) may be detected in the panel load driving current supplied to the 200.

이와 같은 상승전류 검출부(32) 또는 하강전류 검출부(34)를 통해 검출되는 각각의 전류 성분은 센싱 캐패시터(CS)에 충전될 수 있다.Each of the current components detected by the rising current detector 32 or the falling current detector 34 may be charged in the sensing capacitor CS.

여기서, 전류 성분, 예를 들어 상승전류 성분이 센싱 캐패시터(CS)에 충전되고 일정 시간이 경과하여 센싱 캐패시터(CS)가 완전 충전되는 경우, 센싱 전압(VS)의 전위 변화가 더 이상 발생하지 않게 되는데, 본 실시예에서는 이때의 패널 로드(200)의 로드 캐패시터(CL)의 정전용량을 검출하는 것을 특징으로 한다.Here, when the current component, for example, the rising current component is charged in the sensing capacitor CS and the sensing capacitor CS is fully charged after a predetermined time, the potential change of the sensing voltage VS no longer occurs. In this embodiment, the capacitance of the load capacitor CL of the panel rod 200 at this time is detected.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 터치센서의 정전용량 측정 동작을 예시적으로 설명하기 위해 도 1의 OP앰프(12)와 상승전류 검출부(32)의 연결 관계를 예시한 회로도이고, 도 3은 이러한 정전용량 검출 동작의 이해를 돕기 위한 각 신호별 파형도이다.FIG. 2 is a circuit diagram illustrating a connection relationship between the OP amp 12 and the rising current detector 32 of FIG. 1 to exemplarily describe a capacitance measurement operation of a touch sensor according to an exemplary embodiment of the present invention. Is a waveform diagram for each signal to help understand the capacitance detection operation.

도 2에 예시한 바와 같이, OP앰프(12)는 다수의 MOS 트랜지스터와 저항들로 구성될 수 있는데, 대표적으로 제 1 PMOS 트랜지스터(M1)와, 제 1 PMOS 트랜지스터(M1)의 드레인(drain) 단자와 그 드레인 단자가 직렬로 연결되고 소스(source) 단자가 접지(도시 생략됨)와 연결되는 제 1 NMOS 트랜지스터(M2)를 포함할 수 있다.As illustrated in FIG. 2, the OP amplifier 12 may include a plurality of MOS transistors and resistors, and typically, a drain of the first PMOS transistor M1 and the first PMOS transistor M1. The terminal may include a first NMOS transistor M2 having a drain terminal connected in series and a source terminal connected to a ground (not shown).

상승전류 검출부(32)는, OP앰프(12)의 제 1 PMOS 트랜지스터(M1)의 게이트(gate) 단자와 그 게이트 단자가 직렬로 연결되는 제 2 PMOS 트랜지스터(M3)와, OP앰프(12)의 제 1 NMOS 트랜지스터(M2)의 게이트 단자와 그 게이트 단자가 직렬로 연결되고 드레인 단자가 제 2 PMOS 트랜지스터(M3)의 드레인 단자와 직렬로 연결되며 소스 단자가 접지와 연결되는 제 2 NMOS 트랜지스터(M4)와, 제 2 NMOS 트랜지스터(M4)의 드레인 단자와 그 드레인 단자가 직렬로 연결되고 소스 단자가 접지와 연결되는 제 3 NMOS 트랜지스터(M5)와, 제 3 NMOS 트랜지스터(M5)의 게이트 단자와 그 게이트 단자가 직렬로 연결되고 소스 단자가 접지와 연결되는 제 4 NMOS 트랜지스터(M6)와, 제 4 NMOS 트랜지스터(M6)의 드레인 단자와 그 드레인 단자가 직렬로 연결되는 제 3 PMOS 트랜지스터(M7)와, 제 3 PMOS 트랜지스터(M7)의 게이트 단자와 그 게이트 단자가 직렬로 연결되는 제 4 PMOS 트랜지스터(M8)와, 제 4 PMOS 트랜지스터(M8)의 드레인 단자와 그 일단이 직렬로 연결되는 센싱 캐패시터(CS)를 포함할 수 있다.The rising current detector 32 includes a gate terminal of the first PMOS transistor M1 of the OP amplifier 12, a second PMOS transistor M3 having a gate terminal thereof connected in series, and an OP amplifier 12. A second NMOS transistor having a gate terminal of the first NMOS transistor M2 and a gate terminal thereof connected in series, a drain terminal thereof connected in series with a drain terminal of the second PMOS transistor M3, and a source terminal thereof connected to ground; M4), the third NMOS transistor M5 in which the drain terminal of the second NMOS transistor M4 and its drain terminal are connected in series, and the source terminal is connected to ground, and the gate terminal of the third NMOS transistor M5; A fourth NMOS transistor M6 having its gate terminal connected in series and a source terminal connected with the ground; and a third PMOS transistor M7 having its drain terminal connected in series with the drain terminal of the fourth NMOS transistor M6; And the third PMOS transistor M7 A fourth PMOS transistor M8 having the gate terminal and the gate terminal connected in series, and a sensing capacitor CS having the drain terminal and one end of the fourth PMOS transistor M8 connected in series may be included.

이러한 OP앰프(12)를 이용하여 패널 로드(200)를 도 3의 로드 전압(VL) 파형으로 구동하게 되면, 제 1 PMOS 트랜지스터(M1)를 통해 구동되는 전류 I1은, 제 2 PMOS 트랜지스터(M2)를 통해 접지로 유기되는 전류 I2와 로드로 구동되는 전류 I3의 합과 같다. 이는 다음 [수학식 1]로 표현될 수 있다.When the panel load 200 is driven by the load voltage VL waveform of FIG. 3 using the OP amplifier 12, the current I1 driven through the first PMOS transistor M1 is the second PMOS transistor M2. ) Is equal to the sum of the current I2 driven to ground and the current I3 driven by the load. This can be expressed by the following [Equation 1].

I1 = I2 + I3I1 = I2 + I3

이때, 제 2 PMOS 트랜지스터(M3)는 제 1 PMOS 트랜지스터(M1)의 게이트 전압으로 제어될 수 있기 때문에, 제 2 PMOS 트랜지스터(M3)는 제 1 PMOS 트랜지스터(M1)의 전류를 카피(copy)할 수 있다. 마찬가지로, 제 2 NMOS 트랜지스터(M4)는 제 1 NMOS 트랜지스터(M2)의 전류를 카피하고, 제 4 NMOS 트랜지스터(M6)는 제 3 NMOS 트랜지스터(M5)의 전류를 카피하며, 제 4 PMOS 트랜지스터(M8)는 제 3 PMOS 트랜지스터(M7)의 전류를 카피할 수 있다.In this case, since the second PMOS transistor M3 may be controlled by the gate voltage of the first PMOS transistor M1, the second PMOS transistor M3 may copy the current of the first PMOS transistor M1. Can be. Similarly, the second NMOS transistor M4 copies the current of the first NMOS transistor M2, the fourth NMOS transistor M6 copies the current of the third NMOS transistor M5, and the fourth PMOS transistor M8. ) May copy the current of the third PMOS transistor M7.

여기서, 제 3 NMOS 트랜지스터(M5)에는 IM3-IM4의 전류인 IM5가 유기될 수 있는데, 이러한 IM5는, 예컨대 다이오드 접속 구조로 구성될 수 있다.Here, IM5, which is the current of IM3-IM4, may be induced in the third NMOS transistor M5, which IM5 may be configured, for example, with a diode connection structure.

제 3 NMOS 트랜지스터(M5)에 유기될 수 있는 전류 IM5는 제 4 NMOS 트랜지스터(M6)로 카피될 수 있으며, 제 4 NMOS 트랜지스터(M6)로 카피된 전류 IM5는 제 3 PMOS 트랜지스터(M7)로 입력될 수 있다.The current IM5 that can be induced in the third NMOS transistor M5 can be copied into the fourth NMOS transistor M6, and the current IM5 copied into the fourth NMOS transistor M6 is input to the third PMOS transistor M7. Can be.

제 3 PMOS 트랜지스터(M7)에 입력된 전류 IM5는 제 4 PMOS 트랜지스터(M8)로 카피되어 최종적으로 센싱 캐패시터(CS)를 충전할 수 있게 된다.The current IM5 input to the third PMOS transistor M7 is copied to the fourth PMOS transistor M8 to finally charge the sensing capacitor CS.

일정 시간 경과 후, 구동이 종료되면(센싱 캐패시터(CS)가 완전 충전되면), I1=I2가 되어 I3의 값은 0이 되고, 결과적으로 센싱 캐패시터(CS)의 전위인 센싱 전압(VS)이 더 이상 변화되지 않게 된다.After a certain period of time, when the drive is terminated (when the sensing capacitor CS is fully charged), I1 = I2 and the value of I3 becomes 0. As a result, the sensing voltage VS, which is the potential of the sensing capacitor CS, becomes It will not change anymore.

이와 같은 원리로 패널에 구동된 전류는 정확히 센싱 캐패시터(CS)에 충전되게 되고, 다음 [수학식 2]에 의해서 패널 로드(200)의 로드 캐패시터(CL)의 정전용량을 정확히 검출해 낼 수 있다.In this manner, the current driven in the panel is accurately charged in the sensing capacitor CS, and the capacitance of the load capacitor CL of the panel load 200 can be accurately detected by Equation 2 below. .

VL × CLc = VS × CScVL × CLc = VS × CSc

여기서, VL은 로드 전압, CLc는 로드 캐패시터(CL)의 정전용량, VS는 센싱 전압, CSc는 센싱 캐패시터(CS)의 정전용량을 각각 의미할 수 있다. 즉, VL, VS, CSc가 미리 설정되어 있다고 가정했을 때, 상기 [수학식 2]를 만족하는 로드 캐패시터(CL)의 정전용량(CLc)을 검출할 수 있을 것이다.Here, VL may refer to a load voltage, CLc may refer to a capacitance of the load capacitor CL, VS may correspond to a sensing voltage, and CSc may refer to a capacitance of the sensing capacitor CS. That is, assuming that VL, VS, and CSc are set in advance, the capacitance CLc of the load capacitor CL satisfying Equation 2 may be detected.

이러한 도 2의 터치센서의 정전용량 측정 동작을 도 3의 각 신호별 파형도를 참조하여 보다 구체적으로 예시하면 다음과 같다.The capacitance measurement operation of the touch sensor of FIG. 2 will be described in more detail with reference to the waveform diagram of each signal of FIG. 3.

먼저, 센싱 전압(VS)은 초기화 신호(INIT)가 로(low)에서 하이(high)로 천이되는 순간 접지 레벨로 초기화될 수 있다.First, the sensing voltage VS may be initialized to the ground level at the instant when the initialization signal INIT transitions from low to high.

<전류 상승 구동><Current rise drive>

1. 초기화 이후, 일정 시간이 경과되면 기준 전압(REF)이 제 1 기준전압(Vref1) 레벨에서 제 2 기준전압(Vref2) 레벨로 천이될 수 있다.1. After initialization, when a predetermined time elapses, the reference voltage REF may transition from the first reference voltage Vref1 level to the second reference voltage Vref2 level.

2. 이 동작은 제 2 기준전압(Vref2)이 제 1 기준전압(Vref1)보다 큰 전위이기 때문에 전류 상승 동작으로 규정할 수 있다. 전류 상승 동작시 캐패시터 로드 검출부(300)의 상승전류 검출부(32)가 선택신호 발생부(30)의 선택신호에 의해 인에이블될 수 있으며, 하강전류 검출부(34)는 디스에이블 될 수 있다.2. This operation can be defined as the current raising operation because the second reference voltage Vref2 is a potential higher than the first reference voltage Vref1. In the current rising operation, the rising current detection unit 32 of the capacitor load detection unit 300 may be enabled by the selection signal of the selection signal generator 30, and the falling current detection unit 34 may be disabled.

3. 충분한 로드 구동시간, 예컨대 도 3의 t1 경과 후, 로드 전압(VL)은 제 2 기준전압(Vref2) 레벨로 완전히 수렴할 수 있다.3. After sufficient load driving time, e.g., after t1 in FIG. 3, the load voltage VL can fully converge to the second reference voltage Vref2 level.

4. 이 과정에서 패널 로드(200)로 유기되는 전류는 충전(charging) 전류가 되고, 이 값은 상승전류 검출부(32)에 의해 센싱되어 센싱 캐패시터(CS)에 저장되고, t1 경과 후 센싱 전압(VS)의 전위를 갖는 값으로 종료될 수 있다.4. In this process, the current induced by the panel load 200 becomes a charging current, and this value is sensed by the rising current detector 32 and stored in the sensing capacitor CS, and the sensing voltage after t1 passes. Can end with a value having a potential of (VS).

<전류 하강 구동><Current lowering drive>

1. 초기화 이후, 일정 시간이 경과되면 기준 전압(REF)이 제 2 기준전압(Vref2) 레벨에서 제 1 기준전압(Vref1) 레벨로 천이될 수 있다.1. After initialization, when a predetermined time elapses, the reference voltage REF may transition from the second reference voltage Vref2 level to the first reference voltage Vref1 level.

2. 이 동작은 제 2 기준전압(Vref2)이 제 1 기준전압(Vref1)보다 큰 전위이기 때문에 전류 하강 동작으로 규정할 수 있다. 전류 하강 동작시 캐패시터 로드 검출부(300)의 하강전류 검출부(34)가 선택신호 발생부(30)의 선택신호에 의해 인에이블될 수 있으며, 상승전류 검출부(34)는 디스에이블 될 수 있다.2. This operation can be defined as the current drop operation because the second reference voltage Vref2 is a potential larger than the first reference voltage Vref1. In the current lowering operation, the falling current detection unit 34 of the capacitor load detection unit 300 may be enabled by the selection signal of the selection signal generator 30, and the rising current detection unit 34 may be disabled.

3. 충분한 로드 구동시간, 예컨대 도 3의 t1 경과 후, 로드 전압(VL)은 제 1 기준전압(Vref1) 레벨로 완전히 수렴할 수 있다.3. After sufficient load driving time elapses, for example, t1 in FIG. 3, the load voltage VL may completely converge to the first reference voltage Vref1 level.

4. 이 과정에서 패널 로드(200)로 유기되는 전류는 방전(discharging) 전류가 되고, 이 값은 상승전류 검출부(32)에 의해 센싱되어 센싱 캐패시터(CS)에 저장되고, t1 경과 후 센싱 전압(VS)의 전위를 갖는 값으로 종료될 수 있다.4. In this process, the current induced by the panel load 200 becomes a discharging current, and this value is sensed by the rising current detector 32 and stored in the sensing capacitor CS, and the sensing voltage after t1 passes. Can end with a value having a potential of (VS).

도 3의 파형도는, 초기화 -> 전류 상승 구동 -> 전류 하강 구동 -> 전류 상승 구동 -> 전류 하강 구동의 타이밍 다이어그램을 의미한다.The waveform diagram of FIG. 3 means a timing diagram of initialization-> current rise drive-> current fall drive-> current rise drive-> current fall drive.

센싱 전압(VS)이 각 구동이 종료되는 시점에서 일정 전위씩 충전(charging)되는 것을 확인할 수 있다. 이렇게 측정된 전압으로 패널 로드(200)의 정전용량을 측정할 수 있다.It can be seen that the sensing voltage VS is charged by a predetermined potential at the end of each driving. The capacitance of the panel load 200 may be measured using the measured voltage.

도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 실시예에 따른 터치센서의 정전용량 측정 동작에 의한 모의실험 결과와, 종래의 터치센서의 정전용량 측정 동작에 의한 모의실험 결과를 비교한 그래프이다.4A to 4C are graphs comparing the simulation result by the capacitance measurement operation of the touch sensor according to the embodiment of the present invention with the simulation result by the capacitance measurement operation of the conventional touch sensor.

먼저, 도 4a는 상호 정전용량(Mutual Capacitance)(CM)과 센싱 정전용량(Sensing Capacitance)(CS)을 1:1로 설정한 경우의 측정 파형이고, 도 4b는 상호 정전용량(CM)과 센싱 정전용량(CS)을 1:10으로 설정한 경우의 측정 파형이며, 도 4c는 상호 정전용량(CM)과 센싱 정전용량(CS)을 1:100으로 설정한 경우의 측정 파형을 예시한 것이다.First, FIG. 4A illustrates measurement waveforms when mutual capacitance CM and sensing capacitance CS are set to 1: 1, and FIG. 4B illustrates mutual capacitance CM and sensing. This is a measurement waveform when the capacitance CS is set to 1:10, and FIG. 4C illustrates a measurement waveform when the mutual capacitance CM and the sensing capacitance CS are set to 1: 100.

도면에 예시한 바와 같이, 본 실시예에서의 정전용량 측정 방식이 종래의 정전용량 측정 방식에 비해 정확도 면에서 매우 우수함을 확인할 수 있다.As illustrated in the figure, it can be seen that the capacitance measuring method in this embodiment is very superior in accuracy compared to the conventional capacitance measuring method.

이상 설명한 바와 같이, 본 실시예에서는, 터치센서의 초기화 이후, 패널 구동부에서 패널 로드로 제공되는 전류의 상승 및 하강을 검출하고, 로드 전압과 로드 캐패시터의 정전용량의 곱이, 센싱 전압과 센싱 캐패시터의 정전용량의 곱과 같아지는 조건에서 로드 캐패시터의 정전용량을 검출함으로써, 터치센서의 패널 로드의 정전용량 변화를 빠르고 정확하게 측정할 수 있게 구현한 것이다.As described above, in the present embodiment, after initialization of the touch sensor, the panel driver detects the rise and fall of the current provided to the panel load, and the product of the load voltage and the capacitance of the load capacitor is determined by the sensing voltage and the sensing capacitor. By detecting the capacitance of the load capacitor under the same condition as the product of the capacitance, the capacitance change of the panel load of the touch sensor can be measured quickly and accurately.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 터치센서의 정전용량 검출 장치에 대한 개략적인 블록 구성도,1 is a schematic block diagram of a capacitive detection device of a touch sensor according to an embodiment of the present invention;

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 터치센서의 정전용량 검출 동작을 예시적으로 설명하기 위한 것으로, 도 1의 OP앰프(12)와 상승전류 검출부(32)의 연결 관계를 예시한 회로도,FIG. 2 is a circuit diagram illustrating an example of a capacitive detection operation of a touch sensor according to an exemplary embodiment of the present invention, and illustrates a connection relationship between the OP amplifier 12 and the rising current detector 32 of FIG. 1.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 터치센서의 정전용량 검출 동작을 설명하기 위한 각 신호별 파형도,3 is a waveform diagram for each signal for explaining a capacitive detection operation of a touch sensor according to an embodiment of the present invention;

도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 실시예에 따른 터치센서의 정전용량 검출 동작에 의한 모의실험 결과와, 종래의 터치센서의 정전용량 검출 동작에 의한 모의실험 결과를 비교한 그래프.4A to 4C are graphs comparing simulation results by a capacitance detection operation of a touch sensor according to an embodiment of the present invention with simulation results by a capacitance detection operation of a conventional touch sensor.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

100 : 패널 구동부100: panel drive unit

10 : 기준 전압 발생부10: reference voltage generator

12 : OP앰프12: OP amplifier

200 : 패널 로드200: panel load

300 : 캐패시터 로드 검출부300: capacitor load detection unit

30 : 선택신호 발생부30: selection signal generator

32 : 상승전류 검출부32: rising current detector

34 : 하강전류 검출부34: falling current detector

Claims (28)

기준전압에 의거한 구동 기준전압에 따라 패널 로드를 구동시키는 패널 구동부와,A panel driver for driving the panel load according to the driving reference voltage based on the reference voltage; 상기 패널 구동부에서 상기 패널 로드로 공급되는 패널 로드 구동 전류를 검출하여 상기 패널 로드의 정전용량(capacitance)을 검출하는 캐패시터 로드 검출부를 포함하는And a capacitor load detector configured to detect a panel load driving current supplied from the panel driver to the panel rod to detect capacitance of the panel rod. 터치센서의 정전용량 측정 장치.Capacitive measuring device of touch sensor. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 패널 구동부는,The panel driver, 상기 기준전압에 의거한 구동 기준전압을 발생하는 기준전압 발생부와,A reference voltage generator for generating a driving reference voltage based on the reference voltage; 상기 기준전압 발생부로부터 인가되는 기준전압에 따라 상기 패널 로드로 상기 패널 로드 구동 전류를 공급하는 OP앰프를 포함하는And an OP amplifier configured to supply the panel load driving current to the panel load according to a reference voltage applied from the reference voltage generator. 터치센서의 정전용량 측정 장치.Capacitive measuring device of touch sensor. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 캐패시터 로드 검출부는, 상기 터치센서의 초기화 이후 상기 패널 구동 부에서 상기 패널 로드로 제공되는 상기 패널 로드 구동 전류의 상승 및 하강을 검출하는 The capacitor load detector detects the rise and fall of the panel load driving current provided from the panel driver to the panel rod after initialization of the touch sensor. 터치센서의 정전용량 측정 장치.Capacitive measuring device of touch sensor. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 캐패시터 로드 검출부는, The capacitor load detector, 선택신호가 로(low)일 때 인에이블(enable)되고, 상기 선택신호가 하이(high)일 때 디스에이블(disable)되는 상승전류 검출부와,A rising current detection unit that is enabled when the selection signal is low and is disabled when the selection signal is high; 상기 선택신호가 로일 때 디스에이블되고, 상기 선택신호가 하이일 때 인에이블되는 하강전류 검출부를 포함하는 And a falling current detection unit disabled when the selection signal is low and enabled when the selection signal is high. 터치센서의 정전용량 측정 장치.Capacitive measuring device of touch sensor. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 상승전류 검출부는, 상기 선택신호가 로일 때 인에이블되어 상기 패널 구동부에서 상기 패널 로드로 공급되는 상기 패널 로드 구동 전류에서 상승전류 성분을 검출하는The rising current detector detects a rising current component in the panel load driving current supplied from the panel driver to the panel rod when the selection signal is low. 터치센서의 정전용량 측정 장치.Capacitive measuring device of touch sensor. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 상승전류 성분은, 상기 패널 로드가 저 전압에서 고 전압으로 구동될 때의 전류 성분인The rising current component is a current component when the panel load is driven from a low voltage to a high voltage. 터치센서의 정전용량 측정 장치.Capacitive measuring device of touch sensor. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 하강전류 검출부는, 상기 선택신호가 하이일 때 인에이블되어 상기 패널 구동부에서 상기 패널 로드로 공급되는 상기 패널 로드 구동 전류에서 하강전류 성분을 검출하는 The falling current detector is enabled when the selection signal is high to detect a falling current component in the panel load driving current supplied from the panel driver to the panel rod. 터치센서의 정전용량 측정 장치.Capacitive measuring device of touch sensor. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 하강전류 성분은, 상기 패널 로드가 고 전압에서 저 전압으로 구동될 때의 전류 성분인The falling current component is a current component when the panel load is driven from a high voltage to a low voltage. 터치센서의 정전용량 측정 장치.Capacitive measuring device of touch sensor. 제 5 항 또는 제 7 항에 있어서,The method according to claim 5 or 7, 상기 캐패시터 로드 검출부는,The capacitor load detector, 상기 상승전류 성분 또는 상기 하강전류 성분을 충전하는 센싱 캐패시터를 더 포함하는Further comprising a sensing capacitor for charging the rising current component or the falling current component 터치센서의 정전용량 측정 장치.Capacitive measuring device of touch sensor. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 캐패시터 로드 검출부는,The capacitor load detector, 상기 상승전류 성분 또는 상기 하강전류 성분이 상기 센싱 캐패시터에 충전되고 기 설정된 시간이 경과하여 상기 센싱 캐패시터가 완전 충전되는 경우, 상기 패널 로드의 정전용량을 검출하는Detecting the capacitance of the panel rod when the rising current component or the falling current component is charged to the sensing capacitor and the sensing capacitor is fully charged after a predetermined time elapses. 터치센서의 정전용량 측정 장치.Capacitive measuring device of touch sensor. 제 10 항에 있어서,11. The method of claim 10, 상기 패널 로드의 정전용량은, 상기 캐패시터 로드 검출부의 센싱 전압의 전위 변화가 없을 때 검출되는 The capacitance of the panel rod is detected when there is no change in potential of the sensing voltage of the capacitor rod detector. 터치센서의 정전용량 측정 장치.Capacitive measuring device of touch sensor. 제 11 항에 있어서,The method of claim 11, 상기 캐패시터 로드 검출부는,The capacitor load detector, 상기 패널 로드의 로드 전압과 상기 패널 로드의 정전용량의 곱이, 상기 캐패시터 로드 검출부의 상기 센싱 전압과 상기 센싱 캐패시터의 정전용량의 곱과 같아지는 조건에서 상기 패널 로드의 정전용량을 검출하는 Detecting the capacitance of the panel load under a condition that the product of the load voltage of the panel rod and the capacitance of the panel rod is equal to the product of the sensing voltage of the capacitor load detector and the capacitance of the sensing capacitor. 터치센서의 정전용량 측정 장치.Capacitive measuring device of touch sensor. 제 1 PMOS 트랜지스터와,A first PMOS transistor, 상기 제 1 PMOS 트랜지스터의 드레인(drain) 단자와 그 드레인 단자가 직렬로 연결되고 소스(source) 단자가 접지와 연결되는 제 1 NMOS 트랜지스터A first NMOS transistor having a drain terminal of the first PMOS transistor and a drain terminal thereof connected in series and a source terminal connected to ground 로 이루어진 패널 구동 회로를 포함하고,Including a panel drive circuit consisting of, 상기 제 1 PMOS 트랜지스터의 게이트(gate) 단자와 그 게이트 단자가 직렬로 연결되는 제 2 PMOS 트랜지스터와,A second PMOS transistor having a gate terminal of the first PMOS transistor and a gate terminal thereof connected in series; 상기 제 1 NMOS 트랜지스터의 게이트 단자와 그 게이트 단자가 직렬로 연결되고 드레인 단자가 상기 제 2 PMOS 트랜지스터의 드레인 단자와 직렬로 연결되며 소스 단자가 상기 접지와 연결되는 제 2 NMOS 트랜지스터와,A second NMOS transistor in which a gate terminal of the first NMOS transistor and a gate terminal thereof are connected in series, a drain terminal thereof is connected in series with a drain terminal of the second PMOS transistor, and a source terminal thereof is connected with the ground; 상기 제 2 NMOS 트랜지스터의 드레인 단자와 그 드레인 단자가 직렬로 연결되고 소스 단자가 상기 접지와 연결되는 제 3 NMOS 트랜지스터와,A third NMOS transistor having a drain terminal connected to the drain terminal of the second NMOS transistor in series and a source terminal connected to the ground; 상기 제 3 NMOS 트랜지스터의 게이트 단자와 그 게이트 단자가 직렬로 연결되고 소스 단자가 접지와 연결되는 제 4 NMOS 트랜지스터와,A fourth NMOS transistor having a gate terminal of the third NMOS transistor and a gate terminal thereof connected in series and a source terminal connected to ground; 상기 제 4 NMOS 트랜지스터의 드레인 단자와 그 드레인 단자가 직렬로 연결되는 제 3 PMOS 트랜지스터와,A third PMOS transistor having a drain terminal of the fourth NMOS transistor and a drain terminal thereof connected in series; 상기 제 3 PMOS 트랜지스터의 게이트 단자와 그 게이트 단자가 직렬로 연결되는 제 4 PMOS 트랜지스터와,A fourth PMOS transistor having a gate terminal of the third PMOS transistor and a gate terminal thereof connected in series; 상기 제 4 PMOS 트랜지스터의 드레인 단자와 그 일단이 직렬로 연결되는 센싱 캐패시터A sensing capacitor having a drain terminal of the fourth PMOS transistor and one end thereof connected in series 로 이루어진 전류 검출 회로Current detection circuit 를 포함하는 터치센서의 정전용량 측정 회로.Capacitive measurement circuit of the touch sensor comprising a. 제 13 항에 있어서,The method of claim 13, 상기 제 1 PMOS 트랜지스터를 통해 구동되는 전류값은,The current value driven through the first PMOS transistor is 상기 제 2 PMOS 트랜지스터를 통해 상기 접지로 유기되는 전류값과, 상기 패널 구동 회로에 의해 패널 로드로 구동되는 전류값의 합과 동일한Is equal to the sum of the current value induced through the second PMOS transistor to the ground and the current value driven by the panel driving circuit to the panel load. 터치센서의 정전용량 측정 회로.Capacitive measurement circuit of touch sensor. 제 13 항에 있어서,The method of claim 13, 상기 제 2 PMOS 트랜지스터는, 상기 제 1 PMOS 트랜지스터의 게이트 전압으로 제어되어 상기 제 1 PMOS 트랜지스터의 전류를 카피(copy)하는The second PMOS transistor is controlled by the gate voltage of the first PMOS transistor to copy a current of the first PMOS transistor. 터치센서의 정전용량 측정 회로.Capacitive measurement circuit of touch sensor. 제 13 항에 있어서,The method of claim 13, 상기 제 2 NMOS 트랜지스터는, 상기 제 1 NMOS 트랜지스터의 게이트 전압으로 제어되어 상기 제 1 NMOS 트랜지스터의 전류를 카피하는The second NMOS transistor is controlled by a gate voltage of the first NMOS transistor to copy current of the first NMOS transistor. 터치센서의 정전용량 측정 회로.Capacitive measurement circuit of touch sensor. 제 13 항에 있어서,The method of claim 13, 상기 제 4 NMOS 트랜지스터는, 제 3 NMOS 트랜지스터의 게이트 전압으로 제어되어 상기 제 3 NMOS 트랜지스터의 전류를 카피하는The fourth NMOS transistor is controlled by the gate voltage of the third NMOS transistor to copy current of the third NMOS transistor. 터치센서의 정전용량 측정 회로.Capacitive measurement circuit of touch sensor. 제 13 항에 있어서,The method of claim 13, 상기 제 4 PMOS 트랜지스터는, 상기 제 3 PMOS 트랜지스터의 게이트 전압으로 제어되어 상기 제 3 PMOS 트랜지스터의 전류를 카피하는The fourth PMOS transistor is controlled by the gate voltage of the third PMOS transistor to copy current of the third PMOS transistor. 터치센서의 정전용량 측정 회로.Capacitive measurement circuit of touch sensor. 제 18 항에 있어서,The method of claim 18, 상기 제 4 PMOS 트랜지스터에 카피된 상기 제 3 PMOS 트랜지스터의 전류에 의해 상기 센싱 캐패시터가 충전되는 The sensing capacitor is charged by the current of the third PMOS transistor copied to the fourth PMOS transistor. 터치센서의 정전용량 측정 회로.Capacitive measurement circuit of touch sensor. 제 19 항에 있어서,The method of claim 19, 상기 터치센서의 정전용량 측정 회로는,The capacitance measuring circuit of the touch sensor, 상기 센싱 캐패시터의 완전 충전시, 상기 제 1 PMOS 트랜지스터를 통해 구동되는 전류값과 상기 제 2 PMOS 트랜지스터를 통해 상기 접지로 유기되는 전류값이 동일한When the sensing capacitor is fully charged, a current value driven through the first PMOS transistor and a current value induced to the ground through the second PMOS transistor are the same. 터치센서의 정전용량 측정 회로.Capacitive measurement circuit of touch sensor. 제 20 항에 있어서,The method of claim 20, 상기 센싱 캐패시터의 완전 충전시, 상기 패널 구동 회로에 의해 패널 로드로 구동되는 전류값은 0인 When the sensing capacitor is fully charged, the current value driven by the panel driving circuit to the panel load is 0. 터치센서의 정전용량 측정 회로.Capacitive measurement circuit of touch sensor. 제 14 항에 있어서,The method of claim 14, 상기 전류 검출 회로는,The current detection circuit, 상기 패널 로드의 로드 전압과 로드 캐패시터의 정전용량의 곱이, 상기 전류 검출 회로의 센싱 전압과 상기 센싱 캐패시터의 정전용량의 곱과 같아지는 조건에서 상기 로드 캐패시터의 정전용량을 검출하는 Detecting the capacitance of the load capacitor under a condition that the product of the load voltage of the panel load and the capacitance of the load capacitor is equal to the product of the sensing voltage of the current detection circuit and the capacitance of the sensing capacitor. 터치센서의 정전용량 측정 회로.Capacitive measurement circuit of touch sensor. 터치센서의 센싱 전압이 초기화되면 기준전압을 제 1 설정 레벨에서 상기 제 1 설정 레벨의 상위 레벨인 제 2 설정 레벨로 천이시키는 과정과,Translating the reference voltage from the first setting level to a second setting level that is higher than the first setting level when the sensing voltage of the touch sensor is initialized; 기 설정 시간 경과 후 상기 터치센서의 로드 전압이 상기 제 2 설정 레벨로 수렴될 때, 상기 터치센서의 센싱 정전용량을 검출하여 상기 터치센서의 패널 로드의 로드 정전용량을 측정하는 과정을 포함하는Detecting a sensing capacitance of the touch sensor and measuring a load capacitance of the panel load of the touch sensor when the load voltage of the touch sensor converges to the second setting level after a preset time elapses; 터치센서의 정전용량 측정 방법.How to measure capacitance of touch sensor. 제 23 항에 있어서,The method of claim 23, wherein 상기 천이시키는 과정은, 전류 상승 동작인The transition process is a current raising operation 터치센서의 정전용량 측정 방법.How to measure capacitance of touch sensor. 제 23 항에 있어서,The method of claim 23, wherein 상기 패널 로드로 유기되는 전류는, 충전 전류인The current induced by the panel rod is a charging current 터치센서의 정전용량 측정 방법.How to measure capacitance of touch sensor. 터치센서의 센싱 전압이 초기화되면 기준전압을 제 2 설정 레벨에서 상기 제 2 설정 레벨의 하위 레벨인 제 1 설정 레벨로 천이시키는 과정과,Transitioning a reference voltage from a second setting level to a first setting level which is a lower level of the second setting level when the sensing voltage of the touch sensor is initialized; 기 설정 시간 경과 후 상기 터치센서의 로드 전압이 상기 제 1 설정 레벨로 수렴될 때, 상기 터치센서의 센싱 정전용량을 검출하여 상기 터치센서의 패널 로드의 로드 정전용량을 측정하는 과정을 포함하는Detecting a sensing capacitance of the touch sensor and measuring a load capacitance of the panel load of the touch sensor when a load voltage of the touch sensor converges to the first set level after a preset time elapses; 터치센서의 정전용량 측정 방법.How to measure capacitance of touch sensor. 제 26 항에 있어서,The method of claim 26, 상기 천이시키는 과정은, 전류 하강 동작인The transition process is a current drop operation 터치센서의 정전용량 측정 방법.How to measure capacitance of touch sensor. 제 26 항에 있어서,The method of claim 26, 상기 패널 로드로 유기되는 전류는, 방전 전류인The current induced by the panel rod is a discharge current 터치센서의 정전용량 측정 방법.How to measure capacitance of touch sensor.
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