KR101112546B1 - Switching panel for 3d display and 3d display apparatus - Google Patents

Switching panel for 3d display and 3d display apparatus Download PDF

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Abstract

본 발명에서는 스위칭 패널에 터치 스크린 기능을 형성한 3차원 표시 장치용 스위칭패널 및 3차원 표시 장치를 제공한다.The present invention provides a switching panel and a three-dimensional display device for a three-dimensional display device having a touch screen function on the switching panel.

3차원 표시 장치의 스위칭패널에 센싱 트랜지스터를 형성하여 터치 스크린 기능을 포함하도록 하며, 표시 패널의 배선 및 박막 트랜지스터 위치의 상부에 형성함으로써 개구율의 감소를 최소화 할 수 있다.The sensing transistor may be formed on the switching panel of the 3D display device to include a touch screen function, and the reduction of the aperture ratio may be minimized by forming the sensing transistor on the wiring and the thin film transistor.

스위칭 패널, 3차원, 표시 장치, 입체Switching panel, 3d display, stereoscopic

Description

3차원 표시 장치용 스위칭패널 및 3차원 표시 장치{SWITCHING PANEL FOR 3D DISPLAY AND 3D DISPLAY APPARATUS}Switching panel and 3D display device for 3D display device {SWITCHING PANEL FOR 3D DISPLAY AND 3D DISPLAY APPARATUS}

도 1은 본 발명에 따른 실시예인 3차원 표시 장치의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a three-dimensional display device according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 3차원 표시 장치용 스위칭패널의 배치도이다.2 is a layout view of a switching panel for a 3D display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3은 도 2의 III-III'선을 자른 단면도이다.3 is a cross-sectional view taken along the line III-III ′ of FIG. 2.

도 4는 도 2의 센싱TFT의 회로도이다.4 is a circuit diagram of the sensing TFT of FIG. 2.

도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 3차원 표시 장치용 스위칭패널의 배치도이다.5 is a layout view of a switching panel for a 3D display device according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 6은 도 5의 VI-VI'선을 자른 단면도이다.FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line VI-VI ′ of FIG. 5.

도 7은 도 5의 센싱TFT의 회로도이다.FIG. 7 is a circuit diagram of the sensing TFT of FIG. 5.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

12: 하부 편광판 22: 상부 편광판12: lower polarizer 22: upper polarizer

121: 게이트선 124: 연결 돌기121: gate line 124: connecting projection

123: 게이트 오프선 125: 게이트 오프 전극123: gate off line 125: gate off electrode

126: 게이트 전극 140: 게이트 절연막126: gate electrode 140: gate insulating film

154: 반도체층 163, 165: 저항성 접촉층 154: semiconductor layer 163, 165: ohmic contact layer                 

171: 리드아웃선 173: 소스 전극171: lead-out line 173: source electrode

175: 드레인 전극 180: 보호막175: drain electrode 180: protective film

187: 유기 절연막 190: 스위칭패널 하부 전극187: organic insulating layer 190: lower electrode of switching panel

182, 183: 접촉구멍 199: 개구부182 and 183: contact hole 199 opening

200: 백라이트 유닛 300: 표시 패널200: backlight unit 300: display panel

310: 박막 트랜지스터 기판 320: 상부 기판310: thin film transistor substrate 320: upper substrate

330: 액정 340: 컬러 필터330: liquid crystal 340: color filter

400: 렌티큘러 렌즈 기판 410: 렌티큘러 렌즈400: lenticular lens substrate 410: lenticular lens

420: 폴리머 430: 렌티큘러 렌즈 기판 하부 기판420: polymer 430: lenticular lens substrate lower substrate

440: 렌티큘러 렌즈 기판 상부 기판440: lenticular lens substrate upper substrate

500: 스위칭패널 510: 스위칭패널 하부 기판500: switching panel 510: switching panel lower substrate

520: 스위칭패널 상부 기판 530: 스위칭패널 액정520: switching panel upper substrate 530: switching panel liquid crystal

590: 스위칭패널 상부 전극 600: 접착제590: switching panel upper electrode 600: adhesive

본 발명은 3차원 표시 장치용 스위칭패널 및 3차원 표시 장치에 대한 발명이다.The present invention relates to a switching panel and a three-dimensional display device for a three-dimensional display device.

오늘날 초고속 정보 통신망을 근간으로 구축된 정보의 고속화를 위해 실현될 서비스들은 현재의 전화와 같은 단순히 듣고 말하는 서비스로부터 문자, 음성, 영 상을 고속 처리하는 디지털 단말을 중심으로 한 보고 듣는 멀티 미디어형 서비스로 발전하고 궁극적으로는 시공간을 초월하여 실감있고 입체적으로 보고 느끼고 즐기는 초공간형 실감 3차원 입체 정보통신 서비스로 발전할 것으로 예상된다.The services to be realized for the high speed of information based on the high-speed information communication network today are the multimedia service centering on the digital terminal which processes text, voice, and video at high speed from the simple listening and speaking service such as the current telephone. It is expected to develop into a super-spatial 3D stereoscopic information communication service that ultimately transcends time and space, and experiences, sees, feels and enjoys realistic and three-dimensionally.

일반적으로 3차원을 표현하는 입체 영상은 두 눈을 통한 스테레오 시각의 원리에 의하여 이루어지게 되는데, 두 눈의 시차 즉, 두 눈이 약 65mm정도 떨어져서 존재하기 때문에 나타나게 되는 양안시차는 입체감의 가장 중요한 요인이라 할 수 있다. 즉, 좌우의 눈은 각각 서로 다른 2차원 화상을 보게되고, 이 두 화상이 망막을 통해 뇌로 전달되면 뇌는 이를 정확히 서로 융합하여 본래 3차원 영상의 깊이감과 실제감을 재생하는 것이다. 이러한 능력을 통상 스테레오그라피(stereography)라 한다.In general, three-dimensional images representing three-dimensional image is made by the principle of stereo vision through two eyes. The parallax of two eyes, that is, binocular disparity that appears because two eyes are about 65mm apart, is the most important factor of three-dimensional effect. This can be called. In other words, the left and right eyes each look at different two-dimensional images, and when these two images are transmitted to the brain through the retina, the brain accurately fuses each other to reproduce the depth and reality of the original three-dimensional image. This ability is commonly referred to as stereography.

입체 영상 표시 장치는 양안시차를 이용하는 것으로 관찰자의 별도의 안경착용 여부에 따라 안경식(stereoscopic)의 편광 방식과 시분할 방식, 비안경식(autostereoscopic)의 패럴랙스-배리어방식, 렌티큘러(lenticular) 렌즈방식 및 블린킹 라이트(blinking light) 방식이 있다.The stereoscopic image display device uses binocular disparity, and according to whether the viewer wears separate glasses, stereoscopic polarization and time division, autostereoscopic parallax-barrier, lenticular lens, and blyne There is a king light (blinking light).

전자는 많은 인원이 입체 영상을 즐길 수 있으나, 별도의 편광 안경 또는 액정 셔터 안경을 착용해야 하고, 후자는 디스플레이에 각각 이미지 스플리터(image splitter), 실린더리컬 렌즈 어레이(cylindrical lens array)인 렌티큘러 렌즈, 또는 패랠랙스 베리어가 결합된 구조로 관찰 범위가 고정되어 소수 인원에 한정되지만 별도의 안경을 착용하지 않는 편리함이 있어 선호된다. 즉, 안경식 입체 영상 표시 장치는 관찰자가 특수한 안경을 착용하여야 하므로 불편함과 부자연스러움을 발생시킨다. 반면, 비안경식 입체 영상 표시 장치는 관찰자가 직접 스크린을 주시하는 것만으로 입체 영상을 관찰할 수 있어서 전술한 바와 같은 단점이 사라지기 때문에 많은 연구가 진행되고 있다.While the former can enjoy stereoscopic images, a large number of people should wear separate polarized glasses or liquid crystal shutter glasses, and the latter have an image splitter, a cylindrical lens array, a lenticular lens, Or it is a structure that combines parallax barriers, and the observation range is fixed to a small number of people, but it is preferred because it does not need to wear extra glasses. That is, the spectacle stereoscopic image display device causes inconvenience and unnaturalness because the viewer must wear special glasses. On the other hand, many studies have been conducted on the non-glass type stereoscopic image display apparatus because the observer can observe the stereoscopic image simply by staring at the screen, thereby eliminating the disadvantages described above.

비안경식 입체 영상 표시 장치는 이미지 패널에 3차원 이미지 형성 장치을 정렬하여 입체 영상을 표시한다. 3차원 이미지 형성 장치는 대표적으로 렌티큘러 렌즈나 패럴랙스 베리어 등이다. 경우에 따라, 3차원 이미지 형성 장치는 3차원 이미지를 형성할 수 있을 뿐만 아니라 이차원 이미지도 표시할 수 있도록 전환 수단이 결합되거나 부가될 수 있다. 예컨데, 굴절율 이방성을 갖는 렌티큘러 렌즈에 스위칭패널이 부가되거나(WO 03/015424-A2 참고), 스위칭패널 및 위상 지연판(retarder) (US 6046849, US 6055103, US 6437915 참고)또는 슬릿이 형성된 편광판과 스위칭패널(US 4717949, US 6157424 참고)이 결합하여 이미지를 이차원 또는 3차원으로 전환할 수 있는 3차원 이미지 형성 장치를 이룰 수 있다. A non-stereoscopic 3D image display device displays a 3D image by arranging a 3D image forming apparatus on an image panel. The three-dimensional image forming apparatus is typically a lenticular lens or parallax barrier. In some cases, the three-dimensional image forming apparatus may combine or add a switching means to not only form a three-dimensional image but also display a two-dimensional image. For example, switching panels may be added to lenticular lenses with refractive anisotropy (see WO 03 / 015424-A2), switching panels and retarders (see US 6046849, US 6055103, US 6437915), Switching panels (see US 4717949, US 6157424) can be combined to form a three-dimensional image forming apparatus capable of converting an image to two or three dimensions.

비안경식의 경우 다양한 방식 중에 표시 장치의 두께와 개구율을 고려할 때 렌티큘러 렌즈를 사용하는 입체 표시 장치가 가장 적합하여 중점적으로 개발되고 있다. 즉, 렌티큘러 렌즈를 사용하는 경우에는 표시 장치의 두께가 얇게 형성할 수 있으며, 렌즈를 사용함으로써 표시 장치를 가리지 않는 장점이 있다.In the case of the non-glass type, a stereoscopic display device using a lenticular lens is most appropriately developed in consideration of the thickness and aperture ratio of the display device among various methods. That is, when the lenticular lens is used, the thickness of the display device may be thin, and the use of the lens does not cover the display device.

한편, 전자기기에서 마우스나 키보드 등의 입력장치말고 표시 장치의 표면을 터치하는 방식으로 입력신호를 인가하는 터치 스크린 패널이 발명되어 있다. 이러한 터치 스크린 기능은 전자기기의 입력 신호를 용이하게 입력할 수 있다는 장점이 있으나 표시 장치에서 사용하기 위해서는 별도의 배선을 형성하여야 하며, 이러한 배선으로 인하여 표시 장치의 개구율이 급감하는 단점이 있다. On the other hand, a touch screen panel has been invented in which an electronic device applies an input signal by touching the surface of the display device instead of an input device such as a mouse or a keyboard. Such a touch screen function has an advantage in that an input signal of an electronic device can be easily input. However, in order to use the display device, a separate wiring must be formed, and the opening ratio of the display device is drastically reduced due to such wiring.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 개구율이 감소되지 않으며 터치 스크린 기능이 가능한 3차원 표시 장치용 스위칭패널 및 3차원 표시 장치를 제공하고자 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide a switching panel and a three-dimensional display device for a three-dimensional display device in which an aperture ratio is not reduced and a touch screen function is possible.

이러한 과제를 해결하기 위하여 본 발명에서는 스위칭 패널에 터치 스크린 기능을 형성한 3차원 표시 장치용 스위칭패널 및 3차원 표시 장치를 제공한다.In order to solve this problem, the present invention provides a switching panel and a three-dimensional display device for a three-dimensional display device having a touch screen function on the switching panel.

구체적으로는, 표시 패널, 상기 표시 패널 위에 형성되어 있으며, 렌티큘러 렌즈를 포함하는 렌티큘러 렌즈 기판, 상기 렌티큘러 렌즈 기판 위에 형성되어 있으며, 터치 스크린 기능을 가지는 스위칭 패널을 포함하는 3차원 표시 장치에 대한 것이며,Specifically, the present invention relates to a three-dimensional display device including a display panel, a lenticular lens substrate formed on the display panel and including a lenticular lens, and a switching panel formed on the lenticular lens substrate and having a touch screen function. ,

제1 기판, 상기 제1 기판 위에 형성되어 있는 센싱 박막 트랜지스터, 상기 센싱 박막 트랜지스터 위에 형성되어 있는 하부 전극, 상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판, 상기 제2 기판 위에 형성되어 있는 상부 전극을 포함하는 3차원 표시 장치용 스위칭패널에 대한 것이다.A first substrate, a sensing thin film transistor formed on the first substrate, a lower electrode formed on the sensing thin film transistor, a second substrate facing the first substrate, and an upper electrode formed on the second substrate. The switching panel for a three-dimensional display device.

첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. DETAILED DESCRIPTION Embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein.                     

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In the drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity. Like parts are designated by like reference numerals throughout the specification. When a part of a layer, film, region, plate, etc. is said to be "on" another part, this includes not only the other part being "right over" but also another part in the middle. On the contrary, when a part is "just above" another part, there is no other part in the middle.

이제 본 발명의 실시예에 따른 3차원 표시 장치용 스위칭패널 및 3차원 표시 장치에 대하여 도면을 참고로 하여 상세하게 설명한다.Now, a switching panel and a 3D display device for a 3D display device according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 3차원 입체 영상의 표시가 가능한 3차원 표시 장치의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a 3D display device capable of displaying a 3D stereoscopic image.

본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 3차원 표시 장치는 표시 패널(300), 렌티큘러 렌즈 기판(400), 스위칭패널(500) 뿐만 아니라 상하 편광판(12, 22)을 포함한다. 표시 패널(300)과 렌티큘러 렌즈 기판(400)은 접착제(600)에 의하여 결합되어 있고, 렌티큘러 렌즈 기판(400)과 스위칭패널(500)도 접착제(600)에 의하여 결합되어 있다. 상하 편광판(12, 22)은 각각 스위칭패널(500)의 위와 표시 패널(300)의 아래에 배치되어 있다.The 3D display device manufactured according to an exemplary embodiment of the present invention includes the display panel 300, the lenticular lens substrate 400, the switching panel 500, as well as the upper and lower polarizers 12 and 22. The display panel 300 and the lenticular lens substrate 400 are coupled by the adhesive 600, and the lenticular lens substrate 400 and the switching panel 500 are also coupled by the adhesive 600. The upper and lower polarizing plates 12 and 22 are disposed above the switching panel 500 and below the display panel 300, respectively.

그러면, 이미지 패널인 표시 패널(300)에 대하여 상세히 설명한다.Next, the display panel 300 which is an image panel will be described in detail.

표시 패널(300)은 박막 트랜지스터 기판(310), 상부 기판(320) 및 액정(330)을 포함한다.The display panel 300 includes a thin film transistor substrate 310, an upper substrate 320, and a liquid crystal 330.

우선, 박막 트랜지스터 기판(310)은 게이트선 및 데이터선 등의 신호선을 포함하며, 게이트선과 데이터선이 교차하여 정의하는 화소 영역마다 박막 트랜지스터 (도시하지 않음) 및 화소 전극(도시하지 않음)이 형성되어 있다. 여기서 박막 트랜지스터는 게이트선을 따라 전송되는 주사 신호에 따라 데이터선을 따라 전송되는 화상 신호를 스위칭하여 화소 전극에 인가 또는 차단한다. First, the thin film transistor substrate 310 includes signal lines such as a gate line and a data line, and a thin film transistor (not shown) and a pixel electrode (not shown) are formed in each pixel region defined by the gate line and the data line crossing each other. It is. In this case, the thin film transistor switches an image signal transmitted along the data line according to a scan signal transmitted along the gate line and applies or cuts off the pixel electrode.

여기서 표시 패널(300)은 화소 전극의 형태에 따라서 투과형 표시 패널, 반사형 표시 패널 및 양자의 형태가 모두 가능한 반투과형 표시 패널로 구분되는데, 어떠한 방식의 표시 패널도 본 발명의 실시예에 따른 3차원 표시 장치에 적용할 수 있다. 본 실시예에서는 투과형을 중심으로 기술한다.The display panel 300 is classified into a transmissive display panel, a reflective display panel, and a semi-transmissive display panel in which both forms are possible according to the shape of the pixel electrode. Applicable to the dimensional display device. In the present embodiment, the transmission type will be described.

다음, 상부 기판(320)은 박막 트랜지스터 기판(310)과 소정의 간격을 두고 마주보고 있다. 상부 기판(320)에는 컬러 필터(340)가 형성되어 있으며, 도시하지 않았으나, 블랙 매트릭스 및 공통전극 등이 형성되어 있다. Next, the upper substrate 320 faces the thin film transistor substrate 310 at a predetermined interval. The color filter 340 is formed on the upper substrate 320, and although not illustrated, a black matrix, a common electrode, and the like are formed.

컬러 필터(340)는 동일한 컬러 필터 화소 행을 따라 나타나도록 적색, 녹색, 및 청색 컬러 필터를 배치하는 것이 보통이나 이외에도 여러 다양한 배치가 가능하다. 여기서 화소 행은 데이터선을 따라 늘어선 화소들로 이루어진다. The color filter 340 is generally arranged to have red, green, and blue color filters so that they appear along the same color filter pixel row, but various other arrangements are possible. The pixel row is formed of pixels lined up along the data line.

박막 트랜지스터 기판(310)과 상부 기판(320)의 사이에는 액정 물질이 주입되어 있어서 액정층(330)을 이룬다. 액정층(330)의 액정 배향 상태는 TN(Twisted nematic) 모드, ECB(Electrically controlled birefringence) 모드 및 VA(vertically aligned) 모드 등이 가능하며, 본 실시예는 TN 모드인 경우를 예로 들어 설명하며, 액정층(330)에 전계가 인가되지 않은 상태에서 90도의 편광축 회전을 유발하는 리타데이션을 가진다.A liquid crystal material is injected between the thin film transistor substrate 310 and the upper substrate 320 to form the liquid crystal layer 330. The liquid crystal alignment state of the liquid crystal layer 330 may be a twisted nematic (TN) mode, an electrically controlled birefringence (ECB) mode, a vertically aligned (VA) mode, and the like. The liquid crystal layer 330 has a retardation that causes the rotation of the polarization axis of 90 degrees without an electric field applied thereto.

다음, 입체 이미지를 형성하는 핵심 부분인 렌티큘러 렌즈 기판(400)에 대 해서 자세하게 살펴본다. Next, the lenticular lens substrate 400, which is a key part for forming a stereoscopic image, will be described in detail.

렌티큘러 렌즈 기판(400)은 표시 패널(300)에서 나오는 빛을 굴절시켜 양쪽 눈으로 분배하여 3차원 이미지를 형성하는 역할을 한다.The lenticular lens substrate 400 serves to form a three-dimensional image by refracting light emitted from the display panel 300 and distributing it to both eyes.

상기 렌티큘러 렌즈 기판(400)는 렌티큘러 렌즈(410)와 폴리머(420)로 이루어지며, 이를 지지하기 위한 상부 기판(440) 및 하부 기판(430)을 포함한다. 렌티큘러 렌즈(410)는 굴절률 이방성을 가지며, 폴리머(420)는 굴절율 등방성을 가진다. 렌티큘러 렌즈(410)의 단축 방향의 굴절률과 장축 방향의 굴절률은 서로 다르며, 단축 방향의 굴절률과 장축 방향의 굴절률 중 어느 하나는 폴리머(420)의 굴절률과 동일하게 형성한다. 즉, 렌티큘러 렌즈(410)는 폴리머(420)의 축방향(이하에서는 "Y축 방향"이라 한다.)으로 진동하는 빛은 렌티큘러 렌즈(410)와 폴리머(420)의 굴절률이 동일한 것으로 느껴 그 경계에서 굴절되지 않으나, 폴리머(420)의 축과 수직한 방향(이하에서는 "X축 방향"이라 한다.)으로 진동하는 빛은 렌티큘러 렌즈(410)와 폴리머(420)의 굴절률을 다르게 느껴 그 경계에서 굴절된다. 이러한 특성을 이용하여 2차원 영상과 3차원 영상을 선택적으로 표시할 수 있다.The lenticular lens substrate 400 is made of a lenticular lens 410 and a polymer 420, and includes an upper substrate 440 and a lower substrate 430 for supporting the lenticular lens substrate 410. The lenticular lens 410 has refractive index anisotropy, and the polymer 420 has refractive index isotropy. The refractive index in the minor axis direction and the major axis direction of the lenticular lens 410 are different from each other, and any one of the refractive index in the minor axis direction and the major axis direction is formed to be the same as the refractive index of the polymer 420. That is, the lenticular lens 410 vibrates in the axial direction of the polymer 420 (hereinafter referred to as the “Y-axis direction”). The boundary between the lenticular lens 410 and the polymer 420 is regarded as having the same refractive index. Although not refracted at, the light vibrating in the direction perpendicular to the axis of the polymer 420 (hereinafter referred to as the "X-axis direction") is different from the refractive index of the lenticular lens 410 and the polymer 420 at the boundary thereof. Refracted. By using these characteristics, the 2D image and the 3D image can be selectively displayed.

스위칭패널(500)에 대하여 상세히 설명한다.The switching panel 500 will be described in detail.

스위칭패널(500)은 2차원 영상을 표시할 것인가 3차원 영상을 표시할 것인가를 선택하는 역할을 한다.The switching panel 500 selects whether to display a 2D image or a 3D image.

스위칭패널(500)은 상하부 기판(520, 510)과 상하부 기판(520, 510) 각각에 형성되어 있는 상부 전극(590)과 하부 전극(190), 그 사이에 주입되어 있는 액정층(530)을 포함하며, 상기 하부 기판(510)과 하부 전극(190)의 사이에 터치 스크린 기능을 수행하는 배선과 센싱 트랜지스터가 형성되어 있다. 터치 스크린 기능을 수행하는 배선 및 센싱 트랜지스터에 대해서는 후술한다. 액정층(530)은 TN 모드, ECB 모드 또는 VA 모드 등을 가질 수 있다. 본 실시예에서는 TN 모드로 배향된 경우를 예로 제시하며, 액정층(530)은 빛의 편광을 90도 회전시킬 수 있는 리타데이션 값을 가진다. The switching panel 500 includes an upper electrode 590 and a lower electrode 190 formed on the upper and lower substrates 520 and 510 and upper and lower substrates 520 and 510, respectively, and a liquid crystal layer 530 injected therebetween. And a wiring and a sensing transistor configured to perform a touch screen function between the lower substrate 510 and the lower electrode 190. Wiring and sensing transistors that perform a touch screen function will be described later. The liquid crystal layer 530 may have a TN mode, an ECB mode, or a VA mode. In this embodiment, a case in which the alignment is performed in the TN mode is shown as an example, and the liquid crystal layer 530 has a retardation value capable of rotating the polarization of light by 90 degrees.

스위칭패널(500)의 위에 배치되어 있는 상부 편광판(22)은 렌즈 수지의 축과 나란한 편광을 흡수하도록 배치되어 있다. 즉, 상부 편광판(22)의 흡수축이 Y축 방향이고 투과축은 X축 방향이 되도록 형성한다. 상부 편광판(22)의 흡수축 방향은 3차원 표시 장치가 기본 모드[스위칭패널(500)의 두 전극에 전압을 인가하지 않은 상태]에서 2차원 영상을 표시하도록 할 것이냐 또는 3차원 영상을 표시하도록 할 것이냐에 따라 달라질 수 있는데, 본 실시예는 2차원 영상을 기본 모드로 표시하는 경우이다.The upper polarizing plate 22 disposed on the switching panel 500 is arranged to absorb polarization parallel to the axis of the lens resin. That is, the absorption axis of the upper polarizing plate 22 is formed in the Y-axis direction and the transmission axis is formed in the X-axis direction. The direction of the absorption axis of the upper polarizer 22 may cause the 3D display device to display a 2D image in a basic mode (without voltage applied to the two electrodes of the switching panel 500) or to display a 3D image. In this embodiment, the 2D image is displayed in a basic mode.

표시 패널(300)의 아래쪽에 배치되어 있는 하부 편광판(12)의 투과축도 렌즈수지의 축과 수직을 이룬다. 즉, 투과축이 X축이다. 하부 편광판(12)의 투과축 방향도 2차원 영상을 노멀리 화이트[액정층(330)에 전계를 인가하지 않은 상태에서 화이트 표시]로 할 것인가 노멀리 블랙[액정층(330)에 전계 인가하지 않은 상태에서 블랙 표시]으로 할 것인가에 따라 달라질 수 있다. 여기서는 2차원 영상을 노멀리 화이트로 표시하는 경우를 예시한다.The transmission axis of the lower polarizing plate 12 disposed below the display panel 300 is also perpendicular to the axis of the lens resin. That is, the transmission axis is the X axis. The transmission axis direction of the lower polarizer 12 also sets the two-dimensional image to normally white (white display without an electric field applied to the liquid crystal layer 330) or normally black (to apply the electric field to the liquid crystal layer 330). Black display in the non-volatile state]. Here, an example of displaying a two-dimensional image in normally white will be described.

도 1에 도시된 실시예에서는 접착제(600)를 사용하여 각각의 파트를 부착하는 방식을 이용하였으나, 이와 달리 표시 패널(300)의 상부 기판(320)과 렌티큘러 렌즈 기판(400)의 하부 기판(430)을 하나의 기판으로 형성할 수 있으며, 또한, 렌티큘러 렌즈 기판(400)의 상부 기판(440)과 스위칭패널(500)의 하부 기판(510)을 하나의 기판으로 형성할 수 있다.In FIG. 1, the adhesive 600 is used to attach each part. However, the upper substrate 320 of the display panel 300 and the lower substrate of the lenticular lens substrate 400 are different from each other. The 430 may be formed as one substrate, and the upper substrate 440 of the lenticular lens substrate 400 and the lower substrate 510 of the switching panel 500 may be formed as one substrate.

그러면 이러한 3차원 표시 장치의 동작에 대하여 간단히 설명한다.Next, the operation of the three-dimensional display device will be briefly described.

먼저, 2차원 영상을 표시하는 경우를 설명한다. 이 경우에는 스위칭패널(500)에는 전압을 인가하지 않는다(Vs=0).First, a case of displaying a two-dimensional image will be described. In this case, no voltage is applied to the switching panel 500 (Vs = 0).

2차원 영상의 화이트를 표시하는 경우, 표시 패널(300)의 액정층(330)에도 전계를 인가하지 않는다. 따라서 광원으로부터 오는 빛은 하부 편광판(12)에 의하여 X축 선편광만 남게되고, 이 빛이 액정층(330)을 통과하면서 Y축 선편광으로 변환된다. Y축 선편광은 렌티큘러 렌즈(410)와 폴리머(420)의 경계를 인식하지 못하고 그대로 통과하여 다시 스위칭패널(500)의 액정층(530)을 통과하면서 X축 선편광으로 변환되고, 이어서 상부 편광판(22)에 의하여 차단되지 않고 그대로 통과하여 화이트를 표시한다.When white of the 2D image is displayed, no electric field is applied to the liquid crystal layer 330 of the display panel 300. Therefore, the light from the light source is left only in the X-axis linear polarization by the lower polarizer 12, and the light is converted into the Y-axis linear polarized light while passing through the liquid crystal layer 330. The Y-axis linearly polarized light does not recognize the boundary between the lenticular lens 410 and the polymer 420, passes through the liquid crystal layer 530 of the switching panel 500, and passes through the liquid crystal layer 530 of the switching panel 500. It is not blocked by) and passes through it to display white color.

다음, 2차원 영상의 블랙을 표시하는 경우, 표시 패널(300)의 액정층(330)에 전계를 인가하여 액정의 배향을 수직 배향으로 변경함으로써 액정층(330)을 통과하는 빛이 리타데이션을 느끼지 못하도록 한다. 이렇게 하면, 광원으로부터 오는 빛은 하부 편광판(12)에 의하여 X축 선편광만 남게되고, 이 빛은 액정층(330)에 영향을 받지 않고 그대로 통과하여 렌티큘러 렌즈 기판(400)에서 굴절되어 양쪽 눈 방향으로 분산된다. 분산된 빛은 여전히 X축 선편광이므로 스위칭패널(500)의 액정층(530)을 통과하면서 Y축 선편광으로 변환된다. 이 빛은 상부 편광판(22)에 의하 여 모두 차단됨으로서 블랙을 표시하게 된다. Next, when the black of the 2D image is displayed, light passing through the liquid crystal layer 330 is applied to the liquid crystal layer 330 of the display panel 300 to change the alignment of the liquid crystal to the vertical alignment. Do not feel it. In this case, light from the light source is left by the lower polarizer 12 only in the X-axis linear polarization, and the light passes through the light without being affected by the liquid crystal layer 330 and is refracted by the lenticular lens substrate 400 so as to be directed to both eyes. Is dispersed. Since the scattered light is still X-axis linearly polarized light, it is converted into Y-axis linearly polarized light while passing through the liquid crystal layer 530 of the switching panel 500. This light is all blocked by the upper polarizer 22 to display black.

이어서, 3차원 영상을 표시하는 경우를 설명한다. 이 경우에는 스위칭패널(500)에 전압을 인가하여(Vs=V) 액정이 수직 배향되도록 함으로써 액정층(530)을 통과하는 빛이 리타데이션을 느끼지 못하도록 한다.Next, the case where a 3D image is displayed is demonstrated. In this case, a voltage is applied to the switching panel 500 (Vs = V) so that the liquid crystal is vertically aligned so that light passing through the liquid crystal layer 530 does not feel retardation.

3차원 영상의 화이트를 표시하는 경우, 표시 패널(300)의 액정층(330)에도 전계를 인가하여 액정의 배향을 수직 배향으로 변경함으로써 액정층(330)을 통과하는 빛이 리타데이션을 느끼지 못하도록 한다. 이렇게 하면, 광원으로부터 오는 빛은 하부 편광판(12)에 의하여 X축 선편광만 남게되고, 이 빛은 액정층(330)에 영향을 받지 않고 그대로 통과하여 렌티큘러 렌즈 기판(400)에서 굴절되어 양쪽 눈 방향으로 분산된다. 분산된 빛은 여전히 X축 선편광이고, 스위칭패널(500)의 액정층(530)을 그대로 통과하여 상부 편광판(22)에 의하여 차단됨이 없이 모두 출사함으로써 화이트를 표시하게 된다. When displaying the white of the 3D image, an electric field is also applied to the liquid crystal layer 330 of the display panel 300 to change the alignment of the liquid crystal to a vertical alignment so that light passing through the liquid crystal layer 330 does not feel retardation. do. In this case, light from the light source is left by the lower polarizer 12 only in the X-axis linear polarization, and the light passes through the light without being affected by the liquid crystal layer 330 and is refracted by the lenticular lens substrate 400 so as to be directed to both eyes. Is dispersed. The scattered light is still X-axis linearly polarized light, and passes through the liquid crystal layer 530 of the switching panel 500 without being blocked by the upper polarizer 22 to display white color.

3차원 영상의 블랙을 표시하는 경우, 표시 패널(300)의 액정층(330)에는 전계를 인가하지 않는다. 따라서 광원으로부터 오는 빛은 하부 편광판(12)에 의하여 X축 선편광만 남게되고, 이 빛이 액정층(330)을 통과하면서 Y축 선편광으로 변환된다. Y축 선편광은 렌티큘러 렌즈(410)와 폴리머(420)의 경계를 인식하지 못하고 그대로 통과하고, 다시 스위칭패널(500)의 액정층(530)도 그대로 통과하여 Y축 선편광이 유지된다. 따라서 상부 편광판(22)에 의하여 모두 차단되어 블랙을 표시한다.When the black of the 3D image is displayed, no electric field is applied to the liquid crystal layer 330 of the display panel 300. Therefore, the light from the light source is left only in the X-axis linear polarization by the lower polarizer 12, and the light is converted into the Y-axis linear polarized light while passing through the liquid crystal layer 330. The Y-axis linearly polarized light does not recognize the boundary between the lenticular lens 410 and the polymer 420, and passes through the liquid crystal layer 530 of the switching panel 500 to maintain the Y-axis linearly polarized light. Therefore, all are blocked by the upper polarizer 22 to display black.

도 2 내지 도 4는 3차원 표시 장치용 스위칭패널의 한 실시예를 도시하고 있 다.2 to 4 illustrate one embodiment of a switching panel for a 3D display device.

도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 3차원 표시 장치용 스위칭패널의 배치도이고, 도 3은 도 2의 III-III'선을 자른 단면도이고, 도 4는 도 2의 센싱TFT의 회로도이다.2 is a layout view of a switching panel for a 3D display device according to an exemplary embodiment of the present invention, FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line III-III ′ of FIG. 2, and FIG. 4 is a circuit diagram of the sensing TFT of FIG. 2.

본 발명의 한 실시예에 따른 스위칭패널은 하부 기판(510)과 이와 마주보고 있는 상부 기판(520), 상하부 기판(510, 520)에 형성되어 있는 상부 전극(590) 및 하부 전극(190), 그 사이에 들어 있는 액정(530)을 포함하며, 하부 기판(510)과 하부 전극(190) 사이에는 배선 및 센싱 박막 다이오드가 형성되어 있다. The switching panel according to the exemplary embodiment of the present invention includes a lower substrate 510, an upper substrate 520 facing the upper substrate 520, upper and lower electrodes 590 and lower electrodes 190 formed on upper and lower substrates 510 and 520, and A liquid crystal 530 interposed therebetween, and a wiring and a sensing thin film diode are formed between the lower substrate 510 and the lower electrode 190.

먼저, 하부 기판(510)에는 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 하부 기판(510) 위에 복수의 주사선(121)과 게이트 전극(126)가 형성되어 있다.First, as illustrated in FIGS. 2 and 3, a plurality of scan lines 121 and gate electrodes 126 are formed on the lower substrate 510.

주사선(121)은 주로 가로 방향으로 뻗어 있고 영상 주사 신호를 전달하며, 복수의 연결 돌기(124)을 포함한다. 게이트 전극(126)은 주사선(121)과 일정거리를 두고 세로 방향으로 길게 형성되며, 연결 돌기(124)의 우상방향에 형성되어 있다. 게이트 전극(126)의 위에는 센싱 박막 다이오드가 형성된다.The scan line 121 mainly extends in the horizontal direction and transmits an image scan signal, and includes a plurality of connection protrusions 124. The gate electrode 126 is formed long in the vertical direction with a predetermined distance from the scan line 121 and is formed in the upper right direction of the connection protrusion 124. A sensing thin film diode is formed on the gate electrode 126.

주사선(121) 및 게이트 전극(126)은 알루미늄과 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열의 금속, 은과 은 합금 등 은 계열의 금속, 구리와 구리 합금 등 구리 계열의 금속, 몰리브덴과 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열의 금속, 크롬, 티타늄, 탄탈륨 따위로 이루어지는 것이 바람직하다. 주사선(121) 및 게이트 전극(126)은 물리적 성질이 다른 두 개의 막, 즉 하부막(도시하지 않음)과 그 위의 상부막(도시하지 않음)을 포함할 수 있다. The scan line 121 and the gate electrode 126 are made of aluminum-based metals such as aluminum and aluminum alloys, silver-based metals such as silver and silver alloys, copper-based metals such as copper and copper alloys, and molybdenum-based metals such as molybdenum and molybdenum alloys. , Chromium, titanium, tantalum or the like is preferable. The scan line 121 and the gate electrode 126 may include two layers having different physical properties, that is, a lower layer (not shown) and an upper layer (not shown) thereon.                     

주사선(121) 및 게이트 전극(126)의 측면은 기판(510)의 표면에 대하여 경사져 있으며, 그 경사각은 기판(510)의 표면에 대하여 약 30-80°이다.Side surfaces of the scan line 121 and the gate electrode 126 are inclined with respect to the surface of the substrate 510, and the inclination angle is about 30-80 ° with respect to the surface of the substrate 510.

주사선(121) 및 게이트 전극(126) 위에는 질화 규소(SiNx) 따위로 이루어진 절연막(insulating layer)(140)이 형성되어 있다.An insulating layer 140 made of silicon nitride (SiNx) is formed on the scan line 121 and the gate electrode 126.

절연막(140) 상부에는 수소화 비정질 규소(hydrogenated amorphous silicon)(비정질 규소는 약칭 a-Si로 씀) 등으로 이루어진 복수의 섬형 반도체(154)가 형성되어 있다. A plurality of island semiconductors 154 made of hydrogenated amorphous silicon (amorphous silicon is abbreviated a-Si) and the like are formed on the insulating layer 140.

섬형 반도체(154)는 게이트 전극(126)의 하단의 상부에 형성되며, 게이트 전극(126)보다 넓은 폭으로 형성되어 있다. 반도체(154)는 연결 돌기(124)와 중첩되지 않도록 형성하는 것이 바람직하다. 섬형 반도체(154)는 센싱 박막 다이오드의 채널이 된다.The island-like semiconductor 154 is formed on the lower end of the gate electrode 126 and is formed to have a wider width than the gate electrode 126. The semiconductor 154 may be formed so as not to overlap the connection protrusion 124. The island semiconductor 154 becomes a channel of the sensing thin film diode.

반도체(154)의 상부에는 실리사이드(silicide) 또는 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어진 복수의 섬형 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(163, 165)가 형성되어 있다. 섬형 저항성 접촉 부재(163, 165)는 서로 대향하며 반도체(154)위에 위치한다. A plurality of island-like ohmic contacts 163 and 165 formed of a material such as n + hydrogenated amorphous silicon in which silicide or n-type impurities are heavily doped is formed on the semiconductor 154. The islands of ohmic contact 163 and 165 face each other and are positioned over semiconductor 154.

반도체(154)와 저항성 접촉 부재(163, 165)의 측면 역시 기판(510)의 표면에 대하여 경사져 있으며 그 경사각은 30-80°이다.Side surfaces of the semiconductor 154 and the ohmic contacts 163 and 165 are also inclined with respect to the surface of the substrate 510 and have an inclination angle of 30-80 °.

저항성 접촉 부재(163, 165) 및 절연막(140) 위에는 복수의 리드 아웃선(Read-out line)(171), 복수의 입력 단자 전극(175)이 형성되어 있다. A plurality of read-out lines 171 and a plurality of input terminal electrodes 175 are formed on the ohmic contacts 163 and 165 and the insulating layer 140.

리드 아웃선(171)은 주로 세로 방향으로 뻗어 주사선(121)과 교차하며 감지 신호를 전달한다.The lead out line 171 mainly extends in the vertical direction to cross the scan line 121 and transmit a sensing signal.

각 출력 단자 전극(173)은 리드아웃선(171)에서 돌출되어 있으며, 게이트 전극(126) 일부와 저항성 접촉 부재(163)를 덮도록 형성되어 있다. 출력 단자 전극(173)은 게이트 전극(126)와 접촉 구멍(183)을 통하여 전기적으로 연결되어 있으며, 저항성 접촉 부재(163)의 위에서 출력측 전극 역할을 수행한다. Each output terminal electrode 173 protrudes from the lead-out line 171 and is formed to cover a portion of the gate electrode 126 and the ohmic contact 163. The output terminal electrode 173 is electrically connected to the gate electrode 126 through the contact hole 183, and serves as an output side electrode on the ohmic contact 163.

저항성 접촉 부재(163)의 위에 형성된 출력 단자 전극(173)에 대향하여 입력 단자 전극(175)이 형성되어 있다. 입력 단자 전극(175)의 일단은 저항성 접촉 부재(165) 위에 형성되어 있으며, 타단은 연결 돌기(124)의 상부까지 연장되어 있으며, 접촉 구멍(182)을 통하여 연결 돌기(124)과 전기적으로 연결되어 있다. The input terminal electrode 175 is formed to face the output terminal electrode 173 formed on the ohmic contact 163. One end of the input terminal electrode 175 is formed on the ohmic contact member 165, and the other end thereof extends to an upper portion of the connection protrusion 124 and is electrically connected to the connection protrusion 124 through the contact hole 182. It is.

리드아웃선(171), 출력 단자 전극(173) 및 입력 단자 전극(175)은 크롬 또는 몰리브덴 계열의 금속, 탄탈륨 및 티타늄 등 내화성 금속으로 이루어지는 것이 바람직하며, 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금, 크롬(Cr) 따위의 하부막(도시하지 않음)과 그 위에 위치한 알루미늄 계열 금속인 상부막(도시하지 않음)으로 이루어진 다층막 구조를 가질 수 있다.The lead-out line 171, the output terminal electrode 173, and the input terminal electrode 175 may be made of a refractory metal such as chromium or molybdenum-based metal, tantalum, and titanium, and may include molybdenum (Mo), molybdenum alloy, and chromium ( It may have a multilayer film structure consisting of a lower film such as Cr) and an upper film (not shown) which is an aluminum-based metal disposed thereon.

리드아웃선(171), 출력 단자 전극(173) 및 입력 단자 전극(175)도 주사선(121)과 마찬가지로 그 측면이 약 30-80°의 각도로 각각 경사져 있다.The lead-out line 171, the output terminal electrode 173, and the input terminal electrode 175 are also inclined at an angle of about 30 to 80 °, similarly to the scan line 121.

저항성 접촉 부재(163, 165)는 그 하부의 반도체(154)와 그 상부의 출력 단자 전극(173) 및 입력 단자 전극(175) 사이에만 존재하며 접촉 저항을 낮추어 주는 역할을 한다. The ohmic contacts 163 and 165 exist only between the semiconductor 154 below and the output terminal electrode 173 and the input terminal electrode 175 thereon, and serve to lower the contact resistance.

리드아웃선(171), 출력 단자 전극(173) 및 입력 단자 전극(175)과 노출된 반 도체(154) 부분의 위에는 무기 물질인 질화 규소나 산화 규소 따위로 이루어진 보호막(passivation layer)(180)이 형성되어 있으며, 보호막(180) 상부에는 평탄화 특성이 우수하며 감광성(photosensitivity)을 가지는 유기 물질로 이루어진 유기 절연막(187)이 형성되어 있다. A passivation layer 180 made of silicon nitride or silicon oxide, which is an inorganic material, is disposed on the lead-out line 171, the output terminal electrode 173, the input terminal electrode 175, and the exposed semiconductor 154. The organic insulating layer 187 formed of an organic material having excellent planarization characteristics and photosensitivity is formed on the passivation layer 180.

유기 절연막(187) 위에는 하부 전극(190)이 형성되어 있다. 하부 전극(190)은 투명한 도전 물질인 ITO 또는 IZO로 이루어져 있다.The lower electrode 190 is formed on the organic insulating layer 187. The lower electrode 190 is made of ITO or IZO, which is a transparent conductive material.

한편 반도체(154) 상부에는 유기 절연막(187) 및 하부 전극(190)이 제거되어 반도체(154)를 외부 광에 노출시키는 개구부(199)가 형성되어 있다. 그러므로 하부 전극(190)은 개구부(199)를 제외한 하부 기판(510)의 전 표면에 형성되어 있다. An opening 199 is formed on the semiconductor 154 to expose the semiconductor 154 to external light by removing the organic insulating layer 187 and the lower electrode 190. Therefore, the lower electrode 190 is formed on the entire surface of the lower substrate 510 except for the opening 199.

한편, 스위칭패널(500)의 상부 기판(520)에는 상부 전극(590)이 형성되며 상부 전극(590)과 하부 전극(190)의 사이에는 액정(530)이 주입된다. 상부 전극(590)과 하부 전극(190)은 스위칭패널(500) 외부의 전압 인가부와 연결되어 전압이 인가되며, 전압의 인가 여부에 따라서 액정(530)이 회전하며, 이로 인하여 2D 또는 3D 영상이 표시된다.The upper electrode 590 is formed on the upper substrate 520 of the switching panel 500, and the liquid crystal 530 is injected between the upper electrode 590 and the lower electrode 190. The upper electrode 590 and the lower electrode 190 are connected to a voltage applying unit outside the switching panel 500 to apply a voltage, and the liquid crystal 530 rotates according to whether the voltage is applied, and thus the 2D or 3D image. Is displayed.

이상에서 설명한 스위칭 패널(500)의 상부 기판(520) 및 하부 기판(510)의 배치 및 층상구조에서 다이오드 부분만을 독립적으로 분리하여 회로도로 나타내면 도 4와 같다.Referring to FIG. 4, only a diode part is independently separated from a layout and a layer structure of an upper substrate 520 and a lower substrate 510 of the switching panel 500 described above.

도 4에 도시되어 있는 바와 같이 센싱 박막 다이오드는 게이트 전극측과 출력측은 연결되어 있다. 센싱 박막 다이오드는 개구부(199)를 통하여 외부로 노출되어 있는 반도체(154)가 빛을 감지하여 입력측 신호를 전달하는 양이 변화되는 것을 감지하는 방식으로 동작한다.As illustrated in FIG. 4, the sensing thin film diode is connected to a gate electrode side and an output side. The sensing thin film diode operates in such a manner that the semiconductor 154 exposed to the outside through the opening 199 senses light to change an amount of transmitting an input signal.

즉, 주사선(121)은 표시패널(300)의 게이트선과 연결되어 게이트 신호가 전송되며, 주기적으로 게이트 신호가 센싱 다이오드를 통하여 리드아웃선(171)으로 전달된다. 그러나 센싱 다이오드의 반도체(154)에서 감지되는 빛의 양이 줄어들게 되면 리드 아웃선(171)으로 전달되는 게이트 신호 크기가 변화되며 이 변화를 감지하여 해당 부분이 터치되었음을 인식하게된다.That is, the scan line 121 is connected to the gate line of the display panel 300 to transmit a gate signal, and the gate signal is periodically transmitted to the readout line 171 through the sensing diode. However, when the amount of light detected by the semiconductor 154 of the sensing diode is reduced, the size of the gate signal transmitted to the lead-out line 171 is changed, and the change is detected to recognize that the corresponding part is touched.

이하에서는 본 발명에 따른 또 다른 실시예에 대하여 살펴본다. Hereinafter, a look at another embodiment according to the present invention.

도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 3차원 표시 장치용 스위칭패널의 배치도이고, 도 6은 도 5의 VI-VI'선을 자른 단면도이고, 도 7은 도 5의 센싱TFT의 회로도이다.FIG. 5 is a layout view of a switching panel for a 3D display device according to still another exemplary embodiment, FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line VI-VI ′ of FIG. 5, and FIG. 7 is a circuit diagram of the sensing TFT of FIG. 5. .

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 스위칭패널(500)은 하부 기판(510)과 이와 마주보고 있는 상부 기판(520), 상하부 기판(510, 520)에 형성되어 있는 상부 전극(590) 및 하부 전극(190), 그 사이에 들어 있는 액정(530)을 포함하며, 하부 기판(510)과 하부 전극(190) 사이에는 배선 및 센싱 박막 트랜지스터가 형성되어 있다. According to another exemplary embodiment of the present invention, the switching panel 500 includes a lower substrate 510, an upper substrate 520 facing the upper substrate 520, and upper and lower electrodes 590 and lower electrodes formed on upper and lower substrates 510 and 520. And a liquid crystal 530 interposed therebetween, and a wiring and a sensing thin film transistor are formed between the lower substrate 510 and the lower electrode 190.

먼저, 하부 기판(510)에는 도 5에 도시한 바와 같이, 하부 기판(510) 위에 복수의 주사선(121)과 게이트 오프선(123)이 형성되어 있다.First, as illustrated in FIG. 5, a plurality of scan lines 121 and gate off lines 123 are formed on the lower substrate 510.

주사선(121)은 주로 가로 방향으로 뻗어 있고 영상 주사 신호를 전달하며, 복수의 연결 돌기(124)을 포함한다. 또한 게이트 오프선(123)도 가로 방향으로 뻗어 있으며 센싱 박막 트랜지스터가 턴 오프될 정도의 전압이 인가되고, 복수의 게이트 오프 전극(125)을 포함한다. 게이트 오프선(123)은 주사선(121)과 일정 거리 만큼 떨어져서 서로 연결되지 않도록 형성된다. 또한, 연결 돌기(124)과 게이트 오프 전극(125)도 서로 중첩되지 않도록 형성되며, 가로 방향으로 일정 거리만큼 떨어져서 형성되어 있다. 게이트 오프 전극(125)의 위에 센싱 박막 트랜지스터가 형성된다.The scan line 121 mainly extends in the horizontal direction and transmits an image scan signal, and includes a plurality of connection protrusions 124. In addition, the gate off line 123 extends in a horizontal direction, and a voltage applied to turn off the sensing thin film transistor is applied, and includes a plurality of gate off electrodes 125. The gate off line 123 is formed to be separated from the scan line 121 by a predetermined distance so as not to be connected to each other. In addition, the connection protrusion 124 and the gate-off electrode 125 are also formed so as not to overlap each other, and are formed to be spaced apart by a predetermined distance in the horizontal direction. The sensing thin film transistor is formed on the gate off electrode 125.

주사선(121) 및 게이트 오프선(123)은 알루미늄과 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열의 금속, 은과 은 합금 등 은 계열의 금속, 구리와 구리 합금 등 구리 계열의 금속, 몰리브덴과 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열의 금속, 크롬, 티타늄, 탄탈륨 따위로 이루어지는 것이 바람직하다. 주사선(121) 및 게이트 오프선(123)은 물리적 성질이 다른 두 개의 막, 즉 하부막(도시하지 않음)과 그 위의 상부막(도시하지 않음)을 포함할 수 있다. The scan line 121 and the gate off line 123 may be formed of aluminum-based metals such as aluminum and aluminum alloys, silver-based metals such as silver and silver alloys, copper-based metals such as copper and copper alloys, and molybdenum-based alloys such as molybdenum and molybdenum alloys. It is preferable that the metal, chromium, titanium, tantalum and the like. The scan line 121 and the gate off line 123 may include two layers having different physical properties, that is, a lower layer (not shown) and an upper layer (not shown) thereon.

주사선(121) 및 게이트 오프선(123)의 측면은 기판(510)의 표면에 대하여 경사져 있으며, 그 경사각은 기판(510)의 표면에 대하여 약 30-80°이다.Sides of the scan line 121 and the gate off line 123 are inclined with respect to the surface of the substrate 510, and the inclination angle is about 30-80 ° with respect to the surface of the substrate 510.

주사선(121) 및 게이트 오프선(123) 위에는 질화 규소(SiNx) 따위로 이루어진 절연막(insulating layer)(140)이 형성되어 있다.An insulating layer 140 made of silicon nitride (SiNx) is formed on the scan line 121 and the gate off line 123.

절연막(140) 상부에는 수소화 비정질 규소(hydrogenated amorphous silicon)(비정질 규소는 약칭 a-Si로 씀) 등으로 이루어진 복수의 섬형 반도체(154)가 형성되어 있다. A plurality of island semiconductors 154 made of hydrogenated amorphous silicon (amorphous silicon is abbreviated a-Si) and the like are formed on the insulating layer 140.

섬형 반도체(154)는 게이트 오프 전극(125)의 상부에 형성되며, 게이트 오프 전극(125)보다 넓은 폭으로 형성되어 있다. 반도체(154)는 연결 돌기(124)와 중첩하지 않도록 형성하는 것이 바람직하다. 섬형 반도체(154)는 센싱 박막 트랜지스터 의 채널이 된다.The island type semiconductor 154 is formed on the gate off electrode 125 and has a wider width than the gate off electrode 125. The semiconductor 154 may be formed so as not to overlap the connection protrusion 124. The island semiconductor 154 becomes a channel of the sensing thin film transistor.

반도체(154)의 상부에는 실리사이드(silicide) 또는 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어진 복수의 섬형 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(163, 165)가 형성되어 있다. 섬형 저항성 접촉 부재(163, 165)는 서로 대향하며 반도체(154)위에 위치한다. A plurality of island-like ohmic contacts 163 and 165 formed of a material such as n + hydrogenated amorphous silicon in which silicide or n-type impurities are heavily doped is formed on the semiconductor 154. The islands of ohmic contact 163 and 165 face each other and are positioned over semiconductor 154.

반도체(154)와 저항성 접촉 부재(163, 165)의 측면 역시 기판(510)의 표면에 대하여 경사져 있으며 그 경사각은 30-80°이다.Side surfaces of the semiconductor 154 and the ohmic contacts 163 and 165 are also inclined with respect to the surface of the substrate 510 and have an inclination angle of 30-80 °.

저항성 접촉 부재(163, 165) 및 절연막(140) 위에는 복수의 리드 아웃선(Read-out line)(171), 복수의 입력 단자 전극(175)이 형성되어 있다. A plurality of read-out lines 171 and a plurality of input terminal electrodes 175 are formed on the ohmic contacts 163 and 165 and the insulating layer 140.

리드 아웃선(171)은 주로 세로 방향으로 뻗어 주사선(121) 및 게이트 오프선(123)과 절연되어 교차하며 감지 신호를 전달한다.The lead-out line 171 mainly extends in the vertical direction, insulates and crosses the scan line 121 and the gate off line 123, and transmits a sensing signal.

각 출력 단자 전극(173)은 리드아웃선(171)에서 돌출되어 있으며, 저항성 접촉 부재(163)를 덮도록 형성되어 있으며, 저항성 접촉 부재(163)의 위에서 출력측 전극 역할을 수행한다. Each output terminal electrode 173 protrudes from the lead-out line 171, is formed to cover the ohmic contact member 163, and functions as an output side electrode on the ohmic contact member 163.

출력 단자 전극(173)에 대향하여 입력 단자 전극(175)이 형성되어 있다. 입력 단자 전극(175)의 일단은 저항성 접촉 부재(165) 위에 형성되어 있으며, 타단은 연결 돌기(124)의 상부까지 연장되어 있으며, 접촉 구멍(182)을 통하여 연결 돌기(124)과 전기적으로 연결되어 있다. An input terminal electrode 175 is formed to face the output terminal electrode 173. One end of the input terminal electrode 175 is formed on the ohmic contact member 165, and the other end thereof extends to an upper portion of the connection protrusion 124 and is electrically connected to the connection protrusion 124 through the contact hole 182. It is.

리드아웃선(171), 출력 단자 전극(173) 및 입력 단자 전극(175)은 크롬 또는 몰리브덴 계열의 금속, 탄탈륨 및 티타늄 등 내화성 금속으로 이루어지는 것이 바 람직하며, 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금, 크롬(Cr) 따위의 하부막(도시하지 않음)과 그 위에 위치한 알루미늄 계열 금속인 상부막(도시하지 않음)으로 이루어진 다층막 구조를 가질 수 있다.The lead-out line 171, the output terminal electrode 173, and the input terminal electrode 175 are preferably made of a refractory metal such as chromium or molybdenum-based metal, tantalum and titanium, and molybdenum (Mo), molybdenum alloy, and chromium. (Cr) may have a multi-layered film structure consisting of a lower film (not shown) and an upper film (not shown), which is an aluminum-based metal disposed thereon.

리드아웃선(171), 출력 단자 전극(173) 및 입력 단자 전극(175)도 주사선(121) 및 게이트 오프선(123)과 마찬가지로 그 측면이 약 30-80°의 각도로 각각 경사져 있다.Like the scan line 121 and the gate off line 123, the lead-out line 171, the output terminal electrode 173, and the input terminal electrode 175 are inclined at an angle of about 30-80 °, respectively.

저항성 접촉 부재(163, 165)는 그 하부의 반도체(154)와 그 상부의 출력 단자 전극(173) 및 입력 단자 전극(175) 사이에만 존재하며 접촉 저항을 낮추어 주는 역할을 한다. The ohmic contacts 163 and 165 exist only between the semiconductor 154 below and the output terminal electrode 173 and the input terminal electrode 175 thereon, and serve to lower the contact resistance.

리드아웃선(171), 출력 단자 전극(173) 및 입력 단자 전극(175)과 노출된 반도체(154) 부분의 위에는 무기 물질인 질화 규소나 산화 규소 따위로 이루어진 보호막(passivation layer)(180)이 형성되어 있으며, 보호막(180) 상부에는 평탄화 특성이 우수하며 감광성(photosensitivity)을 가지는 유기 물질로 이루어진 유기 절연막(187)이 형성되어 있다. 이때, 유기 절연막(187)의 표면은 평평하게 형성한다. A passivation layer 180 made of silicon nitride or silicon oxide, which is an inorganic material, is disposed on the lead-out line 171, the output terminal electrode 173, the input terminal electrode 175, and the exposed semiconductor 154. An organic insulating layer 187 formed of an organic material having excellent planarization characteristics and photosensitivity is formed on the passivation layer 180. At this time, the surface of the organic insulating film 187 is formed flat.

유기 절연막(187) 위에는 하부 전극(190)이 형성되어 있다. 하부 전극(190)은 투명한 도전 물질인 ITO 또는 IZO로 이루어져 있다.The lower electrode 190 is formed on the organic insulating layer 187. The lower electrode 190 is made of ITO or IZO, which is a transparent conductive material.

한편 반도체(154) 상부에는 유기 절연막(187) 및 하부 전극(190)이 제거되어 반도체(154)를 외부 광에 노출시키는 개구부(199)가 형성되어 있다. 그러므로 하부 전극(190)은 개구부(199)를 제외한 하부 기판(510)의 전 영역에 형성된다. An opening 199 is formed on the semiconductor 154 to expose the semiconductor 154 to external light by removing the organic insulating layer 187 and the lower electrode 190. Therefore, the lower electrode 190 is formed in the entire area of the lower substrate 510 except for the opening 199.                     

한편, 스위칭패널(500)의 상부 기판(520)에는 상부 전극(590)이 형성되며 상부 전극(590)과 하부 전극(190)의 사이에는 액정(530)이 주입된다. 상부 전극(590)과 하부 전극(190)은 스위칭패널(500) 외부의 전압 인가부와 연결되어 전압이 인가되며, 전압의 인가 여부에 따라서 액정(530)이 회전하며, 이로 인하여 2D 또는 3D 영상이 표시된다.The upper electrode 590 is formed on the upper substrate 520 of the switching panel 500, and the liquid crystal 530 is injected between the upper electrode 590 and the lower electrode 190. The upper electrode 590 and the lower electrode 190 are connected to a voltage applying unit outside the switching panel 500 to apply a voltage, and the liquid crystal 530 rotates according to whether the voltage is applied, and thus the 2D or 3D image. Is displayed.

이상에서 설명한 스위칭 패널(500)의 상부 기판(520) 및 하부 기판(510)의 배치 및 층상구조에서 트랜지스터 부분만을 독립적으로 분리하여 회로도로 나타내면 도 7과 같다.Referring to FIG. 7, only the transistor part is separated from the arrangement and layer structure of the upper substrate 520 and the lower substrate 510 of the switching panel 500 described above.

도 7에 도시되어 있는 바와 같이 센싱 박막 트랜지스터는 개구부(199)를 통하여 외부로 노출되어 있는 반도체(154)가 빛을 감지하여 입력측 신호를 전달하는 양이 변화되는 것을 감지하는 방식으로 동작한다. As illustrated in FIG. 7, the sensing thin film transistor operates by sensing that the amount of transfer of the input side signal is changed by the semiconductor 154 exposed to the outside through the opening 199.

즉, 주사선(121)은 표시패널(300)의 게이트선과 연결되어 게이트 신호를 전송하며, 게이트 오프선(123)은 센싱 트랜지스터의 턴 오프 전압을 인가한다. 여기서 주기적으로 게이트 신호가 센싱 트랜지스터의 입력 전극(175)으로 전달되며, 채널에서 누설되어 출력 전극(173)을 통하여 리드아웃선(171)으로 전달된다. 그러나 센싱 트랜지스터의 반도체(154)에서 감지되는 빛의 양이 줄어들게 되면 리드 아웃선(171)으로 전달되는 게이트 신호 크기가 변화되며 이를 감지하여 해당 부분이 터치되었음을 인식하게된다.That is, the scan line 121 is connected to the gate line of the display panel 300 to transmit the gate signal, and the gate off line 123 applies the turn-off voltage of the sensing transistor. The gate signal is periodically transmitted to the input electrode 175 of the sensing transistor, leaks from the channel, and is transmitted to the lead-out line 171 through the output electrode 173. However, when the amount of light sensed by the semiconductor 154 of the sensing transistor is reduced, the size of the gate signal transmitted to the lead-out line 171 is changed, and it is recognized that the corresponding part is touched.

이상과 같이 스위칭 패널(500)을 형성함으로써, 2차원 영상과 3차원 영상으로 스위칭만 하던 스위칭 패널이 터치 스크린의 기능도 포함하게 된다. By forming the switching panel 500 as described above, the switching panel that was switched only to the two-dimensional image and the three-dimensional image also includes the function of the touch screen.                     

또한, 스위칭 패널(500)의 주사선(121)과 리드아웃선(171)을 표시 패널(300)의 게이트선과 데이터선의 상부에 형성하며, 센싱 박막 트랜지스터도 표시 패널(300)의 박막 트랜지스터의 상부에 형성하여 개구율의 감소를 최소화 할 수 있다.In addition, the scan line 121 and the lead-out line 171 of the switching panel 500 are formed on the gate line and the data line of the display panel 300, and the sensing thin film transistor is also formed on the thin film transistor of the display panel 300. Formation can minimize the reduction of aperture ratio.

본 발명에서는 센싱 박막 다이오드나 센싱 박막 트랜지스터만을 사용하여 터치 스크린 기능을 수행하는 실시예를 제시하였으나, 이와 달리 센싱 박막 트랜지스터와 스위칭 박막 트랜지스터를 형성하여 터치 스크린 기능을 수행하게 할 수도 있다.In the present invention, an embodiment of performing a touch screen function using only a sensing thin film diode or a sensing thin film transistor is provided. Alternatively, the sensing thin film transistor and the switching thin film transistor may be formed to perform a touch screen function.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concepts of the present invention defined in the following claims are also provided. It belongs to the scope of rights.

이상과 같이 3차원 표시 장치의 스위칭패널에 센싱 트랜지스터를 형성하여 터치 스크린 기능을 포함하도록 하며, 표시 패널의 배선 및 박막 트랜지스터 위치의 상부에 형성함으로써 개구율의 감소를 최소화 할 수 있다.As described above, the sensing transistor is formed on the switching panel of the 3D display device to include a touch screen function, and the reduction of the aperture ratio can be minimized by forming the sensing transistor on the wiring and the thin film transistor.

Claims (9)

표시 패널,Display panel, 상기 표시 패널 위에 형성되어 있으며, 렌티큘러 렌즈를 포함하는 렌티큘러 렌즈 기판,A lenticular lens substrate formed on the display panel and including a lenticular lens; 상기 렌티큘러 렌즈 기판 위에 형성되어 있으며, 터치 스크린 기능을 가지며, 2차원 영상을 표시하도록 할지 3차원 영상을 표시하도록 할지 선택하는 스위칭 패널을 포함하는 3차원 표시 장치.And a switching panel formed on the lenticular lens substrate and having a touch screen function to select whether to display a 2D image or a 3D image. 제1항에서,In claim 1, 상기 스위칭 패널의 터치 스크린 기능은 센싱 박막 트랜지스터를 이용하는 3차원 표시 장치.The touch screen function of the switching panel is a three-dimensional display device using a sensing thin film transistor. 제2항에서,3. The method of claim 2, 상기 스위칭 패널은 상기 센싱 박막 트랜지스터와 연결되지 않은 상부 및 하부 전극을 더 포함하는 3차원 표시 장치.The switching panel further includes upper and lower electrodes that are not connected to the sensing thin film transistor. 제1항에서,In claim 1, 상기 스위칭 패널의 터치 스크린 기능은 센싱 박막 다이오드를 이용하는 3차원 표시 장치.The touch screen function of the switching panel uses a sensing thin film diode. 제4항에서,In claim 4, 상기 스위칭 패널은 상기 센싱 박막 다이오드와 연결되지 않은 상부 및 하부 전극을 더 포함하는 3차원 표시 장치.The switching panel further includes upper and lower electrodes that are not connected to the sensing thin film diode. 제1 기판,First substrate, 상기 제1 기판 위에 형성되어 있는 센싱 박막 트랜지스터,A sensing thin film transistor formed on the first substrate, 상기 센싱 박막 트랜지스터 위에 형성되어 있는 하부 전극,A lower electrode formed on the sensing thin film transistor, 상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판,A second substrate facing the first substrate, 상기 제2 기판 위에 형성되어 있는 상부 전극을 포함하며, 2차원 영상을 표시하도록 할지 3차원 영상을 표시하도록 할지 선택하는 3차원 표시 장치용 스위칭패널.And an upper electrode formed on the second substrate, and selecting whether to display a 2D image or a 3D image. 제6항에서,In claim 6, 상기 센싱 박막 트랜지스터와 상기 하부 전극의 사이에는 유기 절연막이 형성되어 있으며, An organic insulating layer is formed between the sensing thin film transistor and the lower electrode. 상기 유기 절연막은 센싱 박막 트랜지스터의 반도체를 드러내는 개구부가 형성되어 있는 3차원 표시 장치용 스위칭패널.The organic insulating layer is a switching panel for a three-dimensional display device having an opening that exposes the semiconductor of the sensing thin film transistor. 제1 기판,First substrate, 상기 제1 기판 위에 형성되어 있는 센싱 박막 다이오드,A sensing thin film diode formed on the first substrate, 상기 센싱 박막 트랜지스터 위에 형성되어 있는 하부 전극,A lower electrode formed on the sensing thin film transistor, 상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판,A second substrate facing the first substrate, 상기 제2 기판 위에 형성되어 있는 상부 전극을 포함하며, 2차원 영상을 표시하도록 할지 3차원 영상을 표시하도록 할지 선택하는 3차원 표시 장치용 스위칭패널.And an upper electrode formed on the second substrate, and selecting whether to display a 2D image or a 3D image. 제8항에서,In claim 8, 상기 센싱 박막 다이오드와 상기 하부 전극의 사이에는 유기 절연막이 형성되어 있으며, An organic insulating layer is formed between the sensing thin film diode and the lower electrode, 상기 유기 절연막은 센싱 박막 트랜지스터의 반도체를 드러내는 개구부가 형성되어 있는 3차원 표시 장치용 스위칭패널.The organic insulating layer is a switching panel for a three-dimensional display device having an opening that exposes the semiconductor of the sensing thin film transistor.
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