KR101095022B1 - Method for forming a protective structure - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 보호막 구조 형성 방법은, 기판의 전면에 접착층을 형성하는 단계, 상기 기판의 후면에 보호층을 형성하는 단계, 및 상기 접착층을 이용하여 상기 보호층이 형성된 상기 기판을 전자 소자에 부착하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 보호층은 유기보호층 및 무기보호층을 포함할 수 있다.In the method of forming a protective film structure according to the present invention, forming an adhesive layer on the front surface of the substrate, forming a protective layer on the rear surface of the substrate, and attaching the substrate on which the protective layer is formed using the adhesive layer to an electronic device. It may include the step. The protective layer may include an organic protective layer and an inorganic protective layer.

유기전자소자, 보호막, 유무기 복합층 Organic electronic device, protective film, organic / inorganic composite layer

Description

보호막 구조 형성 방법{METHOD FOR FORMING A PROTECTIVE STRUCTURE}METHODE FOR FORMING A PROTECTIVE STRUCTURE}

본 발명은 전자 소자에 보호막 구조를 형성하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of forming a protective film structure on an electronic device.

유기 전자소자 기술은 유기물을 전자소자에 응용한 것으로서, 저비용 및 대면적으로 유연한 플라스틱 기판에 전자소자를 구현할 수 있다는 장점으로 인해 각광받고 있다. 유기 전자 소자 기술은 OLED, OTFT, 태양 전지와 같은 유기전자소자를 제조하는데 사용되고 있다. 그러나 이러한 유기전자소자는 대기 중의 수분, 산소, 빛 등에 의해 분해되기 쉬우며, 열에 대한 내구성도 매우 약해 소자의 온도가 상승할 경우 소자 수명이 감소하게 되는 등, 소자의 신뢰성과 관련된 여러 문제점이 있었다. 따라서, 유기전자소자의 제품화를 위해서는 이러한 문제점의 해결이 선행되어야 한다. Organic electronic device technology is an application of organic materials to electronic devices, and has been in the spotlight due to the advantage that the electronic device can be implemented on a plastic substrate with low cost and large area. Organic electronic device technology is being used to manufacture organic electronic devices such as OLED, OTFT, solar cell. However, these organic electronic devices are easily decomposed by moisture, oxygen, light, and the like in the air, and are extremely weak against heat, and thus, device life is reduced when the temperature of the device is increased. . Therefore, in order to commercialize the organic electronic device, the solution of these problems must be preceded.

종래에는, 유기전자소자에서 발생하는 수분 및 산소에 의한 유기물 분해와 열화를 방지하기 위해 다양한 방법이 사용되었다. 예를 들어, 유기전자소자에 금속 캡(cap) 또는 유리 캡과 같은 보호막을 씌우는 방법 등이 이용되었다. 그러나, 이러한 종래의 유기전자소자 보호 방식에서는 공정상 높은 온도를 필요로 하여 유기전자소자에 충격을 주었으며 수분 및 산소를 완벽히 차단하지 못한다는 문제점이 있었다.In the past, various methods have been used to prevent decomposition and degradation of organic substances by moisture and oxygen generated in organic electronic devices. For example, a method of covering a protective film such as a metal cap or a glass cap on an organic electronic device has been used. However, in the conventional organic electronic device protection method, a high temperature is required in the process, which impacts the organic electronic device and does not completely block moisture and oxygen.

일 실시예에 따른 보호막 구조 형성 방법은, 기판의 전면에 접착층을 형성하는 단계, 상기 기판의 후면에 보호층을 형성하는 단계, 및 상기 접착층을 이용하여 상기 보호층이 형성된 상기 기판을 전자 소자에 부착하는 단계를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 보호층은 유기보호층 및 무기보호층을 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present disclosure, a method of forming a protective film structure may include forming an adhesive layer on a front surface of a substrate, forming a protective layer on a rear surface of the substrate, and attaching the substrate on which the protective layer is formed using the adhesive layer to an electronic device. Attaching. In one embodiment, the protective layer may include an organic protective layer and an inorganic protective layer.

도면에 도시되거나 이하 설명되는 각 구성 요소 및 구성 요소들 간의 배치 관계는 하나의 예시로서 다양한 구성으로 변형될 수 있다. 따라서, 도면을 참조하여 자세히 설명하는 각 실시예는 청구항의 범위를 한정하는 것은 아니며, 실시 가능한 여러 형태 중 대표적 실시예를 설명하는 것일 뿐임을 알아야 한다. 이하에서는, 명확한 이해를 돕기 위해 첨부 도면 및 그에 표시된 참조번호를 이용하여 자세한 설명이 이루어질 것이며, 도면에서 동일한 참조번호로 표시된 부분은 동일한 구성을 나타낸다.Each component and the arrangement relationship between the components shown in the drawings or described below may be modified in various configurations as an example. Therefore, it should be understood that each embodiment described in detail with reference to the drawings is not intended to limit the scope of the claims, but merely to describe representative embodiments of the various forms possible. Hereinafter, a detailed description will be made by using the accompanying drawings and the reference numbers indicated therein for clarity of understanding, and the parts denoted by the same reference numerals in the drawings represent the same configuration.

도 1은, 일 실시예에 따른, 소자에 부착 가능한 보호막구조(100)를 도시한다. 1 illustrates a protective film structure 100 attachable to an element, according to one embodiment.

보호막구조(100)는, 기판(120), 기판(120)의 전면에 형성된 접착층(140) 및 기판(120)의 후면에 형성된 유/무기복합보호층(160)을 포함한다. The protective film structure 100 includes a substrate 120, an adhesive layer 140 formed on the front surface of the substrate 120, and an organic / inorganic hybrid protective layer 160 formed on the rear surface of the substrate 120.

일 실시예에서, 기판(120)의 재질은 접착층(140) 및/또는 보호막 구조(100)가 부착될 소자 또는 기판의 내열성 및 내화학성을 고려하여 결정할 수 있다. 예 를 들어, 이하에서 설명하는 바와 같이, 보호막 구조(100)가 유기전자소자에 부착될 경우 기판(100)으로서 유기고분자계 플라스틱필름을 이용할 수 있다.In one embodiment, the material of the substrate 120 may be determined in consideration of the heat resistance and chemical resistance of the device or substrate to which the adhesive layer 140 and / or the protective layer structure 100 are to be attached. For example, as described below, when the protective film structure 100 is attached to the organic electronic device, an organic polymer plastic film may be used as the substrate 100.

일 실시예에서, 접착층(140)은 유기 접착제, 무기접착제 또는 유기 접착제와 무기접착제의 혼합물로 구성될 수 있다. 일 실시예에서, 접착층(140)을 구성하는 유기 접착제는 천연접착제 또는 (예를 들어, 열가소성 수지계 또는 복합 수지계와 같은) 합성접착제일 수 있다. 일 실시예에서, 접착층(140)은 광, 열, 수분 또는 산소에 의해 접착 특성을 나타낼 수 있도록 광 경화 접착제, 열 경화 접착제, 수분 경화 접착제 또는 혐기성 접착제로 이루어질 수 있다. 일 실시예에서, 접착층(140)의 두께는 약 1um 내지 10um일 수 있다.In one embodiment, the adhesive layer 140 may be composed of an organic adhesive, an inorganic adhesive or a mixture of an organic adhesive and an inorganic adhesive. In one embodiment, the organic adhesive constituting the adhesive layer 140 may be a natural adhesive or a synthetic adhesive (eg, a thermoplastic resin or a composite resin). In one embodiment, the adhesive layer 140 may be made of a light curable adhesive, a heat curable adhesive, a moisture curable adhesive, or an anaerobic adhesive to exhibit adhesive properties by light, heat, moisture, or oxygen. In one embodiment, the thickness of the adhesive layer 140 may be about 1um to 10um.

일 실시예에서, 유/무기복합보호층(160)은 유기보호층(162) 및 무기보호층(164)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 유/무기복합보호층(160)은 기판(120) 위에 유기보호층(162) 및 무기보호층(164)이 적층된 형태를 가질 수 있다. 도 1에는, 유기보호층(162) 상에 무기보호층(164)이 형성된 것으로 도시되어 있으나, 유기보호층(162)과 무기보호층(164)의 적층 순서는 변경될 수 있다.In one embodiment, the organic / inorganic hybrid protective layer 160 may include an organic protective layer 162 and an inorganic protective layer 164. In one embodiment, the organic / inorganic hybrid protective layer 160 may have a form in which an organic protective layer 162 and an inorganic protective layer 164 are stacked on the substrate 120. In FIG. 1, the inorganic protective layer 164 is formed on the organic protective layer 162, but the stacking order of the organic protective layer 162 and the inorganic protective layer 164 may be changed.

일 실시예에서, 유/무기복합보호층(160)의 두께는 약 10nm 내지 150um 일 수 있다. 또 다른 실시예에서, 유기보호층(162) 및 무기보호층(164)의 두께는 각각 약 0.5um 내지 10um, 약 10nm 내지 1um일 수 있다.In one embodiment, the thickness of the organic / inorganic composite protective layer 160 may be about 10nm to 150um. In another embodiment, the thickness of the organic protective layer 162 and the inorganic protective layer 164 may be about 0.5um to 10um, about 10nm to 1um, respectively.

일 실시예에서, 유기보호층은(162)은, 유기 나노 재료 및 무기 나노 재료의 혼합물 및 혼합 무기물을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 유기보호층(162)은 에폭시계 수지(epoxy resin), 아크릴계 수지(acrlyate resin), 열경화성 폴리이미 드(polyimide) 등 비정질이며 고내열성 및 내화학성이 우수한 고분자 물질을 이용하여 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 유기보호층(162)은 액상 형태 또는 고형 형태일 수 있다. 일 실시예에서, 무기보호층(164)은 금속 산화물, 비금속 산화물, 질화물 및 염 중 두 가지 이상이 혼합된 무기물로 구성될 수 있다.In one embodiment, the organic protective layer 162 may include a mixture of organic nanomaterials and inorganic nanomaterials and mixed inorganic materials. In one embodiment, the organic protective layer 162 is formed using an amorphous, high heat resistance and chemical resistance polymer material such as epoxy resin, acrylic resin, thermosetting polyimide, etc. Can be. In one embodiment, the organic protective layer 162 may be in liquid form or solid form. In one embodiment, the inorganic protective layer 164 may be composed of an inorganic material in which two or more of metal oxides, nonmetal oxides, nitrides, and salts are mixed.

일 실시예에서, 보호막 구조(100)는 기판(120), 접착층(140) 및 보호층(160) 전체의 광투과도가 약 90% 이상이 되도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 기판(120), 접착층(140) 및 보호층(160) 전체의 광투과도가 약 90% 이상이 되도록 기판(120), 접착층(140) 및 보호층(160)의 재료가 결정될 수 있다. In one embodiment, the passivation layer structure 100 may be formed such that light transmittance of the entirety of the substrate 120, the adhesive layer 140, and the passivation layer 160 is about 90% or more. For example, the material of the substrate 120, the adhesive layer 140, and the protective layer 160 may be determined such that light transmittance of the entirety of the substrate 120, the adhesive layer 140, and the protective layer 160 is about 90% or more. have.

도 1에서는, 보호막구조(100)가 한 개의 유/무기복합보호층(160)을 포함하는 것으로 도시하고 있으나, 이에 제한되지 않으며, 보호막구조(100)는 복수개의 유/무기복합보호층(160)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 2에 도시한 바와 같이, 보호막구조(200)는 각각 유기보호층(262, 272, 282) 및 무기보호층(264, 274, 284)을 포함하는 세 개의 유/무기복합보호층(260, 270, 280)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 세 개의 유/무기복합보호층(260, 270, 280)은 서로 다른 재질로 구성되거나, 서로 다른 두께를 가질 수 있다.In FIG. 1, the protective film structure 100 includes one organic / inorganic hybrid protective layer 160, but is not limited thereto. The protective film structure 100 may include a plurality of organic / inorganic hybrid protective layers 160. ) May be included. For example, as shown in FIG. 2, the protective film structure 200 includes three organic / inorganic hybrid protections including organic protective layers 262, 272, and 282 and inorganic protective layers 264, 274, and 284, respectively. Layers 260, 270, and 280. In one embodiment, the three organic / inorganic hybrid protective layers (260, 270, 280) may be made of different materials or have different thicknesses.

도 3은, 도 1에 도시된 보호막 구조(100)가 접착된 유기전자소자(300)를 도시한다. FIG. 3 illustrates an organic electronic device 300 to which the protective film structure 100 shown in FIG. 1 is bonded.

일 실시예에서, 유기전자소자(300)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 양전극 기판(302), 정공 주입층(304), 정공 전달층(306), 발광층(308), 전자 전달층(310), 전자 주입층(312) 및 음전극(314)을 포함하는 OLED일 수 있다. 일 실시예에서, 양 전극 기판(302)은 유리기판 또는 플라스틱 기판을 이용하여 형성될 수 있다. 그러나, 도 3은 유기전자소자(300)의 일 실시예를 도시한 것에 불과하며, 보호막 구조(100)는 다양한 유기전자소자(300)에 적용될 수 있음을 알아야 한다. 예를 들어, 보호막 구조(100)는 전극층 상에 유기층이 단일층으로 형성된 유기전자소자에도 적용될 수 있다.In an exemplary embodiment, the organic electronic device 300 may include a positive electrode substrate 302, a hole injection layer 304, a hole transport layer 306, a light emitting layer 308, and an electron transport layer as illustrated in FIG. 3. 310 may be an OLED including an electron injection layer 312 and a negative electrode 314. In one embodiment, the positive electrode substrate 302 may be formed using a glass substrate or a plastic substrate. However, FIG. 3 illustrates only an embodiment of the organic electronic device 300, and it should be understood that the protective film structure 100 may be applied to various organic electronic devices 300. For example, the passivation layer structure 100 may be applied to an organic electronic device in which an organic layer is formed as a single layer on an electrode layer.

일 실시예에서, 보호막 구조(100)는 유기전자소자(300)의 외부로 노출된 부분을 덮도록 형성될 수 있다. 이와 같이 구성된 유기전자소자(300)는 보호막 구조(100)에 의해 산소 및 수분이 효과적으로 차단될 수 있으므로 유기전자소자(300)의 안정성 및 신뢰성 확보가 가능하다.In an embodiment, the passivation layer structure 100 may be formed to cover a portion exposed to the outside of the organic electronic device 300. The organic electronic device 300 configured as described above may effectively block oxygen and moisture by the passivation layer structure 100, thereby ensuring stability and reliability of the organic electronic device 300.

이하에서는, 도 4를 참고하여 보호막 구조(100)의 제조 방법에 대해 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing the protective film structure 100 will be described with reference to FIG. 4.

먼저, 단계 S400에서, 기판(120)의 전면에 접착층(140)을 형성한다. 기판(120) 및 접착층(140)은 도 1과 관련하여 설명한 기판(120) 및 접착층(140)과 동일하게 구성될 수 있다. First, in step S400, the adhesive layer 140 is formed on the entire surface of the substrate 120. The substrate 120 and the adhesive layer 140 may be configured in the same manner as the substrate 120 and the adhesive layer 140 described with reference to FIG. 1.

다음으로, 접착층(140)이 형성되지 않은 기판(120)의 후면에 유/무기복합보호층(160)을 형성한다. 일 실시예에서, 유/무기복합보호층(160)을 형성하는 단계는 유기보호층(162)을 형성하는 단계(S402 내지 S408) 및 무기보호층(164)을 형성하는 단계(S410)를 포함할 수 있다.Next, the organic / inorganic hybrid protective layer 160 is formed on the rear surface of the substrate 120 on which the adhesive layer 140 is not formed. In one embodiment, forming the organic / inorganic hybrid protective layer 160 includes forming the organic protective layer 162 (S402 to S408) and forming the inorganic protective layer 164 (S410). can do.

일 실시예에서, 유/무기복합보호층(160)을 형성하는 단계는, 기판 상에 유기보호층(162) 및 무기보호층(164)이 순서대로 적층되도록, 유기보호층(162)을 형성 하는 단계를 먼저 실행 후 무기보호층(164)을 형성하는 단계를 실행할 수 있다.In an embodiment, forming the organic / inorganic composite protective layer 160 may include forming the organic protective layer 162 such that the organic protective layer 162 and the inorganic protective layer 164 are sequentially stacked on the substrate. The first step may be performed, followed by forming the inorganic protective layer 164.

단계 S402에서는, 유기보호층(162)을 형성하기 위해 기판(120)의 후면에 광경화성 고분자를 도포할 수 있다. 일 실시예에서, 광경화성 고분자로서 에폭시계 수지(epoxy resin), 아크릴계 수지(acrlyate resin), 열경화성 폴리이미드(polyimide) 또는 비정질이며 고내열 및 내화학성이 우수한 고분자를 사용할 수 있다. 그러나 광경화성 고분자는 이에 한정되지 않으며 광(예를 들어, UV)에 의해 경화될 수 있는 고분자라면 특별한 제한 없이 이용될 수 있다.In step S402, the photocurable polymer may be coated on the rear surface of the substrate 120 to form the organic protective layer 162. In one embodiment, an epoxy resin, an acrylic resin, a thermosetting polyimide or an amorphous polymer having high heat resistance and chemical resistance may be used as the photocurable polymer. However, the photocurable polymer is not limited thereto and may be used without particular limitation as long as the polymer can be cured by light (for example, UV).

단계 S404 내지 S408에서, 광경화성 고분자가 도포된 기판(120)에 대해 자외선/오존 경화공정을 실행할 수 있다. In steps S404 to S408, an ultraviolet / ozone curing process may be performed on the substrate 120 coated with the photocurable polymer.

단계 S404에서, 기판(120)에 도포된 광경화성 고분자에 포함된 첨가물(additives) 및/또는 불순물(impurities)을 제거하기 위한 예비 경화 공정을 실행할 수 있다. 일 실시예에서, 예비 경화 공정은, 핫플레이트 또는 오븐을 이용하여 광경화성 고분자에 대해 경화를 실행하는 단계를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 광경화성 고분자에 대한 예비 경화 공정은 약 70 내지 90℃에서 약 2분 내지 5분간 실행할 수 있다.In step S404, a preliminary curing process may be performed to remove additives and / or impurities included in the photocurable polymer applied to the substrate 120. In one embodiment, the preliminary curing process may include performing curing on the photocurable polymer using a hotplate or oven. In one embodiment, the precuring process for the photocurable polymer may be performed at about 70-90 ° C. for about 2-5 minutes.

단계 S406에서, 예비 경화 공정을 거친 광경화성 고분자가 도포된 기판(120)에 대해 자외선/오존을 조사하는 자외선/오존 조사 공정을 실행할 수 있다. 일 실시예에서, 자외선/오존 조사 공정은, 파장이 약 170nm 내지 200nm인 광원을 약 1분 내지 약 7분간 조사하여 산소 분자를 원자 상태로 분해하는 단계; 및 발생한 산소 원자에 대해 약 240nm 내지 260nm의 파장을 갖는 광원을 약 1분 내지 7분간 조사하 여 오존을 생성시키는 단계를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 경화에 직접적인 영향을 미치는 주된 광원의 파장대는 240 내지 260 ㎚이고 조사된 광원의 에너지는 약 2400 내지 3000 mJ/㎠일 수 있다. In step S406, the ultraviolet ray / ozone irradiation step of irradiating ultraviolet ray / ozone may be performed on the substrate 120 coated with the photocurable polymer that has undergone the preliminary curing step. In one embodiment, the ultraviolet / ozone irradiation process comprises: decomposing oxygen molecules to an atomic state by irradiating a light source having a wavelength of about 170 nm to 200 nm for about 1 minute to about 7 minutes; And irradiating a light source having a wavelength of about 240 nm to 260 nm with respect to the generated oxygen atom for about 1 minute to 7 minutes to generate ozone. In one embodiment, the wavelength band of the main light source that directly affects curing is 240-260 nm and the energy of the irradiated light source may be about 2400-3000 mJ / cm 2.

단계 S408에서, 자외선/오존 조사 공정이 실행된 기판(120)에 도포된 광경화성 고분자에 대해 열 경화를 실행하여 유기보호층(162)으로서의 유기 고분자 보호층을 형성할 수 있다. 일 실시예에서, 열 경화 공정은, 오븐을 이용하여 광경화성 고분자에 대해 약 100 내지 120℃에서 약 1 내지 2시간 동안 열경화를 수행하는 단계를 포함할 수 있다. In step S408, thermal curing may be performed on the photocurable polymer applied to the substrate 120 on which the ultraviolet / ozone irradiation process is performed to form an organic polymer protective layer as the organic protective layer 162. In one embodiment, the thermal curing process may include performing thermal curing on the photocurable polymer at about 100 to 120 ° C. for about 1 to 2 hours using an oven.

일 실시예에서, 자외선/오존 경화공정(S404 내지 S408)에서 경화에 영향을 미치는 주된 파장은 오존 생성 파장인 253.7 ㎚이고 조사된 광원의 에너지는 2800 mJ/㎠일 수 있다. 예를 들어, 예비 경화 공정에서 광경화성 고분자가 도포된 기판(120)에 대해 핫플레이트를 이용하여 약 80℃에서 약 3분간 예비경화를 시키고, 자외선/오존 조사 공정에서 약 184.9㎚ 파장의 광원을 5분간 광경화성 고분자에 조사하여 산소(O2) 분자를 분해시켜 산소 원자를 생성하고 생성된 산소 원자에 대해 253.7㎚ 파장의 광원을 5분간 조사하여 오존을 생성하고, 열 경화 공정에서 오븐을 이용하여 120℃에서 2시간 동안 광경화성 고분자를 열경화시켜 유기보호층(162)를 형성할 수 있다. In one embodiment, the main wavelength affecting curing in the ultraviolet / ozone curing process (S404 to S408) is 253.7 nm, which is an ozone generating wavelength, and the energy of the irradiated light source may be 2800 mJ / cm 2. For example, the substrate 120 coated with the photocurable polymer in the preliminary curing process is precured at about 80 ° C. for about 3 minutes using a hot plate, and a light source having a wavelength of about 184.9 nm in the ultraviolet / ozone irradiation process. Decompose oxygen (O2) molecules by irradiating the photocurable polymer for 5 minutes to generate oxygen atoms, and generate ozone by irradiating the generated oxygen atoms with a light source having a wavelength of 253.7 nm for 5 minutes, using an oven in a thermosetting process. The organic protective layer 162 may be formed by thermosetting the photocurable polymer at 120 ° C. for 2 hours.

단계 S410에서, 자외선/오존 경화 공정에 의해 형성된 유기보호층(162) 상에 무기물을 증착하는 단계를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 전자선 증착기, 스퍼터(sputter), 물리적 기상 증착법(physical vapor deposition, PVD), 화학적 기상 증착법(chemiacl vapor deposition, CVD), 또는 원자층 증착법(atomic layer deposition, ALD) 등을 이용하여 무기물을 증착할 수 있다. 일 실시예에서, 무기보호층(164)은 약 0.1 내지 0.5 ㎛의 두께를 갖도록 형성될 수 있다.In operation S410, the method may include depositing an inorganic material on the organic protective layer 162 formed by an ultraviolet / ozone curing process. In one embodiment, using an electron beam evaporator, sputter, physical vapor deposition (PVD), chemical vapor deposition (CVD), atomic layer deposition (ALD), etc. Inorganic matter may be deposited. In one embodiment, the inorganic protective layer 164 may be formed to have a thickness of about 0.1 to 0.5 ㎛.

다른 실시예에서, 유/무기복합보호층(160)을 형성하는 단계는, 기판의 후면에 무기보호층(164) 및 유기보호층(162)이 순서대로 적층되도록, 무기보호층(164)을 형성하는 단계를 먼저 실행 후, 유기보호층(162)을 형성하는 단계를 실시할 수 있다. 일 실시예에서, 기판(120)의 후면에 무기물을 증착하여 무기보호층(164)을 형성한 후, 형성된 무기보호층(164) 상에 광경화성 고분자를 도포한 후 자외선/오존 경화공정을 실행하여 유기보호층(162)을 형성할 수 있다.In another embodiment, the forming of the organic / inorganic hybrid protective layer 160 may include forming the inorganic protective layer 164 such that the inorganic protective layer 164 and the organic protective layer 162 are sequentially stacked on the rear surface of the substrate. After the forming step is first performed, the forming of the organic protective layer 162 may be performed. In one embodiment, after forming an inorganic protective layer 164 by depositing an inorganic material on the back of the substrate 120, and then applying a photocurable polymer on the formed inorganic protective layer 164, the UV / ozone curing process is performed The organic protective layer 162 may be formed.

또 다른 실시예에서, 도 2에 도시된 바와 같이 다층 구조의 보호막구조(200)를 형성하기 위해 유기보호층(262, 272, 274)을 형성하는 단계 및 무기보호층(264, 274, 284)을 형성하는 단계를 반복하여 실행할 수 있다. In another embodiment, as shown in FIG. 2, forming the organic protective layers 262, 272, and 274 and the inorganic protective layers 264, 274, and 284 to form the protective layer structure 200 having a multilayer structure. Repeating the step of forming can be performed.

도 4에서는, 접착층(140)을 형성하는 단계(S400)가 실행 된 후 보호층(160)을 형성하는 단계(S402 내지 S410)를 실행하는 것으로 도시되어 있으나, 본원 발명은 이에 한정되지 않으며, 접착층(140) 및/또는 보호층(160)을 구성하는 물질에 따라 실행 순서는 변형될 수 있음을 알아야 한다. 예를 들어, 접착층(140)으로서 광 경화 접착제를 이용하는 경우, 보호층(160)을 형성하는 단계(S402 내지 S410)를 먼저 실행한 후 접착층(140)을 형성하는 단계(S400)를 실행할 수 있다.In FIG. 4, although the step of forming the adhesive layer 140 (S400) is performed, the steps of forming the protective layer 160 (S402 to S410) are shown, but the present invention is not limited thereto. It should be appreciated that the order of execution may vary depending on the materials that make up the 140 and / or protective layer 160. For example, when the photocurable adhesive is used as the adhesive layer 140, the steps of forming the protective layer 160 (S402 to S410) may be performed first, and then the step of forming the adhesive layer 140 may be performed (S400). .

단계 S412에서는, 접착층(140) 및 보호층(160)이 형성된 보호막 구조(100)를 유기전자소자(300)에 접착시킨다. 일 실시예에서, 보호막 구조(100)는 유기전자소 자(300)의 외부로 노출된 부분을 덮도록 접착될 수 있다. 일 실시예에서, 기판(120)에 형성된 접착층(140)을 이용하여, 보호막 구조(100)를 유기전자소자(300)에 압축 방식으로 직접 접착시킬 수 있다. 일 실시예에서, 보호막 구조(100)의 길이는 유기전자소자(300)의 길이에 따라 필요한 연장될 수 있다.In operation S412, the protective layer structure 100 on which the adhesive layer 140 and the protective layer 160 are formed is bonded to the organic electronic device 300. In one embodiment, the passivation layer structure 100 may be bonded to cover an exposed portion of the organic electronic device 300. In an embodiment, the protective layer structure 100 may be directly adhered to the organic electronic device 300 by compression using the adhesive layer 140 formed on the substrate 120. In an exemplary embodiment, the length of the passivation layer structure 100 may be extended according to the length of the organic electronic device 300.

이와 같이, 보호막 구조(100)를 생성 후 유기전자소자(300)에 부착하기 때문에 소자에 다양한 크기와 형태로 보호층을 형성하는 것이 가능하다. 또한, 보호층을 기판 및 소자에 직접 부착을 할 수 있어 공정 실행 과정에서 발생할 수 있는 소자의 손상을 최소화 할 수 있고 공정을 간소화 할 수 있다.As such, since the protective film structure 100 is formed and then attached to the organic electronic device 300, it is possible to form the protective layer in various sizes and shapes on the device. In addition, the protective layer can be directly attached to the substrate and the device to minimize the damage of the device that can occur during the process execution process can be simplified.

또한, 자외선/오존 경화 방식을 이용하여 유기 보호층의 표면 에너지를 향상시키고 친수성화를 유도하여 다른 보호층과의 접착력을 향상시킬 수 있다. 또한, 이와 같은 방식에 따르면 대면적의 유기전자소자의 면적 이상의 보호층의 형성 및 다층의 보호층 형성이 가능하므로, 유기전자소자에서 수직 방향 및 수평 방향으로 침투할 수 있는 수분과 산소를 효과적으로 차단할 수 있다. In addition, by using the ultraviolet / ozone curing method it is possible to improve the surface energy of the organic protective layer and induce hydrophilicity to improve the adhesion to the other protective layer. In addition, according to this method, since a protective layer having a larger area than that of the organic electronic device having a large area and a multi-layered protective layer can be formed, the organic electronic device can effectively block moisture and oxygen that can penetrate in the vertical and horizontal directions. Can be.

도 1은, 일 실시예에 따른, 소자에 부착 가능한 보호막구조의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a protective film structure attachable to an element, according to an embodiment.

도 2는, 또 다른 실시예에 따른, 소자에 부착 가능한 보호막구조의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of a protective film structure attachable to an element according to another embodiment.

도 3은, 도 1에 도시된 보호막 구조가 부착된 유기전자소자의 단면도이다.FIG. 3 is a cross-sectional view of the organic electronic device having the protective film structure shown in FIG. 1.

도 4는, 보호막 구조 제조 방법의 순서도이다.4 is a flowchart of a method for manufacturing a protective film structure.

Claims (11)

보호막 구조 형성 방법에 있어서,In the protective film structure formation method, 기판의 전면에 접착층을 형성하는 단계,Forming an adhesive layer on the front surface of the substrate, 상기 기판의 후면에 보호층을 형성하는 단계, 및Forming a protective layer on a rear surface of the substrate, and 상기 접착층을 이용하여 상기 보호층이 형성된 상기 기판을 유기 전자 소자에 부착하는 단계를 포함하고,Attaching the substrate on which the protective layer is formed to the organic electronic device by using the adhesive layer, 상기 보호층은 유기보호층 및 무기보호층을 포함하는, 보호막 구조 형성 방법.The protective layer comprises an organic protective layer and an inorganic protective layer, a protective film structure forming method. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 기판은 유기고분자계 플라스틱필름인, 보호막 구조 형성 방법.The substrate is an organic polymer plastic film, a protective film structure forming method. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 접착층은, 유기 접착제, 무기접착제 또는 유기 접착제와 무기접착제의 혼합물인, 보호막 구조 형성 방법.The adhesive layer is an organic adhesive, an inorganic adhesive or a mixture of an organic adhesive and an inorganic adhesive, the protective film structure forming method. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 접착층은, 광 경화 접착제, 열 경화 접착제, 수분 경화 접착제 또는 혐기성 접착제를 포함하는, 보호막 구조 형성 방법.The said adhesive layer is a protective film structure formation method containing a photocuring adhesive, a thermosetting adhesive, a moisture hardening adhesive, or an anaerobic adhesive agent. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 접착층의 두께는 1um 내지 10um인, 보호막 구조 형성 방법.The thickness of the adhesive layer is 1um to 10um, protective film structure forming method. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 보호막 구조는, 상기 기판, 상기 접착층 및 상기 보호층의 광투과도가 90% 이상이 되도록 형성되는, 보호막 구조 형성 방법.The protective film structure is a protective film structure forming method, wherein the light transmittance of the substrate, the adhesive layer and the protective layer is formed to be 90% or more. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 무기보호층은 금속 산화물 또는 비금속 산화물, 질화물 및 염 중에서 선택되는 두 가지 이상을 포함하는, 보호막 구조 형성 방법.The inorganic protective layer comprises at least two selected from metal oxides or nonmetal oxides, nitrides and salts, protective film structure forming method. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 무기보호층은 전자선 증착기, 스퍼터(sputter), 물리적 기상 증착법(physical vapor deposition, PVD), 화학적 기상 증착법(chemiacl vapor deposition, CVD), 또는 원자층 증착법(atomic layer deposition, ALD)을 이용하여 증착되는, 보호막 구조 형성 방법.The inorganic protective layer is deposited by using an electron beam evaporator, a sputter, physical vapor deposition (PVD), chemical vapor deposition (CVD), or atomic layer deposition (ALD). The protective film structure formation method which becomes. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 유기보호층은, 유기 나노 재료와 무기 나노 재료의 혼합물 및 혼합 무 기물을 포함하는, 보호막 구조 형성 방법.The organic protective layer, a protective film structure forming method comprising a mixture of organic nano-material and inorganic nano-material and mixed inorganic. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 유기보호층은 0.5um 내지 10um, 상기 무기보호층은 10nm 내지 1um의 두께를 갖는, 보호막 구조 형성 방법. The organic protective layer is 0.5um to 10um, the inorganic protective layer has a thickness of 10nm to 1um, protective film structure forming method. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 보호층은 10nm 내지 150um의 두께를 갖는, 보호막 구조 형성 방법. The protective layer has a thickness of 10nm to 150um, protective film structure forming method.
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