KR101085079B1 - Heat treatment apparatus including pressure means - Google Patents

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Abstract

가압수단을 구비하는 열처리 장치가 개시된다. 본 발명에 따른 가압수단을 구비하는 열처리 장치는 기판 상에 반도체층이 형성된 전자소자(C)를 하측에서 지지하는 평판부(10); 및 평판부(10)의 가장자리부에 위치하며 하측방향으로 돌출되어 내부공간을 형성하고, 상기 내부공간으로 소정의 가스를 공급하는 적어도 하나의 가스 홀(30)을 구비하는 가압부(20)를 포함하는 적어도 두개의 프레임(100, 200)이 순차적으로 적층되어, 프레임(100, 200) 사이에 위치되는 전자소자(C)의 가장자리부는 가압부(20)에 의해 가압되는 것을 특징으로 한다.Disclosed is a heat treatment apparatus having a pressing means. Heat treatment apparatus having a pressing means according to the present invention comprises a flat plate portion 10 for supporting the electronic device (C) formed with a semiconductor layer on the lower side; And a pressurizing part 20 positioned at an edge of the flat plate part 10 and protruding downward to form an inner space, and having at least one gas hole 30 supplying a predetermined gas to the inner space. At least two frames 100 and 200 are sequentially stacked, and the edge portion of the electronic device C positioned between the frames 100 and 200 is pressed by the pressing unit 20.

가압, 열처리, 가장자리, 결정화 Pressurized, heat treated, edged, crystallized

Description

가압수단을 구비하는 열처리 장치{HEAT TREATMENT APPARATUS INCLUDING PRESSURE MEANS}Heat treatment apparatus having a pressurizing means {HEAT TREATMENT APPARATUS INCLUDING PRESSURE MEANS}

본 발명은 가압수단을 구비하는 열처리 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 열처리 공정시 반도체층이 형성된 기판이 변형되는 것을 방지하고 균일한 결정화를 위해 가장자리부만을 가압할 수 있는 열처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a heat treatment apparatus having a pressing means. More specifically, the present invention relates to a heat treatment apparatus capable of preventing deformation of a substrate on which a semiconductor layer is formed during a heat treatment process and pressing only an edge portion for uniform crystallization.

일반적으로 반도체 소자, 평판 디스플레이 및 태양전지 제조에 사용되는 열처리 장치는 실리콘 웨이퍼나 글래스(Glass)와 같은 기판 상에 증착되어 있는 소정의 반도체 박막의 결정화를 위해 필수적인 열처리(어닐링: Annealing) 공정을 수행하는 장치이다.In general, heat treatment apparatuses used in the manufacture of semiconductor devices, flat panel displays, and solar cells perform an annealing process, which is necessary for crystallization of a predetermined semiconductor thin film deposited on a substrate such as a silicon wafer or glass. Device.

특히, 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display: LCD), 유기 전계 발광표시장치(Organic Light Emitting Diode display: OLED) 및 박막형 태양전지(Thin-Film Type Solar Cell)는 두께가 얇은 글래스 기판 상에 증착된 박막인 비정질 실리콘층(a-si)을 폴리 실리콘층(p-si)으로 결정화시키는데, 통상적으로 550℃ 내지 600℃의 고온이 필요하다.In particular, liquid crystal displays (LCDs), organic light emitting diode displays (OLEDs), and thin-film type solar cells are thin films deposited on thin glass substrates. In order to crystallize the phosphorus amorphous silicon layer (a-si) into the polysilicon layer (p-si), a high temperature of 550 ° C to 600 ° C is usually required.

하지만, 이러한 글래스 기판을 사용하는 경우에는 기판과 기판 상에 형성된 반도체층과의 물질이 상이하기 때문에, 그에 따른 열팽창 계수(CTE: Coefficients of thermal expansion)도 서로 상이하여, 결국, 기판에는 큰 응력(stress)이 발생되어 열팽창 계수가 큰 측으로 기판이 볼록하게 휘어지는 현상이 초래할 수 있는데, 이러한 기판과 반도체층은 모두 두께가 얇은 박막이기 때문에 휨 현상이 증가될 수 있다.However, in the case of using such a glass substrate, since the materials of the substrate and the semiconductor layer formed on the substrate are different, the coefficients of thermal expansion (CTE) are also different from each other. stress may occur to cause the substrate to bend convexly toward the side with a large coefficient of thermal expansion. Since both of the substrate and the semiconductor layer are thin films, the warpage may increase.

이때, 기판이 받는 응력은 크게 외부응력(external stress)과 기판 내부에 존재하는 잔류응력(residual stress)으로 나누어진다. 외부응력은 외부에서 가하는 조건을 제거하면 없어지나, 잔류응력은 결정상태나, 밀착력과 같은 기판의 물성과 관계 있는 것이기 때문에, 기판의 휨 현상을 방지하기 위해서는 기판과 반도체층의 열팽창계수를 서로 유사하게 조절하여 잔류응력을 제거해야 하는 문제점이 있다. 하지만, 열팽창계수를 조절하는 방법은 새로운 물질을 제조해야만 하는 기술적인 문제와 함께 비용 등의 문제를 발생시키기 때문에 해결책으로는 그 한계가 있다.At this time, the stress received by the substrate is largely divided into external stress and residual stress existing inside the substrate. The external stress is eliminated when the externally applied conditions are removed, but the residual stress is related to the physical properties of the substrate such as the crystalline state and the adhesion. There is a problem that must be adjusted to remove residual stress. However, the method of controlling the coefficient of thermal expansion has a limitation as a solution because it causes a problem such as cost along with the technical problem of producing a new material.

이를 해결하기 위해서, 열처리 공정시 외부에서 기판 전면에 소정의 압력을 임의로 가하면 휨 현상을 감소시킬 수 있으나, 이러한 경우 가압수단과 접하는 반도체층이 물리적으로 손상될 수 있다. 또한, 고온의 열이 반도체층과 직접 접촉되는 면적도 감소되어 결정화 시간이 증가하고 균일한 결정화를 얻기 어렵다는 한계가 있다.In order to solve this problem, if a predetermined pressure is applied to the entire surface of the substrate during the heat treatment process, the warpage phenomenon can be reduced, but in this case, the semiconductor layer in contact with the pressing means may be physically damaged. In addition, there is a limit that the area where the high temperature heat is in direct contact with the semiconductor layer is also reduced, which increases the crystallization time and makes it difficult to obtain uniform crystallization.

본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 문제점을 해결하기 위한 것으로, 열처리 공정시 반도체층이 형성된 기판의 가장자리부만을 가압할 수 있는 가압수단을 구비하는 열처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention is to solve the above problems of the prior art, an object of the present invention is to provide a heat treatment apparatus having a pressing means capable of pressing only the edge portion of the substrate on which the semiconductor layer is formed during the heat treatment process.

또한, 본 발명은 열처리 공정시 반도체층이 손상되는 것을 방지할 수 있는 가압수단을 구비하는 열처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a heat treatment apparatus having a pressing means that can prevent the semiconductor layer from being damaged during the heat treatment process.

또한, 본 발명은 열처리 공정시 균일한 결정화와 동시에 결함제거 공정을 수행할 수 있는 가압수단을 구비하는 열처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a heat treatment apparatus having a pressing means capable of performing a defect removal process at the same time during the heat treatment process uniform crystallization.

본 발명의 상기 목적은 기판 상에 반도체층이 형성된 전자소자를 하측에서 지지하는 평판부; 및 상기 평판부의 가장자리부에 위치하며 하측방향으로 돌출되어 내부공간을 형성하고, 상기 내부공간으로 소정의 가스를 공급하는 적어도 하나의 가스 홀을 구비하는 가압부를 포함하는 적어도 두개의 프레임이 순차적으로 적층되어, 상기 프레임 사이에 위치되는 상기 전자소자의 가장자리부는 상기 가압부에 의해 가압되는 것을 특징으로 하는 열처리 장치에 의해 달성된다.The above object of the present invention is a flat plate for supporting an electronic device formed with a semiconductor layer on the lower side; And at least two frames including a pressurizing part positioned at an edge of the flat plate part and protruding downward to form an inner space, and having at least one gas hole for supplying a predetermined gas to the inner space. Thus, the edge portion of the electronic element located between the frames is achieved by the heat treatment apparatus, characterized in that is pressed by the pressing portion.

이때, 상기 가압부는 다중 단차로 형성되어, 최외곽의 단차는 하부에 적층된 상기 프레임의 평판부와 접하고, 상기 최외곽의 단차에 인접하는 단차는 하부에 적층된 상기 전자소자의 가장자리부를 가압할 수 있다.In this case, the pressing unit is formed of multiple steps, the outermost step is in contact with the flat plate of the frame stacked on the bottom, the step adjacent to the outermost step is to press the edge of the electronic device stacked below Can be.

상기 가스는 수소(H2)일 수 있다.The gas may be hydrogen (H 2 ).

상기 전자소자가 접하는 상기 평판부의 표면에는 요철구조가 형성될 수 있다.An uneven structure may be formed on a surface of the flat plate contacting the electronic device.

상기 가스 홀에는 이물을 차단하는 필터가 구비될 수 있다.The gas hole may be provided with a filter to block foreign substances.

상기 프레임은 석영으로 형성될 수 있다.The frame may be formed of quartz.

본 발명에 의하면, 열처리 공정시 반도체층이 형성된 기판의 가장자리부만을 가압함으로써 변형을 방지하고 반도체층이 손상되는 것을 방지할 수 있다.According to the present invention, it is possible to prevent deformation and to prevent damage to the semiconductor layer by pressing only the edge portion of the substrate on which the semiconductor layer is formed during the heat treatment step.

또한, 본 발명에 의하면, 열처리 공정시 소정의 가스(특히, 수소가스)를 반도체층 전면에 공급함으로써, 균일한 결정화 동시에 결함제거 효과를 얻을 수 있다.According to the present invention, by supplying a predetermined gas (especially hydrogen gas) to the entire surface of the semiconductor layer during the heat treatment step, it is possible to obtain uniform crystallization and defect removal effect.

또한, 본 발명에 의하면, 열처리 공정시 제조공정의 신뢰성을 개선시키고, 나아가서는 생산성을 향상시킬 수 있다.In addition, according to the present invention, it is possible to improve the reliability of the manufacturing process at the time of the heat treatment process, and further improve the productivity.

후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭하며, 길이 및 면적, 두께 등과 그 형태는 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다.DETAILED DESCRIPTION The following detailed description of the invention refers to the accompanying drawings that show, by way of illustration, specific embodiments in which the invention may be practiced. These embodiments are described in sufficient detail to enable those skilled in the art to practice the invention. It should be understood that the various embodiments of the present invention are different but need not be mutually exclusive. For example, certain shapes, structures, and characteristics described herein may be embodied in other embodiments without departing from the spirit and scope of the invention with respect to one embodiment. It is also to be understood that the position or arrangement of the individual components within each disclosed embodiment may be varied without departing from the spirit and scope of the invention. The following detailed description, therefore, is not to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention, if properly described, is defined only by the appended claims, along with the full range of equivalents to which such claims are entitled. In the drawings, like reference numerals refer to the same or similar functions throughout the several aspects, and length, area, thickness, and the like may be exaggerated for convenience.

이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily implement the present invention.

반도체층이Semiconductor layer 형성된 기판 Formed substrate

본 명세서에 있어서, 반도체층이 형성된 기판이란, 반도체 소자(예를 들면, 메모리 또는 비메모리 반도체), 평판 디스플레이(예를 들면, 액정 표시 장치 또는 유기 전계 발광표시장치) 및 태양전지와 같이 기판 상에 반도체층이 형성되어 전기적 구동을 하는 전자소자를 총칭하는 포괄적인 의미로 이해되어야 한다.In the present specification, a substrate on which a semiconductor layer is formed means a substrate on a substrate such as a semiconductor device (for example, a memory or a non-memory semiconductor), a flat panel display (for example, a liquid crystal display or an organic electroluminescent display), and a solar cell. It should be understood that the semiconductor layer is formed in a generic sense to generically refer to an electronic device that is electrically driven.

즉, 이하의 상세한 설명에서는 편의를 위해 일 예로, 투명한 글래스 기판을 사용하는 태양전지를 중심으로 설명하지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 반도체층이 구비된 전자소자 중 열처리 공정이 수행되는 기술분야에서도 본 발명에 의한 열처리 장치가 동일하게 적용될 수 있음은 자명할 것이다. That is, in the following detailed description, for convenience, a solar cell using a transparent glass substrate will be described as an example. However, the present invention is not limited thereto, and a technology in which a heat treatment process is performed among electronic devices having a semiconductor layer is performed. It will be apparent in the art that the heat treatment apparatus according to the present invention can be equally applied.

[실시예 1]Example 1

도 1 및 도 2는 본 발명의 제1 실시예에 의한 가압수단을 구비하는 열처리 장치의 간략한 단면도이다.1 and 2 are simplified cross-sectional views of a heat treatment apparatus having a pressing means according to a first embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 의해 열처리 장치는 제1 프레임(100) 및 제n 프레임(200)을 포함하여 구성될 수 있다.Referring to FIG. 1, the heat treatment apparatus according to the first embodiment of the present invention may include a first frame 100 and an nth frame 200.

먼저, 본 발명의 제1 실시예에 따른 제1 프레임(100)은 기판 상에 반도체층이 형성된 전자소자(C)를 하측에서 지지하는 평평한 판 형상의 평판부(10)와, 평판부(10)의 가장자리부에 위치하며 하측방향으로 돌출되어 내부공간을 형성하는 가압부(20)를 포함하여 구성될 수 있다. First, the first frame 100 according to the first embodiment of the present invention includes a flat plate-shaped flat plate portion 10 and a flat plate portion 10 supporting the electronic device C having a semiconductor layer formed thereon from below. It may be configured to include a pressing portion 20 which is positioned at the edge of the protruding downward to form an inner space.

이때, 가압부(20)는 전자소자(C)의 가장자리부를 가압하는 기능을 수행할 수 있다. 또한, 가압부(20)는 소정의 가스를 공급하는 적어도 하나의 가스 홀(30)을 구비할 수 있다.At this time, the pressing unit 20 may perform a function of pressing the edge of the electronic device (C). In addition, the pressurizing unit 20 may include at least one gas hole 30 for supplying a predetermined gas.

이러한 가스 홀(30)은 가스가 원활하게 공급되기 위해 다수개를 구비할 수 있으며, 가스 홀(30)은 외부에서 이물의 유입을 방지하기 위한 별도의 필터(미도시함)를 포함할 수 있어 내부의 전자소자(C)가 오염되는 것을 방지하는 것이 바람직하다.The gas hole 30 may be provided with a plurality in order to supply the gas smoothly, the gas hole 30 may include a separate filter (not shown) for preventing the inflow of foreign matter from the outside. It is preferable to prevent the internal electronic device C from being contaminated.

즉, 전자소자(C)의 가장자리부를 가압하는 가압부(20)는 소정의 압력(무게)으로 전자소자(C)를 가압하여, 가스 홀(30)을 통해 유입된 고온의 가스로 열처리함으로써 전자소자(C)가 변형(특히, 휨)되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 가스 홀(30)을 제외한 가압부(20) 내부의 공간을 밀폐시킴으로써 불필요한 외기가 내부공간으로 침투하여 전자소자(C)가 오염되는 것을 더 방지할 수 있다. 이때, 가스의 종류로는 일반적으로 열처리시 사용되는 질소(N2)일 수 있으나, 열처리시 반도체층이 결정화되는 과정에서 다결정 실리콘층 내에 존재하는 결함(예를 들어, 불순물 및 댕글링 본드 등)을 제거할 수 있도록 수소(H2)를 사용하는 것이 바람직하다. That is, the pressurizing portion 20 pressurizing the edge portion of the electronic element C pressurizes the electronic element C at a predetermined pressure (weight), and heats it by using a hot gas introduced through the gas hole 30. It is possible to prevent the element C from being deformed (in particular, warped). In addition, by sealing the space inside the pressurizing unit 20 except the gas hole 30, unnecessary outside air may penetrate into the internal space, thereby preventing the electronic device C from being contaminated. In this case, the gas may be nitrogen (N 2 ), which is generally used during heat treatment, but defects (eg, impurities and dangling bonds) present in the polycrystalline silicon layer during the process of crystallizing the semiconductor layer during heat treatment. It is preferable to use hydrogen (H 2 ) to remove.

따라서, 본 발명에서는 열처리 공정시 소정의 수소 가스를 내부공간으로 공급함으로써, 전자소자(C)의 반도체층 전체에서 균일한 결정화와 동시에 결함제거 효과를 얻을 수 있다.Therefore, in the present invention, by supplying a predetermined hydrogen gas to the internal space during the heat treatment step, it is possible to obtain a uniform crystallization and defect removal effect in the entire semiconductor layer of the electronic device (C).

다음으로, 본 발명의 제1 실시예에 따른 제1 프레임(100) 상에 적층되는 제n 프레임(200)은 앞서 설명된 제1 프레임(100)과 동일한 구조로, 복수개가 제1 프레임(100) 상에 순차적으로 적층된 형태로 설치되어, 대량의 전자소자(C)를 열처리하는 공정을 수행할 수 있다. 여기서, n은 2이상의 자연수로, 적어도 2개의 프레임이 적층될 수 있는데, 도 2와 같이 제1, 제2, 제3 프레임(100, 210, 220)을 적층하여 제조공정의 생산성(대량 열처리 가능)을 향상시킬 수 있다.Next, the n-th frame 200 stacked on the first frame 100 according to the first embodiment of the present invention has the same structure as that of the first frame 100 described above, and a plurality of first frames 100 are provided. ) May be sequentially stacked, and heat treatment of a large amount of electronic devices (C) may be performed. Here, n is a natural number of two or more, and at least two frames may be stacked. As illustrated in FIG. 2, the first, second, and third frames 100, 210, and 220 may be stacked to increase productivity of a manufacturing process. ) Can be improved.

한편, 도 1 및 도 2에 도시되지는 않았지만, 전자소자(C)의 분리를 용이하게 하기 위해서는 전자소자(C)와 접하는 각 프레임의 평판부(10) 표면에는 요철구조가 형성되는 것이 바람직하다.On the other hand, although not shown in Figures 1 and 2, in order to facilitate the separation of the electronic device (C), it is preferable that the uneven structure is formed on the surface of the flat plate portion 10 of each frame in contact with the electronic device (C). .

보다 상세하게 설명하면, 요철구조는 전자소자(C)와 접하는 평판부(10)의 접촉 면적을 감소시킴으로써 열처리 공정 완료 후에 보다 용이하게 전자소자(C)를 분리하기 할 수 있다.In more detail, the uneven structure may reduce the contact area of the flat plate 10 in contact with the electronic device C, thereby more easily separating the electronic device C after the heat treatment process is completed.

이러한 요철구조를 형성하는 방법은 평판부(10) 상에 소정의 압력과 속도로 연마사를 분사하는 샌드 블래스팅(sand blasting) 공정을 사용할 수 있으나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 필요에 따라 전자소자(C)의 가장자리를 가압하는 가압부(20) 표면에도 상기와 동일한 요철구조를 형성할 수 있다. The method of forming the concave-convex structure may use a sand blasting process of spraying abrasive sand on the flat plate portion 10 at a predetermined pressure and speed, but is not limited thereto. In addition, the same concave-convex structure as described above may be formed on the surface of the pressing unit 20 for pressing the edge of the electronic device C as necessary.

[실시예 2][Example 2]

도 3은 본 발명의 제2 실시예에 의한 가압수단을 구비하는 열처리 장치의 간략한 단면도이다.3 is a simplified cross-sectional view of a heat treatment apparatus having a pressing means according to a second embodiment of the present invention.

이러한, 본 발명의 제2 실시예는 제1 실시예에 의한 열처리 장치의 구성에서 가압부(20)가 변형된 것으로, 다른 구성은 제1 실시예와 동일함으로 중복을 피하기 위해 상세한 설명을 생략한다.In this second embodiment of the present invention, the pressurizing portion 20 is modified in the configuration of the heat treatment apparatus according to the first embodiment, and other components are the same as the first embodiment, and detailed descriptions thereof will be omitted to avoid duplication. .

도 3을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 의한 열처리 장치는 제1 프레임(100) 및 제n 프레임(200)를 포함하여 구성될 수 있다. 이때, 각 프레임(100, 200)의 가압부(20)는 다중 단차(23)로 형성될 수 있는데, 일례로 다중 단차(23)가 이중으로 형성된 경우를 살펴보면 다음과 같다.Referring to FIG. 3, the heat treatment apparatus according to the second embodiment of the present invention may include a first frame 100 and an nth frame 200. At this time, the pressing unit 20 of each frame (100, 200) may be formed as a multi-step step 23, as an example, look at the case where the multi-step step 23 is formed in a double.

이중 단차의 경우, 평판부(10) 대비 단차가 가장 크며 최외곽에 위치하는 제1 단차(21)와 제1 단차(21) 보다 단차가 작고 인접하는 내측에 위치하는 제2 단차(22)로 구성될 수 있다.In the case of the dual step, the step is larger than the flat part 10 and the second step 22 which is smaller than the first step 21 and the first step 21 positioned at the outermost side and is located adjacent to the second step 22. Can be configured.

이러한 제1 단차(21)는 하부에 위하는 제1 프레임(100)의 평판부(10)와 직접 접하기 때문에 구조적으로 안정적으로 적층될 수 있으며, 외기의 침투를 효율적으로 방지할 수 있다. 이와 동시에, 제2 단차(22)는 전자소자(C)의 가장자리부만을 가압하기 때문에 좁은 접촉면적으로도 전자소자(C)를 안정적으로 가압할 수 있다.Since the first step 21 is in direct contact with the flat plate 10 of the first frame 100 for the lower portion can be structurally stacked stably, it can effectively prevent the penetration of outside air. At the same time, since the second step 22 presses only the edge portion of the electronic device C, the electronic device C can be stably pressed even with a narrow contact area.

이상의 상세한 설명에서, 본 발명에 따른 열처리 장치의 프레임(100, 200)은 열처리 장치에 로딩되어 열처리 공정이 진행되는 동안에 인가되는 열에 견딜 수 있고 고온 환경에서 기판과 서로 반응하지 않는 재질일 수 있는데, 예를 들어 석영과 같은 재질을 사용하는 것이 바람직하나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.In the above detailed description, the frames 100 and 200 of the heat treatment apparatus according to the present invention may be made of a material which is loaded on the heat treatment apparatus to withstand heat applied during the heat treatment process and does not react with the substrate in a high temperature environment. For example, it is preferable to use a material such as quartz, but is not necessarily limited thereto.

또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(100, 200)의 측면에는 복수개의 홈 또는 홀이 형성되도록 하는 것이 바람직하다. 이는 열처리 공정을 완료한 후 상기 복수개의 홈 또는 홀을 통하여 제1, 제2, 제n 프레임의 내부로 소정의 지그를 삽입하여 보다 간편하고 용이하게 전자소자(C)를 언로딩하기 위함이다.In addition, although not shown, it is preferable that a plurality of grooves or holes are formed on the side surfaces of the frames 100 and 200. This is to unload the electronic device C more simply and easily by inserting a predetermined jig into the first, second, and n-th frame through the plurality of grooves or holes after completing the heat treatment process.

한편, 이상의 상세한 설명에서 본 발명은 구체적인 구성요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나, 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명이 상기 실시예들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형을 꾀할 수 있다.On the other hand, the present invention in the above detailed description has been described by specific embodiments such as specific components and limited embodiments and drawings, which is provided only to help a more general understanding of the present invention, the present invention in the above embodiments The present invention is not limited thereto, and various modifications and variations can be made by those skilled in the art to which the present invention pertains.

따라서, 본 발명의 사상은 상기 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등하게 또는 등가적으로 변형된 모든 것들은 본 발명의 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.Therefore, the spirit of the present invention should not be construed as being limited to the above-described embodiments, and all of the equivalents or equivalents of the claims, as well as the following claims, I will say.

도 1 및 도 2는 본 발명의 제1 실시예에 의한 가압수단을 구비하는 열처리 장치의 간략한 단면도이다.1 and 2 are simplified cross-sectional views of a heat treatment apparatus having a pressing means according to a first embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 제2 실시예에 의한 가압수단을 구비하는 열처리 장치의 간략한 단면도이다.3 is a simplified cross-sectional view of a heat treatment apparatus having a pressing means according to a second embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

10: 평판부10: flat plate part

20: 가압부20: pressurization

30: 가스 홀30: gas hall

100: 제1 프레임100: first frame

200: 제n 프레임200: nth frame

Claims (6)

기판 상에 반도체층이 형성된 전자소자를 하측에서 지지하는 평판부; 및 A flat plate portion supporting an electronic device having a semiconductor layer formed thereon on a substrate; And 상기 평판부의 가장자리부에 위치하며 하측방향으로 돌출되어 내부공간을 형성하고, 상기 내부공간으로 소정의 가스를 공급하는 적어도 하나의 가스 홀이 형성된 가압부를 가지는 프레임을 포함하며,A frame having a pressurization part disposed at an edge of the flat plate and protruding downward to form an inner space, and having at least one gas hole for supplying a predetermined gas to the inner space; 상기 프레임은 적어도 두개가 순차적으로 적층되고,At least two frames are sequentially stacked, 상호 인접하는 상기 프레임 중, 상대적으로 하측에 위치된 상기 프레임의 상기 평판부에 상기 전자소자가 탑재 지지되고, 상대적으로 상측에 위치된 상기 프레임의 상기 가압부에 의하여 상기 전자소자의 가장자리부가 가압되며,Among the frames adjacent to each other, the electronic device is mounted and supported on the flat plate of the frame located on the lower side, and the edge portion of the electronic device is pressed by the pressing part of the frame located on the upper side. , 상기 전자소자가 접하는 상기 평판부의 표면 및 상기 가압부의 표면에는 요철구조가 각각 형성되고,Concave-convex structures are formed on the surface of the flat plate portion and the pressing portion in contact with the electronic device, respectively. 상기 가압부에는 상기 프레임을 지그로 언로딩하기 위한 홈 또는 홀 중에서 선택된 어느 하나가 형성된 것을 특징으로 하는 열처리 장치.The pressing unit has a heat treatment apparatus characterized in that any one selected from the groove or hole for unloading the frame to the jig. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가압부는 다중 단차로 형성되어,The pressing portion is formed in multiple steps, 최외곽의 단차는 하부에 적층된 상기 프레임의 평판부와 접하고, 상기 최외곽의 단차에 인접하는 단차는 하부에 적층된 상기 전자소자의 가장자리부를 가압하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.The outermost step is in contact with the flat portion of the frame laminated on the bottom, the step adjacent to the outermost step is a heat treatment apparatus characterized in that the pressing of the edge of the electronic device stacked below. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가스는 수소(H2)인 것을 특징으로 하는 열처리 장치.The gas is a heat treatment apparatus, characterized in that hydrogen (H 2 ). 삭제delete 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가스 홀에는 이물을 차단하는 필터가 구비되는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.Heat treatment device, characterized in that the gas hole is provided with a filter for blocking foreign materials. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 프레임은 석영으로 형성되는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.And the frame is made of quartz.
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