KR100944274B1 - Flexible circuit board and method for fabricating the board, semiconductor package comprising the board and method for fabricating the package - Google Patents

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KR100944274B1
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heat dissipation
base film
circuit board
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flexible circuit
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김종수
김용재
임창균
노광민
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스템코 주식회사
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Abstract

PURPOSE: A flexible circuit board and a method for fabricating a board, a semiconductor package comprising the board and the method for fabricating the package are provided to effectively emit the heat generated in a drive circuit by mounting the driving chip and forming a heat dissipation reinforce layer on the other side of the bas film. CONSTITUTION: A driving chip is mounted on a mounting region(110). A first wiring pattern(150) and a second wiring pattern(160) are respectively arranged both sides around the mounting area of on the one-side of a base film(100). A heat dissipation reinforce layer(210) has a larger size than mounting area and smaller than the base film. The heat dissipation reinforce layer comprises a carbon nanotube having a thermal conductivity. An opening part at the bas layer is defined as a mounting area. A protective layer(170) is formed on the heat dissipation reinforce layer. The heat dissipation reinforce layer is comprised of high molecular substance and a carbon nanotube.

Description

연성 회로 기판 및 그 제조 방법, 상기 연성 회로 기판을 포함하는 반도체 패키지 및 그 제조 방법{Flexible circuit board and method for fabricating the board, semiconductor package comprising the board and method for fabricating the package}Flexible circuit board and method for manufacturing the same, a semiconductor package including the flexible circuit board and a method for manufacturing the same {Flexible circuit board and method for fabricating the board, semiconductor package comprising the board and method for fabricating the package}

본 발명은 연성 회로 기판 및 그 제조 방법, 상기 연성 회로 기판을 포함하는 반도체 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a flexible circuit board, a method of manufacturing the same, a semiconductor package including the flexible circuit board, and a method of manufacturing the same.

최근 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display; LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel; PDP) 등과 같은 평판 표시 장치(Flat Panel Display; FPD)가 각광받고 있다. Recently, a flat panel display (FPD) such as a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), and the like have been in the spotlight.

이러한 평판 표시 장치는 화상을 표시하는 화면 표시부와 화면 표시부에 전기적 신호를 전달하는 구동용 인쇄회로기판이 요구된다.Such a flat panel display requires a screen display unit for displaying an image and a driving printed circuit board for transmitting an electrical signal to the screen display unit.

한편, 구동용 인쇄회로기판과 화면 표시부는 연성 회로 기판에 의해 연결될 수 있다. 한편, 연성 회로 기판은 구동집적회로(driver IC)와 배선 패턴을 포함할 수 있다.On the other hand, the driving printed circuit board and the screen display unit may be connected by a flexible circuit board. The flexible circuit board may include a driver integrated circuit and a wiring pattern.

구동집적회로는 구동용 인쇄회로기판으로부터 발생하는 다수의 신호를 화면 표시부에 전달하며, 이 과정에서 열이 발생한다. 최근 평판 표시 장치의 대형화 및 고속화에 따라 높은 구동 전압이 요구되고 있으며, 이에 따라 구동집적회로에서 발생하는 열의 양도 증가하는 경향이 있다.The driving integrated circuit transmits a plurality of signals generated from the driving printed circuit board to the screen display unit, and heat is generated in the process. Recently, as the size and speed of a flat panel display device increase, a high driving voltage is required. Accordingly, the amount of heat generated in the driving integrated circuit also increases.

이에, 연성 회로 기판을 냉각 장치를 설치하거나, 방열 수단을 설치하는 방법이 연구되고 있다.Accordingly, a method of installing a cooling device or providing a heat dissipation means for a flexible circuit board has been studied.

그러나, 연성 회로 기판에 별도의 냉각 수단을 구비하는 것은 연성 회로 기판 및 그 주변 소자들의 부피를 증가시킬 수 있다. However, providing separate cooling means in the flexible circuit board can increase the volume of the flexible circuit board and its peripheral elements.

또한, 방열 수단을 구비하는 것은 방열 수단이 구동집적회로에 정확하게 상응하는 위치에 위치하지 않는 경우 방열 효율이 저하될 수 있다. 방열 효율을 상승시키기 위해 양질의 재질을 이용하거나, 불필요하게 넓은 범위를 커버하는 방열 수단을 구비하는 경우 연성 회로 기판 제조 비용을 증가시킬 수 있다.In addition, the provision of the heat dissipation means may reduce the heat dissipation efficiency when the heat dissipation means is not located at a position corresponding to the driving integrated circuit exactly. The use of high quality materials to increase the heat dissipation efficiency or the need for heat dissipation means covering an unnecessarily wide range can increase the cost of manufacturing flexible circuit boards.

한편, 한국등록특허 제771890호(이하, '종래기술'이라 함)는 절연층의 타면에 금속박의 방열패드를 부착하고 있다. 그러나, 상기 종래기술에 의하면 금속박의 방열패드를 라미네이트 방식으로 부착하기 때문에 부착 정밀도가 부족하고 열적 스트레스가 가해질 경우 금속 특성상 열변형의 우려가 있기 때문에 신뢰성이 저하되는 문제가 있고, 특히, 배선 패턴의 치수 안정성에 전혀 도움을 주지 못하고 있다.On the other hand, Korean Patent No. 771890 (hereinafter referred to as "prior art") is attached to the heat radiation pad of the metal foil on the other surface of the insulating layer. However, according to the prior art, since the heat dissipation pad of the metal foil is attached in a laminate manner, when the adhesion accuracy is insufficient and thermal stress is applied, there is a fear of thermal deformation due to the metal characteristics. It does not contribute to dimensional stability at all.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 방열 효율의 향상 및 배선 패턴의 치수 안정성이 향상되고 제조 비용이 절감된 연성 회로 기판을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a flexible circuit board with improved heat dissipation efficiency, improved dimensional stability of wiring patterns, and reduced manufacturing cost.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는, 상기 연성 회로 기판을 포함하는 반도체 패키지를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a semiconductor package including the flexible circuit board.

본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 상기 연성 회로 기판의 제조 방법을 제공하는 것이다. Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing the flexible circuit board.

본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 상기 반도체 패키지의 제조 방 법을 제공하는 것이다. Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing the semiconductor package.

본 발명이 해결하고자 하는 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. Problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 연성 회로 기판의 일 태양(aspect)은, 베이스 필름, 베이스 필름의 일면 상에 정의되고, 구동집적회로 칩이 실장되는 실장 영역, 베이스 필름의 일면 상에, 실장 영역을 중심으로 양측에 각각 배치된 제1 배선 패턴과 제2 배선 패턴, 및 베이스 필름의 타면 상에 형성된 탄소나노튜브를 포함하는 방열보강층을 포함한다.An aspect of the flexible circuit board of the present invention for achieving the above object is defined on one surface of a base film and a base film, and is mounted on a mounting area on which a driving integrated circuit chip is mounted, and one surface of a base film. And a heat dissipation reinforcing layer including first and second wiring patterns respectively disposed on both sides of the region, and carbon nanotubes formed on the other surface of the base film.

상기 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명의 반도체 패키지의 일 태양은 전술한 연성 회로 기판을 포함한다.One aspect of the semiconductor package of the present invention for achieving the above another object includes the above-described flexible circuit board.

상기 또 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명의 연성 회로 기판의 제조 방법의 일 태양은, 일면에 금속층이 형성된 베이스 필름을 준비하고, 베이스 필름의 타면에 탄소나노튜브를 포함하는 방열보강층을 형성하고, 방열보강층을 형성한 후, 금속층을 패터닝하여 배선 패턴을 형성하는 것을 포함한다.One aspect of the method for manufacturing a flexible circuit board of the present invention for achieving the above another object is to prepare a base film having a metal layer formed on one surface, to form a heat dissipation reinforcement layer containing carbon nanotubes on the other surface of the base film, After forming the heat dissipation reinforcing layer, and patterning the metal layer to form a wiring pattern.

상기 또 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명의 연성 회로 기판의 제조 방법의 다른 태양은, 일면에 금속층이 형성된 베이스 필름을 준비하고, 금속층을 패터닝하여 배선 패턴을 형성하고, 배선 패턴을 형성한 후, 베이스 필름의 타면에 탄소나노튜브를 포함하는 방열보강층을 형성하는 것을 포함한다.Another aspect of the method for manufacturing a flexible circuit board of the present invention for achieving the above another object is, after preparing a base film having a metal layer formed on one surface, patterning the metal layer to form a wiring pattern, after forming a wiring pattern, It includes forming a heat dissipation reinforcing layer including carbon nanotubes on the other surface of the base film.

상기 또 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법의 일 태양은, 전술한 방법에 의해 제조된 연성 회로 기판을 준비하고, 연성 회로 기판 상에 구동집적회로 칩을 실장한다.An aspect of the manufacturing method of the semiconductor package of this invention for achieving the said another subject is to prepare the flexible circuit board manufactured by the method mentioned above, and to mount a drive integrated circuit chip on a flexible circuit board.

본 발명의 기타 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Other specific details of the invention are included in the detailed description and drawings.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the present embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and the general knowledge in the art to which the present invention pertains. It is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the present invention is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.Although the first, second, etc. are used to describe various elements, components and / or sections, these elements, components and / or sections are of course not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one element, component or section from another element, component or section. Therefore, the first device, the first component, or the first section mentioned below may be a second device, a second component, or a second section within the technical spirit of the present invention.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "이루어지다(made of)"는 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. In this specification, the singular also includes the plural unless specifically stated otherwise in the phrase. As used herein, “comprises” and / or “made of” refers to a component, step, operation, and / or element that includes one or more other components, steps, operations, and / or elements. It does not exclude existence or addition.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다. Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used in the present specification may be used in a sense that can be commonly understood by those skilled in the art. In addition, the terms defined in the commonly used dictionaries are not ideally or excessively interpreted unless they are specifically defined clearly.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 연성 회로 기판을 설명하기 위한 평면도이다. 도 2는 도 1의 II-II'를 따라 절단한 단면도이다. 도 3은 도 1에 기재된 실장 영역과 방열보강층을 비교설명하기 위한 도면이다. 도 4는 도 1의 연성 회로 기판을 이용하여 제조된 반도체 패키지를 설명하기 위한 도면이다. 도 1에 도시된 연성 회로 기판은 COF(Chip On Film)용 연성 회로 기판이지만, 이에 한정되는 것은 아니다.1 is a plan view illustrating a flexible circuit board according to a first exemplary embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II 'of FIG. 1. FIG. 3 is a view for comparing the mounting region and the heat dissipation reinforcing layer described in FIG. 1. FIG. 4 is a diagram for describing a semiconductor package manufactured using the flexible circuit board of FIG. 1. The flexible circuit board shown in FIG. 1 is a flexible circuit board for a chip on film (COF), but is not limited thereto.

우선, 도 1 및 도 2를 참조하면, 연성 회로 기판은 베이스 필름(100), 실장 영역(110), 제1 배선 패턴(150), 제2 배선 패턴(160), 제1 보호층(170), 방열보강층(210)을 포함한다.First, referring to FIGS. 1 and 2, the flexible circuit board may include a base film 100, a mounting region 110, a first wiring pattern 150, a second wiring pattern 160, and a first protective layer 170. , A heat dissipation reinforcing layer 210.

베이스 필름(100)은 예를 들어 20~100㎛의 두께를 가지는 절연성 물질로 이루어질 수 있다. 베이스 필름(100)은 예를 들어 폴리이미드(PI; polyimide), 폴리에스테르(PE; polyester), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET: Polyethylene Terephthalate), 및 폴리에틸렌나프탈렌 (PEN; poly ethylene napthalene), 폴리카보네이트(PC; poly carbonate) 등을 포함하는 고분자 그룹에서 선택된 물질로 이루어질 수 있다.The base film 100 may be made of, for example, an insulating material having a thickness of 20 to 100 μm. The base film 100 is, for example, polyimide (PI), polyester (PE; polyester), polyethylene terephthalate (PET), and polyethylene naphthalene (PEN), polycarbonate (PC). polycarbonate) and the like.

실장 영역(110)은 베이스 필름(100)의 일면 상에 정의되고, 구동집적회로 칩(300)이 실장되는 영역이다. 도 4에 도시된 것처럼 구동집적회로 칩(300)이 실장될 수 있다. 도 4에서는 구동집적회로 칩(300)은 플립칩(flip chip) 방식으로 실장된 것을 도시하였으나, 본 발명의 권리범위는 이에 한정되지 않는다.The mounting region 110 is defined on one surface of the base film 100 and is a region in which the driving integrated circuit chip 300 is mounted. As shown in FIG. 4, the driving integrated circuit chip 300 may be mounted. In FIG. 4, the driving integrated circuit chip 300 is mounted in a flip chip method, but the scope of the present invention is not limited thereto.

베이스 필름(100)의 일면 상에, 실장 영역(110)을 중심으로 양측에 제1 배선 패턴(150) 및 제2 배선 패턴(160)이 형성되어 있다. 제1 배선 패턴(150) 및 제2 배선 패턴(160)은 전도성이 큰 물질, 예를 들어 금, 알루미늄, 구리와 같은 금속으로 이루어질 수 있다. 도시하지는 않았지만 제1 배선 패턴(150) 및 제2 배선 패턴(160)의 표면에는 주석(Sn), 니켈, 금 또는 땜납 등의 도금층을 형성할 수 있다.On one surface of the base film 100, first wiring patterns 150 and second wiring patterns 160 are formed on both sides of the mounting region 110. The first wiring pattern 150 and the second wiring pattern 160 may be formed of a material having high conductivity, for example, a metal such as gold, aluminum, or copper. Although not illustrated, a plating layer of tin (Sn), nickel, gold, or solder may be formed on the surfaces of the first wiring pattern 150 and the second wiring pattern 160.

여기서, 제1 배선 패턴(150)과 제2 배선 패턴(160)은 각각 다수의 입력 배선과 다수의 출력 배선을 의미할 수 있다. 예를 들어, 제1 배선 패턴(150)은 구동용 인쇄회로기판(미도시)과 구동집적회로 칩(300) 사이에 연결되어, 인쇄회로기판으로부터 입력되는 신호, 예를 들어 구동/제어 신호를 받아들이는 역할을 한다. 제2 배선 패턴(160)은 구동집적회로 칩(300)에서 처리된 신호를 외부로(예를 들어, 화면 표시부)로 전달하여, 화면 표시부가 화상을 표시할 수 있도록 할 수 있다.Here, the first wiring pattern 150 and the second wiring pattern 160 may mean a plurality of input wires and a plurality of output wires, respectively. For example, the first wiring pattern 150 is connected between the driving printed circuit board (not shown) and the driving integrated circuit chip 300 to receive a signal input from the printed circuit board, for example, a driving / control signal. It plays a role of acceptance. The second wiring pattern 160 may transmit a signal processed by the driving integrated circuit chip 300 to the outside (for example, the screen display unit) so that the screen display unit may display an image.

제1 보호층(170)은 외부 충격이나 부식 물질로부터 제1 배선 패턴(150)과 제2 배선 패턴(160)을 보호하는 역할을 하고, 제1 보호층(170)으로 솔더 레지스 트(solder resist)를 예로 들수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The first protective layer 170 serves to protect the first wiring pattern 150 and the second wiring pattern 160 from external impact or corrosive material, and the solder resist as the first protective layer 170. ), But is not limited thereto.

제1 보호층(170)은 제1 배선 패턴(150)과 제2 배선 패턴(160)을 덮도록 형성되되, 제1 보호층(170)은 제1 배선 패턴(150)의 양단과 제2 배선 패턴(160)의 양단이 외부로 돌출될 수 있도록 형성된다. 즉, 제1 배선 패턴(150)의 일단과 제2 배선 패턴(160)의 일단은 실장 영역(110)으로 돌출된다(오버랩된다.). 돌출된 제1 배선 패턴(150)의 일단과 제2 배선 패턴(160)의 일단에 구동집적회로 칩(300)의 범프가 접합되도록, 구동집적회로 칩(300)은 실장 영역에 실장되게 된다. The first protective layer 170 is formed to cover the first wiring pattern 150 and the second wiring pattern 160, and the first protective layer 170 is formed at both ends of the first wiring pattern 150 and the second wiring. Both ends of the pattern 160 are formed to protrude outward. That is, one end of the first wiring pattern 150 and one end of the second wiring pattern 160 protrude (overlap) into the mounting region 110. The driving integrated circuit chip 300 is mounted in a mounting area such that bumps of the driving integrated circuit chip 300 are bonded to one end of the protruding first wiring pattern 150 and one end of the second wiring pattern 160.

한편, 구동집적회로 칩(300)은 다수의 신호를 처리하는데, 이에 따라 구동집적회로 칩(300)에서는 열이 발생할 수 있다.Meanwhile, the driving integrated circuit chip 300 processes a plurality of signals, and thus heat may be generated in the driving integrated circuit chip 300.

베이스 필름(100)의 타면에는 탄소나노튜브를 포함하는 방열보강층(210)이 형성되어 있다. 방열보강층(210)은 구동집적회로 칩(300)에 상응하는 위치에 배치되어 구동집적회로 칩(300)으로부터 발생한 열을 방출하는 역할을 한다. 특히, 탄소나노튜브는 금속에 비해서 열에 대한 변형이 적다. 연성 회로 기판을 제조하는 과정 중에는 열처리 공정이 있을 수 있는데, 금속은 일반적으로 열팽창계수가 높기 때문에 열처리 공정 중에 쉽게 늘어날 수 있다. 따라서, 금속은 연성 회로 기판에 스트레스를 줄 수 있다. 반면, 탄소나노튜브는 금속에 비해서 열팽창계수가 작기 때문에, 연성 회로 기판에 스트레스를 적게 주게 된다. 따라서, 열 방출을 위해서 금속보다 탄소나노튜브를 쓰는 것이 좋다.On the other side of the base film 100, a heat dissipation reinforcement layer 210 including carbon nanotubes is formed. The heat dissipation reinforcing layer 210 is disposed at a position corresponding to the driving integrated circuit chip 300 and serves to dissipate heat generated from the driving integrated circuit chip 300. In particular, carbon nanotubes have less strain on heat than metals. There may be a heat treatment process during the manufacture of the flexible circuit board, the metal can be easily stretched during the heat treatment process because of the high coefficient of thermal expansion in general. Thus, the metal can stress the flexible circuit board. On the other hand, since carbon nanotubes have a smaller coefficient of thermal expansion than metals, they give less stress to the flexible circuit board. Therefore, it is better to use carbon nanotubes than metals for heat dissipation.

또한, 방열보강층(210)은 탄소나노튜브와 고분자 물질의 화합물로 이루어질 수 있다. In addition, the heat dissipation reinforcing layer 210 may be made of a compound of carbon nanotubes and a polymer material.

여기서, 고분자 물질은 투명도가 높은 물질일 수 있다. 예를 들어, 고분자 물질은 폴리이미드(polyimide), 폴리에스테르(polyester), 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethylene Terephthalate), 폴리에틸렌나프탈렌 (poly ethylene napthalene) 및 폴리카보네이트(poly carbonate) 등을 포함하는 고분자 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.Here, the polymer material may be a material having high transparency. For example, the polymer material may include at least one selected from the group of polymers including polyimide, polyester, polyethylene terephthalate, polyethylene napthalene, polycarbonate, and the like. It may include one.

따라서, 탄소나노튜브와 고분자 물질의 합성 방법(예를 들어, 합성 비율)에 따라서, 방열보강층(210)은 투명성을 확보할 수 있다.Therefore, according to the method of synthesizing the carbon nanotubes and the polymer material (for example, the synthesis ratio), the heat dissipation reinforcing layer 210 can secure transparency.

방열보강층(210)이 어느 정도의 투명성을 갖게 되면, (반사 방식이 아닌) 투과 방식의 제품검사가 가능하다. 투과 방식의 제품검사는 제품의 일측에서 조명을 두고 제품의 타측에 카메라를 두고, 상기 조명에서 발생된 광이 제품을 투과하고 투과한 광을 카메라가 인식하여 제품의 불량여부를 판단하는 방식이다. 투과 방식의 제품검사에 사용되는 조명의 예로는, LED, 할로겐, 형광등, 백열등 등의 조명이 가능하고, 특히, LED를 투과 조명으로 사용할 때에는 제품을 투과한 광을 카메라가 인식할 수 있도록 방열보강층(210)이 적어도 30%의 투과율을 갖고 있는 것이 좋지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 그런데, 방열보강층(210)으로 탄소나노튜브만을 사용할 경우에는 방열보강층(210)의 투과성이 매우 낮아지기 때문에, 투과 방식의 제품검사가 어려울 수 있다. 하지만, 방열보강층(210)으로 탄소나노튜브와 고분자 물질의 화합물을 사용함에 따라서, 방열보강층(210)의 투명성을 확보할 수 있어, 투과 방식의 제품검사가 가능하다.When the heat dissipation reinforcement layer 210 has a certain degree of transparency, it is possible to inspect the product of the transmission method (not the reflection method). The product inspection of the transmission method is a method of determining whether there is a defect in a product by placing an illumination on one side of the product and a camera on the other side of the product, and the light generated by the illumination passes through the product and recognizes the transmitted light. An example of the lighting used for the product inspection of the transmissive method is lighting such as LED, halogen, fluorescent lamp, incandescent lamp, etc. In particular, when the LED is used as a transmissive light, the heat-resistant reinforcing layer so that the camera can recognize the light transmitted through the product Preferably, 210 has a transmittance of at least 30%, but is not limited thereto. However, when only the carbon nanotubes are used as the heat dissipation reinforcing layer 210, since the permeability of the heat dissipation reinforcing layer 210 is very low, it may be difficult to inspect the product of the transmission method. However, as the carbon nanotubes and the compound of the polymer material are used as the heat dissipation reinforcing layer 210, transparency of the heat dissipation reinforcing layer 210 can be ensured, and a product inspection of the transmission method is possible.

뿐만 아니라, 방열 보강층(210)이 투명성을 확보하기 위해, 방열 보강 층(210)의 두께를 얇게 형성할 수도 있다. 두께를 두껍게 하면 방열 보강층(210)의 투명성은 떨어질 수 있다.In addition, in order to secure transparency of the heat dissipation reinforcement layer 210, a thickness of the heat dissipation reinforcement layer 210 may be formed thinly. If the thickness is thick, the transparency of the heat dissipation reinforcement layer 210 may be degraded.

또한, 방열보강층(210) 내의 고분자 물질로 인해, 고분자 물질을 사용하는 베이스 필름(100)과 방열보강층(210)의 결착력이 높아진다. 또한, 방열보강층(210) 내의 고분자 물질로 인해서, 방열보강층(210)의 유연성 및 치수안정성이 우수해 진다. In addition, due to the polymer material in the heat dissipation reinforcing layer 210, the binding force between the base film 100 and the heat dissipation reinforcing layer 210 using the polymer material is increased. In addition, due to the polymer material in the heat dissipation reinforcing layer 210, the flexibility and dimensional stability of the heat dissipation reinforcing layer 210 is excellent.

한편, 방열보강층(210)은 금속, 금속 합금 및 세라믹 물질을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.Meanwhile, the heat dissipation reinforcing layer 210 may further include at least one selected from the group consisting of metals, metal alloys, and ceramic materials.

이와 같이 방열보강층(210)이 금속, 금속 합금 및 세라믹 물질을 포함하면, 방열보강층(210) 내의 탄소나노튜브을 고르게 분산시킬 수 있고, 특히, 방열보강층(210)의 열전도성을 높일 수 있다(즉, 방열보강층(210)의 열을 더 효과적으로 방출할 수 있다.). As such, when the heat dissipation reinforcement layer 210 includes a metal, a metal alloy, and a ceramic material, the carbon nanotubes in the heat dissipation reinforcement layer 210 may be evenly dispersed, and in particular, the thermal conductivity of the heat dissipation reinforcement layer 210 may be improved (that is, , May radiate heat of the heat dissipation reinforcing layer 210 more effectively.

사용할 수 있는 금속, 금속 합금으로는, 열전도성이 높은 금속, 예를 들어, Ag, Cu, Au, Al, W, Pt, Cr 및 이들의 합금일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.As a metal and a metal alloy which can be used, a metal having high thermal conductivity, for example, Ag, Cu, Au, Al, W, Pt, Cr, or an alloy thereof may be used, but is not limited thereto.

또는, 사용할 수 있는 세라믹 물질로는 ZrO2, Al2O3 등을 예로 들수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. Alternatively, examples of ceramic materials that can be used include ZrO 2 and Al 2 O 3 , but are not limited thereto.

구동집적회로 칩(300)로부터 발생한 열을 효과적으로 방출하기 위하여 방열보강층(210)은 구동집적회로 칩(300)와 정확히 상응하는 위치에 배치되는 것이 바 람직하다. 예를 들어, 도 1 내지 도 3에 도시된 것처럼, 방열보강층(210)은 실장 영역(110)과 오버랩되도록 형성될 수 있다.In order to effectively dissipate heat generated from the driving integrated circuit chip 300, the heat dissipation reinforcing layer 210 is preferably disposed at a position exactly corresponding to the driving integrated circuit chip 300. For example, as illustrated in FIGS. 1 to 3, the heat dissipation reinforcing layer 210 may be formed to overlap the mounting region 110.

여기서, 도 3을 참고하여 방열보강층(210)과 실장 영역(110) 사이의 관계를 설명하면 다음과 같다. 방열보강층(210)의 면적은 실장 영역(110)의 면적보다 같거나 클 수 있다. 예를 들어, 도 3에 도시된 것과 같이, 실장 영역(110)의 제11 폭(w11)은 대응되는 방열보강층(210)의 제21 폭(w21)보다 같거나 작을 수 있고, 실장 영역(110)의 제12 폭(w12)은 대응되는 방열보강층(210)의 제22 폭(w22)보다 같거나 작을 수 있다. 방열보강층(210)의 면적은 베이스 필름(100) 상에 형성되기 때문에, 베이스 필름(100)의 면적보다 같거나 작을 수 있다. Here, the relationship between the heat dissipation reinforcing layer 210 and the mounting region 110 will be described with reference to FIG. 3. The area of the heat dissipation reinforcing layer 210 may be equal to or larger than that of the mounting area 110. For example, as illustrated in FIG. 3, the eleventh width w11 of the mounting region 110 may be equal to or smaller than the twenty-first width w21 of the corresponding heat dissipation reinforcing layer 210, and the mounting region 110. The twelfth width w12 of) may be equal to or smaller than the twenty-second width w22 of the corresponding heat dissipation reinforcing layer 210. Since the area of the heat dissipation reinforcing layer 210 is formed on the base film 100, it may be equal to or smaller than the area of the base film 100.

방열보강층(210)이 이와 같은 면적을 같는 이유는 다음과 같다.The reason why the heat dissipation reinforcing layer 210 has the same area is as follows.

방열보강층(210)의 면적이 너무 작은 경우에는 충분한 방열 효과를 기대하기 어렵게 된다. 또한, 너무 큰 경우에는 방열 효과가 더 이상 향상되지 않고 방열보강층(210)을 구성하는 물질만 낭비될 수 있으며 방열보강층(210)에 균열이 생성될 수 있는 부위가 넓어져 베이스 필름(100)에 방열보강층(210)이 양호하게 접촉되지 않을 뿐만 아니라 유연성도 나빠질 수 있다. 한편, 상기 방열보강층의 면적을 상기 베이스 필름의 면적과 같도록 형성하면, 방열보강층이 보강재의 역할도 하기 때문에 제조공정에서 가해지는 스트레스에 대한 내성을 보강하여 베이스 필름의 변형이 예방되고, 그에 따라 배선 패턴도 안정화 되어 치수 변형이 예방되기 때문에, 치수 안정성도 향상될 수 있다.If the area of the heat dissipation reinforcing layer 210 is too small, it is difficult to expect a sufficient heat dissipation effect. In addition, when too large, the heat dissipation effect is not improved any more, only the material constituting the heat dissipation reinforcement layer 210 may be wasted, and a portion where cracks may be generated in the heat dissipation reinforcement layer 210 may be widened to the base film 100. The heat dissipation reinforcing layer 210 may not only be in good contact, but also may be inferior in flexibility. On the other hand, if the area of the heat dissipation reinforcing layer is formed to be equal to the area of the base film, since the heat dissipation reinforcing layer also serves as a reinforcing material, the deformation of the base film is prevented by reinforcing resistance to stress applied in the manufacturing process, accordingly Since the wiring pattern is also stabilized to prevent dimensional deformation, dimensional stability can also be improved.

또한, 방열보강층(210)의 두께는 0.01~100㎛일 수 있다. In addition, the thickness of the heat dissipation reinforcing layer 210 may be 0.01 ~ 100㎛.

방열보강층(210)이 0.01㎛보다 작을 경우에는, 충분한 방열 효과를 기대하기 어렵다. 또한, 방열보강층(210)이 100㎛보다 큰 경우에는 방열보강층(210)을 구성하는 물질만 낭비될 수 있고, 베이스 필름(100)의 유연성도 나빠질 수 있다. 또한, 방열보강층(210)의 투과성을 고려하여 두께는 조절될 수 있다. 방열보강층(210)의 투과성을 높이기 위해서는 방열보강층(210)의 두께는 얇을수록 좋다.When the heat dissipation reinforcing layer 210 is smaller than 0.01 mu m, it is difficult to expect a sufficient heat dissipation effect. In addition, when the heat dissipation reinforcing layer 210 is larger than 100 μm, only materials constituting the heat dissipation reinforcing layer 210 may be wasted, and the flexibility of the base film 100 may be deteriorated. In addition, the thickness may be adjusted in consideration of the permeability of the heat dissipation reinforcing layer 210. In order to increase the permeability of the heat dissipation reinforcing layer 210, the thinner the heat dissipation reinforcing layer 210 is, the better.

본 실시예와 같이 방열보강층(210)의 위치, 면적, 두께가 열 발생 정도에 따라 구동집적회로 칩(300)에 상응하도록 조절되는 경우 방열 효과가 상승될 수 있으며, 연성 회로 기판의 제조 비용이 절감될 수 있다.When the position, area, and thickness of the heat dissipation reinforcing layer 210 is adjusted to correspond to the driving integrated circuit chip 300 according to the heat generation degree as in this embodiment, the heat dissipation effect can be increased, and the manufacturing cost of the flexible circuit board is increased. Can be reduced.

도 5은 본 발명의 제2 실시예에 따른 연성 회로 기판을 설명하기 위한 단면도이다. 도 6는 본 발명의 제3 실시예에 따른 연성 회로 기판을 설명하기 위한 단면도이다.5 is a cross-sectional view for describing a flexible circuit board according to a second exemplary embodiment of the present invention. 6 is a cross-sectional view for describing a flexible circuit board according to a third exemplary embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 연성 회로 기판이 제1 실시예와 다른 점은, 방열보강층(210)이 베이스 필름(100)의 타면 전체에 형성되어 있다는 점이다. Referring to FIG. 5, the flexible circuit board according to the second embodiment of the present invention differs from the first embodiment in that the heat dissipation reinforcing layer 210 is formed on the entire other surface of the base film 100.

도 6를 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 연성 회로 기판이 제2 실시예와 다른 점은, 방열보강층(210)을 보호하기 위한 제2 보호층(220)이 방열보강층(210) 상에 형성되어 있는 점이다. 제2 보호층(220)은 예를 들어, 폴리이미드(polyimide) 또는 PET(polyethylen terephthalate) 등의 고분자 물질일 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 6, the flexible circuit board according to the third embodiment of the present invention differs from the second embodiment in that the second protective layer 220 for protecting the heat dissipation reinforcing layer 210 is the heat dissipation reinforcing layer 210. It is a point formed on the phase. The second protective layer 220 may be, for example, a polymer material such as polyimide or polyethylen terephthalate (PET), but is not limited thereto.

도시하지 않았으나, 제2 보호층(220)은 도 2에 도시된 방열보강층(210) 상에 형성되어 있어도 무방하다.Although not shown, the second protective layer 220 may be formed on the heat dissipation reinforcing layer 210 shown in FIG. 2.

도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 연성 회로 기판을 설명하기 위한 평면도이다. 도 8은 도 7의 VIII-VIII'를 따라 절단한 단면도이다. 도 7에 도시된 연성 회로 기판은 TAB(Tape Automated Bonding)용 연성 회로 기판이지만, 이에 한정되는 것은 아니다.7 is a plan view illustrating a flexible circuit board according to a fourth exemplary embodiment of the present invention. FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line VIII-VIII ′ of FIG. 7. The flexible circuit board illustrated in FIG. 7 is a flexible circuit board for tape automated bonding (TAB), but is not limited thereto.

도 7 및 도 8을 참조하면, 본 발명의 제4 실시예에 따른 연성 회로 기판에서, 베이스 필름(100) 중에서 실장 영역(110)으로 정의된 부분의 적어도 일부에는 개구부(112)가 형성되어 있다. 도시되어 있는 것과 같이, 제1 배선 패턴(150)의 일단(끝단)과, 제2 배선 패턴(160)의 일단(끝단)은 개구부(112)와 오버랩될 수 있다.7 and 8, in the flexible circuit board according to the fourth exemplary embodiment, an opening 112 is formed in at least a portion of the base film 100 defined as the mounting region 110. . As illustrated, one end (end) of the first wiring pattern 150 and one end (end) of the second wiring pattern 160 may overlap the opening 112.

개구부(112)가 형성되어 있기 때문에, 방열보강층(210)은 베이스 필름(100)의 타면 상에 개구부(112)를 제외한 영역에 형성되게 된다. 예를 들어, 방열보강층(210)은 개구부(112)를 둘러싸도록 형성될 수 있다. 물론, 칩이 실장된 이후에 상기 개구부(112)에 충진된 밀봉재 상에 방열보강층(21)을 형성할 수도 있다.Since the opening 112 is formed, the heat dissipation reinforcing layer 210 is formed in the region except the opening 112 on the other surface of the base film 100. For example, the heat dissipation reinforcing layer 210 may be formed to surround the opening 112. Of course, after the chip is mounted, the heat dissipation reinforcing layer 21 may be formed on the sealing material filled in the opening 112.

한편, 반도체 패키지는 본 발명의 제1 실시예에 따른 연성 회로 기판을 이용한 것만을 도시하였는데(도 4 참조), 당업자는 나머지 실시예에 따른 연성 회로 기판을 이용하여 반도체 패키지를 만들 수 있다.Meanwhile, the semiconductor package is illustrated using only the flexible circuit board according to the first embodiment of the present invention (see FIG. 4), but those skilled in the art may make the semiconductor package using the flexible circuit board according to the remaining embodiments.

이하에서, 도 9 내지 도 11, 도 2를 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 연성 회로 기판의 제조 방법을 설명한다. 도 9 내지 도 11은 본 발명의 제1 실시예에 따른 연성 회로 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 중간단계도면들이다.Hereinafter, a method of manufacturing a flexible circuit board according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 9 to 11 and 2. 9 to 11 are intermediate steps for explaining a method of manufacturing a flexible circuit board according to a first embodiment of the present invention.

도 9를 참조하면, 일면에 금속층(149)이 형성된 베이스 필름(100)을 준비한 다. 9, a base film 100 having a metal layer 149 formed on one surface is prepared.

예를 들어, 베이스 필름(100) 상에 금속층(149)을 형성하여도 무방하고, 금속층(149)이 형성되어 있는 베이스 필름(100)을 구매하여 사용하여도 무방하다.For example, the metal layer 149 may be formed on the base film 100, and the base film 100 on which the metal layer 149 is formed may be purchased and used.

이어서, 도 10을 참조하면, 금속층(149)을 패터닝하여 배선 패턴(150, 160)을 형성한다.Subsequently, referring to FIG. 10, the metal layers 149 are patterned to form wiring patterns 150 and 160.

이어서, 도 11을 참조하면, 베이스 필름(100)의 타면에 방열보강층(210)을 형성한다.Subsequently, referring to FIG. 11, a heat dissipation reinforcing layer 210 is formed on the other surface of the base film 100.

예를 들어, 베이스 필름(100)의 타면에 스프레이 방식, 롤코팅 방식, 인쇄 방식 또는 방열보강층을 필름형태로 형성하여 라미네이트(Laminate) 방식으로 탄소나노튜브 물질을 포함하는 방열보강물질을 형성하고, 방열보강물질이 형성된 베이스 필름(100)을 열처리한다. 이어서, 열처리된 방열보강물질을 패터닝하여 방열보강층(210)을 형성할 수 있다.For example, by forming a spray method, a roll coating method, a printing method or a heat dissipation reinforcing layer in the form of a film on the other surface of the base film 100 to form a heat dissipation reinforcing material including carbon nanotube material in a laminate method, Heat-treat the base film 100 on which the heat dissipation reinforcing material is formed. Subsequently, the heat dissipation reinforcing material 210 may be patterned to form the heat dissipation reinforcing layer 210.

여기서, 열처리하는 것은 상온-300℃에서 수행될 수 있다. 만약, 열처리가 상온다 낮을 경우 탄소나노튜브 물질이 적절한 특성을 갖지 못하고, 열처리가 300℃보다 높을 경우 베이스 필름(100)이 스트레스를 받게 될 수 있다.Here, the heat treatment may be performed at room temperature -300 ℃. If the heat treatment is low at room temperature, the carbon nanotube material does not have proper characteristics, and if the heat treatment is higher than 300 ° C., the base film 100 may be stressed.

또는, 스크린 인쇄 방식을 이용하여 방열보강층(210)을 형성할 수 있다. 구체적으로, 베이스 필름(100)의 타면에 스크린 인쇄용 마스크(즉, 방열보강층이 형성될 영역을 노출하는 마스크)를 형성하고, 방열보강층(210)을 용이하게 형성할 수도 있다.Alternatively, the heat dissipation reinforcing layer 210 may be formed using a screen printing method. Specifically, a mask for screen printing (ie, a mask exposing a region where a heat dissipation reinforcement layer is to be formed) is formed on the other surface of the base film 100, and the heat dissipation reinforcement layer 210 may be easily formed.

이어서, 다시 도 2를 참조하면, 배선 패턴(150, 160) 상에 제1 보호층(170) 을 형성하여, 연성 회로 기판을 완성한다.Subsequently, referring again to FIG. 2, the first protective layer 170 is formed on the wiring patterns 150 and 160 to complete the flexible circuit board.

도면으로 설명하지 않았으나, 베이스 필름의 타면에 방열보강층(210)을 형성한 후, 상기 방열보강층 상에 제2 보호층(220)을 더 형성할 수도 있다. Although not illustrated in the drawings, after forming the heat dissipation reinforcing layer 210 on the other surface of the base film, a second protective layer 220 may be further formed on the heat dissipation reinforcing layer.

이하에서, 도 9, 도 12, 도 13, 도 5를 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 연성 회로 기판의 제조 방법을 설명한다. 도 12 및 도 13은 본 발명의 제2 실시예에 따른 연성 회로 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 중간단계도면들이다.Hereinafter, a method of manufacturing a flexible circuit board according to a second exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 9, 12, 13, and 5. 12 and 13 are intermediate step views for explaining a method of manufacturing a flexible circuit board according to a second embodiment of the present invention.

우선, 도 9에서와 같이, 일면에 금속층(149)이 형성된 베이스 필름(100)을 준비한다. First, as shown in FIG. 9, a base film 100 having a metal layer 149 formed on one surface is prepared.

도 12를 참조하면, 베이스 필름(100)의 타면에 베이스 필름의 타면에 탄소나노튜브를 포함하는 방열보강층(210)을 형성한다.Referring to FIG. 12, a heat dissipation reinforcing layer 210 including carbon nanotubes is formed on the other surface of the base film 100 on the other surface of the base film 100.

도 13을 참조하면, 방열보강층(210)을 형성한 후, 금속층(149)을 패터닝하여 배선 패턴(150, 160)을 형성한다.Referring to FIG. 13, after forming the heat dissipation reinforcing layer 210, the metal layers 149 are patterned to form wiring patterns 150 and 160.

여기서, 도면에는 표시하지 않았으나, 도 10 단계와 도 11 단계 사이에, 방열보강층(210) 상에 제2 보호층(220)을 형성할 수 있다. 왜냐 하면, 금속층(149)을 패터닝할 때, 예를 들어, 식각액을 사용할 수 있는데, 식각액의 성분에 따라서 방열보강층(210)이 영향을 받을 수도 있기 때문이다. 물론, 상기 제2 보호층(220)은 제품이 완성된 후 제거할 수 있다.Although not shown in the drawings, a second protective layer 220 may be formed on the heat dissipation reinforcing layer 210 between steps 10 and 11. This is because, for example, when etching the metal layer 149, an etchant may be used, since the heat dissipation reinforcing layer 210 may be affected by the components of the etchant. Of course, the second protective layer 220 may be removed after the product is completed.

이어서, 다시 도 5를 참조하면, 배선 패턴(150, 160) 상에 제1 보호층(170)을 형성하여, 연성 회로 기판을 완성한다.Subsequently, referring again to FIG. 5, the first protective layer 170 is formed on the wiring patterns 150 and 160 to complete the flexible circuit board.

전술한 본 발명의 제1 및 제2 실시예에 따른 연성 회로 기판의 제조 방법을 통해서, 당업자는 본 발명의 제3 및 제4 실시예에 따른 연성 회로 기판의 제조 방법을 유추할 수 있으므로 설명을 생략한다.Through the method of manufacturing the flexible circuit boards according to the first and second embodiments of the present invention described above, those skilled in the art can infer a method of manufacturing the flexible circuit boards according to the third and fourth embodiments of the present invention. Omit.

이와 같이 완성된 연성 회로 기판 상에 구동집적회로 칩을 실장하고, 패시베이션(passivation) 공정 등을 더 진행하면 반도체 패키지를 완성할 수 있다.The semiconductor package may be completed by mounting a driving integrated circuit chip on the completed flexible circuit board and further performing a passivation process.

또한, 도면으로는 설명하지 않았으나, 일면에 금속층이 형성된 베이스 필름을 준비하고, 상기 금속층을 패터닝하여 배선 패턴을 형성하고, 상기 배선 패턴과 접속되도록 구동집적회로 칩을 실장한 후, 상기 베이스 필름의 타면에 방열보강층을 형성하여 반도체 패키지를 완성할 수 있다. 또한, 상기 베이스 필름의 타면에 방열보강층을 형성한 후에는. 상기 방열보강층 상에 보호층을 형성할 수 있다.In addition, although not illustrated in the drawings, a base film having a metal layer formed on one surface thereof is prepared, the metal layer is patterned to form a wiring pattern, and a driving integrated circuit chip is mounted so as to be connected to the wiring pattern. The semiconductor package may be completed by forming a heat dissipation reinforcing layer on the other surface. In addition, after forming the heat dissipation reinforcing layer on the other surface of the base film. A protective layer may be formed on the heat dissipation reinforcing layer.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. Although embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains may implement the present invention in other specific forms without changing the technical spirit or essential features thereof. I can understand that. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 연성 회로 기판을 설명하기 위한 평면도이다. 1 is a plan view illustrating a flexible circuit board according to a first exemplary embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 II-II'를 따라 절단한 단면도이다. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II 'of FIG. 1.

도 3은 도 1에 기재된 실장 영역과 방열보강층을 비교설명하기 위한 도면이다. FIG. 3 is a view for comparing the mounting region and the heat dissipation reinforcing layer described in FIG. 1.

도 4는 도 1의 연성 회로 기판을 이용하여 제조된 반도체 패키지를 설명하기 위한 도면이다.FIG. 4 is a diagram for describing a semiconductor package manufactured using the flexible circuit board of FIG. 1.

도 5은 본 발명의 제2 실시예에 따른 연성 회로 기판을 설명하기 위한 단면도이다. 5 is a cross-sectional view for describing a flexible circuit board according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 6는 본 발명의 제3 실시예에 따른 연성 회로 기판을 설명하기 위한 단면도이다.6 is a cross-sectional view for describing a flexible circuit board according to a third exemplary embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 연성 회로 기판을 설명하기 위한 평면도이다. 7 is a plan view illustrating a flexible circuit board according to a fourth exemplary embodiment of the present invention.

도 8은 도 7의 VIII-VIII'를 따라 절단한 단면도이다.FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line VIII-VIII ′ of FIG. 7.

도 9 내지 도 11은 본 발명의 제1 실시예에 따른 연성 회로 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 중간단계도면들이다. 9 to 11 are intermediate steps for explaining a method of manufacturing a flexible circuit board according to a first embodiment of the present invention.

도 12 및 도 13은 본 발명의 제2 실시예에 따른 연성 회로 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 중간단계도면들이다.12 and 13 are intermediate step views for explaining a method of manufacturing a flexible circuit board according to a second embodiment of the present invention.

(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명) (Explanation of symbols for the main parts of the drawing)

100: 베이스 필름 110: 실장 영역100: base film 110: mounting area

112: 개구부 150: 제1 배선 패턴112: opening 150: first wiring pattern

160: 제2 배선 패턴 170: 제1 보호층160: second wiring pattern 170: first protective layer

210: 방열보강층 220: 제2 보호층 210: heat dissipation reinforcing layer 220: second protective layer

Claims (25)

베이스 필름;Base film; 상기 베이스 필름의 일면 상에 정의되고, 구동집적회로 칩이 실장되는 실장 영역;A mounting area defined on one surface of the base film and on which a driving integrated circuit chip is mounted; 상기 베이스 필름의 일면 상에, 상기 실장 영역을 중심으로 양측에 각각 배치된 제1 배선 패턴과 제2 배선 패턴; 및First and second wiring patterns disposed on both surfaces of the base film at both sides of the mounting area, respectively; And 상기 베이스 필름의 타면 상에 상기 실장 영역과 대응되는 위치에 상기 실장 영역보다는 크고 상기 베이스 필름보다 작은 면적을 가지도록 형성되고 상기 칩에서 발생된 열을 외부로 방출하도록 열전도성을 가진 탄소나노튜브를 포함하고 두께가 0.01~100㎛인 방열보강층을 포함하는 연성 회로 기판.Carbon nanotubes having thermal conductivity are formed on the other surface of the base film to have an area larger than the mounting area and smaller than the base film at a position corresponding to the mounting area, and emit heat generated from the chip to the outside. And a heat dissipation reinforcing layer having a thickness of 0.01 to 100 μm. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 베이스 필름 중에서 상기 실장 영역으로 정의된 부분의 적어도 일부는 개구부를 포함하고,At least a portion of the portion defined by the mounting region in the base film includes an opening, 상기 제1 배선 패턴의 일단과, 상기 제2 배선 패턴의 일단은 상기 개구부에 연장하여 돌출되도록 오버랩되고,One end of the first wiring pattern and one end of the second wiring pattern overlap each other so as to extend and protrude from the opening; 상기 방열보강층은 상기 베이스 필름의 타면 상에 상기 실장 영역과 대응되는 위치에 상기 실장 영역보다 크고 상기 베이스 필름보다 작은 면적을 가지도록 상기 개구부를 제외한 영역에 형성된 연성 회로 기판.The heat dissipation reinforcing layer is formed on a region other than the opening so as to have an area larger than the mounting area and smaller than the base film at a position corresponding to the mounting area on the other surface of the base film. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 방열보강층 상에 형성된 보호층을 더 포함하는 연성 회로 기판.The flexible circuit board further comprises a protective layer formed on the heat dissipation reinforcing layer. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 방열 보강층은 상기 탄소나노튜브와 고분자 물질의 화합물로 이루어지는 연성 회로 기판.The heat dissipation reinforcing layer is a flexible circuit board made of a compound of the carbon nanotubes and a polymer material. 제 7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 고분자 물질은 폴리이미드(polyimide), 폴리에스테르(polyester), 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethylene Terephthalate), 폴리에틸렌나프탈렌 (poly ethylene napthalene) 및 폴리카보네이트(poly carbonate)을 포함하는 고분자 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 연성 회로 기판.The polymer material includes at least one selected from a group of polymers including polyimide, polyester, polyethylene terephthalate, polyethylene napthalene, and polycarbonate. Flexible circuit board. 제 7항에 있어서, The method of claim 7, wherein 상기 방열 보강층은 금속, 금속 합금 및 세라믹 물질을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나를 더 포함하는 연성 회로 기판.The heat dissipation reinforcing layer further comprises at least one selected from the group consisting of metals, metal alloys and ceramic materials. 제 1항, 제 5항 내지 제 9항 중 어느 한 항의 연성 회로 기판; 및A flexible circuit board according to any one of claims 1 and 5; And 상기 실장 영역에 실장된 구동집적회로 칩을 포함하는 반도체 패키지.A semiconductor package comprising a driving integrated circuit chip mounted in the mounting area. 일면에 금속층이 형성된 베이스 필름을 준비하고,Preparing a base film having a metal layer formed on one surface thereof, 상기 베이스 필름의 타면 상에 실장 영역과 대응되는 위치에 상기 실장 영역보다는 크고 상기 베이스 필름보다 작은 면적을 가지도록 형성되고 열전도성을 가진 탄소나노튜브를 포함하고 두께가 0.01~100㎛인 방열보강층을 형성하고, A heat dissipation reinforcing layer including carbon nanotubes having a thermal conductivity and formed to have an area larger than the mounting area and smaller than the base film at a position corresponding to the mounting area on the other surface of the base film, and having a thickness of 0.01 to 100 μm. Forming, 상기 방열보강층을 형성한 후, 상기 금속층을 패터닝하여 배선 패턴을 형성하는 것을 포함하는 연성 회로 기판의 제조 방법.After forming the heat dissipation reinforcing layer, forming the wiring pattern by patterning the metal layer. 일면에 금속층이 형성된 베이스 필름을 준비하고,Preparing a base film having a metal layer formed on one surface thereof, 상기 금속층을 패터닝하여 배선 패턴을 형성하고,Patterning the metal layer to form a wiring pattern, 상기 배선 패턴을 형성한 후, 상기 베이스 필름의 타면에 실장 영역과 대응되는 위치에 상기 실장 영역보다는 크고 상기 베이스 필름보다 작은 면적을 가지도록 형성되고 열전도성을 가진 탄소나노튜브를 포함하고 두께가 0.01~100㎛인 방열보강층을 형성하는 것을 포함하는 연성 회로 기판의 제조 방법.After the wiring pattern is formed, carbon nanotubes having a thermal conductivity and a thickness of 0.01 are formed on the other surface of the base film to have an area larger than the mounting area and smaller than the base film at a position corresponding to the mounting area. A method of manufacturing a flexible circuit board comprising forming a heat dissipation reinforcing layer having a thickness of ˜100 μm. 삭제delete 제 11항 또는 제 12항에 있어서, 상기 방열보강층을 형성하는 것은The method of claim 11 or 12, wherein forming the heat dissipation reinforcing layer 상기 베이스 필름의 타면에 스프레이, 롤코팅, 인쇄 또는 라미네이트 방식으로 탄소나노튜브 물질을 포함하는 방열보강물질을 형성하고,Forming a heat dissipation reinforcing material including a carbon nanotube material on the other surface of the base film by spraying, roll coating, printing, or laminating, 상기 방열보강물질이 형성된 상기 베이스 필름을 열처리하는 것을 포함하는 연성 회로 기판의 제조 방법.And manufacturing the base film on which the heat dissipation reinforcing material is formed. 제 14항에 있어서,The method of claim 14, 상기 열처리하는 것은 상온~300℃에서 수행하는 연성 회로 기판의 제조 방법.The heat treatment is a method of manufacturing a flexible circuit board carried out at room temperature ~ 300 ℃. 제 11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 방열보강층을 형성하고 배선 패턴을 형성하기 전에,Before forming the heat dissipation reinforcing layer and forming a wiring pattern, 상기 방열보강층 상에 보호층을 형성하는 것을 더 포함하는 연성 회로 기판의 제조 방법.The method of manufacturing a flexible circuit board further comprising forming a protective layer on the heat dissipation reinforcing layer. 제 12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 베이스 필름의 타면에 방열보강층을 형성한 후,After forming a heat dissipation reinforcing layer on the other surface of the base film, 상기 방열보강층 상에 보호층을 형성하는 것을 더 포함하는 연성 회로 기판의 제조 방법.The method of manufacturing a flexible circuit board further comprising forming a protective layer on the heat dissipation reinforcing layer. 제 11항 또는 제 12항에 있어서,The method of claim 11 or 12, 상기 방열 보강층은 상기 탄소나노튜브와 고분자 물질의 화합물로 이루어지는 연성 회로 기판.The heat dissipation reinforcing layer is a flexible circuit board made of a compound of the carbon nanotubes and a polymer material. 제 18항에 있어서,The method of claim 18, 상기 고분자 물질은 폴리이미드(polyimide), 폴리에스테르(polyester), 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethylene Terephthalate), 폴리에틸렌나프탈렌 (poly ethylene napthalene) 및 폴리카보네이트(poly carbonate)을 포함하는 고분자 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 연성 회로 기판.The polymer material includes at least one selected from a group of polymers including polyimide, polyester, polyethylene terephthalate, polyethylene napthalene, and polycarbonate. Flexible circuit board. 제 11항 또는 제 12항에 있어서,The method of claim 11 or 12, 상기 방열 보강층은 금속, 금속 합금 및 세라믹 물질을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나를 더 포함하는 연성 회로 기판.The heat dissipation reinforcing layer further comprises at least one selected from the group consisting of metals, metal alloys and ceramic materials. 제 11항 또는 제 12항의 방법에 의해서 제조된 연성 회로 기판을 준비하고,Preparing a flexible circuit board manufactured by the method of claim 11 or 12, 상기 연성 회로 기판 상에 구동집적회로 칩을 실장하는 것을 포함하는 반도 체 패키지의 제조 방법. A method of manufacturing a semiconductor package comprising mounting a drive integrated circuit chip on the flexible circuit board. 일면에 금속층이 형성된 베이스 필름을 준비하고,Preparing a base film having a metal layer formed on one surface thereof, 상기 금속층을 패터닝하여 배선 패턴을 형성하고,Patterning the metal layer to form a wiring pattern, 상기 배선 패턴과 접속되도록 구동집적회로 칩을 실장한 후,After mounting the driving integrated circuit chip to be connected to the wiring pattern, 상기 베이스 필름의 타면 상에 상기 구동집적회로 칩의 실장 영역과 대응되는 위치에 상기 실장 영역보다는 크고 상기 베이스 필름보다 작은 면적을 가지도록 형성되고 상기 칩에서 발생된 열을 외부로 방출하도록 열전도성을 가진 탄소나노튜브를 포함하고 두께가 0.01~100㎛인 방열보강층을 형성하는 것을 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법.It is formed on the other surface of the base film to have an area larger than the mounting area and smaller than the base film at a position corresponding to the mounting area of the driving integrated circuit chip, and thermally conductive to release heat generated from the chip to the outside. A method for manufacturing a semiconductor package comprising a carbon nanotube having a thickness and forming a heat dissipation reinforcing layer having a thickness of 0.01 to 100 μm. 제 22항에 있어서,The method of claim 22, 상기 베이스 필름의 타면에 방열보강층을 형성한 후,After forming a heat dissipation reinforcing layer on the other surface of the base film, 상기 방열보강층 상에 보호층을 형성하는 것을 더 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법.The method of manufacturing a semiconductor package further comprising forming a protective layer on the heat dissipation reinforcing layer. 제 11항 또는 제 12항의 연성 회로 기판의 제조 방법에 의해서 제조된 연성 회로 기판.The flexible circuit board manufactured by the manufacturing method of the flexible circuit board of Claim 11 or 12. 제 22항 또는 제 23항의 반도체 패키지의 제조 방법에 의해서 제조된 반도체 패키지.A semiconductor package manufactured by the method of manufacturing a semiconductor package of claim 22 or 23.
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