KR100932118B1 - Vacuum system of semiconductor manufacturing equipment - Google Patents

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KR100932118B1
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semiconductor manufacturing
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최정호
장정환
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(주)선린
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Abstract

PURPOSE: A vacuum system of semiconductor manufacturing equipment is provided to check leakage at all area of a vacuum line by installing a plurality of vacuum sensors on the whole of vacuum line. CONSTITUTION: In a vacuum system of semiconductor manufacturing equipment, a vacuum chamber(10) for various process is prepared. A vacuum pump(11) for making a vacuum state is prepared, and the vacuum opening/closing device(13) connects and blocks a vacuum pipe(12) interlinking the vacuum chamber and the vacuum pump. A vacuum sensor(14) is installed at the one side of the vacuum chamber. A controller(15) receives a signal of a vacuum sensor controls the vacuum opening/closing device, and the sensor is respectively installed on the vacuum opening/closing device and the vacuum pipe.

Description

반도체 제조설비의 진공 시스템{Vacuum system of semiconductor manufacturing equipment}Vacuum system of semiconductor manufacturing equipment

본 발명은 반도체 제조설비의 진공 시스템에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 진공 챔버를 포함하는 진공 라인의 전체적인 진공상태를 감지 및 제어하여 제품의 불량률을 최소화할 수 있는 반도체 제조설비의 진공 시스템에 관한 것이다. The present invention relates to a vacuum system of a semiconductor manufacturing facility, and more particularly, to a vacuum system of a semiconductor manufacturing facility capable of minimizing a defect rate of a product by detecting and controlling the overall vacuum state of a vacuum line including a vacuum chamber. .

정보 통신 분야의 급속한 발달과 컴퓨터와 같은 정보 매체의 광범위한 보급에 따라 반도체 장치도 비약적으로 발전하고 있다.BACKGROUND With the rapid development of the information communication field and the wide spread of information media such as computers, semiconductor devices are also rapidly developing.

그 기능적인 면에 있어서, 상기 반도체 장치는 고속으로 동작하는 동시에 대용량의 저장 능력을 가질 것이 요구된다.In terms of its function, the semiconductor device is required to operate at a high speed and to have a large storage capacity.

이에 따라, 상기 반도체 장치의 집적도, 신뢰도 및 응답 속도 등을 향상시키는 방향으로 제조 기술이 발전되고 있다.Accordingly, manufacturing techniques have been developed to improve the degree of integration, reliability, response speed, and the like of the semiconductor device.

일반적으로 반도체 장치는 웨이퍼 상에 사진, 식각, 확산, 화학기상증착, 이온주입, 금속증착 등의 공정을 선택적이고도 반복적으로 수행하는 일련의 과정을 통해 이루어진다.In general, a semiconductor device is a series of processes that selectively and repeatedly perform a process such as photographing, etching, diffusion, chemical vapor deposition, ion implantation, metal deposition on a wafer.

이들 각 공정을 수행하는 반도체 장치 제조설비에는 제조되는 반도체 장치의 제품 성능과 제조수율 향상을 위하여 파티클 등의 불순물로부터 웨이퍼를 격리시킬 것과, 또 공정이 수행되는 공간에 대한 온도, 압력 등의 공정 조건을 요구하고 있다.In the semiconductor device manufacturing facilities that perform each of these processes, the wafer is isolated from impurities such as particles to improve product performance and manufacturing yield of the semiconductor device to be manufactured, and process conditions such as temperature and pressure for the space where the process is performed. Is asking.

반도체 장치를 제조하기 위한 반도체 기판의 가공 공정들은 다양한 공정 가스들을 사용하고, 반도체 기판이 공기와 반응하지 않도록 하기 위해 대기압에 비해 매우 낮은 진공 상태에서 수행된다. The processing processes of semiconductor substrates for manufacturing semiconductor devices use a variety of process gases and are performed at a very low vacuum compared to atmospheric pressure to ensure that the semiconductor substrate does not react with air.

예를 들면, 반도체 제조공정 중 식각, 확산, 화학기상증착 등의 공정은 밀폐된 공정챔버 내에 소정의 분위기하에서 공정가스를 투입함으로써, 공정챔버 내의 웨이퍼 상에서 반응토록 하는 공정을 수행하게 된다.For example, etching, diffusion, chemical vapor deposition, and the like in a semiconductor manufacturing process may be performed by injecting a process gas into a closed process chamber in a predetermined atmosphere to react on a wafer in the process chamber.

이러한 반도체 제조공정은 대부분 진공상태에서 진행되고 있고, 진공상태가 설정된 값에서 정확하게 유지되어야만 정밀한 반도체 제조공정을 수행할 수 있으며, 진공 분위기가 불안정하게 되면 웨이퍼에 대한 스트레스로 작용하여 웨이퍼의 손상을 유발할 수 있다. Most of these semiconductor manufacturing processes are carried out in a vacuum state, and the precise semiconductor manufacturing process can be performed only when the vacuum state is maintained accurately at a set value. If the vacuum atmosphere becomes unstable, it may act as a stress on the wafer and cause damage to the wafer. Can be.

상기 가공 공정들이 진행되는 진공 챔버의 내부를 진공 상태로 만들기 위해 상기 진공 챔버와 연결되는 다양한 방식의 진공 시스템이 사용되고 있다.Various systems of vacuum systems are used to connect the vacuum chamber to vacuum the interior of the vacuum chamber in which the processing processes are performed.

예를 들면, 도 1에 도시한 바와 같이, 종래의 진공 시스템은 다양한 공정을 수행하기 위한 진공 챔버(10)와, 진공상태를 만들어주기 위한 진공 펌프(11)와, 상기 진공 챔버(10)와 진공 펌프(11)를 연결하는 진공 배관(12) 및 이 진공 배관(12) 상에 설치되어 진공의 연결 및 차단 역할을 수행하는 밸브인 진공 개폐장치(13)와, 상기 진공 챔버(10)의 일측에 설치되는 진공도 센서(14)와, 상기 진공도 센서(14)의 신호를 받아 진공 개폐장치(13)를 제어하는 컨트롤러(15) 등을 포함하는 형태로 이루어진다. For example, as shown in FIG. 1, a conventional vacuum system includes a vacuum chamber 10 for performing various processes, a vacuum pump 11 for creating a vacuum state, and the vacuum chamber 10. A vacuum opening and closing device (13) which is a vacuum pipe (12) connecting the vacuum pump (11) and a valve installed on the vacuum pipe (12) to serve as a connection and blocking of the vacuum, and the vacuum chamber (10) of the It comprises a vacuum sensor 14 installed on one side, and a controller 15 for controlling the vacuum opening and closing device 13 in response to the signal of the vacuum sensor 14.

따라서, 공정 중 진공 챔버 내의 진공도가 누설 등에 의해 적정 수준에 못미치는 경우, 이를 진공도 센서가 감지하여 컨트롤러측에 신호를 제공하게 되므로서, 컨트롤러에 의해 진공 개폐장치가 차단 또는 개방되거나, 시스템의 이상을 경보하거, 설비의 가동을 중단하는 등의 적절한 조치가 취해질 수 있다. Therefore, when the degree of vacuum in the vacuum chamber does not reach an appropriate level due to leakage or the like during the process, the vacuum sensor detects this and provides a signal to the controller, so that the vacuum switch is blocked or opened by the controller, or the system is abnormal. Appropriate measures may be taken, such as alerting the operator or shutting down the equipment.

그러나, 종래의 진공 시스템의 경우 진공 챔버에만 진공도 센서가 장착되어 있는 관계로 오직 진공 챔버만의 진공도를 감지할 수 있으며, 이러한 시스템에서는 진공 챔버의 기체 내부, 외부 누설을 감지할 수 있지만, 진공 챔버 이외의 부분에 대해서는 기체 누설을 감지할 수 없는 한계가 있다. However, in the conventional vacuum system, since the vacuum chamber is equipped only with the vacuum sensor, only the vacuum chamber can detect the degree of vacuum. In such a system, the vacuum chamber can detect the gas inside and the outside leakage. For other parts, there is a limit that gas leakage cannot be detected.

즉, 진공 시스템을 운영하면서 진공 챔버 이외의 특정 부분에 이상으로 누설이 발생되는 경우, 누설이 발생된 상태로 공정이 진행되어 불량률이 증가하게 되는 문제점이 있다. That is, when the leakage occurs in a specific portion other than the vacuum chamber while operating the vacuum system, there is a problem that the process is progressed in the state in which the leakage occurs to increase the defective rate.

따라서, 본 발명은 이와 같은 점을 감안하여 안출한 것으로서, 진공 라인 전반에 걸쳐 요소요소에 다수의 진공도 센서를 구비하여 공정 중 발생할 수 있는 누설이나, 진공 라인의 모든 부분의 누설을 동시에 체크할 수 있는 새로운 형태의 진공 시스템을 구현함으로써, 전체적인 진공 라인의 누설을 효과적으로 감지할 수 잇고, 그 누설 위치까지도 정확히 찾아 낼 수 있으며, 이에 따라 제품의 불량률을 최소화할 수 있는 반도체 제조설비의 진공 시스템을 제공하는데 그 목적이 있다. Accordingly, the present invention has been made in view of the above, and it is possible to simultaneously check for leaks that may occur during the process or leaks in all parts of the vacuum line by providing a plurality of vacuum degree sensors on the element elements throughout the vacuum line. By implementing a new type of vacuum system, it is possible to effectively detect the leakage of the entire vacuum line and to pinpoint the leak location, thereby providing a vacuum system of the semiconductor manufacturing equipment to minimize the defect rate of the product. Its purpose is to.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서 제공하는 반도체 제조설비의 진공 시스템은 다양한 공정을 수행하기 위한 진공 챔버, 진공상태를 만들어주기 위한 진공 펌프, 상기 진공 챔버와 진공 펌프를 연결하는 진공 배관, 상기 진공 배관상에 설치되어 진공의 연결 및 차단 역할을 수행하는 진공 개폐장치, 상기 진공 챔버의 일측에 설치되는 진공도 센서, 상기 진공도 센서의 신호를 받아 진공 개폐장치를 제어하는 컨트롤러 등을 포함하며, 상기 진공 개폐장치와 진공 배관에는 진공도 센서가 각각 설치되는 동시에 이때의 진공도 센서는 상기 컨트롤러에 전기적으로 접속되어 누설감지 신호를 제공함으로써, 진공 챔버 뿐만 아니라 진공 배관 및 진공 개폐장치를 포함하는 진공 라인 전체의 누설을 효과적으로 체크할 수 있도록 된 것을 특징으로 한다. In order to achieve the above object, a vacuum system of a semiconductor manufacturing apparatus provided by the present invention includes a vacuum chamber for performing various processes, a vacuum pump for creating a vacuum state, a vacuum pipe connecting the vacuum chamber and the vacuum pump, and the vacuum A vacuum opening and closing device installed on a pipe to perform a connection and blocking function of a vacuum, a vacuum sensor installed on one side of the vacuum chamber, a controller for controlling a vacuum opening and receiving device by receiving a signal from the vacuum degree sensor, and the like. At the same time, the vacuum sensor is installed in the switchgear and the vacuum pipe, and the vacuum sensor at this time is electrically connected to the controller to provide a leak detection signal, thereby leaking not only the vacuum chamber but also the entire vacuum line including the vacuum pipe and the vacuum switch. Characterized in that it can be checked effectively.

본 발명에서 제공하는 진공 시스템은 진공 챔버 뿐만 아니라 진공 배관, 진공 개폐장치 등을 포함하는 진공 라인 전체에 걸쳐 다수의 진공도 센서를 설치함으로써, 진공 라인의 모든 부분의 누설을 동시에 체크할 수 있고, 누설 위치도 정확히 찾아 낼 수 있는 등 전체적인 진공 라인의 누설을 효과적으로 감지할 수 있는 장점이 있으며, 따라서 누설 감지의 효율성을 높여 제품의 불량률을 줄일 수 있는 효과가 있다. In the vacuum system provided by the present invention, by installing a plurality of vacuum degree sensors not only in a vacuum chamber but also in a vacuum line including a vacuum pipe, a vacuum switch, and the like, leakage of all parts of the vacuum line can be checked at the same time. There is an advantage that can effectively detect the leak of the entire vacuum line, such as the exact location can be found, thereby increasing the efficiency of the leak detection to reduce the defect rate of the product.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 일 실시에에 따른 반도체 제조설비의 진공 시스템을 나타내는 개략도이다. 2 is a schematic view showing a vacuum system of a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2에 도시한 바와 같이, 상기 진공 시스템은 공정 수행을 위한 진공 챔버(10), 진공 챔버(10)의 진공도를 조절하기 위한 진공 펌프(11), 진공 챔버(10)와 진공 펌프(11)를 연결하는 진공 배관(12)상에 설치되어 진공 배관을 개폐시키기 위한 진공 개폐장치(13), 상기 진공 챔버(10)의 진공도를 감지하기 위한 진공도 센서(14a), 진공도 센서(14)의 신호를 받아 진공 개폐장치(13)를 제어하는 컨트롤러(15) 등을 포함한다. As shown in FIG. 2, the vacuum system includes a vacuum chamber 10 for performing a process, a vacuum pump 11 for adjusting a degree of vacuum of the vacuum chamber 10, a vacuum chamber 10, and a vacuum pump 11. Is installed on the vacuum pipe 12 for connecting the vacuum opening and closing device 13 for opening and closing the vacuum pipe, the vacuum sensor 14a for detecting the vacuum degree of the vacuum chamber 10, the signal of the vacuum sensor 14 And a controller 15 for controlling the vacuum switch 13.

특히, 상기 진공 개폐장치(13)와 진공 배관(12)에 각각 설치되면서 컨트롤러(15)에 전기적으로 접속되는 다수의 진공도 센서(14b),(14c),(14d),(14e)를 더 포함한다. In particular, a plurality of vacuum degree sensors 14b, 14c, 14d, 14e, which are respectively installed in the vacuum switch 13 and the vacuum pipe 12 and electrically connected to the controller 15, further include: do.

따라서, 상기 컨트롤러(15)는 이때의 진공도 센서(14b),(14c),(14d),(14e) 및 진공 챔버(10)에 있는 진공도 센서(14a)에서 제공되는 누설감지 신호를 바탕으로 진공 개폐장치(13)를 제어하거나, 경보음을 발생시키거나, 설비의 가동을 중단시키는 등의 제어를 수행할 수 있다. Accordingly, the controller 15 may generate a vacuum based on the leak detection signals provided by the vacuum degree sensors 14b, 14c, 14d, 14e, and the vacuum degree sensor 14a in the vacuum chamber 10 at this time. Controls the switchgear 13, generates an alarm sound, or stops the operation of the equipment.

여기서, 상기 컨트롤러(15)의 경우, 각 진공도 센서(14b),(14c),(14d),(14e) 중에서 어느 하나의 진공도 센서로부터 신호가 입력되어도 위의 제어를 수행할 수 있도록 하는 것이 바람직하다. Here, in the case of the controller 15, it is preferable to perform the above control even if a signal is input from any one of the vacuum sensor 14b, 14c, 14d, 14e. Do.

그리고, 상기 진공 배관(12)에 설치되는 진공도 센서(14c),(14d),(14e)의 경우, 진공 챔버(10)와 진공 개폐장치(13)의 사이 구간, 진공 개폐장치(13)와 진공 펌프(11)의 사이 구간, 진공 펌프(11)의 배출구간에 각각 설치될 수 있다. In the case of the vacuum degree sensors 14c, 14d, and 14e provided in the vacuum pipe 12, a section between the vacuum chamber 10 and the vacuum switch 13, the vacuum switch 13 and It may be installed in the interval between the vacuum pump 11, the discharge section of the vacuum pump 11, respectively.

이를 좀더 상세히 설명하면 다음과 같다. This will be described in more detail as follows.

상기 진공 시스템은 증착 공정, 식각 공정, 확산 공정 등의 여러 단위 공정들을 수행하는 반도체 제조설비에 사용된다.The vacuum system is used in semiconductor manufacturing equipment that performs various unit processes such as a deposition process, an etching process, and a diffusion process.

구체적으로, 상기 진공 챔버(10)는 반도체 제조 공정을 수행하기 위한 공간을 제공한다. Specifically, the vacuum chamber 10 provides a space for performing a semiconductor manufacturing process.

상기 진공 펌프(11)는 반도체 제조 공정이 수행되는 진공 챔버(10)측에 연결된 진공 배관(12)상에 설치된다.The vacuum pump 11 is installed on the vacuum pipe 12 connected to the vacuum chamber 10 side where the semiconductor manufacturing process is performed.

이러한 진공 펌프(11)는 진공 챔버(10)에서 반도체 제조 공정을 수행할 수 있도록 진공 챔버(10) 내부의 진공도를 조절하기 위하여 진공 챔버(10) 내부를 펌 핑한다.The vacuum pump 11 pumps the inside of the vacuum chamber 10 to control the degree of vacuum inside the vacuum chamber 10 so that the semiconductor manufacturing process may be performed in the vacuum chamber 10.

예를 들면, 진공 챔버(10) 내부의 진공도는 반도체 기판 상에 막을 형성하기 위한 공정 가스들이 공급되면 미세하게 변하게 된다. For example, the degree of vacuum inside the vacuum chamber 10 changes slightly when process gases for forming a film on a semiconductor substrate are supplied.

이에 따라, 상기 진공 펌프(11)는 공정 챔버(10) 내부의 진공도를 반도체 제조 공정을 수행할 수 있는 진공도로 유지시키기 위해 진공 챔버(10) 내부를 펌핑한다.Accordingly, the vacuum pump 11 pumps the inside of the vacuum chamber 10 to maintain the degree of vacuum inside the process chamber 10 to a degree of vacuum capable of performing a semiconductor manufacturing process.

상기 진공 배관(12)에 설치된 진공 개폐장치(13)는 진공 라인을 개폐시킨다.The vacuum switch 13 installed in the vacuum pipe 12 opens and closes the vacuum line.

즉, 상기 진공 개폐장치(13)는 진공 펌프(11)의 동작에 의해 진공 챔버(10) 내부의 진공도를 반도체 제조 공정에 필요한 진공도로 유지시키기 위해 진공 라인을 개폐시킨다.That is, the vacuum opening and closing device 13 opens and closes the vacuum line in order to maintain the degree of vacuum in the vacuum chamber 10 by the operation of the vacuum pump 11 to the degree of vacuum required for the semiconductor manufacturing process.

이에 따라, 상기 진공 펌프(12)의 동작에 의해 진공 챔버(10) 내부의 진공도가 반도체 제조 공정에 필요한 진공도로 조절된 경우에는 상기 진공 개폐장치(13)는 진공 라인을 폐쇄시킨다.Accordingly, when the degree of vacuum in the vacuum chamber 10 is adjusted to the degree of vacuum required for the semiconductor manufacturing process by the operation of the vacuum pump 12, the vacuum opening and closing device 13 closes the vacuum line.

이에 반해, 상기 진공 챔버(10) 내부의 진공도를 반도체 제조 공정에 필요한 진공도로 조절할 필요가 있는 경우에는, 상기 진공 펌프(11)의 동작에 의해 진공 챔버(10) 내부가 펌핑되도록 진공 라인을 개방시킨다.On the contrary, when it is necessary to adjust the degree of vacuum inside the vacuum chamber 10 to the degree of vacuum necessary for the semiconductor manufacturing process, the vacuum line is opened so that the inside of the vacuum chamber 10 is pumped by the operation of the vacuum pump 11. Let's do it.

상기 진공 개폐장치(13) 및 진공 펌프(11)는 컨트롤러(15)와 연결된다.The vacuum opening and closing device 13 and the vacuum pump 11 are connected to the controller 15.

이에 따라, 상기 진공 펌프(11) 및 진공 개폐장치(13)의 유기적인 동작 관계는 컨트롤러(15)에 의해 자동적으로 조절된다. Accordingly, the organic operating relationship between the vacuum pump 11 and the vacuum switch 13 is automatically adjusted by the controller 15.

특히, 진공도 센서(14a)를 갖는 진공 챔버(10) 뿐만 아니라 진공 라인 전체 의 진공도를 감지하기 위한 다수의 진공도 센서들이 구비된다. In particular, a plurality of vacuum sensors for detecting the vacuum degree of the entire vacuum line as well as the vacuum chamber 10 having the vacuum sensor 14a is provided.

예를 들면, 진공 개폐장치(13)에 하나의 진공도 센서(14b)가 설치되고, 진공 챔버(10), 진공 개폐장치(13) 및 진공 펌프(11)를 연결하는 진공 배관(12)에도 각각 진공도 센서(14c),(14d)가 설치되며, 진공 펌프(11)의 배출 구간에도 진공도 센서(14e)가 설치된다. For example, one vacuum degree sensor 14b is installed in the vacuum switch 13, and the vacuum pipe 12 connecting the vacuum chamber 10, the vacuum switch 13, and the vacuum pump 11, respectively. The vacuum degree sensors 14c and 14d are provided, and the vacuum degree sensor 14e is also installed in the discharge section of the vacuum pump 11.

여기서, 상기 진공도 센서들은 위에서 언급한 위치 이외에도 진공 라인상의 임의의 위치에 설치될 수도 있다. Here, the vacuum degree sensors may be installed at any position on the vacuum line in addition to the above-mentioned position.

이러한 진공도 센서들(14a)(14b),(14c),(14d),(14e)은 케이블 등의 배선을 통해 컨트롤러(15)에 전기적으로 연결되며, 이에 따라 각 센서들이 감지한 신호는 컨트롤러측에 제공될 수 있다. These vacuum sensors 14a, 14b, 14c, 14d, and 14e are electrically connected to the controller 15 through wiring such as a cable, so that the signals detected by the sensors are controlled on the controller side. Can be provided.

이와 같이 진공도 센서들이 진공 라인의 전반에 걸쳐 설치되므로서, 진공 라인의 어느 부위든지 진공도를 확인할 수 있다. In this way, the degree of vacuum sensors are installed throughout the vacuum line, so that any part of the vacuum line can check the degree of vacuum.

즉, 진공 챔버의 누설 뿐만 아니라 진공 개폐장치와 진공 배관, 진공 펌프, 진공 배관의 연결 부분에 대한 기체의 누설을 감지할 수 있다. That is, not only the leakage of the vacuum chamber but also the leakage of gas to the connection portion of the vacuum switch and the vacuum pipe, the vacuum pump, the vacuum pipe can be detected.

따라서, 이와 같이 구성되는 진공 시스템에서 진공 라인의 누설을 감지하는 방법을 살펴보면 다음과 같다. Therefore, a method of detecting leakage of a vacuum line in the vacuum system configured as described above is as follows.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조설비의 진공 시스템에서 누설을 감지하는 방법을 나타내는 순서도이다. 3 is a flowchart illustrating a method of detecting leakage in a vacuum system of a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3에 도시한 바와 같이, 상기 공정 챔버(10)에서 반도체 제조 공정을 수행할 수 있도록 공정 챔버(10) 내부의 진공도를 조절하기 위해 진공 펌프(11)는 진공 챔버(10)의 내부를 펌핑한다(단계 S100).As shown in FIG. 3, the vacuum pump 11 pumps the inside of the vacuum chamber 10 to control the degree of vacuum inside the process chamber 10 so that the semiconductor manufacturing process may be performed in the process chamber 10. (Step S100).

이때, 상기 진공 라인은 진공 개폐장치(13)에 의해 개폐정도가 조절되어 진공 챔버(10) 내부의 진공도가 조절된다(단계 S110).At this time, the opening and closing degree of the vacuum line is controlled by the vacuum opening and closing device 13 to control the degree of vacuum inside the vacuum chamber 10 (step S110).

그리고, 진공 챔버(10)의 내부 진공도가 설정 진공도에 도달하면, 컨트롤러(15)는 진공 개폐장치(13)를 차단시키고, 진공 펌프(11)의 펌핑 동작을 정지시킨다(단계 S120, S130)). When the internal vacuum degree of the vacuum chamber 10 reaches the set vacuum degree, the controller 15 shuts off the vacuum switch 13 and stops the pumping operation of the vacuum pump 11 (steps S120 and S130). .

이후, 적정한 진공도가 조성된 상태에서 진공 챔버(10)에서는 반도체 자재에 대한 공정이 수행되고(단계 S140), 각 진공도 센서(14a)(14b),(14c),(14d),(14e)에 의해 감지된 진공도, 예를 들면 진공 챔버 내의 진공도, 진공 개폐장치의 진공도, 각 진공 배관의 진공도 등이 감지되어 컨트롤러(15)에 입력된다(단계 S150). Subsequently, in the vacuum chamber 10 in a state where an appropriate degree of vacuum is formed, a process for semiconductor materials is performed (step S140), and the respective vacuum degree sensors 14a, 14b, 14c, 14d, and 14e are applied. The detected vacuum degree, for example, the vacuum degree in the vacuum chamber, the vacuum degree of the vacuum switchgear, the vacuum degree of each vacuum pipe, and the like are detected and input to the controller 15 (step S150).

이때, 컨트롤러(15)에서는 각 센서(14a)(14b),(14c),(14d),(14e)에서 입력되는 감지신호, 즉 각 부분의 현재의 진공상태를 나타내는 진공도와 기 설정되어 있는 진공도를 비교 연산하는 과정을 수행한다(단계 S160). At this time, in the controller 15, the detection signals input from the sensors 14a, 14b, 14c, 14d, and 14e, that is, the vacuum degree indicating the current vacuum state of each part, and the preset vacuum degree. A comparison operation is performed (step S160).

이때, 각 센서(14a)(14b),(14c),(14d),(14e)로부터 입력되는 각 부분의 현재의 진공도를 하나하나 개별적으로 비교 연산할 수 있다. At this time, the current vacuum degree of each part input from each of the sensors 14a, 14b, 14c, 14d, and 14e can be individually compared and calculated.

여기서, 각 부분의 설정 진공도는 공정 챔버에서 진행되는 공정의 특성을 고려한 진공 라인의 설계시 캘리브레이션을 통해 적절히 설정할 수 있으며, 이때의 진공도 설정값을 정하는 방법은 당해 기술분야에서 통상적으로 알려져 있는 방법이라면 특별히 제한되지 않고 채택될 수 있다. Herein, the set vacuum degree of each part may be appropriately set through calibration in designing a vacuum line in consideration of the characteristics of the process performed in the process chamber, and the method of determining the vacuum degree set value at this time may be any method known in the art. It is not particularly limited and may be adopted.

만약, 현재의 진공도와 설정 진공도가 같다면 진공 라인이나 진공 챔버, 밸 브 개폐장치 등에서 누설이 일어나지 않은 것으로 판단하여 공정 챔버(10) 내에서의 공정이 계속 이루어지도록 한다. If the current degree of vacuum and the set degree of vacuum are the same, it is determined that no leakage occurs in the vacuum line, the vacuum chamber, the valve opening or the like, and the process in the process chamber 10 is continued.

그렇지 않고, 각 센서(14a)(14b),(14c),(14d),(14e)로부터 입력되는 현재 진공도와 설정 진공도가 어느 하나라도 같지 않다면, 진공 개폐장치의 제어, 경보음 발생, 설비 가동의 중단과 같은 조치를 취한다(단계 S170).Otherwise, if the current and set vacuum degrees input from each of the sensors 14a, 14b, 14c, 14d, and 14e are not the same, the control of the vacuum switchgear, the generation of an alarm sound, and the operation of the equipment Take measures such as interruption (step S170).

한편, 상기 센서(14a)(14b),(14c),(14d),(14e)로부터 입력되는 감지 신호를 이용하여 누설 여부를 판단하여 소정의 조치를 취하는 행위는 위와 같이 공정이 진행되는 도중은 물론, 공정 준비단계인 진공을 조정하는 과정이나 공정 후에도 수행될 수 있다. On the other hand, using the detection signals input from the sensors (14a) (14b), (14c), (14d), (14e) to determine whether or not to take a predetermined action to take a predetermined action as described above Of course, it may also be performed after the process or the process of adjusting the vacuum, which is a process preparation step.

이와 같이, 본 발명에서는 진공 라인 전체에 걸쳐 임의의 위치에 구비되어 있는 다수의 진공도 센서들로부터 입력되는 신호를 이용하여 진공 챔버의 진공도는 물론, 진공 라인 전체의 진공도를 효과적으로 확인할 수 있고, 진공 라인에 누설이 있는 경우 이를 신속하고 정확하게 체크할 수 있는 시스템을 안정적으로 운영할 수 있으며, 결국 제품의 불량률을 크게 줄일 수 있는 것이다. As described above, in the present invention, the degree of vacuum of the vacuum chamber as well as the vacuum of the entire vacuum line can be effectively checked using signals input from a plurality of vacuum degree sensors provided at arbitrary positions throughout the vacuum line. If there is a leak in the system, a system that can check it quickly and accurately can be operated stably, which in turn can significantly reduce the defect rate of the product.

도 1은 종래의 반도체 제조설비의 진공 시스템을 나타내는 개략도1 is a schematic view showing a vacuum system of a conventional semiconductor manufacturing facility

도 2는 본 발명의 일 실시에에 따른 반도체 제조설비의 진공 시스템을 나타내는 개략도2 is a schematic view showing a vacuum system of a semiconductor manufacturing equipment according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조설비의 진공 시스템에서 누설을 감지하는 방법을 나타내는 순서도3 is a flowchart illustrating a method of detecting leakage in a vacuum system of a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

10 : 진공 챔버10: vacuum chamber

11 : 진공 펌프11: vacuum pump

12 : 진공 배관12: vacuum piping

13 : 진공 개폐장치13: vacuum switch

14a,14b,14c,14d,14e : 진공도 센서 14a, 14b, 14c, 14d, 14e: vacuum degree sensor

15 : 컨트롤러15: controller

Claims (3)

다양한 공정을 수행하기 위한 진공 챔버와, 진공상태를 만들어주기 위한 진공 펌프와, 상기 진공 챔버와 진공 펌프를 연결하는 진공 배관을 연결 및 차단 역할을 수행하는 진공 개폐장치와, 상기 진공 챔버의 일측에 설치되는 진공도 센서와, 상기 진공도 센서의 신호를 받아 진공 개폐장치를 제어하는 컨트롤러를 포함하며, 상기 진공 개폐장치와 진공 배관에는 진공도 센서가 각각 설치되는 동시에 이때의 진공도 센서는 상기 컨트롤러에 전기적으로 접속되어 컨트롤러 측에 누설감지 신호를 제공함으로써, 진공 챔버 뿐만 아니라 진공 배관 및 진공 개폐장치를 포함하는 진공 라인 전체의 누설을 동시에 체크하며, A vacuum chamber for performing various processes, a vacuum pump for creating a vacuum state, a vacuum opening and closing device for connecting and disconnecting a vacuum pipe connecting the vacuum chamber and the vacuum pump, and one side of the vacuum chamber A vacuum degree sensor to be installed and a controller for controlling the vacuum switch in response to the signal of the vacuum degree sensor, wherein a vacuum degree sensor is installed in the vacuum switch and the vacuum pipe, respectively, and the vacuum degree sensor at this time is electrically connected to the controller. By providing a leak detection signal to the controller side, at the same time check the leakage of not only the vacuum chamber, but also the entire vacuum line including the vacuum pipe and the vacuum switch, 상기 진공 배관에 설치되는 진공도 센서는 진공 챔버와 진공 개폐장치의 사이 구간, 진공 개폐장치와 진공 펌프의 사이 구간, 진공 펌프의 배출구간에 각각 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 진공 시스템. The vacuum sensor installed in the vacuum pipe is a vacuum system of the semiconductor manufacturing equipment, characterized in that installed in the interval between the vacuum chamber and the vacuum switch, the interval between the vacuum switch and the vacuum pump, the discharge section of the vacuum pump, respectively. 삭제delete 청구항 1에 있어서, 상기 컨트롤러는 각 진공도 센서 중 어느 하나의 진공도 센서로부터 입력되는 누설감지 신호만 있어도 경보신호를 출력하거나 설비의 가동을 중단하는 제어를 수행할 수 있도록 된 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 진공 시스템. The semiconductor manufacturing apparatus as set forth in claim 1, wherein the controller is configured to output an alarm signal or perform a control to stop operation of the equipment even when only a leakage detection signal input from any one of the vacuum sensors. Vacuum system.
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JPH11214489A (en) * 1998-01-27 1999-08-06 Mitsubishi Electric Corp Vacuum treating apparatus
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