KR100869790B1 - Field emission display device - Google Patents

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KR100869790B1 KR1020030006017A KR20030006017A KR100869790B1 KR 100869790 B1 KR100869790 B1 KR 100869790B1 KR 1020030006017 A KR1020030006017 A KR 1020030006017A KR 20030006017 A KR20030006017 A KR 20030006017A KR 100869790 B1 KR100869790 B1 KR 100869790B1
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Abstract

에미터에서 방출된 전자빔이 해당 화소의 형광막을 향하도록 그 경로를 제어하여 선명한 화질을 구현하도록 하고, 형광막에 도달하는 전자빔의 양을 늘려 화면의 휘도를 높이는 전계 방출 표시장치에 관한 것으로서,The present invention relates to a field emission display device that controls the path of an electron beam emitted from an emitter toward a fluorescent film of a corresponding pixel to realize a clear image quality, and increases the luminance of the screen by increasing the amount of the electron beam that reaches the fluorescent film.

전계 방출 표시장치는 제1 기판 상에 스트라이프 패턴으로 형성되는 게이트 전극들과; 게이트 전극들을 덮으면서 제1 기판 위에 형성되는 절연층과; 절연층 위에 게이트 전극과 직교하는 스트라이프 패턴으로 형성되며, 게이트 전극과의 교차 영역마다 이 교차 영역 내에 복수의 관통부들이 게이트 전극 방향을 따라 위치하는 캐소드 전극들과; 캐소드 전극의 관통부 내에 캐소드 전극 방향을 따라 배치되면서 캐소드 전극과 전기적으로 연결되는 복수의 에미터들과; 제2 기판 상에 형성되는 투명한 애노드 전극과; 애노드 전극 상에 형성되는 형광막들을 포함한다.The field emission display device includes gate electrodes formed in a stripe pattern on a first substrate; An insulating layer formed on the first substrate while covering the gate electrodes; Cathode electrodes formed on the insulating layer in a stripe pattern orthogonal to the gate electrode, and having a plurality of through portions located in the intersection area along the gate electrode direction at each intersection area with the gate electrode; A plurality of emitters disposed in the through portion of the cathode electrode along the cathode electrode direction and electrically connected to the cathode electrode; A transparent anode electrode formed on the second substrate; And fluorescent films formed on the anode electrode.

전계방출, 에미터, 색순도, 캐소드, 게이트, 애노드, 메탈그리드, 형광막Field emission, emitter, color purity, cathode, gate, anode, metal grid, fluorescent film

Description

전계 방출 표시장치{FIELD EMISSION DISPLAY DEVICE}Field emission display device {FIELD EMISSION DISPLAY DEVICE}

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 전계 방출 표시장치의 부분 분해 사시도이다.1 is a partially exploded perspective view of a field emission display device according to a first embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 A 화살표 방향에서 바라본 전계 방출 표시장치의 부분 결합 단면도이다.FIG. 2 is a partial cross-sectional view of the field emission display viewed in the direction of arrow A of FIG. 1.

도 3은 도 1에 도시한 후면 기판의 부분 평면도이다.3 is a partial plan view of the rear substrate shown in FIG. 1.

도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 전계 방출 표시장치에서 컴퓨터 시뮬레이션을 통해 얻어진 전자빔 방출 궤적을 나타낸 개략도이다.4 is a schematic diagram showing an electron beam emission trajectory obtained through computer simulation in the field emission display according to the first embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 전계 방출 표시장치 중 후면 기판의 부분 평면도이다.5 is a partial plan view of a rear substrate of a field emission display device according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 전계 방출 표시장치에서 컴퓨터 시뮬레이션을 통해 얻어진 전자빔 방출 궤적을 나타낸 개략도이다.6 is a schematic diagram showing an electron beam emission trajectory obtained through computer simulation in the field emission display according to the second exemplary embodiment of the present invention.

본 발명은 전계 방출 표시장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 카본계 물질, 특히 카본 나노튜브(CNT; carbon nanotube)를 이용하여 하나의 화소 영역에 복 수개의 에미터를 배열한 전계 방출 표시장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a field emission display device, and more particularly, to a field emission display device in which a plurality of emitters are arranged in one pixel area using a carbon-based material, in particular, carbon nanotubes (CNTs). It is about.

최근의 전계 방출 표시장치(FED; field emission display) 분야에서는 저전압(대략, 10∼100V) 구동 조건에서 전자를 양호하게 방출하는 카본계 물질을 이용하여 스크린 인쇄와 같은 후막 공정을 통해 전자 방출원인 에미터를 평탄하게 형성하는 기술을 연구 개발하고 있다.In the field of field emission display (FED), Emi is a source of electron emission through a thick film process such as screen printing using a carbon-based material that emits electrons well under low voltage (approximately, 10 to 100V) driving conditions. Research and development of technology to form the flat even.

지금까지의 기술 동향에 의하면, 평탄한 형상의 에미터에 적합한 카본계 물질로는 그라파이트, 다이아몬드, DLC(diamon liked carbon) 및 카본 나노튜브 등이 알려져 있으며, 이 가운데 특히 카본 나노튜브는 끝단의 곡률 반경이 미세한 형상적인 특성에 의해 1∼10V/㎛ 정도의 낮은 전계에서도 전자를 양호하게 방출하여 이상적인 전자 방출 물질로 기대되고 있다.According to the technical trends so far, suitable carbon-based materials for flat emitters are graphite, diamond, diamond liked carbon (DLC) and carbon nanotubes, among which carbon nanotubes have a radius of curvature at their ends. Due to this fine shape characteristic, it is expected to emit electrons well even at a low electric field of about 1 to 10 V / mu m and is expected to be an ideal electron emission material.

상기한 전계 방출 표시장치가 캐소드와 애노드 및 게이트 전극들을 구비하는 3극관 구조로 이루어질 때, 통상의 전계 방출 표시장치는 에미터가 배치되는 기판 상에 캐소드 전극을 먼저 형성하고, 캐소드 전극 상에 에미터를 배치한 다음, 에미터 위로 게이트 전극을 배치한 구조로 이루어진다.When the field emission display device has a triode structure having a cathode, an anode, and a gate electrode, a conventional field emission display device first forms a cathode electrode on a substrate on which an emitter is disposed, and then emits an emission on the cathode electrode. After the emitter is disposed, the gate electrode is disposed over the emitter.

그러나 전술한 일반적인 3극관 구조에서는 게이트 전극 및 게이트 전극 하부의 절연층에 형성된 홀 안으로 에미터 물질을 양호하게 채워넣기 어려운 제조상의 어려움이 있으며, 더욱이 실질적인 구동 과정에서 에미터에서 방출된 전자들이 전자빔화하여 해당 형광막을 향해 진행할 때에, 게이트 전극에 인가된 (+)전압의 영향으로 전자빔의 발산력이 강해져 전자빔이 퍼지는 현상이 발생하게 된다.However, in the above-described general triode structure, there is a manufacturing difficulty in filling the emitter material into the holes formed in the gate electrode and the insulating layer under the gate electrode, and in addition, electrons emitted from the emitter during the actual driving process are electron beamed. In this case, the electron beam divergence becomes stronger under the influence of the positive voltage applied to the gate electrode, and the electron beam spreads.

그 결과, 하나의 에미터에서 방출된 전자빔이 해당 화소의 형광막 뿐만 아니 라 원하지 않는 다른 화소의 형광막을 함께 발광시킴으로써 화면의 색순도를 저하시켜 선명한 화질을 구현할 수 없게 된다.As a result, the electron beam emitted from one emitter emits not only the fluorescent film of the corresponding pixel but also the fluorescent film of another pixel that is not desired, thereby degrading the color purity of the screen, thereby making it impossible to realize vivid image quality.

이러한 문제점을 감안하여 종래에는 게이트 전극과 애노드 전극 사이에 메쉬 형태의 메탈 그리드를 설치하여 에미터에서 방출된 전자빔의 집속성을 우수하게 제어하려는 노력이 진행되어 왔으며, 이와 관련한 종래 기술로 일본 공개특허 2000-268704호에 개시된 전계 방출형 표시소자를 들 수 있다.In view of these problems, conventionally, efforts have been made to provide excellent control of the focusing of the electron beam emitted from the emitter by installing a metal grid in the form of a mesh between the gate electrode and the anode electrode. And field emission display devices disclosed in 2000-268704.

상기 메탈 그리드는 전술한 장점 이외에, 해당 장치의 애노드 전극에 인가된 고전압에 의해 아킹이 발생할 때, 에미터를 비롯한 후면 기판의 구성에 손상이 일어나는 것을 방지하는 부수적인 장점이 있으나, 실질적으로 에미터에서 전자빔이 방출될 때에, 메탈 그리드의 홀을 통과하지 못하고 메탈 그리드에 부딪혀 차폐되는 전자빔이 발생하므로 전자빔의 이용 효율이 떨어지고, 형광막에 도달하는 전자빔의 양이 감소하여 화면의 휘도가 낮아지는 단점이 있다.In addition to the above-described advantages, the metal grid has an additional advantage of preventing damage to the configuration of the back substrate including the emitter when arcing occurs due to the high voltage applied to the anode electrode of the device. When the electron beam is emitted, the electron beam does not pass through the hole of the metal grid, but the electron beam is shielded by hitting the metal grid, so the utilization efficiency of the electron beam is reduced, and the amount of the electron beam that reaches the fluorescent film is reduced, thereby reducing the brightness of the screen There is this.

이러한 문제점은 특히, 본 발명의 출원인에 의해 제안된 미국특허 6,420,726호에 개시하고 있는 전계 방출 표시장치에서와 같이, 게이트 전극을 캐소드 전극 아래에 배치하고, 캐소드 전극 위에 에미터를 배치한 구조에서 일어날 가능성이 많아진다.This problem especially arises in a structure in which the gate electrode is disposed below the cathode electrode and the emitter is disposed above the cathode electrode, as in the field emission display device disclosed in US Pat. No. 6,420,726 proposed by the applicant of the present invention. There are many possibilities.

이는 전자빔의 방출이 에미터의 가장자리에서 대부분 일어나고, 전자빔이 포물선 궤적을 따라 전면 기판을 향해 퍼지며 진행하는 경향을 나타내기 때문에, 하나의 에미터에서 방출된 전자빔이 모두 온전하게 메탈 그리드의 홀을 통과하지 못하면 해당 형광막을 발광시키기 위한 전자빔의 양이 크게 감소하기 때문이다. This is because the emission of the electron beam is most likely at the edge of the emitter and the electron beam tends to propagate along the parabolic trajectory toward the front substrate, so that all the electron beam emitted from one emitter passes through the hole of the metal grid intact. If not, the amount of the electron beam for emitting the corresponding fluorescent film is greatly reduced.                         

더욱이 전술한 구조에서는 각 화소마다 캐소드 전극의 일측 가장자리에 하나의 에미터가 위치하고, 각 에미터의 가장자리에 강한 전계가 집중되어 이로부터 전자가 방출되기 때문에, 에미터의 전자 방출 특성이 불균일하여 화소간 발광 특성을 균일하게 제어하기 어려운 문제가 있으며, 에미터의 전자빔 방출 영역이 협소하여 형광막에 도달하는 전자빔의 양을 늘리는데 한계가 있다.Furthermore, in the above-described structure, one emitter is positioned at one edge of the cathode electrode for each pixel, and a strong electric field is concentrated at the edge of each emitter, and electrons are emitted therefrom, so the electron emission characteristics of the emitter are nonuniform. There is a problem that it is difficult to control the light emission characteristics uniformly, there is a limit in increasing the amount of the electron beam to reach the fluorescent film because the electron beam emission region of the emitter is narrow.

또한 전술한 구조에서는 각 화소마다 하나의 에미터를 배열하고 있으므로, 각 에미터에 인가되는 전류 부하가 매우 커서 고전류 영역에서 장시간 구동시 에미터의 손상을 유발하여 에미터의 수명 신뢰성이 낮은 단점이 있다.In addition, in the above-described structure, since one emitter is arranged for each pixel, the current load applied to each emitter is very large, causing the emitter to be damaged during long periods of operation in a high current region, resulting in low emitter lifetime reliability. have.

따라서 본 발명은 상기한 문제점을 해소하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 에미터에서 방출된 전자빔이 해당 화소의 형광막을 향하도록 그 경로를 제어하여 선명한 화질을 구현하도록 하고, 형광막에 도달하는 전자빔의 양을 늘려 화면의 휘도를 높이며, 에미터의 수명 신뢰성을 향상시킬 수 있는 전계 방출 표시장치를 제공하는데 있다.Therefore, the present invention is to solve the above problems, an object of the present invention is to control the path so that the electron beam emitted from the emitter toward the fluorescent film of the pixel to implement a clear image quality, the electron beam reaching the fluorescent film The present invention provides a field emission display device capable of increasing the brightness of a screen by increasing the amount of light and improving the lifetime reliability of the emitter.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,In order to achieve the above object, the present invention,

제1 기판 상에 스트라이프 패턴으로 형성되는 게이트 전극들과, 게이트 전극들을 덮으면서 제1 기판 위에 형성되는 절연층과, 절연층 위에 게이트 전극과 직교하는 스트라이프 패턴으로 형성되며, 게이트 전극과의 교차 영역마다 이 교차 영역 내에 복수의 관통부들이 게이트 전극 방향을 따라 위치하는 캐소드 전극들과, 캐소 드 전극의 관통부 내에 캐소드 전극 방향을 따라 배치되면서 캐소드 전극과 전기적으로 연결되는 복수의 에미터들과, 제2 기판 상에 형성되는 투명한 애노드 전극과, 애노드 전극 상에 형성되는 형광막들을 포함하는 전계 방출 표시장치을 제공한다.Gate electrodes formed in a stripe pattern on the first substrate, an insulating layer formed on the first substrate while covering the gate electrodes, and a stripe pattern orthogonal to the gate electrode on the insulating layer, and crossing regions with the gate electrodes. Cathodes each having a plurality of penetrating portions located in the intersection region along the gate electrode direction, a plurality of emitters electrically connected to the cathode electrode and disposed in the cathode electrode through the cathode electrode direction; A field emission display including a transparent anode electrode formed on a substrate and a fluorescent film formed on the anode electrode is provided.

상기 에미터들은 관통부 내에서 캐소드 전극의 측면과 밀착되어 캐소드 전극과 전기적으로 연결되며, 캐소드 전극 방향을 따라 확장된 횡장형의 단일체로 이루어진다.The emitters are in close contact with the side of the cathode electrode and electrically connected to the cathode electrode, and are formed in a single transverse unit extending along the cathode electrode direction.

바람직하게, 상기 교차 영역에서 관통부들과 에미터들은 캐소드 전극 방향을 따라 캐소드 전극의 중심을 연결하는 중앙선을 기준으로 형상 대칭을 이룬다.Preferably, the penetrations and emitters in the cross section are symmetrical with respect to the centerline connecting the center of the cathode along the direction of the cathode.

이를 위하여 상기 캐소드 전극은 교차 영역에 제1∼제3 관통부를 형성하며, 이 때 각각의 관통부들은 캐소드 전극 방향에 따른 2개의 수평변을 갖는 장방형으로 이루어진다.To this end, the cathode electrode has first through third through portions formed in the intersection area, and each through portion has a rectangular shape having two horizontal sides in the direction of the cathode electrode.

그리고 제2 관통부의 두 수평변을 따라 임의의 간격을 두고 제1, 2 에미터가 위치하고, 제1 관통부와 제3 관통부에 각각 마련된 두 수평변 가운데 캐소드 전극의 가장자리와 인접한 어느 한 수평변을 따라 제3, 4 에미터가 위치한다.The first and second emitters are positioned along two horizontal sides of the second through part at random intervals, and one horizontal side adjacent to the edge of the cathode electrode is provided between the two horizontal sides provided at the first through part and the third through part, respectively. Along the third and fourth emitters.

다른 실시예로서, 상기 캐소드 전극은 교차 영역에 제1, 제2, 제3 및 제4 관통부를 형성하며, 이 때 각각의 관통부들은 캐소드 전극 방향에 따른 2개의 수평변을 갖는 장방형으로 이루어지고, 제1, 2 관통부가 중앙선의 상부에, 그리고 제3, 4 관통부가 중앙선의 하부에 위치한다.In another embodiment, the cathode electrode has first, second, third, and fourth through portions formed in an intersection area, wherein each of the through portions has a rectangular shape having two horizontal sides along the direction of the cathode electrode. The first and second penetrations are located above the centerline and the third and fourth penetrations are below the centerline.

그리고 제1 관통부와 제2 관통부에 각각 마련된 두 수평변 가운데 캐소드 전극의 상부 가장자리와 인접한 어느 한 수평변을 따라 제1, 2 에미터가 위치하며, 제3 관통부와 제4 관통부에 각각 마련된 두 수평변 가운데 캐소드 전극의 하부 가장자리와 인접한 어느 한 수평변을 따라 제3, 4 에미터가 위치한다.The first and second emitters are positioned along one horizontal edge adjacent to the upper edge of the cathode electrode among the two horizontal edges respectively provided in the first and second through portions, and the third and fourth through portions are provided. The third and fourth emitters are positioned along one horizontal edge adjacent to the lower edge of the cathode electrode among the two horizontal edges.

상기 에미터는 카본 나노튜브, 그라파이트, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, C60(fulleren) 중 어느 하나 또는 이들의 조합으로 이루어지며, 상기 캐소드 전극과 애노드 전극 사이에는 메쉬 형태의 메탈 그리드가 배치되어 전자빔을 집속시킨다.The emitter is made of any one or combination of carbon nanotubes, graphite, diamond, diamond-like carbon, C 60 (fulleren), a metal grid in the form of a mesh is disposed between the cathode electrode and the anode electrode to focus the electron beam Let's do it.

이하, 첨부한 도면을 참고하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 전계 방출 표시장치의 부분 분해 사시도이고, 도 2는 도 1의 A 화살표 방향에서 바라본 전계 방출 표시장치의 부분 결합 단면도이다.1 is a partially exploded perspective view of a field emission display device according to a first exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a partially combined cross-sectional view of the field emission display device viewed from the direction of arrow A of FIG. 1.

도시한 바와 같이, 전계 방출 표시장치는 내부 공간부를 갖도록 임의의 간격을 두고 대향 배치되는 제1 기판(이하 편의상 '후면 기판'이라 한다)과 제2 기판(이하 편의상 '전면 기판'이라 한다)을 포함하며, 후면 기판(2)에는 전계 형성으로 전자를 방출하는 구성이, 그리고 전면 기판(4)에는 전자에 의해 소정의 이미지를 구현하는 구성이 제공된다.As shown, the field emission display device includes a first substrate (hereinafter referred to as a 'back substrate' for convenience) and a second substrate (hereinafter referred to as a 'front substrate' for convenience) disposed to face each other at arbitrary intervals to have an internal space. And a structure for emitting electrons by forming an electric field on the rear substrate 2 and a configuration for implementing a predetermined image by the electrons on the front substrate 4.

보다 구체적으로, 후면 기판(2) 위에는 투명한 게이트 전극들(6)이 후면 기판(2)의 일방향(도면의 Y 방향)을 따라 스트라이프 패턴으로 형성되고, 게이트 전극들(6)을 덮으면서 후면 기판(2)의 전면으로 투명한 절연층(8)이 임의의 두께를 가지며 위치한다. 그리고 절연층(8) 위에는 불투명한 캐소드 전극들(10)이 게이트 전극(6)과 직교하는 방향(도면의 X 방향)을 따라 스트라이프 패턴으로 형성된다.More specifically, the transparent gate electrodes 6 are formed on the rear substrate 2 in a stripe pattern along one direction (Y direction in the drawing) of the rear substrate 2, and cover the gate electrodes 6 while covering the rear substrate. In front of (2) a transparent insulating layer 8 is placed with any thickness. On the insulating layer 8, opaque cathode electrodes 10 are formed in a stripe pattern along a direction orthogonal to the gate electrode 6 (X direction in the drawing).

본 실시예에서 전계 방출 표시장치의 화소 영역을 게이트 전극(6)과 캐소드 전극(10)의 교차 영역으로 정의할 때, 캐소드 전극(10)에는 각 화소 영역마다 절연층(8)의 표면을 노출시키는 복수개의 관통부들(12)이 형성된다. 상기 관통부들(12)은 바람직하게 게이트 전극 방향(도면의 Y 방향)을 따라 일렬로 배치되며, 본 실시예에서는 홀수개를 이루는 3개의 관통부를 예로 하여 설명한다.In the present exemplary embodiment, when the pixel area of the field emission display device is defined as an intersection area between the gate electrode 6 and the cathode electrode 10, the surface of the insulating layer 8 is exposed to the cathode electrode 10 for each pixel area. A plurality of through parts 12 are formed. The through parts 12 are preferably arranged in a line along the gate electrode direction (Y direction in the drawing). In the present embodiment, three through parts forming an odd number will be described as an example.

상기 3개의 관통부를 제1∼제3 관통부(12a, 12b, 12c)로 명칭할 때, 이 관통부들(12)의 형상은 도 3에 도시한 바와 같이 캐소드 전극 방향(도면의 X 방향)에 따른 수평변과 게이트 전극 방향(도면의 X 방향)에 따른 수직변을 갖는 장방형이 바람직하며, 캐소드 전극 방향을 따라 캐소드 전극(10)의 중심을 연결하는 가상의 중앙선(도면에서 B선으로 표시)을 기준으로 상하 대칭이 되도록 위치하고 있다.When the three through parts are named as first through third through parts 12a, 12b and 12c, the shape of the through parts 12 is in the cathode electrode direction (X direction in the drawing) as shown in FIG. A rectangular shape having a horizontal side along the vertical side along the gate electrode direction (X direction in the drawing) is preferable, and an imaginary center line connecting the center of the cathode electrode 10 along the cathode electrode direction (indicated by a B line in the figure). It is positioned to be vertically symmetric with respect to.

여기서, 제1∼제3 관통부(12a, 12b, 12c)의 수평변에는 이후 설명될 에미터가 위치하게 되므로, 에미터가 충분한 전자 방출 면적을 확보할 수 있도록 각 관통부(12)의 수평변을 충분한 길이로 형성하는 것이 바람직하다.Here, the emitters to be described later are located on the horizontal sides of the first to third through parts 12a, 12b, and 12c, so that the emitters can secure a sufficient electron emission area so that the horizontal parts of the through parts 12 are horizontal. It is preferable to form the sides to a sufficient length.

그리고 제1∼제3 관통부(12a, 12b, 12c) 내의 절연층(8) 위에는 캐소드 전극 방향을 따라 복수개의 에미터들(14)이 형성된다. 이 때, 에미터들(14)은 캐소드 전극(10)과 전기적으로 연결되어야 하므로, 제1∼제3 관통부(12a, 12b, 12c)의 수평변을 따라 캐소드 전극(10)의 측면에 밀착 배치되어 캐소드 전극(10)의 측면과 접촉하는 것으로 전기적인 연결을 실현하고 있으며, 각각의 에미터(14)는 캐소드 전극 방향(도면의 X 방향)을 따라 확장된 횡장형의 단일체로 이루어진다. In addition, a plurality of emitters 14 are formed on the insulating layer 8 in the first to third through parts 12a, 12b, and 12c along the cathode electrode direction. In this case, since the emitters 14 should be electrically connected to the cathode electrode 10, the emitters 14 may be disposed in close contact with the side surfaces of the cathode electrode 10 along the horizontal sides of the first through third through parts 12a, 12b, and 12c. Electrical contact is realized by contacting the side surface of the cathode electrode 10, and each emitter 14 is formed of a single cross-section unit extending along the cathode electrode direction (X direction in the drawing).                     

상기 에미터들(14)은 바람직하게 전술한 중앙선(B선)을 기준으로 상하 대칭이 되도록 위치한다. 이는 어느 한 화소를 중심으로 살펴볼 때, 에미터들(14)이 상하 대칭으로 배열하게 되면 에미터들(14)에서 방출된 전자빔이 특정의 일부 방향으로 향하지 않고 전면 기판(4)을 향해 균일한 분포로 진행할 수 있기 때문이다.The emitters 14 are preferably positioned symmetrically with respect to the above-described center line (B line). This is because when the emitters 14 are arranged symmetrically with respect to any one pixel, the electron beam emitted from the emitters 14 is not uniformly directed in a certain part of the direction but in a uniform distribution toward the front substrate 4. Because you can proceed.

본 실시예에서는 이를 위하여 중앙의 제2 관통부(12b)에서는 제2 관통부(12b)의 두 수평변을 따라 서로간 임의의 간격을 두고 제1, 2에미터(14a, 14b)를 위치시키고, 제1 관통부(12a)와 제3 관통부(12c)에서는 캐소드 전극(10)의 가장자리와 인접한 어느 한 수평변을 따라 제3, 4 에미터(14c, 14d)가 위치하도록 한다. 이로서 본 실시예에서는 각 화소 영역마다 4개의 에미터(14)가 상하 대칭을 이루며 위치하게 된다.In this embodiment, for this purpose, the first and second emitters 14a and 14b are positioned at random intervals along the two horizontal sides of the second through part 12b in the second through part 12b in the center. In the first through part 12a and the third through part 12c, the third and fourth emitters 14c and 14d are positioned along one horizontal side adjacent to the edge of the cathode electrode 10. Thus, in the present embodiment, four emitters 14 are positioned symmetrically in each pixel area.

상기한 에미터(14)는 캐소드 전극(10)보다 큰 두께를 갖는 평탄한 형상으로 이루어진다. 본 발명에서 상기 에미터(14)는 카본계 물질, 가령 카본 나노튜브, 그라파이트, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, C60(fulleren) 또는 이들의 조합 물질로 이루어지며, 본 실시예에서는 카본 나노튜브를 적용하고 있다.The emitter 14 is formed in a flat shape having a thickness larger than that of the cathode electrode 10. In the present invention, the emitter 14 is made of a carbon-based material, such as carbon nanotubes, graphite, diamond, diamond-like carbon, C 60 (fulleren) or a combination thereof, and in this embodiment, carbon nanotubes are applied. Doing.

한편, 후면 기판(2)에 대향하는 전면 기판(4)의 일면에는 투명한 애노드 전극(16)과 더불어 화면의 수직 방향, 즉 게이트 전극 방향(도면의 Y 방향)을 따라 R, G, B 형광막들(18)이 임의의 간격을 두고 위치하며, 각각의 R, G, B 형광막(18) 사이로 콘트라스트 향상을 위한 블랙 매트릭스막(20)이 위치한다.On the other hand, one surface of the front substrate 4 facing the rear substrate 2, along with the transparent anode electrode 16, along the vertical direction of the screen, that is, the gate electrode direction (Y direction in the drawing) R, G, B fluorescent film The fields 18 are positioned at random intervals, and a black matrix film 20 for contrast enhancement is positioned between each of the R, G, and B fluorescent films 18.

더욱이 형광막(18)과 블랙 매트릭스막(20) 위에는 알루미늄 등으로 이루어진 금속 박막층(22)이 위치할 수 있다. 이 금속 박막층(22)은 전계 방출 표시장치의 내전압 특성과 휘도 향상에 도움을 주는 역할을 한다.Furthermore, the metal thin film layer 22 made of aluminum or the like may be positioned on the fluorescent film 18 and the black matrix film 20. The metal thin film layer 22 serves to improve the breakdown voltage characteristics and luminance of the field emission display device.

이와 같이 구성되는 전면 기판(4)과 후면 기판(2)은, 캐소드 전극(10)과 형광막(18)이 서로 교차하도록 마주한 상태에서 임의의 간격을 두고 실링 물질에 의해 접합되며, 그 사이에 형성되는 내부 공간을 배기시켜 진공 상태로 유지함으로써 전계 방출 표시장치를 구성하게 된다.The front substrate 4 and the rear substrate 2 constituted as described above are joined by a sealing material at arbitrary intervals while the cathode electrode 10 and the fluorescent film 18 face each other to cross each other, and between them. By exhausting the formed internal space and maintaining in a vacuum state, the field emission display device is constructed.

아울러, 전면 기판(4)과 후면 기판(2)이 형성하는 진공 용기 내부에는 다수의 홀(24a)을 갖는 메쉬 형태의 메탈 그리드(24)가 위치한다. 이 메탈 그리드(24)는 진공 용기 내에서 아킹이 발생한 경우, 그 피해가 후면 기판(2)으로 향하지 않게 하며, 에미터(14)에서 방출된 전자들을 집속시키는 역할을 한다.In addition, a metal grid 24 having a mesh shape having a plurality of holes 24a is positioned in the vacuum container formed by the front substrate 4 and the rear substrate 2. The metal grid 24 prevents damage to the rear substrate 2 when arcing occurs in the vacuum vessel and serves to focus electrons emitted from the emitter 14.

이 때, 전면 기판(4)과 메탈 그리드(24) 사이의 비화소 영역에는 다수의 상부 스페이서(26)가 배치되어 전면 기판(4)과 메탈 그리드(24) 사이의 간격을 일정하게 유지시키며, 후면 기판(2)과 메탈 그리드(24) 사이의 비화소 영역에는 다수의 하부 스페이서(28)가 배치되어 후면 기판(2)과 메탈 그리드(24) 사이의 간격을 일정하게 유지시킨다.In this case, a plurality of upper spacers 26 are disposed in the non-pixel region between the front substrate 4 and the metal grid 24 to maintain a constant distance between the front substrate 4 and the metal grid 24. In the non-pixel region between the rear substrate 2 and the metal grid 24, a plurality of lower spacers 28 are disposed to maintain a constant distance between the rear substrate 2 and the metal grid 24.

이와 같이 구성되는 전계 방출 표시장치는, 외부로부터 상기 게이트 전극(6), 캐소드 전극(10), 애노드 전극(16) 및 메탈 그리드(24)에 소정의 전압을 공급하여 구동하는데, 일례로 게이트 전극(6)에는 수∼수십V의 (+)전압이, 캐소드 전극(10)에는 수∼수십V의 (-)전압이, 애노드 전극(16)에는 수백∼수천V의 (+)전압이, 그리고 메탈 그리드(24)에는 수십∼수백V의 (+)전압이 인가된다. The field emission display device configured as described above is driven by supplying a predetermined voltage to the gate electrode 6, the cathode electrode 10, the anode electrode 16, and the metal grid 24 from the outside. (6) is a positive voltage of several to several tens of volts, a positive voltage of several to several tens of volts to the cathode electrode 10, a positive voltage of several hundred to several thousand volts to the anode electrode 16, and Positive voltages of tens to hundreds of volts are applied to the metal grid 24.                     

이로서 게이트 전극(6)과 캐소드 전극(10)의 전압 차에 의해 에미터(14) 주위에 전계가 형성되어 이로부터 전자가 방출되는데, 본 실시예에서는 각 화소 영역마다 4개의 에미터(14a∼14d)를 배치하고 있으므로, 4개 에미터(14a∼14d)의 가장자리에 전계가 집중되어 이로부터 전자가 동시에 방출된다.As a result, an electric field is formed around the emitter 14 due to the voltage difference between the gate electrode 6 and the cathode electrode 10, and electrons are emitted therefrom. In this embodiment, four emitters 14a to each pixel area are emitted. Since 14d) is disposed, an electric field is concentrated at the edges of the four emitters 14a to 14d, and electrons are emitted from the same at the same time.

이와 같이 에미터(14)에서 방출된 전자빔들은 메탈 그리드(24)에 인가된 (+)전압에 이끌려 전면 기판(4)으로 향하면서 메탈 그리드(24)의 홀(24a)을 온전하게 통과하고, 애노드 전극(16)에 인가된 고전압에 이끌려 형광막(18)에 충돌함으로써 이 형광막(18)을 발광시킨다.As such, the electron beams emitted from the emitter 14 are intimately passed through the holes 24a of the metal grid 24 while being directed to the front substrate 4 by the positive voltage applied to the metal grid 24. The fluorescent film 18 emits light by colliding with the fluorescent film 18 by being attracted by the high voltage applied to the anode electrode 16.

이 때, 본 실시예에 의한 전계 방출 표시장치는 상기 에미터들(14)이 캐소드 전극 방향을 따라 배열되고, 전술한 중앙선(B선)을 기준으로 상하 대칭이 되도록 배열되어 있으므로, 에미터(14)에서 방출된 전자빔들은 타색 형광막이 위치하는 화면의 수평 방향(도면의 X 방향)으로 확산되지 않고, 같은색이 위치하는 화면의 수직 방향(도면의 Y 방향)을 따라 방출 궤적을 그리게 된다.In this case, in the field emission display device according to the present exemplary embodiment, the emitters 14 are arranged along the direction of the cathode electrode and are arranged to be vertically symmetric with respect to the above-described center line (B line). The electron beams emitted from the X-rays do not diffuse in the horizontal direction (X direction of the drawing) of the screen where the other fluorescent film is located, and draw the emission trajectory along the vertical direction (Y direction of the drawing) of the screen where the same color is located.

또한 에미터(14)의 배열 특성상, 제1 관통부(12a)에 위치하는 제3 에미터(14c)는 제3 관통부(12c)를 향해 전자빔을 방출하고, 제3 관통부(12c)에 위치하는 제4 에미터(14d)는 제1 관통부(12a)를 향해 전자빔을 방출하기 때문에, 하나의 화소 영역에서 방출된 전자빔들은 다른 화소에 위치하는 같은색 형광막까지 그 경로가 미치지 않고, 해당 화소의 형광막(18) 영역에 한정되는 방출 궤적을 나타낸다.In addition, due to the arrangement characteristic of the emitter 14, the third emitter 14c positioned in the first through part 12a emits an electron beam toward the third through part 12c, Since the fourth emitter 14d positioned emits an electron beam toward the first through portion 12a, the electron beams emitted from one pixel region do not extend to the same color fluorescent film located in another pixel. The emission trajectory defined in the fluorescent film 18 region of the pixel is shown.

도 4는 본 실시예에 따른 전계 방출 표시장치에서 본 발명자의 컴퓨터 시뮬 레이션을 통해 얻어진 전자빔 방출 궤적을 나타낸 개략도로서, 도시한 바와 같이 4개 에미터(14a∼14d)로부터 동시에 방출된 전자빔들은 해당 형광막(18)의 중심을 향해 대칭적인 균형을 맞추면서 주사되며, 한 화소 영역에서 방출된 전자빔들은 이와 대응하는 메탈 그리드(24)의 홀을 온전하게 통과한 이후, 해당 화소의 형광막(18)에 한해 도달하게 됨을 알 수 있다.FIG. 4 is a schematic view showing an electron beam emission trajectory obtained through the computer simulation of the present invention in the field emission display device according to the present embodiment. As shown in FIG. 4, electron beams simultaneously emitted from four emitters 14a to 14d are represented. Scanned with a symmetrical balance towards the center of the fluorescent film 18, the electron beams emitted from one pixel region pass through the holes of the corresponding metal grid 24 intact, and then the fluorescent film 18 of the corresponding pixel. You will only reach.

이상의 내용을 고려하여 볼 때, 본 실시예에서는 타색 침범이 일어나지 않아 화면의 색순도가 향상되고, 화면의 수직 해상도가 향상되는 장점이 예상된다. 또한 본 실시예에서는 4개 에미터(14a∼14d)의 가장자리에서 동시에 전자를 방출하므로 보다 많은 양의 전자빔을 형광막(18)에 제공하여 화면의 휘도를 향상시키고, 각 에미터(14)에 인가되는 전류 부하를 낮추어 에미터(14)의 수명 신뢰성이 높아지는 장점이 예상된다.In view of the above, in the present embodiment, it is expected that the color purity of the screen is improved and the vertical resolution of the screen is improved because other color violations do not occur. In addition, in the present embodiment, since electrons are simultaneously emitted from the edges of the four emitters 14a to 14d, a larger amount of electron beams are provided to the fluorescent film 18 to improve the brightness of the screen, and to each emitter 14 It is expected that the lifetime reliability of the emitter 14 is increased by lowering the applied current load.

도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 전계 방출 표시장치 중 후면 기판의 부분 평면도로서, 본 실시예에서는 캐소드 전극(10)의 각 화소 영역마다 짝수개, 일례로 4개의 관통부들(30a, 30b, 30c, 30d)이 게이트 전극 방향(도면의 Y 방향)을 따라 일렬로 배치되어 절연층(8)의 표면을 노출시키며, 제1∼제4 관통부(30a∼30d) 내의 절연층(8) 위로 캐소드 전극 방향(도면의 X 방향)을 따라 복수개의 에미터들(32)이 위치한다.FIG. 5 is a partial plan view of a rear substrate of a field emission display device according to a second embodiment of the present invention. In the present embodiment, an even number, for example, four through parts 30a, may be provided for each pixel area of the cathode electrode 10. 30b, 30c, and 30d are arranged in a line along the gate electrode direction (Y direction in the drawing) to expose the surface of the insulating layer 8, and the insulating layer 8 in the first to fourth through portions 30a to 30d. A plurality of emitters 32 are positioned along the cathode electrode direction (X direction in the drawing).

상기 에미터들(32)은 전술한 중앙선(B선)을 기준으로 상하 대칭으로 배열하게 되는데, 이를 위하여 도면을 기준으로 중앙선 상부에 위치하는 제1, 2 관통부(30a, 30b)에서는 각각에 마련된 2개의 수평변 가운데 캐소드 전극(10)의 상 부 가장자리와 가까운 하나의 수평변을 따라 제1, 2 에미터(32a, 32b)가 위치하고, 중앙선 하부에 위치하는 제3, 4 관통부(30c, 30d)에서는 각각에 마련된 2개의 수평변 가운데 캐소드 전극(10)의 하부 가장자리와 가까운 하나의 수평변을 따라 제3, 4 에미터(32c, 32d)가 위치한다.The emitters 32 are arranged up and down symmetrically with respect to the above-described center line (B line). For this purpose, the first and second penetrating portions 30a and 30b positioned above the center line with reference to the drawings are provided at the center lines. The first and second emitters 32a and 32b are positioned along one horizontal edge near the upper edge of the cathode electrode 10 among the two horizontal edges, and the third and fourth through portions 30c positioned below the center line. In 30d), the third and fourth emitters 32c and 32d are positioned along one horizontal side near the lower edge of the cathode electrode 10 among the two horizontal edges provided in each.

도 6은 본 실시예에 따른 전계 방출 표시장치에서 본 발명자의 컴퓨터 시뮬레이션을 통해 얻어진 전자빔 방출 궤적을 나타낸 개략도로서, 4개의 에미터(32a∼32d)로부터 동시에 방출된 전자빔들은 앞선 실시예의 경우와 비교하여 보다 집속되어진 상태로 해당 형광막(18)의 중심을 향해 대칭적인 균형을 맞추면서 주사되고 있음을 알 수 있다.Fig. 6 is a schematic view showing electron beam emission trajectories obtained through the computer simulation of the present invention in the field emission display device according to the present embodiment, in which electron beams simultaneously emitted from four emitters 32a to 32d are compared with those of the previous embodiment. It can be seen that the scanning is performed while symmetrically balancing toward the center of the fluorescent film 18 in a more focused state.

더욱이 한 화소 영역에서 방출된 전자빔들은 이와 대응하는 메탈 그리드(24)의 홀을 온전하게 통과한 이후, 해당 화소의 형광막(18)에 도달하고 있는 것을 확인할 수 있다.Further, it can be seen that the electron beams emitted from one pixel area have reached the fluorescent film 18 of the pixel after completely passing through holes corresponding to the metal grid 24.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited thereto, and various modifications and changes can be made within the scope of the claims and the detailed description of the invention and the accompanying drawings. Naturally, it belongs to the range of.

이와 같이 본 발명에 따르면, 에미터에서 방출된 전자빔의 경로를 해당 화소의 형광막을 향해 제어할 수 있으므로 타색 침범이 일어나지 않아 화면의 색순도가 향상되고, 화면의 수직 해상도가 높아진다. 더욱이 본 발명에 따르면 보다 많은 양 의 전자빔을 형광막에 제공하여 화면의 휘도를 향상시키고, 각 에미터에 인가되는 전류 부하를 낮추어 에미터의 수명 신뢰성이 높아진다.As described above, according to the present invention, since the path of the electron beam emitted from the emitter can be controlled toward the fluorescent film of the corresponding pixel, color invasion does not occur and screen color purity is improved and screen vertical resolution is increased. Furthermore, according to the present invention, by providing a larger amount of electron beam to the fluorescent film, the brightness of the screen is improved, and the current load applied to each emitter is lowered to increase the lifetime reliability of the emitter.

Claims (11)

임의의 간격을 두고 대향 배치되는 제1, 2 기판과;First and second substrates disposed to face each other at arbitrary intervals; 상기 제1 기판 상에 스트라이프 패턴으로 형성되는 게이트 전극들과;Gate electrodes formed on the first substrate in a stripe pattern; 상기 게이트 전극들을 덮으면서 상기 제1 기판 위에 형성되는 절연층과;An insulating layer formed on the first substrate while covering the gate electrodes; 상기 절연층 위에 상기 게이트 전극과 직교하는 스트라이프 패턴으로 형성되며, 게이트 전극과의 교차 영역마다 이 교차 영역 내에 복수의 관통부들이 게이트 전극 방향을 따라 위치하는 캐소드 전극들과;Cathode electrodes formed on the insulating layer in a stripe pattern orthogonal to the gate electrode, and having a plurality of through portions located in the intersection area along the gate electrode direction at each intersection area with the gate electrode; 상기 캐소드 전극의 관통부 내에 캐소드 전극 방향을 따라 배치되면서 캐소드 전극과 전기적으로 연결되는 복수의 에미터들과;A plurality of emitters disposed in the through portion of the cathode electrode along the direction of the cathode electrode and electrically connected to the cathode electrode; 상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판 상에 형성되는 투명한 애노드 전극; 및A transparent anode electrode formed on the second substrate opposite the first substrate; And 상기 애노드 전극 상에 임의의 패턴으로 형성되는 형광막들Fluorescent films formed in an arbitrary pattern on the anode electrode 을 포함하는 전계 방출 표시장치.Field emission display comprising a. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 에미터들이 상기 관통부 내에서 캐소드 전극의 측면과 밀착되어 캐소드 전극과 전기적으로 연결되는 전계 방출 표시장치.And the emitters are in close contact with the side of the cathode electrode in the penetrating portion and electrically connected to the cathode electrode. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 에미터가 상기 캐소드 전극 방향을 따라 확장된 횡장형의 단일체로 이 루어지는 전계 방출 표시장치.And the emitter is comprised of a monolithic, transverse monolith extending along the cathode electrode direction. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 교차 영역에서 상기 관통부들과 상기 에미터들이 캐소드 전극 방향을 따라 캐소드 전극의 중심을 연결하는 중앙선을 기준으로 형상 대칭을 이루는 전계 방출 표시장치.And a shape symmetry with respect to the center line connecting the centers of the cathode electrodes along the cathode electrode direction in the crossing area. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 캐소드 전극이 상기 교차 영역에 제1, 제2 및 제3 관통부를 형성하고, 각각의 관통부들이 캐소드 전극 방향에 따른 2개의 수평변을 갖는 장방형으로 이루어지는 전계 방출 표시장치.And the cathode has first, second, and third through portions formed in the intersection area, and each through portion has a rectangular shape having two horizontal sides in the direction of the cathode electrode. 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 제2 관통부의 두 수평변을 따라 임의의 간격을 두고 제1, 2 에미터가 위치하고, 제1 관통부와 제3 관통부에 각각 마련된 두 수평변 가운데 캐소드 전극의 가장자리와 인접한 어느 한 수평변을 따라 제3, 4 에미터가 위치하는 전계 방출 표시장치.The first and second emitters are positioned along two horizontal sides of the second through part at arbitrary intervals, and one horizontal side adjacent to the edge of the cathode electrode among two horizontal sides provided at the first through part and the third through part, respectively. Field emission indicators with third and fourth emitters positioned along the surface. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 캐소드 전극이 상기 교차 영역에 제1, 제2, 제3 및 제4 관통부를 형성 하고, 각각의 관통부들이 캐소드 전극 방향에 따른 2개의 수평변을 갖는 장방형으로 이루어지는 전계 방출 표시장치.And the cathode has first, second, third, and fourth through portions formed in the intersection area, and each through portion has a rectangular shape having two horizontal sides in the direction of the cathode electrode. 제 7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 제1, 2 관통부가 상기 중앙선의 상부에 위치하고, 제1 관통부와 제2 관통부에 각각 마련된 두 수평변 가운데 캐소드 전극의 상부 가장자리와 인접한 어느 한 수평변을 따라 제1, 2 에미터가 위치함과 아울러, 상기 제3, 4 관통부가 상기 중앙선의 하부에 위치하고, 제3 관통부와 제4 관통부에 각각 마련된 두 수평변 가운데 캐소드 전극의 하부 가장자리와 인접한 어느 한 수평변을 따라 제3, 4 에미터가 위치하는 전계 방출 표시장치.The first and second penetrating portions are positioned above the center line, and the first and second emitters are disposed along one horizontal edge adjacent to the upper edge of the cathode of the two horizontal edges provided at the first and second penetrating portions, respectively. In addition, the third and fourth through parts are positioned below the center line, and the third and fourth through parts are disposed along one horizontal side adjacent to the lower edge of the cathode electrode among the two horizontal sides provided in the third and fourth through parts, respectively. , Field emission indicator with 4 emitters. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 에미터가 카본 나노튜브, 그라파이트, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, C60(fulleren) 중 어느 하나 또는 이들의 조합으로 이루어지는 전계 방출 표시장치.And the emitter is one of carbon nanotubes, graphite, diamond, diamond-like carbon, C 60 (fulleren), or a combination thereof. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 캐소드 전극과 애노드 전극 사이에 메쉬 형태의 메탈 그리드가 배치되는 전계 방출 표시장치.And a metal grid having a mesh shape disposed between the cathode electrode and the anode electrode. 제 10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 전계 방출 표시장치가, 상기 제1 기판과 메탈 그리드 사이의 비화소 영역에 배치되는 하부 스페이서들과, 메탈 그리드와 제2 기판 사이의 비화소 영역에 배치되는 상부 스페이서들을 더욱 포함하는 전계 방출 표시장치.The field emission display further includes lower spacers disposed in the non-pixel region between the first substrate and the metal grid, and upper spacers disposed in the non-pixel region between the metal grid and the second substrate. Device.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101049822B1 (en) * 2004-08-30 2011-07-15 삼성에스디아이 주식회사 Electron-emitting device
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KR100624468B1 (en) * 2005-05-24 2006-09-15 삼성에스디아이 주식회사 Field emission device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990032988A (en) * 1997-10-22 1999-05-15 손욱 Field emission device and image display device using same
KR20010002345A (en) * 1999-06-14 2001-01-15 구자홍 Field Emission Device
KR20010058675A (en) * 1999-12-30 2001-07-06 김순택 Triode structure field emission device using carbon nanotube and driving method thereof
KR20020011617A (en) * 2000-08-03 2002-02-09 김순택 Metal-insulator-carbon type field emission device using carbon nanotubes and dielectric materials

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990032988A (en) * 1997-10-22 1999-05-15 손욱 Field emission device and image display device using same
KR20010002345A (en) * 1999-06-14 2001-01-15 구자홍 Field Emission Device
KR20010058675A (en) * 1999-12-30 2001-07-06 김순택 Triode structure field emission device using carbon nanotube and driving method thereof
KR20020011617A (en) * 2000-08-03 2002-02-09 김순택 Metal-insulator-carbon type field emission device using carbon nanotubes and dielectric materials

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