KR100861292B1 - Method for manufacturing minute pattern - Google Patents

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Abstract

본 발명은 위상반전 마스크를 사용하여 웨이퍼 상에 미세 패턴을 형성할 수 있는 미세 패턴 형성 방법에 관해 개시한 것으로서, 석영 재질의 마스크 기판을 제공하는 단계와, 기판에 제 1간격을 가진 트렌치를 형성하는 단계와, 상기 결과의 기판 전면에 투과도 제어 필름을 형성하여 트렌치 타입 마스크를 제작하는 단계와, 트렌치 타입 마스크를 이용하여 웨이퍼 상에 노광 공정을 진행하여 제 1간격보다 1/2배 작은 제 2간격을 가진 미세 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.The present invention relates to a method of forming a fine pattern that can form a fine pattern on a wafer using a phase inversion mask, comprising the steps of providing a mask substrate made of quartz and forming a trench having a first interval on the substrate. And forming a trench type mask by forming a transmittance control film on the entire surface of the resultant substrate, and performing an exposure process on the wafer using the trench type mask to obtain a second half smaller than the first interval. Forming a fine pattern with spacing.

Description

미세 패턴 형성 방법{METHOD FOR MANUFACTURING MINUTE PATTERN}Micro pattern formation method {METHOD FOR MANUFACTURING MINUTE PATTERN}

도 1a 내지 도 1c는 본 발명의 일실시예에 따른 미세 패턴을 형성하는 방법으로서, 트렌치 타입 마스크를 적용한 것을 보인 공정단면도.1A to 1C are cross-sectional views illustrating a method of forming a fine pattern according to an embodiment of the present invention, and applying a trench type mask.

도 2는 본 발명의 일실시예에 의해 제작된 마스크 기판을 이용하여 노광 공정을 실시할 경우 전기장 및 강도를 나타낸 그래프.Figure 2 is a graph showing the electric field and intensity when performing an exposure process using a mask substrate produced according to an embodiment of the present invention.

도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 미세 패턴 형성 방법을 으로서, 위상반전 마스크를 적용한 것을 보인 공정단면도. 3A to 3C are cross-sectional views illustrating a method of forming a fine pattern according to another embodiment of the present invention, in which a phase inversion mask is applied.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 의해 제작된 마스크 기판을 이용하여 노광 공정을 실시할 경우 전기장 및 강도를 나타낸 그래프.Figure 4 is a graph showing the electric field and intensity when performing an exposure process using a mask substrate produced by another embodiment of the present invention.

도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 미세 패턴을 형성하는 방법으로서, 트렌치 타입 마스크를 적용한 것을 보인 공정단면도.5A through 5C are cross-sectional views illustrating a method of forming a micro pattern according to another embodiment of the present invention, wherein a trench type mask is applied.

도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 의해 제작된 마스크 기판을 이용하여 노광 공정을 실시할 경우 전기장 및 강도를 나타낸 그래프.FIG. 6 is a graph showing an electric field and strength when an exposure process is performed using a mask substrate manufactured by another embodiment of the present invention. FIG.

본 발명은 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 위상 반전 마스크를 사용하여 웨이퍼 상에 미세 패턴을 형성할 수 있는 미세 패턴 형성 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to a method of forming a fine pattern on a wafer using a phase inversion mask.

248nm 파장길이를 가진 KrF를 이용하여 110nm 이하의 미세 패턴을 형성한다는 것은 극히 어려운 일이다. 일반적으로, 0.15㎛ 이하에서는 MEF(Mask Error Factor)가 3이상인 것으로 나타나 있으므로 미세 패턴 형성에 있어 마스크 제작이 어려워지고 있는 실정이다. It is extremely difficult to form a fine pattern of 110 nm or less using KrF having a wavelength of 248 nm. In general, since the mask error factor (MEF) is 3 or more at 0.15 µm or less, it is difficult to manufacture a mask in forming a fine pattern.

따라서, 종래의 기술에서는 상기 마스크 상에서의 에러가 웨이퍼에서의 CD(Critical Dimension) 균일도(uniformity)에 큰 영향을 미치는 문제점이 있었다.Therefore, in the related art, there is a problem that an error on the mask greatly affects CD (Critical Dimension) uniformity of the wafer.

이에 본 발명은 상기 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 마스크 상에서의 에러없이 미세 간격의 패턴 제작을 용이하게 실시할 수 있는 미세 패턴 형성 방법을 제공함에 그 목적이 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for forming a fine pattern that can be easily performed to produce a pattern of fine intervals without an error on a mask.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 미세 패턴 형성 방법은 석영 재질의 마스크 기판을 제공하는 단계와, 기판에 제 1간격을 가진 트렌치를 형성하는 단계와, 상기 결과의 기판 전면에 투과도 제어 필름을 형성하여 트렌치 타입 마스크를 제작하는 단계와, 트렌치 타입 마스크를 이용하여 웨이퍼 상에 노광 공정을 진행하여 제 1간격보다 1/2배 작은 제 2간격을 가진 미세 패턴을 형성하는 단계를 포함한 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of forming a fine pattern, the method comprising: providing a mask substrate made of quartz, forming a trench having a first interval on the substrate, and forming a transmittance control film on the entire surface of the substrate. And forming a trench type mask, and forming a fine pattern having a second interval 1/2 times smaller than the first interval by performing an exposure process on the wafer using the trench type mask. do.

상기 트렌치를 형성한 다음, 트렌치를 포함한 기판 전면에 크롬막을 형성하 는 단계와, 크롬막을 식각하여 상기 트렌치 측벽에 크롬막 스페이서를 형성하는 단계를 추가한다. 또한, 상기 트렌치 형성은 상기 마스크 기판을 λ/2만큼 식각한다.After forming the trench, the method may further include forming a chromium film on the entire surface of the substrate including the trench, and etching the chromium film to form a chrome film spacer on the sidewall of the trench. The trench formation also etches the mask substrate by [lambda] / 2.

한편, 상기 노광 공정은 248nm(KrF) 및 193nm(ArF) 파장을 가진광원을 이용한다.Meanwhile, the exposure process uses a light source having a wavelength of 248 nm (KrF) and 193 nm (ArF).

본 발명의 미세 패턴 형성 방법은 석영 재질의 마스크 기판을 제공하는 단계와, 기판 상에 제 1간격을 가진 크롬막 패턴을 형성하는 단계와, 크롬막 패턴을 포함한 기판 전면에 투과도 제어 필름을 형성하여 위상반전 마스크를 제작하는 단계와, 위상 반전 마스크를 이용하여 웨이퍼 상에 노광 공정을 진행하여 제 1간격보다 1/2배 작은 제 2간격을 가진 미세 패턴을 형성하는 단계를 포함한 것을 특징으로 한다.The method of forming a fine pattern of the present invention comprises the steps of providing a mask substrate of quartz material, forming a chromium film pattern having a first interval on the substrate, and forming a transmittance control film on the entire surface of the substrate including the chromium film pattern Manufacturing a phase inversion mask, and forming a fine pattern having a second interval 1/2 times smaller than the first interval by performing an exposure process on the wafer using the phase inversion mask.

상기 노광 공정은 248nm(KrF) 및 193nm(ArF) 파장을 가진 광원을 이용한다.The exposure process uses a light source having a wavelength of 248 nm (KrF) and 193 nm (ArF).

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1a 내지 도 1c는 본 발명의 일실시예에 따른 미세 패턴을 형성하는 방법으로서, 트렌치 타입 마스크를 적용한 것을 보인 공정단면도이다.1A to 1C are cross-sectional views illustrating a method of forming a fine pattern according to an exemplary embodiment of the present invention and applying a trench type mask.

또한, 도 2는 본 발명의 일실시예에 의해 제작된 마스크 기판을 이용하여 노광 공정을 실시할 경우 전기장 및 에너지 강도를 나타낸 그래프이다.In addition, Figure 2 is a graph showing the electric field and the energy intensity when performing the exposure process using a mask substrate manufactured by an embodiment of the present invention.

본 발명의 일실시예에 따른 미세 패턴 형성 방법은, 도 1a에 도시된 바와 같이, 석영 재질의 미스크 기판(100) 상에 감광막을 도포하고 나서, 노광 및 현상하여 소정 형상의 감광막 패턴(110)을 형성한다. In the method of forming a fine pattern according to the exemplary embodiment of the present invention, as shown in FIG. 1A, a photosensitive film is coated on a quartz substrate 100 of quartz material, and then exposed and developed to form a photosensitive film pattern 110 having a predetermined shape. ).                     

이어, 도 1b에 도시된 바와 같이, 상기 감광막 패턴을 마스크로 하고 상기 기판에서 λ/2 가량을 식각하여 트렌치(101)를 형성한다. 이때, 상기 트렌치(101)는 제 1간격(D1)을 가진다.Subsequently, as shown in FIG. 1B, the trench 101 is formed by etching the lambda / 2 on the substrate using the photoresist pattern as a mask. In this case, the trench 101 has a first interval D1.

그런 다음, 감광막 패턴을 제거하고 나서, 도 1c에 도시된 바와 같이, 상기 트렌치(101)를 포함한 마스크 기판 전면에 투과도를 제어할 수 있는 필름(104)을 증착하여 트렌치 타입의 마스크(120) 제작을 완료한다. Then, after removing the photoresist pattern, as shown in Figure 1c, to form a trench type mask 120 by depositing a film 104 that can control the transmittance on the entire mask substrate including the trench 101 To complete.

이 후, 상기 결과의 트렌치 타입 마스크 기판(120)을 이용하여 노광 공정을 실시한다. 이때, 상기 노광 공정 시, 노광 광원으로는 248nm(KrF) 또는 193nm(ArF) 파장을 이용한다. Thereafter, the exposure process is performed using the resultant trench type mask substrate 120. In this case, a wavelength of 248 nm (KrF) or 193 nm (ArF) is used as the exposure light source in the exposure process.

상기 노광 공정 결과, 도 2에 도시된 바와 같이, 전기장 및 강도를 가짐으로써, 웨이퍼(400)에는 마스크 기판의 패턴 간격인 제 1간격(D1)보다 1/2배 작은 제 2간격(D2)의 미세 패턴(402)이 형성된다. 이때, 상기 노광 공정 시, 노광 광원으로는 248nm(KrF) 또는 193nm(ArF) 파장을 이용한다. 또한, 도 3의 점선 부분(Ⅰ)은 강도 컷팅 레벨을 도시한 것이다.  As a result of the exposure process, as shown in FIG. 2, by having the electric field and the intensity, the wafer 400 has a second interval D2 that is 1/2 times smaller than the first interval D1 that is the pattern interval of the mask substrate. The fine pattern 402 is formed. In this case, a wavelength of 248 nm (KrF) or 193 nm (ArF) is used as the exposure light source in the exposure process. In addition, the dotted line part I of FIG. 3 shows the intensity cutting level.

도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 미세 패턴 형성 방법을 으로서, 위상반전 마스크를 적용한 것을 보인 공정단면도이다. 3A to 3C are cross-sectional views illustrating a method of forming a fine pattern according to another embodiment of the present invention and applying a phase inversion mask.

또한, 도 4는 본 발명의 다른 실시예에 의해 제작된 마스크 기판을 이용하여 노광 공정을 실시할 경우 전기장 및 에너지 강도를 나타낸 그래프이다.4 is a graph showing an electric field and an energy intensity when an exposure process is performed using a mask substrate manufactured according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 다른 실시예에 따른 미세 패턴 형성 방법은, 도 3a에 도시된 바와 같이, 석영 재질의 마스크 기판(200) 상에 스퍼터링 방식에 의해 크롬막(202)을 형 성하고 나서, 상기 크롬막(202) 위에 감광막을 도포하고 노광 및 현상하여 제 1간격을 가진 감광막 패턴(210)을 형성한다.In the method of forming a fine pattern according to another exemplary embodiment of the present invention, as shown in FIG. 3A, after forming a chromium film 202 on a quartz substrate 200 by sputtering, the chromium film is formed. A photoresist film is coated, exposed and developed on the 202 to form a photoresist pattern 210 having a first interval.

이어, 도 3b에 도시된 바와 같이, 상기 감광막 패턴(210)을 마스크로 하고 크롬막을 식각하여 제 1간격(D1)을 가진 크롬 패턴(203)을 형성한다. 3B, the chromium pattern 203 having the first interval D1 is formed by etching the chromium layer using the photoresist pattern 210 as a mask.

그런 다음, 상기 감광막 패턴을 제거하고 나서, 도 3c에 도시된 바와 같이, 상기 크롬패턴(203)을 포함한 마스크 기판 전면에 투과도 제어 필름(204)을 증착하여 위상 반전용 마스크(220) 제작을 완료한다.Then, after removing the photoresist pattern, as shown in FIG. 3c, the transmittance control film 204 is deposited on the entire surface of the mask substrate including the chromium pattern 203 to complete the fabrication of the phase inversion mask 220. do.

이 후, 구조의 마스크 기판을 이용하여 웨이퍼에 노광 공정을 실시한다. 이때, 상기 노광 공정 시, 노광 광원으로는 248nm(KrF) 또는 193nm(ArF) 파장을 이용한다. 또한, 도 3의 점선 부분(Ⅱ)은 강도 컷팅 레벨을 도시한 것이다.Thereafter, an exposure step is performed on the wafer using a mask substrate having a structure. In this case, a wavelength of 248 nm (KrF) or 193 nm (ArF) is used as the exposure light source in the exposure process. In addition, the dotted line part II of FIG. 3 shows the intensity cutting level.

상기 노광 공정 결과, 도 4에 도시된 바와 같이, 전기장 및 강도를 가짐으로써, 웨이퍼(400)에는 위상반전용 마스크(220)의 패턴 간격인 제 1간격(D1)보다 1/2배 작은 제 2간격(D2)의 미세 패턴(402)이 형성된다.As a result of the exposure process, as shown in FIG. 4, by having an electric field and an intensity, the wafer 400 has a second half smaller than the first interval D1, which is a pattern interval of the phase shift mask 220. Fine patterns 402 of the interval D2 are formed.

본 발명의 다른 실시예에서는 투과도를 동일하게 하고 위상반전 원리를 이용하여 웨이퍼 상에 미세 패턴을 만든다. 즉, 웨이퍼 상에 마스크 기판 상의 패턴 간격인 제 1간격보다 1/2배 작은 제 2간격의 미세 패턴을 형성함으로써, 결과적으로는 웨이퍼 상의 패턴 수를 마스크 기판 상에서의 그것보다 2배 형성할 수 있다. 또한 마스크 상에서 패턴 크기가 크기 때문에 마스크 에러를 줄일 수 있다. In another embodiment of the present invention, a fine pattern is made on the wafer by using the same transmittance and using the phase inversion principle. That is, by forming a fine pattern of the second interval that is 1/2 times smaller than the first interval, which is the pattern interval on the mask substrate, on the wafer, as a result, the number of patterns on the wafer can be twice as large as that on the mask substrate. . In addition, the mask error can be reduced because of the large pattern size on the mask.

도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 미세 패턴을 형성하는 방법으로서, 트렌치 타입 마스크를 적용한 것을 보인 공정단면도이다. 5A to 5C are cross-sectional views illustrating a method of forming a fine pattern according to still another embodiment of the present invention and applying a trench type mask.                     

또한, 도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 의해 제작된 마스크 기판을 이용하여 노광 공정을 실시할 경우 전기장 및 에너지 강도를 나타낸 그래프이다.6 is a graph showing an electric field and an energy intensity when an exposure process is performed using a mask substrate manufactured by another embodiment of the present invention.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 미세 패턴 형성 방법은, 도 5a에 도시된 바와 같이, 석영 마스크 기판(300)에 감광막 패턴(미도시)을 이용하여 제 1간격(D1)을 가진 트렌치(301)를 형성한다. 이때, 상기 트렌치(301)는 상기 마스크 기판을 λ/2만큼 식각하여 형성한다.In the method of forming a fine pattern according to another exemplary embodiment of the present invention, as illustrated in FIG. 5A, a trench 301 having a first interval D1 is formed on the quartz mask substrate 300 using a photoresist pattern (not shown). ). In this case, the trench 301 is formed by etching the mask substrate by λ / 2.

이어서, 도 5b에 도시된 바와 같이, 상기 트렌치(301)를 포함한 마스크 기판 전면에 스퍼터링 방법에 의해 크롬막(미도시)을 형성한 후, 상기 크롬막을 식각하여 트렌치(301) 측벽에 크롬막 스페이서(303)를 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 5B, after forming a chromium film (not shown) on the entire surface of the mask substrate including the trench 301 by a sputtering method, the chromium film is etched to form a chrome film spacer on the sidewall of the trench 301. 303 is formed.

그런 다음, 상기 구조의 마스크 기판 전면에 투과도를 제어할 수 있는 필름(305)을 증착하여 트렌치 타입 마스크(305) 제작을 완료한다. 이때, 상기 투과도 제어 필름(305)은 20∼100% 의 광투과율을 가진다.Thereafter, a film 305 capable of controlling transmittance is deposited on the entire surface of the mask substrate of the structure to complete the preparation of the trench type mask 305. In this case, the transmittance control film 305 has a light transmittance of 20 to 100%.

이 후, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 구조의 트렌치 타입 마스크(320)을 이용하여 웨이퍼(미도시)에 노광 공정을 실시한다. 이때, 상기 노광 공정 시, 노광 광원으로는 248nm(KrF) 또는 193nm(ArF) 파장을 이용한다. 또한, 도 6의 점선 부분(Ⅲ)은 강도 컷팅 레벨을 도시한 것이다.Thereafter, as illustrated in FIG. 6, an exposure process is performed on a wafer (not shown) using the trench type mask 320 having the above structure. In this case, a wavelength of 248 nm (KrF) or 193 nm (ArF) is used as the exposure light source in the exposure process. In addition, the dotted part III of FIG. 6 shows the intensity cutting level.

상기 노광 공정 결과, 전기장 및 강도를 가짐으로써, 웨이퍼에는 마스크 기판의 패턴 간격인 제 1간격보다 1/2배보다도 훨씬 작은 제 2간격의 미세 패턴이 형성된다.As a result of the exposure process, by having an electric field and an intensity | strength, the fine pattern of the 2nd space | interval much smaller than 1/2 times than the 1st space | interval which is the pattern space | interval of the mask substrate is formed.

본 발명의 또 다른 실시예에서는 에너지 영역 마진을 증가시키는 방안으로 금속 스페이서를 사용함으로써, 웨이퍼 상의 패턴 수를 마스크 기판 상에서의 그것보다 2배 형성할 수 있다. In another embodiment of the present invention, by using metal spacers as a way to increase the energy region margin, the number of patterns on the wafer can be formed twice as much as that on the mask substrate.

본 발명에 따르면, 위상반전 원리를 이용하여 마스크 상에서의 n(≥1)개의 패턴을 이용하여 웨이퍼 상에서 2n개의 패턴을 형성함으로서, 미세 패턴 구현이 가능하다. According to the present invention, fine patterns can be realized by forming 2n patterns on a wafer using n (≥1) patterns on a mask using a phase inversion principle.

이상에서와 같이, 본 발명은 상전이 원리를 이용하여 마스크 상에서의 1개의 패턴으로 웨이퍼 상에서는 2개의 패턴을 형성함으로써, 미세 패턴 구현이 가능하다. 또한, 마스크 에러를 감소시키고 필드 균일도를 개선할 수 있다. As described above, according to the present invention, by forming two patterns on a wafer in one pattern on a mask using a phase transition principle, fine patterns may be realized. It is also possible to reduce mask errors and improve field uniformity.

기타, 본 발명은 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다. In addition, this invention can be implemented in various changes within the range which does not deviate from the summary.

Claims (6)

석영 재질의 마스크 기판을 제공하는 단계와,Providing a mask substrate of quartz material, 상기 기판에 제 1간격을 가진 트렌치를 형성하는 단계와,Forming a trench having a first gap in the substrate; 상기 결과의 기판 전면에 투과도 제어 필름을 형성하여 트렌치 타입 마스크를 제작하는 단계와,Forming a trench type mask by forming a transmittance control film on the entire surface of the resultant substrate, 상기 트렌치 타입 마스크를 이용하여 웨이퍼 상에 노광 공정을 진행하여 상기 제 1간격보다 1/2배 작은 제 2간격을 가진 미세 패턴을 형성하는 단계를 포함한 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성 방법.And forming a fine pattern having a second interval 1/2 times smaller than the first interval by performing an exposure process on the wafer using the trench type mask. 제 1항에 있어서, 상기 트렌치를 형성한 다음, The method of claim 1, wherein after forming the trench, 상기 트렌치를 포함한 기판 전면에 크롬막을 형성하는 단계와,Forming a chromium film on the entire surface of the substrate including the trench; 상기 크롬막을 식각하여 상기 트렌치 측벽에 크롬막 스페이서를 형성하는 단계를 추가하는 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성 방법.And etching the chrome film to form a chrome film spacer on the sidewalls of the trench. 제 1항에 있어서, 상기 트렌치 형성은 상기 마스크 기판을 λ/2만큼 식각하는 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성 방법.The method of claim 1, wherein the trench is formed by etching the mask substrate by λ / 2. 제 1항에 있어서, 상기 노광 공정은 248nm(KrF) 및 193nm(ArF) 파장을 가진광원을 이용하는 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성 방법.The method of claim 1, wherein the exposure process uses light sources having wavelengths of 248 nm (KrF) and 193 nm (ArF). 석영 재질의 마스크 기판을 제공하는 단계와,Providing a mask substrate of quartz material, 상기 기판 상에 제 1간격을 가진 크롬막 패턴을 형성하는 단계와,Forming a chromium film pattern having a first interval on the substrate; 상기 크롬막 패턴을 포함한 기판 전면에 투과도 제어 필름을 형성하여 위상반전 마스크를 제작하는 단계와,Manufacturing a phase shift mask by forming a transmittance control film on the entire surface of the substrate including the chromium film pattern; 상기 위상 반전 마스크를 이용하여 웨이퍼 상에 노광 공정을 진행하여 상기 제 1간격보다 1/2배 작은 제 2간격을 가진 미세 패턴을 형성하는 단계를 포함한 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성 방법.And forming a fine pattern having a second interval 1/2 times smaller than the first interval by performing an exposure process on the wafer using the phase reversal mask. 제 5항에 있어서, 상기 노광 공정은 248nm(KrF) 및 193nm(ArF) 파장을 가진광원을 이용하는 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성 방법.The method of claim 5, wherein the exposure process uses a light source having wavelengths of 248 nm (KrF) and 193 nm (ArF).
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100919447B1 (en) * 2008-12-22 2009-09-29 (주)티에스티아이테크 Manufacturing method of light guiding plate

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010056113A (en) * 1999-12-14 2001-07-04 박종섭 Method for fabricating phase shift mask
KR20020014072A (en) * 2000-08-16 2002-02-25 윤종용 A blank mask for fabrication of alternating phase shift mask
KR20020017847A (en) * 2000-08-31 2002-03-07 박종섭 A method for forming a phase shift mask
KR20020045267A (en) * 2000-12-08 2002-06-19 박종섭 Method of forming a mask for in a semiconductor device
JP2003075986A (en) * 2001-09-07 2003-03-12 Toppan Printing Co Ltd Method for producing levenson type phase shift mask

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010056113A (en) * 1999-12-14 2001-07-04 박종섭 Method for fabricating phase shift mask
KR20020014072A (en) * 2000-08-16 2002-02-25 윤종용 A blank mask for fabrication of alternating phase shift mask
KR20020017847A (en) * 2000-08-31 2002-03-07 박종섭 A method for forming a phase shift mask
KR20020045267A (en) * 2000-12-08 2002-06-19 박종섭 Method of forming a mask for in a semiconductor device
JP2003075986A (en) * 2001-09-07 2003-03-12 Toppan Printing Co Ltd Method for producing levenson type phase shift mask

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