KR100858359B1 - Manufacturing method of vertically structured gan led device - Google Patents
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Abstract
Description
도 1 및 도 2는 종래 수직구조 질화갈륨계 LED 소자의 제조방법을 설명하기 위한 공정 단면도,1 and 2 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a conventional vertical structure gallium nitride based LED device;
도 3 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 수직구조 질화갈륨계 LED소자의 제조방법을 설명하기 위한 각 단계별 공정 단면도이다.3 to 6 are cross-sectional views of steps for explaining a method of manufacturing a vertical gallium nitride-based LED device according to an embodiment of the present invention.
*** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ****** Explanation of symbols for the main parts of the drawing ***
100: 사파이어기판 200: LED 구조물100: sapphire substrate 200: LED structure
210: N형 질화갈륨층 220: 활성층210: N-type gallium nitride layer 220: active layer
230: P형 질화갈륨층 240: P형 전극 및 반사층230: P-type gallium nitride layer 240: P-type electrode and reflective layer
250: N형 전극 300: 마스크250: N-type electrode 300: mask
400a, 400b: 금속 구조지지층400a, 400b: metal structure support layer
본 발명은 수직구조를 갖는 질화갈륨계 LED소자의 제조방법에 관한 것으로, 특히 발광다이오드 소자의 제조공정 및 최종 패키징 공정시 발생할 수 있는 외부의 충격에 의해 소자가 손상을 받지 않도록 소자의 형태를 유지하는 금속 구조지지층이 형성된 수직구조 질화갈륨계 LED소자의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a gallium nitride-based LED device having a vertical structure, in particular, to maintain the shape of the device so that the device is not damaged by external impact that may occur during the manufacturing process and final packaging process of the light emitting diode device The present invention relates to a method of manufacturing a vertical gallium nitride based LED device having a metal structure supporting layer.
일반적으로, 질화갈륨(GaN)계 발광다이오드(light emitting diode; LED)는 사파이어기판 위에 성장시켜 제조하지만, 사파이어기판은 단단하고 전기적으로 부도체이며, 열전도 특성이 좋지 않아 질화갈륨계 LED의 크기를 줄여 제조원가를 절감하거나, 광출력, ESD(electrostatic discharge)같은 칩의 특성을 개선시키는데는 한계가 있다. 특히, LED의 고출력화를 구현하기 위해서는 대 전류의 인가가 필수적이므로 LED의 열방출 특성을 개선시키는 것이 무엇보다도 중요한 것이다. 이러한 문제를 해결하기 위한 수단으로, 종래에는 레이저 리프트 오프(laser lift-off; LLO)나 케미컬 리프트 오프(chemical lift-off; CLO)를 이용하여 사파이어기판을 제거하는 공정이 알려져 있다.In general, gallium nitride (GaN) light emitting diodes (LEDs) are manufactured by growing on sapphire substrates, but sapphire substrates are hard and electrically insulators and have poor thermal conductivity, thereby reducing the size of gallium nitride-based LEDs. There are limitations in reducing manufacturing costs or improving chip characteristics such as light output and electrostatic discharge (ESD). In particular, in order to realize high output power of the LED, the application of a large current is essential, so it is important to improve the heat emission characteristics of the LED. As a means for solving such a problem, a process of removing a sapphire substrate using a laser lift-off (LLO) or a chemical lift-off (CLO) is known.
도 1 및 도 2는 종래 수직구조 질화갈륨계 LED 소자의 제조방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.1 and 2 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a conventional vertical gallium nitride based LED device.
도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 종래 수직구조 질화갈륨계 LED 소자의 제조방법에 따르면, 사파이어기판(10)상에 N형 질화갈륨층(20), 활성층(30), P형 질 화갈륨층(40)을 순차적으로 적층하고, P형 질화갈륨층(40) 위에 P형 전극 및 반사층(50)을 형성한 후, 금속 구조지지층(60)을 형성한다. 다음으로, 상기한 LLO나 CLO 공정을 수행하여 사파이어기판(10)을 제거한 후에, 도 2에 도시한 바와 같이 N형 질화갈륨층(20) 상에 N형 전극(70)을 형성한 다음, 다이싱(dicing)이나 레이저 스크라이빙(laser scribing)와 같은 분리공정을 수행하여 각각의 질화갈륨계 LED 소자를 분리한다.As shown in FIGS. 1 and 2, according to the manufacturing method of a conventional vertical structure gallium nitride-based LED device, an N-type
그러나, 종래 수직구조 질화갈륨계 LED 소자의 제조방법은 상기한 바와 같이, 분리공정을 수행할 때에 금속 구조지지층의 휘말림 현상 등이 나타나게 되어 소자의 특성에 심각한 악영향을 주는 이를테면, P-N 접합영역이 단락되는 문제점으로 인해 수율 저하를 야기하게 된다.However, in the conventional method of manufacturing a vertically structured gallium nitride-based LED device, as described above, when the separation process is performed, the phenomenon of curling of the metal structure support layer may occur, such as a PN junction region, which seriously affects the characteristics of the device. The short circuiting problem may result in a decrease in yield.
이를 해결하기 위한 수단으로, "사파이어 기판상에 N형 질화갈륨층, 활성층, P형 질화갈륨층을 순차적으로 형성하고 그 위에 p형 전극을 형성하여 질화갈륨계 LED구조물을 형성하는 단계; 상기 질화갈륨계 LED 구조물 상에 소정의 두께로 패터닝된 금속 구조지지층을 형성하는 단계; 및 상기 패터닝된 금속 구조지지층을 마스크로하여 상기 질화갈륨계 LED 구조물을 각 단위 칩으로 식각하는 단계를 포함하여 이루어짐으로써, 상기한 분리공정시 금속 구조지지층을 분리할 필요가 없어서 휘말림 현상이 근본적으로 해소되도록 한 수직구조 질화갈륨계 LED 소자의 제조방법"이 한국등록특허 제631129호(이하 '인용발명')에 제안되어 있다.As a means to solve this problem, "the step of forming a gallium nitride-based LED structure by sequentially forming an N-type gallium nitride layer, an active layer, a P-type gallium nitride layer on the sapphire substrate and a p-type electrode thereon; Forming a patterned metal structure support layer with a predetermined thickness on the gallium-based LED structure, and etching the gallium nitride-based LED structure with each unit chip using the patterned metal structure support layer as a mask. In the above separation process, there is no need to separate the metal structure support layer so that the curling phenomenon is fundamentally eliminated. A method of manufacturing a vertical gallium nitride based LED device is disclosed in Korean Patent No. 631129 (hereinafter referred to as 'quoting invention'). It is proposed.
특히, 인용발명에서 제시한 금속 구조지지층의 형성 방법은 LED 구조물 위에 마스크패턴을 형성하고, 이를 이용하여 LED 구조물 상에 금속을 소정 두께만큼 도 금하는 것이다. 이를 보다 구체적으로 설명하자면, LED구조물 위에 폴리머(ploymer) 계열의 재질 이를테면, 포토레지스트(photo resist)를 도포하고 이 위에 격자 형상의 패턴이 그려진 마스크를 올린 다음 빛을 쪼여준 후, 빛을 받은 혹은 받지 않은 포토레지스트를 식각하여 마스크패턴을 LED 구조물 위해 형성시키고 그 다음으로, 이 마스크패턴에 금속을 도금하여 패터닝된 금속 구조지지층을 형성한다는 것이다.In particular, the method of forming the metal structure support layer proposed in the present invention is to form a mask pattern on the LED structure, and to use it to plate the metal on the LED structure by a predetermined thickness. In more detail, a polymer-based material such as a photoresist is applied on an LED structure, a mask having a lattice-shaped pattern is placed thereon, and then irradiated with light. The photoresist that is not received is etched to form a mask pattern for the LED structure, and then metal is plated on the mask pattern to form a patterned metal structure support layer.
그러나, 이러한 금속 구조지지층의 형성 방법에 따르면, 전해도금, 무전해도금, 전자선증착(e-beam evaporator), 스퍼터링(sputtering)이나 화학기상증착(CVD) 등과 같이 작업시 주의와 긴 시간을 요하는 도금 공정이 필수적인바, 전체적으로 LED 소자의 제조 공정이 복잡해지고 소요되는 시간이 오래 걸린다는 문제점이 있었다. 다시 말해서, 휘말림 현상의 방지로 인해 비록 수율은 좋아질지언정, 생산 효율적인 면에서는 크게 반하는 결과를 초래한다는 것이다.However, according to the method of forming the metal structure support layer, attention and long time are required during operation such as electroplating, electroless plating, e-beam evaporator, sputtering or chemical vapor deposition (CVD). Since the plating process is essential, there is a problem that the overall manufacturing process of the LED device is complicated and takes a long time. In other words, although the yield will be improved due to the prevention of warpage, the result will be very contrary in terms of production efficiency.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, LED 구조물 상에 형성된 마스크패턴 위에 솔더페이스트를 프린팅한 후 이 솔더페이스트를 열처리를 함으로써 패터닝된 금속 구조지지층을 도금 공정 없이 손쉽게 얻고, 이에 따라 수율뿐만 아니라 생산성까지 향상되도록 하는 수직구조 질화갈륨계 LED소자의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above-described problems, by printing a solder paste on the mask pattern formed on the LED structure and then heat-treating the solder paste to easily obtain a patterned metal structure support layer without a plating process, and thus yield In addition, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a vertical gallium nitride-based LED device to improve the productivity.
이에 더해, 본 발명은 미리 제작해 둔 금속마스크를 LED 구조물에 올리고 이 위에 솔더페이스트를 프린팅한 다음, 마스크를 제거한 후 솔더페이스트를 열처리함 으로써, 패터닝된 금속 구조지지층이 보다 손쉽게 얻어지고 나아가, LED 구조물상에 직접적으로 마스크패턴을 형성할 필요가 없어지며 이에 별도의 마스크패턴 식각 공정이 필요 없어짐에 따라 생산성이 한층 더 높아지도록 하는 수직구조 질화갈륨계 LED소자의 제조방법을 제공하는데 다른 목적이 있다.In addition, according to the present invention, a patterned metal structure support layer is more easily obtained by placing a pre-fabricated metal mask on the LED structure, printing a solder paste thereon, removing the mask, and then heat treating the solder paste. Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a vertical gallium nitride-based LED device, in which a mask pattern does not need to be directly formed on a structure, and thus a separate mask pattern etching process is not required. .
전술한 목적을 달성하기 위해 본 발명의 일 실시예에 따른 수직구조를 갖는 질화갈륨계 LED소자의 제조방법은 사파이어기판상에 N형 질화갈륨층, 활성층, 및 P형 질화갈륨층이 포함된 질화갈륨계 발광다이오드 구조물을 형성하는 (a) 단계; 상기 (a) 단계에서 형성된 질화갈륨계 발광다이오드 구조물상에 미리 정해진 패턴으로 제작된 마스크를 적재한 후, 솔더페이스트를 도포하는 (b) 단계; 상기 마스크를 제거한 후, 상기 도포된 솔더페이스트를 열처리하여 상기 마스크에 의한 패턴을 갖는 금속 구조지지층을 형성하는 (c) 단계; 및 상기 사파이어기판을 제거한 후, 상기 사파이어기판이 제거된 질화갈륨계 발광다이오드 구조물상에 전극을 형성하는 (d) 단계를 포함하여 이루어진 수직구조를 갖는 질화갈륨계 LED 소자의 제조방법을 제공한다.In order to achieve the above object, a method of manufacturing a gallium nitride-based LED device having a vertical structure according to an embodiment of the present invention is an nitride containing an N-type gallium nitride layer, an active layer, and a P-type gallium nitride layer on a sapphire substrate (A) forming a gallium-based light emitting diode structure; (B) applying a solder paste after loading a mask fabricated in a predetermined pattern on the gallium nitride-based light emitting diode structure formed in step (a); Removing the mask and then heat treating the applied solder paste to form a metal structure support layer having a pattern by the mask; And (d) forming an electrode on the gallium nitride-based light emitting diode structure from which the sapphire substrate is removed after removing the sapphire substrate, thereby providing a method of manufacturing a gallium nitride-based LED device having a vertical structure.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 수직구조를 갖는 질화갈륨계 LED소자의 제조방법은 사파이어기판상에 N형 질화갈륨층, 활성층, 및 P형 질화갈륨층이 포함된 질화갈륨계 발광다이오드 구조물을 형성하는 (a) 단계; 상기 (a) 단계에서 형성된 질화갈륨계 발광다이오드 구조물상에 마스크 패턴을 형성한 후, 솔더페이스트를 도포하는 (b) 단계; 상기 도포된 솔더페이스트를 열처리한 다음, 상기 마스크를 제 거하여 상기 마스크에 의한 패턴을 갖는 금속 구조지지층을 형성하는 (c) 단계; 및 상기 사파이어기판을 제거한 후, 상기 사파이어기판이 제거된 질화갈륨계 발광다이오드 구조물상에 전극을 형성하는 (d) 단계를 포함하여 이루어진 수직구조를 갖는 질화갈륨계 LED 소자의 제조방법을 제공한다.In addition, according to another embodiment of the present invention, a method of manufacturing a gallium nitride based LED device has a gallium nitride based light emitting diode structure including an N type gallium nitride layer, an active layer, and a P type gallium nitride layer on a sapphire substrate. (A) forming a; (B) applying a solder paste after forming a mask pattern on the gallium nitride-based light emitting diode structure formed in step (a); Heat treating the applied solder paste, and then removing the mask to form a metal structure support layer having a pattern by the mask; And (d) forming an electrode on the gallium nitride-based light emitting diode structure from which the sapphire substrate is removed after removing the sapphire substrate, thereby providing a method of manufacturing a gallium nitride-based LED device having a vertical structure.
전술한 단계에서, 상기 (c) 단계에서의 열처리는 리플로우(reflow) 공정에 의해 수행되는 것이 바람직하다.In the above step, the heat treatment in the step (c) is preferably carried out by a reflow process.
또한, 상기 (b) 단계는 상기 마스크의 두께나 패턴 크기를 조절하여, 도포되는 솔더페이스트의 양을 조절하는 것이 바람직하다.In addition, in the step (b), it is preferable to adjust the thickness or pattern size of the mask to adjust the amount of solder paste to be applied.
또한, 상기 (d) 단계에서 사파이어기판은 레이저 리프트 오프 또는 케미컬 리프트 오프 공정으로 제거되는 것이 바람직하다.In addition, in step (d), the sapphire substrate is preferably removed by a laser lift-off or chemical lift-off process.
이하에는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 수직구조를 갖는 질화갈륨계 LED소자의 제조방법에 대해서 상세하게 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a gallium nitride-based LED device having a vertical structure according to a preferred embodiment of the present invention with reference to the accompanying drawings will be described in detail.
도 3 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 수직구조 질화갈륨계 LED소자의 제조방법을 설명하기 위한 각 단계별 공정 단면도이다.3 to 6 are cross-sectional views of steps for explaining a method of manufacturing a vertical gallium nitride-based LED device according to an embodiment of the present invention.
도 3에 도시한 바와 같이, 먼저 사파이어기판(100)상에 N형 질화갈륨층(210), 활성층(220), P형 질화갈륨층(230), P형 전극 및 반사층(240)을 포함하여 이루어진 질화갈륨계 LED 구조물(200)을 형성하고, 이 위에 소정의 패턴을 갖는 마스크(300)를 형성하게 된다.As shown in FIG. 3, first, an N-type
전술한 공정에서, 마스크패턴의 형성은 미리 정해진 패턴으로 제작된 금속마스크를 적재하는 방법(이하 금속마스크 형성방법)이 바람직하다. 그러나, LED구조 물(200) 위에 폴리머(ploymer) 계열의 재질 이를테면, 포토레지스트(photo resist)를 도포하고 이 위에 격자 형상의 패턴이 그려진 마스크를 올린 다음 빛을 쪼여준 후, 빛을 받은 혹은 받지 않은 포토레지스트를 식각하는 방법(이하, 폴리머마스크 형성방법)도 가능할 것이다.In the above-described process, the mask pattern is preferably formed by loading a metal mask fabricated in a predetermined pattern (hereinafter, referred to as a metal mask formation method). However, a polymer-based material such as a photoresist is applied on the
다음으로, LED 구조물(200)상에 형성된 마스크(300) 위에 솔더페이스트(solder paste)(400a)를 도포하게 되는데, 이때 앞 공정에서 마스크(300)의 두께나 패턴의 크기를 조절함으로써, 원하는 만큼의 솔더페이스트 도포가 가능할 것이다. Next, a
다음으로, 도포된 솔더페이스트를 열처리하는 공정이 수행될 것인바, 이때 상기한 금속마스크 형성방법이 이용되는 경우에는 적재된 마스크(300)를 제거한 후, 이를 리플로우(reflow) 설비에 태우게 된다. 이렇게 되면, 도 5에 도시한 바와 같이 도포된 솔더페이스트가 열처리 즉, 녹았다가 굳어지게 되면서 질화갈륨계 LED 구조물(200)에 접합되고 이에 따라, 볼록한 모양의 금속 구조지지층(400b)이 완성되는 것이다. Next, a process of heat-treating the applied solder paste will be performed. In this case, when the metal mask forming method is used, the loaded
반면, 상기한 폴리머마스크 형성방법이 이용되는 경우에는 LED 구조물(200)상에 형성된 마스크(300)를 제거하지 않고 바로, 리플로우(reflow) 설비에 태운 다음, 마스크(300)를 다시 아세톤 등의 용액을 사용하여 제거하게 된다. 이렇게 되면, 도 4에 도시한 바와 같이, 도포된 솔더페이스트가 열처리 즉, 녹았다가 굳어지게 되면서 질화갈륨계 LED 구조물(200)에 접합되고 이에 따라, 솔더페이스트 도포시의 격자 모양 그대로 금속 구조지지층(400a)이 완성되는 것이다.On the other hand, in the case where the above-described polymer mask forming method is used, the
즉, 상기한 인용발명에서와 같이 복잡하고 많은 시간이 요하는 공정 대신, 솔더페이스트를 도포하고 열처리하는 것만으로 금속 구조지지층을 쉽게 얻을 수 있는 것이다. 특히, 상기한 금속마스크 형성방법을 이용하게 되면 마스크패턴의 식각공정과 마스크패턴을 LED구조물 위에 형성하기 위한 노광 설비가 더더욱 필요 없게 되어 한층 더 공정이 쉬어지는 것이다.That is, instead of the complicated and time-consuming process as in the above-mentioned cited invention, the metal structure support layer can be easily obtained only by applying a solder paste and heat treatment. In particular, when the above-described metal mask forming method is used, the etching process of the mask pattern and the exposure equipment for forming the mask pattern on the LED structure are no longer necessary, thereby further facilitating the process.
다음으로, 사파이어기판(100)을 레이저 리프트 오프(LLO)나 케미컬 리프트 오프(CLO) 공정을 이용하여 제거한 후, 도 6에 도시한 바와 같이 N형 질화갈륨층(210)상에 N형 전극(250)을 형성하게 된다. 다음으로, 패터닝(patterning)된 금속 구조지지층(400a, 400b)을 식각 마스크로 활용하여, 금속 구조지지층(400a, 400b) 하부에 형성되어 있는 질화갈륨계 LED 구조물(200)을 각각의 LED 소자로 분리하게 된다. 여기서, 금속 구조지지층(400a, 400b)은 이미 분리되어 있으므로, 다이싱 공정이나 레이저 스크라이빙 공정을 하지 않고 바로, 칩 분리가 가능한 것이다.Next, after the
한편, 금속 구조지지층(400a, 400b)은 발광다이오드 소자의 제조공정 및 최종 패키징 공정시 발생할 수 있는 외부의 충격에 의해 소자가 손상을 받지 않도록 소자의 형태를 유지하는 기능을 수행하는 것인바, 이를 형성하는데 사용되는 솔더페이스트는 Au-Sn, Sn-Sb, Sn-Ag, Sn-Cu, Bi-Sb, Sn-Cu-Sb, Sn-Bi, Sn-Ag-Cu, Sn-Ag-Cu-Bi, Sn-Ag-Cu-In, Sn-Ag-Bi, Sn-Ag-Bi-In, Sn-Zn-In, Sn-Zn-Bi, Sn-Ag-Cu-Sb, In-Ga, Sn-In-Ga, Sn-Pb, Sn-Pb-Ag, 또는 Sn-Pb-Bi 등의 합금으로 구성된 솔더를 사용할 수 있다.On the other hand, the metal structure support layer (400a, 400b) is to perform the function of maintaining the shape of the device so that the device is not damaged by external shock that may occur during the manufacturing process and final packaging process of the light emitting diode device, Solder pastes used to form are Au-Sn, Sn-Sb, Sn-Ag, Sn-Cu, Bi-Sb, Sn-Cu-Sb, Sn-Bi, Sn-Ag-Cu, Sn-Ag-Cu-Bi , Sn-Ag-Cu-In, Sn-Ag-Bi, Sn-Ag-Bi-In, Sn-Zn-In, Sn-Zn-Bi, Sn-Ag-Cu-Sb, In-Ga, Sn-In A solder composed of an alloy such as -Ga, Sn-Pb, Sn-Pb-Ag, or Sn-Pb-Bi can be used.
또한, 금속 구조지지층(400a, 400b)의 두께가 10㎛ 미만이게 되면 소자의 형태를 유지할 수 있는 기능을 가지기 어렵고, 상기 금속 구조지지층(400a, 400b)의 하부에 형성될 수 있는 다른 전도성 물질과 질화갈륨계 LED 구조물(200)이 서로 쇼트(short)될 수 있다. 반면에, 금속 구조지지층(400a, 400b)의 두께가 200㎛ 이상이게 되면 LED 소자가 너무 커지게 된다. 따라서, 금속 구조지지층(400a, 400b)의 두께는 10㎛ 내지 200㎛인 것이 바람직하다.In addition, when the thickness of the metal
이상으로, 본 발명의 수직구조를 가지는 질화갈륨계 반도체 발광소자의 제조 방법으로 금속 지지층을 형성하게 되면 소자를 분리하는 공정이 아주 용이하고, 기존의 공정에서 실시되었던 다이싱, 레이저 스크라이빙 공정에서 발생했던 금속 구조지지층의 연성에 의한 휘말림 현상이 근본적으로 제거되어 수율 및 소자 특성이 향상되는 것이다.As described above, when the metal support layer is formed by the method of manufacturing the gallium nitride-based semiconductor light emitting device having the vertical structure of the present invention, the process of separating the devices is very easy, and the dicing and laser scribing processes that have been performed in the conventional process are performed. Curvature phenomenon caused by the ductility of the metal structure support layer, which is generated in the step is essentially eliminated to improve the yield and device characteristics.
본 발명의 수직구조를 갖는 질화갈륨계 LED소자의 제조방법은 전술한 실시 예에 국한되지 않고 본 발명의 기술 사상이 허용하는 범위에서 다양하게 변형하여 실시할 수가 있다.The manufacturing method of the gallium nitride-based LED device having a vertical structure of the present invention is not limited to the above-described embodiment can be carried out in various modifications within the range allowed by the technical idea of the present invention.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명의 수직구조를 갖는 질화갈륨계 LED소자의 제조방법에 따르면, LED 구조물 상에 형성된 마스크패턴 위에 솔더페이스트를 프린팅한 후 이 솔더페이스트를 열처리를 함으로써 패터닝된 금속 구조지지층을 도금 공정 없이 손쉽게 얻고, 이에 따라 수율뿐만 아니라 생산성까지 향상되는 효과가 있다. According to the manufacturing method of the gallium nitride-based LED device having a vertical structure of the present invention as described above, after printing the solder paste on the mask pattern formed on the LED structure, the patterned metal structure support layer by heat treatment Easily obtained without a plating process, thereby improving productivity as well as yield.
나아가, 마스크패턴의 형성을 미리 정해진 패턴으로 제작된 금속마스크를 적재하는 방법으로 사용함으로써, 패터닝된 금속 구조지지층이 보다 손쉽게 얻어지고 나아가, LED 구조물상에 직접적으로 마스크패턴을 형성할 필요가 없어지며 이에 별도의 마스크패턴 식각 공정이 필요 없어짐에 따라 생산성이 한층 더 높아지는 효과가 있다.Furthermore, by using the formation of the mask pattern as a method of loading a metal mask fabricated in a predetermined pattern, the patterned metal structure support layer is more easily obtained, and furthermore, there is no need to form the mask pattern directly on the LED structure. This eliminates the need for a separate mask pattern etching process, which further increases productivity.
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