KR100847760B1 - Memory device and method for controlling the same - Google Patents

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Abstract

반도체 메모리의 센스앰프 오버드라이빙 과정에서 온도 및 공급 전압등에 최적화되어 미리 기억된 오버드라이빙 펄스를 이용하여 센싱앰프를 동작시킴으로서 전류소모를 최적화할 수 있는 오버드라이버를 가지는 반도체 장치 및 그 구동방법을 제공하기 위한 것으로 이를 위한 본 발명은 메모리 소자의 온도 및 전압을 포함하는 동작 조건에 따른 최적화된 다수의 오버드라이빙 펄스 폭을 저장한 저장부와, 상기 저장부의 오버드라이빙 펄스폭 중 하나를 결정하는 스위치부와, 상기 스위치부에서 결정된 오버드라이빙 펄스를 입력받아 센스 앰프를 구동하는 센스 앰프 오버 드라이버를 포함하는 메모리 소자롤 이루어진다. 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 메모리 소자의 온도 및 전압을 포함하는 동작 조건에 따른 최적화된 다수의 오버드라이빙 펄스 폭을 저장한 저장부와, 상기 저장부의 오버드라이빙 펄스폭 중 하나를 결정하는 스위치부와, 상기 스위치부에서 결정된 오버드라이빙 펄스를 입력받아 센스 앰프를 구동하는 센스 앰프 오버 드라이버를 포함하는 메모리 소자롤 이루어진다. 또한 본 발명은 온도 및 전압을 포함하는 동작조건에 맞는 다수개의 오버드라이빙 펄스를 저장하는 단계; 상기 온도 및 전압을 포함하는 조건을 감지하는 단계;상기 감지된 조건에 맞는 상기 저장된 오버드라이빙 펄스를 선택하는 단계; 및 상기 선택된 펄스를 이용하여 센스 앰프 드라이버를 구동시키는 단계를 포함하는 메모리 소자의 구동방법으로 이루어진다.
To provide a semiconductor device having an overdriver capable of optimizing current consumption by operating a sensing amplifier using an overdriving pulse which is optimized for temperature and supply voltage in the process of overdriving a sense memory of a semiconductor memory, and a method of driving the same. According to the present invention, a storage unit stores a plurality of optimized overdriving pulse widths according to operating conditions including a temperature and a voltage of a memory device, a switch unit determining one of the overdriving pulse widths of the storage unit; The memory device includes a sense amplifier over-driver for driving a sense amplifier by receiving the overdriving pulse determined by the switch unit. In order to achieve the above object, the present invention provides a method for determining one of a storage unit storing a plurality of optimized overdriving pulse widths according to operating conditions including a temperature and a voltage of a memory device, and an overdriving pulse width of the storage unit. The memory device includes a switch unit and a sense amplifier over driver configured to drive the sense amplifier by receiving the overdriving pulse determined by the switch unit. In addition, the present invention comprises the steps of storing a plurality of overdriving pulses for the operating conditions including temperature and voltage; Detecting a condition comprising the temperature and voltage; selecting the stored overdriving pulse that matches the detected condition; And driving a sense amplifier driver using the selected pulse.

메모리, 센스앰프, 오버드라이버, 전류, 전원Memory, Sense Amplifiers, Overdriver, Current, Power

Description

메모리 장치 및 구동방법{Memory device and method for controlling the same} Memory device and method for controlling the same             

도1은 종래의 센스 앰프 오버 드라이빙 방법을 나타내는 블럭도.1 is a block diagram showing a conventional sense amplifier overdriving method.

도2는 종래의 센스 앰프 오버 드라이빙 방법에 따른 신호의 파형도.2 is a waveform diagram of a signal according to a conventional sense amplifier overdriving method.

도3은 본 발명의 일실시예에 따른 센스 앰프 오버 드라이빙을 구현한 블럭도.3 is a block diagram of implementing sense amplifier overdriving according to an embodiment of the present invention;

도4는 본 발명의 일실시예에 따른 센스 앰프 오버 드라이빙 방법을 나타내는 흐름도.4 is a flowchart illustrating a sense amplifier overdriving method according to an embodiment of the present invention.

도5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 센스 앰프 오버 드라이빙을 구현한 블럭도.Fig. 5 is a block diagram implementing sense amplifier overdriving according to a second embodiment of the present invention.

도6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 센스 앰프 오버 드라이빙 방법을 나타내는 흐름도.
6 is a flowchart showing a sense amplifier overdriving method according to a second embodiment of the present invention;

본 발명은 반도체 메모리 장치에 관한 것으로 특히 전류소모가 최적화 된 센스앰프의 오버드라이빙(Overdriving) 장치 및 그 구현 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor memory device, and more particularly, to an overdriving device of a sense amplifier optimized for current consumption and a method of implementing the same.

반도체가 고집적 및 저전력화 되면서 낮은 구동 전압과 고속화를 모두 보장하여야 한다. 구동 전압이 낮아지면서 메모리 소자의 센스 앰프 동작을 돕기 위한 여러가지 기술적 보완들이 있는데, 그중의 하나가 센스 앰프 오버드라이빙 방법이다.As semiconductors become highly integrated and low power, both low driving voltages and high speeds must be guaranteed. As the driving voltage decreases, there are various technical supplements to help the sense amplifier operation of the memory device. One of them is the sense amplifier overdriving method.

반도체 메모리의 센스 앰프는 기본적으로 비트라인 쌍의 전압차를 증폭하기 위한 것이다. 센스앰프는 비트라인의 전압차를 증폭함으로써 메로리 셀의 데이터 리드/라이드 (read/write) 동작과 데이터 리프레쉬 동작을 수행한다. 이와 같은 센스 앰프의 여러가지 동작은 별도로 마련된 센스앰프 제어 회로에 의해 제어된다.Sense amplifiers in semiconductor memories are primarily intended to amplify the voltage difference between pairs of bit lines. The sense amplifier amplifies the voltage difference between the bit lines to perform data read / write and data refresh operations of the memory cells. Various operations of such a sense amplifier are controlled by a sense amplifier control circuit provided separately.

종래의 센스 앰프에서 피모스트랜지스터(P-mos Transistor)는 엔모스트랜지스터(N-mos Transistor)에 비하여 상대적으로 작은 전류구동능력을 갖지만, 그 크기는 약 2배정도의 비율로 구성되어 있다. 그런데, 최근 디램등의 메모리의 용량이 커지면서 칩사이즈 문제가 대두됨에 따라, 센스 앰프를 구성하는 피모스트랜지스터의 크기가 거의 엔모스트랜지스터의 크기와 같은 정도롤 작아지게 되었다.In conventional sense amplifiers, the P-mos transistor has a relatively small current driving capability compared to the N-mos transistor, but the size of the P-mos transistor is about twice the ratio. However, in recent years, as the size of memory such as DRAM increases and the chip size problem arises, the size of the PMOS transistor constituting the sense amplifier becomes almost the same as the size of the NMOS transistor.

그 결과, 피모스트랜지스터의 데이터 구동능력이 약화되어 특히 센스앰프에서 하이쪽으로 비트라인 데이터의 증폭문제가 발생되고, 이 증폭문제를 해결하기 위해, 센스앰프의 인에이블시점에서 센싱데이터를 오버드라이빙하는 센스앰프의 오버드라이빙 방법이 사용되고 있다.As a result, the data driving capability of the PMOS transistor is weakened, causing a problem of amplifying the bit line data from the sense amplifier to the high side, and in order to solve the amplification problem, overdriving the sensing data at the time of enabling the sense amplifier. The overdriving method of the sense amplifier is used.

센스앰프 구성(over- driven sense amplifier scheme)에서 센스 앰프가 활성 화 될 때, 센스 앰프의 데이터 센싱 속도의 향상을 위해서, 먼저 외부전압(예컨대 Vext:3.3V)이 공급된 후, 축적된 전압을 유지하기 위하여 낮게 조정된 어래이 내부전압(예컨대 CVDD:2.2V)이 공급되도록 설계된다. 즉, 프리차지 전압에서 내부전압(CVDD)으로 풀업하는 동작에서 내부전원(CVDD, 예컨대 2.2V)이 낮아 프리 차지 전압과의 차이가 크지 않으므로 원하는 레벨(내부전원,CVDD)까지 상승하는데 많은 시간이 소요되게 된다. 이것을 극복하기 위하여 일정구간 동안은 외부전원(Vext:예컨대 3.3V)을 사용하는데 이를 오버드라이빙이라 한다.When the sense amplifier is activated in an over-driven sense amplifier scheme, in order to improve the data sensing speed of the sense amplifier, an external voltage (eg, Vext: 3.3V) is first supplied, and then the accumulated voltage is applied. It is designed to supply a low regulated array internal voltage (eg CVDD: 2.2V) to maintain. That is, in the operation of pulling up from the precharge voltage to the internal voltage (CVDD), since the internal power supply (CVDD, for example, 2.2V) is low, the difference from the precharge voltage is not large, so much time is required to rise to the desired level (internal power supply, CVDD). Will be taken. In order to overcome this, an external power supply (Vext: 3.3V) is used for a certain period, which is called overdriving.

도1은 종래의 센스 앰프 오버 드라이빙 방법을 나타내는 블럭도이다. 도1을 참조하여 설명하면, 센스앰프 오버드라이빙 장치는 비트라인(BL)과 비트라인바(/BL)의 전위차를 센싱(Sensing)하는 센스앰프(300)와, 오버드라이빙 구간에 전원을 공급하는 외부전원공급부(100)와, 오버드라이빙 구간 이후에 전원을 공급하는 내부전원공급부(200)와, 오버드라이빙 구간에 상승된 전압을 내부전원까지 낮추는 내부전원 안정화 회로(400)을 구비하여 구성된다.1 is a block diagram showing a conventional sense amplifier overdriving method. Referring to FIG. 1, the sense amplifier overdriving apparatus includes a sense amplifier 300 that senses a potential difference between a bit line BL and a bit line bar / BL, and supplies power to an overdriving period. And an external power supply unit 100, an internal power supply unit 200 for supplying power after the overdriving section, and an internal power stabilization circuit 400 for lowering the voltage increased in the overdriving section to the internal power source.

도1을 참조하여 동작을 살펴보면, 먼저, 초기에 비트라인(BL)과 비트라인바(/BL)는 전원전압의 반으로 프리차지 되고, 센스 앰프 동작시 셀에 저장된 데이터중 특정 테이터가 선택되어, 프리차지 되어있는 비트라인과 차지세어(Charge share) 동작을 한다. 이 때 비트라인(BL)과 비트라인바(/BL)의 전압이 ΔV 만큼 벌어지는데 이 폭은 셀과 비트라인의 커패시턴스(Capacitance)의 비로 결정되고 약 수 십에서 수 백 mV정도이다. Referring to FIG. 1, first, the bit line BL and the bit line bar / BL are initially precharged at half of the power supply voltage, and specific data among the data stored in the cell is selected during the operation of the sense amplifier. In addition, the precharged bit line and charge share operation are performed. At this time, the voltage between the bit line BL and the bit line bar / BL is increased by ΔV. The width is determined by the ratio of the capacitance between the cell and the bit line, and is about tens to hundreds of mV.

이 벌어진 폭을 센스앰프가 구동하여 충분히 리드나 라이트를 할 만큼의 값 으로 만든다. 먼저 센스 앰프가 동작하는 초기 구간(Over Driving 구간)에 SA_EN_1 신호가 외부전원공급부(100)의 모스 트랜지스터(MOS1)가 엔모스일 경우는 하이로, 피모스일 경우는 로우로 인에이블(enable) 시킨다. 내부전압(CVDD, 예컨대 2.2V)보다 높은 외부전압(Vext,예컨대 3.3V)이 MOS1과 RTO(Restore) 라인을 통해 비트라인으로 유입된다. This open width is enough to make the sense amp drive enough to read or write. First, the SA_EN_1 signal is high when the MOS transistor MOS1 of the external power supply unit 100 is NMOS and low when PMOS is enabled in the initial period (over driving period) in which the sense amplifier operates. Let's do it. An external voltage Vext (eg 3.3V) higher than the internal voltage CVDD (eg 2.2V) is introduced into the bit line through the MOS1 and RTO (Restore) lines.

RTO 라인의 전압이 일정 이상 올라 갔을 때 오버드라이빙이 끝나고, SA_EN_2 신호가 내부전원공급부(200)의 모스 트랜지스터(MOS1)가 엔모스일 경우는 하이로, 피모스일 경우는 로우로 인에이블(enable) 시켜 통상적인 드라이빙을 유지한다. 이때에는 내부전압(VCDD)이 MOS2와 RTO를 통해 센스 앰프로 유입하여 풀업(Pull up)을 유지한다. When the voltage of the RTO line rises above a certain level, overdriving ends, and the SA_EN_2 signal is high when the MOS transistor MOS1 of the internal power supply unit 200 is NMOS, and low when PMOS is enabled. To maintain normal driving. At this time, the internal voltage (VCDD) flows into the sense amplifier through the MOS2 and the RTO to maintain a pull up.

이 오버드라이빙 동작중에 외부전압(Vext)의 높은 전압이 내부전원(CVDD)으로 유입되어 내부전압(CVDD)를 상승시키는 현상이 나타나는데, 특히 센스앰프를 연속으로 동작시키는 경우 내부전압(CVDD)으로 유입이 크게 나타난다. During this overdriving operation, a high voltage of the external voltage Vext flows into the internal power supply CVDD, resulting in an increase in the internal voltage CVDD. In particular, when the sense amplifier is operated continuously, it flows into the internal voltage CVDD. This appears large.

도2는 종래의 센스 앰프 오버 드라이빙 방법에 따른 신호의 파형도이다.2 is a waveform diagram of a signal according to a conventional sense amplifier overdriving method.

도2를 참조하면, 'A'부분의 RTO 라인이 과도하게 상승한 것을 보여준다. 그리고 이런 영향으로 내부전압(CVDD)이 올라가는 것을 알 수 있다.Referring to Figure 2, it shows that the RTO line of the 'A' portion excessively rises. And it can be seen that the internal voltage (CVDD) is increased by this effect.

이런 현상을 제거하기 위해, 센스앰프가 동작하여 오버 드라이빙 하는 중에( 또는 후에) 내부전압(CVDD)과 래퍼런스전압(Reference Voltage)를 비교하여 내부전압(CVDD)을 접지전원으로 흘려 보내어 내부전원(CVDD)을 원하는 전압레벨(lever)로 다시 낮추는 방법을 사용하고 있으나, 이로 인해 많은 전류 소모가 발생하게 된 다.To eliminate this phenomenon, during the overdriving (or after) of the sense amplifier, the internal voltage (CVDD) is compared to the reference voltage (ReferenceD), and the internal voltage (CVDD) is flowed to the ground power supply to the internal power supply (CVDD). ) Is lowered back to the desired voltage level, but this causes a lot of current consumption.

전류소모를 줄이기 위해서는 오버드라이버의 구동 구간을 최적화함으로서 내부 전원 전압의 안정에 유리하고 전류소모가 줄어들게 되지만, 칩의 조건(온도, 공정프로세스)에 따라 오버 드라이버 폭의 최적화 값이 달라지게 되어 최적화된 어버드라이빙 구간을 선택하기가 힘들다.In order to reduce the current consumption, it is advantageous to stabilize the internal power supply voltage by optimizing the driving section of the overdriver, and the current consumption is reduced.However, the optimization value of the overdriver width is changed according to the chip conditions (temperature, process process). It is difficult to select the parent driving section.

칩의 동작범위는 프로세스(Process), 전압(Voltage), 온도(temperature) 변화 이외에도 노이즈 마진(Noise Margin)등을 고려해야 하므로 통상적으로 오버드라이버 펄스의 폭은 가장 워스터(Worst) 한 경우(낮은 전압, 높은 온도)에 맞게 정하게 되고, 이경우 RTO의 전압 레벨의 상승은 더욱 커질 것이다. The operating range of the chip must consider noise margins in addition to process, voltage, and temperature changes. Therefore, the width of the overdriver pulse is usually the worst case (low voltage). , High temperature), in which case the rise in the voltage level of the RTO will be even greater.

따라서 RTO의 전압레벨 상승으로 상승한 내부전압을 낮추어 주기 위하여 전압안정화 회로에서 많은 전류를 소모하게 되는 문제점이 있다.
Therefore, there is a problem in that a large amount of current is consumed in the voltage stabilization circuit in order to lower the internal voltage raised due to the rise of the RTO voltage level.

반도체 메모리의 센스앰프 오버드라이빙 과정에서 온도 및 공급 전압등에 최적화되어 미리 기억된 오버드라이빙 펄스를 이용하여 센싱앰프를 동작시킴으로서 전류소모를 최적화할 수 있는 오버드라이버를 가지는 메모리 장치 및 그 구동방법을 제공함을 목적으로 한다.
The present invention provides a memory device having an over-driver capable of optimizing current consumption by operating a sensing amplifier using an over-driving pulse which is optimized for temperature and supply voltage in the process of over-driving a sense memory of a semiconductor memory, and a driving method thereof. The purpose.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 메모리 장치의 온도 및 전압을 포 함하는 동작 조건에 따른 최적화된 다수의 오버드라이빙 펄스 폭을 저장한 저장부와, 상기 저장부의 오버드라이빙 펄스폭 중 하나를 결정하는 스위치부와, 상기 스위치부에서 결정된 오버드라이빙 펄스를 입력받아 센스 앰프를 구동하는 센스 앰프 오버 드라이버를 포함하는 메모리 장치를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention determines one of a storage unit storing a plurality of optimized overdriving pulse widths according to an operating condition including a temperature and a voltage of a memory device, and one of the overdriving pulse widths of the storage unit. According to an aspect of the present invention, there is provided a memory device including a switch unit and a sense amplifier over driver configured to drive a sense amplifier by receiving an overdriving pulse determined by the switch unit.

또한 본 발명은 온도 및 전압을 포함하는 동작조건에 맞는 다수개의 오버드라이빙 펄스를 저장하는 단계; 상기 온도 및 전압을 포함하는 조건을 감지하는 단계;상기 감지된 조건에 맞는 상기 저장된 오버드라이빙 펄스를 선택하는 단계; 및 상기 선택된 펄스를 이용하여 센스 앰프 드라이버를 구동시키는 단계를 포함하는 메모리 소자의 구동방법을 제공한다.In addition, the present invention comprises the steps of storing a plurality of overdriving pulses for the operating conditions including temperature and voltage; Detecting a condition comprising the temperature and voltage; selecting the stored overdriving pulse that matches the detected condition; And driving a sense amplifier driver using the selected pulse.

본발명은 반도체 메모리 칩의 고속화를 위해, 데이터를 리드/라이트 하는 센스앰프의 구동을 내부전원과 외부전원의 2가지로 동작시키는 오버드라이빙 회로의 사용시, 종래에 오버드라이빙 구간을 일정하게 발생시키는 것 대신에, 테스터 과정에서 온도 및 공급전압의 변화등 각 조건에서의 최적화된 오버 드라이버 펄스 폭을 미리 칩 내부에 저장퓨즈나 레지스터등의 칩 내부의 기억장소에 기억시키고, 이 후 센스앰프 동작시 정기적(또는 비정기적)으로 칩의 상태를 점검하여 기억된 상태와 동일한 상태일 때 해당 최적화된 오버드라이빙 펄스 폭으로 동작시켜서 소모전류가 최소화 되고, 또한 전원회로가 안정화되도록 하는 것이다.
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is to generate a constant overdriving section in the past when using an overdriving circuit which operates a sense amplifier that reads / writes data to an internal power supply or an external power supply for speeding up a semiconductor memory chip. Instead, the optimized over-driver pulse widths in each condition such as temperature and supply voltage changes during the tester are stored in the chip in a storage area such as a storage fuse or a resistor in advance, and then periodically during the sense amplifier operation. By checking the state of the chip (or irregularly), it operates with the optimized overdriving pulse width when it is in the same state as the stored state so that the power consumption is minimized and the power circuit is stabilized.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시 할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명 의 가장 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.Hereinafter, the most preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the technical idea of the present invention. do.

도3은 본 발명의 일실시예에 따른 센스 앰프 오버 드라이빙을 구현한 블럭도이고, 도4는 본 발명의 일실시예에 따른 센스 앰프 오버 드라이빙 방법을 나타내는 흐름도이다. 이하 도면을 참조하여 본발명의 일실시예에 대하여 설명한다. 3 is a block diagram illustrating a sense amplifier overdriving according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a flowchart illustrating a sense amplifier overdriving method according to an embodiment of the present invention. Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

먼저 도3을 참조하여 설명하면, 본 발명의 센스 앰브 오버드라이빙 회로는 칩내부에 현재 칩 동작 조건을 감지하는 감지부(540)와, 칩의 각 동작별 상태 및 가장 적합한 오버드라이버 펄스 폭을 결정하여 저장하는 센스앰프 오버드라이빙 펄스폭 저장부(510)와, 다양한 오버드라이빙 펄스폭을 선택할 수 있는 스위치부(520)와, 센스앰프 오버드라이버를 구비하여 구성된다. First, referring to FIG. 3, the sense amplifier overdriving circuit of the present invention determines a sensing unit 540 for detecting a current chip operating condition within a chip, a state of each operation of the chip, and a most suitable overdriver pulse width. And a sense amplifier overdriving pulse width storage unit 510, a switch unit 520 for selecting various overdriving pulse widths, and a sense amplifier overdriver.

도면에서 'ENABLE' 신호는 회로에 저장된 조건별 펄스 폭의 값을 회로의 적합한 스위치로 갱신하기 위한 정기적 혹은 비정기적 신호를 나타내는 것이고, 'SEL_ON' 신호는 감지부에서 오버드라이빙 펄스 폭 저장부(510)를 ON 시키는 신호이고, 'SEL_SW'는 오버드라이빙 펄스 폴 스위치부(520)의 스위치를 선택하는 신호이고, 'SA_EN_1'은 센스앰프의 오버드라이빙 동작신호이다.In the figure, the 'ENABLE' signal represents a periodic or irregular signal for updating the condition-specific pulse width value stored in the circuit to an appropriate switch of the circuit, and the 'SEL_ON' signal represents the overdriving pulse width storage unit 510 in the sensing unit. Is a signal for turning ON, 'SEL_SW' is a signal for selecting a switch of the overdriving pulse pole switch unit 520, and 'SA_EN_1' is an overdriving operation signal of the sense amplifier.

이어서 도4를 참조하여 살펴보면, 각 조건별(전압, 온도등)로 칩의 예상되는 상황에 대한 테이블(Table)을 만든다(610). 이어 테이블에 정해진 조건들에서 센스앰프의 동작에 적절한 오버드라이빙 펄스 폭을 찾는다(620).Subsequently, referring to FIG. 4, a table for the expected situation of the chip is created for each condition (voltage, temperature, etc.) (610). Subsequently, an overdrive pulse width suitable for the operation of the sense amplifier is found under the conditions specified in the table (620).

이어서 각 조건에서 최적화된 오버드라이빙 펄스 폭을 오버드라이빙 펄스 폭을 저장장치에 저장시킨다(630). 이 저장은 퓨즈(fuse) 혹은 레지스터(Register)등을 이용하여 저장할 수 있다. 퓨즈에 저장할 경우 각 조건의 테스트를 마친 후 리 페어(Repair) 퓨즈 컷팅(Cutting)시 정보에 맞게 함께 실시하면 별도의 저장 시간을 절약할 수 있다.In operation 630, the overdriving pulse width optimized for each condition is stored in the storage device. This storage can be saved using a fuse or register. In case of storing in the fuse, it is possible to save extra storage time after completing the test of each condition and carrying out according to the information when cutting Repair fuse.

이어서 칩의 실제 동작시에 주기적 혹은 비 주기적인 인에이블(ENABLE) 신호에 의해 감지부(540)가 동작을 하게 되고(640), 테스터 시에 저장된 조건과 일치하는 조건이 감지되면 그 테이블의 값을 펄스 폭을 선택하는 스위치부에 전달하여 펄스폭을 결정한다(650). 주기적으로 인에이블(ENABLE) 신호를 발생하는 방법으로는 오토 리프레쉬 카운터(Auto Refresh Counter)에서 발생하는 주기적인 카운터 신호를 이용하여 적절한 시간 간격을 두어 인에이블 신호를 발생시킬 수 있고, 또한 이 신호는 비주기적으로 특정 이벤트가 발생할 때, 온도가 변할 때, 전원전위가 바뀔 때 등 환경의 변화가 있을 때에 발생시킬 수 있다.Subsequently, during the actual operation of the chip, the sensing unit 540 operates by a periodic or aperiodic enable signal (640). When a condition matching the condition stored in the tester is detected, the value of the table is detected. Is transmitted to the switch unit for selecting the pulse width to determine the pulse width (650). As a method of generating the ENABLE signal periodically, the enable signal can be generated at an appropriate time interval by using the periodic counter signal generated from the Auto Refresh Counter. This can occur when certain events occur aperiodically, when the temperature changes, when the environment changes, such as when the power supply potential changes.

계속해서, 오버드라이빙 펄스 폭 스위치에 의해 SA_EN_1 신호가 발생하여 센스 앰프드라이버가 동작하게 되고(660), 이어 센스 앰프가 동작하게 된다(670).Subsequently, the SA_EN_1 signal is generated by the overdriving pulse width switch so that the sense amplifier driver is operated (660), and then the sense amplifier is operated (670).

이 오버드라이빙 펄스 폭은 현재 칩의 상태에 가장 적합한 정도의 펄스 폭이 되는 것이고 잉여 전류가 작게 발생하여 소모전류를 최적화 시킬 수 있다.The overdriving pulse width is the pulse width that is most suitable for the current state of the chip, and the surplus current is generated to optimize the consumption current.

도5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 센스 앰프 오버 드라이빙을 구현한 칩 내부의 블럭도이고, 도6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 센스 앰프 오버 드라이빙 방법을 나타내는 흐름도이다. 이하 도5 내지 도6을 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 대하여 설명한다.FIG. 5 is a block diagram of a chip in which a sense amplifier overdriving according to a second embodiment of the present invention is implemented, and FIG. 6 is a flowchart illustrating a sense amplifier overdriving method according to a second embodiment of the present invention. Hereinafter, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 5 to 6.

기본적인 동작 설명은 상술한 본 발명의 일실시예과 같고, 테스터 과정에서 감지부를 사용하지 않고 외부에서 조건을 받아들여 오버드라이버 펄스 폭 저장부(710)에 전달하는 점이 상이한 부분이다.The basic operation description is the same as the above-described embodiment of the present invention, and differs in that the condition is externally accepted and transmitted to the overdriver pulse width storage unit 710 without using the sensing unit in the tester process.

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and various substitutions, modifications, and changes can be made in the art without departing from the technical spirit of the present invention. It will be clear to those of ordinary knowledge.

즉, 메모리 장치 이외에도 공정조건이나 구동 조건에 따라 최적화 되어야 하는 신호의 제어가 요구되는 반도체 장치에 적용 가능하다.
That is, in addition to the memory device, the present invention can be applied to a semiconductor device requiring control of a signal to be optimized according to process conditions or driving conditions.

본 발명은 센스 앰프의 구동을 2종류의 전원(내부전원 및 외부전원)으로 동작시키는 오버드라이버에서 칩의 동작조건에서 최적화된 오버드라이버 펄스를 이용함으로서 전류소모를 최소화 할 수 있고, 또한 이로 인해 내부전원의 전류 유입과 방출이 줄어들기 때문에 내부전원 회로의 안정화에도 도움이 된다.The present invention can minimize the current consumption by using the over-driver pulse optimized in the operating conditions of the chip in the over-driver to operate the sense amplifier by two kinds of power supply (internal power and external power). It also helps to stabilize the internal power circuit, as the current draw and discharge of the power supply is reduced.

Claims (5)

인에이블 신호에 대응하여 온도 및 전압을 포함하는 현재 동작 조건을 감지하기 위한 감지부;A detector configured to detect a current operating condition including a temperature and a voltage in response to the enable signal; 다수의 온도 및 전압을 포함하는 동작 조건에 대응하는 다수의 오버드라이빙 펄스 폭을 저장하며 상기 감지부의 출력에 대응하여 상기 다수의 오더드라이빙 펄스 폭 중 하나를 선택하여 출력하기 위한 저장부;A storage unit for storing a plurality of overdriving pulse widths corresponding to an operating condition including a plurality of temperatures and voltages, and for selecting and outputting one of the plurality of order driving pulse widths corresponding to an output of the sensing unit; 상기 저장부의 출력에 대응하여 스위치를 선택함으로써 오버드라이빙 펄스를 생성하기 위한 스위치부; 및A switch unit for generating an overdriving pulse by selecting a switch corresponding to an output of the storage unit; And 상기 오버드라이빙 펄스를 입력받아 센스 앰프를 구동하는 센스 앰프 오버 드라이버를 포함하는 메모리 장치.And a sense amplifier over driver configured to receive the overdrive pulse to drive a sense amplifier. 온도 및 전압을 포함하는 동작조건에 맞는 다수의 오버드라이빙 펄스 폭을 저장하는 단계;Storing a plurality of overdriving pulse widths for operating conditions including temperature and voltage; 인에이블 신호에 대응하여 상기 온도 및 전압을 포함하는 현재 동작조건을 감지하는 단계;Detecting a current operating condition including the temperature and the voltage in response to an enable signal; 상기 저장된 다수의 오버드라이빙 펄스 폭 중에서 상기 감지된 조건에 맞는 펄스 폭을 선택하는 단계;Selecting a pulse width suitable for the sensed condition from the stored plurality of overdriving pulse widths; 상기 선택된 펄스 폭에 대응하는 스위치를 선택하여 오버드라이빙 펄스를 생성하는 단계; 및Generating an overdriving pulse by selecting a switch corresponding to the selected pulse width; And 상기 오버드라이빙 펄스에 대응하여 센스 앰프 드라이버를 구동시키는 단계를 포함하는 메모리 장치의 구동방법.And driving a sense amplifier driver in response to the overdriving pulse. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 인에이블 신호는 오토 리프레쉬 카운터에서 발생하는 주기적인 카운터 신호를 이용하여 생성한 주기적 활성화되는 신호인 것을 특징으로 하는 메모리 장치.The enable signal is a memory device, characterized in that the periodically activated signal generated by using a periodic counter signal generated by the auto refresh counter. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 인에이블 신호는 온도가 변하거나 전원전위가 변하는 경우 비주기적으로 활성화되는 신호인 것을 특징으로 하는 메모리 장치.And the enable signal is a signal that is activated aperiodically when a temperature changes or a power supply potential changes. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 저장부는 테스트를 통해 상기 동작 조건에 따라 예상되는 값을 상기 다수의 오버드라이빙 펄스 폭으로 저장한 테이블을 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치.The storage unit may include a table storing, as a test, values expected according to the operating conditions as the plurality of overdriving pulse widths.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100631168B1 (en) * 2004-12-20 2006-10-02 주식회사 하이닉스반도체 Sense amplifier driving circuit semiconductor memory device comprising it
KR100733473B1 (en) * 2005-09-28 2007-06-29 주식회사 하이닉스반도체 Semiconductor memory device having bit line over driving scheme and driving method thereof
US7599243B2 (en) 2005-09-28 2009-10-06 Hynix Semiconductor, Inc. Sense amplifier over driver control circuit and method for controlling sense amplifier of semiconductor device
KR100794996B1 (en) * 2006-05-09 2008-01-16 주식회사 하이닉스반도체 Apparatus for Generating Pulse of Semiconductor Memory
KR100780633B1 (en) * 2006-10-02 2007-11-30 주식회사 하이닉스반도체 Over driver control signal generator in semiconductor memory device
US7573777B2 (en) 2006-10-02 2009-08-11 Hynix Semiconductor Inc. Over driver control signal generator in semiconductor memory device
KR100780634B1 (en) * 2006-10-02 2007-11-30 주식회사 하이닉스반도체 Over driver control signal generator in semiconductor memory device
KR100908814B1 (en) 2007-08-29 2009-07-21 주식회사 하이닉스반도체 Core voltage discharge circuit and semiconductor memory device including same
KR101442174B1 (en) 2008-02-15 2014-09-18 삼성전자주식회사 Semiconductor memory device and internal voltage generating method of the semiconductor memory device
KR100924358B1 (en) * 2009-02-12 2009-11-02 주식회사 하이닉스반도체 Overdriving pulse width control circuit
KR20170009477A (en) 2015-07-17 2017-01-25 에스케이하이닉스 주식회사 driving signal control circuit and driving apparatus including a driving signal control circuit

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09120675A (en) * 1995-08-18 1997-05-06 Hitachi Ltd Semiconductor integrated circuit
JPH10302467A (en) * 1997-04-22 1998-11-13 Hitachi Ltd Semiconductor integrated circuit device
JPH11273357A (en) * 1998-01-21 1999-10-08 Lg Semicon Co Ltd Overdriving control circuit for sense amplifier
KR20020053491A (en) * 2000-12-27 2002-07-05 박종섭 Circuit for control driving of sense amplifier
KR20030008051A (en) * 2001-07-12 2003-01-24 주식회사 하이닉스반도체 Bit line sense amplifier control circuit

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09120675A (en) * 1995-08-18 1997-05-06 Hitachi Ltd Semiconductor integrated circuit
JPH10302467A (en) * 1997-04-22 1998-11-13 Hitachi Ltd Semiconductor integrated circuit device
JPH11273357A (en) * 1998-01-21 1999-10-08 Lg Semicon Co Ltd Overdriving control circuit for sense amplifier
KR20020053491A (en) * 2000-12-27 2002-07-05 박종섭 Circuit for control driving of sense amplifier
KR20030008051A (en) * 2001-07-12 2003-01-24 주식회사 하이닉스반도체 Bit line sense amplifier control circuit

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101859646B1 (en) 2011-12-16 2018-05-18 삼성전자주식회사 Secure data protecting memory device, data protecting method using the secure data

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