KR100828944B1 - A manufacturing method of electrode for plasma etching device - Google Patents

A manufacturing method of electrode for plasma etching device Download PDF

Info

Publication number
KR100828944B1
KR100828944B1 KR1020070058291A KR20070058291A KR100828944B1 KR 100828944 B1 KR100828944 B1 KR 100828944B1 KR 1020070058291 A KR1020070058291 A KR 1020070058291A KR 20070058291 A KR20070058291 A KR 20070058291A KR 100828944 B1 KR100828944 B1 KR 100828944B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
gas hole
mask
base material
plasma etching
Prior art date
Application number
KR1020070058291A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
박흥균
이종화
Original Assignee
박흥균
이종화
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 박흥균, 이종화 filed Critical 박흥균
Application granted granted Critical
Publication of KR100828944B1 publication Critical patent/KR100828944B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32541—Shape

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

A method for manufacturing an electrode using a plasma etching device is provided to accurately form plural gas holes in a short time by etching a substrate for the electrode according to a gas hole pattern formed on a mask. A gas hole pattern(37a) is formed on a mask(37). A plasma etching process is performed to form a gas hole(10a), while the mask is mounted on a substrate(10) for an electrode. A dry film is attached to a metal mask substrate. The mask substrate is partially etched, such that the dry film is developed. The developed mask substrate is wet-etched, such that the gas hole pattern is formed on the mask substrate. Photosensitive liquid is applied on an upper surface of the electrode substrate. The electrode substrate is partially exposed, such that the gas hole pattern is formed on the photosensitive liquid.

Description

플라즈마 식각 장치용 전극의 제조방법{A manufacturing Method of Electrode for Plasma Etching Device}A manufacturing method of electrode for plasma etching device

도 1은 일반적인 플라즈마 식각 장치를 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for explaining a general plasma etching apparatus.

도 2, 3 및 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 식각 장치용 전극의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.2, 3, and 4 are views for explaining a method of manufacturing an electrode for a plasma etching apparatus according to a first embodiment of the present invention.

도 5, 6 및 7는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라즈마 식각 장치용 전극의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.5, 6 and 7 are views for explaining a method of manufacturing an electrode for a plasma etching apparatus according to a second embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 플라즈마 식각 장치용 전극의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.8 is a view for explaining a method of manufacturing an electrode for a plasma etching apparatus according to a third embodiment of the present invention.

<주요도면부호에 관한 설명> <Description of main drawing code>

10 : 전극용 모재 10a, 40a : 가스 홀10: base material for electrodes 10a, 40a: gas hole

20 : 노광용 마스크 20a, 30a, 37a, 39a : 가스 홀 패턴20: exposure mask 20a, 30a, 37a, 39a: gas hole pattern

30 : 감광액 35 : 마스크 모재30: photosensitive liquid 35: mask base material

37 : 메탈 마스크 39 : 드라이 필름37: metal mask 39: dry film

40 : 캐소드 전극(cathode) 45 : 애노드 전극(anode)40: cathode electrode (cathode) 45: anode electrode (anode)

50 : 챔버 51 : 가스 유입구50 chamber 51 gas inlet

본 발명은 플라즈마 식각 장치용 전극에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 가스 홀 패턴이 형성된 마스크를 전극용 모재의 상부에 위치시키고 플라즈마 식각 공정에 의해 마스크에 형성된 가스 홀 패턴에 따라 전극용 모재를 식각함으로써 단시간에 다수 개의 가스 홀이 형성 가능하고, 가스 홀이 보다 정밀하게 형성되는 플라즈마 식각 장치용 전극의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an electrode for a plasma etching apparatus, and more particularly, by placing a mask on which a gas hole pattern is formed on an electrode base material and etching the electrode base material according to a gas hole pattern formed on the mask by a plasma etching process. The present invention relates to a method for manufacturing an electrode for a plasma etching apparatus in which a plurality of gas holes can be formed in a short time, and the gas holes are formed more precisely.

일반적으로 반도체 제조 공정에서 웨이퍼를 식각하기 위해 플라즈마 식각 장치를 이용하고 있다.In general, a plasma etching apparatus is used to etch a wafer in a semiconductor manufacturing process.

도 1 은 일반적인 플라즈마 식각 장치를 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for explaining a general plasma etching apparatus.

도 1 에 도시된 바와 같이, 플라즈마 식각 장치는 챔버(100)의 내부 공간에 애노드 전극(anode;250)이 하부에 설치되고, 애노드 전극(250)의 상측으로 회로패턴에 상응하는 가스 홀(200a)이 형성된 캐소드 전극(cathode;200)이 설치되는 구조를 갖는다.As shown in FIG. 1, in the plasma etching apparatus, an anode 250 is disposed below the anode 100 in an inner space of the chamber 100, and a gas hole 200a corresponding to a circuit pattern is disposed above the anode 250. Has a structure in which a cathode electrode (200) is formed.

이러한 플라즈마 식각 장치는 애노드 전극(250) 상에 웨이퍼(300)가 안착되고, 챔버(100)는 유입구(110)를 통해 내부 공간에 식각을 위한 가스가 공급된다.In the plasma etching apparatus, the wafer 300 is seated on the anode electrode 250, and the chamber 100 is supplied with gas for etching to the internal space through the inlet 110.

이때 챔버(100) 내부에는 RF(Radio Frequency) 전력 또는 DC 전력이 인가됨 으로써 캐소드 전극(200)과 애노드 전극(250) 간에 플라즈마가 형성되고, 가스가 캐소드 전극(200)에 형성된 가스 홀(200a)을 통해 하방으로 분사되면서 웨이퍼(300)는 상부에 도포된 감광액(400)의 가스 홀(400a)과 동일한 패턴으로 식각된다.In this case, a plasma is formed between the cathode electrode 200 and the anode electrode 250 by applying RF (Radio Frequency) power or DC power inside the chamber 100, and a gas is formed in the cathode electrode 200. The wafer 300 is etched downward through the same) and is etched in the same pattern as the gas hole 400a of the photoresist 400 applied thereon.

이때 캐소드 전극(200)에 형성된 무수히 다수 개의 가스 홀(200a)은 일반적으로 0.7mm 이하의 직경을 갖는다.At this time, the myriad of gas holes 200a formed in the cathode electrode 200 generally have a diameter of 0.7 mm or less.

이러한 가스 홀(200a)은 웨이퍼(300)를 패턴에 따라 식각하기 위한 것으로서, 정밀한 가공을 위해 드릴링, 초음파 또는 레이저를 이용하여 가공하고 있다.The gas hole 200a is used to etch the wafer 300 according to a pattern, and is processed by drilling, ultrasonic waves, or laser for precise processing.

하지만 이러한 가공방법은 드릴링, 초음파 또는 레이저를 이용하여 다수 개의 가스 홀(200a)을 순차적으로 가공해야 하므로 시간이 많이 소모되고, 비용이 고가인 문제점이 있다.However, such a processing method requires a lot of time and costs, since the gas holes 200a must be sequentially processed using drilling, ultrasonic waves, or lasers.

또한, 가스 홀(200a)은 직경이 작고, 개수가 많으므로 가공시에 오차가 많이 발생하여 정밀한 가스 홀(200a)을 형성하기에 어려움이 따른다.In addition, since the gas holes 200a have a small diameter and a large number, the gas holes 200a may have a large number of errors during machining, thus making it difficult to form the precise gas holes 200a.

특히, 0.7mm 이하의 작은 직경을 갖는 가스 홀(200a)은 미세한 오차만으로도 불량이 발생하기 때문에 이러한 문제점을 해결할 수 있는 방법에 대한 필요성이 심각하게 대두되고 있는 실정이다.In particular, the gas hole 200a having a small diameter of 0.7 mm or less has a serious need for a method of solving such a problem because a defect occurs even with a slight error.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 가스 홀 패턴이 형성된 마스크를 전극용 모재의 상부에 위치시키고 플라즈 마 식각 공정에 의해 마스크에 형성된 가스 홀 패턴에 따라 전극용 모재를 식각함으로써 단시간에 다수 개의 가스 홀이 형성 가능하고, 가스 홀이 보다 정밀하게 형성되는 플라즈마 식각 장치용 전극의 제조방법을 제공함에 있다.The present invention has been made to solve the above problems, an object of the present invention is to place the mask on which the gas hole pattern is formed on the electrode base material and the electrode according to the gas hole pattern formed on the mask by a plasma etching process The present invention provides a method of manufacturing an electrode for a plasma etching apparatus in which a plurality of gas holes can be formed in a short time by etching the base metal, and gas holes are formed more precisely.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일측면에 따르면, 가스 홀 패턴이 형성된 마스크를 제조하는 단계 및 전극용 모재 상부에 상기 마스크를 안착시킨 상태에서 플라즈마 식각 공정으로 식각하여 가스 홀을 형성하는 단계가 수행된다.According to an aspect of the present invention for achieving the above object, the step of manufacturing a mask having a gas hole pattern and forming a gas hole by etching in a plasma etching process in a state in which the mask is seated on an electrode base material Step is performed.

여기서 상기 가스 홀 패턴이 형성된 마스크를 제조하는 단계는 드라이 필름을 금속 재질의 마스크 모재에 접착하는 단계, 상기 마스크 모재를 미리 설정된 패턴에 따라 부분 노광시켜 상기 드라이 필름을 형상하는 단계 및 상기 현상된 마스크 모재를 습식 에칭하여 상기 마스크 모재에 가스 홀 패턴을 형성하는 단계가 포함된다.The manufacturing of the mask on which the gas hole pattern is formed may include attaching a dry film to a mask base material of a metal material, partially exposing the mask base material according to a predetermined pattern to form the dry film, and the developed mask. Wet etching the base material to form a gas hole pattern on the mask base material.

또한, 상기 가스 홀 패턴이 형성된 마스크를 제조하는 단계는 상기 전극용 모재의 상면에 감광액을 도포하는 단계 및 상기 전극용 모재를 미리 설정된 패턴에 따라 부분 노광시켜 상기 감광액에 가스 홀 패턴을 형성하는 단계가 포함되는 것도 가능하다.The manufacturing of the mask on which the gas hole pattern is formed may include applying a photoresist to an upper surface of the electrode base material and partially exposing the electrode base material according to a predetermined pattern to form a gas hole pattern in the photoresist. It is also possible to include.

여기서 상기 전극용 모재는 실리콘, 알루미늄 또는 흑연 중 어느 하나인 것이 바람직하다.Here, the electrode base material is preferably any one of silicon, aluminum or graphite.

또한, 상기 가스 홀의 직경이 0.05mm ~ 0.7mm인 것이 보다 바람직하다.Moreover, it is more preferable that the diameter of the said gas hole is 0.05 mm-0.7 mm.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일 실시예를 상세하게 설명하기로 한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention.

도 2, 3 및 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 식각 장치용 전극의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.2, 3, and 4 are views for explaining a method of manufacturing an electrode for a plasma etching apparatus according to a first embodiment of the present invention.

도 2 내지 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 식각 장치용 전극의 제조를 위해 가스 홀 패턴(37a)이 형성된 메탈 마스크(37)가 제공된다.As shown in FIGS. 2 to 3, a metal mask 37 having a gas hole pattern 37a is provided for manufacturing an electrode for a plasma etching apparatus according to a first embodiment of the present invention.

이와 같은 메탈 마스크(37)를 제조하는 과정을 설명하면, 금속 재질의 마스크 모재(35) 상에 드라이 필름(39)을 부착한다.Referring to the process of manufacturing the metal mask 37, the dry film 39 is attached to the mask base material 35 of the metal material.

이러한 드라이 필름(39)은 자외선 필름(UV Film) 등이 사용될 수 있고, 자외선에 노광되는 부분이 현상됨으로써 제거된다.The dry film 39 may be an ultraviolet film or the like, and is removed by developing a portion exposed to ultraviolet light.

이때 마스크 모재(35)의 상부에는 가스 홀 패턴(20a)이 형성된 노광용 마스크(20)가 설치되고, 노광용 마스크(20)의 상부에서 자외선이 노광됨으로써 드라이 필름(39)이 현상되어 가스 홀 패턴(39a)이 형성된다.In this case, an exposure mask 20 having a gas hole pattern 20a is provided on the mask base material 35, and an ultraviolet ray is exposed on the exposure mask 20 so that the dry film 39 is developed to form a gas hole pattern ( 39a) is formed.

이후에 상부로부터 식각액(미도시)이 공급되고, 마스크 모재(35)는 가스 홀 패턴(39a)이 형성된 부분만 식각됨으로써 가스 홀 패턴(37a)이 형성된 메탈 마스크(37)가 제조된다.Thereafter, an etchant (not shown) is supplied from the upper portion, and the mask base material 35 is etched only in a portion where the gas hole pattern 39a is formed, thereby manufacturing the metal mask 37 having the gas hole pattern 37a formed thereon.

도 4에 도시된 바와 같이, 가스 홀(10a)을 형성하기 위해 전극용 모재(10)의 상부에 메탈 마스크(37)를 위치시킨 상태에서 플라즈마 식각 공정이 수행된다.As shown in FIG. 4, a plasma etching process is performed while the metal mask 37 is positioned on the electrode base material 10 to form the gas hole 10a.

전극용 모재(10)는 전극을 제조하기 위한 평판형의 모체로서, 실리콘, 알루미늄 또는 흑연이 사용된다.The electrode base material 10 is a flat base material for producing an electrode, and silicon, aluminum, or graphite is used.

전술한 바와 같이 플라즈마 식각 공정을 통해 전극용 모재(10)에 가스 홀(10a)을 형성하기 위해 상부에 가스 유입구(51)가 형성되고 내부 공간을 갖는 챔버(50)가 제공된다.As described above, a gas inlet 51 is formed in the upper portion and a chamber 50 having an internal space is formed in the upper portion to form the gas hole 10a in the electrode base material 10 through the plasma etching process.

챔버(50)의 내부 공간은 진공의 형태로 제공되고, 이와 같은 내부 공간에는 캐소드 전극(cathode;40)과 애노드 전극(anode;45)이 상, 하부에 소정 거리 이격되도록 설치된다.The inner space of the chamber 50 is provided in a vacuum form, and the cathode 40 and the anode 45 are spaced apart from each other by a predetermined distance in the inner space.

상부에 설치되는 캐소드 전극(40)은 다수 개의 가스 홀(40a)이 형성되며, 하부에 애노드 전극(45) 상에는 전극용 모재(10)가 안착된다.A plurality of gas holes 40a are formed in the cathode electrode 40 installed at an upper portion thereof, and an electrode base material 10 is seated on the anode electrode 45 at a lower portion thereof.

전극용 모재(10)에 가스 홀(10a)이 형성되는 과정을 설명하면, 가스 유입구(51)를 통해 챔버(50)의 내부 공간으로 식각을 위한 가스가 공급되는데, 가스로는 아르곤, 질소 및 불소가 사용될 수 있다.Referring to the process of forming the gas hole (10a) in the electrode base material 10, the gas for etching is supplied to the internal space of the chamber 50 through the gas inlet 51, the gas is argon, nitrogen and fluorine Can be used.

공급된 가스는 캐소드 전극(40)의 상부에 공급되고, 이와 동시에 챔버(50) 내부에 RF(Radio frequency) 전력 또는 DC 전력이 인가되면서, 가스의 공급 및 두 전극(40, 45) 의 전압차에 의해 캐소드 전극(40)과 애노드 전극(45) 간에 플라즈마(Plasma)가 형성되고, 이온화된 가스는 캐소드 전극(40)에 형성된 가스 홀(40a)을 통해 하방의 전극용 모재(10) 상부에 분사된다.The supplied gas is supplied to the upper portion of the cathode electrode 40, and at the same time, RF (Radio frequency) power or DC power is applied to the inside of the chamber 50, thereby supplying the gas and voltage difference between the two electrodes 40 and 45. Plasma is formed between the cathode electrode 40 and the anode electrode 45, and the ionized gas is formed on the upper electrode base material 10 below through the gas hole 40a formed in the cathode electrode 40. Sprayed.

이때 전극용 모재(10)의 상부에 안착된 메탈 마스크(37)에 의해 가스 홀 패턴(37a)을 통해서만 가스가 분사되고, 전극용 모재(10)는 가스 홀 패턴(37a)에 따라 식각되면서 다수 개의 가스 홀(10a)이 형성된다.At this time, the gas is injected only through the gas hole pattern 37a by the metal mask 37 seated on the electrode base material 10, and the electrode base material 10 is etched according to the gas hole pattern 37a. Gas holes 10a are formed.

이렇게 형성되는 가스 홀(10a)은 직경이 0.05mm ~ 0.7mm인 것이 바람직하다.The gas holes 10a thus formed are preferably 0.05 mm to 0.7 mm in diameter.

만약 가스 홀(10a)의 직경이 0.05mm 이하인 경우 상부로부터 가스의 공급이 원활하게 이루어 지지 않아 캐소드 전극(40)과 애노드 전극(45) 간에 플라즈마가 형성되지 않는 문제가 발생하고, 가스 홀(10a)의 직경이 0.7mm인 경우 가스 홀(10a)을 통해 분사되는 가스의 균일도가 저하되는 문제점이 있으므로 가스 홀(10a)은 상술한 범위의 직경으로 형성되는 것이 바람직하다.If the diameter of the gas hole 10a is 0.05 mm or less, the gas may not be smoothly supplied from the top, thereby causing a problem in that plasma is not formed between the cathode electrode 40 and the anode electrode 45, and the gas hole 10a may occur. In the case where the diameter of?) Is 0.7 mm, the uniformity of the gas injected through the gas hole 10a is deteriorated. Therefore, the gas hole 10a is preferably formed in the above-described diameter.

도 5, 6 및 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라즈마 식각 장치용 전극의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.5, 6 and 7 are views for explaining a method of manufacturing an electrode for a plasma etching apparatus according to a second embodiment of the present invention.

도 5 내지 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에서는 메탈 마스크(37)를 사용하지 않고 전극용 모재(10) 상에 도포된 감광액(30)에 가스 홀 패턴(30a)을 형성하고, 가스 홀 패턴(30a)이 형성된 감광액(30)이 마스크로서 사용된다.5 to 6, in the second embodiment of the present invention, the gas hole pattern 30a is formed in the photosensitive liquid 30 coated on the electrode base material 10 without using the metal mask 37. And the photosensitive liquid 30 in which the gas hole pattern 30a was formed is used as a mask.

이때 감광액(30)에 가스 홀 패턴(30a)을 형성하기 위해 노광용 마스크(20)가 제공되고, 노광용 마스크(20)는 가스 홀 패턴(20a)이 형성된 상태로 제공된다.In this case, an exposure mask 20 is provided to form the gas hole pattern 30a in the photosensitive liquid 30, and the exposure mask 20 is provided in a state where the gas hole pattern 20a is formed.

감광액(30)은 감광성 수지로서, 노광되는 부분이 반응하는 형태에 따라 양성과 음성으로 구분되는데, 본 발명의 일 실시예에서는 노광되는 부분이 제거되는 양 성을 사용하였다.The photosensitive liquid 30 is a photosensitive resin, and is classified into positive and negative according to the form in which the exposed part reacts. In one embodiment of the present invention, the positive part is used to remove the exposed part.

감광액(30)에 가스 홀 패턴(30a)을 형성하는 과정을 설명하면, 전극용 모재(10)의 상부에 감광액(30)을 도포한 후에 전극용 모재(10)의 상측으로 노광용 마스크(20)를 위치시키고, 노광용 마스크(20)의 상부를 자외선에 노광시킨다.Referring to the process of forming the gas hole pattern 30a in the photosensitive liquid 30, after the photosensitive liquid 30 is applied to the upper portion of the electrode base material 10, the exposure mask 20 is formed on the upper side of the electrode base material 10. Is positioned, and the upper portion of the exposure mask 20 is exposed to ultraviolet rays.

이때 자외선은 노광용 마스크(20)에 의해 차단되면서 가스 홀 패턴(20a)이 형성된 부분에서만 하방으로 통과된다.At this time, the ultraviolet ray is blocked by the exposure mask 20 and passes downward only at the portion where the gas hole pattern 20a is formed.

이러한 노광용 마스크(20)는 전극용 모재(10)에 선택적으로 자외선을 노광시키기 위한 것으로서, 전극용 모재(10)의 외경과 동일하도록 형성되는 것이 바람직하다.The exposure mask 20 is for selectively exposing ultraviolet rays to the electrode base material 10, and is preferably formed to be the same as the outer diameter of the electrode base material 10.

하방으로 통과된 자외선은 전극용 모재(10)의 상부에 도포된 감광액(30)과 반응하고, 감광액(30)은 자외선이 노광되어 반응된 부분만 식각된다.The ultraviolet light passed downward reacts with the photosensitive liquid 30 applied to the upper portion of the electrode base material 10, and the photosensitive liquid 30 is only exposed to the ultraviolet light and is etched.

즉, 전극용 모재(10)의 상부에 도포된 감광액(30)은 자외선에 노광된 부분만 식각됨으로써 노광용 마스크(20)의 가스 홀 패턴(20a)과 동일한 가스 홀 패턴(30a)이 형성된다.That is, the photoresist 30 applied to the upper portion of the electrode base material 10 is etched by only the portion exposed to ultraviolet rays, thereby forming the same gas hole pattern 30a as the gas hole pattern 20a of the exposure mask 20.

이하에서는 플라즈마 식각 공정을 통해 전극용 모재(10)에 가스 홀(10a)을 형성하는 과정을 설명하도록 한다.Hereinafter, a process of forming the gas hole 10a in the electrode base material 10 through the plasma etching process will be described.

도 7에 도시된 바와 같이, 플라즈마 식각 공정시 분사되는 가스는 전극용 모재(10)의 상부에 도포된 감광액(30)에 의해 차단되고, 가스 홀 패턴(30a)을 통해서만 전극용 모재(10)에 분사된다.As shown in FIG. 7, the gas injected during the plasma etching process is blocked by the photosensitive liquid 30 applied to the upper portion of the electrode base material 10, and the electrode base material 10 only passes through the gas hole pattern 30a. Is sprayed on.

이때 전극용 모재(10)는 감광액(30)의 가스 홀 패턴(30a)에 따라 식각되면서 가스 홀(10a)이 형성된다. At this time, the electrode base material 10 is etched according to the gas hole pattern 30a of the photosensitive liquid 30 to form a gas hole 10a.

도시되어 있지는 않지만 가스 홀(10a)이 형성된 후에 전극용 모재(10)의 상부에 도포된 감광액(30)을 제거하는 공정을 수행함으로써 전극의 제조가 완료된다.Although not shown, manufacturing of the electrode is completed by performing a process of removing the photosensitive liquid 30 applied to the upper portion of the electrode base material 10 after the gas hole 10a is formed.

도 8은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 플라즈마 식각 장치용 전극의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.8 is a view for explaining a method of manufacturing an electrode for a plasma etching apparatus according to a third embodiment of the present invention.

도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 플라즈마 식각 장치용 전극의 제조를 위해 제공되는 챔버(50)의 구조를 제외하고는 제 1 실시예와 동일하다.As shown in FIG. 8, the same as the first embodiment except for the structure of the chamber 50 provided for manufacturing the electrode for the plasma etching apparatus according to the third embodiment of the present invention.

제 3 실시예에 따른 챔버(50)는 상부 및 하부에 가스 유입구(51)가 형성되고, 애노드 전극(45)의 상, 하부에 캐소드 전극(40)이 설치됨으로써 애노드 전극(45)의 양면에 전극용 모재(10)를 안착시킨 상태에서 플라즈마 식각 공정이 수행될 수 있다. In the chamber 50 according to the third embodiment, a gas inlet 51 is formed at an upper portion and a lower portion thereof, and cathode electrodes 40 are disposed on upper and lower portions of the anode electrode 45 so that both sides of the anode electrode 45 are provided. The plasma etching process may be performed in a state in which the electrode base material 10 is seated.

즉, 한 번의 플라즈마 식각 공정으로 두 개의 전극용 모재(10)에 가스 홀(10a)을 형성하는 것이 가능하다.That is, it is possible to form the gas holes 10a in the two electrode base materials 10 by one plasma etching process.

본 발명의 제 3 실시예에서는 메탈 마스크(37)가 사용되었지만 다른 실시예에서는 감광액(30)을 사용하는 것도 가능하다.In the third embodiment of the present invention, the metal mask 37 is used, but in other embodiments, the photoresist 30 may be used.

상기와 같은 본 발명에 따르면, 가스 홀 패턴이 형성된 마스크를 전극용 모 재의 상부에 위치시키고 플라즈마 식각 공정에 의해 마스크에 형성된 가스 홀 패턴에 따라 전극용 모재를 식각함으로써 단시간에 다수 개의 가스 홀이 형성 가능하고, 가스 홀이 보다 정밀하게 형성되는 효과가 있다.According to the present invention as described above, a plurality of gas holes are formed in a short time by placing a mask on which a gas hole pattern is formed on the electrode base material and etching the base material for electrode according to the gas hole pattern formed on the mask by a plasma etching process. It is possible, and there is an effect that the gas hole is formed more precisely.

비록 본 발명이 상기 언급된 바람직한 실시예와 관련하여 설명되어졌지만, 발명의 요지와 범위로부터 벗어남이 없이 다양한 수정이나 변형을 하는 것이 가능하다. 따라서 첨부된 특허청구의 범위는 본 발명의 요지에서 속하는 이러한 수정이나 변형을 포함할 것이다.Although the present invention has been described in connection with the above-mentioned preferred embodiments, it is possible to make various modifications or variations without departing from the spirit and scope of the invention. Accordingly, the appended claims will cover such modifications and variations as fall within the spirit of the invention.

Claims (5)

가스 홀 패턴이 형성된 마스크를 제조하는 단계; 및Manufacturing a mask on which a gas hole pattern is formed; And 전극용 모재 상부에 상기 마스크를 안착시킨 상태에서 플라즈마 식각 공정으로 식각하여 가스 홀을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 장치용 전극의 제조방법.And forming a gas hole by etching in a plasma etching process while the mask is mounted on an electrode base material. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가스 홀 패턴이 형성된 마스크를 제조하는 단계는The manufacturing of the mask on which the gas hole pattern is formed 드라이 필름을 금속 재질의 마스크 모재에 접착하는 단계; Adhering a dry film to a mask base material made of metal; 상기 마스크 모재를 미리 설정된 패턴에 따라 부분 노광시켜 상기 드라이 필름을 현상하는 단계; 및Developing the dry film by partially exposing the mask base material according to a preset pattern; And 상기 현상된 마스크 모재를 습식 에칭하여 상기 마스크 모재에 가스 홀 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 장치용 전극의 제조방법.Wet etching the developed mask base material to form a gas hole pattern on the mask base material manufacturing method of the electrode for a plasma etching apparatus. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가스 홀 패턴이 형성된 마스크를 제조하는 단계는The manufacturing of the mask on which the gas hole pattern is formed 상기 전극용 모재의 상면에 감광액을 도포하는 단계; 및Applying a photosensitive liquid to an upper surface of the electrode base material; And 상기 전극용 모재를 미리 설정된 패턴에 따라 부분 노광시켜 상기 감광액에 가스 홀 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 장치용 전극의 제조방법.And partially exposing the electrode base material according to a predetermined pattern to form a gas hole pattern in the photosensitive liquid. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전극용 모재는 실리콘, 알루미늄 또는 흑연 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 장치용 전극의 제조방법.The electrode base material is a method of manufacturing an electrode for a plasma etching apparatus, characterized in that any one of silicon, aluminum or graphite. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가스 홀의 직경이 0.05mm ~ 0.7mm인 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 장치용 전극의 제조방법.The diameter of the gas hole is a manufacturing method of the electrode for a plasma etching apparatus, characterized in that 0.05mm ~ 0.7mm.
KR1020070058291A 2007-05-18 2007-06-14 A manufacturing method of electrode for plasma etching device KR100828944B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070048554 2007-05-18
KR20070048554 2007-05-18

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100828944B1 true KR100828944B1 (en) 2008-05-13

Family

ID=39650240

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070058291A KR100828944B1 (en) 2007-05-18 2007-06-14 A manufacturing method of electrode for plasma etching device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100828944B1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11219932A (en) 1998-01-30 1999-08-10 Hitachi Chem Co Ltd Electrode plate for plasma etching and plasma etching device
JP2004228500A (en) * 2003-01-27 2004-08-12 Shin Etsu Chem Co Ltd Shower plate for plasma treatment, and manufacturing method therefor
JP2006128281A (en) * 2004-10-27 2006-05-18 Mitsubishi Materials Corp Silicon electrode board coated with etching-resistance film for plasma etching
JP2006190845A (en) * 2005-01-06 2006-07-20 Sumitomo Precision Prod Co Ltd Silicon etching method and etching silicon object

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11219932A (en) 1998-01-30 1999-08-10 Hitachi Chem Co Ltd Electrode plate for plasma etching and plasma etching device
JP2004228500A (en) * 2003-01-27 2004-08-12 Shin Etsu Chem Co Ltd Shower plate for plasma treatment, and manufacturing method therefor
JP2006128281A (en) * 2004-10-27 2006-05-18 Mitsubishi Materials Corp Silicon electrode board coated with etching-resistance film for plasma etching
JP2006190845A (en) * 2005-01-06 2006-07-20 Sumitomo Precision Prod Co Ltd Silicon etching method and etching silicon object

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8383521B2 (en) Substrate processing method
JP2007165651A (en) Recess formation method and electronic device
KR100828944B1 (en) A manufacturing method of electrode for plasma etching device
JP4417600B2 (en) Etching method
JP2008193024A (en) Dry etching device
KR19980076734A (en) Plasma processing equipment
US11581161B2 (en) Systems and methods for etching a substrate
CN110571166A (en) Crystal edge etching method and semiconductor device manufacturing method
JP2005026348A (en) Plasma treatment method
JP2003142475A (en) Method for manufacturing semiconductor device
KR100785994B1 (en) Method for fabrication of plasma chamber for use in fabricating semiconductor device
KR20050074701A (en) Equipment for fixing focus ring of semiconductor production device
KR950014945B1 (en) Method of micropatterning semiconductor device
KR100500582B1 (en) Apparatus for manufacturing a mask
KR20090044551A (en) Apparatus for manufacturing semiconductor device and method using the same
KR20060120813A (en) The upper clamp of the wafer etching apparatus
JP2001255670A (en) Fine resist patten forming method and device
KR100640945B1 (en) Apparatus and Method Exposure for Semiconductor Fabrication
KR20060089886A (en) Semiconductor etching device and electro static chuck therefor
KR20020073816A (en) Etching apparatus and method for manufacturing semiconductor device
JP2011086783A (en) Plasma etching method
KR100621788B1 (en) Ozone asher apparatus
KR100605509B1 (en) Semiconductor ashing apparatus
KR100865546B1 (en) A Etcher Of Photo Mask
KR20030000178A (en) Plate baffle in dry etcher of semiconductor manufacture type

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee