KR100811269B1 - Method for modeling pattern of a optical proximity correction - Google Patents

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Abstract

A pattern modeling method for an optical proximity correction is provided to improve the accuracy of model data of the optical proximity correction with respect to a pattern of a photomask by extracting an image parameter of a real pattern and a pattern critical dimension based on the extracted the image parameter. GDS data of a target to be formed on a wafer is loaded(S100). An image parameter of the GDS data is extracted(S110). The extracted image parameter is classified into an image space according to optical characteristics of the target pattern, thereby forming a chart(S120). The image parameter is moved in a certain range in order to set an effective range of target pattern data(S130). A critical dimension of a test structure is extracted on the basis of the moved image parameter data(S140). An optical proximity correction modeling is performed on the basis of the extracted critical dimension(S150). An optical proximity correction process is performed on the basis of the modeled data(S160).

Description

광근접 효과 보정을 위한 패턴 모델링 방법{Method for modeling pattern of a optical proximity correction}Method for modeling pattern of a optical proximity correction

도 1은 본 발명에 따른 광근접 효과 보정을 위한 패턴 모델링 방법을 순차적으로 나타낸 흐름도이다. 1 is a flowchart sequentially illustrating a pattern modeling method for correcting optical proximity effects according to the present invention.

도 2는 추출하고자 하는 타겟 패턴의 이미지 파라미터를 나타내보인 도면이다. 2 illustrates an image parameter of a target pattern to be extracted.

도 3은 도 2의 이미지 파라미터를 광학적 특성에 따라 분석하여 차트로 나타내보인 도면이다. FIG. 3 is a chart illustrating an analysis of the image parameter of FIG. 2 according to optical characteristics. FIG.

도 4는 타겟 패턴의 사이즈를 변화시켜 광학적 특성에 따라 이미지 파라미터를 분석하여 이미지 스페이스 차트로 나타내보인 도면이다.4 is a diagram illustrating an image space chart by analyzing image parameters according to optical characteristics by changing a size of a target pattern.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

10 : 언더 사이징된 이미지 파라미터10: Undersized image parameter

20 : 타겟 패턴의 이미지 파라미터20: image parameter of the target pattern

30 : 오버 사이징된 이미지 파라미터30: oversized image parameter

본 발명은 포토 리소그래피 기술에 관한 것으로서, 특히 광근접 효과 보정시 모델 데이터의 정확도를 향상시킬 수 있는 광근접 효과 보정을 위한 패턴 모델링 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to photolithography technology, and more particularly, to a pattern modeling method for correcting optical proximity effects that can improve the accuracy of model data when correcting optical proximity effects.

일반적으로, 포토 리소그래피(photo lithography) 기술은 반도체 소자의 고집적화를 선도하는 기본 기술로서, 빛을 이용하여 반도체 기판 위에 패턴을 형성하는 것이다. 즉, 반도체 기판에 절연막이나 도전막 등의 패턴을 형성하여야 할 위치에 자외선, 전자빔 또는 X선 등과 같은 노광 장비의 빛을 조사하여 그 용해도가 변화하는 포토레지스트를 형성하고, 포토 마스크를 이용하여 포토레지스트의 소정 부위를 빛에 노출시킨 후, 현상액에 대하여 용해도가 큰 부분을 제거함으로써 포토레지스트 패턴을 형성한다. 이 포토레지스트 패턴에 의해 노출된 부분을 식각 공정으로 제거하여 원하는 반도체 소자 패턴을 형성한다.In general, photolithography technology is a basic technology leading to high integration of semiconductor devices, and forms a pattern on a semiconductor substrate using light. That is, by irradiating light of exposure equipment such as ultraviolet rays, electron beams, or X-rays to a position where a pattern such as an insulating film or a conductive film should be formed on a semiconductor substrate, a photoresist whose solubility is changed is formed, After exposing a predetermined portion of the resist to light, a photoresist pattern is formed by removing a portion having high solubility with respect to the developer. A portion exposed by the photoresist pattern is removed by an etching process to form a desired semiconductor device pattern.

현재 반도체 소자의 집적도가 높아지면서 마이크로프로세서 등 로직 소자에서 흔히 볼 수 있는 불규칙으로 배치된 패턴에서는 초점 심도, 해상도 모두 향상 효과가 적어지고 있다. 이를 극복하고자 해상 한계에 가까운 수치의 패턴을 형성할 경우, 설계상의 패턴과 실제로 반도체 기판 상에 형성되는 패턴이 괴리되어 버리는, 이른바 광근접 효과(optical proximity effect)가 발생하게 된다. 이러한 설계와 실제의 패턴의 괴리에 의해 소자의 성능이 설계에 비해 현저히 열화된다. 이에 따라 포토 리소그래피 공정에서 해상 한계에서 발생하는 패턴의 왜곡 현상에 대해 보정하는 방법으로 광 근접 효과 보정(OPC : Optical Proximity Correction) 공 정이 있다. As the degree of integration of semiconductor devices increases, irregularities in patterns that are commonly found in logic devices such as microprocessors are decreasing in both depth of focus and resolution. In order to overcome this problem, when a pattern having a numerical value close to a resolution limit is formed, a so-called optical proximity effect occurs, in which a design pattern and a pattern actually formed on a semiconductor substrate are separated from each other. Due to the difference between the design and the actual pattern, the performance of the device is significantly degraded compared to the design. Accordingly, there is an optical proximity correction (OPC) process as a method of correcting a distortion of a pattern occurring at a resolution limit in a photolithography process.

광 근접 효과 보정(OPC) 공정은, 마스크 패턴 배치에 대응하는 마스크 패턴 보정량을 사전에 룰 테이블화해 두고 마스크 패턴 배치 정보를 기초로, 룰 테이블을 참조하면서 보정하는 룰 베이스 보정(rule based correction) 방법과, 마스크 패턴 정보 및 웨이퍼 프로세스 조건을 기초로 웨이퍼 상에 전사되는 이미지를 예측하고, 원하는 값을 얻을 수 있도록 마스크 패턴에 보정을 하는 모델 베이스 보정(model based correction) 방법으로 구분된다. 이러한 광 근접 효과 보정(OPC) 공정에 의해, 포토 마스크의 미세한 패턴을 웨이퍼 상에 설계대로 충실하게 완성할 수 있다. In the optical proximity effect correction (OPC) process, a rule-based correction method is performed in which a mask pattern correction amount corresponding to a mask pattern arrangement is previously ruled, and is corrected while referring to a rule table based on the mask pattern arrangement information. And a model based correction method for predicting an image to be transferred onto a wafer based on mask pattern information and wafer process conditions and correcting a mask pattern to obtain a desired value. By such an optical proximity effect correction (OPC) process, the fine pattern of a photo mask can be faithfully completed as a design on a wafer.

이 가운데 모델 베이스 보정 방식의 광근접 효과 보정(OPC)은, 규칙적인 샘플 패턴에 대한 임계 치수(CD : Critical Dimension)를 측정하고, 측정된 임계 치수값에 대하여 모델링(modeling)을 적용하여 차트로 형성한다. 그런데 노광 공정의 공정지수(k1)가 작아지면서 이와 같이 규칙적인 패턴에 대한 임계 치수(CD)는 실질적인 웨이퍼 환경에 대변하지 못하고, 이에 따라 모델 정확도(model accuracy)를 감소시킨다. Among them, the optical base effect correction (OPC) of the model-based correction method measures a critical dimension (CD) for a regular sample pattern and applies the modeling to the measured critical dimension value to a chart. Form. However, as the process index k1 of the exposure process decreases, the critical dimension CD for this regular pattern does not represent the actual wafer environment, thereby reducing model accuracy.

구체적으로, 광학적 특성의 값을 차트로 형성하는 과정에서 일부 영역에서는 각각의 파라미터(parameter)가 중복되고, 일부 영역에서는 변수가 적용되지 않고 빠지는 부분이 발생할 수 있다. 그런데, 이러한 부분의 파라미터를 포함하는 패턴이 실제 소자상의 패턴에 존재하게 되면, 모델 베이스 방식의 광근접 효과 보정을 진행하는 프로그램에서 내삽 또는 외삽방식을 사용하게 되어 그 정확도를 상실하게 된다.Specifically, in the process of charting the value of the optical characteristic, in some areas, each parameter may overlap, and in some areas, a parameter may not be applied and a missing part may occur. However, when the pattern including the parameter of this portion is present in the pattern on the actual device, the interpolation or extrapolation method is used in the program for correcting the optical proximity effect of the model-based method, and the accuracy is lost.

즉, 종래 기술에 의한 모델 베이스 방식의 광근접 효과 보정(OPC) 방법은, 마스크 패턴의 광학적 특성을 고려하지 않는 모델을 사용하므로 모델 정확도를 저하시키는 문제가 발생할 수 있다.That is, since the conventional model-based optical proximity effect correction (OPC) method uses a model that does not consider the optical characteristics of the mask pattern, a problem of deteriorating model accuracy may occur.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 광근접 효과 보정(OPC) 공정을 수행하는 과정에서 실제 웨이퍼 또는 반도체 소자 상에 사용하는 패턴을 적용하여 마스크 패턴의 광학적 특성을 고려함으로써 모델의 정확도와 안정성을 확보하고, 이를 이용하는 광근접 효과 보정(OPC) 공정의 정확도를 향상시킬 수 있는 광근접 효과 보정을 위한 패턴 모델링 방법을 제공하는데 있다.The technical problem to be achieved by the present invention is to secure the accuracy and stability of the model by considering the optical characteristics of the mask pattern by applying the pattern used on the actual wafer or semiconductor device during the optical proximity effect correction (OPC) process In addition, to provide a pattern modeling method for optical proximity effect correction that can improve the accuracy of the optical proximity effect correction (OPC) process using the same.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 광 근접 효과 보정을 위한 패턴 모델링 방법은, 웨이퍼 상에 형성될 타겟 패턴의 GDS 데이터를 로딩하는 단계; 상기 GDS 데이터의 이미지 파라미터를 추출하는 단계; 상기 추출된 이미지 파라미터를 상기 타겟 패턴의 광학적 특성에 따라 이미지 스페이스로 구분하여 차트로 형성하는 단계; 상기 타겟 패턴 데이터의 유효 범위를 설정하기 위해 상기 이미지 파라미터를 소정 범위 내에서 이동시키는 단계; 상기 이동시킨 이미지 파라미터 데이터를 기준으로 테스트 구조의 임계치수를 추출하는 단계; 상기 추출된 임계치수를 기준으로 광 근접효과 보정(OPC) 모델링을 수행하는 단계; 및 상기 모델링 한 데이터를 기준으로 광 근접 효과 보정(OPC) 공정을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특 징으로 한다.In order to achieve the above object, a pattern modeling method for optical proximity effect correction according to the present invention comprises the steps of: loading GDS data of a target pattern to be formed on a wafer; Extracting image parameters of the GDS data; Forming the chart by dividing the extracted image parameter into an image space according to an optical characteristic of the target pattern; Moving the image parameter within a predetermined range to set an effective range of the target pattern data; Extracting a critical dimension of a test structure based on the moved image parameter data; Performing optical proximity effect correction (OPC) modeling based on the extracted critical dimension; And performing an optical proximity effect correction (OPC) process based on the modeled data.

본 발명에 있어서, 이미지 파라미터는 10㎚∼50㎚ 범위에서 이동시키는 것이 바람직하다.In the present invention, the image parameter is preferably shifted in the range of 10 nm to 50 nm.

상기 이미지 파라미터를 소정 범위 내에서 이동시키는 단계는, 상기 추출된 이미지 파라미터를 언더사이징 또는 오버사이징하는 것이 바람직하다.In the moving of the image parameter within a predetermined range, it is preferable to undersize or oversize the extracted image parameter.

상기 이미지 파라미터는, 광 강도의 최대값, 광강도의 최소값, 광강도 경사값을 포함할 수 있다.The image parameter may include a maximum value of light intensity, a minimum value of light intensity, and a light intensity gradient value.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

모델 베이스 방식의 광근접 효과 보정(OPC) 방법은, 마스크 패턴 정보 및 웨이퍼 프로세스 조건을 기초로 웨이퍼 상에 전사되는 형상을 예측하고, 원하는 값을 얻을 수 있도록 마스크 패턴에 보정을 수행하는 방법이다. 모델 베이스 방식의 광근접 효과 보정(OPC) 방법에서는, 먼저 입력된 마스크 패턴 데이터에 대하여, 모델 패턴의 측정 포인트를 설정한다. 다음에 전사될 패턴의 에지(edge) 부분을 분할한다. 그리고 측정 포인트 근처의 광 강도 계산을 수행하여 웨이퍼 상으로 전사될 패턴의 에지 위치로부터 어긋나는 정도의 데이터를 산출한다. 다음에 분할한 각 패턴의 에지에서 어긋나는 정도에 따라 마스크 패턴의 보정량을 구하여 에지의 이동, 즉, 마스크 패턴을 변형한다. 다음에 변형된 마스크 패턴에 대하여 어긋나는 정도를 측정하고, 마스크 패턴을 보정하는 과정을 반복한다. 그리고 어긋나는 정도가 기준값 이하인 경우, 보정을 종료한다. 그런데, 이러한 모델 베이스 방식의 광근접 효과 보정(OPC) 방법을 진행하는 과정에서 실제 소자에 이용하는 마스크 패턴의 광학적 특성을 고려하지 않는 모델을 사용함으로써 모델 정확도가 감소하는 문제가 발생하였다. 이와 같이 모델 정확도가 감소하면, 광근접 효과 보정(OPC)이 형성하고자 하는 패턴과 차이가 발생하게 될 수 있다.The optical proximity effect correction (OPC) method of the model-based method is a method of predicting a shape to be transferred onto a wafer based on mask pattern information and wafer process conditions, and performing correction on the mask pattern so as to obtain a desired value. In a model-based optical proximity effect correction (OPC) method, the measurement point of a model pattern is set with respect to the mask pattern data input previously. The edge portion of the pattern to be transferred next is divided. The light intensity calculation near the measurement point is then performed to calculate data about the degree of deviation from the edge position of the pattern to be transferred onto the wafer. Next, the correction amount of the mask pattern is obtained according to the degree of deviation from the edges of the divided patterns, and thus the edge movement, that is, the mask pattern is deformed. Next, the degree of the deviation of the modified mask pattern is measured, and the process of correcting the mask pattern is repeated. If the deviation is less than or equal to the reference value, the correction is terminated. However, the model accuracy is reduced by using a model that does not consider the optical characteristics of the mask pattern used in the actual device in the process of performing the model-based optical proximity effect correction (OPC) method. As such, when the accuracy of the model is reduced, the optical proximity effect correction (OPC) may be different from the pattern to be formed.

도 1은 본 발명에 따른 광근접 효과 보정을 위한 패턴 모델링 방법을 순차적으로 나타낸 흐름도이다. 도 2는 추출하고자 하는 타겟 패턴의 이미지 파라미터를 나타내보인 도면이다. 도 3은 도 2의 이미지 파라미터를 광학적 특성에 따라 분석하여 차트로 나타내보인 도면이다. 그리고 도 4는 타겟 패턴의 사이즈를 변화시켜 광학적 특성에 따라 이미지 파라미터를 분석하여 이미지 스페이스 차트로 나타내보인 도면이다.1 is a flowchart sequentially illustrating a pattern modeling method for correcting optical proximity effects according to the present invention. 2 illustrates an image parameter of a target pattern to be extracted. FIG. 3 is a chart illustrating an analysis of the image parameter of FIG. 2 according to optical characteristics. FIG. 4 is a diagram illustrating an image space chart by analyzing image parameters according to optical characteristics by changing a size of a target pattern.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 광근접 효과 보정을 위한 패턴 모델링 방법은, 다음과 같이 진행된다. 1 to 4, the pattern modeling method for optical proximity effect correction according to the present invention proceeds as follows.

먼저, 웨이퍼 또는 반도체 기판 상에 형성할 타겟 패턴(target pattern)을 포토 마스크의 설계 레이아웃 패턴 데이터인 CAD 디자인 데이터에서, 노광 장비가 읽을 수 있는 GDS 데이터로 변환시킨다(S100). 즉, 포토 마스크의 패턴 데이터베이스에서 웨이퍼 상에 형성될 패턴의 GDS 데이터를 로딩한다. 여기서 GDS 데이터는 2D 그래픽 디자인 데이터를 전사(transfer) 및 기록(archive)하는 표준 파일 포맷이다. First, a target pattern to be formed on a wafer or semiconductor substrate is converted from CAD design data, which is design layout pattern data of a photo mask, to GDS data that can be read by the exposure apparatus (S100). That is, the GDS data of the pattern to be formed on the wafer is loaded from the pattern database of the photo mask. Here, GDS data is a standard file format for transferring and archiving 2D graphic design data.

다음에 타겟 패턴의 GDS 데이터로부터 이미지 파라미터(image parameter)를 추출한다(S110). Next, an image parameter is extracted from the GDS data of the target pattern (S110).

구체적으로, 타겟 패턴의 GDS 데이터로부터 광학적 특성(optical properties), 예를 들어 광 강도(optical intensity)의 최대값(Imax), 최소값(Imin) 및 광 강도의 경사(slope)값을 포함하는 이미지 파라미터를 추출한다. 이미지 파라미터는, 추출하고자 하는 패턴에 광원을 투사하는 방법을 이용할 수 있다.Specifically, an image parameter including optical properties, for example, a maximum value Imax, a minimum value Imin, and a slope value of the light intensity from the GDS data of the target pattern. Extract The image parameter may use a method of projecting a light source onto a pattern to be extracted.

추출하고자 하는 패턴에 광원을 투사하면 도 2에 도시한 바와 같이, 패턴의 차광 영역에서는 광 강도의 최소값(Imin, 200)이 나타나며, 투광 영역에서는 광 강도의 최대값(Imax, 210)이 나타난다. 그리고 차광 영역과 투광영역이 인접하는 영역에서는 광 강도의 값은 점점 상승하거나 하강하는 경사(slope, 220) 값이 나타난다. When the light source is projected onto the pattern to be extracted, as shown in FIG. 2, the minimum value (Imin, 200) of the light intensity appears in the light blocking region of the pattern, and the maximum value (Imax, 210) of the light intensity appears in the light transmitting region. In an area where the light blocking area and the light transmitting area are adjacent to each other, a slope 220 that increases or decreases in the light intensity appears.

다음에 타겟 패턴으로부터 추출한 이미지 파라미터를 광학적 특성(optical property)에 따라 구분하여 차트로 형성한다(S120). 이를 위해 도 2로부터 추출된 광학적 특성, 예를 들어 광 강도의 최대값(Imax), 최소값(Imin) 및 광 강도의 경사(slope)값을 이미지 스페이스(image space) 분석을 위하여 도 3에 도시한 바와 같이, 차트로 형성한다. Next, the image parameters extracted from the target pattern are divided according to optical properties to form a chart (S120). To this end, optical characteristics extracted from FIG. 2, for example, maximum value Imax, minimum value Imin, and slope values of light intensity are shown in FIG. 3 for image space analysis. As shown in the chart.

다음에 차트에 형성된 타겟 패턴 데이터의 유효 범위를 설정하기 위해 이미지 파라미터를 소정 범위 내에서 이동하여 테스트 구조(test structure)에 대한 임계치수 스페이스 값(CD space value)을 설정한다(S130). Next, in order to set an effective range of the target pattern data formed in the chart, an image parameter is moved within a predetermined range to set a CD space value for a test structure (S130).

이러한 임계치수 스페이스 값을 설정하기 위해 광학적 특성을 반영하여 차트로 형성한 이미지 파라미터(도 3참조)를 소정 범위 내에서 이동, 예를 들어 언더사이징(undersizing)하거나 또는 오버사이징(oversizing)한다. 여기서 이미지 파라미터는 10㎚∼50㎚ 범위에서 증가시키거나 감소시키는 것이 바람직하다. In order to set such a threshold space value, an image parameter (see FIG. 3) formed by charts reflecting optical characteristics is moved, for example, undersized or oversized, within a predetermined range. The image parameter here is preferably increased or decreased in the range of 10 nm to 50 nm.

다음에 도 4에 도시한 바와 같이, 타겟 패턴이 형성된 포토 마스크를 언더사이징된 데이터에서 이미지 파라미터를 추출하거나 또는 오버사이징된 데이터에서 이미지 파라미터를 추출하여 차트로 형성한다. 그러면, 이동된 이미지 파라미터는 언더사이징된 영역(300), 타겟 패턴의 영역(310) 및 오버사이징된 영역(320)을 모두 포함한다. 여기서 상술한 이미지 파라미터 영역들은 서로 중첩된 영역을 포함한다. Next, as shown in FIG. 4, the photomask on which the target pattern is formed is formed into a chart by extracting image parameters from undersized data or extracting image parameters from oversized data. Then, the shifted image parameter includes both the undersized area 300, the area 310 of the target pattern, and the oversized area 320. Herein, the above-described image parameter regions include regions overlapping each other.

다음에 앞서 추출된 이미지 파라미터 데이터로부터 최적화된 테스트 패턴의 구조를 설정한다(S140). Next, a structure of an optimized test pattern is set from previously extracted image parameter data (S140).

구체적으로, 앞서 추출되어 차트로 형성된 이미지 파라미터 데이터를 분석하여 이미지 스페이스에서의 이미지 파라미터인 3개 값, 예를 들어 언더사이징된 데이터, 타겟 데이터 및 오버사이징된 데이터들의 유효 범위(coverage)를 모두 포함하는 넓은 영역(331)을 설정한다. 다음에 설정된 영역을 기준으로 광근접 효과 보정(OPC) 공정에 사용할 테스트 구조(test structure)에 대한 임계 치수(CD; critical dimension) 값을 선정한다. Specifically, by analyzing the image parameter data previously extracted and charted to include all three values that are image parameters in the image space, for example, the coverage of the undersized data, the target data and the oversized data. A wide area 331 is set. Next, a critical dimension (CD) value for a test structure to be used for the optical proximity effect correction (OPC) process is selected based on the set area.

여기서 테스트 구조의 임계치수는, 먼저 웨이퍼 상에 사이즈 및 피치가 각각 다른 테스트 구조들의 레이아웃을 설정한다. 다음에 상기 테스트 구조들에 대해 노광을 수행하고, 상기 노광된 테스트 구조들의 임계치수와 스페이스를 측정하여 이 미지 파라미터를 추출해 GDS 데이터를 작성한다. The critical dimension of the test structure here first sets the layout of test structures of different sizes and pitches on the wafer. Next, the test structures are exposed to light, and the critical parameters and the spaces of the exposed test structures are measured to extract image parameters to generate GDS data.

다음에 테스트 구조에 의해 추출된 임계치수(CD)로부터 광 근접효과 보정(OPC) 모델링을 수행한다(S150). Next, the optical proximity effect correction (OPC) modeling is performed from the threshold value CD extracted by the test structure (S150).

다음에 모델링된 광 근접 효과 보정(OPC) 모델의 이미지 스페이스를 앞서 추출한 이미지 스페이스값과 동일한지 또는 충분한지를 판단하고, 적용된 모델의 이미지 스페이스가 추출된 이미지 스페이스값과 동일하거나 충분할 경우 본 발명의 모델을 이용하여 광 근접 효과 보정(OPC) 공정을 수행한다(S160).Next, it is determined whether the image space of the modeled optical proximity effect correction (OPC) model is equal to or sufficient as the previously extracted image space value, and if the image space of the applied model is the same or sufficient as the extracted image space value, the model of the present invention Using the optical proximity effect correction (OPC) process (S160).

본 발명에 따른 광 근접 효과 보정을 위한 패턴 모델링 방법은, 포토 마스크의 패턴 데이터베이스의 이미지 파라미터를 분석하여 실제 패턴으로부터 언더사이징, 혹은 오버사이징된 이미지 파라미터를 추출하고, 이를 토대로 패턴 임계 치수(CD)를 추출한 후, 광근접효과 보정(OPC)의 모델을 만들기 때문에 포토 마스크의 패턴에 대한 광근접효과 보정(OPC)의 모델 데이터의 정확도를 높일 수 있다.In the pattern modeling method for optical proximity effect correction according to the present invention, an image parameter of a pattern database of a photo mask is analyzed to extract an undersized or oversized image parameter from an actual pattern, and based on the pattern threshold dimension (CD) After extracting, since the model of the optical proximity effect correction (OPC) is made, the accuracy of model data of the optical proximity effect correction (OPC) on the pattern of the photomask can be improved.

상기한 바와 같이, 본 발명은 포토 마스크의 패턴 데이터베이스의 이미지 파라미터를 분석하여 실제 패턴(언더 사이징, 혹은 오버 사이징)의 이미지 파라미터를 추출하고, 이를 토대로 패턴 임계 치수(CD)를 추출하여 광근접효과 보정(OPC)의 모델을 만든다.As described above, the present invention analyzes the image parameters of the pattern database of the photo mask to extract the image parameters of the actual pattern (under sizing or over sizing), and extracts the pattern critical dimension (CD) based on the optical proximity effect. Create a model of calibration (OPC).

그러므로 본 발명은 포토 마스크의 미세화된 패턴에 영향을 미치는 광학적 특성, 예를 들어 광강도 최대값, 최소값, 광강도 경사 등의 이미지 파라미터 값을 추출하여 이를 광근접 효과 보정(OPC)의 모델에 적용함으로써, 포토 마스크의 패턴 에 대한 광근접효과 보정(OPC)의 모델 데이터의 정확도를 높일 수 있다.Therefore, the present invention extracts the optical properties that affect the micronized pattern of the photo mask, for example, image parameter values such as light intensity maximum value, minimum value, light intensity gradient, and apply them to the model of optical proximity effect correction (OPC). As a result, the accuracy of model data of optical proximity effect correction (OPC) with respect to the pattern of the photomask can be increased.

Claims (4)

웨이퍼 상에 형성될 타겟 패턴의 GDS 데이터를 로딩하는 단계;Loading GDS data of a target pattern to be formed on the wafer; 상기 GDS 데이터의 이미지 파라미터를 추출하는 단계;Extracting image parameters of the GDS data; 상기 추출된 이미지 파라미터를 상기 타겟 패턴의 광학적 특성에 따라 이미지 스페이스로 구분하여 차트로 형성하는 단계;Forming the chart by dividing the extracted image parameter into an image space according to an optical characteristic of the target pattern; 상기 타겟 패턴 데이터의 유효 범위를 설정하기 위해 상기 이미지 파라미터를 소정 범위 내에서 이동시키는 단계;Moving the image parameter within a predetermined range to set an effective range of the target pattern data; 상기 이동시킨 이미지 파라미터 데이터를 기준으로 테스트 구조의 임계치수를 추출하는 단계;Extracting a critical dimension of a test structure based on the moved image parameter data; 상기 추출된 임계치수를 기준으로 광 근접효과 보정(OPC) 모델링을 수행하는 단계; 및Performing optical proximity effect correction (OPC) modeling based on the extracted critical dimension; And 상기 모델링 한 데이터를 기준으로 광 근접 효과 보정(OPC) 공정을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 근접 효과 보정을 위한 패턴 모델링 방법.And performing an optical proximity effect correction (OPC) process based on the modeled data. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 이미지 파라미터는 10㎚∼50㎚ 범위에서 증가시키거나 감소시키는 것을 특징으로 하는 광 근접 효과 보정을 위한 패턴 모델링 방법.And the image parameter is increased or decreased in a range of 10 nm to 50 nm. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 이미지 파라미터를 소정 범위 내에서 이동시키는 단계는, 상기 추출된 이미지 파라미터를 언더사이징 또는 오버사이징하는 것을 특징으로 하는 광 근접 효과 보정을 위한 패턴 모델링 방법.The moving of the image parameter within a predetermined range may include undersizing or oversizing the extracted image parameter. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 이미지 파라미터는, 광 강도의 최대값, 광강도의 최소값 또는 광강도 경사값을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 근접 효과 보정을 위한 패턴 모델링 방법.The image parameter may include a maximum value of light intensity, a minimum value of light intensity, or a light intensity gradient value.
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KR960011567A (en) * 1994-09-16 1996-04-20 기다오까 다까시 Optical proximity effect correction system, method and pattern formation method
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