KR100784004B1 - Substrate processing apparatus and method - Google Patents

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Abstract

기판(G)에 자외선을 조사하여 소정의 처리를 하는 자외선조사유니트(UV)는 기판(G)을 지지하는 스테이지(76)와, 전력의 공급을 받아 자외선을 발생시키는 램프[64(n)]를 1개 또는 복수개 구비하고, 램프[64(n)]로부터 나온 자외선을 기판(G)을 향하여 조사하는 램프실(66)과, 램프실(66)로부터의 자외선이 스테이지(76)에 지지되고 있는 기판(G)의 피처리면을 기판의 한 끝단부에서 다른 끝단부까지 주사하도록, 스테이지(76)를 소정 방향을 따라 이동시키는 스테이지구동부(80)와, 기판 (G)의 한 끝단부 및/또는 다른 끝단부에 대하여 스테이지(76)를 실질적으로 정지시킨 상태에서 램프실(66)로부터의 자외선을 소정시간 조사시키는 제어부(88)를 구비한다. The ultraviolet irradiation unit (UV) that irradiates ultraviolet rays to the substrate (G) and performs a predetermined process includes a stage (76) for supporting the substrate (G) and a lamp (64 (n)) for generating ultraviolet rays by receiving electric power. And a lamp chamber 66 for irradiating the ultraviolet rays emitted from the lamp 64 (n) toward the substrate G and the ultraviolet rays from the lamp chamber 66 are supported by the stage 76. A stage driver 80 for moving the stage 76 along a predetermined direction so as to scan the processing target surface of the substrate G from one end portion to the other end portion of the substrate G, and one end portion of the substrate G and / Or the control part 88 which irradiates the ultraviolet-ray from the lamp chamber 66 for predetermined time in the state which stopped the stage 76 substantially with respect to the other end part is provided.

Description

기판처리장치 및 기판처리방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD}Substrate processing apparatus and substrate processing method {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD}

도 1은 본 발명의 기판처리장치가 적용된 레지스트 도포현상처리 시스템의 구성을 나타내는 평면도, 1 is a plan view showing the configuration of a resist coating and developing processing system to which the substrate treating apparatus of the present invention is applied;

도 2는 도 1의 도포현상처리 시스템에 있어서의 처리 순서를 나타내는 플로우 챠트, 2 is a flowchart showing a processing procedure in the coating and developing processing system of FIG. 1;

도 3은 본 발명의 제 1 실시형태에 관한 자외선조사유니트를 나타내는 단면도로서, 그 스테이지가 주사방향의 원점위치에 위치하고 있는 상태를 나타낸 도면, Fig. 3 is a sectional view showing an ultraviolet irradiation unit according to the first embodiment of the present invention, showing a state where the stage is located at the origin position in the scanning direction,

도 4는 본 발명의 제 1 실시형태에 관한 자외선조사유니트를 나타내는 단면도로서, 그 스테이지가 주사방향의 진행위치에 위치하고 있는 상태를 나타낸 도면,Fig. 4 is a sectional view showing an ultraviolet irradiation unit according to the first embodiment of the present invention, showing a state where the stage is located at a traveling position in the scanning direction.

도 5는 본 발명의 제 1 실시형태에 관한 자외선조사유니트의 주요한 제어계의 구성을 나타내는 블록도,5 is a block diagram showing the configuration of a main control system of the ultraviolet irradiation unit according to the first embodiment of the present invention;

도 6은 본 발명의 제 1 실시형태에 관한 자외선조사유니트에 있어서의 주요한 동작순서를 나타내는 플로우챠트, 6 is a flowchart showing a main operation procedure in the ultraviolet irradiation unit according to the first embodiment of the present invention;

도 7은 본 발명의 제 1 실시형태에 관한 자외선조사유니트에 있어서의 자외선조사세정처리의 순서를 나타내는 플로우챠트, 7 is a flowchart showing a procedure of an ultraviolet irradiation cleaning process in the ultraviolet irradiation unit according to the first embodiment of the present invention;

도 8은 본 발명의 제 1 실시형태에 관한 자외선조사유니트에 있어서의 자외선조사세정처리의 작용을 모식적으로 나타낸 도면, 8 is a diagram schematically showing the operation of the ultraviolet irradiation cleaning process in the ultraviolet irradiation unit according to the first embodiment of the present invention;                 

도 9는 본 발명의 제 1 실시형태의 다른 예에 있어서 복수의 자외선램프를 단계적으로 순차 점등시키는 시퀀스를 나타낸 도면, 9 is a diagram showing a sequence of sequentially lighting a plurality of ultraviolet lamps according to another example of the first embodiment of the present invention;

도 10은 본 발명의 제 1 실시형태의 다른 예에 있어서 복수의 자외선램프를 단계적으로 순차 소등시키는 시퀀스를 나타낸 도면, 10 is a diagram showing a sequence of sequentially turning off a plurality of ultraviolet lamps in another example of the first embodiment of the present invention;

도 11은 도 9 및 도 10의 단계적 램프점등·소등제어에 의해 기판상에서 얻어지는 자외선조사량분포를 나타낸 도면, FIG. 11 is a diagram showing an ultraviolet irradiation dose distribution obtained on a substrate by the step lamp on / off control of FIGS. 9 and 10;

도 12는 도 9의 단계적 램프점등제어에 의해 기판 끝단부에서 얻어지는 자외선조사량분포특성을 설명하기 위한 도면, 12 is a view for explaining the ultraviolet irradiation dose distribution characteristics obtained at the end of the substrate by the step lamp lighting control of FIG.

도 13은 본 발명의 제 1 실시형태의 또 다른 예에 관한 자외선조사유니트의 구성을 나타낸 도면, 13 is a diagram showing the configuration of an ultraviolet irradiation unit according to still another example of the first embodiment of the present invention;

도 14는 본 발명의 제 2 실시형태에 관한 자외선조사유니트를 나타내는 단면도, 14 is a sectional view showing an ultraviolet irradiation unit according to a second embodiment of the present invention;

도 15는 본 발명의 제 2 실시형태에 관한 자외선조사유니트에 있어서의 전열선의 부착구조를 나타내는 사시도,15 is a perspective view showing an attachment structure of a heating wire in an ultraviolet irradiation unit according to a second embodiment of the present invention;

도 16은 본 발명의 제 2 실시형태에 관한 자외선조사유니트의 주요한 제어계의 구성을 나타내는 블록도,16 is a block diagram showing the configuration of a main control system of the ultraviolet irradiation unit according to the second embodiment of the present invention;

도 17은 본 발명의 제 2 실시형태에 관한 자외선조사유니트에 있어서의 히터전원부의 한 구성예를 나타내는 블록도, 17 is a block diagram showing an example of a configuration of a heater power supply unit in an ultraviolet irradiation unit according to a second embodiment of the present invention;

도 18은 본 발명의 제 2 실시형태에 관한 자외선조사유니트에 있어서 자외선조사창을 주사식으로 가열하는 작용을 모식적으로 나타내는 평면도, 18 is a plan view schematically showing the operation of heating the ultraviolet irradiation window in a scanning manner in the ultraviolet irradiation unit according to the second embodiment of the present invention;                 

도 19는 본 발명의 제 2 실시형태에 관한 자외선조사유니트에 있어서의 전열선부착구조의 한 변형예를 나타내는 사시도이다.Fig. 19 is a perspective view showing a modification of the heating element attaching structure in the ultraviolet irradiation unit according to the second embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for main parts of the drawings>

38 : 주반송장치 UV : 자외선조사유니트38: main transport device UV: UV irradiation unit

62 : 자외선사출창62: UV emitting window

64(1), 64(2), ····, 64(n) : 자외선램프64 (1), 64 (2), ..., 64 (n): UV lamp

66 : 램프실 68 : 세정처리실66: lamp chamber 68: cleaning treatment chamber

76 : 스테이지 78 : 볼나사76: stage 78: ball screw

80 : 스테이지구동부 82 : 가이드80: stage driving unit 82: guide

84 : 고정리프트핀 86 : 셔터84: fixed lift pin 86: shutter

88 : 제어부 92 : 스테이지승강구동부88: control unit 92: stage lift drive unit

94 : 주사구동부 96 : 램프전원부94: scan driver 96: lamp power supply

98 : 센서류 100 : 볼나사98: sensors 100: ball screw

102 : 주사구동부 104 : 가이드102: injection driving unit 104: guide

116 : 전열선 118 : 지지핀116: heating wire 118: support pin

122 : 온도센서 130 : 히터전원부 122: temperature sensor 130: heater power unit

본 발명은 피처리기판에 자외선을 조사하여 소정처리를 하는 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for irradiating ultraviolet light to a substrate to be treated and performing a predetermined treatment.

반도체디바이스나 액정표시장치(LCD)의 제조에 있어서는, 피처리기판(예를 들면 반도체웨이퍼, LCD기판 등)의 표면이 청정화된 상태에 있는 것을 전제로 하여 각종 미세한 가공이 이루어진다. 따라서, 각 가공처리에 앞서 또는 각 가공처리의 중간에 피처리기판 표면의 세정이 행하여지고, 예를 들면 포토리소그래피공정에서는, 레지스트도포에 앞서 피처리기판의 표면이 세정된다. In the manufacture of semiconductor devices and liquid crystal displays (LCDs), various fine processing is performed on the assumption that the surface of the substrate to be processed (for example, a semiconductor wafer, LCD substrate, etc.) is in a clean state. Therefore, the surface of the substrate to be processed is cleaned prior to each processing or in the middle of each processing. For example, in the photolithography step, the surface of the substrate to be processed is cleaned before the resist coating.

종래로부터, 피처리기판 표면의 유기물을 제거하기 위한 세정법으로서, 자외선조사에 의한 건식세정기술이 알려져 있다. 이 자외선조사세정기술은 소정파장(자외선광원으로서 저압수은램프를 사용할 때에는 185nm, 254nm, 유전체 배리어 방전램프로서는 172nm)의 자외선을 사용하여 산소를 여기시키고, 생성되는 오존이나 발생기의 산소에 의해서 기판표면상의 유기물을 산화·기화시켜 제거하는 것이다. Background Art Conventionally, a dry cleaning technique by ultraviolet irradiation has been known as a cleaning method for removing organic matter on the surface of a substrate to be processed. This ultraviolet irradiation cleaning technology excites oxygen using ultraviolet rays having a predetermined wavelength (185 nm, 254 nm when using low pressure mercury lamp as an ultraviolet light source, and 172 nm as dielectric barrier discharge lamp), and the surface of the substrate is generated by the generated ozone or oxygen of the generator. The organic matter of the phase is oxidized and removed.

일반적으로, 그러한 자외선조사에 의한 건식세정을 행하기 위한 자외선조사세정장치는, 석영유리의 창을 가진 램프실내에 자외선광원이 되는 램프를 1개 또는 복수개 모두 수용하고, 이 석영유리창을 통해 램프실에 인접하는 세정처리실내에 피처리기판을 배치하여, 램프실내의 램프로부터 발생하는 자외선을 해당 석영유리창을 통해서 피처리기판의 피처리면에 조사하도록 되어 있다. 최근에는, 피처리기판의 피처리면에 대하여 램프를 상대적으로 평행이동시켜 피처리면상에서 자외선을 주사함으로써 램프수의 삭감이나 석영유리창의 소형화가 도모되고 있다. In general, an ultraviolet irradiation cleaning apparatus for performing dry cleaning by such ultraviolet irradiation accommodates one or a plurality of lamps as ultraviolet light sources in a lamp chamber having a window of quartz glass, and through this quartz glass window a lamp chamber. The substrate to be processed is disposed in the cleaning chamber adjacent to the substrate, and the ultraviolet rays generated from the lamp in the lamp chamber are irradiated to the surface to be processed of the substrate through the quartz glass window. In recent years, the number of lamps is reduced and the size of quartz glass window can be reduced by relatively moving the lamp relative to the target surface of the substrate to be processed and scanning ultraviolet rays on the target surface.

그러나, 종래의 주사식 자외선조사세정장치는, 주사방향에 있어서의 피처리기판의 양 끝단부에서 세정효과가 충분하지 않다고 하는 문제가 있었다. 이 문제 의 원인은 주사방향의 기판의 양 끝단부는 주사의 개시·종료위치인 동시에 램프의 점등·소등위치이기 때문에, 공간적으로 또한 시간적으로 자외선의 조도 내지 조사량이 부족한 데에 있다. 따라서, 기판의 끝단으로 갈수록 자외선조사량이 저하하거나 또는 부족하여 세정효과가 약해진다. However, the conventional scanning ultraviolet irradiation cleaning apparatus has a problem that the cleaning effect is not sufficient at both ends of the substrate to be processed in the scanning direction. The reason for this problem is that both ends of the substrate in the scanning direction are at the start and end positions of the scan and at the same time the lamp is turned on and off, so that the illumination intensity and irradiation amount of the ultraviolet light are spatially and temporally short. Therefore, the amount of ultraviolet irradiation decreases or becomes insufficient toward the end of the substrate, and the cleaning effect is weakened.

한편, 상술한 바와 같은 자외선조사세정장치에서는, 자외선조사창을 구성하는 석영유리의 바깥쪽표면(기판쪽의 표면)에 자외선에 의한 반응생성물이 부착하는 현상이 문제가 되고 있다. 즉, 피처리기판의 표면 또는 그 부근에 부착 또는 표류하고 있는 유기물이나 약품 등의 자외선의 광에너지로 반응하여, 그 반응생성물이 기판과 아주 가깝게 대향하는 석영유리에 부착하여 백색의 석출물이 되어, 그에 따라 석영유리의 자외선투과특성이 저하하거나, 석영유리로부터 반응생성물 또는 석출물이 벗겨져 파티클의 원인이 되는 경우가 있다. On the other hand, in the ultraviolet irradiation cleaning apparatus as described above, the phenomenon that the reaction product by ultraviolet rays adheres to the outer surface (the surface of the substrate side) of the quartz glass constituting the ultraviolet irradiation window is a problem. That is, it reacts with the light energy of ultraviolet rays such as organic substances or chemicals adhering or drifting on or near the surface of the substrate, and the reaction product adheres to the quartz glass facing very close to the substrate to form a white precipitate. As a result, the ultraviolet ray transmitting characteristics of the quartz glass may be lowered, or the reaction product or the precipitate may be peeled off from the quartz glass to cause particles.

종래로부터, 상기의 문제를 해소하기 위한 효과적인 기술로서, 자외선조사창의 석영유리를 100℃ 이상으로 가열하는 기법이 알려져 있다. 석영유리를 100℃ 이상으로 가열하면, 석영유리에 부착 또는 그 부근에 부유하고 있는 자외선반응생성물이 열분해되어 제거된다. Conventionally, as an effective technique for solving the above problem, a technique of heating the quartz glass of the ultraviolet irradiation window to 100 ° C or more is known. When the quartz glass is heated to 100 ° C. or more, the ultraviolet reaction product adhering to or floating in the quartz glass is thermally decomposed and removed.

종래 이 종류의 자외선조사세정장치에서는, 상기의 지견에 기초하여 자외선조사창의 석영유리를 가열하기 위해서, 석영유리의 안쪽면(램프쪽 면)에 도전성 발열페이스트로 이루어지는 두꺼운 막히터나 니크롬선으로 이루어지는 선형상 히터를 형성 또는 배치하고 이 히터의 발열에 의해 석영유리를 직접 가열하거나, 혹은 유전체 배리어방전램프의 근방에 할로겐백열전구를 배치하여 이 백열전구로부터 방사 되는 적외선에 의해서 석영유리를 가열하도록 하고 있었다. Conventionally, in this type of ultraviolet irradiation cleaning apparatus, in order to heat the quartz glass of the ultraviolet irradiation window based on the above knowledge, a thick film heater or nichrome wire made of conductive heating paste is formed on the inner surface (lamp side) of the quartz glass. Form or arrange a linear heater and heat the quartz glass directly by the heating of the heater, or place a halogen incandescent lamp near the dielectric barrier discharge lamp to heat the quartz glass by infrared rays emitted from the incandescent lamp. there was.

그러나, 종래의 자외선조사세정장치에서는, 상기와 같은 두꺼운 막히터나 선형상 히터에 의해 석영유리를 직접가열하는 방식(직접가열방식)으로 하여도, 할로겐백열전구에 의한 적외선으로 원격가열하는 방식(적외선가열방식)으로 하여도, 제작비용이나 유지관리비용이 많이 든다. However, in the conventional ultraviolet irradiation cleaning apparatus, even when the quartz glass is directly heated by the thick film heater or the linear heater as described above (direct heating method), the remote heating by infrared rays by the halogen incandescent lamp ( Even in the case of infrared heating method, manufacturing cost and maintenance cost are high.

특히, 직접가열방식은 원래 고가의 석영유리에 두꺼운 막히터 또는 선형상 히터를 추가적으로 가공하여 일체로 형성하기 때문에, 매우 번거롭고 주도한 제조기술을 필요로 하여, 장치비용의 대폭적인 상승을 초래한다. 게다가, 석영유리표면에 형성되는 히터에 의해서 석영유리의 자외선투과특성이 저하한다고 하는 문제도 있다. In particular, since the direct heating method is formed by integrally processing the thick film heater or linear heater in addition to the original expensive quartz glass, it requires a very cumbersome and leading manufacturing technology, resulting in a significant increase in device cost. In addition, there is a problem that the ultraviolet ray transmitting characteristic of the quartz glass is lowered by the heater formed on the surface of the quartz glass.

또한, 상기의 적외선가열방식은 램프실내에서 복수의 유전체 배리어방전램프를 나란히 두는 간격이 그 사이에 끼워 넣어지도록 하여 배치되는 백열전구의 면적분만큼 넓어지고, 그에 따라 램프밀도가 저하하여, 나아가서는 자외선의 조사밀도 또는 조도가 저하한다고 하는 문제도 있다. In addition, the above-mentioned infrared heating method widens the area of incandescent lamps arranged so that the intervals for placing a plurality of dielectric barrier discharge lamps in a lamp room are sandwiched therebetween, thereby decreasing the lamp density and further increasing ultraviolet light. There is also a problem that the irradiation density or roughness of?

본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은 주사식의 자외선조사처리에 있어서 피처리기판의 각 부에서, 특히 주사방향의 기판 끝단부에서도 양호한 처리품질을 안정적이고 확실하게 얻도록 한 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공하는 데에 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the problems of the prior art as described above, and its object is to provide stable and reliable processing quality at each part of the substrate to be processed, particularly at the end of the substrate in the scanning direction. The present invention provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

본 발명의 다른 목적은, 주사식의 자외선조사처리에 있어서 피처리기판의 각 부에서 양호한 처리품질을 균일하게 또한 효율적으로 얻도록 한 기판처리장치를 제공하는 데에 있다. Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus in which a good treatment quality is uniformly and efficiently obtained at each part of a substrate to be processed in a scanning ultraviolet irradiation process.

본 발명의 또 다른 목적은, 자외선조사용의 창부재를 자외선반응생성물로부터 저비용으로 간편한 구성에 의해 효과적으로 보호하도록 한 기판처리장치를 제공하는 데에 있다. It is still another object of the present invention to provide a substrate processing apparatus which effectively protects a window member for irradiating ultraviolet rays from a UV reaction product by a simple structure at low cost.

본 발명은 피처리기판에 자외선을 조사하여 소정의 처리를 하는 기판처리장치로서, 피처리기판을 지지하는 지지수단과, 전력의 공급을 받아 자외선을 발생하는 램프를 1개 또는 복수개 구비하고, 상기 램프로부터 나온 자외선을 상기 지지수단에 지지된 피처리기판을 향하여 조사하는 자외선조사수단과, 상기 자외선조사수단으로부터의 자외선이 상기 지지수단에 지지되어 있는 피처리기판의 피처리면을 기판의 한 끝단부에서 다른 끝단부까지 주사하도록, 상기 지지수단 및 상기 자외선조사수단중의 어느 한쪽 또는 양방을 소정의 방향으로 이동시키는 구동수단과, 상기 자외선조사수단으로부터의 자외선이 피처리기판의 한 끝단부 및/또는 다른 끝단부에 대하여 상기 지지수단 및 상기 자외선조사수단의 양방을 실질적으로 정지시킨 상태에서 소정시간 조사되도록 제어하는 제어수단을 구비하는 기판처리장치를 제공한다. The present invention relates to a substrate processing apparatus for irradiating ultraviolet light to a substrate to be treated, the substrate processing apparatus comprising: a support means for supporting the substrate to be processed, and one or a plurality of lamps generating ultraviolet rays when electric power is supplied. One end portion of the substrate includes ultraviolet irradiation means for irradiating the ultraviolet rays emitted from the lamp toward the substrate to be supported by the support means, and a processing surface of the substrate to be supported by the ultraviolet means from the ultraviolet irradiation means. Driving means for moving one or both of the support means and the ultraviolet irradiation means in a predetermined direction so as to scan from the other end to the other end; and the ultraviolet rays from the ultraviolet irradiation means are provided at one end of the substrate to be processed and // Or in a state in which both the support means and the ultraviolet irradiation means are substantially stopped with respect to the other end portion. Provided is a substrate processing apparatus having control means for controlling time irradiation.

또한, 본 발명은 피처리기판에 자외선을 조사하여 소정의 처리를 하는 기판처리방법으로서, 자외선조사수단으로부터의 자외선을 피처리기판의 피처리면을 기판의 한 끝단부에서 다른 끝단부까지 주사시키고, 또한 피처리기판의 한 끝단부 및/또는 다른 끝단부에 대하여 피처리기판과 자외선과의 사이에 상대이동을 시킬 수 없는 상태에서 상기 자외선조사수단으로부터의 자외선을 소정시간 피처리기판에 조사하는 기판처리방법을 제공한다. In addition, the present invention is a substrate processing method for irradiating ultraviolet light to the substrate to be treated, the ultraviolet rays from the ultraviolet irradiation means to scan the surface to be processed from one end of the substrate to the other end, Further, a substrate for irradiating the target substrate with ultraviolet light from the ultraviolet irradiation means for a predetermined time in a state in which relative movement between the substrate and the ultraviolet ray cannot be made relative to one end portion and / or the other end portion of the substrate to be processed. Provide a treatment method.

이러한 구성에 의하면, 주사방향에 있어서의 피처리기판의 한 끝단부 및/또는 다른 끝단부에 대해서는, 정지상태에서 자외선이 소정시간 지속적으로 조사됨으로써, 원하는 자외선조사량으로 안정적이고 확실한 처리를 실시할 수 있고, 피처리기판의 다른 피처리면 부분에 있어서는 주사속도를 적당한 값으로 설정함으로써, 원하는 자외선조사량으로 안정적이고 확실한 처리를 실시할 수 있다. 주사방향에 있어서, 피처리기판의 한 끝단부 및/또는 다른 끝단부에서 외부로 자외선조사수단의 자외선조사부가 밀려나오지 않는 구성으로 할 수 있기 때문에, 장치의 면적을 작게 할 수 있다. According to such a structure, ultraviolet rays are continuously irradiated for a predetermined time in a stationary state to one end portion and / or the other end portion of the substrate to be processed in the scanning direction, so that stable and reliable treatment can be performed at a desired amount of ultraviolet irradiation. In other parts of the substrate to be processed, by setting the scanning speed to an appropriate value, a stable and reliable treatment can be performed at a desired amount of ultraviolet irradiation. In the scanning direction, since the ultraviolet irradiating portion of the ultraviolet irradiating means can not be pushed out from one end and / or the other end of the substrate to be processed, the area of the apparatus can be made small.

이러한 기판처리장치에 있어서, 상기 자외선조사수단을, 복수개의 상기 램프가 램프 길이 방향을 상기 주사의 방향으로 직교시킨 상태에서 상기 주사의 방향과 평행하게 일렬로 배열되어 있지 않은 상기 제어수단이 상기 복수개의 램프를 상기 주사방향의 후미쪽에서 1개씩 소정의 시간간격을 두고 순차로 점등 또는 소등하는 구성으로 할 수 있다. 이러한 구성에 의해, 상기와 같은 정지상태에서 자외선조사가 실시되는 기판 끝단부에 대하여, 주사에 의한 자외선조사량이 불균일을 보상하여, 정지모드와 주사모드를 합한 자외선조사량을 균일화시킬 수 있다. In such a substrate processing apparatus, the plurality of the control means are arranged such that the ultraviolet irradiation means is not arranged in a line in parallel with the direction of scanning in a state where a plurality of the lamps are orthogonal to the direction of the scanning in the lamp longitudinal direction. The lamps may be sequentially turned on or off at a rear end of the scanning direction one by one at a predetermined time interval. With such a configuration, the amount of ultraviolet irradiation by scanning can be compensated for the nonuniformity with respect to the end of the substrate subjected to ultraviolet irradiation in the above-mentioned stop state, so that the amount of ultraviolet irradiation combining the stop mode and the scanning mode can be made uniform.

또한, 본 발명은 피처리기판에 자외선을 조사하여 소정의 처리를 행하는 기판처리장치로서, 피처리기판을 얹어 놓고 지지하는 재치대와, 전력의 공급을 받아 자외선을 발생하는 램프와 자외선을 투과시키는 창부재를 가지며, 상기 램프로부터 발생한 자외선을 상기 창부재를 통해 상기 피처리기판에 조사하는 자외선조사수단과, 상기 자외선조사수단으로부터의 자외선이 상기 재치대상의 피처리기판의 피처리면을 주사하도록, 상기 재치대 및 상기 자외선조사수단중의 어느 한쪽 또는 양방을 소정의 방향으로 이동시켜, 이들 사이에 상대적인 이동을 생기게 하는 구동수단과, 상기 재치대상의 피처리기판과 간섭하지 않도록 상기 재치대에 설치되고, 상기 구동수단의 구동에 의해 상기 재치대와 상기 자외선조사수단이 상대적으로 이동할 때에, 상기 창부재를 주사하면서 상기 창부재를 소정온도 이상으로 가열하는 가열수단을 구비하는 기판처리장치를 제공한다. In addition, the present invention is a substrate processing apparatus for irradiating ultraviolet light to a substrate to be subjected to a predetermined treatment, comprising: a mounting table on which the substrate is to be placed and supported, a lamp for generating ultraviolet rays and electric power transmitted through the substrate; UV light irradiation means for irradiating the substrate to be processed through the window member with ultraviolet light generated from the lamp, and having the window member, so that the ultraviolet light from the ultraviolet light irradiation means scans the processing surface of the substrate to be mounted, One or both of the mounting table and the ultraviolet irradiation means in a predetermined direction, and are provided in the mounting table so as not to interfere with the target substrate to be mounted, and drive means for causing relative movement therebetween. When the mounting table and the ultraviolet irradiation means move relatively by the driving of the driving means, Provided is a substrate processing apparatus including heating means for heating the window member to a predetermined temperature or more while scanning the window member.

이러한 구성에 의하면, 재치대 및 자외선조사수단중의 어느 한쪽 또는 양방이 상기 소정 방향으로 이동하는 동작에 있어서, 자외선조사수단으로부터의 자외선이 피처리기판의 피처리면을 주사함으로써 피처리면에서 유기물을 분해제거하는 동시에, 재치대쪽의 가열수단이 자외선조사수단의 자외선조사용 창부재를 주사하여 소정온도 이상으로 가열함으로써, 창부재로부터 자외선반응생성물 또는 석출물이 제거 또는 회피된다. According to this configuration, in the operation of moving one or both of the mounting table and the ultraviolet irradiation means in the predetermined direction, the ultraviolet rays from the ultraviolet irradiation means decompose the organic matter on the surface to be processed by scanning the surface to be processed of the substrate to be processed. At the same time, the heating means on the mounting side scans the ultraviolet irradiation window member of the ultraviolet irradiation means and heats it to a predetermined temperature or more, thereby removing or avoiding the ultraviolet reaction product or precipitate from the window member.

이러한 기판처리장치에 있어서, 상기 가열수단이, 상기 재치대상에서 상기 피처리기판에 대하여 상기 주사방향에 있어서 전방에 배치되는 발열체를 가진 구성인 것이 바람직하다. 이러한 발열체는, 예를 들면, 상기 주사방향과 직교하는 방향으로 가선되는 전열선으로 구성할 수가 있다. 이 전열선의 발열량을 제어하기 위해서, 상기 가열수단이, 상기 재치대상에서 상기 전열선의 근방에 배치되는 온도센서와, 상기 전열선에 스위칭회로를 통해 전기적으로 접속되는 전력원과, 상기 창 부재가 상기 소정온도이상으로 가열되도록 상기 온도센서의 출력신호에 따라서 상기 스위칭회로의 온·오프동작을 제어하는 온도제어수단을 포함하는 구성으로 하는 것이 바람직하다. In such a substrate processing apparatus, it is preferable that the heating means has a heating element disposed forward in the scanning direction with respect to the substrate to be processed in the placement target. Such a heating element can be comprised, for example with the heating wire wired in the direction orthogonal to the said scanning direction. In order to control the amount of heat generated by the heating wire, the heating means includes a temperature sensor disposed in the vicinity of the heating wire at the placement object, a power source electrically connected to the heating wire via a switching circuit, and the window member is arranged in the predetermined manner. It is preferable to include a temperature control means for controlling the on / off operation of the switching circuit in accordance with the output signal of the temperature sensor so as to be heated above the temperature.

이하, 첨부도면을 참조하여, 본 발명의 실시형태에 대하여 상세하게 설명한다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described in detail with reference to an accompanying drawing.

도 1은 본 발명의 한 실시형태에 관한 기판처리장치가 탑재된 레지스트 도포현상처리 시스템을 모식적으로 나타내는 평면도이다. 이 레지스트 도포현상처리시스템은 크린룸내에 설치되고, 예를 들면 LCD 기판을 피처리기판으로 하여, LCD 제조프로세스에 있어서 포토리소그래피공정 중의 세정, 레지스트도포, 프리베이크, 현상 및 포스트베이크의 각 처리를 하는 것이다. 노광처리는 이 시스템에 인접하여 설치되는 외부의 노광장치(도시하지 않음)로 행하여진다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a top view which shows typically the resist coating and developing system in which the substrate processing apparatus which concerns on one Embodiment of this invention is mounted. The resist coating and developing processing system is installed in a clean room, for example, using an LCD substrate as a substrate to be processed, and performing the cleaning, resist coating, prebaking, developing, and post-baking in the photolithography process in the LCD manufacturing process. will be. An exposure process is performed by an external exposure apparatus (not shown) provided adjacent to this system.

이 도포현상처리시스템은 크게 나누어, 카세트스테이션(C/S)(10)과, 프로세스 스테이션(P/S)(12)과, 인터페이스부(I/F)(14)로 구성된다.This coating and developing processing system is roughly divided into a cassette station (C / S) 10, a process station (P / S) 12, and an interface unit (I / F) 14.

시스템의 한 끝단부에 설치되는 카세트스테이션(C/S)(10)은 복수의 기판(G)을 수용하는 카세트(C)를 소정수 예를 들면 4개까지 재치가능한 카세트 스테이지 (16)와, 이 스테이지(16)상의 카세트(C)에 대하여 기판(G)을 반출입시키는 반송기구(20)를 구비하고 있다. 이 반송기구(20)는 기판(G)를 유지할 수 있는 수단 예를 들면 반송아암을 가지며, X, Y, Z, θ의 4축으로 동작이 가능하고, 후술하는 프로세스스테이션(C/S)(12)쪽의 주반송장치(38)와 기판(G)을 주고받을 수 있도록 되어 있다. The cassette station (C / S) 10 provided at one end of the system includes a cassette stage 16 which can mount a predetermined number, for example, up to four cassettes C containing a plurality of substrates G, The conveyance mechanism 20 which carries in and out the board | substrate G with respect to the cassette C on this stage 16 is provided. The conveying mechanism 20 has a means for holding the substrate G, for example, a conveying arm, and can operate in four axes of X, Y, Z, and θ, and the process station C / S (to be described later) ( The main transport apparatus 38 on the side 12) can exchange the substrate G with each other.

프로세스스테이션(P/S)(12)은 상기 카세트스테이션(C/S)(10)쪽으로부터 순차로 세정프로세스부(22)와, 도포프로세스부(24)와, 현상프로세스부(26)를 기판중계부(23), 약액공급유니트(25) 및 스페이스(27)를 개재하여(끼워) 가로 일렬로 설치하고 있다. The process station (P / S) 12 sequentially cleans the cleaning process unit 22, the coating process unit 24, and the developing process unit 26 from the cassette station (C / S) 10 side. The relay unit 23, the chemical liquid supply unit 25, and the space 27 are interposed (interposed) and arranged in a horizontal line.

세정프로세스부(22)는 2개의 스크러버세정유니트(SCR)(28)와, 상하 2단의 자외선조사/냉각유니트(UV/COL)(30)와, 가열유니트(HP)(32)와, 냉각유니트(COL)(34)를 포함하고 있다. The cleaning process unit 22 includes two scrubber cleaning units (SCRs) 28, upper and lower two stage UV irradiation / cooling units (UV / COL) 30, heating units (HP) 32, and cooling. A unit (COL) 34 is included.

도포프로세스부(24)는 레지스트 도포유니트(CT)(40)와, 감압건조유니트(VD) (42)와, 에지 리무버·유니트(ER)(44)와, 상하2단형 어드히젼/냉각유니트 (AD/COL) (46)와, 상하2단형 가열/냉각유니트(HP/COL)(48)와, 가열유니트(HP)(50)를 포함하고 있다.The coating process unit 24 includes a resist coating unit (CT) 40, a vacuum drying unit (VD) 42, an edge remover unit (ER) 44, and a top and bottom two-stage type advice / cooling unit ( AD / COL) 46, a top and bottom two-stage heating / cooling unit (HP / COL) 48, and a heating unit (HP) 50.

현상프로세스부(26)는 3개의 현상유니트(DEV)(52)와, 2개의 상하2단형 가열/냉각유니트(HP/COL)(55)와, 가열유니트(HP)(53)를 포함하고 있다. The developing process section 26 includes three developing units (DEV) 52, two upper and lower two-stage heating / cooling units (HP / COL) 55, and a heating unit (HP) 53. .

각 프로세스부(22,24,26)의 중앙부에는 길이 방향으로 반송로(36,52,58)가 설치되어, 주반송장치(38,54,60)가 각 반송로를 따라 이동하여 각 프로세스부내의 각 유니트에 억세스하여, 기판(G)의 반입/반출 또는 반송을 하도록 되어 있다. 또, 이 시스템에서는, 각 프로세스부(22,24,26)에 있어서, 반송로(36,52,58)의 한쪽에 스핀너계의 유니트(SCR,CT,DEV 등)이 배치되고, 다른쪽에 열처리 또는 조사처리계의 유니트(HP,COL,UV 등)이 배치되고 있다. Carriage paths 36, 52, and 58 are provided at the center of each of the process parts 22, 24, and 26 in the longitudinal direction, and main transport devices 38, 54, and 60 move along the respective transport paths. Each unit of U is accessed to carry in, carry out, or transport the substrate G. In this system, spinner-based units (SCR, CT, DEV, etc.) are disposed in one of the conveyance paths 36, 52, and 58 in each of the process sections 22, 24, and 26, and the other side is heat-treated. Alternatively, units of irradiation treatment systems (HP, COL, UV, etc.) are disposed.                     

시스템의 다른 끝단부에 설치되는 인터페이스부(I/F)(14)는 프로세스 스테이션(P/S)(12)과 인접하는 쪽에 익스텐션(기판주고받음부)(57) 및 버퍼 스테이지(56)를 설치하여, 노광장치와 인접하는 쪽에 반송기구(59)를 설치하고 있다. The interface unit (I / F) 14 installed at the other end of the system includes an extension (substrate transfer unit) 57 and a buffer stage 56 at a side adjacent to the process station (P / S) 12. The conveyance mechanism 59 is provided in the side adjacent to an exposure apparatus.

도 2에, 이 도포현상처리 시스템에 있어서의 처리의 순서를 나타낸다. 우선, 카세트스테이션(C/S)(10)에 있어서, 반송기구(20)가 스테이지(16)상의 소정의 카세트(C) 속에서 1개의 기판(G)을 꺼내어, 프로세스 스테이션(P/S)(12)의 세정프로세스부(22)의 주반송장치(38)에 건네 준다(스텝 S1). 2 shows the procedure of the processing in this coating and developing treatment system. First, in the cassette station (C / S) 10, the conveyance mechanism 20 takes out one board | substrate G in the predetermined | prescribed cassette C on the stage 16, and process station P / S. It passes to the main conveyance apparatus 38 of the washing | cleaning process part 22 of (12) (step S1).

세정프로세스부(22)에 있어서, 기판(G)은 우선 자외선조사/냉각유니트(UV/ COL)(30)에 차례로 반입되고, 상단의 자외선조사유니트(UV)에서는 자외선조사에 의한 건식세정이 실시되고, 다음에 하단의 냉각유니트(COL)에서는 소정온도까지 냉각된다(스텝 S2). 이 자외선조사세정에서는 기판표면의 유기물이 제거된다. 이에 따라, 기판(G)의 젖는 성질이 향상하여, 다음공정의 스크러빙세정에 있어서의 세정효과를 높일 수 있다. In the cleaning process section 22, the substrate G is first brought into the ultraviolet irradiation / cooling unit (UV / COL) 30 in turn, and dry cleaning by ultraviolet irradiation is performed in the ultraviolet irradiation unit (UV) at the upper end. Next, the cooling unit COL at the lower end is cooled to a predetermined temperature (step S2). In this ultraviolet irradiation cleaning, organic substances on the surface of the substrate are removed. Thereby, the wettability of the board | substrate G improves and the washing | cleaning effect in scrubbing cleaning of a next process can be improved.

다음에, 기판(G)은 스크러버세정유니트(SCR)(28)의 하나로 스크러빙세정처리를 받아, 기판표면에서 입자형상의 오염이 제거된다(스텝 S3). 스크러빙세정후, 기판(G)은 가열유니트(HP)(32)에서 가열에 의한 탈수처리를 받고(스텝 S4), 이어서 냉각유니트(COL)(34)로 일정한 기판온도까지 냉각된다(스텝 S5). 이로써 세정프로세스부(22)에 있어서의 전처리가 종료하고, 기판(G)은 주반송장치(38)에 의해 기판중계부(23)를 통해 도포프로세스부(24)로 반송된다. Subsequently, the substrate G is subjected to a scrubbing cleaning process by one of the scrubber cleaning units (SCRs) 28 to remove particulate contamination from the substrate surface (step S3). After scrubbing, the substrate G is subjected to a dehydration process by heating in the heating unit (HP) 32 (step S4), and then cooled to a constant substrate temperature by the cooling unit (COL) 34 (step S5). . As a result, the pretreatment in the cleaning process section 22 is completed, and the substrate G is conveyed to the coating process section 24 through the substrate relay section 23 by the main transport device 38.

도포프로세스부(24)에 있어서, 기판(G)은 우선 어드히젼/냉각유니트(AD/COL) (46)에 차례로 반입되어, 최초의 어드히젼유니트(AD)에서는 소수화처리(HMDS)를 받고(스텝 S6), 다음 냉각유니트(COL)로 일정한 기판온도까지 냉각된다(스텝 S7). In the coating process section 24, the substrate G is first brought into the Advance / Cooling Unit (AD / COL) 46 in turn, and is subjected to hydrophobic treatment (HMDS) in the first Advance Unit (AD) ( In step S6), the cooling unit COL is cooled to a constant substrate temperature (step S7).

그 후, 기판(G)은 레지스트 도포유니트(CT)(40)로 레지스트액이 도포되고, 이어서 감압건조유니트(VD)(42)로 감압에 의한 건조처리를 받고, 이어서 에지리무버·유니트(ER)(44)와 기판둘레가장자리부의 여분(불필요)의 레지스트가 제거된다(스텝 S8). Subsequently, the substrate G is coated with a resist liquid by a resist coating unit (CT) 40, and then subjected to a drying process under reduced pressure by a vacuum drying unit (VD) 42, followed by an edge remover unit (ER). 44 and the excess (unnecessary) resist at the edges of the substrate are removed (step S8).

다음에, 기판(G)은 가열/냉각유니트(HP/COL)(48)에 차례로 반입되고, 최초의 가열유니트(HP)에서는 도포후의 베이킹(프리베이크)이 행하여지며(스텝 S9), 다음에 냉각유니트(COL)로 일정한 기판온도까지 냉각된다(스텝 S10). 또, 이 도포후 베이킹에 가열유니트(HP)(50)를 사용할 수도 있다. Subsequently, the substrate G is loaded into the heating / cooling unit (HP / COL) 48 in turn, and the baking (prebaking) after coating is performed in the first heating unit HP (step S9). The cooling unit COL is cooled to a constant substrate temperature (step S10). Moreover, the heating unit (HP) 50 can also be used for this post-application baking.

상기 도포처리후, 기판(G)은 도포프로세스부(24)의 주반송장치(54)와 현상프로세스부(26)의 주반송장치(60)에 의해서 인터페이스부(I/F)(14)로 반송되고, 거기에서 노광장치에 넘겨진다(스텝 S11). 노광장치에서는 기판(G) 상의 레지스트에 소정의 회로패턴이 노광된다. 그리고, 패턴노광을 끝낸 기판(G)은 노광장치로부터 인터페이스부(I/F)(14)로 되돌아간다. 인터페이스부(I/F)(14)의 반송기구(59)는 노광장치로부터 받아들인 기판(G)을 익스텐션(57)을 통해 프로세스 스테이션(P/S) (12)의 현상프로세스부(26)로 건네 준다(스텝 S11)After the coating process, the substrate G is transferred to the interface unit I / F 14 by the main transport device 54 of the coating process part 24 and the main transport device 60 of the developing process part 26. It is conveyed and handed over to an exposure apparatus there (step S11). In the exposure apparatus, a predetermined circuit pattern is exposed to the resist on the substrate G. Subsequently, the substrate G after the pattern exposure is returned to the interface unit I / F 14 from the exposure apparatus. The conveyance mechanism 59 of the interface portion (I / F) 14 receives the substrate G received from the exposure apparatus through the extension 57 and the developing process portion 26 of the process station (P / S) 12. We hand in (step S11)

현상프로세스부(26)에 있어서, 기판(G)은 현상유니트(DEV)(52)중의 어느 하나로 현상처리를 받아(스텝 12), 이어서 가열/냉각유니트(HP/COL) (55)의 하나로 순차 반입되어, 최초의 가열유니트(HP)에서는 포스트베이킹이 행하여지고(스텝 S13), 이어서 냉각유니트(C0L)로 일정한 기판온도까지 냉각된다(스텝 S14). 이 포스트베이킹에 가열유니트(HP)(53)를 사용할 수도 있다. In the developing process section 26, the substrate G is subjected to the developing treatment by one of the developing units (DEV) 52 (step 12), and then sequentially by one of the heating / cooling units (HP / COL) 55. It is carried in and post-baking is performed in the first heating unit HP (step S13), and then cooled to a constant substrate temperature by the cooling unit C0L (step S14). The heating unit (HP) 53 can also be used for this postbaking.

현상프로세스부(26)에서의 일련의 처리가 끝난 기판(G)은 프로세스 스테이션 (P/S)(12)내의 주반송장치(60,54,38)에 의해 카세트 스테이션(C/S)(10)까지 복귀되어, 거기서 반송기구(20)에 의해 어느 하나의 카세트(C)에 수용된다(스텝 S1). The substrate G, which has been subjected to a series of processing in the developing process section 26, is transferred to the cassette station C / S 10 by the main transport apparatuses 60, 54, 38 in the process station P / S 12. ), And it is accommodated in any one cassette C by the conveyance mechanism 20 (step S1).

다음에, 이상과 같은 도포현상처리 시스템에 탑재된, 본 발명의 제 1 실시형태에 관한 자외선조사유니트(UV)에 대하여, 도 3∼도 13을 참조하면서 설명한다. Next, the ultraviolet irradiation unit (UV) which concerns on the 1st Embodiment of this invention mounted in the above application | coating development processing system is demonstrated, referring FIGS.

도 3 및 도 4에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 한 실시형태에 의한 자외선조사유니트(UV)는 아랫면에 석영유리로 이루어지는 자외선사출창(62)을 부착하여, 실내에 1개 또는 복수개(도시의 예는 n=4, 즉 4개)의 원통형자외선램프[64(1),64(2)····, 64(n)]를 램프의 길이 방향과 수직인 수평방향으로 나란히 수용하여 이루어지는 램프실(66)과, 이 램프실(66)의 아래에서 인접하여 설치된 세정처리실 (68)을 갖는다. As shown in Fig. 3 and Fig. 4, the ultraviolet irradiation unit (UV) according to one embodiment of the present invention is attached to the bottom of the ultraviolet irradiation window 62 made of quartz glass, one or more (in the illustrated) An example is a lamp formed by accommodating n = 4, i.e. four) cylindrical ultraviolet lamps 64 (1), 64 (2) ..., 64 (n) side by side in a horizontal direction perpendicular to the longitudinal direction of the lamp. The chamber 66 and the washing processing chamber 68 provided adjacent under the lamp chamber 66 are provided.

램프실(66)내에 있어서, 각 자외선램프[64(i)](i=1,2, ····, n)는 예를 들면 유전체배리어방전램프여도 되고, 후술하는 램프전원부(96)로부터 상용교류전력의 공급을 받아 발광하여, 유기오염의 세정에 바람직한 파장172nm의 자외선(자외엑시머광)을 방사한다. 각 자외선램프[64(i)]의 배후 또는 위에는 횡단면이 원호형상인 오목면 반사경(70)이 배치되어 있으며, 각 램프[64(i)]보다 위쪽 내지 옆쪽으로 방사된 자외선은 바로 위의 반사경 오목면부에서 반사하여 자외선사출창(62)쪽을 향하도록 되어 있다. In the lamp chamber 66, each of the ultraviolet lamps 64 (i) (i = 1, 2, ..., n) may be a dielectric barrier discharge lamp, for example. It emits light under the supply of commercial AC power, and emits ultraviolet (ultraviolet excimer) light having a wavelength of 172 nm, which is suitable for cleaning organic pollution. A concave reflector 70 having an arcuate cross section is disposed behind or above each of the ultraviolet lamps 64 (i), and the ultraviolet rays emitted above or to the side of each lamp 64 (i) are immediately above the reflecting mirrors. Reflected by the concave surface portion, it is directed toward the ultraviolet light emitting window 62.                     

램프실(66)내에는, 자외선램프[64(1)∼64(n)]를 예를 들면 수냉방식으로 냉각하는 냉각재킷(도시하지 않음)이나, 자외선을 흡수하는 (따라서 램프발광효율을 악화시키는)산소의 실내에의 진입을 방지하기 위한 불활성가스 예를 들면 N2가스를 도입하고 또한 충만시키는 가스유통기구(도시하지 않음)등도 설치하여도 좋다. In the lamp chamber 66, a cooling jacket (not shown) for cooling the ultraviolet lamps 64 (1) to 64 (n) by, for example, a water cooling method, or absorbing ultraviolet rays (and thus deteriorating the lamp luminous efficiency). A gas distribution mechanism (not shown) for introducing and filling an inert gas, for example, N 2 gas, to prevent oxygen from entering the room may be provided.

램프실(66)의 양쪽에는, 이 자외선조사유니트(UV)내의 각부에 소요의 용력 또는 제어신호를 공급하기 위한 용력공급부 및 제어부를 수용하는 유틸리티·유니트(74)가 설치되어 있다. On both sides of the lamp chamber 66, utility units 74 are provided which house a power supply unit and a control unit for supplying required power or control signals to the respective portions in the ultraviolet irradiation unit UV.

세정처리실(68)내에는, 기판(G)을 얹어 놓고 지지하기 위한, 수평이동 및 승강가능한 스테이지(76)가 설치되어 있다. 본 실시형태에서는, 볼나사(78)를 사용하는 자주식(自走式)의 스테이지구동부(80) 상에 스테이지(76)를 수직방향(도면의 Z방향)으로 승강가능하도록 탑재하고, 스테이지구동부(80)가 볼나사(78) 및 이것과 평행하게 연재하는 가이드(82)를 따라 소정의 수평방향(도면의 Y방향)으로, 즉 램프실(66)의 바로 아래를 램프배열방향과 평행하게 가로지르도록, 원점위치(도 3)와 진행위치(도 4)의 사이에서 왕복이동할 수 있도록 구성되어 있다. 또한, 도시하지 않지만, 세정처리실(68)의 실내를 배기하는 배기계통이 설치되어도 좋다. In the cleaning processing chamber 68, a stage 76 capable of horizontal movement and elevation for mounting and supporting the substrate G is provided. In this embodiment, the stage 76 is mounted on the self-propelled stage driving unit 80 using the ball screw 78 so that the stage 76 can be elevated in the vertical direction (Z direction in the drawing), and the stage driving unit ( 80 along the ball screw 78 and the guide 82 extending in parallel therewith in a predetermined horizontal direction (Y direction in the drawing), that is, immediately below the lamp chamber 66 in parallel with the lamp arrangement direction. It is comprised so that it may reciprocate between an origin position (FIG. 3) and a traveling position (FIG. 4). In addition, although not shown, an exhaust system for exhausting the interior of the cleaning processing chamber 68 may be provided.

이 실시형태에서는, 스테이지(76)가 기판(G)을 얹어 놓은 상태에서 Y 방향 원점위치에 위치하고 있을 때에는, 도 3에 나타낸 바와 같이 램프실(66)의 자외선사출창(62)이 기판(G)의 한쪽(도면의 오른쪽)의 끝단부(Ga)에 대향하고, 스테이지 (76)가 기판(G)을 얹어 놓은 상태에서 Y방향 진행위치에 위치하고 있을 때에는, 도 4에 나타낸 바와 같이 램프실(66)의 자외선사출창(62)이 기판(G)의 다른쪽(도면의 왼쪽)의 끝단부(Gb)에 대향하도록 되어 있다. 또, 램프실(66)내의 자외선램프 [64(1)∼64(n)]은 그 바로 아래에 위치하는 스테이지(76)상의 기판(G)에 대하여 램프길이 방향으로 기판(G)보다도 다소 밀려나오도록 하는 칫수(램프길이)가 선택되고 있다. In this embodiment, when the stage 76 is located at the home position in the Y direction in the state where the substrate G is placed, the ultraviolet irradiation window 62 of the lamp chamber 66 is the substrate G as shown in FIG. 3. When the stage 76 is positioned at the traveling position in the Y direction while the stage 76 is placed on the substrate G, the lamp chamber (as shown in Fig. 4) is opposite to the end Ga of one side (right side of the drawing). The ultraviolet ray emitting window 62 of 66 is opposed to the end Gb of the other side of the substrate G (left side of the drawing). In addition, the ultraviolet lamps 64 (1) to 64 (n) in the lamp chamber 66 are slightly pushed out of the substrate G in the lamp length direction with respect to the substrate G on the stage 76 positioned immediately below it. Dimension (lamp length) to come is chosen.

스테이지(76)에는, 기판(G)의 반입/반출시에 기판(G)을 수평자세로 담지하기 위한 복수개(예를 들면 6개)의 리프트핀(84)이 수직으로 관통하고 있다. 본 실시형태에서는, 각 리프트핀(84)이 기판을 주고 받는 용도의 소정 높이 위치에서 고정되고, 이들 고정 리프트핀(84)에 대하여 스테이지(76)가 기판(G)의 반입/반출이 방해되지 않는 퇴피용의 하한높이위치(Hb)와 스테이지(76) 스스로 기판(G)을 재치하여 지지하기 위한 일점쇄선으로 나타내는 상한높이위치(Ha)와의 사이에서 승강기구 (도시하지 않음)에 의해 승강가능하게 되어 있다. 스테이지(76)의 윗면에는, 기판(G)을 지지하기 위한 다수의 지지핀(도시하지 않음)이나 기판(G)을 흡인유지하기 위한 진공척흡인구(도시하지 않음)등이 설치되어 있다. In the stage 76, a plurality of lift pins 84 (for example, six) are vertically penetrated to carry the substrate G in a horizontal posture when the substrate G is loaded and unloaded. In this embodiment, each lift pin 84 is fixed at a predetermined height position for exchanging substrates, and the stage 76 does not interfere with the fixed lift pin 84 in the carrying in / out of the substrate G. The elevating mechanism (not shown) is possible between the lower limit height position Hb for evacuation and the upper limit height position Ha indicated by a dashed line for mounting and supporting the substrate G by itself. It is supposed to be done. On the upper surface of the stage 76, a plurality of support pins (not shown) for supporting the substrate G, and vacuum chuck suction ports (not shown) for sucking and holding the substrate G are provided.

스테이지(76)의 Y방향 원점위치에 인접하는 세정처리실(68)의 측벽에는, 고정 리프트핀(84)의 상단부에 가까운 높이 위치로써 기판(G)을 반입/반출하기 위한 개폐가능한 셔터(문)(86)가 부착되어 있다. 이 셔터(86)는 세정프로세스부(22)의 반송로(36)(도 1)에 면하고 있으며, 셔터(86)를 연 상태에서, 반송로(36)상에서 주반송장치(38)가 반입출구를 지나 세정처리실(68)내로의 기판(G)의 반입·반출을 할 수 있도록 되어 있다. On the side wall of the cleaning processing chamber 68 adjacent to the Y-direction origin position of the stage 76, an openable shutter (door) for carrying in / out of the substrate G at a height position close to the upper end of the fixed lift pin 84. (86) is attached. This shutter 86 faces the conveyance path 36 (FIG. 1) of the washing | cleaning process part 22, and the main conveying apparatus 38 is carried in on the conveyance path 36 with the shutter 86 opened. The substrate G can be loaded and unloaded into the cleaning process chamber 68 through the outlet.                     

다음에, 본 실시형태의 자외선조사유니트(UV)에 있어서의 제어계의 구성에 대하여 도 5를 참조하여 설명한다. 제어부(88)는 마이크로컴퓨터로 구성할 수 있고, 그 내장의 메모리에는 본 유니트내의 각 부 및 전체를 제어하기 위한 필요한 프로그램이 격납되어 있으며, 적당한 인터페이스를 개재하여, 본 도포현상처리 시스템의 전체적인 처리순서를 통괄하는 메인컨트롤러(도시하지 않음)나 이 자외선조사유니트(UV)내의 제어계의 각 부에 접속되어 있다. Next, the structure of the control system in the ultraviolet irradiation unit (UV) of this embodiment is demonstrated with reference to FIG. The control unit 88 can be constituted by a microcomputer, and the built-in memory stores necessary programs for controlling each part and the whole in the unit, and the overall processing of the present coating and developing system through an appropriate interface. It is connected to the main controller (not shown) which controls the procedure, and each part of the control system in this ultraviolet irradiation unit (UV).

본 실시형태에 있어서, 제어부(88)와 관계하는 본 자외선조사유니트(UV)내의 주요한 부분은, 셔터(86)를 구동시키기 위한 셔터구동부(90), 스테이지(76)를 Z방향에서 승강구동시키기 위한 스테이지승강구동부(92), 스테이지(76)를 Y방향에서 수평구동 또는 주사구동시키기 위한 주사구동부(94), 램프실(66)내의 자외선램프 [64(1)∼64(n)]을 점등구동시키기 위한 램프전원부(96), 장치내 각 부의 상태를 검출하기 위한 센서류(98) 등이다. 스테이지승강구동부(92) 및 주사구동부(94)는 각각 구동원으로서 예를 들면 서보모터를 가지며, 스테이지구동부(80)내에 설치된다. 램프전원부(96)는 제어부(88)와 함께 유틸리티·유니트(74)내에 설치된다. 센서류 (98)는 스테이지(76)의 Y방향에 있어서의 원점위치 및 진행위치, 및 Z방향에 있어서의 기판재치용 및 퇴피용 높이위치를 각각 검출하기 위한 위치센서를 포함하고 있다. In this embodiment, the main part in this ultraviolet irradiation unit UV which concerns on the control part 88 raises and lowers the shutter drive part 90 and the stage 76 for driving the shutter 86 in Z direction. The stage lift driver 92 for driving, the scan driver 94 for horizontally driving or scanning the stage 76 in the Y direction, and the ultraviolet lamps 64 (1) to 64 (n) in the lamp chamber 66 are turned on. Lamp power supply 96 for driving, sensors 98 for detecting the state of each part in the apparatus, and the like. The stage lift drive unit 92 and the scan drive unit 94 each have a servo motor as a drive source, and are provided in the stage drive unit 80. The lamp power supply unit 96 is provided in the utility unit 74 together with the control unit 88. The sensors 98 include a position sensor for detecting the home position and the advancing position in the Y direction of the stage 76 and the height position for repositioning the substrate and the evacuation height in the Z direction, respectively.

다음에, 이 자외선조사유니트(UV)에 있어서의 주요한 동작순서를 도 6을 참조하여 설명한다. 먼저, 상기 메인컨트롤러로부터의 지시를 받아 제어부(88)를 포 함하여 유니트내의 각부를 초기화한다(스텝 A1). 이 초기화중에, 스테이지(76)는 Y방향에서는 셔터(86)에 근접하는 소정의 원점위치에 위치 결정되고, Z 방향에서는 퇴피용 높이위치(Hb)에 내리게 된다. 또한, 후술하는 바와 같이 주사의 시단 및 종단에서 스테이지(76)를 정지시킨 채로 램프실(66)내의 램프[64(1)∼64(n)]를 잠시 발광시켜 둔 시간(Ta,Tb)을 소정의 레지스터에 세트해 둔다. Next, the main operation procedure in this ultraviolet irradiation unit UV is demonstrated with reference to FIG. First, upon receiving an instruction from the main controller, each unit in the unit is initialized including the controller 88 (step A 1 ). During this initialization, the stage 76 is positioned at a predetermined origin position close to the shutter 86 in the Y direction, and lowered to the retract height position Hb in the Z direction. In addition, as described later, the time Ta and Tb in which the lamps 64 (1) to 64 (n) in the lamp chamber 66 are temporarily emitted while the stage 76 is stopped at the beginning and the end of the scan is described. It is set in a predetermined register.

주반송장치(38)(도 1)가 카세트스테이션(C/S)(10)으로부터 처리전의 기판(G)을 본 자외선조사유니트(UV)의 앞까지 반송하여 온 시점에서, 제어부(88)는 주반송장치(38)와 기판(G)을 주고받도록 해당하는 각부를 제어한다(스텝 A2). When the main transport apparatus 38 (FIG. 1) conveyed the board | substrate G before a process from the cassette station (C / S) 10 to the front of this ultraviolet irradiation unit UV, the control part 88 is main transfer device and controls each section corresponding to send and receive (38) and the substrate (G) (step a 2).

보다 상세하게는, 제어부(88)는 먼저 셔터구동부(90)에 셔터(86)를 열게 하는 제어신호를 출력하여, 셔터(86)를 열게 한다. 주반송장치(38)는 한 쌍의 반송아암을 가지고 있으며, 한쪽의 반송아암에 세정전의 기판(G)을 싣고, 다른쪽의 반송아암을 비운(기판이 없는) 상태에서 본 자외선조사유니트(UV)를 향하여 이동한다. 본 자외선조사유니트(UV)내에 세정이 끝난 기판(G)이 없을 때에는, 세정전의 기판(G)을 지지하는 쪽의 반송아암을 그대로 열린 상태의 셔터(86)를 거쳐 세정처리실(68)내로 신장하여, 그 미세정기판(G)을 고정 리프트핀(84)의 위에 옮겨 놓는다. 본 자외선조사유니트(UV)내에 세정이 끝난 기판(G)이 있을 때에는, 제일 처음 비어 있는 반송아암으로 그 세정이 끝난 기판(G)을 반출하고 나서, 미세정의 기판 (G)을 상기 와 같이 하여 반입한다. 상기한 바와 같이 하여 본 자외선조사유니트 (UV)로 자외선세정처리를 받아야 되는 기판(G)이 주반송장치(38)에 의해 고정 리프 트핀(84)의 위에 반입되어 재치되면, 셔터(86)를 닫는다. More specifically, the controller 88 first outputs a control signal for opening the shutter 86 to the shutter driver 90 to open the shutter 86. The main transport device 38 has a pair of transport arms, and the ultraviolet irradiation unit (UV) is seen when the substrate G before cleaning is loaded on one transport arm, and the other transport arm is empty (without a substrate). Move toward). When there is no cleaned substrate G in the ultraviolet irradiation unit UV, the carrier arm on the side supporting the substrate G before cleaning is extended into the cleaning processing chamber 68 through the shutter 86 in the open state. The fine substrate G is then placed on the fixed lift pin 84. When there is the cleaned substrate G in the ultraviolet irradiation unit UV, the cleaned substrate G is first removed from the empty transfer arm, and then the finely defined substrate G is placed as described above. Bring in As described above, when the substrate G to be subjected to the UV cleaning treatment with the ultraviolet irradiation unit UV is loaded and placed on the fixed leaf pin 84 by the main transport device 38, the shutter 86 is opened. Close it.

이어서, 제어부(88)는 스테이지승강구동부(92)를 제어하여 스테이지(76)를 기판재치용의 높이 위치(Ha)까지 상승시킨다(스텝 A3). 이 때, 스테이지(76)가 상승하는 동안에 진공척부의 흡인을 시작하여, 스테이지(76)가 기판재치용의 높이위치(Ha)에 도달함과 동시에 기판(G)을 흡인유지할 수 있도록 하여도 좋다. 스테이지(76)가 기판(G)을 얹어 놓은 상태에서 기판재치용의 높이위치(Ha)까지 상승하면, 기판(G)의 오른쪽 끝단부(Ga)는 그 바로 위에 위치하는 램프실(66)의 자외선사출창 (62)과 일정한 간격을 두고 마주 향한다(도 3).Then, the controller 88 controls the elevation driving stage 92 is raised to the height (Ha) of the mounting for the stage 76, the substrate (step A 3). At this time, the suction of the vacuum chuck portion may be started while the stage 76 is raised, so that the stage 76 may reach the height position Ha for substrate placement and at the same time may hold and hold the substrate G. . When the stage 76 rises to the height position Ha for substrate mounting in the state which mounted the board | substrate G, the right end part Ga of the board | substrate G is of the lamp chamber 66 located just above it. Facing the UV injection window 62 at regular intervals (Fig. 3).

이어서, 제어부(88)는 램프전원부(96)를 제어하여 모든 자외선램프[64(1) ∼64(n)]을 일제히 점등시킨다(스텝 A4). 자외선램프[64(1)∼64(n)]가 점등함으로써 기판(G)에 대한 자외선조사세정처리(스텝 A5)가 시작된다. Subsequently, the control unit 88 controls the lamp power supply unit 96 to light all of the ultraviolet lamps 64 (1) to 64 (n) all at once (step A 4 ). When the ultraviolet lamps 64 (1) to 64 (n) are turned on, the ultraviolet irradiation cleaning process (step A 5 ) for the substrate G is started.

여기서, 도 7을 참조하여, 이 자외선조사세정처리(스텝 A5)의 순서에 대하여 설명한다. Here, with reference to Figure 7, description will be made on the order of the UV radiation cleaning processing (step A 5).

상기한 바와 같이 하여 자외선램프[64(1)∼64(n)]가 점등하면, 그 시점에서 기판(G)의 한 끝단부[오른쪽 끝단부(Ga)]에 대한 정지상태에서의 자외선조사공정이 실행된다(스텝 B1). 이 자외선조사공정중에는, 스테이지(76)가 Y방향의 원점위치로 정지한 채로, 램프실(66)의 자외선사출창(62)으로부터 아래쪽을 향하여 사출된 자외선은 바로 아래에 위치하는 기판 오른쪽 끝단부(Ga)의 표면에 집중적 또는 국소 적으로 입사한다. When the ultraviolet lamps 64 (1) to 64 (n) light up as described above, an ultraviolet irradiation step in a stationary state with respect to one end (right end Ga) of the substrate G at that time. Is executed (step B 1 ). During this ultraviolet irradiation process, while the stage 76 is stopped at the origin position in the Y direction, the ultraviolet rays emitted downward from the ultraviolet irradiation window 62 of the lamp chamber 66 are located directly below the right end of the substrate. Intensively or locally incident on the surface of (Ga).

이와 같이 기판 오른쪽 끝단부(Ga)의 표면에 파장 172nm의 자외선(자외엑시머광)이 조사됨으로써, 그 자외선조사영역부근에 존재하고 있는 산소가 해당 자외선에 의해 오존O3으로 변하여, 더욱 이 오존 O3이 해당 자외선에 의해서 여기되어 산소원자라디칼 0스텝이 생성된다. 이 산소 라디칼에 의해, 자외선조사영역에 부착하고 있는 유기물이 이산화탄소와 물로 분해되어 기판표면에서 제거된다. 또, 기판(G)의 표면에 입사하는 자외선의 조도가 상기와 같은 유기물의 제거에 필요한 소정치(하한치)를 상회하도록, 램프실(66)에 있어서의 자외선램프[64(1)∼64(n)]의 휘도가 설정된다. In this way, ultraviolet (ultraviolet excimer) light having a wavelength of 172 nm is irradiated onto the surface of the right end Ga of the substrate so that oxygen existing near the ultraviolet irradiation region is changed to ozone O 3 by the ultraviolet light. 3 is excited by the said ultraviolet-ray, and 0 steps of oxygen atom radicals are produced | generated. By this oxygen radical, organic matter adhering to the ultraviolet irradiation region is decomposed into carbon dioxide and water and removed from the surface of the substrate. In addition, the ultraviolet lamps 64 (1) to 64 (in the lamp chamber 66 so that the illuminance of the ultraviolet light incident on the surface of the substrate G exceed the predetermined value (lower limit value) required for the removal of the above organic matter. n)] is set.

상기한 바와 같이 하여 행하여지는 기판 오른쪽 끝단부(Ga)에 대한 정지상태에서의 자외선조사공정(스텝 B1)의 소요시간(Ta)은 적어도 기판(G)의 오른쪽 끝단(가장자리부)표면의 각부에서 단위면적당의 자외선조사량(적산광량)(Pa)이 원하는 세정처리결과를 보증할 수 있는 기준치(Ps)를 상회하도록, 소정치 이상의 시간으로 선정하는 것이 바람직하다. The required time Ta of the ultraviolet irradiation step (step B 1 ) in the stationary state with respect to the right end Ga of the substrate performed as described above is at least a corner of the surface of the right end (edge) of the substrate G. It is preferable to select at a time equal to or greater than the predetermined value so that the ultraviolet irradiation amount (integrated light quantity) Pa per unit area exceeds the reference value Ps that can guarantee the desired cleaning treatment result.

제어부(88)는 자외선조사시간이 (Ta)가 되었는지의 여부를 판단하여 (스텝 B2)시간을 계산하면, 그 시점에서 기판(G)의 오른쪽 끝단부에 대한 상기의 자외선조사공정을 종료시키고, 스테이지구동부(80)의 주사구동부(94)에 의해 스테이지(76)를 Y방향으로 이동시킨다. 이에 따라 기판(G)의 표면전체에 대하여 주사에 의한 자외선조사공정이 실행된다(스텝 B3). When the control unit 88 determines whether the ultraviolet irradiation time is (Ta) and calculates the time (step B 2 ), the control unit 88 terminates the above-described ultraviolet irradiation process for the right end of the substrate G at that time. The stage 76 is moved in the Y direction by the scanning driver 94 of the stage driver 80. Accordingly, the ultraviolet exposure step is by injection, performed on the entire surface of the substrate (G) (step B 3).

이 주사에 의한 자외선조사공정(스텝 B3)에서는, 스테이지(76)가 Y방향에서 원점위치(도 3)로부터 진행위치(도 4)까지 소정의 속도로 편도이동함으로써, 램프실(66)로부터 기판(G)의 표면에 조사하는 자외선이 기판(G)의 오른쪽 끝단부로부터 왼쪽 끝단부까지 역방향(도 8의 Y방향)으로 상기 속도로 이동 또는 주사된다. 이 주사중에도, 자외선이 입사하는 기판(G)상의 각부에서 상기와 같이 오존 O3이나 산소원자 라디칼 O*의 작용에 의해서 유기물이 분리제거된다. 주사속도[스테이지 (76)의 이동속도](V)는 자외선이 통과하는 기판표면의 각부에서 단위면적당의 자외선조사량(적산광량)(Pj)이 상기 기준치(Ps)를 상회하도록, 소정치 이하의 속도로 선정된다. In the ultraviolet irradiation step (step B 3 ) by this scanning, the stage 76 moves one-way at a predetermined speed from the origin position (FIG. 3) to the traveling position (FIG. 4) in the Y direction, and thus, from the lamp chamber 66. Ultraviolet rays irradiated onto the surface of the substrate G are moved or scanned at the above speed in the reverse direction (Y direction in FIG. 8) from the right end portion to the left end portion of the substrate G. Even during this scanning, organic matter is separated and removed by the action of ozone O 3 or oxygen atom radical O * as described above in each part on the substrate G where ultraviolet rays are incident. The scanning speed (moving speed of the stage 76) V is less than or equal to a predetermined value such that the ultraviolet irradiation amount (integrated light quantity) Pj per unit area exceeds each of the reference values Ps at each portion of the substrate surface through which ultraviolet rays pass. Is selected by speed.

소정의 위치센서로부터의 신호에 의해 제어부(88)가 스테이지(76)가 Y방향의 진행위치에 도달했는지의 여부를 판단하여(스텝 B4), 진행위치에 도달했을 때에는 제어부(88)는 소정의 위치센서로부터의 신호에 응답하여 주사구동부(94)를 정지시켜 스테이지(76)의 Y 방향이동을 멈추고, 상기의 주사에 의한 자외선조사공정을 종료시킨다. 이 때, 도 4에 나타낸 바와 같이, 램프실(66)의 바로 아래에는 기판(G)의 왼쪽 끝단부(Gb)가 위치한다. The control unit 88 determines whether or not the stage 76 has reached the traveling position in the Y direction by the signal from the predetermined position sensor (step B 4 ). In response to the signal from the position sensor, the scan driver 94 is stopped to stop the Y-direction movement of the stage 76, and the ultraviolet irradiation process by the scan is completed. At this time, as shown in FIG. 4, the left end part Gb of the board | substrate G is located just under the lamp chamber 66.

따라서, 주사에 의한 자외선조사공정(스텝 B3)을 종료한 시점에서 즉시 기판 왼쪽 끝단부(Gb)에 대한 정지상태에서의 자외선조사공정(스텝 B5)이 실행된다. 이 정지상태에서의 자외선조사공정에서는, 램프실(66)의 자외선사출창(62)으로부터 아 래쪽을 향하여 출사된 자외선이 바로 아래에 위치하는 기판 왼쪽 끝단부(Gb)의 표면에 집중적 또는 국소적으로 입사한다. 이에 따라, 자외선을 조사되는 기판 왼쪽 끝단부(Gb)의 표면 각부에서 상기와 같이 오존이나 산소원자 radical O*의 작용에 의해서 유기물이 분리제거된다. Therefore, at the time when the ultraviolet irradiation step (step B 3 ) by scanning is finished, the ultraviolet irradiation step (step B 5 ) in the stationary state with respect to the left end portion Gb of the substrate is immediately performed. In this ultraviolet irradiation step in the stationary state, the ultraviolet rays emitted downward from the ultraviolet irradiation window 62 of the lamp chamber 66 are concentrated or localized on the surface of the left end Gb of the substrate located immediately below. Incident. Accordingly, the organic matter is separated and removed by the action of ozone or oxygen atom radical O * as described above in the surface of the left end portion (Gb) of the substrate irradiated with ultraviolet rays.

상기와 같은 기판 왼쪽 끝단부(Gb)에 대한 정지상태에서의 자외선세정처리(스텝 B5)의 소요시간(Tb)은, 적어도 기판(G)의 왼쪽 끝단(가장자리부) 표면의 각부에서 단위면적당의 자외선조사량(적산광량)(Pb)이 상기 기준치(Ps)를 상회하도록, 소정치 이상의 시간이 선택되어, 통상은 기판 오른쪽 끝단부에 대한 상기 자외선조사공정(스텝 B1)의 설정시간(Ta)과 동일한 값이 선택된다. The required time Tb of the ultraviolet cleaning process (step B 5 ) in the stationary state with respect to the left end of the substrate Gb as described above is at least per unit area at each part of the surface of the left end (edge) of the substrate G. The time more than a predetermined value is selected so that the ultraviolet irradiation amount (integrated light quantity) Pb of the sample exceeds the reference value Ps, and usually the setting time Ta of the ultraviolet irradiation step (step B 1 ) with respect to the right end of the substrate. The same value as) is selected.

제어부(88)는 자외선조사시간이 Tb가 되었는지의 여부를 판단하여 (스텝 B6), 상기 설정시간(Tb)을 계산하면, 그 시점에서 기판(G)에 대한 전체자외선조사세정처리(스텝 A5)를 종료한다. The control unit 88 determines whether the ultraviolet irradiation time is Tb (step B 6 ), and calculates the set time Tb. At that point, the control unit 88 detects the entire ultraviolet irradiation cleaning process (step A 6). 5 ) End.

그리고, 램프전원부(96)를 제어하여 자외선램프[64(1)∼64(n)]를 일제히 소등시킨다(스텝 A6; 도 6참조)Then, the lamp power supply unit 96 is controlled to turn off the ultraviolet lamps 64 (1) to 64 (n) all at once (step A 6 ; see FIG. 6).

다음에, 제어부(88)는 스테이지(76)를 스타트 위치로 되돌린다(스텝 A7). 이 실시형태에서는, 우선 주사구동부(94)에 의해 스테이지(76)를 진행위치(도 4)에서 Y방향원점위치(도 3)까지 이동 또는 복귀시키고, 이어서 Y방향 원점위치로써 진공척을 오프로 하고 나서 스테이지승강구동부(92)에 의해 스테이지(76)를 퇴피용의 높이위치(Hb)까지 내려가게 하고, 기판(G)을 고정 리프트핀(84)에 지지시킨다. Next, the control unit 88 returns the stage 76 to the start position (step A 7 ). In this embodiment, the stage 76 is first moved or returned from the traveling position (Fig. 4) to the Y-direction origin position (Fig. 3) by the scanning driver 94, and then the vacuum chuck is turned off as the Y-direction origin position. After that, the stage elevating driver 92 lowers the stage 76 to the height position Hb for retraction, and supports the substrate G on the fixed lift pin 84.

이렇게 해서, 1매의 기판(G)에 대한 본 자외선세정유니트(UV)내의 전체공정이 종료하여, 주반송장치(38)(도 1)가 오는 것을 기다린다. In this way, the whole process in this ultraviolet cleaning unit UV with respect to one board | substrate G is complete | finished, and waits for the main transport apparatus 38 (FIG. 1) to come.

도 8에, 이 실시형태에 있어서의 상기한 자외선조사세정처리(스텝 A5)의 작용을 모식적으로 나타낸다. 이 자외선조사세정처리에서는, 스테이지(76)상의 기판 (G)에 대하여 램프실(66)이, 기판(G)의 오른쪽 끝단에서 왼쪽 끝단까지 기판(G)의 표면전체에 자외선을 주사하여 조사할 뿐만 아니라 기판 오른쪽 끝단부(Ga) 및 왼쪽 끝단부(Gb)에 대해서는 소정시간(Ta,Tb)만큼 정지한 상태에서 자외선을 국소적으로 조사한다. In Figure 8 shows the above-described ultraviolet ray irradiation operation of the cleaning processing (step A 5) in this embodiment. In this ultraviolet irradiation cleaning process, the lamp chamber 66 irradiates the entire surface of the substrate G by irradiating the entire surface of the substrate G from the right end to the left end of the substrate G on the stage 76. In addition, ultraviolet rays are locally irradiated on the right end Ga and the left end Gb of the substrate in a state of being stopped for a predetermined time Ta and Tb.

또, 이 실시형태에 있어서, 「기판오른쪽 끝단부(Ga)」란 스테이지(76)를 Y방향 원점위치(도 3)에 위치시킨 상태에서 램프실(66)로부터의 자외선이 세정에 유효한 조도로 입사하는 기판(G)의 표면영역이고, 「기판 왼쪽 끝단부(Gb)」란 스테이지(76)를 Y방향진행위치(도 4)에 위치시킨 상태에서 램프실(66)로부터의 자외선이 세정에 유효한 조도로 입사하는 기판(G)의 표면영역이다. In this embodiment, the term "substrate right end Ga" refers to the illumination intensity effective for cleaning the ultraviolet rays from the lamp chamber 66 in a state where the stage 76 is positioned at the home position in the Y direction (Fig. 3). The surface area of the incident substrate G is referred to as &quot; substrate left end portion Gb &quot; and the ultraviolet rays from the lamp chamber 66 are cleaned by the stage 76 in the Y-direction progress position (Fig. 4). It is the surface area of the board | substrate G which injects into effective illuminance.

기판 오른쪽 끝단부(Ga) 및 기판왼쪽 끝단부(Gb)에서는, 기판중심부를 향할수록 정지상태에서의 자외선조사와 겹치는 주사에 의한 자외선조사의 조사시간이 크기 때문에, 자외선조사량(적산광량)이 극대가 된다. 이해를 간단히 하기 위해서, 램프실(66)의 자외선사출창(62)보다 자외선이 주사방향으로 폭(W)을 가진 평행광으로서 바로 아래의 기판표면에 일정한 조도 E로 조사된다고 가정하면, 예를 들 면 도 8의 기판 왼쪽 끝단부(Gb)의 각 주사방향위치(yi)에 있어서의 단위면적당의 자외선조사량(적산광량)(Pi)은 다음 식(1)으로 주어진다. At the right end of the substrate Ga and the left end of the substrate Gb, since the irradiation time of the ultraviolet irradiation by the scanning overlapping the ultraviolet irradiation in the stationary state is larger toward the substrate center portion, the ultraviolet irradiation amount (accumulated light amount) is maximum. Becomes For the sake of simplicity, assuming that ultraviolet rays are irradiated with a constant illuminance E on the surface of the substrate immediately below as parallel light having a width W in the scanning direction than the ultraviolet emitting window 62 of the lamp chamber 66, For example, the ultraviolet irradiation amount (integrated light quantity) Pi per unit area in each scanning direction position yi of the board | substrate left end part Gb of FIG. 8 is given by following Formula (1).

Pi= E(Tb+ yi/V) ······(1)Pi = E (Tb + yi / V) (1)

이 식(1)에 있어서, 오른쪽 변의 제1항(E·Tb)은 기판(G)의 왼쪽 끝단에 있어서의 상기 자외선조사량(적산광량)(Pb)에 해당한다. Tb는 기판왼쪽 끝단부(Gb)에 대한 정지상태에서의 자외선조사공정의 설정시간, V는 주사속도(일정하다고 가정)이다. In this Formula (1), 1st term (E * Tb) of a right side corresponds to the said ultraviolet irradiation amount (integrated light quantity) Pb in the left end of the board | substrate G. Tb is the set time of the ultraviolet irradiation process in the stationary state with respect to the left end part Gb of a board | substrate, and V is a scanning speed (assuming constant).

또한, 도 8에 있어서 기판중간부의 각 주사방향기판위치(yj)에 있어서의 단위면적당의 자외선조사량(적산광량)(Pj)는 다음 식(2)으로 주어진다. In Fig. 8, the ultraviolet irradiation amount (integrated light quantity) Pj per unit area at each scanning direction substrate position yj of the middle portion of the substrate is given by the following equation (2).

Pj= E ·W/V ······(2)Pj = EW / V (2)

상기한 바와 같이, 이 실시형태에 있어서는, 기판(G)에 대한 자외선주사에 있어서 램프실(66)이 기판(G)과의 상대적 위치관계에서 기판의 끝으로부터 밖으로 거의 밀려나오지 않거나 조금밖에 밀려나오지 않기 때문에, 주사방향에 있어서의 장치 면적을 작게 할 수 있다. 또한, 기판(G)의 바깥쪽에 자외선을 불필요하게 방사하지 않아도 된다고 하는 이점도 있다. 그리고, 자외선을 주사하는 데에 있어서 시간적으로 또한 공간적으로 자외선조사량이 적어지기 쉬운 주사방향의 기판의 양 끝단부(Ga,Gb)에 대해서는 각각 주사의 개시전 및 종료후에 램프실(66)로부터의 자외선을 국소적 또는 집중적으로 조사하도록 하였기 때문에, 주사거리 내지 주사방향의 장치치수를 짧게 한 장치구성이더라도 기판(G)의 표면각부에 원하는 세정결과를 보증할 수 있는 기준치(Ps) 이상의 조사량으로 자외선을 조사하는 것이 가능하 고, 기판표면의 모서리들로부터 유기오염을 안정적이고 확실하게 제거할 수 있다. As described above, in this embodiment, the lamp chamber 66 is hardly pushed out or slightly pushed out from the end of the substrate in the relative positional relationship with the substrate G in the ultraviolet scanning with respect to the substrate G. As shown in FIG. Therefore, the device area in the scanning direction can be made small. Moreover, there also exists an advantage that it is not necessary to radiate an ultraviolet-ray unnecessarily on the outer side of the board | substrate G. In addition, the ultraviolet rays from the lamp chamber 66 before and after the start of scanning are respectively applied to both end portions Ga and Gb of the substrate in the scanning direction where the amount of ultraviolet irradiation tends to decrease in time and space in scanning ultraviolet rays. Since it is designed to irradiate locally or intensively, even if the device configuration is made shorter in the scanning distance or in the scanning direction, ultraviolet rays are irradiated with a dose of Ps or more that can guarantee a desired cleaning result on each surface of the substrate G. Irradiation is possible and organic contamination can be reliably and reliably removed from the edges of the substrate surface.

상기한 실시형태에서는 자외선조사세정처리(스텝 A5)내에 기판(G)에 대한 끝단에서 끝단까지의 자외선의 주사를 1회만으로 멈추었지만, 복수회 되풀이하여도 좋고, 그 경우 스테이지(76)의 진행운동뿐만 아니라, 복귀운동도 주사에 이용할 수 있다. In the above embodiment, scanning of the ultraviolet rays from the end to the end of the substrate G in the ultraviolet irradiation cleaning process (step A 5 ) is stopped only once, but may be repeated a plurality of times, in which case the stage 76 In addition to the forward movement, the return movement can also be used for injection.

또한, 상기한 실시형태에서는, 램프실(66)에 있어서의 복수의 자외선램프 [64(1)∼64(n)]를 전부 발광시키면서 기판(G)의 오른쪽 끝단부(Ga) 및 왼쪽 끝단부 (Gb)에 대한 정지상태에서의 자외선조사공정(스텝 B1, B5)을 행하였지만, 다른 예로서, 이들 정지상태에서의 자외선조사공정(스텝 B1, B5)내에서 자외선램프 [64(1)∼6 4(n)]의 점등 및 소등을 각각 도 9 및 도 10에 나타낸 바와 같은 시퀀스로 소정시간에 걸쳐서 순차 행함으로써, 기판(G)에 있어서의 자외선조사량(적산광량)분포를 도 11에 나타낸 바와 같이 고르게 함과 동시에, 램프전력소비량을 절약할 수 있다. In addition, in the above embodiment, the right end Ga and the left end of the substrate G while all of the plurality of ultraviolet lamps 64 (1) to 64 (n) in the lamp chamber 66 emit light. Although the ultraviolet irradiation steps (steps B 1 and B 5 ) in the stationary state for (Gb) were performed, as another example, the ultraviolet lamps in these ultraviolet irradiation steps (steps B 1 and B 5 ) in the stationary state [64] (1) to 6 4 (n)] are sequentially turned on and off over a predetermined time in a sequence as shown in Figs. 9 and 10, respectively, thereby distributing the amount of ultraviolet irradiation (integrated light) on the substrate G. As shown in Fig. 11, the lamp power consumption can be saved while being even.

도 9에 있어서, 주사에 앞서 행하여지는 기판(G)의 오른쪽 끝단부(Ga)에 대한 정지상태에서의 자외선조사처리(스텝 B1)에서는, 도 9의 (A)→(B)→(C)→(D)와 같이 주사방향(Y'방향)의 최후미인 오른쪽 끝단의 램프[64(n)]을 최초로 점등시켜, 소정시간 후에 최후미에서 2번째의 램프[64(n-1)]을 점등시키고, 이하 주사방향(Y' 방향)의 선두를 향하여 후속하는 램프[64(n-2),64(n-3)····]를 상기 소정시간에 걸쳐 순차 점등시킨다. 9, the ultraviolet ray irradiation processing (step B 1) in a suspended state for the right end part (Ga) of the substrate (G) is conducted prior to the injection, Fig. 9 (A) → (B) → (C ) → (D) first turns on the lamp 64 (n) at the far right end of the scanning direction (Y 'direction) for the first time, and after the predetermined time, the second lamp 64 at the rear end [64 (n-1)]. The lamps 64 (n-2) and 64 (n-3) are sequentially turned on over the predetermined time toward the head of the scanning direction (Y 'direction).

이 경우, 오른쪽 끝단의 램프[64(n)]는 기판 오른쪽 끝단부(Ga)의 영역내에 서도 가장 오른쪽의 부분(오른쪽 끝단 가장자리부)을 조사하고, 그 조사시간은 전체램프[64(1)∼64(n)]중에서 가장 길다. 한편, 왼쪽 끝단(선두)의 램프[64(1)]는 기판 오른쪽 끝단부(Ga)의 영역내에서도 가장 기판중심부에 가까운 부분을 조사하고, 그 조사시간은 전체램프[64(1)∼64(n)]의 중에서 가장 짧다. 따라서, 이 정지상태에서의 자외선조사공정(스텝 B1)이 종료한 시점에서는, 도 12의 실선 Q1으로 나타낸 것과 같은 계단형상의 자외선조사량분포가 되고, 기판 오른쪽 끝단부(Ga)의 영역내에서 램프실(66)내의 오른쪽 끝단의 램프[64(n)]와 대향하는 부분에서 자외선조사량이 가장 커진다. 이 자외선조사량(Pa')이 원하는 세정효과를 보증하는 상기 기준치 (Ps)를 상회하도록 오른쪽 끝단의 램프[64(n)]의 조사시간을 설정하여도 좋다. 한편, 이해를 간단히 하기 위해서, 각 램프[64(i)]로부터 자외선사출창(62)을 통해 아래쪽으로 조사되는 자외선은 주사방향으로 폭(Wo)을 가진 평행광으로서 바로 아래의 기판표면에 일정한 조도로 조사되는 것으로 가정한다. In this case, the right end lamp 64 (n) irradiates the rightmost part (right end edge part) even in the area of the right end Ga of the substrate, and the irradiation time is the entire lamp 64 (1). -64 (n)] longest. On the other hand, the lamp 64 (1) at the left end (head) irradiates the portion closest to the center of the substrate even in the region of the right end Ga of the substrate, and the irradiation time is the entire lamp 64 (1) to 64 ( n)] is the shortest. Therefore, when the ultraviolet irradiation step (step B 1 ) in this stationary state is completed, the stepped ultraviolet irradiation dose distribution as shown by the solid line Q1 in FIG. 12 becomes, and is within the region of the right end Ga of the substrate. The amount of ultraviolet irradiation is the largest at the portion facing the lamp 64 (n) at the right end in the lamp chamber 66. The irradiation time of the lamp 64 (n) at the right end may be set so that the ultraviolet irradiation amount Pa 'exceeds the reference value Ps that guarantees the desired cleaning effect. On the other hand, for the sake of simplicity, the ultraviolet rays irradiated downward from the respective lamps 64 (i) through the ultraviolet emitting window 62 are parallel light having a width Wo in the scanning direction and are uniform on the substrate surface immediately below. Assume that the illumination is investigated.

다음에 행하여지는 주사에 의한 자외선조사공정(스텝 B3)에서는, 도 12의 일점쇄선 Q2로 나타낸 것과 같은 자외선조사량분포가 되고, 기판(G)의 오른쪽 끝단위치에서 적산광량(積算光量)이 가장 낮아진다. 그 결과, 기판 오른쪽 끝단부(Ga)에서는, 상기 2개의 자외선조사공정(스텝 B1, B3)에 의한 자외선조사량이 가하여져 합해진 결과, 각 부에서의 자외선조사량의 총량은 도 12의 점선 Q3으로 나타낸 것과 같은 분포특성이 되어, 거의 균일화된다. In the next ultraviolet irradiation step (Step B 3 ) performed by scanning, the ultraviolet irradiation dose distribution as shown by the dashed-dotted line Q2 in FIG. 12 is obtained, and the accumulated light amount is the most at the right end position of the substrate G. FIG. Lowers. As a result, at the right end of the substrate Ga, the amount of ultraviolet irradiation by the two ultraviolet irradiation steps (steps B 1 and B 3 ) was added and summed, and as a result, the total amount of the ultraviolet irradiation amount in each portion was determined by the dotted line Q3 in FIG. 12. It becomes the distribution characteristic as shown, and it becomes almost uniform.

도 10에 있어서, 주사종료직후에 행하여지는 기판 왼쪽 끝단부(Gb)에 대한 정지상태에서의 자외선조사공정(스텝 B5)에서는, 도 10의 (A)→(B)→(C)→(D)의 시퀀스로 주사방향(Y'방향)의 최후미(오른쪽 끝단)로부터 전방(왼쪽)을 향하여 64(n), 64(n-1)····64(1)로 1개씩 소정시간에 걸쳐 순차 소등시킨다. 이에 따라, 기판왼쪽 끝단부(Gb)에서는, 기판 오른쪽 끝단부(Ga)와 대칭인 패턴으로 상기와 같이 거의 균일화된 자외선조사량분포를 얻을 수 있다. 양 끝단부(Ga,Gb)의 사이의 기판중간부분에 있어서의 자외선조사량(Pj)은 상기 실시형태와 같이 상기 식(2)으로 주어진다. In FIG. 10, in the ultraviolet irradiation step (step B 5 ) in the stationary state with respect to the left end Gb of the substrate, which is performed immediately after the end of scanning, FIG. 10A (B)-(C)-> ( D) A predetermined time period of 64 (n), 64 (n-1) ... 64 (1) from the rear end (right end) in the scanning direction (Y 'direction) toward the front (left) in the sequence of D) Turn off sequentially over. As a result, at the left end Gb of the substrate, the ultraviolet irradiation dose distribution nearly uniform as described above can be obtained in a pattern symmetrical with the right end Ga of the substrate. The amount of ultraviolet irradiation Pj in the middle portion of the substrate between the both ends Ga and Gb is given by the above formula (2) as in the above embodiment.

상기한 실시형태에서는, 램프실(66)쪽을 고정하여, 기판(G)쪽을 램프배열방향으로 평행이동시키는 구성이었다. 그러나, 도 13에 나타낸 바와 같이, 기판(G)쪽을 소정위치에 고정하고, 램프실(66)쪽을 기판면과 평행하게 이동시키는 구성도 가능하다. In the above embodiment, the lamp chamber 66 side is fixed and the substrate G side is moved in parallel in the lamp array direction. However, as shown in FIG. 13, the structure which fixes the board | substrate G side to a predetermined position, and moves the lamp chamber 66 side in parallel with a board | substrate surface is also possible.

도 13의 구성예에서는, 램프실(66)에 볼나사(100)를 사용하는 자주식의 주사구동부(102)가 일체로 부착되어, 이 주사구동부(102)가 볼나사(100) 및 이것과 평행하게 연재하는 가이드(104)를 따라 수평방향(Y방향)으로 왕복이동함으로써, 램프실(66)로부터의 자외선이 정위치로 스테이지(76)에 지지되어 있는 기판(G)의 표면을 Y 방향에서 끝단에서 끝단까지 주사할 수 있도록 되어 있다. 각종 용력공급부 및 제어부를 수용하는 유틸리티·유니트(74)는 램프실(66)의 수평이동영역의 위쪽에 설치되어도 좋고, 유니트(74)로부터 램프실(66)내에의 불활성가스나 전력 등의 공급은 가동 또는 신축가능한 배관(106)이나 케이블(108) 등을 사용하여도 좋다. In the example of the structure of FIG. 13, the self-propelled scanning drive part 102 which uses the ball screw 100 is integrally attached to the lamp chamber 66, and this scanning drive part 102 is parallel with the ball screw 100 and this. By reciprocating in the horizontal direction (Y direction) along the guide 104 which extends smoothly, the surface of the board | substrate G supported by the stage 76 by the ultraviolet-ray from the lamp chamber 66 to the fixed position in Y direction. It is designed to inject from end to end. The utility unit 74 which accommodates the various power supply units and the control unit may be provided above the horizontal movement area of the lamp chamber 66, and supplies inert gas or electric power from the unit 74 to the lamp chamber 66. The movable or flexible pipe 106, the cable 108, or the like may be used.                     

이 구성예에서도, 램프실(66)이 Y방향 원점위치 및 진행위치에 위치할 때에는, 주사방향(Y 방향)에 있어서 램프실(66)이 기판(G)의 양 끝단부(Ga,Gb)와 마주 향하도록 하여도 좋다. 이와 같이, 기판(G)쪽을 소정위치에서 고정하여 램프실 (66)쪽을 기판면과 평행하게 이동시키는 방식쪽이, 주사방향에 있어서의 장치치수를 보다 한층 작게 할 수 있다. Also in this configuration example, when the lamp chamber 66 is located at the Y-direction origin position and the traveling position, the lamp chamber 66 is positioned at both ends Ga, Gb of the substrate G in the scanning direction (Y direction). You may face it. In this way, the method of fixing the substrate G side at a predetermined position to move the lamp chamber 66 in parallel with the substrate surface can further reduce the device size in the scanning direction.

무엇보다, 기판(G)의 양 끝단부(Ga,Gb) 중 어느 한쪽에 대하여 정지상태에서의 자외선조사공정을 생략하는 구성, 즉 그 한편의 기판 끝단부에 대해서는 램프실 (66)이 주사방향에서 밖으로 밀려나와, 통과할 때에(주사에 의해)자외선을 조사하는 구성도 가능하다. First of all, the structure in which the ultraviolet irradiation process in the stationary state is omitted with respect to either one of the both ends Ga and Gb of the substrate G, that is, the lamp chamber 66 is in the scanning direction with respect to the other substrate end. It can also be configured to irradiate ultraviolet rays when pushed out by (injection).

다음에, 본 발명의 제 2 실시형태에 관한 자외선조사유니트(UV)에 관해서, 도 14∼도 19를 참조하면서 설명한다. Next, the ultraviolet irradiation unit (UV) which concerns on 2nd Embodiment of this invention is demonstrated, referring FIGS. 14-19.

또, 실시형태의 자외선조사유니트(UV)의 기본구성은 제 1 실시형태와 마찬가지이기 때문에, 이하의 설명에 있어서 제 1 실시형태와 실질적으로 같은 부분에는 같은 부호를 붙여 설명을 간략화한다. In addition, since the basic structure of the ultraviolet irradiation unit UV of embodiment is the same as that of 1st Embodiment, in the following description, the same code | symbol is attached | subjected to the substantially same part as 1st Embodiment, and description is simplified.

본 실시형태의 자외선조사유니트(UV)는, 도 14에 나타낸 바와 같이, 제 1 실시형태와 같이 아랫면에 합성석영유리로 이루어지는 자외선사출창(62)을 부착하고, 실내에 복수개(본 실시형태에서는 3개를 도시)의 원통형자외선램프[64(1),64(2)····, 64(n)]를 램프의 길이 방향과 직교하는 수평방향으로 모두 수용하여 이루어지는 램프실(66)과, 이 램프실(66)의 아래에 인접하여 설치된 세정처리실(68)을 갖는다. As shown in FIG. 14, the ultraviolet irradiation unit (UV) of this embodiment attaches the ultraviolet-ray injection window 62 which consists of synthetic quartz glass to the lower surface like 1st Embodiment, and has several inside (in this embodiment) Lamp chamber 66 formed by accommodating all three cylindrical ultraviolet lamps 64 (1), 64 (2) ..., 64 (n) in a horizontal direction perpendicular to the longitudinal direction of the lamp; And a cleaning process chamber 68 provided adjacent to the lower side of the lamp chamber 66.                     

세정처리실(68)내의 스테이지(76)는 기판(G)보다도 한둘레 큰 크기로 형성되어, 기판(G)을 얹어 놓은 중심부 부근의 소정영역(기판재치영역)(76a)에는, 기판 (G)을 지지하기 위한 다수의 지지핀(도시하지 않음)이나 기판(G)을 흡인유지하기 위한 진공척 흡인구(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 그리고, 도 14에 있어서 기판재치영역(76a)의 오른쪽이웃, 구체적으로는 기판재치영역(76a)에 대하여 스테이지진행방향(Y 방향)의 상류쪽에 위치하는 스테이지 윗면의 오른쪽 끝단부(76b)에는, 스테이지(76)쪽에서 자외선사출창(62)을 주사식으로 가열하기 위한 가열수단으로서, 스테이지진행방향(Y 방향)에 직교하는 수평방향으로 연재하는 전열선(116)이 설치되어 있다. The stage 76 in the cleaning processing chamber 68 is formed to be larger in size than the substrate G, and the substrate G is placed in a predetermined region (substrate placement region) 76a near the center where the substrate G is placed. There are provided a plurality of support pins (not shown) for supporting them and a vacuum chuck suction port (not shown) for sucking and holding the substrate G. In Fig. 14, the right end portion 76b of the upper surface of the stage located in the right neighbor of the substrate placing region 76a, specifically, upstream of the stage advancing direction (Y direction) with respect to the substrate placing region 76a, As heating means for scanningly heating the UV emitting window 62 on the stage 76 side, a heating wire 116 extending in the horizontal direction perpendicular to the stage traveling direction (Y direction) is provided.

도 15에 명시된 바와 같이, 스테이지오른쪽 끝단부(76b)에는, 스테이지진행방향(Y 방향)에 직교하는 수평방향으로 적당한(예를 들면 스테이지의 거의 끝단에서 끝단까지의)간격을 두고 절연재로 이루어지는 한 쌍의 기둥형상 또는 돌기형상의 지지핀(118)이 설치되고, 이들 한 쌍의 지지핀(118)의 사이에 예를 들면 몰리브덴 또는 텅스텐선으로 이루어지는 전열선(116)이 스테이지에서 이격된 (뜬) 상태에서 가선되고 있다. 전열선(116)의 양 끝단부는, 양 지지핀(118)에 고정됨과 동시에, 절연피복된 전기케이블(120)을 통해 후술하는 히터전원부(110)에 전기적으로 접속되어 있다. 스테이지 오른쪽 끝단부(76b)에는, 이 전열선(116)에 근접하는 적당한 위치에, 예를 들면 열전대로 이루어지는 온도센서(122)도 설치되어 있다. As shown in Fig. 15, as long as the stage right end portion 76b is made of an insulating material at a suitable interval (for example, from almost end to end of the stage) in the horizontal direction orthogonal to the stage traveling direction (Y direction). A pair of columnar or protruding support pins 118 are provided, and heating wires 116 made of, for example, molybdenum or tungsten wires are separated (floated) between the pair of support pins 118. It is being made in state. Both ends of the heating wire 116 are fixed to both of the support pins 118 and electrically connected to the heater power supply unit 110 to be described later through the insulation-coated electric cable 120. In the stage right end portion 76b, a temperature sensor 122 made of, for example, a thermocouple is also provided at a suitable position close to the heating wire 116.

세정처리실(68)의 측벽에는 배기구(112)가 설치되어 있으며, 각 배기구(112)는 배기관(114)을 통해 배기 덕트 등의 배기계통(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 또한, 세정처리실(68)이 적당한 개소에 외기흡입구(도시하지 않음)를 설치할 수도 있다. 또, 배기구는 세정처리실(68)의 바닥부에 설치되어 있어도 좋고, 복수 설치되어 있어도 좋다. The exhaust port 112 is provided in the side wall of the washing process chamber 68, and each exhaust port 112 is connected to exhaust systems (not shown), such as an exhaust duct, through the exhaust pipe 114. As shown in FIG. Moreover, the outside air suction opening (not shown) can also be provided in the washing process chamber 68 at an appropriate location. Moreover, the exhaust port may be provided in the bottom part of the washing process chamber 68, and may be provided in multiple numbers.

도 16에, 본 실시형태에 관한 자외선조사유니트(UV)에 있어서의 제어계의 구성을 나타낸다. 이 제어계는 도 5에 나타내는 제 1 실시형태의 제어계와 같이 제어부(88)와, 이에 따라 제어되는 셔터구동부(90), 스테이지승강구동부(92), 주사구동부(94), 램프전원부(96), 및 센서류(98)를 가지고 있는 외에, 전열선(116)에 발열용의 전력을 공급하기 위한 히터전원부(130)를 갖고 있다. 또, 본 실시형태에서는 센서류(98)는 스테이지 오른쪽 끝단부(76b) 상의 상기 온도센서(122)를 포함한다. 16 shows the configuration of a control system in the ultraviolet irradiation unit (UV) according to the present embodiment. Like the control system of the first embodiment shown in FIG. 5, the control system includes a controller 88, a shutter driver 90, a stage lift driver 92, a scan driver 94, a lamp power supply 96, and the like controlled accordingly. And a sensor 98, and a heater power supply unit 130 for supplying electric power for heat generation to the heating wire 116. In the present embodiment, the sensors 98 include the temperature sensor 122 on the stage right end 76b.

도 17에, 히터전원부(130)의 한 구성예를 나타낸다. 이 히터전원부(130)는 교류전원(134)로부터의 전력을 온도 조절용의 스위칭회로 예를 들면 SSR(솔리드·스테이트·릴레이)(136)를 통해 전열선(116)에 공급하여, 온도센서(122)에 의해 검출되는 전열선(116) 부근의 온도를 온도측정회로(140)에 의해 피드백하여 온도제어회로(138)가 SSR(136)의 온·오프를 제어하도록 하고 있다. 전열선(116)이 발열함으로써 램프실(66)의 자외선사출창(62)이 가열되는 온도와 온도센서(122)의 감지하는 온도의 사이에는 일정한 대응관계가 있기 때문에, 온도센서(122)의 검출온도 또는 그것으로부터 해당 대응관계에 기초하여 추정한 자외선사출창(62)의 온도가 설정치(Ts) 이상이 되도록 전열선(116)에 공급하는 전력의 실효치를 제어한다. 17 shows an example of the configuration of the heater power supply unit 130. The heater power supply unit 130 supplies electric power from the AC power supply 134 to the heating wire 116 through a switching circuit for temperature control, for example, an SSR (solid state relay) 136, so that the temperature sensor 122 The temperature near the heating wire 116 detected by the feedback is fed back by the temperature measuring circuit 140 so that the temperature control circuit 138 controls the on / off of the SSR 136. Since the heating wire 116 generates heat, there is a constant correspondence between the temperature at which the UV emitting window 62 of the lamp chamber 66 is heated and the temperature detected by the temperature sensor 122, so that the temperature sensor 122 is detected. The effective value of the electric power supplied to the heating wire 116 is controlled so that the temperature or the temperature of the ultraviolet-ray emission window 62 estimated based on this correspondence may become more than set value Ts.

본 실시형태에서는, 전열선(116)이 자외선사출창(62)의 바로 아래 또는 그 근방을 통과(주사)할 때에, 자외선사출창(62) 중의 적어도 전열선(116)에 가장 근접하는 부분부근이 110℃ 이상의 온도까지 가열되도록 상기 설정치(Ts)가 선택된다. In the present embodiment, when the heating wire 116 passes (scans) just below or near the ultraviolet light emitting window 62, the portion near the heating element 116 that is closest to at least the heating wire 116 in the ultraviolet light emitting window 62 is 110. The set value Ts is selected to be heated to a temperature above &lt; RTI ID = 0.0 &gt;

본 실시형태의 자외선조사유니트(UV)에 있어서의 주요한 동작순서는, 기본적으로 도 6에 나타내는 제 1 실시형태에 있어서의 동작순서와 마찬가지이다. 즉, 먼저, 메인컨트롤러로부터의 지시를 받아 제어부(88)를 포함하여 유니트내의 각 부를 초기화하는 스텝 A1의 초기화공정이 실행된다. 이 초기화중에, 스테이지(76)는 Y방향에서는 셔터(86)에 근접하는 소정의 원점위치에 위치결정되고, Z방향에서는 퇴피용의 높이위치(Hb)에 내리게 된다. 히터전원부(130)에서는, 전열선(116)에 대한 급전을 시작하여, 피드백방식으로 전열선(116)의 발열온도를 설정치까지 올린다. The main operation procedure in the ultraviolet irradiation unit (UV) of this embodiment is basically the same as that of the 1st embodiment shown in FIG. That is, first, an initialization process in step A 1 for initializing respective units within the unit, including the controller 88 is carried out under the direction from the main controller. During this initialization, the stage 76 is positioned at a predetermined home position close to the shutter 86 in the Y direction, and lowered to the height position Hb for retraction in the Z direction. The heater power supply unit 130 starts feeding power to the heating wire 116 and raises the heat generation temperature of the heating wire 116 to a set value in a feedback manner.

스텝 A2의 기판주고 받음 공정에 있어서는, 제 1 실시형태와 마찬가지로 하여, 주반송장치(38)가 카세트스테이션(C/S)(10)으로부터 처리전의 기판(G)을 본 자외선조사유니트(UV)의 앞까지 반송해 온 시점에서, 제어부(88)가 주반송장치(38)와 기판(G)을 주고받도록 해당하는 각부를 제어한다. In the substrate feeding and receiving step of Step A 2 , in the same manner as in the first embodiment, an ultraviolet irradiation unit (UV) in which the main transport device 38 sees the substrate G before the processing from the cassette station (C / S) 10. The control part 88 controls each part so that the control part 88 may exchange the board | substrate G with the main conveyance apparatus 38 at the time of conveyance to the front.

이어서, 제어부(88)에 의해 스테이지승강구동부(92)를 제어하여 스테이지 (76)를 기판재치용의 높이위치(Ha)까지 상승시키지만(스텝 A3), 이 때에, 스테이지 (76)가 기판(G)을 얹어 놓은 상태에서 기판재치용의 높이 위치(Ha)까지 상승하면, 스테이지 오른쪽 끝단부(76a) 상의 전열선(116)이 램프실(66)의 자외선사출창(62) 의 왼쪽 끝단부와 소정의 간격(예를 들면 2∼3 mm)을 두고 마주 본다. 이 시점에서, 자외선사출창(62)에 대하여 스테이지(76)쪽의 전열선(116)에 의한 가열이 시작된다. 또, 제 1 실시형태와 같이 스테이지(76)가 상승하는 동안에 진공척부의 흡인을 시작시켜, 스테이지(76)가 기판재치용의 높이위치(Ha)에 도달함과 동시에 기판(G)을 흡인유지할 수 있도록 하여도 좋다. Subsequently, the stage 88 is controlled by the controller 88 to raise the stage 76 to the height position Ha for substrate placement (step A 3 ). At this time, the stage 76 is connected to the substrate ( G), the heating wire 116 on the right end 76a of the stage is raised to the left end of the UV light emitting window 62 of the lamp chamber 66 when it rises to the height position Ha for substrate placement in the state where it is mounted. Facing at a predetermined interval (for example, 2-3 mm). At this point, heating by the heating wire 116 toward the stage 76 is started for the ultraviolet emitting window 62. Further, as in the first embodiment, the suction of the vacuum chuck portion is started while the stage 76 is raised, and the stage 76 reaches the height position Ha for substrate placement and at the same time sucks and holds the substrate G. You may be able to.

이어서, 제어부(88)는 램프전원부(96)를 제어하여 스텝 A4의 자외선램프 [64(1)∼64(n)]의 점등을 행하여, 스텝 A5의 기판(G)에 대한 자외선조사세정처리를 실행한다. Then, the controller 88 performs the lighting of the step A 4 UV lamp [64 (1) ~64 (n )] of controlling the lamp power supply unit 96, a cleaning ultraviolet radiation to the substrate (G) in step A 5 Run the process.

이 자외선조사세정처리를 하기 위해서, 제어부(88)는 스테이지구동부(80)의 주사구동부(94)에 의해 스테이지(76)를 원점위치와 점선(76')(도 14참조)으로 나타내는 진행위치와의 사이에서 Y방향으로 편도이동 또는 왕복이동시킨다. 이 스테이지(76)의 Y방향이동에 의해 스테이지상의 기판(G)이 램프실(66)의 바로 아래를 기판재치용의 높이위치(Ha)에서 Y 방향으로 가로지르는 것으로, 램프실(66)의 자외선사출창(62)으로부터 거의 수직아래쪽을 향하여 방사되는 파장 172nm의 자외선이 기판(G)을 조사하면서 Y 방향과는 역방향으로 기판의 한 끝단으로부터 다른 끝단까지 주사한다. In order to perform this ultraviolet irradiation cleaning process, the control unit 88 uses the scanning driving unit 94 of the stage driving unit 80 to move the stage 76 to the origin position and the dotted line 76 '(see Fig. 14). One-way or reciprocating movement in the Y direction between. By moving the stage 76 in the Y direction, the substrate G on the stage crosses the lamp chamber 66 immediately below the lamp chamber 66 in the Y direction at the height position Ha for substrate placement. Ultraviolet light having a wavelength of 172 nm emitted from the ultraviolet light emitting window 62 toward the bottom almost vertically scans the substrate G from one end of the substrate to the other end in the direction opposite to the Y direction.

이와 같이 기판(G)에 대하여 파장 172nm의 자외선이 조사됨으로써, 기판표면 부근에 존재하고 있는 산소가 해당 자외선에 의해 오존 O3으로 변하고, 더욱 이 오 존 O3이 해당 자외선에 의해서 여기되어 산소원자 라디칼 O*이 생성된다. 이 산소 라디칼에 의해, 기판(G)의 표면에 부착하고 있는 유기물이 이산화탄소와 물로 분해하여 기판표면에서 제거되고, 분해·기화한 유기물은 배기구(112)로부터 배기된다. When ultraviolet rays having a wavelength of 172 nm are irradiated to the substrate G in this manner, oxygen existing near the substrate surface is changed to ozone O 3 by the ultraviolet rays, and further, the ozone O 3 is excited by the ultraviolet rays to produce the oxygen atom radical O *. By this oxygen radical, the organic matter adhering to the surface of the substrate G is decomposed into carbon dioxide and water to be removed from the substrate surface, and the organic matter decomposed and vaporized is exhausted from the exhaust port 112.

이러한 주사식의 자외선세정처리에 있어서, 기판(G)에 대한 자외선의 조사량 또는 적산광량은 스테이지(76)의 이동속도(주사속도)에 반비례한다. 즉, 주사속도 (F)를 빨리 할수록 기판(G)에 대한 자외선조사시간이 줄어들어 자외선조사량은 적어지고, 반대로 주사속도를 느리게 할수록 기판(G)에 대한 자외선조사시간이 길어져 자외선조사량은 많아진다. 일정한 한도내에서, 자외선조사량이 많을수록, 기판 (G)의 표면에서 제거되는 유기물도 많아진다. In such a scanning ultraviolet cleaning process, the irradiation amount or accumulated light amount of ultraviolet rays to the substrate G is inversely proportional to the moving speed (scanning speed) of the stage 76. In other words, the faster the scanning speed F, the shorter the ultraviolet irradiation time for the substrate G, and thus the smaller the amount of ultraviolet irradiation. On the contrary, the slower the scanning speed, the longer the ultraviolet irradiation time for the substrate G, the larger the ultraviolet irradiation amount. Within a certain limit, the greater the amount of ultraviolet radiation, the more organic matter is removed from the surface of the substrate G.

본 실시형태에서는, 스테이지(76)의 Y방향 이동에 의해, 상기와 같은 주사식의 자외선세정처리가 행하여지는 것과 병행하여, 램프실(66)의 자외선사출창(62)에 대한 스테이지(76)쪽의 전열선(116)에 의한 주사식의 가열이 행하여진다. In this embodiment, the stage 76 with respect to the ultraviolet-ray emission window 62 of the lamp chamber 66 is parallel with the above-described scanning ultraviolet cleaning process by the Y-direction movement of the stage 76. Scanning heating by the heating wire 116 is performed.

도 18에 모식적으로 나타낸 바와 같이, 스테이지(76)가 램프실(66)의 자외선사출창(62)의 바로 아래를 Y방향으로 통과할 때, 스테이지 오른쪽 끝단부(76b) 상의 전열선(116)이 기판재치영역(76a) 상의 기판(G)보다도 전방위치에서 자외선사출창(62)을 가열하면서 Y방향으로 이동한다. 상기한 바와 같은 히터전원부(130)에 있어서의 온도제어에 의해, 전열선(116)이 자외선사출창(62)을 통과 또는 주사할 때에, 자외선사출창(62)중의 적어도 전열선(116)에 가장 근접하는 부분부근의 온도가 110℃ 이상으로 가열된다. As schematically shown in FIG. 18, the heating wire 116 on the stage right end portion 76b when the stage 76 passes in the Y direction immediately below the ultraviolet light emitting window 62 of the lamp chamber 66. The ultraviolet irradiation window 62 is moved in the Y direction while heating the ultraviolet irradiation window 62 at the front position than the substrate G on the substrate placing region 76a. By the temperature control in the heater power supply unit 130 as described above, when the heating wire 116 passes or scans the ultraviolet emitting window 62, it is closest to at least the heating wire 116 in the ultraviolet emitting window 62. The temperature near the part to be heated is 110 degreeC or more.                     

이렇게 해서 스테이지(76)와 일체로 Y방향으로 이동하는 전열선(116)으로부터의 복사열에 의해서, 자외선사출창(62)을 구성하는 합성석영유리의 각부가 일정시간 110℃ 이상으로 가열되고, 거기에 부착 또는 그 부근에 부유하고 있는 자외선반응생성물 내지 백색석출물이 열분해한다. 그리고, 열분해하여 기화한 자외선반응생성물 내지 백색석출물은 세정처리실(68)의 배기구(112)로부터 외부로 배출된다. In this way, by the radiant heat from the heating wire 116 which moves in the Y direction integrally with the stage 76, each part of the synthetic quartz glass which comprises the ultraviolet-ray emission window 62 is heated to 110 degreeC or more for a predetermined time, The UV reaction product or the white precipitate suspended in the adhesion or in the vicinity thereof is thermally decomposed. Then, the ultraviolet reaction product or the white precipitate vaporized by pyrolysis is discharged to the outside from the exhaust port 112 of the cleaning treatment chamber 68.

이와 같이, 기판(G)의 표면에 자외선조사를 실시하기 직전에, 자외선사출창 (62)에 부착하고 있는 백색석출물을 주사식의 가열에 의해서 스위핑제거하기 때문에, 자외선사출창(62)의 자외선투과도를 양호한 상태에서 자외선조사를 할 수 있다. As described above, the white precipitate adhering to the ultraviolet ray emitting window 62 is swept away by scanning heating just before the surface of the substrate G is irradiated with ultraviolet rays. Thus, the ultraviolet ray of the ultraviolet ray emitting window 62 is removed. Ultraviolet irradiation can be performed in a favorable state of transmittance.

또한, 전열선(116)이 통과하는 전후에도 자외선사출창(62)의 각부는 열전도 내지 여열에 의해서 잠시 110℃ 이상 또는 그 부근의 온도를 유지하기 때문에, 상기와 같은 주사식의 자외선세정처리에 부수하여 생성되는 자외선반응생성물은, 자외선사출창(62)에는 부착하기 어렵고, 배기구(112)로부터 배기계통으로 배출된다. In addition, even before and after the heating wire 116 passes, since each portion of the ultraviolet emitting window 62 maintains a temperature of 110 ° C. or higher for a while due to heat conduction or excess heat, it is accompanied by the above-described ultraviolet washing treatment. The UV-reaction product generated is hardly adhered to the UV injection window 62 and is discharged from the exhaust port 112 to the exhaust system.

상기와 같은 기판(G)에 대한 주사식의 자외선세정처리가 종료하면, 제어부 (88)는 램프전원부(96)를 제어하여 자외선램프[64(1)∼64(n)]를 소등시켜(스텝 A6), 이어서, 제어부(88)는 스테이지(76)를 스타트위치로 되돌린다(스텝 A7). When the above-described ultraviolet cleaning process for the substrate G is completed, the control unit 88 controls the lamp power supply unit 96 to turn off the ultraviolet lamps 64 (1) to 64 (n) (step). A 6 ), then the control unit 88 returns the stage 76 to the start position (step A 7 ).

이 실시형태에서는, 우선 주사구동부(94)에 의해 스테이지(76)를 진행위치[도 14의 점선위치(76')]로부터 Y방향 원점위치까지 이동 또는 복귀시켜, 다음에 Y 방향 원점위치로써 진공척을 오프로 하고 나서 스테이지승강구동부(92)에 의해 스테이지(76)를 퇴피용의 높이위치(Hb)까지 내리게 하고, 기판(G)을 고정 리프트핀 (84)에 지지시킨다. 이렇게 해서, 1매의 기판(G)에 대한 본 자외선세정유니트(UV)내의 전체공정이 종료하여, 주반송장치(38)가 오는 것을 기다린다. 이 동안, 전열선(116)에 대한 급전은 계속하여도 좋고, 혹은 일단 잘라도 좋다. In this embodiment, the stage 76 is first moved or returned from the traveling position (dashed line position 76 'in Fig. 14) to the Y-direction origin position by the scanning driver 94, and then vacuumed as the Y-direction origin position. After the chuck is turned off, the stage lift driver 92 lowers the stage 76 to the height position Hb for retraction, and the substrate G is supported by the fixed lift pin 84. In this way, the whole process in this ultraviolet cleaning unit UV with respect to one board | substrate G is complete | finished, and waits for the main transport apparatus 38 to come. In the meantime, the electric power feeding to the heating wire 116 may continue or may cut once.

상기한 바와 같이, 이 실시형태에서는, 기판(G)을 얹어 놓은 스테이지(76)에 전열선(116)을 설치하여, 상대편 측의 위쪽에 고정설치된 램프실(66)에 대하여 스테이지(76)를 기판표면 또는 스테이지면과 평행한 소정의 방향(Y 방향)으로 이동시킨다. 이 스테이지이동에 있어서, 램프실(66)로부터의 자외선이 기판(G)의 표면을 기판의 끝단에서 끝단까지 주사함으로써, 기판표면 전체로부터 유기물을 분리제거됨과 동시에, 스테이지(76)쪽의 전열선(116)이 램프실(66)의 자외선사출창(62)을 상기 소정방향에서 끝단에서 끝단까지 주사하여 소정온도(110℃) 이상으로 가열함으로써, 자외선사출창(62)의 창문표면 전체로부터 자외선반응생성물 또는 석출물이 제거 내지 부착이 회피된다. As mentioned above, in this embodiment, the heating wire 116 is provided in the stage 76 on which the board | substrate G was mounted, and the board | substrate 76 is board | substrate with respect to the lamp chamber 66 fixedly installed on the opposite side. It moves in the predetermined direction (Y direction) parallel to a surface or a stage surface. In this stage movement, the ultraviolet rays from the lamp chamber 66 scan the surface of the substrate G from the end to the end of the substrate, thereby separating and removing the organic matter from the entire surface of the substrate, and simultaneously heating the heating wires toward the stage 76. 116 scans the ultraviolet light emitting window 62 of the lamp chamber 66 from the end to the end in the predetermined direction and heats it to a predetermined temperature (110 ° C.) or more, thereby reacting the ultraviolet light from the entire window surface of the ultraviolet light emitting window 62. Removal or attachment of the product or precipitate is avoided.

이와 같이, 본 실시형태에서는, 자외선사출창(62)을 보호하기 위한 자외선반응생성물대책으로서, 스테이지(76)쪽에 전열선(116)을 설치하는 구성이며, 램프실 (66)쪽이 특별한 수단(추가가공, 부품 또는 기능의 추가, 구조변경 등)은 일체 불필요하게 되고 있다. 특히, 본 실시형태에서는, 스테이지(76)상에서 기판(G)에 대하여 주사방향의 전방에 1개의 전열선(116)을 주사방향과 직교하는 수평방향으로 배치하는 구성에 의해, 자외선조사처리의 직전 내지 처리중에 자외선사출창(62)을 소정온도 이상으로 가열하는 방식이고, 스테이지(76)쪽에 본 발명에 있어서의 가열수단을 간단하고 또한 저비용으로 부설할 수 있다. Thus, in this embodiment, as a countermeasure for the ultraviolet reaction product for protecting the ultraviolet light emitting window 62, the heating wire 116 is provided on the stage 76 side, and the lamp chamber 66 side has special means (additional). Machining, addition of parts or functions, structural changes, etc.) are no longer necessary. In particular, in the present embodiment, one heat-transfer wire 116 is disposed on the stage 76 in the horizontal direction perpendicular to the scanning direction in front of the substrate G, and thus, immediately before the ultraviolet irradiation treatment. During the treatment, the ultraviolet irradiation window 62 is heated to a predetermined temperature or more, and the heating means of the present invention can be attached to the stage 76 side simply and at low cost.

더욱, 본 실시형태에 있어서 스테이지(76)쪽에 전열선(116)을 설치하는 구성은 여러가지 변형이 가능하다. 예를 들면, 도 19에 나타낸 바와 같이, 스테이지 (76)상에서 기판(G)[기판재치영역(76a)]의 주위를 둘러싸도록 전열선(116)을 가선하는 구성도 가능하다. 도 19의 구성예에서는 스테이지(76)의 왼쪽 끝단부(76c) 상에 전열선(116)을 가선하지 않지만, 이 영역(76c)에도 가선이 가능하다. 특히, 스테이지(76)의 복귀운동(Y방향과는 반대방향으로의 이동)에서도 상기 스텝 A5의 자외선조사공정을 하는 경우에는, 스테이지 왼쪽 끝단부(76c) 상의 전열선(116)은 유용하다. 또한, 도시하지 않지만, 전열선(116)을 복수개 병렬로 가선하는 구성도 가능하다. 또한, 도 19에서는 스테이지(76)상에서 기판(G)[기판재치영역(76a)]의 주위를 3방향 둘러싸도록 전열선(116)이 배치되어 있지만, 전체 주위를 둘러싸도록 하여도 좋다. In addition, in this embodiment, the structure which attaches the heating wire 116 to the stage 76 side can be variously modified. For example, as shown in FIG. 19, the structure which wires the heating wire 116 on the stage 76 so that the circumference | surroundings of the board | substrate G (substrate placement area | region 76a) may be enclosed is also possible. In the example of the structure of FIG. 19, although the heating wire 116 is not wired on the left edge part 76c of the stage 76, it can also be wired to this area | region 76c. In particular, the heating wire 116 on the stage left end portion 76c is useful when the ultraviolet ray irradiation step of Step A 5 is performed even in the return motion of the stage 76 (movement in the direction opposite to the Y direction). In addition, although not shown in figure, the structure which wires several heating wires 116 in parallel is also possible. In addition, although the heating wire 116 is arrange | positioned so that the circumference | surroundings of the board | substrate G (substrate placement area | region 76a) may be carried out three directions on the stage 76 in FIG. 19, you may make it surround the whole circumference.

본 실시형태에 있어서의 가열수단으로서는, 스테이지(76)쪽에서 램프실(66)의 자외선사출창(62)을 상기 소정온도(110℃) 이상으로 가열할 수 있는 것이면, 전열선 이외의 가열수단으로도 되고, 예를 들면 세라믹히터나 적외선히터 등도 사용이 가능하다. 또한, 본 실시형태에 있어서의 가열수단은 반드시 스테이지(76)의 윗면에 부착될 필요는 없고 스테이지(76)의 측면, 혹은 스테이지(76)와 일체적으로 이동하는 임의의 부재에 부착가능하다. As the heating means in the present embodiment, as long as the ultraviolet emitting window 62 of the lamp chamber 66 can be heated above the predetermined temperature (110 ° C.) on the stage 76 side, the heating means other than the heating wire may also be used. For example, a ceramic heater, an infrared heater, etc. can also be used. In addition, the heating means in this embodiment does not necessarily need to be attached to the upper surface of the stage 76, but can be attached to the side surface of the stage 76 or any member which moves integrally with the stage 76. As shown in FIG.                     

또한, 본 실시형태에서는, 램프실(66)쪽을 고정하고, 스테이지(76) 및 전열선(116)쪽을 기판(G)의 표면과 평행하게 이동시키는 주사방식에 대하여 나타내었으나, 본 실시형태에 있어서도 제 1 실시형태에 있어서 도 13에 나타낸 바와 같이, 스테이지(76)를 소정위치에 고정하고, 램프실(66)을 기판(G)의 표면과 평행하게 이동시키는 주사방식도 가능하다. 주사구동수단은, 상기와 같은 볼나사기구에 한정되는 것이 아니라, 벨트식이나 로울러식 등이어도 좋다. In addition, in this embodiment, although the scanning system which fixes the lamp chamber 66 side and moves the stage 76 and the heating wire 116 side in parallel with the surface of the board | substrate G was shown, in this embodiment Also in 1st Embodiment, as shown in FIG. 13, the scanning system which fixes the stage 76 to a predetermined position, and moves the lamp chamber 66 in parallel with the surface of the board | substrate G is also possible. The scanning drive means is not limited to the above ball screw mechanism but may be a belt type or a roller type.

상기 실시형태에 있어서의 램프실(66)내나 세정처리실(68)내의 구성, 특히 자외선사출창(62), 자외선램프[64(1)∼64(n)], 스테이지(76), 스테이지구동부(80), 히터전원부(130) 등의 구성도 일례이며, 각 부에 대하여 각종 변형이 가능하다. In the lamp chamber 66 and the cleaning processing chamber 68 in the above-described embodiment, particularly, an ultraviolet ray emitting window 62, an ultraviolet lamp 64 (1) to 64 (n), a stage 76, and a stage driving unit ( 80) and the configuration of the heater power supply unit 130 are also examples, and various modifications can be made to the respective units.

또한, 상기 실시형태는, 자외선조사세정유니트(UV)에 관한 것이었으나, 본 발명의 기판처리장치는, 유기오염제거 이외의 목적으로 피처리기판에 자외선을 조사하는 처리에도 적용이 가능하다. 예를 들면, 상기한 바와 같은 도포현상처리시스템에 있어서, 포스트베이킹 후에 레지스트를 경화시킬 목적으로 기판(G)에 자외선을 조사하는 공정에 상기 실시형태와 같은 자외선조사장치를 사용할 수가 있다. Moreover, although the said embodiment was related with the ultraviolet irradiation cleaning unit (UV), the substrate processing apparatus of this invention is applicable also to the process which irradiates an ultraviolet-ray to a to-be-processed board | substrate for the purpose other than organic contamination removal. For example, in the coating and developing treatment system as described above, the ultraviolet irradiation device as in the above embodiment can be used for the step of irradiating ultraviolet rays to the substrate G for the purpose of curing the resist after the postbaking.

또한, 본 발명에 있어서의 피처리기판은 LCD기판에 한정되지 않고, 반도체웨이퍼, CD기판, 유리기판, 포토마스크, 프린트기판 등도 가능하다.In addition, the substrate to be processed in the present invention is not limited to an LCD substrate, and semiconductor wafers, CD substrates, glass substrates, photomasks, printed substrates, and the like can also be used.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 기판처리장치에 의하면, 주사식의 자외선조사처리에 있어서 피처리기판의 각 부에서, 특히 주사방향의 기판 끝단부에서도 양호한 처리품질을 안정적으로 확실하게 얻을 수 있고, 또한 균일하게 또한 효율적 으로 얻을 수도 있다. As described above, according to the substrate processing apparatus of the present invention, it is possible to reliably and reliably obtain good processing quality at each portion of the substrate to be treated in the scanning ultraviolet irradiation treatment, particularly at the end of the substrate in the scanning direction. It can also be obtained uniformly and efficiently.

또한, 기판을 얹어 놓은 재치대쪽에 설치한 가열수단에 의해 자외선조사용의 창부재를 주사식으로 소정온도 이상으로 가열하도록 하였기 때문에, 해당 창부재를 자외선반응생성물보다 간편한 구성으로 효과적으로 보호할 수가 있다.In addition, the heating means provided on the mounting table side on which the substrate is placed allows the window member for ultraviolet irradiation to be heated to a predetermined temperature or more by scanning, so that the window member can be effectively protected with a simpler configuration than the ultraviolet reaction product. .

Claims (18)

피처리기판에 자외선을 조사하여 소정의 처리를 행하는 기판처리장치로서, A substrate processing apparatus for irradiating ultraviolet rays to a substrate to be treated to perform a predetermined treatment, 피처리기판을 지지하는 지지수단과, Support means for supporting a substrate to be processed; 전력의 공급을 받아 자외선을 발하는 램프를 복수개 구비하여, 상기 램프에서 나온 자외선을 상기 지지수단에 지지된 피처리기판을 향하여 조사하는 자외선조사수단과, UV irradiation means for irradiating ultraviolet rays emitted from the lamp toward the substrate to be supported by the support means, provided with a plurality of lamps for emitting ultraviolet light when electric power is supplied; 상기 자외선조사수단으로부터의 자외선이 상기 지지수단에 지지되어 있는 피처리기판의 피처리면을 기판의 한 끝단부에서 다른 끝단부까지 주사하도록, 상기 지지수단 및 상기 자외선조사수단 중의 어느 한쪽 또는 양쪽을 소정의 방향으로 이동시키는 구동수단과, Either or both of the supporting means and the ultraviolet irradiation means are prescribed such that the ultraviolet ray from the ultraviolet irradiation means scans the processing surface of the substrate to be supported by the supporting means from one end portion to the other end portion of the substrate. Drive means for moving in the direction of, 상기 자외선조사수단으로부터의 자외선이 피처리기판의 한 끝단부 및 다른 끝단부의 적어도 한쪽에 대하여 상기 지지수단 및 상기 자외선조사수단의 양쪽을 실질적으로 정지시킨 상태에서 소정시간 조사되도록 제어하는 제어수단을 구비하고,And control means for controlling the ultraviolet rays from the ultraviolet irradiation means to be irradiated for at least one predetermined time in a state in which both the supporting means and the ultraviolet irradiation means are substantially stopped with respect to at least one end of the substrate to be processed and the other end thereof. and, 상기 자외선조사수단은 복수개의 상기 램프가 램프길이 방향을 상기 주사 방향으로 직교시킨 상태에서 상기 주사 방향과 평행하게 일렬로 배열되어 있으며, 상기 제어수단이 상기 복수개의 램프를 상기 주사방향의 후미쪽에서 1개씩 소정시간 간격을 두고 차례로 점등 또는 소등하는 기판처리장치. The ultraviolet irradiating means is arranged in a line in parallel with the scanning direction in a state in which the plurality of lamps are orthogonal to the scanning direction in the lamp length direction, and the control means is arranged at the rear side of the scanning direction by 1. A substrate processing apparatus that turns on or off one by one at predetermined time intervals. 제 1 항에 있어서, 상기 주사에 의해서 상기 자외선조사수단으로부터 피처리기판의 피처리면에 조사되는 자외선의 단위면적당의 적산광량이 상기 자외선조사처리로 최저한으로 필요한 소정의 기준량을 상회하도록, 상기 주사의 속도가 설정되는 기판처리장치. 2. The scanning according to claim 1, wherein the accumulated light amount per unit area of ultraviolet rays irradiated from the ultraviolet irradiation means to the processing surface of the substrate to be processed by the scanning exceeds the predetermined reference amount required as the minimum by the ultraviolet irradiation treatment. Substrate processing apparatus that the speed is set. 피처리기판에 자외선을 조사하여 소정의 처리를 행하는 기판처리장치로서, A substrate processing apparatus for irradiating ultraviolet rays to a substrate to be treated to perform a predetermined treatment, 피처리기판을 지지하는 지지수단과, Support means for supporting a substrate to be processed; 전력의 공급을 받아 자외선을 발하는 램프를 1개 또는 복수개 구비하여, 상기 램프에서 나온 자외선을 상기 지지수단에 지지된 피처리기판을 향하여 조사하는 자외선조사수단과, UV irradiation means for irradiating ultraviolet rays emitted from the lamp toward the substrate to be supported by the support means, provided with one or a plurality of lamps emitting ultraviolet light by receiving electric power; 상기 자외선조사수단으로부터의 자외선이 상기 지지수단에 지지되어 있는 피처리기판의 피처리면을 기판의 한 끝단부에서 다른 끝단부까지 주사하도록, 상기 지지수단 및 상기 자외선조사수단 중의 어느 한쪽 또는 양쪽을 소정의 방향으로 이동시키는 구동수단과, Either or both of the supporting means and the ultraviolet irradiation means are prescribed such that the ultraviolet ray from the ultraviolet irradiation means scans the processing surface of the substrate to be supported by the supporting means from one end portion to the other end portion of the substrate. Drive means for moving in the direction of, 상기 자외선조사수단으로부터의 자외선이 피처리기판의 한 끝단부 및 다른 끝단부의 적어도 한쪽에 대하여 상기 지지수단 및 상기 자외선조사수단의 양쪽을 실질적으로 정지시킨 상태에서 소정시간 조사되도록 제어하는 제어수단을 구비하고,And control means for controlling the ultraviolet rays from the ultraviolet irradiation means to be irradiated for at least one predetermined time in a state in which both the supporting means and the ultraviolet irradiation means are substantially stopped with respect to at least one end of the substrate to be processed and the other end thereof. and, 상기 주사에 의해서 상기 자외선조사수단으로부터 피처리기판의 피처리면에 조사되는 자외선의 단위면적당의 적산광량이 상기 자외선조사처리로 최저한으로 필요한 소정의 기준량을 상회하도록, 상기 주사의 속도가 설정되는 기판처리장치. A substrate processing in which the scanning speed is set so that the accumulated light amount per unit area of ultraviolet rays irradiated from the ultraviolet irradiation means to the target surface of the substrate to be processed by the scanning exceeds the predetermined reference amount required as the minimum by the ultraviolet irradiation processing; Device. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 소정시간을 통하여 상기 자외선조사수단으로부터 피처리기판의 피처리면에 조사되는 자외선의 단위면적당의 적산광량이 상기 자외선조사처리로 최저한으로 필요한 소정의 기준량을 상회하도록, 상기 소정시간의 길이가 설정되는 기판처리장치.The predetermined amount of accumulated light per unit area of ultraviolet rays irradiated from the ultraviolet irradiation means to the target surface of the substrate to be processed through the predetermined time is the minimum required by the ultraviolet irradiation treatment. And a length of the predetermined time is set so as to exceed the reference amount of. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 주사의 원점위치에서 상기 자외선조사수단이 상기 지지수단에 지지되어 있는 피처리기판의 한 끝단부와 대향하는 기판처리장치. 4. The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the ultraviolet irradiation means faces one end of the substrate to be supported by the support means at the origin position of the scan. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 주사의 진행위치에서 상기 자외선조사수단이 상기 지지수단에 지지되어 있는 기판처리장치. The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the ultraviolet irradiation means is supported by the support means at the position at which the scanning is performed. 피처리기판에 자외선을 조사하여 소정의 처리를 행하는 기판처리방법으로서, A substrate processing method for irradiating ultraviolet light to a substrate to be treated and performing a predetermined treatment, 자외선조사수단으로부터의 자외선을 피처리기판의 피처리면을 기판의 한 끝단부에서 다른 끝단부까지 주사하도록 피처리기판의 피처리면에 조사하고, 또한 피처리기판의 한 끝단부 및 다른 끝단부의 적어도 한쪽에 대하여 피처리기판과 자외선의 사이에 상대이동을 시킬 수 없는 상태에서 상기 자외선조사수단으로부터의 자외선을 소정시간 피처리기판에 조사하고,Ultraviolet rays from the ultraviolet irradiation means are irradiated to the processing surface of the substrate to scan the processing surface of the substrate from one end of the substrate to the other end, and at least one end of the substrate and the other end of the processing substrate In the state in which relative movement cannot be made between the substrate to be processed and the ultraviolet ray, the ultraviolet ray from the ultraviolet irradiation means is irradiated to the substrate to be processed for a predetermined time. 상기 주사에 의해서 상기 자외선조사수단으로부터 피처리기판의 피처리면에 조사되는 자외선의 단위면적당의 적산광량이 상기 자외선조사처리에서 최저한으로 필요한 소정의 기준량을 상회하도록, 상기 주사의 속도가 설정되는 기판처리방법. A substrate processing in which the scanning speed is set so that the accumulated light amount per unit area of ultraviolet rays irradiated from the ultraviolet irradiation means to the processing surface of the substrate to be processed by the scanning exceeds the predetermined reference amount required as minimum in the ultraviolet irradiation processing; Way. 제 7 항에 있어서, 상기 소정시간을 거쳐 상기 자외선조사수단으로부터 피처리기판의 피처리면에 조사되는 자외선의 단위면적당의 적산광량이 상기 자외선조사처리에서 최저한으로 필요한 소정의 기준량을 상회하도록, 상기 소정시간의 길이가 설정되는 기판처리방법. The predetermined amount of light according to claim 7, wherein the accumulated light amount per unit area of ultraviolet rays irradiated from the ultraviolet irradiation means to the target surface of the substrate to be processed is exceeded the predetermined reference amount required as the minimum in the ultraviolet irradiation process. The substrate processing method in which the length of time is set. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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