KR100775826B1 - Inner shield for slim type cathode ray tube - Google Patents

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KR100775826B1 KR1020050011953A KR20050011953A KR100775826B1 KR 100775826 B1 KR100775826 B1 KR 100775826B1 KR 1020050011953 A KR1020050011953 A KR 1020050011953A KR 20050011953 A KR20050011953 A KR 20050011953A KR 100775826 B1 KR100775826 B1 KR 100775826B1
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Abstract

본 발명에 따른 슬림형 음극선관의 인너쉴드는, 전자총에서 방출된 전자빔이 편향요크에 의해 편향되기 시작하는 편향중심에서 펀넬의 실 에지면이 이루는 평면까지의 수직거리를 L이라 하고, 상기 펀넬의 내부에 구비된 인너쉴드의 양 개구부간 거리를 Sh라 하고, 상기 인너쉴드의 전자총측 개구부의 장축 길이를 Dx, 전자총측 개구부의 단축 길이를 Dy 라고 하고, 단변 절곡 각도를 Sγ, 장변 절곡 각도를 Lγ라 하며, 편향각을 Dθ라 할 때, 2 < L/Sh < 3.5, 1.6 < Dx/L < 3.5, 1.0 < Dy/L < 2.5, 2.5 < Dθ/ Sγ < 6.5, 1.0 < Dθ/ Lγ < 3.0을 만족하도록 형성됨으로써, 슬림형 음극선관에 적용될 때 펀넬과 간섭이 발생되지 않아 조립성이 개선되고, 오버스캔된 전자빔에 의해 발생될 수 있는 할레이션도 방지할 수 있으며, 스크린에 발생되는 그림자 문제도 해결할 수 있는 효과가 있다.Inner shield of the slim cathode ray tube according to the present invention, L is the vertical distance from the deflection center in which the electron beam emitted from the electron gun starts to be deflected by the deflection yoke, the plane formed by the seal surface of the funnel is L, the inside of the funnel The distance between both openings of the inner shield provided at the shutter is Sh, the long axis length of the electron gun side opening of the inner shield is Dx, the short axis length of the electron gun side opening is Dy, the short side bending angle is Sγ and the long side bending angle is Lγ. When the deflection angle is Dθ, 2 <L / Sh <3.5, 1.6 <Dx / L <3.5, 1.0 <Dy / L <2.5, 2.5 <Dθ / Sγ <6.5, 1.0 <Dθ / Lγ <3.0 When formed to satisfy the slim cathode ray tube, interference with the funnel does not occur, thereby improving the assemblability, preventing the halation that may be caused by the overscanned electron beam, and also causing shadow problems on the screen. It is effective to solve .

전자빔, 튜브, 슬림, 할레이션, 오버스캔, 개구부 Electron Beam, Tube, Slim, Halation, Overscan, Opening

Description

슬림형 음극선관의 인너쉴드{Inner shield for slim type cathode ray tube}Inner shield for slim type cathode ray tube

도 1은 종래 기술의 음극선관이 도시된 일부 절개 상태의 평면도,1 is a plan view of a partially cut away state showing a cathode ray tube of the prior art,

도 2는 본 발명에 따른 슬림형 음극선관이 도시된 개략적인 평면도,2 is a schematic plan view showing a slim cathode ray tube according to the present invention;

도 3은 본 발명에 따른 슬림형 음극선관의 인너쉴드가 도시된 평면도,3 is a plan view showing the inner shield of the slim cathode ray tube according to the present invention;

도 4는 본 발명에 따른 슬림형 음극선관의 인너쉴드가 도시된 배면도,Figure 4 is a rear view showing the inner shield of the slim cathode ray tube according to the present invention,

도 5는 본 발명에 따른 슬림형 음극선관의 인너쉴드가 도시된 측면도이다.5 is a side view illustrating an inner shield of a slim cathode ray tube according to the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

20 : 튜브 21 : 패널 20: tube 21: panel

23 : 펀넬 25 : 마스크 23: Funnel 25: Mask

27 : 프레임 30 : 인너쉴드 27: frame 30: inner shield

30f, 30r : 개구부 31 : 장변 30f, 30r: opening 31: long side

33 : 단변 33: short side

L : 편향 중심(C)에서 펀넬의 실 에지면이 이루는 평면까지 직선 거리L: Straight distance from the deflection center (C) to the plane of the threaded edge of the funnel

Sh : 인너쉴드의 양 개구부간 거리 Dx : 전자총측 개구부의 장축 길이Sh: Distance between both openings of inner shield Dx: Long axis length of electron gun opening

Dy : 전자총측 개구부의 단축 길이 Sγ: 단변 절곡 각도Dy: short axis length of the electron gun side opening Sγ: short side bending angle

Lγ: 장변 절곡 각도 Dθ: 편향각Lγ: Long side bending angle Dθ: Deflection angle

본 발명은 음극선관의 인너쉴드에 관한 것으로서, 특히 110도 이상의 편향각을 갖는 슬림형 음극선관에 적용될 수 있는 인너쉴드에 관한 것이다.The present invention relates to an inner shield of a cathode ray tube, and more particularly to an inner shield that can be applied to a slim cathode ray tube having a deflection angle of 110 degrees or more.

일반적으로 음극선관(Cathode Ray Tube)은 전기신호를 전자빔으로 형성하고 이를 형광면에 주사시켜 광학상으로 변환하여 표시하는 장치이다.In general, a cathode ray tube is an apparatus that forms an electrical signal as an electron beam, scans it onto a fluorescent surface, and converts it into an optical image for display.

도 1은 종래 기술의 음극선관이 도시된 일부 절개 상태의 평면도이다.1 is a plan view of a partially cut away state in which a cathode ray tube of the prior art is shown.

이에 도시된 바와 같이 음극선관은 크게 패널(1)과 펀넬(2)이 상호 접합되어 튜브(10)를 구성하게 된다.As shown in the drawing, the cathode ray tube is largely joined to the panel 1 and the funnel 2 to form the tube 10.

상기 패널(1)의 내부에는 새도우 마스크(3)가 구비되어 있는 데, 이 새도우 마스크(3)는 대체적으로 상기 패널(1)과 평행하도록 프레임(4)을 통해 지지되어 있고, 이 프레임(4)은 상기 패널(1)에 스프링(5)을 통해 설치되어 있다. 그리고 상기 펀넬(2)의 내부 쪽에는 전자빔이 외부의 지자계에 의해 이동경로가 휘지 않도록 외부 지자기를 차단하는 인너쉴드(6)가 구비되어 있다.A shadow mask 3 is provided inside the panel 1, which is supported by a frame 4 so as to be substantially parallel to the panel 1, and this frame 4 is provided. ) Is installed on the panel 1 via a spring 5. The inner side of the funnel 2 is provided with an inner shield 6 which blocks the external geomagnetic field so that the electron beam is not bent by the external geomagnetic field.

상기 펀넬(2)의 후미에는 전자빔을 생성하는 전자총(7)이 삽입되어 있고, 넥 부분의 외부에는 전자빔을 대략 110도 이하로 편향시키는 편향 요크(8)가 구비되어 있다.An electron gun 7 for generating an electron beam is inserted in the rear of the funnel 2, and a deflection yoke 8 for deflecting the electron beam to approximately 110 degrees or less is provided outside the neck portion.

이와 같은 음극선관은 상기 전자총(7)에서 방출된 전자빔이 상기 편향 요크(8)에 의해 상하 좌우로 편향되어 상기 패널(1) 쪽으로 진행하게 되고, 상기 새도우 마스크(3)의 통과공을 통과한 다음, 패널(1)의 내면에 도포된 형광면(9)에 도달하게 된다. 이 때 상기 형광면(9)이 상기 전자빔의 에너지에 의해 발광함으로써 화상이 재현되어, 사용자는 패널(1)을 통해 재현된 화상을 볼 수 있다.In this cathode ray tube, the electron beam emitted from the electron gun 7 is deflected up and down and left and right by the deflection yoke 8 and proceeds toward the panel 1, and passes through the through hole of the shadow mask 3. Next, the fluorescent surface 9 coated on the inner surface of the panel 1 is reached. At this time, the image is reproduced by the fluorescent surface 9 emitting light by the energy of the electron beam, so that the user can see the reproduced image through the panel 1.

한편, 상기와 같은 음극선관은 패널(1)과 펀넬(2)의 실 에지면(E)이 프릿 실링 공정을 통해 상호 접합되고, 이후 봉지 공정에서 펀넬(2)의 끝부분에 전자총(7)을 삽입하고, 배기 공정을 통해 튜브(10)를 진공 상태로 만든 후 봉입하여 제작하게 된다.Meanwhile, in the cathode ray tube as described above, the seal surface E of the panel 1 and the funnel 2 is bonded to each other through a frit sealing process, and then the electron gun 7 is formed at the end of the funnel 2 in the encapsulation process. After inserting, the tube 10 is made into a vacuum state through an exhaust process, and then sealed and manufactured.

이와 같은 음극선관은 슬림화가 될수록 기존 음극선관 구조와 비교할 때, 편향각이 110도 이상으로 증가하여, 전자빔의 스캔할 때 인너쉴드(6)의 내외벽 및 펀넬(2), 패널(1)의 부딪친 2차 전자에 의해 할레이션(Halation)문제를 유발된다.As the cathode ray tube becomes slimmer, the deflection angle increases to 110 degrees or more, as compared with the conventional cathode ray tube structure, so that the inner and outer walls of the inner shield 6, the funnel 2, and the panel 1 of the electron beam are scanned. The collision of secondary electrons causes a halation problem.

또한, 상기 인너쉴드(6)는 적합한 크기의 개구부를 설정하지 않으면, 전자빔의 오버스캔시에 인너쉴드(6)에 부딪히면서 화면상에 그림자를 나타내는 문제를 발생시키게 된다.In addition, if the inner shield 6 does not set an opening having an appropriate size, the inner shield 6 may cause a problem of shadowing on the screen while hitting the inner shield 6 during the overscan of the electron beam.

즉, 상기와 같은 종래 인너쉴드(6)를 편향각이 110도 이상으로 증가된 슬림형 음극선관에 적용할 때, 인너쉴드(6)의 개구부 크기는 전자총(7)에서 방사된 전자빔이 간섭 없이 새도우 마스크(3)의 최외곽 통과공을 통과하여 형광체를 발광시킬 수 있도록 하는 것이 필수적이다.That is, when the conventional inner shield 6 is applied to the slim cathode ray tube with the deflection angle increased to 110 degrees or more, the opening size of the inner shield 6 is such that the shadow of the electron beam emitted from the electron gun 7 does not interfere. It is essential to allow the phosphor to emit light through the outermost through hole of the mask 3.

하지만, 인너쉴드(6)의 개구부 크기가 너무 작으면 그림자가 발생하고, 너무 크면은 경사면에 전자빔이 반사되어 할레이션을 발생시키게 된다. 또한 인너쉴드(6)의 높이가 일정 높이 이상이면 펀넬(2)에 간섭이 발생되어 조립성에 문제가 발생하고, 너무 낮으면 오버스캔된 전자빔이 펀넬(2)의 내면에 부딪히면서 반사된 2차 전자빔에 의하여 할레이션이 발생하게 된다. 또한 인너쉴드(6)의 절곡각도가 편향각에 대하여 일정 범위를 벗어나게 되면, 전자총(7)에서 방사된 전자빔이 인너쉴드(6)의 내면에 반사되어 할레이션을 발생시키게 된다.However, if the opening size of the inner shield 6 is too small, shadows are generated, and if the opening size is too large, the electron beam is reflected on the inclined surface to generate a halation. In addition, if the height of the inner shield 6 is greater than or equal to a certain height, interference occurs in the funnel 2, and if it is too low, the overscanned electron beam hits the inner surface of the funnel 2 and the reflected secondary electron beam is reflected. Halation will occur. In addition, when the bending angle of the inner shield 6 is out of a predetermined range with respect to the deflection angle, the electron beam emitted from the electron gun 7 is reflected on the inner surface of the inner shield 6 to generate a halation.

따라서, 인너쉴드(6)를 슬림형 음극선관에 적용될 수 있도록 인너쉴드(6) 높이, 개구부 크기, 절곡각도 변수와 편향중심의 거리 비율이 증가함에 따른 최적 값을 선정하여 설계할 필요성이 요구되고 있다.Therefore, it is necessary to select and design the optimal value as the inner shield 6 height, the opening size, the bending angle variable and the distance ratio of the deflection center are increased so that the inner shield 6 can be applied to the slim cathode ray tube. .

본 발명은 상기와 같은 요구에 따라 안출된 것으로서, 편향각이 110도 이상인 음극선관에 적용할 수 있도록 할레이션 문제와 화면상에 그림자를 발생하는 문제를 해결하고, 조립성을 개선할 수 있는 슬림형 음극선관의 인너쉴드를 제공하는 데 목적이 있다.The present invention has been made in accordance with the requirements as described above, to solve the problem of halation and shadows on the screen to be applied to the cathode ray tube with a deflection angle of 110 degrees or more, and the slim type that can improve the assembly The purpose is to provide an inner shield of the cathode ray tube.

상기한 과제를 실현하기 위한 본 발명에 따른 슬림형 음극선관의 인너쉴드는, 편향요크에 의해 전자빔이 편향되기 시작하는 편향중심에서 펀넬의 실 에지면이 이루는 평면까지의 수직거리를 L이라 하고, 상기 펀넬의 내부에 구비된 인너쉴드의 양 개구부간 거리를 Sh라 할 때, 상기 인너쉴드는 상기 수직거리에 따른 상기 양 개구부간 거리의 비가 2 < L/Sh < 3.5 을 만족하는 것을 특징으로 한다.Inner shield of the slim cathode ray tube according to the present invention for realizing the above object, the vertical distance from the deflection center in which the electron beam starts to be deflected by the deflection yoke to the plane formed by the seal surface of the funnel is referred to as L, When the distance between both openings of the inner shield provided inside the funnel is Sh, the inner shield is characterized in that the ratio of the distance between the openings according to the vertical distance satisfies 2 <L / Sh <3.5.

또한, 상기한 과제를 실현하기 위한 본 발명에 따른 슬림형 음극선관의 인너쉴드는, 편향요크에 의해 전자빔이 편향되기 시작하는 편향중심에서 펀넬의 실 에지면이 이루는 평면까지의 수직거리를 L이라 하고, 상기 펀넬의 내부에 구비된 인너쉴드의 양 개구부 중 전자총측 개구부의 장축 길이를 Dx, 및 단축 길이를 Dy라 할 때, 상기 인너쉴드는 1.6 < Dx/L < 3.5 와, 1.0 < Dy/L < 2.5를 만족하는 것을 특징으로 한다.In addition, the inner shield of the slim cathode ray tube according to the present invention for realizing the above-mentioned problem, the vertical distance from the deflection center at which the electron beam starts to be deflected by the deflection yoke to the plane formed by the seal surface of the funnel is referred to as L. When the long axis length of the electron gun side opening is Dx and the short axis length Dy of both openings of the inner shield provided inside the funnel, the inner shield is 1.6 <Dx / L <3.5 and 1.0 <Dy / L. <2.5 is satisfied.

또한 상기한 과제를 실현하기 위한 본 발명에 따른 슬림형 음극선관의 인너쉴드는, 인너쉴드의 양 개구부 중 전자총측 개구부가 형성하는 평면이 단변과 이루는 단변 절곡 각도를 Sγ, 및 장변과 이루는 장변 절곡 각도를 Lγ라 하며, 편향요크에 의해 전자빔이 편향되기 시작하는 편향중심으로부터 최대 편향을 이루는 편향각을 Dθ라 하면, 상기 인너쉴드는 2.5 < Dθ/ Sγ < 6.5와, 1.0 < Dθ/ Lγ < 3.0을 만족하는 것을 특징으로 한다.In addition, the inner shield of the slim type cathode ray tube according to the present invention for realizing the above-mentioned problems, Sγ, and the long side bending angle which forms the short side bending angle which the plane formed by the electron gun side opening part of both inner openings of the inner shield makes with the short side, Is Lγ, and when the deflection angle maximizing deflection from the deflection center at which the electron beam starts to deflect by the deflection yoke is Dθ, the inner shield is 2.5 <Dθ / Sγ <6.5 and 1.0 <Dθ / Lγ <3.0. It is characterized by being satisfied.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명에 따른 슬림형 음극선관이 도시된 개략적인 평면도이다.2 is a schematic plan view showing a slim cathode ray tube according to the present invention.

이에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 슬림형 음극선관은, 패널(21)과 펀넬(23)이 실 에지면(E)이 맞대어진 상태로 상호 접합되어 튜브(20)를 구성하고, 상기 튜브(20) 내에는 새도우 마스크(25)와, 이 새도우 마스크(25)를 패널(21)에 고정하는 프레임(27), 그리고 펀넥(23) 내부에 설치되어 외부 지자계를 차폐하는 인너쉴드(30)가 구비된다.As shown in this, the slim cathode ray tube according to the present invention, the panel 21 and the funnel 23 are bonded to each other in a state where the seal surface (E) is abutted to form a tube 20, the tube 20 ), A shadow mask 25, a frame 27 for fixing the shadow mask 25 to the panel 21, and an inner shield 30 installed inside the funnel 23 to shield the external geomagnetic field. It is provided.

여기서, 상기 슬림형 음극선관은 전자빔의 편향각(2Dθ)이 110도 이상이 되도록 구성되는 바, 상기 인너쉴드(30)는 음극선관의 슬림화를 구현할 때 발생할 수 있는 할레이션 문제와 화면상의 그림자 문제를 해결할 수 있도록 형성된다.Here, the slim cathode ray tube is configured such that the deflection angle (2Dθ) of the electron beam is 110 degrees or more, and the inner shield 30 is a halation problem and shadow problem that may occur when the cathode ray tube is made slim. It is formed to solve.

도 3 내지 도 5는 상기한 바와 같은 문제를 해결할 수 있는 본 발명의 인너쉴드가 도시된 도면들로서, 도 3은 인너쉴드의 평면도, 도 4는 인너쉴드의 배면도, 도 5는 인너쉴드의 측면도이다.3 to 5 are views showing the inner shield of the present invention that can solve the problems as described above, Figure 3 is a plan view of the inner shield, Figure 4 is a rear view of the inner shield, Figure 5 is a side view of the inner shield to be.

이에 도시된 바와 같이 인너쉴드(30)는 둘레면이 경사지게 형성된 대략 사각뿔 구조로 형성되고, 전면과 후면에 전자빔이 통과하도록 개구부(30f, 30r)가 각각 형성된다.As shown therein, the inner shield 30 is formed in a substantially square pyramid structure in which a circumferential surface is inclined, and openings 30f and 30r are formed to pass electron beams through the front and rear surfaces, respectively.

여기서, 도 2를 참고하면, 편향요크에 의해 전자빔이 편향되기 시작하는 편향중심(C)에서 펀넥(23)의 실 에지면(E)이 이루는 평면까지의 수직 거리를 L 이라 하고, 인너쉴드(30)의 양 개구부간 거리를 Sh 라 할 때, 상기 인너쉴드(30)는 2 < L/Sh < 3.5 을 만족하도록 형성된다.Here, referring to FIG. 2, the vertical distance from the deflection center C at which the electron beam starts to be deflected by the deflection yoke to the plane formed by the seal surface E of the funnel 23 is referred to as L, and the inner shield ( When the distance between both openings of 30 is Sh, the inner shield 30 is formed to satisfy 2 < L / Sh < 3.5.

그리고, 상기 인너쉴드(30)의 전자총측 개구부(30f)의 장축 길이를 Dx 라고 하고, 단축 길이를 Dy 라고 할 때, 상기 인너쉴드(30)는 1.6 < Dx/L < 3.5 와, 1.0 < Dy/L < 2.5를 만족하도록 형성된다.When the major axis length of the electron gun side opening portion 30f of the inner shield 30 is referred to as Dx and the short axis length is referred to as Dy, the inner shield 30 has 1.6 <Dx / L <3.5 and 1.0 <Dy. / L <2.5.

또한, 상기 인너쉴드(30)의 패널측 개구부(30r)가 형성하는 평면과 단변(33)이 이루는 단변 절곡 각도를 Sγ라 하고, 패널측 개구부(30r)가 형성하는 평면과 장변(31)이 이루는 장변 절곡 각도를 Lγ라 하며, 전자빔의 편향 중심(C)으로부터 최대 편향을 이루는 편향각을 Dθ라 하면, 상기 인너쉴드(30)는 2.5 < Dθ/ Sγ < 6.5 와 1.0 < Dθ/ Lγ < 3.0을 만족하도록 형성된다.In addition, the short side bending angle formed by the plane formed by the panel side opening 30r of the inner shield 30 and the short side 33 is referred to as Sγ, and the plane and long side 31 formed by the panel side opening 30r are If the long side bending angle is Lγ, and the deflection angle maximizing deflection from the deflection center C of the electron beam is Dθ, the inner shield 30 has 2.5 <Dθ / Sγ <6.5 and 1.0 <Dθ / Lγ <3.0 It is formed to satisfy.

이와 같이 상기 인너쉴드(30)는 높이(Sh), 전자총측 개구부(30f) 길이(Dx, Dy), 단변(33)과 장변(31)의 절곡각도(Lγ,Sγ)의 변수와 편향중심에서의 수직거리(L) 및 편향각(Dθ) 비율을 증가시켜 슬림형 음극선관에 적용할 수 있는 최적 값으로 형성된다.As described above, the inner shield 30 has the height Sh and the electron gun opening 30f length Dx and Dy at the deflection centers of the bending angles Lγ and Sγ of the short sides 33 and the long sides 31. By increasing the vertical distance (L) and deflection angle (Dθ) of the ratio is formed to the optimum value that can be applied to the slim cathode ray tube.

상기와 같이 구성되는 본 발명에 따른 슬림형 음극선관의 인너쉴드의 구체적인 실시예를 하기의 표를 통해서 설명한다.Specific embodiments of the inner shield of the slim cathode ray tube according to the present invention configured as described above will be described through the following table.

Figure 112005007610429-pat00001
Figure 112005007610429-pat00001

먼저, 종래 인너쉴드는 Dθ,L, Sh, Dx, Dy, Sγ, Lγ가 각각 50, 241, 140, 317, 172, 37.6 ~ 43, 57.5 ~ 66 으로 형성됨으로써, L/Sh, Dx/L, Dy/L, Dθ/Sγ,Dθ/Lγ가 각각 1.7, 1.3, 0.7, 1.2~1.3, 0.8~0.9 가 되어, 평향각(2Dθ)이 110도 이상으로 광각화된 슬림형 음극선관에 적용할 경우에 전자총에서 방출된 전자빔이 인너쉴드에 부딪혀 스크린에 그림자를 나타내는 치명적인 문제를 야기했다.First, the conventional inner shield is formed of Dθ, L, Sh, Dx, Dy, Sγ, and Lγ of 50, 241, 140, 317, 172, 37.6 to 43, 57.5 to 66, respectively, and thus, L / Sh, Dx / L, Dy / L, Dθ / Sγ, Dθ / Lγ are 1.7, 1.3, 0.7, 1.2 to 1.3, 0.8 to 0.9, respectively, and when applied to a slim cathode ray tube with a wide angle of angle of 2Dθ of 110 degrees or more. The electron beam emitted from the gun hits the inner shield, causing a fatal problem with shadows on the screen.

반면, 본 발명의 실시예1의 인너쉴드는 Dθ,L, Sh, Dx, Dy, Sγ, Lγ가 각각 60, 172, 65, 282, 180, 20 ~ 24, 40 ~ 46 으로 형성됨으로써, L/Sh, Dx/L, Dy/L, Dθ/Sγ,Dθ/Lγ가 각각 2.6, 1.6, 1.05, 2.5~3.0, 1.3~1.5 가 되었다.On the other hand, the inner shield of the first embodiment of the present invention is formed by Dθ, L, Sh, Dx, Dy, Sγ, Lγ is 60, 172, 65, 282, 180, 20 ~ 24, 40 ~ 46, respectively, L / Sh, Dx / L, Dy / L, Dθ / Sγ, Dθ / Lγ were 2.6, 1.6, 1.05, 2.5-3.0, and 1.3-1.5, respectively.

본 발명의 실시예2의 인너쉴드는 Dθ,L, Sh, Dx, Dy, Sγ, Lγ가 각각 62.5, 133, 59, 264, 170, 13 ~ 18, 30 ~ 35 으로 형성됨으로써, L/Sh, Dx/L, Dy/L, Dθ/Sγ,Dθ/Lγ가 각각 2.3, 2.0, 1.3, 3.5~4.8, 1.8~2.1 가 되었다.Inner shield of Example 2 of the present invention is formed by Dθ, L, Sh, Dx, Dy, Sγ, Lγ is 62.5, 133, 59, 264, 170, 13-18, 30-35, respectively, L / Sh, Dx / L, Dy / L, Dθ / Sγ, and Dθ / Lγ were 2.3, 2.0, 1.3, 3.5 to 4.8, and 1.8 to 2.1, respectively.

본 발명의 실시예3의 인너쉴드는 Dθ,L, Sh, Dx, Dy, Sγ, Lγ가 각각 65, 123, 52, 258, 166, 12 ~ 17, 25 ~ 29 으로 형성됨으로써, L/Sh, Dx/L, Dy/L, Dθ/Sγ,Dθ/Lγ가 각각 2.4, 2.1, 1.3, 3.8~5.4, 2.3~2.6 가 되었다.Inner shield of the third embodiment of the present invention is Dθ, L, Sh, Dx, Dy, Sγ, Lγ is formed by 65, 123, 52, 258, 166, 12 ~ 17, 25 ~ 29, respectively, L / Sh, Dx / L, Dy / L, Dθ / Sγ, and Dθ / Lγ were 2.4, 2.1, 1.3, 3.8 to 5.4, and 2.3 to 2.6, respectively.

본 발명의 실시예4의 인너쉴드는 Dθ,L, Sh, Dx, Dy, Sγ, Lγ가 각각 70, 80, 30, 220, 142, 11 ~ 13, 23 ~ 26 으로 형성됨으로써, L/Sh, Dx/L, Dy/L, Dθ/Sγ,Dθ/Lγ가 각각 2.7, 2.8, 1.8, 5.5~6.4, 2.6~3.0 가 되었다.Inner shield of Example 4 of the present invention is formed by Dθ, L, Sh, Dx, Dy, Sγ, and Lγ are 70, 80, 30, 220, 142, 11 to 13, 23 to 26, respectively, Dx / L, Dy / L, Dθ / Sγ, and Dθ / Lγ were 2.7, 2.8, 1.8, 5.5 to 6.4, and 2.6 to 3.0, respectively.

따라서, 상기와 같은 본 발명의 각각의 실시예에 따라 형성되는 인너쉴드(30)는 L/Sh 비를 2 ~ 3.5를 만족하도록 형성함으로써, 슬림형 음극선관에 적용될 경우에 튜브(20) 내에 장착할 때 펀넬(23)과 간섭이 발생되지 않게 되어 조립성이 개선되고, 오버스캔된 전자빔에 의해 발생될 수 있는 할레이션도 방지할 수 있게 된다.Therefore, the inner shield 30 formed according to each embodiment of the present invention as described above to form the L / Sh ratio to satisfy the 2 ~ 3.5, so that when applied to the slim cathode ray tube can be mounted in the tube 20 When the interference with the funnel 23 is not generated, the assemblability is improved, and the halation that can be generated by the overscanned electron beam can be prevented.

또한, 본 발명의 인너쉴드(30)는 Dx/L 와, Dy/L을 각각 1.6 ~ 3.5 와, 1.0 ~ 2.5를 만족하도록 형성하고, Dθ/ Sγ와, Dθ/ Lγ를 각각 2.5 ~ 6.5 와, 1.0 ~ 3.0을 만족하도록 형성함으로써, 전자총측 개구부(30f)의 길이(Dx,Dy)가 적절하게 설정됨에 따라, 슬림형 음극선관에 적용될 경우에 전자총에서 방사된 전자빔이 전자총측 개구부(30f)를 간섭됨이 없이 통과하게 되고, 이렇게 통과된 전자빔은 새도우 마스크(25)를 통과하여 패널(21)의 형광체를 발광시키게 되므로, 전자빔이 인너쉴드(30)에 부딪혀 스크린에 그림자를 나타내는 문제를 해결할 수 있게 된다.In addition, the inner shield 30 of the present invention forms Dx / L and Dy / L to satisfy 1.6 to 3.5 and 1.0 to 2.5, respectively, and Dθ / Sγ and Dθ / Lγ are 2.5 to 6.5, By forming so as to satisfy 1.0 to 3.0, the lengths Dx and Dy of the electron gun side opening 30f are appropriately set so that the electron beam emitted from the electron gun interferes with the electron gun side opening 30f when applied to the slim cathode ray tube. Since the electron beam passes through the shadow mask 25 and emits the phosphor of the panel 21, the electron beam hits the inner shield 30 so that the shadow on the screen can be solved. do.

상기와 같이 구성되고 작용되는 본 발명에 따른 슬림형 음극선관의 인너쉴드는 높이(Sh)와 개구부의 크기(Dx, Dy)를 적절하게 설정하여 구성되므로, 슬림형 음극선관에 적용될 때 펀넬과 간섭이 발생되지 않아 조립성이 개선되고, 오버스캔된 전자빔에 의해 발생될 수 있는 할레이션도 방지할 수 있으며, 스크린에 발생되는 그림자 문제도 해결할 수 있는 이점이 있다.The inner shield of the slim cathode ray tube according to the present invention constructed and acted as described above is configured by appropriately setting the height Sh and the size of the openings Dx and Dy, so that interference with the funnel occurs when applied to the slim cathode ray tube. As a result, assemblability may be improved, a halation that may be generated by the overscanned electron beam may be prevented, and a shadow problem generated on the screen may be solved.

Claims (9)

편향요크에 의해 전자빔이 편향되기 시작하는 편향중심에서 펀넬의 실 에지면이 이루는 평면까지의 수직거리를 L이라 하고, 상기 펀넬의 내부에 구비된 인너쉴드의 양 개구부간 거리를 Sh라 할 때, When the vertical distance from the deflection center in which the electron beam starts to deflect by the deflection yoke to the plane of the threaded surface of the funnel is referred to as L, and the distance between both openings of the inner shield provided in the funnel is referred to as Sh, 상기 인너쉴드는 상기 수직거리에 따른 상기 양 개구부간 거리의 비가 2 < L/Sh < 3.5 을 만족하는 것을 특징으로 하는 슬림형 음극선관의 인너쉴드.The inner shield is the inner shield of the slim cathode ray tube, characterized in that the ratio of the distance between the two openings according to the vertical distance satisfies 2 <L / Sh <3.5. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 인너쉴드의 양 개구부 중 전자총측 개구부의 장축 길이를 Dx 라고 할 때, When the major axis length of the electron gun side opening part of both opening parts of the inner shield is Dx, 상기 인너쉴드는 1.6 < Dx/L < 3.5 을 만족하는 것을 특징으로 하는 슬림형 음극선관의 인너쉴드.The inner shield is an inner shield of a slim cathode ray tube, characterized in that 1.6 <Dx / L <3.5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 인너쉴드의 양 개구부 중 전자총측 개구부의 단축길이를 Dy 라고 할 때, When the short axis length of the electron gun side opening of both openings of the inner shield is Dy, 상기 인너쉴드는 1.0 < Dy/L < 2.5를 만족하는 것을 특징으로 하는 슬림형 음극선관의 인너쉴드.The inner shield is an inner shield of a slim cathode ray tube, characterized in that it satisfies 1.0 <Dy / L <2.5. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 인너쉴드의 양 개구부 중 패널측 개구부가 형성하는 평면과 단변이 이루는 단변 절곡 각도를 Sγ라 하고, 상기 편향중심으로부터 최대 편향을 이루는 편향각을 Dθ라 하면, If the short side bending angle between the plane formed by the panel side opening and the short side among the openings of the inner shield is Sγ, and the deflection angle maximally deflecting from the deflection center is Dθ, 상기 인너쉴드는 2.5 < Dθ/ Sγ < 6.5를 만족하도록 형성된 것을 특징으로 하는 슬림형 음극선관의 인너쉴드.The inner shield of the slim cathode ray tube, characterized in that formed to satisfy 2.5 <Dθ / Sγ <6.5. 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서,The method according to claim 1 or 4, 상기 인너쉴드의 양 개구부 중 패널측 개구부가 형성하는 평면과 장변이 이루는 장변 절곡 각도를 Lγ라 하고, 상기 편향중심으로부터 최대 편향을 이루는 편향각을 Dθ라 하면, When the long side bending angle between the plane formed by the panel side opening and the long side among the openings of the inner shield is referred to as Lγ, and the deflection angle to achieve the maximum deflection from the deflection center is Dθ, 상기 인너쉴드는 1.0 < Dθ/ Lγ < 3.0을 만족하도록 형성된 것을 특징으로 하는 슬림형 음극선관의 인너쉴드.The inner shield of the slim cathode ray tube, characterized in that formed to satisfy 1.0 <Dθ / Lγ <3.0. 편향요크에 의해 전자빔이 편향되기 시작하는 편향중심에서 펀넬의 실 에지면이 이루는 평면까지의 수직거리를 L이라 하고, 상기 펀넬의 내부에 구비된 인너쉴드의 양 개구부 중 전자총측 개구부의 장축 길이를 Dx, 및 단축 길이를 Dy라 할 때,The vertical distance from the deflection center at which the electron beam starts to deflect by the deflection yoke to the plane of the inner surface of the funnel seal is L, and the length of the long axis of the electron gun opening of the inner shields of the inner shield provided inside the funnel Dx and shortening length Dy, 상기 인너쉴드는 1.6 < Dx/L < 3.5 와, 1.0 < Dy/L < 2.5를 만족하는 것을 특징으로 하는 슬림형 음극선관의 인너쉴드.The inner shield is 1.6 <Dx / L <3.5 and the inner shield of the slim cathode ray tube, characterized in that it satisfies 1.0 <Dy / L <2.5. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 전자총측 개구부가 형성하는 평면과 단변이 이루는 단변 절곡 각도를 Sγ라 하고, 상기 편향중심으로부터 최대 편향을 이루는 편향각을 Dθ라 하면, A short side bending angle formed by the plane and the short side formed by the electron gun side opening is Sγ, and a deflection angle maximizing deflection from the deflection center is Dθ, 상기 인너쉴드는 2.5 < Dθ/ Sγ < 6.5를 만족하는 것을 특징으로 하는 슬림형 음극선관의 인너쉴드.The inner shield is an inner shield of a slim cathode ray tube, characterized in that 2.5 <Dθ / Sγ <6.5. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,The method according to claim 6 or 7, 상기 전자총측 개구부가 형성하는 평면과 장변이 이루는 장변 절곡 각도를 Lγ라 하고, 상기 편향중심으로부터 최대 편향을 이루는 편향각을 Dθ라 하면, A long side bending angle formed by the plane and the long side formed by the electron gun side opening is Lγ, and a deflection angle maximizing deflection from the deflection center is Dθ, 상기 인너쉴드는 1.0 < Dθ/ Lγ < 3.0을 만족하는 것을 특징으로 하는 슬림형 음극선관의 인너쉴드.The inner shield is an inner shield of a slim cathode ray tube, characterized in that it satisfies 1.0 <Dθ / Lγ <3.0. 인너쉴드의 양 개구부 중 전자총측 개구부가 형성하는 평면이 단변과 이루는 단변 절곡 각도를 Sγ, 및 장변과 이루는 장변 절곡 각도를 Lγ라 하며, 편향요크에 의해 전자빔이 편향되기 시작하는 편향중심으로부터 최대 편향을 이루는 편향각을 Dθ라 하면, The short side bending angle between the plane formed by the electron gun side opening of the inner shield and the short side is Sγ, and the long side bending angle between the long side and the long side is Lγ, and the maximum deflection from the deflection center where the electron beam starts to be deflected by the deflection yoke. If the deflection angle of Dθ is Dθ, 상기 인너쉴드는 2.5 < Dθ/ Sγ < 6.5와, 1.0 < Dθ/ Lγ < 3.0을 만족하는 것을 특징으로 하는 슬림형 음극선관의 인너쉴드.The inner shield is 2.5 <Dθ / Sγ <6.5 and 1.0 <Dθ / Lγ <3.0, the inner shield of the slim cathode ray tube, characterized in that.
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