KR100763532B1 - 웨이퍼 지지장치, 웨이퍼 노광 장치 및 웨이퍼 지지방법 - Google Patents

웨이퍼 지지장치, 웨이퍼 노광 장치 및 웨이퍼 지지방법 Download PDF

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Abstract

웨이퍼 지지장치, 웨이퍼 노광 장치 및 웨이퍼 지지방법에서, 웨이퍼를 지지하기 위한 도전성 지지부 상의 파티클을 검출하고, 도전성 지지부와 전기적으로 연결되는 전원부에서 도전성 지지부로 전류를 제공한다. 전류는 파티클을 태워 제거한다. 이때, 전류는 파티클이 존재하는 도전성 지지부의 일부 부위에만 선택적으로 제공될 수 있다. 파티클이 제거된 도전성 지지부에 웨이퍼를 로딩하여 노광을 수행한다. 따라서, 도전성 지지부 상의 파티클을 신속하고 용이하게 제거할 수 있다.

Description

웨이퍼 지지장치, 웨이퍼 노광 장치 및 웨이퍼 지지방법{Apparatus for supporting a wafer, apparatus for exposing a wafer and method of supporting a wafer}
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 지지장치를 설명하기 위한 평면도이다.
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ′선을 기준으로 절단한 단면도이다.
도 3은 도 1의 제1 도전 라인과 제2 도전 라인이 교차하는 부위를 설명하기 위한 사시도이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 웨이퍼 지지장치를 설명하기 위한 평면도이다.
도 5는 도 4의 Ⅴ-Ⅴ′선을 기준으로 절단한 단면도이다.
도 6은 도 4의 제1 도전 라인과 제2 도전 라인이 교차하는 부위를 설명하기 위한 사시도이다.
도 7은 본 발명의 제3 실시예에 따른 웨이퍼 지지장치를 설명하기 위한 평면도이다.
도 8은 도 7의 Ⅷ-Ⅷ′선을 기준으로 절단한 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제4 실시예에 따른 웨이퍼 지지장치를 설명하기 위한 단면 도이다.
도 10은 도 9에 도시된 평판부, 도전성 지지부 및 절연성 지지부를 설명하기 위한 평면도이다.
도 11은 본 발명의 제5 실시예에 따른 웨이퍼 지지방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 12는 본 발명의 제6 실시예에 따른 웨이퍼 노광 장치를 설명하기 위한 블럭도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100, 200 : 웨이퍼 지지장치 110, 210 : 평판부
120, 220 : 도전성 지지부 122, 222 : 제1 도전 라인
124, 224 : 제2 도전 라인 130, 230 : 절연성 지지부
132, 232 : 제1 절연 라인 134, 234 : 제2 절연 라인
140, 240 : 전원부 300 : 웨이퍼 지지장치
310 : 평판부 320 : 도전성 지지부
330 : 전원부 400 : 웨이퍼 지지장치
410 : 평판부 420 : 도전성 지지부
430 : 절연성 지지부 440 : 전원부
450 : 진공 제공부 460 : 검출부
462 : 광원 464 : 디텍터
466 : 프로세서 470 : 제어부
500 : 노광 장치 510 : 광원
520 : 집광렌즈 유닛 530 : 파리눈 렌즈 어레이
540 : 애퍼처 플레이트 550 : 조명 렌즈
560 : 포토 마스크 570 : 투사 렌즈
580 : 웨이퍼 지지유닛 598 : 광축
W : 웨이퍼
본 발명은 웨이퍼 지지장치, 웨이퍼 노광 장치 및 웨이퍼 지지방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼가 놓여지는 부위에 존재하는 파티클을 제거하기 위한 웨이퍼 지지장치, 웨이퍼 노광 장치 및 웨이퍼 지지방법에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조 공정 중 노광 공정에서는, 웨이퍼를 스테이지에 로딩한 후, 광을 이용하여 레티클의 패턴을 상기 웨이퍼로 전사한다. 상기 스테이지 상에 파티클이 존재하면, 상기 스테이지에 로딩된 웨이퍼는 상기 파티클이 위치하는 부분이 볼록하게 된다. 상기 반도체 장치의 집적도가 높아짐에 따라, 상기 노광 공정의 포커스 마진도 감소한다. 따라서, 상기 웨이퍼가 노광될 때, 상기 파티클이 위치하는 부분에서 디포커싱(defocusing)이 발생한다. 그러므로, 상기 웨이퍼 상에 패턴이 정확하게 형성되지 않고, 상기 반도체 장치의 품질이 저하된다.
본 발명의 실시예들은 표면에 존재하는 파티클을 제거할 수 있는 웨이퍼 지지장치를 제공한다.
본 발명의 실시예들은 상기 웨이퍼 지지장치를 포함하는 웨이퍼 노광 장치를 제공한다.
본 발명의 실시예들은 상기 웨이퍼 지지장치를 이용한 웨이퍼 지지방법을 제공한다.
본 발명에 따른 웨이퍼 지지장치는 도전성 지지부 및 전원부를 포함한다. 상기 도전성 지지부는 웨이퍼를 지지한다. 전원부는 상기 도전성 지지부와 전기적으로 연결되며, 상기 지지부 상의 파티클을 태우기 위해 상기 지지부로 전류를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 도전성 지지부는 서로 평행하며 일정 간격 이격되는 다수의 제1 도전 라인들 및 서로 평행하며 일정 간격 이격되고 상기 제1 도전 라인들과 각각 수직하는 다수의 제2 도전 라인들을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 도전 라인들과 상기 제2 도전 라인들은 서로 전기적으로 이격되며, 상기 전원부는 상기 제1 도전 라인들 및 제2 도전 라인들에 선택적으로 전류를 제공할 수 있다. 상기 웨이퍼 지지장치는 상기 도전성 지지부 상의 파티클을 검출하기 위한 검출부 및 상기 웨이퍼를 상기 도전성 지지부에 고정하기 위한 진공 제공부를 더 포함할 수 있다.
한편, 상기 제1 도전 라인들과 상기 제2 도전 라인들은 서로 전기적으로 연 결되며, 상기 전원부는 상기 제1 도전 라인들 및 제2 도전 라인들 전체에 전류를 제공할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 웨이퍼 지지장치는 상기 제1 및 제2 도전 라인들 사이의 공간을 채우기 위해 상기 제1 도전 라인들 사이에 구비되는 제1 절연 라인들 및 상기 제2 도전 라인들 사이에 각각 구비되는 제2 절연 라인들을 포함하는 절연성 지지부를 더 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전 라인들의 폭이 상기 제1 및 제2 절연 라인들의 폭보다 클 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 도전성 지지부는 원판일 수 있다.
본 발명에 따른 웨이퍼 노광 장치는 도전성 지지부, 전원부, 검출부 및 광원부를 포함한다. 상기 도전성 지지부는 서로 평행하며 일정 간격 이격되는 다수의 제1 도전 라인들 및 서로 평행하며 일정 간격 이격되고 상기 제1 도전 라인들과 전기적으로 이격되도록 각각 수직하는 다수의 제2 도전 라인들을 포함하며, 웨이퍼를 지지한다. 상기 전원부는 상기 도전성 지지부와 전기적으로 연결되며, 상기 지지부 상의 파티클을 태우기 위해 상기 제1 도전 라인들 및 제2 도전 라인들에 선택적으로 전류를 제공한다. 검출부는 상기 도전성 지지부 상의 파티클을 검출한다. 광원부는 마스크 패턴을 갖는 레티클을 투과하여 상기 도전성 지지부에 지지된 웨이퍼 상으로 제공되는 광을 생성한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 웨이퍼 노광 장치는 상기 웨이퍼를 상기 도전성 지지부에 고정하기 위한 진공 제공부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 웨이퍼 노광 장치는 상기 제1 및 제2 도전 라인들 사이의 공간을 채우기 위해 상기 제1 도전 라인들 사이에 구비되는 제1 절연 라인들 및 상기 제2 도전 라인들 사이에 각각 구비되는 제2 절연 라인들을 포함하는 절연성 지지부를 더 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전 라인들의 폭이 상기 제1 및 제2 절연 라인들의 폭보다 클 수 있다.
본 발명의 웨이퍼 지지방법은 웨이퍼를 지지하기 위한 도전성 지지부 상의 파티클을 검출하고, 상기 도전성 지지부로 전류를 제공하여 상기 파티클을 제거한 후, 상기 도전성 지지부 상에 웨이퍼를 로딩한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 전류는 상기 파티클이 위치하는 부위의 도전성 지지부로만 선택적으로 제공될 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 지지장치, 웨이퍼 노광 장치 및 웨이퍼 지지방법에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 지지장치를 설명하기 위한 평면도이고, 도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ′선을 기준으로 절단한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 웨이퍼 지지장치(100)는 평판부(110), 도전성 지 지부(120), 절연성 지지부(130) 및 전원부(140)를 포함한다.
상기 평판부(110)는 상부면에 홈(112)을 갖는다. 상기 홈(112)은 웨이퍼(미도시)의 지름보다 약간 작은 지름을 갖는다. 상기 평판부(110)는 상기 웨이퍼의 가장자리를 지지한다. 상기 평판부(110)는 절연 물질로 이루어진다.
상기 도전성 지지부(120)는 격자 형태를 가지며, 상기 홈(122)에 삽입된다. 상기 도전성 지지부(120)는 상기 웨이퍼의 중심 부위를 지지한다. 상기 도전성 지지부(120)는 도전 물질로 이루어진다.
구체적으로, 상기 도전성 지지부(120)는 다수의 제1 도전 라인들(122)과 다수의 제2 도전 라인들(124)을 포함한다. 상기 제1 도전 라인들(122)은 상기 홈(112)에 서로 평행하며 제1 간격만큼 이격되도록 배치된다. 상기 제2 도전 라인들(124)은 상기 홈(112)에 서로 평행하며 제2 간격만큼 이격되도록 배치된다. 또한, 상기 제2 도전 라인들(124)은 상기 제1 도전 라인들(122)과 각각 서로 수직하도록 배치된다. 상기 제1 도전 라인들(122) 및 제2 도전 라인들(124)은 서로 전기적으로 연결되지 않는다. 상기 제1 간격과 제2 간격은 실질적으로 동일하거나 또는 서로 다를 수 있다. 상기 제1 간격과 제2 간격은 실질적으로 동일한 것이 바람직하다.
도 3은 도 1의 제1 도전 라인과 제2 도전 라인이 교차하는 부위를 설명하기 위한 사시도이다.
도 3을 참조하면, 상기 제1 도전 라인(122)과 제2 도전 라인(124)의 교차 부위에서, 상기 제1 도전 라인(122)과 제2 도전 라인(124)은 서로 접촉하지 않는다. 따라서, 상기 제1 도전 라인(122)과 제2 도전 라인(124)은 전기적으로 연결되지 않는다.
상기 절연성 지지부(130)는 격자 형태를 가지며, 상기 홈(122)에 삽입된다. 상기 절연성 지지부(130)는 상기 웨이퍼를 지지한다. 상기 절연성 지지부(130)는 절연 물질로 이루어진다.
구체적으로, 상기 절연성 지지부(130)는 다수의 제1 절연 라인들(132)과 다수의 제2 절연 라인들(134)을 포함한다. 상기 제1 절연 라인들(132)은 상기 제1 도전 라인들(122) 사이에 각각 배치된다. 상기 제1 절연 라인들(132)은 상기 제1 도전 라인들(122) 사이의 공간을 부분적으로 채우며, 상기 제1 도전 라인들(122)을 절연시킨다. 상기 제2 절연 라인들(134)은 상기 제2 도전 라인들(124) 사이에 각각 배치된다. 상기 제2 절연 라인들(134)은 상기 제2 도전 라인들(124) 사이의 공간을 부분적으로 채우며, 상기 제2 도전 라인들(124)을 절연시킨다. 따라서, 상기 절연성 지지부(130)는 인접한 상기 제1 도전 라인들(122) 및 제2 도전 라인들(124) 사이의 통전을 방지한다.
상기 도 1 및 도 2에서는 상기 제1 및 제2 절연 라인들(132, 134)이 상기 제1 및 제2 도전 라인들(122, 124) 사이 공간을 부분적으로 채우는 것으로 도시되었지만, 상기 제1 및 제2 절연 라인들(132, 134)이 상기 제1 및 제2 도전 라인들(122, 124) 사이 공간을 완전히 채울 수도 있다.
상기 제1 및 제2 도전 라인들(122, 124)의 제1 폭은 상기 제1 및 제2 절연 라인들(132, 134)의 제2 폭보다 크다. 상기 파티클이 큰 경우, 상기 파티클은 상기 제1 및 제2 도전 라인들(122, 124) 상에만 위치하거나, 상기 제1 및 제2 도전 라인들(122, 124)과 상기 제1 및 제2 절연 라인들(132, 134)에 걸쳐 위치한다. 상기 파티클이 작은 경우, 상기 파티클은 상부면의 면적이 상대적으로 큰 상기 제1 및 제2 도전 라인들(122, 124) 상에 주로 위치한다. 또한, 상기 파티클이 작은 경우, 상기 웨이퍼 지지장치(100) 상에 상기 웨이퍼가 로딩되더라도 상기 웨이퍼에 미치는 영향이 적다. 따라서, 상기 웨이퍼 지지장치(100)에 파티클이 존재하는 경우, 상기 파티클은 상기 제1 및 제2 절연 라인들(132, 134)보다 상기 제1 및 제2 도전 라인들(122, 124) 상에 주로 위치한다.
상기 도면에서는 상기 제1 폭이 상기 제2 폭보다 큰 것으로 도시되었지만, 경우에 따라 상기 제1 폭은 상기 제2 폭과 실질적으로 동일할 수 있다.
한편, 상기 도전성 지지부(120)의 상부면과 상기 절연성 지지부(130)의 상부면은 상기 평판부(110)의 상부면과 동일한 높이에 위치한다. 따라서, 상기 평판부(110), 상기 도전성 지지부(120) 및 상기 절연성 지지부(130)는 상기 웨이퍼를 평행하게 지지할 수 있다.
상기 전원부(140)는 상기 도전성 지지부(120)와 연결된다. 구체적으로, 상기 전원부(140)는 상기 제1 도전 라인들(122)의 일단 및 상기 제2 도전 라인들(124)의 일단과 각각 연결된다. 이때, 상기 제1 도전 라인들(122)의 타단 및 상기 제2 도전 라인들(124)의 타단은 접지된다. 상기 전원부(140)는 상기 제1 도전 라인들(122) 및 상기 제2 도전 라인들(124)에 각각 전류를 제공할 수 있다. 상기 전류를 이용하여 상기 도전성 지지부(120) 상에 위치하는 파티클을 태워 제거할 수 있다.
상기 웨이퍼 지지장치(100)는 상기 파티클이 위치하는 상기 제1 도전 라인(122) 및/또는 상기 제2 도전 라인(124)에 선택적으로 전류를 제공하여 상기 파티클을 신속하고 용이하게 제거할 수 있다. 또한, 상기 전류를 선택적으로 제공할 수 있으므로, 상기 전원부(140)의 전력 소비를 줄일 수 있다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 웨이퍼 지지장치를 설명하기 위한 평면도이고, 도 5는 도 4의 Ⅴ-Ⅴ′선을 기준으로 절단한 단면도이며, 도 6은 도 4의 제1 도전 라인과 제2 도전 라인이 교차하는 부위를 설명하기 위한 사시도이다.
도 4 내지 도 6을 참조하면, 웨이퍼 지지장치(200)는 평판부(210), 도전성 지지부(220), 절연성 지지부(230) 및 전원부(240)를 포함한다.
상기 웨이퍼 지지장치(200)는 상기 도전성 지지부(220)의 제1 도전 라인들(222)과 제2 도전 라인들이 서로 교차되는 상태 및 상기 전원부(240)와 상기 도전성 지지부(220)의 연결 관계를 제외하면, 상기 도 1 내지 도 3에 도시된 웨이퍼 지지장치(100)와 실질적으로 동일하다.
도 6에 도시된 바와 같이, 상기 제1 도전 라인(222)과 제2 도전 라인(224)의 교차 부위에서, 상기 제1 도전 라인(222)과 제2 도전 라인(224)은 서로 접촉한다. 따라서, 상기 제1 도전 라인(222)과 제2 도전 라인(224)은 전기적으로 연결된다.
한편, 상기 제1 도전 라인(222)과 제2 도전 라인(224)은 전기적으로 연결되므로, 상기 전원부(240)는 상기 도전성 지지부(220)의 일단과 연결된다. 이때, 상기 도전성 지지부(220)의 타단은 접지된다.
상기 웨이퍼 지지장치(200)는 상기 파티클이 위치에 상관없이 상기 도전성 지지부(220)에 전류를 제공하여 상기 파티클을 신속하고 용이하게 제거할 수 있다.
도 7은 본 발명의 제3 실시예에 따른 웨이퍼 지지장치를 설명하기 위한 평면도이고, 도 8은 도 7의 Ⅷ-Ⅷ′선을 기준으로 절단한 단면도이다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 웨이퍼 지지장치(300)는 평판부(310), 도전성 지지부(320) 및 전원부(330)를 포함한다.
상기 평판부(310)는 상부면에 홈(312)을 갖는다. 상기 홈(312)은 웨이퍼(미도시)의 지름보다 약간 작은 지름을 갖는다. 상기 평판부(310)는 상기 웨이퍼의 가장자리를 지지한다. 상기 평판부(310)는 절연 물질로 이루어진다.
상기 도전성 지지부(320)는 원판 형태를 가지며, 상기 홈(322)에 삽입된다. 상기 도전성 지지부(320)의 지름은 상기 홈(312)의 지름과 실질적으로 동일하다. 상기 도전성 지지부(320)는 상기 웨이퍼의 중심 부위를 지지한다. 상기 도전성 지지부(320)는 전기 전도성을 갖는 물질로 이루어진다.
한편, 상기 도전성 지지부(320)의 상부면은 상기 평판부(310)의 상부면과 동일한 높이에 위치한다. 따라서, 상기 평판부(310) 및 상기 도전성 지지부(320)는 상기 웨이퍼를 평행하게 지지할 수 있다.
상기 전원부(330)는 상기 도전성 지지부(320)와 연결된다. 구체적으로, 상기 전원부(340)는 상기 도전성 지지부(320)의 일단과 연결된다. 이때, 상기 도전성 지지부(320)의 타단은 접지된다. 상기 전원부(340)는 상기 도전성 지지부(320)에 전 류를 제공한다. 상기 전류를 이용하여 상기 도전성 지지부(320) 상에 위치하는 파티클을 태워 제거할 수 있다.
상기 웨이퍼 지지장치(300)는 상기 파티클이 위치에 상관없이 상기 도전성 지지부(320)에 전류를 제공하여 상기 파티클을 신속하고 용이하게 제거할 수 있다.
도 9는 본 발명의 제4 실시예에 따른 웨이퍼 지지장치를 설명하기 위한 단면도이고, 도 10은 도 9에 도시된 평판부, 도전성 지지부 및 절연성 지지부를 설명하기 위한 평면도이다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 웨이퍼 지지장치(400)는 평판부(410), 도전성 지지부(420), 절연성 지지부(430), 전원부(440), 진공 제공부(450), 검출부(460) 및 제어부(470)를 포함한다.
상기 평판부(410), 도전성 지지부(420), 절연성 지지부(430) 및 전원부(440)에 대한 설명은 상기 도 1 내지 도 3에 도시된 제1 실시예에 따른 웨이퍼 지지장치(100)의 평판부(410), 도전성 지지부(120), 절연성 지지부(130) 및 전원부(140)에 대한 설명과 실질적으로 동일하다.
상기 진공 제공부(450)는 상기 평판부(410)의 다수의 진공홀(414)과 연결된다. 상기 진공홀들(414)은 상기 도전성 지지부(420)와 상기 절연성 지지부(430) 사이의 공간과 연통되도록 구비된다. 상기 평판부(410)에 웨이퍼가 로딩되면, 상기 진공 제공부(450)는 상기 평판부(410)와 상기 웨이퍼 사이에 진공을 제공하여 상기 웨이퍼를 고정한다.
한편, 상기 도전성 지지부(420) 사이의 공간이 상기 절연성 지지부(430)에 의해 채워지므로, 상기 진공에 의해 상기 웨이퍼가 휘어지지 않는다.
상기 검출부(460)는 상기 도전성 지지부(420)의 상부에 구비되며, 상기 도전성 지지부(420) 상의 파티클을 검출한다.
구체적으로, 상기 검출부(460)는 광원(462), 디텍터(464) 및 프로세서(466)를 포함한다. 상기 광원(462)은 상기 도전성 지지부(420) 상으로 광을 조사한다. 상기 디텍터(464)는 상기 도전성 지지부(420)로부터 반사 또는 산란되는 광을 검출한다. 상기 프로세서(466)는 검출된 광을 이용하여 상기 파티클의 존재 여부를 확인한다. 또한, 상기 프로세서(466)는 상기 파티클이 존재하는 경우 상기 파티클의 위치를 산출한다.
상기 제어부(470)는 상기 검출부(460)의 검출 결과에 따라 상기 파티클이 위치하는 도전성 지지부(420)에 선택적으로 전류를 제공하여 상기 파티클을 제거한다. 구체적으로, 상기 파티클이 상기 제1 도전 라인들(422) 또는 제2 도전 라인들(424) 상에 위치하는 경우, 상기 전원부(440)는 상기 제어부(470)의 제어에 따라 상기 제1 도전 라인들(422) 또는 제2 도전 라인들(424)에 선택적으로 전류를 제공한다. 상기 전류에 의해 상기 파티클이 태워져 제거된다.
상기 웨이퍼 지지장치(400)는 상기 파티클이 위치하는 상기 도전성 지지부(420)에 선택적으로 전류를 제공하여 상기 파티클을 신속하고 용이하게 제거할 수 있다. 또한, 상기 전류를 선택적으로 제공할 수 있으므로, 상기 전원부(440)의 전력 소비를 줄일 수 있다.
도 11은 상기 웨이퍼 지지장치(400)를 이용한 본 발명의 제5 실시예에 따른 파티클 제거 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 11을 참조하면, 도전성 지지부(420)를 스캐닝하여 상기 도전성 지지부(420) 상의 파티클을 검출한다(S100).
구체적으로, 상기 도전성 지지부(420)를 스캐닝하도록 광을 상기 도전성 지지부(420) 상으로 광을 조사한다. 상기 도전성 지지부(420)로부터 반사 또는 산란되는 광을 검출한다. 상기 검출된 광을 이용하여 상기 도전성 지지부(420) 상에 파티클이 존재 여부를 확인한다. 상기 파티클이 존재하는 경우, 상기 파티클의 위치를 산출한다.
상기 파티클이 위치하는 도전성 지지부(420)에 선택적으로 전류를 제공한다(S200).
구체적으로, 상기 파티클이 상기 제1 도전 라인들(422) 또는 제2 도전 라인들(424) 상에 위치하는 경우, 상기 전류는 상기 제1 도전 라인들(422) 또는 제2 도전 라인들(424)에 선택적으로 제공된다.
상기 파티클을 상기 도전성 지지부(420)로부터 제거한다(S300).
구체적으로, 상기 전류의 에너지에 의해 상기 도전성 지지부(420) 상에 위치하는 파티클이 탄다. 따라서, 상기 파티클이 제거된다.
도 12는 본 발명의 제6 실시예에 따른 웨이퍼 노광 장치를 설명하기 위한 블 럭도이다.
도 12를 참조하면, 웨이퍼(W) 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 웨이퍼 노광 장치(500)는 광원(510), 집광 렌즈 유닛(condenser lens unit, 520), 파리눈 렌즈 어레이(fly's eye lens array, 530), 애퍼처 플레이트(540), 조명 렌즈(illumination lens, 550), 포토 마스크(560), 투사 렌즈(projection lens, 570) 및 웨이퍼 지지유닛(580)을 포함한다.
광원(510)은 포토레지스트 막이 형성된 웨이퍼(W) 상으로 제공되는 광을 생성한다. 상기 광원(510)의 예로는 램프 또는 레이저를 들 수 있다. 상기 광원(510)은 436nm의 파장을 갖는 g-line 광 빔, 365nm의 파장을 갖는 광 빔, KrF 엑시머 레이저(excimer laser)로부터 발생되는 248nm의 파장을 갖는 KrF 레이저 빔, ArF 엑시머 레이저로부터 발생되는 198nm의 파장을 갖는 ArF 레이저 빔, F2 엑시머 레이저로부터 발생되는 157nm의 파장을 갖는 F2 레이저 빔 등을 발생할 수 있다.
도면 부호 598은 광원(510)으로부터 웨이퍼(W) 상의 선택된 부위를 연결하는 광 축(optical axis)을 의미하며, 광 축(598)은 조명 렌즈(550)의 중심 및 투사 렌즈(570)의 중심을 통과한다.
상기 집광 렌즈 유닛(520)은 광원으로부터 방사되는 광을 집속시킨다.
집광 렌즈 유닛(520)은 광원으로부터 방사되는 광을 집속시키며, 파리눈 렌즈 어레이(530)는 피사체의 전면에 균일한 입사가 될 수 있도록 한다. 조명 렌즈(550)는 상기 파리눈 렌즈 어레이(530)를 통과한 광을 집광한다.
상기 파리눈 렌즈 어레이(530)를 통과한 광은 조명 렌즈(550)에 도달하기 전에 애퍼처 플레이트(540)를 통과한다. 애퍼처 플레이트(540)는 광을 통과시킬 수 있는 개구 영역과 빛을 차단하는 블로킹 영역으로 나누어지는데, 애퍼처 플레이트(540)의 개구 영역은 통상 특정한 형상으로 되어 있다. 상기 애퍼처 플레이트(540)는 상기 광원(510)으로부터 발생된 광을 다양한 폴(pole)을 갖는 오프 액시스 조명 광으로 형성하기 위해 사용된다.
상기 애퍼처 플레이트(540)를 통과한 광은 조명 렌즈(550)에 집광이 되어, 포토 마스크(560)에 입사된다. 포토 마스크(560)에는 전사하고자 하는 패턴이 레이 아웃되어 있다. 계속해서 포토 마스크(560)를 통과한 광은 투사 렌즈(570)를 통과하고, 최종적으로 웨이퍼 지지유닛(580)에 놓여 있는 웨이퍼(W)상에 포커싱된다. 이러한 과정을 거침으로써 포토 마스크(560)의 패턴이 웨이퍼(W) 상에 도포되어 있는 포토레지스트 막에 전사된다.
상기 웨이퍼 지지유닛(580)에 대한 구체적인 설명은 도 9 및 도 10에 도시된 본 발명의 제4 실시예에 따른 웨이퍼 지지장치(400)에 대한 설명과 실질적으로 동일하다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 웨이퍼 지지유닛(580)은 상기 도 1 내지 도 8에 도시된 본 발명의 제1 내지 제3 실시예에 따른 웨이퍼 지지장치와 실질적으로 동일할 수 있다.
상기 웨이퍼 노광 장치(500)는 상기 웨이퍼 지지유닛(580) 상에 파티클을 제거하여 웨이퍼(W)를 지지한다. 따라서, 상기 웨이퍼(W)가 노광될 때, 상기 웨이퍼 에서 디포커싱을 방지할 수 있다. 그러므로, 상기 웨이퍼(W) 상에 패턴을 정확하게 형성하고, 상기 반도체 장치의 품질이 향상시킬 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따르면, 웨이퍼가 놓여지는 전도성 지지부 상의 파티클을 전류를 이용하여 신속하고 용이하게 제거한다. 상기 전도성 지지부 전체에 전류를 제공하여 상기 파티클의 위치와 무관하게 상기 파티클을 제거할 수 있다. 또한, 상기 파티클의 위치를 검출하고 상기 파티클이 위치하는 전도성 지지부에 선택적으로 전류를 제공하여 파티클을 제거할 수 있다.
또한, 상기 파티클이 제거된 상태에서 웨이퍼를 로딩하여 노광을 진행하므로, 상기 파티클에 의한 디포커싱을 방지할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (15)

  1. 웨이퍼를 지지하기 위한 도전성 지지부; 및
    상기 도전성 지지부와 전기적으로 연결되며, 상기 지지부 상의 파티클을 태우기 위해 상기 지지부로 전류를 제공하는 전원부를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 도전성 지지부는,
    서로 평행하며 일정 간격 이격되는 다수의 제1 도전 라인들; 및
    서로 평행하며 일정 간격 이격되고, 상기 제1 도전 라인들과 각각 수직하는 다수의 제2 도전 라인들을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1 도전 라인들과 상기 제2 도전 라인들은 서로 전기적으로 이격되며, 상기 전원부는 상기 제1 도전 라인들 및 제2 도전 라인들에 선택적으로 전류를 제공하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 도전성 지지부 상의 파티클을 검출하기 위한 검출부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 웨이퍼를 상기 도전성 지지부에 고정하기 위한 진공 제공부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지장치.
  6. 제2항에 있어서, 상기 제1 도전 라인들과 상기 제2 도전 라인들은 서로 전기적으로 연결되며, 상기 전원부는 상기 제1 도전 라인들 및 제2 도전 라인들 전체에 전류를 제공하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지장치.
  7. 제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2 도전 라인들 사이의 공간을 채우기 위해 상기 제1 도전 라인들 사이에 구비되는 제1 절연 라인들 및 상기 제2 도전 라인들 사이에 각각 구비되는 제2 절연 라인들을 포함하는 절연성 지지부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1 및 제2 도전 라인들의 폭이 상기 제1 및 제2 절연 라인들의 폭보다 큰 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 도전성 지지부는 원판인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지장치.
  10. 서로 평행하며 일정 간격 이격되는 다수의 제1 도전 라인들 및 서로 평행하며 일정 간격 이격되고 상기 제1 도전 라인들과 전기적으로 이격되도록 각각 수직하는 다수의 제2 도전 라인들을 포함하며, 웨이퍼를 지지하는 도전성 지지부;
    상기 도전성 지지부와 전기적으로 연결되며, 상기 지지부 상의 파티클을 태우기 위해 상기 제1 도전 라인들 및 제2 도전 라인들에 선택적으로 전류를 제공하는 전원부;
    상기 도전성 지지부 상의 파티클을 검출하기 위한 검출부; 및
    마스크 패턴을 갖는 레티클을 투과하여 상기 도전성 지지부에 지지된 웨이퍼 상으로 제공되는 광을 생성하기 위한 광원부를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 노광 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 웨이퍼를 상기 도전성 지지부에 고정하기 위한 진공 제공부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 노광 장치.
  12. 제10항에 있어서, 상기 제1 및 제2 도전 라인들 사이의 공간을 채우기 위해 상기 제1 도전 라인들 사이에 구비되는 제1 절연 라인들 및 상기 제2 도전 라인들 사이에 각각 구비되는 제2 절연 라인들을 포함하는 절연성 지지부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 노광 장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 제1 및 제2 도전 라인들의 폭이 상기 제1 및 제2 절연 라인들의 폭보다 큰 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지장치.
  14. 웨이퍼를 지지하기 위한 도전성 지지부 상의 파티클을 검출하는 단계;
    상기 도전성 지지부로 전류를 제공하여 상기 파티클을 제거하는 단계; 및
    상기 도전성 지지부 상에 웨이퍼를 로딩하는 단계를 포함하는 웨이퍼 지지 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 전류는 상기 파티클이 위치하는 부위의 도전성 지지부로만 선택적으로 제공되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 방법.
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR980005735A (ko) * 1996-06-25 1998-03-30 김광호 반도체 소자의 파티클 제거 장치
KR19980085876A (ko) * 1997-05-30 1998-12-05 윤종용 반도체장치 제조설비의 파티클 제거장치와 이를 적용한 반도체장치 제조설비 및 파티클 제거방법
KR20000062101A (ko) * 1999-03-05 2000-10-25 다케모토 히데하루 기판표면의 청정화 방법 및 반도체장치의 제조방법
KR20020091337A (ko) * 2001-05-30 2002-12-06 주식회사 코미코 기판 표면의 입자성 오염물 제거 방법 및 그 제거장치
JP2004055748A (ja) 2002-07-18 2004-02-19 Sharp Corp パーティクル除去装置
KR20060063130A (ko) * 2004-12-07 2006-06-12 삼성전자주식회사 웨이퍼 척을 레이저 빔으로 세정하는 장치 및 방법
KR20070036237A (ko) * 2005-09-29 2007-04-03 삼성전자주식회사 스테이지와 스테이지 세정 방법, 이를 갖는 노광 장치

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2106325A (en) * 1981-09-14 1983-04-07 Philips Electronic Associated Electrostatic chuck
JP3191139B2 (ja) 1994-12-14 2001-07-23 株式会社日立製作所 試料保持装置
TW323387B (ko) * 1995-06-07 1997-12-21 Tokyo Electron Co Ltd
KR100274596B1 (ko) 1997-06-05 2000-12-15 윤종용 반도체장치 제조용 노광설비의 스테이지 홀더 상의 파티클 감지방법과 이를 이용한 감지장치 및 그 제어방법
US6184489B1 (en) * 1998-04-13 2001-02-06 Nec Corporation Particle-removing apparatus for a semiconductor device manufacturing apparatus and method of removing particles
JP2000077509A (ja) 1998-08-31 2000-03-14 Sony Corp ウエハステージ及びウエハ処理方法
TW594426B (en) * 1999-06-11 2004-06-21 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus, integrated circuit manufacturing method and integrated circuit made thereby
JP2001035907A (ja) * 1999-07-26 2001-02-09 Ulvac Japan Ltd 吸着装置
TW484039B (en) * 1999-10-12 2002-04-21 Asm Lithography Bv Lithographic projection apparatus and method
US7479456B2 (en) * 2004-08-26 2009-01-20 Applied Materials, Inc. Gasless high voltage high contact force wafer contact-cooling electrostatic chuck
US6781673B2 (en) * 2000-08-25 2004-08-24 Asml Netherlands B.V. Mask handling apparatus, lithographic projection apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US6851096B2 (en) * 2001-08-22 2005-02-01 Solid State Measurements, Inc. Method and apparatus for testing semiconductor wafers
KR100511854B1 (ko) * 2002-06-18 2005-09-02 아네르바 가부시키가이샤 정전 흡착 장치
US6664492B1 (en) * 2002-07-16 2003-12-16 Hewlett-Packard Development Company Method of eliminating electrically-conductive particles from an airstream
SG121847A1 (en) * 2002-12-20 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Method for cleaning a surface of a component of a lithographic projection apparatus, lithographic projection apparatus, device manufacturing method and cleaning system
US7385670B2 (en) * 2004-10-05 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, cleaning system and cleaning method for in situ removing contamination from a component in a lithographic apparatus
US7894037B2 (en) * 2007-07-30 2011-02-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR980005735A (ko) * 1996-06-25 1998-03-30 김광호 반도체 소자의 파티클 제거 장치
KR19980085876A (ko) * 1997-05-30 1998-12-05 윤종용 반도체장치 제조설비의 파티클 제거장치와 이를 적용한 반도체장치 제조설비 및 파티클 제거방법
KR20000062101A (ko) * 1999-03-05 2000-10-25 다케모토 히데하루 기판표면의 청정화 방법 및 반도체장치의 제조방법
KR20020091337A (ko) * 2001-05-30 2002-12-06 주식회사 코미코 기판 표면의 입자성 오염물 제거 방법 및 그 제거장치
JP2004055748A (ja) 2002-07-18 2004-02-19 Sharp Corp パーティクル除去装置
KR20060063130A (ko) * 2004-12-07 2006-06-12 삼성전자주식회사 웨이퍼 척을 레이저 빔으로 세정하는 장치 및 방법
KR20070036237A (ko) * 2005-09-29 2007-04-03 삼성전자주식회사 스테이지와 스테이지 세정 방법, 이를 갖는 노광 장치

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