KR100743978B1 - Contact element for probe card and method for producing the same - Google Patents

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세크론 주식회사
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Abstract

An apparatus and a method for cleaning a needle tip of a probe card is provided to maintain a digging depth of the needle tip uniformly by inspecting the flatness of the needle tip. A portion of a first seed layer(400) which corresponds to a first metal pump(300), and a second metal bump(600) is formed to be in contact with the first metal bump. When polishing is performed until the second metal bump is exposed, the seed layer or a copper plating layer is not removed. A first metal plating layer(900) is formed in a region corresponding to a beam of a probe card. The first metal plating layer prevents peeling of a second metal plating layer(1100).

Description

프로브 카드용 접촉 소자 및 그 제조 방법{Contact Element for Probe Card and Method for Producing the same}Contact element for probe card and manufacturing method therefor {Contact Element for Probe Card and Method for Producing the same}

도 1a 내지 도 1h는 종래 기술에 의한 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법을 개략적으로 보여준다. 1A to 1H schematically show a method of manufacturing a contact element for a probe card according to the prior art.

도 2a 내지 도 2j는 본 발명의 한 실시예에 따른 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법을 개략적으로 보여준다. 2A to 2J schematically show a method of manufacturing a contact element for a probe card according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 프로브 카드용 접촉 소자의 단면도이다. 3 is a cross-sectional view of a contact element for a probe card according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 프로브 카드용 접촉 소자 및 그 제조 방법, 특히 웨이퍼 프로빙 장치(wafer probing machine)의 프로브 카드에 사용되는 프로브 카드용 접촉 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a contact element for a probe card and a method of manufacturing the same, in particular a contact element for a probe card used in a probe card of a wafer probing machine and a method of manufacturing the same.

웨이퍼 프로빙 장치는 웨이퍼 상에 형성되어 있는 각 개별 반도체 칩들을 프로브 카드를 이용하여 전기적으로 테스트하는 장치이며, 프로브 카드용 접촉 소자는 각 개별 반도체 칩들의 금속 패드에 접촉하여 테스트가 수행될 수 있도록 한다. A wafer probing apparatus is an apparatus for electrically testing each individual semiconductor chip formed on a wafer using a probe card, and a contact element for the probe card contacts the metal pad of each individual semiconductor chip so that the test can be performed. .

이렇게 웨이퍼 상의 각 개별 반도체 칩의 전기 테스트를 수행하기 위한 프로 브 카드의 접촉 소자는 일반적으로 침 형태로 사용되며('프로브 침' 이라고도 한다), 이러한 접촉 소자는 프로브 카드에 각각 실장되어 사용된다. 그러나 침 형태의 접촉 소자를 프로브 카드에 일일이 실장하는 것은 그 제조 시간, 및 경비 측면에서 바람직하지 않다. The contact elements of the probe card for conducting electrical tests of each individual semiconductor chip on the wafer are generally used in the form of needles (also called 'probe needles'), and these contact elements are each mounted on a probe card. However, it is not preferable to mount the needle-shaped contact element on the probe card in terms of its manufacturing time and cost.

따라서 프로브 카드 용 접촉 소자를 반도체 식각 기술을 통하여 제조하는 방법이 연구되고 있다. Therefore, a method of manufacturing a contact element for a probe card through semiconductor etching technology has been studied.

이하, 도 1a 내지 도 1h를 참조하여, 반도체 식각 기술을 이용한 종래의 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법을 구체적으로 살펴본다. Hereinafter, a method of manufacturing a contact element for a conventional probe card using a semiconductor etching technique will be described in detail with reference to FIGS. 1A to 1H.

먼저, 도 1a에서 볼 수 있는 바와 같이, 스페이스 트랜스포머(10) 중 프로브 카드용 접촉 소자에 대응하여, 전기 신호를 전달하는 배선부(11) 주위를 제외하여 포토레지스트 층(20)을 형성하고, 포토레지스트 층(20)이 형성되지 않은 배선부(11) 주위에 금속 범프(bump)(30)를 형성한다.First, as shown in FIG. 1A, the photoresist layer 20 is formed except the periphery of the wiring part 11 for transmitting an electrical signal, corresponding to the contact element for the probe card of the space transformer 10, A metal bump 30 is formed around the wiring portion 11 where the photoresist layer 20 is not formed.

다음, 도 1b에서 볼 수 있는 바와 같이, 산소 드라이 에칭으로 포토레지스트 층(20)의 상부의 일부를 식각한다. Next, as can be seen in FIG. 1B, a portion of the top of the photoresist layer 20 is etched by oxygen dry etching.

다음, 도 1c에서 볼 수 있는 바와 같이, 시드층(40)을 더 적층한다. Next, as can be seen in Figure 1c, the seed layer 40 is further stacked.

다음, 도 1d에서 볼 수 있는 바와 같이, 상기 시드층(40) 상에 구리 도금층(50)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 1D, a copper plating layer 50 is formed on the seed layer 40.

다음, 도 1e에서 볼 수 있는 바와 같이, 상기 금속 범프(30) 상부에 형성되어 있는 구리 도금층(50) 및 시드층(40)을 연마 하여 제거한다. Next, as shown in FIG. 1E, the copper plating layer 50 and the seed layer 40 formed on the metal bumps 30 are polished and removed.

다음, 도 1f에서 볼 수 있는 바와 같이, 프로브 카드용 접촉 소자의 빔 (beam)에 대응하는 공간을 제외하도록 패터닝하여 포토레지스트층(60)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 1F, the photoresist layer 60 is formed by patterning to exclude a space corresponding to the beam of the contact element for the probe card.

다음, 도 1g에서 볼 수 있는 바와 같이, 상기 공간에 금속을 도금하여 빔(70)을 형성한다. Next, as can be seen in Figure 1g, to form a beam 70 by plating a metal in the space.

다음, 도 1h에서 볼 수 있는 바와 같이, 상기 채워진 금속 빔(70)의 돌출 부분을 연마하여 제거한다. Next, as can be seen in FIG. 1H, the protruding portion of the filled metal beam 70 is polished and removed.

그 후, 포토레지스트층(60), 구리도금층(50), 시드 층(40) 및 포토레지스트 층(20)을 제거하여 금속 빔(70)과 금속 범프(30)로 이루어지는 프로브 카드용 접촉 소자를 수득한다. Thereafter, the photoresist layer 60, the copper plating layer 50, the seed layer 40, and the photoresist layer 20 are removed to form a contact element for the probe card comprising the metal beam 70 and the metal bumps 30. To obtain.

그런데, 이와 같은 종래 기술에 따른 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법에 의하면, 도 1-e의 단계에서 구리 도금층(50)과 시드층(40)을 연마하게 되는데, 이때, 금속 범프(30) 주변의 금속 빔(70)을 위한 패턴 공간에 구리등 금속 이물질이 흡착된다. 그에 따라, 도 1f 단계에서, 금속 도금층(50)과 포토레지스트 층(60) 사이에 금속 이물질이 존재하게 되어, 포토레지스트 층(60)이 들뜨게 된다. However, according to the method of manufacturing a contact element for a probe card according to the related art, the copper plating layer 50 and the seed layer 40 are polished in the step of FIG. 1-E, wherein the metal bump 30 is surrounded by The metal foreign matter such as copper is adsorbed to the pattern space for the metal beam 70 of. Accordingly, in step 1f, the metal foreign matter is present between the metal plating layer 50 and the photoresist layer 60, causing the photoresist layer 60 to float.

그 결과, 도 1g 단계에서 금속 빔(70) 형성시 포토레지스트 층(60)의 들뜬 공간 내에 금속 도금이 형성되어 관통 불량이 발생하고, 후속 열공정에서 구리 도금층(50)이 주름지게 되어 금속 범프(30)와 금속 빔(70) 사이에 스트레스가 발생하여 그 접합력이 감소하는 문제가 발생한다. As a result, when the metal beam 70 is formed in FIG. 1G, metal plating is formed in the excited space of the photoresist layer 60 to cause penetration failure, and the copper plating layer 50 is corrugated in a subsequent thermal process, thereby causing metal bumps. A stress occurs between the 30 and the metal beam 70, resulting in a decrease in the bonding force.

이와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 연마시 발생하는 이물질로 인한 포토레지스트층의 들뜸을 방지하고, 범프와 빔 사이의 접합력을 향 상시킨 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법을 제공하고자 한다. In order to solve the problems of the prior art, the present invention provides a method of manufacturing a contact element for a probe card, which prevents the photoresist layer from being lifted due to foreign matters generated during polishing and improves the bonding force between the bump and the beam. I would like to.

또한, 본 발명은 상기 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법에 따라 제조된 프로브 카드용 접촉 소자를 제공하고자 한다. In addition, the present invention is to provide a contact element for a probe card manufactured according to the manufacturing method of the contact element for the probe card.

상기와 같은 기술적 과제의 해결을 위한, 본 발명의 한 특징에 따른 프로브 카드용 접촉 소자는 스페이스 트랜스포머상에 형성되어 있는 제1 금속 범프, 상기 제1 금속 범프 상에 전기 도금 방식으로 형성되어 있는 제2 금속 범프, 및 소정의 거리만큼 일 방향으로 연장되어 있는 막대 모양으로 형성되며, 일부 이상이 상기 제2 금속 범프 상부에 부착되어 있는 제1 금속 빔으로 이루어진다. In order to solve the above technical problem, a contact element for a probe card according to an aspect of the present invention includes a first metal bump formed on a space transformer and a first metal bump formed on the first metal bump. 2 metal bumps, and a rod-like shape extending in one direction by a predetermined distance, at least a portion of the first metal beam is attached to the upper portion of the second metal bumps.

본 발명의 또 다른 특징에 따른 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법은 스페이스 트랜스포머 상에 검사 장치와 연결되는 배선 영역을 제외하도록 제1 포토레지스트 층을 형성하고, 상기 배선 영역에 제1 금속 범프를 형성하는 단계, 상기 제1 포토레지스트 층과 상기 제1 금속 범프 상에 제1 시드 층을 증착하는 단계, 상기 제1 금속 범프에 대응하는 부분을 제외하도록 제2 포토레지스트 층을 형성하는 단계, 상기 제1 시드 층에서 상기 제1 금속 범프에 대응하는 영역을 식각하여 제거하는 단계, 상기 제1 금속 범프 상에 제2 금속 범프를 형성하는 단계, 상기 제2 포토레지스트 층을 제거하고, 상기 제2 금속 범프와 그로부터 소정의 거리에 대응하는 직선 영역을 제외하도록 제3 포토레지스트 층을 형성하는 단계, 상기 직선 영역에 제1 금속 도금 층을 형성하는 단계, 상기 형성된 제1 금속 도금을 연마하여 상기 제2 금속 범프를 노출시키는 단계, 상기 직선 영역을 제외하도록 제4 포토레지스트 층을 형성하는 단계, 및 상기 직선 영역에 제2 금속 도금 층을 형성하는 단계를 포함한다. According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a contact element for a probe card, wherein a first photoresist layer is formed on a space transformer to exclude a wiring region connected to an inspection apparatus, and a first metal bump is formed in the wiring region. Depositing a first seed layer on the first photoresist layer and the first metal bumps; forming a second photoresist layer to exclude portions corresponding to the first metal bumps; Etching away a region corresponding to the first metal bump in a seed layer, forming a second metal bump on the first metal bump, removing the second photoresist layer, and removing the second metal bump Forming a third photoresist layer to exclude the bumps and the linear regions corresponding to the predetermined distance therefrom; forming a first metal plating layer in the linear regions. Polishing the formed first metal plating to expose the second metal bumps, forming a fourth photoresist layer to exclude the straight region, and forming a second metal plating layer in the straight region It includes a step.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.

이하, 도 2a 내지 도 2j를 참조하여 본 발명의 한 실시예에 따른 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법에 대하여 구체적으로 살펴본다. Hereinafter, a method of manufacturing a contact element for a probe card according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 2A to 2J.

먼저, 도 2a에서 볼 수 있는 바와 같이, 스페이스 트랜스포머(100) 중 프로브 카드용 접촉 소자에 대응하여 전기 신호를 전달하는 배선부(110) 주위를 제외하고, 제1 포토레지스트 층(200)을 형성하고, 제1 포토레지스트 층(200)이 형성되지 않은 배선부(110) 주위에 제1 금속 범프(bump)(300)를 형성한다. 여기서, 제1 금속 범프(300)는 니켈 또는 니켈 합금으로 형성될 수 있다. 이러한 제1 포토레지스트 층(200)의 형성 방법은 일반적인 마스크를 이용하는 식각 공정을 통하여 이루어질 수 있다. 한편, 제1 금속 범프(300)는 일반적으로 사용되는 도금 방법에 따라 형성될 수 있다. First, as shown in FIG. 2A, the first photoresist layer 200 is formed except for the periphery of the wiring unit 110 that transmits an electrical signal in response to the contact element for the probe card among the space transformers 100. In addition, a first metal bump 300 is formed around the wiring unit 110 on which the first photoresist layer 200 is not formed. Here, the first metal bump 300 may be formed of nickel or a nickel alloy. The method of forming the first photoresist layer 200 may be performed through an etching process using a general mask. On the other hand, the first metal bump 300 may be formed according to a plating method that is generally used.

다음, 도 2b에서 볼 수 있는 바와 같이, 형성된 제1 포토레지스트 층(200)과 제1 금속 범프(300) 상에 제1 시드(Seed) 층(400)을 증착시킨다. Next, as shown in FIG. 2B, a first seed layer 400 is deposited on the formed first photoresist layer 200 and the first metal bump 300.

제1 시드 층(400)은 스퍼터링 방법을 이용하여 증착되며, 바람직하게는 티타 늄(Ti) 또는 크롬(Cr)을 증착한다. 이러한 제1 시드 층(400)은 이후 패터닝 등 공정에서 식각 용액 또는 포토 레지스트 층 제거시 발생하는 스웰링 현상에 대하여 제1 포토레지스트 층(200)과 제1 금속 범프(300)를 보호하는 배리어로 작용한다. The first seed layer 400 is deposited using a sputtering method, and preferably deposits titanium (Ti) or chromium (Cr). The first seed layer 400 serves as a barrier that protects the first photoresist layer 200 and the first metal bumps 300 from swelling that occurs when the etching solution or the photoresist layer is removed in a patterning process. Works.

다음, 도 2c에서 볼 수 있는 바와 같이, 제1 시드 층(400) 상에 제1 금속 범프(300) 에 대응하는 부분을 제외하도록 패터닝 하여 제2 포토레지스트 층(500)을 형성한다. 이때, 사용되는 제2 포토레지스트 층(500)은 제거(예를 들어, lift off)가 용이하도록 드라이 필름 등을 사용한다. 이러한 드라이 필름은 특별히 한정되지 않으며 통상의 드라이 필름을 사용할 수 있다. Next, as shown in FIG. 2C, the second photoresist layer 500 is formed on the first seed layer 400 by patterning the portions corresponding to the first metal bumps 300 to be excluded. At this time, the second photoresist layer 500 used uses a dry film or the like to facilitate removal (for example, lift off). Such a dry film is not specifically limited, A normal dry film can be used.

다음, 도 2d에서 볼 수 있는 바와 같이, 제1 시드 층(400)에서 제1 금속 범프(300) 에 대응하는 부분을 제거하고, 제1 금속 범프(300)와 접촉하도록 제2 금속 범프(600)를 형성한다.  Next, as shown in FIG. 2D, the portion corresponding to the first metal bump 300 is removed from the first seed layer 400 and the second metal bump 600 is brought into contact with the first metal bump 300. ).

여기서, 제1 금속 범프(300) 에 대응하는 부위의 제1 시드층(400)은 제2 포토 레지스트 층(500)은 식각하지 못하고, 제1 시드층(400)을 제거할 수 있는 식각 용액을 이용하여 제거될 수 있다. 본 실시예에서는 제1 시드층(400)이 티타늄으로 이루어져 있으므로, 이를 선택적으로 식각하는 HF 용액을 이용한다. 한편, 이와 같은 습식 식각 방법 이외에 건식 식각 방법을 이용할 수 있다. Here, the first seed layer 400 of the portion corresponding to the first metal bump 300 may not be etched from the second photoresist layer 500, and may be an etching solution capable of removing the first seed layer 400. Can be removed. In the present embodiment, since the first seed layer 400 is made of titanium, an HF solution for selectively etching it is used. Meanwhile, in addition to the wet etching method, a dry etching method may be used.

여기서, 제2 금속 범프(600)는 도전성이 우수한 주석, 주석-납, 니켈, 또는 니켈 합금으로 이루어진다. 본 발명의 실시예에서는 제1 금속 범프(300) 외에도 제2 금속 범프(600)를 추가 형성함으로써, 종래 기술의 도 1e에서와 같은 연마 공정시 포토 레지스트 층(20) 상부의 시드 층(40)이나 구리 도금층(50)까지 제거될 우려가 없다. 구체적으로, 본 발명에서는 제2 금속 범프(600)를 형성하므로, 추후 공정에서 제2 금속 범프(600)가 노출될 때까지 연마한다고 하더라도 제1 시드층(400)이 함께 연마될 우려가 없다. Here, the second metal bump 600 is made of tin, tin-lead, nickel, or a nickel alloy having excellent conductivity. In the embodiment of the present invention, by further forming the second metal bump 600 in addition to the first metal bump 300, the seed layer 40 on the photoresist layer 20 during the polishing process as shown in FIG. 1E of the prior art. However, there is no fear that the copper plating layer 50 may be removed. Specifically, in the present invention, since the second metal bumps 600 are formed, the first seed layer 400 may not be polished together even when the second metal bumps 600 are exposed in a later process.

다음, 도 2e에서 볼 수 있는 바와 같이, 제2 포토레지스트 층(500)을 제거한다.Next, as can be seen in FIG. 2E, the second photoresist layer 500 is removed.

다음, 도 2f에서 볼 수 있는 바와 같이, 제2 금속 범프(600) 및 제1 시드 층(400) 상에 제2 시드 층(700)을 재차 증착한다. 이때, 제2 시드 층(700)의 증착은 필요에 따라 선택된다. 여기서 제2 시드 층(700)은 제1 시드 층(400) 형성 방법과 동일하게 형성될 수 있다. Next, as can be seen in FIG. 2F, the second seed layer 700 is deposited again on the second metal bump 600 and the first seed layer 400. At this time, the deposition of the second seed layer 700 is selected as needed. In this case, the second seed layer 700 may be formed in the same manner as the first seed layer 400.

다음, 도 2g에서 볼 수 있는 바와 같이, 제2 금속 범프(600)와 그로부터 소정의 거리에 대응하는 직선 영역을 제외하도록 패터닝하여 제3 포토레지스트 층(800)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 2G, the third photoresist layer 800 is formed by patterning the second metal bump 600 and the linear region corresponding to the predetermined distance therefrom.

여기서, 제3 포토레지스트 층(800)이 형성되지 않은 부분은 프로브 카드의 접촉 소자 중 빔(beam)에 대응한다. Here, the portion where the third photoresist layer 800 is not formed corresponds to a beam of the contact elements of the probe card.

그 후, 상기 빔(beam)에 대응하는 영역에 리소그라피를 이용하여 제1 금속 도금 층(900)을 형성한다. 이때, 제1 금속 도금 층(900)으로는 제1 금속 범프(300) 및 제2 금속 범프(600)의 형성을 위해 사용한 금속과는 상이한 금속으로 형성되며, 구리, 또는 금이 바람직하게 사용된다. Thereafter, the first metal plating layer 900 is formed using lithography in a region corresponding to the beam. In this case, the first metal plating layer 900 is formed of a metal different from the metal used for forming the first metal bump 300 and the second metal bump 600, and copper or gold is preferably used. .

본 발명의 제1 금속 도금 층(900)은 추후 형성될 제2 금속 도금 층(1100)의 박리를 억제한다. 본 실시예에서 제2 금속 도금 층(1100)은 니켈 또는 니켈 합금 으로 형성되는데, 이러한 제2 금속 도금 층(1100)은 응력이 매우 커서 박리가 쉽게 되는데, 제1 금속 도금 층(900)은 제2 금속 도금 층(1100)과 넓게 접촉하여 제2 금속 도금 층(1100)의 박리를 억제한다. The first metal plating layer 900 of the present invention suppresses peeling of the second metal plating layer 1100 to be formed later. In the present embodiment, the second metal plating layer 1100 is formed of nickel or a nickel alloy. The second metal plating layer 1100 has a very high stress to facilitate peeling. In contact with the second metal plating layer 1100 widely, the peeling of the second metal plating layer 1100 is suppressed.

다음, 도 2h에서 볼 수 있는 바와 같이, 제2 금속 범프(600)가 노출될 때까지 연마한다. Next, as can be seen in Figure 2h, the second metal bump 600 is polished until exposed.

다음, 도 2i에서 볼 수 있는 바와 같이, 제2 금속 범프(600)와 빔에 대응하는 직선 영역을 제외하도록 패터닝하여 제4 포토레지스트 층(1000)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 2I, the fourth photoresist layer 1000 is formed by patterning the second metal bump 600 and the linear region corresponding to the beam.

다음, 도 2j에서 볼 수 있는 바와 같이, 빔에 대응하는 영역에 재차 리소 그라피를 이용하여 제2 금속 도금 층(1100)을 형성하고, 연마하여 평탄화하여 프로브 카드의 접촉 소자 중 빔(beam)을 형성한다. 이때, 제2 금속 도금 층(1100)은 니켈 또는 니켈 합금으로 형성된다. Next, as shown in FIG. 2J, the second metal plating layer 1100 is again formed in the region corresponding to the beam by using lithography, polished, and planarized to thereby beam the beam among the contact elements of the probe card. Form. In this case, the second metal plating layer 1100 is formed of nickel or a nickel alloy.

그 후, 제3 포토레지스트 층(800), 제1 시드층(400), 제2 시드층(700), 제1 금속 도금층(900)을 제거하여 목적하는 프로브 카드의 접촉 소자를 형성한다. 형성된 프로브 카드의 접촉 소자는 도 3에 도시된 바와 같다. 본 발명의 실시예에서, 제3 포토레지스트 층(800), 제1 시드층(400), 제2 시드층(700), 제1 금속 도금층(900)은 바람직하게는 습식 식각 방법에 따라 식각하여 제거된다. 이때 사용되는 식각제는 제1 금속 범프(300), 제2 금속 범프(600), 및 제2 금속 도금 층(1100)은 식각하지 아니하고, 제1 금속 도금 층만을 선택적으로 식각하는 식각제를 사용한다. Thereafter, the third photoresist layer 800, the first seed layer 400, the second seed layer 700, and the first metal plating layer 900 are removed to form a contact element of the desired probe card. The contact element of the formed probe card is as shown in FIG. In an embodiment of the present invention, the third photoresist layer 800, the first seed layer 400, the second seed layer 700, and the first metal plating layer 900 are preferably etched by a wet etching method. Removed. In this case, the etchant used does not etch the first metal bump 300, the second metal bump 600, and the second metal plating layer 1100, and uses an etchant that selectively etches only the first metal plating layer. do.

이러한 본 발명의 한 실시예에 따른 방법으로 형성된 프로브 카드용 접촉 소 자를 도 3을 참고하여 구체적으로 설명한다. The contact element for the probe card formed by the method according to one embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 3.

도 3에서 볼 수 있는 바와 같이, 프로브 카드용 접촉 소자는 스페이스 트랜스포머(100)와 접촉하는 제1 금속 범프(300), 상기 제1 금속 범프(300) 상에 전기 도금 방식으로 형성되어 있는 제2 금속 범프(600), 상기 제2 금속 범프(600)와 접촉하며 소정의 거리만큼 일 방향으로 연장되어 있는 제2 금속 빔(1100), 및 상기 제2 금속 빔(1100) 하측에 접촉하며, 상기 제2 금속 범프(600)와 소정의 간격 만큼 이격되어 있는 제1 금속 빔(900)으로 이루어진다. As shown in FIG. 3, the contact element for the probe card may include a first metal bump 300 in contact with the space transformer 100 and a second electroplating method on the first metal bump 300. A metal bump 600, a second metal beam 1100 in contact with the second metal bump 600 and extending in one direction by a predetermined distance, and a lower side of the second metal beam 1100. The first metal beam 900 is spaced apart from the second metal bump 600 by a predetermined interval.

여기서, 제1 금속 범프(300)는 바람직하게는 니켈 또는 니켈 합금으로 형성된다. Here, the first metal bump 300 is preferably formed of nickel or a nickel alloy.

제2 금속 범프(600)는 바람직하게는 주석, 주석-납, 니켈 또는 니켈 합금으로 형성된다. The second metal bump 600 is preferably formed of tin, tin-lead, nickel or a nickel alloy.

제2 금속 빔(1100)은 바람직하게는 니켈 또는 니켈 합금으로 형성된다. The second metal beam 1100 is preferably formed of nickel or a nickel alloy.

제1 금속 빔(900)은 구리 또는 금으로 형성된다. The first metal beam 900 is formed of copper or gold.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited thereto, and various modifications and changes can be made within the scope of the claims and the detailed description of the invention and the accompanying drawings. Naturally, it belongs to the range of.

앞서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 방법에 의하면, 종래 발명과 같이 금속 범프를 노출시키기 위해 구리 층 및 시드 층을 연마하는 공정이 없으므로, 추후 포 토레지스트 층 형성시 연마시 발생한 이물질로 인해 포토레지스트 층이 들뜰 우려가 없다. As described above, according to the method of the present invention, there is no process of polishing the copper layer and the seed layer to expose the metal bumps as in the conventional invention, so that the photoresist layer due to the foreign matter generated during the subsequent polishing of the photoresist layer There is no fear of this field.

Claims (12)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법에 있어서, In the manufacturing method of the contact element for probe cards, 스페이스 트랜스포머 상에 검사 장치와 연결되는 배선 영역을 제외하도록 제1 포토레지스트 층을 형성하고, 상기 배선 영역에 제1 금속 범프를 형성하는 단계;Forming a first photoresist layer on the space transformer to exclude a wiring region connected to the inspection apparatus, and forming a first metal bump in the wiring region; 상기 제1 포토레지스트 층과 상기 제1 금속 범프 상에 제1 시드 층을 증착하는 단계;Depositing a first seed layer on the first photoresist layer and the first metal bumps; 상기 제1 금속 범프에 대응하는 부분을 제외하도록 제2 포토레지스트 층을 형성하는 단계;Forming a second photoresist layer to exclude portions corresponding to the first metal bumps; 상기 제1 시드 층에서 상기 제1 금속 범프에 대응하는 영역을 식각하여 제거하는 단계;Etching away the region corresponding to the first metal bump in the first seed layer; 상기 제1 금속 범프 상에 제2 금속 범프를 형성하는 단계;Forming a second metal bump on the first metal bump; 상기 제2 포토레지스트 층을 제거하고, 상기 제2 금속 범프와 그로부터 소정의 거리에 대응하는 직선 영역을 제외하도록 제3 포토레지스트 층을 형성하는 단 계;Removing the second photoresist layer and forming a third photoresist layer to exclude the linear region corresponding to the second metal bump and a predetermined distance therefrom; 상기 직선 영역에 제1 금속 도금 층을 형성하는 단계;Forming a first metal plating layer in the straight region; 상기 형성된 제1 금속 도금을 연마하여 상기 제2 금속 범프를 노출시키는 단계; Polishing the formed first metal plating to expose the second metal bumps; 상기 직선 영역을 제외하도록 제4 포토레지스트 층을 형성하는 단계;Forming a fourth photoresist layer to exclude the straight region; 상기 직선 영역에 제2 금속 도금 층을 형성하는 단계;Forming a second metal plating layer in the straight region; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법Method of manufacturing a contact element for a probe card comprising a 제6항에 있어서, The method of claim 6, 상기 제2 금속 범프 층 및 상기 제1 시드 층 상에 제2 시드 층을 추가 증착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법. And further depositing a second seed layer on the second metal bump layer and the first seed layer. 제6항에 있어서, The method of claim 6, 상기 제1 금속 범프는 니켈 또는 니켈 합금으로 형성되는 것을 특징으로 하는 상기 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법. And the first metal bump is formed of nickel or a nickel alloy. 제6항에 있어서, The method of claim 6, 상기 제2 금속 범프는 주석, 주석-납, 니켈 또는 니켈 합금으로 형성되는 것을 특징으로 하는 상기 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법. And said second metal bump is formed of tin, tin-lead, nickel or nickel alloy. 제6항에 있어서, The method of claim 6, 상기 제2 금속 빔은 니켈 또는 니켈 합금으로 형성되는 것을 특징으로 하는 상기 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법. And the second metal beam is formed of nickel or a nickel alloy. 제10항에 있어서, The method of claim 10, 상기 제1 금속 빔은 구리 또는 금으로 형성되는 것을 특징으로 하는 상기 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법. And the first metal beam is formed of copper or gold. 제6항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 6 to 11, 상기 제1 금속 도금 층을 식각하여 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 프로브 카드용 접촉 소자의 제조 방법. And etching the first metal plating layer to remove the first metal plating layer.
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