KR100701996B1 - Photolithograph equpiment for fabricating semiconductor device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 노광 공정이 진행되는 웨이퍼가 파티클에 오염되는 것을 방지하여 패턴 형성 도중 파티클에 의한 공정 불량이 발생하지 않도록 한 반도체 디바이스 제조용 노광 설비에 관한 것으로, 본 발명에 의하면, 노광 공정이 진행되기 이전에 웨이퍼 스테이지 또는 웨이퍼의 후면에 묻어 있는 파티클을 제거함으로써 노광 공정중 웨이퍼가 파티클에 의하여 패턴 형성 불량이 발생하는 것을 방지한다.The present invention relates to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor device in which the wafer subjected to the exposure process is prevented from being contaminated, thereby preventing process defects caused by the particles during pattern formation. According to the present invention, before the exposure process is performed, By removing the particles deposited on the wafer stage or the back surface of the wafer, it is possible to prevent the wafer from forming a pattern by the particles during the exposure process.

노광, 에어 분사, 흡입, 파티클 제거Exposure, Air Injection, Suction, Particle Removal

Description

반도체 디바이스 제조용 노광 설비{Photolithograph equpiment for fabricating semiconductor device}Exposure equipment for semiconductor device manufacturing {Photolithograph equpiment for fabricating semiconductor device}

도 1은 종래 포토레지스트가 도포된 웨이퍼에 파티클이 부착된 것을 도시한 개념도.1 is a conceptual diagram illustrating that particles are attached to a wafer to which a conventional photoresist is applied.

도 2는 본 발명에 의한 반도체 디바이스 제조용 노광 설비의 개념도.2 is a conceptual diagram of an exposure facility for manufacturing a semiconductor device according to the present invention.

본 발명은 반도체 디바이스 제조용 노광 설비에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 노광 공정이 진행되는 웨이퍼가 파티클에 오염되는 것을 방지하여 패턴 형성 도중 파티클에 의한 공정 불량이 발생하지 않도록 한 반도체 디바이스 제조용 노광 설비에 관한 것이다.The present invention relates to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor device, which prevents a process defect caused by particles during pattern formation by preventing contamination of the wafer undergoing the exposure process with particles. will be.

최근들어 급속한 기술 개발이 진행되고 있는 반도체 제품은 단위 면적당 저장되는 데이터의 양 및 단위 시간당 데이터를 처리하는 처리 속도가 점차 빨라지도록 개발되고 있는 실정으로, 이와 같은 반도체 제품은 방대한 데이터를 단시간내 처리함으로써 고유의 성능을 발휘하는 전기, 전자, 우주 항공산업 등에 의하여 제작되는 거의 대부분의 산업 기기에 장착되고 있는 실정이다. In recent years, semiconductor products, which have undergone rapid technological developments, are being developed to increase the amount of data stored per unit area and the processing speed of processing data per unit time, and such semiconductor products process massive data in a short time. It is installed in almost all industrial devices manufactured by the electric, electronic, aerospace, etc., which have inherent performance.                         

이와 같은 역할을 하는 반도체 제품은 순수 실리콘 웨이퍼를 제작하는 공정, 웨이퍼에 반도체 칩을 제작하는 공정, 반도체 칩을 검사 및 리페어 하는 공정, 반도체 칩을 패키징 하는 공정을 거쳐 제작되는 바, 특히 이들 중 반도체 칩을 제작하는 공정은 매우 정밀한 반도체 박막 공정을 여러번 반복하여 진행된다.The semiconductor products that play such a role are manufactured through a process of manufacturing a pure silicon wafer, a process of manufacturing a semiconductor chip on a wafer, a process of inspecting and repairing a semiconductor chip, and a process of packaging a semiconductor chip. The chip manufacturing process is repeated several times with a very precise semiconductor thin film process.

이때, 정밀한 패턴을 갖는 반도체 박막을 형성하기 위해서는 웨이퍼에 소정 박막, 예를 들면, 산화막, 질화막 등을 소정 두께로 형성한 후, 광에 반응하여 화학적 성질이 바뀌는 특성을 갖는 포토레지스트라 불리우는 물질을 웨이퍼의 상면에 균일하게 도포한 후, 웨이퍼 중 패턴이 형성될 부분을 레티클이라 불리우는 패턴 마스크를 이용하여 노광시킴으로써 패턴이 형성될 부분에 형성된 포토레지스트를 제거한 후, 개구된 부분을 에천트에 의하여 식각 또는 별도의 박막 물질을 증착, 불순물을 주입하는 일련의 공정을 거쳐야 한다.In this case, in order to form a semiconductor thin film having a precise pattern, a predetermined thin film, for example, an oxide film, a nitride film, or the like is formed on the wafer, and then a material called a photoresist having a characteristic of changing chemical properties in response to light is formed on the wafer. After uniform application on the upper surface of the wafer, the photoresist formed on the portion where the pattern is to be formed is removed by exposing a portion of the wafer on which the pattern is to be formed using a pattern mask called a reticle, and then the opened portion is etched by an etchant. A separate thin film material must be deposited and a series of processes to inject impurities.

이때, 패턴이 형성될 부분을 정밀하게 개구시키기 위해서는 통상 스텝퍼(stepper)라 불리우는 노광 장비가 사용되는 바, 노광 공정을 진행하는 스텝퍼는 매우 짧은 파장을 방출하는 광원, 광원의 하부에 놓여지며 소정 패턴에 해당하는 부분만 광을 통과시키는 레티클, 레티클을 통과한 광이 광학적으로 축소되어 웨이퍼의 소정 부분에 도달하도록 하는 축소투영렌즈 및 웨이퍼를 고정하는 웨이퍼 고정 척 및 웨이퍼 레벨링 장치가 기본적인 구성요소로 설치된다.In this case, in order to precisely open the portion where the pattern is to be formed, an exposure apparatus called a stepper is commonly used. A stepper for performing an exposure process is a light source emitting a very short wavelength, a light source emitting a very short wavelength, and a predetermined pattern. Basic components include a reticle that passes light only, a reduction projection lens that optically reduces the light passing through the reticle, and reaches a predetermined portion of the wafer, a wafer holding chuck that fixes the wafer, and a wafer leveling device. do.

그러나, 최근들어 이와 같은 노광 장비에 의하여 구현하는 반도체 디바이스의 패턴의 선폭이 약 0.1㎛ 내외로 매우 미세해지면서 도 1에 도시된 바와 같이 약 0.1㎛ 보다 큰 크기를 갖는 파티클(10)이 웨이퍼(20)에 스피너(spinner) 등의 설비 에 의하여 형성된 포토레지스트 박막(30) 중 개구(35)가 형성될 부분(35a)에 안착될 경우, 레티클(40)의 개구(45)를 통하여 노광이 진행되더라도 노광 경로상에 위치한 파티클(10)에 의하여 포토레지스트 박막중 개구가 형성될 부분(35a)이 개구되지 못하여 패턴 불량이 빈번하게 발생하고 있는 실정이다.However, in recent years, as the line width of the pattern of the semiconductor device implemented by such exposure equipment becomes very fine, about 0.1 μm, the particle 10 having a size larger than about 0.1 μm is shown in FIG. When the opening 35 is seated in the portion 35a of the photoresist thin film 30 formed by the spinner or the like on the part 20, the exposure proceeds through the opening 45 of the reticle 40. Even if the particles 10 are located on the exposure path, the portion 35a of the photoresist thin film to be formed with the opening cannot be opened, so that a pattern defect occurs frequently.

특히, 이와 같은 파티클(10)에 따라 웨이퍼(20)에 발생하는 패턴 불량은 노광 설비중 웨이퍼(20)가 안착되는 웨이퍼 스테이지(50)가 다수 파티클(10)에 오염된 상태에서 웨이퍼 스테이지(50)에 웨이퍼(20)가 안착되는 과정에서 빈번하게 발생한다.In particular, the pattern defect generated in the wafer 20 according to the particles 10 is the wafer stage 50 in a state in which the wafer stage 50 on which the wafer 20 is seated in the exposure facility is contaminated with a large number of particles 10. It occurs frequently in the process of mounting the wafer 20 in the).

따라서, 본 발명은 이와 같은 종래 문제점을 감안한 것으로써, 본 발명의 목적은 웨이퍼의 후면, 웨이퍼 스테이지에 부착된 미세 파티클을 노광 공정 전에 제거함으로써 의한 노광 공정 중 웨이퍼의 패턴 불량을 최소화함에 있다.Accordingly, the present invention has been made in view of such a conventional problem, and an object of the present invention is to minimize pattern defects of the wafer during the exposure process by removing the fine particles attached to the rear surface of the wafer and the wafer stage before the exposure process.

본 발명의 다른 목적은 상세하게 후술될 본 발명의 상세한 설명에 의하여 보다 명확해질 것이다.Other objects of the present invention will become more apparent from the following detailed description of the invention.

이와 같은 본 발명의 목적을 구현하기 위한 본 발명에 의한 반도체 디바이스 제조용 노광 설비는 포토레지스트가 도포된 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 스테이지와, 웨이퍼 스테이지의 상부에 설치되어 패터닝될 패턴이 형성된 레티클, 레티클과 웨이퍼 스테이지의 사이에 형성된 렌즈 유닛을 포함하는 노광 장치와, 웨이퍼 스테이지의 상면 및 웨이퍼의 밑면 사이에 형성된 소정 이격 공간에 유체의 유동을 발생 시키는 에어 클리너, 에어 클리너에 유체 유동을 발생시키는 유체 유동 수단을 포함하여 웨이퍼 스테이지의 상면, 웨이퍼의 밑면에 붙어 있는 파티클을 제거하는 파티클 제거 수단과, 노광 장치 및 파티클 제거 수단을 제어하는 콘트롤 유닛을 포함한다.The exposure apparatus for manufacturing a semiconductor device according to the present invention for realizing the object of the present invention is a wafer stage on which a wafer coated with a photoresist is seated, and a reticle, a reticle and a wafer on which a pattern to be patterned is formed on the wafer stage. An exposure apparatus including a lens unit formed between the stage, an air cleaner for generating a fluid flow in a predetermined space formed between the upper surface of the wafer stage and the bottom surface of the wafer, and a fluid flow means for generating fluid flow in the air cleaner. And a particle removing means for removing particles adhering to an upper surface of the wafer stage and a bottom surface of the wafer, and a control unit for controlling the exposure apparatus and the particle removing means.

이하, 본 발명에 의한 반도체 디바이스 제조용 노광 설비의 보다 구체적인 구성 및 구성에 따른 독특한 작용 및 효과를 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, a unique operation and effects of a more specific configuration and configuration of the exposure equipment for manufacturing a semiconductor device according to the present invention will be described.

첨부된 도 2에는 본 발명에 의한 반도체 디바이스 제조용 노광 설비가 도시되어 있는 바, 첨부된 도면을 참조하면, 반도체 디바이스 제조용 노광 설비(200)는 전체적으로 보아 노광 장치(210), 콘트롤러 유닛(220), 파티클 제거 유닛(230)으로 구성된다.2 shows an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, referring to the accompanying drawings, the exposure apparatus 200 for manufacturing a semiconductor device is generally viewed as an exposure apparatus 210, a controller unit 220, Particle removal unit 230 is configured.

보다 구체적으로 노광 장치(210)은 전체적으로 보아 광 공급유닛(211), 형성할 박막 패턴대로 패터닝된 레티클(212), 축소투영렌즈 유닛(213), 웨이퍼 스테이지(214)로 구성된다.More specifically, the exposure apparatus 210 generally includes a light supply unit 211, a reticle 212 patterned according to a thin film pattern to be formed, a reduction projection lens unit 213, and a wafer stage 214.

미설명 도면부호 216은 웨이퍼이고, 217은 웨이퍼를 로딩/언로딩 하는 웨이퍼 트랜스퍼이다.Reference numeral 216 denotes a wafer, and 217 denotes a wafer transfer for loading / unloading a wafer.

이와 같은 구성을 갖는 노광 장치(210)중 광 공급유닛(211)은 웨이퍼(216)의 노광에 필요한 소정 파장을 갖는 광을 공급하는 유닛으로, 광 공급유닛(211)의 하부에는 웨이퍼(216)에 형성할 패턴과 동일한 형상을 갖는 패턴 마스크인 레티클(212)이 위치하며, 레티클(212)의 하부에는 레티클(212)의 패턴을 웨이퍼(216)에 축소 투영하기 위한 축소투영렌즈 유닛(213)이 설치된다.The light supply unit 211 of the exposure apparatus 210 having such a configuration is a unit for supplying light having a predetermined wavelength necessary for exposing the wafer 216, and the wafer 216 is disposed under the light supply unit 211. A reticle 212, which is a pattern mask having the same shape as a pattern to be formed in the reticle 212, is positioned, and a reduction projection lens unit 213 for reducing and projecting the pattern of the reticle 212 onto the wafer 216 is disposed below the reticle 212. This is installed.

한편, 축소투영렌즈 유닛(213)의 하부에는 웨이퍼 트랜스퍼(217)에 의하여 이송된 웨이퍼(216)가 안착되어 고정되는 웨이퍼 스테이지(214)가 설치된다.On the other hand, a wafer stage 214 on which the wafer 216 transferred by the wafer transfer 217 is seated and fixed is installed below the reduction projection lens unit 213.

이와 같은 구성을 갖는 노광 장치(210)에서 필요한 웨이퍼(216)의 로딩/언로딩, 레티클(212)의 교체 등은 제어 신호 및 데이터 신호를 인가하는 콘트롤러(220)에 의하여 수행된다.Loading / unloading of the wafer 216, replacement of the reticle 212, and the like, which are necessary in the exposure apparatus 210 having such a configuration, are performed by the controller 220 applying the control signal and the data signal.

한편, 노광 장치(210)의 웨이퍼 스테이지(214)에 웨이퍼(216)가 로딩/언로딩 되는 과정에서 웨이퍼 스테이지(214)에는 웨이퍼(216)가 안착되지 않는 공정 대기 시간이 존재하는 바, 이 공정 대기 시간 동안에는 파티클 제거 유닛(230)에 의하여 웨이퍼 스테이지(214) 또는 웨이퍼(216)의 후면에 부착된 파티클이 제거된다.On the other hand, during the process of loading / unloading the wafer 216 into the wafer stage 214 of the exposure apparatus 210, there is a process waiting time in which the wafer 216 does not rest on the wafer stage 214. During the waiting time, the particles attached to the back surface of the wafer stage 214 or the wafer 216 are removed by the particle removal unit 230.

이하, 파티클 제거 유닛(230)을 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the particle removal unit 230 will be described in more detail.

구체적으로, 파티클 제거 유닛(230)은 전체적으로 보아 에어 클리너 콘트롤러(231), 에어 공급/흡입 유닛(232), 에어 클리너 이송장치(234), 에어 클리너(235)로 구성된다.Specifically, the particle removal unit 230 is composed of an air cleaner controller 231, an air supply / suction unit 232, an air cleaner transfer device 234, and an air cleaner 235 as a whole.

보다 구체적으로, 에어 클리너 콘트롤러(231)는 콘트롤러 유닛(220)의 제어에 의하여 에어 공급/흡입 유닛(232), 에어 클리너 이송유닛(234), 에어 클리너(235)의 작동을 제어하는 역할을 수행한다.More specifically, the air cleaner controller 231 controls the operation of the air supply / suction unit 232, the air cleaner transfer unit 234, and the air cleaner 235 under the control of the controller unit 220. do.

한편, 에어 클리너(235)는 앞서 설명한 노광 장치(210)의 웨이퍼 스테이지(214)에 웨이퍼(216)가 놓여지지 않았을 때, 웨이퍼 스테이지(214)에 강한 분사압력을 갖는 압축 공기를 분사하여 웨이퍼 스테이지(214)에 부착된 미세 파티 클을 불어내거나 강력한 진공압으로 웨이퍼 스테이지(214)에 부착된 미세 파티클을 빨아드리는 다양한 구조를 갖도록 하는 것이 바람직하며, 이를 구현하기 위해서 에어 클리너(235)에는 에어 공급/흡입 유닛(232)이 설치된다.On the other hand, when the wafer 216 is not placed on the wafer stage 214 of the exposure apparatus 210 described above, the air cleaner 235 injects compressed air having a strong injection pressure to the wafer stage 214 so that the wafer stage It is desirable to have various structures for blowing the fine particles attached to the 214 or sucking the fine particles attached to the wafer stage 214 with a strong vacuum pressure. A suction unit 232 is installed.

이때, 에어 클리너(235)가 압축 공기를 분사하여 파티클을 제거할 경우 에어 공급/흡입 유닛(232)에서는 에어 클리너(235)로 압축 공기가 공급되도록 하고, 에어 클리너(235)가 진공압에 의하여 파티클을 빨아들일 경우, 에어 공급/흡입 유닛(232)에서는 에어 클리너(235)에 진공압이 발생되도록 한다.At this time, when the air cleaner 235 removes particles by injecting compressed air, the air supply / suction unit 232 allows compressed air to be supplied to the air cleaner 235, and the air cleaner 235 is vacuum-pressured. When sucking particles, the air supply / suction unit 232 causes the vacuum cleaner to generate a vacuum pressure.

한편, 에어 클리너(235)에 의한 파티클 제거 효율을 극대화시키기 위해서는 웨이퍼 스테이지(214)에 웨이퍼(216)가 안착되지 않은 상태에서 에어 클리너(235)가 웨이퍼 스테이지(214)에 접근하여 웨이퍼(216)에 피착된 파티클을 제거한 후, 웨이퍼 스테이지(214)에 웨이퍼(216)가 안착될 경우, 웨이퍼 스테이지(214)로부터 에어 클리너(235)가 소정 거리 이격되도록 에어 클리너(235)를 이송시켜야 한다.Meanwhile, in order to maximize particle removal efficiency by the air cleaner 235, the air cleaner 235 approaches the wafer stage 214 while the wafer 216 is not seated on the wafer stage 214. After removing the particles deposited on the wafer stage, when the wafer 216 is seated on the wafer stage 214, the air cleaner 235 should be transferred from the wafer stage 214 so that the air cleaner 235 is separated by a predetermined distance.

이를 구현하기 위해서는 에어 클리너(235)에 에어 클리너 이송장치(234)가 설치되는 바, 에어 클리너 이송장치(234)는 실린더 방식 이송 또는 리드 스크류 방식 등 어떠한 이송 방식을 사용하여도 무방하다.In order to implement this, the air cleaner conveying apparatus 234 is installed in the air cleaner 235, and the air cleaner conveying apparatus 234 may use any conveying method such as a cylindrical conveying method or a lead screw method.

이와 같은 구성을 갖는 본 발명에 의한 반도체 디바이스 제조용 노광 설비의 작용 및 효과를 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Referring to the accompanying drawings, the operation and effects of the exposure apparatus for manufacturing a semiconductor device according to the present invention having such a configuration are as follows.

먼저, 선행공정, 예를 들면 포토레지스트 도포 공정이 종료된 후, 베이크가지 종료된 웨이퍼(216)는 웨이퍼 트랜스퍼(217)에 의하여 픽업된 후 노광 장치(210)로 이송된다. First, after the preceding process, for example, the photoresist coating process, is finished, the wafer branch 216 which has been baked is picked up by the wafer transfer 217 and then transferred to the exposure apparatus 210.                     

이후, 웨이퍼 트랜스퍼(217)에 의하여 픽업된 웨이퍼(216)가 웨이퍼 스테이지(214)에 안착되기 전에 에어 클리너 이송 유닛(234)은 에어 클리너(235)를 웨이퍼 스테이지(214)쪽으로 이송한 상태에서 에어 공급/흡입 유닛(232)으로부터 웨이퍼 스테이지(214) 또는 웨이퍼(216)의 후면에 에어 클리너(235)를 매개로 압축 공기를 분사하여 웨이퍼 스테이지(214) 또는 웨이퍼(216)의 후면에 묻어 있는 파티클이 제거되거나 에어 공급/흡입 유닛(232)으로부터 웨이퍼 스테이지(214) 또는 웨이퍼의 후면에 에어 클리너(235)를 매개로 에어의 흡입이 이루어지도록 하여 웨이퍼 스테이지(214) 또는 웨이퍼(216)의 후면에 묻어 있는 파티클이 제거되도록 한다.Thereafter, before the wafer 216 picked up by the wafer transfer 217 is seated on the wafer stage 214, the air cleaner transfer unit 234 transfers the air cleaner 235 toward the wafer stage 214. Compressed air is injected from the supply / suction unit 232 to the rear surface of the wafer stage 214 or the wafer 216 via an air cleaner 235 to deposit particles on the rear surface of the wafer stage 214 or the wafer 216. The air is removed from the air supply / suction unit 232 to the wafer stage 214 or the rear surface of the wafer through the air cleaner 235 to the rear surface of the wafer stage 214 or the wafer 216. Allow the particles to be removed.

이후, 에어 클리너 이송 유닛(234)은 다시 웨이퍼 스테이지(214)로부터 원 위치되고, 웨이퍼(216)는 파티클이 제거된 웨이퍼 스테이지(214)에 안착된 후, 노광 장치(210)에 의하여 노광 공정이 진행된다.Thereafter, the air cleaner transfer unit 234 is repositioned from the wafer stage 214 again, and the wafer 216 is seated on the wafer stage 214 from which particles are removed, and then the exposure process is performed by the exposure apparatus 210. Proceed.

이상에서 상세하게 설명한 바에 의하면, 노광 공정이 진행되기 이전에 웨이퍼 스테이지 또는 웨이퍼의 후면에 묻어 있는 파티클을 제거함으로써 노광 공정중 웨이퍼가 파티클에 의하여 패턴 형성 불량이 발생하는 것을 방지하는 효과를 갖는다.As described in detail above, by removing the particles on the wafer stage or the rear surface of the wafer before the exposure process is performed, there is an effect of preventing the wafer from forming a pattern by the particles during the exposure process.

Claims (5)

포토레지스트가 도포된 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 스테이지와, 상기 웨이퍼 스테이지의 상부에 설치되어 패터닝될 패턴이 형성된 레티클, 상기 레티클과 상기 웨이퍼 스테이지의 사이에 형성된 렌즈 유닛을 포함하는 노광 장치와;An exposure apparatus including a wafer stage on which a photoresist-coated wafer is seated, a reticle having a pattern formed on the wafer stage, and a lens unit formed between the reticle and the wafer stage; 상기 웨이퍼 스테이지의 상면, 상기 웨이퍼의 밑면 사이에 소정 이격 공간이 형성되었을 때, 상기 이격 공간에 유체의 유동을 발생시키는 에어 클리너, 상기 에어 클리너에 유체 유동을 발생시키는 유체 유동 수단, 상기 에어 클리너를 일정 거리 이송시키는 에어 클리너 이송장치를 포함하여 상기 웨이퍼 스테이지의 상면, 상기 웨이퍼의 밑면에 붙어 있는 파티클을 제거하는 파티클 제거 수단과;When a predetermined space is formed between the upper surface of the wafer stage, the bottom of the wafer, the air cleaner for generating a flow of fluid in the space, the fluid flow means for generating a fluid flow in the air cleaner, the air cleaner Particle removal means for removing particles attached to the upper surface of the wafer stage, the lower surface of the wafer, including an air cleaner conveying device for transferring a predetermined distance; 상기 노광 장치 및 상기 파티클 제거 수단을 제어하는 콘트롤 유닛을 포함하는 반도체 디바이스 제조용 노광 설비.And a control unit for controlling the exposure apparatus and the particle removing means. 제 1 항에 있어서, 상기 유체 유동 수단은 상기 에어 클리너로부터 유체가 고속 분사되도록 하는 압축 유체 공급장치인 반도체 디바이스 제조용 노광 설비.2. The exposure apparatus of claim 1, wherein the fluid flow means is a compressed fluid supply for high speed jet of fluid from the air cleaner. 제 1 항에 있어서, 상기 유체 유동 수단은 상기 에어 클리너로부터 유체가 고속 흡입되도록 하는 진공압 발생장치인 반도체 디바이스 제조용 노광 설비.2. An exposure apparatus according to claim 1, wherein said fluid flow means is a vacuum pressure generator for allowing fluid to be sucked from said air cleaner at high speed. 삭제delete 제 1 항에 있어서, 상기 유체는 청정한 공기인 반도체 디바이스 제조용 노광 설비.The exposure apparatus of claim 1, wherein the fluid is clean air.
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KR200449769Y1 (en) * 2008-01-30 2010-08-09 주식회사 리더스산업 A fixing bracket structure for guard rail

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0766114A (en) * 1993-08-31 1995-03-10 Nikon Corp Cleaner for aligner
JPH1070069A (en) * 1996-08-28 1998-03-10 Canon Inc Dust detecting system for semiconductor aligner
JPH1092737A (en) * 1996-09-18 1998-04-10 Canon Inc Exposure method and exposure device
JPH11238678A (en) * 1998-02-24 1999-08-31 Matsushita Electron Corp Semiconductor manufacturing apparatus

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0766114A (en) * 1993-08-31 1995-03-10 Nikon Corp Cleaner for aligner
JPH1070069A (en) * 1996-08-28 1998-03-10 Canon Inc Dust detecting system for semiconductor aligner
JPH1092737A (en) * 1996-09-18 1998-04-10 Canon Inc Exposure method and exposure device
JPH11238678A (en) * 1998-02-24 1999-08-31 Matsushita Electron Corp Semiconductor manufacturing apparatus

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