KR100688813B1 - Pixel and light emitting display having the same - Google Patents

Pixel and light emitting display having the same Download PDF

Info

Publication number
KR100688813B1
KR100688813B1 KR1020040075823A KR20040075823A KR100688813B1 KR 100688813 B1 KR100688813 B1 KR 100688813B1 KR 1020040075823 A KR1020040075823 A KR 1020040075823A KR 20040075823 A KR20040075823 A KR 20040075823A KR 100688813 B1 KR100688813 B1 KR 100688813B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
transistor
light emitting
switching unit
diode
scan
Prior art date
Application number
KR1020040075823A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20060027025A (en
Inventor
최웅식
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020040075823A priority Critical patent/KR100688813B1/en
Publication of KR20060027025A publication Critical patent/KR20060027025A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100688813B1 publication Critical patent/KR100688813B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0852Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor being a dynamic memory with more than one capacitor
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00Control of display operating conditions
    • G09G2320/02Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0233Improving the luminance or brightness uniformity across the screen

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)

Abstract

본 발명은 트랜지스터의 문턱전압 불균일로 인한 휘도 불균일 및 화질 저하를 방지할 수 있도록 화소 및 이를 가지는 발광 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a pixel and a light emitting display device having the same to prevent luminance unevenness and deterioration of image quality due to variations in threshold voltage of a transistor.

본 발명에 따른 화소는 주사선에 공급되는 주사신호에 따라 데이터선에 공급되는 데이터 신호에 대응되는 전류를 출력하는 스위칭부와, 상기 스위칭부로부터 공급되는 전류에 의해 발광하는 발광소자와, 상기 스위칭부와 상기 발광소자 사이에 다이오드 형태로 접속되는 트랜지스터를 구비한다.The pixel according to the present invention includes a switching unit for outputting a current corresponding to the data signal supplied to the data line according to the scanning signal supplied to the scanning line, a light emitting element emitting light by the current supplied from the switching unit, and the switching unit And a transistor connected in a diode form between the light emitting element.

이러한 구성에 의하여, 본 발명은 다이오드형 트랜지스터를 이용하여 발광소자에 전류를 공급하는 트랜지스터의 문턱전압이 불균일로 인하여 발광소자에 공급되는 전류의 변동을 최소화하게 된다. 이에 따라, 본 발명은 각 화소의 전체 휘도를 균일하게 하여 화질 저하를 방지할 수 있다.By such a configuration, the present invention minimizes the variation of the current supplied to the light emitting device due to the non-uniform threshold voltage of the transistor supplying the current to the light emitting device. Accordingly, the present invention can prevent the deterioration of image quality by making the overall luminance of each pixel uniform.

Description

화소와 이를 가지는 발광 표시장치{PIXEL AND LIGHT EMITTING DISPLAY HAVING THE SAME} Pixel and light emitting display device having the same {PIXEL AND LIGHT EMITTING DISPLAY HAVING THE SAME}             

도 1은 일반적인 발광 표시장치의 화소를 나타내는 도면이다.1 is a diagram illustrating a pixel of a general light emitting display device.

도 2는 일반적인 발광 표시장치에서 트랜지스터의 문턱전압 변동에 따라 발광소자에 공급되는 전류를 나타내는 그래프이다.2 is a graph illustrating a current supplied to a light emitting device according to a variation of a threshold voltage of a transistor in a general light emitting display device.

도 3은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 발광 표시장치를 나타내는 도면이다.3 is a diagram illustrating a light emitting display device according to a first embodiment of the present invention.

도 4는 도 3에 도시된 화소를 나타내는 도면이다.4 is a diagram illustrating a pixel illustrated in FIG. 3.

도 5는 P 타입 트랜지스터를 포함하는 도 4에 도시된 스위칭부를 가지는 화소를 나타내는 회로도이다.FIG. 5 is a circuit diagram illustrating a pixel having the switching unit illustrated in FIG. 4 including a P-type transistor.

도 6은 도 5에 도시된 각 화소의 제 2 트랜지스터, 다이오드형 트랜지스터 및 발광소자의 저항성분을 등가적으로 나타내는 도면이다.FIG. 6 is an equivalent diagram illustrating resistance components of a second transistor, a diode transistor, and a light emitting device of each pixel illustrated in FIG. 5.

도 7은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 발광 표시장치에서 제 2 트랜지스터의 문턱전압 변동에 따라 발광소자에 공급되는 전류를 나타내는 그래프이다.FIG. 7 is a graph illustrating a current supplied to a light emitting device according to a threshold voltage variation of a second transistor in the light emitting display device according to the first embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 발광 표시장치의 각 화소를 나타내는 도면이다.8 is a diagram illustrating each pixel of a light emitting display device according to a second embodiment of the present invention.

도 9는 P 타입 트랜지스터를 포함하는 도 8에 도시된 스위칭부를 가지는 화 소를 나타내는 회로도이다.9 is a circuit diagram illustrating a pixel having a switching unit illustrated in FIG. 8 including a P-type transistor.

도 10은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 발광 표시장치를 나타내는 도면이다.10 is a diagram illustrating a light emitting display device according to a second embodiment of the present invention.

도 11은 도 10에 도시된 화소를 나타내는 도면이다.FIG. 11 is a diagram illustrating a pixel illustrated in FIG. 10.

도 12는 P 타입 트랜지스터를 포함하는 도 11에 도시된 스위칭부를 가지는 화소를 나타내는 회로도이다.FIG. 12 is a circuit diagram illustrating a pixel having the switching unit illustrated in FIG. 11 including a P-type transistor.

도 13은 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 발광 표시장치의 각 화소를 나타내는 도면이다.13 is a diagram illustrating each pixel of a light emitting display device according to a fourth embodiment of the present invention.

도 14는 P 타입 트랜지스터를 포함하는 도 13에 도시된 스위칭부를 가지는 화소를 나타내는 회로도이다.FIG. 14 is a circuit diagram illustrating a pixel having the switching unit illustrated in FIG. 13 including a P-type transistor.

도 15는 본 발명의 제 5 실시 예에 따른 발광 표시장치의 각 화소를 나타내는 도면이다.15 is a diagram illustrating each pixel of a light emitting display device according to a fifth embodiment of the present invention.

도 16은 P 타입 트랜지스터를 포함하는 도 15에 도시된 스위칭부를 가지는 화소를 나타내는 회로도이다.FIG. 16 is a circuit diagram illustrating a pixel having the switching unit illustrated in FIG. 15 including a P-type transistor.

도 17은 본 발명의 제 6 실시 예에 따른 발광 표시장치의 각 화소를 나타내는 도면이다.17 is a diagram illustrating each pixel of a light emitting display device according to a sixth embodiment of the present invention.

도 18은 본 발명의 제 7 실시 예에 따른 발광 표시장치의 각 화소를 나타내는 도면이다.18 is a diagram illustrating each pixel of a light emitting display device according to a seventh embodiment of the present invention.

도 19는 P 타입 트랜지스터를 포함하는 도 18에 도시된 스위칭부를 가지는 화소를 나타내는 회로도이다.19 is a circuit diagram illustrating a pixel having a switching unit illustrated in FIG. 18 including a P-type transistor.

도 20은 본 발명의 제 8 실시 예에 따른 발광 표시장치의 각 화소를 나타내는 도면이다.20 is a diagram illustrating each pixel of a light emitting display device according to an eighth embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

21,121,221,321,421 : 화소 25,125,225,325,425 : 스위칭부21,121,221,321,421: Pixel 25,125,225,325,425: Switching unit

110 : 화상 표시부 130 : 주사 구동부110: image display unit 130: scan driver

140 : 데이터 구동부140: data driver

본 발명은 발광 표시장치에 관한 것으로, 특히 트랜지스터의 문턱전압 불균일로 인한 휘도 불균일 및 화질 저하를 방지할 수 있도록 화소 및 이를 가지는 발광 표시장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting display device, and more particularly, to a pixel and a light emitting display device having the same so as to prevent luminance unevenness and image quality deterioration due to variations in threshold voltage of a transistor.

최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 평판 표시장치로는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display), 전계방출 표시장치(Field Emission Display), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel) 및 발광 표시장치(Light Emitting Display) 등이 있다.Recently, various flat panel displays have been developed to reduce weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes. The flat panel display includes a liquid crystal display, a field emission display, a plasma display panel, a light emitting display, and the like.

평판 표시장치 중 발광 표시장치는 전자와 정공의 재결합으로 형광물질을 발 광시키는 자발광소자로서, 재료 및 구조에 따라 무기물의 발광층을 포함하는 무기 발광 표시장치와 유기물의 발광층을 포함하는 유기 발광 표시장치로 대별된다. 이때, 발광 표시장치는 전계발광 표시장치라고 불리기도 한다.Among the flat panel displays, a light emitting display is a self-light emitting device that emits a fluorescent material by recombination of electrons and holes. The organic light emitting display includes an inorganic light emitting display including an organic light emitting layer and an organic light emitting layer according to materials and structures. It is roughly classified as a device. In this case, the light emitting display device may be referred to as an electroluminescent display device.

이러한, 발광 표시장치는 액정 표시장치와 같이 별도의 광원을 필요로 하는 수동형 발광소자에 비하여 음극선관과 같은 빠른 응답속도를 가지는 장점을 갖고 있다.Such a light emitting display device has an advantage of having a fast response speed, such as a cathode ray tube, compared to a passive light emitting device requiring a separate light source like a liquid crystal display device.

도 1은 일반적인 발광 표시장치의 화소를 나타내는 회로도이다.1 is a circuit diagram illustrating a pixel of a general light emitting display device.

도 1을 참조하면, 일반적인 발광 표시장치의 화소(21)는 발광소자(OLED) 및 스위칭부(25)를 포함한다.Referring to FIG. 1, a pixel 21 of a general light emitting display device includes a light emitting element OLED and a switching unit 25.

스위칭부(25)는 데이터선(D), 주사선(S) 및 제 1 전원(VDD)에 전기적으로 접속된다. 그리고, 스위칭부(25)는 제 1 및 제 2 트랜지스터(M1, M2) 및 커패시터(C)를 구비한다.The switching unit 25 is electrically connected to the data line D, the scan line S, and the first power supply VDD. In addition, the switching unit 25 includes first and second transistors M1 and M2 and a capacitor C.

제 1 트랜지스터(M1)의 게이트 전극은 주사선(S)에 전기적으로 접속된다. 그리고, 제 1 트랜지스터(M1)의 소스 전극은 데이터선(D)에 전기적으로 접속되고, 드레인 전극은 제 1 노드(N1)에 전기적으로 접속된다. 이러한, 제 1 트랜지스터(M1)는 주사선(S)에 공급되는 주사신호에 응답하여 데이터선(D)으로부터의 데이터 신호를 제 1 노드(N1)에 공급한다.The gate electrode of the first transistor M1 is electrically connected to the scan line S. The source electrode of the first transistor M1 is electrically connected to the data line D, and the drain electrode is electrically connected to the first node N1. The first transistor M1 supplies the data signal from the data line D to the first node N1 in response to the scan signal supplied to the scan line S. FIG.

커패시터(C)는 제 1 노드(N1)와 제 1 전원(VDD)간에 전기적으로 접속된다. 이러한, 커패시터(C)는 주사선(S)에 주사신호가 공급되는 구간에 제 1 트랜지스터(M1)를 통해 제 1 노드(N1) 상에 공급되는 데이터 신호에 대응되는 전압을 저장한 후, 제 1 트랜지스터(M1)가 오프되면 제 2 트랜지스터(M2)의 온 상태를 한 프레임 동안 유지시키게 된다.The capacitor C is electrically connected between the first node N1 and the first power source VDD. The capacitor C stores a voltage corresponding to the data signal supplied on the first node N1 through the first transistor M1 in a section in which the scan signal is supplied to the scan line S, and then stores the first voltage. When the transistor M1 is off, the on state of the second transistor M2 is maintained for one frame.

제 2 트랜지스터(M2)의 게이트 전극은 제 1 트랜지스터(M1)의 드레인 전극과 커패시터(C)가 공통으로 접속된 제 1 노드(N1)에 전기적으로 접속된다. 그리고, 제 2 트랜지스터(M2)의 소스 전극은 제 1 전원(VDD)에 전기적으로 접속되고, 드레인 전극은 발광소자(OLED)의 애노드 전극에 전기적으로 접속된다. 이러한, 제 2 트랜지스터(M2)는 커패시터(C)로부터의 전압에 따라 제 1 전원(VDD)으로부터 발광소자(OLED)에 공급되는 전류량을 조절하게 된다.The gate electrode of the second transistor M2 is electrically connected to the first node N1 to which the drain electrode of the first transistor M1 and the capacitor C are commonly connected. The source electrode of the second transistor M2 is electrically connected to the first power supply VDD, and the drain electrode is electrically connected to the anode electrode of the light emitting device OLED. The second transistor M2 adjusts the amount of current supplied from the first power supply VDD to the light emitting device OLED according to the voltage from the capacitor C. FIG.

발광소자(OLED)의 애노드 전극은 제 2 트랜지스터(M2)의 드레인 전극에 전기적으로 접속되고, 캐소드 전극은 제 2 전원(VSS)에 전기적으로 접속된다. 여기서, 제 2 트랜지스터(M2)가 P 타입 트랜지스터로 구성될 경우 제 2 전원(VSS)은 제 1 전원(VDD)보다 낮은 전압레벨을 가지며, 그라운드 전압레벨을 가질 수 있다.The anode electrode of the light emitting element OLED is electrically connected to the drain electrode of the second transistor M2, and the cathode electrode is electrically connected to the second power source VSS. Here, when the second transistor M2 is configured as a P-type transistor, the second power source VSS may have a lower voltage level than the first power source VDD and have a ground voltage level.

이와 같은, 발광소자(OLED)는 스위칭부(25)로부터 공급되는 전류에 따라 발광하여 화상을 표시하게 된다. 여기서, 발광소자(OLED)는 유기발광소자가 될 수 있다. 유기발광소자는 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 형성된 유기물의 발광층(Emitting Layer : EML), 전자 수송층(Electron Transport Layer : ETL) 및 정공 수송층(Hole Transport Layer : HTL)을 포함한다. 또한, 유기발광소자는 전자 주입층(Electron Injection Layer : EIL)과 정공 주입층(Hole Injection Layer : HIL)을 추가적으로 포함할 수 있다. 이러한, 유기발광소자에서 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 전압을 인가하면 캐소드 전극으로부터 발생된 전자는 전자 주입층 및 전자 수송층을 통해 발광층 쪽으로 이동하고, 애노드 전극으로부터 발생된 정공은 정공 주입층 및 정공 수송층을 통해 발광층 쪽으로 이동한다. 이에 따라, 발광층에서는 전자 수송층과 정공 수송층으로부터 공급되어진 전자와 정공이 충돌하여 재결합함에 의해 빛이 발생하게 된다.As such, the light emitting device OLED emits light according to the current supplied from the switching unit 25 to display an image. Here, the light emitting device OLED may be an organic light emitting device. The organic light emitting diode includes an emission layer (EML), an electron transport layer (ETL), and a hole transport layer (HTL) of an organic material formed between the anode electrode and the cathode electrode. The organic light emitting diode may further include an electron injection layer (EIL) and a hole injection layer (HIL). In the organic light emitting diode, when a voltage is applied between the anode electrode and the cathode electrode, electrons generated from the cathode electrode move toward the light emitting layer through the electron injection layer and the electron transport layer, and holes generated from the anode electrode are transferred to the hole injection layer and the hole transport layer. It moves to the light emitting layer through. Accordingly, in the light emitting layer, light is generated by collision between electrons and holes supplied from the electron transporting layer and the hole transporting layer and recombination.

이와 같은, 일반적인 발광 표시장치에서 각 화소(21)마다 제 2 트랜지스터(M2)의 문턱전압 특성은 반도체층을 형성하기 위해 사용되는 레이져의 조사 방향 및 레이져의 불균일한 에너지 분포로 인하여 달라지게 된다. 이에 따라, 각 화소(21)마다 제 2 트랜지스터(M2)의 문턱전압이 불균일할 경우에 줄무늬 또는 얼룩 등이 발생되어 휘도 불균일 및 화질이 저하되는 문제점이 있다.In such a light emitting display device, the threshold voltage characteristic of the second transistor M2 for each pixel 21 is changed due to the irradiation direction of the laser used to form the semiconductor layer and the uneven energy distribution of the laser. Accordingly, in the case where the threshold voltage of the second transistor M2 is uneven in each pixel 21, streaks or spots may occur, resulting in uneven luminance and image quality.

도 2는 일반적인 발광 표시장치에서 트랜지스터의 문턱전압 변동에 따라 발광소자에 공급되는 전류를 나타내는 그래프이다.2 is a graph illustrating a current supplied to a light emitting device according to a variation of a threshold voltage of a transistor in a general light emitting display device.

도 2를 도 1과 결부하면, 일반적인 발광 표시장치에서 3.5V~1.5V로 변하는 데이터 전압에 대해 발광소자(OLED)에 공급되는 전류는 데이터 신호가 3.5V~1.5V 사이의 변화에서 급격하게 증가하는 것을 볼 수 있다. 이에 따라, 제 2 트랜지스터(M2)의 문턱전압(Vth) 변동에 따라 발광소자(OLED)에 공급되는 전류의 크기도 급격하게 증가하는 것을 볼 수 있다. 즉, 발광소자(OLED)에 공급되는 전류는 제 2 트랜지스터(M2)의 문턱전압(Vth: A선)이 0.1V 변동된 B선과 -0.1V 변동된 C선에서와 같이 급격하게 증가하는 것을 볼 수 있다.Referring to FIG. 2, the current supplied to the light emitting device OLED with respect to a data voltage varying from 3.5V to 1.5V in a typical light emitting display device is rapidly increased when the data signal changes from 3.5V to 1.5V. I can see that. Accordingly, it can be seen that the magnitude of the current supplied to the light emitting device OLED also increases rapidly as the threshold voltage Vth of the second transistor M2 changes. That is, it is seen that the current supplied to the light emitting device OLED rapidly increases as the threshold voltage (Vth: A line) of the second transistor M2 is increased by 0.1V fluctuating B line and -0.1V fluctuating C line. Can be.

따라서, 본 발명의 목적은 트랜지스터의 문턱전압 불균일로 인한 휘도 불균일 및 화질 저하를 방지할 수 있도록 화소 및 이를 가지는 발광 표시장치를 제공하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a pixel and a light emitting display device having the same so as to prevent luminance unevenness and deterioration in image quality due to threshold voltage unevenness of the transistor.

또한, 본 발명의 다른 목적은 계조 표현을 위한 데이터 신호의 전압범위를 크게 할 수 있도록 한 화소 및 이를 가지는 발광 표시장치를 제공하는데 있다.
In addition, another object of the present invention is to provide a pixel and a light emitting display device having the same to increase the voltage range of the data signal for gray scale representation.

상기 목적을 달성하기 위한 기술적 수단으로써, 본 발명의 제 1 측면은 주사선에 공급되는 주사신호에 따라 데이터선에 공급되는 데이터 신호에 대응되는 전류를 출력하는 스위칭부와, 상기 스위칭부로부터 공급되는 전류에 의해 발광하는 발광소자와, 상기 스위칭부와 상기 발광소자 사이에 다이오드 형태로 접속되는 트랜지스터를 구비하는 화소를 제공한다.As a technical means for achieving the above object, the first aspect of the present invention is a switching unit for outputting a current corresponding to the data signal supplied to the data line in accordance with the scan signal supplied to the scan line, the current supplied from the switching unit There is provided a pixel including a light emitting element emitting light by means of a transistor connected between the switching unit and the light emitting element in a diode form.

바람직하게, 상기 다이오드형 트랜지스터는 P 타입 및 N 타입 중 어느 하나인 것을 특징으로 한다. 그리고, 상기 하소는 발광 제어선에 공급되는 발광 제어신호에 의해 제어되며, 상기 트랜지스터와 상기 발광소자 사이에 전기적으로 접속되어 상기 트랜지스터와 상기 발광소자간의 전류패스를 형성하는 스위칭 소자를 더 구비한다.Preferably, the diode-type transistor is characterized in that any one of the P type and N type. The calcination is controlled by a light emission control signal supplied to a light emission control line, and further includes a switching element electrically connected between the transistor and the light emitting element to form a current path between the transistor and the light emitting element.

본 발명의 제 2 측면은 복수의 주사선과 복수의 데이터선 및 복수의 전원선에 의해 정의되는 복수의 화소를 구비하며, 상기 각 화소는, 상기 주사선에 공급되 는 주사신호에 따라 상기 데이터선에 공급되는 데이터 신호에 대응되는 전류를 상기 전원선으로부터 출력하는 스위칭부와, 상기 스위칭부로부터 공급되는 상기 전류에 의해 발광하는 발광소자와, 상기 스위칭부와 상기 발광소자 사이에 다이오드 형태로 접속되는 트랜지스터를 구비하는 발광 표시장치를 제공한다.A second aspect of the present invention includes a plurality of pixels defined by a plurality of scan lines, a plurality of data lines, and a plurality of power supply lines, each pixel being connected to the data line in accordance with a scan signal supplied to the scan line. A switching unit for outputting a current corresponding to the supplied data signal from the power supply line, a light emitting element emitting light by the current supplied from the switching unit, and a transistor connected in a diode form between the switching unit and the light emitting element Provided is a light emitting display device.

바람직하게, 상기 트랜지스터는 P 타입 및 N 타입 중 어느 하나인 것을 특징으로 한다. 그리고, 상기 발광 표시장치는 상기 각 화소에 발광 제어신호를 공급하기 위한 발광 제어선을 더 구비한다. 또한, 상기 각 화소는 상기 발광 제어신호에 따라 제어되며, 상기 트랜지스터와 상기 발광소자 사이에 전기적으로 접속되어 상기 트랜지스터와 상기 발광소자간의 전류패스를 형성하는 스위칭 소자를 더 구비한다. 또한, 상기 발광 표시장치는 상기 데이터선에 상기 데이터 신호를 공급하기 위한 데이터 구동부와, 상기 주사선에 상기 주사신호를 공급하기 위한 주사 구동부를 더 구비한다.Preferably, the transistor is characterized in that any one of the P type and N type. The light emitting display device further includes a light emission control line for supplying a light emission control signal to each pixel. In addition, each of the pixels is controlled according to the light emission control signal, and further includes a switching device electrically connected between the transistor and the light emitting device to form a current path between the transistor and the light emitting device. The light emitting display further includes a data driver for supplying the data signal to the data line and a scan driver for supplying the scan signal to the scan line.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있는 가장 바람직한 실시 예를 첨부된 도 3 내지 20을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention to which the present invention pertains will be described in detail with reference to FIGS. 3 to 20.

도 3은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 발광 표시장치를 나타내는 도면이다.3 is a diagram illustrating a light emitting display device according to a first embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 발광 표시장치는 화상 표시부(110), 주사 구동부(130) 및 데이터 구동부(140)를 구비한다. 또한, 본 발명 의 제 1 실시 예에 따른 발광 표시장치는 화상 표시부(110)에 제 1 전원과 제 1 전원과 다른 제 2 전원을 공급하기 위한 도시하지 않은 전원 공급부를 더 구비한다.Referring to FIG. 3, the light emitting display device according to the first embodiment of the present invention includes an image display unit 110, a scan driver 130, and a data driver 140. In addition, the light emitting display device according to the first embodiment of the present invention further includes a power supply unit (not shown) for supplying a first power source and a second power source different from the first power source to the image display unit 110.

화상 표시부(110)는 복수의 주사선(S1 내지 SN)과 복수의 데이터선(D1 내지 DM)에 의해 정의되는 복수의 화소(121)를 포함한다.The image display unit 110 includes a plurality of pixels 121 defined by a plurality of scan lines S1 to SN and a plurality of data lines D1 to DM.

각 화소(121)는 주사선(S1 내지 SN)에 공급되는 주사신호에 따라 선택되고, 데이터선(D1 내지 DM)에 공급되는 데이터 신호에 대응되는 전류를 공급받아 발광하게 된다.Each pixel 121 is selected according to a scan signal supplied to the scan lines S1 to SN, and receives light corresponding to a data signal supplied to the data lines D1 to DM.

주사 구동부(130)는 도시하지 않은 제어부로부터의 주사 제어신호들, 즉 스타트펄스와 클럭신호에 응답하여 주사선들(S1 내지 SN)을 순차적으로 구동시키기 위한 주사신호를 발생하여 주사선들(S1 내지 SN)에 순차적으로 공급한다.The scan driver 130 generates scan signals for sequentially driving the scan lines S1 to SN in response to scan control signals from a controller (not shown), that is, a start pulse and a clock signal, thereby scanning the scan lines S1 to SN. ) Sequentially.

데이터 구동부(130)는 제어부로부터 공급되는 데이터 제어신호들에 응답하여 제어부로부터의 데이터 신호를 데이터선들(D1 내지 DM)에 공급한다.The data driver 130 supplies data signals from the controller to the data lines D1 to DM in response to data control signals supplied from the controller.

도 4는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 발광 표시장치의 화소를 나타내는 도면이다.4 is a diagram illustrating a pixel of a light emitting display device according to a first embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 발광 표시장치의 각 화소(121)는 발광소자(OLED), 스위칭부(125) 및 다이오드형 트랜지스터(Md)를 포함한다.Referring to FIG. 4, each pixel 121 of the light emitting display device according to the first embodiment of the present invention includes a light emitting element OLED, a switching unit 125, and a diode transistor Md.

스위칭부(125)는 데이터선(D), 주사선(S), 제 1 전원(V1) 및 다이오드형 트랜지스터(Md)에 전기적으로 접속된다. 이러한, 스위칭부(125)는 주사선(S)에 공급 되는 주사신호에 응답하여 데이터선(D)에 공급된 데이터 신호에 대응되는 전류를 제 1 전원(V1)으로부터 다이오드형 트랜지스터(Md)로 출력한다. 이때, 스위칭부(125)는 적어도 2개의 트랜지스터와 적어도 하나의 커패시터로 구성된다. 여기서, 트랜지스터는 P 타입 또는 N 타입 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET, Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)가 될 수 있고, 이하 P타입 트랜지스터를 일 예로 들어 설명하기로 한다.The switching unit 125 is electrically connected to the data line D, the scan line S, the first power supply V1, and the diode-type transistor Md. The switching unit 125 outputs a current corresponding to the data signal supplied to the data line D from the first power supply V1 to the diode transistor Md in response to the scan signal supplied to the scan line S. do. In this case, the switching unit 125 includes at least two transistors and at least one capacitor. Here, the transistor may be a P-type or N-type metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET), which will be described below using an example of a P-type transistor.

다이오드형 트랜지스터(Md)는 P타입 트랜지스터로써, 스위칭부(125)에 전기적으로 접속되는 소스 전극과, 발광소자(OLED)에 전기적으로 접속되는 드레인 전극과, 자신의 드레인 전극에 전기적으로 접속되는 게이트 전극을 구비한다. 이러한, 다이오드형 트랜지스터(Md)는 스위칭부(125)와 발광소자(OLED) 사이에 다이오드 형태로 접속되는 저항으로써 스위칭부(125)로부터 발광소자(OLED)에 흐르는 전류를 제한한다.The diode-type transistor Md is a P-type transistor and includes a source electrode electrically connected to the switching unit 125, a drain electrode electrically connected to the light emitting element OLED, and a gate electrically connected to the drain electrode thereof. An electrode is provided. The diode-type transistor Md is a resistor connected in the form of a diode between the switching unit 125 and the light emitting element OLED to limit the current flowing from the switching unit 125 to the light emitting element OLED.

발광소자(OLED)의 애노드 전극은 다이오드형 트랜지스터(Md)의 드레인 전극에 전기적으로 접속되고, 캐소드 전극은 제 2 전원(V2)에 전기적으로 접속된다. 여기서, 스위칭부(125)가 P 타입 트랜지스터로 구성될 경우 제 2 전원(V2)은 제 1 전원(V1)보다 낮은 전압레벨을 가지며, 그라운드 전압레벨을 가질 수 있다.The anode electrode of the light emitting element OLED is electrically connected to the drain electrode of the diode transistor Md, and the cathode electrode is electrically connected to the second power source V2. Here, when the switching unit 125 is configured of a P-type transistor, the second power source V2 may have a lower voltage level than the first power source V1 and may have a ground voltage level.

이와 같은, 발광소자(OLED)는 다이오드형 트랜지스터(Md)를 통해 스위칭부(125)로부터 공급되는 데이터 신호에 대응되는 전류에 의해 발광하여 화상을 표시하게 된다. 여기서, 발광소자(OLED)는 유기발광소자가 될 수 있다. 유기발광소자는 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 형성된 유기물의 발광층(Emitting Layer : EML), 전자 수송층(Electron Transport Layer : ETL) 및 정공 수송층(Hole Transport Layer : HTL)을 포함한다. 또한, 유기발광소자는 전자 주입층(Electron Injection Layer : EIL)과 정공 주입층(Hole Injection Layer : HIL)을 추가적으로 포함할 수 있다. 이러한, 유기발광소자에서 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 전압을 인가하면 캐소드 전극으로부터 발생된 전자는 전자 주입층 및 전자 수송층을 통해 발광층 쪽으로 이동하고, 애노드 전극으로부터 발생된 정공은 정공 주입층 및 정공 수송층을 통해 발광층 쪽으로 이동한다. 이에 따라, 발광층에서는 전자 수송층과 정공 수송층으로부터 공급되어진 전자와 정공이 충돌하여 재결합함에 의해 빛이 발생하게 된다.As such, the light emitting device OLED emits light by a current corresponding to the data signal supplied from the switching unit 125 through the diode-type transistor Md to display an image. Here, the light emitting device OLED may be an organic light emitting device. The organic light emitting diode includes an emission layer (EML), an electron transport layer (ETL), and a hole transport layer (HTL) of an organic material formed between the anode electrode and the cathode electrode. The organic light emitting diode may further include an electron injection layer (EIL) and a hole injection layer (HIL). In the organic light emitting diode, when a voltage is applied between the anode electrode and the cathode electrode, electrons generated from the cathode electrode move toward the light emitting layer through the electron injection layer and the electron transport layer, and holes generated from the anode electrode are transferred to the hole injection layer and the hole transport layer. It moves to the light emitting layer through. Accordingly, in the light emitting layer, light is generated by collision between electrons and holes supplied from the electron transporting layer and the hole transporting layer and recombination.

도 5는 P 타입 트랜지스터를 포함하는 도 3에 도시된 스위칭부(125)를 가지는 화소(121)를 나타내는 회로도이다.FIG. 5 is a circuit diagram illustrating a pixel 121 having the switching unit 125 illustrated in FIG. 3 including a P-type transistor.

도 5를 도 4와 결부하면, 각 화소(121)의 스위칭부(125)는 제 1 및 제 2 트랜지스터(M1, M2) 및 커패시터(C)를 구비한다.5 and 4, the switching unit 125 of each pixel 121 includes first and second transistors M1 and M2 and a capacitor C. Referring to FIG.

제 1 트랜지스터(M1)의 게이트 전극은 주사선(Sn)에 전기적으로 접속된다. 그리고, 제 1 트랜지스터(M1)의 소스 전극은 데이터선(Dm)에 전기적으로 접속되고, 드레인 전극은 제 1 노드(N1)에 전기적으로 접속된다. 이러한, 제 1 트랜지스터(M1)는 주사선(Sn)에 공급되는 주사신호에 응답하여 데이터선(Dm)으로부터의 데이터 신호를 제 1 노드(N1)에 공급한다.The gate electrode of the first transistor M1 is electrically connected to the scan line Sn. The source electrode of the first transistor M1 is electrically connected to the data line Dm, and the drain electrode is electrically connected to the first node N1. The first transistor M1 supplies the data signal from the data line Dm to the first node N1 in response to the scan signal supplied to the scan line Sn.

커패시터(C)는 제 1 노드(N1)와 제 1 전원(VDD)간에 전기적으로 접속된다. 이러한, 커패시터(C)는 주사선(Sn)에 주사신호가 공급되는 구간에 제 1 트랜지스터(M1)를 통해 제 1 노드(N1) 상에 공급되는 데이터 신호에 대응되는 전압을 저장한 후, 제 1 트랜지스터(M1)가 오프되면 제 2 트랜지스터(M2)의 온 상태를 한 프레임 동안 유지시키게 된다.The capacitor C is electrically connected between the first node N1 and the first power source VDD. The capacitor C stores a voltage corresponding to the data signal supplied on the first node N1 through the first transistor M1 in a section in which the scan signal is supplied to the scan line Sn, and then the first When the transistor M1 is off, the on state of the second transistor M2 is maintained for one frame.

제 2 트랜지스터(M2)의 게이트 전극은 제 1 트랜지스터(M1)의 드레인 전극과 커패시터(C)가 공통으로 접속된 제 1 노드(N1)에 전기적으로 접속된다. 그리고, 제 2 트랜지스터(M2)의 소스 전극은 제 1 전원(VDD)에 전기적으로 접속되고, 드레인 전극은 다이오드형 트랜지스터(Md)의 소스 전극에 전기적으로 접속된다. 이러한, 제 2 트랜지스터(M2)는 커패시터(C)로부터의 전압에 따라 제 1 전원(VDD)으로부터 다이오드형 트랜지스터(Md)로 출력되는 전류량을 조절하게 된다.The gate electrode of the second transistor M2 is electrically connected to the first node N1 to which the drain electrode of the first transistor M1 and the capacitor C are commonly connected. The source electrode of the second transistor M2 is electrically connected to the first power source VDD, and the drain electrode is electrically connected to the source electrode of the diode transistor Md. The second transistor M2 adjusts the amount of current output from the first power supply VDD to the diode-type transistor Md according to the voltage from the capacitor C.

이와 같은, 각 화소(121)의 스위칭부(125)는 제 1 및 제 2 트랜지스터(M1, M2)와 커패시터(C)를 이용하여 주사선(Sn)에 공급되는 주사신호에 따라 데이터선(Dm)에 공급되는 데이터 신호에 대응되는 전류를 제 1 전원(VDD)으로부터 다이오드형 트랜지스터(Md)로 출력하게 된다.As described above, the switching unit 125 of each pixel 121 uses the first and second transistors M1 and M2 and the capacitor C in accordance with the scan signal supplied to the scan line Sn to the data line Dm. The current corresponding to the data signal supplied to is outputted from the first power supply VDD to the diode transistor Md.

도 6은 도 5에 도시된 각 화소(121)의 제 2 트랜지스터(M2), 다이오드형 트랜지스터(Md) 및 발광소자(OLED)의 저항성분을 등가적으로 나타내는 도면이다.FIG. 6 is an equivalent diagram illustrating resistance components of the second transistor M2, the diode transistor Md, and the light emitting diode OLED of each pixel 121 illustrated in FIG. 5.

도 6을 참조하면, 각 화소(121)에서 제 2 트랜지스터(M2)의 등가적인 저항성분(Rm2)에 걸리는 전압은 다이오드형 트랜지스터(Md)의 등가적인 저항성분(Rmd) 및 발광소자(OLED)의 등가적인 저항성분(Rled)에 의해 제한된다. 이때, 다이오드형 트랜지스터(Md)의 문턱전압 절대값은 제 2 트랜지스터(M2)의 문턱전압 절대값과 유사한 크기를 가지는 것이 바람직하다. 이에 따라, 제 2 트랜지스터(M2)의 문턱전압(Vth) 변동이 발생하더라도 발광소자(OLED)에 공급되는 전류의 변화는 다이오드형 트랜지스터(Md)에 의해 제한되어 최소화된다.Referring to FIG. 6, the voltage applied to the equivalent resistance component Rm2 of the second transistor M2 in each pixel 121 is equivalent to the resistance component Rmd and the light emitting diode OLED of the diode transistor Md. It is limited by the equivalent resistance component (Rled) of. In this case, the absolute value of the threshold voltage of the diode-type transistor Md preferably has a magnitude similar to the absolute value of the threshold voltage of the second transistor M2. Accordingly, even when the threshold voltage Vth of the second transistor M2 changes, the change in the current supplied to the light emitting device OLED is limited by the diode-type transistor Md and minimized.

도 7은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 발광 표시장치에서 제 2 트랜지스터의 문턱전압 변동에 따라 발광소자에 공급되는 전류를 나타내는 그래프이다.FIG. 7 is a graph illustrating a current supplied to a light emitting device according to a threshold voltage variation of a second transistor in the light emitting display device according to the first embodiment of the present invention.

도 7을 도 6과 결부하면, 발광소자(OLED)에 공급되는 전류가 다이오드형 트랜지스터(Md)에 의해 제한됨으로써 제 2 트랜지스터(M2)의 문턱전압(Vth) 변동에 따른 발광소자(OLED)에 공급되는 전류의 크기도 작아지는 것을 볼 수 있다. 즉, 발광소자(OLED)에 공급되는 전류곡선(A, B, C)은 제 2 트랜지스터(M2)의 문턱전압(Vth: A선)이 0.1V 변동된 B선과 -0.1V 변동된 C선에서와 같이 완만한 기울기를 가지는 것을 볼 수 있다.Referring to FIG. 7 and FIG. 6, the current supplied to the light emitting device OLED is limited by the diode-type transistor Md to the light emitting device OLED according to the variation of the threshold voltage Vth of the second transistor M2. It can be seen that the magnitude of the supplied current is also reduced. That is, the current curves A, B, and C supplied to the light emitting device OLED are formed on the B line of which the threshold voltage (Vth: A line) of the second transistor M2 is changed by 0.1 V and the C line of which -0.1 V is changed. You can see that it has a gentle slope as

또한, 발광소자(OLED)에 공급되는 전류가 다이오드형 트랜지스터(Md)에 의해 제한됨으로써 데이터 신호의 전압범위는 3.5V~1.2V까지 크게 증가하게 된다. 이에 따라, 데이터 신호의 전압범위가 크게 증가하기 때문에 발광소자(OLED)의 발광에 의한 화상의 계조 수를 증가시킬 수 있다.In addition, since the current supplied to the light emitting device OLED is limited by the diode-type transistor Md, the voltage range of the data signal is greatly increased from 3.5V to 1.2V. Accordingly, since the voltage range of the data signal is greatly increased, the number of gray levels of the image due to the light emission of the light emitting element OLED can be increased.

따라서, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 발광 표시장치는 다이오드형 트랜지스터(Md)에 의해 발광소자(OLED)에 공급되는 전류를 제한함으로써 제 2 트랜지스터(M2)의 문턱전압(Vth)의 변동에 의한 발광소자(OLED)에 공급되는 전류의 영향을 최 소화할 수 있다. 결과적으로, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 발광 표시장치는 제 2 트랜지스터(M2)의 문턱전압(Vth) 불균일로 인한 휘도 불균일 및 화질 저하를 방지할 수 있다.Accordingly, the light emitting display device according to the first embodiment of the present invention is limited in the variation of the threshold voltage Vth of the second transistor M2 by limiting the current supplied to the light emitting device OLED by the diode-type transistor Md. This can minimize the influence of the current supplied to the light emitting device (OLED). As a result, the light emitting display device according to the first embodiment of the present invention can prevent the luminance unevenness and the deterioration of image quality due to the nonuniformity of the threshold voltage Vth of the second transistor M2.

도 8은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 발광 표시장치의 각 화소(121)를 나타내는 도면이다.8 is a diagram illustrating each pixel 121 of the light emitting display device according to the second embodiment of the present invention.

도 8을 참조하면, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 발광 표시장치의 각 화소(121)는 발광소자(OLED), 스위칭부(125) 및 다이오드형 트랜지스터(Md)를 포함한다. 여기서, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 발광 표시장치의 각 화소(121)는 다이오드형 트랜지스터(Md)를 제외하고는 도 4에 도시된 본 발명의 제 1 실시 예와 동일한 구조를 가지게 된다. 이에 따라, 본 발명의 제 2 실시 예에서는 다이오드형 트랜지스터(Md)를 제외한 다른 구성에 대한 설명은 상술한 제 1 실시 예에 대한 설명으로 대신하기로 한다.Referring to FIG. 8, each pixel 121 of the light emitting display device according to the second embodiment of the present invention includes a light emitting device OLED, a switching unit 125, and a diode transistor Md. Here, each pixel 121 of the light emitting display according to the second embodiment of the present invention has the same structure as the first embodiment of the present invention shown in FIG. 4 except for the diode-type transistor Md. Accordingly, in the second embodiment of the present invention, the description of the other components except for the diode-type transistor Md will be replaced with the description of the first embodiment.

본 발명의 제 2 실시 예에 따른 발광 표시장치의 각 화소(121)에서 다이오드형 트랜지스터(Md)는 N타입 트랜지스터로써, 스위칭부(125)에 전기적으로 접속되는 소스 전극과, 발광소자(OLED)에 전기적으로 접속되는 드레인 전극과, 자신의 소스 전극에 전기적으로 접속되는 게이트 전극을 구비한다. 이러한, 다이오드형 트랜지스터(Md)는 스위칭부(125)와 발광소자(OLED) 사이에 다이오드 형태로 접속되는 스위칭부(125)로부터 발광소자(OLED)에 흐르는 전류를 제한한다.In each pixel 121 of the light emitting display according to the second exemplary embodiment of the present invention, the diode-type transistor Md is an N-type transistor, a source electrode electrically connected to the switching unit 125, and a light emitting device OLED. And a drain electrode electrically connected to the gate electrode, and a gate electrode electrically connected to its source electrode. The diode-type transistor Md limits the current flowing from the switching unit 125 connected to the light emitting device OLED in the form of a diode between the switching unit 125 and the light emitting device OLED.

도 9는 P 타입 트랜지스터를 포함하는 도 8에 도시된 스위칭부(125)를 가지는 화소(121)를 나타내는 회로도이다.FIG. 9 is a circuit diagram illustrating a pixel 121 having the switching unit 125 illustrated in FIG. 8 including a P-type transistor.

도 9를 도 8과 결부하면, 각 화소(121)의 스위칭부(125)는 제 1 및 제 2 트랜지스터(M1, M2) 및 커패시터(C)를 구비한다. 여기서, 스위칭부(125)는 도 5에 도시된 본 발명의 제 1 실시 예와 동일한 구조를 가지므로 상술한 제 1 실시 예에 대한 설명으로 대신하기로 한다.9 and 8, the switching unit 125 of each pixel 121 includes first and second transistors M1 and M2 and a capacitor C. Referring to FIG. Here, since the switching unit 125 has the same structure as that of the first embodiment of the present invention shown in FIG. 5, it will be replaced with the description of the first embodiment.

이와 같은, 본 발명의 제 1 및 제 2 실시 예에 따른 발광 표시장치의 각 화소(121)는 다이오드형 트랜지스터(Md)의 P 타입 및 N 타입에 따라 다이오드형 트랜지스터(Md)의 게이트 전극을 제 2 트랜지스터(M2) 및 발광소자(OLED) 중 어느 하나에 전기적으로 접속시키게 된다. 즉, P타입의 트랜지스터일 경우 다이오드형 트랜지스터(Md)의 게이트 전극은 자신의 드레인 전극(또는 발광소자(OLED)의 애노드 전극)에 전기적으로 접속되고, N타입의 트랜지스터일 경우 다이오드형 트랜지스터(Md)의 게이트 전극은 자신의 소스 전극(또는 제 2 트랜지스터(M2)의 드레인 전극)에 전기적으로 접속된다.As described above, each pixel 121 of the light emitting display device according to the first and second embodiments of the present invention removes the gate electrode of the diode transistor Md according to the P type and the N type of the diode transistor Md. It is electrically connected to any one of the two transistors M2 and the light emitting element OLED. That is, in the case of a P-type transistor, the gate electrode of the diode-type transistor Md is electrically connected to its drain electrode (or the anode electrode of the light emitting element OLED), and in the case of an N-type transistor, the diode-type transistor Md Gate electrode is electrically connected to its source electrode (or the drain electrode of the second transistor M2).

도 10은 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 발광 표시장치를 나타내는 도면이다.10 is a diagram illustrating a light emitting display device according to a third embodiment of the present invention.

도 10을 참조하면, 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 발광 표시장치는 화상 표시부(110), 주사 구동부(130) 및 데이터 구동부(140)를 구비한다. 또한, 본 발명 의 제 3 실시 예에 따른 발광 표시장치는 화상 표시부(110)에 제 1 전원과 제 1 전원과 다른 제 2 전원을 공급하기 위한 도시하지 않은 전원 공급부를 더 구비한다.Referring to FIG. 10, the light emitting display device according to the third exemplary embodiment includes an image display unit 110, a scan driver 130, and a data driver 140. In addition, the light emitting display device according to the third embodiment of the present invention further includes a power supply unit (not shown) for supplying a first power source and a second power source different from the first power source to the image display unit 110.

화상 표시부(110)는 복수의 주사선(S1 내지 SN)과 복수의 데이터선(D1 내지 DM) 및 발광 제어선(E1 내지 EN)에 의해 정의되는 복수의 화소(221)를 포함한다.The image display unit 110 includes a plurality of pixels 221 defined by a plurality of scan lines S1 to SN, a plurality of data lines D1 to DM, and emission control lines E1 to EN.

각 화소(221)는 주사선(S1 내지 SN)에 공급되는 주사신호에 따라 선택되고, 발광 제어선(E1 내지 EN)에 공급되는 발광 제어신호에 따라 데이터선(D1 내지 DM)에 공급되는 데이터 신호에 대응되는 전류를 공급받아 발광하게 된다.Each pixel 221 is selected according to the scan signals supplied to the scan lines S1 to SN, and the data signals supplied to the data lines D1 to DM according to the emission control signals supplied to the emission control lines E1 to EN. It emits light by receiving the current corresponding to.

주사 구동부(130)는 도시하지 않은 제어부로부터의 주사 제어신호들, 즉 스타트펄스와 클럭신호에 응답하여 주사선들(S1 내지 SN)을 순차적으로 구동시키기 위한 주사신호를 발생하여 주사선들(S1 내지 SN)에 순차적으로 공급한다. 또한, 주사 구동부(130)는 발광 제어선(E1 내지 EN)을 순차적으로 구동시키기 위한 발광 제어신호를 발생하여 발광 제어선(E1 내지 EN)에 순차적으로 공급한다.The scan driver 130 generates scan signals for sequentially driving the scan lines S1 to SN in response to scan control signals from a controller (not shown), that is, a start pulse and a clock signal, thereby scanning the scan lines S1 to SN. ) Sequentially. In addition, the scan driver 130 generates light emission control signals for sequentially driving the light emission control lines E1 to EN and sequentially supplies them to the light emission control lines E1 to EN.

데이터 구동부(130)는 제어부로부터 공급되는 데이터 제어신호들에 응답하여 제어부로부터의 데이터 신호를 데이터선들(D1 내지 DM)에 공급한다.The data driver 130 supplies data signals from the controller to the data lines D1 to DM in response to data control signals supplied from the controller.

도 11은 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 발광 표시장치의 각 화소(221)를 나타내는 도면이다.11 is a diagram illustrating each pixel 221 of a light emitting display device according to a third embodiment of the present invention.

도 11을 참조하면, 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 발광 표시장치의 각 화소(221)는 발광소자(OLED), 스위칭부(225), 다이오드형 트랜지스터(Md) 및 스위칭 소자(SW)를 포함한다.Referring to FIG. 11, each pixel 221 of the light emitting display device according to the third embodiment of the present invention includes a light emitting device OLED, a switching unit 225, a diode-type transistor Md, and a switching device SW. Include.

발광소자(OLED)는 다이오드형 트랜지스터(Md) 및 스위칭 소자(SW)를 통해 스위칭부(225)로부터 공급되는 데이터 신호에 대응되는 전류에 의해 발광하여 화상을 표시하게 된다.The light emitting device OLED emits light by a current corresponding to a data signal supplied from the switching unit 225 through the diode-type transistor Md and the switching device SW to display an image.

스위칭부(225)는 데이터선(Dm), 주사선(Sn), 제 1 전원(V1) 및 다이오드형 트랜지스터(Md)에 전기적으로 접속된다. 이러한, 스위칭부(225)는 주사선(Sn)에 공급되는 주사신호에 응답하여 데이터선(Dm)에 공급된 데이터 신호에 대응되는 전류를 제 1 전원(V1)으로부터 다이오드형 트랜지스터(Md)로 출력한다. 이때, 스위칭부(225)는 적어도 2개의 트랜지스터와 적어도 하나의 커패시터로 구성된다. 여기서, 트랜지스터는 P 타입 또는 N 타입 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)가 될 수 있고, 이하 P타입 트랜지스터를 일 예로 들어 설명하기로 한다.The switching unit 225 is electrically connected to the data line Dm, the scan line Sn, the first power supply V1, and the diode-type transistor Md. The switching unit 225 outputs a current corresponding to the data signal supplied to the data line Dm from the first power supply V1 to the diode transistor Md in response to the scan signal supplied to the scan line Sn. do. At this time, the switching unit 225 is composed of at least two transistors and at least one capacitor. Here, the transistor may be a P-type or N-type metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET), which will be described below using the P-type transistor as an example.

다이오드형 트랜지스터(Md)는 P타입 트랜지스터로써, 스위칭부(125)에 전기적으로 접속되는 소스 전극과, 스위칭 소자(SW)에 전기적으로 접속되는 드레인 전극과, 자신의 드레인 전극에 전기적으로 접속되는 게이트 전극을 구비한다. 이러한, 다이오드형 트랜지스터(Md)는 스위칭부(225)와 스위칭 소자(SW) 사이에 다이오드 형태로 접속되는 스위칭부(225)로부터 발광소자(OLED)에 흐르는 전류를 제한한다.The diode-type transistor Md is a P-type transistor, which is a source electrode electrically connected to the switching unit 125, a drain electrode electrically connected to the switching element SW, and a gate electrically connected to the drain electrode thereof. An electrode is provided. The diode-type transistor Md limits the current flowing through the light emitting device OLED from the switching unit 225 connected in a diode form between the switching unit 225 and the switching device SW.

스위칭 소자(SW)는 발광 제어선(E)에 전기적으로 접속되는 게이트 전극, 다이오드형 트랜지스터(Md)의 드레인 전극에 전기적으로 접속되는 소스 전극 및 발광소자(OLED)의 애노드 전극에 전기적으로 접속되는 드레인 전극을 가지는 P 타입의 트랜지스터이다. 이러한, 스위칭 소자(SW)는 발광 제어선(E)에 공급되는 발광 제 어신호에 따라 다이오드형 트랜지스터(Md)로부터 공급되는 전류를 발광소자(OLED)의 애노드 전극에 공급한다.The switching element SW is electrically connected to a gate electrode electrically connected to the emission control line E, a source electrode electrically connected to the drain electrode of the diode-type transistor Md, and an anode electrode of the light emitting element OLED. It is a P type transistor having a drain electrode. The switching element SW supplies the current supplied from the diode-type transistor Md to the anode electrode of the light emitting element OLED according to the light emission control signal supplied to the light emission control line E.

발광소자(OLED)의 애노드 전극은 스위칭 소자(SW)의 출력단에 전기적으로 접속되고, 캐소드 전극은 제 2 전원(V2)에 전기적으로 접속된다. 이때, 스위칭부(225)가 P 타입 트랜지스터로 구성될 경우 제 2 전원(V2)은 제 1 전원(V1)보다 낮은 전압레벨을 가지며, 그라운드 전압레벨을 가질 수 있다. 이러한, 발광소자(OLED)는 스위칭 소자(SW)가 온되는 구간 동안 스위칭 소자(SW)를 통해 제 2 트랜지스터(M2)로부터 공급되는 전류에 의해 발광하여 화상을 표시하게 된다. The anode electrode of the light emitting element OLED is electrically connected to the output terminal of the switching element SW, and the cathode electrode is electrically connected to the second power source V2. In this case, when the switching unit 225 is configured of a P-type transistor, the second power source V2 may have a lower voltage level than the first power source V1 and may have a ground voltage level. The light emitting device OLED emits light by a current supplied from the second transistor M2 through the switching device SW during the period in which the switching device SW is turned on to display an image.

도 12는 P 타입 트랜지스터를 포함하는 도 11에 도시된 스위칭부(225)를 가지는 화소(221)를 나타내는 회로도이다.FIG. 12 is a circuit diagram illustrating a pixel 221 having a switching unit 225 shown in FIG. 11 including a P-type transistor.

도 12를 도 11과 결부하면, 각 화소(221)의 스위칭부(225)는 제 1 및 제 2 트랜지스터(M1, M2) 및 커패시터(C)를 구비한다.12, the switching unit 225 of each pixel 221 includes first and second transistors M1 and M2 and a capacitor C. Referring to FIG.

제 1 트랜지스터(M1)의 게이트 전극은 주사선(Sn)에 전기적으로 접속된다. 그리고, 제 1 트랜지스터(M1)의 소스 전극은 데이터선(Dm)에 전기적으로 접속되고, 드레인 전극은 제 1 노드(N1)에 전기적으로 접속된다. 이러한, 제 1 트랜지스터(M1)는 주사선(Sn)에 공급되는 주사신호에 응답하여 데이터선(Dm)으로부터의 데이터 신호를 제 1 노드(N1)에 공급한다.The gate electrode of the first transistor M1 is electrically connected to the scan line Sn. The source electrode of the first transistor M1 is electrically connected to the data line Dm, and the drain electrode is electrically connected to the first node N1. The first transistor M1 supplies the data signal from the data line Dm to the first node N1 in response to the scan signal supplied to the scan line Sn.

커패시터(C)는 제 1 노드(N1)와 제 1 전원(VDD)간에 전기적으로 접속된다. 이러한, 커패시터(C)는 주사선(Sn)에 주사신호가 공급되는 구간에 제 1 트랜지스터 (M1)를 통해 제 1 노드(N1) 상에 공급되는 데이터 신호에 대응되는 전압을 저장한 후, 제 1 트랜지스터(M1)가 오프되면 제 2 트랜지스터(M2)의 온 상태를 한 프레임 동안 유지시키게 된다.The capacitor C is electrically connected between the first node N1 and the first power source VDD. The capacitor C stores a voltage corresponding to the data signal supplied on the first node N1 through the first transistor M1 in a section in which the scan signal is supplied to the scan line Sn, and then the first When the transistor M1 is off, the on state of the second transistor M2 is maintained for one frame.

제 2 트랜지스터(M2)의 게이트 전극은 제 1 트랜지스터(M1)의 드레인 전극과 커패시터(C)가 공통으로 접속된 제 1 노드(N1)에 전기적으로 접속된다. 그리고, 제 2 트랜지스터(M2)의 소스 전극은 제 1 전원(VDD)에 전기적으로 접속되고, 드레인 전극은 다이오드형 트랜지스터(Md)의 소스 전극에 전기적으로 접속된다. 이러한, 제 2 트랜지스터(M2)는 커패시터(C)로부터의 전압에 따라 제 1 전원(VDD)으로부터 다이오드형 트랜지스터(Md)로 출력되는 전류량을 조절하게 된다.The gate electrode of the second transistor M2 is electrically connected to the first node N1 to which the drain electrode of the first transistor M1 and the capacitor C are commonly connected. The source electrode of the second transistor M2 is electrically connected to the first power source VDD, and the drain electrode is electrically connected to the source electrode of the diode transistor Md. The second transistor M2 adjusts the amount of current output from the first power supply VDD to the diode-type transistor Md according to the voltage from the capacitor C.

이와 같은, 각 화소(121)의 스위칭부(125)는 제 1 및 제 2 트랜지스터(M1, M2)와 커패시터(C)를 이용하여 주사선(Sn)에 공급되는 주사신호에 따라 데이터선(Dm)에 공급되는 데이터 신호에 대응되는 전류를 제 1 전원(VDD)으로부터 다이오드형 트랜지스터(Md)로 출력하게 된다.As described above, the switching unit 125 of each pixel 121 uses the first and second transistors M1 and M2 and the capacitor C in accordance with the scan signal supplied to the scan line Sn to the data line Dm. The current corresponding to the data signal supplied to is outputted from the first power supply VDD to the diode transistor Md.

도 13은 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 발광 표시장치의 각 화소(221)를 나타내는 도면이다.13 is a diagram illustrating each pixel 221 of a light emitting display device according to a fourth embodiment of the present invention.

도 13을 참조하면, 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 발광 표시장치의 각 화소(221)는 발광소자(OLED), 스위칭부(225), 다이오드형 트랜지스터(Md) 및 스위칭 소자(SW)를 포함한다. 여기서, 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 발광 표시장치의 각 화소(221)는 다이오드형 트랜지스터(Md)를 제외하고는 도 11에 도시된 본 발명의 제 3 실시 예와 동일한 구조를 가지게 된다. 이에 따라, 본 발명의 제 4 실시 예에서는 다이오드형 트랜지스터(Md)를 제외한 다른 구성에 대한 설명은 상술한 제 3 실시 예에 대한 설명으로 대신하기로 한다.Referring to FIG. 13, each pixel 221 of the light emitting display device according to the fourth embodiment of the present invention includes a light emitting device OLED, a switching unit 225, a diode-type transistor Md, and a switching device SW. Include. Here, each pixel 221 of the light emitting display according to the fourth embodiment of the present invention has the same structure as the third embodiment of the present invention shown in FIG. 11 except for the diode-type transistor Md. Accordingly, in the fourth embodiment of the present invention, the description of the other components except for the diode-type transistor Md will be replaced with the description of the third embodiment.

본 발명의 제 4 실시 예에 따른 발광 표시장치의 각 화소(221)에서 다이오드형 트랜지스터(Md)는 N타입 트랜지스터로써, 스위칭부(225)에 전기적으로 접속되는 소스 전극과, 발광소자(OLED)에 전기적으로 접속되는 드레인 전극과, 자신의 소스 전극에 전기적으로 접속되는 게이트 전극을 구비한다. 이러한, 다이오드형 트랜지스터(Md)는 스위칭부(225)와 발광소자(OLED) 사이에 다이오드 형태로 접속되는 스위칭부(225)로부터 발광소자(OLED)에 흐르는 전류를 제한한다.In each pixel 221 of the light emitting display according to the fourth embodiment of the present invention, the diode-type transistor Md is an N-type transistor, a source electrode electrically connected to the switching unit 225, and a light emitting element OLED. And a drain electrode electrically connected to the gate electrode, and a gate electrode electrically connected to its source electrode. The diode-type transistor Md limits the current flowing through the light emitting device OLED from the switching unit 225 connected in a diode form between the switching unit 225 and the light emitting device OLED.

도 14는 P 타입 트랜지스터를 포함하는 도 13에 도시된 스위칭부(225)를 가지는 화소(221)를 나타내는 회로도이다.FIG. 14 is a circuit diagram illustrating a pixel 221 having the switching unit 225 shown in FIG. 13 including a P-type transistor.

도 14를 도 13과 결부하면, 각 화소(221)의 스위칭부(225)는 제 1 및 제 2 트랜지스터(M1, M2) 및 커패시터(C)를 구비한다. 여기서, 스위칭부(225)는 도 13에 도시된 본 발명의 제 3 실시 예와 동일한 구조를 가지므로 상술한 제 3 실시 예에 대한 설명으로 대신하기로 한다.Referring to FIG. 14 and FIG. 13, the switching unit 225 of each pixel 221 includes first and second transistors M1 and M2 and a capacitor C. Referring to FIG. Here, since the switching unit 225 has the same structure as that of the third embodiment of the present invention shown in FIG. 13, it will be replaced with the description of the above-described third embodiment.

이와 같은, 본 발명의 제 3 및 제 4 실시 예에 따른 발광 표시장치의 각 화소(221)는 다이오드형 트랜지스터(Md)의 P 타입 및 N 타입에 따라 다이오드형 트랜지스터(Md)의 게이트 전극을 제 2 트랜지스터(M2) 및 스위칭 소자(SW) 중 어느 하 나에 전기적으로 접속시키게 된다. 즉, P타입의 트랜지스터일 경우 다이오드형 트랜지스터(Md)의 게이트 전극은 자신의 드레인 전극(또는 스위칭 소자(SW)의 드레인 전극)에 전기적으로 접속되고, N타입의 트랜지스터일 경우 다이오드형 트랜지스터(Md)의 게이트 전극은 자신의 소스 전극(또는 제 2 트랜지스터(M2)의 드레인 전극)에 전기적으로 접속된다.As described above, each pixel 221 of the light emitting display device according to the third and fourth exemplary embodiments may remove the gate electrode of the diode transistor Md according to the P type and the N type of the diode transistor Md. It is electrically connected to either of the two transistors M2 and the switching element SW. That is, in the case of a P-type transistor, the gate electrode of the diode-type transistor Md is electrically connected to its drain electrode (or the drain electrode of the switching element SW), and in the case of an N-type transistor, the diode-type transistor Md Gate electrode is electrically connected to its source electrode (or the drain electrode of the second transistor M2).

도 15는 본 발명의 제 5 실시 예에 따른 발광 표시장치의 각 화소(321)를 나타내는 도면이다.15 is a diagram illustrating each pixel 321 of the light emitting display device according to the fifth embodiment of the present invention.

도 15를 참조하면, 본 발명의 제 5 실시 예에 따른 발광 표시장치의 각 화소(321)는 발광소자(OLED), 스위칭부(325), 다이오드형 트랜지스터(Md) 및 스위칭 소자(SW)를 포함한다.Referring to FIG. 15, each pixel 321 of the light emitting display device according to the fifth embodiment of the present invention includes a light emitting element OLED, a switching unit 325, a diode transistor Md, and a switching element SW. Include.

발광소자(OLED)는 다이오드형 트랜지스터(Md) 및 스위칭 소자(SW)를 통해 스위칭부(325)로부터 공급되는 데이터 신호에 대응되는 전류에 의해 발광하여 화상을 표시하게 된다.The light emitting device OLED emits light by a current corresponding to a data signal supplied from the switching unit 325 through the diode-type transistor Md and the switching device SW to display an image.

스위칭부(325)는 데이터선(Dm), 제 1 및 제 2 주사선(Sn-1, Sn), 제 1 전원(V1) 및 다이오드형 트랜지스터(Md)에 전기적으로 접속된다. 이러한, 스위칭부(325)는 제 1 및 제 2 주사선(Sn-1, Sn)에 공급되는 제 1 및 제 2 주사신호에 따라 데이터선(Dm)에 공급된 데이터 신호에 대응되는 전류를 제 1 전원(V1)으로부터 다이오드형 트랜지스터(Md)로 출력한다. 이때, 스위칭부(325)는 적어도 2개의 트랜지스터와 적어도 하나의 커패시터로 구성된다. 여기서, 트랜지스터는 P 타입 또는 N 타입 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)가 될 수 있고, 이하 P타입 트랜지스터를 일 예로 들어 설명하기로 한다.The switching unit 325 is electrically connected to the data line Dm, the first and second scan lines Sn-1 and Sn, the first power supply V1, and the diode transistor Md. The switching unit 325 receives a current corresponding to the data signal supplied to the data line Dm according to the first and second scan signals supplied to the first and second scan lines Sn-1 and Sn. It outputs from the power supply V1 to the diode transistor Md. At this time, the switching unit 325 is composed of at least two transistors and at least one capacitor. Here, the transistor may be a P-type or N-type metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET), which will be described below using the P-type transistor as an example.

다이오드형 트랜지스터(Md)는 P타입 트랜지스터로써, 스위칭부(325)에 전기적으로 접속되는 소스 전극과, 스위칭 소자(SW)에 전기적으로 접속되는 드레인 전극과, 자신의 드레인 전극에 전기적으로 접속되는 게이트 전극을 구비한다. 이러한, 다이오드형 트랜지스터(Md)는 스위칭부(325)와 스위칭 소자(SW) 사이에 다이오드 형태로 접속되는 스위칭부(325)로부터 발광소자(OLED)에 흐르는 전류를 제한한다.The diode-type transistor Md is a P-type transistor, which is a source electrode electrically connected to the switching unit 325, a drain electrode electrically connected to the switching element SW, and a gate electrically connected to the drain electrode thereof. An electrode is provided. The diode-type transistor Md limits the current flowing through the light emitting device OLED from the switching unit 325 connected in a diode form between the switching unit 325 and the switching device SW.

스위칭 소자(SW)는 발광 제어선(E)에 전기적으로 접속되는 게이트 전극, 다이오드형 트랜지스터(Md)의 드레인 전극에 전기적으로 접속되는 소스 전극 및 발광소자(OLED)의 애노드 전극에 전기적으로 접속되는 드레인 전극을 가지는 P 타입의 트랜지스터이다. 이러한, 스위칭 소자(SW)는 발광 제어선(E)에 공급되는 발광 제어신호에 따라 다이오드형 트랜지스터(Md)로부터 공급되는 전류를 발광소자(OLED)의 애노드 전극에 공급한다.The switching element SW is electrically connected to a gate electrode electrically connected to the emission control line E, a source electrode electrically connected to the drain electrode of the diode-type transistor Md, and an anode electrode of the light emitting element OLED. It is a P type transistor having a drain electrode. The switching element SW supplies the current supplied from the diode-type transistor Md to the anode electrode of the light emitting element OLED in accordance with the light emission control signal supplied to the light emission control line E.

발광소자(OLED)의 애노드 전극은 스위칭 소자(SW)의 출력단에 전기적으로 접속되고, 캐소드 전극은 제 2 전원(V2)에 전기적으로 접속된다. 이때, 스위칭부(325)가 P 타입 트랜지스터로 구성될 경우 제 2 전원(V2)은 제 1 전원(V1)보다 낮은 전압레벨을 가지며, 그라운드 전압레벨을 가질 수 있다. 이러한, 발광소자(OLED)는 스위칭 소자(SW)가 온되는 구간 동안 스위칭 소자(SW)를 통해 제 2 트랜지스터(M2)로부터 공급되는 전류에 의해 발광하여 화상을 표시하게 된다.The anode electrode of the light emitting element OLED is electrically connected to the output terminal of the switching element SW, and the cathode electrode is electrically connected to the second power source V2. In this case, when the switching unit 325 is configured of a P-type transistor, the second power source V2 may have a lower voltage level than the first power source V1 and may have a ground voltage level. The light emitting device OLED emits light by a current supplied from the second transistor M2 through the switching device SW during the period in which the switching device SW is turned on to display an image.

도 16은 P 타입 트랜지스터를 포함하는 도 15에 도시된 스위칭부(325)를 가지는 화소(321)를 나타내는 회로도이다.FIG. 16 is a circuit diagram illustrating a pixel 321 having the switching unit 325 illustrated in FIG. 15 including a P-type transistor.

도 16을 도 15와 결부하면, 각 화소(321)의 스위칭부(325)는 제 1 내지 제 4 트랜지스터(M1 내지 M4)와, 제 1 및 제 2 커패시터(C1, C2)를 구비한다.Referring to FIG. 16 and FIG. 15, the switching unit 325 of each pixel 321 includes first to fourth transistors M1 to M4 and first and second capacitors C1 and C2.

제 1 트랜지스터(M1)의 게이트 전극은 제 N 주사선(Sn)에 전기적으로 접속된다. 그리고, 제 1 트랜지스터(M1)의 소스 전극은 데이터선(Dm)에 전기적으로 접속되고, 드레인 전극은 제 1 노드(N1)에 전기적으로 접속된다. 이러한, 제 1 트랜지스터(M1)는 제 N 주사선(Sn)에 공급되는 제 1 주사신호에 응답하여 데이터선(Dm)으로부터의 데이터 신호를 제 1 노드(N1)에 공급한다.The gate electrode of the first transistor M1 is electrically connected to the Nth scan line Sn. The source electrode of the first transistor M1 is electrically connected to the data line Dm, and the drain electrode is electrically connected to the first node N1. The first transistor M1 supplies the data signal from the data line Dm to the first node N1 in response to the first scan signal supplied to the Nth scan line Sn.

제 2 트랜지스터(M2)의 게이트 전극은 제 2 노드(N2)에 전기적으로 접속된다. 그리고, 제 2 트랜지스터(M2)의 소스 전극은 제 1 전원(VDD)에 전기적으로 접속되고, 드레인 전극은 제 3 노드(N3)를 통해 다이오드형 트랜지스터(Md)에 전기적으로 접속된다. 이러한, 제 2 트랜지스터(M2)는 자신의 게이트-소스간의 전압에 대응되는 전류를 제 1 전원(VDD)으로부터 다이오드형 트랜지스터(Md)로 출력한다.The gate electrode of the second transistor M2 is electrically connected to the second node N2. The source electrode of the second transistor M2 is electrically connected to the first power supply VDD, and the drain electrode is electrically connected to the diode transistor Md through the third node N3. The second transistor M2 outputs a current corresponding to the voltage between its gate and source from the first power supply VDD to the diode transistor Md.

제 3 트랜지스터(M3)의 게이트 전극은 제 N-1 주사선(Sn-1)에 전기적으로 접속된다. 그리고, 제 3 트랜지스터의 소스 전극은 제 2 노드(N2)에 전기적으로 접속되고, 드레인 전극은 제 3 노드(N3)에 전기적으로 접속된다. 이러한, 제 3 트랜지스터(M3)는 제 N-1 주사선(Sn-1)에 공급되는 제 2 주사신호에 응답하여 제 2 트랜지스터(M2)를 다이오드 형태로 연결시킨다.The gate electrode of the third transistor M3 is electrically connected to the N-1th scan line Sn-1. The source electrode of the third transistor is electrically connected to the second node N2, and the drain electrode is electrically connected to the third node N3. The third transistor M3 connects the second transistor M2 in the form of a diode in response to the second scan signal supplied to the N-1 scan line Sn-1.

제 4 트랜지스터(M4)의 게이트 전극은 제 N-1 주사선(Sn-1)에 전기적으로 접속된다. 그리고, 제 4 트랜지스터(M4)의 소스 전극은 제 1 전원(VDD)에 전기적으로 접속되고, 드레인 전극은 제 1 노드(N1)에 전기적으로 접속된다. 이러한, 제 4 트랜지스터(M4)는 제 N-1 주사선(Sn-1)에 공급되는 제 2 주사신호에 응답하여 제 1 전원(VDD)으로부터의 전압을 제 1 노드(N1)에 공급한다.The gate electrode of the fourth transistor M4 is electrically connected to the N-th scan line Sn-1. The source electrode of the fourth transistor M4 is electrically connected to the first power supply VDD, and the drain electrode is electrically connected to the first node N1. The fourth transistor M4 supplies the voltage from the first power supply VDD to the first node N1 in response to the second scan signal supplied to the N-1 scan line Sn-1.

제 1 커패시터(C1)는 제 1 전원(VDD)에 전기적으로 접속되는 제 1 전극과 제 1 노드(N1)에 전기적으로 접속되는 제 2 전극을 구비한다. 이러한, 제 1 커패시터(C1)는 제 N 주사선(Sn)에 제 1 주사신호가 공급되는 구간에 제 1 트랜지스터(M1)를 통해 제 1 노드(N1) 상에 공급되는 데이터 신호를 저장한 후, 제 1 트랜지스터(M1)가 오프되면 저장된 전압을 제 2 트랜지스터(M2)의 게이트 전극에 공급한다.The first capacitor C1 includes a first electrode electrically connected to the first power supply VDD and a second electrode electrically connected to the first node N1. The first capacitor C1 stores a data signal supplied on the first node N1 through the first transistor M1 in a section in which the first scan signal is supplied to the Nth scan line Sn. When the first transistor M1 is turned off, the stored voltage is supplied to the gate electrode of the second transistor M2.

제 2 커패시터(C2)는 제 N-1 주사선(Sn-1)에 제 2 주사신호가 공급되는 구간에 제 1 전원(VDD)으로부터 제 2 트랜지스터(M2)의 문턱전압(Vth)에 상응하는 전압을 저장한다. 즉, 제 2 커패시터(C2)는 제 3 및 제 4 트랜지스터(M3, M4)의 스위칭에 따라 제 2 트랜지스터(M2)의 문턱전압(Vth)을 보상하기 위한 보상전압을 저장하게 된다.The second capacitor C2 corresponds to the threshold voltage Vth of the second transistor M2 from the first power supply VDD in a period where the second scan signal is supplied to the N-1 scan line Sn-1. Save it. That is, the second capacitor C2 stores a compensation voltage for compensating the threshold voltage Vth of the second transistor M2 according to the switching of the third and fourth transistors M3 and M4.

이와 같은, 각 화소(321)의 스위칭부(325)는 제 1 내지 제 4 트랜지스터(M1 내지 M4)와 제 1 및 제 2 커패시터(C1, C2)를 이용하여 제 1 및 제 2 주사선(Sn, Sn-1)에 공급되는 제 1 및 제 2 주사신호에 따라 데이터선(Dm)에 공급되는 데이터 신호에 대응되는 전류를 제 1 전원(VDD)으로부터 다이오드형 트랜지스터(Md)로 출력하게 된다.As described above, the switching unit 325 of each pixel 321 uses the first to fourth transistors M1 to M4 and the first and second capacitors C1 and C2 to provide the first and second scan lines Sn, The current corresponding to the data signal supplied to the data line Dm is output from the first power supply VDD to the diode transistor Md in accordance with the first and second scan signals supplied to Sn-1.

도 17은 본 발명의 제 6 실시 예에 따른 발광 표시장치의 각 화소(321)를 나타내는 도면이다.17 is a diagram illustrating each pixel 321 of a light emitting display device according to a sixth embodiment of the present invention.

도 17을 참조하면, 본 발명의 제 6 실시 예에 따른 발광 표시장치의 각 화소(321)는 발광소자(OLED), 스위칭부(325), 다이오드형 트랜지스터(Md) 및 스위칭 소자(SW)를 포함한다. 여기서, 본 발명의 제 6 실시 예에 따른 발광 표시장치의 각 화소(321)는 다이오드형 트랜지스터(Md)를 제외하고는 도 15에 도시된 본 발명의 제 5 실시 예와 동일한 구조를 가지게 된다. 이에 따라, 본 발명의 제 6 실시 예에서는 다이오드형 트랜지스터(Md)를 제외한 다른 구성에 대한 설명은 상술한 제 5 실시 예에 대한 설명으로 대신하기로 한다.Referring to FIG. 17, each pixel 321 of the light emitting display device according to the sixth exemplary embodiment of the present invention includes a light emitting device OLED, a switching unit 325, a diode transistor Md, and a switching device SW. Include. Here, each pixel 321 of the light emitting display according to the sixth embodiment of the present invention has the same structure as the fifth embodiment of the present invention shown in FIG. 15 except for the diode-type transistor Md. Accordingly, in the sixth embodiment of the present invention, the description of other components except for the diode-type transistor Md will be replaced with the description of the fifth embodiment.

본 발명의 제 6 실시 예에 따른 발광 표시장치의 각 화소(321)에서 다이오드형 트랜지스터(Md)는 N타입 트랜지스터로써, 스위칭부(325)에 전기적으로 접속되는 소스 전극과, 발광소자(OLED)에 전기적으로 접속되는 드레인 전극과, 자신의 소스 전극에 전기적으로 접속되는 게이트 전극을 구비한다. 이러한, 다이오드형 트랜지스터(Md)는 스위칭부(325)와 발광소자(OLED) 사이에 다이오드 형태로 접속되는 스위칭부(325)로부터 발광소자(OLED)에 흐르는 전류를 제한한다.In each pixel 321 of the light emitting display according to the sixth exemplary embodiment, the diode-type transistor Md is an N-type transistor, a source electrode electrically connected to the switching unit 325, and a light emitting device OLED. And a drain electrode electrically connected to the gate electrode, and a gate electrode electrically connected to its source electrode. Such a diode-type transistor Md restricts a current flowing through the light emitting device OLED from the switching unit 325 connected in a diode form between the switching unit 325 and the light emitting device OLED.

한편, 본 발명의 제 6 실시 예에 따른 발광 표시장치의 각 화소(321)에서 스위칭부(325)는 도 16에 도시된 바와 같이 4개의 트랜지스터와 2개의 커패시터로 구성된다. 이러한, 스위칭부(325)에 대한 자세한 설명은 도 16에 대한 설명으로 대신하기로 한다.Meanwhile, in each pixel 321 of the light emitting display device according to the sixth exemplary embodiment, the switching unit 325 includes four transistors and two capacitors, as shown in FIG. 16. The detailed description of the switching unit 325 will be replaced with the description of FIG. 16.

도 18은 본 발명의 제 7 실시 예에 따른 발광 표시장치의 각 화소(421)를 나타내는 도면이다.18 is a diagram illustrating each pixel 421 of the light emitting display device according to the seventh exemplary embodiment.

도 18을 참조하면, 본 발명의 제 7 실시 예에 따른 발광 표시장치의 각 화소(421)는 발광소자(OLED), 스위칭부(425), 다이오드형 트랜지스터(Md) 및 스위칭 소자(SW)를 포함한다.Referring to FIG. 18, each pixel 421 of the light emitting display device according to the seventh embodiment of the present invention includes a light emitting device OLED, a switching unit 425, a diode-type transistor Md, and a switching device SW. Include.

발광소자(OLED)는 다이오드형 트랜지스터(Md) 및 스위칭 소자(SW)를 통해 스위칭부(425)로부터 공급되는 데이터 신호에 대응되는 전류에 의해 발광하여 화상을 표시하게 된다.The light emitting device OLED emits light by a current corresponding to a data signal supplied from the switching unit 425 through the diode-type transistor Md and the switching device SW to display an image.

스위칭부(425)는 데이터선(Dm), 제 1 및 제 2 주사선(Sn-1, Sn), 발광 제어선(En), 제 1 전원(V1) 및 다이오드형 트랜지스터(Md)에 전기적으로 접속된다. 이러한, 스위칭부(425)는 제 1 및 제 2 주사선(Sn-1, Sn)에 공급되는 제 1 및 제 2 주사신호 및 발광 제어선(En)에 공급되는 발광 제어신호에 응답하여 데이터선(Dm)에 공급된 데이터 신호에 대응되는 전류를 제 1 전원(V1)으로부터 다이오드형 트랜지스터(Md)로 출력한다. 이때, 스위칭부(425)는 적어도 2개의 트랜지스터와 적어도 하나의 커패시터로 구성된다. 여기서, 트랜지스터는 P 타입 또는 N 타입 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)가 될 수 있고, 이하 P타입 트랜지스터를 일 예로 들어 설명하기로 한다.The switching unit 425 is electrically connected to the data line Dm, the first and second scan lines Sn-1 and Sn, the light emission control line En, the first power supply V1, and the diode-type transistor Md. do. The switching unit 425 may include the first and second scan signals supplied to the first and second scan lines Sn-1 and Sn and the emission control signal supplied to the emission control line En. A current corresponding to the data signal supplied to Dm) is output from the first power supply V1 to the diode transistor Md. In this case, the switching unit 425 is composed of at least two transistors and at least one capacitor. Here, the transistor may be a P-type or N-type metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET), which will be described below using the P-type transistor as an example.

다이오드형 트랜지스터(Md)는 P타입 트랜지스터로써, 스위칭부(425)에 전기적으로 접속되는 소스 전극과, 스위칭 소자(SW)에 전기적으로 접속되는 드레인 전 극과, 자신의 드레인 전극에 전기적으로 접속되는 게이트 전극을 구비한다. 이러한, 다이오드형 트랜지스터(Md)는 스위칭부(425)와 스위칭 소자(SW) 사이에 다이오드 형태로 접속되는 스위칭부(425)로부터 발광소자(OLED)에 흐르는 전류를 제한한다.The diode-type transistor Md is a P-type transistor, which is electrically connected to a source electrode electrically connected to the switching unit 425, a drain electrode electrically connected to the switching element SW, and a drain electrode thereof. A gate electrode is provided. The diode-type transistor Md limits the current flowing through the light emitting device OLED from the switching unit 425 which is connected in a diode form between the switching unit 425 and the switching device SW.

스위칭 소자(SW)는 발광 제어선(E)에 전기적으로 접속되는 게이트 전극, 다이오드형 트랜지스터(Md)의 드레인 전극에 전기적으로 접속되는 소스 전극 및 발광소자(OLED)의 애노드 전극에 전기적으로 접속되는 드레인 전극을 가지는 P 타입의 트랜지스터이다. 이러한, 스위칭 소자(SW)는 발광 제어선(En)에 공급되는 발광 제어신호에 따라 다이오드형 트랜지스터(Md)로부터 공급되는 전류를 발광소자(OLED)의 애노드 전극에 공급한다.The switching element SW is electrically connected to a gate electrode electrically connected to the emission control line E, a source electrode electrically connected to the drain electrode of the diode-type transistor Md, and an anode electrode of the light emitting element OLED. It is a P type transistor having a drain electrode. The switching element SW supplies a current supplied from the diode-type transistor Md to the anode electrode of the light emitting element OLED according to the light emission control signal supplied to the light emission control line En.

발광소자(OLED)의 애노드 전극은 스위칭 소자(SW)의 출력단에 전기적으로 접속되고, 캐소드 전극은 제 2 전원(V2)에 전기적으로 접속된다. 이때, 스위칭부(425)가 P 타입 트랜지스터로 구성될 경우 제 2 전원(V2)은 제 1 전원(V1)보다 낮은 전압레벨을 가지며, 그라운드 전압레벨을 가질 수 있다. 이러한, 발광소자(OLED)는 스위칭 소자(SW)가 온되는 구간 동안 스위칭 소자(SW)를 통해 제 2 트랜지스터(M2)로부터 공급되는 전류에 의해 발광하여 화상을 표시하게 된다. The anode electrode of the light emitting element OLED is electrically connected to the output terminal of the switching element SW, and the cathode electrode is electrically connected to the second power source V2. In this case, when the switching unit 425 is configured of a P-type transistor, the second power source V2 may have a lower voltage level than the first power source V1 and may have a ground voltage level. The light emitting device OLED emits light by a current supplied from the second transistor M2 through the switching device SW during the period in which the switching device SW is turned on to display an image.

도 19는 P 타입 트랜지스터를 포함하는 도 18에 도시된 스위칭부(425)를 가지는 화소(421)를 나타내는 회로도이다.19 is a circuit diagram illustrating a pixel 421 having a switching unit 425 shown in FIG. 18 including a P-type transistor.

도 19를 도 18과 결부하면, 각 화소(421)의 스위칭부(425)는 제 1 내지 제 5 트랜지스터(M1 내지 M5) 및 커패시터(C1)를 구비한다.Referring to FIG. 19 and FIG. 18, the switching unit 425 of each pixel 421 includes first to fifth transistors M1 to M5 and a capacitor C1.

제 1 트랜지스터(M1)의 게이트 전극은 제 1 주사선(Sn)에 전기적으로 접속된다. 그리고, 제 1 트랜지스터(M1)의 소스 전극은 데이터선(Dm)에 전기적으로 접속되고, 드레인 전극은 제 1 노드(N1)에 전기적으로 접속된다. 이러한, 제 1 트랜지스터(M1)는 제 1 주사선(Sn)에 제 1 주사신호가 공급될 때 턴-온되어 데이터선(Dm)으로부터 공급되는 데이터 신호를 제 1 노드(N1)로 공급한다.The gate electrode of the first transistor M1 is electrically connected to the first scan line Sn. The source electrode of the first transistor M1 is electrically connected to the data line Dm, and the drain electrode is electrically connected to the first node N1. The first transistor M1 is turned on when the first scan signal is supplied to the first scan line Sn and supplies the data signal supplied from the data line Dm to the first node N1.

제 2 트랜지스터(M2)의 제 2 노드(N2)를 통해 커패시터(C)의 제 1 전극에 전기적으로 접속된다. 그리고, 제 2 트랜지스터(M2)의 소스 전극은 제 1 노드(N1)에 전기적으로 접속되고, 드레인 전극은 다이오드형 트랜지스터(Md)의 소스 전극에 전기적으로 접속된다. 이러한, 제 2 트랜지스터(M2)는 커패시터(C)에 충전된 전압에 대응되는 전류를 다이오드형 트랜지스터(Md)로 공급한다.It is electrically connected to the first electrode of the capacitor C through the second node N2 of the second transistor M2. The source electrode of the second transistor M2 is electrically connected to the first node N1, and the drain electrode is electrically connected to the source electrode of the diode transistor Md. The second transistor M2 supplies a current corresponding to the voltage charged in the capacitor C to the diode-type transistor Md.

제 3 트랜지스터(M3)의 게이트 전극은 제 1 주사선(Sn)에 전기적으로 접속된다. 그리고, 제 3 트랜지스터(M3)의 소스 전극은 제 2 노드(N2), 즉 제 2 트랜지스터(M2)의 게이트 전극에 전기적으로 접속되고, 드레인 전극은 제 2 트랜지스터(M2)의 드레인 전극 및 다이오드형 트랜지스터(Md)의 소스 전극에 공통으로 접속된다. 이러한, 제 3 트랜지스터(M3)는 제 1 주사선(Sn)에 제 1 주사신호가 공급될 때 턴-온되어 제 2 트랜지스터(M2)를 다이오드 형태로 접속시킨다. 즉, 제 3 트랜지스터(M3)가 턴-온될 때, 제 2 트랜지스터(M2)는 다이오드 형태로 접속된다.The gate electrode of the third transistor M3 is electrically connected to the first scan line Sn. The source electrode of the third transistor M3 is electrically connected to the second node N2, that is, the gate electrode of the second transistor M2, and the drain electrode is a drain electrode and a diode type of the second transistor M2. It is commonly connected to the source electrode of the transistor Md. The third transistor M3 is turned on when the first scan signal is supplied to the first scan line Sn to connect the second transistor M2 in the form of a diode. That is, when the third transistor M3 is turned on, the second transistor M2 is connected in the form of a diode.

제 4 트랜지스터(M4)의 게이트 전극은 발광 제어선(E)에 전기적으로 접속된다. 그리고, 제 4 트랜지스터(M4)의 소스 전극은 제 1 전원(VDD)에 전기적으로 접 속되고, 드레인 전극은 제 1 노드(N1)에 전기적으로 접속된다. 이러한, 제 4 트랜지스터(M4)는 발광 제어선(En)에 공급되는 발광 제어신호에 따라 제 1 전원(VDD)을 제 1 노드(N1)에 전기적으로 접속시킨다.The gate electrode of the fourth transistor M4 is electrically connected to the light emission control line E. FIG. The source electrode of the fourth transistor M4 is electrically connected to the first power source VDD, and the drain electrode is electrically connected to the first node N1. The fourth transistor M4 electrically connects the first power source VDD to the first node N1 according to the emission control signal supplied to the emission control line En.

제 5 트랜지스터(M5)의 게이트 전극은 제 2 주사선(Sn-1)에 전기적으로 접속된다. 그리고, 제 5 트랜지스터(M5)의 소스 전극은 커패시터(C)의 제 1 전극에 전기적으로 접속되고, 드레인 전극은 제 2 주사선(Sn-1)에 전기적으로 접속된다. 즉, 제 5 트랜지스터(M5)의 게이트 전극 및 드레인 전극은 제 2 주사선(Sn-1)에 공통적으로 접속됨으로써 다이오드형 접속상태가 된다. 이러한, 제 5 트랜지스터(M5)는 제 2 주사선(Sn-1)에 제 2 주사신호가 공급될 때 턴-온되어 제 2 주사신호를 제 2 노드(N2)에 공급하게 된다. 이에 따라, 제 5 트랜지스터(M6)는 제 2 주사선(Sn-1)에 공급되는 제 2 주사신호를 이용하여 커패시터(C) 및 제 2 트랜지스터(M2)의 게이트 전극을 초기화시킨다.The gate electrode of the fifth transistor M5 is electrically connected to the second scan line Sn-1. The source electrode of the fifth transistor M5 is electrically connected to the first electrode of the capacitor C, and the drain electrode is electrically connected to the second scan line Sn-1. That is, the gate electrode and the drain electrode of the fifth transistor M5 are connected to the second scan line Sn-1 in common, thereby being in a diode-type connection state. The fifth transistor M5 is turned on when the second scan signal is supplied to the second scan line Sn- 1 to supply the second scan signal to the second node N2. Accordingly, the fifth transistor M6 initializes the gate electrodes of the capacitor C and the second transistor M2 using the second scan signal supplied to the second scan line Sn-1.

커패시터(C)는 제 2 노드(N2)에 전기적으로 접속되는 제 1 전극과 제 1 전원(VDD)에 전기적으로 접속되는 제 2 전극을 가진다. 이러한, 커패시터(C)는 제 2 주사선(Sn-1)에 공급되는 제 2 주사신호에 의해 초기화된다. 그리고, 커패시터(C)는 제 1 주사선(Sn)에 제 1 주사신호가 공급되는 구간에 제 1 및 제 2 트랜지스터(M1, M2)를 통해 데이터선(Dm)으로부터의 데이터 신호에 대응되는 전압을 저장한 후, 제 1 트랜지스터(M1)가 턴-오프되면 저장된 전압을 이용하여 제 2 트랜지스터(M2)의 온 상태를 유지시키게 된다.The capacitor C has a first electrode electrically connected to the second node N2 and a second electrode electrically connected to the first power source VDD. The capacitor C is initialized by the second scan signal supplied to the second scan line Sn-1. The capacitor C receives a voltage corresponding to the data signal from the data line Dm through the first and second transistors M1 and M2 in a section in which the first scan signal is supplied to the first scan line Sn. After storing, when the first transistor M1 is turned off, the second transistor M2 is maintained in the on state by using the stored voltage.

이와 같은, 각 화소(421)의 스위칭부(425)는 제 1 내지 제 5 트랜지스터(M1 내지 M5)와 커패시터(C)를 이용하여 제 1 및 제 2 주사선(Sn-1, Sn)에 공급되는 제 1 및 제 2 주사신호 및 발광 제어선(En)에 공급되는 발광 제어신호에 응답하여 데이터선(Dm)에 공급된 데이터 신호에 대응되는 전류를 제 1 전원(V1)으로부터 다이오드형 트랜지스터(Md)로 출력하게 된다.As described above, the switching unit 425 of each pixel 421 is supplied to the first and second scan lines Sn-1 and Sn by using the first to fifth transistors M1 to M5 and the capacitor C. In response to the light emission control signal supplied to the first and second scan signals and the light emission control line En, a current corresponding to the data signal supplied to the data line Dm is supplied from the first power source V1 to the diode transistor Md. Will be printed.

도 20은 본 발명의 제 8 실시 예에 따른 발광 표시장치의 각 화소(421)를 나타내는 도면이다.20 is a diagram illustrating each pixel 421 of the light emitting display device according to the eighth embodiment.

도 20을 참조하면, 본 발명의 제 8 실시 예에 따른 발광 표시장치의 각 화소(421)는 발광소자(OLED), 스위칭부(425), 다이오드형 트랜지스터(Md) 및 스위칭 소자(SW)를 포함한다. 여기서, 본 발명의 제 8 실시 예에 따른 발광 표시장치의 각 화소(421)는 다이오드형 트랜지스터(Md)를 제외하고는 도 18에 도시된 본 발명의 제 7 실시 예와 동일한 구조를 가지게 된다. 이에 따라, 본 발명의 제 8 실시 예에서는 다이오드형 트랜지스터(Md)를 제외한 다른 구성에 대한 설명은 상술한 제 7 실시 예에 대한 설명으로 대신하기로 한다.Referring to FIG. 20, each pixel 421 of the light emitting display device according to the eighth exemplary embodiment may include a light emitting device OLED, a switching unit 425, a diode transistor Md, and a switching device SW. Include. Here, each pixel 421 of the light emitting display device according to the eighth exemplary embodiment has the same structure as the seventh exemplary embodiment of the present invention illustrated in FIG. 18 except for the diode-type transistor Md. Accordingly, in the eighth embodiment of the present invention, the description of other components except for the diode-type transistor Md will be replaced with the description of the seventh embodiment.

본 발명의 제 8 실시 예에 따른 발광 표시장치의 각 화소(421)에서 다이오드형 트랜지스터(Md)는 N타입 트랜지스터로써, 스위칭부(425)에 전기적으로 접속되는 소스 전극과, 발광소자(OLED)에 전기적으로 접속되는 드레인 전극과, 자신의 소스 전극에 전기적으로 접속되는 게이트 전극을 구비한다. 이러한, 다이오드형 트랜지스터(Md)는 스위칭부(425)와 발광소자(OLED) 사이에 다이오드 형태로 접속되는 스위칭부(425)로부터 발광소자(OLED)에 흐르는 전류를 제한한다.In each pixel 421 of the light emitting display according to the eighth embodiment, the diode-type transistor Md is an N-type transistor, a source electrode electrically connected to the switching unit 425, and a light emitting element OLED. And a drain electrode electrically connected to the gate electrode, and a gate electrode electrically connected to its source electrode. The diode-type transistor Md limits the current flowing through the light emitting device OLED from the switching unit 425 which is connected in a diode form between the switching unit 425 and the light emitting device OLED.

한편, 본 발명의 제 8 실시 예에 따른 발광 표시장치의 각 화소(421)에서 스위칭부(425)는 도 19에 도시된 바와 같이 5개의 트랜지스터(M1 내지 M5)와 1개의 커패시터(C)로 구성된다. 이러한, 스위칭부(425)에 대한 자세한 설명은 도 19에 대한 설명으로 대신하기로 한다.On the other hand, in each pixel 421 of the light emitting display device according to the eighth embodiment of the present invention, the switching unit 425 is composed of five transistors M1 to M5 and one capacitor C as shown in FIG. 19. It is composed. Such a detailed description of the switching unit 425 will be replaced with the description of FIG. 19.

상기 발명의 상세한 설명과 도면은 단지 본 발명의 예시적인 것으로서, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 따라서, 이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 보호 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다.The above detailed description and drawings are merely exemplary of the present invention, which are used only for the purpose of illustrating the present invention and are not intended to limit the scope of the present invention as defined in the claims or the claims. Accordingly, those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Therefore, the technical protection scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 화소와 이를 가지는 발광 표시장치는 다이오드형 트랜지스터를 이용하여 발광소자에 전류를 공급하는 트랜지스터의 문턱전압이 불균일로 인하여 발광소자에 공급되는 전류의 변동을 최소화하게 된다. 이에 따라, 본 발명은 각 화소의 전체 휘도를 균일하게 하여 화질 저하를 방지할 수 있다.
As described above, the pixel and the light emitting display device having the same according to the exemplary embodiment of the present invention can change the current supplied to the light emitting device due to the non-uniform threshold voltage of the transistor supplying the current to the light emitting device. Will be minimized. Accordingly, the present invention can prevent the deterioration of image quality by making the overall luminance of each pixel uniform.

Claims (14)

주사선에 공급되는 주사신호에 따라 데이터선에 공급되는 데이터 신호에 대응되는 전류를 출력하는 스위칭부와,A switching unit for outputting a current corresponding to the data signal supplied to the data line according to the scan signal supplied to the scan line; 상기 스위칭부로부터 공급되는 전류에 의해 발광하는 발광소자와,A light emitting device that emits light by a current supplied from the switching unit, 상기 스위칭부와 상기 발광소자 사이에 다이오드 형태로 접속되는 트랜지스터를 구비하며,A transistor connected in a diode form between the switching unit and the light emitting element, 상기 스위칭부는, The switching unit, 제 1 주사선에 공급되는 제 1 주사신호에 의해 제어되며 상기 데이터 신호를 제 1 노드에 공급하는 제 1 트랜지스터와,A first transistor controlled by a first scan signal supplied to a first scan line and supplying the data signal to a first node; 자신의 게이트-소스간의 전압에 의해 구동되며 상기 전류를 상기 트랜지스터로 출력하는 제 2 트랜지스터와,A second transistor driven by a voltage between its gate and source and outputting the current to the transistor; 제 2 주사선에 공급되는 제 2 주사신호에 의해 제어되며 상기 제 2 트랜지스터를 다이오드 형태로 접속시키는 제 3 트랜지스터와,A third transistor controlled by a second scan signal supplied to a second scan line and connecting the second transistor in the form of a diode; 상기 제 2 주사신호에 의해 제어되며 제 1 전원을 상기 제 1 노드에 공급하는 제 4 트랜지스터와,A fourth transistor controlled by the second scan signal and supplying a first power source to the first node; 상기 제 1 노드와 상기 제 1 전원간에 접속되어 상기 데이터 신호에 대응되는 전압을 저장하는 제 1 커패시터와,A first capacitor connected between the first node and the first power source to store a voltage corresponding to the data signal; 상기 제 1 노드와 상기 제 2 트랜지스터의 게이트 전극간에 접속되어 상기 제 2 트랜지스터의 문턱전압을 저장하는 제 2 커패시터를 구비하는 화소.And a second capacitor connected between the first node and the gate electrode of the second transistor to store the threshold voltage of the second transistor. 주사선에 공급되는 주사신호에 따라 데이터선에 공급되는 데이터 신호에 대응되는 전류를 출력하는 스위칭부와,A switching unit for outputting a current corresponding to the data signal supplied to the data line according to the scan signal supplied to the scan line; 상기 스위칭부로부터 공급되는 전류에 의해 발광하는 발광소자와,A light emitting device that emits light by a current supplied from the switching unit, 상기 스위칭부와 상기 발광소자 사이에 다이오드 형태로 접속되는 트랜지스터와;A transistor connected in a diode form between the switching unit and the light emitting element; 발광 제어선에 공급되는 발광 제어신호에 의해 제어되며, 상기 트랜지스터와 상기 발광소자 사이에 전기적으로 접속되어 상기 트랜지스터와 상기 발광소자간의 전류패스를 형성하는 스위칭 소자를 구비하며,A switching element controlled by an emission control signal supplied to an emission control line, the switching element being electrically connected between the transistor and the light emitting element to form a current path between the transistor and the light emitting element, 상기 스위칭부는,The switching unit, 제 1 주사선에 공급되는 제 1 주사신호에 의해 제어되며 상기 데이터 신호를 제 1 노드에 공급하는 제 1 트랜지스터와,A first transistor controlled by a first scan signal supplied to a first scan line and supplying the data signal to a first node; 자신의 게이트-소스간의 전압에 의해 구동되며 상기 전류를 상기 트랜지스터로 출력하는 제 2 트랜지스터와,A second transistor driven by a voltage between its gate and source and outputting the current to the transistor; 상기 제 1 주사신호에 의해 제어되며 상기 제 2 트랜지스터를 다이오드 형태로 접속시키는 제 3 트랜지스터와,A third transistor controlled by the first scan signal and connecting the second transistor in the form of a diode; 상기 발광 제어신호에 의해 제어되며 제 1 전원을 상기 제 1 노드에 공급하는 제 4 트랜지스터와,A fourth transistor controlled by the light emission control signal and supplying a first power source to the first node; 상기 제 2 트랜지스터의 게이트 전극에 접속된 제 2 노드와 상기 제 1 전원간에 전기적으로 접속되어 상기 데이터 신호에 대응되는 전압을 저장하는 커패시터와,A capacitor electrically connected between a second node connected to the gate electrode of the second transistor and the first power source to store a voltage corresponding to the data signal; 제 2 주사선에 공급되는 제 2 주사신호에 의해 제어되며 상기 제 2 주사선에 다이오드 형태로 접속되어 상기 제 2 주사신호를 상기 제 2 노드에 공급하는 제 5 트랜지스터를 구비하는 화소.And a fifth transistor controlled by a second scan signal supplied to a second scan line and connected to the second scan line in the form of a diode to supply the second scan signal to the second node. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 다이오드 형태로 접속되는 트랜지스터는 P 타입 및 N 타입 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 화소.And the transistor connected in the form of a diode is one of a P type and an N type. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 복수의 주사선과 복수의 데이터선 및 복수의 전원선에 의해 정의되는 복수의 화소를 구비하며,A plurality of pixels defined by a plurality of scanning lines, a plurality of data lines, and a plurality of power lines; 상기 각 화소는,Each pixel, 상기 주사선에 공급되는 주사신호에 따라 상기 데이터선에 공급되는 데이터 신호에 대응되는 전류를 상기 전원선으로부터 출력하는 스위칭부와,A switching unit for outputting a current corresponding to the data signal supplied to the data line from the power supply line according to the scan signal supplied to the scan line; 상기 스위칭부로부터 공급되는 상기 전류에 의해 발광하는 발광소자와,A light emitting element emitting light by the current supplied from the switching unit; 상기 스위칭부와 상기 발광소자 사이에 다이오드 형태로 접속되는 트랜지스터를 구비하며,A transistor connected in a diode form between the switching unit and the light emitting element, 상기 스위칭부는,The switching unit, 제 1 주사선에 공급되는 제 1 주사신호에 의해 제어되며 상기 데이터 신호를 제 1 노드에 공급하는 제 1 트랜지스터와, A first transistor controlled by a first scan signal supplied to a first scan line and supplying the data signal to a first node; 자신의 게이트-소스간의 전압에 의해 구동되며 상기 전류를 상기 트랜지스터로 출력하는 제 2 트랜지스터와,A second transistor driven by a voltage between its gate and source and outputting the current to the transistor; 제 2 주사선에 공급되는 제 2 주사신호에 의해 제어되며 상기 제 2 트랜지스터를 다이오드 형태로 접속시키는 제 3 트랜지스터와,A third transistor controlled by a second scan signal supplied to a second scan line and connecting the second transistor in the form of a diode; 상기 제 2 주사신호에 의해 제어되며 제 1 전원을 상기 제 1 노드에 공급하는 제 4 트랜지스터와,A fourth transistor controlled by the second scan signal and supplying a first power source to the first node; 상기 제 1 노드와 상기 제 1 전원간에 접속되어 상기 데이터 신호에 대응되는 전압을 저장하는 제 1 커패시터와,A first capacitor connected between the first node and the first power source to store a voltage corresponding to the data signal; 상기 제 1 노드와 상기 제 2 트랜지스터의 게이트 전극간에 접속되어 상기 제 2 트랜지스터의 문턱전압을 저장하는 제 2 커패시터를 구비하는 발광 표시장치.And a second capacitor connected between the first node and the gate electrode of the second transistor to store the threshold voltage of the second transistor. 복수의 주사선과 복수의 데이터선 및 복수의 전원선에 의해 정의되는 복수의 화소와,A plurality of pixels defined by a plurality of scan lines, a plurality of data lines, and a plurality of power lines; 상기 각 화소에 발광 제어신호를 공급하기 위한 발광 제어선이 포함되며,An emission control line for supplying an emission control signal to each pixel; 상기 각 화소는,Each pixel, 상기 주사선에 공급되는 주사신호에 따라 상기 데이터선에 공급되는 데이터 신호에 대응되는 전류를 상기 전원선으로부터 출력하는 스위칭부와,A switching unit for outputting a current corresponding to the data signal supplied to the data line from the power supply line according to the scan signal supplied to the scan line; 상기 스위칭부로부터 공급되는 상기 전류에 의해 발광하는 발광소자와,A light emitting element emitting light by the current supplied from the switching unit; 상기 스위칭부와 상기 발광소자 사이에 다이오드 형태로 접속되는 트랜지스터로 구성되고,Comprising a transistor connected in the form of a diode between the switching unit and the light emitting element, 상기 스위칭부는,The switching unit, 제 1 주사선에 공급되는 제 1 주사신호에 의해 제어되며 상기 데이터 신호를 제 1 노드에 공급하는 제 1 트랜지스터와,A first transistor controlled by a first scan signal supplied to a first scan line and supplying the data signal to a first node; 자신의 게이트-소스간의 전압에 의해 구동되며 상기 전류를 상기 트랜지스터로 출력하는 제 2 트랜지스터와,A second transistor driven by a voltage between its gate and source and outputting the current to the transistor; 상기 제 1 주사신호에 의해 제어되며 상기 제 2 트랜지스터를 다이오드 형태로 접속시키는 제 3 트랜지스터와,A third transistor controlled by the first scan signal and connecting the second transistor in the form of a diode; 상기 발광 제어신호에 의해 제어되며 제 1 전원을 상기 제 1 노드에 공급하는 제 4 트랜지스터와,A fourth transistor controlled by the light emission control signal and supplying a first power source to the first node; 상기 제 2 트랜지스터의 게이트 전극에 접속된 제 2 노드와 상기 제 1 전원간에 전기적으로 접속되어 상기 데이터 신호에 대응되는 전압을 저장하는 커패시터와,A capacitor electrically connected between a second node connected to the gate electrode of the second transistor and the first power source to store a voltage corresponding to the data signal; 제 2 주사선에 공급되는 제 2 주사신호에 의해 제어되며 상기 제 2 주사선에 다이오드 형태로 접속되어 상기 제 2 주사신호를 상기 제 2 노드에 공급하는 제 5 트랜지스터를 구비하는 발광 표시장치.And a fifth transistor controlled by a second scan signal supplied to a second scan line and connected to the second scan line in the form of a diode to supply the second scan signal to the second node. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,The method according to claim 7 or 8, 상기 다이오드 형태로 접속되는 트랜지스터는 P 타입 및 N 타입 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 발광 표시장치.And the transistor connected in the form of a diode is one of a P type and an N type. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
KR1020040075823A 2004-09-22 2004-09-22 Pixel and light emitting display having the same KR100688813B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040075823A KR100688813B1 (en) 2004-09-22 2004-09-22 Pixel and light emitting display having the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040075823A KR100688813B1 (en) 2004-09-22 2004-09-22 Pixel and light emitting display having the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060027025A KR20060027025A (en) 2006-03-27
KR100688813B1 true KR100688813B1 (en) 2007-02-28

Family

ID=37138187

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040075823A KR100688813B1 (en) 2004-09-22 2004-09-22 Pixel and light emitting display having the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100688813B1 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100859655B1 (en) * 2007-04-10 2008-09-23 삼성에스디아이 주식회사 Organic light emitting desplay
KR101125987B1 (en) * 2009-12-09 2012-03-19 한양대학교 산학협력단 Pixel and Organic Light Emitting Display Device using the same

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020025842A (en) * 2000-09-29 2002-04-04 다카노 야스아키 Semiconductor device and display device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020025842A (en) * 2000-09-29 2002-04-04 다카노 야스아키 Semiconductor device and display device

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1020020025842 *

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060027025A (en) 2006-03-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4630789B2 (en) Light emitting display device and pixel circuit
KR101058114B1 (en) Pixel circuit, organic electroluminescent display
KR100810632B1 (en) Organic Electro-Luminescence Display Device
US8823613B2 (en) Pixel circuit including initialization circuit and organic electroluminescent display including the same
US8797311B2 (en) Organic light emitting display and image compensating method thereof
KR100673760B1 (en) Light emitting display
KR101030003B1 (en) A pixel circuit, a organic electro-luminescent display apparatus and a method for driving the same
US9583042B2 (en) Display device having a power providing line
US7825881B2 (en) Organic light emitting display device
JP2004029791A (en) Luminescence display device and method for driving display panel of the display device
KR20110053709A (en) A pixel circuit, and a organic electro-luminescent display apparatus for the same
KR102627269B1 (en) Organic Light Emitting Display having a Compensation Circuit for Driving Characteristic
KR20110028996A (en) Organic light emitting display and pixel thereof
KR20070002189A (en) A electro-luminescence display device
KR100583124B1 (en) Light emitting display
KR100688813B1 (en) Pixel and light emitting display having the same
JP2011013261A (en) Image display and method for driving image display
KR100719663B1 (en) Pixel and Light Emitting Display Using the same
KR100629589B1 (en) Pixel and light emitting display using the same
KR100761130B1 (en) Light emitting diode and method for driving light emitting diode and the same
KR20080048831A (en) Organic light emitting diode display and driving method thereof
KR100555310B1 (en) Electro-Luminescence Display Apparatus and Driving Method thereof
KR101519445B1 (en) Circuit of voltage compensation and control method thereof
KR100923353B1 (en) Electro-Luminescence Display Apparatus and Driving Method thereof
KR101954782B1 (en) Organic light-emitting diode display device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130205

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140129

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150130

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee