KR100683772B1 - Organic light emitting display device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 누설 경로(Leakage path)를 최소화하면서 구동 트랜지스터의 문턱 전압의 편차를 보상하는 화소 회로를 구현하여 개구율 증가 및 고해상도 구현에 유리하도록 한 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다. 유기 발광 표시 장치는 유기 발광 소자, 제1 트랜지스터 내지 제3 트랜지스터, 캐패시터 및 제4 트랜지스터를 포함한다. 유기 발광 소자는 인가되는 전류에 의해 대응하여 빛을 방출하고, 제1 트랜지스터는 유기 발광소자로 구동전류를 공급한다. 제2 트랜지스터는 선택신호에 응답하여 스위칭 되어, 제1 트랜지스터로의 데이터 신호의 전달을 제어하고, 제3 트랜지스터는 제1 트랜지스터로 데이터 신호가 전달되는 동안 제1 트랜지스터를 다이오드 연결시킨다. 캐패시터는 제1 트랜지스터의 구동전류에 대응하는 전압을 저장하고, 제4 트랜지스터는 유기 발광 소자가 발광하는 구간 동안, 캐패시터의 일전극의 전압이 제1 트랜지스터의 제1 전극으로 인가되도록 제어하는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to an organic light emitting display device which is advantageous in increasing aperture ratio and high resolution by implementing a pixel circuit that compensates for variations in threshold voltages of a driving transistor while minimizing a leakage path. The organic light emitting diode display includes an organic light emitting diode, first to third transistors, a capacitor, and a fourth transistor. The organic light emitting element emits light correspondingly by the applied current, and the first transistor supplies a driving current to the organic light emitting element. The second transistor is switched in response to the selection signal to control the transfer of the data signal to the first transistor, and the third transistor diode-couples the first transistor while the data signal is transferred to the first transistor. The capacitor stores a voltage corresponding to the driving current of the first transistor, and the fourth transistor controls the voltage of one electrode of the capacitor to be applied to the first electrode of the first transistor during the light emitting period of the organic light emitting element. It is done.

Description

유기 발광 표시장치{Organic light emitting display device}Organic light emitting display device

본 발명의 상세한 설명세서 인용되는 도면을 보다 충분히 이해하기 위하여 각 도면의 간단한 설명이 제공된다.DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION A brief description of each drawing is provided to more fully understand the drawings, which are incorporated in the description.

도 1은 종래의 유기 발광 표시 장치에 채용된 화소의 회로도 이다.1 is a circuit diagram of a pixel employed in a conventional organic light emitting display device.

도 2는 종래의 문턱 전압 보상을 위한 화소 회로도 이다.2 is a pixel circuit diagram for conventional threshold voltage compensation.

도 3은 도 2에 도시된 화소 회로를 구동하기 위한 구동 파형도 이다.FIG. 3 is a driving waveform diagram for driving the pixel circuit shown in FIG. 2.

도 4는 본 발명에 따른 누설 경로(Leakage path)를 최소화하고 문턱전압을 보상한 화소 회로도 이다.4 is a pixel circuit diagram of minimizing a leakage path and compensating a threshold voltage according to the present invention.

도 5는 도 4에 도시된 화소 회로를 구동하기 위한 구동 파형도의 제1 실시 예 이다.FIG. 5 is a first embodiment of a driving waveform diagram for driving the pixel circuit shown in FIG. 4.

도 6은 도 4에 도시된 화소 회로를 구동하기 위한 구동 파형도의 제2 실시 예 이다.FIG. 6 is a second embodiment of a driving waveform diagram for driving the pixel circuit shown in FIG. 4.

본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 누설 경로(Leakage path)를 최소화하면서 구동 트랜지스터의 문턱 전압의 편차를 보상하는 화소 회로를 구현하여 개구율 증가 및 고해상도 구현에 유리하도록 한 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting diode display, and more particularly, to a pixel circuit that compensates for variations in threshold voltages of a driving transistor while minimizing leakage paths, to increase aperture ratio and to achieve high resolution. It relates to a display device.

도 1은 유기 발광 표시장치에 채용된 화소의 회로도이다.1 is a circuit diagram of a pixel employed in an organic light emitting diode display.

도 1을 참조하면, 유기 발광 표시장치의 화소는 유기 발광 소자(OLED) 및 두 개의 트랜지스터(M1, M2)와 하나의 캐패시터(Cst))를 구비하며, 일반적으로 상기 제1 및 제2 트랜지스터(M1, M2)는 박막 트랜지스터(TFT)가 사용된다.Referring to FIG. 1, a pixel of an organic light emitting diode display includes an organic light emitting diode OLED, two transistors M1 and M2, and one capacitor Cst, and generally, the first and second transistors ( M1 and M2 are thin film transistors (TFTs).

상기 제1 트랜지스터(M1)가 온 되어지면, 데이터 신호선을 통해 인가된 데이터 신호가 캐패시터(Cst)에 저장되며, 이후 제1 트랜지스터(M1)가 오프 되어지는 경우에도 상기 캐패시터(Cst)에 저장된 데이터 신호에 대응하는 전류가 제2 트랜지스터(M2)를 통해 유기 발광 소자(OLED)로 인가된다. 이에 따라 제1 트랜지스터(M1)가 오프된 경우에도 상기 유기 발광 소자(OLED)는 소정의 기간동안 발광을 유지하게 된다. When the first transistor M1 is turned on, the data signal applied through the data signal line is stored in the capacitor Cst, and then the data stored in the capacitor Cst even when the first transistor M1 is turned off. A current corresponding to the signal is applied to the organic light emitting diode OLED through the second transistor M2. Accordingly, the organic light emitting diode OLED maintains light emission for a predetermined period even when the first transistor M1 is turned off.

이때, 유기 발광 소자(OLED)에 흐르는 전류는 다음의 수학식 1과 같다. At this time, the current flowing through the OLED is represented by Equation 1 below.

[수학식 1][Equation 1]

Figure 112005025169114-pat00001
Figure 112005025169114-pat00001

상기 수학식 1에서, 는 유기 발광 소자(OLED)에 흐르는 전류, Vgs는 제2 트랜지스터(M2)의 주전극과 제1전극 사이의 전압, Vth는 제2 트랜지스터(M2)의 문턱 전압, VDD는 전원전압, Vdata는 데이터 전압, 는 이득 계수(gain factor)를 나타낸다.In Equation 1, is a current flowing through the OLED, Vgs is a voltage between the main electrode and the first electrode of the second transistor M2, Vth is the threshold voltage of the second transistor M2, VDD is The power supply voltage, Vdata, represents the data voltage, and the gain factor.

그러나, 상기와 같은 전압 기입 방식의 화소회로에서는, 제2 트랜지스터와 같은 구동 트랜지스터가 그 제조 공정 상 전체 화소에 걸쳐 문턱전압(Vth)의 편차가 발생함으로써, 균일한 밝기의 화면을 얻기 어려운 문제점이 발생한다. However, in the pixel circuit of the voltage write method as described above, the driving voltage of the second transistor, such that the threshold voltage (Vth) occurs across all the pixels in the manufacturing process, it is difficult to obtain a screen of uniform brightness Occurs.

도 2는 종래의 문턱 전압 보상을 위한 화소 회로도로서, 제1 내지 제5 트랜지스터(M1-M5), 제1 및 제2 캐패시터(Cst, Cvth), 유기 발광 소자(OLED)를 포함한다.2 is a diagram illustrating a pixel circuit for compensating a threshold voltage, and includes first to fifth transistors M1 to M5, first and second capacitors Cst and Cvth, and an organic light emitting diode OLED.

도 3은 도 2에 도시된 화소 회로를 구동하기 위한 구동 파형도이며, 상기 도 2에 도시된 화소 회로의 동작을 도 3에 따라 설명하면 다음과 같다.3 is a driving waveform diagram for driving the pixel circuit shown in FIG. 2. The operation of the pixel circuit shown in FIG. 2 will be described with reference to FIG. 3 as follows.

t1 구간에서, 이전 주사선을 통해 로우 레벨의 선택신호(S[n-1])가 인가되면, 제2 트랜지스터(M2)가 턴 온 되어 제1 트랜지스터(M1)는 다이오드 연결 상태가 된다. 따라서, 제1 트랜지스터(M1)의 주 전극 및 제1전극 사이의 전압이 제1 트랜지스터(M1)의 문턱 전압(Vth)이 될 때까지 변하게 된다. 이때 제1 트랜지스터(M1)의 제1전극에 전원전압(VDD)이 인가되므로, 제1 트랜지스터(M1)의 주전극 즉, 제2 캐패시터(Cvth)의 일전극(A)에 인가되는 전압은 가 된다. 또한, 제4 트랜지스터(M4)가 턴 온 되어 제2 캐패시터(Cvth)의 타전극(B)에는 전원전압(VDD)이 인가된다. In the t1 period, when the low level selection signal S [n-1] is applied through the previous scan line, the second transistor M2 is turned on and the first transistor M1 is in a diode-connected state. Therefore, the voltage between the main electrode and the first electrode of the first transistor M1 is changed until the threshold voltage Vth of the first transistor M1 becomes. At this time, since the power supply voltage VDD is applied to the first electrode of the first transistor M1, the voltage applied to the main electrode of the first transistor M1, that is, the one electrode A of the second capacitor Cvth is do. In addition, the fourth transistor M4 is turned on and the power supply voltage VDD is applied to the other electrode B of the second capacitor Cvth.

따라서, 제2 캐패시터(Cvth) 양전극간의 전압은 수학식 2와 같다. Therefore, the voltage between the positive electrodes of the second capacitor Cvth is expressed by Equation 2 below.

[수학식 2][Equation 2]

Figure 112005025169114-pat00002
Figure 112005025169114-pat00002

여기서, VCvth는 제2 캐패시터(Cvth)의 양전극간에 인가되는 전압을 의미하고, VCvthA는 제2 캐패시터(Cvth)의 일전극(A)에 인가되는 전압, VCvthAB는 제2 캐패시터(Cvth)의 타전극(B)에 인가되는 전압을 의미한다.Here, VCvth denotes a voltage applied between the positive electrodes of the second capacitor Cvth, VCvthA denotes a voltage applied to the one electrode A of the second capacitor Cvth, and VCvthAB denotes the other electrode of the second capacitor Cvth. It means the voltage applied to (B).

또한, t1 구간에서 제5 트랜지스터(M5)는 차단되어, 제1 트랜지스터(M1)에 흐르는 전류가 유기 발광 소자(OLED)로 흐르는 것을 방지하고, 현재 주사선(S[n])에 하이 레벨의 신호가 인가되므로 제3 트랜지스터(M3)는 차단된다.In addition, the fifth transistor M5 is blocked in the period t1 to prevent the current flowing through the first transistor M1 from flowing to the organic light emitting diode OLED, and to generate a high level signal on the current scan line S [n]. Is applied, the third transistor M3 is cut off.

t2 구간에서, 현재 주사선(S[n])에 로우 레벨의 주사 전압이 인가되면, 제3 트랜지스터(M3)가 턴 온 되어 데이터 전압(Vdata)이 제1 캐패시터(Cst)에 충전된다. 또한, 제2 캐패시터(Cvth)에는 제1 트랜지스터(M1)의 문턱 전압(Vth)에 해당되는 전압이 충전되어 있으므로, 제1 트랜지스터(M1)의 주전극에는 데이터 전압(Vdata)과 제1 트랜지스터(M1)의 문턱 전압(Vth)의 합에 대응되는 전압이 인가된다.In a period t2, when a low level scan voltage is applied to the current scan line S [n], the third transistor M3 is turned on to charge the data voltage Vdata to the first capacitor Cst. In addition, since the voltage corresponding to the threshold voltage Vth of the first transistor M1 is charged in the second capacitor Cvth, the main electrode of the first transistor M1 is charged with the data voltage Vdata and the first transistor ( A voltage corresponding to the sum of the threshold voltages Vth of M1 is applied.

즉, 제1 트랜지스터(M1)의 주전극과 제1전극 사이의 전압(Vgs)은 다음의 수학식 3과 같고, 수학식 4와 같은 전류가 제1 트랜지스터(M1)를 통해 유기 발광 소자(OLED)에 공급된다.That is, the voltage Vgs between the main electrode and the first electrode of the first transistor M1 is represented by Equation 3 below, and a current as shown in Equation 4 is transmitted through the first transistor M1. Is supplied.

[수학식 3][Equation 3]

Figure 112005025169114-pat00003
Figure 112005025169114-pat00003

[수학식 4][Equation 4]

Figure 112005025169114-pat00004
Figure 112005025169114-pat00004

수학식 4에서 알 수 있듯이, 각 화소에 위치하는 제1 트랜지스터(M1)의 문턱 전압(Vth)이 서로 다르더라도, 이 문턱 전압(Vth)의 편차가 제2 캐패시터(Cvth)에 의하여 보상된다.As can be seen from Equation 4, even if the threshold voltage Vth of the first transistor M1 located in each pixel is different from each other, the deviation of the threshold voltage Vth is compensated by the second capacitor Cvth.

그러나, 도 2에 도시된 화소 회로에서는 t2 구간에서 제2 트랜지스터(M2), 제3 트랜지스터(M3) 및 제4 트랜지스터(M4)가 턴 오프 되면서 제2, 제3 및 제4 트랜지스터(M2, M3, M4)의 각 채널 형성 시에 사용되었던 전하들이 누설되어 제1 캐패시터(Cst)의 전압을 변동시킴으로써 결국 데이터 전압(Vdata)을 변동시키는 누설 경로(Leakage path)에 따른 킥_백 현상이 발생하여 고해상도 구현이 어려운 문제점이 발생한다.However, in the pixel circuit shown in FIG. 2, the second, third and fourth transistors M2 and M3 are turned off while the second transistor M2, the third transistor M3, and the fourth transistor M4 are turned off in the period t2. The charges used to form the respective channels of M4 are leaked to change the voltage of the first capacitor Cst, thereby causing a kick back phenomenon according to a leakage path that changes the data voltage Vdata. It is difficult to implement high resolution.

본 발명이 이루고자 하는 기술적인 과제는 누설 경로(Leakage path)를 최소화하면서 구동 트랜지스터의 문턱 전압의 편차를 보상하는 화소 회로를 구현하여 개구율 증가 및 고해상도 구현에 유리하도록 한 유기 발광 표시 장치를 제공하는데 있다.The present invention has been made in an effort to provide an organic light emitting diode display which is advantageous in increasing aperture ratio and high resolution by implementing a pixel circuit that compensates for variations in threshold voltages of a driving transistor while minimizing a leakage path. .

본 발명이 이루고자 하는 기술적인 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 선택신호를 전달하는 하나 이상의 주사선, 데이터 신호를 전 달하는 하나 이상의 데이터선, 상기 주사선 및 데이터선에 의해 교차되는 영역에 정의되는 화소에 구비된 화소회로를 포함하며, 상기 화소 회로는 인가되는 전류에 의해 대응하여 빛을 방출하는 유기 발광 소자, 상기 유기 발광소자로 구동전류를 공급하는 제1 트랜지스터, 상기 선택신호에 응답하여 스위칭 되어, 상기 제1 트랜지스터로의 데이터 신호의 전달을 제어하는 제2 트랜지스터, 상기 제1 트랜지스터로 데이터 신호가 전달되는 동안 상기 제1 트랜지스터를 다이오드 연결시키는 제3 트랜지스터; 상기 제1 트랜지스터의 구동전류에 대응하는 전압을 저장하는 캐패시터 및 상기 유기 발광 소자가 발광하는 구간 동안, 상기 캐패시터의 일전극의 전압이 상기 제1 트랜지스터의 제1 전극으로 인가되도록 제어하는 제4 트랜지스터를 포함하는 것이 바람직하다.The organic light emitting display device according to the present invention for solving the technical problem to be achieved by the present invention is one or more scan lines for transmitting a selection signal, one or more data lines for transmitting a data signal, the area intersected by the scan line and the data line And a pixel circuit provided in the pixel defined in the pixel circuit, wherein the pixel circuit is configured to emit light in response to an applied current, a first transistor to supply a driving current to the organic light emitting element, and the selection signal. A second transistor that is switched in response to control the transfer of the data signal to the first transistor, and a third transistor that diode-connects the first transistor while the data signal is transferred to the first transistor; A capacitor for storing a voltage corresponding to a driving current of the first transistor and a fourth transistor for controlling the voltage of one electrode of the capacitor to be applied to the first electrode of the first transistor during the light emitting period of the organic light emitting element; It is preferable to include.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 누설 경로(Leakage path)를 최소화하고 문턱전압을 보상한 화소 회로는 유기 발광 소자(OLED), 구동 트랜지스터인 제1 트랜지스터(M1), 스위칭 트랜지스터인 제2 내지 제5 트랜지스터(M2∼M5) 및 캐패시터(Cst)를 포함한다.As shown in FIG. 4, the pixel circuit which minimizes the leakage path and compensates the threshold voltage according to the present invention includes an organic light emitting diode OLED, a first transistor M1 as a driving transistor, and a second switching transistor. To fifth transistors M2 to M5 and capacitors Cst.

제2 트랜지스터(M2)는 주사선으로부터 인가되는 로우 레벨의 선택 신호(S[n])에 응답하여 데이터선을 통해 인가되는 데이터 신호(D[m])를 스위칭 한다.The second transistor M2 switches the data signal D [m] applied through the data line in response to the low level select signal S [n] applied from the scan line.

제1 트랜지스터(M1)는 유기 발광 소자(OLED)에 흐르는 전류를 제어하기 위한 트랜지스터로서, 제1 트랜지스터(M1)의 제1전극은 제2 트랜지스터(M2)가 턴-온 되 는 경우 데이터 신호(D[m])에 연결되고, 제1 트랜지스터(M1)의 제2 전극이 제4 트랜지스터(M4)의 제1전극에 연결된다.The first transistor M1 is a transistor for controlling a current flowing in the organic light emitting diode OLED. The first electrode of the first transistor M1 is a data signal when the second transistor M2 is turned on. D [m]), and the second electrode of the first transistor M1 is connected to the first electrode of the fourth transistor M4.

제3 트랜지스터(M3)는 주사선(S[n])으로부터 선택 신호의 로우 레벨에 응답하여 제1 트랜지스터(M1)를 다이오드 연결(Diode connection)시킨다.The third transistor M3 diode-connects the first transistor M1 in response to the low level of the selection signal from the scan line S [n].

제4 트랜지스터(M4)는 제2 발광제어신호(EM2)로부터의 로우 레벨에 응답하여 유기 발광 소자(OLED)를 구동하는 구동 전류를 스위칭한다. The fourth transistor M4 switches the driving current for driving the organic light emitting diode OLED in response to the low level from the second emission control signal EM2.

제4 트랜지스터(M4)는 발광제어신호(EM)로부터의 로우 레벨에 응답하여 전원 전압(VDD)을 스위칭 한다. The fourth transistor M4 switches the power supply voltage VDD in response to the low level from the emission control signal EM.

캐패시터(Cst)의 일 전극은 전원 전압(VDD)에, 타 전극은 제1 트랜지스터(M1)의 주전극에 연결되어 있다.One electrode of the capacitor Cst is connected to the power supply voltage VDD, and the other electrode is connected to the main electrode of the first transistor M1.

유기 발광 소자(OLED)의 애노드는 제5 트랜지스터(M5)의 제1전극에 연결되고, 유기 발광 소자(OLED)의 캐소드는 기준 전압(VSS)에 연결되어 제5 트랜지스터(M5)가 턴-온 되어 제1 트랜지스터(M1)로부터 인가되는 전류의 양에 대응하는 빛을 방출한다. 이때, 기준 전압(VSS)은 전원 전압(VDD) 보다 낮은 레벨의 전압으로서, 그라운드 전압, 음의 전압등이 사용될 수 있다.The anode of the organic light emitting diode OLED is connected to the first electrode of the fifth transistor M5, and the cathode of the organic light emitting diode OLED is connected to the reference voltage VSS so that the fifth transistor M5 is turned on. And emits light corresponding to the amount of current applied from the first transistor M1. In this case, the reference voltage VSS is a voltage having a lower level than the power supply voltage VDD, and a ground voltage and a negative voltage may be used.

이어서, 도 5에 도시된 구동파형도의 제1 실시 예를 참조하여 도 4에 도시된 누설 경로(Leakage path)를 최소화하고 문턱전압을 보상한 화소 회로의 동작을 설명한다. 도 5는 유기 발광 표시 장치가 노말 모드로 동작할 때 화소회로에 인가되는 구동 파형도 이다.Next, an operation of the pixel circuit which minimizes the leakage path and compensates the threshold voltage shown in FIG. 4 will be described with reference to the first embodiment of the driving waveform diagram shown in FIG. 5. 5 is a driving waveform diagram applied to a pixel circuit when the organic light emitting diode display operates in a normal mode.

t1' 구간은 초기화 구간으로서, 발광제어신호(EM)가 로우에서 하이 상태로 변하기 직전 선택신호(S[n])가 로우 상태로 되면서 데이터를 초기화 시킨다. 이 데이터 초기화는 이전 프레임 동안 캐패시터(Cst)에 잔존하던 전압을 방전함으로써 이루어진다. The t1 'section is an initialization section, and the data is initialized while the selection signal S [n] immediately before the emission control signal EM changes from a low state to a low state. This data initialization is achieved by discharging the voltage remaining on the capacitor Cst during the previous frame.

t2' 구간은 데이터 기입 구간으로서, 발광제어신호(EM)가 하이 상태이고, 주사선을 통해 입력되는 선택신호(S[n])가 로우 상태인 구간이다. t2' 구간에서는 제4 및 제5 트랜지스터(M4 및 M5)를 제외한 제2 및 제3 트랜지스터(M2 및 M3)가 턴-온 된다. 제2 트랜지스터(M2)가 턴-온 되므로 데이터신호(D[m])가 전달되며, 제1 트랜지스터(M1)의 제1 전극은 데이터신호(D[m])에 따른 데이터 전압(Vdata)이 인가된다. 제3 트랜지스터(M3)는 턴-온 상태를 유지하므로, 제1 트랜지스터(M1)는 다이오드 연결(Diode connection) 상태를 유지한다. t2' 구간에서 캐패시터(Cst)의 일 전극은 전원 전압(VDD), 제1 트랜지스터(M1)의 주 전극과 연결되는 캐패시터(Cst)의 타 전극은 (Vdata -Vth)양단의 전압이 되어 캐패시터(Cst)의 양단 전압은 수학식5와 같다.The t2 'section is a data writing section in which the emission control signal EM is high and the selection signal S [n] input through the scan line is low. In the t2 'period, the second and third transistors M2 and M3 except for the fourth and fifth transistors M4 and M5 are turned on. Since the second transistor M2 is turned on, the data signal D [m] is transmitted, and the first electrode of the first transistor M1 has a data voltage Vdata corresponding to the data signal D [m]. Is approved. Since the third transistor M3 maintains a turn-on state, the first transistor M1 maintains a diode connection state. In the t2 'period, one electrode of the capacitor Cst is the power supply voltage VDD, and the other electrode of the capacitor Cst, which is connected to the main electrode of the first transistor M1, becomes a voltage across (Vdata-Vth) to form a capacitor ( The voltage across Cst) is as shown in Equation 5.

[수학식 5][Equation 5]

Figure 112005025169114-pat00005
Figure 112005025169114-pat00005

이어서, t3' 구간은 디스플레이 구간으로써, 발광제어신호(EM)가 하이에서 로우 상태로 변하고, 주사선을 통해 입력되는 선택신호(S[n])가 하이 상태인 구간이다. t3' 구간에서는 제2 및 제3 트랜지스터(M2 및 M3)가 턴-오프 되고, 캐패시터(Cst)에 저장된 전압이 제1 트랜지스터(M1)의 주 전극 및 제1 전극 사이의 전압 에 해당된다. 유기 발광 소자(OLED)에는 캐패시터(Cst)에 저장된 전압에 대응하는 전류가 흐르게 되어 발광하게 된다. 또한 제4 트랜지스터(M4)가 턴-온 되므로 상기 수학식 4에 해당하는 구동 전류가 유기 발광 소자(OLED)로 인가되어 진다.Subsequently, the t3 'section is a display section in which the emission control signal EM is changed from high to low and the selection signal S [n] input through the scan line is high. In the t3 'period, the second and third transistors M2 and M3 are turned off and the voltage stored in the capacitor Cst corresponds to the voltage between the main electrode and the first electrode of the first transistor M1. In the OLED, a current corresponding to the voltage stored in the capacitor Cst flows to emit light. In addition, since the fourth transistor M4 is turned on, the driving current corresponding to Equation 4 is applied to the organic light emitting diode OLED.

도 4에 도시된 화소 회로는 도 2에 도시된 종래의 화소 회로보다 캐패시터 소자가 줄었기 때문에 화소 회로를 더 작게 구현할 수 있게 된다. 또한, 도 2의 화소회로에서 발생한 제2, 제3 및 제4 트랜지스터(M2, M3, M4)의 누설 경로에 따른 킥-백 현상이, 도 4의 화소 회로에서는 제2 트랜지스터(M2)의 누설 경로에 따른 킥_백 현상으로 줄어들어, 누설 경로에 따른 킥-백 현상을 최소화 할 수 있게 된다. 이로써 유기 발광 표시 장치의 개구율 증가 및 고 해상도 구현에 유리하게 된다.The pixel circuit shown in FIG. 4 has a smaller capacitor element than the conventional pixel circuit shown in FIG. 2, so that the pixel circuit can be made smaller. In addition, the kick-back phenomenon according to the leakage paths of the second, third, and fourth transistors M2, M3, and M4 generated in the pixel circuit of FIG. 2 is leaked from the second transistor M2 in the pixel circuit of FIG. 4. By reducing the kickback along the path, it is possible to minimize the kickback back along the leakage path. As a result, it is advantageous to increase the aperture ratio of the organic light emitting diode display and to implement high resolution.

이어서, 도 6에 도시된 구동파형도의 제2 실시 예를 참조하여 도 4에 도시된 누설 경로(Leakage path)를 최소화하고 문턱전압을 보상한 화소 회로의 동작을 설명한다. 도 6은 유기 발광 표시 장치가 디먹스(Demux) 모드로 동작할 때 화소회로에 인가되는 구동 파형도 이다. 도 6에서 도 5의 t1' 및 t3'와 각각 동일한 구간인 t1'' 및 t4'' 구간의 설명은 생략한다.Next, an operation of the pixel circuit which minimizes the leakage path and compensates the threshold voltage shown in FIG. 4 will be described with reference to the second embodiment of the driving waveform diagram shown in FIG. 6. 6 is a driving waveform diagram applied to a pixel circuit when the organic light emitting diode display is operated in a demux mode. In FIG. 6, descriptions of sections t1 ″ and t4 ″ which are the same sections as t1 ′ and t3 ′ of FIG. 5, respectively, will be omitted.

t1''구간(초기화 구간) 이후, 데이터 기입 구간인 t2''구간에서 발광제어신호(EM)가 하이 상태로 변경되면서, 제4 트랜지스터(M4) 및 제5 트랜지스터(M5)가 턴 오프 되고, R, G, B 데이터 전압(Vdata)이 외부의 캐패시터(미도시)에 저장된다. 이때 이전의 데이터 전압(Vdata)이 캐패시터(Cst)에 저장되는 것을 방지하기 위해, 주사선(S[n])을 통해 입력되는 선택신호를 하이 상태로 변경하여 제2 트랜지스터(M2) 및 제3 트랜지스터(M3)를 턴 오프 시킨다.  After the t1 " section (initialization section), the light emission control signal EM is changed to a high state in the t2 " section, which is the data writing section, and the fourth transistor M4 and the fifth transistor M5 are turned off. The R, G, and B data voltages Vdata are stored in an external capacitor (not shown). In this case, in order to prevent the previous data voltage Vdata from being stored in the capacitor Cst, the second transistor M2 and the third transistor are changed by changing the selection signal input through the scan line S [n] to a high state. Turn off (M3).

외부의 캐패시터로 데이터 전압(Vdata) 저장이 완료되면, t3''구간에서 주사선(S[n])을 통해 입력되는 선택신호는 하이 상태에서 로우 상태로 변경된다. 그러면, 제2 트랜지스터(M2) 및 제3 트랜지스터(M3)가 턴 온 되고, 외부 캐패시터에 저장된 데이터 전압(Vdata)이 캐패시터(Cst)에 저장된다. t3''구간에서 캐패시터(Cst)로 데이터 전압(Vdata) 저장이 완료되면, 선택신호(S[n])는 로우 상태에서 하이 상태로 변경되고, 디스플레이 구간(t4'')으로 들어간다.When the data voltage Vdata is stored in the external capacitor, the selection signal input through the scan line S [n] in the t3 " section is changed from the high state to the low state. Then, the second transistor M2 and the third transistor M3 are turned on, and the data voltage Vdata stored in the external capacitor is stored in the capacitor Cst. When the storage of the data voltage Vdata to the capacitor Cst is completed in the t3 " section, the selection signal S [n] is changed from the low state to the high state and enters the display period t4 ".

이상에서와 같이 도면과 명세서에서 최적 실시 예가 개시되었다. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.As described above, the optimum embodiment has been disclosed in the drawings and the specification. Although specific terms have been used herein, they are used only for the purpose of describing the present invention and are not intended to limit the scope of the invention as defined in the claims or the claims. Therefore, those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 유기 발광 표시장치는, 종래의 화소 회로보다 캐패시터 소자가 줄었기 때문에 화소 회로를 더 작게 구현할 수 있고, 누설 경로에 따른 킥-백 현상을 최소화하여 개구율 증가 및 고 해상도 구현에 유리하게 된다.As described above, the organic light emitting diode display according to the present invention can implement the pixel circuit smaller because the capacitor element is smaller than the conventional pixel circuit, and minimizes the kick-back phenomenon due to the leakage path to increase the aperture ratio and high resolution. It is advantageous to the implementation.

Claims (3)

선택신호를 전달하는 하나 이상의 주사선, 데이터 신호를 전달하는 하나 이상의 데이터선, 상기 주사선 및 데이터선에 의해 교차되는 영역에 정의되는 화소에 구비된 화소회로를 포함하며,At least one scan line for transmitting a selection signal, at least one data line for transmitting a data signal, and a pixel circuit provided in a pixel defined in an area intersected by the scan line and the data line, 상기 화소 회로는The pixel circuit 인가되는 전류에 의해 대응하여 빛을 방출하는 유기 발광 소자; An organic light emitting device that emits light correspondingly by an applied current; 상기 유기 발광소자로 구동전류를 공급하는 제1 트랜지스터; A first transistor supplying a driving current to the organic light emitting element; 상기 선택신호에 응답하여 스위칭 되어, 상기 제1 트랜지스터로의 데이터 신호의 전달을 제어하는 제2 트랜지스터; A second transistor switched in response to the selection signal to control transmission of a data signal to the first transistor; 상기 제1 트랜지스터로 데이터 신호가 전달되는 동안 상기 제1 트랜지스터를 다이오드 연결시키는 제3 트랜지스터; A third transistor for diode-connecting the first transistor while a data signal is transmitted to the first transistor; 상기 제1 트랜지스터의 구동전류에 대응하는 전압을 저장하는 캐패시터; 및A capacitor storing a voltage corresponding to a driving current of the first transistor; And 상기 유기 발광 소자가 발광하는 구간 동안, 상기 캐패시터의 일전극의 전압이 상기 제1 트랜지스터의 제1 전극으로 인가되도록 제어하는 제4 트랜지스터; 및A fourth transistor configured to control the voltage of one electrode of the capacitor to be applied to the first electrode of the first transistor during the light emitting period of the organic light emitting element; And 상기 제1 트랜지스터의 제2 전극 및 상기 유기 발광 소자의 일 전극 사이에 개재되어, 발광 제어신호에 응답하여 상기 유기 발광 소자로의 전류 인가를 제어하는 제5 트랜지스터를 포함하는 유기 발광 표시 장치.And a fifth transistor interposed between the second electrode of the first transistor and one electrode of the organic light emitting element to control the application of current to the organic light emitting element in response to a light emission control signal. 삭제delete 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제4 트랜지스터는 상기 발광 제어신호에 응답하여 상기 캐패시터 일 전극의 전압 전달을 제어하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.And the fourth transistor controls the voltage transfer of the capacitor one electrode in response to the light emission control signal.
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