KR100682271B1 - Method of manufacturing a light emitting diode for a vertical type electrode - Google Patents
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Abstract
본 발명은 수직형 발광소자의 제조방법에 관한 것으로서, 이종기판에 복수의 발광 구조물을 상호 이격되도록 형성하는 단계; 상호 이격된 복수의 발광 구조물 각각의 상부에 개별적으로 금속막을 형성하는 단계; 금속막이 형성된 복수의 발광 구조물 상부에 결합물질을 이용해 보조기판을 접합시키는 단계; 이종기판을 제거하는 단계;및 결합물질을 제거하여 상기 보조기판으로부터 낱개의 발광소자를 분리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a method of manufacturing a vertical light emitting device, comprising: forming a plurality of light emitting structures spaced apart from each other on a different substrate; Forming a metal film on top of each of the plurality of light emitting structures spaced apart from each other; Bonding an auxiliary substrate to a plurality of light emitting structures on which the metal film is formed by using a bonding material; Removing the heterogeneous substrate; and separating the individual light emitting devices from the auxiliary substrate by removing the bonding material.
이와 같은 본 발명에 따르면, 각각의 발광 구조물에 개별적으로 금속막이 형성되기 때문에, 금속막의 결합 상태를 끊기 위한 별도의 공정이 필요없고, 보조기판을 접합시키는 결합물질의 제거만으로 발광소자를 용이하게 분리할 수 있으며, 따라서 생산효율을 향상시키는 효과가 있다.According to the present invention, since the metal film is formed on each light-emitting structure individually, there is no need for a separate process for breaking the bonding state of the metal film, it is easy to separate the light emitting device only by removing the bonding material for bonding the auxiliary substrate It is possible, and thus has the effect of improving the production efficiency.
수직형, 발광소자, 무전해 도금, 금속막 Vertical, Light Emitting Diode, Electroless Plating, Metal Film
Description
도 1a 내지 도 1e는 종래기술에 따른 수직형 질화갈륨계 발광소자의 제조방법을 나타내는 단면도.1A to 1E are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a vertical gallium nitride-based light emitting device according to the prior art.
도 2a 내지 도 2e는 본 발명에 따른 수직형 발광소자의 제조방법을 나타내는 단면도.2A to 2E are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a vertical light emitting device according to the present invention.
도 3은 발광 적층막의 단면도.3 is a cross-sectional view of a light emitting laminated film.
<도면의 주요부분에 대한 설명><Description of main parts of drawing>
100. 이종기판 200. 발광 적층막100.
200a. n-반도체층 200b. 활성층200a. n-
200c. p-반도체층 200d. P-전극200c. p-
200e. 고반사(HR-High Reflective)막200e. HR-High Reflective Film
210. 발광 구조물 300. UBM층210.
400. 금속막 500. 결합물질400.
600. 보조기판600. Auxiliary board
본 발명은 수직형 발광소자의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 무전해 도금 방법을 통해 각 발광구조물 상부에 개별적으로 금속막(Metal Support)을 형성시킴으로써, 금속의 결합 상태를 끊기 위한 별도의 공정을 필요로 하지 않고, 발광소자를 보다 용이하게 확보할 수 있는 수직형 발광소자의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a vertical light emitting device, and more particularly, by forming a metal film (Metal Support) individually on top of each light emitting structure through an electroless plating method, to separate the bonding state of the metal The present invention relates to a method of manufacturing a vertical light emitting device that can more easily secure a light emitting device without requiring a step.
또한, 본 발명은 금속막을 개별적으로 형성하였기 때문에, 종래의 연속적으로 금속막이 형성된 발광구조물의 분리를 위한 스크라이빙(Scribing), 익스펜딩 및 브레이킹(Expanding & Breaking)과 같은 공정시 발생할 수 있는 균열(Crack)이나 구부러짐(Bending) 결함이 발광구조물로 전이될 가능성을 근본적으로 예방하여, 종래에 비해 제조공정 단계에서 발광소자의 불량률을 낮출 수 있고, 발광소자의 생산효율을 향상시킨 것을 특징으로 한다.In addition, since the present invention separately forms the metal film, cracks that may occur during processes such as scribing, expanding and breaking for separating a light emitting structure in which a conventional metal film is continuously formed are conventional. It is possible to fundamentally prevent the possibility of a crack or bending defect being transferred to the light emitting structure, thereby lowering the defective rate of the light emitting device in the manufacturing process step, and improving the production efficiency of the light emitting device. .
통상적으로, 발광소자는 질화갈륨(GaN) 결정을 박막으로 성장시켜서 만들며, 질화갈륨 결정을 성장시키기 위해서 가장 좋은 것은 질화갈륨 기판이다.In general, a light emitting device is made by growing a gallium nitride (GaN) crystal into a thin film, and a gallium nitride substrate is best for growing a gallium nitride crystal.
그러나, 질화갈륨 기판은 질화갈륨 결정 성장의 어려움 등으로 인해 가격이 매우 비싸다.However, gallium nitride substrates are very expensive due to difficulty in growing gallium nitride crystals.
그래서, 이러한 질화갈륨계 발광소자는 대부분 이종기판에 성장 되어지고, 그 이종기판은 사파이어(Al2O3)나 실리콘카바이드(SiC), 갈륨아세나이드(GaAs)등이 사용되어지고 있으며, 이러한 이종기판들 가운데 사파이어 기판이 현재 가장 폭넓 게 사용되고 있는 실정이다.Therefore, most of these gallium nitride-based light emitting devices are grown on dissimilar substrates, and the dissimilar substrates include sapphire (Al 2 O 3 ), silicon carbide (SiC), gallium arsenide (GaAs), and the like. Among the substrates, sapphire substrate is currently the most widely used situation.
한편, 발광소자는 전극의 배치 구조에 따라 수평형 발광소자와 수직형 발광소자로 분류된다.On the other hand, the light emitting device is classified into a horizontal light emitting device and a vertical light emitting device according to the arrangement of the electrodes.
먼저, 수평형 발광소자에서 P-전극은 p-반도체층과 직접 접합되어 형성되고, N-전극은 발광 구조물의 일부분을 n-반도체층이 노출되도록 메사(Mesa) 식각한 다음, 노출된 n-반도체층 상부에 형성하는 것이 일반적이다.First, in a horizontal light emitting device, a P-electrode is formed by being directly bonded to a p-semiconductor layer, and an N-electrode is mesa-etched a portion of the light emitting structure to expose an n-semiconductor layer, and then the exposed n- It is common to form on the semiconductor layer.
통상적으로 반도체층과 금속막은 전기적 특성이 다르기 때문에, 외부로부터의 전기를 발광구조물에 안정적으로 공급하기 위해서는 그 중간에 오믹 접촉(Ohmic Contact)하는 특성을 갖는 P-전극을 증착시키는 것이 바람직하다.In general, since the semiconductor layer and the metal film have different electrical characteristics, it is preferable to deposit a P-electrode having ohmic contact therebetween in order to stably supply electricity from the outside to the light emitting structure.
이와 같이, 수평형 발광소자에서의 두 전극은 수평한 위치에 형성하게 되는데, 그 하부는 열 도전 계수나 열 발산이 낮은 사파이어 기판으로 막혀 있기 때문에, 열을 효과적으로 배출하기 어렵고, 따라서 발광소자의 수명도 짧을 수밖에 없다.As described above, two electrodes of the horizontal light emitting device are formed in a horizontal position, and since the lower part thereof is blocked by a sapphire substrate having a low thermal conductivity coefficient or low heat dissipation, it is difficult to effectively discharge heat, and thus the life of the light emitting device. There is no choice but to be short.
또한, 수평형 발광소자는 전극을 수평형으로 제조하여 그 구조상 칩 면적이 넓을 수 밖에 없기 때문에, 웨이퍼 단위 면적당 칩 생산 능력이 떨어지고, 패키징 공정에서도 와이어 본딩(Wire Bonding)이 복잡하여 제조비용을 증가시키는 단점이 있다.In addition, the horizontal light emitting device has a large chip area due to its horizontal structure, which reduces the chip production capacity per wafer area and increases the manufacturing cost due to complicated wire bonding in the packaging process. There is a drawback to this.
따라서, 수평형 전극 구조의 발광소자 제조방법으로는 출력과 발광 효율을 향상시키고 양산하는 데 한계가 있다.Therefore, there is a limit in improving and mass-producing output and luminous efficiency of the light emitting device manufacturing method of the horizontal electrode structure.
반면에, 수직형 발광소자는 양 전극이 소자의 상,하단에 위치하여서 빛을 한 방향으로 증폭시키는데 유리하기 때문에, 수평형 발광소자보다 광 출력과 발광 효율을 향상시키는데 훨씬 효과적이다.On the other hand, since the vertical light emitting device is advantageous in amplifying light in one direction because both electrodes are positioned at the top and bottom of the device, the vertical light emitting device is much more effective in improving light output and luminous efficiency than the horizontal light emitting device.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 종래기술에 따른 수직형 발광소자 제조방법을 간단히 설명한다.Hereinafter, a vertical light emitting device manufacturing method according to the related art will be briefly described with reference to the accompanying drawings.
도 1a는 사파이어 기판(10) 상부에 상호 이격되는 복수의 발광 적층막(20)을 형성하고, 상기 복수의 발광 적층막을 감싸는 연속적인 UBM(Under Bump Metallization) 층(30)을 형성하는 공정이다.FIG. 1A illustrates a process of forming a plurality of light emitting stacked
여기서, 상기 발광 적층막은 빛이 생성되도록 하는 활성층을 포함하는 구조를 가지며, 측면에는 이후 공정인 금속막 형성시 p-반도체와 n-반도체의 단락(Short)를 방지하고, 발광 효율을 높이기 위해서 반사성을 가진 절연막이 증착된다.Here, the light emitting laminated film has a structure including an active layer to generate light, the side of the reflective film to prevent short-circuit (p-semiconductor and n-semiconductor) in the formation of a metal film in the subsequent process, to increase the luminous efficiency An insulating film having a film is deposited.
도 1b는 UBM층(30) 상부에 금속막(40)을 연속적으로 형성하는 공정을 나타낸다.FIG. 1B illustrates a process of continuously forming the
이와같이 상기 금속막(40)을 형성하는 이유는, 후술할 사파이어 기판의 제거시 상부에 형성되어 있는 발광적층막과 UBM층을 지지하면서, 더불어 P-전극의 역할도 대신하기 위해서 형성하는 것이다.The reason why the
일반적으로, 상기 금속막(40) 형성시 사용하는 금속은 금(Au)이나 구리(Cu)인데, 그 가운데 구리를 특히 많이 사용한다.In general, the metal used to form the
왜냐하면, 구리는 열,전기 전도성과 비용 및 제작의 용이성 등을 고려할 때 가장 적합하기 때문이다.This is because copper is most suitable in consideration of thermal, electrical conductivity, cost, and ease of manufacture.
도 1c는 사파이어 기판(10)의 하부에 레이저를 조사하여 상기 발광 적층막을 포함한 구조물로부터 사파이어 기판을 분리 제거하는 레이저 리프트 오프(LLO-Laser Lift Off)공정을 나타낸다.FIG. 1C illustrates a laser lift off (LLO-Laser Lift Off) process of separating and removing a sapphire substrate from a structure including the light emitting laminate by irradiating a laser to a lower portion of the
상기 사파이어 기판을 제거하는 공정이 필요한 이유는, 사파이어 기판은 절연체이기 때문에 하부에 수직형 발광소자로 만들기 위한 n-전극을 형성할 수가 없기 때문이다.The reason why the step of removing the sapphire substrate is necessary is that since the sapphire substrate is an insulator, it is not possible to form an n-electrode for forming a vertical light emitting device under the sapphire substrate.
또한 사파이어 기판은 열 도전 계수나 열 발산이 낮기 때문에, 광 출력과 발광 효율을 높이기 위해서이기도 하다.In addition, the sapphire substrate has a low thermal conductivity and low heat dissipation, and is therefore intended to improve light output and luminous efficiency.
도 1d는 사파이어 기판(10)이 분리된 후, 상호 이격된 상기 복수의 발광 적층막(20) 사이의 금속막 상부에 절단홈(50)을 형성하기 위한 스크라이빙 공정을 나타낸다.FIG. 1D illustrates a scribing process for forming the
여기서 상기 절단홈(50)이란 연속적으로 형성되어 있는 금속막(40)이 낱개 발광소자의 분리시에 각각의 발광소자 상부를 충분히 감싼 채로 분리되도록, 다이아몬드와 같은 경도가 높은 물질로 이루어진 휠(Wheel)을 이용하여 상기 금속막(40)의 상부에 형성시켜 놓은 일정깊이의 홈으로서, 절단부위의 두께(d)를 다른 부위에 비해서 상대적으로 얇게 만들어 놓아서, 추후에 기계장치 등을 통하여 금속결합 상태를 쉽게 끊을 수 있도록 하기 위해서 형성하는 것이다.Here, the
도 1e는 금속막(40) 상부에 형성된 상기 절단홈(50)에 기계장치 등을 통해 횡과 종의 압력을 가해서 발광소자를 분리시키는 익스펜딩 및 브레이킹(Expanding & Breaking) 공정을 나타낸 것이다.FIG. 1E illustrates an expanding and breaking process of separating the light emitting device by applying horizontal and longitudinal pressure to the
이 공정을 하기 전에 접착력과 인장력이 좋은 블루 테잎(Blue Tape)을 금속막에 비해 상대적으로 약한 발광소자의 하부에 임시적으로 부착하여, 절단과정에서 생길 수 있는 발광소자의 파손이나 긁힘으로부터 보호하는 것이 당업자들에게는 주지의 사실이다.Prior to this process, it is advisable to temporarily attach a blue tape with good adhesion and tensile strength to the lower part of the light emitting device, which is relatively weaker than the metal film, to protect the light emitting device from damage or scratches. This is well known to those skilled in the art.
이 공정에서, 금속 자체의 강성이나 연성과 같은 물리적인 특성 때문에, 발광소자의 균열(Crack)이나 구부러짐(Bending)과 같은 우려가 있어서, 공정을 수월하게 진행하기가 어려워진다.In this process, due to physical properties such as the rigidity and ductility of the metal itself, there is a concern such as cracking or bending of the light emitting device, making it difficult to proceed with the process easily.
특히, 다양한 전기적 장점을 가진 구리를 금속막으로 사용하는 경우 연성 또한 너무 좋기 때문에, 익스펜딩(Expanding)시 상당한 탄성으로 반응하여서 발광소자의 분리가 더욱 수월하지 못하다.In particular, when copper having various electrical advantages is used as a metal film, the ductility is also very good, and thus it is difficult to separate the light emitting device by reacting with considerable elasticity during expanding.
결론적으로, 이러한 종래의 수직형 발광소자 제조방법은 상기와 같은 분리공정의 어려움에 따른 수율의 한계로 인하여, 대량생산의 공정으로써 적용하기에 부접합하다는 문제점이 있다.In conclusion, the conventional vertical light emitting device manufacturing method has a problem in that it is unsuitable for application as a mass production process due to the limitation of yield due to the difficulty of the separation process as described above.
본 발명은 상기와 같이 발광 구조물 상부에 연속적으로 형성시킨 금속막으로 인한 소자 분리의 어려움을 해결하고, 발광소자를 보다 용이하게 확보하기 위해서, 무전해 도금 방법을 이용하여 발광 구조물마다 개별적으로 금속막을 형성시켜, 낱개 발광소자의 분리시 스크라이빙(Scribing), 익스펜딩 및 브레이킹(Expanding & Breaking) 공정과 같은 금속막 분리를 위한 공정을 필요로 하지 않으며, 따라서, 수율을 향상시킬 수 있는 수직형 발광소자의 제조방법을 제공하는 데 목적이 있다.The present invention solves the difficulty of device separation due to the metal film continuously formed on the light emitting structure as described above, and in order to more easily secure the light emitting device, by using an electroless plating method, the metal film is individually for each light emitting structure. It does not require a process for separating the metal film, such as scribing, expanding and breaking processes when separating the individual light emitting devices, and thus a vertical type which can improve yield. An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a light emitting device.
위와 같은 목적을 이루기 위한 본 발명에 따른 수직형 발광소자 제조방법은, 이종기판에 복수의 발광 구조물을 상호 이격되도록 형성하는 단계; 상호 이격된 상기 복수의 발광 구조물 각각의 상부에 개별적으로 금속막을 형성하는 단계; 상기 금속막이 형성된 상기 복수의 발광 구조물 상부에 결합물질을 이용해 보조기판을 접합시키는 단계; 상기 이종기판을 제거하는 단계;및 상기 결합물질을 제거하여 상기 보조기판으로부터 낱개의 발광소자를 분리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.Vertical light emitting device manufacturing method according to the present invention for achieving the above object, the step of forming a plurality of light emitting structures spaced apart from each other on the substrate; Separately forming a metal film on each of the plurality of light emitting structures spaced apart from each other; Bonding an auxiliary substrate to a plurality of light emitting structures on which the metal film is formed by using a bonding material; Removing the hetero substrate; and separating the individual light emitting devices from the auxiliary substrate by removing the bonding material.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예로서 수직형 발광소자의 제조방법을 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a vertical light emitting device according to a preferred embodiment of the present invention with reference to the accompanying drawings.
도 2a는 이종기판(100) 상부에 복수의 발광 구조물(210)을 상호 이격되도록 형성한 공정을 나타낸다.2A illustrates a process of forming the plurality of light emitting
상기 복수의 발광 구조물(210) 각각은 도 3을 참조하면 n-반도체층(200a), 활성층(200b), p-반도체층(200c)으로 순차적으로 적층되어지고, p-반도체층 상부는 P-전극(200d)을 포함하며, 상기 n-반도체층, 활성층, p-반도체층, P-전극의 측면에 절연성의 고반사(HR-High Reflective)막(200e)이 증착되어진 발광 적층막(200)의 외측면에 UBM(Under Bump Metallization)층(300)을 더 포함하는 것이 바람직하다.Each of the plurality of light emitting
여기서, 상기 복수의 발광 구조물(210)은 질화갈륨(GaN)을 이용한 발광 구조물인 것이 바람직하다.The plurality of light emitting
또한, 상기 이종기판(100)은 사파이어 기판인 것이 바람직하다.In addition, the
도 2b는 복수의 발광 구조물(210) 각각의 상부에 부분적으로 금속막(400)을 형성하는 공정을 나타낸다.2B illustrates a process of partially forming the
이때, 상기 복수의 발광 구조물(210)의 각각의 상부라 함은, 각각의 발광 구조물(210)의 P-전극(200d)이 존재하는 영역의 UBM층(300) 상부를 말한다.In this case, each upper portion of the plurality of light emitting
종래의 수직형 발광소자의 제조시에는, 웨이퍼 상의 발광 구조물 전면에 UBM층을 도포하여 전면 통전이 가능하도록 한 후, 상기 UBM층의 최상층 금속을 시드(Seed)삼아 웨이퍼 전면에 금속막을 연속적으로 형성하는 전해 도금 방법을 사용하였다.In the manufacture of a conventional vertical light emitting device, after applying the UBM layer on the entire surface of the light emitting structure on the wafer to enable the front conduction, the metal layer is continuously formed on the entire surface of the wafer by seeding the top metal of the UBM layer. An electroplating method was used.
그러나, 본 발명은 상기 복수의 발광 구조물(210) 각각의 상부에 환원 물질을 최상층으로 하는 UBM층을 전기적 연결이 되지 않도록 개별적으로 증착시킨 후, 도금액 상에서 금속막(400)이 형성되도록 하는 무전해 도금(Electroless Plating) 방법을 이용하는 것을 특징으로 한다.However, according to the present invention, after depositing the UBM layer having the reducing material as the uppermost layer on each of the plurality of light emitting
무전해 도금은 전해 도금에 비해서, 도금층이 치밀하고 균일한 두께를 가지며, 도체뿐만 아니라 플라스틱이나 유기체 같은 다양한 기판에 대해서 적용할 수 있다는 장점이 있어서 다양한 분야에서 널리 쓰이는 방법이다.Electroless plating is a method widely used in various fields because it has an advantage that the plating layer has a dense and uniform thickness and can be applied to various substrates such as plastic or organic materials as well as the electrolytic plating.
또한, 상기 금속막(400)은 구리로 형성하는 것이 바람직하다.In addition, the
왜냐하면 수직형 발광소자 제조시 금속막의 용도를 고려할 때, 전극으로서 열이나 전기 전도성이 탁월해야 하고, 비용 및 제작의 용이성 등을 생각해 보더라도, 여러 가지 금속 중에 구리가 가장 적합하기 때문이다.This is because, when considering the use of the metal film in the manufacture of the vertical light emitting device, the thermal or electrical conductivity must be excellent as the electrode, and even considering the cost and ease of fabrication, copper is the most suitable among the various metals.
도 2c는 금속막(400)이 형성된 상기 복수의 발광 구조물(210) 상부에 결합물 질(500)을 이용하여 보조기판(600)을 접합시키는 공정을 나타낸다.FIG. 2C illustrates a process of bonding the
상기 보조기판(600)이 필요한 이유는 금속막이 개별적으로 형성되어 있는 발광 구조물들 자체적으로 후술할 이종기판을 제거하는 공정을 버틸만한 기계적인 내구성이 부족하기 때문이다.The
여기서, 상기 보조기판은 실리콘(Si) 또는 갈륨비소(GaAs)와 같은 웨이퍼 기판이나 금속막 웨이퍼인 것이 바람직하다.Here, the auxiliary substrate is preferably a wafer substrate or a metal film wafer such as silicon (Si) or gallium arsenide (GaAs).
그리고, 상기 결합물질은 아세톤과 같은 유기용제로 쉽게 제거 가능한 물질가운데 하나인 것이 바람직하다.In addition, the binder is preferably one of the substances that can be easily removed with an organic solvent such as acetone.
여기서, 그러한 결합물질(500)로는 에폭시 또는 포토레지스트(Photoresist)가 사용되는 것이 바람직하다.Here, it is preferable that an epoxy or photoresist is used as the
도 2d는 이종기판(100)을 제거하는 공정을 나타낸다.2D illustrates a process of removing the
이때, 상기 이종기판(100)은 레이저 리프트 오프(Laser Lift Off) 방법을 통해 제거하는 것이 바람직하다.In this case, the
한편, 상기 이종기판(100)을 제거한 다음 상기 복수의 발광 구조물 하부에 N-전극을 형성하는 것이 바람직하다.On the other hand, it is preferable to form the N-electrode below the plurality of light emitting structures after removing the
도 2e는 보조기판(600)을 분리하는 공정을 나타낸다.2E illustrates a process of separating the
여기서, 보조기판(600)은 이미 설명한 바와 같이 이종기판을 떼어내는 과정에서 발광소자의 기계적인 내구성을 임시적으로 지지해 주기 위한 역할을 하는 것이기 때문에, 이종기판을 제거한 이후 공정에서는 더 이상 필요가 없다.Here, since the
이러한 보조기판은 발광소자에 접착시키기 위해 사용했던 결합물질(500)의 제거를 통해 간단하게 분리할 수 있다.This auxiliary substrate can be easily separated by removing the
또한, 앞서 언급한 것처럼 상기 결합물질(500)은 아세톤과 같은 유기용제로 쉽게 제거 가능하다.In addition, as mentioned above, the
이와 같이, 본 발명은 각각의 발광소자에 금속막을 개별적으로 형성하기 때문에, 금속의 결합 상태를 끊기 위해서 종래와 같은 스크라이빙(Scribing), 익스펜딩 및 브레이킹(Expanding & Breaking) 공정을 하지 않더라도 수직형 발광소자를 용이하게 분리할 수 있다.As described above, since the present invention forms a metal film on each light emitting device individually, even if the scribing, expanding and breaking process is not performed in order to break the metal bonding state, The light emitting device can be easily separated.
한편, 이러한 결과로 금속막의 균열(Crack)이나 구부러짐(Bending) 결함이 발광구조물로 전이될 가능성이 낮아져, 종래에 비해 제조공정 단계에서 소자의 불량률이 저하되고, 생산효율을 향상시키는 효과가 있다.On the other hand, as a result of this, cracking or bending defects of the metal film are less likely to be transferred to the light emitting structure, and thus, compared with the prior art, the defective rate of the device is lowered in the manufacturing process step, thereby improving production efficiency.
이상 본 발명의 실시예에 따른 발명의 구성을 상세히 설명하였지만, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다.Although the configuration of the invention according to the embodiment of the present invention has been described in detail, the present invention is not necessarily limited to the embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
본 발명은 상기한 바와 같이 무전해 도금 방법을 통해 각 발광구조물 상부에 개별적으로 금속막을 형성시키기 때문에, 종래의 스크라이빙(Scribing), 익스펜딩 및 브레이킹(Expanding & Breaking) 공정과 같이 금속의 결합 상태를 끊기 위한 공정을 필요로 하지 않고, 이로 인해 금속막의 균열(Crack)이나 구부러짐(Bending) 결함이 발광구조물로 전이될 가능성이 낮아져, 종래에 비해 제조공정 단계에서 소자의 불량률이 저하되고, 생산효율을 향상시키는 효과가 있다.Since the present invention forms a metal film on each light emitting structure individually through the electroless plating method as described above, the metal is combined as in the conventional scribing, expanding and breaking processes. It does not require a process to break the state, which reduces the possibility of transition of cracks or bending defects of the metal film to the light emitting structure, thereby lowering the defect rate of the device in the manufacturing process step as compared to the conventional method. There is an effect of improving the efficiency.
또한, 본 발명은 상기한 바와 같이 이종기판을 제거하기 전에 발광소자들을 지지하기 위해 발광소자와 보조기판 사이를 결합물질로 채워서 임시적으로 접합시키므로써, 이종기판을 제거할 때 발광소자가 기계적인 내구성을 갖도록 충분히 보조할 수 있고, 추후에 결합물질과 보조기판을 간단히 제거 가능하므로, 용이하게 발광소자를 분리 및 확보할 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention is to temporarily bond between the light emitting element and the auxiliary substrate with a bonding material to support the light emitting elements before removing the dissimilar substrate as described above, the mechanical durability of the light emitting element when removing the dissimilar substrate It can be sufficiently assisted to, and since the binder and the auxiliary substrate can be easily removed later, there is an effect that can easily separate and secure the light emitting device.
또한, 본 발명은 필요한 부분에만 선택적으로 금속막을 형성하기 때문에, 불필요한 금속의 낭비를 줄일 수 있고, 따라서, 생산 비용의 절감 효과도 있다.In addition, since the present invention selectively forms a metal film only in necessary portions, unnecessary waste of metal can be reduced, and therefore, a production cost can be reduced.
이와 같이, 본 발명은 대량생산에 적합한 수직형 발광소자의 제조방법을 제공한다.As such, the present invention provides a method of manufacturing a vertical light emitting device suitable for mass production.
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2005
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