KR100665442B1 - Method and apparatus for controlling a error correction memory - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 에러정정용 메모리 제어장치 및 방법에 관한 것으로, 에러정정에 사용되는 외부 메모리를, 그 메모리의 기록 특성에 따라 다수개의 기록영역으로 구획 할당하는 1단계; 상기 할당된 각각의 기록영역에 대응되는 메모리 제어 어드레스를 발생시키는 2단계; 및 상기 발생된 메모리 제어 어드레스에 근거하여, 해당 기록영역에 아우터 패리티 엔코딩을 위한 데이터를 기록 또는 독출 처리하는 3단계를 포함하여 이루어져, 고밀도 광 기록매체인 디브이디(DVD)에 기록되는 디지털 데이터의 에러정정을 위하여 사용되는 에스디램(SDRAM)과 같은 외부 메모리의 기록 특성을 고려하여, 그 기록 특성에 적합한 메모리 맵(Map)을 구획 할당하고, 상기 구획된 메모리 맵에 상응하는 데이터 저장 및 독출 어드레스를 발생시켜, 디지털 데이터의 에러정정, 특히 아우터 패리티(PO)에 대한 엔코딩 동작이 신속하게 처리되도록 함으로써, 고배속으로 에러정정 엔코딩 동작을 수행하는 경우에도, 간단한 알고리즘을 사용하여, 에러정정 처리시간을 단축시킬 수 있게 되는 매우 유용한 발명인 것이다. The present invention relates to an error correction memory control apparatus and method, comprising: partitioning an external memory used for error correction into a plurality of recording areas according to recording characteristics of the memory; Generating a memory control address corresponding to each of the allocated recording areas; And three steps of recording or reading out data for outer parity encoding in a corresponding recording area based on the generated memory control address, wherein errors of digital data recorded on a DVD, a high-density optical recording medium, are included. In consideration of the write characteristics of an external memory such as SDRAM used for correction, a memory map suitable for the write characteristics is partitioned, and data storage and read addresses corresponding to the partitioned memory map are assigned. By generating an error correction of digital data, in particular, an encoding operation for outer parity (PO), it is possible to shorten the error correction processing time by using a simple algorithm even when performing an error correction encoding operation at a high speed. It is a very useful invention that can be made.

디브이디, 에러정정, 이너 패리티, 아우터 패리티, 메모리 맵, 어드레스 DVD, error correction, inner parity, outer parity, memory map, address

Description

에러정정용 메모리 제어장치 및 방법 {Method and apparatus for controlling a error correction memory} Memory control device and method for error correction {Method and apparatus for controlling a error correction memory}             

도 1 및 도 2는 일반적인 디브이디(DVD)에서의 에러정정(ECC) 블록에 대한 구성을 도시한 것이고,1 and 2 show a configuration of an error correction (ECC) block in a general DVD (DVD),

도 3은 일반적인 디브이디에서의 에러정정 엔코더에 대한 구성을 도시한 것이고, 3 shows a configuration of an error correction encoder in a general DVD,

도 4는 본 발명에 따른 에러정정용 메모리 제어장치가 포함 구성되는 아우터 패리티 엔코더부에 대한 실시예의 구성을 도시한 것이고,4 is a block diagram of an embodiment of an outer parity encoder including an error correction memory control device according to the present invention.

도 5는 본 발명에 따른 에러정정용 메모리 제어방법이 적용되는 에스디램(SDRAM)에 대한 메모리 맵을 도시한 것이고, FIG. 5 illustrates a memory map for an SDRAM to which an error correction memory control method according to the present invention is applied.

도 6은 본 발명에 따른 메인 데이터 기록영역에 대한 메모리 맵을 도시한 것이고,6 shows a memory map for a main data recording area according to the present invention;

도 7은 본 발명에 따른 섹터 정보 기록영역에 대한 메모리 맵을 도시한 것이고,7 shows a memory map for a sector information recording area according to the present invention,

도 8은 본 발명에 따른 아우터 패리티 데이터 기록영역에 대한 메모리 맵을 도시한 것이고, 8 shows a memory map for an outer parity data recording area according to the present invention,                 

도 9는 본 발명에 따른 아우터 패리트 엔코딩 순서를 도식화한 것이다.
9 is a diagram illustrating an outer parit encoding sequence according to the present invention.

※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명※ Explanation of code for main part of drawing

1 : 데이터 인터페이스부 2 : 버퍼부1: data interface unit 2: buffer unit

3 : PO 엔코더부 4 : PI 엔코더부3: PO encoder part 4: PI encoder part

5 : 변조부 6 : 기록 엔코더부5: modulation section 6: recording encoder section

7 : 메모리 컨트롤러부 8 : 에스디램(SDRAM)7: memory controller 8: SDRAM

31,32,33 : 어드레스 발생부 34 : 타이밍 제어부31, 32, 33: address generator 34: timing controller

35 : PO 엔코더 발생부35: PO encoder generating unit

본 발명은, 디브이디(DVD: Digital Versatile Disc)와 같은 고밀도 광 기록매체에 기록되는 디지털 데이터의 에러정정을 위해 사용되는 에스디램(SDRAM)과 같은 에러정정용 메모리에 대한 제어장치 및 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a control apparatus and method for an error correction memory such as SDRAM (SDRAM) used for error correction of digital data recorded on a high density optical recording medium such as a DVD (Digital Versatile Disc).

일반적으로, 디브이디의 포맷에 적합한 에러정정 코드(ECC: Error Correction Code)는, 리드 솔로몬 코드(RS Code: Read Solomon Code)를 이용하고 있는 데, 상기 디브이디에서의 에러정정은, RS(182,172,11)로 구성된 이너 코드(Inner Code)와, RS(192,208,17)로 구성된 아우터 코드(Outer Code)로 인터리브(Interleave)되어, 이너에서는 5 개의 에러까지 정정이 가능하게 되며, 아우터에서는 8 개의 에러 및 16 개의 이레이저(Eraser)까지 정정 가능하게 되는 것으로, 그 구성 체계는 다음과 같은 수식으로 표현된다. In general, an error correction code (ECC) suitable for a DVD format uses a Read Solomon code (RS Code). The error correction in the DVD is RS (182, 172, 11). Interleaved with an inner code consisting of) and an outer code consisting of RS (192, 208, 17), it is possible to correct up to five errors in the inner, and eight errors and Up to 16 Erasers can be corrected, and the structure is expressed by the following equation.

Figure 112000028689928-pat00001
--- 식 1
Figure 112000028689928-pat00001
--- Equation 1

Figure 112000028689928-pat00002
-- 식 2
Figure 112000028689928-pat00002
Equation 2

한편, 1 개의 에러정정 블록(ECC Block)은, 도 1에 도시한 바와 같이, 스크램블된 172 X 192 바이트의 소오스(Source) 데이터에, 세로 마다 각 16 개의 아우터 패리티(PO: Parity Outer)가 부가되고, 가로 마다 10 개의 이너 패리티(PI: Parity Inner)가 부가되는 총 182 X 208 바이트의 부호어 즉, 코드워드(Code Word)로 구성되는 데, 상기와 같이 구성된 코드워드는, 도 2에 도시한 바와 같이, 16 개의 아우터 패리티가 12 개의 이너 코드워드에 각각 인터리브되는 구성 체계를 갖게 되는 것으로, 총 208 개의 이너 코드워드는 모두 16 섹터로 구성되고, 1 개의 섹터는 13 개의 이너 코드워드로 구성된다. On the other hand, one error correction block (ECC Block), as shown in Fig. 1, is added to the scrambled source data of 172 X 192 bytes each 16 outer parity (PO: Parity Outer) per vertical And a total of 182 X 208 byte code words, that is, code words, to which 10 inner parity inners (PI) are added per horizontal line. The code words configured as described above are illustrated in FIG. As one example, 16 outer parities have a configuration scheme interleaved to 12 inner codewords. A total of 208 inner codewords consist of 16 sectors and one sector consists of 13 inner codewords. do.

즉, 1 개의 에러정정 블록은, 16 개의 섹터가 되고, 1 개의 섹터는 13 개의 코드워드. 그리고 1 개의 이너 코드워드는 182 바이트가 되는 데, 상기와 같이 구성되는 에러정정 블록에 대한 에러정정 동작은, 결국 상기 수식들을 구현하기 위한 것이다. That is, one error correction block has 16 sectors, and one sector has 13 codewords. One inner codeword is 182 bytes, and the error correction operation for the error correction block constructed as described above is for implementing the above equations.

이하, 상기와 같이 구성되는 에러정정 블록을 엔코딩하는 과정에 대해, 이하 첨부된 도면을 참조로 상세히 설명하면 다음과 같다.
Hereinafter, a process of encoding an error correction block configured as described above will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은, 일반적인 디브이디에서의 에러정정 엔코더에 대한 실시예의 구성을 도시한 것으로, 먼저, 에러정정을 위해 엔코딩할 데이터가 데이터 인터페이스부(1)로 전송되면, 필요한 부분부터 버퍼부(2)에서 외부 메모리인 SDRAM(8)에 저장하게 되는 데, 이때 상기 SDRAM(8)에 1 개의 에러정정 블록에 해당하는 데이터가 저장되면, PO 엔코더부(3)에서는 아우터 패리티(PO)에 대한 엔코딩 동작을 수행하게 된다.FIG. 3 shows a configuration of an embodiment of an error correction encoder in a general DVD. First, when data to be encoded is transmitted to the data interface unit 1 for error correction, the buffer unit 2 starts from the necessary portion. When the data corresponding to one error correction block is stored in the SDRAM 8, the PO encoder 3 performs an encoding operation on the outer parity PO. Will be performed.

이후, 다음 블록의 데이터가 SDRAM(8)에 저장되면, 다시 두 번째 아우터 패리티에 대한 엔코딩을 반복 수행하게 되므로, 결국 아우터 패리티에 대한 엔코딩 동작은, 데이터 블록의 개수 만큼 반복적으로 수행된다. Subsequently, when the data of the next block is stored in the SDRAM 8, since the encoding for the second outer parity is repeatedly performed, the encoding operation for the outer parity is repeatedly performed as many as the number of data blocks.

그리고, 디브이디에 저장할 모든 데이터가 전송되고 나면, 데이터를 버퍼링하는 동작과 아우터 패리티에 대한 엔코딩동작을 중지시키게 되는 한편, 메모리 제어부(7)에서는 버퍼부(2)와 P0 엔코더부(4), 그리고 PI 엔코더부(3)로부터 각각 출력되는 신호들을 먹싱(Muxing)한 후, 필요한 시간에 맞추어 SDRAM(8)으로 출력하게 된다. After all data to be stored in the DVD is transmitted, the buffering operation of the data and the encoding operation for the outer parity are stopped. In the memory controller 7, the buffer unit 2, the P0 encoder unit 4, and After muxing the signals output from the PI encoder unit 3, the signals are output to the SDRAM 8 at a time required.

또한, 상기 SDRAM(8)에 데이터를 저장할 때, 데이터가 어느 정도 저장되었는 지를 확인하게 되고, 일정한 분량의 데이터가 저장된 경우, 변조부(5)와 기록 컨트롤러부(6)에서 이를 독출 및 신호처리하여, 기록용 데이터로 출력함으로써, 에러정정된 디지털 데이터를 디브이디에 기록할 수 있게 된다. 한편, 상기 PI 엔코더부(3)에서의 엔코딩 동작, 즉 상기 이너 패리티(PI)에 대한 엔코딩 동작은, 도 1에 도시한 바와 같이, 172 개의 데이터를 순차적으로 독출한 후, 가로 방향으로 부가된 이너 패리티를 이용하여 엔코딩하게 된다.
In addition, when storing data in the SDRAM (8), it is confirmed how much data is stored, and if a certain amount of data is stored, the modulator (5) and the write controller (6) read and signal the data. By outputting the data as recording data, error corrected digital data can be recorded on the DVD. On the other hand, the encoding operation in the PI encoder 3, that is, the encoding operation for the inner parity (PI), as shown in Figure 1, after sequentially reading 172 pieces of data, is added in the horizontal direction Encoding is done using inner parity.

그러나, 상기와 같이 아우터 패리티(PO)에 대한 엔코딩 동작은, 도 1에 도시한 바와 같이, 에러정정 블록에 세로로 부가된 아우터 패리터(PO)를 독출 이용하여, 엔코딩해야 하며, 또한 외부 메모리인 SDRAM(8)에 데이터를 저장할 때, SDRAM의 특성상 8 내지 16 코드워드, 즉 16 내지 32 바이트 단위로 저장되도록 제어해 주어야만 하기 때문에, 그에 따른 복잡한 알고리즘이 요구되며, 또한 아우터 패리티에 대한 엔코딩 처리시간이 장시간 소요되어, 에러정정을 고배속으로 처리하는 경우, 에러정정에 대한 전체 처리속도를 저하시키게 되는 문제점이 있었다.
However, as described above, the encoding operation for the outer parity PO should be encoded by reading the outer parr PO vertically added to the error correction block, as shown in FIG. When the data is stored in the SDRAM 8, which must be controlled to be stored in units of 8 to 16 codewords, that is, 16 to 32 bytes, due to the characteristics of the SDRAM, a complicated algorithm is required, and encoding processing for outer parity is also required. When a long time is required and the error correction is processed at a high speed, there is a problem that the overall processing speed for error correction is lowered.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창작된 것으로서, 고밀도 광 기록매체인 디브이디(DVD)에 기록되는 디지털 데이터의 에러정정 중 아우터 패리티(PO)에 대한 엔코딩 동작을 신속하게 처리하기 위하여, SDRAM과 같은 외부 메모리의 기록 특성에 적합하도록 메모리 맵(Map)을 구획 할당하고, 그 구획된 메모리 맵에 적합하게 데이터가 기록 및 독출되도록 어드레스를 발생시킴으로써, 간단한 알고리즘 사용 및 에러정정 처리시간을 단축시킬 수 있도록 하는 에러정정용 메모리 제어장치 및 방법을 제공하는 데, 그 목적이 있는 것이다.
Accordingly, the present invention was created to solve the above problems, and to quickly process the encoding operation on the outer parity (PO) during error correction of digital data recorded on a DVD (DVD), which is a high-density optical recording medium. By allocating a memory map to suit the recording characteristics of external memory such as SDRAM and generating an address so that data can be written and read according to the partitioned memory map, simple algorithm use and error correction processing time can be achieved. It is an object of the present invention to provide a memory control apparatus and method for error correction that can be shortened.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 에러정정용 메모리 제어방법은, 에러정정에 사용되는 외부 메모리를, 그 메모리의 기록 특성에 따라 다수개의 기록영역으로 구획 할당하는 1단계; 상기 할당된 각각의 기록영역에 대응되는 메모리 제어 어드레스를 발생시키는 2단계; 및 상기 발생된 메모리 제어 어드레스에 근거하여, 해당 기록영역에 아우터 패리티 엔코딩을 위한 데이터를 기록 또는 독출 처리하는 3단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하며,An error correction memory control method according to the present invention for achieving the above object comprises the steps of partitioning an external memory used for error correction into a plurality of recording areas according to the recording characteristics of the memory; Generating a memory control address corresponding to each of the allocated recording areas; And recording or reading processing data for outer parity encoding in a corresponding recording area based on the generated memory control address.

또한, 본 발명에 따른 에러정정용 메모리 제어장치는, 메모리의 기록 특성에 따라 다수개의 기록영역으로 구획 할당되어, 에러정정에 필요한 데이터를 구분 저 장하는 저장수단; 상기 다수개의 기록영역에, 데이터를 저장 또는 독출하기 위한 메모리 제어 어드레스를 발생시키는 어드레스 발생수단; 상기 발생된 메모리 제어 어드레스에 근거하여, 아우터 패리티 엔코딩을 위한 에러정정 데이터를 저장 또는 독출하는 메모리 제어수단; 및 상기 독출되는 에러정정 데이터에 대한 아우터 패리티 엔코딩을 수행하는 엔코딩 수단을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
In addition, the error correction memory control apparatus according to the present invention comprises: storage means for partitioning into a plurality of recording areas according to the recording characteristics of the memory, for storing and storing data necessary for error correction; Address generating means for generating a memory control address for storing or reading data in the plurality of recording areas; Memory control means for storing or reading error correction data for outer parity encoding based on the generated memory control address; And encoding means for performing outer parity encoding on the read error correction data.

이하, 본 발명에 따른 에러정정용 메모리 제어장치 및 방법에 대한 바람직한 실시예에 대해, 첨부된 도면을 참조로 하여 상세히 설명한다. Hereinafter, a preferred embodiment of an error correction memory control apparatus and method according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

우선, 도 4는 본 발명에 따른 에러정정용 메모리 제어장치에 대한 실시예의 구성, 특히 도 3을 참조로 전술한 바 있는 PO 엔코더부(3)에 대한 상세 구성을 도시한 것으로, 도 3에 도시한 버퍼부(2)에서 입력 데이터를 1 개의 에러정정 블록만큼 저장하게 되면, 그 정보가 PO 엔코더부(3)로 전송되고, 상기 PO 엔코더부(3)에서는 1 개의 에러정정 블록 데이터를 읽어서 아우터 패리티(PO)에 대한 엔코딩 동작을 수행하게 되는 데, 이때 도 4에 도시한 바와 같이, 섹터 정보 어드레스 발생부(31)에서는, 섹터의 아이디(ID)와, 아이디 에러 검출(IED: ID Error Detection), 여유영역(RSV: Reserved) 및 에러검출코드(EDC: Error Detection Code) 등과 같은 섹터 정보들을 기록 저장하기 위한 ID,IED,RSV,EDC 데이터 어드레스를 각각 발생시켜, 메모리 컨트롤러부(7)로 전송하게 되고, 상기 어드레스는 SDRAM(8)에 전송되어 해당 데이터를 SDRAM 저장하게 된다. First, FIG. 4 shows a detailed configuration of an embodiment of an error correction memory control apparatus according to the present invention, in particular the PO encoder unit 3 described above with reference to FIG. When the buffer unit 2 stores input data for one error correction block, the information is transmitted to the PO encoder unit 3, and the PO encoder unit 3 reads one error correction block data to output outer parity. In this case, as shown in FIG. 4, in the sector information address generator 31, the sector ID and ID error detection (IED) are detected. And ID, IED, RSV, and EDC data addresses for recording and storing sector information such as a reserved area (RSV: Reserved) and an error detection code (EDC), etc., are transmitted to the memory controller unit 7. And the address is S The data is transferred to the DRAM 8 to store the data in the SDRAM.

한편, 타이밍 제어부(34)에서는 소정 시간마다 메모리 컨트롤러부(7)를 제어 하여 원하는 어드레스가 출력되도록 하는 한편, 메인 데이터 어드레스 발생부(32)에서는 메인 데이터를 읽을 때 어드레스를 발생시키게 되고, PO 데이터 어드레스 발생부(33)에서는, 192 개의 데이터를 읽어, 아우터 패리티에 대한 엔코딩 동작을 수행한 결과를 저장하기 위한 어드레스를 발생시키게 된다.On the other hand, the timing controller 34 controls the memory controller 7 every predetermined time so that a desired address is output, while the main data address generator 32 generates an address when reading the main data, and the PO data. The address generator 33 reads 192 pieces of data and generates an address for storing a result of performing an encoding operation on outer parity.

한편, 도 5는, 본 발명에 따른 메모리 맵, 예를 들어, 64 MB의 SDRAM의 메모리 맵에 대한 실시예를 도시한 것으로, 상기 SDRAM 메모리 전체를 크게 4 부분으로 나누어 데이터를 저장하게 되는 데, 우선 SDRAM에 저장할 메인 데이터를 블록 단위, 예를 들어 210 개의 에러정정 블록 단위로 저장하게 되는 것으로, 상기 메인 데이터는, 도 6에 도시한 바와 같이, 다시 섹터 단위로 나누게 되며, 그 섹터는 메모리 구조상 편리하게 4 개의 부분으로 다시 나뉘어진다. FIG. 5 illustrates an embodiment of a memory map according to the present invention, for example, a memory map of a 64 MB SDRAM, which divides the entire SDRAM memory into four parts and stores data. First, main data to be stored in the SDRAM is stored in units of blocks, for example, 210 error correction blocks. The main data is divided into sectors again as shown in FIG. Conveniently subdivided into four parts.

즉, SDRAM(8)의 1 로우(Row) 당 컬럼(Column) 번지는, 256 이 되므로, 1 섹터를 4 개의 로우로 나누게 되는 데, 1 로우는 256 워드가 되어, 결국 512 바이트가 되고, 다시 4 로우는 2048 바이트가 되어 1 섹터를 4 로우로 저장할 수 있게 된다.That is, since the column address per row of the SDRAM 8 becomes 256, it divides one sector into four rows, and one row becomes 256 words, and eventually 512 bytes, and so on. Four rows will be 2048 bytes, allowing one sector to be stored in four rows.

이와 같이, SDRAM의 메모리 영역을 구획 할당하게 되면, 데이터를 버퍼링할 때, 섹터 단위의 데이터를 로우 단위로 맞추어 저장할 수 있게 되므로 관리하기가 용이해진다. 그리고 1 섹터의 데이터는, 2048 바이트의 메인 데이터와 6 바이트의 ID 데이터, 2 바이트의 IED 데이터, 6 바이트의 RSV 데이터, 4 바이트의 EDC 데이터로 구성되므로, 메인 데이터 이외의 나머지 데이터들은, 도 5에 도시한 바와 같이, ID,IED,RSV,EDC 영역, 즉 섹터 정보 데이터 영역에 저장하게 된다. In this way, when the memory area of the SDRAM is partitioned, data can be stored in the unit of a sector in a row unit when buffering the data, thereby facilitating management. The data of one sector is composed of 2048 bytes of main data, 6 bytes of ID data, 2 bytes of IED data, 6 bytes of RSV data, and 4 bytes of EDC data. As shown in the figure, the data is stored in the ID, IED, RSV, and EDC areas, that is, the sector information data area.                     

한편 상기 각 영역은, 도 7에 도시한 바와 같이, 1 블록의 정보를 1 로우에 저장하게 되는 것으로, 1 섹터에 대한 정보가 ID 2 워드, IED 1 워드, RSV 3 워드, EDC 2 워드가 되므로 1 섹터 당 8 워드가 되므로, 1 블록에 대해서는 128 워드가 된다.On the other hand, as shown in Fig. 7, each area stores one block of information in one row, and the information on one sector becomes an ID 2 word, an IED 1 word, an RSV 3 word, and an EDC 2 word. Since it is 8 words per sector, it is 128 words for one block.

따라서, 1 로우의 반만 쓰고 반은 이용하지 않게 되며, PI 데이터 영역은 PI 엔코더부(3)에서 데이터를 생성하여 저장하게 되고, 상기 아우터 패리티(PO) 데이터는 1 섹터 당 172 바이트가 생성되므로, SDRAM의 1 로우에 2 섹터의 PO 데이터를 저장할 수 있게 되어, 1 블록의 데이터는 SDRAM의 8 로우에 모두 저장될 수 있게 되고, 마지막 영역인 MCU 영역은 나중에 마이컴(미도시) 필요할 때 사용할 수 있도록 한다. Therefore, only half of one row is written and half is not used, and the PI data area generates and stores data in the PI encoder 3, and the outer parity (PO) data is generated 172 bytes per sector. It is possible to store two sectors of PO data in one row of SDRAM, so that one block of data can be stored in all eight rows of SDRAM, and the last MCU area can be used later when required by a microcomputer (not shown). do.

한편, 상기 섹터 정보 어드레스 발생부(31)는, 상기 타이밍 제어부(34)의 제어에 따라 섹터 정보 영역에 저장된 섹터의 ID, IED, RSV, EDC 데이터를 읽기 위한 어드레스를 발생시키게 되는 데, 도 9에 도시한 바와 같이, PO 엔코딩은 세로 방향으로 에러정정을 수행하게 되므로, 맨 처음 ID 0을 읽고 , 그 다음 데이터는 각 섹터에서의 SDRAM의 첫 번째 로우의 18 번째 컬럼의 메인 데이터를 읽게 된다. Meanwhile, the sector information address generator 31 generates an address for reading the ID, IED, RSV, and EDC data of the sector stored in the sector information area under the control of the timing controller 34. FIG. As shown in the figure, PO encoding performs error correction in the vertical direction, so that ID 0 is first read, and then data is read main data of the 18th column of the first row of the SDRAM in each sector.

그리고, 그 다음 데이터는, 첫 번째 로우의 166 번째 컬럼의 메인 데이터를 읽으며, 다음 데이터는 첫 번째 로우의 252 컬럼의 메인 데이터를 읽으며, 다음 데이터는 두 번째 로우의 82 번째 컬럼의 메인 데이터를 읽게 된다. Then, the next data reads the main data of the 166th column of the first row, the next data reads the main data of the 252th column of the first row, and the next data reads the main data of the 82nd column of the second row. do.

이와 같은 방식으로, 도 9에 도시한 어드레스를 순차적으로 읽어 PI 엔코딩 동작을 수행하게되는 데, SDRAM의 특성상 같은 로우에서는 프리차아지(Pre-Charge) 없이도 데이터를 읽을 수 있으므로, 첫 번째 로우에서는 80, 166, 252의 컬럼 어드레스를 순차적으로 주면 3 클럭에 3 워드의 데이터를 읽을 수 있게 되어, SDRAM의 데이터 독출속도를 3 배 이상 증가시킬 수 있게 된다.In this way, the PI encoding operation is performed by sequentially reading the addresses shown in FIG. 9, but in the same row, data can be read without pre-charging in the same row. By sequentially giving the column addresses of 166 and 252, three words of data can be read in three clocks, thereby increasing the data read speed of the SDRAM by three times or more.

한편, 그 다음 번째는 두 번째 로우의 컬럼 어드레스 82,168,254의 데이터를 읽게 되고, 그 다음 번째는 세 번째 로우의 컬럼 어드레스 84,168의 데이터를 읽게 되며, 그 다음 번째는 네 번째 로우의 컬럼 어드레스 0,86,172의 데이터를 읽게 되고, 그리고, 다음 데이터는, 다시 두 번째 섹터의 데이터를 읽게 된다.On the other hand, the second reads the data of the column addresses 82,168,254 of the second row, the second reads the data of the column addresses 84,168 of the third row, and the second reads the data of the column addresses 0,86,172 of the fourth row. The data is read and the next data is read again in the second sector.

상기 2 번째 섹터는, ID 0 어드레스는 로우 어드레스와 같고, 컬럼 어드레스만 첫 번째 섹터 보다 8 만큼 증가하게 되고, 메인 데이터의 어드레스는 로우 어드레스와 같고, 컴럼 어드레스만 첫 번째 섹터의 로우 어드레스보다 1 이 증가하게 되고, 컬럼 어드레스는 첫 번째 섹터의 마지막 로우 어드레스 보다 1 증가하고, 컬럼 어드레스는 80,166,252를 출력하여 3 개의 데이터를 순차적으로 읽게 된다.In the second sector, the ID 0 address is the same as the row address, only the column address is increased by 8 than the first sector, the address of the main data is the same as the row address, and only the column address is 1 greater than the row address of the first sector. The column address increases by one than the last row address of the first sector, and the column address outputs 80,166,252 to read three data sequentially.

따라서, 이런 방식으로 1 블록의 첫 번째 데이터 즉 12 개 X 16 섹터를 모두 읽어 PO 엔코딩을 한 후, PO 어드레스 발생부(33)에서 발생한 어드레스에 데이터를 저장하게 된다. PO 데이터는 세로방향으로 한 줄 당 16 개의 데이터가 출력되므로, 16 개 각각의 어드레스를 발생시켜, 저장하게 된다. 이에 따라, 섹터 정보 어드레스 발생부(31)에서는, SDRAM의 로우 어드레스는 1 블록 처리할 때 마다 1 씩 증가시키게 되고, 도 9에 도시한 바와 같이, ID 0와 ID 1은 1 컬럼 어드레스가 차이가 나므로 1 증가시키게 되는 것으로, 상기와 같은 방식으로 2 번째의 세로 192 개의 데이터를 읽어 PO 엔코딩을 한 후, 다시 저장하고, 세 번째 내지 84 번째까지의 세 로 방향 PO 엔코딩을 수행하여, 1 블록에 대한 POI 엔코딩을 모두 마치게 된다.Therefore, after reading the first data of one block, that is, 12 X 16 sectors in this manner, and encoding the PO, the data is stored in the address generated by the PO address generator 33. Since 16 pieces of data are output per line in the vertical direction, PO data is generated and stored for each of 16 addresses. As a result, in the sector information address generator 31, the row address of the SDRAM is increased by 1 for each block processing. As shown in FIG. 9, the ID 0 and ID 1 are different from each other by one column address. Therefore, it increases by 1, reads the second 192 vertical data in the same manner as above, encodes the PO, saves it again, and performs the PO encoding in the third to 84th directions in one block. This completes the POI encoding for the.

한편, 상기 섹터 정보 어드레스 발생부(31)에서는, 처음 6 개의 세로 방향에 대한 어드레스를 발생시키고, 동작을 정지하고 있다가 마지막 2 개의 세로방향 PO 엔코딩을 할 때, 다시 동작시키게 되는 데, 이때 맨 마지막 EDC 데이터를 읽어 PO 엔코딩을 수행하게 된다.On the other hand, the sector information address generator 31 generates an address for the first six longitudinal directions, stops the operation, and operates again when the last two longitudinal PO encodings are performed. PO encoding is performed by reading the last EDC data.

그리고 메인 데이터 어드레스 발생부(32)에서는, 로우 어드레스는 SDRAM 독출 주기마다 1 씩 증가시키고, 컬럼 어드레스는 도 9에 도시한 바와 같이, 출력하게 된다.In the main data address generator 32, the row address is incremented by 1 for each SDRAM read period, and the column address is output as shown in FIG.

그리고 192 개의 데이터를 읽어서, PO 엔코딩을 한 이후에는, 로우 어드레스는 블록의 선두 값이 되고, 컬럼 어드레스가 바뀔 때마다 1 씩 증가된다. 그리고 이러한 방식으로 86 개 세로 방향의 PO 엔코딩을 끝내게 된다. PO 어드레스 발생부(33)에서는, 세로로 192 개의 데이터를 읽어 발생한 PO 데이터를 저장하기 위한 어드레스 발생부이고, 로우 어드레스는 2 워드의 데이터를 쓸 때마다 1 씩 증가하게 되고, 컬럼 어드레스는 홀수 섹터에서는 0 부터 시작하여 세로방향 192 개의 PO 엔코딩을 끝낸 후, 1 씩 증가하게 되고, 짝수 섹터에서는 80 (Hexa)부터 시작하여 세로방향으로 192 개의 PO 엔코딩 끝낸 후, 1 씩 증가하게 된다. After reading 192 pieces of data and performing PO encoding, the row address becomes the head value of the block, and is incremented by one each time the column address is changed. In this way, we end up with 86 vertical PO encodings. In the PO address generator 33, an address generator for storing PO data generated by reading 192 pieces of data vertically, the row address is incremented by one each time two words of data are written, and the column address is an odd sector. In E, it starts with 0 and ends 192 PO encodings in the longitudinal direction, and increases by 1, and in even sectors, it starts with 80 (Hexa) and ends with 192 PO encodings in the longitudinal direction and increases by 1.

상기 타이밍 제어부(34)는, 도 9에 도시한 바와 같이, ID,IED,RSV,EDC 데이터를 읽을 때는 메인 데이터 어드레스 발생부(32)의 출력을 SDRAM(8)으로 출력하고, 그 외의 메인 데이터를 읽을 때에는 메인 데이터 어드레스 발생부(32)의 출력을 SDRAM에 출력하게 된다. As shown in Fig. 9, the timing controller 34 outputs the output of the main data address generator 32 to the SDRAM 8 when reading ID, IED, RSV, and EDC data, and other main data. When reading the data, the output of the main data address generator 32 is output to the SDRAM.                     

그리고 세로방향 192 개의 데이터에 대한 PO 엔코딩이 끝나면, PO 데이터 어드레스 발생부(33)에서 출력되는 어드레스에 의해, PO 데이터를 저장하게 되며, PO 엔코더 발생부(36)에서는, SDRAM으로부터 데이터를 독출하여, 192 개의 데이터를 PO 엔코딩을 수행한 후 상기 변조부(5)로 출력하는 일련의 동작을 수행하게 된다. After the PO encoding for 192 vertical data ends, the PO data is stored by the address output from the PO data address generator 33, and the PO encoder generator 36 reads data from the SDRAM. After performing PO encoding, 192 pieces of data are output to the modulator 5.

따라서, 엔코딩 동작이 저배속으로 동작될 때는 PO 엔코딩이 문제가 되지 않지만, 엔코딩 동작이 고배속으로 동작될 때는 PO 엔코딩에 소요되는 시간이 전체 엔코딩 시간을 제한시키게 되는 데, 이상 전술한 바와 같은 SDRAM의 메모리 영역을 4 개의 영역으로 크게 구획 할당하고, 그에 적합한 데이터 저장 및 독출이 행되도록 함으로써, 3 배 정도로 PO 데이터를 신속히 독출 및 엔코딩 처리함으로써, 고속으로 에러정정이 가능하게 된다.
Therefore, PO encoding is not a problem when the encoding operation is operated at a low speed, but when the encoding operation is operated at a high speed, the time required for PO encoding limits the entire encoding time. By largely allocating the memory area into four areas and storing and reading data appropriately, the PO data can be read and encoded quickly by about three times, thereby enabling error correction at high speed.

이상, 전술한 본 발명의 바람직한 실시예는, 예시의 목적을 위해 개시된 것으로, 당업자라면 이하 첨부된 특허청구범위에 개시된 본 발명의 기술적 사상과 그 기술적 범위 내에서, 다양한 다른 실시예들을 개량, 변경, 대체 또는 부가 등이 가능할 것이다.
As mentioned above, preferred embodiments of the present invention are disclosed for purposes of illustration, and those skilled in the art can improve and change various other embodiments within the spirit and technical scope of the present invention disclosed in the appended claims below. , Replacement or addition would be possible.

상기와 같이 구성 및 이루어지는 본 발명에 따른 에러정정용 메모리 제어장치 및 방법은, 고밀도 광 기록매체인 디브이디(DVD)에 기록되는 디지털 데이터의 에러정정을 위하여 사용되는 에스디램(SDRAM)과 같은 외부 메모리의 기록 특성을 고려하여, 그 기록 특성에 적합한 메모리 맵(Map)을 구획 할당하고, 상기 구획된 메모리 맵에 상응하는 데이터 저장 및 독출 어드레스를 발생시켜, 디지털 데이터의 에러정정, 특히 아우터 패리티(PO)에 대한 엔코딩 동작이 신속하게 처리되도록 함으로써, 고배속으로 에러정정 엔코딩 동작을 수행하는 경우에도, 간단한 알고리즘을 사용하여, 에러정정 처리시간을 단축시킬 수 있게 되는 매우 유용한 발명인 것이다. An error correction memory control apparatus and method according to the present invention constituted and constructed as described above may include an external memory such as an SDRAM used for error correction of digital data recorded on a DVD, a high-density optical recording medium. In consideration of the recording characteristics, a memory map suitable for the recording characteristics is partitioned, and data storage and reading addresses corresponding to the partitioned memory maps are generated to correct errors of digital data, in particular, outer parity (PO). It is a very useful invention that it is possible to shorten the error correction processing time by using a simple algorithm even when performing the error correction encoding operation at a high speed by allowing the encoding operation to be processed quickly.

Claims (10)

에러정정에 사용되는 외부 메모리를, 그 메모리의 기록 특성에 따라 다수개의 기록영역으로 구획 할당하는 1단계; Partitioning the external memory used for error correction into a plurality of recording areas according to the recording characteristics of the memory; 상기 할당된 각각의 기록영역에 대응되는 메모리 제어 어드레스를 발생시키는 2단계; 및 Generating a memory control address corresponding to each of the allocated recording areas; And 상기 발생된 메모리 제어 어드레스에 근거하여, 해당 기록영역에 아우터 패리티 엔코딩을 위한 데이터를 기록 또는 독출 처리하는 3단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 에러정정용 메모리 제어방법. And recording or reading processing data for outer parity encoding in a corresponding recording area based on the generated memory control address. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 외부 메모리는, 에스디램(SDRAM)인 것을 특징으로 하는 에러정정용 메모리 제어방법.And the external memory is SDRAM. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 다수개의 기록영역은, 에러정정을 위한 메인 데이터가 기록되는 제1 기록영역과, 상기 메인 데이터의 섹터에 대한 정보가 기록되는 제2 기록영역, 그리고 에러정정을 위한 아우터 패리티 데이터가 기록되는 제3 기록영역이, 적어도 포함 구성되는 것을 특징으로 하는 에러정정용 메모리 제어방법.The plurality of recording areas may include a first recording area in which main data for error correction is recorded, a second recording area in which information about a sector of the main data is recorded, and an outer parity data in which error correction is recorded. And a recording area comprising at least three recording areas. 제 3항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 다수개의 기록영역에는, 상기 에러정정된 데이터가 기록될 광 기록매체에 대한 제어 데이터가 기록되는 제4 기록영역이 더 포함 구성되는 것을 특징으로 하는 에러정정용 메모리 제어방법.And a fourth recording area in which the control data for the optical recording medium on which the error corrected data is to be recorded is recorded in the plurality of recording areas. 제 3항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 메모리 제어 어드레스는, 상기 제1 기록영역과, 제2 기록영역, 그리고 제 3 기록영역에 데이터를 기록 또는 독출하기 위해 소정주기로 발생되는 것을 특징으로 하는 에러정정용 메모리 제어방법.And the memory control address is generated at predetermined intervals to record or read data in the first recording area, the second recording area, and the third recording area. 메모리의 기록 특성에 따라 다수개의 기록영역으로 구획 할당되어, 에러정정에 필요한 데이터를 구분 저장하는 저장수단;Storage means partitioned into a plurality of recording areas according to recording characteristics of the memory, for storing and storing data necessary for error correction; 상기 다수개의 기록영역에, 데이터를 저장 또는 독출하기 위한 메모리 제어 어드레스를 발생시키는 어드레스 발생수단; Address generating means for generating a memory control address for storing or reading data in the plurality of recording areas; 상기 발생된 메모리 제어 어드레스에 근거하여, 아우터 패리티 엔코딩을 위한 에러정정 데이터를 저장 또는 독출하는 메모리 제어수단; 및 Memory control means for storing or reading error correction data for outer parity encoding based on the generated memory control address; And 상기 독출되는 에러정정 데이터에 대한 아우터 패리티 엔코딩을 수행하는 엔코딩 수단을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 에러정정용 메모리 제어장치. And encoding means for performing outer parity encoding on the read error correction data. 제 6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 저장수단은, 에러정정을 위한 메인 데이터가 기록되는 제1 기록영역과, 상기 메인 데이터의 섹터에 대한 정보가 기록되는 제2 기록영역, 그리고 에러정정을 위한 아우터 패리티 데이터가 기록되는 제3 기록영역이, 적어도 포함 구성되는 에스디램(SDRAM)인 것을 특징으로 하는 에러정정용 메모리 제어장치. The storage means includes a first recording area in which main data for error correction is recorded, a second recording area in which information about a sector of the main data is recorded, and a third recording in which outer parity data for error correction is recorded. An error correction memory control device, characterized in that the area includes at least an SDRAM. 제 7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 어드레스 발생수단은, The address generating means, 상기 제1 기록영역에 메인 데이터를 기록 또는 독출하기 위한 어드레스를 발생시키는 제1 어드레스 발생부; A first address generator for generating an address for recording or reading main data in the first recording area; 상기 제2 기록영역에 섹터에 대한 정보를 기록 또는 독출하기 위한 어드레스를 발생시키는 제2 어드레스 발생부; A second address generator for generating an address for recording or reading information about a sector in the second recording area; 상기 제3 기록영역에 아우터 패리티 데이터를 기록 또는 독출하기 위한 어드레스를 발생시키는 제3 어드레스 발생부; 및 A third address generator for generating an address for recording or reading outer parity data in the third recording area; And 상기 제1,제2 및 제3 어드레스 발생부에 의해 발생된 각각의 어드레스에 근거하여, 상기 저장수단에 데이터를 기록 또는 독출하는 어드레스를 발생시키는 메모리 제어부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 에러정정용 메모리 제어장치. And a memory controller for generating an address for writing or reading data to the storage means based on the respective addresses generated by the first, second and third address generators. Correction memory controller. 제 7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 제2 기록영역에는, 기록된 데이터의 섹터 아이디(ID)와, 아이디 에러 검출(IED), 여유영역(RSV) 및 에러검출코드(EDC)에 대한 정보가 기록되는 것을 특징으로 하는 에러정정용 메모리 제어장치.In the second recording area, information on sector ID (ID), ID error detection (IED), free area (RSV), and error detection code (EDC) of the recorded data is recorded. Control unit. 제 7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 제3 기록영역에는, 상기 아우터 패리티 데이터가 16 섹터만큼 기록 저장되는 것을 특징으로 하는 에러정정용 메모리 제어장치. And the outer parity data is recorded and stored by 16 sectors in the third recording area.
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