KR100650263B1 - Light emitting device package and method for manufacturing the same - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 134
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 46
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 18
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 15
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 claims description 3
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 2
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 claims description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 2
- CBXWGGFGZDVPNV-UHFFFAOYSA-N so4-so4 Chemical compound OS(O)(=O)=O.OS(O)(=O)=O CBXWGGFGZDVPNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 5
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 235000015097 nutrients Nutrition 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- GHXRKGHKMRZBJH-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O.OB(O)O GHXRKGHKMRZBJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002991 molded plastic Substances 0.000 description 1
- LFLZOWIFJOBEPN-UHFFFAOYSA-N nitrate, nitrate Chemical compound O[N+]([O-])=O.O[N+]([O-])=O LFLZOWIFJOBEPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
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- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16245—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
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- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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Abstract
Description
도 1은 종래 기술에 따른 발광 다이오드 패키지의 구조를 개략적으로 도시한단면도1 is a cross-sectional view schematically showing the structure of a LED package according to the prior art
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 설명하기 위한 개략적인 개념도2 is a schematic conceptual view illustrating a light emitting device package according to a first embodiment of the present invention;
도 3a 내지 3c는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 개략적인 단면도3A to 3C are schematic cross-sectional views of a light emitting device package according to a first embodiment of the present invention.
도 4a 내지 4c는 본 발명에 따라 전도성 기판을 전기적으로 독립적인 두 영역으로 분할하는 방법의 일례를 설명하는 단면도4A-4C are cross-sectional views illustrating one example of a method of dividing a conductive substrate into two electrically independent regions in accordance with the present invention.
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 설명하기 위한 개략적인 개념도5 is a schematic conceptual view illustrating a light emitting device package according to a second embodiment of the present invention;
도 6a 내지 6d는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 개략적인 단면도6A to 6D are schematic cross-sectional views of a light emitting device package according to a second embodiment of the present invention.
도 7은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 설명하기 위한 개략적인 개념도7 is a schematic conceptual view illustrating a light emitting device package according to a third embodiment of the present invention;
도 8a와 8b은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 개략적인 단면도8A and 8B are schematic cross-sectional views of a light emitting device package according to a third embodiment of the present invention.
도 9는 본 발명에 따른 발광 소자 패키지에서 발광 소자를 전도성 기판에 접착시키는 공정의 일례를 설명하기 위한 부분 단면도9 is a partial cross-sectional view for explaining an example of the process of bonding the light emitting device to the conductive substrate in the light emitting device package according to the present invention
도 10은 본 발명에 따라 발광 소자를 전도성 기판에 플립칩(Flip chip) 본딩하는 공정의 일례를 설명하기 위한 부분 단면도10 is a partial cross-sectional view for explaining an example of a process of flip chip bonding a light emitting device onto a conductive substrate according to the present invention.
도 11은 본 발명에 따른 일례의 발광 소자 패키지에 실장된 발광소자에서 방출되는 광의 경로를 설명하기 위한 개념도11 is a conceptual diagram illustrating a path of light emitted from a light emitting device mounted on an example light emitting device package according to the present invention.
도 12는 본 발명에 따른 일례의 발광 소자 패키지에 실장된 발광소자에서 방출되는 광의 경로를 설명하기 위한 다른 개념도12 is another conceptual diagram for explaining a path of light emitted from a light emitting device mounted on an example light emitting device package according to the present invention;
도 13은 본 발명에 따른 발광 소자 패키지의 제조 공정을 설명하는 개략적인 흐름도13 is a schematic flowchart illustrating a manufacturing process of a light emitting device package according to the present invention.
도 14는 도 3a에 도시된 발광 소자 패키지의 개략적인 사시도14 is a schematic perspective view of the light emitting device package shown in FIG. 3A
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
100 : 전도성 기판 110,120,125 : 영역 100:
115 : 홈 130 : 절연성 영역115: groove 130: insulating area
135 : 산화막 150 : 반사막135: oxide film 150: reflective film
200 : 발광 소자 210,211,212 : 와이어200: light emitting element 210,211,212: wire
221,222 : 도전성 범프 250 : 전도성 접착수단221,222
251 : 절연성 접착수단 310 : 미러용 금속층251: insulating bonding means 310: mirror metal layer
320 : 접착수단 500 : 산화 억제층320: bonding means 500: oxidation inhibiting layer
본 발명은 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 양극 산화(Anodic Oxidation) 방법으로 산화시킨 절연성 영역으로 전도성 기판을 전기적으로 독립된 적어도 둘 이상의 영역들로 분리하고, 전도성 기판의 분리된 영역들 중 하나 또는 두 영역에 발광 소자를 실장하여 패키지를 구현함으로써, 패키지 구조를 슬림(Slim)화시키고, 열방출 효율이 우수한 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting device package and a method for manufacturing the same. More particularly, the conductive substrate is separated into at least two electrically independent regions by an insulating region oxidized by an anodizing method, and the conductive substrate is separated. The present invention relates to a light emitting device package and a method of manufacturing the same, wherein the light emitting device is mounted on one or two of the regions to realize a package, thereby making the package structure slim.
21세기 화합물 반도체가 주도하는 광반도체 시대의 차세대 광원으로 기존광원에 비하여 에너지 절감 효과가 매우 뛰어나고 반 영구적으로 사용할 수 있는 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)가 빛을 발하고 있다. As a next-generation light source in the optical semiconductor era led by compound semiconductors in the 21st century, light-emitting diodes (LEDs), which are more energy-saving and semi-permanent than conventional light sources, emit light.
이러한 발광 다이오드 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하다. The light emitting diode light emitting device can implement various colors such as red, green, blue, and ultraviolet rays by the development of thin film growth technology and device materials, and can also realize efficient white light by using fluorescent materials or combining colors.
이러한 기술의 발달로 최근 들어 디스플레이 백라이트 유닛(Backlight Unit)용 뿐만 아니라, 자동차용, 광고판용, 교통신호등용, 조명용등 산업 전반적으로 사 용되고 있다. With the development of this technology, in recent years, not only for display backlight units, but also for automobiles, billboards, traffic signals, and lighting industries.
특히, 크기가 작으면서도 고휘도라는 장점을 가진 백라이트유닛용 액정 디스플레이는 기존 백라이트 유닛의 광원으로 사용되어 온 CCFL램프를 대체하면서 모바일 기기의 상승곡선과 같은 궤적을 그릴 전망이다.In particular, the liquid crystal display for a backlight unit having a small size and high brightness is expected to draw a trajectory such as a rising curve of a mobile device, replacing the CCFL lamp that has been used as a light source of a conventional backlight unit.
이러한 발광 다이오드는 인쇄회로기판(Printed Circuit Board; PCB)에 직접 실장하기 위하여 표면 실장소자(Surface Mount Device; SMD)형으로 만들어지고 있으며, 정보 통신기기의 소형화 및 슬림화 추세에 따라 발광 다이오드 패키지 또한 더욱 소형화, 단순화되고 있다. Such light emitting diodes are made of a surface mount device (SMD) type for direct mounting on a printed circuit board (PCB), and according to the trend of miniaturization and slimming of information and communication devices, the light emitting diode package is further improved. It is being miniaturized and simplified.
도 1은 종래 기술에 따른 발광 다이오드 패키지의 구조를 개략적으로 도시한단면도로서, 방열판(10) 상부에 인쇄회로기판(11)이 본딩되어 있고, 상기 인쇄회로기판(11) 상부에 상호 이격된 한 쌍의 실장용 인쇄회로기판(12a,12b)이 본딩되어 있고, 상기 실장용 인쇄회로기판(12a,12b) 상부에 발광 다이오드 패키지(30)가 전기적으로 연결되며 실장되어 있다.1 is a cross-sectional view schematically illustrating a structure of a light emitting diode package according to the related art, in which a printed
그리고, 상기 발광 다이오드 패키지(30)는 상부에 홈이 형성된 히트 슬러그(20)와; 상기 히트 슬러그(20)의 홈 내부에 본딩되며, 상부에 두 단자(22a,22b)를 갖는 서브 마운트 기판(21)과; 상기 서브 마운트 기판(21)의 두 단자(22a,22b)에 플립칩 본딩된 발광 다이오드(25)와; 상기 히브 슬러그(20)를 감싸며, 성형된 플라스틱 사출물(26)과; 상기 플라스틱 사출물(26)에 고정되며, 플라스틱 사출물(26) 측면에 노출된 리드들(27a,27b)과; 상기 서브 마운트 기판(21)의 두 단자(22a,22b)와 리드들(27a,27b)을 전기적으로 연결시키는 와이어(23)와; 상기 발광 다이오드 (25)에서 방출되는 광의 분포를 제어하도록 상기 플라스틱 사출물(26)에 고정된 렌즈(22)로 이루어진다.The light
여기서, 상기 발광 다이오드 패키지(30)의 플라스틱 사출물(26)은 상기 실장용 인쇄회로기판(12a,12b)에 본딩되고, 상기 리드들(27a,27b)은 상기 실장용 인쇄회로기판(12a,12b)과 전기적으로 연결되도록 본딩된다.Here, the
이와 같은 종래 기술의 발광 다이오드 패키지는 발광 다이오드 구동 시 발생 하는 열이 열전달 속도가 늦은 인쇄회로기판을 통하여 방열기판(Heat sink)에 전달 됨으로 방열 효과가 미비할 뿐만 아니라 이로 인하여 광 특성이 저하되는 문제점이 있다. Such a conventional LED package has a problem that the heat generated when the LED is driven is transferred to a heat sink through a printed circuit board having a slow heat transfer rate, so that the heat dissipation effect is insignificant and the optical characteristics are deteriorated. There is this.
또한, 서브 마운트 기판, 히트 슬러그와 방열판을 추가로 제작하고, 이를 본딩하는 공정을 수행함으로써, 부품 수 및 작업공정 증가로 인하여 시간적으로나 경제적으로 제조비용이 증가하게 되는 문제점이 있다.In addition, by further manufacturing the sub-mount substrate, the heat slug and the heat sink, and performing the bonding process, there is a problem that the manufacturing cost increases in time and economically due to the increase in the number of parts and work process.
본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 양극 산화(Anodic Oxidation) 방법으로 산화시킨 절연성 영역으로 전도성 기판을 전기적으로 독립된 적어도 둘 이상의 영역들로 분리하고, 전도성 기판의 분리된 영역들 중 하나 또는 두 영역에 발광 소자를 실장하여 패키지를 구현함으로써, 패키지 구조를 단순화시키고, 제조 비용을 줄일 수 있는 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법을 제공하는 데 목적이 있다.In order to solve the above problems, the present invention is to isolate an electrically conductive substrate into at least two electrically independent regions with an insulating region oxidized by an anodic oxidation method, and one of the separated regions of the conductive substrate. Another object of the present invention is to provide a light emitting device package and a method of manufacturing the same, by implementing a package by mounting light emitting devices in two regions, thereby simplifying the package structure and reducing manufacturing costs.
본 발명의 다른 목적은 전도성 기판을 두께가 얇은 금속 시트를 사용함으로써, 패키지의 슬림(Slim)화를 달성할 수 있는 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법을 제공하는 데 있다. Another object of the present invention is to provide a light emitting device package and a method of manufacturing the same, which can achieve slimming of a package by using a thin metal sheet of a conductive substrate.
본 발명의 또 다른 목적은 발광 소자에서 발생된 열을 전도성 기판을 통하여 외부로 방출시킴으로써, 열 방출 경로가 짧아져 열 방출효율을 향상시킬 수 있는 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법을 제공하는 데 있다. Still another object of the present invention is to provide a light emitting device package and a method of manufacturing the same, by emitting heat generated in the light emitting device to the outside through a conductive substrate to shorten the heat dissipation path, thereby improving heat dissipation efficiency.
상기한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 바람직한 제 1 양태(樣態)는, A first preferred aspect for achieving the above objects of the present invention is
절연성 영역에 의해 전기적으로 독립된 제 1과 2 영역으로 양분된 전도성 기판과; A conductive substrate bisected into first and second regions electrically independent by an insulating region;
상기 전도성 기판의 제 1과 2 영역 중 적어도 하나 이상의 영역에 실장되며, 두 전극을 갖는 발광 소자와; A light emitting device mounted on at least one of the first and second regions of the conductive substrate and having two electrodes;
상기 발광 소자의 한 전극과 상기 제 1 영역을 전기적으로 연결하는 제 1 도전체와; A first conductor electrically connecting one electrode of the light emitting element to the first region;
상기 발광 소자의 다른 전극과 상기 제 2 영역을 전기적으로 연결하는 제 2 도전체를 포함하여 이루어진 발광 소자 패키지가 제공된다.A light emitting device package including a second conductor electrically connecting the other electrode of the light emitting device and the second region is provided.
상기한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 바람직한 제 2 양태(樣態)는, A second preferred aspect for achieving the above objects of the present invention is
절연성 영역에 의해 전기적으로 독립된 제 1과 2 영역으로 양분되고, 상기 제 1 영역 상부에 홈이 형성된 전도성 기판과; A conductive substrate divided into first and second regions electrically separated by an insulating region, and having a groove formed on the first region;
상기 전도성 기판의 홈에 실장되며, 두 전극을 갖는 발광 소자와; A light emitting device mounted in a groove of the conductive substrate and having two electrodes;
상기 발광 소자의 한 전극과 상기 제 1 영역을 전기적으로 연결하는 제 1 도전체와; A first conductor electrically connecting one electrode of the light emitting element to the first region;
상기 발광 소자의 다른 전극과 상기 제 2 영역을 전기적으로 연결하는 제 2 도전체를 포함하여 구성되며,And a second conductor electrically connecting the other electrode of the light emitting device to the second region.
상기 발광 소자는 상기 전도성 기판의 제 1 영역에 있는 홈에 절연성 접착수단으로 접착되어 있고, 상기 발광 소자 두 전극은 상기 발광 소자의 상부에 형성되어 있고, 상기 제 1과 2 도전체는 와이어인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지가 제공된다.The light emitting element is bonded to the groove in the first region of the conductive substrate by insulating adhesive means, the two electrodes of the light emitting element is formed on the upper portion of the light emitting element, the first and second conductors are wires A light emitting device package is provided.
상기한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 바람직한 제 3 양태(樣態)는, A third preferred aspect for achieving the above objects of the present invention is
제 1과 2 영역으로 양분시키는 홈이 상부에 형성되어 있는 전도성 기판과;A conductive substrate having a groove bisecting into the first and second regions;
상기 전도성 기판의 홈 바닥면에서 상기 전도성 기판의 하부까지 형성되어, 상기 제 1과 2 영역을 전기적으로 독립시키는 절연성 영역과; An insulating region formed from a groove bottom surface of the conductive substrate to a lower portion of the conductive substrate to electrically separate the first and second regions;
상기 전도성 기판의 홈에 실장되며, 두 전극을 갖는 발광 소자와; A light emitting device mounted in a groove of the conductive substrate and having two electrodes;
상기 발광 소자의 한 전극과 상기 제 1 영역을 전기적으로 연결하는 제 1 도전체와; A first conductor electrically connecting one electrode of the light emitting element to the first region;
상기 발광 소자의 다른 전극과 상기 제 2 영역을 전기적으로 연결하는 제 2 도전체를 포함하여 이루어진 발광 소자 패키지가 제공된다.A light emitting device package including a second conductor electrically connecting the other electrode of the light emitting device and the second region is provided.
상기한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 바람직한 제 4 양태(樣態)는, A fourth preferred aspect for achieving the above objects of the present invention is
상호 이격된 절연성 영역에 의해 전기적으로 독립된 제 1 내지 3 영역으로 분리된 전도성 기판과; A conductive substrate separated into first to third regions electrically isolated by mutually spaced insulating regions;
상기 전도성 기판의 제 2 영역에 실장되며, 두 전극을 갖는 발광 소자와; A light emitting device mounted on a second region of the conductive substrate and having two electrodes;
상기 발광 소자의 한 전극과 상기 제 1 영역을 전기적으로 연결하는 제 1 도전체와; A first conductor electrically connecting one electrode of the light emitting element to the first region;
상기 발광 소자의 다른 전극과 상기 제 3 영역을 전기적으로 연결하는 제 2 도전체를 포함하여 구성된 발광 소자 패키지가 제공된다.A light emitting device package including a second conductor that electrically connects another electrode of the light emitting device with the third region is provided.
상기한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 바람직한 제 5 양태(樣態)는, A fifth preferred aspect for achieving the above objects of the present invention is
상호 이격된 절연성 영역에 의해 전기적으로 독립된 제 1 내지 3 영역으로 분리된 전도성 기판과; A conductive substrate separated into first to third regions electrically isolated by mutually spaced insulating regions;
상기 전도성 기판의 제 1과 3 영역에 실장되며, 두 전극을 갖는 발광 소자와; A light emitting device mounted on the first and third regions of the conductive substrate and having two electrodes;
상기 발광 소자의 한 전극과 상기 제 1 영역을 전기적으로 연결하는 제 1 도전체와; A first conductor electrically connecting one electrode of the light emitting element to the first region;
상기 발광 소자의 다른 전극과 상기 제 3 영역을 전기적으로 연결하는 제 2 도전체를 포함하여 구성되며, And a second conductor electrically connecting the other electrode of the light emitting element to the third region.
상기 발광 소자는 상기 전도성 기판의 제 1과 3 영역에 도전성 범프(Bump)로 접착되어 있고, 상기 발광 소자의 두 전극은 상기 발광 소자의 하부에 형성되어 있 고, 상기 제 1과 2 도전체는 도전성 범프인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지가 제공된다.The light emitting device is bonded to the first and third regions of the conductive substrate by conductive bumps, two electrodes of the light emitting device are formed under the light emitting device, and the first and second conductors A light emitting device package is provided that is conductive bumps.
상기한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 바람직한 제 6 양태(樣態)는, The sixth preferred aspect for achieving the above objects of the present invention is
절연성 영역에 의해 전기적으로 분리된 적어도 둘 이상의 영역들을 갖는 전도성 기판을 준비하는 단계와;Preparing a conductive substrate having at least two regions electrically separated by an insulating region;
상기 전도성 기판의 분리된 영역들 중 하나 또는 두 영역에 발광 소자를 실장하는 단계와;Mounting a light emitting device in one or two regions of the separated regions of the conductive substrate;
상기 전도성 기판의 분리된 영역들과 발광 소자를 전기적으로 연결하는 단계를 포함하여 이루어진 발광 소자 패키지의 제조 방법이 제공된다.Provided is a method of manufacturing a light emitting device package comprising electrically connecting the separated regions of the conductive substrate and the light emitting device.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 설명하기 위한 개략적인 개념도로서, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 절연성 영역에 의해 전기적으로 제 1과 2 영역(110,120)으로 양분(兩分)된 전도성 기판(100)을 준비하고, 이 전도성 기판(100)의 제 1과 2 영역(110,120) 중 적어도 하나 이상의 영역에 발광 소자(200)를 실장하여 구현하는 것이다.FIG. 2 is a schematic conceptual view illustrating a light emitting device package according to a first embodiment of the present invention. In the light emitting device package according to the first embodiment of the present invention, the first and
즉, 전도성 기판(100)은 알루미늄 시트와 같은 금속 시트이고, 이 금속 시트 가 전기적으로 독립적인 두 영역으로 분할되도록, 분할되는 두 영역 사이의 금속 시트 영역을 산화시켜 절연성 영역을 만드는 것이다.That is, the
그러므로, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 구성부품이 단순하고, 제조공정도 간단하여 패키지를 제조하기 위한 소요 경비가 줄어든다.Therefore, the light emitting device package according to the first embodiment of the present invention has a simple component and a simple manufacturing process, thereby reducing the cost for manufacturing the package.
그리고, 전도성 기판(100)의 두께(T)를 얇게 할 수 있는 금속 시트를 사용함으로써, 패키지의 슬림(Slim)화를 달성할 수 있다.In addition, by using a metal sheet capable of reducing the thickness T of the
참고로, 본 발명의 도면에서는 패키지의 구조를 명확하게 하기 위해, 발광 소자의 두께보다 전도성 기판의 두께를 두껍게 도시하였으나, 전도성 기판의 두께는 자유롭게 설계할 수 있는 사항이므로, 발광 소자의 두께보다 얇게 하여 패키지를 구성할 수 있다.For reference, in the drawings of the present invention, in order to clarify the structure of the package, although the thickness of the conductive substrate is shown thicker than the thickness of the light emitting device, the thickness of the conductive substrate can be designed freely, so that the thickness of the light emitting device To configure the package.
더불어, 상기 전도성 기판의 두께는 100 ~ 1000㎛가 바람직하다.In addition, the thickness of the conductive substrate is preferably 100 ~ 1000㎛.
또한, 발광 소자가 히트 싱크와 같은 열전달이 우수한 금속 시트에 실장됨으로, 발광 소자에서 발생되는 열을 보다 쉽게 방출시킬 수 있다.In addition, since the light emitting device is mounted on a metal sheet having excellent heat transfer such as a heat sink, heat generated in the light emitting device can be more easily released.
게다가, 분할된 금속 시트의 하부는 노출되어 있으므로, 마더(Mother) 보드와 같은 다른 실장 영역에 패키지의 실장을 간단히 할 수 있다.In addition, since the lower part of the divided metal sheet is exposed, the mounting of the package can be simplified in another mounting area such as a mother board.
도 3a 내지 3c는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 개략적인 단면도로서, 제 1 실시예의 발광 소자 패키지는 절연성 영역에 의해 전기적으로 독립된 제 1과 2 영역(110,120)으로 양분된 전도성 기판(100)과; 상기 전도성 기판(100)의 제 1과 2 영역(110,120) 중 적어도 하나 이상의 영역에 실장되며, 두 전극을 갖는 발광 소자(200)와; 상기 발광 소자(200)의 한 전극과 상기 제 1 영역(110) 을 전기적으로 연결하는 제 1 도전체와; 상기 발광 소자(200)의 다른 전극과 상기 제 2 영역(120)을 전기적으로 연결하는 제 2 도전체를 포함하여 구성된다.3A to 3C are schematic cross-sectional views of a light emitting device package according to a first embodiment of the present invention, wherein the light emitting device package of the first embodiment is divided into first and
먼저, 도 3a의 패키지는 발광 소자(200)가 전도성 기판(100)의 제 1 영역(110)에 실장되는 구조이다.First, the package of FIG. 3A has a structure in which the
즉, 상기 발광 소자(200)가 전도성 기판(100)의 제 1 영역(110)에 전도성 접착수단(250)으로 접착되어 있고, 상기 발광 소자(200)의 한 전극은 상기 발광 소자(200)의 하부에 형성되어 있고, 상기 제 1 도전체는 전도성 접착수단이며, 상기 발광 소자(200)의 다른 전극은 상기 발광 소자(200)의 상부에 형성되어 있고, 상기 제 2 도전체는 와이어(210)이다.That is, the
그리고, 도 3b의 패키지는 상기 발광 소자(200)가 전도성 기판(100)의 제 1 영역(110)에 절연성 접착수단(251)으로 접착되어 있고, 상기 발광 소자(200)의 두 전극은 상기 발광 소자(200)의 상부에 형성되어 있고, 상기 제 1과 2 도전체가 와이어(211,212)인 구조이다.In addition, in the package of FIG. 3B, the
또한, 도 3c의 패키지는 발광 소자(200)가 전도성 기판(100)의 제 1과 2 영역(110,120)에 실장되는 구조로, 상기 발광 소자(200)의 두 전극은 상기 발광 소자(200)의 하부에 형성되어 있고, 상기 발광 소자(200)의 두 전극은 상기 전도성 기판(100)의 제 1과 2 영역(110,120)에 솔더와 같은 도전성 범프(Bump)(221,222)로 본딩되어 있고, 상기 제 1과 2 도전체는 범프(221,222)이다.In addition, the package of FIG. 3C has a structure in which the
도 4a 내지 4c는 본 발명에 따라 전도성 기판을 전기적으로 독립적인 두 영역으로 분할하는 방법의 일례를 설명하는 단면도로서, 전도성 기판(100)의 상부에 두 상부 영역으로 양분(兩分)하는 홈(130a)을 형성한다.(도 4a)4A to 4C are cross-sectional views illustrating an example of a method of dividing a conductive substrate into two electrically independent regions according to the present invention, and a groove dividing the upper portion of the
여기서, 상기 홈(130a)은 본 발명의 실시예에 따른 전도성 기판의 구조에 따라 적어도 둘 이상의 영역들로 분리시키는 홈으로 형성할 수 있다.Here, the
그 후, 상기 홈(130a)을 제외하고, 상기 전도성 기판(100) 상부에 산화 억제층(500)을 형성한다.(도 4b)Thereafter, except for the
여기서, 상기 산화 억제층(500)은 후술되는 산화 공정에서 상기 산화 억제층(500)에 의해 노출된 홈(130a) 내부면의 전도성 기판(100) 영역만 산화되고, 나머지 전도성 기판(100) 영역은 산화되지 못하게 하는 기능을 수행한다. Here, the
연이어, 상기 산화 억제층(500)에 의해 노출된 홈(130a) 내부면의 전도성 기판(100)을 산화시켜, 상기 전도성 기판(100)을 전기적으로 독립된 상기 제 1과 2 영역(110,120)으로 양분시키는 산화막(135)을 형성한다.(도 4c)Subsequently, the
여기서, 상기 전도성 기판(100)은 금속 시트를 사용하는 것이 바람직하고, 알루미늄 시트를 사용하는 것이 더 바람직하다.Here, the
여기서, 상기 산화 공정은 질소산(Nitric Acid) 또는 붕소산(Boric Acid)와 같은 전해액(Electrolytes)을 이용한 양극 산화(Anodic Oxidation) 방법을 수행하는 것이 바람직하다.Here, the oxidation process is preferably carried out anodizing (Anodic Oxidation) method using an electrolyte (Electrolytes) such as nitric acid (Nitric Acid) or boric acid (Boric Acid).
이 때, 상기 전해액의 온도는 10 ~ 50도가 적당하고, 펄스 전류(Pulsed Current)를 인가한다. At this time, the temperature of the electrolyte is 10 ~ 50 degrees is appropriate, the pulse current (Pulsed Current) is applied.
그리고, 상기 전해액에 산화막의 두께 및 강도를 증가시키기 위하여 유황산(Sulfuric Acid)를 첨가하는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable to add sulfuric acid (Sulfuric Acid) to increase the thickness and strength of the oxide film to the electrolyte solution.
또한, 상기 산화 억제층(500)은 양극 산화 공정시 사용되는 전해액(Electrolytes)에 반응이 없어야 하며, 산화막 형성 후, 산화 억제층(500)이 제거될 때, 전도성 기판(100) 및 산화막(135)의 손상없이 제거될 수 있는 물질이어야 한다.In addition, the
즉, 상기 산화 억제층(500)은 폴리머(Polymer) 계열의 물질 또는 금속 물질로 형성할 수 있다.That is, the
마지막으로, 상기 산화 억제층(500)을 제거한다.(도 4d)Finally, the
이로써, 본 발명의 패키지에 적용된 전도성 기판의 제조가 완료된다.This completes the manufacture of the conductive substrate applied to the package of the present invention.
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 설명하기 위한 개략적인 개념도로서, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 절연성 영역에 의해 전기적으로 독립된 제 1과 2 영역(110,120)으로 양분되고, 상기 제 1 영역(110) 상부에 홈(115)이 형성된 전도성 기판(100)을 준비하고, 이 전도성 기판(100)의 제 1 영역(110)의 홈(115)에 발광 소자(200)를 실장하여 구현하는 것이다.FIG. 5 is a schematic conceptual view illustrating a light emitting device package according to a second embodiment of the present invention, wherein the light emitting device package according to the second embodiment of the present invention may include first and second regions electrically separated by an insulating region. The
즉, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 전도성 기판(100)의 제 1 영역(110) 상부에 홈(115)을 형성하고, 이 홈(115) 바닥면에 발광 소자를 실장하는 것이다.That is, in the light emitting device package according to the second embodiment of the present invention, the
도 6a 내지 6d는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 개략적인 단면도로서, 제 2 실시예의 발광 소자 패키지는 절연성 영역(130)에 의해 전기적으로 독립된 제 1과 2 영역(110,120)으로 양분되고, 상기 제 1 영역(110) 상부에 홈(115)이 형성된 전도성 기판(100)과; 상기 전도성 기판(100)의 홈(115)에 실장되 며, 두 전극을 갖는 발광 소자(200)와; 상기 발광 소자(200)의 한 전극과 상기 제 1 영역(110)을 전기적으로 연결하는 제 1 도전체와; 상기 발광 소자(200)의 다른 전극과 상기 제 2 영역(120)을 전기적으로 연결하는 제 2 도전체를 포함하여 구성된다.6A to 6D are schematic cross-sectional views of a light emitting device package according to a second embodiment of the present invention, wherein the light emitting device package of the second embodiment is first and
도 6a의 패키지는 발광 소자(200)가 전도성 기판(100)의 제 1 영역(110)에 있는 홈(115)에 실장되는 구조이며, 상기 발광 소자(200)가 전도성 기판(100)의 제 1 영역(110)에 있는 홈(115)에 전도성 접착수단(250)으로 접착되어 있고, 상기 발광 소자(200)의 한 전극은 상기 발광 소자(200)의 하부에 형성되어 있고, 상기 제 1 도전체는 전도성 접착수단이며, 상기 발광 소자(200)의 다른 전극은 상기 발광 소자(200)의 상부에 형성되어 있고, 상기 제 2 도전체는 와이어(210)이다.The package of FIG. 6A has a structure in which the
그리고, 도 6b의 패키지는 상기 발광 소자(200)가 전도성 기판(100)의 제 1 영역(110)에 있는 홈(115)에 절연성 접착수단(251)으로 접착되어 있고, 상기 발광 소자(200)의 두 전극은 상기 발광 소자(200)의 상부에 형성되어 있고, 상기 제 1과 2 도전체가 와이어(211,212)인 구조이다.In the package of FIG. 6B, the
또한, 도 6c의 패키지는 제 1과 2 영역(110,120)으로 양분시키는 홈(115)이 상부에 형성되어 있는 전도성 기판(100)과; 상기 전도성 기판(100)의 홈(115) 바닥면에서 상기 전도성 기판(100)의 하부까지 형성되어, 상기 제 1과 2 영역(110,120)을 전기적으로 독립시키는 절연성 영역(130)과; 상기 전도성 기판(100)의 홈(115)에 실장되며, 두 전극을 갖는 발광 소자(200)와; 상기 발광 소자(200)의 한 전극과 상기 제 1 영역(110)을 전기적으로 연결하는 제 1 도전체와; 상기 발광 소자(200) 의 다른 전극과 상기 제 2 영역(120)을 전기적으로 연결하는 제 2 도전체를 포함하여 구성된다.In addition, the package of FIG. 6C includes a
여기서, 상기 발광 소자(200)의 두 전극은 상기 발광 소자(200)의 하부에 형성되어 있고, 상기 발광 소자(200)의 두 전극은 상기 전도성 기판(100)의 제 1과 2 영역(110,120)에 솔더와 같은 도전성 범프(Bump)(221,222)로 본딩되어 있고, 상기 제 1과 2 도전체는 범프(221,222)이다.Here, two electrodes of the
한편, 상기 발광 소자가 실장된 홈 내부에는, 상기 발광 소자를 감싸며 형광체가 분산된 수지, 실리콘 젤과 투광성이 우수한 에폭시 중 어느 하나가 더 충진되어 있으면, 외부로부터 발광 소자를 보호할 수 있고, 형광체는 발광 소자에서 방출된 광의 파장을 전환시켜 방출시킬 수 있게 된다.On the other hand, if any one of a resin, a silicone gel, and an epoxy having excellent light transmittance is further filled in the groove in which the light emitting device is mounted, the light emitting device is wrapped, the light emitting device can be protected from the outside. It is possible to switch by emitting the wavelength of the light emitted from the light emitting element.
도 7은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 설명하기 위한 개략적인 개념도로서, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 상호 이격된 절연성 영역(131,132)에 의해 전기적으로 독립된 제 1 내지 3 영역(110,120,125)으로 분리된 전도성 기판(100)을 준비하고, 상기 전도성 기판(100)의 제 2 영역(120)에 발광 소자(200)를 실장하여 구현하는 것이다.FIG. 7 is a schematic conceptual view illustrating a light emitting device package according to a third embodiment of the present invention, wherein the light emitting device package according to the third embodiment of the present invention is electrically independent of the insulating
즉, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 전도성 기판(100)이 분리된 제 1 내지 3 영역(110,120,125) 중 어느 한 영역으로 발광 소자에서 발생되는 열을 방출시키는 구조를 구현하는 것이다.That is, the light emitting device package according to the third embodiment of the present invention implements a structure for dissipating heat generated in the light emitting device to any one of the first to
도 8a와 8b은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 개략적인 단면도로서, 도시된 도 8a의 발광 소자 패키지는 상호 이격된 절연성 영역 (131,132)에 의해 전기적으로 독립된 제 1 내지 3 영역(110,120,125)으로 분리된 전도성 기판(100)과; 상기 전도성 기판(100)의 제 2 영역(120)에 실장되며, 두 전극을 갖는 발광 소자(200)와; 상기 발광 소자(200)의 한 전극과 상기 제 1 영역(110)을 전기적으로 연결하는 제 1 도전체와; 상기 발광 소자(200)의 다른 전극과 상기 제 3 영역(125)을 전기적으로 연결하는 제 2 도전체를 포함하여 구성된다.8A and 8B are schematic cross-sectional views of a light emitting device package according to a third embodiment of the present invention, in which the light emitting device package of FIG. 8A is first to third areas electrically separated by spaced apart insulating
여기서, 상기 발광 소자(200)가 전도성 기판(100)의 제 2 영역(120)에 절연성 접착수단(251)으로 접착되어 있고, 상기 발광 소자(200)의 두 전극은 상기 발광 소자(200)의 상부에 형성되어 있고, 상기 제 1과 2 도전체가 와이어(211,212)이다.Here, the
또한, 도 8b의 패키지는 상호 이격된 절연성 영역(131,132)에 의해 전기적으로 독립된 제 1 내지 3 영역(110,120,125)으로 분리된 전도성 기판(100)과; 상기 전도성 기판(100)의 제 1과 3 영역(110,125)에 실장되며, 두 전극을 갖는 발광 소자(200)와; 상기 발광 소자(200)의 한 전극과 상기 제 1 영역(110)을 전기적으로 연결하는 제 1 도전체와; 상기 발광 소자(200)의 다른 전극과 상기 제 3 영역(125)을 전기적으로 연결하는 제 2 도전체를 포함하여 구성된다.In addition, the package of FIG. 8B includes a
여기서, 상기 발광 소자(200)가 전도성 기판(100)의 제 1과 3 영역(110,125)에 솔더와 같은 도전성 범프(Bump)(221,222)로 접착되어 있고, 상기 발광 소자(200)의 두 전극은 상기 발광 소자(200)의 하부에 형성되어 있고, 상기 제 1과 2 도전체가 도전성 범프(221,222)이다.Here, the
전술된 본 발명에 따른 제 1 내지 3 실시예의 발광 소자 패키지에서는, 발광 소자에서 방출된 광의 분포를 제어하기 위하여, 발광 소자를 감싸며, 전도성 기판 에 렌즈가 더 본딩되어 있는 것이 바람직하다.In the light emitting device packages of the first to third embodiments according to the present invention described above, in order to control the distribution of light emitted from the light emitting device, it is preferable that the lens is further bonded to the conductive substrate to surround the light emitting device.
도 9는 본 발명에 따른 발광 소자 패키지에서 발광 소자를 전도성 기판에 접착시키는 공정의 일례를 설명하기 위한 부분 단면도로서, 발광 소자(200)가 접착되는 전도성 기판의 대상 영역(300)에 미러용 금속층(310)을 형성하고, 접착수단(320)으로 발광 소자(200)를 상기 전도성 기판의 대상 영역(300)에 접합하면, 상기 발광 소자(200)의 하부로 방출되는 광이 상기 미러용 금속층(310)에서 반사되어, 상기 발광 소자(200) 상부로 출사된다.FIG. 9 is a partial cross-sectional view illustrating an example of a process of bonding a light emitting device to a conductive substrate in the light emitting device package according to the present invention. When the
그러므로, 발광 소자 패키지 상부로 출력되는 광량을 증가시킬 수 있는 것이다.Therefore, the amount of light output to the upper portion of the light emitting device package can be increased.
도 10은 본 발명에 따라 발광 소자를 전도성 기판에 플립칩(Flip chip) 본딩하는 공정의 일례를 설명하기 위한 부분 단면도로서, 절연성 영역(135)에 의해 전기적으로 독립된 분리된 전도성 기판의 제 1과 2 영역(110,120)에 발광 소자(200)를 플립칩 본딩하기 전에, 상기 제 1과 2 영역(110,120) 상부에 시드층(Seed Layer) 또는 전극단자(321,322)를 각각 형성하고, 발광 소자(200)를 솔더와 같은 도전성 범프(221,222)로 상기 시드층(Seed Layer) 또는 전극단자(321,322)에 본딩한다.FIG. 10 is a partial cross-sectional view illustrating an example of a process of flip chip bonding a light emitting device to a conductive substrate according to the present invention, and includes a first view of a separated conductive substrate electrically separated by an
전술된 시드층(Seed Layer) 또는 전극단자(321,322)는 상기 발광 소자(200)를 상기 전도성 기판에 쉽게 본딩시킬 수 있는 기능을 수행한다.The above-described seed layer or
도 11은 본 발명에 따른 일례의 발광 소자 패키지에 실장된 발광소자에서 방출되는 광의 경로를 설명하기 위한 개념도로서, 전도성 기판(100)에 홈(115)이 형 성되어 있고, 이 홈(115)에 발광 소자(200)를 실장하는 경우, 상기 홈(115) 내부의 측면은 'θ'의 각도로 경사져 있는 것이 바람직하다. FIG. 11 is a conceptual view illustrating a path of light emitted from a light emitting device mounted on an example light emitting device package according to the present invention. The
즉, 상기 홈(115) 내부의 측면이 경사져 있으면, 발광 소자에서 방출된 광이 홈(115) 내부의 측면에서 반사되어 발광 소자 상부로 진행하게 되어 광출력을 향상시킬 수 있게 된다.That is, if the side surface of the
그리고, 도 12와 같이, 상기 홈(115)의 측벽 및 바닥면에 반사막(150)이 형성되어 있으면, 상기 반사막(150)에서 반사되는 광량이 많아져, 상기 발광 소자(200) 상부로 진행하는 광량을 증가시킬 수 있다.As shown in FIG. 12, when the
도 13은 본 발명에 따른 발광 소자 패키지의 제조 공정을 설명하는 개략적인 흐름도로서, 먼저, 절연성 영역에 의해 전기적으로 분리된 적어도 둘 이상의 영역들을 갖는 전도성 기판을 준비한다.(S10단계)FIG. 13 is a schematic flowchart illustrating a manufacturing process of a light emitting device package according to the present invention. First, a conductive substrate having at least two or more regions electrically separated by an insulating region is prepared.
여기서, 상기 전도성 기판은 전술된 도 4a 내지 4c와 같은 공정에 의해 형성한다.Here, the conductive substrate is formed by the process as shown in FIGS. 4A to 4C described above.
그 후, 상기 전도성 기판의 분리된 영역들 중 하나 또는 두 영역에 발광 소자를 실장한다.(S20단계)Thereafter, the light emitting device is mounted on one or two regions of the separated regions of the conductive substrate.
연이어, 상기 전도성 기판의 분리된 영역들과 발광 소자를 전기적으로 연결한다.(S30단계)Subsequently, the separated regions of the conductive substrate and the light emitting device are electrically connected (S30).
여기서, 상기 전도성 기판의 분리된 영역들과 발광 소자를 전기적으로 연결하는 것은, 전술된 바와 같이, 와이어 본딩 공정, 범프 본딩 공정과 이들이 혼합된 공정 중 어느 하나를 이용하는 것이 바람직하다.Here, the electrically connecting the separated regions of the conductive substrate and the light emitting device, as described above, it is preferable to use any one of a wire bonding process, a bump bonding process and a mixture thereof.
도 14는 도 3a에 도시된 발광 소자 패키지의 개략적인 사시도로서, 전도성 기판(100)을 산화하여 형성된 절연성 영역(130)으로 전도성 기판(100)은 전기적으로 독립된 제 1과 2 영역(110,120)으로 양분된다.FIG. 14 is a schematic perspective view of the light emitting device package illustrated in FIG. 3A, wherein the insulating
그리고, 발광 소자(200)는 전도성 기판(100)의 제 1 영역(110)에 전도성 접착수단으로 본딩된다.The
또한, 발광 소자(200)와 제 2 영역(120)을 와이어(210)로 전기적으로 연결한다.In addition, the
게다가, 상기 제 1 영역(110)에 형성된 홈(115)을 원형 그루브(Groove) 형상으로 형성하면, 상기 발광 소자(200)의 측면에서 방출된 광을 상부로 반사시켜 발광 효율을 증대할 수 있는 것이다.In addition, when the
그러므로, 본 발명의 발광 소자 패키지는 간단한 구조의 전도성 기판(100)에 발광 소자를 실장함으로써, 패키지를 구성하는 부품수를 줄일 수 있어 저가로 제조할 수 있는 장점이 있다.Therefore, the light emitting device package of the present invention has an advantage that the light emitting device may be mounted on the
이상 상술한 바와 같이, 본 발명은 양극 산화(Anodic Oxidation) 방법으로 산화시킨 절연성 영역으로 전도성 기판을 전기적으로 독립된 적어도 둘 이상의 영역들로 분리하고, 전도성 기판의 분리된 영역들 중 하나 또는 두 영역에 발광 소자를 실장하여 패키지를 구현함으로써, 패키지 구조를 단순화시키고, 제조 비용을 줄일 수 있는 효과가 있다.As described above, the present invention is an insulating region oxidized by an anodizing method, and the conductive substrate is separated into at least two or more electrically independent regions, and in one or two regions of the separated regions of the conductive substrate. By mounting the light emitting device to implement the package, there is an effect that can simplify the package structure and reduce the manufacturing cost.
또한, 본 발명은 전도성 기판을 두께가 얇은 금속 시트를 사용함으로써, 패키지의 슬림(Slim)화를 달성할 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention has an effect of achieving a slimming of the package by using a thin metal sheet of the conductive substrate.
게다가, 발광 소자에서 발생된 열을 전도성 기판을 통하여 외부로 방출시킴으로써, 열 방출 경로가 짧아져 열 방출효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, by dissipating heat generated in the light emitting device to the outside through the conductive substrate, the heat dissipation path is shortened to improve the heat dissipation efficiency.
본 발명은 구체적인 예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the invention has been described in detail only with respect to specific examples, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the spirit of the invention, and such modifications and variations belong to the appended claims.
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Priority Applications (1)
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101191363B1 (en) * | 2010-11-01 | 2012-10-15 | (주)포인트엔지니어링 | Optical Element Device |
WO2015041456A1 (en) * | 2013-09-17 | 2015-03-26 | 주식회사 포인트엔지니어링 | Substrate for mounting chip and chip package |
TWI555237B (en) * | 2009-11-16 | 2016-10-21 | 波音特工程股份有限公司 | Optical element device and fabricating method thereof |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003303999A (en) | 2002-04-05 | 2003-10-24 | Citizen Electronics Co Ltd | Surface-mounted light-emitting diode |
JP2004119981A (en) | 2002-09-27 | 2004-04-15 | Kokuren Koden Kagi Kofun Yugenkoshi | Surface-mounting structure and manufacturing method of high-power led |
-
2005
- 2005-11-24 KR KR1020050112953A patent/KR100650263B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003303999A (en) | 2002-04-05 | 2003-10-24 | Citizen Electronics Co Ltd | Surface-mounted light-emitting diode |
JP2004119981A (en) | 2002-09-27 | 2004-04-15 | Kokuren Koden Kagi Kofun Yugenkoshi | Surface-mounting structure and manufacturing method of high-power led |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI555237B (en) * | 2009-11-16 | 2016-10-21 | 波音特工程股份有限公司 | Optical element device and fabricating method thereof |
KR101191363B1 (en) * | 2010-11-01 | 2012-10-15 | (주)포인트엔지니어링 | Optical Element Device |
WO2015041456A1 (en) * | 2013-09-17 | 2015-03-26 | 주식회사 포인트엔지니어링 | Substrate for mounting chip and chip package |
CN105580130A (en) * | 2013-09-17 | 2016-05-11 | 普因特工程有限公司 | Substrate for mounting chip and chip package |
US9673367B2 (en) | 2013-09-17 | 2017-06-06 | Point Engineering Co., Ltd. | Substrate for mounting chip and chip package |
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