KR100634189B1 - Thin light emitting diode package and method for manufacturing the same - Google Patents

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KR100634189B1
KR100634189B1 KR1020050080660A KR20050080660A KR100634189B1 KR 100634189 B1 KR100634189 B1 KR 100634189B1 KR 1020050080660 A KR1020050080660 A KR 1020050080660A KR 20050080660 A KR20050080660 A KR 20050080660A KR 100634189 B1 KR100634189 B1 KR 100634189B1
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조성빈
오영식
김현민
윤정현
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루미마이크로 주식회사
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Abstract

A thin light emitting diode package and its manufacturing method are provided to increase luminance and to decrease an operational voltage by using a lead frame having a reflective cup. A plate-shaped lead frame(101) whose center is bent has a reflective cup(104). An LED chip(106) is mounted on a bottom of the reflective cup. A molding unit packs the LED chip and the lead frame to expose a lower surface of the bottom of the reflective cup to release heat generated in the LED chip. The lead frame is exposed to an outside from the molding unit so that both ends of the lead frame form connecting terminals with outside circuits. The molding unit includes an inner molding unit(108) and an outer molding unit(110). The inner molding unit is formed in the reflective cup to pack the LED chip. The outer molding unit is formed at the outside of the inner molding unit to pack the lead frame.

Description

박막형 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법{THIN LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME} Thin film type light emitting diode package and its manufacturing method {THIN LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}

도 1은 종래 기술에 따른 발광 다이오드 패키지의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a light emitting diode package according to the prior art.

도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 박막형 발광 다이오드 패키지의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of a thin film type light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.

도 3은 도 2의 박막형 발광 다이오드 패키지의 평면도이다. 3 is a plan view of the thin film LED package of FIG. 2.

도 4는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 박막형 발광 다이오드 패키지의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of a thin film type light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.

도 5는 도 4의 박막형 다이오드 패키지의 평면도이다.5 is a plan view of the thin film diode package of FIG. 4.

도 6은 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 박막형 발광 다이오드 패키지의 단면도이다.6 is a cross-sectional view of a thin film type light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.

도 7a 내지 도 7g는 본 발명의 일 실시형태에 따른 박막형 발광 다이오드 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.7A to 7G are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a thin film type LED package according to an embodiment of the present invention.

도 8은 제2 벤딩 단계가 완료된 후의 리드프레임 어레이를 나타내는 평면도이다.8 is a plan view illustrating the leadframe array after the second bending step is completed.

도 9는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 박막형 발광 다이오드 패키지의 제조 방법에 있어서, 리드프레임에 제너 다이오드가 탑재된 상태를 나타내는 단면도 이다.9 is a cross-sectional view showing a state in which a Zener diode is mounted on a lead frame in the method of manufacturing a thin film type light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

100, 200, 300: 박막형 발광 다이오드 패키지 100, 200, 300: thin film light emitting diode package

101: 리드 프레임 101a: 제1 리드부101: lead frame 101a: first lead portion

101b: 제2 리드부 101c: 분리부101b: second lead portion 101c: separation portion

102: 반사컵의 바닥 103a, 103b: 단자102: bottom of the reflecting cup 103a, 103b: terminal

104: 반사컵 104a: 반사면104: reflecting cup 104a: reflecting surface

106: LED 칩 107: 본딩 와이어106: LED chip 107: bonding wire

108: 내측 몰딩부 110: 외측 몰딩부108: inner molding part 110: outer molding part

120: 제너 다이오드120: Zener Diode

본 발명은 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 열방출 특성이 우수하고 소형화에 적합한 박막형 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting diode package and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a thin film type light emitting diode package and a method for manufacturing the same, which have excellent heat dissipation characteristics and are suitable for miniaturization.

최근 GaN계 반도체 등 화합물 반도체 재료를 사용하는 발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED)가 개발되어 다양한 색의 발광원을 구현할 수 있게 되었다. LED 제품의 전기적 광학적 특성은 1차적으로는 LED 칩에 사용되고 있는 화합물 반도체 재료와 그 구조에 의해 결정되지만, 2차적인 요소로 LED 칩을 실장하기 위한 패키지의 구조에 의해서도 큰 영향을 받는다.Recently, light emitting diodes (LEDs) using compound semiconductor materials such as GaN-based semiconductors have been developed to realize light emitting sources of various colors. The electro-optical characteristics of LED products are primarily determined by the compound semiconductor materials used in the LED chips and their structure, but are also greatly influenced by the structure of the package for mounting the LED chips as secondary elements.

일반적으로 LED 칩의 동작시 많은 열이 발생하게 된다. LED 칩으로부터 발생되는 열은 외부로 방출되어야 한다. 만약 열이 충분히 방출되지 않는다면, 온도 상승으로 인해 발광 효율이 떨어지고 수명도 짧아지게 된다. 특히, 고출력 또는 고휘도의 발광 다이오드 칩을 사용하는 패키지에 있어서, LED 칩으로부터 발생되는 열을 효과적으로 방출시키고자 하는 노력이 진행되고 있다. In general, a lot of heat is generated during the operation of the LED chip. Heat generated from the LED chip must be released to the outside. If the heat is not released sufficiently, the temperature rises, the luminous efficiency is lowered and the lifetime is shortened. In particular, in packages using high power or high brightness light emitting diode chips, efforts have been made to effectively release heat generated from LED chips.

또한, 전자부품의 소형화 및 경량화 추세에 따라, 매우 얇은 두께를 갖는 박막형 LED 패키지에 대한 요구가 증가하고 있다. 예를 들어, 카메라폰용 플래시 등에 사용되는 LED 패키지들은 플래시의 소형화를 위해서 박막형으로 제조될 필요가 있다. 그러나, 종래의 기술에서 채용하고 있는 LED 패키지는 이러한 요구를 충분히 충족시키지 못하고 있으며, 제조 공정이 어렵다는 문제를 가지고 있다.In addition, with the trend toward miniaturization and light weight of electronic components, there is an increasing demand for thin film type LED packages having a very thin thickness. For example, LED packages used for flashes for camera phones need to be manufactured in a thin film type for miniaturization of flashes. However, the LED package employ | adopted in the prior art does not fully satisfy such a requirement, and has a problem that a manufacturing process is difficult.

도 1은 종래의 LED 패키지(10)의 개략적인 구조를 나타내는 단면도이다. 도 1을 참조하면, LED 패키지(10)는 기판(11)과, 반사틀(reflector; 13)과, LED 칩(16)을 포함한다. LED 칩(16)은 반사틀(13) 바닥에 탑재되고, 본딩 와이어(17)를 통해 2개의 리드 전극(14, 15)에 전기적으로 접속하게 된다. 반사틀(13) 내부에는 LED 칩(16)을 봉지하는 몰딩 수지(18)가 도포되어 있다. 이 몰딩 수지(18) 내에는 파장 변환용 형광체(예컨대, YAG 형광체)과 분산될 수 있다.1 is a cross-sectional view showing a schematic structure of a conventional LED package 10. Referring to FIG. 1, the LED package 10 includes a substrate 11, a reflector 13, and an LED chip 16. The LED chip 16 is mounted on the bottom of the reflecting frame 13 and electrically connected to the two lead electrodes 14 and 15 through the bonding wire 17. The molding resin 18 which encloses the LED chip 16 is apply | coated in the reflection frame 13. The molding resin 18 may be dispersed with a wavelength conversion phosphor (eg, a YAG phosphor).

상기 기판(11)과 반사틀(13)은 방열 특성을 높이기 위해 세라믹 재질로 이루어질 수 있다. 그러나, 기판(11)과 반사틀(13)을 세라믹 재질로 형성하더라도, LED 칩에서(특히 고출력 LED 칩에서) 발생되는 열을 효과적으로 방출시키지에 못하고 있다. 이에 따라, 발광효율 및 수명의 저하를 초래할 수 있다. 또한, 상기 LED 패키지(10)는 리드프레임(14, 15)과는 별도로 반사틀(13) 및 기판(11)을 구비하기 때문에, 전체적인 두께가 상당히 크며 수백 마이크로미터 이하의 두께를 갖는 박막형 LED 패키지를 구현하기 어렵다.The substrate 11 and the reflecting frame 13 may be made of a ceramic material to increase heat dissipation characteristics. However, even when the substrate 11 and the reflecting frame 13 are formed of a ceramic material, the heat generated from the LED chip (particularly in the high output LED chip) cannot be effectively released. As a result, the luminous efficiency and life may be reduced. In addition, since the LED package 10 includes a reflective frame 13 and a substrate 11 separately from the lead frames 14 and 15, the overall thickness is considerably large and a thin film type LED package having a thickness of several hundred micrometers or less. It is difficult to implement.

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 LED 칩으로부터 발생되는 열을 효과적으로 방출하고, 보다 얇은 두께를 갖는 박막형의 LED 패키지를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a thin film type LED package which effectively dissipates heat generated from an LED chip and has a thinner thickness.

또한, 본 발명의 다른 목적은, 방열 특성이 우수한 박막형 LED 패키지를 보다 얇은 두께로 제조할 수 있는 방법을 제공하는 것이다.In addition, another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a thinner LED package having excellent heat dissipation characteristics with a thinner thickness.

상술한 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 박막형 발광 다이오드 패키지는, 반사컵을 갖도록 중앙부가 절곡된 판상의 리드프레임과; 상기 반사컵 바닥에 실장된 LED 칩과; 상기 반사컵 바닥의 하면을 노출시키도록 상기 LED 칩 및 리드프레임을 봉지하는 몰딩부를 포함한다. 또한, 상기 리드프레임은 상기 반사컵 상단 외측에서 상기 몰딩부 하부로 절곡되고 양단부에서 측방향으로 연장된다.In order to achieve the above technical problem, the thin film type light emitting diode package according to the present invention, the plate-shaped lead frame is bent at the center portion to have a reflection cup; An LED chip mounted on the bottom of the reflecting cup; And a molding part encapsulating the LED chip and the lead frame to expose the bottom surface of the reflective cup bottom. In addition, the lead frame is bent to the lower portion of the molding portion outside the upper end of the reflecting cup and extends laterally at both ends.

본 발명의 실시형태에 따르면, 측방향으로 연장된 상기 리드프레임의 양단부는 외부 회로와 접속하는 단자를 형성할 수 있다. 이 경우, 상기 리드프레임의 양단부 하면은 상기 몰딩부로부터 외부로 노출된다.According to the embodiment of the present invention, both ends of the lead frame extending in the lateral direction may form terminals connecting to an external circuit. In this case, lower ends of both ends of the lead frame are exposed to the outside from the molding part.

본 발명의 실시형태에 따르면, 상기 몰딩부는 상기 LED 칩을 봉지하도록 상기 반사컵 내부에 형성된 내측 몰딩부와; 상기 내측 몰딩부의 외부에 형성되어 상기 리드프레임을 봉지하는 외측 몰딩부를 포함할 수 있다. 상기 내측 몰딩부에는 상기 LED 칩으로부터 방출되는 빛을 변화시키는 형광체가 분산되어 있을 수 있다. 예를 들어 상기 내측 몰딩부에 황색 형광체를 분산하고 상기 LED 칩으로서 청색 LED 칩을 사용함으로써, 백색 발광 다이오드 패키지를 구현할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the molding part includes an inner molding part formed inside the reflecting cup to encapsulate the LED chip; It may include an outer molding portion formed on the outside of the inner molding portion to seal the lead frame. Phosphors for changing the light emitted from the LED chip may be dispersed in the inner molding part. For example, a white light emitting diode package may be implemented by dispersing a yellow phosphor in the inner molding part and using a blue LED chip as the LED chip.

본 발명의 실시형태에 따르면, 상기 리드프레임은 반사컵이 형성된 제1 리드부와 상기 제1 리드부로부터 분리되어 배치된 제2 리드부를 포함할 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present invention, the lead frame may include a first lead portion having a reflective cup and a second lead portion disposed separately from the first lead portion.

본 발명의 실시형태에 따르면, 상기 박막형 발광 다이오드 패키지는, 상기 LED 칩과 병렬 연결된 제너 다이오드를 더 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 제너 다이오드는 상기 반사컵 상단 외측면 상에 탑재될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the thin film type light emitting diode package may further include a zener diode connected in parallel with the LED chip. In this case, the zener diode may be mounted on the outer surface of the upper end of the reflective cup.

본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 박막형 발광 다이오드 패키지의 제조 방법은, 리드프레임용 금속 평판을 준비하는 단계와; 평평한 융기부를 형성하도록 상기 금속 평판의 중앙부를 절곡하는 단계와; 반사컵을 형성하도록 상기 융기부 내측을 절곡하여 리드프레임을 얻는 단계와; 상기 반사컵 바닥에 LED 칩을 실장하는 단계와; 상기 반사컵 바닥 하면을 노출시키도록 상기 LED 칩과 상기 리드프레임을 몰딩 수지로 봉지하는 단계를 포함한다.In order to achieve the another object of the present invention, a method of manufacturing a thin film type light emitting diode package according to the present invention comprises the steps of preparing a metal plate for the lead frame; Bending the central portion of the metal plate to form a flat ridge; Bending the inside of the ridge to form a reflection cup to obtain a lead frame; Mounting an LED chip on the bottom of the reflecting cup; Encapsulating the LED chip and the lead frame with a molding resin to expose the bottom surface of the reflective cup.

본 발명의 실시형태에 따르면, 상기 봉지 단계는, 상기 리드프레임의 양단부 하면이 상기 몰딩 수지로부터 외부로 노출되도록 실시될 수 있다. 상기 양단부는 외부로 노출됨으로써 외부 회로와 접속되는 단자를 형성할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present disclosure, the encapsulation step may be performed such that both bottom surfaces of the lead frame are exposed to the outside from the molding resin. The both ends may be exposed to the outside to form a terminal connected to an external circuit.

본 발명의 실시형태에 따르면, 상기 봉지 단계는, 상기 LED 칩을 봉지하도록 상기 반사컵 내부에 몰딩 수지를 도포하는 제1 봉지 단계와; 상기 리드프레임을 봉지하도록 몰딩 수지를 형성하는 제2 봉지 단계를 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 제1 봉지 단계에서, 형광체가 분산된 몰딩 수지를 도포할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the encapsulation step includes: a first encapsulation step of applying a molding resin to the reflection cup to encapsulate the LED chip; It may include a second encapsulation step of forming a molding resin to encapsulate the lead frame. In this case, in the first encapsulation step, a molding resin in which phosphors are dispersed may be applied.

본 발명의 실시형태에 따르면, 상기 리드프레임은 반사컵이 형성된 제1 리드부와 상기 제1 리드부로부터 분리되어 배치된 제2 리드부로 구성되도록 형성될 수 있다. According to the exemplary embodiment of the present invention, the lead frame may be configured to include a first lead portion having a reflective cup and a second lead portion disposed separately from the first lead portion.

본 발명의 실시형태에 따르면, 상기 봉지 단계 전에, 상기 LED 칩과 병렬 연결되도록 제너 다이오드를 실장하는 단계를 더 포함할 수도 있다. 이 경우, 상기 제너 다이오드는 상기 반사컵 상단 외측면에 탑재될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, before the encapsulation step, the method may further include mounting a zener diode to be connected in parallel with the LED chip. In this case, the zener diode may be mounted on the outer surface of the upper end of the reflective cup.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시형태는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면 상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, embodiments of the present invention may be modified in various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. Embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape and size of elements in the drawings may be exaggerated for clarity, and the elements denoted by the same reference numerals in the drawings are the same elements.

도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 박막형 LED 패키지를 개략적으로 나타내는 단면도이며, 도 3은 도 2의 LED 패키지의 평면도이다. 도 2는 도 3의 XX' 라인을 따라 절취한 단면도에 해당한다. 도 2 및 도 3을 참조하면, 박막형 LED 패키지(100)는 절곡된 판상의 리드프레임(101)과 LED 칩(106)과 몰딩부(108, 110)을 포함한다. 리드프레임(101)은 금속 재질로 되어 있으며, 몰딩부(108, 110)는 실리콘 수지 또는 에폭시 수지 등 수지를 주 재료로 사용하고 있다. LED 칩(106)으로는, 청색, 녹색 또는 적색 등 어떠한 발광 파장의 LED도 사용 가능하다. 금속 재질의 리드프레임(101)은 서로 다른 극성의 단자를 제공할 수 있도록, 분리부(101c)에 의해 서로 분리된 2개의 리드부(101a, 101b)로 구성되어 있다.2 is a cross-sectional view schematically illustrating a thin film type LED package according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a plan view of the LED package of FIG. 2. 2 is a cross-sectional view taken along the line XX ′ of FIG. 3. Referring to FIGS. 2 and 3, the thin film type LED package 100 includes a bent plate-shaped lead frame 101, an LED chip 106, and molding parts 108 and 110. The lead frame 101 is made of a metal material, and the molding parts 108 and 110 use a resin such as a silicone resin or an epoxy resin as a main material. As the LED chip 106, LEDs of any emission wavelength such as blue, green or red can be used. The lead frame 101 made of metal is composed of two lead portions 101a and 101b separated from each other by the separating portion 101c so as to provide terminals having different polarities.

도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 리드프레임(101)의 중앙부는 반사컵(104)을 갖도록 절곡되어 있다. LED 칩(106)은 이 반사컵(104) 내부에 탑재되고 본딩 와이어(107)를 통해 각각의 리드부(101a, 101b)에 전기적으로 접속된다. 특히, 본 실실형태에서는, 하나의 리드부(101a)가 반사컵(104)을 형성하고 있고, 다른 리드부(101a)는 반사컵(104)의 상단부로부터 분리되어 있다. 반사컵(104)의 내측면은 LED 칩(106)으로부터 방출된 빛을 상향으로 반사시키는 반사면(104a)이 된다. 반사컵(104)의 반사면(104a)에 의해 휘도를 증가시킬 수 있다. 도 3에는 반사컵(104)의 평면 형상이 원형으로 되어 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어 사각형의 평면 형상을 갖는 반사컵을 사용할 수도 있다.2 and 3, the center portion of the lead frame 101 is bent to have the reflective cup 104. The LED chip 106 is mounted inside the reflecting cup 104 and is electrically connected to the respective lead portions 101a and 101b through the bonding wire 107. In particular, in this actual room form, one lead portion 101a forms a reflecting cup 104, and the other lead portion 101a is separated from the upper end of the reflecting cup 104. The inner surface of the reflecting cup 104 becomes the reflecting surface 104a for reflecting upward the light emitted from the LED chip 106. The luminance may be increased by the reflecting surface 104a of the reflecting cup 104. Although the planar shape of the reflective cup 104 is circular in FIG. 3, the present invention is not limited thereto. For example, a reflective cup having a rectangular planar shape may be used.

또한, 반사컵(104)의 바닥(102) 하면은 몰딩부(110)로부터 외부로 노출되어 있다. 따라서, LED 칩(106)에서 발생된 열이 반사컵(104)의 바닥(102)을 통해 외부로 쉽게 방출될 수 있다. 특히, LED 칩(106)이 다이본딩되어 있는 반사컵(104)의 바닥(102)에는 LED 칩(104)의 발생열을 직접 받기때문에, 반사컵 바닥(102)의 노출된 하면을 통한 열방출 효과는 현저하다. 이러한 점에서, 반사컵 바닥(102)은 우수 한 방열 그라운드(grond)로서의 역할을 한다. In addition, the bottom surface 102 of the reflective cup 104 is exposed to the outside from the molding part 110. Thus, heat generated in the LED chip 106 can be easily released to the outside through the bottom 102 of the reflecting cup 104. In particular, since the heat generated by the LED chip 104 is directly received at the bottom 102 of the reflecting cup 104 where the LED chip 106 is die-bonded, the heat dissipation effect through the exposed bottom surface of the reflecting cup bottom 102. Is remarkable. In this regard, the reflecting cup bottom 102 serves as a good heat dissipation ground.

또한, 리드프레임(101)은 반사컵(104)의 상단 외측에서 몰딩부(110) 하부로 다시 절곡되고 양단부에서 측방향으로 연장되어 있다. 이와 같이 리드프레임(101)이 반사컵(104)의 상단 외측에서 절곡됨으로써, 이 절곡부 아래로 몰딩 수지가 삐져 나오게 된다. 이에 따라, 리드프레임(101)과 몰딩부(110)는 단단하게 결합되고 리드프레임(101)과 몰딩부(110) 간의 박리 현상이 억제된다.In addition, the lead frame 101 is bent back to the lower part of the molding part 110 at the outer side of the upper end of the reflective cup 104 and extend laterally at both ends. In this way, the lead frame 101 is bent outside the upper end of the reflective cup 104, so that the molding resin squeezes out below the bent portion. Accordingly, the lead frame 101 and the molding part 110 are firmly coupled and the peeling phenomenon between the lead frame 101 and the molding part 110 is suppressed.

상기 LED 패키지(100)는, 종래와 달리, 별도의 기판이나 반사틀을 구비하지 않는다(도 1 참조). 대신에, 리드프레임의 절곡부에 의해 반사컵이 구현되고, LED 칩(106)은 리드프레임(101) 상에 다이본딩되어 있다. 따라서, 상기 LED 패키지(100)는, 세라믹 또는 PCB 기판을 사용하는 종래의 LED 패키지에 비하여, 매우 얇게 제조될 수 있다. 예를 들어 0.8mm(800㎛)의 두께를 갖는 박막형 패키지로 제조될 수 있어, LED 제품의 소형화, 경량화에 매우 유용하다.Unlike the related art, the LED package 100 does not include a separate substrate or a reflection frame (see FIG. 1). Instead, the reflecting cup is implemented by the bent portion of the leadframe, and the LED chip 106 is die-bonded on the leadframe 101. Accordingly, the LED package 100 may be manufactured very thinly compared to a conventional LED package using a ceramic or PCB substrate. For example, it can be manufactured in a thin package having a thickness of 0.8 mm (800 μm), which is very useful for miniaturization and light weight of LED products.

측방향으로 연장된 리드프레임(101)의 양단부는, 외부 회로(예컨대, 외부 회로기판의 배선)와 접속될 수 있도록 그 양단부 하면에서 노출되어 있다. 따라서, 상기 노출된 양단부는 외부 회로와의 접속을 위한 (+) 및 (-) 단자(103a, 104b)를 형성한다. LED 패키지(100)는 이 단자(103a, 104b)를 통해 용이하게 표면 실장될 수 있다.Both ends of the lead frame 101 extending in the lateral direction are exposed at the lower ends of both ends thereof so as to be connected to an external circuit (for example, wiring of an external circuit board). Accordingly, the exposed both ends form positive and negative terminals 103a and 104b for connection with an external circuit. The LED package 100 can be easily surface mounted through these terminals 103a and 104b.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 실시형태에서 몰딩부(108, 110)는 내측 몰딩부(108)와 외측 몰딩부(110)의 2 부분으로 나뉜다. 내측 몰딩부(108)는 반사컵(104) 내부에 도포되어 LED 칩(106)을 봉지하며, 외측 몰딩부(110)는 내측 몰딩부(108)을 포함하여 리드프레임(101) 전체를 봉지하고 있다. As shown in FIG. 2, in the present embodiment, the molding parts 108 and 110 are divided into two parts, the inner molding part 108 and the outer molding part 110. The inner molding part 108 is coated inside the reflecting cup 104 to encapsulate the LED chip 106, and the outer molding part 110 encapsulates the entire lead frame 101 including the inner molding part 108. have.

특히, 내측 몰딩부(108)는, 색변환용 형광체가 분산된 투명수지로 형성되어 색 변환층을 이룬다. 예를 들어, 백색 발광 장치를 구현하기 위해서, YAG계열의 황색 형광체와 실리콘 수지를 혼합하여 내측 몰딩부(108)를 형성하고 LED 칩(106)으로서 청색 LED를 사용할 수 있다. 외측 몰딩부(110)는 리드프레임(101)과 본딩 와이어(107)를 포함한 전체 구조를 보호 및 지지해주는 역할을 한다. 외측 몰딩부(110)는 예를 들어 에폭시 몰딩 수지(EMC)로 형성될 수 있다.In particular, the inner molding part 108 is formed of a transparent resin in which color conversion phosphors are dispersed to form a color conversion layer. For example, in order to implement a white light emitting device, the YAG-based yellow phosphor and a silicone resin may be mixed to form an inner molding part 108 and a blue LED may be used as the LED chip 106. The outer molding part 110 serves to protect and support the entire structure including the lead frame 101 and the bonding wire 107. The outer molding part 110 may be formed of, for example, an epoxy molding resin (EMC).

본 실시형태에서는 내측 몰딩부(108)에 형광체가 분산되어 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 백색광이 아닌, 단순한 적색, 녹색 또는 청색 등의 발광을 얻고자 할 경우, 상기 내측 몰딩부(108)는 (형광체 없이) 투명 수지만으로 형성될 수도 있다. In the present embodiment, phosphors are dispersed in the inner molding part 108, but the present invention is not limited thereto. For example, in order to obtain light of simple red, green or blue light instead of white light, the inner molding part 108 may be formed of only a transparent resin (without phosphor).

나아가, 전체 몰딩부는 내측 및 외측의 구별없이 하나의 몰딩부로 형성될 수도 있다. 이러한 예가 도 6에 도시되어 있다. 도 6을 참조하면, 전체 몰딩부는 하 나의 몰딩부(110)로 되어 있다. 이 몰딩부(110)는 형광체 없이 투명한 수지로 형성된다. 도 6에 도시된 LED 패키지(300)는 특히 청색, 녹색 또는 적색등 단일색 발광을 색변환 없이 얻고자 할 경우 유용하게 사용될 수 있다. Furthermore, the entire molding part may be formed of one molding part without distinguishing between the inside and the outside. An example of this is shown in FIG. 6. Referring to FIG. 6, the entire molding part is one molding part 110. The molding part 110 is formed of a transparent resin without a phosphor. The LED package 300 shown in FIG. 6 may be particularly useful when it is desired to obtain monochromatic light emission of blue, green, or red light without color conversion.

도 4는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 박막형 LED 패키지를 나타내는 단면도이며, 도 5는 도 4의 LED 패키지의 평면도이다. 이 실시형태에서, LED 패키지(200)는 LED 칩(106)과 병렬 연결된 제너 다이오드(zener diode; 120)를 구비한다. 그 외에는 전술한 실시형태의 LED 패키지(100)와 동일하다. 도 4 및 도 5를 참조하면, 제너 다이오드(120)는 반사컵(104)의 상단 외측면 상에 탑재되고, 본딩 와이어(127)를 통해 리드부(101a)와 전기적으로 접속한다. 이러한 제너 다이오드의 배치 및 연결은 일례에 불과하며, LED 칩(106)과 병렬 연결될 수 있는 어떠한 배치 및 연결도 채택 가능하다. 4 is a cross-sectional view illustrating a thin film type LED package according to another embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a plan view of the LED package of FIG. 4. In this embodiment, the LED package 200 has a zener diode 120 connected in parallel with the LED chip 106. Other than that is the same as that of the LED package 100 of embodiment mentioned above. 4 and 5, the zener diode 120 is mounted on the top outer surface of the reflective cup 104 and electrically connected to the lead portion 101a through the bonding wire 127. The arrangement and connection of such a zener diode is merely an example, and any arrangement and connection that can be connected in parallel with the LED chip 106 can be adopted.

LED 칩(106)과 병렬 연결된 제너 다이오드(120)는 ESD(Electrostatic Discharge)와 같은 급격한 전압 인가로부터 칩(106)을 보호해준다. 따라서, 제너 다이오드(120)를 실장함으로써 LED 패키지(200)의 ESD 내압 특성은 크게 향상된다. 측정 결과, 제너 다이오드(120)의 병렬 연결에 의해 ESD 내압은 인체 모델(Human Body Model)로는 약 20kV 이상이고 기계 모델(Machine Model)로는 약 5kV 이상에 이른다는 것을 확인하였다.The zener diode 120 connected in parallel with the LED chip 106 protects the chip 106 from sudden voltage application, such as electrostatic discharge (ESD). Therefore, by mounting the Zener diode 120, the ESD voltage resistance of the LED package 200 is greatly improved. As a result of the measurement, it was confirmed that the ESD breakdown voltage was about 20 kV or more in the human body model and about 5 kV or more in the machine model by the parallel connection of the zener diode 120.

이하, 도 7a 내지 도 7g를 참조하여 본 발명의 실시형태에 따른 박막형 LED 패키지 제조 공정을 설명한다.Hereinafter, a thin film type LED package manufacturing process according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 7A to 7G.

먼저, 도 7a를 참조하면, 리드프레임용 금속 평판을 준비한다. 이 금속 평판은 분리부(101c)에 의해 분리된 2개의 리드부(101a, 101b)로 구성되어 있다. 바람직하게는, 상기 금속 평판은 다수의 리드프레임을 동시에 얻을 수 있도록(이에 따라 다수의 LED 패키지를 동시에 얻을 수 있도록) 배열체(array) 형태로 제공될 수 있다(도 8 참조). First, referring to FIG. 7A, a metal plate for lead frame is prepared. This metal plate consists of two lead parts 101a and 101b separated by the separating part 101c. Preferably, the metal plate may be provided in an array form so that multiple leadframes can be obtained simultaneously (and thus multiple LED packages can be obtained simultaneously) (see FIG. 8).

다음으로, 도 7b에 도시된 바와 같이, 금속 평판의 중앙부를 절곡하여 평평한 융기부를 형성한다 (제1 절곡 단계; first bending step). 이와 같이 융기부를 형성함으로써, 나중에 패키지를 구현한 후 발생될 수 있는 몰딩 수지와 리드프레임 간의 박리 현상을 사진에 방지할 수 있게 된다. 그 후, 도 7c에 도시된 바와 같이, 컵 형상을 얻도록 상기 융기부 내측을 절곡한다. (제2 절곡 단계; second bending step). 이에 따라, 반사컵(104)을 갖는 리드프레임(101)을 얻게 된다. 이 반사컵(104)의 바닥(102)은 LED 칩이 안착되는 부분으로서 비교적 평평하다. 이와 같이, 본 발명에 따른 리드프레임(101)을 얻기 위해서 2번에 걸쳐 절곡 단계를 거치게 된다.Next, as shown in FIG. 7B, the center portion of the metal plate is bent to form a flat ridge (first bending step). By forming the ridge as described above, it is possible to prevent the peeling phenomenon between the molding resin and the lead frame, which may be generated after the package is implemented later, in the photograph. Then, as shown in Fig. 7C, the inside of the ridge is bent to obtain a cup shape. (Second bending step). Accordingly, the lead frame 101 having the reflection cup 104 is obtained. The bottom 102 of the reflecting cup 104 is relatively flat as the part where the LED chip is seated. In this way, the bending frame is subjected to two times to obtain the lead frame 101 according to the present invention.

도 8은 반사컵(104) 형성을 위한 제2 절곡 단계가 완료된 후의 리드프레임 어레이를 나타내는 평면도이다. 도 8을 참조하면, 반사컵(104)이 형성된 다수의 리 드프레임이 배열되어 어레이(500), 즉 배열체를 이루고 있다. 이와 같은 리드프레임 어레이는 배열체 형태로 제공된 금속 평판으로부터 얻은 것이다. 나중에 몰딩 단계를 거친 후 도 8에 도시된 절단선(L1, L2)를 따라 금속판을 트리밍(trimming; 절단)함으로써, 분리된 개별 리드프레임(또는 분리된 개별 LED 패키지)을 얻을 수 있다. 이러한 어레이를 이용함으로써, 다수의 LED 패키지를 동시에 얻을 수 있다.8 is a plan view illustrating the leadframe array after the second bending step for forming the reflective cup 104 is completed. Referring to FIG. 8, a plurality of lead frames in which the reflection cup 104 is formed is arranged to form an array 500, that is, an arrangement. Such leadframe arrays are obtained from metal plates provided in the form of arrays. After a molding step, by trimming the metal plate along the cutting lines L1 and L2 shown in FIG. 8, separate individual leadframes (or separate individual LED packages) may be obtained. By using such an array, multiple LED packages can be obtained simultaneously.

다음으로, 도 7d에 도시된 바와 같이, LED 칩(102)을 반사컵(104)의 바닥(102)에 실장한다. 이 때, 본딩 와이어를 사용하여 LED 칩(102)의 각 전극(p측 전극 및 n측 전극)을 리드프레임(101)의 해당 리드부(101a, 101b)에 전기적으로 연결한다. 이 실시형태에서는 본딩 와이어를 사용하여 리드프레임과 LED 칩을 연결하고 있지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 플립칩 본딩에 의해 LED 칩(106)을 리드프레임에 전기적으로 접속시킬 수 있다. 이 경우, 리드프레임은 반사컵 바닥에서 분리부를 가질 수 있다.Next, as shown in FIG. 7D, the LED chip 102 is mounted on the bottom 102 of the reflection cup 104. At this time, each electrode (p-side electrode and n-side electrode) of the LED chip 102 is electrically connected to the corresponding lead portions 101a and 101b of the lead frame 101 by using a bonding wire. In this embodiment, the lead frame and the LED chip are connected using a bonding wire, but the present invention is not limited thereto. For example, the LED chip 106 can be electrically connected to the lead frame by flip chip bonding. In this case, the leadframe may have a separator at the bottom of the reflecting cup.

다음으로, 도 7e에 도시된 바와 같이, 반사컵(104) 내부에 형광체가 분산되어 있는 투명 수지(실리콘 수지 등)를 도포하여 내측 몰딩부(108)를 형성한다 (제1 봉지 단계). 이 내측 몰딩부(108)는 LED 칩(106)의 방출광을 파장 변환시키는 색변환층이 된다. Next, as illustrated in FIG. 7E, the inner molding part 108 is formed by applying a transparent resin (silicon resin, etc.) in which phosphors are dispersed in the reflection cup 104 (first encapsulation step). The inner molding part 108 serves as a color conversion layer for converting the emitted light of the LED chip 106 into wavelength.

그리고 나서, 도 7f에 도시된 바와 같이, 리드프레임(101)을 봉지하도록 에 폭시 몰딩 수지로 외측 몰딩부(110)를 형성한다 (제2 봉지 단계). 외측 몰딩부(110) 형성시, 반사컵(104)의 바닥(102) 하면을 몰딩 수지로부터 노출시키는 것이 중요하다. 전술한 바와 같이, 반사컵(104)의 바닥(102)을 노출시킴으로써 바닥(102)를 방열 그라운드로 만들 수 있고, 열방출 효과를 극대화시킬 수 있다. 또한, 리드프레임(101)의 양단부 하면을 몰딩 수지(110)로부터 노출시킨다. 이와 같이 리드프레임(101)의 양단부가 노출됨으로써 상기 양단부는 외부 회로와 접속되는 단자(103a, 103b)를 형성할 수 있다.Then, as illustrated in FIG. 7F, the outer molding part 110 is formed of an epoxy molding resin to encapsulate the lead frame 101 (second encapsulation step). When forming the outer molding 110, it is important to expose the bottom surface 102 of the reflective cup 104 from the molding resin. As described above, by exposing the bottom 102 of the reflective cup 104, the bottom 102 can be made a heat radiation ground, and the heat dissipation effect can be maximized. In addition, lower surfaces of both ends of the lead frame 101 are exposed from the molding resin 110. As such, both ends of the lead frame 101 are exposed to form both terminals 103a and 103b connected to an external circuit.

그 후, 도 7g에 도시된 바와 같이, 몰딩부(110)로부터 불필요하게 돌출되어 나온 금속 평판 부분을 절단하여 제거한다(도 8의 라인 L1 및 L2 참조). 이에 따라, 박막형의 LED 패키지를 얻게 된다. 이 때, 리드프레임의 양 단부(103a, 103b)는 서로 다른 극성의 단자를 형성하게 된다. 이 단자는 외부 회로기판의 배선과 용이하게 연결될 수 있다.Thereafter, as shown in FIG. 7G, the metal plate portion which protrudes unnecessarily from the molding part 110 is cut off and removed (see lines L1 and L2 in FIG. 8). As a result, a thin film LED package is obtained. At this time, both ends 103a and 103b of the lead frame form terminals having different polarities. This terminal can be easily connected to the wiring of an external circuit board.

상기 실시형태에서는, 제1 봉지 단계 즉 내측 몰딩부(108) 형성 단계에서, 형광체가 분산된 투명 수지를 이용하였다. 그러나, 백색 발광이 아닌, 청색이나 적색 등의 단일색 발광을 구현하고자 할 경우에는, 형광체가 분산되지 않은 투명 수지로 내측 몰딩부(108)를 형성할 수도 있다. 또한, 봉지 단계를 2 단계로 실행하지 않고 1종류의 몰딩 수지만을 사용하여 하나의 단계로 모든 몰딩부를 형서할 수도 있다 (도 6 참조).In the above embodiment, in the first encapsulation step, that is, the inner molding part 108 forming step, a transparent resin in which phosphors are dispersed is used. However, when it is desired to realize monochromatic light emission such as blue or red instead of white light emission, the inner molding part 108 may be formed of a transparent resin in which phosphors are not dispersed. It is also possible to form all moldings in one step using only one type of molding resin without performing the encapsulation step in two steps (see Fig. 6).

상기 실시형태에서는, 제너 다이오드가 실장되지 않았다. 그러나, 도 9에 도시된 바와 같이, 봉지 단계 전에, 제너 다이오드(120)를 리드부(101b)에 탑재하고 본딩 와이어(127) 등으로 LED 칩(106)과 병렬 연결시킬 수도 있다. In the above embodiment, no Zener diode is mounted. However, as shown in FIG. 9, before the encapsulation step, the zener diode 120 may be mounted on the lead portion 101b and connected in parallel with the LED chip 106 using a bonding wire 127 or the like.

본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 또한, 본 발명은 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.It is intended that the invention not be limited by the foregoing embodiments and the accompanying drawings, but rather by the claims appended hereto. In addition, it will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be substituted, modified, and changed in various forms without departing from the technical spirit of the present invention described in the claims.

이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면, 몰딩부로부터 노출된 반사컵을 갖는 리드프레임을 이용함으로써, 휘도를 높이고 동작 전압을 낮출 수 있을 뿐만 아니라 방열 효과를 현저하게 개선된다. 이에 따라, 제품의 성능과 수명이 크게 향상된다.As described above, according to the present invention, by using the lead frame having the reflecting cup exposed from the molding part, not only can the brightness be increased and the operating voltage can be lowered, but also the heat dissipation effect is remarkably improved. As a result, the product performance and lifespan are greatly improved.

또한, 리드프레임의 절곡부 아래로 몰딩 수지가 삐져 나옴으로써, 리드프레임과 몰딩부 간의 박리 현상이 억제된다. 이에 따라, 본 발명의 박막형 LED 패키지는 기계적 열적 충격에도 쉽게 손상되지 않고 높은 신뢰성을 나타낼 수 있다. In addition, the molding resin sticks out below the bent portion of the lead frame, thereby preventing the peeling phenomenon between the lead frame and the molding portion. Accordingly, the thin film type LED package of the present invention may exhibit high reliability without being easily damaged by mechanical thermal shock.

나아가, 별도의 기판이나 반사틀을 구비하지 않고 그 대신에 판상의 절곡된 리드프 레임을 사용함으로써, 패키지 두께를 얇게 하기가 용이하고 박막형 패키지 구현에 유리하다. Furthermore, by using a plate-shaped bent lead frame instead of having a separate substrate or a reflecting frame, it is easy to thin the package thickness and is advantageous for implementing a thin film package.

Claims (15)

반사컵을 갖도록 중앙부가 절곡된 판상의 리드프레임과,A plate-shaped lead frame in which a center portion is bent to have a reflecting cup, 상기 반사컵 바닥에 실장된 LED 칩과,An LED chip mounted on a bottom of the reflective cup, 상기 LED 칩에서 발생하는 열을 방열하기 위해 상기 반사컵 바닥의 하면을 노출시키도록 상기 LED 칩 및 리드 프레임을 봉지하는 몰딩부를 포함하고,And a molding part encapsulating the LED chip and the lead frame to expose a bottom surface of the bottom of the reflecting cup to dissipate heat generated from the LED chip. 상기 리드 프레임은 상기 반사컵 상단 외측에서 상기 몰딩부 하부로 절곡되고 양단부에서 측방향으로 연장되어 상기 리드프레임의 양단이 외부 회로와 접속 단자를 형성하도록 상기 몰딩부로부터 외부로 노출된 것을 특징으로 하는 박막형 발광 다이오드 패키지.The lead frame is bent to the lower portion of the molding portion outside the upper end of the reflecting cup and extends laterally at both ends so that both ends of the lead frame are exposed to the outside from the molding to form a connection terminal with an external circuit. Thin film light emitting diode package. 삭제delete 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 몰딩부는,The molding part, 상기 LED 칩을 봉지하도록 상기 반사컵 내부에 형성된 내측 몰딩부와; An inner molding part formed inside the reflecting cup to encapsulate the LED chip; 상기 내측 몰딩부의 외부에 형성되어 상기 리드프레임을 봉지하는 외측 몰딩부를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 발광 다이오드 패키지.The thin film type light emitting diode package is formed on the outside of the inner molding portion and comprises an outer molding portion encapsulating the lead frame. 제3항에 있어서, The method of claim 3, 상기 내측 몰딩부에는 상기 LED 칩으로부터 방출되는 빛을 변화시키는 형광체가 분산되어 있는 것을 특징으로 하는 박막형 발광 다이오드 패키지.The inner molding part is a thin film type light emitting diode package, characterized in that the phosphor for changing the light emitted from the LED chip is dispersed. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 리드프레임은 반사컵이 형성된 제1 리드부와 상기 제1 리드부로부터 분리되어 배치된 제2 리드부를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 발광 다이오드 패키지.The lead frame includes a first lead portion having a reflective cup and a second lead portion separated from the first lead portion. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 LED 칩과 병렬 연결된 제너 다이오드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 발광 다이오드 패키지.The thin film type light emitting diode package further comprises a Zener diode connected in parallel with the LED chip. 제6항에 있어서, The method of claim 6, 상기 제너 다이오드는 상기 반사컵 상단 외측면 상에 탑재된 것을 특징으로 하는 박막형 발광 다이오드 패키지.The zener diode is a thin-film type light emitting diode package, characterized in that mounted on the upper outer surface of the reflecting cup. 리드프레임용 금속 평판을 준비하는 단계와,Preparing a metal plate for the leadframe; 평평한 융기부를 형성하도록 상기 금속 평판의 중앙부를 절곡하는 단계와,Bending the central portion of the metal plate to form a flat ridge; 반사컵을 형성하도록 상기 융기부 내측을 절곡하여 리드프레임을 얻는 단계와,Bending the inside of the ridge to form a reflective cup to obtain a lead frame; 상기 반사컵 바닥에 LED 칩을 실장하는 단계와,Mounting an LED chip on the bottom of the reflecting cup; 상기 LED 칩에서 발생하는 열을 방열하기 위해 상기 반사컵 바닥 하면을 노출시키고 상기 리드프레임 양단부가 외부회로와 접속 단자를 형성하기 위해 노출되도록 상기 LED 칩과 상기 리드 프레임을 몰딩 수지로 봉지하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.Exposing the bottom surface of the reflecting cup to dissipate heat generated from the LED chip and encapsulating the LED chip and the lead frame with a molding resin so that both ends of the lead frame are exposed to form an external circuit and a connection terminal. Method of manufacturing a thin film light emitting diode package comprising a. 삭제delete 제8항에 있어서, The method of claim 8, 상기 봉지 단계는, The encapsulation step, 상기 LED 칩을 봉지하도록 상기 반사컵 내부에 몰딩 수지를 도포하는 제1 봉지 단계와; A first encapsulation step of applying a molding resin to the reflection cup to encapsulate the LED chip; 상기 리드프레임을 봉지하도록 몰딩 수지를 형성하는 제2 봉지 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.And a second encapsulation step of forming a molding resin to encapsulate the lead frame. 제10항에 있어서, The method of claim 10, 상기 제1 봉지 단계에서, 형광체가 분산된 몰딩 수지를 도포하는 것을 특징 으로 하는 박막형 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.In the first encapsulation step, a method of manufacturing a thin film type light emitting diode package, characterized in that for applying a molding resin in which the phosphor is dispersed. 제8항에 있어서, The method of claim 8, 상기 리드프레임은 반사컵이 형성된 제1 리드부와 상기 제1 리드부로부터 분리되어 배치된 제2 리드부로 구성되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 박막형 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.The lead frame is a manufacturing method of a thin film type light emitting diode package, characterized in that formed with a first lead portion formed with a reflective cup and a second lead portion separated from the first lead portion. 제8항에 있어서, The method of claim 8, 상기 봉지 단계 전에, 상기 LED 칩과 병렬 연결되도록 제너 다이오드를 실장하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.Before the encapsulation step, mounting the zener diode to be connected in parallel with the LED chip. 제13항에 있어서, The method of claim 13, 상기 제너 다이오드는 상기 반사컵 상단 외측면 상에 탑재되는 것을 특징으로 하는 박막형 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.The zener diode is a manufacturing method of the thin-film type light emitting diode package, characterized in that mounted on the upper outer surface of the reflecting cup. 제8항에 있어서, The method of claim 8, 상기 몰딩 수지로부터 돌출되어 나온 불필요한 금속 평판 부분을 절단하는 트리밍 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.And a trimming step of cutting out unnecessary metal plate portions protruding from the molding resin.
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