KR100624627B1 - Method of superhydrophilic modification of polyvinylidene fluoride surface - Google Patents

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Abstract

본 발명은 10-90 eV의 초저 에너지와 0.5 mW/cm2 이상의 고에너지 밀도를 갖는 활성화 빔을 폴리비닐리덴 플루오라이드 표면에 조사하여 PVDF의 표면을 초친수성 표면으로 개질시키는 방법을 제공한다. 본 발명에서는 짧은 시간 동안 표면 손상이 거의 없이 증류수에 대한 접촉각을 61o에서 2o 미만으로 낮추어 PVDF 표면을 표면 에너지가 80 mN/m 이상인 초친수성 표면으로 개질시키는 방법을 제공한다. 본 발명에 의해 개질된 PVDF 표면은 금속, 전도성 고분자, 투명 전극 물질 등에 대한 접착력이 증가하여 한외여과용 멤브레인, 수소 이온 전도성 폴리비닐리덴 불소 수지 멤브레인의 친수성화 및 투명 연성 스피커 및 디스플레이와 스피커 일체형의 연성 청취가능 디스플레이 (flexible audio-video/audible display) 스피커 등에 응용할 수 있다.The present invention provides a method of modifying the surface of a PVDF to a superhydrophilic surface by irradiating a polyvinylidene fluoride surface with an activation beam having an ultra low energy of 10-90 eV and a high energy density of 0.5 mW / cm 2 or more. In the present invention, the contact angle for distilled water is reduced at 61 o with little surface damage for a short time. Lowered to less than 2 o provides a method of modifying the PVDF surface to a superhydrophilic surface with a surface energy of at least 80 mN / m. The PVDF surface modified by the present invention has increased adhesion to metals, conductive polymers, transparent electrode materials, etc., so that the hydrophilization of the ultrafiltration membrane, the hydrogen ion conductive polyvinylidene fluorine resin membrane, and the transparent flexible speaker and the display and speaker integrated Flexible audio-video / audible display speakers, etc.

초저 에너지 활성화 빔, 폴리이미드, 폴리비닐리덴 플루오라이드, 압전소재, 접촉각, 표면 에너지, 접착력, 오디오디스플레이, 투명 연성 스피커 Ultra low energy activated beam, polyimide, polyvinylidene fluoride, piezoelectric material, contact angle, surface energy, adhesion, audio display, transparent flexible speaker

Description

폴리비닐리덴 플루오라이드 표면의 초친수성 개질 방법{METHOD OF SUPERHYDROPHILIC MODIFICATION OF POLYVINYLIDENE FLUORIDE SURFACE}Superhydrophilic Modification Method of Polyvinylidene Fluoride Surface {METHOD OF SUPERHYDROPHILIC MODIFICATION OF POLYVINYLIDENE FLUORIDE SURFACE}

도 1은 방전 전압 230 V를 사용하여 Ar 가스 플라즈마를 형성한 뒤 추출된 Ar 활성화 빔의 에너지 분포를 감쇠장 에너지 분석기(retarding field energy analyzer)로 조사한 그래프.1 is a graph illustrating an energy distribution of an Ar activation beam extracted after forming an Ar gas plasma using a discharge voltage of 230 V using a retarding field energy analyzer.

도 2는 도 1의 조건에서 활성화 빔의 에너지를 감소시키기 위하여 폐쇄 전자-홀 표류 방식 (closed electron-Hall drift) 활성화 빔원 전방에 감쇠 전기장 +100 V을 설치하여 측정한 활성화 빔의 에너지 분포를 나타낸 그래프.FIG. 2 shows the energy distribution of an activation beam measured by installing an attenuation electric field +100 V in front of a closed electron-hole drift activation beam source to reduce the energy of the activation beam under the condition of FIG. graph.

도 3은 표면처리하지 않은 PVDF 표면과 Ar, N2O, O2 활성화 빔으로 처리된 PVDF 표면의 접촉각 변화를 보여주는 그래프.FIG. 3 is a graph showing the change in contact angle between a PVDF surface that is not surface treated and a PVDF surface treated with an Ar, N 2 O, O 2 activation beam. FIG.

도 4는 처리되지 않은 PVDF 표면 (a), 아르곤 활성화 빔으로 처리된 PVDF 표면 (b), 이산화질소 활성화 빔으로 처리된 PVDF 표면 (c), 그리고 산소 활성화 빔으로 처리된 PVDF 표면 (왼쪽, 접촉각: 2o 미만)과 처리되지 않은 PVDF 표면 (오른쪽) (d) 위의 접촉각을 보여주는 사진.4 shows an untreated PVDF surface (a), a PVDF surface treated with an argon activation beam (b), a PVDF surface treated with a nitrogen dioxide activation beam (c), and a PVDF surface treated with an oxygen activated beam (left, contact angle: Photo showing contact angles above 2 o ) and untreated PVDF surface (right) (d).

도 5는 도 3에서 처리되지 않은 PVDF 표면 및 Ar, N2O, O2 활성화 빔으로 처리된 PVDF 표면의 화학성분을 결합 에너지가 0-1400 eV 영역에서 측정한, 넓은 에 너지 영역에서 조사한 X-선 광전자 분광 결과를 보여주는 그래프.FIG. 5 shows the chemical composition of the PVDF surface untreated in FIG. 3 and the PVDF surface treated with Ar, N 2 O, O 2 activation beams irradiated in a wide energy region, where binding energy is measured in the region of 0-1400 eV. Graph showing -ray photoelectron spectroscopy results.

도 6은 도 5의 결과를 보다 정확하게 알아볼 수 있도록 (a) C1s, (b) O1s, (c) N1s 및 (d) F1s의 전자 결합 에너지 준위를 자세히 측정한 것으로, 각각의 PVDF의 C, N, O, F 양의 변화를 보여주는 전자 코어 준위 X-선 광전자 분광 에너지 스펙트럼.FIG. 6 is a detailed measurement of electron binding energy levels of (a) C1s, (b) O1s, (c) N1s, and (d) F1s. Electron core level X-ray photoelectron spectroscopy energy spectrum showing changes in amount of O, F.

도 7은 도 3에서 처리되지 않은 PVDF 표면 및 여러 가지 활성화 빔에 의해 처리된 표면의 거칠기 변화를 보여주는 사진.7 is a photograph showing the roughness change of the PVDF surface and the surface treated by various activation beams untreated in FIG.

도 8은 폐쇄 전자-홀 표류 방식 (closed electron-Hall drift)으로 고밀도 플라즈마를 생성시키는 장치의 모식도.8 is a schematic representation of an apparatus for generating high density plasma in a closed electron-hole drift.

본 발명은 10-90 eV의 초저 에너지와 0.5 mW/cm2 이상의 고에너지 밀도를 갖는 활성화 빔을 폴리비닐리덴 플루오라이드 표면에 조사하여 PVDF의 표면을 초친수성 표면으로 개질시키는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for modifying the surface of a PVDF to a superhydrophilic surface by irradiating a polyvinylidene fluoride surface with an activation beam having an ultra low energy of 10-90 eV and a high energy density of 0.5 mW / cm 2 or more.

압전 폴리머(piezoelectric polymer)인 폴리비닐리덴 플루오라이드는 화학적/열적 안정성, 전기적 절연성 등으로 인하여 적외선 센서, 마이크로 액츄에이터, 초음파 트랜듀서, 비휘발성 기억 소자, 멤브레인 등의 소재로 많이 사용된다.Polyvinylidene fluoride, a piezoelectric polymer, is widely used as a material for infrared sensors, micro actuators, ultrasonic transducers, nonvolatile memory devices, and membranes due to chemical / thermal stability and electrical insulation.

PVDF를 재료로 한 한외여과 멤브레인으로 사용할 경우 소수성 성질에 의해 단백질의 부착에 의한 퇴적 현상으로 생체 물질 분리 등에 문제점이 발생하고, 낮은 표면 에너지로 인하여 금속 및 세라믹 재료, 다른 고분자 물질과의 접착력이 떨어져서 표면 처리를 통한 표면 에너지의 증대가 반드시 필요하다.When used as an ultrafiltration membrane made of PVDF, hydrophobic properties may cause problems such as separation of biomaterials due to deposition of proteins due to hydrophobic properties, and low adhesion to metals, ceramics and other polymer materials due to low surface energy. Increasing surface energy through surface treatment is essential.

폴리비닐리덴 플루오라이드의 경우 증류수에 대한 접촉각이 대부분 61-90o 정도를 나타내고 있으며, 초기 표면 에너지가 44 mN/m 정도로 매우 낮아서, 표면 처리를 통하여 금속, 세라믹 또는 다른 기능성 화학기들과의 접착력을 증대하는 전처리 방식이 많이 연구되어 왔다.In the case of polyvinylidene fluoride, the contact angle to distilled water is mostly about 61-90 o , and the initial surface energy is very low, about 44 mN / m. Thus, the surface treatment can be applied to metals, ceramics or other functional chemical groups. Many pretreatment methods have been studied.

이러한 소수성 특성을 향상시키는 방식으로는 화학적 방식 및 에칭 [F. F. Stengnard et al., J. Membrane Sci. 36, 257 (1988); A. Khodai-Joopary et al., Nucl. Tracks Radiat. Meas. 15, 167 (1988)], 방사화학적 그라프팅 [H. Iwata et al., J. Membrane Sci. 38, 38 (1988)] 등의 방법과 딥 코팅 방식[S. Kristensen, L. Cecille, J.C. Toussaint (Eds.), Future Industrial Prospects of Membrane Process, Elsevier, London, 118 (1989)] 또는 물리적으로 전자, 감마선, X-선을 이용하는 방식과 최근에는 플라즈마 및 이온빔을 이용하는 방식들이 보고되고 있다.Methods of improving these hydrophobic properties include chemical methods and etching [F. F. Stengnard et al., J. Membrane Sci. 36, 257 (1988); A. Khodai-Joopary et al., Nucl. Tracks Radiat. Meas. 15, 167 (1988)], radiochemical grafting [H. Iwata et al., J. Membrane Sci. 38, 38 (1988)] and the dip coating method [S. Kristensen, L. Cecille, J.C. Toussaint (Eds.), Future Industrial Prospects of Membrane Process, Elsevier, London, 118 (1989)] or physically using electrons, gamma rays, X-rays, and recently using plasma and ion beams.

문헌[Y.W. Park et al., Polymer, 44, 1569 (2003)]에 의하면 화학적으로 활성화된 플라즈마와 이온빔을 이용하는 경우, 아르곤, 수소, 산소 가스를 RF 영역에서, 인가 전력을 25-100 W까지 증가시키면서 원거리 플라즈마를 활성화시킨 후 PVDF 표면을 처리한 경우, 아르곤, 수소, 산소를 각각 처리하기 전과 후의 증류수 에 대한 접촉각의 변화를 조사한 결과, 접촉각을 처리 전의 90o에서 55o, 53o, 71o 정도까지만 감소시킬 수 있었다.According to YW Park et al., Polymer, 44, 1569 (2003), when using chemically activated plasmas and ion beams, argon, hydrogen, and oxygen gas are increased in the RF region to 25-100 W. When the PVDF surface was treated after activating the remote plasma while the contact angle was changed before and after argon, hydrogen, and oxygen treatment, the contact angle of the distilled water was investigated.The contact angle was measured from 90 o before 55 o , 53 o , and 71 o. Could only be reduced to a degree.

한편, 문헌[M.D. Duca et al., Polymer Degradation and Stability, 61, 65 (1998)]에는 Ar 가스를 RF 플라즈마를 이용하여 5 cm 정도 떨어진 PVDF 표면을 직접 처리할 경우 초기 증류수에 대한 접촉각을 71o에서 36o까지 감소시킬 수 있고, 이에 따라 표면 에너지를 33 mN/m로부터 60 mN/m까지 증대시킬 수 있다고 개시되어 있다.On the other hand, MD Duca et al., Polymer Degradation and Stability, 61, 65 (1998) reported that the contact angle for initial distilled water was 71 o when Ar gas was directly treated with a PVDF surface about 5 cm away using RF plasma. It is disclosed that it can be reduced to up to 36 o , thereby increasing the surface energy from 33 mN / m to 60 mN / m.

또한, 최근 문헌[Han et al., J. Appl. Poymer Sci. 72, 41 (1997)]에는 약 1 keV 정도의 아르곤 이온빔을 PVDF 표면에 조사하면 75o의 초기 접촉각이 50o 정도까지만 감소하지만, PVDF 표면에 반응성 가스인 산소 가스를 불어 넣어주면 30o까지 접촉각을 낮출 수 있는 이온 보조 반응법 (ion assisted reaction, IAR)이 보고된 바 있고, 이와 같이 처리된 PVDF 표면에 Pt 박막을 스퍼터링하면 그 접착력이 우수하다고 보고된 바 있다. 그러나, 현재까지 30o 미만의 접촉각을 보이며 표면에 손상이 거의 없는 표면 개질 방법은 보고된 바 없다.In addition, in recent literature, Han et al., J. Appl. Poymer Sci. 72, 41 (1997)], when the argon ion beam of about 1 keV is irradiated on the surface of PVDF, the initial contact angle of 75 o is reduced only to about 50 o , but when the reactive gas is blown to the surface of PVDF, the contact angle is up to 30 o . An ion assisted reaction (IAR) has been reported that can lower the Pt thin film on the surface of the PVDF treated as described above. However, no surface modification method has been reported so far with a contact angle of less than 30 ° and little damage to the surface.

본 발명의 목적은 초저 에너지 및 고에너지 밀도의 활성화 빔을 직접 조사하여 짧은 조사 시간 동안 폴리비닐리덴 플루오라이드 표면에 거의 손상이 없고 상온에서 폴리비닐리덴 플루오라이드의 표면 에너지를 크게 증가시켜 다른 금속, 세라 믹, 이종 고분자와의 접착력을 크게 향상시킬 수 있는 방법을 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to directly irradiate an ultra-low energy and high energy density activation beam with little damage to the polyvinylidene fluoride surface for a short irradiation time and to greatly increase the surface energy of the polyvinylidene fluoride at room temperature to increase other metals, It is to provide a method that can greatly improve the adhesion with ceramic, heterogeneous polymer.

본 발명자들은 10-90 eV 정도의 초저 에너지를 가지며 또한 0.5 W/cm2 이상 고에너지 밀도를 갖는 활성화 빔을 표면에 직접 조사하여 1초 내의 짧은 조사 시간 동안 폴리비닐리덴 플루오라이드 표면에 거의 손상이 없고 상온에서 폴리비닐리덴 플루오라이드의 표면 에너지를 80 mN/m 이상으로 증가시킬 수 있음을 밝혀내어 본 발명을 완성하게 되었다.The inventors of the present invention have a very low energy of about 10-90 eV and directly irradiate the surface with an activating beam having a high energy density of 0.5 W / cm 2 or more so that the polyvinylidene fluoride surface is hardly damaged for a short irradiation time within 1 second. The present invention was completed by discovering that the surface energy of polyvinylidene fluoride can be increased to 80 mN / m or more at room temperature.

따라서, 본 발명은 10-90 eV의 초저 에너지와 0.5 mW/cm2 이상의 고에너지 밀도를 갖는 활성화 빔을 폴리비닐리덴 플루오라이드 표면에 조사하여 PVDF의 표면을 초친수성 표면으로 개질시키는 방법을 제공한다.Accordingly, the present invention provides a method of modifying the surface of a PVDF to a superhydrophilic surface by irradiating a polyvinylidene fluoride surface with an activation beam having an ultra low energy of 10-90 eV and a high energy density of 0.5 mW / cm 2 or more. .

보다 구체적으로, 본 발명의 PVDF의 표면을 초친수성 표면으로 개질시키는 방법은 0.5 mW/cm2 이상의 고에너지 밀도를 갖는 기체 플라즈마를 생성시키는 단계, 생성된 기체 플라즈마 내의 이온빔에 전자빔을 조사하여 중성의 활성화 빔을 생성시키는 단계, 폴리비닐리덴 플루오라이드 (PVDF)와 활성화 빔원 사이에 감속 에너지 전기장을 인가하여 활성화 빔을 10-90 eV의 초저 에너지로 조절하는 단계 및 상기 초저 에너지 활성화 빔을 PVDF 표면에 PVDF 표면에 조사하는 단계를 포함한다.More specifically, the method of modifying the surface of the PVDF of the present invention to a superhydrophilic surface to generate a gas plasma having a high energy density of 0.5 mW / cm 2 or more, irradiating an electron beam to the ion beam in the generated gas plasma to neutral Generating an activation beam, applying a deceleration energy electric field between the polyvinylidene fluoride (PVDF) and the activation beam source to adjust the activation beam to ultra low energy of 10-90 eV and the ultra low energy activation beam to the PVDF surface Irradiating the PVDF surface.

본 발명의 한 실시태양에서 기체 플라즈마 생성에 사용되는 기체는 산소 또는 아산화질소 또는 이들의 혼합물이고, 조사 후 1초 내에 PVDF 기판 재료 표면의 접촉각을 2o 미만으로 저하시킬 수 있다.In one embodiment of the present invention, the gas used to generate the gas plasma is oxygen or nitrous oxide or mixtures thereof, and within one second of irradiation can reduce the contact angle of the surface of the PVDF substrate to less than 2 o .

본 발명의 다른 실시태양에서 기체 플라즈마 생성에 사용되는 기체는 불활성 기체와 반응성 기체의 혼합물로서, 여기서 불활성 기체는 Ar, Kr, Xe 또는 Ne이고, 반응성 기체는 O2, O3, N2O, NO2 또는 CO2이다.In another embodiment of the present invention the gas used to generate the gas plasma is a mixture of an inert gas and a reactive gas, where the inert gas is Ar, Kr, Xe or Ne, and the reactive gas is O 2 , O 3 , N 2 O, NO 2 or CO 2 .

본 발명에서는 낮은 표면 에너지를 갖는 PVDF 표면에 저에너지 활성화 빔을 조사하여 이온 충돌로 인한 표면 손상을 최대한 줄이고, 이와 동시에 화학적으로 반응성이 좋은 활성화된 빔을 조사하여 표면에 친수성 결합을 만들 수 있는 초저 에너지 활성화 빔을 이용한다.In the present invention, a low energy activation beam is irradiated onto a PVDF surface having a low surface energy to minimize surface damage due to ion collision, and at the same time, an ultra low energy capable of irradiating a chemically reactive activated beam to make a hydrophilic bond on the surface. Use an activation beam.

중성의 원자나 분자들을 이온화시키면 대부분의 경우 전자를 잃게 되어 전체적으로 양전하를 띄는 이온으로 변화한다. 이러한 양전하에 전압을 가하게 되면 가한 전압만큼의 운동 에너지를 얻게 되고 이러한 입자들은 일(work)을 할 수 있는 능력을 갖는 상태로 변화된다. 이렇게 에너지가 높아진 상태를 활성화되었다고 말하고 있으며, 이러한 에너지를 가진 이온빔이 전자들과 함께 시료에 입사될 때 중성화된 효과를 초래하게 되는 경우 에너지를 가지고는 있으나 전기적으로 중성입자와 같은 역할을 하여 "이온빔"이라는 표현 대신에 "활성화빔"으로 표현한다.Ionizing neutral atoms or molecules causes electrons to be lost in most cases, turning into positively charged ions. Applying a voltage to these positive charges yields kinetic energy equal to the applied voltage, and these particles are transformed into states that have the ability to work. It is said that the energy-enhanced state is activated, and when an ion beam having such energy is caused to be neutralized when it is incident on a sample together with electrons, it has energy but acts as an electrically neutral particle, and thus "ion beam Instead of "," it is expressed as "activation beam."

본 발명에서 초저 에너지 (10-90 eV), 고밀도 활성화 빔을 만들기 위하여, 먼저 폐쇄 전자-홀 표류 방식 (closed electron-Hall drift)으로 1012/cm3 정도의 고밀도 플라즈마를 생성하였다. 플라즈마에서 추출된 활성화 빔의 에너지 분포는 방전 전압 (Vd)의 2/3-3/4 정도를 갖게 된다.In order to make an ultra low energy (10-90 eV), high density activated beam in the present invention, a high density plasma of about 10 12 / cm 3 was first generated by a closed electron-hole drift. The energy distribution of the activation beam extracted from the plasma has about 2 / 3-3 / 4 of the discharge voltage V d .

아르곤을 사용한 실시태양을 도 8을 참고로 하여 설명하면, 음극(cathode) (4)에 아르곤 가스를 흘려주고 수백볼트로 방전시키면 전자가 발생한다. 이때 발생된 전자의 일부는 양극 (anode) (3)의 방향으로 가속된다. 가속될 때 채널 (2)의 밖에 설치된 자석의 자기장 (1)에 의해 회전운동을 하면서 양극 근처에서 입사된 가스와 충돌하면서 플라즈마를 형성하고, 결국 양극에 부딪치면서 없어지게 된다. 이때 이온화된 가스 중 양의 전하를 띄고 있는 입자는 양극에서 시료 쪽으로 가속된다. 이때 양전하가 갖는 에너지는 양극과 음극 사이의 방전 전압 Vd의 2/3~3/4 정도에 해당하는 에너지를 가진다. 예를 들어 Vd가 230 eV 인 경우 에너지 분석기로 측정한 아르곤 양이온의 가속 에너지는 178 eV로 측정되었다.An embodiment using argon will be described with reference to FIG. 8, when argon gas is flowed into the cathode 4 and discharged at several hundred volts, electrons are generated. Some of the electrons generated at this time are accelerated in the direction of the anode 3. When it accelerates, it rotates by the magnetic field 1 of the magnet installed outside the channel 2, colliding with the gas incident near the anode, forming a plasma, and eventually hitting the anode, and disappearing. At this time, the positively charged particles in the ionized gas are accelerated from the anode toward the sample. At this time, the energy of the positive charge has an energy corresponding to about 2/3 to 3/4 of the discharge voltage V d between the anode and the cathode. For example, when V d is 230 eV, the acceleration energy of the argon cation measured by the energy analyzer was measured to be 178 eV.

이러한 양전하가 고분자나 산화물과 같은 절연체 시료의 표면에 충돌하면 시료가 가지고 있던 표면 근처의 전자들을 진공 중으로 추출시키고 중성이었던 초기의 전기적 상태가 전자수의 감소로 양의 전기를 띄게 되며, 또한 입사하는 양이온이 양의 전기를 더욱 증가시키게 되어 시료가 양의 전하를 띄는 물질로 바뀌게 된다. 이러한 현상을 전하 축적(charge-up)이라 칭한다. 그러나, 폐쇄 전자-홀 이온빔의 경우 음극에서 발생된 전자가 양극으로 가속되는 것 이외에, 그 일부는 양이온 입자의 흐름에 참여하게 되고 부족한 음전하의 양을 시료 표면에 공급하는 역할을 하게 된다. 즉, 양전하가 중성화된 에너지를 갖는 중성 입자로 변화하여 시료 표면에 입사되어 양전하 축적 현상을 제거하는 중성화(neutralization) 효과를 초래한다.When such a positive charge hits the surface of an insulator sample such as a polymer or an oxide, electrons near the surface of the sample are extracted in a vacuum, and the initial electrical state, which was neutral, exhibits positive electricity due to the decrease in the number of electrons. The cation further increases the positive electricity, causing the sample to turn into a positively charged material. This phenomenon is called charge-up. However, in the case of the closed electron-hole ion beam, in addition to accelerating electrons generated at the cathode to the anode, some of them participate in the flow of the cationic particles and serve to supply the amount of the negative charge to the sample surface. That is, the positive charge changes to neutral particles having neutralized energy, which is incident on the surface of the sample, resulting in a neutralization effect of removing the positive charge accumulation phenomenon.

도 1은 상기한 바와 같은 Ar 활성화 빔에 대한 에너지 분포 측정 결과이다. 방전 전압 Vd=230 eV에서 아르곤 활성화 빔의 평균 에너지는 178 eV 정도이고, 에너지 분산 정도는 σE=±20.5 eV 정도였다.1 is an energy distribution measurement result for the Ar activation beam as described above. At the discharge voltage V d = 230 eV, the average energy of the argon activated beam was about 178 eV, and the degree of energy dispersion was about σ E = ± 20.5 eV.

한편, PVDF와 활성화 빔원 사이에 감속 에너지 전기장 (retarding energy field)을 만들어 측정한 활성화 빔의 에너지를 조절하여 측정한 활성화빔의 에너지 분포를 측정하였다.Meanwhile, the energy distribution of the activation beam measured by adjusting the energy of the activation beam measured by creating a retarding energy field between the PVDF and the activation beam source was measured.

음극에서 가속 양극으로 가속되는 전자에 의하여 이온화된 양이온은 음극과 양극 사이의 방전 전압 Vd의 2/3-3/4을 보유하여 유지하게 된다. 예를 들어 Vd=230 eV인 경우 에너지 분석기로 측정한 아르곤 양이온의 가속 에너지는 178 eV로 측정되었다. 이때 이온원에서 100 mm 떨어진 곳에 텅스텐 와이어(지름 4 mm)를 이온원에서 추출되는 이온빔의 크기보다 20 mm 정도 큰 원형 고리 형태를 설치하고 여기에 Vr=+100V의 감쇄전압(retarding voltage)를 인가하면 양전하 이온빔의 에너지를 Vr만큼 감소시킬 수 있다. 도 2는 이와같이 하여 얻은 양이온의 에너지 분포를 나타낸 그래프로서, 평균에너지는 약 80 eV이고, 에너지 퍼짐 정도는 σE = ±25 eV로 약간 증가되었다. 이와 같이 하여 각각의 활성화 빔을 10-90 eV 정도의 초저 에너지로 조절할 수 있다.The cations ionized by the electrons accelerated from the cathode to the accelerated anode retain and hold 2 / 3-3 / 4 of the discharge voltage V d between the cathode and the anode. For example, when V d = 230 eV, the acceleration energy of the argon cation measured by the energy analyzer was measured to be 178 eV. At this time, install a tungsten wire (diameter 4 mm) 20 mm larger than the size of the ion beam extracted from the ion source at a distance of 100 mm from the ion source, and apply a retarding voltage of V r = + 100V. When applied, the energy of the positively charged ion beam can be reduced by V r . Figure 2 is a graph showing the energy distribution of the cation thus obtained, the average energy is about 80 eV, the degree of energy spread slightly increased to σ E = ± 25 eV. In this way, each activation beam can be adjusted to very low energy of about 10-90 eV.

도 3은 표면 처리하지 않은 PVDF 표면과 Ar, N2O, O2 가스를 이용하여 저에 너지 활성화 빔을 생성한 후 평균에너지 80 eV에서 PVDF 표면에 1초간 조사한 PVDF 표면에 대해 탈이온 증류수를 사용하여 측정한 접촉각의 변화를 보여주는 그래프이다.3 shows deionized distilled water for a PVDF surface irradiated with PVDF surface for 1 second at an average energy of 80 eV after generating a low energy activation beam using an untreated PVDF surface and Ar, N 2 O, O 2 gas. It is a graph showing the change of contact angle measured.

상기한 바와 같이, Ar, N2O, O2 가스를 이온원의 채널 사이에 흘려보내고, Ar의 경우 방전전압 230 eV, N2O와 O2의 경우 각각 300 eV에서 전자에 의해 플라즈마를 형성하고 이때 발생된 Ar+, N2O_, O2 + 이온빔의 에너지를 평균적으로 80 eV까지 감쇄하여 PVDF 표면에 조사하였다.As described above, Ar, N 2 O, O 2 gas is allowed to flow between the channels of the ion source, and in the case of Ar, the plasma is formed by electrons at a discharge voltage of 230 eV, and in the case of N 2 O and O 2 , respectively, 300 eV. The energy of Ar + , N 2 O _ , O 2 + ion beams attenuated to 80 eV on average was irradiated onto the surface of PVDF.

도면에 도시된 바와 같이, 활성화 빔으로 처리하지 않은 PVDF 표면은 61도 정도의 접촉각을 보이나 Ar 활성화빔으로 처리하면 약 35o, 이산화질소 및 산소로 처리하면 각각 4o, 2o 정도씩 매우 낮은 접촉각을 보이고 있다. 이는 반응성 가스인 산소를 포함하고 있는 활성화빔으로 처리한 경우가 접촉각을 낮추는데 매우 효과적임을 알 수 있고 산소의 경우 PVDF를 탈이온 증류수에 대한 접촉각이 2o 미만인 초친수성 표면으로 처리할 수 있음을 알 수 있다.As shown in the figure, a PVDF surface not treated with an activating beam shows a contact angle of about 61 degrees, but a contact angle of about 35 o when treated with an Ar activation beam and 4 o and 2 o when treated with nitrogen dioxide and oxygen, respectively. Is showing. This suggests that treatment with an activation beam containing oxygen, which is a reactive gas, is very effective in lowering the contact angle, and in the case of oxygen, PVDF can be treated with superhydrophilic surfaces with a contact angle of less than 2 o to deionized distilled water. Can be.

도 4는 도 3에서 측정된 각 조건에서 증류수와 PVDF 표면 사이의 접촉각을 접촉각 측정기를 사용하여 컴퓨터 자동화 프로그램을 통하여 측정한 접촉각 사진이다. (a)는 처리되지 않은 PVDF 표면 (접촉각: 61o), (b)는 아르곤 활성화 빔으로 처리된 PVDF 표면 (접촉각: 30o), (c)는 이산화질소 활성화 빔으로 처리된 PVDF 표 면 (접촉각: 4o), (d) 산소 활성화 빔으로 처리된 PVDF 표면 (왼쪽, 접촉각: 2o 미만)과 처리되지 않은 PVDF 표면 (오른쪽) 위의 접촉각을 보여주는 사진이다.FIG. 4 is a photograph of contact angles measured by a computer automation program using a contact angle measuring device for contact angles between distilled water and PVDF surfaces under each condition measured in FIG. 3. (a) is the untreated PVDF surface (contact angle: 61 o ), (b) is the PVDF surface treated with argon activation beam (contact angle: 30 o ), (c) is the PVDF surface treated with nitrogen dioxide activated beam (contact angle : 4 o ), (d) Photograph showing the contact angle on the PVDF surface (left side, contact angle: less than 2 o ) and the untreated PVDF surface (right side) treated with an oxygen activation beam.

도 5는 Ar, N2O, O2 활성화 빔으로 처리된 PVDF 표면의 화학성분을 결합 에너지가 0-1400 eV 영역에서 측정한, 넓은 에너지 영역에서 조사한 X-선 광전자 분광 결과를 보여주는 그래프이다.FIG. 5 is a graph showing X-ray photoelectron spectroscopy results of irradiating a chemical composition of a PVDF surface treated with Ar, N 2 O, and O 2 activating beams in a large energy region, where binding energy was measured in the 0-1400 eV region.

활성화 빔으로 처리하지 않은 PVDF의 경우 [-CH2-CF2-] 결합에 의한 C1s, F1s 피크만이 관찰되고 있다. Ar 활성화 빔으로 처리된 PVDF에서는 C1s 피크 강도가 굉장히 증가하고 있는데, 이는 Ar 활성화 빔이 PVDF 표면에 충돌시 큰 질량에 의한 운동량 전달로 가벼운 F 원소가 진공 내로 이탈하는 탈불소화(defluoridation)가 많이 일어나서 탄소 원자들의 양이 상대적으로 증대하여 C1s 피크가 증대되는 것임을 보여준다. 불소 원소를 잃은 탄소들은 진공 챔버 내의 잔여 산소 가스 또는 물과의 결합에 의해 약간의 O1s 피크가 관찰되고 있다. 아산화질소(N2O)로 처리한 경우 Ar 활성화 빔의 경우에 비하여 탈불소화가 적게 일어나고 F1s이 C1s에 비하여 상대적으로 많은 비율로 존재하고 있으며, 탄소와 결합하고 있는 산소와 질소 성분들이 관찰되고 있다. 아산화질소에 비하여 질량이 작은 산소 활성화 빔을 조사한 경우, 탈불소화가 아산화질소에 비하여 적게 일어나지만, 탄소와 결합하는 산소의 양은 많이 증가함을 알 수 있다.In the case of PVDF not treated with an activating beam, only C1s and F1s peaks due to [-CH 2 -CF 2- ] coupling are observed. In PVDFs treated with Ar-activated beams, the C1s peak intensity is greatly increased, due to the large defluoridation of light F elements into the vacuum due to the transfer of momentum by large masses when the Ar-activated beams strike the PVDF surface. It is shown that the amount of carbon atoms is relatively increased to increase the C1s peak. Carbons missing elemental fluorine have a slight O1s peak observed by bonding with residual oxygen gas or water in the vacuum chamber. When treated with nitrous oxide (N 2 O), less defluorination occurs than in the case of Ar activation beam, and F1s are present at a relatively higher ratio than C1s, and oxygen and nitrogen components that bind carbon are observed. . When irradiated with an oxygen-activated beam having a smaller mass than nitrous oxide, defluorination occurs less than nitrous oxide, but it can be seen that the amount of oxygen bound to carbon increases significantly.

도 6은 위의 결과를 좀 더 정확하게 알아볼 수 있도록 각각의 경우 (a) C1s, (b) O1s, (c) N1s 및 (d) F1s 등의 전자 결합 에너지 준위를 자세히 측정한 것으 로, 각각의 PVDF의 C, N, O, F 양의 변화를 보여주는 전자 코어 준위 X-선 광전자 분광 에너지 스펙트럼이다.6 is a detailed measurement of the electron binding energy level of (a) C1s, (b) O1s, (c) N1s and (d) F1s in each case to more accurately understand the above results, Electron core level X-ray photoelectron spectroscopic energy spectrum showing changes in the C, N, O and F amounts of PVDF.

도 5 및 도 6으로부터 각각의 PVDF 표면에 존재하는 원소의 양을 백분율로 비교하여 표 1에 표시하였다.Tables 1 and 3 compare the amounts of elements present on each PVDF surface in percentage.

PVDF 표면PVDF surface CC NN OO FF 처리되지 않은 표면Untreated surface 51.1951.19 00 1.031.03 47.7947.79 Ar 활성화 빔Ar activated beam 79.579.5 0.280.28 7.317.31 12.9112.91 N2O 활성화 빔N 2 O activated beam 67.1367.13 5.995.99 10.1110.11 16.7816.78 O2 활성화 빔O 2 activated beam 64.564.5 3.763.76 14.7414.74 17.017.0

표 1에서 보는 바와 같이, 처리하지 않은 PVDF의 경우 C:N:O:F의 성분 비율이 51.2%:0%:1.03%:47.79%를 보이고 있다. Ar, N2O, O2 활성화빔을 이용하여 표면처리된 PVDF의 경우 탄소의 양은 각각 Ar의 경우 79.5%로 가장 많이 증가하고 N2O와 O2의 경우 67.13%와 64.5%로 약간 낮아지지만 처리하지 않은 경우에 비하여 높음을 알 수 있다. 한편 불소의 경우 Ar의 경우 12.91%까지 감소하고 N2O와 O2에서 각각 16.78과 17.0%까지 거의 비슷하게 덜 감소하는 것을 알 수 있다. 이는 PVDF의 주성분인 [-CH2-CF2-]의 C-H와 C-F 결합이 활성화빔에 의해 끊어지면서 휘발성이 강한 H, F가 진공 내로 증발하고 있음을 알 수 있고, 나머지 결합하지 못한 탄소 결합 고리들만이 남아있는 것을 알 수 있다. 다만 질소의 변화량을 살펴보면 N2O의 경우 5.99%, 산소의 조사시 산소양이 14.74%로 각각 가장 많이 포함되어 있음을 알 수 있는데, 이는 활성화 빔의 원소들과 결합하지 못한 탄소와의 결합이 잘 이루어지고 있으며 C-N, C=O 등의 친수성 작용기를 잘 형성하고 있음을 알 수 있다. 특히 산소 빔을 조사한 경우 가장 높은 산소량이 포함된 경우 가장 낮은 접촉각을 보이고 있는 결과와 잘 일치하고 있다.As shown in Table 1, the ratio of C: N: O: F for the untreated PVDF shows 51.2%: 0%: 1.03%: 47.79%. For PVDF surface-treated using Ar, N 2 O, and O 2 activation beams, the amount of carbon increases most at 79.5% for Ar and slightly lowers at 67.13% and 64.5% for N 2 O and O 2 , respectively. It is higher than the case without treatment. On the other hand, fluorine decreases by 12.91% in Ar and almost similarly decreases in N 2 O and O 2 by 16.78 and 17.0%, respectively. This indicates that the CH and CF bonds of [-CH 2 -CF 2- ], the main components of PVDF, are broken by the activation beam, and the volatile H and F are evaporating into the vacuum. You can see only the remains. However, when looking at the amount of nitrogen change, it can be seen that N 2 O contains 5.99% of oxygen and 14.74% of oxygen when irradiated with oxygen. It can be seen that it is well formed and forms hydrophilic functional groups such as CN and C═O. In particular, the irradiation with the oxygen beam is in good agreement with the result showing the lowest contact angle when the highest oxygen content is included.

도 6은 표면 처리 전 및 여러 가지 활성화 빔을 이용하여 처리한 PVDF의 표면의 원자척력간 현미경 (atomic force microscope) 사진으로 표면 거칠기의 변화를 보여주고 있다.FIG. 6 shows changes in surface roughness with atomic force microscope images of the surface of PVDF treated before and before surface treatment with various activation beams.

처리하지 않은 PVDF의 표면 거칠기는 약 5.5 nm이며, 아르곤 활성화 빔을 이용한 경우 약 4.5 nm 정도로 약간 평탄해지고, 아산화질소 활성화 빔을 조사한 경우 4.25 nm로 더욱 표면 거칠기가 감소함을 알 수 있다.The surface roughness of the untreated PVDF is about 5.5 nm, slightly flattened by about 4.5 nm when using an argon activation beam, and further decreased by 4.25 nm when irradiated with nitrous oxide activation beam.

산소 활성화 빔을 이용한 경우는 6 nm 정도로 약간 증가하나, 모든 경우 표면 처리하지 않은 PVDF의 표면 거칠기에 대하여 ±1 nm 이내의 변화만을 보여주는 것으로 본 발명에 따라 초저 에너지, 고에너지 밀도 활성화 빔을 이용하여 PVDF 표면을 처리한 경우 표면에 손상을 발생시키지 않음을 알 수 있다.In the case of using the oxygen activation beam, it increases slightly to about 6 nm, but in all cases, it shows only a change within ± 1 nm with respect to the surface roughness of the untreated PVDF, using an ultra low energy, high energy density activation beam according to the present invention. It can be seen that the treatment of the PVDF surface does not cause any damage to the surface.

본 발명의 방법에 따르면, 플루오르기(-F-)를 포함하고 있는 대부분의 소수성 고분자 표면을 손상 없이 친수성으로 만들 수 있기 때문에 상기 고분자를 고부가의 전자 부품용 기판으로 사용할 수 있고, PVDF를 이용한 압전소자 제작시 금속과의 접착력 향상을 통하여 새로운 기능성 및 안정성/내구성이 우수한 부품 소재 개발에 응용이 가능하다.According to the method of the present invention, since the surface of most hydrophobic polymers containing fluorine (-F-) can be made hydrophilic without damage, the polymer can be used as a substrate for high value electronic components, and piezoelectric using PVDF It can be applied to the development of new materials, component materials with excellent stability and durability through improved adhesion to metals during device fabrication.

또한, PVDF 위에 투명 전도성 고분자, 산화물 박막을 성형한 후 금속 전극으 로 사용하여 연성 가청 디스플레이를 제작할 수 있고, 수소 이용 전지에 있어서 광자의 움직임을 현저하게 향상시킬 수 있는 분리막 재료의 표면 처리 기술로서 사용가능하다.In addition, after forming a transparent conductive polymer and an oxide thin film on PVDF, a flexible audible display can be fabricated using a metal electrode and used as a surface treatment technology of a separator material capable of remarkably improving the movement of photons in a battery using hydrogen. Can be used.

Claims (4)

0.5 내지 1.5 mW/cm2 범위의 고에너지 밀도를 갖는 기체 플라즈마를 생성시키는 단계,Generating a gas plasma having a high energy density in the range of 0.5 to 1.5 mW / cm 2 , 생성된 기체 플라즈마 내의 이온빔에 전자빔을 조사하여 중성의 활성화 빔을 생성시키는 단계,Irradiating an electron beam to the ion beam in the generated gas plasma to generate a neutral activation beam, 폴리비닐리덴 플루오라이드 (PVDF)와 활성화 빔원 사이에 감속 에너지 전기장을 인가하여 활성화 빔을 10-90 eV의 초저 에너지로 조절하는 단계 및Applying a deceleration energy electric field between polyvinylidene fluoride (PVDF) and the activation beam source to adjust the activation beam to ultra low energy of 10-90 eV; and 상기 초저 에너지 활성화 빔을 PVDF 표면에 조사하는 단계Irradiating the ultra-low energy activated beam onto a PVDF surface 를 포함하는, PVDF의 표면을 초친수성 표면으로 개질시키는 방법.A method of modifying the surface of the PVDF to a superhydrophilic surface comprising a. 제1항에 있어서, 상기 기체가 산소 또는 아산화질소 또는 이들의 혼합물이고, 조사 후 1초 내에 PVDF 기판 재료 표면의 접촉각을 2o 미만으로 저하시키는 것인 방법.The method of claim 1, wherein the gas is oxygen or nitrous oxide or mixtures thereof and lowers the contact angle of the surface of the PVDF substrate material to less than 2 o within 1 second after irradiation. 제1항에 있어서, 상기 기체가 불활성 기체와 반응성 기체의 혼합물로서, 상기 불활성 기체는 Ar, Kr, Xe 또는 Ne이고, 반응성 기체는 O2, O3, N2O, NO2 또는 CO2인 방법.The method of claim 1, wherein the gas is a mixture of an inert gas and a reactive gas, wherein the inert gas is Ar, Kr, Xe or Ne, and the reactive gas is O 2 , O 3 , N 2 O, NO 2 or CO 2 . Way. 제1항에 있어서, PVDF의 표면 에너지가 80 내지 90 mN/m 범위로 증가하는 것인 방법.The method of claim 1, wherein the surface energy of the PVDF increases in the range of 80 to 90 mN / m.
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JPH05125202A (en) * 1991-04-12 1993-05-21 Bridgestone Corp Production of rubber-based composite material
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