KR100586556B1 - 반도체 장치의 프리차지 전압공급회로 - Google Patents

반도체 장치의 프리차지 전압공급회로 Download PDF

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이종원
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Abstract

본 발명은 소정 레벨의 제 1 신호에 응답하여 프리차지 전압을 공급하고 소정크기의 턴-온 저항을 갖는 제 1 스위치와; 상기 제 1 스위치와 병렬로 연결되고, 소정 제 2 신호에 응답하여 프리차지 전압을 공급하며, 턴-온 저항이 상기 제 1 스위치보다 더 작은 제 2 스위치를 포함하여 구성되는 반도체 장치의 프리차지 전압공급회로에 관한 것이다.
프리차지, 프리차지 전압 공급회로

Description

반도체 장치의 프리차지 전압공급회로{Precharge Voltage Supplying Circuit of Semiconductor Device}
도 1은 반도체 장치에서 워드라인과 비트라인 간에 브릿지가 발생한 것을 나타낸 단면도이다.
도 2는 워드라인과 비트라인 간의 브릿지로 인한 로우(row)/컬럼의 불량발생에 따른 누설전류의 발생량을 도시한 그래프이다.
도 3은 본 발명에 의한 일실시예에 따른 반도체 장치의 메모리 셀 영역의 구조를 나타낸 것이다.
도 4는 본 발명에 의한 일실시예에 따른 프리차지 전압 공급회로의 구성을 도시한 것이다.
도 5는 본 발명에 의한 프리차지 전압 공급회로와 브릿지 형성부위을 포함하여 형성되는 회로에 대한 등가회로를 도시한 것이다.
도 6은 본 실시예에 따른 프리차지 전압공급회로에 포함된 제 2 스위치를 제어하는 스위칭 제어부의 구성을 도시한 것이다.
도 7은 상기 스위칭 제어부로부터 출력되는 스위칭 제어신호의 타이밍도이다.
본 발명은 반도체 장치의 프리차지 전압 공급회로에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 반도체 장치 내의 특정 셀에 대해 비트라인과 워드라인 간에 브릿지가 발생했을 때, 스탠바이 모드에서의 상기 브릿지 생성부위를 통한 누설전류를 감소시킴과 아울러 프리차지 모드 진입시 비트라인과 상보비트라인에 프리차지 전압이 빨리 공급되도록 하여 프리차지 속도를 증가시킬 수 있도록 하는 반도체 장치의 프리차지 전압 공급회로에 관한 것이다.
최근 반도체 소자의 고집적화가 진행됨에 따라 반도체 소자의 각 부위는 그 차지하는 면적이 점점 더 줄어들고 있다. 특히, 디램(DRAM) 반도체 장치의 경우, 반도체 장치를 구성하는 게이트의 피치(pitch) 사이즈가 감소함에 따라 반도체 메모리 장치의 제조공정 결과 워드라인과 비트라인 간에 브릿지(bridge) 현상이 발생할 가능성이 점점 더 높아지고 있다. 상기와 같은 워드라인과 비트라인 간의 브릿지 현상은, 게이트를 형성하기 위해 폴리실리콘막을 식각했을 때 폴리실리콘의 일부가 식각되어 없어지지 않고 남아서 생기는 게이트 잔존물(gate residue)이나, 게이트 상층의 질화막이 화학기계적 평탄화(CMP)에 의하여 유실되어 그 부위가 취약하게 되는 것에 주로 기인하여 발생하게 된다.
도 1은 반도체 장치에서 워드라인과 비트라인 간에 브릿지가 발생한 것을 나 타낸 단면도이다. 여기에 도시된 바와 같이, 상기 브릿지 현상이 발생하게 되면 워드라인과 비트라인 간에는 전류 경로가 형성되게 되고, 이에 따라 반도체 장치의 스탠바이 모드에서 비트라인에 충전되어 있던 전하가 상기 전류경로를 통하여 유입됨으로써, 워드라인과 비트라인 간에는 스탠바이 상태에서 원하지 않는 누설전류가 발생하게 된다. 물론, 상기 브릿지 현상이 발생한 불량셀을 대신하여 여분의 다른 셀로 대치할 수는 있으나, 이러한 경우에도 반도체 장치의 구조상에는 상기 불량셀이 여전히 존재하므로 상기 불량셀로는 누설전류가 계속 흐르게 된다.
도 2는 워드라인과 비트라인 간의 브릿지로 인한 로우(row)/컬럼의 불량발생에 따른 누설전류의 발생량을 도시한 그래프로서, 도시된 바와 같이 상기 불량셀에 의한 로우(row)/컬럼의 불량발생 개수에 따라 누설전류의 양도 비례적으로 증가하게 된다는 것을 알 수 있다. 불량셀 발생 1개당 불필요하게 소모되는 누설전류는 약 9[㎂]로서, 이는 저전력용 반도체 장치에 있어 스탠바이 전류에 대한 사양(spec.)규제치의 7~10%수준에 이른다. 이와 같이, 워드라인과 비트라인 간 브릿지로 인한 누설전류의 증가는 제품의 전류 특성에 영향을 미쳐 결국에는 반도체 장치의 수율을 저하시키는 주요한 요인이 되고 있다.
물론, 상기 불량셀에 의한 누설전류를 감소시키기 위하여, 프리차지 전압공급회로에 큰 저항성분을 추가하여 그 누설전류의 크기를 저하시키는 방법도 생각해 볼 수 있다. 그러나, 이러한 방법은 누설전류의 크기는 어느 정도 감소시킬 수는 있을지 모르나, 큰 저항성분으로 인해 프리차지 전압이 빨리 비트라인으로 전달되지 못하여 비트라인이 빨리 충전되지 못하고 프리차지 특성이 나빠지는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 반도체 장치 내의 특정 셀에 대해 비트라인과 워드라인 간에 브릿지가 발생했을 때, 스탠바이 모드에서의 상기 브릿지 생성부위를 통한 누설전류를 감소시킴과 아울러 프리차지 모드 진입시 비트라인과 상보비트라인에 프리차지 전압이 빨리 공급되도록 하여 프리차지 속도를 증가시킬 수 있도록 하는 반도체 장치의 프리차지 전압 공급회로를 제공하는 데 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 소정 레벨의 제 1 신호에 응답하여 프리차지 전압을 공급하고 소정크기의 턴-온 저항을 갖는 제 1 스위치와; 상기 제 1 스위치와 병렬로 연결되고, 소정 제 2 신호에 응답하여 프리차지 전압을 공급하며, 턴-온 저항이 상기 제 1 스위치보다 더 작은 제 2 스위치를 포함하여 구성되는 반도체 장치의 프리차지 전압공급회로를 제공한다.
본 발명에서, 상기 제 1 스위치와 제 2 스위치는 프리차지 전압 공급노드에서 공통 접속되며, 비트라인과 상보비트라인에 프리차지 전압을 공급하는 것이 바람직하다.
본 발명에서, 상기 제 2 스위치는 늦어도 프리차지 동작모드 진입 시점부터 턴-온되어 이후 소정 제 1 구간이 경과한 시점에서 턴-오프되는 것이 바람직하다.
본 발명에서, 액티브 명령 입력시 인에이블되어 프리차지 명령 입력시 디스에이블되는 제 3 신호를 입력받아 상기 제 1 구간만큼 지연시킴으로써, 상기 제 2 신호를 출력하는 스위칭 제어부를 더 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명에서, 상기 제 3 신호는 뱅크 액티브 신호인 것이 바람직하다.
본 발명에서, 상기 제 2 스위치는 상기 제 2 신호에 응답하여 동작하는 NMOS소자인 것이 바람직하다.
본 발명에서, 상기 제 2 스위치는 액티브 모드 진입 후 소정 제 2 구간이 경과한 시점에 턴-온되어 프리차지 모드 진입 후 소정 제 3 구간이 경과한 시점에서 턴-오프되는 것이 바람직하다.
본 발명에서, 액티브 명령 입력시 인에이블되어 프리차지 명령 입력시 디스에이블되는 제 3 신호를 입력받아 상기 제 3 구간만큼 지연시킴으로써, 상기 제 2 신호를 출력하는 스위칭 제어부를 더 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명에서, 상기 제 3 신호는 뱅크 액티브 신호인 것이 바람직하다.
본 발명에서, 상기 제 2 스위치는 상기 제 2 신호에 응답하여 동작하는 NMOS소자인 것이 바람직하다.
본 발명에서, 상기 제 1 스위치는 반도체 장치의 동작모드에 상관없이 턴-온상태에 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서, 상기 제 1 스위치는 반도체 장치가 프리차지 모드일 때와 스탠바이 모드일 때 턴-온되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서, 상기 제 1 스위치는 고전압인 상기 제 1 신호에 응답하여 동작하는 NMOS소자인 것이 바람직하다.
본 발명에서, 상기 제 1 스위치는 반도체 장치의 동작모드에 상관없이 턴-온상태에 있고, 상기 제 2 스위치는 늦어도 프리차지 동작모드 진입 시점부터 턴-온되어 이후 소정 제 1 구간이 경과한 시점에서 턴-오프되는 것이 바람직하다.
본 발명에서, 상기 제 2 신호는 액티브 명령 입력시 인에이블되어 프리차지 명령 입력시 디스에이블되는 제 3 신호를 상기 제 1 구간만큼 지연시킨 신호인 것을 특징으로 한다.
본 발명에서, 상기 제 3 신호는 뱅크 액티브 신호인 것이 바람직하다.
본 발명에서, 프리차지 모드와 스탠바이 모드에서 턴-온되어 상기 프리차지 전압을 비트라인과 상보비트라인에 공급하는 제 3 스위치 및 제 4 스위치를 더 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명에서, 상기 제 3 스위치와 제 4 스위치는 액티브 모드 동안 상기 비트라인과 상보 비트라인 간을 격리시키기 위하여 상기 액티브 모드 동안 디스에이블되는 제 4 신호에 응답하여 동작하는 것을 특징으로 한다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 이들 실시예는 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명의 권리 보호 범위가 이들 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.
도 3은 본 발명에 의한 일실시예에 따른 반도체 장치의 메모리 셀 영역의 구조를 도시한 것이고, 도 4는 본 실시예에 따른 프리차지 전압 공급회로의 구성을 도시한 것이며, 도 6은 본 실시예의 프리차지 전압공급회로에 포함된 제 2 스위치를 제어하는 스위칭 제어부의 구성을 도시한 것으로서, 이를 참조하여 본 발명을 설명하면 다음과 같다.
도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 반도체 장치의 프리차지 전압 공급회로는 고전압레벨의 제 1 신호(VPP)에 응답하여 프리차지 전압(VBLP)을 공급하고 소정크기의 턴-온 저항을 갖는 NMOS(N100)와; 상기 NMOS(N100)와 병렬로 연결되고, 소정 제 2 신호(sa)에 응답하여 프리차지 전압(VBLP)을 공급하며, 턴-온 저항이 상기 NMOS(N100)보다 더 작은 NMOS(N200)와; 액티브 명령 입력시 인에이블되어 프리차지 명령 입력시 디스에이블되는 제 3 신호(ba)를 입력받아 소정시간(tD)만큼 지연시킴으로써, 상기 제 2 신호(sa)를 출력하는 스위칭 제어부(300)를 포함하여 구성된다.
그리고, 도 3에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 반도체 장치의 프리차지 전압 공급회로는 프리차지 모드와 스탠바이 모드에서 턴-온되어 상기 프리차지 전압(VBLP)을 비트라인(BL)과 상보비트라인(/BL)에 공급하는 NMOS(N17) 및 NMOS(N18)를 더 포함한다.
이와 같이 구성된 본 실시예의 동작을 도 3 내지 도 7을 참조하여 구체적으로 설명하되, 반도체 장치의 동작 모드, 즉 액티브모드, 프리차지 모드 및 스탠바 이 모드 별로 각각 나누어서 살펴본다. 여기서, 액티브 모드란 반도체 장치에서 데이터의 입력 및 출력 등의 실질적인 동작이 수행되는 동작모드를 말하고, 프리차지모드란 액티브 모드 이후 비트라인과 상보비트라인을 소정 전압, 특히 코어전압(VCORE)의 2분의 1 레벨(VBLP)로 프리차지시키는 모드를 말하며, 스탠바이 모드는 반도체 장치가 프리차지 모드 이후 저전력 소모 모드인 준비상태에 있는 경우를 말한다.
먼저, 액티브 모드에서의 동작을 먼저 살펴 본다. 반도체 장치가 액티브 모드에 진입하면, 신호(mwlb)는 하이레벨에서 로우레벨로 천이되고 신호(#PX)는 로우레벨로 천이된다. 이에 따라, PMOS(P11)는 턴-온되고 NMOS(N11)와 NMOS(N12)는 턴-오프되므로, 블럭(block1)의 워드라인(WL)은 고전압(VPP)레벨로 구동된다. 아울러, 도 7에 도시된 바와 같이, 신호(BLEQ1)는 하이레벨에서 로우레벨로 천이되므로, NMOS(N14), NMOS(N17) 및 NMOS(N18)는 턴-오프되어 비트라인(BL)과 상보비트라인(/BL)은 서로 격리된다.
그리고, 신호(BISH1)는 하이레벨의 상태를 유지하므로 NMOS(N15)와 NMOS(N16)는 턴-온되는 반면, 신호(BISL1)는 로우레벨로 천이되므로 NMOS(N19)와 NMOS(N20)는 턴-오프된다. 이에 따라, 센스앰프(100)는 셀 트랜지스터인 NMOS(N13)로부터의 데이터를 감지하여 증폭하거나 상기 셀 트랜지스터(N13)에 데이터를 입력하는 등의 동작을 수행할 수 있게 된다.
다음으로, 프리차지 모드에서의 동작을 살펴 본다. 반도체 장치가 액티브 모 드를 완료하고 프리차지 모드에 진입하면, 신호(mwlb)는 로우레벨에서 하이레벨로 천이되고 신호(#PX)는 로우레벨에서 하이레벨로 천이된다. 이에 따라, PMOS(P11)는 턴-오프되고 NMOS(N11)와 NMOS(N12)는 턴-온되므로, 블럭(block1)의 워드라인(WL)은 접지(VSS)레벨로 구동된다. 아울러, 도 7에 도시된 바와 같이, 신호(BLEQ1)는 로우레벨에서 하이레벨로 천이되므로, NMOS(N14), NMOS(N17) 및 NMOS(N18)는 턴-온되어 비트라인(BL)과 상보비트라인(/BL)은 프리차지 전압공급회로(200)로부터 공급되는 전압(VBLPD)에 의하여 프리차지된다. 이 때, 신호(BISH1)는 하이레벨의 상태를 유지하고 신호(BISL1)는 하이레벨로 천이되어 NMOS(N19)와 NMOS(N20)를 턴-온시킴으로써, 프리차지 동작이 비트라인(BL)과 상보비트라인(BL)에 온전히 수행될 수 있도록 한다.
여기서, 프리차지 전압 공급회로(200)의 동작을 도 4를 참조하여 보다 구체적으로 살펴 보면, 도 4에 도시된 바와 같이, 프리차지 전압(VBLP)은 NMOS(N100)와 NMOS(N200)의 동작에 의하여 비트라인(BL)과 상보비트라인(/BL)에 공급된다. 본 실시예에서, NMOS(N100)는 턴-온되었을 때의 저항인 턴-온저항이 매우 크고, 고전압(VPP)에 응답하여 동작하며, 반도체 장치의 동작모드에 상관없이 턴-온상태를 유지하도록 설계된다. 따라서, 반도체 장치가 프리차지 모드에 진입할 시점에서는 NMOS(N100)는 이미 턴-온상태에 있다.
아울러, NMOS(N200)는 턴-온저항이 상기 NMOS(N100)보다는 훨씬 작고, 스위칭 제어부(300)로부터 출력되는 제어신호(sa)에 응답하여 동작하며, 적어도 프리차지 모드 진입 후 시간(tD) 동안 턴-온되도록 설계된다. 상기에서, 제어신호(sa)는 도 6에 도시된 바와 같이 뱅크 액티브신호(ba)를 스위칭제어부(300)에 의하여 소정시간(tD) 만큼 지연시킨 신호인데, 여기서 뱅크 액티브신호(ba)는 도 7에 도시된 바와 같이 액티브 명령의 입력시 인에이블되어 프리차지 명령의 입력시 디스에이블되어 해당 뱅크를 활성화시키는 신호이다. 따라서, 도 7에 도시된 바와 같이, 제어신호(sa)는 액티브명령의 입력 후 시간(tD)이 경과한 시점에서 인에이블되어 프리차지 명령의 입력 후 시간(tD)이 경과한 시점에서 디스에이블되는 신호가 되며, NMOS(N200)는 제어신호(sa)가 인에이블되어 있는 상기 구간 동안 턴-온된다. 결국, 적어도 반도체 장치가 프리차지 모드에 진입할 시점에서는 NMOS(N200)는 턴-온상태에 있어 프리차지 전압(VBLP)을 공급할 수 있는 상태에 있다.
따라서, 상기 내용을 정리하면, 반도체 장치가 적어도 프리차지 모드에 진입하는 시점에서는 NMOS(N100)와 NMOS(N200)는 턴-온상태에 있으며, 신호(BLEQ1)가 로우레벨에서 하이레벨로 천이됨과 동시에 프리차지 전압(VBLP)을 비트라인(BL)과 상보비트라인(/BL)에 공급한다. 이에 의하여, 본 실시예에 따르면 프리차지 전압(VBLP)이 신속하게 공급될 수 있어 프리차지 속도가 증가하게 된다. 즉, 본 실시예에서는, 턴-온저항이 큰 NMOS(N100) 이외에도 턴-온저항이 작은 NMOS(N200)를 프리차지 모드 진입시점에 이미 턴-온되어 있도록 함으로써, 프리차지 전압(VBLP)이 턴-온저항이 낮은 NMOS(N200)를 통하여 빠른 속도로 비트라인쌍(BL, /BL)에 공급될 수 있도록 하고 있다. 이와 관련된 등가회로인 도 5에 도시된 바와 같이, 프리차지 모드 진입시점에서 프리차지 전압(VBLP)은 저항이 낮은 NMOS(N200)의 등가저항(R200)을 통하여 비트라인쌍(BL, /BL)에 신속하게 공급된다. 따라서, 본 실시예에 따르면, 프리차지 속도가 느려짐으로 인해 프리차지 특성이 나빠지는 종래의 문제점은 발생하지 않는다.
다음으로, 스탠바이 모드에서의 동작을 살펴 본다. 반도체 장치가 프리차지 모드를 완료하고 스탠바이 모드에 진입하면, 신호(mwlb)는 하이레벨의 상태를, 신호(#PX)는 하이레벨의 상태를 유지하므로, 워드라인(WL)은 접지(VSS)레벨로 구동된 상태를 여전히 유지한다. 아울러, 도 7에 도시된 바와 같이, 신호(BLEQ1)는 하이레벨의 상태에 있으므로, 비트라인(BL)과 상보비트라인(/BL)은 프리차지 전압공급회로(200)로부터 공급되는 전압(VBLPD)을 공급받고 있다.
그런데, 도 3에 도시된 바와 같이, NMOS(N13)의 셀이 워드라인과 비트라인 간 브릿지현상이 발생한 불량셀인 경우에는 비트라인(BL)에서 워드라인(WL)으로 누설전류가 발생하게 된다. 즉, 프리차지 전압(VBLP)에 의하여 프리차지된 비트라인(BL)과 접지(VSS)레벨인 워드라인(WL) 간에는 브릿지에 의한 전류경로가 생기게 되므로, 도 3에 도시된 바와 같이 비트라인(BL)에서 워드라인(WL)으로 누설전류가 흐르게 되는 것이다.
그러나, 본 실시예에 따르면, 비록 상기 누설전류는 발생한다 하더라도 그 양은 매우 적도록 제어할 수 있다. 즉, 도 7에 도시된 바와 같이, 프리차지 모드 진입 후 시간(tD)이 경과한 후부터는 제어신호(sa)는 로우레벨로 디스에이블된다. 따라서, NMOS(N200)는 스탠바이 모드에서는 턴-오프상태에 있게 되며, 반면, NMOS(N100)는 여전히 턴-온상태에 있다. 결국, 스탠바이 모드에서는 프리차지전압 (VBLP)은 턴-온 저항값이 매우 큰 NMOS(N100)을 통하여만 비트라인(BL)으로 공급되므로, 설사 NMOS(N13)에 브릿지가 발생하여 전류경로가 비트라인(BL)과 워드라인(WL) 간에 형성되었다 할지라도 상기 전류 경로를 통하여 소모되는 누설전류의 양은 크게 줄어들게 된다. 즉, 이와 관련된 등가회로인 도 5에 도시된 바와 같이, 스탠바이 모드에서 누설전류는 저항이 매우 높은 NMOS(N100)의 등가저항(R100) 및 상기 브릿지에 의한 등가저항(R300)을 통하여 흐르게 되므로, 등가저항(R100)의 작용에 의하여 누설전류의 양은 크게 줄어들게 된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시예에서는, 프리차지 모드에 진입한 시점에서는, 턴-온저항이 큰 NMOS(N100)와 함께 턴-온저항이 작은 NMOS(N200)도 지연시간(tD) 동안 턴-온되도록 함으로써, 비트라인 쌍에 프리차지 전압(VBLP)이 신속하게 전달될 수 있도록 하여 프리차지 속도를 향상시킬 수 있다. 뿐만 아니라, 스탠바이 모드에서는 턴-온저항이 큰 NMOS(N100)만 턴-온되도록 함으로써, NMOS(N13)에 브릿지가 발생하여 전류경로가 비트라인(BL)과 워드라인(WL) 간에 형성된다 할지라도, 상기 전류 경로를 통하여 소모되는 누설전류의 값을 크게 감소시킬 수 있다.
한편, 본실시예에서, 스위칭제어부(300)는 짝수개의 인버터로 구성되어 뱅크 액티브 신호(ba)를 시간(tD)만큼 지연시키는 지연회로로 구성되어 있으나, 본 발명은 이에 한정되지는 않는다. 그리고, 스위칭제어부(300)로부터 출력되는 제어신호(sa)는 프리차지 명령의 입력 후 NMOS(N200)가 시간(tD) 동안 턴-온되는 것을 보장하기 위한 신호이므로, 도 7에서 제어신호(sa)가 액티브 모드 동안 어느 시점에서 인에이블될 것인지는 시스템 조건에 따라 임의적으로 설정할 수 있다. 아울러, 상기 실시예에서는 NMOS(N100)는 반도체 장치의 동작 모드에 상관없이 턴-온 상태를 유지하는 것으로 되어 있으나, 경우에 따라서는 NMOS(N100)는 반도체 장치의 프리차지 모드와 스탠바이 모드에 걸쳐서 턴-온되도록 할 수도 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 장치의 프리차지 전압 공급회로는 서로 간에 턴-온저항이 크게 차이나는 스위치 소자를 병렬로 설치하여 반도체 장치의 동작 모드에 따라 프리차지 전압이 각각 다른 경로를 통하여 공급될 수 있도록 함으로써, 반도체 장치 내의 특정 셀에 대해 비트라인과 워드라인 간에 브릿지가 발생했을 때, 스탠바이 모드에서의 상기 브릿지 생성부위를 통한 누설전류를 감소시킴과 아울러 프리차지 모드 진입시 비트라인과 상보비트라인 간에 프리차지 전압이 빨리 공급되도록 하여 프리차지 속도를 증가시킬 수 있도록 하는 효과가 있다.

Claims (18)

  1. 소정 레벨의 제 1 신호에 응답하여 프리차지 전압을 공급하고 소정 크기의 턴-온 저항을 갖는 제 1 스위치와;
    상기 제 1 스위치와 병렬로 연결되고, 소정 제 2 신호에 응답하여 프리차지 전압을 공급하며, 턴-온 저항이 상기 제 1 스위치보다 더 작은 제 2 스위치를 포함하여 구성되는 반도체 장치의 프리차지 전압공급회로.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 스위치와 제 2 스위치는 프리차지 전압 공급노드에서 공통 접속되며, 비트라인과 상보비트라인에 프리차지 전압을 공급하는 반도체 장치의 프리차지 전압공급회로.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 스위치는 늦어도 프리차지 동작모드 진입 시점부터 턴-온되어 이후 소정 제 1 구간이 경과한 시점에서 턴-오프되는 반도체 장치의 프리차지 전압 공급회로.
  4. 제 3항에 있어서,
    액티브 명령 입력시 인에이블되어 프리차지 명령 입력시 디스에이블되는 제 3 신호를 입력받아 상기 제 1 구간만큼 지연시킴으로써, 상기 제 2 신호를 출력하는 스위칭 제어부를 더 포함하는 반도체 장치의 프리차지 전압공급회로.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 제 3 신호는 뱅크 액티브 신호인 반도체 장치의 프리차지 전압 공급회로.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 2 스위치는 상기 제 2 신호에 응답하여 동작하는 NMOS소자인 반도체 장치의 프리차지 전압 공급회로.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 스위치는 액티브 모드 진입 후 소정 제 2 구간이 경과한 시점에 턴-온되어 프리차지 모드 진입 후 소정 제 3 구간이 경과한 시점에서 턴-오프되는 반도체 장치의 프리차지 전압 공급회로.
  8. 제 7항에 있어서,
    액티브 명령 입력시 인에이블되어 프리차지 명령 입력시 디스에이블되는 제 3 신호를 입력받아 상기 제 3 구간만큼 지연시킴으로써, 상기 제 2 신호를 출력하는 스위칭 제어부를 더 포함하는 반도체 장치의 프리차지 전압공급회로.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 제 3 신호는 뱅크 액티브 신호인 반도체 장치의 프리차지 전압 공급회로.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 2 스위치는 상기 제 2 신호에 응답하여 동작하는 NMOS소자인 반도체 장치의 프리차지 전압 공급회로.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 스위치는 반도체 장치의 동작모드에 상관없이 턴-온상태에 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 프리차지 전압 공급회로.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 스위치는 반도체 장치가 프리차지 모드일 때와 스탠바이 모드일 때 턴-온되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 프리차지 전압 공급회로.
  13. 제 11항 또는 제 12항에 있어서,
    상기 제 1 스위치는 고전압인 상기 제 1 신호에 응답하여 동작하는 NMOS소자인 반도체 장치의 프리차지 전압 공급회로.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 스위치는 반도체 장치의 동작모드에 상관없이 턴-온상태에 있고,
    상기 제 2 스위치는 늦어도 프리차지 동작모드 진입 시점부터 턴-온되어 이후 소정 제 1 구간이 경과한 시점에서 턴-오프되는 반도체 장치의 프리차지 전압 공급회로.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 제 2 신호는 액티브 명령 입력시 인에이블되어 프리차지 명령 입력시 디스에이블되는 제 3 신호를 상기 제 1 구간만큼 지연시킨 신호인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 프리차지 전압공급회로.
  16. 제 15항에 있어서,
    상기 제 3 신호는 뱅크 액티브 신호인 반도체 장치의 프리차지 전압 공급회로.
  17. 제 1항에 있어서,
    프리차지 모드와 스탠바이 모드에서 턴-온되어 상기 프리차지 전압을 비트라인과 상보비트라인에 공급하는 제 3 스위치 및 제 4 스위치를 더 포함하는 반도체 장치의 프리차지 전압 공급회로.
  18. 제 17항에 있어서,
    상기 제 3 스위치와 제 4 스위치는 액티브 모드 동안 상기 비트라인과 상보 비트라인 간을 격리시키기 위하여 상기 액티브 모드 동안 디스에이블되는 제 4 신호에 응답하여 동작하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 프리차지 전압 공급회로.
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