KR100502926B1 - Light emitting display device and display panel and driving method thereof - Google Patents

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Abstract

유기 전계발광 표시 장치의 화소 회로에 유기 전계발광 소자를 구동하기 위한 전류를 출력하는 구동 트랜지스터가 형성되어 있으며, 구동 트랜지스터의 소스가 전원 전압에 연결된다. 제1 커패시터는 전원 전압과 구동 트랜지스터의 게이트 사이에 연결되며, 제2 커패시터는 구동 트랜지스터의 제어 전극과 주사선에 연결되어 있다. 먼저, 주사선으로부터의 로우 레벨의 선택 신호에 응답하여 제1 스위칭 소자는 데이터선으로부터의 데이터 전류를 구동 트랜지스터로 전달하고, 제2 스위칭 소자는 선택 신호에 응답하여 구동 트랜지스터를 다이오드 연결한다. 그러면 데이터 전류에 대응하는 전압이 제1 커패시터에 저장된다. 다음, 선택 신호가 하이 레벨로 되어 제1 스위칭 소자가 턴오프되어 데이터 전류가 차단된다. 그리고 선택 신호의 레벨 변화량만큼 제2 커패시터의 일단 전압이 증가하고, 이에 따라 제1 커패시터의 전압이 변화한다. 또한 제1 커패시터의 전압에 의해 트랜지스터로부터 구동 전류가 출력되고, 발광 신호에 응답하여 구동 전류가 유기 전계발광 소자에 전달된다. 이와 같이 하면, 큰 데이터 전류로서 유기 전계발광 소자에 흐르는 전류를 제어할 수 있다. A driving transistor for outputting a current for driving the organic electroluminescent element is formed in a pixel circuit of the organic electroluminescent display, and a source of the driving transistor is connected to a power supply voltage. The first capacitor is connected between the power supply voltage and the gate of the driving transistor, and the second capacitor is connected to the control electrode and the scan line of the driving transistor. First, in response to a low level selection signal from the scan line, the first switching element transfers the data current from the data line to the driving transistor, and the second switching element diode-connects the driving transistor in response to the selection signal. The voltage corresponding to the data current is then stored in the first capacitor. Next, the selection signal goes high and the first switching element is turned off to cut off the data current. The voltage of one end of the second capacitor is increased by the amount of level change of the selection signal, and thus the voltage of the first capacitor is changed. In addition, the driving current is output from the transistor by the voltage of the first capacitor, and the driving current is transmitted to the organic electroluminescent element in response to the light emission signal. In this way, the current flowing through the organic electroluminescent element can be controlled as a large data current.

Description

발광 표시 장치 및 그 표시 패널과 구동 방법{LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND DISPLAY PANEL AND DRIVING METHOD THEREOF}LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND DISPLAY PANEL AND DRIVING METHOD THEREOF}

본 발명은 발광 표시 장치와 그 표시 패널 및 그 구동 방법에 관한 것으로, 특히 유기 전계발광(electroluminescent, 이하 EL이라 함) 표시 장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting display device, a display panel thereof, and a driving method thereof, and more particularly, to an organic electroluminescent display device.

일반적으로 유기 EL 표시 장치는 형광성 또는 인광성 유기 화합물을 전기적으로 여기시켜 발광시키는 표시 장치로서, N×M개의 유기 발광셀들을 전압 구동 혹은 전류 기입하여 영상을 표현할 수 있도록 되어 있다. 이러한 유기 발광셀은 도 1에 나타낸 바와 같이 애노드(ITO), 유기 박막, 캐소드 전극(metal)의 구조를 가지고 있다. 유기 박막은 전자와 정공의 균형을 좋게 하여 발광 효율을 향상시키기 위해 발광층(emitting layer, EML), 전자 수송층(electron transport layer, ETL) 및 정공 수송층(hole transport layer, HTL)을 포함한 다층 구조로 이루어지고, 또한 별도의 전자 주입층(electron injecting layer, EIL)과 정공 주입층(hole injecting layer, HIL)을 포함하고 있다. In general, an organic EL display device is a display device for electrically exciting a fluorescent or phosphorescent organic compound to emit light, and is capable of displaying an image by voltage driving or current writing N × M organic light emitting cells. As shown in FIG. 1, the organic light emitting cell has a structure of an anode (ITO), an organic thin film, and a cathode electrode (metal). The organic thin film has a multilayer structure including an emitting layer (EML), an electron transport layer (ETL), and a hole transport layer (HTL) to improve the emission efficiency by improving the balance between electrons and holes. It also includes a separate electron injecting layer (EIL) and a hole injecting layer (HIL).

이와 같이 이루어지는 유기 발광셀을 구동하는 방식에는 단순 매트릭스(passive matrix) 방식과 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT) 또는 MOSFET을 이용한 능동 구동(active matrix) 방식이 있다. 단순 매트릭스 방식은 양극과 음극을 직교하도록 형성하고 라인을 선택하여 구동하는데 비해, 능동 구동 방식은 박막 트랜지스터와 커패시터를 각 ITO(indium tin oxide) 화소 전극에 접속하여 커패시터 용량에 의해 전압을 유지하도록 하는 구동 방식이다. 이때, 커패시터에 전압을 유지시키기 위해 인가되는 신호의 형태에 따라 능동 구동 방식은 전압 기입(voltage programming) 방식과 전류 기입(current programming) 방식으로 나누어진다.The organic light-emitting cell may be driven by a simple matrix method and an active matrix method using a thin film transistor (TFT) or a MOSFET. In the simple matrix method, the anode and the cathode are orthogonal and the line is selected and driven, whereas the active driving method connects the thin film transistor and the capacitor to each indium tin oxide (ITO) pixel electrode to maintain the voltage by the capacitor capacitance. It is a driving method. In this case, the active driving method is divided into a voltage programming method and a current programming method according to the type of signal applied to maintain the voltage on the capacitor.

아래에서는 도 2 및 도 3을 참조하여 종래 기술에 따른 전압 및 전류 기입 방식의 유기 EL 표시 장치에 대하여 설명한다. Hereinafter, an organic EL display device of a voltage and current writing method according to the prior art will be described with reference to FIGS. 2 and 3.

도 2는 유기 EL 소자를 구동하기 위한 종래의 전압 기입 방식의 화소 회로로서, N×M개의 화소 중 하나를 대표적으로 도시한 것이다. 도 2를 참조하면, 유기 EL 소자(OLED)에 트랜지스터(M1)가 연결되어 발광을 위한 전류를 공급한다. 트랜지스터(M1)의 전류량은 스위칭 트랜지스터(M2)를 통해 인가되는 데이터 전압에 의해 제어되도록 되어 있다. 이때, 인가된 전압을 일정 기간 유지하기 위한 커패시터(C1)가 트랜지스터(M1)의 소스와 게이트 사이에 연결되어 있다. 트랜지스터(M2)의 게이트에는 주사선(Sn)이 연결되어 있으며, 소스 측에는 데이터선(Dm)이 연결되어 있다.FIG. 2 is a pixel circuit of a conventional voltage writing method for driving an organic EL element, and typically shows one of N x M pixels. Referring to FIG. 2, a transistor M1 is connected to an organic EL element OLED to supply a current for emitting light. The amount of current in the transistor M1 is controlled by the data voltage applied through the switching transistor M2. At this time, a capacitor C1 for maintaining the applied voltage for a predetermined period is connected between the source and the gate of the transistor M1. The gate of the transistor (M2) has been the scan line (S n) connected to, and is a data line (D m) connected to the source side.

이와 같은 구조의 화소의 동작을 살펴보면, 스위칭 트랜지스터(M2)의 게이트에 인가되는 선택 신호에 의해 트랜지스터(M2)가 턴온 되면, 데이터선(Dm)으로부터의 데이터 전압이 트랜지스터(M1)의 게이트에 인가된다. 그러면 커패시터(C1)에 의해 게이트와 소스 사이에 충전된 전압(VGS)에 대응하여 트랜지스터(M2)에 전류(IOLED)가 흐르고, 이 전류(IOLED)에 대응하여 유기 EL 소자(OLED)가 발광한다.Referring to the operation of the pixel having such a structure, when the transistor M2 is turned on by the selection signal applied to the gate of the switching transistor M2, the data voltage from the data line D m is applied to the gate of the transistor M1. Is approved. The capacitor (C1) a voltage (V GS) corresponds to the transistor (M2) current (I OLED) flows, the current (I OLED) the organic EL element (OLED) in response to the to the charge between the gate and the source by the Emits light.

이때, 유기 EL 소자(OLED)에 흐르는 전류는 다음의 수학식 1과 같다. At this time, the current flowing through the organic EL element OLED is represented by Equation 1 below.

여기서, IOLED는 유기 EL 소자(OLED)에 흐르는 전류, VGS는 트랜지스터(M1)의 소스와 게이트 사이의 전압, VTH는 트랜지스터(M1)의 문턱전압, VDATA는 데이터 전압, β는 상수 값을 나타낸다.Where I OLED is the current flowing through the organic EL element OLED, V GS is the voltage between the source and gate of transistor M1, V TH is the threshold voltage of transistor M1, V DATA is the data voltage, and β is a constant. Indicates a value.

수학식 1에 나타낸 바와 같이, 도 2에 도시한 화소 회로에 의하면 인가되는 데이터 전압에 대응하는 전류가 유기 EL 소자(OELD)에 공급되고, 공급된 전류에 대응하여 유기 EL 소자가 발광하게 된다. 이때, 인가되는 데이터 전압은 계조를 표현하기 위하여 일정 범위에서 다단계의 값을 갖는다.As shown in Equation 1, according to the pixel circuit shown in Fig. 2, a current corresponding to the applied data voltage is supplied to the organic EL element OELD, and the organic EL element emits light corresponding to the supplied current. At this time, the applied data voltage has a multi-level value in a predetermined range in order to express the gray scale.

그런데 이와 같은 종래의 전압 기입 방식의 화소 회로에서는 제조 공정의 불균일성에 의해 생기는 박막 트랜지스터의 문턱 전압(VTH) 및 전자 이동도(electron mobility)의 편차로 인해 고계조를 얻기 어렵다는 문제점이 있다. 예를 들어, 3V로 화소의 박막 트랜지스터를 구동하는 경우 8비트(256) 계조를 표현하기 위해서는 12mV(=3V/256) 간격으로 박막 트랜지스터의 게이트에 전압을 인가해야 하는데, 만일 제조 공정의 분균일로 인한 박막 트랜지스터의 문턱 전압의 편차가 100㎷인 경우에는 고계조를 표현하기 어려워진다. 또한 이동도의 편차로 인해 수학식 1에서의 β값이 달라지므로 더욱 고계조를 표현하기 어렵게 된다.However, such a conventional voltage writing pixel circuit has a problem in that it is difficult to obtain a high gradation due to variations in threshold voltage V TH and electron mobility of the thin film transistor caused by nonuniformity in the manufacturing process. For example, when driving a thin film transistor of a pixel at 3V, a voltage must be applied to the gate of the thin film transistor at intervals of 12 mV (= 3 V / 256) to express an 8-bit (256) gray level. When the variation in the threshold voltage of the thin film transistor is 100 kΩ, it is difficult to express a high gray scale. In addition, since the β value in Equation 1 is changed due to the deviation of mobility, it is difficult to express higher gray scales.

이에 반해 전류 기입 방식의 화소 회로는 화소 회로에 전류를 공급하는 전류원이 데이터선 전체를 통해 균일하다고 하면 각 화소내의 구동 트랜지스터가 불균일한 전압-전류 특성을 갖는다 하더라도 균일한 디스플레이 특성을 얻을 수 있다. On the other hand, in the pixel circuit of the current writing method, if the current source for supplying the current to the pixel circuit is uniform through the entire data line, even if the driving transistors in each pixel have non-uniform voltage-current characteristics, uniform display characteristics can be obtained.

도 3은 유기 EL 소자를 구동하기 위한 종래의 전류 기입 방식의 화소 회로로서, N×M개의 화소 중 하나를 대표적으로 도시한 것이다. 도 3을 참조하면, 유기EL 소자(OLED)에 트랜지스터(M1)가 연결되어 발광을 위한 전류를 공급하며, 트랜지스터(M1)의 전류량은 트랜지스터(M2)를 통해 인가되는 데이터 전류에 의해 제어되도록 되어있다. Fig. 3 is a pixel circuit of a conventional current write method for driving an organic EL element, which representatively shows one of N × M pixels. Referring to FIG. 3, the transistor M1 is connected to the organic EL element OLED to supply current for emitting light, and the amount of current of the transistor M1 is controlled by a data current applied through the transistor M2. have.

먼저, 주사선(Sn)으로부터의 선택 신호에 의해 트랜지스터(M2, M3)가 턴온되면, 트랜지스터(M1)는 다이오드 연결 상태가 되고 데이터선(Dm)으로부터의 데이터 전류(IDATA)에 대응하는 전압이 커패시터(C1)에 저장된다. 다음, 주사선(Sn)으로부터의 선택 신호가 하이 레벨 전압으로 되어 트랜지스터(M2, M3)가 턴오프되고, 주사선(En)으로부터의 발광 신호가 로우 레벨 전압으로 되어 트랜지스터(M4)가 턴온된다. 그러면 전원 전압(VDD)으로부터 전원이 공급되고 커패시터(C1)에 저장된 전압에 대응하는 전류가 유기 EL 소자(OLED)로 흘러 발광이 이루어진다. 이때, 유기 EL 소자(OLED)에 흐르는 전류는 수학식 2와 같다.First, when a scanning line transistor (M2, M3) by the selection signal from the (S n) is turned on, the transistor (M1) is corresponding to the diode-connected state, and the data line (D m) of data current (I DATA) from The voltage is stored in capacitor C1. Next, the select signal from the scan line (S n) is a high-level voltage and the transistor (M2, M3) is turned off, a light emission signal from the scan line (E n) is a low-level voltage, the transistor (M4) are turned on . Then, power is supplied from the power supply voltage VDD and a current corresponding to the voltage stored in the capacitor C1 flows to the organic EL element OLED to emit light. At this time, a current flowing through the organic EL element OLED is represented by Equation 2 below.

여기서, VGS는 트랜지스터(M1)의 소스와 게이트 사이의 전압, VTH는 트랜지스터(M1)의 문턱전압, β는 상수 값을 나타낸다.Here, V GS is a voltage between the source and the gate of the transistor M1, V TH is a threshold voltage of the transistor M1, and β represents a constant value.

수학식 2에서 나타낸 바와 같이 종래의 전류 픽셀회로에 의하면, 유기 EL 소자에 흐르는 전류(IOLED)는 데이터 전류(IDATA)와 동일하므로 기입 전류원이 패널 전체를 통해 균일하다고 하면 균일한 특성을 얻을 수 있게 된다. 그런데 유기 EL 소자에 흐르는 전류(IOLED)는 미세 전류이므로, 미세 전류(IDATA)로서 화소 회로를 제어해야 하므로 데이터선을 충전하는데 시간이 많이 걸린다는 문제점이 있다. 예를 들어, 데이터선 부하 커패시턴스가 30㎊이라 가정할 경우에 수십㎁에서 수백㎁ 정도의 데이터 전류로 데이터선의 부하를 충전하려면 수㎳의 시간이 필요하다. 이는 수십㎲ 수준인 라인 시간(line time)을 고려 해볼 때 충전 시간이 충분하지 못하다는 문제점이 있다.As shown in Equation 2, according to the conventional current pixel circuit, since the current I OLED flowing through the organic EL element is the same as the data current I DATA , if the write current source is uniform throughout the panel, uniform characteristics are obtained. It becomes possible. However, since the current I OLED flowing through the organic EL element is a fine current, it is necessary to control the pixel circuit as the fine current I DATA , so that it takes a long time to charge the data line. For example, assuming that the data line load capacitance is 30 mA, several hours are required to charge the load of the data line with a data current of several tens of thousands to several hundred mA. This is a problem that the charging time is not enough when considering the line time (line time) that is several tens of degrees.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 트랜지스터의 문턱 전압이나 이동도를 보상할 수 있으며 데이터선을 충분히 충전시킬 수 있는 발광 표시 장치를 제공하는 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide a light emitting display device capable of compensating a threshold voltage or mobility of a transistor and sufficiently charging a data line.

본 발명에 따른 발광 표시 장치에는, 화상 신호를 나타내는 데이터 전류를 전달하는 복수의 데이터선, 선택 신호를 전달하는 복수의 주사선, 그리고 데이터선과 주사선에 의해 정의되는 복수의 화소에 각각 형성되는 복수의 화소 회로가 형성되어 있다. 화소 회로는 발광 소자, 제1 트랜지스터, 제1 내지 제3 스위칭 소자, 제1 및 제2 저장 소자를 포함한다. 제1 트랜지스터는 발광 소자를 발광시키기 위한 구동 전류를 공급하며, 제1 스위칭 소자는 주사선으로부터의 선택 신호에 응답하여 데이터선으로부터의 데이터 신호를 전달한다. 제1 저장 소자는 제1 제어 신호의 제1 레벨에 의해, 제1 스위칭 소자로부터의 데이터 전류에 대응하는 제1 전압을 저장한다. 제2 저장 소자는 제1 저장 소자와 제1 제어 신호를 공급하는 신호선 사이에 전기적으로 연결되어 있으며, 제1 제어 신호가 제1 레벨에서 제2 레벨로 변하는 경우에 제1 저장 소자와의 커플링을 통해 제1 저장 소자의 제1 전압을 제2 전압으로 변경한다. 제2 스위칭 소자는 제1 제어 신호의 제1 레벨에 응답하여 제1 트랜지스터를 다이오드 연결시키며, 제3 스위칭 소자는 제2 제어 신호에 응답하여 제2 전압에 의해 제1 트랜지스터로부터 출력되는 구동 전류를 발광 소자로 전달한다. In the light emitting display device according to the present invention, a plurality of pixels respectively formed in a plurality of data lines for transmitting a data current representing an image signal, a plurality of scan lines for transmitting a selection signal, and a plurality of pixels defined by the data lines and the scan lines The circuit is formed. The pixel circuit includes a light emitting element, a first transistor, first to third switching elements, and first and second storage elements. The first transistor supplies a drive current for emitting the light emitting element, and the first switching element transfers the data signal from the data line in response to the selection signal from the scan line. The first storage element stores the first voltage corresponding to the data current from the first switching element by the first level of the first control signal. The second storage element is electrically connected between the first storage element and the signal line for supplying the first control signal, and the coupling with the first storage element when the first control signal changes from the first level to the second level. The first voltage of the first storage element is changed to the second voltage through the second voltage. The second switching element diode-connects the first transistor in response to the first level of the first control signal, and the third switching element receives the driving current output from the first transistor by the second voltage in response to the second control signal. Transfer to the light emitting element.

제2 스위칭 소자는 제1 트랜지스터의 제2 주 전극과 제어 전극 사이에 전기적으로 연결되거나, 데이터선과 제1 트랜지스터의 제어 전극 사이에 전기적으로 연결되는 것이 바람직하다.The second switching element is preferably electrically connected between the second main electrode and the control electrode of the first transistor, or electrically connected between the data line and the control electrode of the first transistor.

본 발명에 따르면, 주사선으로부터의 선택 신호에 응답하여 데이터선으로부터의 데이터 전류를 전달하는 제1 스위칭 소자, 데이터 전류에 대응하여 구동 전류를 출력하는 트랜지스터, 트랜지스터의 제1 주 전극과 제어 전극 사이에 전기적으로 연결되는 제1 저장 소자, 그리고 트랜지스터로부터의 구동 전류에 대응하여 빛을 발광하는 발광 소자를 포함하는 화소 회로가 형성되어 있는 발광 표시 장치를 구동하는 방법이 제공된다. 먼저, 제1 레벨의 제어 신호로 트랜지스터를 다이오드 연결시키고, 제1 스위칭 소자로부터의 데이터 전류에 대응하여 트랜지스터의 제어 전극 전압을 제1 전압으로 한다. 다음, 데이터 전류를 차단하고, 제어 신호를 제1 레벨에서 제2 레벨로 변경하여 트랜지스터의 제어 전극에 제1단이 연결되는 제2 저장 소자의 제2단에 인가하고, 제1 및 제2 저장 소자의 커플링으로 트랜지스터의 제어 전극 전압을 제2 전압으로 변경한다. 그리고 제2 전압에 대응하여 트랜지스터로부터 출력되는 구동 전류를 발광 소자에 인가한다. According to the present invention, a first switching element for transmitting a data current from a data line in response to a selection signal from a scanning line, a transistor for outputting a driving current corresponding to the data current, between a first main electrode and a control electrode of the transistor A method of driving a light emitting display device including a pixel circuit including a first storage element that is electrically connected and a light emitting element that emits light in response to a driving current from a transistor is provided. First, the transistor is diode-connected with a control signal of the first level, and the control electrode voltage of the transistor is set as the first voltage in response to the data current from the first switching element. Next, the data current is interrupted, and the control signal is changed from the first level to the second level to be applied to the second end of the second storage element having the first end connected to the control electrode of the transistor, and the first and second storages. Coupling the device changes the control electrode voltage of the transistor to a second voltage. Then, a driving current output from the transistor is applied to the light emitting element corresponding to the second voltage.

본 발명에 따른 발광 표시 장치의 표시 패널에는, 화상 신호를 나타내는 데이터 전류를 전달하는 복수의 데이터선, 선택 신호를 전달하는 복수의 주사선, 그리고 데이터선과 주사선에 의해 정의되는 복수의 화소에 각각 형성되는 복수의 화소 회로가 형성되어 있다. 화소 회로는, 발광 소자, 제1 트랜지스터, 제1 내지 제3 스위칭 소자, 제1 및 제2 저장 소자를 포함한다. 제1 트랜지스터는 발광 소자를 구동하기 위한 전류를 출력하며 제1 주 전극이 전원 전압을 공급하는 제1 신호선에 전기적으로 연결된다. 제1 스위칭 소자는 주사선으로부터의 선택 신호에 응답하여 데이터선으로부터의 데이터 전류를 제1 트랜지스터로 전달하며, 제2 스위칭 소자는 제1 제어 신호의 제1 레벨에 응답하여 제1 트랜지스터를 다이오드 연결한다. 제3 스위칭 소자는 제2 제어 신호에 응답하여 트랜지스터로부터의 구동 전류를 발광 소자로 전달한다. 제1 저장 소자는 제1 트랜지스터의 제어 전극과 제1 주 전극 사이에 전기적으로 연결되며, 제2 저장 소자는 제1 트랜지스터의 제어 전극과 제1 제어 신호를 공급하는 제2 신호선에 전기적으로 연결된다. The display panel of the light emitting display device according to the present invention includes a plurality of data lines for transmitting a data current representing an image signal, a plurality of scan lines for transmitting a selection signal, and a plurality of pixels defined by the data lines and the scan lines, respectively. A plurality of pixel circuits are formed. The pixel circuit includes a light emitting element, a first transistor, first to third switching elements, and first and second storage elements. The first transistor outputs a current for driving the light emitting element and is electrically connected to a first signal line to which the first main electrode supplies a power supply voltage. The first switching element transfers the data current from the data line to the first transistor in response to the selection signal from the scan line, and the second switching element diode-connects the first transistor in response to the first level of the first control signal. . The third switching device transfers the driving current from the transistor to the light emitting device in response to the second control signal. The first storage element is electrically connected between the control electrode of the first transistor and the first main electrode, and the second storage element is electrically connected to the control electrode of the first transistor and the second signal line supplying the first control signal. .

이 표시 패널은, 제1 레벨의 제1 제어 신호에 의해 제1 트랜지스터가 다이오드 연결되고 선택 신호에 의해 데이터 전류가 제1 트랜지스터로 전달되는 제1 구간, 그리고 데이터 전류가 차단되고 제1 제어 신호가 제2 레벨로 되어 제1 제어 신호의 레벨 변화량이 제1 및 제2 저장 소자의 커플링에 의해 제1 트랜지스터의 제어 전극에 반영되고, 제2 제어 신호에 의해 구동 전류가 발광 소자로 전달되는 제2 구간 순으로 동작하는 것이 바람직하다. The display panel includes a first section in which the first transistor is diode-connected by the first control signal of the first level and the data current is transmitted to the first transistor by the selection signal, and the data current is blocked and the first control signal is A second level, the level change of the first control signal being reflected on the control electrode of the first transistor by coupling of the first and second storage elements, and the driving current being transmitted to the light emitting element by the second control signal; It is preferable to operate in the order of two sections.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.

도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 어떤 부분이 다른 부분과 연결되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 연결되어 있는 경우도 포함한다. 그리고 도면에서 각 주사선을 통하여 화소 회로에 인가되는 신호의 도면 부호를 설명의 편의상 주사선과 동일하게 하였다. In the drawings, parts irrelevant to the description are omitted in order to clearly describe the present invention. Like parts are designated by like reference numerals throughout the specification. When a part is connected to another part, this includes not only a directly connected part but also a case where another part is connected in between. In the drawings, reference numerals of signals applied to the pixel circuits through the respective scan lines are the same as the scan lines for convenience of description.

먼저, 도 4를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 유기 EL 표시 장치에 대하여 설명한다. 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 유기 EL 표시 장치F의 개략적인 평면도이다. First, an organic EL display device according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 4. 4 is a schematic plan view of an organic EL display device F according to an embodiment of the present invention.

도 4에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 유기 EL 표시 장치는 유기 EL 표시 패널(10), 주사 구동부(20) 및 데이터 구동부(30)를 포함한다. As shown in FIG. 4, the organic EL display device according to the exemplary embodiment of the present invention includes an organic EL display panel 10, a scan driver 20, and a data driver 30.

유기 EL 표시 패널(10)은 행 방향으로 뻗어있는 복수의 데이터선(D1-DM), 열 방향으로 뻗어있는 복수의 주사선(S1-SN, E1-EN) 및 복수의 화소 회로(11)를 포함한다. 데이터선(D1-DM)은 화상 신호를 나타내는 데이터 전류를 화소 회로(11)로 전달한다. 주사선(S1-SN)은 선택 신호를 화소 회로(11)로 전달하며, 주사선(E1 -EN)은 발광 신호를 화소 회로(11)로 전달한다. 화소 회로(11)는 이웃한 두 데이터선과 이웃한 두 주사선에 의해 정의되는 화소 영역에 형성되어 있다.The organic EL display panel 10 includes a plurality of data lines D 1 -D M extending in a row direction, a plurality of scanning lines S 1 -S N , E 1 -E N , and a plurality of pixels extending in a column direction. Circuit 11. The data lines D 1 -D M transfer data current representing the image signal to the pixel circuit 11. The scan lines S 1 -S N transfer the selection signals to the pixel circuits 11, and the scan lines E 1 -E N transfer the light emission signals to the pixel circuits 11. The pixel circuit 11 is formed in a pixel region defined by two neighboring data lines and two neighboring scan lines.

데이터 구동부(30)는 데이터선(D1-DM)에 데이터 전류를 인가하며, 주사 구동부(20)는 주사선(S1-SN) 및 주사선(E1-EN)에 각각 선택 신호 및 발광 신호를 순차적으로 인가한다.The data driver 30 applies a data current to the data lines D 1 -D M , and the scan driver 20 applies a selection signal to the scan lines S 1 -S N and the scan lines E 1 -E N , respectively. The light emission signals are sequentially applied.

다음, 도 5를 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 EL 표시 장치의 화소 회로(11)에 대하여 상세하게 설명한다. 도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 화소 회로의 등가 회로도이다. 그리고 도 5에서는 설명의 편의상 m번째 데이터선(Dm)과 n번째 주사선(Sn)에 연결된 화소 회로만을 도시하였다.Next, the pixel circuit 11 of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 5 is an equivalent circuit diagram of a pixel circuit according to a first embodiment of the present invention. In FIG. 5, only the pixel circuit connected to the m th data line D m and the n th scan line S n is illustrated for convenience of description.

도 5에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 화소 회로(11)는 유기 EL 소자(OLED), 트랜지스터(M1), 스위칭 소자(S1, S2, S3) 및 커패시터(C1, C2)를 포함하며, 트랜지스터(M1)는 PMOS 트랜지스터로 형성되어 있다. As shown in Fig. 5, the pixel circuit 11 according to the first embodiment of the present invention includes an organic EL element OLED, a transistor M1, switching elements S1, S2, S3, and capacitors C1, C2. The transistor M1 is formed of a PMOS transistor.

스위칭 소자(S1)는 데이터선(Dm)과 트랜지스터(M1)의 게이트 사이에 연결되며, 주사선(Sn)으로부터의 선택 신호에 응답하여 데이터선(Dm)으로부터의 데이터 전류(IDATA)를 트랜지스터(M1)로 전달한다. 스위칭 소자(S2)는 트랜지스터(M1)의 드레인과 게이트 사이에 연결되며, 주사선(Sn)으로부터의 선택 신호에 응답하여 트랜지스터(M1)를 다이오드 연결시킨다.The switching element S1 is connected between the data line D m and the gate of the transistor M1, and the data current I DATA from the data line D m in response to the selection signal from the scanning line S n . Is transferred to the transistor M1. A switching element (S2) is connected between the drain and the gate of the transistor (M1), in response to a select signal from the scan line (S n) causes the diode-connected transistor (M1).

트랜지스터(M1)는 전원 전압(VDD)에 소스가 연결되고 스위칭 소자(S3)에 드레인이 연결되어 있다. 트랜지스터(M1)의 게이트-소스 전압은 데이터 전류(IDATA)에 대응하여 결정되며, 커패시터(C1)는 트랜지스터(M1)의 게이트와 소스 사이에 연결되어 트랜지스터(M1)의 게이트-소스 전압을 일정기간 유지한다. 커패시터(C2)는 주사선(Sn)과 트랜지스터(M1)의 게이트 사이에 연결되어 트랜지스터(M1)의 게이트 전압을 조절한다.The transistor M1 has a source connected to the power supply voltage VDD and a drain connected to the switching element S3. The gate-source voltage of the transistor M1 is determined corresponding to the data current I DATA , and the capacitor C1 is connected between the gate and the source of the transistor M1 to constant the gate-source voltage of the transistor M1. Maintain period. A capacitor (C2) is connected between the gate of the scanning line (n S) and the transistor (M1) to control the gate voltage of the transistor (M1).

스위칭 소자(S3)는 주사선(En)으로부터의 발광 신호에 응답하여 트랜지스터(M1)에 흐르는 전류를 유기 EL 소자(OLED)에 공급한다. 유기 EL 소자(OLED)는 스위칭 소자(S3)와 기준 전압 사이에 연결되며 트랜지스터(M1)에 흐르는 전류의 양에 대응하는 빛을 발광한다.The switching element S3 supplies a current flowing through the transistor M1 to the organic EL element OLED in response to the light emission signal from the scanning line E n . The organic EL element OLED is connected between the switching element S3 and the reference voltage and emits light corresponding to the amount of current flowing through the transistor M1.

본 발명의 제1 실시예에서는 스위칭 소자(S1, S2, S3)를 일반적인 스위치로 나타내었지만, 스위칭 소자(S1, S2, S3)도 트랜지스터로 형성되는 것이 바람직하다. 아래에서는 스위칭 소자(S1, S2, S3)를 PMOS 트랜지스터로 구현한 실시예에 대하여 도 6 및 도 7을 참조하여 상세하게 설명한다. In the first embodiment of the present invention, the switching elements S1, S2, S3 are shown as general switches, but the switching elements S1, S2, S3 are also preferably formed of transistors. Hereinafter, an embodiment in which the switching elements S1, S2, and S3 are implemented as PMOS transistors will be described in detail with reference to FIGS. 6 and 7.

도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 화소 회로의 등가 회로도이며, 도 7은 도 6의 화소 회로를 구동하기 위한 구동 파형도이다. 6 is an equivalent circuit diagram of a pixel circuit according to a second exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a driving waveform diagram for driving the pixel circuit of FIG. 6.

도 6에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 화소 회로는 도 5의 화소 회로에서 스위칭 소자(S1, S2, S3) 대신에 트랜지스터(M2, M3, M4)가 형성되어 있는 점을 제외하면 제1 실시예와 동일한 구조를 가진다. 트랜지스터(M2, M3, M4)는 PMOS 트랜지스터로 형성되어 있으며, 트랜지스터(M2, M3)의 게이트에는 주사선(Sn)이 연결되고 트랜지스터(M4)의 게이트에는 주사선(En)이 연결되어 있다.As shown in FIG. 6, the pixel circuit according to the second exemplary embodiment of the present invention has the transistors M2, M3, and M4 formed instead of the switching elements S1, S2, and S3 in the pixel circuit of FIG. 5. Except for this, it has the same structure as in the first embodiment. Transistors M2, M3, and M4 are formed of PMOS transistors, and scan lines S n are connected to gates of transistors M2 and M3, and scan lines E n are connected to gates of transistors M4.

다음, 도 7을 참조하여 도 6의 화소 회로의 동작에 대하여 자세하게 설명한다. 먼저, 주사선(Sn)을 통하여 인가되는 로우 레벨 전압의 선택 신호에 의해 트랜지스터(M2, M3)가 턴온되어, 트랜지스터(M1)는 다이오드 연결되고 데이터선(Dm)으로부터의 데이터 전류(IDATA)가 트랜지스터(M1)에 흐르게 된다. 이때, 트랜지스터(M1)의 게이트-소스 전압(VGS)과 트랜지스터(M1)에 흐르는 전류(IDATA) 사이에는 수학식 3의 관계가 성립하므로, 트랜지스터(M1)의 게이트-소스 전압(VGS)은 수학식 4와 같이 된다.Next, the operation of the pixel circuit of FIG. 6 will be described in detail with reference to FIG. 7. First, the scanning line is the turn-on transistor (M2, M3) by a selection signal of a low level voltage is applied through the (S n), a transistor (M1) is the data current (I DATA from the connecting diode and a data line (D m) ) Flows through the transistor M1. At this time, since the relation of Equation 3 is established between the gate-source voltage V GS of the transistor M1 and the current I DATA flowing through the transistor M1, the gate-source voltage V GS of the transistor M1 is established. ) Becomes as shown in equation (4).

여기서, β는 상수 값이며 VTH은 트랜지스터(M1)의 문턱 전압이다.Where β is a constant value and V TH is the threshold voltage of transistor M1.

여기서, VG는 트랜지스터(M1)의 게이트 전압이며 VDD은 전원 전압(VDD)에 의해 트랜지스터(M1)에 공급되는 전압이다.Here, V G is the gate voltage of the transistor M1 and V DD is the voltage supplied to the transistor M1 by the power supply voltage VDD.

다음, 선택 신호(Sn)가 하이 레벨 전압으로 되고 발광 신호(En)가 로우 레벨 전압으로 되면 트랜지스터(M2, M3)가 턴오프되고 트랜지스터(M4)가 턴온된다. 선택 신호(Sn)가 로우 레벨 전압에서 하이 레벨 전압으로 되면 커패시터(C2)와 주사선(Sn)의 접점의 전압이 선택 신호(Sn)의 레벨 상승폭(ΔVS)만큼 증가한다. 따라서 커패시터(C1, C2)의 커플링에 의해 트랜지스터(M1)의 게이트 전압(VG)은 증가하게 되고, 그 증가량(ΔVG)은 수학식 5와 같다.Next, the selection signal (S n) being that when the light emission signal (E n) with the high level voltage to a low level voltage, the transistor (M2, M3) is turned off and transistor (M4) is turned on. Is increased by a select signal (S n), the level rise (ΔV S) of a selection signal (S n) of the contact voltage of the capacitor (C2) and a scan line (S n) When the low level voltage to a high level voltage. Therefore, the gate voltage V G of the transistor M1 increases due to the coupling of the capacitors C1 and C2, and the increase amount ΔV G is expressed by Equation 5.

여기서, C1 및 C2는 각각 커패시터(C1, C2)의 커패시턴스이다.Here, C 1 and C 2 are the capacitances of the capacitors C1 and C2, respectively.

트랜지스터(M1)의 게이트 전압(VG)이 ΔVG만큼 증가하였으므로 트랜지스터(M1)에 흐르는 전류(IOLED)는 수학식 6과 같이 된다. 그리고 발광 신호(En)에 의해 트랜지스터(M3)가 턴온되어 있으므로, 트랜지스터(M1)의 전류(IOLED)가 유기 EL 소자(OLED)에 공급되어 발광이 이루어진다.Since the gate voltage V G of the transistor M1 has increased by ΔV G , the current I OLED flowing through the transistor M1 is expressed by Equation 6 below. Since the transistor M3 is turned on by the light emission signal E n , the current I OLED of the transistor M1 is supplied to the organic EL element OLED to emit light.

그리고 수학식 6으로부터 데이터 전류(IDATA)는 수학식 7과 같이 주어지므로, 데이터 전류(IDATA)를 유기 EL 소자(OLED)에 흐르는 전류(IOLED)보다 큰 값으로 설정할 수 있다. 즉, 큰 데이터 전류(IDATA)로 유기 EL 소자(OLED)에 흐르는 미세 전류를 제어할 수 있으므로, 데이터선의 충전 시간을 확보할 수 있다.Since the data current I DATA from Equation 6 is given by Equation 7, the data current I DATA can be set to a value larger than the current I OLED flowing through the organic EL element OLED. In other words, the microcurrent flowing in the organic EL element OLED can be controlled by the large data current I DATA , thereby ensuring the charging time of the data line.

본 발명의 제2 실시예에서는 주사선(Sn)으로부터의 선택 신호(Sn)로 직접 트랜지스터(M2)를 구동하였지만, 주사선의 부하 등에 의해 선택 신호(Sn)의 상승 시간이 달라져 트랜지스터(M2)의 스위칭 오차가 발생할 수 있다. 트랜지스터(M2)의 스위칭 오차의 영향을 줄이기 위해 선택 신호(Sn)를 버퍼링하여 트랜지스터(M2)에 인가할 수 있다. 아래에서는 이러한 실시예에 대하여 도 8을 참조하여 상세하게 설명한다.In the second embodiment of the present invention has been driving the selection signal (S n) to directly transistor (M2) from the scan line (S n), the rise time of the selection signal (S n) by the scanning line load alters transistor (M2 ) May cause a switching error. The transistor selection signals (S n) in order to reduce the influence of the switching error of the (M2) can be buffered to be applied to the transistor (M2). Hereinafter, such an embodiment will be described in detail with reference to FIG. 8.

도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 화소 회로의 등가 회로도이다. 8 is an equivalent circuit diagram of a pixel circuit according to a third exemplary embodiment of the present invention.

도 8에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 제3 실시예에 따른 화소 회로는 버퍼를 제외하면 제1 실시예와 동일한 구조를 가진다. 버퍼는 4개의 트랜지스터(M5-M8)로 이루어지며, 트랜지스터(M5, M7)는 PMOS 트랜지스터로 형성되고 트랜지스터(M6, M8)는 NMOS 트랜지스터로 형성되어 있다. 트랜지스터(M5, M6)는 전원 전압(VDD)과 기준 전압 사이에 직렬로 연결되어 있으며, 트랜지스터(M5, M6)의 접점이 트랜지스터(M7, M8)의 게이트에 연결된다. 트랜지스터(M5, M6)의 게이트는 (m-1)번째 화소 회로에서의 선택 신호가 입력된다. 트랜지스터(M7, M8)는 전원 전압(VDD)과 기준 전압 사이에 직렬로 연결되어 있으며, 트랜지스터(M7, M8)의 접점에서의 출력이 선택 신호로서 트랜지스터(M2, M3)의 게이트에 인가된다. As shown in Fig. 8, the pixel circuit according to the third embodiment of the present invention has the same structure as the first embodiment except for the buffer. The buffer consists of four transistors M5-M8, the transistors M5 and M7 are formed of PMOS transistors, and the transistors M6 and M8 are formed of NMOS transistors. The transistors M5 and M6 are connected in series between the power supply voltage VDD and the reference voltage, and the contacts of the transistors M5 and M6 are connected to the gates of the transistors M7 and M8. Select signals from the (m-1) th pixel circuits are input to the gates of the transistors M5 and M6. The transistors M7 and M8 are connected in series between the power supply voltage VDD and the reference voltage, and an output at the contacts of the transistors M7 and M8 is applied to the gates of the transistors M2 and M3 as selection signals.

버퍼의 동작을 설명하면, 트랜지스터(M5, M6)의 게이트에 입력되는 선택 신호가 하이 레벨 전압이면 트랜지스터(M6)가 턴온되어 기준 전압에 의해 로우 레벨 전압의 신호가 트랜지스터(M7, M8)의 게이트에 입력된다. 로우 레벨 전압의 신호에 의해 트랜지스터(M7)가 턴온되어 전원 전압(VDD)에 의해 하이 레벨 전압의 신호가 선택 신호로서 트랜지스터(M2, M3)의 게이트에 인가된다. 그리고 트랜지스터(M5, M6)의 게이트에 입력되는 선택 신호가 로우 레벨 전압이면 트랜지스터(M5)가 턴온되어 전원 전압(VDD)에 의해 하이 레벨 전압의 신호가 트랜지스터(M7, M8)의 게이트에 입력된다. 하이 레벨 전압의 신호에 의해 트랜지스터(M8)가 턴온되어 기준 전압에 의해 로우 레벨 전압의 신호가 선택 신호로서 트랜지스터(M2, M3)의 게이트에 인가된다. 이러한 버퍼를 사용하면 모든 화소에서의 선택 신호의 상승 시간이 동일해져 트랜지스터(M2)의 스위칭 오차의 영향을 줄일 수 있다. Referring to the operation of the buffer, when the selection signal input to the gates of the transistors M5 and M6 is the high level voltage, the transistor M6 is turned on so that the signal of the low level voltage is supplied by the reference voltage to the gates of the transistors M7 and M8. Is entered. The transistor M7 is turned on by the signal of the low level voltage, and the signal of the high level voltage is applied to the gates of the transistors M2 and M3 as the selection signal by the power supply voltage VDD. When the selection signal input to the gates of the transistors M5 and M6 is a low level voltage, the transistor M5 is turned on so that a high level voltage signal is input to the gates of the transistors M7 and M8 by the power supply voltage VDD. . The transistor M8 is turned on by the signal of the high level voltage, and the signal of the low level voltage is applied to the gates of the transistors M2 and M3 as the selection signal by the reference voltage. By using such a buffer, the rise times of the selection signals in all the pixels are the same, thereby reducing the influence of the switching error of the transistor M2.

그리고 본 발명의 제3 실시예에서는 4개의 트랜지스터를 이용하여 버퍼를 형성하였지만 이에 한정되지 않고 다른 유형의 버퍼를 사용할 수도 있다. In the third embodiment of the present invention, a buffer is formed using four transistors. However, the present invention is not limited thereto, and other types of buffers may be used.

본 발명의 제1 내지 제3 실시예에서는 스위칭 소자(S3) 또는 트랜지스터(M4)의 구동을 조절하기 위해 발광 신호(En)를 전달하는 별도의 주사선(En)을 사용하였다. 이때, 별도의 주사선(En)을 사용하지 않고 주사선(Sn)으로부터의 선택 신호(S n)로 스위칭 소자(S3) 또는 트랜지스터(M4)의 구동을 제어할 수 있으며, 이러한 실시예에 대하여 도 9 및 도 10을 참조하여 상세하게 설명한다.In the first to third embodiments of the present invention, a separate scan line E n transmitting the light emission signal E n is used to control the driving of the switching element S3 or the transistor M4. At this time, to control the driving of the switching element (S3) or a transistor (M4) to the selection signal (S n) from without using a separate scan line (E n) scan lines (S n), and, with respect to this aspect This will be described in detail with reference to FIGS. 9 and 10.

도 9는 본 발명의 제4 실시예에 따른 화소 회로의 등가 회로도이며, 도 10은 도 9의 화소 회로를 구동하기 위한 구동 파형도이다. 9 is an equivalent circuit diagram of a pixel circuit according to a fourth exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a driving waveform diagram for driving the pixel circuit of FIG. 9.

도 9에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 제4 실시예에 따른 화소 회로는 주사선(En)이 없다는 점과 트랜지스터(M4)의 유형 및 연결 관계를 제외하면 도 6의 화소 회로와 동일한 구조를 가진다. 자세하게 설명하면, 트랜지스터(M4)는 NMOS 트랜지스터(M4)로 형성되어 있으며, 트랜지스터(M4)의 게이트에는 주사선(En) 대신에 주사선(Sn)이 연결되어 있다. 그러면 도 10에 나타낸 바와 같이 선택 신호(Sn )가 하이 레벨 전압으로 될 때 트랜지스터(M4)가 턴온되어 트랜지스터(M1)의 전류(IOLED)가 유기 EL 소자(OLED)로 전달된다.As shown in FIG. 9, the pixel circuit according to the fourth embodiment of the present invention has the same structure as the pixel circuit of FIG. 6 except for the absence of the scan line E n and the type and connection relationship of the transistor M4. . In detail, the transistor M4 is formed of the NMOS transistor M4, and the scan line S n is connected to the gate of the transistor M4 instead of the scan line E n . The transistor (M4) when the voltage is at a high level selection signals (S n) as shown in Fig. 10 is turned on is transmitted to the current (I OLED) is an organic EL element (OLED) of the transistor (M1).

이와 같이 트랜지스터(M4)를 NMOS 트랜지스터로 구현하면 발광 신호를 전달하기 위한 별도의 배선이 필요하지 않기 때문에 픽셀의 개구율을 높일 수 있다.When the transistor M4 is implemented as an NMOS transistor as described above, an aperture ratio of the pixel can be increased because a separate wiring for transmitting the light emission signal is not required.

본 발명의 제1 내지 제4 실시예에서는 트랜지스터(M1)를 다이오드 연결시키기 위해 트랜지스터(M3)를 트랜지스터(M1)의 드레인과 게이트 사이에 연결하였다. 이와는 달리, 트랜지스터(M3)를 트랜지스터(M1)의 드레인과 데이터선(Dm) 사이에 연결할 수 있으며, 이러한 실시예에 대하여 도 11 및 도 12를 참조하여 상세하게 설명한다.In the first to fourth embodiments of the present invention, the transistor M3 is connected between the drain and the gate of the transistor M1 in order to diode-connect the transistor M1. Alternatively, the transistor M3 may be connected between the drain of the transistor M1 and the data line D m , which will be described in detail with reference to FIGS. 11 and 12.

도 11 및 도 12는 각각 본 발명의 제5 및 제6 실시예에 따른 화소 회로의 등가 회로도이다. 11 and 12 are equivalent circuit diagrams of pixel circuits according to fifth and sixth embodiments of the present invention, respectively.

도 11에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 제5 실시예에 따른 화소 회로는 트랜지스터(M3)의 연결 관계를 제외하면 도 6의 화소 회로와 동일한 구조를 가진다. 자세하게 설명하면, 트랜지스터(M3)는 데이터선(Dm)과 트랜지스터(M1)의 드레인 사이에 연결되어 있으며, 도 7의 구동 파형을 사용하여 이 화소 회로를 구동할 수 있다. 주사선(Sn)으로부터의 선택 신호(Sn)가 로우 레벨 전압일 때, 트랜지스터(M2, M3)가 동시에 턴온되므로 트랜지스터(M1)의 게이트와 드레인은 서로 연결된다. 즉, 도 6의 화소 회로와 마찬가지로, 선택 신호(Sn)가 로우 레벨 전압일 때 트랜지스터(M1)가 다이오드 연결된다.As shown in FIG. 11, the pixel circuit according to the fifth embodiment of the present invention has the same structure as the pixel circuit of FIG. 6 except for the connection relationship between the transistors M3. In detail, the transistor M3 is connected between the data line D m and the drain of the transistor M1, and the pixel circuit can be driven using the driving waveform of FIG. 7. Scanning line when the low-level voltage selection signal (S n) from the (S n), the transistor (M2, M3) is turned on at the same time because the gate and drain of the transistor (M1) are connected to each other. That is, similar to the pixel circuit of Figure 6, the selection signal (S n), the transistor (M1) when the low-level voltage is diode-connected.

도 6의 화소 회로에서처럼 트랜지스터(M3)가 트랜지스터(M1)의 게이트와 드레인 사이에 연결되어 있는 경우에는 트랜지스터(M3)가 턴오프될 때 트랜지스터(M1)의 게이트 전압이 영향을 받을 수 있다. 그런데, 본 발명의 제5 실시예와 같이 트랜지스터(M3)가 데이터선(Dm)에 연결되어 있는 경우에는 트랜지스터(M3)가 턴오프될 때 트랜지스터(M1)의 게이트 전압이 영향을 받는 것을 줄일 수 있다.As in the pixel circuit of FIG. 6, when the transistor M3 is connected between the gate and the drain of the transistor M1, the gate voltage of the transistor M1 may be affected when the transistor M3 is turned off. However, when the transistor M3 is connected to the data line D m as in the fifth embodiment of the present invention, when the transistor M3 is turned off, the gate voltage of the transistor M1 is reduced. Can be.

다음, 도 12를 보면, 본 발명의 제6 실시예에 따른 화소 회로는 트랜지스터(M3)가 데이터선(Dm)과 트랜지스터(M1)의 드레인 사이에 연결되어 있는 것을 제외하면 도 9의 화소 회로와 동일한 구조를 가진다.Next, referring to FIG. 12, the pixel circuit of FIG. 9 is the pixel circuit of FIG. 9 except that the transistor M3 is connected between the data line D m and the drain of the transistor M1. Has the same structure as

그리고 본 발명의 제1 내지 제6 실시예에서는 주사선(Sn)이 트랜지스터(M2, M3)의 게이트에 모두 연결되어 있지만, 이와는 달리 주사선(Sn)이 트랜지스터(M2)의 게이트에만 연결될 수 있다. 아래에서는 이러한 실시예에 대하여 도 13 내지 도 16을 참조하여 자세하게 설명한다.And it may be connected only to the gate of the first to sixth embodiments in the scan line (S n) of the transistors (M2, M3), but is connected to both the gate and contrast scan line (S n) of the transistors (M2) of the present invention . Hereinafter, such an embodiment will be described in detail with reference to FIGS. 13 to 16.

도 13 및 도 15는 각각 본 발명의 제7 및 제8 실시예에 따른 화소 회로의 등가 회로도이며, 도 14 및 도 16은 각각 도 13 및 도 15의 화소 회로를 구동하기 위한 구동 파형도이다. 13 and 15 are equivalent circuit diagrams of the pixel circuits according to the seventh and eighth embodiments of the present invention, respectively, and FIGS. 14 and 16 are driving waveform diagrams for driving the pixel circuits of FIGS. 13 and 15, respectively.

도 13에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 제7 실시예에 따른 화소 회로는 트랜지스터(M3)와 커패시터(C2)의 연결 관계를 제외하면 도 6의 화소 회로와 동일한 구조를 가진다. 자세하게 설명하면, 트랜지스터(M3)의 게이트는 별도의 주사선(Bn)에 연결되어 있으며, 커패시터(C2)는 트랜지스터(M1)의 게이트와 주사선(Bn) 사이에 연결되어 있다.As shown in FIG. 13, the pixel circuit according to the seventh embodiment of the present invention has the same structure as the pixel circuit of FIG. 6 except for a connection relationship between the transistor M3 and the capacitor C2. In detail, the gate of the transistor M3 is connected to a separate scan line B n , and the capacitor C2 is connected between the gate of the transistor M1 and the scan line B n .

도 14를 보면, 주사선(Bn)으로부터의 부스트 신호(Bn)는 선택 신호(Sn )가 로우 레벨 전압으로 되기 전에 로우 레벨 전압으로 되고 선택 신호(Sn)가 하이 레벨 전압으로 된 이후에 하이 레벨 전압으로 된다. 그러면 트랜지스터(M2)가 완전히 오프된 이후에 커패시터(C2)와 주사선(Bn)의 접점의 전압이 부스트 신호(Bn)의 레벨 상승폭(ΔVS)만큼 증가하게 된다. 따라서 커패시터(C1, C2)의 커플링에 의해 트랜지스터(M1)의 게이트 전압(VG)은 수학식 5의 증가량(ΔVG)만큼 증가하게 되어, 수학식 7에 나타낸 전류(IOLED)가 유기 EL 소자(OLED)에 공급된다. 도 13의 화소 회로의 나머저 동작은 도 6의 화소 회로의 동작과 동일하므로, 이에 대한 자세한 설명은 생략한다.Referring to FIG. 14, the scan line (B n) boost signal (B n) from the selection signal (S n) that after by the high level voltage to a low level voltage and a selection signal (S n) prior to the low-level voltage Becomes a high level voltage. Then, after the transistor M2 is completely turned off, the voltage at the contact point of the capacitor C2 and the scan line B n increases by the level rising width ΔV S of the boost signal B n . Therefore, the gate voltage V G of the transistor M1 is increased by the increase amount ΔV G of Equation 5 by coupling the capacitors C1 and C2, so that the current I OLED shown in Equation 7 is induced. It is supplied to the EL element OLED. Since the rest of the operation of the pixel circuit of FIG. 13 is the same as that of the pixel circuit of FIG. 6, a detailed description thereof will be omitted.

이와 같이, 본 발명의 제7 실시예에 의하면 주사선(Sn)이 트랜지스터(M2)의 게이트에만 연결되므로 주사선(Sn)의 부하가 줄어, 선택 신호(Sn)의 상승 시간을 전 패널에서 일정하게 할 수 있다. 또한 트랜지스터(M2)가 완전히 오프된 후 트랜지스터(M2)의 게이트 노드가 부스팅되므로 트랜지스터(M2)의 스위칭 오차의 영향을 줄일 수 있다.In this way, according to the seventh embodiment of the present invention scan line (S n) is so connected to only the gate of the transistor (M2) the load of the scan line (S n) decreases, the rise time of the selection signal (S n) in the former panel I can make it constant. In addition, since the gate node of the transistor M2 is boosted after the transistor M2 is completely turned off, the influence of the switching error of the transistor M2 may be reduced.

다음, 도 15를 보면, 본 발명의 제8 실시예에 따른 화소 회로는 도 13의 화소 회로에서 주사선(En)이 제거되고 트랜지스터(M4)의 게이트가 주사선(Bn)에 연결되어 있다. 또한 트랜지스터(M4)는 트랜지스터(M3)와는 반대 타입의 트랜지스터, 즉 NMOS 트랜지스터로 형성되어 있다.Next, referring to FIG. 15, in the pixel circuit according to the eighth embodiment of the present invention, the scan line E n is removed from the pixel circuit of FIG. 13, and the gate of the transistor M4 is connected to the scan line B n . The transistor M4 is formed of a transistor of a type opposite to that of the transistor M3, that is, an NMOS transistor.

도 16에 나타낸 바와 같이, 도 15의 화소 회로를 구동하기 위한 구동 파형은 도 14의 구동 파형에서 발광 신호(En)가 제거되어 있다. 부스트 신호(Bn)가 하이 레벨 전압으로 되어 트랜지스터(M2)의 게이트 전압이 부스팅될 때, 트랜지스터(M4)는 턴온된다. 따라서 트랜지스터(M2)의 게이트 전압이 부스팅되어 트랜지스터(M1)로부터 출력되는 전류(IOLED)가 유기 EL 소자(OLED)에 공급되어 발광이 일어난다.As shown in FIG. 16, in the driving waveform for driving the pixel circuit of FIG. 15, the light emission signal E n is removed from the driving waveform of FIG. 14. When the boost signal B n becomes a high level voltage and the gate voltage of the transistor M2 is boosted, the transistor M4 is turned on. Therefore, the gate voltage of the transistor M2 is boosted, and the current I OLED output from the transistor M1 is supplied to the organic EL element OLED to emit light.

본 발명의 제2 내지 제8 실시예에서는 트랜지스터(M1-M3)를 PMOS 트랜지스터로 형성하였지만, 트랜지스터(M1-M3)를 NMOS 트랜지스터로 형성할 수 있다. 아래에서는 이러한 실시예에 대하여 도 17 내지 도 26을 참조하여 설명한다. In the second to eighth embodiments of the present invention, the transistors M1-M3 are formed of PMOS transistors, but the transistors M1-M3 may be formed of NMOS transistors. Hereinafter, such an embodiment will be described with reference to FIGS. 17 to 26.

도 17, 도 19, 도 21, 도 22, 도 23 및 도 25는 각각 본 발명의 제9 내지 제14 실시예에 따른 화소 회로의 등가 회로도이며, 도 18, 도 20, 도 24 및 도 26은 각각 도 17, 도 19, 도 23 및 도 25의 화소 회로를 구동하기 위한 구동 파형도이다. 17, 19, 21, 22, 23, and 25 are equivalent circuit diagrams of pixel circuits according to the ninth to fourteenth embodiments of the present invention, respectively, and FIGS. 18, 20, 24, and 26 are respectively. 17 and 19 are driving waveform diagrams for driving the pixel circuits of FIGS. 17, 19, 23, and 25, respectively.

도 17을 보면, 본 발명의 제9 실시예에 따른 화소 회로는 트랜지스터(M1-M4)가 모두 NMOS 트랜지스터로 구현되어 있으며, 그 연결 구조는 도 6의 화소 회로와 대칭을 이룬다. 자세하게 설명하면, 트랜지스터(M2)는 데이터선(Dm)과 트랜지스터(M1)의 게이트 사이에 연결되며 그 게이트에 주사선(Sn)이 연결된다. 트랜지스터(M3)는 트랜지스터(M1)의 드레인과 게이트 사이에 연결되며 그 게이트에 주사선(Sn)이 연결된다. 트랜지스터(M1)는 기준 전압에 소스가 연결되고 유기 EL 소자(OLED)에 드레인이 연결되어 있다. 커패시터(C1)는 트랜지스터(M1)의 게이트와 소스 사이에 연결되며, 유기 EL 소자(OLED)는 트랜지스터(M4)와 전원 전압(VDD) 사이에 연결된다. 트랜지스터(M4)의 게이트에는 주사선(En)이 연결되어 있다.Referring to FIG. 17, in the pixel circuit according to the ninth embodiment of the present invention, all of the transistors M1-M4 are implemented as NMOS transistors, and the connection structure thereof is symmetrical with the pixel circuit of FIG. 6. If described in detail, the transistor (M2) is connected between the gate of the data line (D m) and the transistor (M1) and is a scan line (S n) connected to its gate. The transistor (M3) is connected between the drain and the gate of the transistor (M1) and is a scan line (S n) connected to its gate. The transistor M1 has a source connected to a reference voltage and a drain connected to the organic EL element OLED. The capacitor C1 is connected between the gate and the source of the transistor M1, and the organic EL element OLED is connected between the transistor M4 and the power supply voltage VDD. The scan line E n is connected to the gate of the transistor M4.

그리고 트랜지스터(M2, M3, M4)가 NMOS 트랜지스터이므로, 도 18에 나타낸 바와 같이 도 17의 화소 회로를 구동하기 위한 선택 신호(Sn)와 발광 신호(En)는 도 7에 나타낸 신호(Sn, En)에 대하여 반전된 형태를 가진다. 도 17의 화소 회로의 자세한 동작은 제2 실시예의 설명으로부터 용이하게 할 수 있으므로 그 설명을 생략한다.And the transistor (M2, M3, M4) is because the NMOS transistor, the pixel circuit selection signal (S n) and the light emission signal (E n) for driving in Fig. 17 as shown in Fig. 18 is a signal shown in Fig. 7 (S n , E n ) has the inverted form. The detailed operation of the pixel circuit of FIG. 17 can be easily made from the description of the second embodiment, and thus description thereof is omitted.

다음, 도 19를 보면 본 발명의 제10 실시예에 따른 화소 회로는 트랜지스터(M1-M3)가 NMOS 트랜지스터로 구현되고 트랜지스터(M4)가 PMOS 트랜지스터로 구현되어 있으며, 그 연결 구조는 도 9의 화소 회로와 대칭을 이룬다. 그리고 트랜지스터(M2, M3)가 NMOS 트랜지스터이고 트랜지스터(M4)가 PMOS 트랜지스터이므로, 도 20에 나타낸 바와 같이 트랜지스터(M2-M4)를 구동하기 위한 선택 신호(Sn)는 도 10의 선택 신호(Sn)에 대하여 반전된 형태를 가진다.Next, referring to FIG. 19, in the pixel circuit according to the tenth embodiment of the present invention, transistors M1-M3 are implemented as NMOS transistors, and transistor M4 is implemented as PMOS transistors. Symmetric to the circuit. Since the transistors M2 and M3 are NMOS transistors and the transistor M4 is a PMOS transistor, the selection signal S n for driving the transistors M2-M4 as shown in FIG. 20 is the selection signal S of FIG. 10. n ) has an inverted form.

다음, 도 21을 보면 본 발명의 제11 실시예에 따른 화소 회로는 도 11의 화소 회로에서 트랜지스터(M1-M4)를 NMOS 트랜지스터로 형성하였다. 그리고 도 22를 보면 본 발명의 제12 실시예에 따른 화소 회로는 도 12의 화소 회로에서 트랜지스터(M1-M3)를 NMOS 트랜지스터로 형성하고 트랜지스터(M4)를 PMOS 트랜지스터로 형성하였다. Next, referring to FIG. 21, in the pixel circuit according to the eleventh exemplary embodiment, the transistors M1-M4 are formed as NMOS transistors in the pixel circuit of FIG. 11. 22, in the pixel circuit according to the twelfth embodiment of the present invention, transistors M1-M3 are formed of NMOS transistors and transistors M4 are formed of PMOS transistors in the pixel circuit of FIG. 12.

도 23을 보면 본 발명의 제13 실시예에 따른 화소 회로는 도 13의 화소 회로에서 트랜지스터(M1-M4)를 NMOS 트랜지스터로 형성하였다. 도 24에 나타낸 바와 같이 도 23의 화소 회로를 구동하기 위한 구동 파형(Sn, Bn, En)은 도 14의 구동 파형(Sn, Bn, En)에 대하여 반전된 형태를 가진다.Referring to FIG. 23, in the pixel circuit according to the thirteenth embodiment, transistors M1 to M4 are formed as NMOS transistors in the pixel circuit of FIG. 13. Drive waveform (S n, B n, E n) for also driving the pixel circuit of Figure 23 as indicated at 24 has an inverted form with respect to the drive waveform (S n, B n, E n) of FIG. 14 .

그리고 도 25를 보면 본 발명의 제14 실시예에 따른 화소 회로는 도 15의 화 소 회로에서 트랜지스터(M1-M3)를 NMOS 트랜지스터로 형성하고 트랜지스터(M4)를 PMOS 트랜지스터로 형성하였다. 도 26에 나타낸 바와 같이 도 25의 화소 회로를 구동하기 위한 구동 파형(Sn, Bn)은 도 16의 구동 파형(Sn, Bn )에 대하여 반전된 형태를 가진다.Referring to FIG. 25, the pixel circuit according to the fourteenth exemplary embodiment of the present invention forms transistors M1-M3 as NMOS transistors and transistors M4 as PMOS transistors in the pixel circuit of FIG. 15. As shown in Figure 26, the driving waveform for driving the pixel circuit of FIG. 25 (S n, B n) has an inverted form with respect to the drive waveform (S n, B n) of FIG.

이상, 도 17 내지 도 26을 참조하여 트랜지스터(M1-M3)를 NMOS 트랜지스터로 형성한 실시예에 대하여 간략하게 설명하였다. 도 17 내지 도 26에 나타낸 화소 회로 및 그 동작은 PMOS 트랜지스터로 형성한 실시예에 대한 설명으로부터 용이하게 알 수 있는 내용이므로, 이에 대한 자세한 설명을 생략한다. The embodiments in which the transistors M1-M3 are formed of NMOS transistors have been briefly described with reference to FIGS. 17 through 26. The pixel circuits and their operation shown in FIGS. 17 to 26 are easily understood from the description of the embodiment formed of the PMOS transistor, and thus detailed description thereof will be omitted.

그리고 본 발명의 실시예에서는 트랜지스터(M1-M3)를 PMOS 또는 NMOS 트랜지스터로 형성한 경우에 대해서만 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고 PMOS와 NMOS 트랜지스터의 조합 또는 이와 동일 또는 유사한 기능을 하는 다른 스위칭 소자를 사용할 수도 있다. In the embodiment of the present invention, only the case in which the transistors M1-M3 are formed of PMOS or NMOS transistors has been described. However, the present invention is not limited thereto, but a combination of PMOS and NMOS transistors or other switching having the same or similar functions. An element can also be used.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concepts of the present invention defined in the following claims are also provided. It belongs to the scope of rights.

이와 같이 본 발명에 의하면, 큰 데이터 전류로서 유기 EL 소자에 흐르는 전류를 제어할 수 있으므로, 한 라인 시간동안 데이터선을 충분히 충전할 수 있다. 또한, 유기 EL 소자에 흐르는 전류는 트랜지스터의 문턱 전압 편차나 이동도의 편차가 보상되며, 고해상도와 대면적의 발광 표시 장치가 구현될 수 있다. As described above, according to the present invention, the current flowing through the organic EL element can be controlled as a large data current, so that the data line can be sufficiently charged for one line time. In addition, the current flowing through the organic EL element is compensated for variations in threshold voltage or mobility of the transistor, and a high resolution and large area light emitting display device can be realized.

도 1은 유기 전계발광 소자의 개념도이다.1 is a conceptual diagram of an organic electroluminescent device.

도 2는 종래의 전압 구동 방식의 화소 회로의 등가 회로도이다.2 is an equivalent circuit diagram of a pixel circuit of a conventional voltage driving method.

도 3은 종래의 전류 기입 방식의 화소 회로의 등가 회로도이다.3 is an equivalent circuit diagram of a pixel circuit of a conventional current write method.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 유기 EL 표시 장치의 개략적인 평면도이다. 4 is a schematic plan view of an organic EL display device according to an embodiment of the present invention.

도 5, 도 6, 도 8, 도 9, 도 11, 도 12, 도 13, 도 15, 도 17, 도 19, 도 21, 도 22, 도 23 및 도 25는 각각 본 발명의 제1 내지 제14 실시예에 따른 화소 회로의 등가 회로도이다. 5, 6, 8, 9, 11, 12, 13, 15, 17, 19, 21, 22, 23 and 25 are the first to the first embodiments of the present invention, respectively. 14 is an equivalent circuit diagram of a pixel circuit according to an exemplary embodiment.

도 7, 도 10, 도 14, 도 16, 도 18, 도 20, 도 24 및 도 26은 각각 도 6, 도 9, 도 13, 도 15, 도 17, 도 19, 도 23 및 도 25의 화소 회로를 구동하기 위한 구동 파형도이다.7, 10, 14, 16, 18, 20, 24, and 26 are pixels of FIGS. 6, 9, 13, 15, 17, 19, 23, and 25, respectively. It is a drive waveform diagram for driving a circuit.

Claims (20)

화상 신호를 나타내는 데이터 전류를 전달하는 복수의 데이터선, 선택 신호를 전달하는 복수의 주사선, 그리고 상기 데이터선과 상기 주사선에 의해 정의되는 복수의 화소에 각각 형성되는 복수의 화소 회로가 형성되어 있는 발광 표시 장치에 있어서, A light emitting display in which a plurality of data lines for transmitting a data current representing an image signal, a plurality of scanning lines for transmitting a selection signal, and a plurality of pixel circuits respectively formed in the plurality of pixels defined by the data lines and the scanning lines are formed. In the apparatus, 상기 화소 회로는, The pixel circuit, 인가되는 전류에 대응하여 빛을 발광하는 발광 소자, A light emitting device for emitting light in response to the applied current, 상기 발광 소자를 발광시키기 위한 구동 전류를 공급하는 제1 트랜지스터, A first transistor supplying a driving current for emitting the light emitting element, 상기 주사선으로부터의 선택 신호에 응답하여 상기 데이터선으로부터의 데이터 신호를 전달하는 제1 스위칭 소자, A first switching element transferring a data signal from the data line in response to a selection signal from the scan line; 제1 제어 신호의 제1 레벨에 응답하여 상기 제1 트랜지스터를 다이오드 연결시키는 제2 스위칭 소자, A second switching element for diode-connecting the first transistor in response to a first level of a first control signal, 상기 제1 제어 신호의 제1 레벨에 의해, 상기 제1 스위칭 소자로부터의 상기 데이터 전류에 대응하는 제1 전압을 저장하는 제1 저장 소자, A first storage element for storing a first voltage corresponding to the data current from the first switching element by a first level of the first control signal, 상기 제1 저장 소자와 상기 제1 제어 신호를 공급하는 신호선 사이에 전기적으로 연결되어 있으며, 상기 제1 제어 신호가 상기 제1 레벨에서 제2 레벨로 변하는 경우에 상기 제1 저장 소자와의 커플링을 통해 상기 제1 저장 소자의 제1 전압을 제2 전압으로 변경하는 제2 저장 소자, 그리고 Coupling with the first storage element between the first storage element and a signal line for supplying the first control signal and when the first control signal changes from the first level to a second level A second storage element for changing the first voltage of the first storage element into a second voltage through 제2 제어 신호에 응답하여, 상기 제2 전압에 의해 상기 제1 트랜지스터로부터 출력되는 상기 구동 전류를 상기 발광 소자로 전달하는 제3 스위칭 소자A third switching device for transmitting the driving current output from the first transistor by the second voltage to the light emitting device in response to a second control signal; 를 포함하는 발광 표시 장치. A light emitting display device comprising a. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제1 저장 소자는 상기 제1 트랜지스터의 제1 주 전극과 제어 전극 사이에 전기적으로 연결되며, 상기 제2 저장 소자는 상기 제1 트랜지스터의 제어 전극과 상기 신호선 사이에 전기적으로 연결되는 발광 표시 장치. The first storage element is electrically connected between the first main electrode and the control electrode of the first transistor, and the second storage element is electrically connected between the control electrode and the signal line of the first transistor. . 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제2 스위칭 소자는 상기 제1 트랜지스터의 제2 주 전극과 제어 전극 사이에 전기적으로 연결되는 발광 표시 장치. The second switching element is electrically connected between the second main electrode and the control electrode of the first transistor. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제2 스위칭 소자는 상기 데이터선과 상기 제1 트랜지스터의 제어 전극 사이에 전기적으로 연결되는 발광 표시 장치. And the second switching element is electrically connected between the data line and the control electrode of the first transistor. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 신호선은 상기 주사선이며, 상기 제1 제어 신호는 상기 선택 신호인 발광 표시 장치.The signal line is the scan line, and the first control signal is the selection signal. 제5항에 있어서, The method of claim 5, 상기 제2 제어 신호는 상기 선택 신호이며, 상기 제3 스위칭 소자는 상기 선택 신호의 디스에이블 레벨에 응답하는 발광 표시 장치. And the second control signal is the selection signal, and the third switching element is responsive to a disable level of the selection signal. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제1 제어 신호를 공급하는 상기 신호선은 상기 주사선과는 별도의 신호선이며, 상기 제1 제어 신호는 상기 선택 신호가 디스에이블 레벨로 된 이후에 상기 제1 레벨에서 상기 제2 레벨로 되는 발광 표시 장치. The signal line for supplying the first control signal is a signal line separate from the scan line, and the first control signal is a light emitting display that becomes the second level from the first level after the selection signal becomes the disable level. Device. 제7항에 있어서, The method of claim 7, wherein 상기 제2 제어 신호는 상기 제1 제어 신호이며, 상기 제3 스위칭 소자는 상기 제2 제어 신호의 제2 레벨에 응답하는 발광 표시 장치. And the second control signal is the first control signal and the third switching element is responsive to a second level of the second control signal. 제6항에 또는 제8항에 있어서, The method according to claim 6 or 8, 상기 제2 스위칭 소자는 제1 전도 타입의 트랜지스터이며, 상기 제3 스위칭 소자는 제2 전도 타입의 트랜지스터인 발광 표시 장치. And the second switching element is a transistor of a first conductivity type, and the third switching element is a transistor of a second conductivity type. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제1 내지 제3 스위칭 소자 및 상기 제1 트랜지스터는 동일 전도 타입의 트랜지스터인 발광 표시 장치. The first to third switching elements and the first transistor are transistors of the same conductivity type. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 화소 회로는 상기 선택 신호를 버퍼링한 후 상기 제1 스위칭 소자로 전달하기 위한 버퍼를 더 포함하는 발광 표시 장치. The pixel circuit further includes a buffer for buffering the selection signal and then transferring the selection signal to the first switching element. 주사선으로부터의 선택 신호에 응답하여 데이터선으로부터의 데이터 전류를 전달하는 제1 스위칭 소자, 구동 전류를 출력하는 트랜지스터, 상기 트랜지스터의 제1 주 전극과 제어 전극 사이에 전기적으로 연결되는 제1 저장 소자, 그리고 상기 트랜지스터로부터의 구동 전류에 대응하여 빛을 발광하는 발광 소자를 포함하는 화소 회로가 형성되어 있는 발광 표시 장치를 구동하는 방법에 있어서, A first switching element transferring a data current from the data line in response to a selection signal from the scan line, a transistor outputting a drive current, a first storage element electrically connected between the first main electrode and the control electrode of the transistor; And a method of driving a light emitting display device having a pixel circuit including a light emitting element emitting light in response to a driving current from the transistor. 제1 레벨의 제어 신호로 상기 트랜지스터를 다이오드 연결시키고, 상기 제1 스위칭 소자로부터의 데이터 전류에 대응하여 상기 트랜지스터의 제어 전극 전압을 제1 전압으로 하는 단계, Diode-connecting the transistor with a first level control signal and setting the control electrode voltage of the transistor as the first voltage in response to the data current from the first switching element, 상기 데이터 전류를 차단하고, 상기 트랜지스터의 제어 전극에 제1단이 연결되는 제2 저장 소자의 제2단에 제2 레벨의 상기 제어 신호를 인가하고, 상기 제1 및 제2 저장 소자의 커플링으로 상기 트랜지스터의 제어 전극 전압을 제2 전압으로 변경하는 단계, 그리고 Blocking the data current, applying a control signal of a second level to a second end of a second storage element having a first end connected to a control electrode of the transistor, and coupling the first and second storage elements Changing the control electrode voltage of the transistor to a second voltage; and 상기 제2 전압에 대응하여 상기 트랜지스터로부터 출력되는 구동 전류를 상기 발광 소자에 인가하는 단계Applying a driving current output from the transistor to the light emitting element corresponding to the second voltage; 를 포함하는 발광 표시 장치의 구동 방법. Method of driving a light emitting display device comprising a. 제12항에 있어서, The method of claim 12, 상기 제어 신호는 상기 선택 신호와 동일 신호인 발광 표시 장치의 구동 방법. And the control signal is the same signal as the selection signal. 제12항에 있어서, The method of claim 12, 상기 제어 신호는 상기 선택 신호가 디스에이블 레벨로 된 이후에 상기 제2 레벨로 되는 발광 표시 장치의 구동 방법. And the control signal becomes the second level after the selection signal becomes the disable level. 제12항에 있어서, The method of claim 12, 상기 화소 회로는, 상기 제2 레벨의 제어 신호에 응답하여 상기 트랜지스터로부터의 구동 전류를 상기 발광 소자로 전달하는 제2 스위칭 소자를 더 포함하는 발광 표시 장치의 구동 방법. And the pixel circuit further comprises a second switching element configured to transfer a driving current from the transistor to the light emitting element in response to the control signal of the second level. 화상 신호를 나타내는 데이터 전류를 전달하는 복수의 데이터선, 선택 신호를 전달하는 복수의 주사선, 그리고 상기 데이터선과 상기 주사선에 의해 정의되는 복수의 화소에 각각 형성되는 복수의 화소 회로가 형성되어 있는 발광 표시 장치의 표시 패널에 있어서, A light emitting display in which a plurality of data lines for transmitting a data current representing an image signal, a plurality of scanning lines for transmitting a selection signal, and a plurality of pixel circuits respectively formed in the plurality of pixels defined by the data lines and the scanning lines are formed. In the display panel of the device, 상기 화소 회로는, The pixel circuit, 인가되는 전류에 대응하여 빛을 발광하는 발광 소자, A light emitting device for emitting light in response to the applied current, 발광 소자를 구동하기 위한 전류를 출력하며 제1 주 전극이 전원 전압을 공급하는 제1 신호선에 전기적으로 연결되는 제1 트랜지스터, A first transistor for outputting a current for driving a light emitting element and electrically connected to a first signal line to which a first main electrode supplies a power voltage; 상기 주사선으로부터의 선택 신호에 응답하여 상기 데이터선으로부터의 데이터 전류를 상기 제1 트랜지스터로 전달하는 제1 스위칭 소자, A first switching element transferring a data current from the data line to the first transistor in response to a selection signal from the scan line; 제1 제어 신호의 제1 레벨에 응답하여 상기 제1 트랜지스터를 다이오드 연결하는 제2 스위칭 소자, A second switching element diode-connecting the first transistor in response to a first level of a first control signal, 제2 제어 신호에 응답하여 상기 트랜지스터로부터의 구동 전류를 상기 발광 소자로 전달하는 제3 스위칭 소자,A third switching element transferring a driving current from the transistor to the light emitting element in response to a second control signal; 상기 제1 트랜지스터의 제어 전극과 제1 주 전극 사이에 전기적으로 연결되는 제1 저장 소자, 그리고 A first storage element electrically connected between the control electrode and the first main electrode of the first transistor, and 상기 제1 트랜지스터의 제어 전극과 상기 제1 제어 신호를 공급하는 제2 신호선 사이에 전기적으로 연결되는 제2 저장 소자A second storage element electrically connected between a control electrode of the first transistor and a second signal line supplying the first control signal 를 포함하는 발광 표시 장치의 표시 패널. A display panel of the light emitting display device comprising a. 제16항에 있어서, The method of claim 16, 상기 제1 레벨의 제1 제어 신호에 의해 상기 제1 트랜지스터가 다이오드 연결되고 상기 선택 신호에 의해 상기 데이터 전류가 상기 제1 트랜지스터로 전달되는 제1 구간, 그리고 A first period in which the first transistor is diode-connected by the first control signal of the first level and the data current is transferred to the first transistor by the selection signal, and 상기 데이터 전류가 차단되고 상기 제1 제어 신호가 제2 레벨로 되어 상기 제1 제어 신호의 레벨 변화량이 상기 제1 및 제2 저장 소자의 커플링에 의해 상기 제1 트랜지스터의 제어 전극에 반영되고, 상기 제2 제어 신호에 의해 상기 구동 전류가 상기 발광 소자로 전달되는 제2 구간The data current is cut off and the first control signal becomes a second level so that the level change of the first control signal is reflected on the control electrode of the first transistor by coupling of the first and second storage elements, A second section in which the driving current is transmitted to the light emitting device by the second control signal 순으로 동작하는 발광 표시 장치의 표시 패널. A display panel of a light emitting display device that operates in order. 제17항에 있어서, The method of claim 17, 상기 제2 신호선은 상기 주사선이며, 상기 제1 제어 신호는 상기 선택 신호인 발광 표시 장치의 표시 패널. The second signal line is the scan line, and the first control signal is the selection signal. 제17항에 있어서, The method of claim 17, 상기 제2 신호선은 상기 주사선과는 별도의 신호선이며, 상기 제1 제어 신호는 상기 선택 신호가 디스에이블 레벨로 된 이후에 상기 제2 레벨로 되는 발광 표시 장치의 표시 패널. And the second signal line is a signal line separate from the scan line, and the first control signal is set to the second level after the selection signal becomes the disable level. 제17항에 있어서, The method of claim 17, 상기 제2 제어 신호는 상기 제1 제어 신호와 동일한 신호이고, 상기 제2 스위칭 소자는 제1 전도 타입의 트랜지스터이며 상기 제3 스위칭 소자는 제2 전도 타입의 트랜지스터인 발광 표시 장치의 표시 패널. And wherein the second control signal is the same signal as the first control signal, the second switching element is a transistor of a first conductivity type and the third switching element is a transistor of a second conductivity type.
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