KR100486493B1 - Data line repair structure - Google Patents

Data line repair structure Download PDF

Info

Publication number
KR100486493B1
KR100486493B1 KR1019970029367A KR19970029367A KR100486493B1 KR 100486493 B1 KR100486493 B1 KR 100486493B1 KR 1019970029367 A KR1019970029367 A KR 1019970029367A KR 19970029367 A KR19970029367 A KR 19970029367A KR 100486493 B1 KR100486493 B1 KR 100486493B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
data line
auxiliary data
line
gate
insulating film
Prior art date
Application number
KR1019970029367A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR19990005194A (en
Inventor
양두흠
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1019970029367A priority Critical patent/KR100486493B1/en
Publication of KR19990005194A publication Critical patent/KR19990005194A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100486493B1 publication Critical patent/KR100486493B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259—Repairing; Defects
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Abstract

본 발명은 데이터 라인 리페어 구조에 관한 것으로, TFT 소자를 형성할 때 초기 TFT 기판에 데이터 라인을 리페어할 수 있는 보조 데이터 라인을 형성하고 상부면에 종래의 TFT 소자를 형성하여 단선된 데이터 라인을 보조 데이터 라인에 연결하여 리페어함으로써 저항성분 및 캐패시터값의 증가로 인해 리페어 수율이 저하되는 것을 방지할 수 있고, 또한 전체 데이터 라인을 전부 리페어할 수 있다.The present invention relates to a data line repair structure, in which an auxiliary data line capable of repairing a data line is formed on an initial TFT substrate when forming a TFT element, and a conventional TFT element is formed on an upper surface to assist a disconnected data line. By repairing by connecting to the data line, the repair yield can be prevented from being lowered due to the increase in the resistance component and the capacitor value, and the entire data line can be repaired.

Description

데이터 라인 리페어 구조Data line repair structure

본 발명은 데이터 라인의 리페어 구조에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 TFT 기판에 보조 데이터 라인과 주데이터 라인을 형성하여 저항성분 및 캐패시터값이 증가되는 것을 방지한 데이터 라인 리페어 구조에 관한 것이다.The present invention relates to a repair structure of a data line, and more particularly, to a data line repair structure in which an auxiliary data line and a main data line are formed on a TFT substrate to prevent an increase in resistance components and capacitor values.

액정표시장치는 TFT 기판, 박막트랜지트터기판과 마주보는 칼라필터 기판, 그리고, 양 기판 사이에 주입되는 액정물질을 포함하는 장치로서, 내부에 삽입되는 액정의 전기 광학적 성질을 이용한 표시장치이다.The liquid crystal display device includes a TFT substrate, a color filter substrate facing the thin film transistor substrate, and a liquid crystal material injected between both substrates, and is a display device using the electro-optic properties of the liquid crystal inserted therein.

일반적으로 TFT 기판에는 다수의 게이트 라인 및 데이터 라인이 서로 교차하여 형성되어 있고 교차영역의 각각에는 스위칭소자인 박막트랜지스터와 화소전극이 형성되어 있다. In general, a plurality of gate lines and data lines cross each other in a TFT substrate, and a thin film transistor and a pixel electrode, which are switching elements, are formed in each of the crossing regions.

액정표시장치의 대형화 고정세화의 경향에 따라 TFT 기판의 게이트 라인과 데이터 라인의 수는 상당히 증가하였으며 이에 따라 각각의 배선의 저저항화 및 단선방지를 위한 여러 가지 방법 등이 등장하였다.The number of gate lines and data lines of TFT substrates has increased considerably with the trend toward larger size and higher resolution of liquid crystal display devices. Accordingly, various methods for reducing resistance and disconnection of each wiring have emerged.

특히, 화상신호를 전달하는 데이터 라인의 불량, 즉, 단선된 데이터 라인을 리페어하기 위한 방법으로는 미국 특허 공고 4,688,896호에 제안된 바와 같이 TFT 기판의 가장자리를 따라 형성된 리페어 링과 단선된 데이터 라인의 양단이 교차하는 부분에 레이저 광을 조사하여 데이터 라인과 리페어 링을 용접함으로써 소스측 구동드라이브 IC에서 출력된 신호를 우회시켜 데이터 라인에 전달한다. In particular, a method for repairing a defective data line, that is, a disconnected data line for transmitting an image signal, may include a repair ring formed along an edge of a TFT substrate and a disconnected data line, as proposed in US Patent Publication No. 4,688,896. The laser beam is irradiated to the intersection of both ends to weld the data line and the repair ring, thereby bypassing the signal output from the source-side driving drive IC and transferring it to the data line.

그러나, 액정표시장치의 대형화 및 고정세화가 진행됨에 따라 리페어 링을 이용하는 방법은 리페어 링에 걸리는 RC(Resistance-Condenser) 딜레이(delay), 즉, 10.4 인치 VGA, 10.4인치 SVGA, 12.1인치 SVGA, 12.1인치 XGA의 RC 딜레이값을 비교해보면 1:1.13:1.47:1.8의 비율로 증가하여 그 실효성이 떨어지고 있다. 즉, 리페어 링의 자체저항과 화상신호가 흐르는 리페어 링이 복수개의 데이터 라인과 절연막을 사이에 두고 교차함에 따라 형성되는 결합용량의 증가로 인해 신호의 왜곡이 발생되는 원인이 되었다.However, as the size and resolution of LCDs increase, the method of using a repair ring includes a resistance-condenser (RC) delay applied to the repair ring, that is, a 10.4 inch VGA, 10.4 inch SVGA, 12.1 inch SVGA, and 12.1. Comparing the RC delay values of the inch XGA, the ratio is increased by 1: 1.13: 1.47: 1.8, which decreases the effectiveness. That is, the distortion of the signal is caused by an increase in the coupling capacitance formed as the repair ring's self-resistance and the repair ring through which the image signal flows intersect the plurality of data lines and the insulating layer therebetween.

또한, 리페어 링을 이용할 경우 리페어 링이 개루프를 형성하고 있기 때문에 하나의 리페어 링을 이용하여 하나의 데이터 선밖에 수리할 수 없다.In addition, when the repair ring is used, since the repair ring forms an open loop, only one data line can be repaired by using one repair ring.

따라서, 본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 감안하여 안출된 것으로써, TFT 기판에 2개의 데이터 라인, 즉 보조 데이터 라인과 주데이터 라인을 형성하여 주데이터 라인이 단선될 경우 보조 데이터 라인을 이용하여 리페어함으로써 저항성분 및 캐패시터값의 증가로 인한 신호선의 왜곡을 방지하고 모든 주데이터 라인을 전부 리페어할 수 있는 데이터 라인 리페어 구조를 제공하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention was devised in view of the above problems, and when the main data line is disconnected by forming two data lines, that is, an auxiliary data line and a main data line, on the TFT substrate, the auxiliary data line is used. Therefore, the present invention provides a data line repair structure that prevents distortion of signal lines caused by an increase in resistance components and capacitor values, and can repair all main data lines.

이와 같은 목적을 달성하기 위해서 본 발명은 TFT 기판 상부면 세로 방향에 형성된 보조 데이터 라인과, 상기 보조 데이터 라인 상부에 형성된 제 1 절연막과, 상기 제 1 절연막 상부면에 형성되어 상기 보조 데이터 라인과 직교하는 게이트 전극 및 상기 게이트 전극에서 연장된 게이트 라인과, 상기 게이트 상부면에 형성된 제 2 절연막과, 상기 제 2 절연막 상부에 형성된 반도체층과, 상기 반도체층 상부에 형성되고 상기 게이트 전극 및 상기 게이트 라인에 수직으로 직교하는 소스/드레인 전극 및 소스 전극에서 연장되며 단선되었을 때 상기 보조데이터 라인과 연결되는 주데이터 라인을 포함한다.In order to achieve the above object, the present invention provides an auxiliary data line formed on a vertical direction of a TFT substrate, a first insulating film formed on the auxiliary data line, and a first insulating film formed on an upper surface of the first insulating film so as to be orthogonal to the auxiliary data line. A gate electrode and a gate line extending from the gate electrode, a second insulating film formed on an upper surface of the gate, a semiconductor layer formed on the second insulating film, and a gate electrode and the gate line formed on the semiconductor layer. And a main data line extending from the source electrode and a drain electrode perpendicularly perpendicular to and connected to the auxiliary data line when disconnected.

이하 본 발명에 의한 데이터 라인 리페어 구조를 첨부된 도면 도 2를 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a data line repair structure according to the present invention will be described with reference to FIG. 2.

도 1은 본 발명에 의한 TFT 기판의 구조를 도시한 평면도이고, 도 2a는 도 1을 A-A'선으로 절단한 단면도이며, 도 2b는 도 1을 B-B'선으로 절단한 단면도이다.1 is a plan view showing the structure of a TFT substrate according to the present invention, FIG. 2A is a cross-sectional view taken along the line A-A ', and FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the line B-B'. .

도시된 바와 같이 TFT 기판(1)의 가로방향으로 다수의 게이트 라인(10)이 형성되어 있고, TFT 기판(1)의 세로방향에는 게이트 라인(10)과 수직으로 교차하는 다수의 주데이터 라인(20)이 되어 있다. 또한, 각각의 게이트 라인(10)과 주데이터 라인(20)의 일단에는 신호가 입력되는 입력패드(11)(21)가 형성되어 있고, 게이트 라인(10)과 데이터 라인(20)이 교차하는 영역에는 화소(30)가 형성되어 있다.As illustrated, a plurality of gate lines 10 are formed in the horizontal direction of the TFT substrate 1, and a plurality of main data lines perpendicularly intersect the gate lines 10 in the vertical direction of the TFT substrate 1. 20). In addition, input pads 11 and 21 through which signals are input are formed at one end of each gate line 10 and main data line 20, and the gate line 10 and the data line 20 cross each other. The pixel 30 is formed in the area.

도 2a 및 도 2b를 참조하여 본 발명을 좀더 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to FIGS. 2A and 2B.

도 1a에 도시된 바와 같이 TFT 기판(1) 상부면에 보조 데이터 라인(51)이 형성되어 있고, 보조 데이터 라인(51) 상부면에 제 1 절연막(52)이 형성되어 있다.As shown in FIG. 1A, the auxiliary data line 51 is formed on the upper surface of the TFT substrate 1, and the first insulating film 52 is formed on the upper surface of the auxiliary data line 51.

또한, 제 1 절연막(52) 상부면에 게이트 전극(53) 및 게이트 전극(53)에서 연장된 게이트 라인(10)이 보조 데이터 라인(51)과 직교되어 있으며, 게이트 전극(53) 상부면에는 제 2 절연막(54)과 반도체층(55)이 형성되어 있다.In addition, the gate electrode 53 and the gate line 10 extending from the gate electrode 53 are orthogonal to the auxiliary data line 51 on the upper surface of the first insulating layer 52, and on the upper surface of the gate electrode 53. The second insulating film 54 and the semiconductor layer 55 are formed.

또한, 반도체층(55) 상부에는 게이트 전극(53) 및 게이트 라인(10)과 수직으로 교차되어 소스/드레인 전극(56)(57) 및 소스 전극(56)에서 연장된 주데이터 라인(20)이 형성되어 있으며, 소스/드레인 전극(56)(57) 상부에는 보호막(58)과 투명전극(미도시)이 형성되어 있다. 여기서, 보조 데이터 라인(51)은 주데이터 라인(20)의 금속과 동일한 재질로 형성되거나 또는 주데이터 라인(20)과 다른 재질로 형성한다. In addition, the main data line 20 extending perpendicularly from the gate electrode 53 and the gate line 10 and extending from the source / drain electrodes 56 and 57 and the source electrode 56 on the semiconductor layer 55. The passivation layer 58 and the transparent electrode (not shown) are formed on the source / drain electrodes 56 and 57. The auxiliary data line 51 may be formed of the same material as the metal of the main data line 20 or may be formed of a material different from that of the main data line 20.

이와 같이 TFT 소자(50)가 형성되면 화면유효면적(40) 외부에 형성된 주데이터 라인(20) 하부면에는 도 2b에 도시된 바와 같이 제2 절연막(54), 제2 절연막(54)의 하부에 배치된 제 1 절연막(52) 및 제 1 절연막(52)의 하부에 배치된 보조 데이터 라인(51)이 순차적으로 형성된다. 도 2b에는 도 2a에 도시된 주데이터 라인(20), 제 1 절연막(52), 제 2 절연막(54) 및 보조 데이터 라인의 위치 관계가 도시된다.As described above, when the TFT device 50 is formed, the second insulating film 54 and the lower portion of the second insulating film 54 are formed on the lower surface of the main data line 20 formed outside the screen effective area 40 as shown in FIG. 2B. The first insulating film 52 and the auxiliary data line 51 disposed below the first insulating film 52 are sequentially formed. FIG. 2B shows the positional relationship between the main data line 20, the first insulating film 52, the second insulating film 54 and the auxiliary data line shown in FIG. 2A.

이와 같이 구성된 TFT 기판의 데이터 라인 리페어 방법을 설명하면 다음과 같다.The data line repairing method of the TFT substrate configured as described above is as follows.

게이트 라인(10) 및 주데이터 라인(20)에 전기적 신호를 인가하여 LCD 패널의 화소상태를 테스트 한 결과 단선된 주데이터 라인(20)이 존재하면 작업자는 단선된 주데이터 라인(20)의 양단에 레이저 광을 조사한다. 이때, 레이저 광에 의해서 주데이터 라인(20)과 제 1 및 제2 절연막(52, 54)이 파괴되면서 주데이터 라인(20)의 금속이 파괴된 제 1 및 제2 절연막(52, 54)을 통해 보조 데이터 라인(51)과 전기적으로 연결된다.As a result of testing the pixel state of the LCD panel by applying an electrical signal to the gate line 10 and the main data line 20, if there is a disconnected main data line 20, the operator may have both ends of the disconnected main data line 20. Irradiate the laser light. At this time, the main data line 20 and the first and second insulating films 52 and 54 are destroyed by the laser light, and the first and second insulating films 52 and 54 where the metal of the main data line 20 is destroyed. It is electrically connected to the auxiliary data line 51 through.

이와 같이 주데이터 라인(20)이 주데이터 라인(20)의 하부에 형성된 보조 데이터 라인(51)을 매개로 리페어되면 소스측에서 출력된 화상신호가 보조 데이터 라인(51)을 통해 단선된 주데이터 라인(20)에 전달된다.When the main data line 20 is repaired through the auxiliary data line 51 formed below the main data line 20 as described above, the main data line of the image signal output from the source side is disconnected through the auxiliary data line 51. Delivered to line 20.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명은 TFT 소자를 형성할 때 초기 TFT 기판에 데이터 라인을 리페어할 수 있는 보조 데이터 라인을 형성하고 상부면에 종래의 TFT 소자를 형성하여 단선된 데이터 라인을 보조 데이터 라인에 연결하여 리페어함으로써 저항성분 및 캐패시터값의 증가로 인해 리페어 수율이 저하되는 것을 방지할 수 있고, 또한 전체 데이터 라인을 전부 리페어할 수 있는 효과가 있다.As described above, the present invention forms an auxiliary data line capable of repairing a data line on an initial TFT substrate when forming a TFT element, and forms a conventional TFT element on an upper surface, thereby disconnecting the disconnected data line to an auxiliary data line. By connecting and repairing, the repair yield can be prevented from being lowered due to the increase in the resistance component and the capacitor value, and the entire data line can be repaired.

도 1은 본 발명에 의한 TFT 기판의 구조를 도시한 평면도이고,1 is a plan view showing the structure of a TFT substrate according to the present invention;

도 2a는 도 1을 A-A'선으로 절단한 단면도이며,2A is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 1.

도 2b는 도 1을 B-B'선으로 절단한 단면도이다.FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG. 1.

Claims (1)

TFT 기판 상에 형성된 보조 데이터 라인과;An auxiliary data line formed on the TFT substrate; 상기 보조 데이터 라인과 상기 TFT 기판 상에 형성된 제 1 절연막과;A first insulating film formed on said auxiliary data line and said TFT substrate; 상기 제 1 절연막 상에 형성된 게이트 전극 및 상기 게이트 전극에서 연장되어 상기 보조 데이터 라인과 직교하는 게이트 라인과;A gate electrode formed on the first insulating layer and a gate line extending from the gate electrode and orthogonal to the auxiliary data line; 상기 게이트 전극 및 게이트 라인 상에 형성된 제 2 절연막과;A second insulating film formed on the gate electrode and the gate line; 상기 제 2 절연막 상에 형성된 반도체층과;A semiconductor layer formed on the second insulating film; 상기 반도체층 상에 형성된 소스 전극, 드레인 전극 및 상기 소스 전극으로부터 연장되어 상기 제2 절연막 상에 구비되고, 상기 제1 및 제2 절연막을 사이에 두고 상기 보조데이터 라인과 마주하며, 단선되었을 때 상기 보조데이터 라인과 전기적으로 연결되는 주데이터 라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 데이터 라인 리페어 구조.A source electrode, a drain electrode and a source electrode formed on the semiconductor layer and provided on the second insulating layer, facing the auxiliary data line with the first and second insulating layers interposed therebetween; And a main data line electrically connected to the auxiliary data line.
KR1019970029367A 1997-06-30 1997-06-30 Data line repair structure KR100486493B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970029367A KR100486493B1 (en) 1997-06-30 1997-06-30 Data line repair structure

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970029367A KR100486493B1 (en) 1997-06-30 1997-06-30 Data line repair structure

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19990005194A KR19990005194A (en) 1999-01-25
KR100486493B1 true KR100486493B1 (en) 2005-08-05

Family

ID=37303965

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970029367A KR100486493B1 (en) 1997-06-30 1997-06-30 Data line repair structure

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100486493B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100646788B1 (en) * 2000-04-20 2006-11-17 삼성전자주식회사 a thin film transistor array panel for a liquid crystal display and manufacturing method thereof

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970017100A (en) * 1995-09-28 1997-04-28 쯔지 하루오 Active matrix liquid crystal display and pixel defect correction method

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970017100A (en) * 1995-09-28 1997-04-28 쯔지 하루오 Active matrix liquid crystal display and pixel defect correction method

Also Published As

Publication number Publication date
KR19990005194A (en) 1999-01-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100242943B1 (en) Lcd apparatus with repairing line
TWI396029B (en) Chip on glass type lcd device and inspecting method of the same
US7995184B2 (en) Display substrate, liquid crystal display device including the same, and method of repairing the same
US8873002B2 (en) Liquid crystal display
US7483008B2 (en) Liquid crystal display and driving method thereof
US7339564B2 (en) Liquid crystal display device
US6839097B2 (en) Liquid crystal display with electrostatic protection circuits
US7027043B2 (en) Wiring substrate connected structure, and display device
US20070268423A1 (en) Structure of LCD pane and method of manufacturing the same
JP3119357B2 (en) Liquid crystal display
US7133113B2 (en) Method of manufacturing a LCD using a photoresist with varying thickness
KR100517135B1 (en) Thin film transistor substrate
KR100854378B1 (en) Liquid crystal display panel and fabricating method thereof
JP4640916B2 (en) Substrate for display device, liquid crystal display panel, liquid crystal display device, and defect inspection method for repair wiring
KR100293981B1 (en) LCD Display
KR100486493B1 (en) Data line repair structure
KR100779204B1 (en) Liquid crystal display device
KR100242444B1 (en) Tft panel for lcd and method for reparing the same
KR100523292B1 (en) Display board
KR100998021B1 (en) array substrate for in-plane switching mode liquid crystal display device
JP3532172B2 (en) Liquid crystal display
KR20020039086A (en) Defect correcting structure of data line in lcd panel and the combine correcting method
KR20000045978A (en) Liquid crystal display panel
KR20060129871A (en) Liquid crystal display device
KR20000037847A (en) Repair of data line

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E801 Decision on dismissal of amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
AMND Amendment
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120416

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee