KR100440667B1 - Method of thermal treatment for substrates and the furnace for its continuous thermal treatment - Google Patents

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KR100440667B1 KR10-2001-0046687A KR20010046687A KR100440667B1 KR 100440667 B1 KR100440667 B1 KR 100440667B1 KR 20010046687 A KR20010046687 A KR 20010046687A KR 100440667 B1 KR100440667 B1 KR 100440667B1
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Abstract

본 발명은 노(爐)의 가열실 내에서 막 형성 소재를 포함하는 기판의 열처리를 행할 때, 실내의 평균 온도가 상이한 다른 인접한 가열실로부터의 열적 영향에 의해 기판 내에 온도 분포가 생기는 것을 억제해서 기판 전체를 균일하게 열처리할 수 있는 기판의 열처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention suppresses the occurrence of a temperature distribution in a substrate by thermal effects from other adjacent heating chambers in which the average temperature in the room is different when the substrate is heat-treated in a heating chamber of a furnace. It is an object of the present invention to provide a heat treatment method of a substrate that can uniformly heat-treat the entire substrate.

피열처리체의 반송 방향에 대해 구획된 복수 개의 가열실 중 인접한 다른 가열실의 적어도 한 쪽과 실내의 평균 온도가 상이한 가열실에 있어서는, 해당 가열실에 설치된 각 가열 수단의 설정 온도를 피열처리체의 반송 방향에서 다른 값이 되도록 제어해서 가열실 내의 온도에 구배를 마련함으로써, 해당 가열실 내에서 열처리되는 기판에 대해 인접한 다른 가열실이 미치는 열적 영향을 상쇄시켜 상기 기판을 균일하게 열처리한다.In a heating chamber in which the average temperature in the room differs from at least one of the other adjacent heating chambers among the plurality of heating chambers partitioned with respect to the conveying direction of the heat-treatment body, the set temperature of each heating means provided in the heating chamber is referred to as the heat-treatment body. By controlling the temperature in the heating chamber to be different in the conveying direction of, the substrate is heat-treated uniformly by canceling the thermal effect of the other heating chamber adjacent to the substrate to be heat-treated in the heating chamber.

Description

기판의 열처리 방법 및 그에 사용하는 연속식 열처리로 {METHOD OF THERMAL TREATMENT FOR SUBSTRATES AND THE FURNACE FOR ITS CONTINUOUS THERMAL TREATMENT}Substrate heat treatment method and continuous heat treatment method for use {METHOD OF THERMAL TREATMENT FOR SUBSTRATES AND THE FURNACE FOR ITS CONTINUOUS THERMAL TREATMENT}

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널용 유리 기판으로 대표되는 막 형성 소재를 포함하는 기판의 열처리 방법과 그에 사용하는 연속식 열처리로에 관한 것이다.The present invention relates to a heat treatment method for a substrate including a film-forming material represented by a glass substrate for a plasma display panel, and a continuous heat treatment furnace used therein.

최근 벽걸이 텔레비젼이나 멀티미디어용 디스플레이로서 이용할 수 있는 대화면 플랫 패널 디스플레이(이하,「FPD」라고 한다)의 실용화가 착착 진행되고 있다. 이러한 대화면 FPD로서는 자발광형(自發光型)으로 넓은 시야각을 갖고, 품질 표시가 양호하다는 품질면의 장점과, 제작 공정이 간단하고 대형화가 용이하다는 제조면에서의 장점을 겸비한 플라즈마 디스플레이 패널(이하,「PDP」라고 한다)이 가장 유력한 후보로서 거론되고 있다.In recent years, the commercialization of the large-screen flat panel display (henceforth "FPD") which can be used as a wall-mounted television or a display for multimedia is advancing. As such a large screen FPD, a plasma display panel having a self-luminous type, a wide viewing angle, a quality display with good quality display, and a manufacturing process with a simple manufacturing process and easy enlargement (hereinafter, referred to as a plasma display panel) Is called the most promising candidate.

PDP의 제조는, 예컨대 도 5에 도시한 바와 같이 전면(前面) 유리, 배면 유리로 칭하는 대형 유리 기판의 표면에 인쇄, 건조, 소성의 공정을 여러 번 반복하는후막법(厚膜法)에 의해 전극, 유도체, 형광체 등의 여러 가지 부재를 하나하나 형성해 가서, 최종적으로 전면 유리와 배면 유리를 밀봉 부착함으로써 행해진다.The production of the PDP is, for example, by a thick film method in which the processes of printing, drying and firing are repeated several times on the surface of a large glass substrate called front glass or back glass as shown in FIG. 5. It is performed by forming various members, such as an electrode, a derivative, and fluorescent substance, one by one, and finally sealingly attaching a front glass and a back glass.

이 PDP용 유리 기판과 같은 막 형성 소재를 포함하는 기판의 열처리는 피열처리체의 반송 방향에 대해 구획된 복수 개의 가열실과, 인접한 가열실로 피열처리체를 간헐적으로 반송하기 위한 반송 수단을 구비한 연속식 열처리로를 사용해서 각 가열실을 개별적으로 온도 제어함으로써 원하는 온도 곡선에 따라 승온, 보온 및 강온(降溫)하는 방법으로 행하는 것이 일반적이다.The heat treatment of a substrate containing a film-forming material such as a glass substrate for PDP is continuous with a plurality of heating chambers partitioned with respect to the conveying direction of the thermally processed object and a conveying means for intermittently conveying the thermally processed object to an adjacent heating chamber. It is common to carry out by the method of temperature raising, warming, and temperature-falling according to a desired temperature curve by controlling temperature of each heating chamber individually using a type | formula heat treatment furnace.

이와 같이 구획된 가열실에서 열처리를 행하는 것은 기판 표면의 온도를 가능한 한 균일하게 하기 위해서이다. 기판 표면의 온도 분포가 큰 상태에서 열처리를 행하면 기판이나 기판 상에 형성한 부재(막)에 왜곡이 생기고, 또한 이로 인해서 균열, 파손 등의 결함이 생긴다. 각 가열실은 기판을 얹어 놓은 세터(setter)를 일반적으로는 1장 내포하는 크기를 갖고, 피열처리체의 반송 방향(노의 길이 방향) 및 노의 폭 방향으로 몇 개로 분할된 가열 수단이 설치되어 있다.The heat treatment is performed in the partitioned heating chamber in order to make the temperature of the substrate surface as uniform as possible. If heat treatment is performed in a state where the temperature distribution on the surface of the substrate is large, distortion occurs in the substrate or the member (film) formed on the substrate, and defects such as cracks and breakages are thereby generated. Each heating chamber is generally sized to contain one setter on which a substrate is placed, and a plurality of heating means are provided in the conveying direction (length direction of the furnace) and the width direction of the furnace for the heat-treatment body. have.

이들 분할된 가열 수단은 일반적으로 각각이 독립된 제어계로서 개별적으로 온도를 제어할 수 있도록 구성되어 있어, 종래의 막 형성 소재를 포함하는 기판의 열처리에 있어서는 구획된 각 가열실 내의 온도(분위기 온도)가 각각 일정해지도록 각 가열 수단의 온도 제어가 이루어졌다.These divided heating means are generally configured to control the temperature individually as independent control systems, so that in the heat treatment of a substrate containing a conventional film forming material, the temperature (ambient temperature) in each divided heating chamber is The temperature control of each heating means was made to become constant, respectively.

통상, 각 가열실 사이에는 인접한 가열실로부터의 열적 영향을 막기 위해서 칸막이 벽 등이 설치되어 있지만, 온도 설정이 상이한 인접한 가열실 사이에서는상호 열적 영향을 완전히 방지하는 것이 곤란하다. 이 때문에, 상기한 바와 같이 각 가열실 내의 온도가 일정해지도록 가열 수단의 온도를 제어하더라도, 그 가열실 내에서 소정 시간 열처리를 받은 기판의 온도는 인접한 다른 가열실로부터의 열적 영향에 의해 반송 방향에서 차이를 보이게 되어 균일한 열처리 품질을 얻을 수 없다는 문제가 있었다.Usually, partition walls or the like are provided between the heating chambers to prevent thermal influences from adjacent heating chambers, but it is difficult to completely prevent mutual thermal effects between adjacent heating chambers having different temperature settings. For this reason, even if the temperature of a heating means is controlled so that the temperature in each heating chamber may become constant as mentioned above, the temperature of the board | substrate which received heat processing for predetermined time in the heating chamber will be conveyed by the thermal effect from another adjacent heating chamber. There was a problem in that the difference in the uniform heat treatment quality could not be obtained.

또한, 인접한 가열실에의 피열처리체의 반송은 롤러 컨베이어, 체인 컨베이어, 워킹 빔 등의 어떠한 반송 수단을 이용하더라도 수십 초 내지 수분의 시간이 필요하기 때문에, 설정 온도가 상이한 인접한 가열실 사이에서 기판을 반송할 때는 이동처의 가열실로 보다 빠르게 보내지는 반송 방향의 전방부(기판의 노의 출구 측에 가까운 부위)와 지연되어 보내지는 후방부(기판의 노의 입구 측에 가까운 부위)에서 아무래도 열 이력에 차이가 생기며, 그 결과 기판 내에 온도 분포가 생겨 버린다고 하는 문제가 있었다.In addition, since the transfer of the heat-treatment to the adjacent heating chamber requires tens of seconds to several minutes using any conveying means such as a roller conveyor, a chain conveyor, or a walking beam, the substrates between adjacent heating chambers having different set temperatures are different. In the conveyance, heat is transferred from the front part in the conveying direction (part near the exit side of the furnace of the substrate) to the heating chamber of the moving destination and the rear part (part near the entrance side of the furnace of the substrate) to be delayed. There exists a problem that a difference arises in hysteresis, and as a result, a temperature distribution arises in a board | substrate.

그리고, 한 번의 반송에서 생기는 온도 분포는 근소한 것이더라도, 종래의 실내 온도가 일정하게 제어된 가열실에서는 가열실 내로 반송된 기판의 응답 속도가 느리고, 일단 생긴 기판 내의 온도 분포는 여간해서 해소되지 않기 때문에, 가열실 사이의 반송을 반복할 때마다 온도 분포가 누적되어 점차로 커져 간다. 특히, PDP용 대형 유리 기판 등의 열처리에 있어서는 이러한 반송 시에 생기는 기판 내의 온도 분포에 의해서도 기판이나 기판에 형성되는 막의 왜곡이 생기고, 더욱 심한 경우에는 기판의 균열이 생기는 경우가 있었다.And even if the temperature distribution which arises in one conveyance is a slight thing, in the heating chamber in which the conventional room temperature was controlled uniformly, the response speed of the board | substrate conveyed into the heating chamber is slow, and the temperature distribution in the board | substrate which was once created is not solved by time. For this reason, the temperature distribution accumulates gradually every time the conveyance between heating chambers is repeated. In particular, in the heat treatment of a large-size glass substrate for PDP or the like, distortion of the film formed on the substrate or the substrate also occurs due to the temperature distribution in the substrate generated at the time of conveyance, and in some cases, the crack of the substrate may occur.

본 발명은 이러한 종래의 사정에 감안하여 이루어진 것으로, 가열실 내에서막 형성 소재를 포함하는 기판의 열처리를 행할 때에 실내의 평균 온도가 상이한 다른 인접한 가열실로부터의 열적 영향에 의해 기판 내에 온도 분포가 생기는 것을 억제하고, 기판 전체를 균일하게 열처리할 수 있는 기판의 열처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 본 발명은 설정 온도가 상이한 인접한 가열실 사이에서 막 형성 소재를 포함하는 기판을 반송할 때에 생긴 기판 내부 온도 분포를 빠른 시기에 해소할 수 있는 기판의 열처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 본 발명은 이들 열처리 방법에 적절하게 사용할 수 있는 연속식 열처리로를 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such a conventional situation, and when a heat treatment of a substrate including a film-forming material is performed in a heating chamber, a temperature distribution occurs in the substrate due to thermal effects from another adjacent heating chamber having a different average temperature in the room. It aims at providing the heat processing method of the board | substrate which can suppress a thing and heat-process uniformly the whole board | substrate. Moreover, an object of this invention is to provide the heat processing method of the board | substrate which can eliminate the board | substrate internal temperature distribution which arises at the time of conveying the board | substrate containing a film forming material between adjacent heating chambers which differs in set temperature. Moreover, an object of this invention is to provide the continuous heat processing furnace which can be used suitably for these heat processing methods.

도 1은 제1 열처리 방법에 따른 실시예의 일례를 보여주는 설명도로서, (a)는 가열 수단의 구성을 개략적으로 보여주고, (b)는 평탄 설정 시의 가열 수단의 설정 온도를 보여주며, (c)는 구배 설정 시의 가열 수단의 설정 온도를 보여주고, (d)는 피열처리체인 유리 기판과 해당 기판 상에 설치된 온도계의 위치를 보여준다.1 is an explanatory view showing an example of an embodiment according to the first heat treatment method, (a) schematically shows the configuration of the heating means, (b) shows the set temperature of the heating means in the flat setting, ( c) shows the set temperature of the heating means at the time of setting a gradient, (d) shows the position of the glass substrate which is a to-be-processed body, and the thermometer installed on the said board | substrate.

도 2는 제2 열처리 방법에 따른 실시예의 일례를 도시한 설명도로서, (a)∼(f)는 각각 승온 영역이 인접한 가열실 사이에서의 기판의 이동과 해당 이동 시의 설정 온도의 변화를 보여준다.FIG. 2 is an explanatory view showing an example of an embodiment according to the second heat treatment method, in which (a) to (f) respectively show the movement of the substrate between the heating chambers adjacent to the elevated region and the change in the set temperature during the movement. Shows.

도 3은 재생 버너 구조의 일례를 보여주는 개요도이다.3 is a schematic diagram showing an example of a regeneration burner structure.

도 4는 연속 전송 방식의 반송 수단을 이용한 경우의 반송 속도의 변경 타이밍을 보여주는 설명도로서, (a)는 가속 개시 시기, (b)는 최고 속도의 유지 기간, (c)는 감속 개시 시기를 각각 보여준다.Fig. 4 is an explanatory diagram showing the timing of changing the conveyance speed when the conveying means of the continuous transmission method is used, where (a) is an acceleration start time, (b) is a sustain period of the highest speed, and (c) is a deceleration start time. Show each one.

도 5는 PDP의 제조 공정을 보여주는 공정도이다.5 is a process chart showing a manufacturing process of the PDP.

도 6은 Si 함침 SiC의 적외선 조사율을 보여주는 그래프이다.6 is a graph showing the infrared irradiation rate of Si impregnated SiC.

〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉<Explanation of symbols for main parts of drawing>

1: 기판1: substrate

3, 5: 가열실3, 5: heating chamber

7: 칸막이 벽7: partition wall

13: 복사관13: radiant tube

15: 축열체15: heat storage body

본 발명에 따르면, 피열처리체의 반송 방향에 대해 구획된 복수 개의 가열실과, 인접한 가열실로 피열처리체를 반송하기 위한 반송 수단을 구비하고, 각 가열실에 적어도 피열처리체의 반송 방향에 대해 몇 개로 분할되어 각각이 독립된 제어계로서 개별적으로 온도 제어가 가능한 가열 수단이 설치된 연속식 열처리로를 사용해서 막 형성 소재를 포함하는 기판을 열처리하는 방법으로서, 상기 복수 개의 가열실 중 인접한 다른 가열실의 적어도 한 쪽과 실내의 평균 온도가 상이한 가열실에서는, 해당 가열실에 설치된 각 가열 수단의 설정 온도를 피열처리체의 반송 방향에서 다른 값이 되도록 제어해서 가열실 내의 온도에 구배를 마련함으로써 해당 가열실 내에서 열처리되고 있는 기판에 대해 인접한 다른 가열실이 미치는 열적 영향을 상쇄시켜 상기 기판을 균일하게 열처리하는 것을 특징으로 하는 기판의 열처리 방법(제1 열처리 방법)이 제공된다.According to the present invention, a plurality of heating chambers partitioned with respect to the conveying direction of the heat-treatment body and a conveying means for conveying the heat-treatment body to the adjacent heating chamber are provided, and each heating chamber is provided at least in several ways with respect to the conveyance direction of the heat-treatment body. A method of heat-treating a substrate including a film-forming material by using a continuous heat treatment furnace in which a heating means capable of individually controlling a temperature as an independent control system is provided, wherein the substrate is formed of at least one other adjacent heating chamber among the plurality of heating chambers. In a heating chamber in which the average temperature of one of the rooms is different from each other, the heating chamber is controlled by controlling the set temperature of each heating means installed in the heating chamber so as to be different from the conveying direction of the object to be treated, thereby providing a gradient in the temperature in the heating chamber. The thermal effects of other adjacent heating chambers on the substrate being heat-treated within Heat treatment of the substrate characterized in that for uniformly heating the substrate (first heat treatment) is provided.

또한, 본 발명에 따르면, 피열처리체의 반송 방향에 대해 구획된 복수 개의 가열실과, 인접한 가열실로 피열처리체를 반송하기 위한 반송 수단을 구비하고, 각 가열실에 적어도 피열처리체의 반송 방향에 대해 몇 개로 분할되어 각각이 독립된 제어계로서 개별적으로 온도 제어가 가능한 가열 수단이 설치된 연속식 열처리로를 사용해서 막 형성 소재를 포함하는 기판을 열처리하는 방법으로서, 설정 온도가 상이한 인접한 가열실 사이에서 기판을 반송할 때에 각 가열실의 온도 설정을 해당 기판의 반송에 동조시켜 변화시킴으로써, 해당 반송 공정에서 생긴 기판 내의 온도 분포를 빠른 시기에 해소하는 것을 특징으로 하는 기판의 열처리 방법(제2 열처리 방법)이 제공된다.According to the present invention, there is also provided a plurality of heating chambers partitioned with respect to the conveying direction of the object to be treated, and a conveying means for conveying the object to be treated to an adjacent heating chamber, and in each heating chamber at least in the conveying direction of the object to be treated. A method of heat-treating a substrate containing a film-forming material by using a continuous heat treatment furnace in which a heating means capable of individually controlling temperature as a separate control system and each having a separate control system is provided. By adjusting the temperature setting of each heating chamber to the conveyance of the said board | substrate at the time of conveyance, the temperature distribution in the board | substrate which arose in the said conveyance process is eliminated at an early time, The heat processing method of a board | substrate (2nd heat treatment method) This is provided.

또한, 본 발명에 따르면, 피열처리체의 반송 방향에 대해 구획된 복수 개의 가열실과, 인접한 가열실로 피열처리체를 반송하기 위한 반송 수단을 구비하고, 각 가열실에 적어도 피열처리체의 반송 방향에 대해 몇 개로 분할되어 각각이 독립된 제어계로서 개별적으로 온도 제어가 가능한 가열 수단이 설치된 연속식 열처리로로서, 상기 가열실에 설치된 각 가열 수단의 설정 온도가 피열처리체의 반송 방향에서 다른 값이 되도록 제어할 수 있는 온도 제어 장치를 갖는 것을 특징으로 하는 연속식 열처리로(제1 열처리로)가 제공된다.According to the present invention, there is also provided a plurality of heating chambers partitioned with respect to the conveying direction of the object to be treated, and a conveying means for conveying the object to be treated to an adjacent heating chamber, and in each heating chamber at least in the conveying direction of the object to be treated. A continuous heat treatment furnace provided with heating means capable of individually controlling the temperature as an independent control system, each of which is divided into several parts, and controls so that the set temperature of each heating means provided in the heating chamber becomes a different value in the conveying direction of the workpiece. A continuous heat treatment furnace (first heat treatment furnace) is provided, which has a temperature control device capable of doing so.

또한, 본 발명에 따르면, 피열처리체의 반송 방향에 대해 구획된 복수 개의 가열실과, 인접한 가열실로 피열처리체를 반송하기 위한 반송 수단을 구비하고, 각 가열실에 적어도 피열처리체의 반송 방향에 대해 몇 개로 분할되어 각각이 독립된 제어계로서 개별적으로 온도 제어가 가능한 가열 수단이 설치된 연속식 열처리로로서, 인접한 가열실 사이에서 피열처리체를 반송할 때에 각 가열실의 온도 설정을 해당 피열처리체의 반송에 동조시켜 변화시킬 수 있는 온도 제어 장치를 갖는 것을 특징으로 하는 연속식 열처리로(제2 열처리로)가 제공된다.According to the present invention, there is also provided a plurality of heating chambers partitioned with respect to the conveying direction of the object to be treated, and a conveying means for conveying the object to be treated to an adjacent heating chamber, and in each heating chamber at least in the conveying direction of the object to be treated. It is a continuous heat treatment furnace provided with heating means capable of controlling the temperature individually as an independent control system, each of which is divided into several parts, and when setting the temperature of each heating chamber to be transferred between adjacent heating chambers, A continuous heat treatment furnace (second heat treatment furnace) is provided, which has a temperature control device that can be changed in synchronization with conveyance.

본 발명의 제1 열처리 방법에 사용되는 연속식 열처리로는 피열처리체의 반송 방향에 대해 구획된 복수 개의 가열실과, 인접한 가열실로 피열처리체를 반송하기 위한 반송 수단을 구비한다. 각 가열실에는 적어도 피열처리체의 반송 방향에 대해 몇 개로 분할된 가열 수단이 설치되어 있다. 이들 분할된 가열 수단은 각각이 독립된 제어계로서 개별적으로 온도를 제어할 수 있게 되어 있다.The continuous heat treatment furnace used in the first heat treatment method of the present invention includes a plurality of heating chambers partitioned with respect to the conveying direction of the object to be treated, and a conveying means for conveying the object to be treated to an adjacent heating chamber. Each heating chamber is provided with heating means divided into several at least with respect to the conveyance direction of a to-be-processed object. These divided heating means are each capable of controlling temperature individually as independent control systems.

또한, 상기 반송 수단에는 인접한 가열실로 피열처리체를 간헐적으로 반송하는 간헐 전송 방식의 반송 수단을 사용하는 것이 바람직하다. 여기서,「간헐적으로 반송한다」라는 것은 노의 입구 측으로부터 n 번째의 가열실에서 피열처리체를 정지시켜 소정 시간 열처리를 행한 후, 해당 피열처리체를 가급적 신속히 인접한 노의 입구 측으로부터 n+1 번째의 가열실로 이동시키고, 다시 피열처리체를 정지시켜 소정 시간 열처리를 행하는 조작을 반복하는 반송 방법을 말한다. 이러한 반송 방법이 가능한 한도에서 반송 수단의 종류는 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 워킹 빔을 사용하거나, 롤러 컨베이어, 체인 컨베이어를 간헐적으로 구동시킬 수도 있다.Moreover, it is preferable to use the conveyance means of the intermittent transfer system which intermittently conveys a to-be-processed object to the adjacent heating chamber for the said conveyance means. Here, "intermittently conveying" refers to n + 1 from the inlet side of the adjacent furnace as soon as possible after stopping the to-be-processed object in the nth heating chamber from the furnace inlet side and performing heat treatment for a predetermined time. The conveyance method of moving to a 1st heating chamber, stopping a to-be-processed object again, and performing heat processing for a predetermined time is said. As long as this conveying method is possible, the kind of conveying means is not specifically limited, For example, a walking beam may be used, or a roller conveyor or a chain conveyor may be intermittently driven.

제1 열처리 방법에서는 상기한 바와 같이 구획된 복수 개의 가열실 중 인접한 다른 가열실의 적어도 한 쪽(노의 입구측 방향과 인접한 가열실과 노의 출구측 방향과 인접한 가열실의 어느 한 쪽 또는 양 쪽)과 실내의 평균 온도가 상이한 가열실에서, 해당 가열실에 설치된 각 가열 수단의 설정 온도를 피열처리체의 반송 방향에서 다른 값이 되도록 제어해서 가열실 내의 온도에 구배를 마련함으로써, 해당 가열실 내에서 열처리되고 있는 막 형성 소재를 포함하는 기판에 대해 인접한 다른 가열실이 미치는 열적 영향을 상쇄시킨다.In the first heat treatment method, at least one of the other adjacent heating chambers (the heating chamber adjacent to the inlet side direction of the furnace and the heating chamber adjacent to the outlet side direction of the furnace) among the plurality of heating chambers partitioned as described above. ) And the set temperature of each heating means installed in the heating chamber is controlled so as to be different from the conveying direction of the heat-treatment body in a heating chamber having a different average temperature in the room, thereby providing a gradient in the temperature in the heating chamber. It offsets the thermal effects of other adjacent heating chambers on the substrate including the film forming material that is being heat treated within.

즉, PDP용 유리 기판과 같은 막 형성 소재를 포함하는 기판(이하, 단순히「기판」이라고 한다)은 일반적으로 각 가열실을 순차적으로 이동하면서 원하는 온도 곡선에 따라 승온, 보온, 강온(냉각) 공정을 거쳐서 열처리되지만, 예컨대 기판의 온도를 올리는 승온 영역의 가열실에서는 노의 출구 측과 가까운 것일수록 실내의 평균 온도가 높게 설정되기 때문에, 승온 영역의 가열실 내로 반송된 기판은 노의 입구 측에 가까운 부위에서는 인접한 실내 평균 온도가 보다 낮은 가열실의 열적 영향을 받아 기판의 온도가 목표치보다 낮아지기 쉽고, 반대로 노의 출구 측에 가까운 부위에서는 인접한 실내 평균 온도가 보다 높은 가열실의 열적 영향을 받아 기판의 온도가 목표치보다 높아지기 쉽다.That is, a substrate including a film-forming material such as a glass substrate for PDP (hereinafter, simply referred to as a "substrate") generally moves each heating chamber sequentially while heating, heating and lowering (cooling) the process according to a desired temperature curve. In the heating chamber of the elevated temperature region where the temperature of the substrate is increased, for example, the average temperature of the room is set higher as it is closer to the outlet side of the furnace. Therefore, the substrate conveyed into the heating chamber of the elevated temperature region is placed on the inlet side of the furnace. In the near area, the temperature of the substrate tends to be lower than the target value due to the thermal effect of the heating chamber having a lower adjacent room average temperature, and conversely, in the area near the exit side of the furnace, the substrate is affected by the heat of the heating chamber in which the adjacent room average temperature is higher. The temperature of is likely to be higher than the target value.

이 때문에, 종래와 같이 각 가열실 내의 온도가 각각 일정해지도록 가열 수단의 온도를 제어했다고 해도, 인접한 다른 가열실이 기판에 미치는 열적 영향에 의해 기판 내에 반송 방향의 온도 분포가 생기고, 기판이나 기판에 형성된 막의 왜곡, 균열, 파손 등의 결함의 원인이 된다.For this reason, even if the temperature of the heating means is controlled so that the temperature in each heating chamber is constant as in the prior art, the temperature distribution in the conveying direction is generated in the substrate due to the thermal effect of other adjacent heating chambers on the substrate, This may cause defects such as distortion, cracking, and breakage of the film formed on the film.

그러므로, 제1 열처리 방법에서는, 인접한 다른 가열실의 열적 영향에 의해 기판 온도가 목표치보다 낮아지기 쉬운 부위를 가열하는 가열 수단에 대해서는 그 열적 영향에 의한 온도 저하를 상쇄시키도록 설정 온도를 높은 값으로 제어해서 해당 부위 주변의 분위기 온도를 상승시키고, 반대로 인접한 다른 가열실의 열적 영향에 의해 기판 온도가 목표치보다 높아지기 쉬운 부위를 가열하는 가열 수단에 대해서는 그 열적 영향에 의한 온도 상승을 상쇄시키도록 설정 온도를 낮은 값으로 제어해서 해당 부위 주변의 분위기 온도를 하강시키도록 함으로써, 동일한 가열실에 설치된 각 가열 수단의 설정 온도를 피열처리체의 반송 방향에서 다른 값이 되도록 제어해서 가열실 내의 온도에 구배를 마련한다.Therefore, in the first heat treatment method, for the heating means for heating a portion where the substrate temperature is likely to be lower than the target value due to the thermal influence of another adjacent heating chamber, the set temperature is controlled to a high value so as to cancel the temperature drop caused by the thermal influence. To increase the ambient temperature around the site and, conversely, to the heating means for heating the site where the substrate temperature is likely to be higher than the target due to the thermal effects of other adjacent heating chambers, the set temperature is offset to offset the temperature rise due to the thermal effect. By controlling the temperature to a lower value and lowering the ambient temperature around the site, a set temperature of each heating means installed in the same heating chamber is controlled so as to be different from the conveying direction of the heat-treatment body, thereby providing a gradient in the temperature in the heating chamber. do.

예컨대, 인접한 가열실과의 실내 평균 온도의 차이가 70℃인 승온 영역의 가열실 상부(노의 천정)에 도 1(a)와 같이 A∼I의 9개로 분할되어 각각이 독립된 제어계로서 개별적으로 온도 제어가 가능한 가열 수단을 설치해서 40 인치의 PDP용 유리 기판을 가열하는 경우에 있어서, 도 1(b)와 같이 분할된 가열 수단(A∼I)의 설정 온도를 전부 동일하게 했을 때(평탄 설정)와, 도 1(c)와 같이 중앙부의 가열 수단(D∼F)의 설정 온도(337℃)에 대해 입구측 가열 수단(G∼I)의 설정 온도를 높은 값(342℃)으로 하고, 출구측 가열 수단(A∼C)의 설정 온도를 낮은 값(332℃)으로 했을 때(구배 설정)에, 소정 시간 가열한 뒤 기판의 온도 분포를 조사하면 도 1(d)와 같이 ①∼⑨의 9개소에 온도계를 설치한 유리 기판의 해당 각 설치 개소의 온도와 그 편차는 표 1과 같이 되고, 평탄 설정시보다 구배 설정시 쪽이 기판 내의 온도 분포가 작았다.For example, as shown in Fig. 1 (a), the temperature is divided into nine parts A to I on the upper part of the heating chamber (the ceiling of the furnace) in which the difference in the indoor average temperature from the adjacent heating chamber is 70 ° C., and each of them is individually controlled as an independent control system. In the case of heating a 40-inch glass substrate for PDP by providing a controllable heating means, when the set temperatures of the divided heating means A to I are all the same as in FIG. 1 (b) (flat setting) ) And the set temperature of the inlet-side heating means G-I to a high value (342 degreeC) with respect to the set temperature (337 degreeC) of the heating means D-F of the center part, as shown in FIG.1 (c), When the set temperature of the outlet-side heating means A to C is set to a low value (332 ° C.) (gradient setting), the temperature distribution of the substrate is examined after heating for a predetermined time, as shown in Fig. 1 (d). The temperature and the deviation of each installation location of the glass board which installed thermometer in nine places of are shown in Table 1, and are set flat It is above the temperature distribution in the side of the substrate during the gradient setting was smaller.

측정치(℃)Measured value (℃) 편차Deviation 평탄 설정Flat setting 250250 251251 257257 240240 242242 244244 235235 236236 240240 2222 구배 설정Draft settings 224224 222222 225225 224224 222222 228228 227227 226226 230230 88

제1 열처리 방법에서는, 이와 같이 동일한 가열실 내에서 분할된 각 가열 수단의 설정 온도를 피열처리체의 반송 방향에서 다른 값이 되도록 제어해서 가열실 내의 온도에 구배를 마련함으로써, 인접한 다른 가열실이 기판에 미치는 열적 영향을 상쇄시켜 유리 기판을 균일하게 열처리한다. 그리고, 기판의 온도를 내리는 강온 영역의 가열실에 대해서는 입구측 가열 수단의 설정 온도를 낮은 값으로 제어하고, 출구측 가열 수단의 설정 온도를 높은 쪽의 값으로 제어해서, 상기한 예와는 반대의 온도 구배를 마련함으로써 기판의 균열화(均熱化)를 달성할 수 있다.In the first heat treatment method, by setting the temperature of each heating means divided in the same heating chamber in such a manner as to be different from the conveying direction of the object to be treated, a gradient is formed in the temperature in the heating chamber, whereby another adjacent heating chamber is formed. The glass substrate is uniformly heat treated to counteract the thermal effect on the substrate. And in the heating chamber of the low temperature area | region which lowers the temperature of a board | substrate, the setting temperature of an inlet side heating means is controlled to a low value, and the setting temperature of an outlet side heating means is controlled to a higher value, and it is contrary to the above-mentioned example. By providing a temperature gradient of, cracking of the substrate can be achieved.

가열실 내의 온도 구배의 설정 목적으로는 기판을 승온, 보온 및 강온(냉각) 공정으로 열처리하는 경우에 있어서, 기판이 보온을 행하는 가열실에 존재할 때에 해당 기판의 최고 온도 부위와 최저 온도 부위의 온도차(ΔT)가 6℃ 이하가 되도록 온도 구배를 설정하는 것이 바람직하다.For the purpose of setting the temperature gradient in the heating chamber, in the case where the substrate is heat-treated in a temperature raising, warming, and cooling (cooling) process, the temperature difference between the highest temperature region and the lowest temperature region of the substrate when the substrate is present in the heating chamber to insulate It is preferable to set a temperature gradient so that ((DELTA) T) will be 6 degrees C or less.

또한, 노 벽 등으로부터의 열적 영향에 의해 노의 폭 방향에서도 기판의 온도 분포가 생기는 경우에는, 가열 수단을 피열처리체의 반송 방향(노의 길이 방향)뿐만 아니라 노의 폭 방향으로도 분할해서, 각 가열 수단의 설정 온도를 해당 폭 방향에서도 다른 값이 되도록 제어하여 가열실 내에 온도 구배를 마련함으로써 상기 열적 영향을 상쇄시켜 보다 균일한 열처리를 행하는 것이 가능하다.In addition, when the temperature distribution of a board | substrate arises also in the width direction of a furnace by the thermal effect from a furnace wall etc., a heating means is divided not only in the conveyance direction (length direction of a furnace) of a to-be-processed object, but also in the width direction of a furnace. By controlling the set temperature of each heating means to be a different value even in the width direction, it is possible to offset the thermal effect and to perform a more uniform heat treatment by providing a temperature gradient in the heating chamber.

다음으로, 본 발명의 제2 열처리 방법에 대해 설명한다. 전술한 제1 열처리 방법은 동일한 가열실 내에 기판 전체가 존재하는 상태에서의 균열화(均熱化)를 목적으로 하고 있는 데 반하여, 제2 열처리 방법은 기판이 인접한 가열실 사이를 이동할 때에 생기는 온도 분포의 해소를 목적으로 해서 이루어진 것이다.Next, the second heat treatment method of the present invention will be described. While the above-described first heat treatment method is intended for cracking in the state where the entire substrate exists in the same heating chamber, the second heat treatment method is a temperature generated when the substrate moves between adjacent heating chambers. It is made for the purpose of eliminating distribution.

제2 열처리 방법에서도, 전술한 제1 열처리 방법에서 사용되는 열처리로와 동일한 기본 구조를 갖는 열처리로가 사용되지만, 이 방법에서는 각 가열실의 온도설정을 시종 고정하지 않고, 설정 온도가 상이한 인접한 가열실 사이에서 기판을 반송할 때에 각 가열실의 온도 설정을 해당 기판의 반송에 동조시켜 변화시킨다.Also in the second heat treatment method, a heat treatment furnace having the same basic structure as the heat treatment furnace used in the above-described first heat treatment method is used, but in this method, adjacent heating having different set temperatures without fixing the temperature setting of each heating chamber at all times. When conveying a board | substrate between chambers, the temperature setting of each heating chamber is synchronized with the conveyance of the said board | substrate, and is changed.

예컨대, 전술한 바와 같이 승온 영역의 가열실에서는 노의 출구 측에 가까울 수록 실내의 평균 온도가 높게 설정되기 때문에, 승온 영역이 인접한 가열실 사이에서 유리 기판을 반송할 때는 기판의 전방부(기판의 노의 출구 측에 가까운 부위)로부터 설정 온도가 보다 높은 이동처의 가열실 내로 보내진다.For example, as described above, the closer to the exit side of the furnace, the higher the average temperature of the room is set in the heating chamber of the elevated temperature region. Therefore, when the glass substrate is conveyed between adjacent heating chambers, the front portion of the substrate (the substrate From the portion near the outlet side of the furnace) is sent into the heating chamber of the moving destination having a higher set temperature.

이 때문에, 이동처의 가열실에 먼저 보내지는 기판의 전방부와, 지연되어 보내지는 후방부(기판의 노의 입구 측에 가까운 부위)에서는 상이한 열 이력을 받아 기판 내에 온도 분포가 생겨 버리게 되지만, 기판 전체가 동일한 가열실 내에 존재하는 상태에서의 균열화(均熱化)만을 고려해서 가열실의 온도 설정을 고정해 두면, 이 반송 시에 생긴 온도 분포가 해소되지 않고 가열실 사이에서 반송을 반복할 때마다 누적되어 증대한다.For this reason, in the front part of the board | substrate sent to the heating chamber of a moving destination first, and the back part (referred to the inlet side of the furnace of a board | substrate) which is delayedly sent, different heat history will generate | occur | produce a temperature distribution in a board | substrate, If the temperature setting of the heating chamber is fixed only in consideration of cracking in the state in which the entire substrate is present in the same heating chamber, the temperature distribution generated during the transportation is not solved, and the transfer is repeated between the heating chambers. Each time it accumulates and increases.

그러므로, 제2 열처리 방법에서는, 예컨대 도 2와 같이 각 가열실의 온도 설정을 기판의 반송에 동조시켜 변화시킨다. 도면 중 3과 5는 각각 승온 영역이 인접한 가열실이며, 1은 피열처리체가 되는 기판이다.Therefore, in the second heat treatment method, for example, as shown in FIG. 2, the temperature setting of each heating chamber is changed in synchronization with the transfer of the substrate. In the drawings, 3 and 5 are heating chambers in which the temperature raising regions are adjacent to each other, and 1 is a substrate to be a heat-treatment body.

우선, 도 2(a)에 도시한 기판(1)의 정지 상태에서, 각 가열실(3, 5)의 온도는 전술한 제1 열처리 방법에서 예시한 바와 같이 입구측 가열 수단의 온도를 높은 값으로 하고, 출구측 가열 수단의 온도를 낮은 값으로 제어해서 소정 온도의 구배가 이루어진 상태로 설정되어 있다.First, in the stationary state of the substrate 1 shown in Fig. 2 (a), the temperature of each heating chamber 3, 5 is a value higher than the temperature of the inlet heating means as exemplified in the above-described first heat treatment method. The temperature of the outlet-side heating means is controlled to a low value and is set in a state where a gradient of a predetermined temperature is achieved.

그리고, 상기 온도 설정에서 소정 시간의 열처리가 이루어진 후 기판(1)의 반송이 시작되고, 도 2(b)와 같이 기판(1) 전방부의 1/3 정도가 이동처의 가열실(5)로 들어간 시점으로부터 각 가열실의 입구측 설정 온도가 서서히 상승하기 시작한다. 또한, 도 2(c)와 같이 기판(1)의 이동 진행에 맞추어 입구측 설정 온도는 연속적으로 계속 상승하고, 도 2(d)와 같이 기판(1)이 이동처의 가열실(5)로 완전히 들어간 시점에서 각 가열실의 입구측 설정 온도는 최고 온도에 달한다.Then, after the heat treatment is performed for a predetermined time at the temperature setting, conveyance of the substrate 1 starts, and as shown in FIG. 2 (b), about one third of the front portion of the substrate 1 is moved to the heating chamber 5 of the moving destination. From the time when it entered, the inlet set temperature of each heating chamber will start to rise gradually. In addition, as shown in FIG. 2 (c), the inlet-side set temperature continues to rise continuously as the substrate 1 moves, and as shown in FIG. 2 (d), the substrate 1 moves to the heating chamber 5 of the moving destination. When fully entered, the inlet set temperature of each heating chamber reaches the maximum temperature.

이와 같이 기판(1)이 이동 전의 가열실(3)로부터 보다 설정 온도가 높은 이동처의 가열실(5)로 이동함에 따라 각 가열실의 입구측 설정 온도를 상승시켜 가면, 지연되어 이동처의 가열실로 들어오는 기판(1)의 보다 후방 부위만큼 이동처의 가열실 입구 부근에서 신속히 승온되어 먼저 고온에 노출된 보다 전방 부위의 온도에 조속히 따라 붙을 수 있다.Thus, when the board | substrate 1 moves from the heating chamber 3 before a movement to the heating chamber 5 of the moving destination with a higher set temperature, if it raises the inlet side set temperature of each heating chamber, it will delay and It is possible to rapidly increase the temperature near the entrance of the heating chamber of the moving destination by the rear portion of the substrate 1 entering the heating chamber and quickly catch up with the temperature of the front portion exposed to the high temperature first.

그리고, 도 2(e)와 같이, 기판(1)이 소정 위치에 정지한 뒤 각 가열실의 입구측 설정 온도는 서서히 강하하고, 도 2(f)와 같이 소정의 온도 구배로 되돌아간 시점으로부터 소정 시간의 열처리가 행해지며, 다시 다음 가열실로의 이동이 시작된다.Then, as shown in Fig. 2E, after the substrate 1 stops at the predetermined position, the set temperature at the inlet side of each heating chamber gradually drops, and from the time when it returns to the predetermined temperature gradient as shown in Fig. 2F. The heat treatment for a predetermined time is performed, and the movement to the next heating chamber is started again.

제2 열처리 방법에서는, 이와 같이 설정 온도가 상이한 인접한 가열실 사이에서 기판을 반송할 때에 각 가열실의 온도 설정을 해당 기판의 반송에 동조시켜 변화시킴으로써 반송 공정에서 생긴 기판 내의 온도 분포를 빠른 시기에 해소한다. 또한, 온도를 내리는 강온 영역이 인접한 가열실 사이에서 기판을 반송할 때는, 상기한 예와는 반대로 유리 기판의 이동에 동조시켜 가열실의 입구측 설정 온도를 서서히 강하시킴으로써 마찬가지로 반송 시에 생긴 온도 분포의 조기 해소를 꾀할 수 있다.In the second heat treatment method, when conveying substrates between adjacent heating chambers having different set temperatures in this manner, the temperature distribution in the substrate generated in the conveying step is changed at a time when the temperature setting of each heating chamber is synchronized with the conveyance of the substrate. Eliminate In addition, when conveying a board | substrate between adjacent heating chambers in which the temperature-falling area | region which lowers temperature, the temperature distribution which arose at the time of conveyance similarly to the above-mentioned example by synchronizing with the movement of a glass substrate, and gradually lowering the setting temperature of the inlet side of a heating chamber. Can be solved early.

또한, 상기한 예에서는 가열실의 입구측 설정 온도를 변화시켰지만, 상황에 따라 가열실의 출구측 설정 온도를 변화시키거나, 가열실내 전체의 설정 온도를 변화시킬 수도 있다. 그리고, 상기한 예와 같이 각 가열실 내의 설정 온도에 구배를 마련하지 않고 가열실내 전체의 설정 온도에 차이가 없는 상태로 온도를 변화시켜도 좋다.In addition, in the above-mentioned example, although the inlet set temperature of the heating chamber was changed, the outlet set temperature of the heating chamber may be changed or the set temperature of the whole heating chamber may be changed depending on a situation. As described above, the temperature may be changed in a state where there is no difference in the set temperature of the entire heating chamber without providing a gradient at the set temperature in each heating chamber.

다음으로, 본 발명의 열처리 방법에 적절하게 사용할 수 있는 연속식 열처리로에 대해 설명한다. 우선, 제1 열처리 방법을 실시하는 데에 적절한 연속식 열처리로(제1 열처리로)는, 전술한 바와 같이 그 기본적인 구성으로서 피열처리체의 반송 방향에 대해 구획된 복수 개의 가열실과, 인접한 가열실로 피열처리체를 반송하기 위한 반송 수단을 구비한다. 각 가열실에는 적어도 피열처리체의 반송 방향에 대해 몇 개로 분할된 가열 수단이 설치되어 있고, 이들 분할된 가열 수단은 각각이 독립된 제어계로서 개별적으로 온도를 제어할 수 있게 되어 있다.Next, a continuous heat treatment furnace that can be suitably used in the heat treatment method of the present invention will be described. First, the continuous heat treatment furnace (first heat treatment furnace) suitable for carrying out the first heat treatment method has, as described above, a plurality of heating chambers partitioned with respect to the conveying direction of the object to be treated, and adjacent heating chambers. A conveying means for conveying a to-be-processed object is provided. Each heating chamber is provided with heating means divided into several at least in the conveyance direction of the object to be treated, and these divided heating means are each capable of controlling temperature individually as independent control systems.

또한, 이 연속식 열처리로는 그 특징적인 구성으로서 가열실에 설치된 각 가열 수단의 설정 온도가 피열처리체의 반송 방향에서 다른 값이 되도록 제어할 수 있는 온도 제어 장치를 가지며, 이에 따라 전술한 제1 열처리 방법을 용이하게 실시할 수 있다.Moreover, this continuous heat treatment furnace has a temperature control apparatus which can control so that the set temperature of each heating means installed in a heating chamber may become a different value in the conveyance direction of a to-be-processed object as a characteristic structure, and accordingly, 1 The heat treatment method can be easily carried out.

제2 열처리 방법을 실시하는 데에 적절한 연속식 열처리로(제2 열처리로)도기본적인 구성은 마찬가지이지만, 그 특징적인 구성으로서 인접한 가열실 사이에서 피열처리체를 반송할 때에 각 가열실의 온도 설정을 해당 피열처리체의 반송에 동조시켜 변화시킬 수 있는 온도 제어 장치를 가지며, 이에 따라 전술한 제2 열처리 방법을 용이하게 실시할 수 있다.The continuous heat treatment furnace (second heat treatment furnace) suitable for carrying out the second heat treatment method has the same basic structure, but as a characteristic feature, the temperature of each heating chamber when conveying the heat-treatment body between adjacent heating chambers. It has a temperature control apparatus which can change a setting to be synchronized with conveyance of the said to-be-processed object, and can implement easily the 2nd heat processing method mentioned above by this.

상기한 어떤 열처리로에서도 가열 수단으로서는 온도 제어가 용이한 전기 히터를 사용하는 것이 바람직하지만, 운전 비용의 면에서 유리한 가스 연소식 간접 가열식 버너(복사관 버너)를 가열 수단의 일부 또는 전부에 사용할 수 있다. 또한, 복사관에는 스트레이트형, 싱글엔드형, U자형 등이 있지만, 이들 중 어떤 것을 사용해도 좋다. 또한, 가스 연소식 간접 가열식 버너로는 축열체를 내장한 배열(排熱) 회수형의 재생 버너가 바람직하다.In any of the above heat treatment furnaces, it is preferable to use an electric heater with easy temperature control as the heating means, but a gas-fired indirect heating burner (radiation tube burner) which is advantageous in terms of operating cost can be used for part or all of the heating means. have. Moreover, although there exist a straight type | mold, a single-ended type | mold, a U-shape, etc. in a radiation tube, you may use any of these. Moreover, as a gas fired indirect heating type burner, the regeneration burner of the heat recovery type | mold with a heat accumulator is preferable.

도 3은 재생 버너의 구조의 일례를 보여주는 개요도로서, 복사관(13)의 양끝에 각각 버너와 세라믹 벌집형 등으로 이루어지는 축열체(15)를 구비하고 있다. 이 복사관(13)의 양끝에 구비한 버너를 교대로 전환해서 연소시키면 높은 에너지 절약 효과를 얻을 수 있다.FIG. 3 is a schematic diagram showing an example of the structure of the regeneration burner, and is provided with heat storage bodies 15 made of a burner, a ceramic honeycomb type, and the like at both ends of the radiation tube 13, respectively. When the burners provided at both ends of the radiation tube 13 are alternately burned, a high energy saving effect can be obtained.

즉, 복사관의 일단의 버너가 연소하고 있을 때는 복사관의 타단으로부터 배기를 행하면서 배열을 축열체로 회수하고, 상기 타단 버너로 연소를 전환했을 때에는 축열체로 회수한 배열을 이용해서 연소 공기를 예열함으로써 버너 가열에 필요한 연료 사용량을 줄일 수 있다. 또한, 짧은 주기로 전환을 행함으로써 복사관 표면의 온도 분포가 작아져서 균일한 가열이 가능해진다.That is, when one burner of the radiating tube is burning, the heat is recovered from the other end of the radiating tube while exhausting the heat to the heat accumulator, and when the combustion is switched to the other end burner, the combustion air is preheated using the heat recovered by the heat accumulating body. This reduces the amount of fuel required for burner heating. In addition, by switching at short intervals, the temperature distribution on the surface of the radiation tube is reduced, enabling uniform heating.

가열 수단과 피열처리체의 이동 영역 사이에는 머플을 배치하는 것이 바람직하고, 그 머플의 일부 또는 전부가 적외선 조사율이 높은 재질로 이루어지는 것이 특히 바람직하다. 가열 수단으로부터 발생되는 열을 일단 머플로 받음으로써 머플로부터 원적외선 또는 근적외선이 조사되기 때문에 피열처리체를 보다 신속히 가열하는 것이 가능해지기 때문이다. 또한, 해당 머플로 가열 수단과 피열처리체의 이동 영역을 기밀적으로 격리함으로써 피열처리체의 이동 영역에서의 청정도가 확보된다고 하는 효과도 있다.It is preferable to arrange a muffle between a heating means and the moving region of a to-be-processed object, and it is especially preferable that one part or all part of the muffle consists of a material with high infrared irradiation rate. This is because the far-infrared or near-infrared rays are irradiated from the muffle by receiving the heat generated from the heating means once, allowing the heat-treatment to be heated more quickly. Moreover, there is also an effect that the cleanliness in the moving region of the to-be-processed object is ensured by hermetic isolation of the said muffle heating means and the moving region of a to-be-processed object.

머플을 구성하는 적외선 조사율이 높은 재질로는 SiC를 함유하는 소결체가 바람직하며, 그 중에서도 Si 함침 SiC가 특히 바람직하다. Si 함침 SiC는 탄화규소와 탄소를 주성분으로 하는 성형체를 금속 규소가 존재하는 감압의 불활성 가스 분위기 또는 진공 중에서 금속 규소를 함침시키면서 소결시킴으로써 얻는 것이며, 예컨대 결정화 유리와의 비교에서도 도 6에 도시한 바와 같이 현저히 높은 적외선 조사율을 나타내고, 또한 열전도율도 매우 높다.As a material with high infrared irradiation rate which comprises a muffle, the sintered compact containing SiC is preferable, and Si impregnated SiC is especially preferable. Si-impregnated SiC is obtained by sintering a molded article mainly composed of silicon carbide and carbon while impregnating metal silicon in a vacuum under an inert gas atmosphere or vacuum in which metal silicon is present, and for example, as shown in FIG. 6 in comparison with crystallized glass. Likewise, it shows a remarkably high infrared irradiation rate and a very high thermal conductivity.

반송 수단에는 전술한 바와 같은 피열처리체를 간헐적으로 반송하는 간헐 전송 방식의 것과, 피열처리체를 각 가열실에 정지시키지 않고 항상 이동시키면서 연속적으로 반송하는 연속 전송 방식의 것이 있다. 본 발명에서는 간헐 전송 방식의 반송 수단이 적절하게 이용되지만, 피열처리체의 온도를 올리는 승온 영역의 가열실 사이 및 피열처리체의 보온을 행하는 보온 영역의 가열실 사이의 반송에는 연속 전송 방식의 반송 수단을 사용하고, 피열처리체의 온도를 내리는 강온(냉각) 영역의 가열실 사이의 반송에는 간헐 전송 방식의 반송 수단을 이용하는 것과 같이 구역에 따라 양자를 구별지어 사용해도 좋다.The conveying means includes an intermittent transmission method for intermittently conveying the above-described target object and a continuous transmission method for continuously conveying the target object without moving to each heating chamber. In this invention, although the conveyance means of an intermittent transfer system is used suitably, conveyance of a continuous transfer system is conveyed between the heating chambers of the temperature rising area which raises the temperature of a to-be-processed object, and between the heating chambers of the heat-retaining area | region which heat-insulates a to-be-processed object. A means may be used for the conveyance between the heating chambers of the low temperature (cooling) region in which the temperature of the heat-treatment body is lowered.

다만, 상기한 바와 같이 승온 영역의 가열실 사이 및 보온 영역의 가열실 사이의 반송에 연속 전송 방식의 반송 수단을 이용할 경우에는, 피열처리체가 인접한 가열실 사이에 걸친 상태로 이동할 때에 생기는 온도 분포를 작게 하기 위해서, 피열처리체 전체가 동일한 가열실 내에 위치하는 기간의 반송 속도에 대해, 피열처리체가 인접한 가열실 사이에 걸친 상태로 이동하는 기간의 반송 속도를 충분히 빠르게 할 필요가 있다. 구체적으로는, 전자의 기간의 반송 속도에 대해 후자의 기간의 반송 속도가 20배 이상인 것이 바람직하고, 50배 이상이면 더욱 바람직하다. 이러한 반송 속도의 변경이 가능한 연속 전송 방식의 반송 수단으로는, 예컨대 롤러 컨베이어나 체인 컨베이어를 들 수 있다.However, when the conveyance means of a continuous transfer system is used for conveyance between the heating chambers of a temperature rising area | region and the heating chamber of a heat insulation area | region as mentioned above, the temperature distribution which arises when a to-be-processed object moves to the state between adjacent heating chambers is used. In order to make it small, it is necessary to make the conveyance speed of the period to which the to-be-processed body to move in the state spanning between adjacent heating chambers sufficiently high with respect to the conveyance speed of the period in which the whole to-be-processed object is located in the same heating chamber. It is preferable that the conveyance speed of the latter period is 20 times or more with respect to the conveyance speed of the former period specifically, and it is still more preferable if it is 50 times or more. As a conveyance means of the continuous transmission system which can change such a conveyance speed, a roller conveyor or a chain conveyor is mentioned, for example.

반송 속도 변경의 구체적인 타이밍으로는, 예컨대 도 4(a)와 같이 피열처리체인 기판(1)의 선단이 이동 전의 가열실(3)과 이동처의 가열실(5)을 구획하는 칸막이 벽(7)의 전방측 하부에 도달한 시점으로부터 반송 속도의 가속을 행하여 최고 속도에 도달한 후, 도 4(b)와 같이 기판(1)이 가열실(3, 5) 사이에 걸친 상태로 있는 동안은 그 상태를 유지한다. 그리고, 도 4(c)와 같이 기판(1)의 후단이 칸막이 벽(7)의 이면측 하부에 도달한 시점부터 감속해서 기판(1) 전체가 가열실 내에 위치하고 있는 동안은 소정의 저속도로 반송한다.As a specific timing of a conveyance speed change, the partition wall 7 which divides the heating chamber 3 before a movement, and the heating chamber 5 of a moving destination into the front end of the board | substrate 1 which is a to-be-processed body, for example like FIG.4 (a). After the conveyance speed is accelerated from the time point at which the front lower portion reaches the bottom to reach the maximum speed, as shown in FIG. 4 (b), while the substrate 1 is in the state spanned between the heating chambers 3 and 5, Maintain that state. And as shown in FIG.4 (c), it decelerates from the time when the rear end of the board | substrate 1 reached the lower part of the back surface side of the partition wall 7, and conveys it at predetermined low speed while the board | substrate 1 whole is located in the heating chamber. do.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 가열실 내에서 막 형성 소재를 포함하는 기판을 열처리할 때에, 실내의 평균 온도가 상이한 다른 인접한 가열실로부터의 열적 영향에 의해 기판 내에 온도 분포가 생기는 것을 억제해서 기판 전체를 균일하게 열처리할 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 설정 온도가 상이한 인접한 가열실 사이에서 막 형성 소재를 포함하는 기판을 반송할 때에 생긴 기판 내부의 온도 분포를 빠른 시기에 해소할 수 있다.As described above, according to the present invention, when heat-treating a substrate including a film-forming material in a heating chamber, it is suppressed that a temperature distribution occurs in the substrate by thermal effects from another adjacent heating chamber having a different average temperature in the room. Thus, the entire substrate can be heat treated uniformly. Moreover, according to this invention, the temperature distribution in the inside of the board | substrate which arises at the time of conveying the board | substrate containing a film forming material between adjacent heating chambers which differs in set temperature can be eliminated at an early time.

Claims (29)

피열처리체의 반송 방향에 대해 구획된 복수 개의 가열실과, 인접한 가열실로 피열처리체를 반송하기 위한 반송 수단을 구비하고, 각 가열실에 적어도 피열처리체의 반송 방향에 대해 몇 개로 분할되어 각각이 독립된 제어계로서 개별적으로 온도 제어 가능한 가열 수단이 설치된 연속식 열처리로를 사용해서 막 형성 소재를 포함하는 기판을 열처리하는 방법에 있어서,A plurality of heating chambers partitioned with respect to the conveyance direction of a to-be-processed object, and conveyance means for conveying a to-be-processed object to an adjacent heating chamber, are divided into each several at least with respect to the conveyance direction of a to-be-processed object, respectively. In a method of heat-treating a substrate containing a film-forming material using a continuous heat treatment furnace provided with a heating means capable of temperature control individually as an independent control system, 상기 복수 개의 가열실 중 인접한 다른 가열실의 적어도 한 쪽과 실내의 평균 온도가 상이한 가열실에서는, 해당 가열실에 설치된 각 가열 수단의 설정 온도를 피열처리체의 반송 방향에서 다른 값이 되도록 제어해서 가열실 내의 온도에 구배를 마련함으로써, 해당 가열실 내에서 열처리되고 있는 기판에 대해 인접한 다른 가열실이 미치는 열적 영향을 상쇄시켜 상기 기판을 균일하게 열처리하는 것을 특징으로 하는 기판의 열처리 방법.In a heating chamber in which at least one of the adjacent heating chambers of the plurality of heating chambers differs from the average temperature in the room, the set temperature of each heating means provided in the heating chamber is controlled so as to be different from the conveying direction of the heat-treatment body. A heat treatment method for a substrate, wherein the substrate is uniformly heat treated by providing a gradient at a temperature in the heating chamber, thereby canceling the thermal effect of another heating chamber adjacent to the substrate being heat treated in the heating chamber. 제1항에 있어서, 상기 반송 수단은 인접한 가열실로 피열처리체를 간헐적으로 반송하는 간헐 전송 방식의 반송 수단인 것을 특징으로 하는 기판의 열처리 방법.2. The method of heat-treating a substrate according to claim 1, wherein the conveying means is an intermittent transfer method of intermittently conveying the object to be treated to an adjacent heating chamber. 제1항에 있어서, 상기 기판을 승온, 보온 및 강온 공정으로 열처리하는 경우에 있어서, 상기 기판이 보온을 행하는 가열실에 존재할 때 해당 기판의 최고 온도부위와 최저 온도 부위의 온도차(ΔT)가 6℃ 이하가 되도록 가열실 내의 온도에 구배를 마련하는 것을 특징으로 하는 기판의 열처리 방법.The temperature difference ΔT between the highest temperature portion and the lowest temperature portion of the substrate according to claim 1, wherein when the substrate is heat-treated in a temperature raising, warming, and lowering process, when the substrate is present in a heating chamber for warming, A gradient is provided at a temperature in the heating chamber so that the temperature is lower than or equal to ° C. 피열처리체의 반송 방향에 대해 구획된 복수 개의 가열실과, 인접한 가열실로 피열처리체를 반송하기 위한 반송 수단을 구비하고, 각 가열실에 적어도 피열처리체의 반송 방향에 대해 몇 개로 분할되어 각각이 독립된 제어계로서 개별적으로 온도 제어 가능한 가열 수단이 설치된 연속식 열처리로를 사용해서 막 형성 소재를 포함하는 기판을 열처리하는 방법에 있어서,A plurality of heating chambers partitioned with respect to the conveyance direction of a to-be-processed object, and conveyance means for conveying a to-be-processed object to an adjacent heating chamber, are divided into each several at least with respect to the conveyance direction of a to-be-processed object, respectively. In a method of heat-treating a substrate containing a film-forming material using a continuous heat treatment furnace provided with a heating means capable of temperature control individually as an independent control system, 설정 온도가 상이한 인접한 가열실 사이에서 기판을 반송할 때에, 각 가열실의 온도 설정을 해당 기판의 반송에 동조시켜 변화시킴으로써, 해당 반송 공정에서 생긴 기판 내의 온도 분포를 빠른 시기에 해소하는 것을 특징으로 하는 기판의 열처리 방법.When conveying a board | substrate between adjacent heating chambers from which a set temperature differs, the temperature setting of each heating chamber is changed and synchronized with the conveyance of the said board | substrate, and the temperature distribution in the board | substrate which arose in the said conveyance process is eliminated early, It is characterized by the above-mentioned. Heat treatment method of the substrate. 제4항에 있어서, 상기 반송 수단은 인접한 가열실로 피열처리체를 간헐적으로 반송하는 간헐 전송 방식의 반송 수단인 것을 특징으로 하는 기판의 열처리 방법.5. The method of heat-treating a substrate according to claim 4, wherein said conveying means is an intermittent transfer type conveying means for intermittently conveying a heat treatment member to an adjacent heating chamber. 피열처리체의 반송 방향에 대해 구획된 복수 개의 가열실과, 인접한 가열실로 피열처리체를 반송하기 위한 반송 수단을 구비하고, 각 가열실에 적어도 피열처리체의 반송 방향에 대해 몇 개로 분할되어 각각이 독립된 제어계로서 개별적으로온도 제어 가능한 가열 수단이 설치된 연속식 열처리로에 있어서,A plurality of heating chambers partitioned with respect to the conveyance direction of a to-be-processed object, and conveyance means for conveying a to-be-processed object to an adjacent heating chamber, are divided into each several at least with respect to the conveyance direction of a to-be-processed object, respectively. In a continuous heat treatment furnace equipped with heating means capable of temperature control as an independent control system, 상기 가열실에 설치된 각 가열 수단의 설정 온도가 피열처리체의 반송 방향에서 다른 값이 되도록 제어할 수 있는 온도 제어 장치를 갖는 것을 특징으로 하는 연속식 열처리로.And a temperature control device capable of controlling the set temperature of each heating means provided in the heating chamber to be a different value in the conveying direction of the object to be treated. 제6항에 있어서, 상기 가열 수단은 전기 히터인 것을 특징으로 하는 연속식 열처리로.The continuous heat treatment furnace according to claim 6, wherein the heating means is an electric heater. 제6항에 있어서, 상기 가열 수단의 일부 또는 전부가 가스 연소식 간접 가열식 버너인 것을 특징으로 하는 연속식 열처리로.A continuous heat treatment furnace according to claim 6, wherein part or all of the heating means is a gas fired indirectly heated burner. 제8항에 있어서, 상기 가스 연소식 간접 가열식 버너는 축열체를 내장한 배열 회수형의 재생 버너인 것을 특징으로 하는 연속식 열처리로.The continuous heat treatment furnace according to claim 8, wherein the gas-fired indirect heating burner is a heat recovery type regeneration burner having a heat storage body. 제6항에 있어서, 상기 가열 수단과 피열처리체의 이동 영역 사이에 머플이 배치되고, 이 머플의 일부 또는 전부가 적외선 조사율이 높은 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 연속식 열처리로.The continuous heat treatment furnace according to claim 6, wherein a muffle is disposed between the heating means and the moving region of the object to be treated, and part or all of the muffle is made of a material having a high infrared irradiation rate. 제7항에 있어서, 상기 가열 수단과 피열처리체의 이동 영역 사이에 머플이 배치되고, 이 머플의 일부 또는 전부가 적외선 조사율이 높은 재질로 이루어지는것을 특징으로 하는 연속식 열처리로.8. The continuous heat treatment furnace according to claim 7, wherein a muffle is disposed between the heating means and the moving region of the object to be treated, and part or all of the muffle is made of a material having a high infrared irradiation rate. 제8항에 있어서, 상기 가열 수단과 피열처리체의 이동 영역 사이에 머플이 배치되고, 이 머플의 일부 또는 전부가 적외선 조사율이 높은 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 연속식 열처리로.The continuous heat treatment furnace according to claim 8, wherein a muffle is disposed between the heating means and the moving region of the object to be treated, and part or all of the muffle is made of a material having a high infrared irradiation rate. 제9항에 있어서, 상기 가열 수단과 피열처리체의 이동 영역 사이에 머플이 배치되고, 이 머플의 일부 또는 전부가 적외선 조사율이 높은 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 연속식 열처리로.10. The continuous heat treatment furnace according to claim 9, wherein a muffle is disposed between the heating means and the moving region of the object to be treated, and part or all of the muffle is made of a material having a high infrared irradiation rate. 제10항에 있어서, 상기 적외선 조사율이 높은 재질은 SiC를 함유하는 소결체 인 것을 특징으로 하는 연속식 열처리로.The continuous heat treatment furnace according to claim 10, wherein the material having a high infrared irradiation rate is a sintered body containing SiC. 제6항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반송 수단은 인접한 가열실로 피열처리체를 간헐적으로 반송하는 간헐 전송 방식의 반송 수단인 것을 특징으로 하는 연속식 열처리로.The continuous heat treatment furnace according to any one of claims 6 to 14, wherein the conveying means is an intermittent transfer type conveying means for intermittently conveying the object to be treated to an adjacent heating chamber. 제6항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 피열처리체의 온도를 올리는 승온 영역의 가열실 사이 및 피열처리체의 보온을 행하는 보온 영역의 가열실 사이의 반송에는 연속 전송 방식의 반송 수단을 사용하고, 피열처리체의 온도를 내리는 강온 영역의 가열실 사이의 반송에는 간헐 전송 방식의 반송 수단을 사용하는 것을 특징으로 하는 연속식 열처리로.The conveying means of any one of Claims 6-14 which conveys between the heating chambers of the temperature rising area which raises the temperature of a to-be-processed body, and between the heating chambers of the heat-retaining area | region which heat-insulates a to-be-processed body. And a conveying means of an intermittent transfer method is used for conveying between heating chambers of the low temperature area which lowers the temperature of a to-be-processed object, and is used. 제16항에 있어서, 상기 연속 전송 방식의 반송 수단은 피열처리체 전체가 동일 가열실 내에 위치하는 기간의 반송 속도에 대해, 피열처리체가 인접한 가열실 사이에 걸친 상태로 이동하는 기간의 반송 속도를 20배 이상으로 할 수 있는 속도 변경이 가능한 것을 특징으로 하는 연속식 열처리로.The conveyance means of the continuous transfer method according to claim 16, wherein the conveying means of the continuous transfer method is adapted to convey the conveying speed of the period in which the to-be-processed object moves in a state between adjacent heating chambers with respect to the conveying speed of the period in which the entire to-be-processed object is located in the same heating chamber. Continuous heat treatment furnace, characterized in that the speed change can be made 20 times or more. 피열처리체의 반송 방향에 대해 구획된 복수 개의 가열실과, 인접한 가열실로 피열처리체를 반송하기 위한 반송 수단을 구비하고, 각 가열실에 적어도 피열처리체의 반송 방향에 대해 몇 개로 분할되어 각각이 독립된 제어계로서 개별적으로 온도 제어가 가능한 가열 수단이 설치된 연속식 열처리로에 있어서,A plurality of heating chambers partitioned with respect to the conveyance direction of a to-be-processed object, and conveyance means for conveying a to-be-processed object to an adjacent heating chamber, are divided into each several at least with respect to the conveyance direction of a to-be-processed object, respectively. In a continuous heat treatment furnace provided with a heating means capable of individually temperature control as an independent control system, 인접한 가열실 사이에서 피열처리체를 반송할 때에, 각 가열실의 온도 설정을 해당 피열처리체의 반송에 동조시켜 변화시킬 수 있는 온도 제어 장치를 갖는 것을 특징으로 하는 연속식 열처리로.A continuous heat treatment furnace characterized by having a temperature control device capable of changing the temperature setting of each heating chamber in synchronization with the conveyance of the heat treatment target body when conveying the heat treatment target body between adjacent heating chambers. 제18항에 있어서, 상기 가열 수단은 전기 히터인 것을 특징으로 하는 연속식 열처리로.19. A continuous heat treatment furnace according to claim 18, wherein the heating means is an electric heater. 제18항에 있어서, 상기 가열 수단의 일부 또는 전부가 가스 연소식 간접 가열식 버너인 것을 특징으로 하는 연속식 열처리로.19. A continuous heat treatment furnace according to claim 18, wherein part or all of the heating means is a gas fired indirectly heated burner. 제20항에 있어서, 상기 가스 연소식 간접 가열식 버너는 축열체를 내장한 배열 회수형의 재생 버너인 것을 특징으로 하는 연속식 열처리로.21. The continuous heat treatment furnace according to claim 20, wherein the gas-fired indirectly heated burner is a heat recovery type regeneration burner having a heat storage body. 제18항에 있어서, 상기 가열 수단과 피열처리체의 이동 영역 사이에 머플이 배치되고, 이 머플의 일부 또는 전부가 적외선 조사율이 높은 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 연속식 열처리로.19. The continuous heat treatment furnace according to claim 18, wherein a muffle is disposed between the heating means and the moving region of the object to be treated, and part or all of the muffle is made of a material having a high infrared irradiation rate. 제19항에 있어서, 상기 가열 수단과 피열처리체의 이동 영역 사이에 머플이 배치되고, 이 머플의 일부 또는 전부가 적외선 조사율이 높은 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 연속식 열처리로.20. The continuous heat treatment furnace according to claim 19, wherein a muffle is disposed between the heating means and the moving region of the object to be treated, and part or all of the muffle is made of a material having a high infrared irradiation rate. 제20항에 있어서, 상기 가열 수단과 피열처리체의 이동 영역 사이에 머플이 배치되고, 이 머플의 일부 또는 전부가 적외선 조사율이 높은 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 연속식 열처리로.21. The continuous heat treatment furnace according to claim 20, wherein a muffle is disposed between the heating means and the moving region of the object to be treated, and part or all of the muffle is made of a material having a high infrared irradiation rate. 제21항에 있어서, 상기 가열 수단과 피열처리체의 이동 영역 사이에 머플이 배치되고, 이 머플의 일부 또는 전부가 적외선 조사율이 높은 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 연속식 열처리로.22. The continuous heat treatment furnace according to claim 21, wherein a muffle is disposed between the heating means and the moving region of the object to be treated, and part or all of the muffle is made of a material having a high infrared irradiation rate. 제22항에 있어서, 상기 적외선 조사율이 높은 재질은 SiC를 함유하는 소결체 인 것을 특징으로 하는 연속식 열처리로.The continuous heat treatment furnace according to claim 22, wherein the material having a high infrared irradiation rate is a sintered body containing SiC. 제18항 내지 제26항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반송 수단은 인접한 가열실로 피열처리체를 간헐적으로 반송하는 간헐 전송 방식의 반송 수단인 것을 특징으로 하는 연속식 열처리로.27. The continuous heat treatment furnace according to any one of claims 18 to 26, wherein the conveying means is an intermittent transfer method of conveying the object to be thermally intermittently to an adjacent heating chamber. 제18항 내지 제26항 중 어느 한 항에 있어서, 피열처리체의 온도를 올리는 승온 영역의 가열실 사이 및 피열처리체의 보온을 행하는 보온 영역의 가열실 사이의 반송에는 연속 전송 방식의 반송 수단을 사용하고, 피열처리체의 온도를 내리는 강온 영역의 가열실 사이의 반송에는 간헐 전송 방식의 반송 수단을 사용되는 것을 특징으로 하는 연속식 열처리로.27. The conveying means of any one of Claims 18-26 which conveys between the heating chambers of the temperature rising area which raises the temperature of a to-be-processed body, and between the heating chambers of the heat-retaining area which heat-insulates a to-be-processed body. And a conveying means of an intermittent transfer method is used for conveying between heating chambers of the low temperature region which lowers the temperature of a to-be-processed object, using the. 제28항에 있어서, 상기 연속 전송 방식의 반송 수단은 피열처리체 전체가 동일 가열실 내에 위치하는 기간의 반송 속도에 대해, 피열처리체가 인접한 가열실 사이에 걸친 상태로 이동하는 기간의 반송 속도를 20배 이상으로 할 수 있는 속도 변경이 가능한 것을 특징으로 하는 연속식 열처리로.The conveying means of the continuous transfer method according to claim 28, wherein the conveying means of the continuous transfer method is configured to convey the conveying speed of the period in which the to-be-processed object moves in a state between adjacent heating chambers with respect to the conveying speed of the period in which the whole to-be-processed object is located in the same heating chamber. Continuous heat treatment furnace, characterized in that the speed change can be made 20 times or more.
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