KR100429410B1 - 접지면에 원형 슬롯을 갖는 마이크로스트립 스파이럴 안테나 - Google Patents

Abstract

본 발명은 접지면에 원형 슬롯을 갖는 마이크로스트립 스파이럴 안테나에 관한 것으로, 특히 편심 스파이럴 안테나를 평면적으로 구현한 것으로서 주빔이 안테나 평면에 수직한 방향으로 향하지 않고 기울어져 있으며 주빔의 방향으로 원형 편파를 갖고, 주빔의 방향이 주파수에 따라와

Description

접지면에 원형 슬롯을 갖는 마이크로스트립 스파이럴 안테나{Microstrip Spiral Antenna with a Circular Slot on the Ground Plane}

본 발명은 접지면에 원형 슬롯을 갖는 마이크로스트립 스파이럴 안테나에 관한 것으로, 특히 편심 스파이럴 안테나를 평면적으로 구현한 것으로서 주빔이 안테나 평면에 수직한 방향으로 향하지 않고 기울어져 있으며 주빔의 방향으로 원형 편파를 갖고, 주빔의 방향이 주파수에 따라와방향으로 일정하게 변하도록 하여 동작 대역에서 주빔의 방향을 예측할 수 있도록 하는 마이크로스트립 스파이럴 안테나에 관한 것이다.

스파이럴 안테나는 1954년 이.엠. 터너(E.M. Turner)에 의해 제안된 주파수독립 안테나(Frequency independent antenna)로서 소형의 구조이며 광대역 정합특성을 지니고 있고 원형 편파를 얻을 수 있는 장점이 있다. 상기 스파이럴 안테나는 주로 전자 지원측정(ESM)의 수신단에 사용되며, 군사용 또는 상업용 방향탐지 안테나로 많이 사용되고 있다.

상기 스파이럴 안테나는 스파이럴 중심에 대하여 대칭적인 구조를 지니므로 모든 주파수 영역에서 스파이럴 평면에 수직한 방향으로 원형 편파의 주빔(main beam)을 가진다. 일반적인 스파이럴 안테나 구조에서 중심을 바깥쪽으로 이동시킨 편심 스파이럴 안테나(eccentric spiral antenna)는 주빔이 원형 편파를 나타내기는 하지만, 주빔의 방향이 안테나 평면에 수직하지 않고 경사지게 된다. 이와 같은 특성은 자동차나 비행체 등의 표면에 부착할 경우 유용할 수 있으며, 단일 소자만으로 수직에서 기운 방향으로 원형 편파를 복사한다.

또한, 두 개의 나선으로 구성되는 스파이럴 안테나는 스파이럴 암(spiral arm)의 안쪽 끝 부분에 급전을 해야하기 때문에 일반적으로 안테나의 중앙으로부터 수직으로 급전한다. 그러나 수직 급전방법의 경우에는 방사소자인 스파이럴이 평면 구조일지라도 급전구조로 인하여 수직으로의 부피가 증가하게 되고, 또한 급전부의 정합을 위하여 별도로 벌룬(balun)을 설계해야 하는 어려운 문제점도 있었다.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 접지면에 위치한 슬롯 스파이럴을 마이크로스트립 벌룬을 이용하여 급전하는 방법, 하나의 사각 슬롯 스파이럴을 사용하는 방법, 하나의 스파이럴이 직선 마이크로스트립 선로와 결합(coupling)하여 급전하는 방법, 그리고 두 개의 스파이럴의 바깥쪽 암으로부터 급전하는 방법 등 기존의 스파이럴 안테나와 동일한 특성을 지니며 평면의 구조로 구현할 수 있는 안테나에 관한 연구가 많이 수행되고 있다.

상기 편심 스파이럴 안테나는 바깥쪽으로 이동한 동일 중심을 가지는 두 개의 스파이럴 암이 필요한다.

그러나 현재 사용되고 있는 스파이럴 안테나의 평면구조 구현방법으로는 편심효과를 얻을 수 없기 때문에 편심 스파이럴 안테나의 평면구조의 구현은 불가능하다는 문제점이 있었다.

따라서 본 발명은 상술한 문제점들을 해결하기 위하여 스파이럴 안테나의 한쪽 암을 접지면 위의 원형 슬롯(slot)으로 교체함으로써 동일한 중심을 가지는 하나의 스파이럴과 원형 슬롯의 원주 사이에 편심 효과를 얻도록 하여 평면 구조의 편심 스파이럴 안테나를 구현하는 것을 목적으로 한다.

또한, 상기 안테나를 간단한 마이크로스트립 구조를 사용하여 구현함으로써 평면의 급전 구조를 지니며, 별도의 정합단의 필요없이 설계가 간편하고, 제작의 전과정이 기존의 평판 회로공정 기법을 통하여 이루어 질 수 있도록 하여 제작 결과가 정확하고, 안테나를 대량생산 할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 유전상수을 가지며 높이가 h인 유전체 기판과, 상기 유전체 기판 상면에 형성된 접지면과, 상기 접지면의 중앙에 형성된 반지름인 슬롯과, 상기 유전체 기판 밑면의 상기 슬롯과 동일한 중심을가지고 형성되는 스파이럴 라인과 이러한 구조를 통하여 구현된 마이크로스트립 스파이럴 안테나를 특징으로 한다.

도1a는 본 발명에 따른 접지면에 원형 슬롯을 갖는 마이크로스트립 스파이럴 안테나를 나타낸 사시도.

도1b는 도1a의 스파이럴 라인을 나타낸 평면도.

도2a는 본 발명에 따른 접지면에 원형 슬롯을 갖는 마이크로스트립 스파이럴 안테나의 주파수 변화에 따른방향으로의 주빔 방향을 나타낸 그래프.

도2b는 본 발명에 따른 접지면에 원형 슬롯을 갖는 마이크로스트립 스파이럴 안테나의 주파수 변화에 따른방향으로의 주빔 방향을 나타낸 그래프.

도3은 본 발명에 따른 접지면에 원형 슬롯을 갖는 마이크로스트립 스파이럴 안테나의 스파이럴 종단위치 변화에 따른 전압 정재파비를 나타낸 그래프.

도4는 본 발명에 따른 접지면에 원형 슬롯을 갖는 마이크로스트립 스파이럴 안테나의 스파이럴 종단위치 변화에 따른 주빔 방향으로의 축비를 나타낸 그래프.

도5는 본 발명에 따른 접지면에 원형 슬롯을 갖는 마이크로스트립 스파이럴 안테나의 스파이럴 시작위치 변화에 따른 주빔 방향으로의 축비를 나타낸 그래프.

도6은 본 발명에 따른 접지면에 원형 슬롯을 갖는 마이크로스트립 스파이럴안테나의 계산된 3차원 복사패턴 및의 단면을 나타낸 그래프.

도7은 본 발명에 따른 접지면에 원형 슬롯을 갖는 마이크로스트립 스파이럴 안테나의 반사계수를 나타낸 그래프.

도8a, 8b, 8c는 본 발명에 따른 접지면에 원형 슬롯을 갖는 마이크로스트립 스파이럴 안테나의 측정된 복사패턴을 나타낸 그래프.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

10 : 마이크로스트립 스파이럴 안테나

11 : 유전체 기판 12 : 접지면

13 : 원형슬롯 14 : 스파이럴 라인

이하, 첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.

먼저, 도1a는 본 발명에 따른 접지면에 원형슬롯을 갖는 마이크로스트립 스파이럴 안테나를 나타낸 것으로, 유전상수을 가지며, 높이가 h인 유전체 기판(11) 상면에 접지면(12)을 형성하고, 상기 접지면(12)을 에칭하여 반지름을 가지는 원형의 슬롯(13)을 형성한다. 상기와 같이 접지면(12)과 슬롯(13)을 가지는 유전체 기판(11)의 하면 전체에 도전물질을 도포한 후, 상기 도전물질을 사진식각법과 같은 방법으로 에칭하여 슬롯 (13)하부에 스파이럴 라인(14)과 그 스파이럴 라인(14)의 외단에 접선방향으로 연결된 직선의 급전선(15)을 형성한다. 즉, 유전체 기판(11) 상부에는 슬롯(13)이 형성되어 있는 접지면(11)을, 하부에는 스파이럴 라인(14)과 직선의 급전선(15)을 갖는 구조이다.

상기 스파이럴 라인은 도1b에 도시된 바와 같이 아르키메디안 스파이럴(Archimedean spiral) 형태를 가지며 수학식1로 구현된다.

여기서는 스파이럴의 중심점으로부터 스파이럴 암까지의 거리이며, 스파이럴의 중심점과 접지면에 위치한 원형 슬롯의 중심점은 동일하다. 또한, C는 스파이럴의 증가율을 결정하는 상수로서 스파이럴 암 사이의 간격 d와 급전선의 선폭에 의존한다, 그러므로 암과 중심지점 사이의 거리는 스파이럴이 1회전할 때만큼 증가함을 알 수 있다. 또한,는에서까지 변하면서 스파이럴을 구현하게 되는데는 스파이럴의 안쪽 시작위치, 그리고는 스파이럴의 최외각 암의 종단위치를 나타내는 변수이다. 여기서는 단지 스파이럴을 구현하기 위한 변수로서 일반적인 구 좌표계(spherical coordinates)의와는 무관하다. 본 발명에서는 슬롯이 위치한 방향으로 RHCP(right hand circular polarization)를 얻기 위하여의 값을 시계방향으로 회전하면서 증가하는 값으로 정하였다.

도2a 및 도2b는 상술한 바와 같이 제조된 접지면에 원형 슬롯을 갖는 마이크로스트립 스파이럴 안테나의 주파수 변화에 따른 주빔 방향을와값으로 나타낸 것으로, 도2a는 주빔 방향의값이 낮은 주파수 범위에서는 거의 0°에 가깝지만 주파수가 증가함에 따라서 점점 증가함을 볼 수 있다. 이것은 주파수가 높아짐에 따라 주빔이 안테나 평면에 수직한 방향에서 점점 기울어짐을 의미한다. 도2b는 주파수 변화에 따라방향에 대해서도 일정하게 빔이 회전하고 있는 것을 나타낸다.

실제로 4 GHz에서 주빔이를 향하며 주파수 증가에 따라 일정하게 회전하여 8 GHz 근처에서 다시 동일한방향을 향하게 된다. 상기와 같은 주빔의특징으로부터 본 발명의 마이크로스트립 원형 슬롯 안테나가 편심 스파이럴 안테나와 유사한 특정을 지니고 있는 것을 알 수 있다.

그러나, 일반적인 편심 스파이럴 안테나는 편심계수(eccentricity constant)에 따라서 다소 차이가 있기는 하지만 주파수의 증가에 따라 주빔의 방향변화가 일정하지 않고, 주파수의 증가에 따라 주빔 방향의값이 증가하다가 갑자기 감소하기도 하며, 주빔이방향으로도 급격한 변화를 나타내기도 한다.

하지만, 본 발명의 접지면에 원형 슬롯을 갖는 마이크로스트립 스파이럴 안테나는 주파수의 증가에 따라서 주빔이 수직한 방향으로부터 선형적으로 기울어지며방향으로 일정하게 회전하고 있으므로 주파수 변화에 따른 주빔의 방향을 쉽게 예측할 수 있다. 상기와 같이 주파수 변화에 따라서 주빔의 방향이 기울어 지면서 회전하는 현상은 스파이럴 암과 원형 슬롯 사이의 간격에 의한 편심효과 때문이다. 스파이럴 암이 회전하면서 슬롯 원주의 안쪽으로 점점 진입하기 때문에 스파이럴 암을 따라서 진행하는 전류에 의한 슬롯 안에서의 전계 분포가 비대칭적으로 이루어지게 된다. 또한 스파이럴 암과 원형 슬롯 원주 사이의 물리적인 간격이 일정하더라도 보다 높은 주파수에서는 전기적인 간격이 증가하여 편심효과도 증가하게 되므로 주빔이 더욱 기울게 된다.

상술한 바와 같은 접지면에 원형 슬롯을 갖는 마이크로스트립 스파이럴 안테나는 반사판(reflector)이나 흡수체(absorber)가 부착되어지지 않은 슬롯 구조이므로 안테나 평면을 기준으로 양방향으로의 방사가 이루어진다. 본 발명에서는 슬롯이 위치한 방향으로 복사되는 RHCP를 갖는 주빔만을 고찰 대상으로 삼아 상술한 효과를 입증하기로 한다.

상기 효과를 입증하기 위한 안테나의 설계를 위해 시뮬레이션은 지랜드(Zeland)사의 IE3D를 사용하였고, 유전상수이며, 두께인 RT Duroid 5880 기판을 사용한다. 또한, 슬롯의 반지름, 급전선의 저항 50Ω, 급전부의 선폭, 선로간의 간격,로 고정시키고값을 각각 690°, 730°, 770°로 변환시키며 특성을 관찰하였다.

먼저,값이 730°인 경우 스파이럴의 외각 종단점과 스파이럴 중심사이의 거리가 슬롯의 반지름와 거의 같은 경우이며,값이 690°인 경우는 스파이럴이 슬롯의 반지름의 안쪽에서 종단된 것이고,값이 770°인 경우는 스파이럴이 슬롯의 반지름 바깥쪽으로 나온 뒤 종단된 경우이다.

도3은 본 발명에 의해 설계된 접지면에 원형 슬롯을 갖는 마이크로스트립 스파이럴 안테나의 시뮬레이션 결과에 따른 전압 정재파비를 나타낸 것으로,값이 증가하여 스파이럴 암이 길어질수록 정합이 잘됨을 알 수 있다. 또한,값이 770°일 경우에는 전 구간에서 1.5 이하의 전압 정재파비를 나타낸다. 스파이럴 암은 슬롯의 원주를 따라서 서서히 안으로 접근하면서 급격한 임피던스 변화를 줄이게 되므로 좋은 정합특성을 위해서는 스파이럴 암의 바깥쪽 끝 부분이 슬롯의 밖으로나온 후에 직선 급전선을 연결해야 한다.

다음에 도4는 본 발명에 따른 접지면에 원형 슬롯을 갖는 마이크로스트립 스파이럴 안테나의 주빔 방향에 대한 축비(axial ratio)의 시뮬레이션 결과를 나타낸 것으로,값에 따라서 다소의 차이는 있지만 4 GHz 근처에서 9 GHz까지의 대역에서 3 dB 이하의 축비를 나타내고 있다. 상기값의 변화는 축비가 3 dB 이하로 떨어지기 시작하는 부분에 크게 영향을 주는데, varphi _e 값이 730°인 경우에 3 dB 이하의 축비가 가장 낮은 주파수 영역인 3.7 GHz에서부터 시작되었다. 이에 비하여 varphi _e값이 770°인 경우에는 도3에 도시된 바와 같이 낮은 주파수 영역에서도 임피던스 정합이 되었지만 varphi _e값이 730°인 경우보다 3dB 이하의 축비 시작 주파수가 높아졌다. 즉 최적의 종단점인 varphi _e값이 730°인 지점을 기준으로 바깥쪽으로 증가된 스파이럴 암은 낮은 주파수 영역의 축비를 높이는 요인으로 작용함을 알 수 있다. 그러므로 암의 길이가 축비와 전압 정재파비에 미치는 영향을 모두 고려하여값을 선택하여야 한다.

스파이럴의 시작위치()에 따른 안테나의 축비 변화를 알아보기 위하여 다른 변수들은 그대로 유지하고 종단위치로 고정시킨 후,값을 각각 0°, 200°, 300°로 변화시키며 시뮬레이션을 하였다. 이것은 곧 스파이럴의 안쪽 시작되는 부분을 각각의값 만큼씩 잘라가면서 실험한 것과 같다. 그러므로일 경우는 안쪽의 암을 잘라내지 않은 처음 그대로의 스파이럴이다.

도5는 본 발명에 따른 접지면에 원형 슬롯을 갖는 마이크로스트립 스파이럴 안테나에서값의 변화에 따른 주빔 방향으로의 축비를 나타낸 것이다.일 경우 축비 3 dB 이하의 시작 주파수는 3.7 GHz이며,값이 200°일 경우에도 축비 3 dB 이하의 시작 주파수는 다소 높아지지만 넓은 대역에서 축비가 3 dB 이하로 유지된다. 그러나일 경우에는 축비가 급격히 변화하여 전구간에서 원형편파가 거의 형성되지 않음을 볼 수 있다. 이 경우에값은 730°이었으므로 실제 스파이럴의 암 구간은 430°()로서 스파이럴 암이 1.2 회전하고 있는 경우이다. 그러므로 스파이럴 암이 적어도 1.5회전을 이루어야만 넓은 원형편파 대역을 유지할 수 있다는 것을 알 수 있다. 이것은 스파이럴이 1.5회전하지 못하였을 경우에는 스파이럴 암으로부터 슬롯으로의 충분한 커플이 일어날 수 없으므로, 커플되지 않은 큰 잔여 전류 성분이 스파이럴 암의 안쪽 끝단에서 반사되어 입사전류와 반대 방향으로 전류가 흐르게 되기 때문이다.

다음에 선로 사이의 간격 d를 각각 2.6 mm, 3.9 mm, 5.2 mm로 변환시키며 보다 낮은 주파에서부터 임피던스 정합과 낮은 축비를 얻을 수 있는 최적의값을 계산한 결과는 각각 920°, 730°, 660°이었다. 여기에서 서로 다른 선로간격 d에 대하여 각각의 최적화된값을 선택했을 경우, 스파이럴의 바깥쪽 종단점과 스파이럴 중심점 사이의 거리가 원형 슬롯의 반지름와 거의 같게 되는 것을 알 수있 다. 그러므로 초기 설계시에 스파이럴의 바깥쪽 종단점과 중심점간의 거리를와 같게 만드는를 선택한 후 특성에 따라 다소 증가시키거나 감소시킴으로써 쉽게 최적의 종단 위치를 결정할 수 있다. 또한 선로간격 d가 선폭의 1~2배일 경우에 넓은 주파수 대역에서 축비가 유지되었다.

도6은 본 발명의 접지면에 원형 슬롯을 갖는 마이크로스트립 스파이럴 안테나의 주빔이 주파수가 증가함에 따라 안테나 평면의 수직한 방향에서 점점 기울어지는 입체적인 모습과 각각의 주파수에 따라서 주빔의방향에 대하여 수직하게 절단한 것을 나타낸 복사패턴의 모습이다. 도시된 바와 같이 주파수가 증가함에 따라 주빔이방향으로 기울어지며, 슬롯이 위치한 위 방향으로의 주빔이 RHCP를 나타내고 있다. 그러나 6 GHz에서 주빔의 반대방향으로의 부엽(sidelobe)이 나타나며 8 GHz에서는 주빔의 반대방향으로의 부엽의 크기가 -7 dB까지 증가한다. 실제로는 약 5.5 GHz에서부터 주빔의 반대방향으로의 부엽이 나타나기 시작되어 주파수가 증가함에 따라서 복사패턴이 도넛 모양으로 발전된다. 이것이 캐비티 모델(Cavity Model)에 근거하여 그에 대한 쌍대성(duality)을 고려하여 볼 때 안테나 평면에 수직한 방향을 향하는 빔을 갖는 3.9 GHz 근처에서의 첫 번째 공진 TE₁₁모드에서 전방향성의 빔을 갖는 6.5 GHz 근처의 두 번째 공진 모드인 TE₂₁모드로 변해가기 때문이다. 이 구조는 스파이럴과 원형 슬롯 사이에서의 편심효과로 인하여 두 번째 공진 모드에서 비대칭적 전방향성을 갖게 되므로 높은 주파수 범위에서 도6(b)와 같은 모양을 나타낸다.

상술한 바와 같이 시뮬레이션에 의한 스파이럴 라인을 이용한 마이크로스트립 원형 슬롯 안테나의 구조로서, 유전상수이며 두께인 RT Duroid 5880 기판을 사용하여 100mm ×100mm의 유한 접지면(finite ground)을 갖는 유전체 기판을 이용하여 안테나를 제작하였다.

상기 기판의 접지면에 형성되는 원형 슬롯의 반지름, 급전선의 저항 50Ω, 급전부의 선폭, 선로간의 간격,인 설계 변수를 갖는 구조로, 상술한 반사계수와 축비를 모두 고려하여 제조하였다.

도7은 본 발명에 따른 접지면에 원형 슬롯을 갖는 마이크로스트립 스파이럴 안테나의 시뮬레이션과 실측의 반사계수를 비교한 것을 나타낸 것으로, 두 가지 결과가 매우 유사하나 제조된 안테나가 높은 주파수 영역에서 다소 낮은 쪽으로 천이된 모습을 나타낸다. 이러한 차이는 제작한 구조에서 접지면의 슬롯과 스파이럴 급전선 사이의 정렬(alignment)이 다소 좋지 않았거나 무한 접지면을 사용하여 시뮬레이션 하였지만 실제로는 유한 접지면에서 제조한 것에 기인한 오차이다.

다음에 도8a, 도8b 및 도8c는 본 발명에 따른 접지면에 원형 슬롯을 갖는 마이크로스트립 스파이럴 안테나의 3.8 GHz, 4.8 GHz 와 5.8 GHz에서 각각 주빔의단면에 대하여 측정된 복사패턴이다. 예상했던 바와 같이 주파수가 증가함에 따라 주빔이 점점 기울게 됨을 확인 할 수 있다.

상술한 바와 같이 본 발명은 원형 편파를 갖는 주빔의 방향이 주파수 변화에 따라서 일정하게 움직이는 스파이럴 라인을 이용한 원형 안테나는 슬롯이 위치한 방향에 대하여 4 GHz~9 GHz 대역에서 주빔의 방향으로 3 dB 이하의 축비를 얻을 수 있었다. 또한, 빔의방향 기움각은 4 GHz에서 5°이었으며 이후 약 10°/GHz씩 선형적으로 증가하였고 주빔이방향으로 시계반대방향을 따라서 회전한다. 이러한 특성은 선폭의 간격 d가 급전선의 선폭의 1~2배 사이의 값을 가지면서 원형 슬롯의 반지름 내에서 스파이럴 급전선이 적어도 1.5회 이상 회전할 때 가능하다. 또한 원하는 주파수 영역의 가장 낮은 주파수 파장의 약 1.5배 되는 원주를 갖는 슬롯을 선택한 후 스파이럴을 구현하며, 스파이럴 암이 길어질수록 정합특성이 향상되고, 짧아질수록 저주파수 영역에서 낮은 축비를 얻을 수 있다.

또한, 주빔이 기우는 방향은 슬롯과 스파이럴 암 사이의 간격에 의해 결정되며 주빔의 원형 편파의 회전방향은 스파이럴의 회전방향에 의하여 결정할 수 있다. 시뮬레이션을 통하여 최적화 한 구조는 4.8 GHz에서 최고 4.2 dBi의 이득을 가지며 전구간에서 2.8 dBi 이상의 이득을 가짐을 알 수 있다.

상기와 같은 구조는 그 자체로서 기운 빔을 복사하는 안테나로 활용할 수 있고, 빔 제어회로를 사용하여 빔 제어용 안테나로도 사용할 수 있다.

상술한 바와 같이 본 발명은 스파이럴 안테나의 한쪽 암을 접지면 위의 원형 슬롯으로 교체함으로써 동일한 중심을 가지는 하나의 스파이럴과 원형 슬롯의 원주 사이에서 편심효과를 얻도록 하여 평면 구조의 편심 스파이럴 안테나를 구현할 수있다.

또한, 본 발명의 마이크로스트립 원형 안테나는 간단한 마이크로스트립 구조를 사용하여 제조할 수 있으므로 평면의 급전 구조를 지니고, 별도의 정합단을 필요로 하지 않아 설계가 간편한다.

또한 본 발명의 안테나는 전 과정이 기존의 평판회로 공정 기법을 통하여 이루어질 수 있으므로 제작결과가 정확하여 대량생산을 할 수 있다는 이점이 있다.

Claims (2)

1. 유전상수을 가지며 높이가 h인 유전체 기판과,

   상기 유전체 기판 상면에 형성된 접지면과,

   상기 접지면의 중앙에 형성된 반지름인 슬롯과,

   상기 유전체 기판 밑면의 상기 슬롯과 중심점이 동일한 부분에 형성되는 스파이럴 라인과 그 스파이럴 라인의 외단에 접선방향으로 연결된 직선의 급전선을 포함하며,

   상기 스파이럴 라인은

   (여기서,는 스파이럴의 중심점으로부터 스파이럴 암까지의 거리, C는 스파이럴의 증가율을 결정하는 상수, d는 스파이럴 암 사이의 간격,는 급전선의 선폭)에 의해 스파이럴 암의 크기가 결정되는 것을 특징으로 하는 접지면에 원형 슬롯을 갖는 마이크로스트립 스파이럴 안테나.
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