KR100429225B1 - Thermo-Optical Switch - Google Patents

Thermo-Optical Switch Download PDF

Info

Publication number
KR100429225B1
KR100429225B1 KR10-2001-0072387A KR20010072387A KR100429225B1 KR 100429225 B1 KR100429225 B1 KR 100429225B1 KR 20010072387 A KR20010072387 A KR 20010072387A KR 100429225 B1 KR100429225 B1 KR 100429225B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
thermo
silica
core
refractive index
Prior art date
Application number
KR10-2001-0072387A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20030041554A (en
Inventor
이재은
정민재
Original Assignee
엘지전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지전자 주식회사 filed Critical 엘지전자 주식회사
Priority to KR10-2001-0072387A priority Critical patent/KR100429225B1/en
Publication of KR20030041554A publication Critical patent/KR20030041554A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100429225B1 publication Critical patent/KR100429225B1/en

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/26Optical coupling means
    • G02B6/35Optical coupling means having switching means
    • G02B6/3564Mechanical details of the actuation mechanism associated with the moving element or mounting mechanism details
    • G02B6/3568Mechanical details of the actuation mechanism associated with the moving element or mounting mechanism details characterised by the actuating force
    • G02B6/3576Temperature or heat actuation
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/26Optical coupling means
    • G02B6/35Optical coupling means having switching means
    • G02B6/351Optical coupling means having switching means involving stationary waveguides with moving interposed optical elements
    • G02B6/3524Optical coupling means having switching means involving stationary waveguides with moving interposed optical elements the optical element being refractive

Abstract

본 발명은 열광학 스위치를 제공하기 위한 것으로서, 기판; 상기 기판 상에 형성된 하부클래드층; 상기 하부클래드층 상에 실리카로 형성된 코어층; 상기 코어층 및 하부클래드층 상에 형성된 상부클래드층; 상기 코어층 및 하부클래드층 상에 형성된 상부클래드층 상에 적어도 하나의 금속 패턴으로 형성된 히터를 포함하여 구성되며, 코어층으로 실리카를 이용하여 코어층의 퇴화를 막을 수 있고 광이 코어층으로 잘 전파되도록 하며, 클래드층으로 열광학 계수가 작은 실리카를 더 형성하기 때문에 저온 및 고온에 영향을 적게 받고 폴리머층까지 광모드의 분포세기를 줄이며, 광손실을 줄인다.The present invention provides a thermo-optic switch, comprising: a substrate; A lower clad layer formed on the substrate; A core layer formed of silica on the lower clad layer; An upper clad layer formed on the core layer and the lower clad layer; It comprises a heater formed in at least one metal pattern on the upper cladding layer formed on the core layer and the lower cladding layer, it is possible to prevent the deterioration of the core layer by using silica as a core layer and light is well It propagates and forms more silica with a smaller thermo-optic coefficient as the cladding layer, thereby reducing the intensity of distribution of the optical mode to the polymer layer and reducing the light loss due to the low temperature and high temperature.

Description

열광학 스위치{Thermo-Optical Switch}Thermo-optic Switch {Thermo-Optical Switch}

본 발명은 광스위치에 관한 것으로, 스위칭의 구동전력이 작고 수백 ㎲ 이하의 스위칭 속도를 가지는 열광학 스위치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical switch, and more particularly, to a thermo-optic switch having a small driving power and having a switching speed of several hundreds of kilowatts or less.

열광학 스위치는 온도에 따라 재료의 굴절률 변화를 이용하여 광의 흐름을 제어하는 소자로서, 광도파로의 특정한 부위에 전극을 부착하여 흐르는 전류를 조절함으로서 광의 경로를 조절하는 소자이다.Thermo-optic switch is a device that controls the flow of light by using a change in the refractive index of the material according to the temperature, a device for controlling the light path by adjusting the current flowing by attaching the electrode to a specific portion of the optical waveguide.

이와 같은 광도파로형 열광학 광스위치 소자의 구조는 빛의 간섭을 이용 한 마하젠더 간섭계형(Mach-Zehnder interferometer)과, 광진화(Mode Evolution) 특성을 이용한 디지털형 열광학 스위치 DOS(Digital Optical Switch, 또는 Y형), 방향성 결합기형(directional coupler)으로 나눌 수 있다.The structure of the optical waveguide thermo-optic optical switch element is a Mach-Zehnder interferometer using light interference, and a digital thermo-optic switch using optical evolution (DOS) digital optical switch. , Or Y-type), and a directional coupler.

도1는 디지털형 열광학 스위치를 도시한 것으로 기판, 하부클래드층(20)(underclad layer), 코어층(30)(core), 상부클래드층(40)(upperclad) 및 히터(50)로 이루어진다.FIG. 1 shows a digital thermo-optic switch comprising a substrate, an underclad layer 20, a core layer 30, an upper clad layer 40, and a heater 50. FIG. .

디지털형 열광학 스위치를 이용한 광도파 원리는 다음과 같다.The optical waveguide principle using the digital thermo-optic switch is as follows.

광도파로의 각 분기 도파로 위에 금 등과 같이 열전도성이 우수한 금속으로 전극을 형성하고 한쪽 전극에 전류를 흐르게 하면 히터(50)로부터 열이 전달되어 저항에 의해 열이 발생한다. 이 열이 전극으로부터 도파로 부위에 열이 전달되고, 열이 전달된 도파로는 굴절률이 작아져 광이 전파되지 않는다.When electrodes are formed of metal having excellent thermal conductivity such as gold on each branch waveguide of the optical waveguide, and current flows through one electrode, heat is transferred from the heater 50 to generate heat by resistance. Heat is transferred from the electrode to the waveguide portion, and the waveguide through which the heat is transmitted has a small refractive index, so that light does not propagate.

즉, 열에 의해 두 분기 도파로 사이의 굴절률의 차이가 생기고, 이에 의해 굴절률이 큰 도파로는 광이 진행하고, 굴절률이 작은 도파로는 광이 전파되지 않는다.That is, a difference in refractive index between the two branch waveguides occurs due to heat, whereby light propagates in the waveguide having a large refractive index, and light does not propagate in the waveguide having a small refractive index.

마하젠더 간섭계형이나 방향성 결합형 열광학 스위치는 간섭현상을 이용하는 것으로, 하나의 도파로에서 갈라져 나온 두 분기 도파로 사이에 한쪽에 열을 가하여 굴절률을 다르게 만들어 경로차를 발생시켜 간섭현상을 만들어 스위칭한다.A Mach-Zehnder interferometer or directional coupling thermo-optic switch uses interference phenomena, which induces a difference in refractive index by applying heat to one side between two branched waveguides splitting out of one waveguide to generate a path difference, thereby switching to create an interference phenomenon.

상기의 간섭계 구조는 온도에 민감하며, 누화율이 낮은 단점이 있으나 스위칭 파워가 낮은 장점이 있다.The interferometer structure is sensitive to temperature and has a disadvantage of low crosstalk but low switching power.

반면에 DOS 스위치는 반응특성이 디지털 형태로서 간섭계 형태보다 온도 및 편광특성이 뛰어나다. 그리고 DOS 스위치는 분기각이 약 0.1∼0.15° 정도로 매우 작은 Y-분기 형태이며, 모드 진화특성을 이용하기 때문에 한쪽 팔의 온도가 증가하여 양팔의 굴절률 차이가 어느 이상이 되면 더 이상 출력 특성의 변화가 없는 디지털 특성을 나타낸다.On the other hand, the DOS switch has a digital response, which is better in temperature and polarization than the interferometer. In addition, the DOS switch is a Y-branch with a very small branch angle of about 0.1 to 0.15 °. Since the mode evolution characteristic is used, the output characteristics are no longer changed when the temperature of one arm increases and the difference in refractive index between the two arms becomes more than one. There is no digital characteristic.

따라서 DOS 스위치는 광도파로의 복굴절이 존재하여도 편광특성에 무관하게 동작하는 장점이 있다. 또한 스위칭 누화도 쉽게 -25 dB 이하로 얻을 수 있다. 그러나 간섭계형 스위치와 비교하여 스위칭 전력이 높은 단점이 있다.Therefore, the DOS switch has an advantage of operating irrespective of polarization characteristic even in the presence of birefringence of the optical waveguide. Switching crosstalk can also be easily achieved below -25 dB. However, there is a disadvantage that the switching power is higher than the interferometric switch.

이와 같은 이유로 열광학 계수가 상대적으로 낮은 실리카 광도파로 소자에서는 주로 간섭계형 스위치를 제작하며, 열광학 계수가 큰 폴리머 광도파로에서는 DOS 형태의 스위치를 제작한다.For this reason, interferometric switches are mainly manufactured in silica optical waveguide devices with relatively low thermo-optic coefficients, and DOS-type switches are fabricated in polymer optical waveguides with large thermo-optic coefficients.

열광학 스위치를 구현하기 위하여 열광학 계수가 큰 물질을 사용해야 하므로 열광학 계수가 큰 폴리머를 사용한다.In order to implement thermo-optic switches, a material having a large thermo-optic coefficient is used. Therefore, a polymer having a large thermo-optic coefficient is used.

폴리머는 일반적으로 도파로에서 사용되는 실리카보다 열광학계수가 10배 이상 좋으므로 쉽게 열광학 스위치를 구현할 수 있다.Polymers have ten times more thermo-optic coefficients than silica used in waveguides, making it easy to implement thermo-optic switches.

그러나 폴리머는 다루기가 쉬운 장점이 있으나 폴리머를 이용한 열광학 스위치의 경우 광통신대역에서 사용하는 근적외선에 노출될 경우 산소와 결합하여 쉽게퇴화(degration)된다.However, polymers have the advantage of being easy to handle, but polymer-based thermo-optic switches easily degenerate in combination with oxygen when exposed to near-infrared rays used in optical communication bands.

이것을 막기 위하여 산소가 거의 없는 상태로 만들기 위해 밀봉(Hermetic packing)을 해야만 한다. 또한 도파로를 지나면서 생기는 손실이 실리카의 경우보다 크며, 복굴절 광학 폴리머는 광파의 편광특성(편광방향)에 따라 빛이 속도가 다르기 때문에 서로 다르게 복굴절(birefringence)하여 두 빛으로 분리되고, 각기 다른 굴절률을 띠는 문제가 있으며, 물리적으로 약하다.To prevent this, a hermetic packing must be made to make the oxygen free. In addition, the loss caused by the waveguide is larger than that of silica, and birefringent optical polymers are birefringence differently and are separated into two lights because the speed of light is different depending on the polarization characteristics (polarization direction) of the light waves. There is a problem, and it is physically weak.

1×2의 열광학 스위치를 계단식으로 연결하여 1×N스위치를 제작할 수 있다. 특히 1×2의 열광학 스위치 경우 광전송망에서 장애 발생시 광신호의 회선분배(O×C, Optical Cross-Connect) 등에서 주로 사용된다.1 × N switches can be fabricated by cascading 1 × 2 thermo-optic switches. In particular, in the case of 1 × 2 thermo-optic switch, it is mainly used in line distribution (O × C, Optical Cross-Connect) of optical signals when a failure occurs in an optical transmission network.

이상에서 설명한 종래 기술에 따른 열광학 스위치는 열광학 계수가 큰 폴리머를 이용하는 경우, 폴리머가 광통신대역에서 사용되는 근적외선에 노출되는 경우 산소와 결합하여 쉽게 퇴화되어 스위치 소자에 신뢰성을 떨어뜨리는 문제점이 있다.The thermo-optic switch according to the related art described above has a problem in that when the polymer having a large thermo-optic coefficient is used, the polymer is easily degraded in combination with oxygen when exposed to the near infrared rays used in the optical communication band, thereby reducing the reliability of the switch element. .

따라서 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 물리 화학적으로 폴리머보다 강한 물질을 코어층으로 구성함으로써 광신호가 주로 통과하는 영역인 코어층의 퇴화를 방지하여 광손실을 줄이고, 또한 코어층을 둘러싸는 클래드층으로의 광모드의 분포세기를 줄이고 광신호의 손실을 방지하여 고효율의 신뢰성 있는 열광학 스위치를 제공하는데 그 목적이 있다.Therefore, the present invention has been made to solve the above problems, by constituting a core layer of a material that is physically and chemically stronger than the polymer to prevent the deterioration of the core layer, which is an area where the optical signal mainly passes, to reduce the optical loss, and also to the core The purpose of the present invention is to provide a highly efficient and reliable thermo-optic switch by reducing the intensity of distribution of the optical mode to the cladding layer surrounding the layer and preventing the loss of the optical signal.

또한 열광학 스위치를 패키징시에 코팅을 하여 표면에 산소의 투과를 방지하여 쉽게 패키징을 간단히 할 수 있고, 훨씬 손실이 적고 구조적으로 안정되며, 수명이 길고 신뢰도를 증가시키며 패키징에 의한 가격 부담이 크게 줄어듦으로 싼 열광학 스위치 소자를 제공하는데 목적이 있다.In addition, the coating of the thermo-optic switch during packaging prevents oxygen permeation on the surface, simplifying packaging, and resulting in much less loss and structural stability, longer life, increased reliability, and greater cost burden due to packaging. It is an object to provide a cheap thermo-optic switch element by shrinking.

도1은 디지털형 열광학 스위치를 도시한 것이다.1 illustrates a digital thermo-optic switch.

도2a 및 도2b는 본 발명에 따른 제1 실시예로, 열광학 스위치의 임베디드 형 도파로의 단면도를 도시한 것이다.2A and 2B show a cross-sectional view of an embedded waveguide of a thermo-optic switch in a first embodiment according to the present invention.

도3a 및 도3b는 본 발명에 따른 제2 실시예로, 열광학 스위치의 립형 도파로의 단면도를 도시한 것이다.3A and 3B show a cross-sectional view of a lip waveguide of a thermo-optic switch in a second embodiment according to the present invention.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

10-1, 10-2 : 기판10-1, 10-2: substrate

20-1, 20-2, 20-3, 20-4 : 하부클래드층20-1, 20-2, 20-3, 20-4: lower clad layer

30-1, 30-2, 30-3, 30-4 : 코어층30-1, 30-2, 30-3, 30-4: core layer

40-1, 40-2, 40-3, 40-4, 40-5, 40-6 : 상부클래드층40-1, 40-2, 40-3, 40-4, 40-5, 40-6: upper cladding layer

50-1, 50-2, 50-3, 50-4 : 히터50-1, 50-2, 50-3, 50-4: heater

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 열광학 스위치의 특징은 기판; 상기 기판 상에 형성된 하부클래드층; 상기 하부클래드층 상에 실리카로 형성된 코어층; 상기 코어층 및 하부클래드층 상에 형성된 상부클래드층; 상기 코어층 및 하부클래드층 상에 형성된 상부클래드층 상에 적어도 하나의 금속 패턴으로 형성된 히터를 포함하여 구성되는데 있다.Features of the thermo-optic switch according to the present invention for achieving the above object is a substrate; A lower clad layer formed on the substrate; A core layer formed of silica on the lower clad layer; An upper clad layer formed on the core layer and the lower clad layer; It is configured to include a heater formed in at least one metal pattern on the upper clad layer formed on the core layer and the lower clad layer.

상기 코어층은 상기 하부클래드층 상에 광이 입력되는 하나의 제1관과, 상기 제1 관으로부터 두 개로 갈라지는 제2관을 구비한 Y분기형 임베디드(embeded) 구조인 것을 특징으로 한다.The core layer is characterized in that the Y branched embedded (embedded) structure having a first tube into which light is input on the lower clad layer and a second tube divided into two from the first tube.

그리고, 상기 코어층은 하부클래드층 상부 전면에 상기 코어층의 물질과 동일한 물질층이 더 형성되는 Y분기형 립(rib) 구조인 것을 특징으로 한다.In addition, the core layer is characterized in that the Y-branched rib structure (rib) structure is further formed on the upper surface of the lower clad layer the same material layer as the material of the core layer.

상기 하부클래드층은 상기 코어층의 실리카보다 굴절률이 작은 실리카로 형성되며, 상기 상부클래드층은 상기 코어층의 실리카보다 굴절률이 작은 폴리머로 형성된다.The lower clad layer is formed of silica having a refractive index smaller than that of the silica of the core layer, and the upper clad layer is formed of a polymer having a refractive index smaller than that of the silica of the core layer.

본 발명의 특징에 따른 작용은 코어층 물질로 퇴화가 잘 일어나지 않는 물질로 실리카를 이용하고, 하부클래드층으로는 실리카, 상부클래드층으로는 열광학 계수가 큰 폴리머를 이용함으로써, 코어층의 퇴화를 막을 수 있다.The action according to the characteristics of the present invention is that the degradation of the core layer is achieved by using silica as the core layer material and a material having high thermo-optic coefficient as the lower clad layer and silica as the lower clad layer. Can be prevented.

본 발명에 따른 다른 특징은 상기 코어층과 폴리머로 형성된 상부클래드층 사이에 상기 코어층보다 굴절률이 작고 폴리머보다 굴절률이 큰 실리카층을 더 포함하여 구성되는데 있다.Another feature according to the present invention is to comprise a silica layer between the core layer and the upper cladding layer formed of a polymer having a refractive index smaller than that of the core layer and having a larger refractive index than the polymer.

상기와 같은 본 발명의 특징에 따른 작용은 코어층 물질로 퇴화가 잘 일어나지 않는 물질로 실리카를 이용하고, 상부클래드층으로 열광학 계수가 작은 실리카와, 실리카 상부에 열광학 계수가 큰 폴리머를 이용함으로써, 광이 코어층으로 잘 전파되도록 하고, 또한 저온 및 고온에서도 굴절률 편차가 크지 않는 실리카로 상부클래드층을 형성하기 때문에 폴리머층까지의 광모드의 분포 세기를 줄이고 광손실을 줄인다.The action according to the characteristics of the present invention as described above is to use silica as a core layer material is less likely to degenerate, silica having a small thermo-optic coefficient as the upper clad layer, and a polymer having a large thermo-optic coefficient on the silica. As a result, the light propagates well to the core layer, and the upper cladding layer is formed of silica having a small refractive index variation even at low and high temperatures, thereby reducing the intensity of distribution of the optical mode to the polymer layer and reducing the optical loss.

본 발명의 다른 목적, 특성 및 잇점들은 첨부한 도면을 참조한 실시예들의 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.Other objects, features and advantages of the present invention will become apparent from the following detailed description of embodiments taken in conjunction with the accompanying drawings.

본 발명에 따른 열광학 스위치의 바람직한 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.A preferred embodiment of the thermo-optic switch according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

열광학 스위치에서 사용되는 도파로의 구조는 임베디드(embedded) 구조와 립(rib)구조로 나눌 수 있다.The waveguide structure used in the thermo-optic switch can be divided into an embedded structure and a rib structure.

도2a 및 도2b는 본 발명에 따른 제1 실시예로, 열광학 스위치의 임베디드 형 도파로의 단면도를 도시한 것이다.2A and 2B show a cross-sectional view of an embedded waveguide of a thermo-optic switch in a first embodiment according to the present invention.

도2a와 같이 열광학 스위치의 광도파로는 기판(10-1)과, 상기 기판(10-1) 상에 형성된 하부클래드(20-1)층과, 상기 하부클래드(20-1)층 상에 실리카(굴절률 n1)로 형성된 코어(30-1)층과, 상기 코어(30-1)층 및 하부클래드(20-1)층 상에 형성된 상부클래드(40-1)층과, 상기 코어(30-1)층 및 하부클래드(20-1)층 상에 형성된 상부클래드(40-1)층 상에 적어도 하나의 금속 패턴으로 형성된 히터(50-1)를 포함하여 구성된다.As shown in FIG. 2A, the optical waveguide of the thermo-optic switch is formed on the substrate 10-1, the lower cladding 20-1 layer formed on the substrate 10-1, and the lower cladding 20-1 layer. A core 30-1 layer formed of silica (refractive index n1), an upper cladding 40-1 layer formed on the core 30-1 layer and a lower cladding 20-1 layer, and the core 30 And a heater 50-1 formed in at least one metal pattern on the upper cladding 40-1 layer formed on the layer and the lower cladding 20-1 layer.

상기 코어(30-1)층은 상기 하부클래드(20-1)층 상에 광이 입력되는 하나의 제1관과, 상기 제1 관으로부터 두 개로 갈라지는 제2관을 구비한 Y분기형 임베디드(embeded) 구조를 갖는다.The core 30-1 layer is a Y-branched embedded having a first tube into which light is input on the lower clad 20-1 layer, and a second tube splitting into two from the first tube. embeded) structure.

상기 하부클래드(20-1)층은 상기 코어(30-1)층의 실리카보다 굴절률이 작은 실리카(굴절률 n2)로 형성되며, 상기 상부클래드(40-1)층은 상기 코어(30-1)층의 실리카보다 굴절률이 작은 폴리머로 형성된다.The lower clad 20-1 layer is formed of silica (refractive index n2) having a smaller refractive index than the silica of the core 30-1 layer, and the upper clad 40-1 layer is formed of the core 30-1. It is formed from a polymer with a lower refractive index than the silica in the layer.

임베디드 구조에서 코어(30-1) 부분과 상하부클래드(20-1, 40-1) 부분은 광섬유와의 결합손실을 줄이기 위하여 0.3% 내지 0.6% 이내 정도의 굴절률 차이를 지니는 물질을 사용한다.In the embedded structure, the core 30-1 part and the upper and lower cladding parts 20-1 and 40-1 use a material having a refractive index difference of about 0.3% to 0.6% to reduce coupling loss with the optical fiber.

그리고 광도파로의 코어(30-1) 두께는 광화이버 코어의 두께가 8.6㎛이므로 광화이버와 광도파로로 인해 전파되는 광의 결합손실을 줄이기 위하여 6~8㎛정도로 한다.In addition, since the thickness of the optical fiber core is 8.6 μm, the core 30-1 of the optical waveguide has a thickness of about 6 μm to 8 μm in order to reduce coupling loss between the optical fiber and the light propagated by the optical waveguide.

그리고 하부클래드(20-1)의 두께를 15㎛이상으로 하고, 광도파로의 전체의 두께가 보통 30~40㎛ 정도 되게 하여 기판(10-1) 쪽으로의 누설손실을 줄인다.The thickness of the lower cladding 20-1 is 15 µm or more, and the overall thickness of the optical waveguide is usually about 30 to 40 µm to reduce leakage loss toward the substrate 10-1.

폴리머는 일반적으로 도파로에서 사용되는 실리카보다 열광학계수가 10배 이상 좋으므로 쉽게 열광학 스위치를 구현할 수 있다. 폴리머는 다루기가 쉬운 장점이 있으나 폴리머를 이용한 열광학 스위치의 경우 광통신대역에서 사용하는 근적외선에 노출될 경우 산소와 결합하여 쉽게 퇴화(degration)된다.Polymers have ten times more thermo-optic coefficients than silica used in waveguides, making it easy to implement thermo-optic switches. Polymers have the advantage of being easy to handle, but polymer-based thermo-optic switches are easily degenerated in combination with oxygen when exposed to near-infrared radiation used in optical bands.

폴리머의 퇴화는 광통신 주파수 영역인 1550nm 파장대에서 산소와 반응하여 일어난다. 따라서 산소가 폴리머와 반응하지 않게 산소가 거의 없는 밀봉(Hermetic packing)을 해야만 한다. 또한 도파로를 지나면서 생기는 손실이 실리카의 경우보다 크며 복굴절(birefringence) 때문에 편광에 따른 문제가 있으며, 또한 물리적으로 약하다.Degradation of the polymer occurs by reaction with oxygen in the 1550 nm wavelength band, an optical communication frequency domain. Therefore, a hermetic packing with little oxygen is required to prevent oxygen from reacting with the polymer. In addition, the loss caused by the waveguide is larger than that of silica, and due to birefringence, there is a polarization problem and physically weak.

폴리머는 다양한 물질이 있고, 굴절률 조절이 용이하고 다루기가 쉽고 열광학계수가 크고, 실리카는 물질이 매우 안정적이므로 신뢰도가 크지만 열광학 계수가 작다.Polymers have a variety of materials, easy to control the refractive index, easy to handle, large thermo-optic coefficient, silica is very stable because the material is very stable, but the thermo-optic coefficient is small.

열광학 스위치에 사용되는 폴리머는 음의 열광학계수를 가지고 실리카는 열광학 계수가 양이며, 폴리머의 경우 온도에 따른 굴절률의 편차 dn/dT 가 10-4정도로 실리카의 10-5보다 크다.The polymer used in the thermo-optic switch has a negative thermo-optic coefficient, the silica has a positive thermo-optic coefficient, and the polymer has a refractive index deviation dn / dT of 10 -4 greater than 10 -5 of the silica.

따라서 코어(30-1)층을 실리카로 형성하여 폴리머로 형성하였을 경우의 편광으로 인해 광이 복굴절되는 것을 방지하며 산화에 의해 퇴화되는 것을 방지한다.Therefore, when the core 30-1 layer is formed of silica to prevent the birefringence of light due to polarization, it is prevented from being degraded by oxidation.

도2a와 같은 임베디드형의 경우, 코어(30-1)와 클래드(20-1, 40-1)와의 굴절률의 차가 10-3(0.3%)정도이므로, 폴리머의 경우 열광학 계수가 크기 때문에 십수도의 온도 변화로도 이 정도의 굴절률의 차를 만들어 낸다.In the case of the embedded type as shown in FIG. 2A, since the difference in refractive index between the core 30-1 and the clads 20-1 and 40-1 is about 10 -3 (0.3%), the polymer has a large thermo-optic coefficient and therefore, The change in temperature also produces this difference in refractive index.

따라서 하부클래드(20-1)와 코어(30-1)층으로 실리카를 사용하고, 상부클래드(40-1)층으로 폴리머를 사용할 경우에, 폴리머가 온도에 따른 굴절률의 편차가크기 때문에 도파로의 모드조절을 위해서는 매우 정밀한 온도 조절기가 필요하다.Therefore, when silica is used as the lower cladding 20-1 and the core 30-1 layer and polymer is used as the upper cladding 40-1 layer, since the polymer has a large variation in refractive index with temperature, Mode control requires a very precise temperature controller.

즉, 폴리머로 형성된 상부클래드(40-1)층의 굴절률이 저온에서도 코어(30-1)층의 굴절률보다는 작아야 하며, 폴리머의 굴절률이 더 커지면 광손실이 증가하며 상온에서 단일모드가 형성되어야 하기 때문이다. 고온에서는 폴리머의 굴절률의 편차가 커서 굴절률이 큰 폭으로 작아지기 때문에 광손실 부담이 적으나, 이와 반대로 저온에서는 폴리머의 굴절률의 변화가 작기 때문에 광손실 부담이 커지므로, 온도조절기를 구비하여 폴리머의 굴절률을 적절히 조절하여야 한다.That is, the refractive index of the upper cladding 40-1 layer formed of the polymer should be smaller than the refractive index of the core 30-1 layer even at a low temperature. If the refractive index of the polymer is larger, the optical loss increases and a single mode should be formed at room temperature. Because. At high temperatures, the refractive index of the polymer is so large that the refractive index is greatly reduced, so the optical loss burden is small. On the contrary, at low temperatures, the optical loss burden is large because the change of the refractive index of the polymer is small. Refractive index should be properly adjusted.

이에 반해 실리카의 경우, 도핑에 의해 굴절률 조절이 용이하며 열이나 기계적으로 매우 안정적이며, 하부클래드(20-1)층과 코어(30-1)층의 형성시 증착 및 식각 기술이 매우 잘 확립되어 있다.On the other hand, in the case of silica, refractive index is easily controlled by doping, and it is very stable thermally or mechanically, and deposition and etching techniques are very well established when forming the lower clad 20-1 layer and the core 30-1 layer. have.

하지만 실리카로 상부클래드(40-1)층을 증착하는 경우 코어(30-1)층에 의한 패턴에 의해 좁은 골이 형성되게 되는데, 이 경우 골 사이에 증착하는 것이 어려우므로, 상부클래드(40-2)층은 폴리머를 이용하여 스핀코팅을 하여 증착을 쉽게 한다.However, when the upper cladding 40-1 layer is deposited with silica, narrow valleys are formed by the pattern by the core 30-1 layer. In this case, it is difficult to deposit between the upper cladding layers. 2) The layer is spin coated with a polymer to facilitate deposition.

이렇게 실리카로 형성된 코어층과 폴리머로 형성된 상부클래드층 사이의 열광학 계수 차로 인한 문제점을 개선하기 위해 본 발명은 도2b와 같은 구조를 제시한다.In order to solve the problems caused by the thermo-optic coefficient difference between the core layer formed of silica and the upper cladding layer formed of the polymer, the present invention provides a structure as shown in FIG. 2B.

도2b와 같이, 기판(10-2) 상에 하부클래드(20-2)층과, 코어(30-2)층을 실리카로 형성한 다음, 실리카를 이용하여 제1 상부클래드(40-2)층을 형성한다.As shown in FIG. 2B, the lower clad 20-2 layer and the core 30-2 layer are formed of silica on the substrate 10-2, and then the first upper clad 40-2 is formed using silica. Form a layer.

상기 코어(30-2)층은 상기 하부클래드(20-2)층 상에 광이 입력되는 하나의제1관과, 상기 제1 관으로부터 두 개로 갈라지는 제2관을 구비하고, 상기 코어층(30-2)은 하부클래드(20-2)층 상부 전면에 상기 코어층의 물질과 동일한 물질층이 더 형성되는 립(rib) 구조를 갖는다.The core 30-2 layer includes one first tube through which light is input on the lower clad 20-2 layer, and a second tube splitting into two from the first tube. 30-2 has a rib structure in which the same material layer as that of the core layer is further formed on the upper surface of the lower clad 20-2 layer.

이때의 두께는 1~수 ㎛ 정도이고, 코어(30-2)층의 구조에 따라 굴곡이 생기게 된다.At this time, the thickness is about 1 to several μm, and bending occurs depending on the structure of the core 30-2 layer.

그리고 제1 상부클래드(40-2)층 상부에 폴리머를 이용하여 제2 상부클래드(40-3)층을 스핀코팅하여 형성시킨다.The second upper cladding layer 40-3 is spin-coated by using a polymer on the first upper cladding layer 40-2.

폴리머의 굴절률은 사용되어지는 전 온도영역에서 코어(30-2)층의 굴절률보다는 작아야 한다.The refractive index of the polymer should be smaller than the refractive index of the core 30-2 layer in the entire temperature range in which it is used.

이와 같이 실리카로 상부클래드(40-2)층을 더 형성한 경우에는 실리카의 열광학 계수가 적기 때문에 열에 의한 굴절률의 편차가 크지 않으므로 클래드층으로의 광손실이 줄어들며, 부가적인 온도조절기가 필요하지 않고 설계가 비교적 쉽다.In this case, when the upper cladding layer 40-2 is further formed with silica, since the variation of the refractive index due to the heat is small because the thermo-optic coefficient of silica is small, the optical loss to the clad layer is reduced, and no additional temperature controller is required. Design is relatively easy.

즉 본 발명은 코어(30-2)층 물질로 퇴화가 잘 일어나지 않는 물질로 실리카를 이용하고, 코어(30-2)층과 폴리머 상부클래드(40-3)층 사이에 열광학 계수가 작은 실리카로 상부클래드(40-2)층을 더 형성함으로서, 저온에서도 안정하게 광을 도파하며, 열광학계수가 큰 폴리머의 굴절률을 조절하기 위한 온도조절기가 부수적으로 필요하지 않다.That is, according to the present invention, silica is used as a material that does not easily degenerate into the core 30-2 layer material, and silica having a small thermo-optic coefficient between the core 30-2 layer and the polymer upper cladding 40-3 layer is used. By further forming the upper cladding layer 40-2, it stably guides the light even at low temperatures, and does not require a temperature controller for controlling the refractive index of the polymer having a large thermal optical coefficient.

도2a 및 도2b와 같은 임베디드 구조의 열광학 스위치의 도파로의 경우, 광스위칭을 위하여 히터(50-1, 50-2)로부터 열을 가하면, 가해진 열이 전극 표면으로부터 등방성을 지니면서 전달되기 때문에, 도파로 전체의 두께가 두꺼울수록 열이 넓게 전달되고 코어(30-1, 30-2)까지의 전달 시간도 길고, 열이 도파로로부터 완전히 방출되는데 걸리는 시간이 길어서 스위칭 속도가 느리다.In the case of the waveguide of the thermo-optic switch of the embedded structure as shown in Figs. 2A and 2B, when heat is applied from the heaters 50-1 and 50-2 for optical switching, the applied heat is transferred isotropically from the electrode surface. The thicker the entire waveguide, the wider the heat is transferred, the longer the transfer time to the cores 30-1 and 30-2, and the longer the time it takes for the heat to be completely discharged from the waveguide.

또한 원하는 도파로 부분 외에도 다른 분기 도파로에도 열이 상당량 전달될 수 있어서 효율적인 열광학 효과를 얻기 어렵다.In addition, a large amount of heat can be transferred to other branch waveguides in addition to the desired waveguide portion, thereby making it difficult to obtain an efficient thermo-optic effect.

따라서 도3a 및 도3b와 같은 립형 도파로를 제시한다.Thus, a lip waveguide as shown in FIGS. 3A and 3B is presented.

도3a 및 도3b는 본 발명에 따른 제2 실시예로, 열광학 스위치의 립형 도파로의 단면도를 도시한 것이다.3A and 3B show a cross-sectional view of a lip waveguide of a thermo-optic switch in a second embodiment according to the present invention.

먼저, 도3a와 같이 열광학 스위치의 립형 도파로는 기판(10-3)과, 상기 기판(10-3) 상에 형성된 하부클래드(20-3)층과, 상기 하부클래드(20-3)층 상에 실리카(굴절률 n1)로 형성된 코어(30-3)층과, 상기 코어(30-3)층 및 하부클래드(20-3)층 상에 형성된 상부클래드(40-4)층, 상기 코어(30-3)층 및 하부클래드(20-3)층 상에 형성된 상부클래드(40-4)층 상에 적어도 하나의 금속 패턴으로 형성된 히터(50-3)를 포함하여 구성된다.First, as shown in FIG. 3A, a lip waveguide of a thermo-optic switch includes a substrate 10-3, a lower cladding layer 20-3 formed on the substrate 10-3, and a lower cladding layer 20-3. A core 30-3 layer formed of silica (refractive index n1) thereon, an upper cladding 40-4 layer formed on the core 30-3 and a lower cladding 20-3 layer, and the core ( 30-3) and a heater 50-3 formed in at least one metal pattern on the upper cladding layer 40-4 formed on the lower cladding layer 20-3.

상기 하부클래드(20-3)층은 상기 코어(30-3)층의 실리카보다 굴절률이 작은 실리카(굴절률 n2)로 형성되며, 상기 상부클래드(40-4)층은 상기 코어(30-3)층의 실리카보다 굴절률이 작은 폴리머로 형성된다.The lower cladding layer 20-3 is formed of silica (refractive index n2) having a smaller refractive index than that of the core 30-3 layer, and the upper cladding layer 40-4 is formed of the core 30-3. It is formed from a polymer with a lower refractive index than the silica in the layer.

립구조의 경우 코어(30-3)층과 클래드(20-3, 40-4)층의 굴절률의 차가 크다.In the case of the rib structure, the difference in refractive index between the core 30-3 layer and the cladding layers 20-3 and 40-4 is large.

따라서 임베디드형보다 코어(30-3)층으로 실리카를 증착하고, 상부클래드(40-4)층으로 폴리머를 증착하기에 더 적합한 구조이다.Therefore, it is more suitable for depositing silica on the core 30-3 layer and depositing polymer on the upper cladding 40-4 layer than the embedded type.

도3b 또한 도2b와 같이, 실리카로 형성된 코어(30-4)층과 폴리머로 형성된상부클래드(40-6)층 사이의 열광학 계수 차로 인한 문제점을 개선하기 위해 제시된 구조이다.FIG. 3B is also a structure proposed to improve the problem caused by the thermo-optic coefficient difference between the core 30-4 layer formed of silica and the upper cladding 40-6 layer formed of the polymer as shown in FIG. 2B.

도3b와 같이, 기판(10-4) 상에 하부클래드(20-4)층과, 코어(30-4)층을 실리카로 형성한 다음, 실리카를 이용하여 제1 상부클래드(40-5)층을 형성한다.As shown in FIG. 3B, a lower cladding layer 20-4 and a core 30-4 layer are formed of silica on the substrate 10-4, and then the first upper cladding 40-5 is made of silica. Form a layer.

립 구조의 경우 상기 코어층과 클래드층의 굴절률의 차이가 1~10% 가량의 굴절률 차이를 지닌 재료를 사용한다.In the case of the lip structure, a material having a refractive index difference of about 1% to 10% by using a difference in refractive index between the core layer and the cladding layer is used.

이렇게 굴절률의 차이가 큰 경우에는 도파로의 깊이 방향에 형성되는 evanescent(무한소의) 필드의 영향을 받는 클래드의 부분이 얇기 때문에 하부와 상부 클래드의 두께를 얇게 할 수 있다.When the difference in refractive index is large, since the portion of the clad which is affected by the evanescent field formed in the depth direction of the waveguide is thin, the thickness of the lower and upper cladding can be reduced.

따라서 전체적으로 15㎛이하로 제작할 수 있고, 따라서 가해진 열이 전극 표면으로부터 원하는 분기 도파로에만 전달되고 다른 쪽 도파로로는 열이 누출되는 것이 크게 줄어든다. 또한 도파로 전체의 두께가 임베디드 구조에 비해 절반이하 이므로 하부의 열흡수체(heat sink)와의 거리가 짧아 열방출이 더 용이하다. 따라서 스위치 속도가 임베디드 방식에 비하여 빠르며 적은 구동전력에서 스위칭할 수 있다는 장점이 있다.Therefore, it can be fabricated to 15 mu m or less as a whole, so that the applied heat is transferred only from the electrode surface to the desired branch waveguide, and heat leakage to the other waveguide is greatly reduced. In addition, since the entire thickness of the waveguide is less than half of that of the embedded structure, heat dissipation is easier due to a short distance from the heat sink. Therefore, the switch speed is faster than the embedded method, and it has the advantage of being able to switch at low driving power.

그러나 광섬유와의 결합시 모드 크기의 차이에 의해 결합손실을 감안해야 한다.However, the coupling loss must be taken into account due to the difference in mode size when coupling with the optical fiber.

상기와 같은 본 발명의 열광학 스위치의 광도파로의 제조공정은 다음과 같다.The manufacturing process of the optical waveguide of the thermo-optic switch of the present invention as described above is as follows.

대표적으로 도면의 부호는 도2a의 부호를 쓴다.Typically, the reference numerals of the drawings denote the reference of Fig. 2A.

최초 실리콘 기판(10-1) 위에 하부클래드(20-1)층을 형성시킨다.The lower clad 20-1 layer is first formed on the silicon substrate 10-1.

이때 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)나 FHD(Flame Hydrolysis Deposition) 방식을 이용한 증착방법과 산화공정을 동시에 이용하는 방법이 있다. 우선 산화공정후, 증착하여 원하는 두께만큼 하부클래드(20-1)를 만들기도 한다.At this time, there is a method using a deposition method and an oxidation process using PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) or FHD (Flame Hydrolysis Deposition). First, after the oxidation process, the lower clad 20-1 may be formed to a desired thickness by deposition.

이후에 코어(30-1)층을 위의 두가지 방법(산화증착 공정, 산화 후 증착공정)을 이용하여 증착한다.Thereafter, the core 30-1 layer is deposited using the above two methods (oxidation deposition process and post-oxidation deposition process).

이어, 굴절률의 조절을 위하여 게르마늄(Ge) 등의 도핑을 이용한다.Then, doping such as germanium (Ge) is used to control the refractive index.

코어(30-1)층의 패턴형성을 위해 사진묘사작업을 한다. 구조에 따라 3~10㎛을 식각을 하기 때문에 식각마스크로 식각선택성이 좋은 금속층을 형성한다.Photographing is performed to form the pattern of the core 30-1 layer. Since the etching is performed 3 ~ 10㎛ depending on the structure to form a metal layer having a good etching selectivity as an etching mask.

이 경우 코어층을 형성한 뒤에 스퍼터 등을 이용하여 금속층을 증착한다.In this case, after forming the core layer, a metal layer is deposited using a sputter or the like.

그리고 상기 증착된 금속층을 PR 스핀코팅 단계, 정렬 및 노광, 현상의 사진작업을 수행한 후 식각작업을 한다. 금속층의 식각은 습식식각을 주로 이용하며 건식식각을 사용할 수도 있다.Then, the deposited metal layer is etched after performing a PR spin coating step, alignment and exposure, and photographing work. The etching of the metal layer mainly uses wet etching, and dry etching may also be used.

따라서 금속층 패턴을 마스크로 하여 코어(30-1)층 패턴을 형성한다.Therefore, the core 30-1 layer pattern is formed using the metal layer pattern as a mask.

최근에는 PR을 직접 식각마스크로 사용하여 코어층을 형성하려는 시도가 이루어지고 있다. 이 경우 금속층의 식각을 생략된다. 금속층이나 PR을 식각 마스크로 하여 코어층을 건식식각한다.Recently, attempts have been made to form a core layer using PR directly as an etching mask. In this case, etching of the metal layer is omitted. The core layer is dry-etched using the metal layer or PR as an etching mask.

식각작업 후 식각마스크를 건식 또는 습식 방법으로 제거한다.After etching, the etching mask is removed by dry or wet method.

도3b 및 도4b의 경우에는 코어층 위에 실리카로 1~3㎛ 정도의 얇은 상부클래드(40-2, 40-5)층을 증착한다.3B and 4B, a thin upper cladding layer 40-2 and 40-5 having a thickness of about 1 to 3 μm is deposited on the core layer with silica.

도2a 및 도3a의 경우에는 상기 실리카로 상부클래드층을 형성하는 단계를 생략한다.2A and 3A, the step of forming the upper clad layer with the silica is omitted.

이후에 폴리머로 상부클래드(40-1)층을 스핀코팅 및 250~300℃ 정도의 온도에서 세정을 통한 경화 작업을 하여 완성한다.Thereafter, the upper cladding (40-1) layer of the polymer is completed by spin coating and curing by washing at a temperature of about 250 ~ 300 ℃.

상기 폴리머를 증착시 증착과 스퍼터 식각작업을 반복하여 스탭 커버리지를 좋게 하는 방법이 사용되기도 한다.When the polymer is deposited, a method of improving step coverage by repeating deposition and sputter etching may be used.

이후에 히터(50-1)를 위하여 금속층을 증착 및 사진묘사작업을 통한 패턴을 형성한다.Thereafter, a metal layer is formed for the heater 50-1 by forming a pattern through deposition and photographic work.

그리고, 또한 패키징할 때 표면에 산소가 투과하지 못하는 물질로 코팅을 하면 쉽게 패키징 문제가 해결될 수 있다.In addition, the packaging problem can be easily solved by coating with a material that does not transmit oxygen to the surface when packaging.

위의 공정순서에 따라 형성된 단면구조를 마하젠더 간섭계형, 방향성 결합기형, 디지털형 열광학 스위치 등의 구조에 적용하여 사용한다.The cross-sectional structure formed according to the above process sequence is applied to the structures of Mach-Zehnder interferometer type, directional coupler type, and digital thermo-optic switch.

이상에서 설명한 바와 같은 본 발명에 따른 열광학 스위치는 다음과 같은 효과가 있다.The thermo-optic switch according to the present invention as described above has the following effects.

첫째, 코어층 물질로 퇴화가 잘 일어나지 않는 물질로 실리카를 이용하고, 하부클래드층으로는 실리카, 상부클래드층으로는 열광학 계수가 큰 폴리머를 이용함으로써, 코어층의 퇴화를 막아 구조적으로 안정되며, 수명이 길고 소자의 신뢰도를 증대시킨다.First, silica is used as a core material, and silica is used as a lower cladding layer, and a polymer having a high thermo-optic coefficient is used as an upper cladding layer to prevent structural degradation of the core layer. Long service life and increased reliability of the device.

둘째, 상부클래드층으로 열광학 계수가 작은 실리카를 더 형성하기 때문에 광이 코어층으로 잘 전파되도록 하고, 또한 저온 및 고온에서도 굴절률 편차가 크지 않는 실리카로 상부클래드층을 형성하기 때문에 폴리머층까지의 광모드의 분포 세기를 줄이고 광손실을 줄인다.Second, because the upper cladding layer forms more silica with a smaller thermo-optic coefficient, the light propagates well to the core layer, and the upper cladding layer is formed of silica that does not have a large refractive index variation even at low and high temperatures. It reduces the distribution intensity of the light mode and reduces the light loss.

셋째, 소자의 패키징시 표면에 산소가 투과하지 못하는 물질로 코팅을 하여 패키징에 의한 가격 부담이 크게 줄어듦으로 싼 소자를 만들 수 있다.Third, when packaging the device is coated with a material that does not permeate oxygen on the surface it is possible to make a cheap device by significantly reducing the cost burden due to packaging.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 이탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시예에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의하여 정해져야 한다.Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the embodiments, but should be defined by the claims.

Claims (6)

기판;Board; 상기 기판 상에 형성된 하부클래드층;A lower clad layer formed on the substrate; 상기 하부클래드층 상에 상기 하부클래드층보다 굴절율이 큰 실리카로 형성된 코어층;A core layer formed of silica having a refractive index greater than that of the lower clad layer on the lower clad layer; 상기 코어층 및 하부클래드층 상에 상기 코어층의 실리카보다 굴절률이 작은 폴리머로 형성된 상부클래드층;An upper clad layer formed of a polymer having a refractive index smaller than that of the silica of the core layer on the core layer and the lower clad layer; 상기 코어층 및 하부클래드층 상에 형성된 상부클래드층 상에 적어도 하나의 금속 패턴으로 형성된 히터를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 열광학 스위치.And a heater formed in at least one metal pattern on the upper cladding layer formed on the core layer and the lower cladding layer. 제1항에 있어서, 상기 코어층은 상기 하부클래드층 상에 광이 입력되는 하나의 제1관과, 상기 제1 관으로부터 두 개로 갈라지는 제2관을 구비한 Y분기형인 것을 특징으로 하는 열광학 스위치.2. The thermo-optic according to claim 1, wherein the core layer has a Y branch having a first tube into which light is input on the lower clad layer and a second tube split into two from the first tube. switch. 제2항에 있어서, 상기 코어층은 하부클래드층 상부 전면에 상기 코어층의 물질과 동일한 물질층이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 열광학 스위치.The thermo-optic switch of claim 2, wherein the core layer further includes a material layer that is the same as that of the core layer on an upper surface of the lower clad layer. 제1항에 있어서, 상기 하부클래드층은 상기 코어층의 실리카보다 굴절률이 작은 실리카로 형성됨을 특징으로 하는 열광학 스위치.The thermo-optic switch of claim 1, wherein the lower clad layer is formed of silica having a refractive index smaller than that of the core layer. 삭제delete 제5항에 있어서, 상기 코어층과 폴리머 물질층 사이에 상기 코어층보다 굴절률이 작고, 상기 폴리머 물질층보다 굴절률이 큰 실리카를 더 포함하여 형성됨을 특징으로 하는 열광학 스위치.6. The thermo-optic switch of claim 5, further comprising silica between the core layer and the polymer material layer, the silica having a lower refractive index than the core layer and having a larger refractive index than the polymer material layer.
KR10-2001-0072387A 2001-11-20 2001-11-20 Thermo-Optical Switch KR100429225B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2001-0072387A KR100429225B1 (en) 2001-11-20 2001-11-20 Thermo-Optical Switch

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2001-0072387A KR100429225B1 (en) 2001-11-20 2001-11-20 Thermo-Optical Switch

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030041554A KR20030041554A (en) 2003-05-27
KR100429225B1 true KR100429225B1 (en) 2004-04-29

Family

ID=29570439

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2001-0072387A KR100429225B1 (en) 2001-11-20 2001-11-20 Thermo-Optical Switch

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100429225B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160043699A (en) 2014-10-14 2016-04-22 임진수 Cloth fixing apparatus

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1048438A (en) * 1996-08-07 1998-02-20 Toyo Commun Equip Co Ltd Quartz optical waveguide

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1048438A (en) * 1996-08-07 1998-02-20 Toyo Commun Equip Co Ltd Quartz optical waveguide

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160043699A (en) 2014-10-14 2016-04-22 임진수 Cloth fixing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR20030041554A (en) 2003-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6704487B2 (en) Method and system for reducing dn/dt birefringence in a thermo-optic PLC device
US5418868A (en) Thermally activated optical switch
US6535672B1 (en) Active optical MMI waveguide device
US6122416A (en) Stacked thermo-optic switch, switch matrix and add-drop multiplexer having the stacked thermo-optic switch
US5533151A (en) Active cladding optical modulator using an electro-optic polymer on an inorganic waveguide
US6377716B1 (en) Optical intensity modulator and switch comprising the same
KR100724683B1 (en) Planar Lightwave Circuit Type Variable Optical Attenuator
JP2006208518A (en) Thermo-optical effect type optical waveguide element and its manufacturing method
US6037105A (en) Optical waveguide device fabricating method
KR20000018925A (en) Fabricating method of thermo-optical variable wavelength filter
US7693355B2 (en) Hybrid electro-optic polymer/sol-gel modulator
US6732550B2 (en) Method for performing a deep trench etch for a planar lightwave circuit
US6925232B2 (en) High speed thermo-optic phase shifter and devices comprising same
JP3713942B2 (en) Waveguide type optical switch
US7010198B2 (en) Birefringence trimming of integrated optical devices by elevated heating
KR100396678B1 (en) Thermo-Optical Switch
KR100429225B1 (en) Thermo-Optical Switch
Chiang Development of optical polymer waveguide devices
CN107111169A (en) Stress tunes flat illumination circuit and its method
KR100563489B1 (en) Optical device employing the silica?polymer hybrid optical waveguide
JPH10227930A (en) Temperature-independent optical waveguide and its manufacture
JP2003215647A (en) Plane waveguide type optical circuit and its manufacturing method
US20030040135A1 (en) Planar lightwave circuit active device metallization process
CA2291405A1 (en) Optical waveguide having a hybrid core
CN115755272A (en) Polymer/silicon nitride hybrid integrated variable optical attenuator and preparation method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20070329

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee