KR100426282B1 - Solar cell structure by using nano size growth technology - Google Patents
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Abstract
본 발명은 이론상 44％의 전환 효율, 낮은 생산 단가 및 높은 수율을 갖는 나노 성장 기법을 이용한 이중 태양 전지 구조에 관한 것으로, MBE 단주기초격자(short-period superlattice) 성장 기술을 응용하여 Ga(In)P/InP 또는 Ga(In)As/InAs 나노 기둥, 나노 클러스터층(nano-cluster) 및 점진적인 두께의 변화를 준 디지털 합금(graded indexed digital alloy : GRINDA)을 흡수층으로 사용한다. 본 발명에 의하면, 나노 성장 기술의 적용으로 인해, 기존의 저렴한 GaAs 또는 Ge 기판을 사용하고도, 태양 스펙트럼에 최적화된 흡수층을 구현할 수 있는 바, 격자 부정합을 최소화하고, 고효율, 고출력의 태양 전지 제작이 가능하여, 단위 출력당 전력 단가를 줄일 수 있다.The present invention relates to a dual solar cell structure using a nano growth technique having a theoretical conversion efficiency of 44%, low production cost, and high yield. The present invention applies Ga (In) by applying MBE short-period superlattice growth technology. P / InP or Ga (In) As / InAs nano pillars, nano-clusters, and graded digital alloys (GRINDA) with gradual changes in thickness are used as absorbing layers. According to the present invention, the nano-growth technology can be used to implement an absorption layer optimized for the solar spectrum even if a conventional low-cost GaAs or Ge substrate is used, thereby minimizing lattice mismatch and manufacturing high efficiency and high output solar cells. This can reduce the power cost per unit output.
Description
본 발명은 태양 전지 제작 기술에 관한 것으로서, 특히, 나노 성장 기법을 이용한 이중 태양 전지 구조에 관한 것이다.The present invention relates to solar cell fabrication technology, and more particularly, to a dual solar cell structure using nano growth techniques.
1958년 미국 밴가드Ⅰ(VanguardⅠ) 위성이 최초로 위성 괘도에 안착한 이후, 태양 전지는 인공위성의 주 에너지원으로서 사용되어 왔다. 1957년에 발사된 구 소련의 스푸트니크Ⅰ(sputnikⅠ) 위성이 배터리를 이용하여 6일 동안 동작한 것에 비해, 밴가드Ⅰ위성은 6년 동안 동작이 가능하였던 것에 비추어 태양 전지의 유효성은 명백하다.Since the US Vanguard I satellites first landed on satellite trajectories in 1958, solar cells have been used as the primary energy source for satellites. The effectiveness of the solar cell is clear in light of the fact that the Vanguard I satellite was able to operate for six years, compared to the old Soviet Sputnik I satellite launched in 1957 for six days on battery.
인공위성은 통상적인 저궤도(LEO) 또는 정지궤도(GEO) 운영에 있어서, 일반적으로 2∼10KW의 전력을 소비한다. 2000년 현재 상용화되고 있는 이중형 Ⅲ-Ⅴ족 태양 전지의 일반적인 22％ 변환효율에서, 태양전지는 cm2당 약 0.3W의 전력을 생산하므로 6∼30m2넓이의 태양 전지판이 필요하다.Satellites typically consume between 2 and 10 kW in conventional low orbit (LEO) or geostationary (GEO) operation. At a typical 22% conversion efficiency of dual III-V solar cells commercially available in 2000, solar cells produce about 0.3 W per cm 2, requiring 6-30 m 2 solar panels.
현재의 기술로 비록 충분히 넓은 (50m2) 태양 전지판의 제작이 가능하다고는 하지만, 위성을 우주로 진입시키는 비용을 감안할 때, 가능하면 가볍고, 적은 면적의 태양 전지판이 유리함은 분명하며, 이를 가능케 하기 위하여 고효율의 태양 전지의 제작이 요구된다. 또한, 우주 공간에서는 우주선(space ray)에 의한 태양 전지의 열화 현상을 염두해 두어야 하며, 우주선에 강한 최상층(top layer) 물질의 선택이 요구된다.Although the current technology allows the production of sufficiently wide (50 m 2 ) solar panels, it is clear that, given the cost of satellite entry into space, it is clear that it is advantageous to be as light as possible and to have a small footprint. In order to manufacture high efficiency solar cells is required. In addition, in space, the degradation of solar cells caused by space rays must be kept in mind, and the choice of a top layer material that is strong against the spacecraft is required.
태양 전지는 일반적으로 반도체(Si, Ge, GaAs, InP, CuInSe2, CdTe 등)의 p/n 접합을 이용하여 제작된다. G급 항성인 태양의 스펙트럼은 고정되어 있으므로, 고정된 스펙트럼을 가능한 최대로 흡수하는 구조가 가장 이상적이다. 그러나, 단일한 반도체로 제작된 단층형 태양 전지는 300nm에서 1800nm 사이의 태양 스펙트럼을 효율적으로 흡수하지 못한다. 이러한 종래의 문제점을 해결하기 위한 일환으로, 다중 흡수층을 갖는 태양 전지가 개발되었다.Solar cells are generally fabricated using p / n junctions of semiconductors (Si, Ge, GaAs, InP, CuInSe 2 , CdTe, etc.). Since the spectrum of the Sun, which is a class G star, is fixed, it is ideal for structures that absorb the maximum possible spectrum. However, single layer solar cells made from single semiconductors do not efficiently absorb the solar spectrum between 300 nm and 1800 nm. As part of solving the conventional problems, solar cells having multiple absorption layers have been developed.
다층 구조 태양 전지의 기본이 되는 이중 구조 태양 전지는 1960년대부터 연구되어 왔으나, 터널 접합(tunneling junction)에 대한 연구 부족 및 통상적으로 사용된 AlGaAs 물질이 산소에 의해 쉽게 열화되는 등의 문제들로 인해, 전환 효율이 20％ 내외에 머물 수밖에 없었다.Dual structured solar cells, which are the basis of multilayered solar cells, have been studied since the 1960s, but due to problems such as lack of research on tunneling junctions and the degradation of commonly used AlGaAs materials by oxygen, etc. Inevitably, the conversion efficiency remained at around 20%.
이러한 한계 상황은 1980년대 들어 미국 NREL(National Renewable Energy Laboratory)에 의하여 GaInP 계열의 물질이 태양 전지에 도입된 이후, 다양한 성장 기법들이 연구 개발되면서 극복되고 있는데, 현재 30％ 이상의 효율을 갖는 태양 전지가 보고되고 있다.This limitation is overcome by the introduction of GaInP-based materials into solar cells by the National Renewable Energy Laboratory (NREL) in the 1980s, and various growth techniques have been researched and developed. Is being reported.
태양 전지의 효율을 높이기 위해 제안된 방법을 흡수층 및 성장 기판에 따라 분류한다면 다음과 같다.If the proposed method for improving the efficiency of the solar cell is classified according to the absorption layer and the growth substrate as follows.
1. 부가적인 3층 및 4층의 흡수층을 사용한다.1. Use additional three and four absorbent layers.
2. GaAs에 격자 정합된 Ⅲ-Ⅴ-N(예 : (In)GaAsN) 화합물층의 흡수층을 사용한다.2. An absorption layer of a III-V-N (eg, (In) GaAsN) compound layer lattice matched to GaAs is used.
3. InP 기판에 성장시킨 격자 정합된 GaInAsP 및 GaInAlAs 화합물 및 GaSb 기판에 성장시킨 격자 정합 Al(As)Sb의 흡수층을 사용한다.3. An absorption layer of lattice matched GaInAsP and GaInAlAs compounds grown on InP substrates and lattice matched Al (As) Sb grown on GaSb substrates is used.
4. GaInAs 기판에 성장시킨 GaIn(As)P 화합물의 흡수층을 사용한다.4. An absorbing layer of a GaIn (As) P compound grown on a GaInAs substrate is used.
5. GaAs에 격자 부접합시킨 GaInAs 격자 변환층을 이용한 GaInP 흡수층을 사용한다.5. A GaInP absorbing layer using a GaInAs lattice converting layer bonded lattice to GaAs is used.
이들 방법들은 이론상으로 40％ 이상의 효율을 보여주며 성공적인 실험 결과를 보여주고 있으나, 각각 다음과 같은 문제점을 안고 있다.These methods show more than 40% efficiency in theory and successful experimental results, but each has the following problems.
1. 부가적 흡수층은 부가적인 터널 접합과, 더욱 복잡한 성장 기법을 요구한다.1. Additional absorber layers require additional tunnel junctions and more complex growth techniques.
2. (In)GaAsN/GaAs 성장 기술이 미확립되어 있는 바, 대체로 낮은 수율을 나타낸다.2. As the (In) GaAsN / GaAs growth technology has not been established, it generally shows a low yield.
3-1. InP 기판에 성장시킨 GaInAsP 혹은 GaInAlAs 흡수층의 태양 전지 기술은 상대적으로 생산 기술이 발달하여, 높은 수율을 나타내고는 있으나, InP 물질이 GaAs 물질에 비하여, 기계적 강도가 낮으므로, 로켓발사와 같은 충격이 약하여 장기간적인 운용에 문제가 있다.3-1. The solar cell technology of GaInAsP or GaInAlAs absorption layer grown on InP substrate has advanced production technology and shows high yield. However, since InP material has lower mechanical strength than GaAs material, impact like rocket launching is weak. Problems with long-term operation
3-2. GaSb 계열의 성장 기술이 미확립되어 있는 바, GaAs 계열에 비하여 가격 경쟁력이 낮은 상태이다.3-2. As the growth technology of GaSb series is not established, price competitiveness is lower than that of GaAs series.
4. 고품질의 GaInAs 기판의 수급이 용이하지 않으며, 성장 기술이 미확립되어 있다.4. Supply of high quality GaInAs substrate is not easy and growth technology is not established.
5. GaInAs 격자 변환층내, "Threading dislocation" 등의 결함층이 흡수층에의해 생성된 전류를 트랩(trap)하므로 실제 전환 효율이 감소된다.5. In the GaInAs lattice conversion layer, a defective layer such as " Threading dislocation " traps the current generated by the absorbing layer, thereby reducing the actual conversion efficiency.
따라서, 높은 전환 효율, 낮은 생산 단가, 높은 수율 등의 조건들을 구비하는 개선된 구조의 태양 전지가 요망되어 왔다.Therefore, there has been a need for an improved structure solar cell with conditions such as high conversion efficiency, low production cost, high yield and the like.
따라서, 본 발명은 상술한 요망에 의해 안출한 것으로, MBE(Molecular Beam Epitaxy) 단주기초격자(short-period superlastic) 성장 기술을 응용하여 Ga(In)P/InP 또는 Ga(In)As/InAs 나노 기둥, 나노 클러스터층(nano-cluster) 및 점진적인 두께의 변화를 준 디지털 합금(graded indexed digital alloy : GRINDA)을 흡수층으로 사용함으로써, 기존의 저렴한 GaAs 또는 Ge 기판을 사용하고도, 태양 스펙트럼에 최적화된 흡수층을 구현하여, 격자 부정합을 최소화하고, 단위 출력당 전력 단가를 줄이도록 한 나노 성장 기술을 이용한 이중 태양 전지 구조를 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been made in view of the above-described needs, and is applied to Ga (In) P / InP or Ga (In) As / InAs nano by applying MBE (Molecular Beam Epitaxy) short-period superlastic growth technology. The use of pillars, nano-clusters and gradual indexed digital alloys (GRINDA) as the absorbing layer optimizes the solar spectrum, even with existing inexpensive GaAs or Ge substrates. The purpose of the present invention is to provide a dual solar cell structure using nano growth technology by implementing an absorbing layer to minimize lattice mismatch and reduce power cost per unit output.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따르면, 나노 성장 기법을 이용한 이중 태양 전지 구조에 있어서, p형 콘택트층과, p형 콘택트층상에 형성되며 태양전지구조가 성장되는 p형 기판과, p형 기판상에 형성되는 나노 기둥 구조 및 나노 클러스터 구조의 하부 에너지 흡수층과, 하부 에너지 흡수층상에 형성되는 터널 접합층과, 터널 접합층상에 형성되는 나노 기둥 구조 및 나노 클러스터 구조의 상부 에너지 흡수층과, 상부 에너지 흡수층상에 형성되는 n형 콘택트층을 포함하는 나노 성장 기법을 이용한 이중 태양 전지 구조를 제공한다.According to an embodiment of the present invention for achieving the above object, in the dual solar cell structure using the nano-growth technique, a p-type contact layer, a p-type substrate formed on the p-type contact layer and the solar cell structure is grown; , the lower energy absorbing layer of the nano pillar structure and the nano cluster structure formed on the p-type substrate, the tunnel junction layer formed on the lower energy absorbing layer, and the upper energy absorbing layer of the nano pillar structure and the nano cluster structure formed on the tunnel junction layer. And it provides a dual solar cell structure using a nano-growth technique comprising an n-type contact layer formed on the upper energy absorbing layer.
도 1a는 InP 및 GaP로 제작된 단주기초격자 구조를 도시한 도면,Figure 1a is a diagram showing a short-period superlattice structure made of InP and GaP,
도 1b는 InP 및 GaP로 제작된 나노 기둥 구조를 도시한 도면,Figure 1b is a view showing a nano-pillar structure made of InP and GaP,
도 1c는 InP와 Ga(In)P로 제작된 나노 클러스터를 포함하는 GaInP 구조를 도시한 도면,FIG. 1C illustrates a GaInP structure including nano clusters made of InP and Ga (In) P.
도 1d는 얇은 GaAs와 Ga(In)As로 제작된 점진적인 두께의 변화를 준 GRINDA(graded index digital alloy) 구조를 도시한 도면,FIG. 1D is a diagram illustrating a graded index digital alloy (GRINDA) structure having a gradual change in thickness made of thin GaAs and Ga (In) As.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 GaInP 및 GaInAs 물질의 나노 성장 기술을 이용한 이중 태양 전지 구조의 단면도,2A to 2D are cross-sectional views of a dual solar cell structure using nano growth technology of GaInP and GaInAs materials according to a preferred embodiment of the present invention;
도 3a 및 도 3b는 성장 온도에 따른 나노 기둥 효과에 의한 GaInP 물질의 밴드갭 감소를 설명하기 위한 그래프,3A and 3B are graphs for explaining the bandgap reduction of GaInP materials due to nanopillar effects with growth temperature;
도 4는 본 발명에 따른 이중 태양 전지 구조에서 상층 전지의 밴드갭과 하층 전지의 밴드갭 선택에 따른 변환 효율을 설명하기 위한 분포도.Figure 4 is a distribution diagram for explaining the conversion efficiency according to the band gap of the upper cell and the band gap of the lower cell in the dual solar cell structure according to the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
1 : GaP층1: GaP layer
2 : InP층2: InP layer
3 : GaInP 나노 기둥(In-rich)3: GaInP nano pillars (In-rich)
4 : GaInP 나노 기둥(Ga-rich)4: GaInP nano pillars (Ga-rich)
5 : Ga(In)P 습식층 (Wetting layer), In의 조성은 0.5이하.5: Ga (In) P Wetting layer, In composition is 0.5 or less.
6 : Ga(In)P 나노 클러스터, In의 조성의 조성은 0.5이상6: The composition of Ga (In) P nanocluster, In composition is 0.5 or more
7 : GaAs층7: GaAs layer
8 : Ga(In)As층8: Ga (In) As layer
11 : 상부 흡수층11: upper absorption layer
12 : 터널 접합층12: tunnel junction layer
13 : 하부 흡수층13: lower absorption layer
14 : 나노 기둥 구조의 GaInP(n) 에미터14 GaInP (n) emitter with nano pillar structure
15 : 나노 기둥 구조의 GaInP(p) 베이스15: GaInP (p) base of nano pillar structure
16 : 나노 기둥 구조의 GaInAs(n) 에미터16: GaInAs (n) emitter with nano pillar structure
17 : 나노 기둥 구조의 GaInAs(p) 베이스17: GaInAs (p) base of nano pillar structure
18 : GRINDA GaInAs(n) 에미터18: GRINDA GaInAs (n) emitter
19 : GRINDA GaInAs(p) 베이스19: GRINDA GaInAs (p) base
20 : 나노 클러스터가 포함된 GaInP(n) 에미터20: GaInP (n) emitter with nanoclusters
21 : 나노 클러스터가 포함된 GaInP(p) 베이스21: GaInP (p) base with nanoclusters
22 : 나노 클러스터가 포함된 GaInAs(n) 에미터22 GaInAs (n) emitter with nanoclusters
23 : 나노 클러스터가 포함된 GaInAs(n) 베이스23: GaInAs (n) base with nanoclusters
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention.
도 1a 내지 도 1c는 InP 및 GaP로 제작된 단주기초격자, 나노 기둥 구조, 나노 클러스터를 포함하는 GaInP 구조를 도시한 도면이다.1A to 1C are diagrams illustrating a GaInP structure including a short period superlattice, a nano pillar structure, and nano clusters made of InP and GaP.
즉, 본 발명은 나노 기둥 구조 및 나노 클러스터가 포함된 GaInP 흡수층을 도입하여 상부 흡수층의 밴드갭을 태양의 스펙트럼에 최적화를 이루게 하였다.That is, the present invention introduces a GaInP absorption layer containing a nano pillar structure and nano clusters to optimize the band gap of the upper absorption layer to the spectrum of the sun.
도 1d는 얇은 GaAs(7)와 Ga(In)As(8)로 제작된 점진적인 두께의 변화를 준 디지털 합금(GRINDA) 구조를 도시한 도면이다.FIG. 1D is a diagram illustrating a digital alloy (GRINDA) structure having a gradual change in thickness made of thin GaAs 7 and Ga (In) As 8.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 GaInP 및 GaInAs 물질의 나노 성장 기술을 이용한 이중 태양 전지 구조의 단면도이다.2A to 2D are cross-sectional views of a dual solar cell structure using nano growth technology of GaInP and GaInAs materials in accordance with a preferred embodiment of the present invention.
먼저, 도 2a에 도시한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 이중 태양 전지 구조는 p형 콘택트층, GaAs 또는 Ge 기판으로 이루어지는 p형 기판, GaInP(p) BSF, GaAs(p) 베이스, GaAs(n) 에미터, GaInP(n) 윈도우로 각각 이루어지는 하부 에너지 흡수층(13), 터널 접합층(12), GaInP(p) BSF 나노 기둥 구조의 GaInP(n) 에미터(14), 나노 기둥 구조의 GaInP(n) 베이스(15), AllnP(n) 윈도우로 각각 이루어지는 상부 에너지 흡수층(11)으로 형성되어 있다.First, as shown in Figure 2a, the dual solar cell structure according to an embodiment of the present invention is a p-type substrate consisting of a p-type contact layer, GaAs or Ge substrate, GaInP (p) BSF, GaAs (p) base, GaAs (n) emitter, lower energy absorbing layer 13 each consisting of GaInP (n) window, tunnel junction layer 12, GaInP (n) emitter 14 with GaInP (p) BSF nanopillar structure, nanopillar The upper energy absorbing layer 11 is formed of a GaInP (n) base 15 and an AllnP (n) window.
여기서, p형 기판은 GaAs 또는 Ge 기판을 채용함으로써, 우주의 가혹한 환경에 높은 안정성을 보이며, 고품질 기판의 수급이 용이하도록 하였다.Here, the p-type substrate adopts a GaAs or Ge substrate, thereby exhibiting high stability in the harsh environment of the universe and facilitating supply of high-quality substrates.
또한, 상부 에너지 흡수층(11)은 베이스 그리고/또는 에미터에 InP와 GaP의 단주 기초 격자의 반복적 성장(도 1a)을 통하여 제작되는 것을 특징으로 한다.In addition, the upper energy absorbing layer 11 is characterized in that it is produced through the repetitive growth of the unicast base lattice of InP and GaP in the base and / or emitter (Fig.
도 2b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양 전지 구조로서, 하부 에너지 흡수층(13)의 베이스 그리고/또는 에미터에 InAs와 GaAs의 단주 기초 격자의 반복적 성장을 통하여 제작된 나노 기둥 구조인 것을 특징으로 한다.FIG. 2B is a solar cell structure according to another embodiment of the present invention, and is a nano-pillar structure fabricated through repetitive growth of a monolithic lattice of InAs and GaAs in the base and / or emitter of the lower energy absorbing layer 13. It is done.
도 2c는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 태양 전지 구조로서, 하부 에너지 흡수층(13)의 베이스 그리고/또는 에미터에 InAs와 Ga(In)As의 점진적인 두께의 변화를 준 디지털 합금(GRINDA)으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.FIG. 2C illustrates a solar cell structure according to another embodiment of the present invention, in which a digital alloy (GRINDA) having a gradual change in thickness of InAs and Ga (In) As on the base and / or emitter of the lower energy absorbing layer 13 is illustrated. Characterized in that consists of.
도 2d는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 태양 전지 구조로서, 상부 에너지 흡수층(11)의 베이스 그리고/또는 에미터에 InP와 Ga(In)P를 주기적/반복적으로 성장시켜 제작된 나노미터 크기의 클러스터가 포함된 GaInP 흡수층으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.FIG. 2D illustrates a solar cell structure according to another embodiment of the present invention, and has a nanometer size fabricated by periodically / repetitively growing InP and Ga (In) P in a base and / or an emitter of the upper energy absorbing layer 11. Characterized in that the GaInP absorber layer containing a cluster of.
또한, 도 2d에 따른 태양 전지 구조는, 하부 에너지 흡수층(13)의 베이스 그리고/또는 에미터에 InAs와 Ga(In)As를 주기적/반복적으로 성장시켜 제작된 나노미터 크기의 클러스터가 포함된 GaInAs 흡수층으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.In addition, the solar cell structure according to FIG. 2D includes GaInAs including nanometer-sized clusters formed by periodically and repeatedly growing InAs and Ga (In) As in the base and / or the emitter of the lower energy absorbing layer 13. It is characterized by consisting of an absorbing layer.
이들 실시예들로부터, 상/하부 흡수층의 밴드갭이 태양의 스펙트럼에 최적화되도록 구현할 수 있을 것이다.From these embodiments, it may be realized that the bandgap of the upper / lower absorbing layer is optimized for the spectrum of the sun.
도 3a 및 도 3b는 성장 온도에 따른 나노 기둥 효과에 의한 GaInP 물질의 밴드갭 감소를 설명하기 위한 그래프이다.3A and 3B are graphs for explaining bandgap reduction of GaInP materials due to nanopillar effects with growth temperature.
즉, GaAs 기판에 격자 정합된 나노 기둥구조 및 나노클러스터가 포함된 GaInP 흡수층을 상층부에 응용하고, GRINDA GaInAs, 나노기둥구조 및 나노클러스터가 포함된 GaInAs층을 하부 흡수층에 도입함으로 성장시 결점(defect)을 최소한으로 줄이면서 동시에 상하 흡수층의 흡수대역을 적절한 대역-태양광의 스펙트럼-으로 조절이 가능함을 알 수 있을 것이다.In other words, the GaInP absorption layer including the lattice-matched nanopillar structure and nanocluster on the GaAs substrate is applied to the upper layer, and the GaInAs layer including GRINDA GaInAs, the nanopillar structure and the nanocluster is introduced into the lower absorbent layer. At the same time, it can be seen that the absorption band of the upper and lower absorbing layers can be adjusted to an appropriate band, that is, the spectrum of sunlight.
도 4는 본 발명에 따른 이중 태양 전지 구조에서 상층 전지의 밴드갭과 하층 전지의 밴드갭에 따른 변환 효율을 설명하기 위한 분포도로서, 최대의 전환 효율(이론상 44％의 효율)을 갖는 태양 전지의 제작이 가능함을 알 수 있을 것이다.FIG. 4 is a distribution diagram illustrating conversion efficiency according to a band gap of an upper cell and a band gap of a lower cell in the dual solar cell structure according to the present invention. FIG. 4 illustrates a solar cell having a maximum conversion efficiency (theoretical efficiency of 44%). It will be appreciated that production is possible.
본 발명에 의하면, 본 발명은 격자 부정합을 최소화하고, 고효율, 고출력의 태양 전지 제작이 가능하여, 단위 출력당 전력 단가를 줄일 수 있다. 즉, 고효율의 태양 전지는 인공위성의 성능 및 수명을 연장시킬 뿐아니라, 고출력의 태양력 발전소를 가능케 하여, 단위 출력당 전력의 원가를 낮출 수 있다. 그러므로, 고효율의 태양 전지 기술을 응용하여 태양력 발전이 전력생산 원가면에서 기존의 화력/원자력 발전의 원가를 따라잡는다면, 자연 친화적인 상업적 태양력 발전을 기대해 볼 수 있다.이상, 본 발명을 실시예에 근거하여 구체적으로 설명하였지만, 본 발명은 이러한 실시예에 한정되는 것이 아니라, 그 요지를 벗어나지 않는 범위내에서 여러 가지 변형이 가능한 것은 물론이다.According to the present invention, the present invention can minimize the lattice mismatch, and can manufacture a solar cell of high efficiency and high output, thereby reducing the cost of power per unit output. In other words, high-efficiency solar cells not only extend the performance and lifespan of satellites, but also enable high power solar power plants, thereby reducing the cost of power per unit output. Therefore, if solar power generation catches up with the existing cost of thermal power / nuclear power generation in terms of power generation cost by applying high efficiency solar cell technology, it can be expected that commercially friendly solar power generation is natural. Although it demonstrated concretely based on this, this invention is not limited to this Example, Of course, various deformation | transformation is possible for it in the range which does not deviate from the summary.
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