KR100425447B1 - Method of grey level compensation and selective wafer-defect inspection for patterns and recording medium recorded thereof - Google Patents
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Abstract
웨이퍼 표면의 명도를 보정하는 방법 및 서로 다른 패턴에 대한 선택적 결함 검출 방법, 그리고 이러한 방법들을 기록한 기록 매체에 관해 개시한다. 웨이퍼를 분할하는 각 픽셀들의 평균과 표준 편차를 이용함으로써, 명도차가 있는 이미지들의 명도를 보정할 수 있다. 또한, 금속 배선 패턴과 스페이스를 구별하여, 각 패턴에 대해 서로 다른 임계값을 적용함으로써, 선택적으로 결함을 검출할 수 있다. 즉, 그레인은 검출하지 않고, 반도체 소자에 치명적인 영향을 주는 브리지만 검출할 수 있다. 따라서, 결함 검출의 선별력이 향상되므로, 결함 검출 공정을 더 효율적으로 관리할 수 있다.A method of correcting the brightness of a wafer surface, a selective defect detection method for different patterns, and a recording medium on which these methods are recorded are disclosed. By using the mean and standard deviation of each pixel dividing the wafer, it is possible to correct the brightness of the images with the difference in brightness. In addition, a defect can be selectively detected by distinguishing a metal wiring pattern and a space and applying different threshold values to each pattern. In other words, it is possible to detect only the bridge which does not detect grain and which has a fatal effect on the semiconductor element. Therefore, since the screening force of defect detection improves, it is possible to manage a defect detection process more efficiently.
Description
본 발명은 반도체 소자의 제조 공정 중 발생하는 결함의 검출 기술에 관한 것으로, 특히 명도 차이가 있는 웨이퍼 표면의 명도를 보정하는 방법 및 서로 다른 패턴에 대한 선택적 결함 검출 방법, 그리고 이러한 방법들을 기록한 기록 매체에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a technique for detecting defects occurring during the manufacturing process of a semiconductor device, and more particularly, a method of correcting brightness of a wafer surface having a difference in brightness, a selective defect detection method for different patterns, and a recording medium recording such methods It is about.
반도체 소자의 제조 공정 시, 발생되는 결함들은 소자의 신뢰성 및 수율에 중대한 영향을 미치므로, 제조 공정의 매 단계마다 결함 검출 공정이 수행되고 있다. 일반적으로, 결함 검출 장치에서는 웨이퍼 상에서 반복되는 패턴들의 이웃한 이미지들의 각 픽셀을 비교하여, 그레이 레벨(grey level)값의 차이가 임계값 이상인 픽셀을 결함으로 검출하는 방법을 사용하고 있다. 그레이 레벨이란 가장 어두운 단계를 0으로, 가장 밝은 단계를 255로 지정하여 명도를 256단계로 구분한 수치이다.Defects generated in the manufacturing process of the semiconductor device has a significant effect on the reliability and yield of the device, so that a defect detection process is performed at every step of the manufacturing process. In general, a defect detection apparatus uses a method of comparing pixels of neighboring images of repeating patterns on a wafer to detect a pixel whose difference in gray level values is greater than or equal to a threshold value. The gray level is divided into 256 levels of brightness by specifying the darkest level as 0 and the brightest level as 255.
이하, 종래의 결함 검출 방법을 구체적으로 살펴본다.Hereinafter, a conventional defect detection method will be described in detail.
임의의 광원에서 나온 빛을 웨이퍼 표면에 조사한다. 결함 검출 장치의 신호 감지부에서는 웨이퍼 표면에서 반사된 빛을 픽셀로 나누어 감지하고, 각 픽셀의 그레이 레벨 값을 정한다. 다음, 결함 인식의 기준이 되는 임계값을 설정한다.Light from any light source is irradiated onto the wafer surface. The signal detector of the defect detection apparatus detects light reflected from the wafer surface by dividing it into pixels, and sets a gray level value of each pixel. Next, a threshold value, which is a criterion for defect recognition, is set.
결함을 검출하기 위해서는 웨이퍼 전면에 대해, 웨이퍼 표면의 이웃하는 부분의 이미지를 3개씩 비교한다. 각각의 이미지는 다수 개의 픽셀로 구성되어 있다. 가운데 이미지 B는 결함의 존재 여부를 검사하려는 대상 이미지(candidate image)이고, 이미지 B 양측의 이미지 A와 C는 비교 기준이 되는 비교 이미지(reference image)이다. 먼저, 이미지 B 및 이미지 A를 대응되는 픽셀끼리 비교하여, 대응되는 픽셀간의 그레이 레벨 값의 차이를 구한다. 그레이 레벨 값의 차이가 임계값 이상인 B의 픽셀들을 인식한다. 다음, 이미지 B 및 이미지 C를 대응되는 픽셀끼리 비교하여, 그레이 레벨 값의 차이를 구한다. 역시, 그레이 레벨 값의 차이가 임계값 이상인 B의 픽셀들을 인식한다. 이 때, 상기 두 경우에서, 공통으로 인식된 픽셀만을 최종적으로 결함으로 간주한다.To detect a defect, three images of neighboring portions of the wafer surface are compared with respect to the front surface of the wafer. Each image consists of a number of pixels. The center image B is a candidate image to be examined for the presence of a defect, and the images A and C on both sides of the image B are reference images. First, image B and image A are compared with corresponding pixels, and the difference of gray level values between corresponding pixels is calculated | required. Recognize the pixels of B whose difference in gray level value is above the threshold. Next, image B and image C are compared with corresponding pixels, and the difference of gray level value is calculated | required. Again, it recognizes pixels of B whose difference in gray level value is above the threshold. At this time, in the above two cases, only the pixels recognized in common are finally regarded as defects.
이러한 이미지 비교법을 이용한 결함 검출 방법의 가장 큰 문제점 중의 하나는 금속 배선 공정 상에 존재한다.One of the biggest problems of the defect detection method using this image comparison method exists in the metal wiring process.
도 1은 금속 라인 패턴(100) 및 스페이스(110)가 규칙적으로 배열되는 있는 실제 모습을 촬영한 도면이다. 도 1에서 보는 바와 같이, 금속 라인 패턴(100) 상에는 그레인(grain)(120)이 존재하고, 스페이스(110)에는 브리지(bridge)(130)가 존재한다. 그레인(120)은 결함처럼 보이기는 하지만, 실제로 반도체 소자에는 영향을 주지 않는다. 하지만, 도시된 바와 같이, 그레인(120)은 금속 라인 패턴(100)보다 낮은 그레이 레벨 값을 가지므로, 결함 검사 시, 결함으로 인식되어 전체 결함의 개수를 증가시켜 공정 관리를 어렵게 한다.FIG. 1 is a diagram illustrating an actual state in which the metal line pattern 100 and the space 110 are regularly arranged. As shown in FIG. 1, grains 120 exist on the metal line pattern 100, and bridges 130 exist in the space 110. Grain 120 looks like a defect but does not actually affect the semiconductor device. However, as shown, since the grain 120 has a lower gray level value than the metal line pattern 100, it is recognized as a defect during defect inspection, thereby increasing the total number of defects and making process management difficult.
도 2는 금속 라인 패턴(200) 및 스페이스(210)가 규칙적으로 배열된 웨이퍼에 결함이 존재하는 경우의 이미지 비교법을 이용한 결함 검출 방법을 설명하기 위한 도면이다. 이미지 B에는 실제로 수율에 심각한 영향을 주는 킬링(killing)성 결함인 브리지(230)와 그레인(220)이 함께 존재한다. 브리지(230)와 같은 킬링성 결함을 검출하기 위해서는 임계값을 낮게 설정하여 감지도(sensitivity)를 높여야 한다. 그런데, 임계값을 낮게 설정하면, 그레인(220)까지도 결함으로 검출되므로, 결함의 개수가 너무 많아서 공정 관리가 어렵게 된다. 반대로, 그레인(220)이 검출되지 않도록 하기 위해, 즉 감지도를 낮추기 위해 임계값을 높게 설정하면, 브리지(230)까지도 검출되지 않는 문제점이 있다.FIG. 2 is a diagram for describing a defect detection method using an image comparison method when a defect is present in a wafer in which the metal line pattern 200 and the space 210 are regularly arranged. Image B has bridge 230 and grain 220 together, which are killing defects that actually have a significant impact on yield. In order to detect a killing defect such as the bridge 230, a threshold value must be set low to increase sensitivity. However, when the threshold value is set low, even grains 220 are detected as defects, so the number of defects is so large that process management becomes difficult. On the contrary, if the threshold value is set high so that the grain 220 is not detected, that is, the sensitivity is lowered, there is a problem that even the bridge 230 is not detected.
한편, 이미지 비교법을 이용한 결함 검출 방법의 또 다른 문제점은 도 3에서 도시된 것과 같이, 웨이퍼의 명도차(또는 색상차)가 존재하는 경우에 발생한다. 웨이퍼의 서로 다른 영역에서 이를테면, 웨이퍼의 중앙부와 가장자리 영역에서 이미지의 전체적인 그레이 레벨의 차이가 발생하는 경우이다. 도 3에서, X로 표시된 쪽은 웨이퍼 중앙부의 어두운 이미지이고, Y로 표시된 쪽은 웨이퍼 가장자리의 밝은 이미지를 나타낸다.On the other hand, another problem of the defect detection method using the image comparison method occurs when there is a brightness difference (or color difference) of the wafer, as shown in FIG. In different areas of the wafer, for example, differences in the overall gray level of the image occur in the center and edge areas of the wafer. In Fig. 3, the side marked X is a dark image of the center of the wafer, and the side marked Y represents a bright image of the wafer edge.
도 4a와 도 4b는 웨이퍼의 명도차가 존재하는 경우의 결함 검출 이미지 비교법에 대해 설명한 도면이다. 도 4a와 같이 밝은 이미지의 경우에, 브리지(330)는 검출하면서 그레인(320)의 검출을 줄이기 위해서는 임계값을 높게 설정해야 한다. 하지만, 밝은 이미지에 맞추어 설정된 임계값을 도 4b와 같은 어두운 이미지에 적용하게 되면, 결함 검출력이 떨어지는 문제점이 생긴다. 반대로, 도 4b와 같은 어두운 이미지에 맞추어 임계값을 설정하면, 도 4a와 같은 밝은 이미지에서는 그레인(220)의 검출로 인해 무수히 많은 결함을 검출하는 문제가 있다.4A and 4B are diagrams for explaining a defect detection image comparison method when there is a difference in brightness between wafers. In the case of a bright image as shown in FIG. 4A, the bridge 330 needs to set a high threshold to reduce the detection of the grain 320 while detecting. However, when a threshold set for a bright image is applied to a dark image as shown in FIG. 4B, a problem of inferior defect detection occurs. On the contrary, if the threshold value is set according to a dark image as shown in FIG. 4B, in the bright image as shown in FIG. 4A, there are problems of detecting a myriad of defects due to the detection of the grain 220.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 웨이퍼의 명도차를 보정할수 있는 방법 및 이를 기록한 기록 매체를 제공하는 것이다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a method capable of correcting the difference in brightness of a wafer and a recording medium recording the same.
본 발명의 다른 기술적 과제는 라인 패턴과 스페이스 패턴을 구별하여, 라인 패턴에 존재하는 그레인은 검출하지 않고, 스페이스 패턴에 발생하는 브리지 결함 만을 검출하도록, 선택적으로 결함을 검출하는 방법 및 이를 기록한 기록 매체를 제공하는 것이다.Another technical problem of the present invention is to discriminate a line pattern and a space pattern, and to selectively detect a bridge defect occurring in the space pattern without detecting grain existing in the line pattern, and a method for selectively detecting a defect and a recording medium having recorded the same. To provide.
또한, 금속 배선 공정의 결함 검출 시, 웨이퍼의 명도차로 인한 비교되는 이미지들간의 그레이 레벨의 차이를 극복하고, 라인 패턴과 스페이스 패턴을 구별하여 그레인은 검출하지 않고, 브리지만 선택적으로 검출하는 방법 및 이를 기록한 기록 매체를 제공하는 것이다.In addition, when detecting defects in a metal wiring process, a method of selectively detecting only a bridge without detecting grain by distinguishing a line pattern and a space pattern by overcoming the difference in gray levels between the compared images due to the brightness difference of the wafer, and It is to provide a recording medium recording this.
도 1은 그레인 및 브리지 결함이 존재하는 금속 라인 패턴의 실제 모습을 촬영한 도면이다.1 is a view showing the actual appearance of the metal line pattern with grain and bridge defects.
도 2는 이미지 비교에 의한 결함 검출 방법을 설명하는 도면이다.2 is a view for explaining a defect detection method by image comparison.
도 3은 명도가 서로 다른 두 이미지를 나타낸 도면이다.3 is a diagram illustrating two images having different brightnesses.
도 4a 및 도 4b는 웨이퍼 표면에 명도차가 있는 경우의 이미지 비교법을 설명하는 도면이다.4A and 4B are diagrams illustrating an image comparison method when there is a difference in brightness on the wafer surface.
도 5는 본 발명에 따라 명도를 보정하는 순서를 도시한 흐름도이다.5 is a flowchart illustrating a procedure of correcting brightness according to the present invention.
도 6a 및 도 6b는 도 3에서 도시된, 명도가 다른 두 이미지의 히스토그램을 나타낸 것이다.6A and 6B show histograms of two different brightness images shown in FIG.
도 7은 본 발명에 따라 선택적으로 결함을 검출하는 순서를 도시한 흐름도이다.7 is a flowchart illustrating a procedure for selectively detecting a defect in accordance with the present invention.
도 8a 내지 도 8c는 실제 금속 배선 공정에서의 웨이퍼에 대하여, 종래 방법 및 본 발명에 따른 방법의 결함 검출 결과 및 결함이 존재하는 금속 라인 패턴의 실제 모습을 나타낸 것이다.8A to 8C show the defect detection results of the conventional method and the method according to the present invention and the actual appearance of the metal line pattern in which the defects exist with respect to the wafer in the actual metal wiring process.
본 발명의 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 명도 보정 방법은 명도가 서로 다른 X영역과 Y영역이 분포하는 웨이퍼의 표면을 일정한 크기의 픽셀(pixel)로 나누고, 각 픽셀들에 대하여 그레이 레벨(grey level) 값을 정한다. X영역 및 Y영역에 대하여, 각 영역별로 그레이 레벨 값의 평균과 표준 편차를 계산한다. 다음, X영역에 대한 그레이 레벨 값의 평균 및 표준 편차가 Y영역에 대한 그레이 레벨 값의 평균 및 표준 편차와 동일한 값을 갖도록, X영역의 픽셀들을 보정함으로써, 웨이퍼의 전체적인 그레이 레벨을 보정한다. 다음의 식을 이용하여 X영역의 픽셀들을 보정함으로써, X영역에 대한 그레이 레벨 값의 평균 및 표준 편차가 Y영역에 대한 그레이 레벨 값의 평균 및 표준 편차와 동일한 값을 갖도록 할 수 있다.In order to achieve the technical problem of the present invention, the brightness correction method of the present invention divides the surface of the wafer in which the X area and the Y area having different brightness are divided into pixels of a predetermined size, and the gray level for each pixel. (grey level) Set the value. For the X and Y regions, the average and standard deviation of the gray level values are calculated for each region. Next, the overall gray level of the wafer is corrected by correcting the pixels in the X area so that the average and standard deviation of the gray level values for the X area have the same values as the average and standard deviation of the gray level values for the Y area. By correcting the pixels in the X area by using the following equation, the average and standard deviation of the gray level values for the X area can have the same value as the average and standard deviation of the gray level values for the Y area.
(여기서 xi는 X 영역 각 픽셀의 그레이 레벨 값, μ는 각 픽셀의 그레이 레벨 값의 평균, σ는 각 픽셀의 그레이 레벨 값의 표준 편차를 나타내고, 아래 첨자 X는 X영역, Y는 Y영역을 표시하고, 윗첨자 '는 보정 후의 값을 표시한다.)(Where x i is the gray level value of each pixel in the X area, μ is the average of the gray level values of each pixel, σ is the standard deviation of the gray level value of each pixel, subscript X is the X area, and Y is the Y area). , And the superscript 'indicates the value after correction.)
본 발명의 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 결함 검출 방법에서는 라인 패턴 및 상기 라인 패턴보다 명도가 낮은 스페이스가 교대로 반복하여 배열되어 있는 웨이퍼 표면을 일정한 크기의 픽셀로 나누고, 각 픽셀에 대하여 그레이 레벨 값을 정한다. 다음, 라인 패턴에 대해서는 제1 임계값을 설정하고, 스페이스에 대해서는 제2 임계값을 설정하고, 제1 및 제2 임계값 이상의 값을 갖는 픽셀을 확인한다.In order to achieve another technical problem of the present invention, in the defect detection method of the present invention, a wafer pattern in which a line pattern and a space having a lower brightness than the line pattern are alternately arranged repeatedly is divided into pixels of a constant size, Set the gray level value for. Next, a first threshold value is set for the line pattern, a second threshold value is set for the space, and pixels having a value equal to or greater than the first and second threshold values are identified.
제1 및 제2 임계값 이상의 값을 갖는 픽셀을 확인하기 위해서, 웨이퍼의 표면을 다수 개의 픽셀로 구성되는 이미지로 나누고, 이웃하는 3개의 이미지 A,B,C를 순차적으로 추출한다. 가운데에 위치하는 이미지 B 및 이미지 A를 대응되는 픽셀끼리 비교하여, 대응되는 픽셀간의 그레이 레벨 값의 차를 구하여, 그레이 레벨 값의 차가 라인 패턴에 대해서는 제1 임계값 이상이고, 스페이스에 대해서는 제2 임계값 이상인 픽셀만 확인한다. 다음, 이 과정을 이미지 B와 C에 대하여 실행하고, 이미지 B와 A의 비교 및 이미지 B와 C의 비교로부터 공통으로 확인된 픽셀을 결함으로인식한다.In order to identify the pixels having a value greater than or equal to the first and second threshold values, the surface of the wafer is divided into an image composed of a plurality of pixels, and three neighboring images A, B, and C are sequentially extracted. The image B and the image A positioned in the center are compared with each other to obtain a difference in gray level values between the corresponding pixels, and the difference in gray level values is equal to or greater than the first threshold for the line pattern and the second for the space. Only the pixels above the threshold are checked. Next, this process is performed on images B and C, and the pixels commonly identified from the comparison of images B and A and the comparison of images B and C are recognized as defects.
상기 제1 임계값은 금속 배선 패턴 상에 발생되는 그레인(grain)은 검출되지 않도록 설정되고, 제2 임계값은 브리지(bridge) 결함은 검출되도록 설정한다.The first threshold value is set so that grain generated on the metal wiring pattern is not detected, and the second threshold value is set so that a bridge defect is detected.
또한, 본 발명의 기술적 과제를 달성하기 위하여, 명도가 다른 X영역과 Y영역이 분포하는 웨이퍼의 결함을 검출하는 방법에서는, 먼저 웨이퍼의 전체적인 그레이 레벨을 Y영역의 그레이 레벨로 보정한다. 즉, X영역을 구성하는 픽셀들의 그레이 레벨 값의 평균 및 표준 편차가 Y 영역의 평균 및 표준 편차와 같은 값을 갖도록, X 영역의 각 픽셀들의 그레이 레벨 값을 보정한다. 다음, 라인 패턴과 스페이스에 서로 다른 임계값을 적용하여, 결함을 검출한다. 라인 패턴에 적용하는 임계값은 금속 배선 상의 그레인은 검출하지 않도록 설정하고, 스페이스에 적용되는 임계값은 브리지를 검출할 수 있게 설정한다.In addition, in order to achieve the technical problem of the present invention, in the method for detecting defects in a wafer in which X areas and Y areas having different brightness are distributed, first, the overall gray level of the wafer is corrected to the gray level of the Y area. That is, the gray level value of each pixel of the X area is corrected such that the average and standard deviation of the gray level values of the pixels constituting the X area have the same value as the average and standard deviation of the Y area. Next, different thresholds are applied to the line pattern and the space to detect the defect. The threshold applied to the line pattern is set not to detect grain on the metal wiring, and the threshold applied to the space is set to be able to detect the bridge.
상기의 본 발명의 기술적 과제들을 달성하기 위한 명도 보정 방법 및 결함 검출 방법은, 상기 방법을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록 매체로 제공될 수 있다.The brightness correction method and the defect detection method for achieving the above technical problem of the present invention can be provided as a computer-readable recording medium recording the method.
상기 기록 매체는 명도가 서로 다른 X영역과 Y영역이 분포하는 웨이퍼의 표면을 일정한 크기의 픽셀(pixel)로 나누고, X영역 및 Y영역에 대하여, 각 영역별로 픽셀들의 그레이 레벨 값의 평균과 표준 편차를 계산하고, X영역에 대한 그레이 레벨 값의 평균 및 표준 편차가 Y영역에 대한 그레이 레벨 값의 평균 및 표준 편차와 동일한 값을 갖도록, X영역의 픽셀들을 보정하는 명도 보정 프로그램 모듈이 기록된다. 다음의 식을 이용하여, X영역의 픽셀들을 보정하는 명도 보정 프로그램 모듈이 기록된다.The recording medium divides the surface of the wafer in which X and Y areas having different brightnesses are divided into pixels of a predetermined size, and for the X and Y areas, the average and standard of the gray level values of the pixels for each area. A brightness correction program module is written which calculates the deviation and corrects the pixels of the X area so that the mean and standard deviation of the gray level values for the X area have the same values as the average and standard deviation of the gray level values for the Y area. . Using the following equation, a brightness correction program module for correcting pixels in the X area is recorded.
(여기서 xi는 X 영역 각 픽셀의 그레이 레벨 값, μ는 각 픽셀의 그레이 레벨 값의 평균, σ는 각 픽셀의 그레이 레벨 값의 표준 편차를 나타내고, 아래 첨자 X는 X영역, Y는 Y영역을 표시하고, 윗첨자 '는 보정 후의 값을 표시한다.)(Where x i is the gray level value of each pixel in the X area, μ is the average of the gray level values of each pixel, σ is the standard deviation of the gray level value of each pixel, subscript X is the X area, and Y is the Y area). , And the superscript 'indicates the value after correction.)
상기의 기록 매체는 라인 패턴 및 상기 라인 패턴보다 명도가 낮은 스페이스가 교대로 반복하여 배열되어 있는 웨이퍼 표면의 각 픽셀에 대하여 그레이 레벨 값을 정하고, 라인 패턴에 대해서는 제1 임계값을 설정하고, 스페이스에 대해서는 제2 임계값을 설정하고, 제1 및 제2 임계값 이상의 값을 갖는 픽셀을 확인하는 결함 검출 프로그램 모듈이 기록된다.In the recording medium, a line pattern and a space having a lower brightness than the line pattern are determined with gray level values for each pixel on the wafer surface alternately arranged, a first threshold value is set for the line pattern, For this, a defect detection program module for setting a second threshold value and identifying a pixel having a value greater than or equal to the first and second threshold values is recorded.
또한, 상기의 기록 매체는 명도가 다른 영역이 존재하는 웨이퍼의 각 이미지를 최적화된 그레이 레벨을 갖는 이미지에 맞게 보정하고, 라인 패턴과 스페이스를 구별하여, 각 패턴에 따라 서로 다른 임계값을 적용하여 결함을 검출하는 프로그램 모듈이 기록된다.In addition, the recording medium corrects each image of a wafer having regions of different brightness to an image having an optimized gray level, distinguishes a line pattern and a space, and applies different threshold values according to each pattern. The program module for detecting the defect is recorded.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 상술하는 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, embodiments of the present invention may be modified in many different forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below.
이하, 도면을 참고로 본 발명의 실시예들을 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
(실시예 1)(Example 1)
실시예 1은 명도차가 있는 웨이퍼 표면의 명도를 보정하는 방법에 관한 것이다. 제1 명도를 갖는 X영역과 제2 명도를 갖는 Y영역이 분포하는 웨이퍼의 명도가 서로 다른 두 이미지의 명도 보정에 관해 설명한다.Example 1 relates to a method of correcting brightness of a wafer surface having a difference in brightness. The brightness correction of two images in which the brightness of the wafer in which the X region having the first brightness and the Y region having the second brightness are distributed is different from each other will be described.
도 5는 본 발명에 따라 명도를 보정하는 순서를 도시한 흐름도이다.5 is a flowchart illustrating a procedure of correcting brightness according to the present invention.
단계 Ⅰ에서는, 명도가 다른 두 영역 X(어두운 영역)와 Y(밝은 영역)가 분포된 웨이퍼의 표면을 일정한 크기의 픽셀로 나누고, 각 픽셀의 그레이 레벨 값을 정한다.In step I, the surface of the wafer in which two areas X (dark area) and Y (bright area) having different brightnesses are distributed is divided into pixels of constant size, and the gray level value of each pixel is determined.
단계 Ⅱ에서는, 두 영역 X, Y 각각에 대해서, 각 픽셀들이 갖는 그레이 레벨 값의 평균 및 표준 편차를 계산한다.In step II, for each of the two regions X and Y, the mean and standard deviation of the gray level values of each pixel are calculated.
단계 Ⅲ에서는, 명도가 낮은 X 영역을 Y영역의 명도로 보정하기 위해서, 수학식 1을 이용하여, X 영역의 각 픽셀들의 그레이 레벨 값을 보정한다.In step III, in order to correct the X area having low brightness to the brightness of the Y area, Equation 1 is used to correct the gray level value of each pixel of the X area.
여기서 xi는 X 영역 각 픽셀의 그레이 레벨 값, μ는 각 픽셀의 그레이 레벨 값의 평균, σ는 각 픽셀의 그레이 레벨 값의 표준 편차를 나타내고, 아래 첨자 X는 X영역, Y는 Y영역을 표시하고, 윗첨자 '는 보정 후의 값을 표시한다.Where x i is the gray level value of each pixel in the X area, μ is the average of the gray level values of each pixel, σ is the standard deviation of the gray level value of each pixel, and the subscript X is the X area, and Y is the Y area. Superscript 'indicates the value after correction.
도 6a 및 도 6b는 도 3에서 도시된, 명도가 다른 두 이미지의 히스토그램을 나타낸 것이다. 가로축은 0-255 사이의 정수 값을 갖는 그레이 레벨 값이고, 세로축은 각각의 그레이 레벨 값을 갖는 픽셀의 개수이다. 도 6a는 도 3에서 Y로 표시된 밝은 이미지의 히스토그램이고, 도 6b는 도 3에서 X로 표시된 어두운 이미지의 히스토그램이다. 도시된 바와 같이, 두 이미지의 명도차로 인해, 두 이미지의 그레이 레벨 값들의 평균과 표준 편차가 서로 다르다. 상기 수학식 1에 의해 6b에 도시된 어두운 이미지의 히스토그램을 도 6a의 히스토그램과 같은 형태로 보정한다.6A and 6B show histograms of two different brightness images shown in FIG. The horizontal axis is a gray level value having an integer value between 0 and 255, and the vertical axis is the number of pixels having each gray level value. FIG. 6A is a histogram of the bright image denoted by Y in FIG. 3, and FIG. 6B is a histogram of the dark image denoted by X in FIG. As shown, due to the brightness difference between the two images, the mean and standard deviation of the gray level values of the two images are different from each other. The histogram of the dark image shown in 6b is corrected to the histogram of FIG. 6a by Equation 1 above.
이하, 도 7 및 도 8a 내지 도 8c를 참고로 실시예 2를 설명한다.Hereinafter, Embodiment 2 will be described with reference to FIGS. 7 and 8A to 8C.
(실시예 2)(Example 2)
실시예 2는 금속 배선 패턴과 스페이스가 교대로 반복하여 배열되어 있는 웨이퍼에서, 각 패턴 별로 선택적으로 결함을 검출하는 방법에 관한 것이다.Embodiment 2 relates to a method for selectively detecting a defect for each pattern in a wafer in which metal wiring patterns and spaces are alternately arranged alternately.
도 7은 본 발명에 따라 선택적으로 결함을 검출하는 순서를 도시한 흐름도이다.7 is a flowchart illustrating a procedure for selectively detecting a defect in accordance with the present invention.
단계 Ⅰ에서는, 금속 배선 패턴과 스페이스가 교대로 반복하여 배열되어 있는 웨이퍼 표면을 일정한 크기의 픽셀로 나누고, 각 픽셀의 그레이 레벨 값을 정한다.In step I, the wafer surface in which metal wiring patterns and spaces are alternately arranged alternately is divided into pixels of constant size, and the gray level value of each pixel is determined.
단계 Ⅱ에서는, 명도가 높은 금속 배선 패턴에는 제1 임계값을 설정하여 감지도를 낮추고, 명도가 낮은 스페이스에는 제1 임계값보다 낮은 제2 임계값을 설정하여 감지도를 높인다. 금속 배선 패턴에는 그레인이 존재하므로, 그레인이 검출되지 않도록, 제1 임계값은 그레인의 그레이 레벨 값과 금속 배선 패턴의 그레이 레벨 값의 차보다 높게 설정한다. 또한, 제2 임계값은 스페이스에 존재하는 브리지를 검출할 수 있도록, 낮게 설정한다.In step II, a sensitivity is set by setting a first threshold value in a metal wiring pattern having a high brightness, and setting a second threshold lower than a first threshold value in a space having a low brightness to increase the sensitivity. Since grain exists in the metal wiring pattern, the first threshold value is set higher than the difference between the gray level value of the grain and the gray level value of the metal wiring pattern so that grain is not detected. Further, the second threshold value is set low so that the bridge existing in the space can be detected.
단계 Ⅲ에서는, 결함을 검출하기 위해 3개의 연속된 이미지 A,B,C를 비교하는데, 금속 배선 패턴은 금속 배선 패턴끼리, 스페이스는 스페이스끼리 비교한다. 금속 배선 패턴을 이루는 픽셀들의 그레이 레벨 값은 대체로 비슷하고, 마찬가지로, 스페이스를 이루는 픽셀들의 그레이 레벨 값도 대체로 비슷하다. 또한, 금속 배선 패턴과 스페이스의 그레이 레벨 값의 차는 크다. 두 패턴의 그레이 레벨 값 사이의 임의의 값을 설정하여, 두 패턴을 구분할 수 있다.In step III, three consecutive images A, B, and C are compared to detect a defect, where the metal wiring patterns are compared with the metal wiring patterns, and the spaces are compared with each other. The gray level values of the pixels constituting the metal wiring pattern are generally similar, and likewise, the gray level values of the pixels constituting the space are generally similar. In addition, the difference between the metal wiring pattern and the gray level value of the space is large. The two patterns can be distinguished by setting an arbitrary value between the gray level values of the two patterns.
이미지 B의 스페이스 및 이미지 A의 스페이스를 대응되는 픽셀끼리 비교하여, 대응되는 픽셀간의 그레이 레벨 값의 차이를 구한다. 그레이 레벨 값의 차이가 제2 임계값 이상이면 이미지 B의 해당 픽셀이 결함이 있는 것으로 인식한다. 다음, 이미지 B의 상기 픽셀에 대응되는 이미지 C의 픽셀과 비교하여, 그레이 레벨 값의 차이를 구한다. 역시, 그레이 레벨 값의 차이가 제2 임계값 이상이면 결함으로 인식한다. 이 때, 상기 두 경우에서, 공통으로 결함으로 인식된 경우, 최종적으로 결함으로 간주한다.The space of the image B and the space of the image A are compared between the corresponding pixels to obtain a difference in the gray level value between the corresponding pixels. If the difference in gray level values is greater than or equal to the second threshold, the corresponding pixel in image B is recognized as defective. Next, a difference in gray level values is obtained by comparing the pixels of the image C corresponding to the pixels of the image B. Again, if the difference between the gray level values is greater than or equal to the second threshold, it is recognized as a defect. At this time, in both cases, if it is recognized as a defect in common, it is finally regarded as a defect.
상술한 방법에 의해, 금속 배선 패턴 내에만 존재하는 그레인은 높은 임계값을 설정함으로써 검출하지 않고, 스페이스 패턴에서만 발생하는 브리지와 같은 결함을 검출할 수 있다.By the above-described method, grains existing only in the metal wiring pattern can be detected by setting a high threshold value, and defects such as bridges occurring only in the space pattern can be detected.
도 8a 내지 도 8c는 실제 금속 배선 공정에서의 웨이퍼에 대하여, 종래 방법과 본 발명 방법의 결함 검출 결과를 나타낸 것이다.8A to 8C show defect detection results of the conventional method and the method of the present invention with respect to the wafer in the actual metal wiring process.
도 8a는 종래 방법을 적용한 결과로, 즉 패턴간의 구별없이 하나의 임계값을 적용하여 결함을 검출한 결과이다. 도면의 검은 점들은 모두 결함으로 검출된 그레인이다.8A is a result of applying the conventional method, that is, a result of detecting a defect by applying one threshold value without distinguishing between patterns. The black dots in the figure are all grains detected as defects.
도 8b는 본 발명의 방법을 적용한 결과로, 도 8c에서 보여지는 브리지 결함(400)만을 선택적으로 검출한다. 도 8b에서, 점(·) 표시가 도 8c에서 보이는 브리지 결함(400)의 위치를 나타낸다. + 표시는 웨이퍼의 중앙을 나타내는 표시일 뿐이다.8B selectively detects only the bridge defect 400 shown in FIG. 8C as a result of applying the method of the present invention. In FIG. 8B, a dot (·) indicates the position of the bridge defect 400 shown in FIG. 8C. The + mark is only a mark indicating the center of the wafer.
(실시예 3)(Example 3)
실시예 3은 웨이퍼 표면에 명도가 다른 영역이 존재하여, 이들 이미지들 간에 명도차가 있는 경우, 패턴별 선택적인 결함 검출 방법에 관한 것이다. 실시예 3은 실시예 1 및 실시예 2를 순차적으로 실시하는 것으로, 이미 상술한 내용과 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.Example 3 relates to a selective defect detection method for each pattern when there are regions of different brightness on the wafer surface and there is a difference in brightness between these images. In Embodiment 3, Embodiment 1 and Embodiment 2 are carried out sequentially, and the detailed description thereof will be omitted since it is the same as described above.
도 3a, 도 3b에서 도시된 것과 같이, 밝은 이미지와 어두운 이미지가 존재하는 경우, 먼저 상술한 실시예 1의 방법으로 어두운 이미지의 명도를 보정한다. 다음, 실시예 2의 방법으로 패턴 별로 서로 다른 임계값을 적용하여, 브리지만 검출할 수 있다.As shown in FIGS. 3A and 3B, when a bright image and a dark image exist, the brightness of the dark image is first corrected by the method of Embodiment 1 described above. Next, only the bridge may be detected by applying different threshold values for each pattern by the method of the second embodiment.
상술한 바와 같이, 본 발명에서는 각 이미지의 픽셀들의 평균과 표준 편차를 이용함으로써, 명도차가 있는 이미지들의 명도를 보정할 수 있다.As described above, in the present invention, the brightness of the images having the difference in brightness may be corrected by using the average and the standard deviation of the pixels of each image.
또한, 금속 배선 패턴과 스페이스를 구별하여, 각 패턴에 대해 서로 다른 임계값을 적용함으로써, 선택적으로 결함을 검출할 수 있다. 즉, 그레인은 검출하지않고, 반도체 소자에 치명적인 영향을 주는 브리지만 검출할 수 있다. 따라서, 결함 검출의 선별력이 향상되므로, 결함 검출 공정을 더 효율적으로 관리할 수 있다.In addition, a defect can be selectively detected by distinguishing a metal wiring pattern and a space and applying different threshold values to each pattern. That is, the grain can be detected, and only the bridge having a fatal effect on the semiconductor element can be detected. Therefore, since the screening force of defect detection improves, it is possible to manage a defect detection process more efficiently.
한편, 웨이퍼 내의 위치에 따른 명도차가 발생하는 경우에, 선택적 결함 검출 방법을 실행하기 전에, 명도 보정을 먼저 실행하여 검사 조건을 최적화함으로써, 결함 검출력을 향상시킬 수 있다.On the other hand, when the brightness difference according to the position in the wafer occurs, the defect detection power can be improved by optimizing the inspection conditions by first performing brightness correction before executing the selective defect detection method.
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