KR100425447B1 - Method of grey level compensation and selective wafer-defect inspection for patterns and recording medium recorded thereof - Google Patents

Method of grey level compensation and selective wafer-defect inspection for patterns and recording medium recorded thereof Download PDF

Info

Publication number
KR100425447B1
KR100425447B1 KR10-2001-0025578A KR20010025578A KR100425447B1 KR 100425447 B1 KR100425447 B1 KR 100425447B1 KR 20010025578 A KR20010025578 A KR 20010025578A KR 100425447 B1 KR100425447 B1 KR 100425447B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gray level
image
pixels
area
threshold
Prior art date
Application number
KR10-2001-0025578A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20020085995A (en
Inventor
전충삼
전상문
김형진
이동춘
최상봉
류성곤
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR10-2001-0025578A priority Critical patent/KR100425447B1/en
Priority to US09/949,111 priority patent/US7027638B2/en
Priority to TW091109117A priority patent/TW544841B/en
Priority to DE10221318A priority patent/DE10221318B4/en
Priority to JP2002131981A priority patent/JP4243454B2/en
Publication of KR20020085995A publication Critical patent/KR20020085995A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100425447B1 publication Critical patent/KR100425447B1/en

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T5/00Image enhancement or restoration
    • G06T5/90Dynamic range modification of images or parts thereof
    • G06T5/94Dynamic range modification of images or parts thereof based on local image properties, e.g. for local contrast enhancement
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00Image analysis
    • G06T7/90Determination of colour characteristics
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/20Special algorithmic details
    • G06T2207/20021Dividing image into blocks, subimages or windows
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/30Subject of image; Context of image processing
    • G06T2207/30108Industrial image inspection
    • G06T2207/30148Semiconductor; IC; Wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Image Processing (AREA)
  • Image Analysis (AREA)

Abstract

웨이퍼 표면의 명도를 보정하는 방법 및 서로 다른 패턴에 대한 선택적 결함 검출 방법, 그리고 이러한 방법들을 기록한 기록 매체에 관해 개시한다. 웨이퍼를 분할하는 각 픽셀들의 평균과 표준 편차를 이용함으로써, 명도차가 있는 이미지들의 명도를 보정할 수 있다. 또한, 금속 배선 패턴과 스페이스를 구별하여, 각 패턴에 대해 서로 다른 임계값을 적용함으로써, 선택적으로 결함을 검출할 수 있다. 즉, 그레인은 검출하지 않고, 반도체 소자에 치명적인 영향을 주는 브리지만 검출할 수 있다. 따라서, 결함 검출의 선별력이 향상되므로, 결함 검출 공정을 더 효율적으로 관리할 수 있다.A method of correcting the brightness of a wafer surface, a selective defect detection method for different patterns, and a recording medium on which these methods are recorded are disclosed. By using the mean and standard deviation of each pixel dividing the wafer, it is possible to correct the brightness of the images with the difference in brightness. In addition, a defect can be selectively detected by distinguishing a metal wiring pattern and a space and applying different threshold values to each pattern. In other words, it is possible to detect only the bridge which does not detect grain and which has a fatal effect on the semiconductor element. Therefore, since the screening force of defect detection improves, it is possible to manage a defect detection process more efficiently.

Description

명도 보정 및 선택적 결함 검출 방법 및 이를 기록한 기록 매체{Method of grey level compensation and selective wafer-defect inspection for patterns and recording medium recorded thereof}Method of brightness correction and selective defect detection and recording medium {Method of gray level compensation and selective wafer-defect inspection for patterns and recording medium recorded}

본 발명은 반도체 소자의 제조 공정 중 발생하는 결함의 검출 기술에 관한 것으로, 특히 명도 차이가 있는 웨이퍼 표면의 명도를 보정하는 방법 및 서로 다른 패턴에 대한 선택적 결함 검출 방법, 그리고 이러한 방법들을 기록한 기록 매체에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a technique for detecting defects occurring during the manufacturing process of a semiconductor device, and more particularly, a method of correcting brightness of a wafer surface having a difference in brightness, a selective defect detection method for different patterns, and a recording medium recording such methods It is about.

반도체 소자의 제조 공정 시, 발생되는 결함들은 소자의 신뢰성 및 수율에 중대한 영향을 미치므로, 제조 공정의 매 단계마다 결함 검출 공정이 수행되고 있다. 일반적으로, 결함 검출 장치에서는 웨이퍼 상에서 반복되는 패턴들의 이웃한 이미지들의 각 픽셀을 비교하여, 그레이 레벨(grey level)값의 차이가 임계값 이상인 픽셀을 결함으로 검출하는 방법을 사용하고 있다. 그레이 레벨이란 가장 어두운 단계를 0으로, 가장 밝은 단계를 255로 지정하여 명도를 256단계로 구분한 수치이다.Defects generated in the manufacturing process of the semiconductor device has a significant effect on the reliability and yield of the device, so that a defect detection process is performed at every step of the manufacturing process. In general, a defect detection apparatus uses a method of comparing pixels of neighboring images of repeating patterns on a wafer to detect a pixel whose difference in gray level values is greater than or equal to a threshold value. The gray level is divided into 256 levels of brightness by specifying the darkest level as 0 and the brightest level as 255.

이하, 종래의 결함 검출 방법을 구체적으로 살펴본다.Hereinafter, a conventional defect detection method will be described in detail.

임의의 광원에서 나온 빛을 웨이퍼 표면에 조사한다. 결함 검출 장치의 신호 감지부에서는 웨이퍼 표면에서 반사된 빛을 픽셀로 나누어 감지하고, 각 픽셀의 그레이 레벨 값을 정한다. 다음, 결함 인식의 기준이 되는 임계값을 설정한다.Light from any light source is irradiated onto the wafer surface. The signal detector of the defect detection apparatus detects light reflected from the wafer surface by dividing it into pixels, and sets a gray level value of each pixel. Next, a threshold value, which is a criterion for defect recognition, is set.

결함을 검출하기 위해서는 웨이퍼 전면에 대해, 웨이퍼 표면의 이웃하는 부분의 이미지를 3개씩 비교한다. 각각의 이미지는 다수 개의 픽셀로 구성되어 있다. 가운데 이미지 B는 결함의 존재 여부를 검사하려는 대상 이미지(candidate image)이고, 이미지 B 양측의 이미지 A와 C는 비교 기준이 되는 비교 이미지(reference image)이다. 먼저, 이미지 B 및 이미지 A를 대응되는 픽셀끼리 비교하여, 대응되는 픽셀간의 그레이 레벨 값의 차이를 구한다. 그레이 레벨 값의 차이가 임계값 이상인 B의 픽셀들을 인식한다. 다음, 이미지 B 및 이미지 C를 대응되는 픽셀끼리 비교하여, 그레이 레벨 값의 차이를 구한다. 역시, 그레이 레벨 값의 차이가 임계값 이상인 B의 픽셀들을 인식한다. 이 때, 상기 두 경우에서, 공통으로 인식된 픽셀만을 최종적으로 결함으로 간주한다.To detect a defect, three images of neighboring portions of the wafer surface are compared with respect to the front surface of the wafer. Each image consists of a number of pixels. The center image B is a candidate image to be examined for the presence of a defect, and the images A and C on both sides of the image B are reference images. First, image B and image A are compared with corresponding pixels, and the difference of gray level values between corresponding pixels is calculated | required. Recognize the pixels of B whose difference in gray level value is above the threshold. Next, image B and image C are compared with corresponding pixels, and the difference of gray level value is calculated | required. Again, it recognizes pixels of B whose difference in gray level value is above the threshold. At this time, in the above two cases, only the pixels recognized in common are finally regarded as defects.

이러한 이미지 비교법을 이용한 결함 검출 방법의 가장 큰 문제점 중의 하나는 금속 배선 공정 상에 존재한다.One of the biggest problems of the defect detection method using this image comparison method exists in the metal wiring process.

도 1은 금속 라인 패턴(100) 및 스페이스(110)가 규칙적으로 배열되는 있는 실제 모습을 촬영한 도면이다. 도 1에서 보는 바와 같이, 금속 라인 패턴(100) 상에는 그레인(grain)(120)이 존재하고, 스페이스(110)에는 브리지(bridge)(130)가 존재한다. 그레인(120)은 결함처럼 보이기는 하지만, 실제로 반도체 소자에는 영향을 주지 않는다. 하지만, 도시된 바와 같이, 그레인(120)은 금속 라인 패턴(100)보다 낮은 그레이 레벨 값을 가지므로, 결함 검사 시, 결함으로 인식되어 전체 결함의 개수를 증가시켜 공정 관리를 어렵게 한다.FIG. 1 is a diagram illustrating an actual state in which the metal line pattern 100 and the space 110 are regularly arranged. As shown in FIG. 1, grains 120 exist on the metal line pattern 100, and bridges 130 exist in the space 110. Grain 120 looks like a defect but does not actually affect the semiconductor device. However, as shown, since the grain 120 has a lower gray level value than the metal line pattern 100, it is recognized as a defect during defect inspection, thereby increasing the total number of defects and making process management difficult.

도 2는 금속 라인 패턴(200) 및 스페이스(210)가 규칙적으로 배열된 웨이퍼에 결함이 존재하는 경우의 이미지 비교법을 이용한 결함 검출 방법을 설명하기 위한 도면이다. 이미지 B에는 실제로 수율에 심각한 영향을 주는 킬링(killing)성 결함인 브리지(230)와 그레인(220)이 함께 존재한다. 브리지(230)와 같은 킬링성 결함을 검출하기 위해서는 임계값을 낮게 설정하여 감지도(sensitivity)를 높여야 한다. 그런데, 임계값을 낮게 설정하면, 그레인(220)까지도 결함으로 검출되므로, 결함의 개수가 너무 많아서 공정 관리가 어렵게 된다. 반대로, 그레인(220)이 검출되지 않도록 하기 위해, 즉 감지도를 낮추기 위해 임계값을 높게 설정하면, 브리지(230)까지도 검출되지 않는 문제점이 있다.FIG. 2 is a diagram for describing a defect detection method using an image comparison method when a defect is present in a wafer in which the metal line pattern 200 and the space 210 are regularly arranged. Image B has bridge 230 and grain 220 together, which are killing defects that actually have a significant impact on yield. In order to detect a killing defect such as the bridge 230, a threshold value must be set low to increase sensitivity. However, when the threshold value is set low, even grains 220 are detected as defects, so the number of defects is so large that process management becomes difficult. On the contrary, if the threshold value is set high so that the grain 220 is not detected, that is, the sensitivity is lowered, there is a problem that even the bridge 230 is not detected.

한편, 이미지 비교법을 이용한 결함 검출 방법의 또 다른 문제점은 도 3에서 도시된 것과 같이, 웨이퍼의 명도차(또는 색상차)가 존재하는 경우에 발생한다. 웨이퍼의 서로 다른 영역에서 이를테면, 웨이퍼의 중앙부와 가장자리 영역에서 이미지의 전체적인 그레이 레벨의 차이가 발생하는 경우이다. 도 3에서, X로 표시된 쪽은 웨이퍼 중앙부의 어두운 이미지이고, Y로 표시된 쪽은 웨이퍼 가장자리의 밝은 이미지를 나타낸다.On the other hand, another problem of the defect detection method using the image comparison method occurs when there is a brightness difference (or color difference) of the wafer, as shown in FIG. In different areas of the wafer, for example, differences in the overall gray level of the image occur in the center and edge areas of the wafer. In Fig. 3, the side marked X is a dark image of the center of the wafer, and the side marked Y represents a bright image of the wafer edge.

도 4a와 도 4b는 웨이퍼의 명도차가 존재하는 경우의 결함 검출 이미지 비교법에 대해 설명한 도면이다. 도 4a와 같이 밝은 이미지의 경우에, 브리지(330)는 검출하면서 그레인(320)의 검출을 줄이기 위해서는 임계값을 높게 설정해야 한다. 하지만, 밝은 이미지에 맞추어 설정된 임계값을 도 4b와 같은 어두운 이미지에 적용하게 되면, 결함 검출력이 떨어지는 문제점이 생긴다. 반대로, 도 4b와 같은 어두운 이미지에 맞추어 임계값을 설정하면, 도 4a와 같은 밝은 이미지에서는 그레인(220)의 검출로 인해 무수히 많은 결함을 검출하는 문제가 있다.4A and 4B are diagrams for explaining a defect detection image comparison method when there is a difference in brightness between wafers. In the case of a bright image as shown in FIG. 4A, the bridge 330 needs to set a high threshold to reduce the detection of the grain 320 while detecting. However, when a threshold set for a bright image is applied to a dark image as shown in FIG. 4B, a problem of inferior defect detection occurs. On the contrary, if the threshold value is set according to a dark image as shown in FIG. 4B, in the bright image as shown in FIG. 4A, there are problems of detecting a myriad of defects due to the detection of the grain 220.

따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 웨이퍼의 명도차를 보정할수 있는 방법 및 이를 기록한 기록 매체를 제공하는 것이다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a method capable of correcting the difference in brightness of a wafer and a recording medium recording the same.

본 발명의 다른 기술적 과제는 라인 패턴과 스페이스 패턴을 구별하여, 라인 패턴에 존재하는 그레인은 검출하지 않고, 스페이스 패턴에 발생하는 브리지 결함 만을 검출하도록, 선택적으로 결함을 검출하는 방법 및 이를 기록한 기록 매체를 제공하는 것이다.Another technical problem of the present invention is to discriminate a line pattern and a space pattern, and to selectively detect a bridge defect occurring in the space pattern without detecting grain existing in the line pattern, and a method for selectively detecting a defect and a recording medium having recorded the same. To provide.

또한, 금속 배선 공정의 결함 검출 시, 웨이퍼의 명도차로 인한 비교되는 이미지들간의 그레이 레벨의 차이를 극복하고, 라인 패턴과 스페이스 패턴을 구별하여 그레인은 검출하지 않고, 브리지만 선택적으로 검출하는 방법 및 이를 기록한 기록 매체를 제공하는 것이다.In addition, when detecting defects in a metal wiring process, a method of selectively detecting only a bridge without detecting grain by distinguishing a line pattern and a space pattern by overcoming the difference in gray levels between the compared images due to the brightness difference of the wafer, and It is to provide a recording medium recording this.

도 1은 그레인 및 브리지 결함이 존재하는 금속 라인 패턴의 실제 모습을 촬영한 도면이다.1 is a view showing the actual appearance of the metal line pattern with grain and bridge defects.

도 2는 이미지 비교에 의한 결함 검출 방법을 설명하는 도면이다.2 is a view for explaining a defect detection method by image comparison.

도 3은 명도가 서로 다른 두 이미지를 나타낸 도면이다.3 is a diagram illustrating two images having different brightnesses.

도 4a 및 도 4b는 웨이퍼 표면에 명도차가 있는 경우의 이미지 비교법을 설명하는 도면이다.4A and 4B are diagrams illustrating an image comparison method when there is a difference in brightness on the wafer surface.

도 5는 본 발명에 따라 명도를 보정하는 순서를 도시한 흐름도이다.5 is a flowchart illustrating a procedure of correcting brightness according to the present invention.

도 6a 및 도 6b는 도 3에서 도시된, 명도가 다른 두 이미지의 히스토그램을 나타낸 것이다.6A and 6B show histograms of two different brightness images shown in FIG.

도 7은 본 발명에 따라 선택적으로 결함을 검출하는 순서를 도시한 흐름도이다.7 is a flowchart illustrating a procedure for selectively detecting a defect in accordance with the present invention.

도 8a 내지 도 8c는 실제 금속 배선 공정에서의 웨이퍼에 대하여, 종래 방법 및 본 발명에 따른 방법의 결함 검출 결과 및 결함이 존재하는 금속 라인 패턴의 실제 모습을 나타낸 것이다.8A to 8C show the defect detection results of the conventional method and the method according to the present invention and the actual appearance of the metal line pattern in which the defects exist with respect to the wafer in the actual metal wiring process.

본 발명의 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 명도 보정 방법은 명도가 서로 다른 X영역과 Y영역이 분포하는 웨이퍼의 표면을 일정한 크기의 픽셀(pixel)로 나누고, 각 픽셀들에 대하여 그레이 레벨(grey level) 값을 정한다. X영역 및 Y영역에 대하여, 각 영역별로 그레이 레벨 값의 평균과 표준 편차를 계산한다. 다음, X영역에 대한 그레이 레벨 값의 평균 및 표준 편차가 Y영역에 대한 그레이 레벨 값의 평균 및 표준 편차와 동일한 값을 갖도록, X영역의 픽셀들을 보정함으로써, 웨이퍼의 전체적인 그레이 레벨을 보정한다. 다음의 식을 이용하여 X영역의 픽셀들을 보정함으로써, X영역에 대한 그레이 레벨 값의 평균 및 표준 편차가 Y영역에 대한 그레이 레벨 값의 평균 및 표준 편차와 동일한 값을 갖도록 할 수 있다.In order to achieve the technical problem of the present invention, the brightness correction method of the present invention divides the surface of the wafer in which the X area and the Y area having different brightness are divided into pixels of a predetermined size, and the gray level for each pixel. (grey level) Set the value. For the X and Y regions, the average and standard deviation of the gray level values are calculated for each region. Next, the overall gray level of the wafer is corrected by correcting the pixels in the X area so that the average and standard deviation of the gray level values for the X area have the same values as the average and standard deviation of the gray level values for the Y area. By correcting the pixels in the X area by using the following equation, the average and standard deviation of the gray level values for the X area can have the same value as the average and standard deviation of the gray level values for the Y area.

(여기서 xi는 X 영역 각 픽셀의 그레이 레벨 값, μ는 각 픽셀의 그레이 레벨 값의 평균, σ는 각 픽셀의 그레이 레벨 값의 표준 편차를 나타내고, 아래 첨자 X는 X영역, Y는 Y영역을 표시하고, 윗첨자 '는 보정 후의 값을 표시한다.)(Where x i is the gray level value of each pixel in the X area, μ is the average of the gray level values of each pixel, σ is the standard deviation of the gray level value of each pixel, subscript X is the X area, and Y is the Y area). , And the superscript 'indicates the value after correction.)

본 발명의 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 결함 검출 방법에서는 라인 패턴 및 상기 라인 패턴보다 명도가 낮은 스페이스가 교대로 반복하여 배열되어 있는 웨이퍼 표면을 일정한 크기의 픽셀로 나누고, 각 픽셀에 대하여 그레이 레벨 값을 정한다. 다음, 라인 패턴에 대해서는 제1 임계값을 설정하고, 스페이스에 대해서는 제2 임계값을 설정하고, 제1 및 제2 임계값 이상의 값을 갖는 픽셀을 확인한다.In order to achieve another technical problem of the present invention, in the defect detection method of the present invention, a wafer pattern in which a line pattern and a space having a lower brightness than the line pattern are alternately arranged repeatedly is divided into pixels of a constant size, Set the gray level value for. Next, a first threshold value is set for the line pattern, a second threshold value is set for the space, and pixels having a value equal to or greater than the first and second threshold values are identified.

제1 및 제2 임계값 이상의 값을 갖는 픽셀을 확인하기 위해서, 웨이퍼의 표면을 다수 개의 픽셀로 구성되는 이미지로 나누고, 이웃하는 3개의 이미지 A,B,C를 순차적으로 추출한다. 가운데에 위치하는 이미지 B 및 이미지 A를 대응되는 픽셀끼리 비교하여, 대응되는 픽셀간의 그레이 레벨 값의 차를 구하여, 그레이 레벨 값의 차가 라인 패턴에 대해서는 제1 임계값 이상이고, 스페이스에 대해서는 제2 임계값 이상인 픽셀만 확인한다. 다음, 이 과정을 이미지 B와 C에 대하여 실행하고, 이미지 B와 A의 비교 및 이미지 B와 C의 비교로부터 공통으로 확인된 픽셀을 결함으로인식한다.In order to identify the pixels having a value greater than or equal to the first and second threshold values, the surface of the wafer is divided into an image composed of a plurality of pixels, and three neighboring images A, B, and C are sequentially extracted. The image B and the image A positioned in the center are compared with each other to obtain a difference in gray level values between the corresponding pixels, and the difference in gray level values is equal to or greater than the first threshold for the line pattern and the second for the space. Only the pixels above the threshold are checked. Next, this process is performed on images B and C, and the pixels commonly identified from the comparison of images B and A and the comparison of images B and C are recognized as defects.

상기 제1 임계값은 금속 배선 패턴 상에 발생되는 그레인(grain)은 검출되지 않도록 설정되고, 제2 임계값은 브리지(bridge) 결함은 검출되도록 설정한다.The first threshold value is set so that grain generated on the metal wiring pattern is not detected, and the second threshold value is set so that a bridge defect is detected.

또한, 본 발명의 기술적 과제를 달성하기 위하여, 명도가 다른 X영역과 Y영역이 분포하는 웨이퍼의 결함을 검출하는 방법에서는, 먼저 웨이퍼의 전체적인 그레이 레벨을 Y영역의 그레이 레벨로 보정한다. 즉, X영역을 구성하는 픽셀들의 그레이 레벨 값의 평균 및 표준 편차가 Y 영역의 평균 및 표준 편차와 같은 값을 갖도록, X 영역의 각 픽셀들의 그레이 레벨 값을 보정한다. 다음, 라인 패턴과 스페이스에 서로 다른 임계값을 적용하여, 결함을 검출한다. 라인 패턴에 적용하는 임계값은 금속 배선 상의 그레인은 검출하지 않도록 설정하고, 스페이스에 적용되는 임계값은 브리지를 검출할 수 있게 설정한다.In addition, in order to achieve the technical problem of the present invention, in the method for detecting defects in a wafer in which X areas and Y areas having different brightness are distributed, first, the overall gray level of the wafer is corrected to the gray level of the Y area. That is, the gray level value of each pixel of the X area is corrected such that the average and standard deviation of the gray level values of the pixels constituting the X area have the same value as the average and standard deviation of the Y area. Next, different thresholds are applied to the line pattern and the space to detect the defect. The threshold applied to the line pattern is set not to detect grain on the metal wiring, and the threshold applied to the space is set to be able to detect the bridge.

상기의 본 발명의 기술적 과제들을 달성하기 위한 명도 보정 방법 및 결함 검출 방법은, 상기 방법을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록 매체로 제공될 수 있다.The brightness correction method and the defect detection method for achieving the above technical problem of the present invention can be provided as a computer-readable recording medium recording the method.

상기 기록 매체는 명도가 서로 다른 X영역과 Y영역이 분포하는 웨이퍼의 표면을 일정한 크기의 픽셀(pixel)로 나누고, X영역 및 Y영역에 대하여, 각 영역별로 픽셀들의 그레이 레벨 값의 평균과 표준 편차를 계산하고, X영역에 대한 그레이 레벨 값의 평균 및 표준 편차가 Y영역에 대한 그레이 레벨 값의 평균 및 표준 편차와 동일한 값을 갖도록, X영역의 픽셀들을 보정하는 명도 보정 프로그램 모듈이 기록된다. 다음의 식을 이용하여, X영역의 픽셀들을 보정하는 명도 보정 프로그램 모듈이 기록된다.The recording medium divides the surface of the wafer in which X and Y areas having different brightnesses are divided into pixels of a predetermined size, and for the X and Y areas, the average and standard of the gray level values of the pixels for each area. A brightness correction program module is written which calculates the deviation and corrects the pixels of the X area so that the mean and standard deviation of the gray level values for the X area have the same values as the average and standard deviation of the gray level values for the Y area. . Using the following equation, a brightness correction program module for correcting pixels in the X area is recorded.

(여기서 xi는 X 영역 각 픽셀의 그레이 레벨 값, μ는 각 픽셀의 그레이 레벨 값의 평균, σ는 각 픽셀의 그레이 레벨 값의 표준 편차를 나타내고, 아래 첨자 X는 X영역, Y는 Y영역을 표시하고, 윗첨자 '는 보정 후의 값을 표시한다.)(Where x i is the gray level value of each pixel in the X area, μ is the average of the gray level values of each pixel, σ is the standard deviation of the gray level value of each pixel, subscript X is the X area, and Y is the Y area). , And the superscript 'indicates the value after correction.)

상기의 기록 매체는 라인 패턴 및 상기 라인 패턴보다 명도가 낮은 스페이스가 교대로 반복하여 배열되어 있는 웨이퍼 표면의 각 픽셀에 대하여 그레이 레벨 값을 정하고, 라인 패턴에 대해서는 제1 임계값을 설정하고, 스페이스에 대해서는 제2 임계값을 설정하고, 제1 및 제2 임계값 이상의 값을 갖는 픽셀을 확인하는 결함 검출 프로그램 모듈이 기록된다.In the recording medium, a line pattern and a space having a lower brightness than the line pattern are determined with gray level values for each pixel on the wafer surface alternately arranged, a first threshold value is set for the line pattern, For this, a defect detection program module for setting a second threshold value and identifying a pixel having a value greater than or equal to the first and second threshold values is recorded.

또한, 상기의 기록 매체는 명도가 다른 영역이 존재하는 웨이퍼의 각 이미지를 최적화된 그레이 레벨을 갖는 이미지에 맞게 보정하고, 라인 패턴과 스페이스를 구별하여, 각 패턴에 따라 서로 다른 임계값을 적용하여 결함을 검출하는 프로그램 모듈이 기록된다.In addition, the recording medium corrects each image of a wafer having regions of different brightness to an image having an optimized gray level, distinguishes a line pattern and a space, and applies different threshold values according to each pattern. The program module for detecting the defect is recorded.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 상술하는 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, embodiments of the present invention may be modified in many different forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below.

이하, 도면을 참고로 본 발명의 실시예들을 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

(실시예 1)(Example 1)

실시예 1은 명도차가 있는 웨이퍼 표면의 명도를 보정하는 방법에 관한 것이다. 제1 명도를 갖는 X영역과 제2 명도를 갖는 Y영역이 분포하는 웨이퍼의 명도가 서로 다른 두 이미지의 명도 보정에 관해 설명한다.Example 1 relates to a method of correcting brightness of a wafer surface having a difference in brightness. The brightness correction of two images in which the brightness of the wafer in which the X region having the first brightness and the Y region having the second brightness are distributed is different from each other will be described.

도 5는 본 발명에 따라 명도를 보정하는 순서를 도시한 흐름도이다.5 is a flowchart illustrating a procedure of correcting brightness according to the present invention.

단계 Ⅰ에서는, 명도가 다른 두 영역 X(어두운 영역)와 Y(밝은 영역)가 분포된 웨이퍼의 표면을 일정한 크기의 픽셀로 나누고, 각 픽셀의 그레이 레벨 값을 정한다.In step I, the surface of the wafer in which two areas X (dark area) and Y (bright area) having different brightnesses are distributed is divided into pixels of constant size, and the gray level value of each pixel is determined.

단계 Ⅱ에서는, 두 영역 X, Y 각각에 대해서, 각 픽셀들이 갖는 그레이 레벨 값의 평균 및 표준 편차를 계산한다.In step II, for each of the two regions X and Y, the mean and standard deviation of the gray level values of each pixel are calculated.

단계 Ⅲ에서는, 명도가 낮은 X 영역을 Y영역의 명도로 보정하기 위해서, 수학식 1을 이용하여, X 영역의 각 픽셀들의 그레이 레벨 값을 보정한다.In step III, in order to correct the X area having low brightness to the brightness of the Y area, Equation 1 is used to correct the gray level value of each pixel of the X area.

여기서 xi는 X 영역 각 픽셀의 그레이 레벨 값, μ는 각 픽셀의 그레이 레벨 값의 평균, σ는 각 픽셀의 그레이 레벨 값의 표준 편차를 나타내고, 아래 첨자 X는 X영역, Y는 Y영역을 표시하고, 윗첨자 '는 보정 후의 값을 표시한다.Where x i is the gray level value of each pixel in the X area, μ is the average of the gray level values of each pixel, σ is the standard deviation of the gray level value of each pixel, and the subscript X is the X area, and Y is the Y area. Superscript 'indicates the value after correction.

도 6a 및 도 6b는 도 3에서 도시된, 명도가 다른 두 이미지의 히스토그램을 나타낸 것이다. 가로축은 0-255 사이의 정수 값을 갖는 그레이 레벨 값이고, 세로축은 각각의 그레이 레벨 값을 갖는 픽셀의 개수이다. 도 6a는 도 3에서 Y로 표시된 밝은 이미지의 히스토그램이고, 도 6b는 도 3에서 X로 표시된 어두운 이미지의 히스토그램이다. 도시된 바와 같이, 두 이미지의 명도차로 인해, 두 이미지의 그레이 레벨 값들의 평균과 표준 편차가 서로 다르다. 상기 수학식 1에 의해 6b에 도시된 어두운 이미지의 히스토그램을 도 6a의 히스토그램과 같은 형태로 보정한다.6A and 6B show histograms of two different brightness images shown in FIG. The horizontal axis is a gray level value having an integer value between 0 and 255, and the vertical axis is the number of pixels having each gray level value. FIG. 6A is a histogram of the bright image denoted by Y in FIG. 3, and FIG. 6B is a histogram of the dark image denoted by X in FIG. As shown, due to the brightness difference between the two images, the mean and standard deviation of the gray level values of the two images are different from each other. The histogram of the dark image shown in 6b is corrected to the histogram of FIG. 6a by Equation 1 above.

이하, 도 7 및 도 8a 내지 도 8c를 참고로 실시예 2를 설명한다.Hereinafter, Embodiment 2 will be described with reference to FIGS. 7 and 8A to 8C.

(실시예 2)(Example 2)

실시예 2는 금속 배선 패턴과 스페이스가 교대로 반복하여 배열되어 있는 웨이퍼에서, 각 패턴 별로 선택적으로 결함을 검출하는 방법에 관한 것이다.Embodiment 2 relates to a method for selectively detecting a defect for each pattern in a wafer in which metal wiring patterns and spaces are alternately arranged alternately.

도 7은 본 발명에 따라 선택적으로 결함을 검출하는 순서를 도시한 흐름도이다.7 is a flowchart illustrating a procedure for selectively detecting a defect in accordance with the present invention.

단계 Ⅰ에서는, 금속 배선 패턴과 스페이스가 교대로 반복하여 배열되어 있는 웨이퍼 표면을 일정한 크기의 픽셀로 나누고, 각 픽셀의 그레이 레벨 값을 정한다.In step I, the wafer surface in which metal wiring patterns and spaces are alternately arranged alternately is divided into pixels of constant size, and the gray level value of each pixel is determined.

단계 Ⅱ에서는, 명도가 높은 금속 배선 패턴에는 제1 임계값을 설정하여 감지도를 낮추고, 명도가 낮은 스페이스에는 제1 임계값보다 낮은 제2 임계값을 설정하여 감지도를 높인다. 금속 배선 패턴에는 그레인이 존재하므로, 그레인이 검출되지 않도록, 제1 임계값은 그레인의 그레이 레벨 값과 금속 배선 패턴의 그레이 레벨 값의 차보다 높게 설정한다. 또한, 제2 임계값은 스페이스에 존재하는 브리지를 검출할 수 있도록, 낮게 설정한다.In step II, a sensitivity is set by setting a first threshold value in a metal wiring pattern having a high brightness, and setting a second threshold lower than a first threshold value in a space having a low brightness to increase the sensitivity. Since grain exists in the metal wiring pattern, the first threshold value is set higher than the difference between the gray level value of the grain and the gray level value of the metal wiring pattern so that grain is not detected. Further, the second threshold value is set low so that the bridge existing in the space can be detected.

단계 Ⅲ에서는, 결함을 검출하기 위해 3개의 연속된 이미지 A,B,C를 비교하는데, 금속 배선 패턴은 금속 배선 패턴끼리, 스페이스는 스페이스끼리 비교한다. 금속 배선 패턴을 이루는 픽셀들의 그레이 레벨 값은 대체로 비슷하고, 마찬가지로, 스페이스를 이루는 픽셀들의 그레이 레벨 값도 대체로 비슷하다. 또한, 금속 배선 패턴과 스페이스의 그레이 레벨 값의 차는 크다. 두 패턴의 그레이 레벨 값 사이의 임의의 값을 설정하여, 두 패턴을 구분할 수 있다.In step III, three consecutive images A, B, and C are compared to detect a defect, where the metal wiring patterns are compared with the metal wiring patterns, and the spaces are compared with each other. The gray level values of the pixels constituting the metal wiring pattern are generally similar, and likewise, the gray level values of the pixels constituting the space are generally similar. In addition, the difference between the metal wiring pattern and the gray level value of the space is large. The two patterns can be distinguished by setting an arbitrary value between the gray level values of the two patterns.

이미지 B의 스페이스 및 이미지 A의 스페이스를 대응되는 픽셀끼리 비교하여, 대응되는 픽셀간의 그레이 레벨 값의 차이를 구한다. 그레이 레벨 값의 차이가 제2 임계값 이상이면 이미지 B의 해당 픽셀이 결함이 있는 것으로 인식한다. 다음, 이미지 B의 상기 픽셀에 대응되는 이미지 C의 픽셀과 비교하여, 그레이 레벨 값의 차이를 구한다. 역시, 그레이 레벨 값의 차이가 제2 임계값 이상이면 결함으로 인식한다. 이 때, 상기 두 경우에서, 공통으로 결함으로 인식된 경우, 최종적으로 결함으로 간주한다.The space of the image B and the space of the image A are compared between the corresponding pixels to obtain a difference in the gray level value between the corresponding pixels. If the difference in gray level values is greater than or equal to the second threshold, the corresponding pixel in image B is recognized as defective. Next, a difference in gray level values is obtained by comparing the pixels of the image C corresponding to the pixels of the image B. Again, if the difference between the gray level values is greater than or equal to the second threshold, it is recognized as a defect. At this time, in both cases, if it is recognized as a defect in common, it is finally regarded as a defect.

상술한 방법에 의해, 금속 배선 패턴 내에만 존재하는 그레인은 높은 임계값을 설정함으로써 검출하지 않고, 스페이스 패턴에서만 발생하는 브리지와 같은 결함을 검출할 수 있다.By the above-described method, grains existing only in the metal wiring pattern can be detected by setting a high threshold value, and defects such as bridges occurring only in the space pattern can be detected.

도 8a 내지 도 8c는 실제 금속 배선 공정에서의 웨이퍼에 대하여, 종래 방법과 본 발명 방법의 결함 검출 결과를 나타낸 것이다.8A to 8C show defect detection results of the conventional method and the method of the present invention with respect to the wafer in the actual metal wiring process.

도 8a는 종래 방법을 적용한 결과로, 즉 패턴간의 구별없이 하나의 임계값을 적용하여 결함을 검출한 결과이다. 도면의 검은 점들은 모두 결함으로 검출된 그레인이다.8A is a result of applying the conventional method, that is, a result of detecting a defect by applying one threshold value without distinguishing between patterns. The black dots in the figure are all grains detected as defects.

도 8b는 본 발명의 방법을 적용한 결과로, 도 8c에서 보여지는 브리지 결함(400)만을 선택적으로 검출한다. 도 8b에서, 점(·) 표시가 도 8c에서 보이는 브리지 결함(400)의 위치를 나타낸다. + 표시는 웨이퍼의 중앙을 나타내는 표시일 뿐이다.8B selectively detects only the bridge defect 400 shown in FIG. 8C as a result of applying the method of the present invention. In FIG. 8B, a dot (·) indicates the position of the bridge defect 400 shown in FIG. 8C. The + mark is only a mark indicating the center of the wafer.

(실시예 3)(Example 3)

실시예 3은 웨이퍼 표면에 명도가 다른 영역이 존재하여, 이들 이미지들 간에 명도차가 있는 경우, 패턴별 선택적인 결함 검출 방법에 관한 것이다. 실시예 3은 실시예 1 및 실시예 2를 순차적으로 실시하는 것으로, 이미 상술한 내용과 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.Example 3 relates to a selective defect detection method for each pattern when there are regions of different brightness on the wafer surface and there is a difference in brightness between these images. In Embodiment 3, Embodiment 1 and Embodiment 2 are carried out sequentially, and the detailed description thereof will be omitted since it is the same as described above.

도 3a, 도 3b에서 도시된 것과 같이, 밝은 이미지와 어두운 이미지가 존재하는 경우, 먼저 상술한 실시예 1의 방법으로 어두운 이미지의 명도를 보정한다. 다음, 실시예 2의 방법으로 패턴 별로 서로 다른 임계값을 적용하여, 브리지만 검출할 수 있다.As shown in FIGS. 3A and 3B, when a bright image and a dark image exist, the brightness of the dark image is first corrected by the method of Embodiment 1 described above. Next, only the bridge may be detected by applying different threshold values for each pattern by the method of the second embodiment.

상술한 바와 같이, 본 발명에서는 각 이미지의 픽셀들의 평균과 표준 편차를 이용함으로써, 명도차가 있는 이미지들의 명도를 보정할 수 있다.As described above, in the present invention, the brightness of the images having the difference in brightness may be corrected by using the average and the standard deviation of the pixels of each image.

또한, 금속 배선 패턴과 스페이스를 구별하여, 각 패턴에 대해 서로 다른 임계값을 적용함으로써, 선택적으로 결함을 검출할 수 있다. 즉, 그레인은 검출하지않고, 반도체 소자에 치명적인 영향을 주는 브리지만 검출할 수 있다. 따라서, 결함 검출의 선별력이 향상되므로, 결함 검출 공정을 더 효율적으로 관리할 수 있다.In addition, a defect can be selectively detected by distinguishing a metal wiring pattern and a space and applying different threshold values to each pattern. That is, the grain can be detected, and only the bridge having a fatal effect on the semiconductor element can be detected. Therefore, since the screening force of defect detection improves, it is possible to manage a defect detection process more efficiently.

한편, 웨이퍼 내의 위치에 따른 명도차가 발생하는 경우에, 선택적 결함 검출 방법을 실행하기 전에, 명도 보정을 먼저 실행하여 검사 조건을 최적화함으로써, 결함 검출력을 향상시킬 수 있다.On the other hand, when the brightness difference according to the position in the wafer occurs, the defect detection power can be improved by optimizing the inspection conditions by first performing brightness correction before executing the selective defect detection method.

Claims (22)

제1 명도를 갖는 X영역과 제2 명도를 갖는 Y영역이 분포하는 웨이퍼의 표면을 일정한 크기의 픽셀(pixel)로 나누는 단계;Dividing the surface of the wafer in which the X region having the first brightness and the Y region having the second brightness are distributed into pixels of a predetermined size; 상기 각 픽셀들에 대하여 그레이 레벨(grey level) 값을 정하는 단계;Determining a gray level value for each of the pixels; 상기 X영역 및 상기 Y영역에 대하여, 각 영역별로 상기 그레이 레벨 값의 평균과 표준 편차를 계산하는 단계; 및Calculating an average and a standard deviation of the gray level value for each of the X and Y regions; And 상기 X영역에 대한 그레이 레벨 값의 평균 및 표준 편차가 상기 Y영역에 대한 그레이 레벨 값의 평균과 표준 편차와 동일한 값을 갖도록, 상기 X영역의 모든 픽셀들에 대하여 상기 그레이 레벨 값을 보정하는 단계를 포함하는 명도 보정 방법.Correcting the gray level value for all pixels in the X area such that the mean and standard deviation of the gray level values for the X area have the same values as the average and standard deviation of the gray level values for the Y area. Brightness correction method comprising a. 제1 항에 있어서, 상기 X영역에 대한 그레이 레벨 값의 평균 및 표준 편차가 상기 Y영역에 대한 그레이 레벨 값의 평균 및 표준 편차와 동일한 값을 갖도록, 다음 식을 이용하여, 상기 X영역의 모든 픽셀들의 그레이 레벨 값을 보정하는 명도 보정 방법.The method of claim 1, wherein the mean and standard deviation of the gray level values for the area X are equal to the average and standard deviation of the gray level values for the area Y, using the following equation: Brightness correction method for correcting gray level values of pixels. (여기서 xi는 X 영역 각 픽셀의 그레이 레벨 값, μ는 각 픽셀의 그레이 레벨 값의 평균, σ는 각 픽셀의 그레이 레벨 값의 표준 편차를 나타내고, 아래 첨자 X는 X영역, Y는 Y영역을 표시하고, 윗첨자 '는 보정 후의 값을 표시한다.)(Where x i is the gray level value of each pixel in the X area, μ is the average of the gray level values of each pixel, σ is the standard deviation of the gray level value of each pixel, subscript X is the X area, and Y is the Y area). , And the superscript 'indicates the value after correction.) 라인 패턴 및 상기 라인 패턴보다 명도가 낮은 스페이스가 교대로 반복하여 배열되어 있는 웨이퍼 표면을 일정한 크기의 픽셀로 나누는 단계;Dividing a wafer surface having a line pattern and a space having a lower brightness than the line pattern alternately arranged into pixels of a predetermined size; 상기 각 픽셀에 대하여 그레이 레벨 값을 정하는 단계;Determining a gray level value for each pixel; 상기 라인 패턴에 대해서는 제1 임계값을 설정하고, 상기 스페이스에 대해서는 상기 제1 임계값보다 낮은 제2 임계값을 설정하는 단계;Setting a first threshold value for the line pattern and setting a second threshold value lower than the first threshold value for the space; 상기 라인패턴 및 상기 스페이스 각각에 대해서, 상기 제1 및 제2 임계값 이상의 그레이 레벨 값을 갖는 픽셀을 확인하는 단계를 포함하는 결함 검출 방법.Identifying, for each of the line pattern and the space, a pixel having a gray level value equal to or greater than the first and second threshold values. 제3 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 임계값 이상의 그레이 레벨 값을 갖는 픽셀을 확인하는 단계는,4. The method of claim 3, wherein identifying pixels having gray level values above the first and second thresholds include: a)상기 웨이퍼의 표면을 다수 개의 픽셀로 구성되는 이미지로 나누는 단계;a) dividing the surface of the wafer into an image consisting of a plurality of pixels; b)상기 이미지 중에서 이웃하는 3개의 연속 이미지 A,B,C를 추출하는 단계;b) extracting three neighboring consecutive images A, B, and C from the image; c)상기 이미지 B 및 이미지 A를 대응되는 픽셀끼리 비교하여, 대응되는 픽셀간의 그레이 레벨 값의 차를 구하는 단계;c) comparing the image B and the image A with corresponding pixels to obtain a difference of gray level values between corresponding pixels; d)상기 단계 c)에서, 비교되는 상기 이미지 A의 해당 픽셀에 대한 그레이 레벨 값의 차가, 라인 패턴에 대해서는 제1 임계값 이상이고, 스페이스에 대해서는 제2 임계값 이상인 상기 이미지 B의 픽셀만 확인하는 단계;d) In step c), only the pixels of the image B whose difference in gray level values for the corresponding pixels of the image A to be compared are greater than or equal to a first threshold for a line pattern and greater than or equal to a second threshold for a space Doing; e)상기 이미지 B 및 이미지 C를 대응되는 픽셀끼리 비교하여, 대응되는 픽셀간의 그레이 레벨 값의 차를 구하는 단계;e) comparing the image B and the image C with corresponding pixels to obtain a difference of gray level values between corresponding pixels; f)상기 단계 e)에서, 비교되는 상기 이미지 C의 해당 픽셀에 대한 그레이 레벨 값의 차가, 라인 패턴에 대해서는 제1 임계값 이상이고, 스페이스에 대해서는 제2 임계값 이상인 상기 이미지 B의 픽셀만 확인하는 단계; 및f) In step e), only the pixels of the image B whose difference in gray level values for the corresponding pixels of the image C to be compared are greater than or equal to a first threshold for a line pattern and greater than or equal to a second threshold for a space are identified. Doing; And g)상기 단계 d) 및 f)로부터 공통으로 확인된 픽셀을 결함으로 인식하는 단계를 포함하는 결함 검출 방법.and g) recognizing the pixels identified in common from steps d) and f) as defects. 제3 항에 있어서, 상기 라인 패턴은 금속 배선 패턴인 결함 검출 방법.The method of claim 3, wherein the line pattern is a metal wiring pattern. 제5 항에 있어서, 상기 제1 임계값은 상기 금속 배선 패턴 상에 발생되는 그레인(grain)은 검출되지 않도록 설정되고, 제2 임계값은 브리지(bridge) 결함이 검출되도록 설정된 결함 검출 방법.The method of claim 5, wherein the first threshold is set such that grain generated on the metal wiring pattern is not detected, and the second threshold is set such that a bridge defect is detected. 제3 항에 있어서, 상기 웨이퍼 표면에 명도가 서로 다른 두 영역 X, Y가 존재하는 경우에, 상기 각 픽셀에 대해 그레이 레벨 값을 정하는 단계와 상기 제1 및 제2 임계값을 설정하는 단계 사이에,4. The method of claim 3, wherein, when there are two regions X and Y having different brightnesses on the wafer surface, a gray level value is set for each pixel and the first and second threshold values are set. on, 제1 명도를 갖는 X영역과 제2 명도를 갖는 Y영역이 분포하는 웨이퍼의 표면을 일정한 크기의 픽셀(pixel)로 나누는 단계;Dividing the surface of the wafer in which the X region having the first brightness and the Y region having the second brightness are distributed into pixels of a predetermined size; 상기 각 픽셀들에 대하여 그레이 레벨(grey level) 값을 정하는 단계;Determining a gray level value for each of the pixels; 상기 X영역 및 상기 Y영역에 대하여, 각 영역별로 상기 그레이 레벨 값의 평균과 표준 편차를 계산하는 단계; 및Calculating an average and a standard deviation of the gray level value for each of the X and Y regions; And 상기 X영역에 대한 그레이 레벨 값의 평균 및 표준 편차가 상기 Y영역에 대한 그레이 레벨 값의 평균과 표준 편차와 동일한 값을 갖도록, 상기 X영역의 모든 픽셀들에 대하여 상기 그레이 레벨 값을 보정하는 단계를 더 포함하는 명도 보정 방법.Correcting the gray level value for all pixels in the X area such that the mean and standard deviation of the gray level values for the X area have the same values as the average and standard deviation of the gray level values for the Y area. Brightness correction method further comprising. 제7 항에 있어서, 상기 X영역에 대한 그레이 레벨 값의 평균 및 표준 편차가 상기 Y영역에 대한 그레이 레벨 값의 평균과 표준 편차와 동일한 값을 갖도록, 다음식을 이용하여 상기 X영역의 모든 픽셀들에 대하여 상기 그레이 레벨 값을 보정하는 단계를 수행하여 상기 X, Y영역간 명도차가 보정되는 것을 특징으로 하는 결함 검출 방법.8. The pixel as claimed in claim 7, wherein the average and standard deviation of the gray level values for the X area have the same values as the average and standard deviation of the gray level values for the Y area. And correcting the gray level value to correct the brightness difference between the X and Y regions. (여기서 xi는 X 영역 각 픽셀의 그레이 레벨 값, μ는 각 픽셀의 그레이 레벨 값의 평균, σ는 각 픽셀의 그레이 레벨 값의 표준 편차를 나타내고, 아래 첨자 X는 X영역, Y는 Y영역을 표시하고, 윗첨자 '는 보정 후의 값을 표시한다.)(Where x i is the gray level value of each pixel in the X area, μ is the average of the gray level values of each pixel, σ is the standard deviation of the gray level value of each pixel, subscript X is the X area, and Y is the Y area). , And the superscript 'indicates the value after correction.) 제7 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 임계값 이상의 그레이 레벨 값을 갖는 픽셀을 확인하는 단계는,8. The method of claim 7, wherein identifying pixels having gray level values above the first and second thresholds include: a)상기 웨이퍼의 표면을 다수 개의 픽셀로 구성되는 이미지로 나누는 단계;a) dividing the surface of the wafer into an image consisting of a plurality of pixels; b)상기 이미지 중에서 이웃하는 3개의 연속 이미지 A,B,C를 추출하는 단계;b) extracting three neighboring consecutive images A, B, and C from the image; c)상기 이미지 B 및 이미지 A를 대응되는 픽셀끼리 비교하여, 대응되는 픽셀간의 그레이 레벨 값의 차를 구하는 단계;c) comparing the image B and the image A with corresponding pixels to obtain a difference of gray level values between corresponding pixels; d)상기 단계 c)에서, 비교되는 상기 이미지 A의 해당 픽셀에 대한 그레이 레벨 값의 차가, 라인 패턴에 대해서는 제1 임계값 이상이고, 스페이스에 대해서는 제2 임계값 이상인 상기 이미지 B의 픽셀만 확인하는 단계;d) In step c), only the pixels of the image B whose difference in gray level values for the corresponding pixels of the image A to be compared are greater than or equal to a first threshold for a line pattern and greater than or equal to a second threshold for a space Doing; e)상기 이미지 B 및 이미지 C를 대응되는 픽셀끼리 비교하여, 대응되는 픽셀간의 그레이 레벨 값의 차를 구하는 단계;e) comparing the image B and the image C with corresponding pixels to obtain a difference of gray level values between corresponding pixels; f)상기 단계 e)에서, 비교되는 상기 이미지 C의 해당 픽셀에 대한 그레이 레벨 값의 차가, 라인 패턴에 대해서는 제1 임계값 이상이고, 스페이스에 대해서는 제2 임계값 이상인 상기 이미지 B의 픽셀만 확인하는 단계; 및f) In step e), only the pixels of the image B whose difference in gray level values for the corresponding pixels of the image C to be compared are greater than or equal to a first threshold for a line pattern and greater than or equal to a second threshold for a space are identified. Doing; And g)상기 단계 d) 및 f)로부터 공통으로 확인된 픽셀을 결함으로 인식하는 단계를 포함하는 결함 검출 방법.and g) recognizing the pixels identified in common from steps d) and f) as defects. 제7 항에 있어서, 상기 라인 패턴은 금속 배선 패턴인 결함 검출 방법.8. The method of claim 7, wherein the line pattern is a metal wiring pattern. 제10 항에 있어서, 상기 제1 임계값은 상기 금속 배선 패턴 상에 발생되는 그레인(grain)은 검출되지 않도록 설정되고, 제2 임계값은 브리지(bridge) 결함은 검출되도록 설정된 결함 검출 방법.The method of claim 10, wherein the first threshold is set such that grain generated on the metal wiring pattern is not detected, and the second threshold is set such that a bridge defect is detected. 제1 명도를 갖는 X영역과 제2 명도를 갖는 Y영역이 분포하는 웨이퍼의 표면을 일정한 크기의 픽셀(pixel)로 나누는 프로그램 모듈;A program module for dividing a surface of a wafer in which an X region having a first brightness and a Y region having a second brightness are distributed into pixels of a predetermined size; 상기 각 픽셀들에 대하여 그레이 레벨(grey level) 값을 정하는 프로그램 모듈;A program module for determining a gray level value for each of the pixels; 상기 X영역 및 상기 Y영역에 대하여, 각 영역별로 상기 그레이 레벨 값의 평균과 표준 편차를 계산하는 프로그램 모듈; 및A program module for calculating an average and a standard deviation of the gray level values for each of the X area and the Y area; And 상기 X영역에 대한 그레이 레벨 값의 평균 및 표준 편차가 상기 Y영역에 대한 그레이 레벨 값의 평균과 표준 편차와 동일한 값을 갖도록 상기 X영역의 모든 픽셀들에 대하여 상기 그레이 레벨 값을 보정하는 프로그램 모듈을 포함하는 명도 보정 방법을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록 매체.A program module for correcting the gray level value for all the pixels in the X area such that the average and standard deviation of the gray level values for the X area have the same values as the average and standard deviation of the gray level values for the Y area. Computer-readable recording medium recording a brightness correction method comprising a. 제12 항에 있어서, 상기 X영역에 대한 그레이 레벨 값의 평균 및 표준 편차가 상기 Y영역에 대한 그레이 레벨 값의 평균과 표준 편차와 동일한 값을 갖도록, 다음 식을 이용하여, 상기 X영역의 모든 픽셀들에 대하여 상기 그레이 레벨 값을 보정하는 프로그램 모듈을 포함하는 명도 보정 방법을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록 매체.13. The method of claim 12, wherein the mean and standard deviation of the gray level values for the area X are equal to the average and standard deviation of the gray level values for the area Y, using the following equation: And a program module for correcting the gray level value with respect to the pixels. (여기서 xi는 X 영역 각 픽셀의 그레이 레벨 값, μ는 각 픽셀의 그레이 레벨 값의 평균, σ는 각 픽셀의 그레이 레벨 값의 표준 편차를 나타내고, 아래 첨자 X는 X영역, Y는 Y영역을 표시하고, 윗첨자 '는 보정 후의 값을 표시한다.)(Where x i is the gray level value of each pixel in the X area, μ is the average of the gray level values of each pixel, σ is the standard deviation of the gray level value of each pixel, subscript X is the X area, and Y is the Y area). , And the superscript 'indicates the value after correction.) 라인 패턴 및 상기 라인 패턴보다 명도가 낮은 스페이스가 교대로 반복하여 배열되어 있는 웨이퍼 표면을 일정한 크기의 픽셀로 나누는 프로그램 모듈;A program module for dividing a wafer surface in which a line pattern and a space having a lower brightness than the line pattern are alternately arranged in a predetermined size into pixels; 상기 각 픽셀에 대하여 그레이 레벨 값을 정하는 프로그램 모듈;A program module for determining a gray level value for each pixel; 상기 라인 패턴에 대해서는 제1 임계값을 설정하고, 상기 스페이스에 대해서는 상기 제1 임계값보다 낮은 제2 임계값을 설정하는 프로그램 모듈;A program module for setting a first threshold value for the line pattern and a second threshold value lower than the first threshold value for the space; 상기 라인패턴 및 상기 스페이스 각각에 대해서, 상기 제1 및 제2 임계값 이상의 값을 갖는 픽셀을 확인하는 프로그램 모듈;A program module for identifying a pixel having a value greater than or equal to the first and second threshold values for each of the line pattern and the space; 상기 라인패턴 및 상기 스페이스 각각에 대해서, 상기 제1 및 제2 임계값을 적용하여 결함을 확인하는 프로그램 모듈을 포함하는 결함 검출 방법을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록 매체.And a program module for applying the first and second threshold values to identify the defect for each of the line pattern and the space. 제14 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 임계값 이상의 그레이 레벨 값을 갖는 픽셀을 확인하는 프로그램 모듈은,The program module of claim 14, wherein the program module to identify a pixel having a gray level value equal to or greater than the first and second threshold values includes: 상기 웨이퍼의 표면을 다수 개의 픽셀로 구성되는 이미지로 나누는 서브 프로그램 모듈;A sub program module for dividing a surface of the wafer into an image composed of a plurality of pixels; 상기 이미지 중에서 이웃하는 3개의 연속 이미지 A,B,C를 추출하는 서브 프로그램 모듈;A sub-program module for extracting three consecutive consecutive images A, B, and C from the image; 상기 이미지 B 및 이미지 A를 대응되는 픽셀끼리 비교하여, 대응되는 픽셀간의 그레이 레벨 값의 차를 구하는 서브 프로그램 모듈;A sub-program module for comparing the image B and the image A with corresponding pixels to obtain a difference in gray level values between corresponding pixels; 상기 이미지 B와, 비교되는 상기 이미지 A의 해당 픽셀에 대한 그레이 레벨 값의 차가, 라인 패턴에 대해서는 제1 임계값 이상이고, 스페이스에 대해서는 제2 임계값 이상인 상기 이미지 B의 픽셀만 확인하는 서브 프로그램 모듈;A subprogram that checks only the pixels of the image B whose difference between the image B and the gray level value for the corresponding pixel of the image A to be compared is greater than or equal to the first threshold for a line pattern and greater than or equal to the second threshold for space module; 상기 이미지 B 및 이미지 C를 대응되는 픽셀끼리 비교하여, 대응되는 픽셀간의 그레이 레벨 값의 차를 구하는 서브 프로그램 모듈;A sub-program module for comparing the image B and the image C with corresponding pixels to obtain a difference in gray level values between corresponding pixels; 상기 이미지 B와, 비교되는 상기 이미지 C의 해당 픽셀에 대한 그레이 레벨 값의 차가, 라인 패턴에 대해서는 제1 임계값 이상이고, 스페이스에 대해서는 제2 임계값 이상인 상기 이미지 B의 픽셀만 확인하는 서브 프로그램 모듈; 및The subprogram which checks only the pixels of the image B whose difference between the image B and the gray level value for the corresponding pixel of the image C to be compared is greater than or equal to a first threshold for a line pattern and greater than or equal to a second threshold for a space. module; And 상기 이미지 A와 이미지 C와의 비교를 통해 공통으로 확인된 픽셀을 결함으로 인식하는 서브 프로그램 모듈을 포함하는 결함 검출 방법을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록 매체.And a sub-program module for recognizing a pixel commonly identified as a defect through comparison between the image A and the image C. 제14 항에 있어서, 상기 라인 패턴은 금속 배선 패턴인 결함 검출 방법을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록 매체.The computer-readable recording medium of claim 14, wherein the line pattern is a metal wiring pattern. 제16 항에 있어서, 상기 제1 임계값은 상기 금속 배선 패턴 상에 발생되는 그레인(grain)은 검출되지 않도록 설정되고, 제2 임계값은 브리지 결함은 검출되도록 설정된 결함 검출 방법을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록 매체.17. The computer-readable medium of claim 16, wherein the first threshold value is set so that grain generated on the metal wiring pattern is not detected, and the second threshold value is read by a computer recording a defect detection method set such that a bridge defect is detected. Recordable media. 제14 항에 있어서,The method of claim 14, 제1 명도를 갖는 X영역과 제2 명도를 갖는 Y영역이 분포하는 웨이퍼의 표면을 일정한 크기의 픽셀(pixel)로 나누는 서브 프로그램 모듈;A sub-program module for dividing the surface of the wafer in which the X region having the first brightness and the Y region having the second brightness are distributed into pixels of a predetermined size; 상기 각 픽셀들에 대하여 그레이 레벨(grey level) 값을 정하는 서브 프로그램 모듈;A sub program module for determining a gray level value for each of the pixels; 상기 X영역 및 상기 Y영역에 대하여, 각 영역별로 상기 그레이 레벨 값의 평균과 표준 편차를 계산하는 서브 프로그램 모듈; 및A sub-program module for calculating the average and standard deviation of the gray level values for each of the X and Y regions; And 상기 X영역에 대한 그레이 레벨 값의 평균 및 표준 편차가 상기 Y영역에 대한 그레이 레벨 값의 평균과 표준 편차와 동일한 값을 갖도록, 상기 X영역의 모든픽셀들에 대하여 상기 그레이 레벨 값을 보정하는 서브 프로그램 모듈을 포함하는 명도 보정 프로그램 모듈을 더 구비하는 결함 검출 방법을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록 매체.Sub-correcting the gray level value for all the pixels in the X area such that the average and standard deviation of the gray level value for the X area have the same value as the average and standard deviation of the gray level value for the Y area. A computer-readable recording medium recording a defect detection method further comprising a brightness correction program module including a program module. 제18 항에 있어서, 상기 X영역에 대한 그레이 레벨 값의 평균 및 표준 편차가 상기 Y영역에 대한 그레이 레벨 값의 평균과 표준 편차와 동일한 값을 갖도록, 다음 식을 이용하여, 상기 X영역의 모든 픽셀들에 대하여 상기 그레이 레벨 값을 보정하는 서브 프로그램 모듈을 포함하는 명도 보정 프로그램 모듈을 더 구비하는 결함 검출 방법을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록 매체.19. The method according to claim 18, wherein the mean and standard deviation of the gray level values for the area X are equal to the average and standard deviation of the gray level values for the area Y, using the following equation: And a brightness correction program module including a sub program module for correcting the gray level value with respect to the pixels. (여기서 xi는 X 영역 각 픽셀의 그레이 레벨 값, μ는 각 픽셀의 그레이 레벨 값의 평균, σ는 각 픽셀의 그레이 레벨 값의 표준 편차를 나타내고, 아래 첨자 X는 X영역, Y는 Y영역을 표시하고, 윗첨자 '는 보정 후의 값을 표시한다.)(Where x i is the gray level value of each pixel in the X area, μ is the average of the gray level values of each pixel, σ is the standard deviation of the gray level value of each pixel, subscript X is the X area, and Y is the Y area). , And the superscript 'indicates the value after correction.) 제18 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 임계값 이상의 그레이 레벨 값을 갖는 픽셀을 확인하는 프로그램 모듈은,The program module of claim 18, wherein the program module to identify a pixel having a gray level value equal to or greater than the first and second threshold values includes: 상기 웨이퍼의 표면을 다수 개의 픽셀로 구성되는 이미지로 나누는 서브 프로그램 모듈;A sub program module for dividing a surface of the wafer into an image composed of a plurality of pixels; 상기 이미지 중에서 이웃하는 3개의 연속 이미지 A,B,C를 추출하는 서브 프로그램 모듈;A sub-program module for extracting three consecutive consecutive images A, B, and C from the image; 상기 이미지 B 및 이미지 A를 대응되는 픽셀끼리 비교하여, 대응되는 픽셀간의 그레이 레벨 값의 차를 구하는 서브 프로그램 모듈;A sub-program module for comparing the image B and the image A with corresponding pixels to obtain a difference in gray level values between corresponding pixels; 상기 이미지 B와, 비교되는 상기 이미지 A의 해당 픽셀에 대한 그레이 레벨 값의 차가, 라인 패턴에 대해서는 제1 임계값 이상이고, 스페이스에 대해서는 제2 임계값 이상인 상기 이미지 B의 픽셀만 확인하는 서브 프로그램 모듈;A subprogram that checks only the pixels of the image B whose difference between the image B and the gray level value for the corresponding pixel of the image A to be compared is greater than or equal to the first threshold for a line pattern and greater than or equal to the second threshold for space module; 상기 이미지 B 및 이미지 C를 대응되는 픽셀끼리 비교하여, 대응되는 픽셀간의 그레이 레벨 값의 차를 구하는 서브 프로그램 모듈;A sub-program module for comparing the image B and the image C with corresponding pixels to obtain a difference in gray level values between corresponding pixels; 상기 이미지 B와, 비교되는 상기 이미지 C의 해당 픽셀에 대한 그레이 레벨 값의 차가, 라인 패턴에 대해서는 제1 임계값 이상이고, 스페이스에 대해서는 제2 임계값 이상인 상기 이미지 B의 픽셀만 확인하는 서브 프로그램 모듈; 및The subprogram which checks only the pixels of the image B whose difference between the image B and the gray level value for the corresponding pixel of the image C to be compared is greater than or equal to a first threshold for a line pattern and greater than or equal to a second threshold for a space. module; And 상기 이미지 A와 이미지 C와의 비교를 통해 공통으로 확인된 픽셀을 결함으로 인식하는 서브 프로그램 모듈을 포함하는 결함 검출 방법을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록 매체.And a sub-program module for recognizing a pixel commonly identified as a defect through comparison between the image A and the image C. 제18 항에 있어서, 상기 라인 패턴은 금속 배선 패턴인 결함 검출 방법을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록 매체.19. The computer readable recording medium of claim 18, wherein the line pattern is a metal wiring pattern. 제21항에 있어서, 상기 제1 임계값은 상기 금속 배선 패턴 상에 발생되는 그레인(grain)은 검출되지 않도록 설정되고, 제2 임계값은 브리지 결함은 검출되도록 설정된 결함 검출 방법을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록 매체.22. The computer-readable medium of claim 21, wherein the first threshold value is set so that grain generated on the metal wiring pattern is not detected, and the second threshold value is read by a computer recording a defect detection method set such that a bridge defect is detected. Recordable media.
KR10-2001-0025578A 2001-05-10 2001-05-10 Method of grey level compensation and selective wafer-defect inspection for patterns and recording medium recorded thereof KR100425447B1 (en)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2001-0025578A KR100425447B1 (en) 2001-05-10 2001-05-10 Method of grey level compensation and selective wafer-defect inspection for patterns and recording medium recorded thereof
US09/949,111 US7027638B2 (en) 2001-05-10 2001-09-07 Wafer color variation correcting method, selective wafer defect detecting method, and computer readable recording media for the same
TW091109117A TW544841B (en) 2001-05-10 2002-05-02 Wafer color variation correcting method, selective wafer defect detecting method, and computer readable recording media for the same
DE10221318A DE10221318B4 (en) 2001-05-10 2002-05-06 A method of defect detection in patterns of alternatingly arranged lines and spaces on a wafer
JP2002131981A JP4243454B2 (en) 2001-05-10 2002-05-07 Brightness correction method, selective defect detection method, and recording medium on which these are recorded

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2001-0025578A KR100425447B1 (en) 2001-05-10 2001-05-10 Method of grey level compensation and selective wafer-defect inspection for patterns and recording medium recorded thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020085995A KR20020085995A (en) 2002-11-18
KR100425447B1 true KR100425447B1 (en) 2004-03-30

Family

ID=19709307

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2001-0025578A KR100425447B1 (en) 2001-05-10 2001-05-10 Method of grey level compensation and selective wafer-defect inspection for patterns and recording medium recorded thereof

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7027638B2 (en)
JP (1) JP4243454B2 (en)
KR (1) KR100425447B1 (en)
DE (1) DE10221318B4 (en)
TW (1) TW544841B (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101147685B1 (en) 2012-01-30 2012-05-22 한국지질자원연구원 A device for value assessment of gemstones throughout computer-tomographic analyses and thereof
US8184899B2 (en) 2008-03-20 2012-05-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of detecting a defect on an object

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6829381B2 (en) * 2001-11-28 2004-12-07 Applied Materials, Inc. Method for detecting defects
CN100582753C (en) * 2001-11-28 2010-01-20 应用材料有限公司 Method for detecting defects
US8259358B2 (en) * 2002-10-18 2012-09-04 Muller Capital, Llc Apparatus for eliminating moire in scanned image and method for the same
US6885977B2 (en) * 2002-12-20 2005-04-26 Applied Materials, Inc. System to identify a wafer manufacturing problem and method therefor
US7263451B1 (en) * 2004-10-25 2007-08-28 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for correlating semiconductor process data with known prior process data
KR100670003B1 (en) * 2004-12-28 2007-01-19 삼성전자주식회사 The apparatus for detecting the homogeneous region in the image using the adaptive threshold value
DE102005017642B4 (en) * 2005-04-15 2010-04-08 Vistec Semiconductor Systems Jena Gmbh Method for inspecting a wafer
JP4533306B2 (en) * 2005-12-06 2010-09-01 株式会社日立ハイテクノロジーズ Semiconductor wafer inspection method and defect review apparatus
KR100744233B1 (en) * 2005-12-28 2007-07-30 동부일렉트로닉스 주식회사 Metal bridge monitoring method of a test pattern
KR100790881B1 (en) * 2006-07-06 2008-01-02 삼성전자주식회사 Micro-fluid reaction chip, and method for manufacturing the same
US8126267B2 (en) * 2007-02-05 2012-02-28 Albany Medical College Methods and apparatuses for analyzing digital images to automatically select regions of interest thereof
KR100949200B1 (en) * 2007-12-31 2010-03-23 주식회사 쓰리비 시스템 Volume based defect measuring methods with high repeatibility
KR100987520B1 (en) * 2008-06-19 2010-10-13 삼성전기주식회사 Apparatus for Inspecting Substrate
SG164293A1 (en) * 2009-01-13 2010-09-29 Semiconductor Technologies & Instruments Pte System and method for inspecting a wafer
CN110036279B (en) * 2016-12-06 2022-03-15 三菱电机株式会社 Inspection apparatus and inspection method
CN111667448B (en) * 2019-03-06 2023-08-15 深圳中科飞测科技股份有限公司 Image processing method, device and equipment
CN116912242B (en) * 2023-09-12 2023-12-15 青岛天仁微纳科技有限责任公司 Method for positioning defects of nanoimprint wafer
CN116977335B (en) * 2023-09-22 2023-12-12 山东贞元汽车车轮有限公司 Intelligent detection method for pitting defects on surface of mechanical part

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5293538A (en) * 1990-05-25 1994-03-08 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for the inspection of defects
JPH0621165A (en) 1992-07-06 1994-01-28 Hitachi Ltd Method for discriminating quality of binarization of image
US5436979A (en) * 1992-08-21 1995-07-25 Eastman Kodak Company Process for detecting and mapping dirt on the surface of a photographic element
US5355212A (en) * 1993-07-19 1994-10-11 Tencor Instruments Process for inspecting patterned wafers
US5537669A (en) * 1993-09-30 1996-07-16 Kla Instruments Corporation Inspection method and apparatus for the inspection of either random or repeating patterns
US5781206A (en) * 1995-05-01 1998-07-14 Minnesota Mining And Manufacturing Company Apparatus and method for recalibrating a multi-color imaging system
US6075905A (en) * 1996-07-17 2000-06-13 Sarnoff Corporation Method and apparatus for mosaic image construction
JPH10135287A (en) 1996-10-31 1998-05-22 Toshiba Corp Wafer inspecting equipment and inspecting method
US6005966A (en) * 1997-02-12 1999-12-21 International Business Machines Corporation Method and apparatus for multi-stream detection of high density metalization layers of multilayer structures having low contrast
JPH10259849A (en) 1997-03-21 1998-09-29 Bridgestone Corp Vibrationproof device
JP3397101B2 (en) * 1997-10-29 2003-04-14 株式会社日立製作所 Defect inspection method and apparatus
JP2000346627A (en) * 1999-06-07 2000-12-15 Toray Eng Co Ltd Inspection system
JP3745564B2 (en) * 1999-07-08 2006-02-15 三菱電機株式会社 Defect inspection method and defect inspection apparatus
US6605478B2 (en) * 2001-03-30 2003-08-12 Appleid Materials, Inc, Kill index analysis for automatic defect classification in semiconductor wafers
JP4008291B2 (en) * 2002-06-10 2007-11-14 大日本スクリーン製造株式会社 Pattern inspection apparatus, pattern inspection method, and program

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8184899B2 (en) 2008-03-20 2012-05-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of detecting a defect on an object
KR101147685B1 (en) 2012-01-30 2012-05-22 한국지질자원연구원 A device for value assessment of gemstones throughout computer-tomographic analyses and thereof

Also Published As

Publication number Publication date
JP2003050211A (en) 2003-02-21
DE10221318A1 (en) 2002-11-21
US20020172412A1 (en) 2002-11-21
US7027638B2 (en) 2006-04-11
DE10221318B4 (en) 2009-01-08
KR20020085995A (en) 2002-11-18
JP4243454B2 (en) 2009-03-25
TW544841B (en) 2003-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100425447B1 (en) Method of grey level compensation and selective wafer-defect inspection for patterns and recording medium recorded thereof
US7260244B2 (en) Print inspection method and print inspection apparatus
US7746505B2 (en) Image quality improving apparatus and method using detected edges
CN114937055A (en) Image self-adaptive segmentation method and system based on artificial intelligence
KR101549495B1 (en) An apparatus for extracting characters and the method thereof
JP4060558B2 (en) Defect inspection method and apparatus
JP4230880B2 (en) Defect inspection method
US7639860B2 (en) Substrate inspection device
JP4322230B2 (en) Surface defect inspection apparatus and surface defect inspection method
JP4101489B2 (en) Defect inspection method and apparatus
US6229331B1 (en) Apparatus for and method of inspecting patterns on semiconductor integrated devices
JP4244046B2 (en) Image processing method and image processing apparatus
JP2005165387A (en) Method and device for detecting stripe defective of picture and display device
US7646892B2 (en) Image inspecting apparatus, image inspecting method, control program and computer-readable storage medium
JP2000199745A (en) Method and apparatus for inspection of color nonuniformity
JP4349960B2 (en) Surface defect inspection equipment
JPWO2018198916A1 (en) Image processing apparatus, image processing method, and storage medium
KR101053779B1 (en) Metal mask inspection method of display means
JP3260425B2 (en) Pattern edge line estimation method and pattern inspection device
JP2005069863A (en) Visual inspection apparatus
JP4275582B2 (en) Board inspection equipment
KR20060031169A (en) Appratus and method of improving image
JP2002312789A (en) Pattern checking device and different type inclusion checking device
JPH06348892A (en) Picture data binarization method
JPH08152452A (en) Detection method for blur in lead-printed pattern

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130228

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140228

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150302

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170228

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180228

Year of fee payment: 15

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190228

Year of fee payment: 16

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200228

Year of fee payment: 17