KR100420029B1 - Methods for passivating a silicon substrate and devices for the same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 규소 기판의 패시베이션 방법 및 그 장치에 관한 것으로, a) 수은 등의 촉매를 고속 열 처리 장치에 공급하는 단계, b) 수소 분자 기체(H2)를 촉매의 존재하에서 고속 열 처리 장치의 자외선 램프(UV lamp)를 이용하여 수소 라디칼로 크랙킹하는 단계, 및 c) 수소 라디칼을 고속 열 처리 장치의 적외선 램프(IR lamp)를 이용하여 기판 내에 확산되도록 하여 규소 기판의 결함과 결합시키는 단계를 포함한다. 이러한 실리콘 기판 표면의 패시베이션 방법에서는 자외선 램프와 적외선 램프가 구비된 고속 열 처리 장치와 수은을 촉매로 사용하여 수소 기체의 크랙킹, 수소 라디칼 확산 및 열처리 과정을 동시에 실시할 수 있어 대면적의 태양 전지의 제작이 가능하고 제작 단계, 및 시간을 감소할 수 있어 경제적인 면에서 유리하며 플라스마를 사용하지 않음으로써 기판의 표면이 손상되는 것을 방지할 수 있다.The present invention relates to a method and apparatus for passivation of a silicon substrate, comprising the steps of: a) supplying a catalyst, such as mercury, to a high speed heat treatment device, b) supplying hydrogen molecular gas (H 2 ) in the presence of a catalyst. Cracking with hydrogen radicals using an UV lamp, and c) allowing the hydrogen radicals to diffuse into the substrate using an IR lamp of a high speed heat treatment device to combine with defects in the silicon substrate. Include. In the passivation method of the surface of the silicon substrate, cracking, hydrogen radical diffusion and heat treatment of hydrogen gas can be simultaneously performed using a high-speed heat treatment device equipped with an ultraviolet lamp and an infrared lamp and mercury as a catalyst, thereby providing a large-area solar cell. The fabrication is possible, and the manufacturing steps and time can be reduced, which is economically advantageous, and the use of plasma can be prevented from damaging the surface of the substrate.
Description
본 발명은 규소 기판의 패시베이션 방법 및 그 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a method and apparatus for passivation of a silicon substrate.
일반적으로 태양 전지는 태양광을 흡수하여 빛 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 전지로서 변환 효율, 즉 전지에 입사된 빛 에너지와 태양 전지의 출력 에너지의 비를 높이는 것이 중요하다.In general, a solar cell absorbs sunlight and converts light energy into electrical energy, and it is important to increase conversion efficiency, that is, a ratio of light energy incident on the cell to output energy of the solar cell.
이러한 태양 전지의 제조 공정은 규소 기판(Si)에 형성되어 있는 반도체 소자가 손상되는 것을 방지하기 위해 기판의 상부에 보호막을 형성하는 공정을 포함한다. 이때, 실리콘(Si) 기판의 표면에 존재하는 결함(dangling bond)은 캐리어의 재결합(recombination)을 감소시키는 원인이 되어, 이러한 문제점을 해결하기 위한해결책으로 수소를 이용하여 패시베이션하는 공정도 함께 이루어진다.The manufacturing process of such a solar cell includes a process of forming a protective film on top of the substrate in order to prevent damage to the semiconductor element formed on the silicon substrate (Si). In this case, a dangling bond present on the surface of the silicon substrate may reduce the recombination of the carrier, and a passivation process using hydrogen is also performed as a solution to solve this problem.
태양 전지 제조 과정에서 발생하는 기판 표면의 결함을 수소 패시베이션(H2passivation)하는 기술 중의 하나로 미국특허 제5,462,898호에는 플라스마(plasma)를 이용하는 방법이 게시되어 있다. 구체적으로는 산화막(SiO2)의 상부에 화학 기상 증착(PECVD:plasma-enhanced chemical vapor deposition) 방법으로 SiNx:H를 증착하고 고속 열 처리(RTP:rapid thermal process)로 열처리하여 표면을 패시베이션하는 기술이 기재되어 있다.One of the techniques for hydrogen passivation (H 2 passivation) of the defects on the surface of the substrate generated in the solar cell manufacturing process, US Patent No. 5,462,898 discloses a method of using plasma (plasma). Specifically, SiN x : H is deposited on the oxide film (SiO 2 ) by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD), and the surface is passivated by heat treatment using a rapid thermal process (RTP). The technique is described.
그러나, 이와 같은 방법을 이용하는 경우에는 플라스마에 의해 규소 기판 표면이 손상될 수 있고, 별도의 진공 장치가 필요하기 때문에 설비 비용이 상승하게 되며 대면적의 태양 전지 제품을 대량 생산하기에는 적합하지 않다. 그리고, 이러한 방법으로 수소 패시베이션을 실시하는 경우에는 수소의 확산을 위해서 별도의 열처리 공정이 필요한 문제점이 있다.However, the use of such a method can damage the surface of the silicon substrate by plasma, increase the cost of equipment because a separate vacuum device is required, and are not suitable for mass production of large area solar cell products. In addition, when hydrogen passivation is performed in this manner, a separate heat treatment process is required for diffusion of hydrogen.
또한, 수소 패시베이션 공정에서 수소의 확산이 용이하게 이루어질 수 있도록 수소 분자를 크랙킹(cracking)하는 방법으로 1800 ℃ 이상의 고온 필라멘트(hot filament)를 사용하는 방법이 알려져 있다. 하지만, 이러한 방법은 기판을 고온으로 만든 다음 실시하는 것이 바람직하지만, 기판의 온도를 충분히 상승시킬 수 없다는 문제점이 있다.In addition, a method of using a hot filament of 1800 ° C. or more as a method of cracking hydrogen molecules to facilitate diffusion of hydrogen in a hydrogen passivation process is known. However, this method is preferably carried out after the substrate is brought to a high temperature, but there is a problem that the temperature of the substrate cannot be sufficiently raised.
또한, 미국 특허 번호 제5,637,510에는 2 KeV 이하의 낮은 가속 에너지를 가지는 수소 이온을 이용하여 플라스마 분위기에서 규소 표면을 패시베이션하는 기술이 게시되어 있고, 미국 특허 번호 제4,557,037호에는 태양 전지의 전극으로 사용되는 판형의 니켈이 규소 기판 표면으로부터 잘 분리되지 않도록 수소 패시베이션하는 방법이 기재되어 있다.In addition, US Patent No. 5,637,510 discloses a technique for passivating a silicon surface in a plasma atmosphere using hydrogen ions having a low acceleration energy of 2 KeV or less, and US Patent No. 4,557,037 is used as an electrode of a solar cell. A method of hydrogen passivation is described so that plate-like nickel does not separate well from the silicon substrate surface.
그러나, 이와 같은 방법을 이용하는 경우에도 앞에서 언급한 바와 같이 대면적의 태양 전지를 제조하기에는 경제성이 떨어지고, 수소 패시베이션을 실시하기 위해서 별도의 수소 확산 공정을 추가해야 하며, 플라스마에 의해 기판의 표면 손상되는 문제점이 있다.However, even in the case of using such a method, as described above, it is inexpensive to manufacture a large-area solar cell, and an additional hydrogen diffusion process must be added to perform hydrogen passivation, and the surface of the substrate is damaged by plasma. There is a problem.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이러한 해결하기 위한 것으로서 기판의 표면이 손상되는 것을 방지할 수 있는 동시에 별도의 추가 공정 없이 수소 분자의 크랙킹을 실시할 수 있는 태양 전기 제조용 패시베이션 장치를 제공하기 위한 것이다.The technical problem to be solved by the present invention is to provide a passivation device for manufacturing solar cells which can prevent the surface of the substrate from being damaged and at the same time can crack the hydrogen molecules without additional processing.
또한, 본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 수소 패시베이션 및 열공정을 동시에 실시할 수 있으며, 대면적의 태양전지의 제작이 가능한 규소 기판의 패시베이션 장치 및 그 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a silicon substrate passivation apparatus and method capable of simultaneously performing a hydrogen passivation and a thermal process, and capable of fabricating a large area solar cell.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 규소 기판의 패시베이션 장치의 구조를 도시한 구성도이다.1 is a block diagram showing the structure of a passivation apparatus of a silicon substrate according to an embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 규소 기판의 패시베이션 장치에서 적외선 램프와 자외선 램프의 배치 구조를 사시도이다.2 is a perspective view illustrating an arrangement structure of an infrared lamp and an ultraviolet lamp in a passivation apparatus for a silicon substrate according to an embodiment of the present invention.
이러한 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 규소 기판의 패시베이션 방법에서는 자외선(ultraviolet) 램프(UV lamp)를 이용하여 수소 분자를 크랙킹하며, 적외선(infrared rays) 램프(IR lamp)를 이용하여 크랙킹된 수소 라디칼(radical)을 확산시킨다.In the passivation method of the silicon substrate according to the present invention for solving this problem, the hydrogen molecules are cracked using an ultraviolet lamp, and the hydrogen is cracked using an infrared rays lamp. Diffuse radicals.
보다 상세하게, 본 발명에 따른 규소 기판의 패시베이션 방법은, a) 촉매를 적외선 램프 및 자외선 램프를 가지는 고속 열 처리 장치에 공급하는 단계; b) 수소 기체(H2)를 상기 촉매의 존재하에서 상기 자외선 램프를 이용하여 크래킹하여 수소 라디칼을 형성하는 단계; 및 c) 상기 수소 라디칼을 상기 적외선 램프를 이용하여 기판의 내부로 확산되도록 하여 규소의 결함과 결합시키는 단계를 포함한다.More specifically, the passivation method of the silicon substrate according to the present invention comprises the steps of: a) supplying a catalyst to a high speed heat treatment apparatus having an infrared lamp and an ultraviolet lamp; b) cracking hydrogen gas (H 2 ) using said ultraviolet lamp in the presence of said catalyst to form hydrogen radicals; And c) allowing the hydrogen radicals to diffuse into the interior of the substrate using the infrared lamp to combine with silicon defects.
여기서, d) 도펀트 확산(dopant diffusion) 단계; 또는 e) 전극 어닐링(annealing) 단계를 더 포함할 수 있으며, 기판은 단결정 규소 기판, 다결정 규소 기판, 또는 다결정 박막 규소 기판일 수 있다.Where d) a dopant diffusion step; Or e) an electrode annealing step, wherein the substrate may be a single crystal silicon substrate, a polycrystalline silicon substrate, or a polycrystalline thin film silicon substrate.
자외선 램프의 자외선의 파장은 10 내지 400 ㎚이고, 적외선 램프의 적외선의 파장은 1,000 내지 100,000 ㎚인 것이 바람직하다.It is preferable that the wavelength of the ultraviolet ray of an ultraviolet lamp is 10-400 nm, and the wavelength of the infrared ray of an infrared lamp is 1,000-100,000 nm.
그러면, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따른 규소 기판의 패시베이션 방법 및 장치에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.Next, a method and apparatus for passivation of a silicon substrate according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that a person skilled in the art may easily implement the present invention.
우선 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 규소 기판의 패시베이션 장치의 구성에 대하여 설명하기로 한다.First, a configuration of a passivation apparatus for a silicon substrate according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 규소 기판의 패시베이션 장치의 구조를 도시한 구성도이다.1 is a block diagram showing the structure of a passivation apparatus of a silicon substrate according to an embodiment of the present invention.
도 1에서 보는 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 규소 기판의 패시베이션 장치는, 촉매인 수은을 공급하는 촉매(수은) 공급 장치(10)와 고속 열처리(RTP) 장치(20)를 포함한다.As shown in FIG. 1, a passivation apparatus for a silicon substrate according to an embodiment of the present invention includes a catalyst (mercury) supply apparatus 10 for supplying mercury, which is a catalyst, and a high speed heat treatment (RTP) apparatus 20.
고속 열 처리 장치는 패시베이션 공정을 진행할 때 수소 분자 기체를 수소 라디칼로 크랙킹되도록 하는 자외선 램프(21)와 수소 라디칼이 규소 기판(30) 내에서 결합하도록 수소 라디칼을 확산시키는 적외선 램프(22)를 포함한다. 이때, 자외선 램프(21)와 적외선 램프(22)는 각각 선형의 막대 모양으로 형성되어 있으며, 교대로 배치되어 있다. 이에 대하여 도면을 참조하여 이후에 구체적으로 설명하기로 한다.The high speed heat treatment apparatus includes an ultraviolet lamp 21 which causes the hydrogen molecular gas to be cracked with hydrogen radicals during the passivation process and an infrared lamp 22 which diffuses the hydrogen radicals to bond the hydrogen radicals within the silicon substrate 30. do. At this time, the ultraviolet lamp 21 and the infrared lamp 22 are each formed in linear bar shape, and are alternately arranged. This will be described in detail later with reference to the drawings.
여기서, 고속 열 처리 장치는 기판을 지지하는 석영 웨이퍼 트레이(23, quarts wafer tray)와, 외부와 분위기를 차단하는 석영 라이너(24, quarts liner)와 내부의 온도를 측정하는 기능을 가지는 광학 고온계(25, optical pyrometer)와 주변 시스템이 고온으로 올라가는 것을 방지하고 온도 조절을 용이하게 하는 냉각 하우징(26, water cooled housing)과 기판(30)이 반송되는 경로 도어(27)를 더 포함할 수 있다Here, the high speed heat treatment apparatus includes a quartz wafer tray 23 supporting a substrate, a quartz liner 24 which blocks the outside and the atmosphere, and an optical pyrometer having a function of measuring an internal temperature. 25, the optical pyrometer and the peripheral system may further include a water cooled housing (26) for preventing temperature rise and facilitating temperature control and a path door (27) through which the substrate (30) is conveyed.
이러한 패시베이션 장치를 이용한 본 발명의 실시예에 따른 규소 기판의 패시베이션 방법은, a) 수은 등의 촉매를 고속 열 처리 장치(20)에 공급하는 단계, b) 수소 분자 기체(H2)를 촉매의 존재하에서 고속 열 처리 장치(20)의 자외선 램프(21, UV lamp)를 이용하여 수소 라디칼로 크래킹하는 단계, 및 c) 수소 라디칼을 고속 열 처리 장치(20)의 적외선 램프(22, IR lamp)를 이용하여 기판(30) 내에 확산되도록 하여 규소 기판(30)의 결함과 결합시키는 단계를 포함한다.In the passivation method of the silicon substrate according to the embodiment of the present invention using such a passivation device, a) supplying a catalyst such as mercury to the high-speed heat treatment device 20, b) hydrogen molecular gas (H 2 ) of the catalyst Cracking with hydrogen radicals in the presence using an ultraviolet lamp 21 of the high speed heat treatment device 20, and c) hydrogen radicals in the infrared lamp 22 of the high speed heat treatment device 20. To diffuse into the substrate 30 using the defects and the defects of the silicon substrate 30.
a) 단계에서는 기판(30)을 고속 열 처리 장치(20)에 위치시키고, 촉매인 수은 등을 운반 기체(carrier)인 N2를 이용하여 블로잉(blowing)하여 패시베이션이 실시되는 고속 열 처리 장치(20)의 내부에 공급한다.In the step a), the substrate 30 is placed in the high speed heat treatment apparatus 20, and a high speed heat treatment apparatus in which passivation is performed by blowing mercury, which is a catalyst, using N 2, which is a carrier, 20) to be supplied inside.
여기서, 촉매인 수은은 촉매로서 수소 기체가 수소 라디칼로 크래킹되는 효율을 증가시키는 기능을 가진다. 즉, H-H 결합이 끊어지기 위해서는 높은 활성화 에너지가 필요한데, 수은을 촉매로 사용함으로써 활성화 에너지를 감소시킬 수 있으며, 이렇게 촉매를 이용함으로써 단순히 자외선만을 이용하는 것 보다 수소 크래킹이 용이하게 일어날 수 있도록 한다. 이때, 수은은 극히 미량을 사용하기 때문에 수은의 유해성으로 인한 문제는 없으며 수은 이외에 촉매로서 텅스텐(W), 백금(Pt) 등이 사용될 수 있다.Here, mercury, which is a catalyst, has a function of increasing the efficiency of cracking hydrogen gas into hydrogen radicals as a catalyst. In other words, in order to break the H-H bond, high activation energy is required. By using mercury as a catalyst, the activation energy can be reduced, and by using the catalyst, hydrogen cracking can be more easily performed than using only ultraviolet light. At this time, since mercury is used in a very small amount, there is no problem due to the harmfulness of mercury, and tungsten (W), platinum (Pt), etc. may be used as a catalyst in addition to mercury.
b) 단계에서는 수소 기체를 고속 열 처리 장치(20)에서 자외선 램프(21, UV lamp)를 이용하여 수소 라디칼로 크래킹하는 단계이다. 이때, 수소 기체(H2)는 운반 기체인 N2를 사용하여 고속 열 처리 장치(20)에 공급된다. 수소 기체를 수소 라디칼로 크래킹하는 이유는 수소는 라디칼로 되었을 때 쉽게 확산되어 기판(30) 표면의 결함(dangling bond)과 결합하기 때문이다. 여기서, 자외선 램프(21, UV lamp)의 자외선은 파장이 10 내지 400 ㎚인 것이 바람직하다.In step b), the hydrogen gas is cracked with hydrogen radicals in the high-speed heat treatment apparatus 20 by using an ultraviolet lamp 21 (UV lamp). At this time, hydrogen gas (H 2 ) is supplied to the high speed heat treatment apparatus 20 using N 2 , which is a carrier gas. The reason for cracking the hydrogen gas with hydrogen radicals is because hydrogen easily diffuses into radicals and bonds with dangling bonds on the surface of the substrate 30. Here, it is preferable that the ultraviolet rays of the ultraviolet lamp 21 (UV lamp) have a wavelength of 10 to 400 nm.
c) 단계에서는 고속 열 처리 장치(20)의 적외선 램프(22)를 작동시켜 기판(30)의 온도를 조절하여 수소 라디칼이 확산시키는 단계이다. 본 단계에서 사용되는 적외선 램프(22)의 적외선은 파장이 1,000 내지 100,000 ㎚로 수소 라디칼이 확산될 수 있도록 온도를 상온에서 600℃ 이하의 범위까지 증가시키는 역할을 한다.In the step c), the infrared lamp 22 of the high speed heat treatment apparatus 20 is operated to adjust the temperature of the substrate 30 to diffuse hydrogen radicals. Infrared rays of the infrared lamp 22 used in this step serves to increase the temperature from room temperature to a range of 600 ° C. or less so that hydrogen radicals can be diffused to a wavelength of 1,000 to 100,000 nm.
위에서 언급한 수소 라디칼 확산 공정은 기판의 표면을 산화하기 전 또는 후에 실시할 수 있으며, 수소 크랙킹 공정과 수소 라디칼 확산 공정은 동시에 실시할 수도 있다.The above-mentioned hydrogen radical diffusion process may be carried out before or after oxidizing the surface of the substrate, and the hydrogen cracking process and the hydrogen radical diffusion process may be carried out simultaneously.
본 발명의 패시베이션 방법에서는 앞에서 언급한 a), b) 및 c) 단계 외에 필요에 따라 d) 도펀트 확산(dopant diffusion) 단계 또는 e) 어닐링(annealing) 단계를 포함할 수 있다. 여기서, 도펀트 확산 단계에서는 기판(30) 내에 주입되어 있는 P형 또는 N형의 불순물을 확산시켜 P-N 접합을 형성하는 공정이며, 어닐링 단계는 수소 분위기나 질소 또는 아르곤 분위기에서 500℃ 이하의 온도에서 열처리하는 공정이다.The passivation method of the present invention may include d) a dopant diffusion step or e) annealing step as necessary in addition to the aforementioned steps a), b) and c). Here, the dopant diffusion step is a step of forming a PN junction by diffusing the P-type or N-type impurities injected into the substrate 30, the annealing step is a heat treatment at a temperature of 500 ℃ or less in a hydrogen atmosphere or nitrogen or argon atmosphere It is a process to do it.
다음은, 적외선 램프와 자외선 램프의 배치 구조에 대하여 구체적으로 설명하기로 한다.Next, the arrangement structure of the infrared lamp and the ultraviolet lamp will be described in detail.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 규소 기판의 패시베이션 장치에서 적외선 램프와 자외선 램프의 배치 구조를 사시도이다.2 is a perspective view illustrating an arrangement structure of an infrared lamp and an ultraviolet lamp in a passivation apparatus for a silicon substrate according to an embodiment of the present invention.
도 2에 나타난 바와 같이, 자외선 램프(21)와 적외선 램프(22)는 막대 모양으로 형성되어 있으며, 기판(30)의 상부 및 하부에서 서로 교차하도록 각각 배치되어 있다. 이렇게 하면, 기판(30)의 온도를 균일하게 하는데 바람직하다. 이때, 자외선 램프(21)는 적외선 램프(22)의 안쪽에 배치되어 적외선 램프(22)보다 기판(30)과 가깝게 위치되어 있는데, 이는 자외선이 적외선 보다 파장이 짧아서 공기 중에서 흡수가 잘 되기 때문이다. 또한 자외선은 적외선 보다 파장이 짧지만 광자(photon) 하나당 에너지는 크므로 수소 기체를 크랙킹하는 데에는 보다 효과적이다.As shown in FIG. 2, the ultraviolet lamp 21 and the infrared lamp 22 are formed in a rod shape and are disposed to intersect with each other at the upper and lower portions of the substrate 30. This is preferable for making the temperature of the substrate 30 uniform. In this case, the ultraviolet lamp 21 is disposed inside the infrared lamp 22 and is located closer to the substrate 30 than the infrared lamp 22, because the ultraviolet light has a shorter wavelength than the infrared light and thus absorbs well in the air. . Ultraviolet light also has shorter wavelengths than infrared light, but the energy per photon is more effective for cracking hydrogen gas.
여기서, 기판은 태양 전지용 기판으로 사용되는 단결정 규소 기판, 다결정 규소 기판, 또는 다결정 박막 규소 기판일 수 있다.Here, the substrate may be a single crystal silicon substrate, a polycrystalline silicon substrate, or a polycrystalline thin film silicon substrate used as a solar cell substrate.
본 발명에서는 자외선 램프가 구비된 고속 열 처리 장치를 사용함으로써 적외선에 의한 수소 라디칼의 확산뿐만 아니라 수소 기체의 크래킹을 별도의 장치 없이 실시할 수 있게 되어 경제적인 면에서 유리하고 넓은 면적의 태양전지의 제작이 간단한 공정에 의하여 가능하다.In the present invention, by using a high speed heat treatment apparatus equipped with an ultraviolet lamp, not only diffusion of hydrogen radicals by infrared rays but also cracking of hydrogen gas can be performed without a separate device. Fabrication is possible by a simple process.
본 발명의 태양 전지용 패시베이션 장치 및 방법에서는 자외선 램프와 적외선 램프가 구비된 RTP 장치를 이용하고 수은을 촉매로 사용함으로써 수소 기체의 크래킹, 수소 패시베이션, 및 열처리 과정을 동시에 실시할 수 있어 대면적의 태양전지의 제작이 가능하고 제작 단계, 및 시간을 감소시킬 수 있어 경제적인 면에서 유리하며 플라스마를 사용하지 않음으로써 기판 표면의 손상이 발생되는 것을 방지할 수 있다.In the solar cell passivation apparatus and method of the present invention, by using an RTP apparatus equipped with an ultraviolet lamp and an infrared lamp and using mercury as a catalyst, cracking, hydrogen passivation, and heat treatment of hydrogen gas can be simultaneously performed. The fabrication of the battery is possible and the manufacturing steps and time can be reduced, which is economically advantageous and the use of plasma can be prevented from damaging the surface of the substrate.
또한, 본 발명은 고온으로 열처리를 할 경우 수소의 확산을 진행시키면서 후면에서 알루미늄 열처리까지 한번에 실시할 수 있다.In addition, the present invention can be carried out at a time from the rear surface to the aluminum heat treatment while proceeding the diffusion of hydrogen when the heat treatment at high temperature.
그리고 본 발명은 기판으로 다결정 규소를 사용하는 경우 그레인 경계(grain boundary)를 패시베이션함으로써 태양 전지의 단락 전류 밀도와 개방 전압을 향상시킬 수 있다.In the present invention, when the polycrystalline silicon is used as the substrate, the short circuit current density and the open voltage of the solar cell can be improved by passivating a grain boundary.
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