KR100403517B1 - Wafer cleaning apparatus - Google Patents
Wafer cleaning apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- KR100403517B1 KR100403517B1 KR10-2000-0085824A KR20000085824A KR100403517B1 KR 100403517 B1 KR100403517 B1 KR 100403517B1 KR 20000085824 A KR20000085824 A KR 20000085824A KR 100403517 B1 KR100403517 B1 KR 100403517B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- wafer
- support
- arm
- brush
- air cylinder
- Prior art date
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 48
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims abstract description 23
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims description 6
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 5
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 66
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 3
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
- B08B1/10—Cleaning by methods involving the use of tools characterised by the type of cleaning tool
- B08B1/12—Brushes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
본 발명은 웨이퍼의 오염을 방지하도록 브러시의 승강시에 파티클의 발생을 방지할 수 있는 한편, 보다 간단한 구조로서 브러시 아암의 하강 속도를 제어할 수 있는 웨이퍼 세정장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 웨이퍼 세정 장치는 웨이퍼를 척킹하여 회전시키기 위한 스핀 척과, 스핀 척에 척킹된 웨이퍼와 접촉하여 상기 웨이퍼의 표면을 세정하기 위한 브러시와, 브러시를 지지하기 위한 아암과, 아암에 결합되어 아암과 함께 수평 방향으로 이동하며, 아암과 함께 상하 방향으로 상대적으로 변위할 수 있는 지지대와, 지지대를 수평 방향으로 이동시키기 위한 수평 구동부와, 지지대를 상하 방향으로 변위시키기 위한 상하 변위 구동부와, 상하 변위 구동부의 구동에 의한 지지대의 하강 위치를 미세 조정하기 위한 하강 위치 미세 조정부를 포함한다.The present invention relates to a wafer cleaning apparatus which can prevent the generation of particles during the raising and lowering of the brush to prevent contamination of the wafer, and can control the descending speed of the brush arm as a simpler structure. The wafer cleaning apparatus according to the present invention is coupled to a spin chuck for chucking and rotating a wafer, a brush for cleaning the surface of the wafer in contact with the wafer chucked to the spin chuck, an arm for supporting the brush, and an arm. A support for moving in the horizontal direction with the arm and relatively displaceable in the vertical direction with the arm, a horizontal drive for moving the support in the horizontal direction, a vertical displacement drive for displacing the support in the vertical direction, and an up and down And a falling position fine adjusting unit for fine-adjusting a falling position of the support by driving the displacement driving unit.
Description
본 발명은 반도체 웨이퍼, 포토 마스크용 글라스 등을 세정하기 위한 세정 장치에 관한 것이고 보다 상세하게는 브러시의 승강시에 웨이퍼를 오염시킬 수 있는 파티클의 발생을 방지하기 위한 웨이퍼 세정 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cleaning apparatus for cleaning semiconductor wafers, glass for photo masks, and the like, and more particularly, to a wafer cleaning apparatus for preventing generation of particles that may contaminate a wafer during lifting of a brush.
이러한 접촉 완충 장치를 구비한 세정 장치들중 하나가 미국 특허 제4,935,981호에 개시되어 있으며, 도 1 및 도 2에 이 특허의 세정 장치가 도시되어 있다.One of the cleaning devices with such a contact buffer is disclosed in US Pat. No. 4,935,981, and the cleaning device of this patent is shown in FIGS.
도 1 및 도 2를 참조하여, 기판 세정 장치는 웨이퍼를 세정하기 위한세정부(171), 세정부(171)를 지지하기 위한 지지부(172), 및 세정부(171)가 소정의 힘보다 큰 힘으로 웨이퍼와 접촉하는 것을 방지하기 위한 완충 기구(173)를 포함한다. 세정부(171)는 웨이퍼(W)를 세정하기 위한 회전 세정 브러시(102), 회전 세정 브러시(102)를 회전 가능하게 지지하기 위한 스윙 아암(101), 및 전송 벨트(104)를 통하여 회전 세정 브러시(102)를 구동하기 위하여 스윙 아암(101)에 제공되는 세정 브러시를 회전시키기 위한 구동 모터(103)를 포함한다.1 and 2, the substrate cleaning apparatus includes a washing unit 171 for cleaning a wafer, a supporting unit 172 for supporting the cleaning unit 171, and a cleaning unit 171 having a larger force than a predetermined force. And a buffer mechanism 173 for preventing contact with the wafer by force. The cleaning unit 171 rotates through the rotary cleaning brush 102 for cleaning the wafer W, the swing arm 101 for rotatably supporting the rotary cleaning brush 102, and the transfer belt 104. A drive motor 103 for rotating the cleaning brush provided on the swing arm 101 to drive the brush 102.
지지부(172)는 세정부(171)를 스윙 가능하게 지지하기 위한 아암 서포터(105), 아암 서포터(105)를 회전시키기 위한 회전 구동 기구(111), 아암 서포터(105)를 상승시키기 위한 아암 서포터(105) 아래 제공되는 상승 기구(117), 스윙 아암(101) 및 아암 서포터(105)의 하중을 수용하기 위하여 아암 서포터(105)에 고정되는 하중 수용판(107), 및 스윙 아암의 스윙 또는 반경을 검출하기 위한 스윙 위치 검출 기구(115)를 포함한다.The support part 172 is an arm supporter 105 for swingably supporting the cleaning part 171, a rotation drive mechanism 111 for rotating the arm supporter 105, and an arm supporter for raising the arm supporter 105. (105) the swing mechanism of the lifting arm 117, the swing arm 101 and the arm supporter 105 provided below, the load receiving plate 107 fixed to the arm supporter 105, and the swing arm or A swing position detection mechanism 115 for detecting a radius is included.
회전 구동 기구(111)는 아암 서포터(105)를 회전시키는 것에 의하여 스윙 아암(101)의 스윙 위치를 제어한다. 스윙 아암의 한 쪽 단부는 아암 서포터(105)의 상단부에 고정되고, 회전 세정 브러시(102)가 스윙 아암(101)의 다른 쪽 단부에 고정된다. 아암 서포터(105)가 회전 구동 기구(111)에 의하여 회전될 때, 스윙 아암(101)은 아암 서포터(105)를 중심으로 수평의 반경 방향으로 회전하고, 아암 서포터(105)가 상승 기구(117)에 의하여 상승 및 하강될 때, 따라서, 따라서 스윙 아암(101)이 상승 및 하강된다. 아암 서포터(105)는 베이스(140)에 고정된 지지 보스(106)에 의해 지지되고, 이는 아암 서포터(105)의 회전 및 상승을 허용한다.The rotation drive mechanism 111 controls the swing position of the swing arm 101 by rotating the arm supporter 105. One end of the swing arm is fixed to the upper end of the arm supporter 105, and a rotary cleaning brush 102 is fixed to the other end of the swing arm 101. When the arm supporter 105 is rotated by the rotation drive mechanism 111, the swing arm 101 rotates in the horizontal radial direction about the arm supporter 105, and the arm supporter 105 moves up the lifting mechanism 117. Ascending and descending by), the swing arm 101 is thus raised and lowered. The arm supporter 105 is supported by the support boss 106 fixed to the base 140, which allows the arm supporter 105 to rotate and rise.
하중 수용판(107)은 아암 서포터(105)의 보스(106) 바로 위에 고정된다. 스플라인(105b)이 아암 서포터(105)의 하부 부분에 형성되고, 스플라인(105b)은 종동 풀리(110)가 고정되는 스플라인 슬리브(108)에 결합된다. 스플라인 슬리브(108)는 베어링(109)을 통하여 베이스(140)에 회전 가능하게 설치된다. 종동 풀리(110)는 스플라인 슬리브(108)의 풀리 고정축(108b)에 고정된다. 회전 구동 기구(111)는 구동 풀리(113)와 전동 벨트(114)를 통하여 종동 풀리(110)를 구동하기 위한 구동 모터(112)와, 회전 위치 검출 기구(115)를 포함한다. 회전 위치 검출 기구(115)는 위치들을 제어하기 위한 센서(115A,115B,115C)들과, 소정의 위치에 슬릿이 구비되는 디스크(116A,116B,116C)들을 포함한다.The load receiving plate 107 is fixed directly above the boss 106 of the arm supporter 105. A spline 105b is formed in the lower portion of the arm supporter 105, and the spline 105b is coupled to the spline sleeve 108 to which the driven pulley 110 is fixed. The spline sleeve 108 is rotatably mounted to the base 140 via the bearing 109. The driven pulley 110 is fixed to the pulley fixed shaft 108b of the spline sleeve 108. The rotation drive mechanism 111 includes a drive motor 112 for driving the driven pulley 110 through the drive pulley 113 and the transmission belt 114, and a rotation position detection mechanism 115. The rotation position detecting mechanism 115 includes sensors 115A, 115B and 115C for controlling the positions, and disks 116A, 116B and 116C having slits at predetermined positions.
3개의 회전 위치 검출 센서(115A,115B,115C)들은 도 2에 도시된 바와 같이 각각 회전 세정 브러시의 위치가 대기 위치(A), 웨이퍼(W)의 중앙 위치(B), 웨이퍼(W)의 주변 위치(C)에 있는 것을 검출한다.As shown in FIG. 2, the three rotational position detection sensors 115A, 115B, and 115C each have the positions of the rotational cleaning brush in the standby position A, the center position B of the wafer W, and the wafer W. As shown in FIG. It detects that it is in the peripheral position C.
상승 기구(117)는 브라켓을 통하여 베이스(140)의 하부측에 고정되는 에어 실린더(118), 아암 서포터(105)를 상승 및 하강시키기 위하여 아암 서포터(105)의 하단부(스플라인 축(105b))로 가압되는 에어 실린더(118)의 출력 로드(119), 및 출력 로드(119)의 상승 및 하강 위치를 검출하기 위한 센서(120A,120B)를 포함한다.The lifting mechanism 117 is a lower end of the arm supporter 105 (spline shaft 105b) for raising and lowering the air cylinder 118 and the arm supporter 105 fixed to the lower side of the base 140 through the bracket. And an output rod 119 of the air cylinder 118 pressurized by the sensor, and sensors 120A and 120B for detecting the rising and falling positions of the output rod 119.
완충 기구(173)는 아암 서포터(105) 및 브러시(102)와 함께 하중 수용판(107)이 비교적 느린 속도로 하향 이동하여 브러시(102)를 웨이퍼(W)와 접촉시키는 힘이 작게되는 것을 보장하도록 하중 수용판(107)과 결합된다. 이러한 목적을 위하여, 완충 기구는 감속된 속도로 스윙 아암(101)을 하강시키도록 밑으로부터소정의 상향력으로 판(107)을 접촉한다. 완충 기구(173)는 레버(125)를 통하여 소정의 힘을 제공하는 웨이트(122)를 지지하기 위한 테이블(121), 테이블(121)의 상승 속도를 감속시키기 위한 피팅 수단(130)에 의하여 베이스(140)에 고정되는 감속 실린더(131), 및 테이블(121)의 최상 위치를 미세하게 조정하기 위하여 피팅 수단에 제공되는 스폿 조립체(132)를 포함한다. 레버(125)는 선회 지점(128)에서 지지보스(106)에 선회될 수 있도록 결합되며, 그 양쪽 단부가 하중 수용판(107)과 테이블(121)에 선회될 수 있도록 결합된다. 테이블(121)은 상승 가이드 바(124)를 따라서 상승 및 하강될 수 있다. 레버(125)는 그 양쪽 단부에 롤러(126,127)들이 제공되며, 하중 수용판(107)의 아래에 롤러(126)가, 테이블(121)의 아래에 롤러(127)가 배치된다.The shock absorbing mechanism 173, together with the arm supporter 105 and the brush 102, ensures that the load receiving plate 107 moves downward at a relatively slow speed so that the force for contacting the brush 102 with the wafer W is small. It is coupled with the load receiving plate 107 so as to. For this purpose, the shock absorbing mechanism contacts the plate 107 with a predetermined upward force from below to lower the swing arm 101 at a slowed speed. The shock absorbing mechanism 173 is formed by the table 121 for supporting the weight 122 providing a predetermined force through the lever 125, and the fitting means 130 for slowing down the rising speed of the table 121. A reduction cylinder 131 fixed to 140, and a spot assembly 132 provided on the fitting means to finely adjust the top position of the table 121. The lever 125 is coupled to be pivotable to the support boss 106 at the pivot point 128, and both ends thereof are pivotable to the load receiving plate 107 and the table 121. The table 121 may be raised and lowered along the rising guide bar 124. The lever 125 is provided with rollers 126 and 127 at both ends thereof, a roller 126 is disposed below the load receiving plate 107, and a roller 127 is disposed below the table 121.
레버(125)의 각 위치들의 길이(선회 지점(128)과 롤러(126,127)들에 대하여) 등은 적어도 스윙 아암에서의 하중 및 아암 서포터(105)에서의 하중의 합의 합력 모멘트가 웨이트(122)로부터의 따르는 모멘트보다 크도록 설정된다. 이러한 목적을 위하여, 테이블(121)에 배치된 웨이트(122)는 중량을 조정할 수 있도록 다수의 웨이트들을 포함한다.The length of each of the positions of the lever 125 (with respect to the pivot point 128 and the rollers 126, 127), etc., is at least the combined moment of the sum of the load on the swing arm and the load on the arm supporter 105. It is set to be greater than the following moment from. For this purpose, the weight 122 disposed on the table 121 includes a plurality of weights to adjust the weight.
한편, 감속 실린더(131)는 오리피스(도시되지 않음)를 포함하고, 회전 세정 브러시가 레버(125)를 통하여 하강되는 속도는 오리피스의 보어 지름을 조정하는 것에 의하여 필요한 속도로 감속된다. 마이크로미터(133)가 피팅(130) 바로 위에 제공된다.On the other hand, the reduction cylinder 131 includes an orifice (not shown), and the speed at which the rotary cleaning brush is lowered through the lever 125 is reduced to the required speed by adjusting the bore diameter of the orifice. Micrometer 133 is provided directly above fitting 130.
또한, 다른 종래의 기술로서 미국 특허 제5,685,039호에 개시된 장치가 도 3및 도 4에 도시되어 있다.Also, as another conventional technique, the device disclosed in US Pat. No. 5,685,039 is shown in FIGS. 3 and 4.
도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 압력 조정 기구(213)는, 회전 드라이버(211)에 의하여 회전되어 상하 드라이버(212)에 의하여 상하 방향으로 이동되는 축(213a)을 가진다. 서포터(213b)는 축(213a)에 결합되어서, 서포터(213b)는 축(213a)의 회전 및 상하 운동에 따라서 선회 및 상하 방향으로 이동된다. 커넥터(213c)는 브러시 아암(210a)의 인접 단부에 매달려 선형 가이드(213d, 결합 부분)를 통하여 서포터(213b)에 결합된다. 커넥터(213c)는 서포터(213b)와 함께 회전되고, 또한 서포터(213b)에 대하여 상하 방향으로 상대적으로 움직일 수 있다. 예를 들어 헬리컬 압축 스프링(213f)과 같은 탄성체를 이루는 스프링 부재가 커넥터(213c)와 서포터(213b)로부터 돌출하는 브라켓(213e) 사이에 배열된다.As shown in FIG. 3 and FIG. 4, the pressure adjusting mechanism 213 has an axis 213a which is rotated by the rotary driver 211 and moved in the vertical direction by the vertical driver 212. The supporter 213b is coupled to the shaft 213a so that the supporter 213b is moved in the swing and up and down directions according to the rotation and the up and down movement of the shaft 213a. The connector 213c is coupled to the supporter 213b through the linear guide 213d (engagement portion) hanging on the adjacent end of the brush arm 210a. The connector 213c is rotated together with the supporter 213b and can also move relatively up and down with respect to the supporter 213b. For example, a spring member forming an elastic body such as a helical compression spring 213f is arranged between the connector 213c and the bracket 213e protruding from the supporter 213b.
상하 운동이 선형 가이드(213d)에 의해 가이드되는 세정 브러시 기구(210)의 중량, 즉 브러시 아암(210a), 브러시(210b) 등의 중량은 스프링 부재(213f)에 적용된다. 웨이퍼(W)에 작용하는 압력을 조정하도록, 상하 드라이버(212)에 의한 서포터(213b)의 하향 이동량, 즉 하향 이송량이 조정된다. 다시 말하면, 브러시 아암(210a)의 최하 지점의 레벨이 조정되고, 이것은 브러시(210b)가 웨이퍼(W)를 접촉하지 않고 서포터(213b)와 브러시 아암(210a)이 일체로 하향 이동되는 상태로 결정된다.The weight of the cleaning brush mechanism 210 in which the vertical movement is guided by the linear guide 213d, that is, the weight of the brush arm 210a, the brush 210b, or the like is applied to the spring member 213f. In order to adjust the pressure which acts on the wafer W, the downward movement amount of the supporter 213b by the up-and-down driver 212, that is, the downward transfer amount is adjusted. In other words, the level of the lowest point of the brush arm 210a is adjusted, which determines that the brush 210b does not contact the wafer W and the supporter 213b and the brush arm 210a are moved downward integrally. do.
예를 들어, 브러시(210b)가 웨이퍼(W)를 접촉하지 않을 때, 브러시 아암(210a)의 하부면이 x㎜만큼 웨이퍼(W)의 상부면 아래 놓이도록, 서포터(213b)의 하향 이동량이 설정되는 것을 가정한다. 이러한 설정 상태에서, 브러시(210b)가웨이퍼(W)를 접촉할 때, 브러시(210b)는 웨이퍼(W) 아래 있을 수 없다. 이러한 이유 때문에, 스프링 부재(213f)는 x㎜만큼 연장하고, 이러한 연장 양에 대응하는 편향력은 브러시(210b)에 적용된다. 이 때 웨이퍼(W)에 대한 브러시(210b)의 편향력, 즉 압력(F)은 F = k ×x로 정의되며, 여기에서 k는 스프링 상수이다.For example, when the brush 210b does not contact the wafer W, the amount of downward movement of the supporter 213b is such that the lower surface of the brush arm 210a lies below the upper surface of the wafer W by x mm. Assume that it is set. In this setting state, when the brush 210b contacts the wafer W, the brush 210b cannot be under the wafer W. For this reason, the spring member 213f extends by x mm, and a biasing force corresponding to this amount of extension is applied to the brush 210b. At this time, the deflection force of the brush 210b with respect to the wafer W, that is, the pressure F, is defined as F = k × x, where k is a spring constant.
브러시(210b)가 웨이퍼(W)와 접촉할 때, 압력(F)은 브러시(210b) 자체가 스프링으로서 또한 작용하기 때문에 일정 허용 범위 내에서 조정되어 설정될 수 있다. 이러한 방식으로, 탄성체(213f)의 스프링 특성을 이용하는 압력 조정 기구(213)가 사용되며, 카운터 밸런스, 풀리, 와이어, 압력 실린더 등을 포함하는 종래의 압력 조정 기구와 비교하여, 장치는 단순화될 수 있다. 동시에, 압력 조정은 용이하게 될 수 있다. 탄성체(213f)로서, 헬리컬 스프링 부재에 더하여 판 스프링 부재, 고무 부재 등이 사용될 수 있다.When the brush 210b is in contact with the wafer W, the pressure F can be adjusted and set within a certain allowable range because the brush 210b itself also acts as a spring. In this way, a pressure regulating mechanism 213 utilizing the spring characteristics of the elastic body 213f is used, and compared with a conventional pressure regulating mechanism including a counter balance, a pulley, a wire, a pressure cylinder, and the like, the apparatus can be simplified. have. At the same time, pressure adjustment can be facilitated. As the elastic body 213f, a leaf spring member, a rubber member or the like can be used in addition to the helical spring member.
서포터(213b)의 최대 하향 운동량, 즉 브러시 아암(210a)의 최하 지점을 조정하기 위한 스토퍼 베어링(215)이 서포터(213b)로부터 돌출하는 브라켓(213e)에 부착된다. 스토퍼 베어링(215)을 지지하기 위한 축은 상하 방향으로 소정의 범위 내에서 스크루 기구에 의하여 그 위치 위에서 조정되도록 브라켓(213e)에 설치된다. 스토퍼 베어링(215)은 브러시 아암(210a)의 수평 스윙의 중심에 그 중심을 가지는 원호형 가이드 면(215a) 위를 구르도록 배열된다. 브러시 아암(210a)이 회전하는 한편 브러시(210b)가 웨이퍼(W)에 접촉할 때, 스토퍼 베어링(215)은 회전 드라이버(211)에 의하여 전후진 방향으로 수평면에서 움직이는 서포터(213b)의 스윙에 따라서 가이드 면(215a) 위를 구른다.A stopper bearing 215 for adjusting the maximum downward momentum of the supporter 213b, that is, the lowest point of the brush arm 210a, is attached to the bracket 213e protruding from the supporter 213b. The shaft for supporting the stopper bearing 215 is provided in the bracket 213e so as to be adjusted above its position by a screw mechanism within a predetermined range in the vertical direction. The stopper bearing 215 is arranged to roll over an arc-shaped guide face 215a having its center at the center of the horizontal swing of the brush arm 210a. When the brush arm 210a is rotated while the brush 210b is in contact with the wafer W, the stopper bearing 215 is driven by the swing of the supporter 213b moving in the horizontal plane in the forward and backward direction by the rotary driver 211. Therefore, it rolls on the guide surface 215a.
회전 드라이버(211)는 모터(211a)를 가지며, 타이밍 벨트(211d)가 모터(211a)의 구동축에 설치된 구동 풀리(211b)와 축(213a)에 설치된 종동 풀리(211c) 사이에 설치되고, 상하 드라이버(212)는 볼 스크루 기구가 사용된다.The rotary driver 211 has a motor 211a, and a timing belt 211d is provided between the drive pulley 211b provided on the drive shaft of the motor 211a and the driven pulley 211c provided on the shaft 213a, and up and down. As the driver 212, a ball screw mechanism is used.
그러나, 상기된 바와 같은 종래의 세정 장치는 브러시 아암이 웨이퍼를 세정하기 위하여, 웨이퍼의 상부면으로 하강할 때, 2단계의 속도, 즉 처음에는 신속하게 하강하며 웨이퍼 가까이에서는 느리게 하강할 수 있도록 밸런스 웨이트 또는 스프링 장치를 사용하기 때문에, 기계적인 구조가 복잡하고 구성 요소들의 마찰로 인하여 웨이퍼를 오염시킬 수 있는 파티클이 발생된다는 문제점이 있었다.However, the conventional cleaning apparatus as described above balances the brush arm so that it can descend rapidly at the first stage and slowly descend near the wafer when the brush arm descends to the top surface of the wafer to clean the wafer. Because of the use of weights or spring arrangements, there has been a problem that the mechanical structure is complicated and particles are generated that can contaminate the wafer due to friction of the components.
상기된 바와 같은 종래의 기술은 또한 2단계의 속도로 브러시 아암의 하강 속도를 제어하기 위하여 다수의 구성요소들이 사용되기 때문에 가격이 상승된다는 문제점 또한 있었다.The prior art as described above also has the problem that the price increases because a number of components are used to control the rate of descent of the brush arm at two speeds.
따라서, 본 발명의 목적은 웨이퍼의 오염을 방지하도록 브러시의 승강시에 파티클의 발생을 방지할 수 있는 한편, 보다 간단한 구조로서 브러시 아암의 하강 속도를 제어할 수 있는 웨이퍼 세정장치를 제공하는데 있다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a wafer cleaning apparatus which can prevent the generation of particles during lifting of the brush so as to prevent contamination of the wafer, and can control the lowering speed of the brush arm as a simpler structure.
도 1은 종래의 웨이퍼 세정 장치의 사시도.1 is a perspective view of a conventional wafer cleaning apparatus.
도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼 세정 장치의 정면도.FIG. 2 is a front view of the wafer cleaning apparatus shown in FIG. 1. FIG.
도 3은 또 다른 종래의 웨이퍼 세정 장치의 브러시 세정부를 도시한 도면.3 is a view illustrating a brush cleaner of another conventional wafer cleaner.
도 4는 도 3에 도시한 브러시 세정부의 상하 변위 구조를 보다 상세하게 도시한 도면.4 is a view showing in more detail the vertical displacement structure of the brush cleaning unit shown in FIG.
도 5는 본 발명에 따른 웨이퍼 세정 장치의 사시도.5 is a perspective view of a wafer cleaning apparatus according to the present invention.
도 6은 도 5에 도시된 본 발명에 따른 웨이퍼 세정 장치의 부분 단면도.6 is a partial cross-sectional view of the wafer cleaning apparatus according to the present invention shown in FIG.
도 7은 본 발명에 따른 웨이퍼 세정 장치의 지지대의 상하 변위를 미세 조정하기 위한 미세 변위 조정부를 도시한 도면.7 is a view showing a fine displacement adjustment unit for fine-tuning the vertical displacement of the support of the wafer cleaning apparatus according to the present invention.
도 8은 본 발명에 따른 웨이퍼 세정 장치의 지지대를 상하 변위시키기 위한 공압 회로부의 구성을 도시한 도면.8 is a view showing the configuration of a pneumatic circuit portion for vertically displacing the support of the wafer cleaning apparatus according to the present invention.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)(Explanation of symbols for the main parts of the drawing)
1 : 브러시 2 : 아암1: brush 2: arm
3 : 지지대 4 : 돌출링3: support 4: protrusion ring
5, 6 : 모터 7 : 타이밍 벨트5, 6: motor 7: timing belt
8 : 에어 실린더 9 : 피스톤8: air cylinder 9: piston
10 : 하강 위치 미세 조정부 11 : 베어링10: falling position fine adjustment unit 11: bearing
12 : 제 1 스위치 13 : 제 2 스위치12: first switch 13: second switch
14 : 제 3 스위치 15 : 스토퍼14: third switch 15: stopper
16 : 케이싱 17 : 마이크로미터16 casing 17 micrometer
18 : 고정 나사 19 : 이동편18: fixing screw 19: moving piece
20 : 조정편 21 : 공기 압축원20: adjustment piece 21: air compression source
22 : 제 1 방향 전환 밸브 23 : 제 1 라인22: first direction switching valve 23: first line
24 : 제 2 라인 25 : 제 2 방향 전환 밸브24: 2nd line 25: 2nd direction switching valve
26 : 제 2 속도 제어 밸브 27 : 제 3 속도 제어 밸브26: second speed control valve 27: third speed control valve
28 : 제 1 속도 제어 밸브28: first speed control valve
상기된 바와 같은 목적은, 웨이퍼를 척킹하여 회전시키기 위한 스핀 척과; 상기 스핀 척에 척킹된 웨이퍼와 접촉하여 상기 웨이퍼의 표면을 세정하기 위한 브러시와; 상기 브러시를 지지하기 위한 아암과; 상기 아암에 결합되어 상기 아암과 함께 수평 방향으로 이동하며, 상기 아암과 함께 상하 방향으로 상대적으로 변위할 수 있는 지지대와; 상기 지지대를 수평 방향으로 이동시키기 위한 수평 구동부와; 상기 지지대를 상하 방향으로 변위시키기 위한 상하 변위 구동부와; 상기 상하 변위 구동부의 구동에 의한 상기 지지대의 하강 위치를 미세 조정하기 위한 하강 위치 미세 조정부를 포함하고, 상기 상하 변위 구동부는 상기 지지대를 승강시키기 위하여 상기 지지대의 하부에 위치되어 피스톤이 상기 지지대에 회전 가능하게 연결되는 복동식 에어 실린더로 이루어지며, 상기 에어 실린더는 상기 지지대를 상기 아암의 수평 방향 이동 높이로부터 소정 위치까지 신속하게 하강시키고, 그 위치로부터 상기 브러시가 웨이퍼의 표면에 접촉할 때까지 느린 속도로 하강시키도록 구성되는 공압 회로부에 의하여 제어되는 것을 특징으로 하는 본 발명에 따른 웨이퍼 세정 장치에 의하여 달성될 수 있다.An object as described above includes a spin chuck for chucking and rotating a wafer; A brush for cleaning the surface of the wafer in contact with the wafer chucked to the spin chuck; An arm for supporting the brush; A support coupled to the arm to move in a horizontal direction with the arm and to be relatively displaced in the vertical direction with the arm; A horizontal drive unit for moving the support in a horizontal direction; A vertical displacement driving part for displacing the support in the vertical direction; A lowering position fine adjustment unit for finely adjusting a lowering position of the support by driving the vertical displacement drive unit, and the vertical displacement drive unit is positioned below the support to raise and lower the support so that a piston rotates on the support. A double-acting air cylinder that is possibly connected, the air cylinder quickly lowering the support from the horizontal moving height of the arm to a predetermined position, and from that position until the brush contacts the surface of the wafer. It can be achieved by the wafer cleaning apparatus according to the invention, characterized in that it is controlled by a pneumatic circuit section configured to descend at a speed.
상기 에어 실린더의 작동은 지지대가 상기 아암의 수평 방향 이동 높이에 위치되었을 때 작동되는 제 1 스위치, 상기 지지대가 하강하여 상기 브러시가 상기 소정 위치에 위치되었을 때 작동되는 제 2 스위치, 및 상기 브러시가 웨이퍼에 접촉하였을 때 작동되는 제 3 스위치의 작동에 의하여 제어된다.The operation of the air cylinder may include a first switch that is operated when the support is positioned at the horizontal moving height of the arm, a second switch that is operated when the support is lowered and the brush is positioned at the predetermined position, and the brush is It is controlled by the operation of the third switch which is activated when it comes in contact with the wafer.
상기 공압 회로부는 상기 실린더의 피스톤의 전후진을 제어하기 위하여 상기 제 1, 제 2 및 제 3 스위치에 의하여 제어되며, 공기 압축원과 에어 실린더를 연결하는 제 1 및 제 2 라인 사이의 공기 흐름을 제어하는 제 1 방향 전환 밸브와; 상기 제 1 라인 상에 설치되는 제 1 속도 제어 밸브와; 상기 제 2 라인 상에 설치되는 제 2 및 제 3 속도 제어 밸브와; 상기 제 2 및 제 3 속도 제어 밸브들로/로부터 압축 공기의 흡입/배출을 제어하는 제 2 방향 전환 밸브를 포함하고, 상기 제 1 및 제 2 방향 전환 밸브는 상기 스위치들에 의하여 작동된다.The pneumatic circuit portion is controlled by the first, second and third switches to control the forward and backward movement of the piston of the cylinder, and the air flow between the first and second lines connecting the air compression source and the air cylinder. A first directional valve for controlling; A first speed control valve installed on the first line; Second and third speed control valves installed on the second line; And a second diverter valve for controlling intake / exhaust of compressed air to / from the second and third speed control valves, the first and second diverter valves being actuated by the switches.
상기 하강 위치 미세 조정부는 상기 지지대의 이동을 제한하도록 상기 지지대와 접촉하는 스토퍼와, 상기 스토퍼를 상하로 미세 변위시키도록 미세 변위되는 미세 변위부, 및 상기 미세 변위부를 미세 조정하도록 상기 미세 변위부를 수용하는 케이싱에 제공되는 조정부를 구비한다.The falling position fine adjustment unit accommodates the stopper in contact with the support to limit the movement of the support, a fine displacement portion finely displaced to finely displace the stopper up and down, and the fine displacement portion to finely adjust the fine displacement portion. It is provided with the adjustment part provided in the casing.
상기에서, 상기 조정부는 바람직하게 상기 미세 변위부에 주축이 고정되고 허브가 상기 케이싱에 고정되는 마이크로미터이다.In the above, the adjusting portion is preferably a micrometer in which a main axis is fixed to the fine displacement portion and a hub is fixed to the casing.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 명세서에 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.
도 5는 본 발명에 따른 웨이퍼 세정 장치의 사시도이다. 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 웨이퍼 세정 장치는 아암(2)의 한 쪽 단부에 브러시(1)가 회전 가능하게 설치되어 있으며, 아암(2)은 승강될 수 있도록 지지대(3)에 의하여 지지된다. 브러시(1)는 모터(5)의 구동에 의하여 회전되어 스핀 척(8, 도 6 참조)에 척킹된 웨이퍼(W)와 접촉하여 회전 구동에 의하여 웨이퍼(W)의 표면을 세정한다.5 is a perspective view of a wafer cleaning apparatus according to the present invention. As shown in FIG. 5, in the wafer cleaning apparatus according to the present invention, the brush 1 is rotatably installed at one end of the arm 2, and the arm 2 is supported by the support 3. Is supported by. The brush 1 is rotated by the driving of the motor 5 to contact the wafer W chucked to the spin chuck 8 (see FIG. 6) and cleans the surface of the wafer W by rotational driving.
지지대(3)는 상기된 바와 같이 아암(2)에 결합되어 모터(6)의 구동에 의하여 아암(2)과 함께 수평 방향으로 이동하는 것에 의하여, 브러시(1)가 대기 위치로부터 세정 위치로 이동될 수 있다. 모터(6)는 도 6에 도시된 바와 같이 타이밍 벨트(7)를 통하여 지지대(3)의 하부에 연결된다.The support 3 is coupled to the arm 2 as described above and moved in a horizontal direction with the arm 2 by the driving of the motor 6, whereby the brush 1 moves from the standby position to the cleaning position. Can be. The motor 6 is connected to the lower part of the support 3 via the timing belt 7 as shown in FIG. 6.
지지대(3)는 또한 본 발명에 따라서 에어 실린더와 같은 상하 변위 구동부(8)의 작동에 의하여 아암(2)과 함께 상하 방향으로 상대적으로 변위될 수 있어서, 아암(2)의 한 쪽 단부에 제공되는 브러시(1)가 웨이퍼(W)를 세정하기 위하여 승강될 수 있다. 에어 실린더(8)의 작동으로 브러시(1)가 웨이퍼(W)의 표면으로 하강할 때, 웨이퍼(W)에 대한 브러시(1)의 하강 높이는 본 발명에 따라서 제공되는 하강 위치 미세 조정부(10)에 의하여 미세하게 조정될 수 있다. 미세 조정부(10)에 대해서는 추후에 보다 상세하게 기술된다.The support 3 can also be relatively displaced in the up and down direction with the arm 2 by actuation of an up-and-down displacement drive 8, such as an air cylinder, according to the invention, so that it is provided at one end of the arm 2. The brush 1 can be lifted to clean the wafer W. When the brush 1 is lowered to the surface of the wafer W by the operation of the air cylinder 8, the lowering height of the brush 1 relative to the wafer W is the falling position fine adjustment portion 10 provided according to the present invention. Can be finely adjusted. The fine adjustment unit 10 will be described later in more detail.
본 발명에 따른 웨이퍼 세정 장치에서 사용되는 에어 실린더(8)는 복동식 에어 실린더로서, 도면에 도시된 바와 같이 지지대(3)의 하부에서, 피스톤(9)이 단부에 제공되는 베어링(11)을 통하여 지지대(3)에 회전 가능하게 연결된다. 그러므로, 아암(2)을 대기 위치와 세정 위치 사이에서 수평으로 이동될 때 모터(6)의 구동에 의하여 지지대(3)가 회전될 수 있으며, 이러한 지지대(3)의 회전에 따라서 아암(2)이 대기 위치로부터 세정 위치로 그리고 세정 위치로부터 대기 위치로 이동될 수 있다.The air cylinder 8 used in the wafer cleaning apparatus according to the present invention is a double-acting air cylinder, and as shown in the drawing, at the lower part of the support 3, a bearing 11 having a piston 9 provided at its end is provided. It is rotatably connected to the support (3) through. Therefore, when the arm 2 is moved horizontally between the standby position and the cleaning position, the support 3 can be rotated by the driving of the motor 6, and the arm 2 can be rotated according to the rotation of the support 3. It can be moved from this standby position to the cleaning position and from the cleaning position to the standby position.
도면에 도시된 바와 같이, 에어 실린더(8)의 피스톤(9)이 전진 작동하였을 때, 지지대(3)가 위로 상승하여 아암(2)의 한 쪽 단부에 제공되는 브러시(1)가 웨이퍼(W)의 표면으로부터 떨어져 있는 상태가 되며, 이 상태에서, 아암(2)은 모터(6)의 구동에 의하여 대기 및 세정 위치 사이를 이동한다.As shown in the figure, when the piston 9 of the air cylinder 8 is operated forward, the support 1 is lifted upwards and the brush 1 provided at one end of the arm 2 is provided with a wafer W. As shown in FIG. ), The arm 2 moves between the standby and cleaning positions by the drive of the motor 6.
이러한 지지대(3)가 상부에서 하부로 하강되도록 피스톤(9)이 후퇴할 때, 피스톤(9)은 브러시(1)가 웨이퍼(W)의 표면으로부터 소정 위치에, 예를 들어웨이퍼(W)의 표면으로부터 대략 1㎝ 위에 위치될 때까지 보다 빠른 속도로 하강하도록 후퇴된다. 그런 다음, 피스톤(9)은 그 위치로부터 웨이퍼(W)의 표면에 브러시(1)가 접촉할 때까지 대략 5∼10㎜/sec의 느린 속도로 하강한다. 따라서, 브러시(1)의 하강에 따른 웨이퍼(W)의 표면에 대한 접촉 충격을 방지할 수 있다.When the piston 9 is retracted such that the support 3 is lowered from the top to the bottom, the piston 9 causes the brush 1 to be positioned at a predetermined position from the surface of the wafer W, for example, of the wafer W. Retract to descend at a faster rate until located approximately 1 cm above the surface. The piston 9 then descends at a slow speed of approximately 5-10 mm / sec until the brush 1 contacts the surface of the wafer W from that position. Therefore, it is possible to prevent contact impact on the surface of the wafer W due to the lowering of the brush 1.
상기된 바와 같은 에어 실린더(8)의 작동은 도 8에 도시된 공압 회로에 의하여 제어된다. 즉, 지지대(3)가 피스톤(9)의 작동에 의하여 아암(2)의 수평 이동 위치에 위치되었을 때, 피스톤(9)의 위치가 제 1 스위치(12)에 의하여 감지된다. 이 때, 공기 펌프와 같은 공기 압축원(21)에 의하여 펌핑된 압축 공기는 제 1 방향 전환 밸브(22)의 작동에 의하여 제 1 라인(23)에 설치된 제 1 속도 제어 밸브(28)를 통하여 에어 실린더(8)로 공급된다. 피스톤(9)은 제 1 라인(23)을 통하여 공급되는 압축 공기에 의하여 후퇴되며, 피스톤(9)이 후퇴됨에 따라서, 피스톤(9)과 연결된 지지대(3)가 하강된다.The operation of the air cylinder 8 as described above is controlled by the pneumatic circuit shown in FIG. That is, when the support 3 is positioned in the horizontal movement position of the arm 2 by the operation of the piston 9, the position of the piston 9 is sensed by the first switch 12. At this time, the compressed air pumped by the air compression source 21 such as the air pump is passed through the first speed control valve 28 installed in the first line 23 by the operation of the first direction switching valve 22. It is supplied to the air cylinder (8). The piston 9 is retracted by the compressed air supplied through the first line 23, and as the piston 9 is retracted, the support 3 connected to the piston 9 is lowered.
이 때, 피스톤(9)의 후퇴 작동에 의하여 에어 실린더(8)로부터 배출되는 압축 공기는 제 2 라인(24)에 설치된 제 2 방향 전환 밸브(25)의 작동에 의하여 제 2 속도 제어 밸브(26)를 통하여 대기로 배출된다. 제 2 속도 제어 밸브(26)는 제 1 속도 제어 밸브(28)를 통하여 공급되는 압축 공기의 양이 빠르게 배출되도록 조정된다. 그러므로, 피스톤(9)의 후퇴 속도가 빠르게 되고, 피스톤(9)과 연결된 지지대(3)가 빠른 속도로 하강한다.At this time, the compressed air discharged from the air cylinder 8 by the retraction operation of the piston 9 is driven by the second speed control valve 26 by the operation of the second directional valve 25 installed in the second line 24. Through the air to the atmosphere. The second speed control valve 26 is adjusted so that the amount of compressed air supplied through the first speed control valve 28 is quickly discharged. Therefore, the retraction speed of the piston 9 becomes high, and the support 3 connected to the piston 9 descends at a high speed.
브러시(1)가 웨이퍼(W)의 표면으로부터 일정 거리, 웨이퍼(W)의 표면으로부터 대략 1㎝ 위에 위치될 때까지 피스톤(9)이 후퇴하였을 때, 피스톤(9)의 위치는제 2 스위치(13)에 의하여 감지된다. 제 2 스위치(13)는 제 2 라인(24) 상에 제공되는 제 2 방향 전환 밸브(25)를 작동시켜 제 2 라인(24)을 따라서 흐르는 공기의 경로를 변환시킨다. 즉, 제 1 라인(23)을 통하여 압축 공기가 에어 실린더(8)로 공급될 때, 에어 실린더(8)로부터 배출되는 압축 공기는 제 2 방향 전환 밸브(25)의 작동에 의하여 제 3 속도 제어 밸브(27)를 통하여 대기로 배출된다. 제 3 속도 제어 밸브(27)는 에어 실린더(8)에 공급되는 압축 공기의 양보다 적은 양의 압축 공기가 배출되도록 조정됨으로써, 피스톤(9)의 후퇴 속도가 상기된 바와 같이 5∼10㎜/sec로 느리게 할 수 있다. 그러므로, 브러시(1)가 웨이퍼(W)의 표면과 접촉할 때, 접촉에 따른 충격이 방지될 수 있다. 한편, 제 1 및 제 2 속도 제어 밸브(28,26)들은 통과하는 공기량이 일정하도록 설정되어 있으며, 제 3 속도 제어 밸브(27)는, 제 3 속도 제어 밸브(27)를 조정함으로써 브러시(1)가 웨이퍼(W)로 접촉하는 속도를 적절하게 조정할 수 있도록 구성된다.When the piston 9 is retracted until the brush 1 is positioned at a distance from the surface of the wafer W and approximately 1 cm above the surface of the wafer W, the position of the piston 9 is changed to the second switch ( 13). The second switch 13 actuates the second turn valve 25 provided on the second line 24 to divert the path of air flowing along the second line 24. That is, when compressed air is supplied to the air cylinder 8 through the first line 23, the compressed air discharged from the air cylinder 8 is controlled by the third direction control valve 25 by the third speed control. It is discharged to the atmosphere through the valve 27. The third speed control valve 27 is adjusted so that a smaller amount of compressed air is discharged than the amount of compressed air supplied to the air cylinder 8 so that the retraction speed of the piston 9 is 5 to 10 mm / as described above. You can slow it down to sec. Therefore, when the brush 1 is in contact with the surface of the wafer W, the impact due to the contact can be prevented. On the other hand, the 1st and 2nd speed control valves 28 and 26 are set so that the amount of air which may pass through is constant, and the 3rd speed control valve 27 adjusts the 3rd speed control valve 27, and the brush 1 ) Is configured to appropriately adjust the speed at which the wafer W contacts.
브러시(1)가 웨이퍼(W)의 표면에 접촉하였을 때, 즉 피스톤(9)은 제 3 스위치(14)에 의하여 감지된다. 제 3 스위치(14)는 일정 시간, 즉 브러시(1)에 의한 웨이퍼(W)의 세정 시간이 경과된 후에, 제 1 및 제 2 방향 전환 밸브(22,25)를 작동시킴으로써, 공기 압축원(21)으로부터 압축 공기는 제 2 라인(24)을 따라서 제 2 속도 제어 밸브(26)를 통하여 에어 실린더(8)로 공급되어, 피스톤(9)을 제 1 스위치(12)에 의하여 피스톤(9)이 감지되는 위치까지 전진시킨다.When the brush 1 is in contact with the surface of the wafer W, ie the piston 9 is sensed by the third switch 14. The third switch 14 operates the first and second direction switching valves 22 and 25 after a predetermined time, that is, after the cleaning time of the wafer W by the brush 1 has elapsed, thereby causing the air compression source ( Compressed air from 21 is supplied to the air cylinder 8 via the second speed control valve 26 along the second line 24, so that the piston 9 is driven by the first switch 12 to the piston 9. Advance to this detected position.
한편, 피스톤(9)의 후퇴 운동에 의하여 지지대(3)가 하강하여 브러시(1)가 웨이퍼(W)의 표면에 접촉할 때, 지지대(3)의 외주에 설치된 돌출링(4)이 하강 위치미세 조정부(10)에 제공된 스토퍼(15)에 접촉된다. 스토퍼(15)는 브러시(1)가 웨이퍼(W)의 표면에 접촉할 때 충격을 주지 않는 위치에 위치되며, 마이크로미터(17)에 의하여 그 상하 위치가 미세하게 조정될 수 있다. 상기된 바와 같이, 마이크로미터(17)를 조정함으로써, 브러시(1)와 웨이퍼(W)의 접촉은 예를 들어 ±0.5㎜의 범위에서 정확하게 설정될 수 있다.On the other hand, when the support 3 is lowered by the retraction movement of the piston 9 and the brush 1 contacts the surface of the wafer W, the protruding ring 4 provided on the outer circumference of the support 3 is in the lowered position. It comes into contact with the stopper 15 provided in the fine adjustment unit 10. The stopper 15 is positioned at a position where the brush 1 is not impacted when the brush 1 contacts the surface of the wafer W, and its up and down positions can be finely adjusted by the micrometer 17. As described above, by adjusting the micrometer 17, the contact between the brush 1 and the wafer W can be accurately set in the range of, for example, ± 0.5 mm.
하강 위치 미세 조정부(10)는 도 7에 보다 상세하게 도시된 바와 같이 사각 형상의 케이싱(16)과, 케이싱(16)에 결합되는 커버편(16a)을 구비한다. 케이싱(16)의 일측에는 마이크로미터(17)의 허브가 고정되며, 케이싱(16)의 내부에 형성된 공간에는 마이크로미터(17)에 의하여 전후진되도록 마이크로미터의 주축이 고정되는 이동편(19)과, 이동편(19)의 움직임에 의하여 상하로 가동되는 조정편(20)이 수용된다. 이동편(19)과 조정편(20)은 45°의 각도를 가지는 경사면에 의하여 서로 접촉되므로, 마이크로미터(17)의 조정에 따라서 이동편(19)이 수평 방향으로 이동할 때, 조정편(20)은 이동편(19)이 이동하는 양만큼 상하로 이동된다.The falling position fine adjustment unit 10 includes a rectangular casing 16 and a cover piece 16a coupled to the casing 16, as shown in more detail in FIG. The hub of the micrometer 17 is fixed to one side of the casing 16, the moving piece 19 is fixed to the main shaft of the micrometer so as to advance back and forth by the micrometer 17 in the space formed inside the casing 16 And the adjustment piece 20 which moves up and down by the movement of the moving piece 19 is accommodated. Since the moving piece 19 and the adjusting piece 20 are in contact with each other by an inclined surface having an angle of 45 °, when the moving piece 19 moves in the horizontal direction according to the adjustment of the micrometer 17, the adjusting piece 20 ) Is moved up and down by the amount that the moving piece 19 moves.
스토퍼(15)는 도 7에 보다 상세하게 도시된 바와 같이 나사축(15a)을 가지며, 이 나사축(15a)이 커버편(16a)에 상하 방향으로 형성된 장공(16b)을 통하여 조정편(20)에 형성된 나사공(20a)에 나사 결합됨으로써, 조정편(20)이 상하 방향으로 미세 변위될 때, 스토퍼(15)는 그 상하 위치가 조정편(20)의 미세 변위에 따라서 변위될 수 있다. 조정편(20)의 미세 변위에 따라서, 브러시(1)가 웨이퍼(W)에 접촉될 때 웨이퍼(W)에 대한 충격이 방지될 수 있는 위치에 스토퍼(15)에 의해 정확하게 위치되었을 때, 조정편(20)은 케이싱(16)의 상부에 제공되는 고정 나사(18)에의하여 그 위치에서 고정된다.The stopper 15 has a screw shaft 15a as shown in more detail in FIG. 7, and the adjusting piece 20 is provided through the long hole 16b in which the screw shaft 15a is formed in the cover piece 16a in the vertical direction. By screwing into the screw hole 20a formed in the), when the adjusting piece 20 is finely displaced in the vertical direction, the stopper 15 can be displaced in accordance with the fine displacement of the adjusting piece 20. . According to the fine displacement of the adjusting piece 20, when the brush 1 is in contact with the wafer W, when the brush 1 is accurately positioned by the stopper 15 at a position where the impact on the wafer W can be prevented, the adjustment is made. The piece 20 is fixed in that position by a set screw 18 provided on the top of the casing 16.
그러므로, 스토퍼(15)의 상하 위치를 마이크로미터(17)로 미세하게 조정하는 것에 의하여 지지대(3)에 설치된 브러시(1)가 웨이퍼(W)의 표면에 접촉할 때, 지지대(3)에 제공되는 돌출링(4)이 스토퍼(15)에 접촉됨으로써, 브러시(1)가 더 이상 하강하는 것이 방지되어, 웨이퍼(W)에 대한 접촉 충격이 방지될 수 있다.Therefore, when the brush 1 installed on the support 3 contacts the surface of the wafer W by finely adjusting the up and down position of the stopper 15 with the micrometer 17, it is provided to the support 3. As the protruding ring 4 is brought into contact with the stopper 15, the brush 1 can be prevented from falling further, and the contact impact on the wafer W can be prevented.
또한, 제 3 스위치(14)는 피스톤(9)이 감지되는 위치, 즉 돌출링(4)이 스토퍼(15)에 접촉되는 위치에 제공되는 것에 의하여, 상기된 바와 같은 작동을 수행할 수 있다.In addition, the third switch 14 may perform the operation as described above by being provided at the position where the piston 9 is sensed, that is, the position where the protruding ring 4 is in contact with the stopper 15.
상기된 바와 같이 본 발명에 따른 웨이퍼 세정 장치는 웨이퍼를 세정하기 위한 브러시의 상하 변위 구동을 위하여 다단계의 하강 속도를 가지는 에어 실린더를 사용하는 한편 브러시의 하강 위치가 마이크로미터에 의하여 미세 조정됨으로써, 웨이퍼에 대한 브러시의 접촉 충격을 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 웨이퍼를 오염시킬 수 있는 파티클의 발생을 방지할 수 있는 한편 보다 간단한 구조로서 브러시 아암의 하강 속도를 제어할 수 있다.As described above, the wafer cleaning apparatus according to the present invention uses an air cylinder having a multi-stage lowering speed for the vertical displacement driving of the brush for cleaning the wafer, while the lowering position of the brush is finely adjusted by a micrometer, whereby Not only can the impact of the brush's contact with the tool be prevented, but the generation of particles that can contaminate the wafer can be prevented while the lower speed of the brush arm can be controlled with a simpler structure.
Claims (7)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2000-0085824A KR100403517B1 (en) | 2000-12-29 | 2000-12-29 | Wafer cleaning apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2000-0085824A KR100403517B1 (en) | 2000-12-29 | 2000-12-29 | Wafer cleaning apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20020058164A KR20020058164A (en) | 2002-07-12 |
| KR100403517B1 true KR100403517B1 (en) | 2003-10-30 |
Family
ID=27688959
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2000-0085824A KR100403517B1 (en) | 2000-12-29 | 2000-12-29 | Wafer cleaning apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100403517B1 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101469549B1 (en) * | 2013-07-29 | 2014-12-05 | 주식회사 케이씨텍 | Nozzle unit and wafer cleaning apparatus having the same |
| CN109731820A (en) * | 2019-01-22 | 2019-05-10 | 上海提牛机电设备有限公司 | A kind of wafer cleaner |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR890012358A (en) * | 1988-01-08 | 1989-08-26 | 이시다 도쿠지로오 | Cleaning device with contact buffer |
| US4935981A (en) * | 1988-01-06 | 1990-06-26 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Cleaning apparatus having a contact buffer apparatus |
| KR960042999A (en) * | 1995-05-12 | 1996-12-21 | 이노우에 아키라 | Cleaning device |
| KR19990078403A (en) * | 1998-03-30 | 1999-10-25 | 히가시 데쓰로 | Scrub washing apparatus and scrub washing method |
-
2000
- 2000-12-29 KR KR10-2000-0085824A patent/KR100403517B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4935981A (en) * | 1988-01-06 | 1990-06-26 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Cleaning apparatus having a contact buffer apparatus |
| KR890012358A (en) * | 1988-01-08 | 1989-08-26 | 이시다 도쿠지로오 | Cleaning device with contact buffer |
| KR960042999A (en) * | 1995-05-12 | 1996-12-21 | 이노우에 아키라 | Cleaning device |
| KR19990078403A (en) * | 1998-03-30 | 1999-10-25 | 히가시 데쓰로 | Scrub washing apparatus and scrub washing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20020058164A (en) | 2002-07-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4935981A (en) | Cleaning apparatus having a contact buffer apparatus | |
| CA1231357A (en) | Articulated arm transfer device | |
| WO1988009246A1 (en) | Articulated arm transfer device | |
| MXPA03002028A (en) | Scissor lifting table. | |
| JP2004158743A (en) | Component holding device | |
| US5860178A (en) | Substrate spin cleaning apparatus | |
| KR100403517B1 (en) | Wafer cleaning apparatus | |
| JP2746670B2 (en) | Cleaning equipment | |
| JP3978820B2 (en) | Elevating storage device | |
| CN212702060U (en) | Abrasive belt deflection adjusting device and grinding equipment | |
| JP3172358B2 (en) | Substrate cleaning device | |
| KR920010691B1 (en) | Cleaning apparatus attaching contact buffing device | |
| JP3515825B2 (en) | Brush rotation type substrate cleaning device | |
| JP2000085102A5 (en) | ||
| JP3539787B2 (en) | Rotary substrate cleaning equipment | |
| JPH0642332Y2 (en) | Substrate cleaning equipment | |
| JPH0644097Y2 (en) | Substrate cleaning equipment | |
| JP2887197B2 (en) | Rotary substrate cleaning equipment | |
| JP2618834B2 (en) | Substrate cleaning method and substrate cleaning apparatus | |
| CN114130451B (en) | Abrasive belt deflection adjusting device and grinding equipment | |
| JPH10223596A (en) | Substrate-cleaning device | |
| KR100372896B1 (en) | Apparatus For Cleaning A Substrate | |
| JP3228185B2 (en) | Machine tool pallet changer | |
| JP2559310B2 (en) | Brush cleaning equipment | |
| JPH07169725A (en) | Substrate cleaning device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121011 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130910 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140902 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151005 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181002 Year of fee payment: 16 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191007 Year of fee payment: 17 |