KR100364781B1 - 가변 캐패시터 및 그 제조방법 - Google Patents

가변 캐패시터 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

가변 캐패시터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 제 1기판 상의 소정 영역에 형성된 하부 전극, 유전체층, 적어도 하나 이상의 상부 전극들로 이루어진 MIM(Metal Insulator Metal)캐패시터와, MIM캐패시터 상에 일정 공간을 갖도록 압전 물질을 가지고 형성되어, 상기 압전 물질에 의해 릴리즈(release)되어 상기 MIM캐패시터의 정전 용량(capacitance) 값을 조절하는 기울기 제어 구동기(slope controlled actuator:SCA)를 포함하여 구성된다. 여기서, 기울기 제어 구동기는 MIM캐패시터의 상부 전극 상에 소정 공간을 두고 형성된 전송선과, 전송선 상에 형성된 절연층과, 절연층 상에 형성된 제 1금속층과, 제 1금속층 상에 형성된 압전 물질과, 압전 물질 상에 형성된 제 2금속층과, 제 2금속층 상에 형성된 제 1멤브레인과, 제 1멤브레인과 동일 높이로 소정 간격을 두고 제 1기판 상에 형성된 제 2멤브레인과, 제 1멤브레인과 제 2멤브레인 상의 양쪽 가장자리에 형성된 기판을 포함하여 구성된다. 따라서, 기울기 제어 구동기를 이용함으로서, 넓은 정전 용량 값의 가변 범위를 갖는 고효율의 가변 캐패시터 및 그 제조방법을 얻을 수 있다.

Description

가변 캐패시터 및 그 제조방법{variable capacitor and method for fabricating the same}
본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로, 특히 가변 캐패시터 및 그 제조방법에 관한 것이다.
집적회로에서 캐패시터는 없어서는 안될 중요한 회로 구성 요소이다.
일반적으로 종래의 무선통신시스템은 전체 주파수 대역 중에서 특정 주파수 대역만을 사용하였다.
이에 대해 최근에는 각 무선통신시스템을 통합하여 사용할 수 있는 무선통신시스템에 대한 요구가 발생하였다.
이러한 요구에 따른 다중 주파수 밴드 무선통신장치는 여러 주파수 밴드를 지원할 수 있도록 RF(Radio Frequency) 블록(block)을 설계하여야 한다.
특히, 주파수 밴드와 직접적으로 관련된 필터(filter)에 사용되는 캐패시터는 각 주파수 밴드마다에 대해 서로 다른 정전 용량(capacitance) 값을 가지는 것을 사용해야만 한다.
이에 따라 RF 블록에서 동일 용도의 블록임에도 불구하고 주파수밴드가 서로 다름에 따라 각 주파수 밴드마다 별도의 회로를 구성하여야 한다.
또한, 종래의 집적회로는 주로 수백 MHz 이하의 낮은 주파수에서 사용되므로 캐패시터의 성능(quality)이 그다지 중요하지 않았다.
그러나, 최근의 집적회로에서는 GHz 이상의 높은 주파수에서도 적용 가능성이 연구되고 있으므로 인덕터(inductor)와 더불어 높은 성능의 캐패시터가 필요하게 되었다.
마이크로파 주파수에서 사용되는 MMIC(Monolithic Microwave Integrate Circuit)는 주로 금속/산화막/금속 구조의 MIM(Metal Insulator Metal)캐패시터를 사용한다.
고주파용 전압 제어 발진기(Voltage Controlled Oscillators:VCO)는 버렉터 다이오드나 가변 캐패시터에 가해지는 전압을 조정하여 정전 용량의 변화를 얻고, 이를 통해 공진(resonance) 주파수를 바꿀 수 있게 된다.
버렉터 다이오드는 역 바이어스(bias) 다이오드로, 버렉터 다이오드에 인가되는 전압이 다양하기 때문에, 다이오드 내 공핍층 폭이 변화하며, 또한 버렉터의 정전 용량을 변화시키며 전압제어 발진기의 공진 주파수를 변화시킨다.
그러나, 버렉터 다이오드를 가변성 소자로 사용할 경우, 버렉터 다이오드의 정전 용량의 변화 범위는 매우 제한되고, 버렉터 다이오드가 순방향 바이어스될 때 버렉터 다이오드에 대한 누설 문제가 존재한다.
또한, 버렉터 다이오드의 경우 기존에 사용되는 표준 집적회로(standard IC) 공정으로 만들 수 없으며, 상대적으로 손실(loss)이 크고, Q값이 작다는 단점이 있다.
반면, MEMS 기술을 이용한 기존의 가변 캐패시터의 경우 버렉터 다이오드에 비해 튜닝 범위(tuning range)가 넓고, Q값이 크다는 장점이 있다.
그리고, MEMS(Micro Electo Mmechanical System) 기술을 이용한 가변 캐패시터(tunable capacitor)는 마이크로파(microwave)용 소자로서, 전압 제어 발진기 뿐 아니라, 가변 정합 네트워크(tunable matching network), 전기적 가변필터(electornically tunable filters) 등에 응용될 수 있다.
일반적으로 이러한 마이크로 기계적인 소자들은 높은 Q값과 넓은 튜닝(tuning) 범위를 보여준다.
넓은 튜닝 범위는 요구 진동수의 조절 범위를 넓혀줄 뿐만 아니라, 공정의 마진(margin)을 넓혀주고, 온도 변화에 대해 매우 안정하다.
Q값이 높은 가변 캐패시터를 전압 제어 발진기 제작에 사용할 경우, 전압 제어 발진기의 동적 범위(dynamic range)를 높일 수 있으며, 위상 노이즈(phase noise)도 낮출 수 있다.
기존에 알려진 이러한 일반적인 가변 캐패시터 기술은 유전 캐패시터(dielectric capacitor)와 공동(cavity)을 직렬로 연결한 캐패시터를 사용하는 방법으로, 튜닝(tuning)은 공동의 두께를 조절함으로서 얻게 된다.
도 1은 종래의 유전 캐패시터와 공동을 직렬로 연결한 가변 캐패시터의 구조를 나타내는 구조단면도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 종래의 가변 캐패시터는 기판(11) 위에 형성된 하부 전극(12)과, 하부 전극 상에 형성된 유전체(13)와, 유전체와 소정 간격(15)을 두고 형성된 상부 전극(14)으로 구성된다.
여기서, 상부 전극(14)은 상부 전극을 구동하기 위한 액튜에이터(actuator)와 연결되어 있다.
따라서, 종래의 가변 캐패시터는 유전체(13)와 상부 전극(14) 사이의 공동(15)을 조절하는 방법으로, 정전 용량 값을 변화시킨다.
그러나, 이상에서 설명한 종래 기술에 따른 가변 캐패시터 및 그 제조방법은 다음과 같은 문제점이 있다.
종래의 유전 캐패시터(dielectric capacitor)와 공동(cavity)을 직렬로 연결한 가변 캐패시터를 사용할 경우, 정전 용량 값이 두께에 선형적으로 변하지 않게 되고, 그 조절 범위가 제한된다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 넓은 정전 용량 값의 가변 범위를 갖는 고효율의 가변 캐패시터 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1은 종래의 가변 캐패시터의 구조 단면도.
도 2는 본 발명에 따른 MIM캐패시터의 구조단면도.
도 3은 본 발명에 따른 기울기 제어 구동기(SCA)의 구조단면도.
도 4는 본 발명에 따른 가변 캐패시터의 구조단면도.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명에 따른 기울기 제어 구동기의 제조공정단면도.
도 6a 내지 도 6f은 본 발명에 MIM캐패시터의 제조공정단면도.
도 7은 압전 물질의 공급 전압에 따른 변위 특성 그래프.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
41 : 기판 46 : 멤브레인
42, 47 : 하부 전극 48 : 압전 물질
43 : 유전체층 50 : 절연층
44, 49 : 상부 전극 51 : 전송 전극
45 : 솔더 범프(solder bump)
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 가변 캐패시터 및 그 제조방법의 특징은 제 1기판 상의 소정 영역에 형성된 하부 전극, 유전체층, 적어도 하나 이상의 상부 전극들로 이루어진 MIM(Metal Insulator Metal)캐패시터와, MIM캐패시터 상에 일정 공간을 갖도록 압전 물질을 가지고 형성되어, 상기 압전 물질에 의해 릴리즈 되어 상기 MIM캐패시터의 정전 용량(capacitance) 값을 조절하는 기울기 제어 구동기(slope controlled actuator:SCA)를 포함하여 구성되는데 있다.
기울기 제어 구동기는 MIM캐패시터의 상부 전극 상에 소정 공간을 두고 형성된 전송선과, 전송선 상에 형성된 절연층과, 절연층 상에 형성된 제 1금속층과, 제 1금속층 상에 형성된 압전 물질과, 압전 물질 상에 형성된 제 2금속층과, 제 2금속층 상에 형성된 제 1멤브레인과, 제 1멤브레인과 동일 높이로 소정 간격을 두고 제1기판 상에 형성된 제 2멤브레인과, 제 1멤브레인과 제 2멤브레인 상의 양쪽 가장자리에 형성된 기판을 포함하여 구성된다.
그리고, 기울기 제어 구동기는 제 1기판 상에 형성된 접착 물질에 의해 기울기 제어 구동기의 중심 부분이 릴리즈되도록 제 1기판에 부착된다.
본 발명의 또 다른 특징은, 제 1기판 위의 소정 영역에 하부 전극, 유전체막, 상부 전극들을 순차적으로 형성하고, 제 1기판의 양쪽 가장자리에 접착 물질을 형성하는 제 1단계와, 제 2기판 위에 멤브레인, 제 1금속층, 압전 물질, 제 2금속층, 절연층, 전송선을 순차적으로 형성하는 제 2단계와, 전송선이 상부 전극과 일정 공간을 두고 마주보도록 제 2기판을 상기 접착 물질에 부착하는 제 3단계로 이루어지는데 있다.
여기서, 제 1단계는 제 1기판 위에 하부 전극, 유전체막, 상부 전극을 순차적으로 형성하는 단계와, 하부 전극, 유전체막, 상부 전극을 식각하여 제 1기판의 양쪽을 노출시키는 단계와, 상부 전극을 패터닝하는 단계와, 제 1기판의 양쪽 가장자리에 접착물질을 형성하는 단계로 이루어진다.
또, 제 2단계는 제 2기판 앞면 위에 멤브레인, 제 1금속층, 압전 물질, 제 2금속층, 절연층, 전송선, 제 1마스크를 순차적으로 형성하는 단계와, 제 1마스크를 통해 전송선과 절연층을 식각하여 제 2금속층의 양쪽을 노출시키는 단계와, 제 2마스크를 통해 식각된 전송선과 절연층의 일측에 맞추어 제 2금속층, 압전 물질, 제 1금속층을 식각하여 멤브레인 상부 일부를 노출시키는 단계와, 제 3마스크를 통해 제 2금속층을 식각하여 압전 물질 일부를 노출시키는 단계와, 제 2기판 뒷면의 소정 영역을 식각하여 멤브레인 하부의 중앙부분을 노출시키는 단계와, 상/하부가 모두 노출된 멤브레인의 소정 영역을 식각하여 멤브레인을 관통하는 단계로 이루어진다.
본 발명의 특징에 따르면, 기울기 제어 구동기를 이용함으로서, 넓은 정전 용량 값의 가변 범위를 갖는 고효율의 가변 캐패시터 및 그 제조방법을 얻을 수 있다.
본 발명의 다른 목적, 특성 및 이점들은 첨부한 도면을 참조한 실시 예들의 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.
본 발명에 따른 가변 캐패시터 및 그 제조방법의 바람직한 실시 예에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 2은 본 발명에 따른 MIM캐패시터 구조 단면도이다.
도 2에 도시한 바와 같이, 기판(21) 상의 소정 영역에 형성된 하부 전극(22), 유전체층(23), 상부 전극들(24)로 구성된다.
그리고, 기판(21)의 양쪽 가장자리에는 접착물질인 솔더 범프(25)가 형성되어 있다.
도 3는 본 발명의 가변 캐패시터의 정전 용량 값을 변화시키기 위한 기울기 제어 구동기(Slope Controlled Actuator:SCA)의 구조단면도이다.
도 3에 도시한 바와 같이, 기판(31) 위에 형성된 멤브레인(membrane)(32)과, 멤브레인(32) 상에 순차적으로 형성된 하부 전극(bottom electrode)(33)과, 압전 물질(piezoelectrics:PZT)(34)과, 상부 전극(top electrode)(35)과,절연층(insulation layer)(36), 전송선(transmission line)(37)으로 구성된다.
여기서, 제 2금속층(33)과, 압전 물질(34)과, 절연층(36)과, 전송선(37)의 일측은 서로 맞추어져 있고, 멤브레인(32)은 서로 맞추어진 제 2금속층(33)과, 압전 물질(34)과, 절연층(36)과, 전송선(37)의 일측과 맞추어 관통되어 있다.
위와 같은 형태로 구성된 기울기 제어 구동기에서, 상부 전극(35)과 하부 전극(33)에 전압을 걸어 주게 되면, 압전 물질(34)에 의해 기울기 제어 구동기의 변위의 방향은 멤브레인(32)이 형성된 부분의 반대쪽 방향으로 나타난다.
이러한 현상은 상부 전극(35)과 하부 전극(33)에 인가된 전압에 따라서 압전 물질(34)이 수평방향으로 수축함으로서, 압전 물질 빔 구동기(PZT beam actuator) 부분에 수축 응력이 발생하게 되고, 결국 빔이 위쪽 방향으로 휘게되는 것이다.
도 4은 본 발명에 따른 가변 캐패시터(variable capacitor)의 구조 단면도이다.
도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 가변 캐패시터는 제 1기판(41) 상의 소정 영역에 형성된 하부 전극(42)/유전체막(43)/상부 전극들(44)로 이루어진 MIM캐패시터와, MIM캐패시터 상에 일정 공간을 갖도록 위치한 전송선(51)/절연층(50)/제 2금속층(49)/압전 물질(48)/제 1금속층(47)/멤브레인(46)/제 2기판(52)으로 이루어진 기울기 제어 구동기와, 제 1기판(41) 상의 양쪽 끝에 형성되어 기울기 제어 구동기의 양쪽 가장자리 부분을 고정시켜주는 접착 물질(45)로 구성된다.
즉, 본 발명에 따른 가변 캐패시터는 도 2에 도시된 종래의 일반적으로 사용되는 MIM캐패시터와 도 3에 도시된 기울기 제어 구동기를 멀티-칩 모듈(Multi-Chip Module:MCM) 형태로 결합(bonding)함으로서 구현된다.
이와 같이, 기울기 제어 구동기와 MIM캐패시터로 이루어진 본 발명은 기울기 제어 구동기를 구동하여 MIM캐패시터의 상부 전극 패턴들(44)을 상호 쇼트(short)가 일어나게 하여 상부 전극(44)의 면적을 조절하여 줌으로써 MIM캐패시터의 정전 용량 값을 조절한다.
여기서, 기울기 제어 구동기는 압전 물질(piezoelectric material)(38)을 구동원 물질로 사용하여 기울기 제어 구동기의 변위를 조절한다.
본 발명에서 사용된 압전 물질의 변위 특성은 도 7에 도시되어 있다.
도 7은 공급 전압(applied voltage)에 따라 변위가 선형적으로 일어나는 압전 물질의 특성을 나타내는 그래프이다.
도 5a 내지 도 5d는 MIM 캐패시터의 제조방법을 나타내는 제조공정단면도이다.
먼저, 도 5a에 도시한 바와 같이, 기판(53) 위에 하부 전극(54)/유전체층(55)/상부 전극(56)을 순차적으로 형성한다.
그리고, 도 5b에 도시한 바와 같이, 하부 전극(54)/유전체층(55)/상부 전극(56)을 동시에 건식 식각하여 기판(53)의 양쪽을 노출시킨다.
이어서, 상부 전극(56)에 건식 식각 방법으로 패턴을 형성한다.
그리고 나서 도 5d에 도시한 바와 같이, 노출된 기판(53)의 양쪽 가장자리에 접착물질로 솔더 범프(57)를 형성한다.
이 때, 기울기 제어 구동기와 MIM캐패시터 간의 멀티 칩 결합을 안정된 구조로 하기 위해 MIM캐패시터용 기판(53)을 벌크 마이크로머시닝하고 그 마이크로머시닝된 표면 위에 캐패시터를 형성한다.
또한, 기판(53)의 측벽은 기울기 제어 구동기 설치(mounting)용으로 사용함으로서, MIM 캡과 기울기 제어 구동기를 보호해 주는 구조로 만들 수 있다.
도 6a 내지 도 6f는 본 발명에 따른 기울기 제어 구동기의 제조방법을 도시한 제조공정단면도이다.
먼저, 도 6a에 도시한 바와 같이, 기판(61)의 앞면 위에 멤브레인(62)/제 1금속층(63)/압전 물질(64)/제 2금속층(65)/절연층(66)/전송선(67)을 순차적으로 형성한다.
그리고, Cr으로 이루어진 하드 마스크 형성하고, 하드 마스크를 포토리소그래피(photolithography) 방법으로 패턴을 형성한다.
여기서, 절연층(66)은 SiO2로 이루어지고, 멤브레인(62)은 Si3N4로 이루어진다.
도 6b에 도시한 바와 같이, 위에서 형성된 패턴을 이용하여 하드 마스크를 건식 식각한 후, 포토레지스트를 제거하고, 전송선(67)과 절연층(66)의 양쪽을 건식 식각하여 패턴을 형성한다.
다음으로, 도 6c에 도시한 바와 같이, 다시 Ti로 이루어진 하드 마스크를 증착하고, 포토리소그래피 방법으로 패턴 형성과정을 거친 후, 제 2금속층(65)/압전물질(64)/제 1금속층(63)을 일괄적으로 건식 식각하여 멤브레인(62)의 상부 일부를 노출시킨다.
이어서, 도 6d에 도시한 바와 같이, 다시 하드 마스크를 이용하여 제 2금속층(65)의 패드 패턴을 위의 패터닝 과정과 동일하게 형성한다.
그리고, 도 6e에 도시한 바와 같이, 기판(61)의 뒷면에 실리콘 벌크 마이크로머시닝(Si bulk micro-machining)을 실시하여, 멤브레인(62)의 하부 일부를 노출시킨다.
이 후에, 도 6f에 도시한 바와 같이, 기판(61)의 윗면에서 상/하부가 모두 노출된 멤브레인(62)의 일부가 관통되도록 건식 식각하여, 기울기 제어 구동기 빔(beam)을 릴리즈(release)시켜준다.
위의 제조과정 중에서 전송선(67)과 절연층(66)을 패터닝하는 과정은 제 2금속층(65)/압전 물질(64)/제 1금속층(63)의 패턴을 먼저 형성한 후, 절연층(66)과 전송선(67)을 증착하고 패턴을 형성할 수도 있다.
최종적인 과정은 위와 같은 과정으로 만들어진 기울기 제어 구동기와 MIM캐패시터를 다이싱(dicing)한 후, 기울기 제어 구동기의 전송선이 MIM캐패시터의 상부 전극과 일정 공간을 두고 마주보도록 MIM캐패시터 위에 접착 물질을 이용하여 멀티 칩 결합을 함으로서 최종적인 기울기 제어 구동기를 이용한 가변 캐패시터를 제조한다.
본 발명에 사용된 가변 캐패시터는 기존에 사용되는 어떠한 유전(dielectric) 물질도 사용이 가능이 가능하며, 정전 용량 값의 가변성은 상부전극의 패턴을 정전 용량의 조절 범위와 미세 조절 정도에 따라 설계해 줌으로서 얻게 된다.
본 발명에서 제안한 MEMS 기술을 이용한 기울기 제어 구동기는 가변 캐패시터뿐만 아니라, 2차원 평면상에 형성되는 로드 면적(load area)의 조절이 필요한 모든 시스템에 적용 가능하다.
예를 들면, 박막 벌크 음향 공진기(Thin Film Bulk Acoustic Resonator:TFBAR)의 경우 벌크 음향이 형성되는 MIM 면적을 조절함으로서, 2차원 효과에 의한 공진 주파수의 이동과 Q값의 조정이 가능해 진다.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명에 따른 가변 캐패시터 및 그 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.
기울기 제어 구동기를 이용하여 MIM캐패시터의 상부 전극 면적을 조절하기 때문에, 가변 캐패시터의 가변성이 선형성을 가질 수 있으므로, 고주파용 회로에 사용 시 정전 용량 변화 범위의 폭이 넓고, 자유롭게 조절할 수 있으며, 정확한 정전 용량 값을 이용할 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 이탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시 예에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의하여 정해져야 한다.

Claims (8)

  1. 제 1기판 상의 소정 영역에 형성된 하부 전극, 유전체층, 적어도 하나 이상의 상부 전극들로 이루어진 MIM(Metal Insulator Metal)캐패시터와;
    상기 MIM캐패시터 상에 일정 공간을 갖도록 압전 물질을 가지고 형성되어, 상기 압전 물질에 의해 릴리즈(release)되어 MIM캐패시터의 정전 용량을 조절하는 기울기 제어 구동기(slope controlled actuator:SCA)를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서, 상기 기울기 제어 구동기는
    상기 MIM캐패시터의 상부 전극 상에 소정 공간을 두고 형성된 전송선과;
    상기 전송선 상에 형성된 절연층과;
    상기 절연층 상에 형성된 제 1금속층과;
    상기 제 1금속층 상에 형성된 압전 물질과;
    상기 압전 물질 상에 형성된 제 2금속층과;
    상기 제 2금속층과 상에 형성된 제 1멤브레인과;
    상기 제 1멤브레인과 동일 높이로 소정 간격을 두고 상기 제 1기판 상에 형성된 제 2멤브레인과;
    상기 제 1멤브레인과 제 2멤브레인 상의 양쪽 가장자리에 형성된 기판을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 기울기 제어 구동기는 상기 제 1기판 상에 형성된 접착 물질에 의해 상기 기울기 제어 구동기의 중심 부분이 릴리즈되도록 상기 제 1기판에 부착되는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  5. 제 1기판 위의 소정 영역에 하부 전극, 유전체층, 상부 전극들을 순차적으로 형성하고, 상기 제 1기판의 양쪽 가장자리에 접착 물질을 형성하는 제 1단계;
    제 2기판 위에 멤브레인, 제 1금속층, 압전 물질, 제 2금속층, 절연층, 전송선을 순차적으로 형성하는 제 2단계;
    상기 전송선이 상기 상부 전극과 일정 공간을 두고 마주보도록 상기 제 2기판을 상기 접착 물질에 부착하는 제 3단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 제 1단계는
    상기 제 1기판 위에 하부 전극, 유전체층, 상부 전극을 순차적으로 형성하는 단계;
    상기 하부 전극, 유전체층, 상부 전극을 식각하여 상기 제 1기판의 양쪽을 노출시키는 단계;
    상기 상부 전극을 패터닝하는 단계;
    상기 제 1기판의 양쪽 가장자리에 접착물질을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 접착물질은 솔더 범프(solder bump)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법.
  8. 제 5항에 있어서, 상기 제 2단계는
    상기 제 2기판 앞면 위에 멤브레인, 제 1금속층, 압전 물질, 제 2금속층, 절연층, 전송선, 제 1마스크를 순차적으로 형성하는 단계;
    상기 제 1마스크를 통해 상기 전송선과 절연층을 식각하여 상기 제 2금속층의 양쪽을 노출시키는 단계;
    제 2마스크를 통해 상기 식각된 전송선과 절연층의 일측에 맞추어 상기 제 2금속층, 압전 물질, 제 1금속층을 식각하여 상기 멤브레인 상부 일부를 노출시키는 단계;
    제 3마스크를 통해 상기 제 2금속층을 식각하여 상기 압전 물질 일부를 노출시키는 단계;
    상기 제 2기판 뒷면의 소정 영역을 식각하여 상기 멤브레인 하부의 중앙부분을 노출시키는 단계;
    상기 상/하부가 모두 노출된 멤브레인의 소정 영역을 식각하여 상기 멤브레인을 관통하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법.
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