KR100358802B1 - Manufacturing method of phosphor screen for cathode ray tube - Google Patents

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Abstract

정수배 확대된 큐치로 섀도우 마스크를 장착하는 음극선관에서 유효화면 영역이 연속된 형광막 스트라이프들로 구성될 수 있도록 한 형광막 스크린 형성 방법에 관한 것으로서,In a cathode ray tube equipped with a shadow mask with an integer magnification, the present invention relates to a method of forming a fluorescent film screen in which an effective screen region can be composed of continuous fluorescent film stripes.

페이스 패널 내면에 감광성 수지막을 형성하는 단계와, 페이스 패널에 정수배 확대된 큐치로 섀도우 마스크를 장착하는 단계와, 노광 광원에서 방출된 자외선이 섀도우 마스크의 홀을 통과하여 전자빔 경로와 동일하거나 적어도 1 스크린 피치 너머에 도달하도록 자외선 경로를 제어하여 감광성 수지막을 선택적으로 노광 및 경화시키는 단계와, 페이스 패널과 섀도우 마스크를 분리하고 현상하여 경화되지 않은 감광성 수지막을 제거하는 단계와, 페이스 패널 내면에 흑연 슬러리를 도포하고 에칭 및 고압 현상하여 블랙 매트릭스막을 형성하는 단계와, 페이스 패널 내면에 형광막 슬러리를 도포하고 노광 광원에서 방출된 자외선이 섀도우 마스크의 홀을 통과하여 전자빔 경로와 동일하거나 적어도 1 스크린 피치 너머에 도달하도록 자외선 경로를 제어하여 형광막 슬러리를 선택적으로 노광 및 현상하는 과정을 G, B, R 형광막에 대해 반복 수행하는 단계를 포함하는 음극선관의 형광막 스크린 형성 방법을 제공한다.Forming a photosensitive resin film on an inner surface of the face panel, mounting a shadow mask on the face panel with an integer magnification, and ultraviolet rays emitted from the exposure light source pass through holes in the shadow mask to be equal to or at least one screen of the electron beam path. Selectively exposing and curing the photosensitive resin film by controlling the ultraviolet path to reach beyond the pitch; separating and developing the face panel and the shadow mask to remove the uncured photosensitive resin film; Applying, etching, and developing at high pressure to form a black matrix film, applying a fluorescent film slurry on the inner surface of the face panel, and ultraviolet rays emitted from the exposure light source pass through the holes of the shadow mask to be equal to the electron beam path or beyond at least one screen pitch. UV light path to reach To provide a method for forming a phosphor film screen cathode ray tube comprising the step of repeatedly performed for a process of selectively exposing and developing the phosphor layer slurry to the G, B, R phosphor film.

Description

음극선관의 형광막 스크린 형성 방법 {Manufacturing method of phosphor screen for cathode ray tube}{Manufacturing method of phosphor screen for cathode ray tube}

본 발명은 정수배 확대된 큐치로 섀도우 마스크를 장착하는 음극선관에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 유효화면 영역이 연속된 형광막 스트라이프들로 구성될 수 있도록 한 형광막 스크린 형성 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cathode ray tube for mounting a shadow mask with an integer magnified cue, and more particularly, to a method of forming a fluorescent film screen in which an effective screen region can be composed of continuous fluorescent film stripes.

일반적으로 음극선관은 전자총에서 방출된 전자빔으로 형광막 스크린을 발광시켜 소정의 화면을 구현하는 표시장치로서, 화질이 우수하고 다른 표시장치에 비해 제조가격이 저렴하여 텔레비젼과 모니터 등의 표시장치로 주고 사용되고 있다.In general, a cathode ray tube is a display device that implements a predetermined screen by emitting a fluorescent screen by using an electron beam emitted from an electron gun. The display device is a display device such as a television and a monitor because of its excellent image quality and low manufacturing cost compared to other display devices. It is used.

도 16은 종래 기술에 의한 음극선관의 단면도이고, 도 17은 전자빔의 경로를 도시한 개략도이다. 도시한 바와 같이 전자총(1)에서 R, G, B 형광막(3R, 3G, 3B)에 대응하는 세줄기 전자빔(5R, 5G, 5B)을 방출하면, 방출된 전자빔(5)은 편향 요크(7)가 발생하는 자계에 의해 수평, 수직 방향으로 편향되어 형광막 스크린(9)상에 라스터(raster)를 형성하며, 섀도우 마스크(11)에 형성된 빔통과용 어퍼쳐(11a)를 통과하면서 해당 R, G, B 형광막으로 분리되어 정확한 색을 표현하게 된다.16 is a sectional view of a cathode ray tube according to the prior art, and FIG. 17 is a schematic diagram showing a path of an electron beam. As shown, when the electron gun 1 emits three stem electron beams 5R, 5G, and 5B corresponding to the R, G, and B fluorescent films 3R, 3G, and 3B, the emitted electron beam 5 is a deflection yoke ( 7) is deflected in the horizontal and vertical directions by the generated magnetic field to form a raster on the fluorescent screen 9 and passes through the beam passing aperture 11a formed in the shadow mask 11. It is separated into the corresponding R, G, and B fluorescent films to express an accurate color.

이와 같이 전자총(1)에서 동시에 방출된 세줄기 전자빔(5)은 섀도우 마스크(11)에 형성된 한 곳의 빔통과용 어퍼쳐(11a)를 통과하면서 형광막 스크린(9)에서 서로 인접 배치된 R, G, B 형광막(3)으로 분리 랜딩하는데, 이 때의 섀도우 마스크(11)와 형광막 스크린(9) 사이의 간격을 큐(Q)치라 한다.In this manner, the three-strip electron beams 5 simultaneously emitted from the electron gun 1 pass through a beam passing aperture 11a formed in the shadow mask 11 and are disposed adjacent to each other on the fluorescent film screen 9. In this case, the gap between the shadow mask 11 and the fluorescent screen 9 is called a cue Q value.

상기 큐치와 더불어 섀도우 마스크(11)의 빔통과용 어퍼쳐간(11a) 수평 간격인 마스크 피치(Ph)는 전자총의 에스(S)치(메인 포커스 렌즈에서 중앙의 G 전자빔과 R 또는 B 전자빔간 거리) 및 스크린 피치(Ps)(1개조의 R, G, B 형광막 스트라이프가 반복되는 거리)와의 기하학적인 관계를 고려하여 설계된다.In addition to the cue, the mask pitch Ph, which is a horizontal interval between the beam passing apertures 11a of the shadow mask 11, is the S value of the electron gun (the distance between the central G electron beam and the R or B electron beam in the main focus lens). ) And the screen pitch Ps (the distance in which a set of R, G, B fluorescent film stripes are repeated) are designed in consideration of the geometric relationship.

최근의 음극선관이 고해상도화 하면서 동일 면적내 화소수 증가를 위하여 상기 스크린 피치(Ps)를 점차 작게 설계하고, 포커스 특성 향상을 위하여 전자총(1)의 에스치를 점차 크게 설계하는 추세이므로, 결과적으로 이들이 섀도우 마스크(11)와 형광막 스크린(9) 사이의 간격인 큐치를 점점 작게 설계해야 하는 요인으로 작용한다.As the cathode ray tube of recent years has become higher resolution, the screen pitch Ps is gradually designed to increase the number of pixels in the same area, and the esche of the electron gun 1 is gradually designed to improve the focus characteristics. The gap between the shadow mask 11 and the fluorescent film screen 9 acts as a factor to make the cue smaller and smaller.

일반적으로 통상의 스트라이프 타입이나 어퍼쳐 그릴 타입의 섀도우 마스크(11)가 장착되는 경우, 스크린 피치(Ps)가 대략 0.4 mm 정도이면 상기 큐치는 대략 5∼6 mm 정도로 극히 미소하다.In general, when the shadow mask 11 of the normal stripe type or the aperture grille type is mounted, if the screen pitch Ps is about 0.4 mm, the cue is extremely small, about 5 to 6 mm.

그러나 이 때 공지의 슬러리 방법으로 페이스 패널(13) 내면에 형광막 스크린(9)을 형성하기 위해서는 섀도우 마스크(11)를 장착한 마스크 어셈블리를 페이스 패널(13) 내부에 적어도 5회 이상 착탈하여 노광 작업과 현상 작업을 진행해야 하지만, 위와 같이 큐치가 극히 미소한 경우에는 마스크 어셈블리의 착탈 작업에 많은 어려움이 따른다.However, in this case, in order to form the fluorescent film screen 9 on the inner surface of the face panel 13 by a known slurry method, the mask assembly having the shadow mask 11 is attached to the inside of the face panel 13 at least five times to be exposed. The work and development work must be carried out, but when the cue is extremely minute as described above, a lot of difficulties arise in detaching and detaching the mask assembly.

즉, 마스크 어셈블리의 재장착 과정에서 화면의 일부분이라도 큐치가 크게 변하게 되면 형광막 스크린(9)의 불량을 유발하며, 음극선관 구동시 전자빔(5)의 정확한 분리를 방해하여 화질을 저하시킨다. 더구나 마스크 어셈블리를 페이스 패널(13) 내부에 장착하는 착탈기의 작업 정밀도가 5 mm 이하이면, 형광막 스크린(9)을 손상시켜 음극선관의 생산성을 크게 저하시킨다.That is, if a portion of the screen is largely changed in the process of remounting the mask assembly, the fluorescent film screen 9 may be deteriorated, and the image quality may be deteriorated by preventing accurate separation of the electron beam 5 when driving the cathode ray tube. In addition, when the operation accuracy of the detacher for mounting the mask assembly inside the face panel 13 is 5 mm or less, the fluorescent film screen 9 is damaged to greatly reduce the productivity of the cathode ray tube.

따라서 상기한 문제를 해결하기 위하여 본 발명자는 1991년에 출원한 '새도우마스크형 칼라 음극선관'(특허 공고번호 제 94-5493호)에서 한 곳의 빔통과용 어퍼쳐를 통과한 사이드 R 및 B 전자빔이 형광막 스크린에 도달하기 전, 다른 B 및 R 전자빔과 교차한 다음 형광막 스크린에 도달하도록 2배 확대된 큐치로 섀도우 마스크를 장착하는 기술을 제시하였다.Therefore, in order to solve the above problem, the present inventors have passed through a beam aperture aperture in a shadow mask type cathode ray tube (patent publication No. 94-5493) filed in 1991. A technique has been proposed for mounting a shadow mask with a doubled magnification to cross the other B and R electron beams before reaching the fluorescent screen and then to reach the fluorescent screen.

또한 본 발명자는 2000년 1월 3일 출원한 출원번호 제 73호 '칼라 음극선관'에서 3의 정수배를 제외한 기타 정수배로 큐치를 확대시켜도 세줄기 전자빔이 각각의 R, G, B 형광막에 정확하게 도달하도록 하여, 화질 저하 없이 큐치를 확대할 수 있는 기술을 제시하였다.In addition, the inventors of the present application No. 73 'color cathode ray tube' filed on January 3, 2000, even if the cue is expanded to other integer multiples other than the integer multiple of 3, the three-strip electron beam is precisely applied to each R, G, B fluorescent film To achieve this, a technique for enlarging the cue without deteriorating the image quality was proposed.

그러나 큐치를 정수배 확대시킨 상태에서 기존 슬러리 공정과 동일하게 노광 광원에서 방출된 빛과 전자빔의 경로를 동일하게 하여 형광막 스크린을 형성하면, 화면의 좌우 측면에서 적어도 하나 이상의 형광막 스트라이프가 형성되지 않게 된다.However, if the fluorescent screen is formed by the same path of the light emitted from the exposure light source and the electron beam in the same state as the conventional slurry process in the state where the cue is enlarged by an integer multiple, at least one fluorescent film stripe is not formed on the left and right sides of the screen. do.

도 18a 및 도 18b는 2배 확대된 큐치로 섀도우 마스크를 장착한 음극선관과, 도 19a 및 도 19b는 4배 확대된 큐치로 섀도우 마스크를 장착한 음극선관에서, 전자빔 경로와 기존의 슬러리 방법으로 형성된 형광막 스크린을 각각 도시하고 있다.18A and 18B show a cathode ray tube equipped with a shadow mask with a doubled enlarged cue, and FIGS. 19A and 19B show a cathode ray tube equipped with a shadow mask with a four times enlarged cue, by using an electron beam path and a conventional slurry method. The formed fluorescent screens are respectively shown.

도시한 바와 같이 큐치를 2배 확대한 경우, 전자빔(5)은 화면의 최외곽 스트라이프에서 하나 안쪽에 위치하는 R 및 B 형광막 스트라이프에 도달하지 않으므로 형광막 스크린(9) 형성시 상기 R 및 B 형광막 스트라이프가 형성될 자리에 블랙 매트릭스막(15)이 형성된다.As shown, when the cue is enlarged twice, the electron beams 5 do not reach the R and B fluorescent film stripes located inside one of the outermost stripes of the screen, and thus R and B are formed when the fluorescent film screen 9 is formed. The black matrix film 15 is formed where the fluorescent film stripe is to be formed.

또한 큐치를 4배 확대한 경우, 전자빔(5)은 화면의 최외곽 스트라이프에서 하나 안쪽에 위치하는 2개의 형광막 스트라이프 위치와, 여기서 2개 형광막 스트라이프 건너 안쪽에 위치하는 하나의 형광막 스트라이프 위치에 도달하지 않으므로, 화면의 좌우 측면에서 모두 6개의 형광막 스트라이프가 형성되지 않게 된다.Also, when the cue is magnified 4 times, the electron beam 5 has two fluorescent film stripe positions located one inside in the outermost stripe of the screen, and one fluorescent film stripe position located inward across the two fluorescent film stripes. Since it does not reach, no six fluorescent film stripes are formed on both the left and right sides of the screen.

이로서 형광막 스트라이프들이 연속적으로 배열되는 대신, 부분적으로 끊어져 배열되기 때문에 화면의 좌우 측면에서 정확한 색표현이 이루어지지 않게 된다.As a result, the fluorescent stripe stripes are partially arranged instead of successively arranged, thereby preventing accurate color expression from the left and right sides of the screen.

따라서 본 발명은 상기한 문제점을 해소하기 위하여 고안된 것으로서, 본 발명의 목적은 정수배 확대된 큐치로 섀도우 마스크를 장착하는 음극선관에서, 유효화면 영역이 연속된 형광막 스트라이프들로 구성될 수 있도록 한 형광막 스크린 형성 방법을 제공하는데 있다.Therefore, the present invention was devised to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a fluorescent screen in which a effective screen region can be composed of successive fluorescent film stripes in a cathode ray tube equipped with a shadow mask with an integer magnification. The present invention provides a method for forming a membrane screen.

도 1a와 도 1b는 각각 큐치를 2배 확대한 음극선관에서 전자빔 경로와 형광막 스크린을 도시한 개략도.1A and 1B are schematic diagrams showing an electron beam path and a fluorescent film screen in a cathode ray tube with a double magnification of a cue, respectively.

도 2∼도 8은 형광막 스크린의 형성 과정을 도시한 개략도.2 to 8 are schematic diagrams showing a process of forming a fluorescent screen;

도 9a와 도 9b는 각각 큐치를 4배 확대한 음극선관에서 전자빔 경로와 형광막 스크린을 도시한 개략도.9A and 9B are schematic diagrams showing an electron beam path and a fluorescent film screen in a cathode ray tube with a cue enlarged 4 times, respectively.

도 10∼도 15는 형광막 스크린의 형성 과정을 도시한 개략도.10-15 are schematic diagrams showing a process of forming a fluorescent screen.

도 16은 종래 기술에 의한 음극선관의 단면도.16 is a cross-sectional view of a cathode ray tube according to the prior art.

도 17은 종래 기술에 의한 음극선관에서 전자빔 경로를 나타낸 개략도.17 is a schematic diagram showing an electron beam path in a cathode ray tube according to the prior art.

도 18a와 도 18b는 각각 큐치를 2배 확대한 음극선관에서 전자빔 경로와 종래 기술에 의한 방법으로 형성된 형광막 스크린의 개략도.18A and 18B are schematic views of a fluorescent film screen formed by an electron beam path and a method according to the prior art, respectively, in a cathode ray tube with a double magnification of a cue.

도 19a와 도 19b는 각각 큐치를 4배 확대한 음극선관에서 전자빔 경로와 종래 기술에 의한 방법으로 형성된 형광막 스크린의 개략도.19A and 19B are schematic views of a fluorescent film screen formed by an electron beam path and a method according to the prior art, respectively, in a cathode ray tube with a four-fold magnification of a cue.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,In order to achieve the above object, the present invention,

페이스 패널 내면에 감광성 수지막을 형성하는 단계와,Forming a photosensitive resin film on an inner surface of the face panel;

페이스 패널에 정수배 확대된 큐치로 섀도우 마스크를 장착하는 단계와,Attaching a shadow mask to the face panel with an integer magnification of cue,

노광 광원에서 방출된 자외선이 섀도우 마스크의 빔통과용 어퍼쳐를 통과하여 전자빔 경로와 동일하거나 적어도 1 스크린 피치 너머에 도달하도록 자외선 경로를 제어하여 감광성 수지막을 선택적으로 노광 및 경화시키는 단계와,Selectively exposing and curing the photosensitive resin film by controlling the ultraviolet path so that the ultraviolet light emitted from the exposure light source passes through the beam passing aperture of the shadow mask to reach the same or at least one screen pitch as the electron beam path;

페이스 패널과 섀도우 마스크를 분리하고, 현상하여 경화되지 않은 감광성 수지막을 제거하는 단계와,Separating the face panel and the shadow mask and developing to remove the uncured photosensitive resin film;

페이스 패널 내면에 흑연 슬러리를 도포하고 에칭 및 고압 현상하여 블랙 매트릭스막을 형성하는 단계와,Applying a graphite slurry to the inner surface of the face panel, etching and developing under a high pressure to form a black matrix film;

페이스 패널 내면에 형광막 슬러리를 도포하고, 노광 광원에서 방출된 자외선이 섀도우 마스크의 빔통과용 어퍼쳐를 통과하여 전자빔 경로와 동일하거나적어도 1 스크린 피치 너머에 도달하도록 자외선 경로를 제어하여 형광막 슬러리를 선택적으로 노광 및 현상하는 과정을 G, B, R 형광막에 대하여 반복 수행하는 단계를 포함하는 음극선관의 형광막 스크린 형성 방법을 제공한다.Fluorescent film slurry is applied to the inner surface of the face panel, and the ultraviolet light emitted from the exposure light source passes through the beam-pass aperture of the shadow mask to control the ultraviolet light path to reach the same or at least 1 screen pitch as the electron beam path. It provides a method for forming a fluorescent film screen of a cathode ray tube, comprising the step of selectively performing the step of selectively exposing and developing the G, B, R fluorescent film.

이와 같이 노광시 방출되는 자외선의 경로를 제어하는 것으로서 유효화면 영역의 단변측 외곽에서 전자빔이 도달하는 부분에 형광막 스크린을 형성하지 않거나 블랙 매트릭스막을 형성하여 유효화면 영역이 연속된 형광막 스트라이프들로 이루어질 수 있도록 한다.As such, it controls the path of ultraviolet rays emitted during exposure, and does not form a fluorescent film screen or a black matrix film in a portion where the electron beam reaches at the outer side of the short side of the effective screen area. Make it happen.

이하, 첨부한 도면을 참고하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1a 및 도 1b는 2배 확대된 큐치로 섀도우 마스크를 장착하는 음극선관에 있어서, 전자빔 경로와 본 실시예에 의한 방법으로 형성된 형광막 스크린을 개략적으로 도시하고 있다.1A and 1B schematically show a fluorescent film screen formed by an electron beam path and a method according to the present embodiment in a cathode ray tube mounted with a shadow mask with a doubled magnification.

도시한 바와 같이 형광막 스크린(2)은 최외곽으로 전자빔이 도달하는 위치에 블랙 매트릭스막(4)이 형성되며, 그 하나 안쪽의 형광막 스트라이프 위치에는 블랙 매트릭스막과 형광막 스트라이프가 모두 형성되지 않는다.As shown in the figure, the black matrix film 4 is formed at the outermost position where the electron beam reaches, and the black matrix film and the fluorescent film stripe are not formed at the inside of the fluorescent film stripe. Do not.

이로서 최외곽 전자빔 도달 위치에 형광막 스트라이프(6R, 6B)가 형성되어도 발광된 빛이 블랙 매트릭스막(4)에 의해 페이스 패널(8)을 투과하지 못하고 차단되며, 그 하나 안쪽의 형광막 스트라이프 위치에는 전자빔 도달하지 않을 뿐만 아니라 형광막 스트라이프의 부재로 인하여 발광이 이루어질 수 없으므로, 유효화면 영역은 화면의 중앙에서 연속 배치되는 다수개의 R, G, B 형광막 스트라이프들로 이루어진다.As a result, even when the fluorescent film stripe 6R, 6B is formed at the outermost electron beam arrival position, the emitted light does not penetrate the face panel 8 by the black matrix film 4, and the inside of the fluorescent film stripe position. Since the light beam does not reach the electron beam and cannot emit light due to the absence of the fluorescent film stripe, the effective screen area is composed of a plurality of R, G and B fluorescent film stripes arranged in the center of the screen.

상기한 구성의 형광막 스크린(2)을 형성하기 위하여, 먼저 R, G, B 형광막 스트라이프의 위치를 결정한다. 즉, 도 2에서 도시한 바와 같이, 노광 광원(10)에서 방출된 자외선(12)이 전자빔(14) 경로와 동일한 입사각으로 섀도우 마스크(16)에 형성된 빔통과용 어퍼쳐(16a)를 통과하여 형광막 스크린(2)의 R, G, B 형광막 스트라이프 위치에 도달할 수 있도록 노광 렌즈계(18)를 설계하는 사전 작업을 행한다.In order to form the fluorescent film screen 2 of the above-mentioned structure, the position of R, G, B fluorescent film stripe is determined first. That is, as shown in FIG. 2, the ultraviolet ray 12 emitted from the exposure light source 10 passes through the beam passing aperture 16a formed in the shadow mask 16 at the same angle of incidence as the electron beam 14 path. The preliminary work of designing the exposure lens system 18 is performed so that the R, G, and B fluorescent film stripe positions of the fluorescent film screen 2 can be reached.

다음으로 도 3에서 도시한 바와 같이, 페이스 패널(8) 내면에 감광성 수지 용액을 도포하고, 페이스 패널(8)을 급회전하여 균일한 막두께를 형성한 다음, 히터와 송풍기로 건조하여 감광성 수지막(20)을 형성한다. 그리고 페이스 패널 내부에 섀도우 마스크(16)를 포함한 마스크 어셈블리를 장착한다.Next, as shown in FIG. 3, the photosensitive resin solution is applied to the inner surface of the face panel 8, the face panel 8 is rapidly rotated to form a uniform film thickness, and then dried by a heater and a blower to dry the photosensitive resin film. 20 is formed. The mask assembly including the shadow mask 16 is mounted inside the face panel.

그런 다음 도 4에서 도시한 바와 같이, 페이스 패널(8)을 노광 광원(10)과 노광 렌즈(18)가 설치된 노광대에 장착하고, 노광 광원(10)을 G 기준 위치(G1)에 설정한 다음 전원을 연결하여 자외선(실선으로 도시)을 방출하면, 방출된 자외선은 전자빔 경로(점선으로 도시)와 동일한 입사각으로 섀도우 마스크(16)에 입사하고, 빔통과용 어퍼쳐(16a)에 의해 선별되어 감광성 수지막(20) 가운데 G 형광막 형성 부위만을 선택적으로 노광하여 경화시킨다.Then, as shown in FIG. 4, the face panel 8 is mounted on an exposure table provided with the exposure light source 10 and the exposure lens 18, and the exposure light source 10 is set at the G reference position G1. When the next power source is connected to emit ultraviolet light (shown in solid line), the emitted ultraviolet light enters the shadow mask 16 at the same angle of incidence as the electron beam path (shown in dashed line), and is selected by the beam passing aperture 16a. Then, only the G fluorescent film formation part of the photosensitive resin film 20 is exposed and hardened | cured selectively.

그리고 B 전자빔이 화면의 최우측 가장자리에 도달하는 경우, 도 5에서 도시한 바와 같이 B 전자빔 경로를 기준으로 해당 빔통과용 어퍼쳐(16a)를 통과한 자외선이 화면의 중앙을 향하여 1 스크린 피치 좌측의 B 형광막 형성 부위에 도달하도록 노광 광원(10)의 위치를 제어한 다음 자외선을 방출한다.When the B electron beam reaches the rightmost edge of the screen, ultraviolet rays passing through the beam passing aperture 16a based on the B electron beam path as shown in FIG. 5 are directed toward the center of the screen to the left of one screen pitch. The position of the exposure light source 10 is controlled to reach the B fluorescent film formation site of and then emits ultraviolet rays.

이와 같이 특정 스크린 피치 건너의 해당 형광막 형성 부위를 경화시키는 것은 최우측의 B 전자빔이 도달하는 지점에 블랙 매트릭스막을 형성하기 위한 것으로서, 이를 위하여 상기 노광 광원(10)의 위치를 B 기준 위치(B1)에서 3에스(S)치 우측으로 이동하여 자외선을 방출한다.The curing of the corresponding fluorescent film forming portion across the specific screen pitch is for forming the black matrix film at the point where the B electron beam on the rightmost side reaches. For this purpose, the position of the exposure light source 10 is referred to as the B reference position (B1). ) To the right of the 3 S (S) value to emit ultraviolet light.

상기 노광 광원(10)의 S치는 노광 광원 하나로 R, G, B 3색을 노광하기 위해 광원이 움직이는 거리를 말하며, 노광 광원(10)을 기준 위치에서 3S치 특정 방향으로 이동시키면 해당 빔통과용 어퍼쳐(16a)를 통과한 자외선은 상기 방향과 반대 방향으로 1 스크린 피치 너머의 해당 형광막 형성 부위에 도달하게 되므로, 노광 광원(10)을 상기 위치에 설정하면 1 스크린 피치 좌측의 B 형광막 형성 부위를 선택적으로 경화시킬 수 있다.The S value of the exposure light source 10 refers to the distance that the light source moves to expose three colors R, G, and B as one exposure light source, and when the exposure light source 10 is moved in a specific direction at a 3S value from a reference position, Since the ultraviolet light passing through the aperture 16a reaches the corresponding fluorescent film forming portion beyond one screen pitch in the direction opposite to the above direction, when the exposure light source 10 is set at the position, the B fluorescent film on the left side of the one screen pitch is Formation sites may be selectively cured.

이러한 자외선의 경로 제어는 다른 실시예로서 노광 렌즈계(18)의 굴절량을 변경시키는 것으로 가능한데, 이는 노광 광원(10)을 고정시킨 상태에서 노광 광원(10)에서 방출된 자외선이 노광 렌즈계(18)를 통과하면서 굴절되는 각도를 변화시켜 해당 빔통과용 어퍼쳐(16a)를 통과한 자외선이 적어도 1 스크린 피치 너머의 해당 부위에 도달하도록 입사각을 제어할 수 있다.In another embodiment, the path control of the ultraviolet rays may be performed by changing the amount of refraction of the exposure lens system 18, wherein the ultraviolet rays emitted from the exposure light source 10 while the exposure light source 10 is fixed are exposed to the exposure lens system 18. The incident angle may be controlled such that the ultraviolet ray passing through the beam passing aperture 16a reaches the corresponding portion beyond the at least one screen pitch by changing the angle of refraction while passing through the beam.

다음으로, R 전자빔이 화면의 가장 왼쪽 가장자리에 도달하는 경우, 도 6에서 도시한 바와 같이 화면 가장 왼쪽의 R 형광막 스트라이프 위치에 블랙 매트릭스막을 형성하기 위하여, 노광 광원(10)을 R 기준 위치(R1)에서 좌측으로 3S치 이동하여 전자빔 경로를 기준으로 해당 빔통과용 어퍼쳐(16a)를 통과한 자외선이 화면의 중앙을 향하여 1 스크린 피치 우측의 R 형광막 형성 부위에 도달하도록 한다.Next, when the R electron beam reaches the leftmost edge of the screen, in order to form a black matrix film at the leftmost R fluorescent film stripe position as shown in FIG. 6, the exposure light source 10 is moved to the R reference position ( 3S is moved to the left in R1) so that the ultraviolet light passing through the beam passing aperture 16a based on the electron beam path reaches the center of the screen to the R fluorescent film formation site on the right side of the screen pitch.

이 때에도 역시 노광 렌즈계(18)의 굴절량을 변화시키는 방법으로 자외선의 경로를 제어할 수 있으며, 이하 자외선의 경로 제어는 노광 광원의 에스치를 제어하는 것으로 설명한다.In this case, too, the path of the ultraviolet light can be controlled by the method of changing the refractive amount of the exposure lens system 18. Hereinafter, the path control of the ultraviolet light will be described as controlling the esque of the exposure light source.

이와 같이 감광성 수지막(20) 내부의 R, G, B 형광막 형성 부위를 선택적으로 경화시킨 후, 도 7에서 도시한 바와 같이 마스크 어셈블리를 제거하고 현상하여 경화되지 않은 감광성 수지막(20)의 일부를 제거하고, 페이스 패널(8) 내면으로 광흡수 물질인 흑연 현탁액을 도포하고 건조하여 흑연 도막(22)을 형성한다.As described above, after selectively curing the R, G, and B fluorescent film forming portions in the photosensitive resin film 20, the mask assembly is removed and developed as shown in FIG. 7 to form the uncured photosensitive resin film 20. A part is removed and a graphite suspension, which is a light absorbing material, is applied to the inner surface of the face panel 8 and dried to form a graphite coating film 22.

그리고 에칭과 고압 현상 과정을 거쳐 흑연 도막(22) 아래에 존재하는 감광성 수지막(20)을 에칭 용액의 부식력과 고압 현상의 수압에 의해 제거하여 블랙 매트릭스막(4)을 완성한다.After the etching and the high pressure development process, the photosensitive resin film 20 under the graphite coating film 22 is removed by the corrosion force of the etching solution and the hydraulic pressure of the high pressure development to complete the black matrix film 4.

이와 같이 블랙 매트릭스막(4) 형성을 위한 감광성 수지막(20) 경화 과정에서, R 노광 광원과 B 노광 광원의 위치를 제어함으로써 화면 최외곽의 R 및 B 형광막 스트라이프 형성 위치에 블랙 매트릭스막을 용이하게 형성할 수 있다.As described above, during the curing process of the photosensitive resin film 20 for forming the black matrix film 4, the black matrix film is easily formed at the position of forming the R and B fluorescent film stripes on the outermost side of the screen by controlling the positions of the R exposure light source and the B exposure light source. Can be formed.

상기한 과정으로 형성된 블랙 매트릭스막(4) 위에, 형광막 슬러리의 부착력 향상을 위하여 블랙 매트릭스막 전체에 하도액을 도포한 다음 경화시킨다. 그리고 도 8에서 도시한 바와 같이 페이스 패널(8) 내면에 G 형광막 슬러리를 도포하고, 페이스 패널(8) 내부에 섀도우 마스크(16)를 포함한 마스크 어셈블리를 장착한 다음, 노광대로 이동하여 G1 위치에 노광 광원(10)을 설정, G 전자빔 경로와 동일한 경로로 G 형광막 형성 부위를 선택적으로 노광하여 경화시킨다.On the black matrix film 4 formed by the above process, in order to improve adhesion of the fluorescent film slurry, an undercoat liquid is applied to the entire black matrix film and then cured. As shown in FIG. 8, the G fluorescent film slurry is applied to the inner surface of the face panel 8, the mask assembly including the shadow mask 16 is mounted inside the face panel 8, and then moved to the exposure zone to position G1. The exposure light source 10 is set to selectively expose and cure the G fluorescent film formation site in the same path as the G electron beam path.

그런 다음 마스크 어셈블리를 제거하고 현상하여 경화되지 않은 G 형광막 슬러리를 제거한 후, 페이스 패널(8) 내면에 B 형광막 슬러리를 도포하고, 상기와 동일한 과정을 거쳐 노광 광원(10)을 B1 위치로 설정한 다음, B 전자빔 경로와 동일한 경로로 자외선을 방출하여 B 형광막 형성 부위를 선택적으로 경화시킨다.Then, the mask assembly was removed and developed to remove the uncured G fluorescent film slurry. Then, the B fluorescent film slurry was applied to the inner surface of the face panel 8, and the exposure light source 10 was moved to the B1 position through the same process as described above. After setting, the ultraviolet rays are emitted in the same path as the B electron beam path to selectively cure the B fluorescent film formation site.

다음으로, 마스크 어셈블리를 제거하고 현상하여 경화되지 않은 B 형광막 슬러리를 제거하고, 페이스 패널(8) 내면에 R 형광막 슬러리를 도포하며, 상기와 동일한 과정을 거쳐 노광 광원을 R1 위치로 설정한 다음, R 전자빔 경로와 동일한 경로로 자외선을 방출하여 R 형광막 형성 부위를 선택적으로 경화시킨다.Next, the mask assembly was removed and developed to remove the uncured B fluorescent film slurry, the R fluorescent film slurry was applied to the inner surface of the face panel 8, and the exposure light source was set to the R1 position through the same process as described above. Next, ultraviolet rays are emitted in the same path as the R electron beam path to selectively cure the R fluorescent film formation site.

마지막으로 마스크 어셈블리를 제거하고 현상하여 경화되지 않은 R 형광막 슬러리를 제거하여 형광막 스크린(2)을 완성하며, 완성된 형광막 스크린(2)은 도 1에서 도시한 바와 같다.Finally, the mask assembly is removed and developed to remove the uncured R fluorescent film slurry to complete the fluorescent screen 2, and the completed fluorescent screen 2 is as shown in FIG.

이와 같이 큐치가 2배 확대된 경우, 상기한 방법으로 형광막 스크린(2)을 형성하면, 좌우 각각 2개의 형광막 스트라이프 부분이 연속적으로 화면상에 나타나지 않게 되므로, 결과적으로 유효화면 영역은 중앙에 위치하는 연속된 R, G, B 형광막 스트라이프들로 구성되어 음극선관 구동시 화면의 좌우 측면에서 결색이 나타나지 않는다.In this way, when the queue value is enlarged twice, the fluorescent screen 2 is formed by the above-described method, so that two fluorescent film stripe portions on each of the left and right sides do not appear continuously on the screen. Consists of successive R, G, B fluorescent stripe stripes that do not appear in the left and right sides of the screen when driving the cathode ray tube.

도 9a 및 도 9b는 각각 4배 확대된 큐치로 섀도우 마스크를 장착한 음극선관에 있어서, 전자빔 경로와 본 실시예에 의한 방법으로 형성된 형광막 스크린을 개략적으로 도시하고 있다.9A and 9B schematically show a fluorescent film screen formed by an electron beam path and a method according to the present embodiment in a cathode ray tube equipped with a shadow mask with a cue enlarged four times, respectively.

도시한 바와 같이 형광막 스크린은 화면의 최외곽으로 전자빔이 도달하는 위치로부터 5개 안쪽의 형광막 스트라이프 위치에까지 전자빔이 도달하는 부분에는 형광막 스트라이프가 형성되지 않거나 블랙 매트릭스막이 형성된다.As shown in the figure, a fluorescent film stripe is not formed or a black matrix film is formed at a portion where the electron beam reaches from the position at which the electron beam reaches the outermost part of the screen to the positions of five inner fluorescent film stripes.

이로서 상기 부분에서 형광막 스트라이프가 형성되어도 발광된 빛이 블랙 매트릭스막에 의해 차단되며, 전자빔이 도달하여도 형광막 스트라이프가 형성되지 않은 이유로 발광이 이루어지지 못하므로 화면상에 표현되지 않게 된다. 따라서 유효화면 영역은 화면의 중앙에 연속 배치되는 다수개의 R, G, B 형광막 스트라이프들로 이루어진다.As a result, even when the fluorescent film stripe is formed in the portion, the emitted light is blocked by the black matrix film, and even when the electron beam arrives, the light is not emitted because the fluorescent film stripe is not formed, so that it is not displayed on the screen. Therefore, the effective screen area is composed of a plurality of R, G, B fluorescent film stripes arranged in the center of the screen.

이하, 상기한 구성의 형광막 스크린(2) 형성 방법을 구체적으로 설명하며, 앞선 실시예와 동일한 과정에 대해서는 자세한 설명은 생략한다.Hereinafter, the method of forming the fluorescent film screen 2 having the above-described configuration will be described in detail. Detailed description of the same process as in the above embodiment will be omitted.

먼저, 도 10에서 도시한 바와 같이 페이스 패널(8) 내면에 감광성 수지막(20)을 형성하고, 페이스 패널(8) 내부에 마스크 어셈블리를 장착한 다음, 페이스 패널(8)을 노광대에 위치시킨다. 노광 광원(10)을 G 기준 위치(G1)에서 좌측으로 3S치 이동한 곳에 고정시켜 G 전자빔 경로를 기준으로 해당 빔통과용 어퍼쳐(16a)를 통과한 자외선이 1 스크린 피치 우측의 G 형광막 형성 부분에 도달하도록 하여 이를 선택적으로 경화시킨다.First, as shown in FIG. 10, a photosensitive resin film 20 is formed on an inner surface of the face panel 8, a mask assembly is mounted inside the face panel 8, and then the face panel 8 is positioned on an exposure table. Let's do it. The ultraviolet light beam passing through the aperture 16a for the beam passing on the basis of the G electron beam path is fixed by fixing the exposure light source 10 to the position moved 3S to the left from the G reference position G1. It is allowed to reach the forming part and is then cured selectively.

그리고 11에서 도시한 바와 같이, B 전자빔이 화면의 최우측 가장자리에 도달하는 경우, 노광 광원(10)을 B 기준 위치(B1)에서 6S치 우측으로 이동하여 B 전자빔 경로를 기준으로 해당 빔통과용 어퍼쳐(16a)를 통과한 자외선이 화면의 중앙을 향하여 2 스크린 피치 좌측의 B 형광막 형성 부위에 도달하도록 하여 이를 선택적으로 경화시킨다.As shown in 11, when the B electron beam reaches the rightmost edge of the screen, the exposure light source 10 is moved to the right of the 6S value at the B reference position B1 to pass the beam based on the B electron beam path. The ultraviolet light passing through the aperture 16a is directed toward the center of the screen to reach the B fluorescent film formation site on the left side of the two screen pitches, and is selectively cured.

다음으로 도 12에서 도시한 바와 같이, R 전자빔이 화면의 가장 왼쪽 가장자리에 도달하는 경우, 노광 광원(10)을 R 기준 위치(R1)에서 좌측으로 6S치 이동하여 R 전자빔 경로를 기준으로 해당 빔통과용 어퍼쳐(16a)를 통과한 자외선이 화면의 중앙을 향하여 2 스크린 피치 우측의 R 형광막 형성 부위에 도달하도록 하여 이를 선택적으로 경화시킨다.Next, as shown in FIG. 12, when the R electron beam reaches the leftmost edge of the screen, the exposure light source 10 is moved 6S to the left from the R reference position R1 and the corresponding beam is referenced to the R electron beam path. Ultraviolet light that has passed through the aperture 16a passes through the R fluorescent film formation site on the right side of the two screen pitch toward the center of the screen and is cured selectively.

이와 같은 노광 작업에 의해 감광성 수지막(20) 가운데 R, G, B 형광막 형성 부위를 선택적으로 경화시킨 후, 도 13에서 도시한 바와 같이 마스크 어셈블리를 제거하고, 페이스 패널(8) 내면을 현상하여 경화되지 않은 감광성 수지막(20)의 일부를 제거한 다음, 앞선 실시예와 동일한 과정으로 블랙 매트릭스막(4)을 형성한다.After selectively curing the R, G, and B fluorescent film forming portions in the photosensitive resin film 20 by such an exposure operation, the mask assembly is removed as shown in FIG. 13, and the inner surface of the face panel 8 is developed. After removing a part of the uncured photosensitive resin film 20, the black matrix film 4 is formed by the same process as in the previous embodiment.

상기한 과정으로 형성된 블랙 매트릭스막(8) 위에, 도 14에서 도시한 바와 같이 페이스 패널(8) 내면에 G 형광막 슬러리를 도포하고, 페이스 패널(8) 내부에 마스크 어셈블리를 장착한 다음, 페이스 패널(8)을 노광대에 위치시킨다. 이 때 노광 광원(10)은 G1 위치에서 3S치 우측으로 움직여 고정시키며, 이로서 G 전자빔 경로를 기준으로 해당 빔통과용 어퍼쳐(16a)를 통과한 자외선이 1 스크린 피치 좌측의 G 형광막 형성 부위에 도달함으로써 이를 선택적으로 경화시킨다.On the black matrix film 8 formed by the above process, as shown in FIG. 14, a G fluorescent film slurry is applied to the inner surface of the face panel 8, a mask assembly is mounted inside the face panel 8, and then the face The panel 8 is placed on the exposure table. At this time, the exposure light source 10 moves to the right of the 3S value at the G1 position and is fixed, so that the ultraviolet light passing through the beam passing aperture 16a based on the G electron beam path passes through the G fluorescent film forming portion at the left of one screen pitch. It selectively cures by reaching.

그리고 마스크 어셈블리를 제거하고, 현상하여 경화되지 않은 G 형광막 슬러리를 제거한다. 마지막으로 B 및 R 형광막 형성 과정은 앞선 실시예와 동일하게,도 15에서 도시한 바와 같이 노광 광원(10)을 기준 위치(R1, B1)에 설정하여 해당 전자빔 경로와 동일하도록 자외선을 입사시켜 각각 B 형광막과 R 형광막으로 경화시키는 과정으로 이루어지며, 상기한 과정을 거쳐 완성된 형광막 스크린(2)은 도 9에서 도시한 바와 같다.The mask assembly is then removed and developed to remove the uncured G fluorescent film slurry. Finally, the B and R fluorescent film formation process is the same as in the previous embodiment, as shown in Figure 15 by setting the exposure light source 10 to the reference position (R1, B1) to inject ultraviolet light to be the same as the electron beam path Each of the B and R phosphors is cured, and the phosphor screen 2 completed through the above process is shown in FIG. 9.

이와 같이 큐치가 4배 확대된 경우, 상기한 방법으로 형광막 스크린(2)을 형성하면, 유효화면 영역의 좌우 측면부 외곽에서 전자빔이 도달하는 부분에는 블랙 매트릭스막이 형성되거나 형광막 스트라이프가 형성되지 않게 되므로, 화면의 최외곽 모두에서 4개조의 R, G, B 형광막 스트라이프가 연속적으로 화면상에 표현되지 않게 되어, 결과적으로 유효화면 영역은 4개조의 R, G, B 형광막 스트라이프를 제외한 중앙의 R, G, B 형광막 스트라이프들의 연속으로 이루어진다.In the case where the cue is enlarged 4 times as described above, if the fluorescent film screen 2 is formed by the above-described method, the black matrix film is not formed or the fluorescent film stripe is formed at the portion where the electron beam reaches outside the left and right sides of the effective screen area. As a result, four sets of R, G, and B fluorescent stripe stripes are not continuously displayed on the screen in the outermost part of the screen. As a result, the effective screen area is centered except for four sets of R, G and B fluorescent stripe stripes. R, G, B of the fluorescent film stripes are made of a continuous.

이와 같이 본 발명은 상기한 같은 원리로 형광막 스트라이프를 형성하면, 5배 또는 7배 확대된 큐치로 섀도우 마스크를 장착하는 경우에 있어서도 연속된 형광막 스트라이프들로 유효화면 영역을 구성할 수 있는 장점을 갖는다.As described above, according to the present invention, when the fluorescent film stripe is formed, the effective screen area can be formed by the continuous fluorescent film stripes even when the shadow mask is mounted with a 5x or 7x magnification. Has

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited thereto, and various modifications and changes can be made within the scope of the claims and the detailed description of the invention and the accompanying drawings. Naturally, it belongs to the range of.

이와 같이 본 발명은 노광시 방출되는 자외선의 경로를 제어하는 방법으로 유효화면 영역이 연속된 R, G, B 형광막 스트라이프들로 구성될 수 있도록 한다.이로서 큐치를 정수배 확대하여 섀도우 마스크를 장착하여도 화면의 좌우 측면에서 정확한 색표현을 할 수 있다. 따라서 스크린 피치 축소에 의한 고해상도 실현을 용이하게 하면서, 확대된 큐치를 제공하여 음극선과의 생산성을 효과적으로 향상시킬 수 있다.As described above, the present invention allows the effective screen region to be formed by successive R, G, and B fluorescent film stripes in a method of controlling the path of ultraviolet light emitted upon exposure. Also, accurate color expression can be performed on the left and right sides of the screen. Therefore, it is possible to improve the productivity with the cathode ray by providing the enlarged cue while facilitating the high resolution by reducing the screen pitch.

Claims (16)

페이스 패널 내면에 감광성 수지막을 형성하는 단계와;Forming a photosensitive resin film on an inner surface of the face panel; 페이스 패널에 3을 제외한 5 이하의 정수배로 확대된 큐치로 섀도우 마스크를 장착하는 단계와;Mounting a shadow mask to the face panel with a cue enlarged by an integer multiple of 5 except 3; 노광 광원에서 방출된 자외선이 섀도우 마스크의 빔통과용 어퍼쳐를 통과하여 전자빔 경로와 동일하거나 1 또는 2 스크린 피치 너머에 도달하도록 자외선 경로를 제어하여 감광성 수지막을 선택적으로 노광 및 경화시키는 단계와;Selectively exposing and curing the photosensitive resin film by controlling the ultraviolet path such that the ultraviolet light emitted from the exposure light source passes through the beam passing aperture of the shadow mask to reach the same or over 1 or 2 screen pitch as the electron beam path; 페이스 패널과 섀도우 마스크를 분리하고, 현상하여 경화되지 않은 감광성 수지막을 제거하는 단계와;Separating the face panel and the shadow mask and developing to remove the uncured photosensitive resin film; 페이스 패널 내면에 흑연 슬러리를 도포하고 에칭 및 고압 현상하여 블랙 매트릭스막을 형성하는 단계와;Applying a graphite slurry to the inner surface of the face panel, etching and developing under a high pressure to form a black matrix film; 페이스 패널 내면에 형광막 슬러리를 도포하고, 노광 광원에서 방출된 자외선이 섀도우 마스크의 빔통과용 어퍼쳐를 통과하여 전자빔 경로와 동일하거나 1 또는 2 스크린 피치 너머에 도달하도록 자외선 경로를 제어하여 형광막 슬러리를 선택적으로 노광 및 현상하는 과정을 G, B, R 형광막에 대해 반복 수행하는 단계를 포함하는 음극선관의 형광막 스크린 형성 방법.The fluorescent film slurry is applied to the inner surface of the face panel, and the ultraviolet light is controlled by controlling the ultraviolet light path so that the ultraviolet light emitted from the exposure light source passes through the beam passing aperture of the shadow mask to reach the same or 1 or 2 screen pitch as the electron beam path. A method of forming a fluorescent film screen of a cathode ray tube, comprising the step of selectively exposing and developing the slurry to the G, B, and R fluorescent films. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 섀도우 마스크를 장착하는 단계가 2배 확대된 큐치로 섀도우 마스크를 장착하는 것으로 이루어지는 음극선관의 형광막 스크린 형성 방법.And mounting the shadow mask with a cue enlarged twice. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 감광성 수지막을 선택적으로 노광 및 경화시키는 단계가,Selectively exposing and curing the photosensitive resin film, 자외선 경로를 전자빔 경로와 동일하게 하여 G 형광막 형성 부위를 선택적으로 노광하는 단계와;Selectively exposing a G fluorescent film formation site by making an ultraviolet path the same as an electron beam path; 빔통과용 어퍼쳐를 통과한 자외선이 전자빔 경로를 기준으로 1 스크린 피치 너머에 도달하도록 제어하여 R 및 B 형광막 형성 부위를 선택적으로 노광하는 단계로 이루어지는 음극선관의 형광막 스크린 형성 방법.A method for forming a fluorescent film screen of a cathode ray tube comprising controlling exposure of ultraviolet rays passing through a beam passage aperture to reach beyond one screen pitch based on an electron beam path to selectively expose the R and B fluorescent film formation sites. 제 3항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 R 형광막 형성 부위와 B 형광막 형성 부위에 대한 자외선의 스크린 피치 이동이 서로 반대 방향으로 이루어지는 음극선관의 형광막 스크린 형성 방법.And a screen pitch shift of ultraviolet rays with respect to the R fluorescent film formation site and the B fluorescent film formation site is in a direction opposite to each other. 제 3항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 자외선을 1 스크린 피치 너머에 도달하도록 제어하는 것은 노광 광원을 기준 위치에서 3에스(S)치 이동하는 것으로 이루어지는 음극선관의 형광막 스크린 형성 방법.And controlling the ultraviolet rays to reach beyond one screen pitch by moving the exposure light source by 3 S (S) values from a reference position. 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 노광 광원의 이동은 스크린 피치 이동과 반대 방향으로 이루어지는 음극선관의 형광막 스크린 형성 방법.Moving the exposure light source in a direction opposite to the screen pitch movement; 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 형광막 슬러리를 선택적으로 노광하는 단계가,Selectively exposing the fluorescent film slurry, G, B, R 형광막에 대하여 자외선을 전자빔 경로와 동일하게 하여 해당 형광막 슬러리를 노광하는 것으로 이루어지는 음극선관의 형광막 스크린 형성 방법.A method for forming a fluorescent film screen of a cathode ray tube, wherein the fluorescent film slurry is exposed to ultraviolet light in the same manner as the electron beam path to the G, B, and R fluorescent films. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 섀도우 마스크를 장착하는 단계가 4배 확대된 큐치로 섀도우 마스크를 장착하는 것으로 이루어지는 음극선관의 형광막 스크린 형성 방법.And mounting the shadow mask with a cue enlarged four times. 제 8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 감광성 수지막을 선택적으로 노광 및 경화시키는 단계가,Selectively exposing and curing the photosensitive resin film, 빔통과용 어퍼쳐를 통과한 자외선이 전자빔 경로를 기준으로 1 스크린 피치 너머에 도달하도록 제어하여 G 형광막 형성 부위를 선택적으로 노광하는 단계와;Selectively exposing the G fluorescent film formation region by controlling the ultraviolet light passing through the beam passing aperture to reach beyond one screen pitch based on the electron beam path; 빔통과용 어퍼쳐를 통과한 자외선이 전자빔 경로를 기준으로 2 스크린 피치 너머에 도달하도록 제어하여 R 및 B 형광막 형성 부위를 선택적으로 노광하는 단계로 이루어지는 음극선관의 형광막 스크린 형성 방법.A method of forming a fluorescent film screen of a cathode ray tube, the method comprising: exposing ultraviolet rays passing through a beam passage aperture to reach beyond two screen pitches based on an electron beam path to selectively expose R and B fluorescent film forming sites. 제 9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 R 형광막 형성 부위와 B 형광막 형성 부위에 대한 자외선의 스크린 피치 이동이 서로 반대 방향으로 이루어지는 음극선관의 형광막 스크린 형성 방법.And a screen pitch shift of ultraviolet rays with respect to the R fluorescent film formation site and the B fluorescent film formation site is in a direction opposite to each other. 제 9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 자외선을 2 스크린 피치 너머에 도달하도록 제어하는 것은 노광 광원을 기준 위치에서 6에스(S)치 이동하는 것으로 이루어지는 음극선관의 형광막 스크린 형성 방법.And controlling the ultraviolet rays to reach beyond the two screen pitches by moving the exposure light source by 6 S (S) values from the reference position. 제 11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 노광 광원의 이동은 스크린 피치 이동과 반대 방향으로 이루어지는 음극선관의 형광막 스크린 형성 방법.Moving the exposure light source in a direction opposite to the screen pitch movement; 제 8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 형광막 슬러리를 선택적으로 노광하는 단계가,Selectively exposing the fluorescent film slurry, 빔통과용 어퍼쳐를 통과한 자외선이 전자빔 경로를 기준으로 1 스크린 피치 너머에 도달하도록 제어하여 G 형광막 슬러리를 선택적으로 노광하는 단계와;Selectively exposing the G fluorescent film slurry by controlling ultraviolet rays passing through the beam passing aperture to reach beyond one screen pitch relative to the electron beam path; 자외선 경로를 전자빔 경로와 동일하게 하여 B 및 R 형광막 슬러리를 선택적으로 노광하는 단계로 이루어지는 음극선관의 형광막 스크린 형성 방법.A method of forming a fluorescent film screen of a cathode ray tube, comprising selectively exposing the B and R fluorescent film slurries by making the ultraviolet light path the same as the electron beam path. 제 13항에 있어서,The method of claim 13, 상기 G 형광막 슬러리에 대한 자외선의 스크린 피치 이동이 감광성 수지막 노광시 G 형광막 형성 부위에 대한 자외선의 스크린 피치 이동과 반대 방향으로 이루어지는 음극선관의 형광막 스크린 형성 방법.And a screen pitch shift of the ultraviolet rays with respect to the G fluorescent film slurry is in a direction opposite to the screen pitch shift of the ultraviolet rays with respect to the G fluorescent film formation portion during exposure of the photosensitive resin film. 블랙 매트릭스막을 사이로 연속 배치되는 다수개의 R, G, B 형광막 스트라이프들로 이루어지며, 3의 정수배를 제외한 기타 정수배 확대된 큐치 간격으로 섀도우 마스크와 마주하는 음극선관의 형광막 스크린에 있어서,In the fluorescent film screen of the cathode ray tube made up of a plurality of R, G, B fluorescent film stripes arranged in succession between the black matrix film, facing the shadow mask at an integer magnification interval other than an integer multiple of 3, 다수개의 연속된 형광막 스트라이프들로 구성된 유효화면 영역의 단변측 외곽에서 전자빔이 도달하는 부분에 형광막 스트라이프를 형성시키지 않음을 특징으로 하는 음극선관의 형광막 스크린 형성 방법.A method for forming a fluorescent film screen of a cathode ray tube, characterized in that a fluorescent film stripe is not formed at a portion where an electron beam reaches at the outer side of an effective screen area composed of a plurality of continuous fluorescent film stripes. 제 15항에 있어서,The method of claim 15, 상기 유효화면 영역의 단변측 외곽에서 전자빔이 도달하는 부분에 블랙 매트릭스막을 형성함을 특징으로 하는 음극선관의 형광막 스크린 형성 방법.And a black matrix film is formed at a portion where the electron beam reaches at the outer side of the short side of the effective screen region.
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JPH1173880A (en) * 1997-09-01 1999-03-16 Toray Ind Inc Manufacture and manufacturing equipment of plasma display panel

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