KR100344762B1 - Circuit for detecting low voltage level of power voltage - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 전원전압의 저전압레벨(level) 검출회로에 관한 것으로, 특히 전원전압에 포함되어 있는 저전압레벨이 정확하게 검출되도록 하는 것에 적당하도록 한 전원전압의 저전압레벨 검출회로에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a low voltage level detection circuit of a power supply voltage, and more particularly to a low voltage level detection circuit of a power supply voltage that is suitable for accurately detecting a low voltage level included in the power supply voltage.
제 1 도는 종래의 전원전압의 저전압레벨 검출회로를 설명하기 위한 도면으로, 제 1 도의 (가)는 종래의 전원전압의 저전압레벨 검출회로의 회로도를 도시한 도면이고, 제 1 도의 (나)는 종래의 전원전압의 저전압레벨 검출회로에 인가되는 입력 전원전압 파형과,노드의 전원전압 파형과, 저전압레벨에 의한 검출 신호를 도시한 도면이다. 이하 첨부된 도면을 참고로 종래의 전원전압의 저전압 레벨 검출회로의 구성 및 동작을 설명하면 다음과 같다.FIG. 1 is a diagram for explaining a low voltage level detection circuit of a conventional power supply voltage. FIG. 1A is a diagram showing a circuit diagram of a low voltage level detection circuit of a conventional power supply voltage. An input power supply voltage waveform applied to a low voltage level detection circuit of a conventional power supply voltage, The figure shows the power supply voltage waveform of a node and the detection signal by the low voltage level. Hereinafter, a configuration and operation of a low voltage level detection circuit of a conventional power supply voltage will be described with reference to the accompanying drawings.
종래의 전원전압의 저전압레벨 검출회로는 제 1 도의 (가)에 도시된 바와 같이, 전원전압(Vcc)이 저항(R)을 통하여 출력단이 접지된 캐패시터(C; capacitor)와 출력단에서 저전압레벨의 검출신호를 출력하게 되는 인버터(I; inverter)의 입력단에 입력되도록 구성된다.In the conventional low voltage level detection circuit of the power supply voltage, as shown in FIG. 1A, the power supply voltage Vcc has a low voltage level at the output terminal and a capacitor C having the output terminal grounded through the resistor R. It is configured to be input to an input terminal of an inverter (I; inverter) for outputting a detection signal.
즉, 종래의 전원전압의 저전압레벨 검출회로에 인가되는 전원전압의 파형에서 제 1 도의 (나)에 도시된 입력 전원전압의 파형이 입력되면,노드을 통하여 인버터로 입력된다.That is, when the waveform of the input power supply voltage shown in (b) of FIG. 1 is input from the waveform of the power supply voltage applied to the low voltage level detection circuit of the conventional power supply voltage, Input to the inverter via the node.
이때, 인버터로 입력되는 전원전압은 저항(R)과 캐패시터(C)의 RC 시정수에 의해 검출하고자 하는 임계레벨(threshold level)의 검출시간이 조정되고, 전원전압의 임계레벨은 인버터 자체의 문턱전압(threshold voltage)에 의해 결정되며, RC 시정수에 의해 조정된 임계레벨의 검출시간과 인버터의 문턱전압에 의해 결정된 전원전압의 임계레벨은 제 1 도의 (나)에서 도시된노드의 전원전압 파형에서 점선으로 표시하였다.At this time, the detection time of the threshold level to be detected is adjusted by the RC time constant of the resistor R and the capacitor C for the power supply voltage input to the inverter, and the threshold level of the power supply voltage is the threshold of the inverter itself. It is determined by the threshold voltage, and the detection time of the threshold level adjusted by the RC time constant and the threshold level of the power supply voltage determined by the threshold voltage of the inverter are shown in (b) of FIG. The power supply voltage waveform of the node is indicated by a dotted line.
그리고, 인버터의 출력단에서 출력되는 저전압레벨에 의한 검출신호의 출력신호는 제 1 도의 (나)에서 도시된 전압레벨에 의한 검출신호의 출력신호와 같이, 임계레벨의 전압파형이 반전된 신호로서 저전압레벨의 검출신호가 논리적으로 출력된다.The output signal of the detection signal at the low voltage level output from the output terminal of the inverter is a signal in which the voltage waveform at the threshold level is inverted, as is the output signal of the detection signal at the voltage level shown in FIG. The detection signal of the level is logically output.
즉, 종래의 전원전압의 저전압레벨 검출회로는 RC시정수에 의해 검출시간이 조정되고, 인버터가 가진 문턱전압에 의해 결정된 임계레벨의 전압을 검출함으로써전원전압에 포함된 저전압레벨의 검출신호를 출력하게 된다.That is, in the conventional low voltage level detection circuit of the power supply voltage, the detection time is adjusted by the RC time constant, and the detection signal of the low voltage level included in the power supply voltage is output by detecting the voltage at the threshold level determined by the threshold voltage of the inverter. Done.
그러나 종래의 전원전압의 저전압레벨 검출회로에서는 RC시정수에 의해 임계레벨의 검출시간이 조정된 전원전압의 파형이 인버터로 입력되고, 인버터가 가진 문턱전압을 이용하여 전원전압의 임계레벨을 조정하여 전원전압에서 저전압레벨을 검출한 출력신호를 출력함에 있어서, 인버터의 문턱전압에 의존하여 전원전압에서의 저전압레벨을 정확하게 검출하기가 어렵고, 또한 저항,캐패시터 또는 인버터 소자의 제조공정 중에 부가되는 각각의 소자 특성값의 편차에 많은 영향을 받게 되는 문제가 발생하였다.However, in the conventional low voltage level detection circuit of the power supply voltage, the waveform of the power supply voltage whose threshold level detection time is adjusted by the RC time constant is input to the inverter, and the threshold level of the power supply voltage is adjusted by using the threshold voltage of the inverter. In outputting an output signal in which the low voltage level is detected at the power supply voltage, it is difficult to accurately detect the low voltage level at the power supply voltage depending on the threshold voltage of the inverter, and it is difficult to accurately detect the low voltage level at the power supply voltage. There is a problem that is greatly affected by the variation of the device characteristic value.
본 발명은 이러한 문제를 해결하기 위하여 안출된 것으로, 전원전압의 저전압레벨 검출회로를 개선하여 전원전압에 있어서 저전압레벨이 정확하게 검출되도록 하고, 또한 임계레벨을 조절하여 전원전압에서 저전압레벨을 정확하게 검출할 수 있도록 하는 것이 그 목적이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve this problem, and improves the low voltage level detection circuit of the power supply voltage so that the low voltage level is accurately detected in the power supply voltage, and adjusts the threshold level to accurately detect the low voltage level at the power supply voltage. The purpose is to make it possible.
본 발명에 의한 전원전압의 저전압레벨 검출회로는 입력되는 전원전압의 파형에서 검출하고자 하는 임계레벨의 검출시간을 조정하기 위한 시정수조정부와, 전원전압이 제 1저항을 통해 인가되어 온(on)/오프(off) 동작되며, 시정수조정부에 의해 시정수가 조정된 출력파형이 입력단에 입력되고, 출력단은 접지된 제 2저항과 직렬연결되는 스위칭(switching)소자와, 스위칭소자의 출력단과 제 2저항의 사이에 병렬접속되어, 전원전압에서 임계레벨의 검출신호을 출력하게 되는 인버터를 포함하여 이루어진다.The low voltage level detection circuit of the power supply voltage according to the present invention includes a time constant adjusting unit for adjusting the detection time of the threshold level to be detected in the waveform of the input power supply voltage, and the power supply voltage is applied through the first resistor. An output waveform whose time constant is adjusted by a time constant adjusting unit is turned on / off, and the output terminal is a switching device connected in series with a grounded second resistor, and an output terminal and a second output device of the switching device. And an inverter connected in parallel between the resistors and outputting a detection signal of a threshold level at the power supply voltage.
제 2 도는 본 발명에 의한 전원전압의 저전압레벨 검출회로를 설명하기 위한도면으로, 제 2 도의 (가)는 본 발명에 의한 전원전압의 저전압레벨 검출회로의 일실시예를 도시한 회로도이고, 제 2 도의 (나)는 본 발명에 의한 전원전압의 저전압레벨 검출회로의 회로의 또 다른 실시예를 도시한 회로도이다. 이하 첨부된 도면을 참고로 본 발명에 의한 전원전압의 저전압레벨 검출회로의 구성 및 동작을 설명하면 다음과 같다.2 is a view for explaining the low voltage level detection circuit of the power supply voltage according to the present invention, Figure 2 (a) is a circuit diagram showing an embodiment of the low voltage level detection circuit of the power supply voltage according to the present invention, 2B is a circuit diagram showing still another embodiment of the circuit of the low voltage level detection circuit of the power supply voltage according to the present invention. Hereinafter, the configuration and operation of the low voltage level detection circuit of the power supply voltage according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
본 발명에 의한 전원전압의 저전압레벨 검출회로는 제 2 도의 (가)와 같이, 입력되는 전원전압(V'cc)압의 파형에서 검출하고자 하는 임계레벨의 검출시간을 조정하기 위한 시정수조정부(20)와, 전원전압이 제 1저항(R1)을 통해 베이스(base)전극(B)으로 인가되어 온/오프 동작되며, 시정수조정부에 의해 시정수가 조정된 신호가 입력단인 이미터(emitter)전극(E)에 입력되고, 출력단인 컬렉터(collector)전극(C)은 일단이 접지된 제 2저항(R2)과 직렬연결되는 스위칭소자(21)인 피엔피 트렌지스터(QP; PNP transistor)와, 피엔피 트렌지스터의 컬렉터 전극(C)과 제 2저항(R2)의 사이에 접속되어, 전원전압에서 임계레벨의 검출신호을 출력하게 되는 인버터(I')를 포함하여 이루어지며, 이때, 시정수조정부(20)는 전원전압이 입력되는 다이오드(D; diode)와, 다이오드의 출력이 통과하여 스위칭 소자(21)인 피엔피 트렌지스터(QP)의 이미터전극(E)에 입력되도록 하는 저항(R')과, 저항의 출력에 일단이 병렬연결되고, 또 다른 단은 접지되는 캐패시터(C')로 구성된다.The low voltage level detection circuit of the power supply voltage according to the present invention includes a time constant adjusting unit for adjusting the detection time of the threshold level to be detected in the waveform of the input power supply voltage V'cc as shown in FIG. 20) and the power supply voltage is applied to the base electrode B through the first resistor R 1 to be turned on and off, and the signal whose time constant is adjusted by the time constant adjusting unit is an emitter. The collector electrode C, which is input to the electrode E and has an output terminal, is a switching element 21 connected in series with a second resistor R 2 whose one end is grounded. And an inverter (I ') connected between the collector electrode (C) of the PNP transistor and the second resistor (R 2 ) and outputting a detection signal of a threshold level at a power supply voltage. The male adjusting unit 20 has a diode (D;) to which a power voltage is input, and an output of the diode is passed through. A resistor R 'for inputting to the emitter electrode E of the PNP transistor QP, which is the switching element 21, and a capacitor C having one end connected in parallel to the output of the resistor and the other end grounded. ').
또한 본 발명에 의한 전원전압의 저전압레벨 검출회로에서는 스위칭소자로서제 2 도의 (나)와 같이, 피모스 트렌지스터(MP; PMOS transistor)를 사용하기도 한다.In the low voltage level detection circuit of the power supply voltage according to the present invention, a PMOS transistor (MP; PMOS transistor) may be used as the switching element as shown in FIG.
이하 제 2 도의 (가)에서 도시된 바와 같이, 피엔피 트렌지스터(QP)를 스위칭소자로 사용한 본 발명에 의한 전원전압의 저전압레벨 검출회로의 동작을 설명하겠다.As shown in FIG. 2A, the operation of the low voltage level detection circuit of the power supply voltage according to the present invention using the PNP transistor QP as a switching element will be described.
본 발명에 의한 전원전압의 저전압레벨 검출회로에서 전원전압(V'cc)이 정상적이면, 피엔피 트렌지스터(QP)의 베이스전극(B)에 제 1저항(R1)을 통하여 전원전압이 인가되므로, 피엔피 트렌지스터가 "오프"로서 동작되어 피엔피 트렌지스터를 통하여 전류가 흐르지 못하게 되고, 따라서 인버터(I')의 입력단에는 제 2 저항(R2)의 접지단에 의한 "로우(low)"의 출력이 입력되므로, 인버터의 출력은 논리적으로 "1"의 값이 출력된다.In the low voltage level detection circuit of the power supply voltage according to the present invention, if the power supply voltage V'cc is normal, the power supply voltage is applied to the base electrode B of the PNP transistor QP through the first resistor R 1 . The PNP transistor is operated as "off" so that no current flows through the PNP transistor, so that the input terminal of the inverter I 'is "low" by the ground terminal of the second resistor R 2 . Since the output is input, the output of the inverter is logically outputted with a value of "1".
그리고 본 발명에 의한 전원전압의 저전압레벨 검출회로에서 전원전압(V'cc)이 강하되어 낮아지면, 피엔피 트렌지스터(QP)의 베이스전극(B)에 제 1저항을 통하여 낮아진 전원전압이 인가되므로, 피엔피 트렌지스터가 "온"으로서 동작되며, 피엔피 트렌지스터의 이미터전극(E)의 전압강하는 이미터전극과 병렬연결된 캐패시터(C')에 의해 베이스전극(B)의 전압강하보다 시간적으로 늦게 된다.In the low voltage level detecting circuit of the power supply voltage according to the present invention, when the power supply voltage V'cc is lowered and lowered, the power supply voltage lowered through the first resistor is applied to the base electrode B of the PNP transistor QP. The PNP transistor is operated as “ON”, and the voltage drop of the emitter electrode E of the PNP transistor is temporally lower than the voltage drop of the base electrode B by the capacitor C ′ connected in parallel with the emitter electrode. It will be late.
이때, 전원전압에서 검출할수 있는 임계레벨은 다이오드의 전압(VD)과 저항에 걸리는 전압(VR= IR')과, 스위칭소자인 피엔피 트렌지스터에서 베이스전극(B),이미터전극(E)간의 전압(VBE)을 모두 합한 값(VD+ VR+ VBE)이 되며, 저항(R')을 100 오옴[Ω] 이하를 사용하면 전원전압의 임계레벨은 대략 다이오드(D)의 전압(VD)과 피엔피 트렌지스터에서 베이스전극,이미터전극간의 전압(VBE)을 합한 값(VD+ VBE)이 되고, 다이오드의 전압과, 피엔피 트렌지스터에서 베이스전극,이미터전극간의 전압은 각각 약 0.7볼트[V]이다.At this time, the threshold level that can be detected from the power supply voltage includes the voltage of the diode (V D ) and the voltage applied to the resistance (V R = IR ′), and the base electrode (B) and the emitter electrode (E) of the switching element PNP transistor. Is the sum of all voltages (V BE ) between V D + V R + V BE . When the resistance (R ') is 100 ohms or less, the threshold level of the power supply voltage is approximately diode (D). Is the sum of the voltage (V D ) and the voltage between the base electrode and the emitter electrode (V BE ) in the PNP transistor (V D + V BE ), and the voltage of the diode and the base electrode and emitter before the PNP transistor. The voltage between the poles is about 0.7 volts [V], respectively.
즉, 전원전압이 낮아지면 피엔피 트렌지스터는 "온"이 되고, 인버터에 입력되는 컬렉터전극의 출력은 일측이 접지된 제 2저항에 "하이(high)"가 되어 인버터에서 검출신호의 출력은 논리적으로 "0"이 된다.That is, when the power supply voltage is lowered, the PNP transistor becomes "on", and the output of the collector electrode input to the inverter becomes "high" to the second resistor grounded at one side, so that the output of the detection signal from the inverter is logical. Becomes "0".
또한 본 발명에 의한 전압변동 검출회로에서는 시정수조정부의 다이오드의 특성값과 저항값의 변화로 전압변동에서 검출하고자 하는 임계레벨의 검출시간을 더 빠르게 또는 더 늦게 할 수 있다.Also, in the voltage fluctuation detecting circuit according to the present invention, the detection time of the threshold level to be detected in the voltage fluctuation can be made faster or later due to the change in the characteristic value and the resistance value of the diode of the time constant adjusting part.
그리고 본 발명에 의한 전원전압의 저전압레벨 검출회로에서는 상술한 바와 같이, 스위칭소자로서 피엔피 트렌지스터(QP) 또는 피모스 트렌지스터(MP)를 사용하여 인버터에서 출력되는 전압강하의 검출신호가 "로우(= 0)"의 신호로 검출되도록 하거나, 스위칭소자로서 엔피엔 트렌지스터(NPN transistor) 또는 엔모스 트렌지스터(NMOS transistor)를 사용하여 인버터에서 출력되는 전압강하의 검출신호가 "하이(= 1)"의 신호로 검출되도록 할 수 있으며, 또한 스위칭소자가 피엔피 트렌지스터이고 저항이 100 오옴[Ω] 이하일때에 다이오드를 사용하지 않을 경우에는 전원전압의 강하를 검출할 수 있는 임계레벨은 스위칭소자인 피엔피 트렌지스터에서베이스전극,이미터전극간의 전압(VBE)의 값 정도가 된다.In the low voltage level detection circuit of the power supply voltage according to the present invention, as described above, the detection signal of the voltage drop output from the inverter using PNP transistor or PMOS transistor MP as the switching element is " low " = 0) ", or using a NPN transistor or NMOS transistor as the switching element, the detection signal of the voltage drop output from the inverter is " high (= 1) " If the switching element is a PNP transistor and the diode is not used when the resistance is 100 Ohm [Ω] or less, the threshold level for detecting the drop in the supply voltage is PNP. In the transistor, the voltage (V BE ) between the base electrode and the emitter electrode becomes about.
즉, 본 발명에 의한 전원전압의 저전압레벨 검출회로에서 임계레벨은 종래의 기술과 같이 인버터가 가진 문턱전압에 의해서만 결정되지 않고, 다이오드의 전압값과, 저항의 전압값과, 스위칭소자인 트렌지스터의 전압에 의해 결정할 수 있으며, 스위칭소자의 온/오프 동작에 의해 인버터에서의 출력된 검출신호가 "하이(= 1)" 또는 "로우(= 0)"가 되므로, 전원전압에서의 전압이 강하는 정확한 레벨을 검출하기가 용이하게 된다.That is, in the low voltage level detection circuit of the power supply voltage according to the present invention, the threshold level is not determined only by the threshold voltage of the inverter as in the prior art, but the voltage value of the diode, the voltage value of the resistor, and the transistor of the switching element. The detection signal output from the inverter becomes "high (= 1)" or "low (= 0)" by the on / off operation of the switching element. It is easy to detect the correct level.
제 1 도는 종래의 전원전압의 저전압레벨 검출회로를 설명하기 위한 도면.1 is a diagram for explaining a low voltage level detection circuit of a conventional power supply voltage.
제 2 도는 본 발명에 의한 전원전압의 저전압레벨 검출회로를 설명하기 위한 도면.2 is a view for explaining a low voltage level detection circuit of the power supply voltage according to the present invention.
※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ※※ Explanation of code about main part of drawing ※
20. 시정수조정부 21. 스위칭소자20. Time constant adjusting part 21. Switching element
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Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950022234A KR100344762B1 (en) | 1995-07-26 | 1995-07-26 | Circuit for detecting low voltage level of power voltage |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950022234A KR100344762B1 (en) | 1995-07-26 | 1995-07-26 | Circuit for detecting low voltage level of power voltage |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970007362A KR970007362A (en) | 1997-02-21 |
| KR100344762B1 true KR100344762B1 (en) | 2002-11-02 |
Family
ID=37488538
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950022234A KR100344762B1 (en) | 1995-07-26 | 1995-07-26 | Circuit for detecting low voltage level of power voltage |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100344762B1 (en) |
-
1995
- 1995-07-26 KR KR1019950022234A patent/KR100344762B1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970007362A (en) | 1997-02-21 |
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