KR100295113B1 - Field emission display and its spacer manufacturing method - Google Patents

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Abstract

본 발명은 상하판의 간격을 일정하게 유지시키는 역할을 하는 스페이서를 구비하는 전계방출 디스플레이와 그 스페이서 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a field emission display having a spacer which serves to maintain a constant gap between the upper and lower plates, and a method of manufacturing the spacer.

본 발명의 FED는 서로 대향하게 배치된 음극판 및 양극판 사이에 소정의 높이를 갖고 일체형으로 형성되며 일정 단위로 홀이 마련된 스페이서구조물을 구비하는 특징으로 한다.The FED of the present invention is characterized in that it comprises a spacer structure having a predetermined height and a hole formed in a predetermined unit between the negative electrode plate and the positive electrode plate disposed to face each other.

본 발명에 의하면, 감광성유리를 이용하여 일체형의 스페이서구조물을 제작함으로써 기존의 개별 스페이서의 미스얼라인먼트 문제를 해결함과 동시에 개별 스페이서에 걸리는 높은 응력을 스페이서 구조물 전체로 분산시킴으로써 기판유리의 균열을 최소화할 수 있게 된다.According to the present invention, by fabricating an integrated spacer structure using photosensitive glass, it is possible to solve the misalignment problem of existing individual spacers and to minimize the cracking of the substrate glass by dispersing the high stress applied to the individual spacers throughout the spacer structure. It becomes possible.

Description

전계방출디스플레이와 그의 스페이서 제조방법(Field Emission Display and Fabrication Methods Of Its Spacer)Field Emission Display and Fabrication Methods Of Its Spacer

본 발명은 전계방출 디스플레이에 관한 것으로, 특히 상하판의 간격을 일정하게 유지시키는 역할을 하는 스페이서를 갖는 전계방출 디스플레이와 그 스페이서제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a field emission display, and more particularly, to a field emission display having a spacer which serves to maintain a constant gap between the upper and lower plates, and a method of manufacturing the same.

오늘날, 멀티미디어(Multimedia)의 발달과 함께 중요한 역할을 담당하는 디스플레이(Dispaly)에 대한 관심과 그 중요성이 증가하고 있다. 이에 부응하여 액정디스플레이(LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 등과 같은 여러 가지의 평면형 디스플레이가 개발되어 실용화되고 있다. 그러나, 이들은 시야각, 고속응답, 고휘도, 고정세, 소비전력, 박형 등의 관점에서 아직까지 만족스러운 디스플레이를 얻을 수 없으며 박형, 중량, 소비전력 등과 같은 문제를 제외하면 현재로는 음극선관(CRT)이 가장 이상적인 디스플레이에 가깝다.Today, with the development of multimedia, the interest and importance of the display (Dispaly) play an important role is increasing. In response to this, various flat panel displays, such as liquid crystal displays (LCDs) and plasma display panels (PDPs), have been developed and put into practical use. However, they have not yet achieved a satisfactory display in terms of viewing angle, high-speed response, high brightness, high definition, power consumption, and thinness. Currently, except for problems such as thinness, weight, and power consumption, cathode ray tube (CRT) This is close to the ideal display.

최근, 차세대 디스플레이로 주목을 받고 있는 전계방출 디스플레이(Field Emission Display; 이하, FED라 한다)는 음극선관(CRT)과 동일하게 전자선에 의한 형광체 발광을 이용하고 있다. 이에 따라, FED는 음극선관(CRT)의 뛰어난 특성을 유지하면서도 화상의 뒤틀림이 없이 저소비전력의 평면형 디스플레이로 구현할 수 있는 가능성이 높다.In recent years, field emission displays (hereinafter referred to as FEDs), which are attracting attention as next-generation displays, use phosphor emission by electron beams similarly to cathode ray tubes (CRTs). Accordingly, the FED is likely to be implemented as a flat panel display having low power consumption without distortion of the image while maintaining excellent characteristics of the cathode ray tube (CRT).

일반적으로, FED는 종래의 진공관과 같이 3극관이지만 열음극(Hot Cathod)을 이용하지 않고 첨예한 음극 즉, 이미터(Emitter)에 고전계를 집중하여 양자역학적인 터널(Tunnel) 효과에 의해 전자를 방출하는 냉음극을 이용하고 있다. 그리고, 이미터로부터 방출된 전자는 양극 및 음극간에 인가된 전압에 의해 가속되어 양극에 형성된 형광체막에 충돌됨으로써 형광체를 발광시키게 된다. 다시 말하여, 전자충돌에 의해 형광체를 발광시킨다는 점에서 음극선관(CRT)과 같은 원리이다.In general, the FED is a triode, like a conventional vacuum tube, but concentrates a high electric field on a sharp cathode, that is, an emitter, without using a hot cathode. The cold cathode which emits is used. The electrons emitted from the emitter are accelerated by the voltage applied between the anode and the cathode and collide with the phosphor film formed on the anode to emit the phosphor. In other words, it is the same principle as the cathode ray tube (CRT) in that the phosphor emits light by electron collision.

도 1 및 도 2는 FED의 기본구조를 나타내는 단면도와 사시도로서, 도 1 및 도 2에 도시된 FED는 양극판(28) 및 음극판(20)과, 양극판(28)과 음극판(20) 사이에 진공공간(32)이 유지되도록 하는 스페이서(30)를 구비한다.1 and 2 are a cross-sectional view and a perspective view showing the basic structure of the FED, the FED shown in Figures 1 and 2 is a vacuum between the positive electrode plate 28 and the negative electrode plate 20, the positive electrode plate 28 and the negative electrode plate 20 A spacer 30 is provided to keep the space 32.

도 1 및 도 2에 도시된 FED에서 음극판(20)은 하부유리(10)와, 그 위에 적층된 음극(12) 및 이미터(14)와, 이미터(14) 주변의 음극(12) 위에 적층된 절연층(16) 및 게이트전극(18)을 구비한다. 양극판(28)은 상부유리(22)와, 그 아래에 적층된 양극(24)과 형광체(26)를 구비한다. 그리고, 양극판(28)과 음극판(20) 사이의 스페이서(30)에 의해 마련된 진공공간(32)은 고진공 상태를 유지하게 된다. 이러한 구조의 FED에서 팁 형상의 이미터(14)들은 음극(12)과 게이트전극(18)에 인가되는 전압에 의해 형성된 고전계에 의해 진공(32)중으로 전자(34)를 방출하게 된다. 이렇게, 이미터(14)로부터 방출된 전자들(34)은 음극(12)과 양극(24) 간에 인가되는 전압에 의해 가속되어 양극(24)의 표면에 도포된 적(R), 녹(G), 청(B) 형광체(26)에 충돌하여 발광시킴으로서 가시광이 방출되게 된다. 이렇게 도 1 및 도 2에 도시된 FED는 양극(24)에 걸리는 구동전압이 약 400∼1000V이고 양극판(28)과 음극판(20)의 간격이 200∼500㎛ 내외로 설정되는 '저전압형 FED'이다.In the FED shown in FIGS. 1 and 2, the negative electrode plate 20 is disposed on the lower glass 10, the negative electrode 12 and the emitter 14 stacked thereon, and the negative electrode 12 around the emitter 14. A laminated insulating layer 16 and a gate electrode 18 are provided. The anode plate 28 includes an upper glass 22, an anode 24 and a phosphor 26 stacked below. In addition, the vacuum space 32 provided by the spacer 30 between the positive electrode plate 28 and the negative electrode plate 20 maintains a high vacuum state. In the FED of this structure, the tip-shaped emitters 14 emit electrons 34 into the vacuum 32 by a high electric field formed by a voltage applied to the cathode 12 and the gate electrode 18. Thus, the electrons 34 emitted from the emitter 14 are accelerated by the voltage applied between the cathode 12 and the anode 24, and red (R) and rust (G) applied to the surface of the anode 24. ), The visible light is emitted by colliding with the blue (B) phosphor 26 to emit light. Thus, the FED shown in FIGS. 1 and 2 has a driving voltage of about 400 to 1000 V across the anode 24 and a low voltage type FED in which the distance between the cathode plate 28 and the anode plate 20 is set to about 200 to 500 μm. to be.

도 3을 참조하면, 고전압형 FED에 대한 단면도가 도시되어 있다.Referring to Figure 3, a cross-sectional view of a high voltage type FED is shown.

도 3에 도시된 고전압형 FED는 도 1 및 도 2에 도시된 저전압형 FED와는 달리 상부유리(22)에 형광체(26)가 먼저 도포되고 그 형광체(26) 위에 양극(24)이 형성되게 된다. 이 구조는 현재 음극선관(CRT)의 형광면의 전극구조와 같다. 아울러, 고전압형 FED는 고전압 형광체(26)를 사용하기 위하여 양극(24)에 3∼10kV의 고전압을 인가하기 때문에 저전압형 FED보다 양극판(28)과 음극판(20)의 간격을 더 크게 설정하여야 한다. 예를 들어, 양극판(28)과 음극판(20)의 간격을 1mm 이상 유지하여야 하고 이 경우 양극판(28)과 음극판(20)을 지지하는 스페이서(30)의 역할이 더욱 중요하게 된다. 이를 위하여, 스페이서(30)는 폭 대 높이의 비(Aspect Ratio)가 더 커져야 하며 응력을 견디기 위한 기계적 강도 또한 증가되어야만 한다. 또한, 고전압형 FED는 음극판(20)에서 하부유리(10)와 음극(12), 이미터(14), 절연층(16) 및 게이트전극(18)의 구조는 저전압형 FED와 같으나 양극판(28)과 음극판(20)의 간격 증가에 따른 전자빔의 퍼짐현상을 방지하기 위하여 포커싱전극(36)을 더 구비한다. 이 포커싱전극(36)은 게이트전극(18) 위에 형성되며 도 3에 도시된 바와 같이 이미터단위로 형성되는 경우와 서브픽셀 단위로 설치되는 경우 등 매우 다양한 형태가 제안되고 있다.In the high voltage type FED shown in FIG. 3, unlike the low voltage type FED shown in FIGS. 1 and 2, the phosphor 26 is first applied to the upper glass 22, and the anode 24 is formed on the phosphor 26. . This structure is the same as the electrode structure of the fluorescent surface of the current cathode ray tube (CRT). In addition, since the high voltage type FED applies a high voltage of 3 to 10 kV to the anode 24 in order to use the high voltage phosphor 26, the distance between the positive electrode plate 28 and the negative electrode plate 20 should be set larger than that of the low voltage type FED. . For example, the gap between the positive electrode plate 28 and the negative electrode plate 20 should be maintained at least 1 mm. In this case, the role of the spacer 30 supporting the positive electrode plate 28 and the negative electrode plate 20 becomes more important. For this purpose, the spacer 30 must have a larger ratio of width to height and a mechanical strength to withstand stress must also be increased. In addition, in the high voltage type FED, the structure of the lower glass 10, the cathode 12, the emitter 14, the insulating layer 16, and the gate electrode 18 in the negative electrode plate 20 is the same as that of the low voltage type FED, but the positive electrode plate 28 ) And a focusing electrode 36 is further provided to prevent the spread of the electron beam due to the increase in the distance between the cathode plate 20 and the cathode plate 20. The focusing electrode 36 is formed on the gate electrode 18 and has been proposed in a variety of forms, such as the case of forming the emitter unit and the case of the subpixel unit as shown in FIG. 3.

이러한 FED에서 중요한 구성요소 중 하나인 스페이서(30)는 얇은 유리기판(10, 22)으로 구성된 패널 사이의 공간이 10-6∼10-7토르(Torr)에 이르는 고진공상태를 유지하게끔 유리기판(10, 22)이 휘거나 깨어지지 않도록 지지할 수 있어야 한다. 또한, 스페이서(30)는 화면이 넓어지더라도 유리기판(10, 22)의 두께가 두꺼워지지 않아도 지지할 수 있도록 기계적인 강도가 강해야만 한다. 아울러, 스페이서(30)의 존재가 전자 빔의 경로를 차단하지 않도록 픽셀과 픽셀 사이의 공간보다 작은 폭을 유지해야 하며, 양극판(28)에 가까운 부분에서는 발산된 전자빔이 스페이서(30)와 충돌하더라도 공간전하를 축적하지 않는 재료적인 설계까지 고려되어야만 한다.One of the important components of the FED spacer 30 is a glass substrate (so that the space between the panel consisting of thin glass substrates 10 and 22 maintains a high vacuum state ranging from 10 -6 to 10 -7 Torr). 10, 22) should be able to be supported so as not to bend or break. In addition, the spacer 30 should have a strong mechanical strength so that even if the screen is wide, the glass substrates 10 and 22 may be supported even without thickening. In addition, a width smaller than the space between the pixel and the pixel should be maintained so that the presence of the spacer 30 does not block the path of the electron beam, and even if the emitted electron beam collides with the spacer 30 in a portion close to the anode plate 28. Material designs that do not accumulate space charge must also be considered.

그리고, 스페이서(30)의 높이는 픽셀피치와 비슷하게 설정되는데 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 저전압 형광체를 사용하는 저전압형 FED인 경우 약 200∼400㎛ 정도로 설정되므로 비교적 제작이 용이하나, 도 3에 도시된 바와 같이 포커싱전극(36)을 사용하는 고전압형 FED인 경우 음극(12)과 양극(24) 간의 거리가 1000㎛를 넘기 때문에 폭 대 높이의 비(Aspect Ratio)가 더 증가되어야 하는 제약이 따르게 된다. 재료적인 측면을 살펴보면, 현재 주로 사용되고 있는 스페이서(30)의 재료로는 유리, 세라믹(Ceramic), 절연가능한 금속 등이 있으며 고전압 FED의 경우 상기 3가지의 필수조건 외에 고압에 견뎌야 하는 추가조건이 필요하게 된다. 아울러, 스페이서(30) 주변부에 전하가 축적되는 것을 방지하기 위한 절연코팅 공정도 부가적으로 필요하며, 고압파괴에 견뎌야하는 어려운 조건들이 있다.In addition, the height of the spacer 30 is set to be similar to the pixel pitch. As shown in FIGS. 1 and 2, in the case of a low voltage type FED using low voltage phosphors, the height of the spacer 30 is about 200 to 400 μm, which is relatively easy to manufacture. In the case of the high voltage type FED using the focusing electrode 36 as shown in FIG. 1, the ratio of the width-to-height ratio must be further increased because the distance between the cathode 12 and the anode 24 exceeds 1000 μm. This will follow. Looking at the material aspect, the material of the spacer 30 currently used mainly is glass, ceramic, insulating metal, etc. In the case of high voltage FED, in addition to the above three essential conditions, additional conditions that must withstand high pressure are required. Done. In addition, an insulation coating process is additionally required to prevent charges from accumulating in the periphery of the spacer 30, and there are difficult conditions to withstand high pressure breakdown.

이와 같이, FED의 스페이서는 전술한 필요조건들을 동시에 만족하도록 선택되어야만 하는데 형태적인 면에서 현재까지 가장 많이 사용되고 있는 방식은 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같은 포스트 타입(Post Type)의 스페이서(30)이다.As such, the spacer of the FED should be selected to satisfy the above requirements simultaneously. The most widely used method so far in form is a post type spacer 30 as shown in FIGS. 4 and 5. )to be.

도 4 및 도 5는 저전압형 FED의 스페이서(30)가 구비된 FED를 제조하는 방법을 설명하기 위한 사시도 및 단면도이다.4 and 5 are a perspective view and a cross-sectional view for explaining a method for manufacturing a FED with a spacer 30 of a low voltage type FED.

도 4 및 도 5에서 스페이서(30)는 별도로 유리나 세라믹 화합물 등을 이용하여 포스트 형태로 가늘고 길게 제작된다. 이렇게 제작된 스페이서(30)는 양극판(28)에서 컨트라스트(Contrast) 확보를 위하여 형성된 블랙매트릭스(Black Matrix)(40) 사이에 마련된 라인형태의 홈(42)에 설치되게 된다. 도 4 및 도 5에서 양극판(28)은 상부유리(22) 위에 형성된 양극(24)과, 양극(24) 위에 형성된 적(R), 녹(G), 청(B) 형광체(26)와, 형광체(26) 사이에 형성된 크롬(Cr)층(38)과, 형광체(26)를 둘러싸도록 크롬층(38) 위에 형성된 블랙매트릭스(40)를 구성으로 한다. 스페이서(30)는 블랙매트릭스(40) 사이에 마련된 홈(34)에 픽셀단위로 배치된 후 전술한 양극판(28)과 도 1 및 도 2에 도시된 음극판(26)을 얼라인먼트(Alignment)시켜 합착하게 된다.In FIGS. 4 and 5, the spacer 30 is manufactured to be thin and long in the form of a post using glass or a ceramic compound. The spacer 30 manufactured as described above is installed in the groove 42 of a line shape provided between the black matrix 40 formed to secure the contrast in the positive electrode plate 28. 4 and 5, the anode plate 28 includes an anode 24 formed on the upper glass 22, red (R), green (G) and blue (B) phosphors 26 formed on the anode 24, and The chromium (Cr) layer 38 formed between the phosphors 26 and the black matrix 40 formed on the chromium layer 38 so as to surround the phosphor 26 are comprised. The spacer 30 is arranged in the groove 34 provided between the black matrix 40 in units of pixels, and then the alignment is performed by aligning the positive electrode 28 and the negative electrode 26 shown in FIGS. 1 and 2. Done.

그런데, 이 포스트형의 스페이서(30)는 기계적인 강도가 충분하지 않아 도 5에 도시된 바와 같이 스페이서(30) 각각에서 흔들림 현상이 발생하여 정확하게 얼라인먼트(Alignment)되지 않는 경우가 발생하게 된다. 아울러, 이 포스트형 스페이서(30)는 개별적으로 배치되어야 하므로 공정수가 많아 양산 수율이 떨어지는 단점이 있다.However, since the post-shaped spacer 30 is not sufficiently mechanical in strength, a shake phenomenon occurs in each of the spacers 30 as shown in FIG. 5, and thus the alignment is not accurately aligned. In addition, since the post-type spacers 30 are to be disposed separately, there is a disadvantage in that the mass production yield is low because of the large number of processes.

또한, 고전압형 FED에 적용되는 스페이서(30)는 그의 폭 대 높이의 비(Aspect Ratio)가 저전압형 보다 커야 하는데 유리 포스트로는 기계적인 강도를 확보하기가 힘들고 높은 폭 대 높이의 비(Aspect Ratio)를 구현하기가 쉽지 않은 문제점이 있다.In addition, the spacer 30 applied to the high voltage type FED has to have an aspect ratio of the width-to-height higher than that of the low-voltage type, and it is difficult to secure mechanical strength with the glass post, and the ratio of the width-to-height ratio is high. ) Is not easy to implement.

이를 위하여, 미국특허 제 5,532,548호와 제 5,424,605호에는 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이 세라믹 플레이트(Ceramic Plate)를 얇게 가공하여 플레이트를 세로로 세운 방법이 개시되어 있다.To this end, US Patent Nos. 5,532,548 and 5,424,605 disclose a method of vertically standing a plate by processing a ceramic plate (Ceramic Plate) as shown in Figs.

도 6 및 도 7은 고전압형 FED에 설치된 플레이트 타입의 스페이서(44)를 도시한 것이다.6 and 7 show a plate type spacer 44 installed in a high voltage FED.

도 6 및 도 7에 도시된 고전압형 FED에서 양극판(28)은 상부유리(22)에 형성된 적, 녹, 청 형광체(26)와, 형광체(26) 사이에 형성된 크롬층(38)과, 형광체(26)을 감싸도록 크롬층(38) 위에 형성된 블랙매트릭스(40)와, 형광체(26) 및 블랙매트릭스(40) 위에 도포된 양극(22)을 구성으로 한다. 이러한 구조의 양극판(28)의 블랙매트릭스(40) 사이에 마련된 홈에 플레이트 타입의 스페이서(44)가 각각 설치된 후 상기 양극판(28)과 도 3에 도시된 음극판(20)을 얼라인먼트시켜 합착시키게 된다.In the high voltage type FED shown in FIGS. 6 and 7, the positive electrode plate 28 includes red, green, and blue phosphors 26 formed on the upper glass 22, a chromium layer 38 formed between the phosphors 26, and a phosphor. The black matrix 40 formed on the chromium layer 38 so as to surround the 26 and the anode 22 coated on the phosphor 26 and the black matrix 40 are constituted. After the plate-type spacers 44 are installed in the grooves provided between the black matrices 40 of the positive electrode plate 28 having such a structure, the positive electrode plate 28 and the negative electrode plate 20 shown in FIG. 3 are aligned and bonded. .

그런데, 이 플레이트 타입의 스페이서(44)도 도 7에 도시된 바와 같이 각각에서 흔들림이 발생하여 정확하게 얼라인먼트되지 않는 경우가 발생하게 된다.By the way, this plate-type spacer 44, as shown in Fig. 7, also occurs in each of the shake does not occur correctly occurs.

이와 같이, 전술한 스페이서(30, 44)들은 모두가 비일체형 구조를 취함으로써 셀프-서포팅(Self-supporting)의 취약성이 지적될 수 있을 뿐만 아니라, 패키징(Packaging)시 음극판(20) 및 양극판(28) 사이에 부정확한 얼라인먼트를 유발할 가능성이 큰 문제점이 있다. 나아가, FED가 대면적으로 갈수록 전술한 문제점들은 더욱 심각하여 제작과 양산면에서 매우 불리하다는 문제점이 있다.As described above, the spacers 30 and 44 described above all have a non-integrated structure, so that the vulnerability of self-supporting can be pointed out, and the negative electrode plate 20 and the positive electrode plate (in packaging) can be pointed out. 28) There is a problem that is likely to cause inaccurate alignment in between. Furthermore, as the FED becomes larger and larger, the above-mentioned problems are more serious, and thus there is a problem that it is very disadvantageous in terms of production and mass production.

따라서, 본 발명의 목적은 감광성 유리를 사용하여 스페이서를 일체형으로 제작함으로써 미스얼라인먼트(Mis-alignment)를 방지할 수 있는 FED와 그의 스페이서 제조방법을 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a FED and a method for manufacturing the spacer thereof, which can prevent misalignment by integrally manufacturing the spacer using photosensitive glass.

본 발명의 다른 목적은 감광성 유리를 사용하여 스페이서를 일체형으로 제작함으로써 스페이서에 걸리는 높은 응력을 스페이서 벽(Spacer Wall) 전체폭으로 분산시켜 유리기판의 균열을 최소화할 수 있는 FED와 그의 스페이서 제조방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to fabricate the spacers integrally using photosensitive glass, thereby dispersing the high stress applied to the spacers over the entire width of the spacer wall to minimize the cracking of the glass substrate. To provide.

도 1은 종래의 저전압형 전계방출디스플레이의 기본 구조를 나타내는 단면도.1 is a cross-sectional view showing the basic structure of a conventional low voltage type field emission display.

도 2는 종래의 저전압형 전계방출디스플레이의 기본 구조를 나타내는 사시도.2 is a perspective view showing the basic structure of a conventional low voltage type field emission display.

도 3은 종래의 고전압형 전계방출디스플레이의 기본 구조를 나타내는 단면도.3 is a cross-sectional view showing the basic structure of a conventional high voltage type field emission display.

도 4는 종래의 저전압형 전계방출디스플레이용 스페이서를 나타낸 도면.4 is a view showing a spacer for a conventional low voltage type field emission display.

도 5는 도 4에 도시된 스페이서의 흔들림현상을 나타낸 도면.FIG. 5 is a view illustrating a shaking phenomenon of the spacer illustrated in FIG. 4. FIG.

도 6은 종래의 고전압형 전계방출디스플레이용 스페이서를 나타낸 도면.Figure 6 is a view showing a spacer for a conventional high voltage type field emission display.

도 7은 도 6에 도시된 스페이서의 흔들림현상을 나타낸 도면.FIG. 7 is a view illustrating a shaking phenomenon of the spacer illustrated in FIG. 6.

도 8a 내지 도 8f는 본 발명의 실시 예에 따른 전계방출디스플레이용 스페이서 제조방법을 단계적으로 나타낸 도면.8A to 8F are views showing step by step a spacer manufacturing method for a field emission display according to an embodiment of the present invention.

도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 스페이서가 적용된 전계방출디스플레이를 나타낸 사시도.9 is a perspective view showing a field emission display applied to the spacer according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 간단한 설명><Brief description of symbols for the main parts of the drawings>

10 : 하부유리 12 : 음극10: lower glass 12: cathode

14 : 이미터 16 : 절연층14 emitter 16 insulating layer

18 : 게이트전극 20 : 음극판18 gate electrode 20 negative electrode plate

22 : 상부유리 24 : 양극22: upper glass 24: anode

26 : 형광체 28 : 양극판26 phosphor 28 anode plate

30, 44 : 스페이서 32 : 진공공간30, 44: spacer 32: vacuum space

34 : 전자빔 36 : 포커싱전극34: electron beam 36: focusing electrode

38 : 크롬층 40 : 블랙매트릭스38: chromium layer 40: black matrix

42 : 홈 46 : 감광성유리42: groove 46: photosensitive glass

48 : 제1 마스크패턴 50 : 자외선48: first mask pattern 50: ultraviolet

52, 62 : 결정화 부분 54 : 1차적인 스페이서구조물52, 62: crystallization portion 54: primary spacer structure

56 : 픽셀홀 58 : 개구부56 pixel hole 58 opening

60 : 제2 마스크패턴 64 : 연결홈60: second mask pattern 64: connection groove

66 : 2차적인 스페이서구조물 68 : 게터66: secondary spacer structure 68: getter

상기 목적들을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 FED는 서로 대향하게 배치된 음극판 및 양극판 사이에 소정의 높이를 갖고 일체형으로 형성되며 일정 단위로 홀이 마련된 스페이서구조물을 구비하는 특징으로 한다.In order to achieve the above objects, the FED according to the present invention is characterized in that it comprises a spacer structure having a predetermined height and integrally formed between the negative electrode plate and the positive electrode plate disposed to face each other and provided with holes in a predetermined unit.

본 발명에 따른 FED 스페이서 제조방법은 감광성유리기판에 제1 마스크패턴과 포토리소그라피 공정을 이용하여 일정단위의 홀을 마련하는 단계와, 홀이 마련된 감광성유리기판에 제2 마스크패턴과 포토리소그라피 공정을 이용하여 홀들을 공간적으로 연결하는 연결홈을 마련하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to the present invention, there is provided a method of manufacturing a FED spacer using a first mask pattern and a photolithography process on a photosensitive glass substrate, and a second mask pattern and a photolithography process on a photosensitive glass substrate having a hole. It characterized in that it comprises the step of providing a connection groove for connecting the holes spatially.

상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 이점들은 첨부 도면을 참조한 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.Other objects and advantages of the present invention in addition to the above object will become apparent from the description of the preferred embodiment of the present invention with reference to the accompanying drawings.

이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 도 8a 내지 도 9를 참조하여 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 8A to 9.

도 8a 내지 도 8f는 본 발명의 실시 예에 따른 FED용 스페이서 제조방법을 단계적으로 나타낸 도면이다.8A through 8F are diagrams illustrating a method of manufacturing a spacer for an FED according to an embodiment of the present invention in stages.

도 8a를 참조하면, 감광성유리(46)와 그 위에 배치된 마스크패턴(48)이 도시되어 있다. 우선적으로, 스페이서 구조물을 형성하기 위한 감광성유리(46)를 마련한 후 감광성유리(46) 위에 원하는 모양의 개구부가 형성된 크롬(Cr) 재질의 마스크패턴(48)을 배치한다. 그 다음, 마스크패턴(48)을 통해 감광성유리(46)를 자외선(Ultraviolet)(50)에 노광시키게 된다. 통상, 자외선(50)의 파장은 280nm∼340nm 정도를 사용하고, 이러한 상용 자외선(50)에 노광될 수 있는 감광성유리(46)의 두께는 현재 2mm 정도까지 가능하므로 대부분의 FED용 스페이서로 적용될 수 있다.Referring to FIG. 8A, there is shown a photosensitive glass 46 and a mask pattern 48 disposed thereon. First, after preparing the photosensitive glass 46 for forming the spacer structure, a mask pattern 48 made of chromium (Cr) material having an opening having a desired shape is disposed on the photosensitive glass 46. Next, the photosensitive glass 46 is exposed to the ultraviolet ray 50 through the mask pattern 48. In general, the wavelength of the ultraviolet ray 50 is about 280nm to 340nm, and the thickness of the photosensitive glass 46 which can be exposed to the commercial ultraviolet ray 50 can be applied to most FED spacers because the thickness of the photosensitive glass 46 is currently about 2mm. have.

그 다음, 감광성유리(46)를 열처리함으로써 도 8b에 도시된 바와 같이 자외선(50)에 노출된 부분(52)이 결정화되도록 한다. 다시 말하여, 전술한 자외선 노광과정이 끝나면 마스크패턴(48)을 제거하고 자외선(50)이 조사된 감광성유리(46) 표면의 결정화를 위하여 감광성유리(46)를 400℃∼500℃에서 열처리한다. 이에 따라, 감광성유리(46)에서 자외선에 노광시 노출부분(52)에 형성된 은(Ag) 원자들의 뭉침이 형성되고 1∼10㎛의 직경을 가지는 고온의 결정들이 원자핵이 자리잡고 있던 부분(52)에서 형성되게 된다.The photosensitive glass 46 is then heat treated to cause the portion 52 exposed to the ultraviolet light 50 to crystallize, as shown in FIG. 8B. In other words, after the above-described ultraviolet exposure process is completed, the mask pattern 48 is removed and the photosensitive glass 46 is heat-treated at 400 ° C to 500 ° C for crystallization of the surface of the photosensitive glass 46 irradiated with the ultraviolet light 50. . Accordingly, in the photosensitive glass 46, agglomeration of silver (Ag) atoms formed in the exposed portion 52 upon exposure to ultraviolet rays is formed, and the high-temperature crystals having a diameter of 1 to 10 μm are formed on the portion 52 where the atomic nucleus is located. Will be formed.

이어서, 결정화된 부분(52)을 에칭하여 도 8c에 도시된 바와 같이 픽셀단위의 홀(이하, 픽셀홀이라 한다)(56)이 마련된 1차적인 스페이서구조물(54)을 형성한다. 이 1차적인 스페이서구조물(54)에서 픽셀홀(56)은 도 8b에 도시된 결정화된 부분(52)을 상온에서 HF 10%용액으로 완전이 에칭함으로써 형성된다.Subsequently, the crystallized portion 52 is etched to form a primary spacer structure 54 in which holes in pixels (hereinafter referred to as pixel holes) 56 are provided as shown in FIG. 8C. The pixel holes 56 in this primary spacer structure 54 are formed by fully etching the crystallized portion 52 shown in FIG. 8B with HF 10% solution at room temperature.

통상, FED는 패널의 내부가 적어도 10-6토르(Torr)의 고진공 상태를 유지해야 정상적으로 동작하는 특성을 가지기 때문에 패널의 내부의 진공유지가 중요하다. 여기서, 10-6토르라는 진공도는 거시적인 패널 내부의 평균진공도를 나타내는 기준이며 실제로 수많은 이미터가 모여 형성하는 하나의 서브-픽셀(Sub-pixel) 주위 진공도가 더욱 중요한 진공요소가 된다. 그러므로, 도 8c에 도시된 바와 같이 우물형태로 사방이 막인 1차적인 스페이서구조물(54)을 스페이서로 사용하는 경우 초기의 진공을 계속 유지할 수 없으며 반드시 패널 전체와 공간적으로 연결된 통로가 마련되어야만 패널의 가장자리 부근에 설치될 게터(Getter)의 배출작용을 받아서 진공도를 유지할 수 있게 된다. 이를 위하여, 1차적인 스페이서구조물(54)에는 각 픽셀홀(56)들을 공간적으로 연결하는 통로(이하, 연결홈이라 한다)를 더 형성할 필요가 있다.In general, the FED is important to maintain the vacuum inside the panel because the inside of the panel has a characteristic of operating normally only at a high vacuum of at least 10 -6 Torr. Here, the vacuum degree of 10 -6 Torr is a criterion for indicating the average vacuum degree in the macroscopic panel, and the vacuum degree around one sub-pixel, which is actually formed by a large number of emitters, becomes a more important vacuum element. Therefore, as shown in FIG. 8C, when the primary spacer structure 54, which is a film in all directions, is used as a spacer, an initial vacuum cannot be maintained and a passage connected to the entire panel must be provided. The vacuum degree can be maintained by the discharge action of the getter to be installed near the edge. To this end, it is necessary to further form a passage (hereinafter referred to as a connecting groove) for spatially connecting the pixel holes 56 in the primary spacer structure 54.

도 8d를 참조하면, 1차적인 스페이서구조물(54) 위에 연결홈들을 형성하기 위한 제2 마스크패턴(60)이 배치되어 있다. 이 제2 마스크패턴(60)은 1차적인 스페이서구조물(54)에 마련된 픽셀홀(56)들을 공간적으로 연결하는 연결홈을 형성하기 위한 것으로서 제2 마스크패턴(60)에 형성된 개구부(58)가 스페이서구조물(54)벽의 중간부분과 일치하도록 얼라인먼트되어 스페이서구조물(54) 위에 배치되게 된다. 그 다음, 제2 마스크패턴(60)의 개구부(58)을 통해 하부의 스페이서구조물(54)에 자외선(50)을 조사하게 된다.Referring to FIG. 8D, a second mask pattern 60 for forming connection grooves is disposed on the primary spacer structure 54. The second mask pattern 60 is for forming a connection groove for spatially connecting the pixel holes 56 provided in the primary spacer structure 54. The opening 58 formed in the second mask pattern 60 is formed. The spacer structure 54 is aligned with the middle portion of the wall to be disposed on the spacer structure 54. Subsequently, the ultraviolet rays 50 are irradiated to the lower spacer structure 54 through the openings 58 of the second mask pattern 60.

이어서, 제2 마스크패턴(60)을 제거한 후 도 8e에 도시된 바와 같이 자외선이 조사된 부분(62)이 결정화되도록 1차적인 스페이서구조물(54)을 열처리한다.Subsequently, after removing the second mask pattern 60, as shown in FIG. 8E, the primary spacer structure 54 is heat-treated to crystallize the portion 62 irradiated with ultraviolet rays.

이 결정화된 부분(62)을 에칭하여 도 8f에 도시된 바와 같이 픽셀단위의 픽셀홀(56)들을 공간적으로 연결하는 연결홈(64)이 형성된 2차적인 스페이서구조물(66)을 완성하게 된다. 이 연결홈(64)은 전술한 1차 에칭시 결정된 에칭비에 감광성유리가 완전히 에칭되어 관통되지 않는 조건을 계산하여 감광성유리 즉, 스페이서구조물(54) 두께의 약 50% 정도를 에칭함으로써 형성되게 된다.The crystallized portion 62 is etched to complete the secondary spacer structure 66 having the connection grooves 64 for spatially connecting the pixel holes 56 pixel by pixel as shown in FIG. 8F. The connecting groove 64 is formed by etching the photosensitive glass, that is, about 50% of the thickness of the spacer structure 54 by calculating a condition that the photosensitive glass is not completely etched through the etching ratio determined during the above-described primary etching. do.

여기서, 픽셀홀(56)과 연결홈(64)을 형성하기 위한 제1 및 제2 에칭시 픽셀홀(56)은 픽셀단위 또는 복수의 서브-픽셀을 포함하는 넓이로 형성될 수 있다. 다시 말하여, 픽셀홀(56)의 넓이는 스페이서구조물(66)과 상하부 유리기판의 응력분포의 계산에 따라 2차적인 스페이서구조물(66)과 유리기판의 접촉면적, 즉 2차적인 스페이서구조물(66) 벽의 폭(w)이 응력을 견뎌낼 수 있는 최소한의 크기로 설정될 수 있으므로 응력을 견뎌낼 수 있는 조건이면 크기가 크면 클수록 잔류가스 배출면에서 유리하게 된다.In the first and second etching processes for forming the pixel hole 56 and the connection groove 64, the pixel hole 56 may be formed in a unit size or a width including a plurality of sub-pixels. In other words, the width of the pixel hole 56 is the contact area between the secondary spacer structure 66 and the glass substrate according to the calculation of the stress distribution between the spacer structure 66 and the upper and lower glass substrates, that is, the secondary spacer structure ( 66) Since the width of the wall (w) can be set to the minimum size that can withstand the stress, the larger the size, the more advantageous the residual gas discharge in terms of the stress-bearing condition.

그리고, 도 9에 도시된 바와 같이 최종적인 스페이서구조물(66)은 별도의 공정에 의해 미리 준비된 양극판(28)과 음극판(20) 사이에 배치되어 얼라인먼트과정을 거친후 합착됨으로써 FED 패널이 완성되게 된다. 이 경우, 내부공간에 잔류하는 가스성분을 흡수하여 고진공 상태를 유지시키는 게터(68)는 음극판(20)에서 연결홈(64)들과 수직한 방향에 배치되게 된다.And, as shown in FIG. 9, the final spacer structure 66 is disposed between the anode plate 28 and the cathode plate 20 prepared in advance by a separate process to be bonded after undergoing an alignment process to complete the FED panel. . In this case, the getter 68 which absorbs the gas component remaining in the inner space and maintains a high vacuum state is disposed in a direction perpendicular to the connection grooves 64 in the negative electrode plate 20.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 FED와 그 스페이서 제조방법에 의하면 감광성유리를 이용하여 일체형의 스페이서구조물을 제작함으로써 기존의 개별 스페이서의 미스얼라인먼트 문제를 해결함과 동시에 개별 스페이서에 걸리는 높은 응력을 스페이서 구조물 전체로 분산시킴으로써 기판유리의 균열을 최소화할 수 있게 된다. 아울러, 본 발명에 따른 FED와 그 스페이서 제조방법에 의하면 일체형의 스페이서구조물을 제작함으로써 패널제작시 개개의 스페이서를 모두 얼라인하고 상판과 하판을 합착하는 과정에 소요되는 시간을 현저히 줄일 수 있으므로 양산과정에서 수율을 현격히 높일 수 있는 효과가 있다.As described above, according to the FED according to the present invention and the method for manufacturing the spacer, by fabricating an integrated spacer structure using photosensitive glass, while solving the problem of misalignment of the existing individual spacers and at the same time the high stress applied to the individual spacers By dispersing throughout the structure, cracking of the substrate glass can be minimized. In addition, according to the FED and the spacer manufacturing method according to the present invention by producing an integral spacer structure, the time required to align all the spacers and to significantly reduce the time required for bonding the upper plate and the lower plate when manufacturing the panel mass production process The effect is to increase the yield significantly.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.

Claims (6)

서로 대향하게 배치된 음극판 및 양극판 사이에 소정의 높이를 갖고 일체형으로 형성되며 일정 단위로 홀이 마련된 스페이서구조물을 구비하는 특징으로 하는 전계방출디스플레이.An electric field emission display comprising a spacer structure having a predetermined height between the cathode plates and the anode plates disposed to face each other and integrally formed with holes in predetermined units. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 포커싱구조물은 재질은 감광성유리인 것을 특징으로 하는 전계방출디스플레이.The focusing structure is a field emission display, characterized in that the material is photosensitive glass. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 음극판은The negative plate is 제1 기판 상에 형성된 음극과,A cathode formed on the first substrate, 상기 음극 위에 형성되어 전자를 방출하는 이미터와,An emitter formed on the cathode to emit electrons; 상기 이미터부의 전자방출량을 조절하는 게이트전극과,A gate electrode controlling an electron emission amount of the emitter unit; 상기 게이트전극과 이미터부의 절연을 위한 절연막을 구비하는 것을 특징으로 하는 전계방출디스플레이.And an insulating film for insulating the gate electrode and the emitter portion. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 음극판은The negative plate is 상기 이미터로부터 방출되는 전자빔을 집속하기 위한 포커싱전극을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 전계방출디스플레이.And a focusing electrode for focusing the electron beam emitted from the emitter. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 양극판은The positive plate is 제1 기판과 대향하게 배치된 제2 기판과,A second substrate disposed to face the first substrate, 상기 이미터로부터 방출된 전자빔을 가속시키기 위한 양극과,An anode for accelerating the electron beam emitted from the emitter, 상기 전자빔의 충돌에 의해 가시광을 방출하기 위한 형광체를 구비하는 것을 특징으로 하는 전계방출디스플레이.And a phosphor for emitting visible light by the collision of the electron beam. 감광성유리기판에 제1 마스크패턴과 포토리소그라피 공정을 이용하여 일정단위의 홀을 마련하는 단계와,Preparing holes in the photosensitive glass substrate by using a first mask pattern and a photolithography process; 상기 홀이 마련된 감광성유리기판에 제2 마스크패턴과 포토리소그라피 공정을 이용하여 상기 홀들을 공간적으로 연결하는 연결홈을 마련하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계방출디스플레이의 스페이서 제조방법.And forming a connection groove in the photosensitive glass substrate provided with the hole using a second mask pattern and a photolithography process to spatially connect the holes.
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