KR100292002B1 - Manufacturing method of field emission display device - Google Patents

Manufacturing method of field emission display device Download PDF

Info

Publication number
KR100292002B1
KR100292002B1 KR1019980057448A KR19980057448A KR100292002B1 KR 100292002 B1 KR100292002 B1 KR 100292002B1 KR 1019980057448 A KR1019980057448 A KR 1019980057448A KR 19980057448 A KR19980057448 A KR 19980057448A KR 100292002 B1 KR100292002 B1 KR 100292002B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
sphere
forming
anode electrode
upper substrate
phosphor
Prior art date
Application number
KR1019980057448A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20000041548A (en
Inventor
성운철
고익환
이교웅
고영욱
Original Assignee
박종섭
현대전자산업주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 박종섭, 현대전자산업주식회사 filed Critical 박종섭
Priority to KR1019980057448A priority Critical patent/KR100292002B1/en
Publication of KR20000041548A publication Critical patent/KR20000041548A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100292002B1 publication Critical patent/KR100292002B1/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/022Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
    • H01J9/025Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/31Processing objects on a macro-scale
    • H01J2237/3151Etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2329/00Electron emission display panels, e.g. field emission display panels
    • H01J2329/18Luminescent screens
    • H01J2329/32Means associated with discontinuous arrangements of the luminescent material
    • H01J2329/323Black matrix

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)

Abstract

본 발명은 오정렬 없이 형광체 또는 블랙 매트릭스 형성할 수 있는 전계 방출 표시 소자의 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명은, 상부 기판의 소정 부분을 소정 깊이만큼 식각하여 구를 형성하는 단계와, 상기 상부 기판 표면 및 구 표면에 애노드 전극을 형성하는 단계와, 상기 구 내부의 애노드 전극 상에 형광체를 도포하는 단계, 및 상기 상부 기판 표면의 애노드 전극 상부에 블랙 매트릭스를 형성하는 단계를 포함한다.The present invention discloses a method of manufacturing a field emission display device capable of forming a phosphor or a black matrix without misalignment. According to the present invention, a method of forming a sphere by etching a predetermined portion of an upper substrate to a predetermined depth, forming an anode electrode on the upper substrate surface and the sphere surface, and applying a phosphor on the anode electrode inside the sphere And forming a black matrix on top of the anode electrode on the upper substrate surface.

Description

전계 방출 표시 소자의 제조방법Manufacturing method of field emission display device

본 발명은 전계 방출 표시 소자의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 형광체와 블랙 매트릭스를 형성할 때, 용이하게 얼라인하여 형성할 수 있는 전계 방출 표시 소자의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a field emission display device, and more particularly, to a method for manufacturing a field emission display device that can be easily aligned and formed when forming a phosphor and a black matrix.

일반적으로 전계 방출 표시 소자(Field Emission Display device)는 전자총(electron gun), 마이크로 웨이브 튜브(microwave tubes), 이온 소스(ion source), 스캐닝 터널링 마이크로스코프(scanning tunneling microscope)등의 장치에 표시 패널로 이용된다.Field emission display devices are typically used as display panels in devices such as electron guns, microwave tubes, ion sources, scanning tunneling microscopes, and the like. Is used.

이러한 종래의 전계 방출 표시 소자는 도 1에 도시된 바와 같이, 하부 기판(1)상에 스트라이프 상태로 캐소드 전극(2)이 형성되고, 캐소드 전극(2) 상부에는 원추형의 팁(3)이 형성된다.In the conventional field emission display device, as illustrated in FIG. 1, the cathode electrode 2 is formed on the lower substrate 1 in a stripe state, and a conical tip 3 is formed on the cathode electrode 2. do.

이 하부 기판(1)과 대향하는 상부 기판(10)의 내측면에는 애노드 전극(11)이 스트라이프 형태로 ITO 물질로 형성되고, 애노드 전극(11) 상부에는 일정한 규칙으로 R, G, B 형광체(12)가 프린트된다. 또한, 형광체(12) 사이에는 블랙 매트릭스(13)가 형성되어, 형광체(12)간의 색섞임을 방지한다.An anode electrode 11 is formed of an ITO material in a stripe shape on the inner surface of the upper substrate 10 facing the lower substrate 1, and R, G, and B phosphors are formed on the anode electrode 11 by a predetermined rule. 12) is printed. In addition, a black matrix 13 is formed between the phosphors 12 to prevent color mixing between the phosphors 12.

하부 기판(1)과 상부 기판(10) 사이에는 스페이서(15)가 개재되어, 두 기판(1,10)간의 간격을 유지시킨다.A spacer 15 is interposed between the lower substrate 1 and the upper substrate 10 to maintain a gap between the two substrates 1 and 10.

이러한 구성을 갖는 전계 방출소자는 캐소드 전극(2)의 팁(4)으로부터 가속된 전자는 형광체(12)를 여기시켜서, 발광을 일으킨다.In the field emission device having such a configuration, electrons accelerated from the tip 4 of the cathode electrode 2 excite the phosphor 12 to generate light.

상기한 전계 방출 표시 소자는 블랙 매트릭스를 먼저 형성한다음, 블랙 매트릭스로 둘러싸인 공간에 형광체를 충진하거나, 형광체를 먼저 형성한다음, 형광체 외곽에 블랙 매트릭스를 형성한다.The field emission display device first forms a black matrix, and then fills a phosphor in a space surrounded by the black matrix, or forms a phosphor first, and then forms a black matrix outside the phosphor.

그러나, 형광체 또는 블랙 매트릭스를 형성할 때, 후공정시 정확한 얼라인이 어려워, 오정렬이 발생된다.However, when forming the phosphor or black matrix, accurate alignment is difficult during the post-processing, so that misalignment occurs.

따라서, 본 발명의 목적은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 오정렬 없이 형광체 또는 블랙 매트릭스 형성할 수 있는 전계 방출 표시 소자의 제조방법을 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to solve the above-mentioned problems and to provide a method of manufacturing a field emission display device capable of forming a phosphor or a black matrix without misalignment.

도 1은 종래의 전계 방출 표시 소자의 단면도.1 is a cross-sectional view of a conventional field emission display device.

도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 일 실시예에 따른 전계 방출 표시 소자의 단면도.2A to 2D are cross-sectional views of a field emission display device according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 다른 실시예를 설명하기 위한 전계 방출 표시 소자의 단면도.3 is a cross-sectional view of a field emission display device for explaining another embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 또 다른 실시예를 설명하기 위한 전계 방출 표시 소자의 단면도.4 is a cross-sectional view of a field emission display device for explaining another embodiment of the present invention.

(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)(Explanation of symbols for the main parts of the drawing)

20,30,40 - 기판 21,31,41 - 애노드 전극20,30,40-Substrate 21,31,41-Anode Electrode

22,32,43 - 형광체 23,33,42 - 블랙 매트릭스22,32,43-Phosphor 23,33,42-Black Matrix

상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 상부 기판의 소정 부분을 소정 깊이만큼 식각하여 구를 형성하는 단계와, 상기 상부 기판 표면 및 구 표면에 애노드 전극을 형성하는 단계와, 상기 구 내부의 애노드 전극 상에 형광체를 도포하는 단계, 및 상기 상부 기판 표면의 애노드 전극 상부에 블랙 매트릭스를 형성하는 단계를 포함한다.In order to achieve the above object of the present invention, the present invention comprises the steps of forming a sphere by etching a predetermined portion of the upper substrate to a predetermined depth, forming an anode electrode on the upper substrate surface and the sphere surface, the sphere Applying a phosphor on an internal anode electrode, and forming a black matrix on the anode electrode of the upper substrate surface.

또한, 본 발명은, 상부 기판 상부에 블랙 염료가 포함된 절연막을 증착하는 단계와, 상기 블랙 염료가 포함된 절연막의 소정 부분을 식각하여 홀을 형성하는 단계와, 상기 홀 저면에 애노드 전극을 형성하는 단계, 및 상기 애노드 전극 상부에 형광체를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the present invention includes depositing an insulating film containing a black dye on the upper substrate, forming a hole by etching a portion of the insulating film containing the black dye, and forming an anode on the bottom of the hole And forming a phosphor on the anode electrode.

또한, 본 발명은 상부 기판의 소정 부분을 소정 깊이만큼 식각하여 구를 형성하는 단계와, 상기 상부 기판 표면 및 구 표면에 애노드 전극을 형성하는 단계와, 상기 구 내부의 애노드 전극 상에 블랙 매트릭스를 형성하는 단계, 및 상기 상부 기판 표면의 애노드 전극 상부에 형광체를 형성하는 단계를 포함한다.The present invention also provides a method of forming a sphere by etching a predetermined portion of an upper substrate to a predetermined depth, forming an anode electrode on the upper substrate surface and the sphere surface, and forming a black matrix on the anode electrode inside the sphere. And forming a phosphor on the anode electrode on the upper substrate surface.

이때, 상기 구 및 홀은 역 메사 형태로 형성되는 것을 특징으로 한다.At this time, the sphere and the hole is characterized in that formed in the reverse mesa shape.

본 발명에 의하면, 블랙 매트릭스와 형광체를 서로 다른 표면에 형성되도록 하여, 블랙 매트릭스와 형광체 제작시 오정렬 없이 형성되도록 한다.According to the present invention, the black matrix and the phosphor are formed on different surfaces, so that the black matrix and the phosphor are formed without misalignment.

또한, 블랙 매트릭스와 형광체가 서로 다른 표면에 형성됨에 따라, 하부 기판으로부터 전자 방출시 인접 형광체에 영향이 가해지지 않는다.In addition, as the black matrix and the phosphor are formed on different surfaces, no influence is applied to the adjacent phosphor upon electron emission from the lower substrate.

(실시예)(Example)

이하 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시예를 자세히 설명하도록 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

첨부한 도면 도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 일 실시예에 따른 전계 방출 표시 소자의 단면도이고, 도 3은 본 발명의 다른 실시예를 설명하기 위한 전계 방출 표시 소자의 단면도이고, 도 4는 본 발명의 또 다른 실시예를 설명하기 위한 전계 방출 표시 소자의 단면도이다. 참고로, 상기 도면들에서는 상부 기판 구조에 대하여만 설명하였으며, 하부 기판은 종래 또는 일반적인 전계 방출 표시 소자의 전극 배치와 동일하다.2A to 2D are cross-sectional views of a field emission display device according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a cross-sectional view of a field emission display device for explaining another embodiment of the present invention, and FIG. A cross-sectional view of a field emission display device for explaining another embodiment of the invention. For reference, only the upper substrate structure is described in the above drawings, and the lower substrate is the same as the electrode arrangement of a conventional or general field emission display device.

도 2a를 참조하여, 글래스 재질로 된 상부 기판(20)을 습식 식각 용액 예를들어, 실리콘 산화막, 실리콘 질산화막등을 식각하는 식각 용액으로, 소정 부분을 소정 깊이만큼 식각하여 역 메사(mesa) 형태의 구(溝: H)를 형성한다. 이때, 구(H)가 형성되는 부분은 형광체가 형성될 부분이다.Referring to FIG. 2A, the upper substrate 20 made of glass is a wet etching solution, for example, an etching solution for etching a silicon oxide film, a silicon nitride oxide film, or the like, and a predetermined portion is etched by a predetermined depth to reverse mesa. Form a sphere (溝: H). At this time, the portion where the sphere (H) is formed is a portion where the phosphor is to be formed.

그후, 도 2b에 도시된 바와 같이, 상부 기판(20) 상부 및 구(H)의 저면에 ITO층을 전자선 증착방식, 스퍼터링 방식에 의하여 증착하여, 애노드 전극(21)을 형성한다.Thereafter, as illustrated in FIG. 2B, an ITO layer is deposited on the upper surface of the upper substrate 20 and the bottom of the sphere H by an electron beam deposition method or a sputtering method to form an anode electrode 21.

그다음, 도 2c에서와 같이, 전기 영동법을 이용하여, 구(H)내의 애노드 전극(21)의 표면에 R,G,B 형광체(22)를 일정 규칙에 맞춰 형성한다.Then, as shown in FIG. 2C, R, G, and B phosphors 22 are formed on the surface of the anode electrode 21 in the sphere H in accordance with a predetermined rule by using electrophoresis.

이어서, 도 2d에 도시된 바와 같이, 로울러 증착 장비를 이용하여, 상부 기판(20)상의 애노드 전극(21) 표면에 블랙 매트릭스(23)을 형성한다.Subsequently, as illustrated in FIG. 2D, a black matrix 23 is formed on the surface of the anode electrode 21 on the upper substrate 20 using a roller deposition equipment.

이에따라, 블랙 매트릭스(23) 형성시 오정렬이 발생되지 않고 용이하게 형성할 수 있다.Accordingly, when the black matrix 23 is formed, misalignment does not occur and can be easily formed.

도 3은 본 발명의 다른 실시예를 설명하기 위한 것으로, 상부 기판(30) 상부에 블랙 염료가 포함된 절연막(31)을 소정 두께로 증착한다음, 이 블랙 염료가 포함된 절연막(31)을 역 메사 형태로 패터닝하여 홀(H1)을 형성한다. 그다음, 전자빔 증착법에 의하여 홀(H1) 저면의 기판(30) 상부에 ITO 물질로 애노드 전극(32)을 형성하고, 애노드 전극(32) 상부에 형광체(33)를 전기 영동법으로 형성한다. 이에따라, 오정렬없이 형광체 및 블랙 매트릭스를 형성할 수 있다.3 is a view for explaining another embodiment of the present invention. After depositing an insulating film 31 including a black dye on the upper substrate 30 to a predetermined thickness, the insulating film 31 including the black dye is deposited. Patterned in inverse mesa form to form hole H1. Next, an anode electrode 32 is formed of an ITO material on the substrate 30 on the bottom of the hole H1 by electron beam deposition, and a phosphor 33 is formed on the anode electrode 32 by electrophoresis. Accordingly, the phosphor and the black matrix can be formed without misalignment.

도 4는 상기 일 실시예와 동일하게, 상부 기판(40)을 소정 깊이만큼 역 메사 형태로 패터닝하여, 구(H2)를 형성한다. 그다음, 상부 기판(40)의 상부 및 구(H2)의 저면에 상기한 방법과 동일하게 애노드 전극(41)을 형성한다. 그리고나서, 구(H3)내의 애노드 전극(41) 상부에 블랙 매트릭스(42)를 형성하고, 상부 기판(40) 상부의 애노드 전극(41) 상부에 형광체(43)를 형성한다.4, in the same manner as in the above embodiment, the upper substrate 40 is patterned in a reverse mesa shape by a predetermined depth to form a sphere H2. Then, the anode electrode 41 is formed on the top of the upper substrate 40 and on the bottom of the sphere H2 in the same manner as described above. Then, the black matrix 42 is formed on the anode electrode 41 in the sphere H3, and the phosphor 43 is formed on the anode electrode 41 on the upper substrate 40.

이상에서 자세히 설명된 바와 같이, 본 발명에 의하면, 블랙 매트릭스와 형광체를 서로 다른 표면에 형성되도록 하여, 블랙 매트릭스와 형광체 제작시 오정렬 없이 형성되도록 한다.As described in detail above, according to the present invention, the black matrix and the phosphor are formed on different surfaces, so that the black matrix and the phosphor are formed without misalignment.

또한, 블랙 매트릭스와 형광체가 서로 다른 표면에 형성됨에 따라, 하부 기판으로부터 전자 방출시 인접 형광체에 영향이 가해지지 않는다.In addition, as the black matrix and the phosphor are formed on different surfaces, no influence is applied to the adjacent phosphor upon electron emission from the lower substrate.

기타, 본 발명은 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.In addition, this invention can be implemented in various changes within the range which does not deviate from the summary.

Claims (7)

상부 기판의 소정 부분을 소정 깊이만큼 식각하여 구를 형성하는 단계;Etching a predetermined portion of the upper substrate to a predetermined depth to form a sphere; 상기 상부 기판 표면 및 구 표면에 애노드 전극을 형성하는 단계;Forming an anode electrode on the upper substrate surface and the sphere surface; 상기 구 내부의 애노드 전극 상에 형광체를 도포하는 단계; 및Applying a phosphor on an anode electrode inside the sphere; And 상기 상부 기판 표면의 애노드 전극 상부에 블랙 매트릭스를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시 소자의 제조방법.And forming a black matrix on the anode of the upper substrate surface. 제 1 항에 있어서, 상기 구는 역 메사 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시 소자의 제조방법.The method of claim 1, wherein the sphere is formed in an inverted mesa shape. 제 1 항에 있어서, 상기 애노드 전극은 ITO 금속막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시 소자의 제조방법.The method of manufacturing a field emission display device according to claim 1, wherein the anode electrode is formed of an ITO metal film. 상부 기판 상부에 블랙 염료가 포함된 절연막을 증착하는 단계;Depositing an insulating film including a black dye on the upper substrate; 상기 블랙 염료가 포함된 절연막의 소정 부분을 식각하여 홀을 형성하는 단계;Etching a predetermined portion of the insulating film including the black dye to form a hole; 상기 홀 저면에 애노드 전극을 형성하는 단계; 및Forming an anode on the bottom of the hole; And 상기 애노드 전극 상부에 형광체를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시 소자의 제조방법.And forming a phosphor on the anode electrode. 제 4 항에 있어서, 상기 블랙 염료가 포함된 절연막을 소정 부분 식각하여 홀을 형성하는 단계시, 상기 홀의 측벽이 역 메사 형태가 되도록 식각하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시 소자의 제조방법.The method of claim 4, wherein the forming of the hole by etching a portion of the insulating layer including the black dye is performed by etching the sidewalls of the hole to form an inverted mesa shape. 상부 기판의 소정 부분을 소정 깊이만큼 식각하여 구를 형성하는 단계;Etching a predetermined portion of the upper substrate to a predetermined depth to form a sphere; 상기 상부 기판 표면 및 구 표면에 애노드 전극을 형성하는 단계;Forming an anode electrode on the upper substrate surface and the sphere surface; 상기 구 내부의 애노드 전극 상에 블랙 매트릭스를 형성하는 단계; 및Forming a black matrix on an anode electrode inside the sphere; And 상기 상부 기판 표면의 애노드 전극 상부에 형광체를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시 소자의 제조방법.And forming a phosphor on the anode electrode on the surface of the upper substrate. 제 6 항에 있어서, 상기 구는 역 메사 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시 소자의 제조방법.7. The method of claim 6, wherein the sphere is formed in an inverted mesa shape.
KR1019980057448A 1998-12-23 1998-12-23 Manufacturing method of field emission display device KR100292002B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019980057448A KR100292002B1 (en) 1998-12-23 1998-12-23 Manufacturing method of field emission display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019980057448A KR100292002B1 (en) 1998-12-23 1998-12-23 Manufacturing method of field emission display device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20000041548A KR20000041548A (en) 2000-07-15
KR100292002B1 true KR100292002B1 (en) 2001-07-12

Family

ID=19564788

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019980057448A KR100292002B1 (en) 1998-12-23 1998-12-23 Manufacturing method of field emission display device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100292002B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100375225B1 (en) * 2001-01-02 2003-03-08 엘지전자 주식회사 black matrix and the manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
KR20000041548A (en) 2000-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7541732B2 (en) Electron emission with electron emission regions on cathode electrodes
EP0936650A1 (en) Electron emission device and method of manufacturing the same
US20060022577A1 (en) Electron emission device and method for manufacturing
KR20010062703A (en) Field emission cathode, electron emission device and electron emission device manufacturing method
KR20020085787A (en) Display device
KR100292002B1 (en) Manufacturing method of field emission display device
KR100542318B1 (en) Field emission display device and method for manufacturing the same
KR100322966B1 (en) method of manufacturing field emission display device
KR100405971B1 (en) Structure and formation method for focusing electrode in field emssion display
TW486709B (en) Field emission display cathode panel with inner via and its manufacturing method
KR100278439B1 (en) Field emission indicator
KR100319379B1 (en) Method for manufacturing field emission display device having focusing lens
KR100343212B1 (en) Horizontal field emission display and fabricating method thereof
KR940011723B1 (en) Method of manufacturing fed
KR100464295B1 (en) Field emission display device and manufacturing method
KR100260259B1 (en) Method of manufacturing fed
JP2005116231A (en) Manufacturing method of cold cathode field electron emission display device
KR100434554B1 (en) Method for manufacturing field effect electron emission device, including steps of forming first insulating layer by pecvd process and forming second insulating layer by screen printing process
KR100393107B1 (en) An electrode construction of field emission display
KR100238708B1 (en) A manufacturing method of a flat panel display
KR20010046794A (en) Field emission display device having focusing electrode and manufacturing method thereof and focusing method of electron beam using the same
KR19980022879A (en) Manufacturing method of triode type FED
KR20010003752A (en) Method of manufacturing field emission display device
KR20000039655A (en) Field emission display
KR20000014697A (en) Field emission display device and the manufacturing method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130315

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140218

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150216

Year of fee payment: 15

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160222

Year of fee payment: 16

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170220

Year of fee payment: 17

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180222

Year of fee payment: 18

EXPY Expiration of term