KR100220692B1 - The fabrication method for thin film actuated mirror array - Google Patents
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Abstract
본 발명은 캔틸레버 구조의 액츄에이터의 내측 굴곡부의 형상을 결정하는 희생층의 일측단부(상부 모서리)에 경사면을 갖도록 한 박막형 광로조절장치의 제조방법에 관한 것으로, 구동 기판상에 희생층을 형성하는 단계와, 상기 희생층의 일측단부(상부 모서리)를 제거하는 단계와, 상기 희생층상에 멤브레인, 하부 전극, 변형부 및 상부 전극을 형성시키고 상기 희생층을 제거하는 단계를 구비함으로써 액츄에이터 구동시 내측 굴곡부의 응력 집중을 완화시켜 액츄에이터의 수명을 연장할 수 있는 유용한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a thin film type optical path adjusting device having a sloped surface at one side (upper edge) of a sacrificial layer for determining the shape of an inner curved portion of an actuator having a cantilever structure, Forming a sacrificial layer on the sacrificial layer; removing the sacrificial layer; removing one side end (upper edge) of the sacrificial layer; and forming a membrane, a lower electrode, a deformed portion, and an upper electrode on the sacrificial layer, And the life of the actuator can be prolonged.
Description
본 발명은 박막형 광로조절장치의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 캔틸레버 구조의 액츄에이터의 내측 굴곡부의 형상을 결정하는 희생층의 일측단부(상부 모서리)에 경사면을 갖도록 한 박막형 광로조절장치의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a manufacturing method of a thin film type optical path adjusting device, and more particularly, to a thin film type optical path adjusting device having an inclined surface at one end (upper edge) of a sacrifice layer for determining the shape of an inner curved portion of an actuator having a cantilever structure ≪ / RTI >
화상 표시장치는 표시방법에 따라, 직시형 화상 표시장치와 투사형 화상 표시장치로 구분된다. 직시형 화상 표시장치는 CRT(Cathode Ray Tube)등이 있는데, 이러한 CRT 화상 표시 장치는 화질은 좋은나 화면이 커짐에 따라 중량 및 두께의 증대와, 가격이 비싸지는 문제점이 있어 대화면을 구비하는데 한계가 있다.An image display apparatus is classified into a direct view type image display apparatus and a projection image display apparatus according to a display method. The direct-view type image display device has a CRT (Cathode Ray Tube) or the like. Such a CRT image display device has a problem that the weight and thickness increase and the price becomes higher as the image quality of the image becomes good, have.
투사형 화상 표시장치로서 액정표시장치(Liquid Crystal Display )는 박형화가 가능하여 중량을 작게 하면서 대화면을 구현할수는 있으나, 이러한 액정표시장치는 편광판에 의한 광의 손실이 크고 액정표시화면을 구동하기 위한 박형 트랜지스터가 화소마다 형성되어 개구율(광의 투과면적)을 넓이는데 한계가 있다.As a projection type image display apparatus, a liquid crystal display (Liquid Crystal Display) can be thinned to realize a large screen while reducing the weight. However, such a liquid crystal display apparatus is disadvantageous in that a loss of light due to a polarizing plate is large, (Transmissive area of light) is widened.
특히, 액츄에이티드 미러 어레이(Actuated Mirror Arrays : 이하 'AMA'라 약칭함)를 이용한 투사형 화상표시장치는 광원에서 발광된 백색광을 적색, 녹색 및 청색의 광으로 분리한 후, 광을 액츄에이터들로 이루어진 광로조절장치의 구동에 의해 기울어지는 거울에 각각 반사시켜 광의 양을 조절할 수 있도록 광로(Light Path)를 변경시켜 화면에 투사시킴으로써 화면에 화상이 나타나도록 하는 것이다.In particular, a projection type image display device using an actuated mirror array (hereinafter abbreviated as 'AMA') separates white light emitted from a light source into red, green and blue light, The light paths are reflected on a mirror that is tilted by the driving of the optical path adjusting device, and the light path is changed so that the amount of light can be adjusted so that an image is displayed on the screen by projecting the light path.
상기에서 액츄에이터는 압전 또는 전왜세라믹으로 이루어진 변형부가 인가되는 전압에 의해 전계를 발생시켜 변형되는 것을 이용하여 거울을 기울게 한다.In this case, the actuator generates an electric field by a voltage applied to a deformed portion made of a piezoelectric or electrostrictive ceramic, and tilts the mirror using the deformed portion.
또한, 액츄에이터는 변형부의 형태에 따라 벌크형(Bulk Type)과 박막형(Thin Film Type)으로 구분된다.In addition, the actuator is classified into a bulky type and a thin film type according to the shape of the deformed portion.
상기 벌크형은 다층 세라믹을 얇게 잘라 내부에 금속전극이 형성된 세라믹 웨이퍼(Ceramic Wafer)를 구동 기판에 실장한 후 쏘잉(Sawing)등으로 가공하고 거울을 실장한다.In the bulk type, a ceramic wafer, on which a metal electrode is formed by cutting a thin layer of a multilayer ceramic, is mounted on a driving substrate and then processed by sawing or the like, and a mirror is mounted.
그러나, 벌크형 액츄에이터는 액츄에이터들을 쏘잉에 의해 분리하여야 하므로 긴 공정시간이 필요하며, 또한, 변형부의 응답 속도가 느린 문제점이 있었다.However, since the bulk actuator needs to separate the actuators by sawing, a long process time is required and the response speed of the deformed part is slow.
따라서, 반도체 공정을 이용하여 제조할 수 있는 박막형(Thin Film type)액츄에이터가 개발되었다.Accordingly, a thin film type actuator that can be manufactured using a semiconductor process has been developed.
도 1은 종래의 박막형 광로조절장치를 보인 단면도로서,구동기판(51) 및 다수개의 액츄에이터(52)로 구성된다. 구동기판(51)은 유리 또는 알루미나 등의 절연물질이나, 실리콘 등의 반도체로 이루어지며 구동기판(51) 내부에는 트랜지스터가 매트릭스 형태로 내장되어 있으며, 구동기판(51)의 표면에는 트랜지스터를 외부와 전기적으로 연결하는 패드(53)가 형성되어 있다.FIG. 1 is a cross-sectional view of a conventional thin film type optical path adjusting apparatus, which is composed of a driving substrate 51 and a plurality of actuators 52. The drive substrate 51 is made of insulating material such as glass or alumina or a semiconductor such as silicon. Transistors are embedded in the drive substrate 51 in the form of a matrix. On the surface of the drive substrate 51, And a pad 53 electrically connected thereto is formed.
또한, 구동기판의 상면에는 순차적으로 적층된 다수의 절연층 및 도전층을 구비한 액츄에이터(52)의 일단부가 구동기판(51)으로부터 소정간격으로 이격된 캔틸레버(Ccantilever) 구조로 형성 된다.In addition, an actuator 52 having a plurality of insulating layers and conductive layers sequentially stacked on the upper surface of the driving substrate is formed with a cantilever structure in which one end of the driving substrate is spaced apart from the driving substrate 51 by a predetermined distance.
그런데 이와같은 종래의 액츄에이터는 수직방향으로 입설된 지지부(54)와 지지부(55)에 의해 수평방향으로 지지되는 구동부가 일체로 형성된 것으로, 특히 지지부와 구동부의 내측 경계를 이루는 굴곡부에 응력이 집중되어 균열이 발생되는 문제가 있었다.However, in such a conventional actuator as described above, the support portion 54 installed in the vertical direction and the drive portion supported in the horizontal direction by the support portion 55 are integrally formed. In particular, stress is concentrated on the bent portion forming the inner boundary between the support portion and the drive portion There was a problem that cracks were generated.
종래에도 굴곡부의 응력집중을 방지할 수 있도록 고온에서 진행되는 리플로우 공정을 통해 굴곡부의 스트레스를 완화시키는 방법이 제안되어 있으나, 고온에서 진행되는 리플로우 공정은 구동기판에 내장된 MOS 트랜지스터를 손상시킬 수 있는 문제를 수반하는 문제점이 있었다.Conventionally, there has been proposed a method of relieving stress at a bent portion through a reflow process at a high temperature so as to prevent stress concentration at a bent portion. However, a reflow process at a high temperature may damage a MOS transistor embedded in a driving substrate There is a problem that accompanies the problem.
본 발명의 목적은 상기와 같은 종래의 문제점을 해소시키기 위하여 액츄에이터의 지지부와 구동부의 내측 경계를 이루는 굴곡부를 완만하게 형성함으로써 굴곡부에 응력이 집중되는 것을 방지할 수 있는 광로조절장치의 희생층 패턴방법을 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a sacrificial layer patterning method of an optical path adjusting apparatus capable of preventing stress concentration on a curved portion by gently forming a curved portion forming an inner boundary between a support portion and a driving portion of the actuator, .
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 MOS 트랜지스터로부터 화상신호가 인가되는 패드가 복수개 형성된 구동 기판상에 보호층 및 식각 스톱층을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 식각 스톱층상에 희생층을 형성하는 단계와, 상기 희생층의 일측단부(상부 모서리)를 제거하는 경사에칭단계와, 상기 희생층상에 멤브레인, 하부 전극, 변형부 및 상부 전극을 형성시키고 상기 희생층을 제거하는 단계를 구비하는 광로조절장치의 제조방법을 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: sequentially forming a protective layer and an etching stop layer on a driving substrate having a plurality of pads to which image signals are applied from a MOS transistor; (Upper edge) of the sacrificial layer; and forming a membrane, a lower electrode, a deformed portion, and an upper electrode on the sacrificial layer and removing the sacrificial layer, A method of manufacturing a regulating device is provided.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 경사에칭(Taper Etching) 단계는 스퍼터링 에칭된다.According to an embodiment of the present invention, the taper etching step is sputter-etched.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 스퍼터링 에칭은 희생층 재료인 PSG와 화학적 반응이 없는 아르곤 가스(Ar)나 산소가스(O2)를 사용한다.According to an embodiment of the present invention, the sputtering etching uses argon gas (Ar) or oxygen gas (O 2 ) without chemical reaction with PSG which is a sacrificial layer material.
도 1은 종래의 광로조절장치를 보인 단면도.1 is a sectional view showing a conventional optical path adjusting device.
도 2는 본 발명에 따른 광로조절장치를 보인 단면도.2 is a sectional view showing an optical path adjusting apparatus according to the present invention.
도 3A내지 3E는 본 발명에 따른 제조방법을 보인 공정도.3A to 3E are process drawings showing a manufacturing method according to the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호 설명DESCRIPTION OF REFERENCE NUMERALS
10 : 구동 기판 12 : 보호층10: driving substrate 12: protective layer
14 : 식각 스톱층 16 : 희생층14: etch stop layer 16: sacrificial layer
18 : 멤브레인 20 : 하부전극18: Membrane 20: Lower electrode
22 : 변형부 24 : 상부전극22: deformation portion 24: upper electrode
26 : 경사면26:
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명에 따른 광로조절장치를 보인 단면도이며, 도 3A 내지 3B는 본 발명에 따른 광로조절장치 제조 방법을 순차적으로 도시한 공정도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view of an optical path adjusting apparatus according to the present invention, and FIGS. 3A to 3B are process charts sequentially illustrating an optical path adjusting apparatus manufacturing method according to the present invention.
본 발명은 MOS 트랜지스터로부터 화상신호가 인가되는 패드가 복수개 형성된 구동 기판(10)상에 보호층(12) 및 식각 스톱층(14)을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 식각 스톱층(14)상에 소정 형상의 희생층(16)을 형성하는 단계와, 상기 희생층(16)의 일측단부(상부 모서리)에 경사면(26)을 형성하는 경사에칭단계와, 상기 희생층(16)상에 멤브레인(18), 하부 전극(20), 변형부(22) 및 상부 전극(24)을 형성하는 단계와, 상기 희생층(16)을 제거하는 단계를 포함하여 이루어진다.The present invention provides a method of manufacturing a semiconductor device comprising the steps of sequentially forming a protective layer 12 and an etching stop layer 14 on a substrate 10 on which a plurality of pads to which image signals are applied from MOS transistors are formed, Forming a sacrificial layer (16) having a predetermined shape on the sacrificial layer (16), forming a slope (26) at one side end (upper edge) of the sacrificial layer (16) (18), a lower electrode (20), a deformed portion (22) and an upper electrode (24), and removing the sacrificial layer (16).
먼저, 도 3A를 참조하면, 반도체 집적 회로 제조 공정에 의하여 구동 기판(10)상에는 MOS와 같은 트랜지스터로 이루어진 복수개의 능동 소자(도시 생략된)가 매트릭스 구조로 형성되어 있으며, 이 후에 수행되는 증착 공정의 고온 분위기하에서 상기 복수개의 능동 소자가 외부로부터 화학적 또는 물리적 손상을 받는 것을 방지시키기 위하여, PSG 재질의 보호층(12)을 약 1㎛ 정도 형성시킨다.Referring to FIG. 3A, a plurality of active elements (not shown) made of transistors such as MOSs are formed in a matrix structure on a driving substrate 10 by a semiconductor integrated circuit manufacturing process, A protective layer 12 made of PSG is formed to have a thickness of about 1 탆 in order to prevent the active elements from being chemically or physically damaged from the outside in a high-temperature atmosphere.
한편, 상기 보호층(12)상에 불산 용액에 대한 내식성이 양호한 절연 물질을 저압 화학 기상 증착 공정(LPCVD) 또는 플라즈마 화학 기상 증착 공정(PECVD)에 의하여 소정 두께로 적층시킴으로서 식각 스톱층(14)을 형성시킨다.An insulating material having a good corrosion resistance to a hydrofluoric acid solution is laminated on the protective layer 12 to a predetermined thickness by a low pressure chemical vapor deposition process (LPCVD) or a plasma chemical vapor deposition process (PECVD) .
이때, 본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 식각 스톱층(14)을 구성하는 절연 물질은 양호한 절연 특성을 나타낼 수 있을 뿐만 아니라 상기된 바와 같이 불산(HF) 용액에 대한 내식성이 양호한 실리콘 질화물(Si3N4) 조성으로 이루어진다.According to an embodiment of the present invention, the insulating material constituting the etch stop layer 14 may not only exhibit a good insulating property but also be a silicon nitride having good corrosion resistance to a hydrofluoric acid (HF) solution Si 3 N 4 ) composition.
한편, 상기 식각 스톱층(14)상에 PSG 또는 다결정 실리콘을 스핀 온 코팅 공정(Spin-on Coating)과 같은 물리기상증착공정(PVD:Phisical Vapour Depositio n) 또는 화학기상증착공정 (CVD:Chemical Vapour Deposition)에 의하여 희생층(16 ; Sacrificial Layer)을 1∼2 ㎛ 두께로 적층시킨다.On the other hand, PSG or polycrystalline silicon is deposited on the etch stop layer 14 by a physical vapor deposition process (PVD) such as a spin-on coating process or a chemical vapor deposition process (Sacrificial layer 16) is deposited to a thickness of 1 to 2 탆 by a deposition method (e.g., Deposition).
한편, 소정 두께로 형성된 상기 희생층(16)상에 포토 레지스트(PR)를 소정 두께로 도포시켜서 감광층(17)을 형성시킨 후, 포토 리쏘그래피 공정(Photo Lithography)에 의하여 상기 감광층(17)을 소정 형상으로 패터닝시키고 상기 감광층(17)의 패턴을 통하여 노출된 상기 희생층(341)의 일부를 제거하여 패드를 포함한 주변이 노출되도록 소정 형상을 갖는 희생층(16)이 형성된다.On the other hand, a photoresist PR is applied on the sacrificial layer 16 to a predetermined thickness to form a photosensitive layer 17, and then the photosensitive layer 17 is formed by photolithography, ) Is patterned into a predetermined shape and a part of the sacrificial layer 341 exposed through the pattern of the photosensitive layer 17 is removed to form a sacrificial layer 16 having a predetermined shape such that the periphery including the pad is exposed.
상기와 같이 희생층(16)의 일부가 제거됨으로 인해 노출된 희생층(16)의 양단에는 모서리가 형성되며, 특히 일측 모서리는 이후 공정을 통해 다수의 절연층 및 도전층이 적층되어 형성되는 캔틸레버 구조의 내측면과 대응하는 형상을 이루게 되며, 이 굴곡되는 내측면에는 캔틸레버의 자유단부의 하중 및 구동시 응력이 집중되므로 경사에칭(Tapper Etching)을 통해 완만한 경사면(26)을 형성하는 것이 필요하다.Since the sacrificial layer 16 is partially removed as described above, both ends of the exposed sacrificial layer 16 are formed with corners. Particularly, at one corner, a plurality of insulating layers and a conductive layer are stacked, And the stress on the free end of the cantilever is concentrated on the curved inner side surface. Therefore, it is necessary to form a gentle inclined surface 26 through tapper etching Do.
한편 상기 희생층(16)은 SiO2결정구조를 이루고 있으며, 특히 모서리 부분은 결정구조가 구조적으로 취약하여 아르곤 가스나 산소가스를 고속으로 주입하여 스터터링 에칭하면 모서리 부분의 SiO2결정구조가 파괴되면서 스퍼터 일드(Sputter Yield)가 45°방향으로 일어나면서 모서리 부분이 다른 부분에 비해 빠르게 에칭되어 경사에칭이 진행된다.On the other hand, the sacrificial layer 16 has a SiO 2 crystal structure. In particular, since the crystal structure of the corner portion is structurally weak, the SiO 2 crystal structure at the corner portion is destroyed by injecting argon gas or oxygen gas at a high rate, As the sputter yield occurs in the 45 ° direction, the edge portion is etched faster than the other portions, and the oblique etching proceeds.
여기서, 경사에칭에 사용되는 가스는 PSG와 화학적 반응을 일으키지 않는 아르곤 가스나 산소를 사용하며, 식각정도(Etch Rate)는 플라즈마 장치의 전원이 높을수록, 압력이 낮을수록 크게 나타나며, 분자량이 적은 산소보다는 분자량이 큰 아르곤 가스를 사용할 때 높게 나타나는 반면에, 경사에칭되는 경사도는 패턴의 모서리 부분이 다른 부분에 비해 높은 식각정도를 가질수록 우수하게 나타나는데, 아르곤 가스보다는 산소가스가 우수하며, 플라즈마의 밀도가 높은 식각장비를 사용할수록 45°에 가까운 경사도를 나타낸다.Here, the gas used for the oblique etching uses argon gas or oxygen which does not cause a chemical reaction with the PSG, and the etch rate is higher as the power of the plasma apparatus is higher and as the pressure is lower, , The inclination angle of inclined etching is superior to that of the other portions when the edge portion of the pattern has a higher etching degree than the argon gas, and the oxygen gas is superior to the argon gas, and the plasma density The higher the etching rate, the closer to 45 deg.
이와같이 경사면(26)을 갖는 희생층(16)을 포함하는 구동기판(10)의 상면에 양호한 절연 특성을 나타낼 수 있을 뿐만 아니라 불산(HF) 용액에 대한 내성이 양호한 실리콘 질화물(SiNx)로 이루어진 멤브레인(18)을 0.1∼1 ㎛ 두께로 적층한다.(SiN x ) having a good resistance to hydrofluoric acid (HF) solution as well as a good insulating property on the upper surface of the driving substrate 10 including the sacrificial layer 16 having the inclined plane 26 The membrane 18 is laminated to a thickness of 0.1 to 1 mu m.
따라서, 상기 일측단부(상부 모서리)에 경사면(26)을 갖는 희생층(16) 상면에 증착되는 멤브레인(18)은 내측 굴곡부가 상기 경사면(26)과 대응되는 형상으로 완만하게 형성된다.Therefore, the membrane 18 deposited on the sacrificial layer 16 having the inclined surface 26 at one end (upper edge) is gently formed in a shape corresponding to the inclined surface 26 with the inner bent portion.
또한, 상기 멤브레인(18)상에 백금 또는 알루미늄과 같은 도전성 금속을 스퍼터링 증착 공정에 의하여 소정 두께로 적층시켜서 하부 전극(20)을 형성시킨다.A conductive metal such as platinum or aluminum is laminated on the membrane 18 to a predetermined thickness by a sputtering deposition process to form the lower electrode 20.
이어서 상기 하부 전극(20)상에 압전 특성을 나타내는 Pb(Zr,Ti)O3, (Pb,La)(Zr,Ti)O3조성의 압전 세라믹 또는 Pb(Mg,Nb)O3조성의 전왜 세라믹 등의 세라믹 조성물을 스퍼터링 증착 공정, 또는 졸-겔 공정에 의하여 0.1∼1 ㎛ 두께로 적층시킴으로서 변형부(22)를 형성한다.Next, the piezoelectric ceramic or Pb (Mg, Nb) O 3 composition of the Pb (Zr, Ti) O 3 , (Pb, La) (Zr, Ti) O 3 composition exhibiting piezoelectric characteristics on the lower electrode 20 Ceramic or the like is laminated to a thickness of 0.1 to 1 mu m by a sputtering deposition process or a sol-gel process to form a deformed portion 22. [
한편, 상기 변형부(22)를 구성하고 있는 상기 세라믹 조성물을 급가열 공정(Rapid Thermal Annealing)에 의하여 열처리시킴으로서 상변이시켜 상기 변형부(22)는 제어 시스템으로부터 인가되는 전기장에 의하여 외형이 변하게 되는 압전 특성을 양호하게 나타낸다.On the other hand, the ceramic composition constituting the deformed portion 22 is heat-treated by rapid thermal annealing so that the deformed portion 22 is deformed by the electric field applied by the control system And exhibits satisfactory piezoelectric characteristics.
이어서 상기 변형부(22)상에 전기 전도도 및 반사 특성이 양호한 알루미늄, 백금 또는 티타늄과 같은 금속을 소정 두께로 증착시켜 상부 전극(24)을 형성시키며 이러한 상부 전극(24)은 공통 전극으로 작용한다.Subsequently, a metal such as aluminum, platinum or titanium having a good electrical conductivity and reflection property is deposited on the deformed portion 22 to a predetermined thickness to form an upper electrode 24, which acts as a common electrode .
이와같이 일측단부(상부 모서리)에 경사면(26)을 갖는 희생층(16)상에 멤브레인(18), 하부 전극(20), 변형부(22) 및 상부 전극(24)을 순차적으로 적층시킨 후 소정 형상으로 패터닝시킴으로서 액츄에이터가 형성된다.The membrane 18, the lower electrode 20, the deformed portion 22, and the upper electrode 24 are sequentially stacked on the sacrificial layer 16 having the inclined surface 26 at one end (upper edge) The actuator is formed.
한편, 불산(HF)을 함유하는 에칭 용액을 사용하는 습식 식각 공정에 의하여 상기 희생층(16)을 식각 제거하여 상기 액츄에이터의 구동부가 상기 구동 기판(10)으로부터 소정 간격으로 이격된 상태로 유지되는 캔틸레버 형상으로 형성된다.On the other hand, the sacrifice layer 16 is etched away by a wet etching process using an etching solution containing hydrofluoric acid (HF), so that the driving portion of the actuator is kept spaced apart from the driving substrate 10 by a predetermined distance And is formed in a cantilever shape.
미설명부호 28은 보호막으로서, 희생층 식각공정시 액츄에이터의 측면을 보호하기 위한 것이다.Reference numeral 28 denotes a protective film for protecting the side surface of the actuator during the sacrificial layer etching process.
이때, 상기 식각 스톱층(14)을 구성하는 실리콘 질화물은 상기된 바와 같은 습식 식각 공정의 수행시 불산 용액에 대한 내성을 구비하고 있으므로 상기 보호층(12)을 구성하는 PSG는 상기 불산 용액에 의해서 화학적 손상을 받지 않게 되며, 그 결과 상기 보호층(14)은 패드에 대하여 양호한 절연 특성을 나타낸다.Since the silicon nitride constituting the etch stop layer 14 has resistance to the hydrofluoric acid solution during the wet etching process as described above, the PSG constituting the passivation layer 12 is etched by the hydrofluoric acid solution So that the protective layer 14 exhibits good insulating properties with respect to the pad.
따라서, 본 발명의 일실시예에 따라서 제작된 광로조절장치의 액츄에이터는 제어 시스템으로부터 상기 하부 전극에 전기적 신호가 인가됨과 동시에 상기 변형부가 압전 특성에 의한 변형을 하게되어 캔틸레버의 자유단부를 구동시킴으로서 빛의 광로를 조절하게 된다.Therefore, in the actuator of the optical path adjusting device manufactured according to the embodiment of the present invention, the electrical signal is applied from the control system to the lower electrode, and at the same time, the deformed portion deforms by the piezoelectric characteristics, thereby driving the free end of the cantilever, As shown in FIG.
특히, 액츄에이터의 내측 굴곡부는 급격한 굴곡을 대신하여 완만한 경사면(26)을 갖도록 형성되어 응력의 집중 및 균열을 방지할 수 있게 된다.Particularly, the inner bent portion of the actuator is formed to have a gentle slope 26 instead of abrupt bending, so that stress concentration and cracking can be prevented.
이상, 상기 내용은 본 발명의 바람직한 일실시예를 단지 예시한 것으로 본 발명이 속하는 분야의 당업자는 본 발명의 요지를 변경시킴이 없이 본 발명에 대한 수정 및 변경을 가할 수 있다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments.
따라서, 본 발명은 액츄에이터의 내측 굴곡부에 해당하는 희생층에 경사면을 갖도록하여 액츄에이터의 내측 굴곡부가 완만하게 형성됨으로써 액츄에이터 작용시 응력의 집중을 완화시켜 액츄에이터의 수명을 연장할 수 있는 유용한 것이다.Therefore, the present invention is advantageous in that the sacrificial layer corresponding to the inner bent portion of the actuator has an inclined surface and the inner bent portion of the actuator is gently formed, thereby relieving stress concentration during operation of the actuator and extending the life of the actuator.
Claims (4)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960042753A KR100220692B1 (en) | 1996-09-25 | 1996-09-25 | The fabrication method for thin film actuated mirror array |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960042753A KR100220692B1 (en) | 1996-09-25 | 1996-09-25 | The fabrication method for thin film actuated mirror array |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19980023297A KR19980023297A (en) | 1998-07-06 |
| KR100220692B1 true KR100220692B1 (en) | 1999-09-15 |
Family
ID=19475514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960042753A KR100220692B1 (en) | 1996-09-25 | 1996-09-25 | The fabrication method for thin film actuated mirror array |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100220692B1 (en) |
-
1996
- 1996-09-25 KR KR1019960042753A patent/KR100220692B1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19980023297A (en) | 1998-07-06 |
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