KR100213589B1 - 나프토퀴논 디아지드 설폰산 혼합 에스테르를 함유하는 조성물 및 이를 사용하여 제조한 감방사선 기록 물질 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 물에는 불용성이지만 알칼리 수용액 중에서는 가용성이거나 적어도 팽윤될 수 있는 수지 결합제, 1개 이상의 감방사선성 화합물 및 임의의 가교결합제를 함유한 감방사선성 조성물에 관한 것이다. 감방사선성 화합물은 a) 방향족 하이드록실 그룹을 2내지 6개 함유한 화합물, b) 환치환된(o-나프토퀴논 2-디아지드)-4-설폰산(디아조 화합물 D1) 및 c)더 이상 치환되지 않는 (o-나트로퀴논 2-디아지드)-4- 또는 -5-설폰산(디아조 화합물 D2) 및/또는 비감방사선성 유기산(화합물 Do)(여기서 D1: (D2및/또는 Do)몰 비율은 0.1 : 1 내지 30 : 1 이다)으로 이루어진 에스테르이다.

Description

나프토퀴논 디아지드 설폰산 혼합 에스테르를 함유하는 조성물 및 이를 사용하여 제조한 감방사선 기록물질
본 발명은 물에 불용성이지만, 알칼리성 수용액에서는 가용성이거나 적어도 팽윤될 수 있는 수지 결합제 및 1개 이상의 감방사선(radiation-sensitive)화합물을 함유하는 감방사선 조성물에 관한 것이다.
표준 복사물질의 감방사선 층은 필수적으로 알칼리 가용성 크레졸 포름알데하이드 노볼락과 감방사선 화합물, 예를 들면 1,2-벤조 - 또는 o-나프토퀴논 2-다이지드 유도체와의 혼합물로 이루어진다. 노볼락은 그 자체가 알칼리성 수용액에 용해되지만, 감방선 o-퀴논 디아지드 화합물은 용액 억제제로서 작용한다. 층을 화학선에 상이 형성되도록 노출시키면, 감방사선 디아조카보닐 화합물은 케텐 중간체를 거쳐 카복실산으로 전환된다. 카복실산은 알칼리성 수용액에 쉽게 용해되고, 결과적으로, 또한 노볼락의 용해도를 증가시킨다. 노볼락의 제조 방법은 예를 들면 문헌[참조 : A. Knop and W. Scheib in Chemitry and Application of Phenol Resins, chapter, 4. Springer, New York 1979]에 기술되어 있다.
복사층의 노출된 영역은 알칼리성 현상액에 용해되는 반면에, 노출되지 않은 영역은 본질적으로 변하지 않고 그대로 유지되며, 결과적으로 층 지지체 위에 마스터의 포지티브 릴리프 상이 형성된다.
그러나, 위에서 기술한 용해도 거동은 또한 역전될 수 있다. 이를 위해. 기록층을 상이 형성되도록 조사한 후에 열처리한다. 이런 상황하에서, 층의 수지 분자는 광에 의해 영향을 받은 영역에서 가교결합한다. 경화라고 하는 공정은 일반적으로 노출 동안 o-퀴논 디아지드로부터 생성된 산의 영향하에서, 열처리하는 동안에 가교결합하여, 결과적으로, 경화를 일으키는 가교결합제를 필요로 한다. 경화하는 동안에, 열처리를 o-퀴논 디아지드의 분해 온도 미만의 온도에서 수행한다. 열처리는 조사(irradiation)하거나, 뜨거운 가스 스트림 속으로 도입하거나, 가열된 로울러와 같은 가열된 표면과 접촉시키거나, 물과 같은 불활성 액체의 가열욕 속에 침지시킴으로써 수행할 수 있다. 온도는 일반적으로 100 내지 150℃, 바람직하게는 90 내지 130℃이다.
유효한 가교결합제는 통상적으로 위에서 기술한 산 및 온도 조건하에서 쉽게 카보늄 이온을 형성하는 화합물이다. 이들의 예로는 DE-A 제 33 25002호(=US-A 제4,581,321호)에 따른 헥사메틸올-멜라민 에테르 및 EP-A제0212 482호 기술된 화합물, 예를 들면 1,4-비스하이드록시메틸벤젠 및 4,4'-비스메톡시메틸 디페닐 에테르(여기서, 이들은 2개 이상의 방향족적으로 결합딘 하이드록시메틸 또는 알콕시메틸 그룹을 함유한다)이다. US-A제4,404,272호에 따른 2,6-비스하이드록시메틸-4-메틸페놀도 또한 가교결합제로서 공지되어 있다.
열처리한 후, 포토레지스트 층은 일반적으로 전면 노출(투광 노출(flood exposure))시켜서 여전히 감방사선성인 층 영역이 완전히 알칼리-가용성으로 되게 한다.
투광 노출은 또한 통상적으로 영상 노출에 사용한 광원과 동일한 광원을 사용하여 수행한다.
투광 노출한 다음, 현상은 통상적으로 포지티브식 포토레지스트를 현상하는데 사용되는 알칼리성 수용액들 중의 하나로 수행한다. 이들은, 예를들면, 수산화나트륨, 테트라메틸암모늄, 하이드록사이드, 트리메틸(하이드록시에틸)암모늄 하이드록사이드, 알칼리-금속 포스페이트, 알칼리-금속 실리케이트 또는 알칼리-금속 카보네이트의 수용액인데, 이들 용액은 습윤제 또는 상당히 소량의 유기 용매를 함유할 수 있다. 현상하는 동안, 최초 상 노출시 광에 의해 영향받지 않은 층 영역은 세척 제거되어, 그 결과로서 마스터의 네가티브 레지스트 상이 수득된다.
대부분의 경우, 노출 및 현상된 레지스트 물질을 부식제로 처리하며, 이 과정에서 부식제는 단지 비상 영역(non-image region)의 층 지지체에만 작용할 수 있다. 이런 방식으로, 포지티브식 복사층의 경우 층 지지체 위에 네가티브 부식 상이 형성되고, 네가티브식 복사층의 경우 포지티브 부식 상이 형성된다.
위에서 기술한 공정에 의해서 층 지지체 위에 형성된 복사층의 포지티브 또는 네가티브 릴리프 상은 다양한 용도, 특히 노즐 마스크로서 또는 마이크로 전자공학에서의 반도체 부품 생산에서의 상(image)으로서, 활판 인쇄, 그라비아(gravure) 인쇄 또는 석판 인쇄용 인쇄형으로서 적합하고, 또한 전기도금 공정에서 니켈 회전 실린더의 생산에도 적합하다.
포토레지스트 층과 같은 복사층의 상업적 적합성은 특히 감방사선성. 현상성 및 상 콘트라스트, 해상도 및 층 지지체에 대한 접착도를 기준으로 하여 평가한다.
조성물의 높은 감방사선성은 마이크로전자 회로 또는 마이크로전자 부품의 제조에서, 특히 웨이퍼의 소위 인-라인(in-line) 처리(여기서, 웨이퍼의 처리량은 최장 지속 공정 단계에 의해 결정된다)에서 중요한 인자이다. 지금까지는 비교적 긴 노출시간이 필요했기 때문에 노출장비 처리량이 제한요인이었다. 노출장비 순환 시간은, 특히 단색광 조사 및 초단파 화학선을 사용하여 조사하는 경우, 너무 길며, 이로 인해 생산률이 지나치게 저하된다.
레지스트 해상도는 노출에 사용된 마스크의 가장 미세한 선 및 간극조차도 재현할 수 있는 포토레지스트 시스템의 능력에 관한 것이며, 노출 및 현상된 영역은 고도의 모서리 경사도 및 선명도를 나타내야 한다.
많은 기술적 응용 분야에서, 특히 마이크로 전자공학에서 반도체 부품의 생산에서, 매우 작은 선 및 간극 폭(1㎛)이 재현되어야 하기 때문에, 포토레지스트는 특히 높은 해상도를 성취해야만 한다. 1㎛이하 정도로 가장 작은 세부를 재현하는 능력은 규소 칩 및 유사한 부품 위에 집적 회로를 대규모로 생산하는데 있어서 가장 중요하다. 사진 공정을 사용하는 경우, 이러한 칩 위의 집적 밀도는 포토레지스트의 해상력을 높임으로써 증가시킬 수 있다.
한 분자내에 다수의 감방사선 라디칼을 함유하는 광활성 화합물이 포토레지스트 속에 존재할 경우, 혼합물 속의 감방사선 성분이 증가하기 때문에 포토레지스트의 해상도가 증가하는 것으로 공지되어 있다[참조 : P. Trefonas Ⅲ and B. K. Daniels. New Principle ofr Image Enhancement in Single Layer Positive Photoresiste SPIE Advances in Resist Technology and Processing IV, 771 (1987). 194-210; P. Trefonas Ⅲ. B. K. Daniels and R. L. Fischer, Photoresist Design for Submicron Optical Lithography : Application of Poly-photolysis. Solid State Technology 30(1987). 131-137].
EP-A제0 244 762호 및 제0 244 763호에 기술된 혼합 에스테르를 사용할 경우, 해상도가 향상되는 것이 관찰될 수 있다. DE-A 제38 37 500호는 석판 응용 분야에서 환 치환된 나프토퀴논 디아지드 유도체의 우수성을 보여준다. 그러나, 임의로 치환된(o-나프토퀴논 2-디아지드)-4- 또는 5-설폰산과 3개 이상의 방향족 하이드록실 그룹을 갖는 화합물과의 에스테르는 종종 표준 용매 중에서 용해도가 심하게 낮아서, 이러한 에스테르를 사용하여 제조한 레지스트는 아직은 충분한 해상도를 갖지 못한다.
그러므로, 본 발명의 목적은, 감방사선성이 향상되고 산업에서 사용되는 용매 속에서의 용해도가 개선된 신규한 조성물을 제공하는 것이다.
이러한 목적은 감방사선 성분으로서 a) 방향족 하이드록실 그룹을 2 내지 6개 함유하는 화합물, b) 환 치환된(o-나프토퀴논 2-디아지드)-4-설폰산(디아조 화합물 D1) 및 c) 더 이상 치환되지 않는(o-나프토퀴논 2-디아지드)-4- 또는 5-설폰산(디아조 화합물 D2) 및/또는 비감방사선 유기산(화합물 Do)[여기서, D1 :(D2및/또는 Do) 몰 비는 0.1 : 1 내지 30 : 1이다]으로 이루어진 에스테르를 함유하는 조성물에 의해서 성취된다. 에스테르 및 이들의 제조법은 공계류중인 독일 특허원 제 P 41 11 443.4호(Hoe 91/K 014)에 기술되어 있다. 알칼리 가용성 결합제로는 노볼락, 폴리(비닐페놀) 또는 폴리(비닐알킬페놀)이 바람직하다.
감방사선 조성물은 통상적으로 유기 용매중 용액의 형태로 지지체 물질에 도포한다. 사용할 수 있는 용매의 예로는 글리콜 에테르, 예를 들면 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 또는 모노에틸 에테르 및 또한 이들의 아세테이트(예 : 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트), 에스테르(예 : 에틸 또는부틸 아세테이트), 케톤(예 : 메틸 에틸 케톤, 사이클로펜타논 및 사이 클로헥사) 및 또한 방향족 탄화수소(예 : 톨루엔 및 크실렌올)이다. 이들 용매의 혼합물도 사용할 수 있다.
조성물 속의 결합제의 양은, 통상적으로 감방사선 조성물 속의 고체성분의 총 중량을 기준으로 하여 약 15 내지 99중량%. 바람직하게는 약 50 내지 97중량%, 특히 바람직하게는 약 63 내지 93중량%이다.
감방사선 화합물의 양은 조성물 속의 고체 성분의 총 중량을 기준으로 하여 약 1내지 50중량%, 바람직하게는 약 3 내지 35중량% 이다.
감방사선 조성물의 용액을 제조하기 위해. 결합제 및 감방사선성 화합물을 용매 비율을 약 40 내지 90중량%, 바람직하게는 약 60 내지 85중량%로 제공하기에 충분한 양의 용매와 혼합한다.
층 지지체에 도포하기 전에, 감방사선 용액에 첨가제, 예를 들면, 가교결합제, 염료, 균염제, 가소제, 접착 촉진제, 현상 촉진제 및 비이온성 계면활성제와 같은 계면활성제를 가할 수 있다.
사용할 수 있는 염료에는, 예를 들면, EP-A 제0 707 445호 또는 DE-A WP37 35 852호에 따른 메틸 바이올렛 2B(C. I. 42 535). 크리스탈 바이올렛 (C. I. 42 555). 말라카이트 그린(C. I. 42 000). 빅토리아 블루 B(C. I. 44 045). 뉴트랄 레드(C. I. 50 040). 코우마린 염료 및 스티릴 염료가 있다. 이들 염료는 결합제 및 감방사선 화합물의 총 중량을 기준으로 하여 1 내지 10중량%의 양으로 첨가한다.
균염제는 결합제 및 감방사선 화합물의 총 중량을 기준으로 하여 5중량% 이하의 양으로 사용할 수 있다.
적합한 가소제는, 예를 들면, 인산-트리((β-코로에틸)-에스테르. 스테아르산, 디캄퍼, 폴리프로필렌, 아세탈 수지, 페녹시 수지 및 알키드 수지이며, 이들은 결합제 및 감방사선 화합물의 충 중량을 기준으로 하여 1 내지 10중량%의 양으로 첨가할 수 있다. 첨가되는 가소제는 조성물의 피복 특성을 개선시키고 층 지지체에 조성물을 평할하고 균일한 두께의 층으로 도포할 수 있게 한다.
조성물이 지지체에 접착되는 것을 개선시키기 위해 사용될 수 있는 접착 촉진제는 특정 규소 유기 화합물, 예를 들면, 3-아미노프로필-트리에톡시실란을 결합제 및 감방사선 화합물의 총 중량을 기준으로 4중량% 이하의 양으로 포함한다.
현상 촉진제는 결합제 및 감방사선 화합물의 총 중량을 기준으로 하여 20중량% 이하의 양으로 첨가할 수 있는 방향족 카복실산 또는 방향족 풀리하이드록시 화합물, 예를 들면, 풀리하이드록시벤조페논, 피크르산, 니코틴산 및 니트로신남산을 포함한다. 이들 촉진제는 노출된 부분과 노출되지 않은 부분 둘 다에서 감방사선 층의 용해도를 증가시킨다.
그러므로, 현상 속도가 가장 중요시되는 용도에 현상 촉진제가 사용된다. 촉진제의 첨가로 인해, 층의 노출된 부분이 현상제에 의해 더 빨리 용해되지만, 동시에 현상 촉진제는 노출되지 않은 부분으로부터의 층을 비교적 다량으로 손실시키는데, 이것은 콘트라스트의 손실이 발생할 수 있음을 의미한다.
적합한 비이온성 계면활성제는, 예를 들면, 풀리에틸렌글리콜-모노-노닐페닐 에테르. 폴리에틸렌 글리콜-모노-옥틸페닐 에테르 및 폴리에틸렌 글리콜-모노-디노닐페닐 에테르이며, 이들은 결합제 및 감방사선 화합물의 종중량의 10중량% 이하의 양으로 사용된다.
적합한 가교결합제는 EP-A 및 0 212 482호 및 US-A 제4,404,272호에 기술되어 있다. 이러한 가교결합제는 통상적으로 네가티브식 포토레지스트와 같은 네가티브식 층에 사용하기 위한 감방사선 조성물에 첨가된다. 가교결합제는 주로 한 분자내에 2개 이상의 하이드록시메틸 또는 알콕시메틸 그룹을 함유하는 방향족 화합물, 예를 들면 1,2-비스-하이드록시 메틸벤젠, 1,2-비스-메톡시메틸벤젠, 1,2-비스-하이드록시메틸푸란, 2,6-비스-하이드록시메틸-4-메틸아니솔, 1,4-비스-(α-하이드록벤질)벤젠, 2.5-디메틸-1,4-비스-하이드록시메틸벤젠. 4.4'-비스-하이드록시메틸디페닐에테르. 4,4'-디메톡시-디페닐, 2.6-비스-하이드록시메틸-4-메톡시 또는 -4-에톡시페놀, 4.4'-비스-메톡시메틸디페닐 에테르 및 에폭시-크레솔 노볼락 수지 및 또한 알콕시메틸멜라민 유도체를 포함한다. 특히 바람직하게는 2.6-비스-하이드록시메틸-4-메틸, -4-에틸, 4-프로필, -4-이소프로필, -4-n-부틸, -4-3급-부틸 및 -4-(2-페닐-2-프로필)-페놀이다.
가교결합제는 감방사선 조성물의 총 고체 함량을 기준으로 하여 1.5 내지 20중량%의 양으로 사용될 수 있다.
산의 존재하에 승온에서, 결합제 분자는 이들 가교결합제에 의해 가교결합되는데, 즉 감방사선 층이 경화된다. 층을 경화시키는데 필요한 산은 감방사선 화합물의 광반응의 결과로서 형성된다.
본 발명의 감방사선 조성물은 용액 속에서 안정성 개선 및 보존성 개선을 나타낸다. 해상도는 선행 기술의 감방사선 조성물에 비해 더 우수하다.
본 발명은 또한 필수적으로 층 지지체 및 위에서 기술한 유형의 조성물로 형성된 감방사선층을 포함하는 감방사선 기록물질 및 기록물질의 제조방법에 관한 것이다.
적합한 지지체 물질은, 예를 들면 규소, 알루미늄 또는 중합체성 수지, 산화규소, 도핑된 산화규소, 질화규소, 탄탈, 구리, 폴리규소, 세라믹 및 알루미늄/구리 합금을 포함한다.
본 발명에 따르는 기록물질을 제조하기 위해, 포토레지스트와 같은 감방사선 조성물을 본 산업에서 통상적으로 사용되는 방법. 예를 들면 침지, 분무 및 스핀 피복에 의해 지지체에 도포할 수 있다. 스핀 피복 방법에 있어, 레지스트 용액 속의 고체 성분은, 각 경우에 사용되는 스핀 피복 장치 및 스핀 피복 작업에 대해 정해진 시간에 따라서, 목적하는 두께의 피막이 수득되도록 조절된다.
위에서 기술한 방법에 따라 제조된 감방사선 조성물은 특히 마이크로 전자공학에서 사용하기 위한 마이크로 프로세서 및 기타 반도체 부품의 제조에 사용되는 유형의 산화규소 층을 갖는 규소 웨이퍼에 도포하기에 아주 적합하다. 또한, 비소화갈륨의 웨이퍼, 산화물 층을 갖는 알루미늄의 웨이퍼. 산화물 층을 갖는 알루미늄의 웨이퍼 또는 금속성 알루미늄 층을 갖는 규소의 웨이퍼 또는 산화적으로 후처리된 알루미늄의 웨이퍼를 사용할 수 있다. 지지체는 또한 여러 종류의 중합체성 수지, 특히 폴리에스테르와 같은 투명한 중합체로 제조할 수 있다.
감방사선 조성물을 층 지지체에 도포한 후, 고체/액체 복합물을 약 80 내지 105℃에서 예비 건조시킨다. 이 열 처리는 거의 모든 용매가 증발되고 약 1㎛의 박층이 지지체 위에 남을 때까지 계속한다.
그런 다음, 피복된 지지체를 당해 기술 분야에 공지된 바와 같이, 화학선, 특히 파장이 248, 365, 405 또는 436nm인 자외선을 사용하여 적합한 마스크, 네가티브 또는 스텐실 등을 통해 상이 형성되도록 노출시키거나, 지향 전자 방출 또는 레이저의 방사선에 노출시킨다. 화학선이란 용어는 X선 영역 및 기술적으로 적용될 수 있는 193 내지 450nm 파장 범위의 전자기선 둘 모두와 전자 방출을 또한 포함한다.
현상하기 위해, 상이 형성되도록 노출된 기록물질을 알칼리성 현상 수용액에 침지시킨다. 분무 현상 방법도 본 산업에서 흔히 사용된다.
현상액으로부터 제거한 후, 이들 물질을 열처리 또는 버닝 인(burning-in) 처리를 해서, 각각, 접착성과 부식 용액 및 기타 물질에 대한 층의 화학적 내성을 증가시킬 수 있다. 현상후의 열처리는 오븐 속에서 층의 연화점 미만의 온도에서의 층 및 지지체의 베이킹을 포함할 수 있다.
산업적 적용을 위해, 특히 산화규소 층을 갖는 규소 지지체상의 반도체 부품의 제조에 있어, 현상된 지지체를 불화수소산을 기재로 하는 완충된 부식액으로 처리할 수 있다. 본 발명의 포토레지스트 조성물은 산성 부식액에 대해 내성이 있으며 포토레지스트 조성물로 피복된 노출되지 않은 지지체의 영역을 효과적으로 보호한다.
본 발명에 따른 감방사선 조성물은 포토레지스트 조성물로서 사용하기 적합할 뿐만 아니라 인쇄판 및 색교정 필름을 제조하는데에도 사용될 수 있다.
추가로 가교결합제를 함유할 수 있는 본 발명의 조성물로 지지체를 피복하여 제조한 기록물질이 네가티브식 상 역전 공정에 사용될 경우, 상이 형성되도록 하는 노출은 90 내지 150℃의 온도에서 2차로 단기간 열처리한다. 이러한 열처리 동안, 결합제는 포토레지스트 층의 노출된 영역에서 경화된다. 열처리 시간은 10 내지 90초 사이에서 변한다. 기록물질을 열처리 및 냉각시킨 후, 포토레지스트 층을 현상하거나, 바람직하게는 현상하기 전에 전면적으로 UV 조사(투광 노출)한다. 사용되는 현상액은 무기 또는 4급 유기 염기를 함유하는 알칼리성 수용액을 포함한다. 현상제는 완충시키거나 추가의 첨가제(예; 습윤제)를 함유할 수 있다. 현상 공정에 있어, 상이 형성되도록 노출하는 동안 노출되지 않은 채로 남아 있던 층의 영역이 세척 제거되며, 상이 형성되도록 노출하는 동안 노출된 층의 영역은 공격받지 않는다(네가티브 공정). 결과적으로, 노출 마스크의 네가티브 릴리프 복사물이 수득된다.
또한 단일 층 지지체상에서 포지티브 공정과 네가티브 공정을 함께 사용(포토컴포우징)할 수 있다.
하기 실시예에서, 본 발명의 감방사선 조성물 및 기록물질을 좀더 자세히 설명한다.
[실시예]
평판 비교를 위해, 전적으로 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논(실시예 1 내지 6) 및 2,3,4,3', 4',5'-헥사하이드록시벤조페논(실시예 7 내지 10)의 완전히 에스테르화된 유도체를 함유하는 감방사선 조성물을 배합한다.
유도체는 7-메톡시-(1,2-나프토퀴논 2-디아지드)-4-설폰산(D1)과 (1,2-나프토퀴논 2-디아지드)-4-설폰산(D2)을 D1 :D2몰 비 0.33 : 1(실시예 1) 또는 4.71 : 1(실시예 2)로 에스테르화 시킨다. 비교 실시예 3, 4 및 10에 있어서, 하이드록시벤조페논은 단지(1,2-나프토퀴논 2-디아지드)-4-설폰산으로 에스테르화시키고 비교 실시예 5 및 6에 있어서는 7-메톡시-(1,2-나프토퀴논 2-디아지드)-4-설폰산으로만 에스테르화시킨다.
실시예 7 내지 9에서는, 헥사하이드록시벤조페논을 각 경우에 있어 D1: Do의 몰 비가 5 : 1 인 7-메톡시-(1,2-나프토퀴논 2-디아지드)-4-설폰산(D1) 및 비감방사선 산(Do)으로 에스테르화시킨다. 비감방사선 산은 스테아르산 (실시예 7), 2-에틸헥실 카보네이트 (2-에틸헥실 클로로포르메이트로서 사용된다)(실시예 8) 또는 메탄 설폰산 클로라이드(실시예 9)를 포함한다.
a) 본 발명에 따른 조성물
메톡시프로판올 아세테이트 속의 크레졸/크실렌올 노볼락의 26% 농죽용액을 제조하고, 이 용액에 노볼락을 기준으로 광활성 화합물을 28% (테트라하이드록시벤조페논의 유도체의 경우) 또는 43%(헥사하이드록시벤조페논의 유도체의 경우)로 가하여 용해시킨다.
b) 비교예
상응하는 나프토퀴논 디아지드를 a)에서 언급한 노볼락 용액에 용액이 포화될 때까지 가하고 용해되지 않은 물질로부터 여과 제거한다.
이들 레지스트 용액은 스핀-피복 규소 웨이퍼에 대해 사용하고 이렇게 수득한 층을 열판 위에서 90℃에서 60초 동안 건조시킨다. 층 두께는 1.30㎛이다. 본 산업에서 통상적으로 사용되는 노출 장치를 사용하여 여러 가지 치수의 패턴을 갖는 마스크를 통해 노출시키고, 노출시킨 다음, 층을 다시 열판 위에서 100℃에서 60초 동안 건조시킨다. 그런 다음, 광에 의해 영향을 받은 층의 영역을 현상 용액(현상 시간 60초)으로 용해시켜서 층의 노출되지 않은 영역이 규소 디스크 위에 남게 한다.
다음 표에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 조성물을 사용해서 아주 작은 패턴을 제조할 수 있다.
*) 더 큰 패턴이 동시에, 마스크 크기 그대로 재현된다.

Claims (5)

  1. a) 방향족 하이드록실 그룹을 2 내지 6개 함유하는 화합물, b) 환 치환된 (o-나프토퀴논 2-디아지드)-4-설폰산(디아조 화합물 D1) 및 c) 더 이상 치환되지 않는(o- 나프토퀴논 2-디아지드0-4- 또는 -5-설폰산(디아조 화합물 D2) 및/또는 비감방사선 유기산(화합물 Do)[여기서, D1: (D2및/또는 Do)의 몰 비는 0.1 : 1 내지 30 : 1이다]으로 이루어진 에스테르인 감방사선 화합물 1개 이상 1중량% 내지 50중량%(조성물의 고체 성분 기준)와, 물에는 불용성이지만 알칼리성 수용액에는 가용성이거나 적어도 팽윤될 수 있는 수지 결합제 15중량% 내지 99중량%(조성물의 고체 성분 기준)를 함유하는 감방사선 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 수지 결합제가 노볼락, 폴리(비닐페놀) 또는 폴리(비닐알킬페놀)을 포함하는 감방사선 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 가교결합제, 염료, 균염제, 가소제, 접착 촉진제, 현상 촉진제 및/또는 계면활성제를 추가로 함유하는 감방사선 조성물.
  4. 필수적으로 제1항에 따르는 감방사선 조성물로 이루어진 감방사선 층과 층 지지체를 필수적으로 포함하는 감방사선 기록물질.
  5. 제4항에 있어서, 층 지지체가 규소 또는 비소화갈륨웨이퍼를 포함하고, 반도체 물질과 감방사선 층 사이에 도포된 추가 층을 하나 이상 포함하는 기록물질.
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