KR0130024B1 - High frequency input signal intensity adjustment circuit of tuner - Google Patents
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Abstract
튜너의 고주파 신호 입력 레벨이 지역별 전계강도의 세기에 무관하게 안정되게 유지시키기위한 튜너의 고주파 입력신호 강도 조절회로는 복조부에서 발생된 AGC전압(VAGC)의 조절에 따라 일정한 레벨의 고주파 신호를 튜너부에 제공하는 신호처리부를 포함하는데, 상기 신호처리부는, 베이스로 입력되는 전압AGC(VAGC)의 크기에 따라 콜렉터전류와 에미터전류가 상호 반비례하여 변화하게되는 트랜지스터(TR)와, 상기 트랜지스터(TR)의 콜렉터전류로 바이어스되며 그 바이어스 값에 따라 변화하는 저항값을 가지고 고주파입력신호를 그라운드로 바이패스 시키는 제 1 핀 다이오드(D11)와, 상기 트랜지스터(TR)의 에미터전류로 바이어스되며 그 바이어스값에 따라 변화하는 저항값을 가지고 고주파 입력신호를 저잡음 증폭기(A)로 전달하는 제 2 핀다이오드(D12)와, 상기 제 2 핀다이오드(D12)를 거친 고주파입력신호를 증폭하여 상기 튜너부(20)로 전달하는 저잡음 증폭기(A)로 구성되는 것을 특징지워진다.The tuner's high-frequency input signal strength control circuit is designed to maintain the tuner's high-frequency signal input level independently of the regional field strength, and adjusts the tuner's high-frequency signal by adjusting the AGC voltage (VAGC) generated by the demodulator. And a signal processing unit provided to the unit, wherein the signal processing unit includes a transistor (TR) and a transistor (TR) in which a collector current and an emitter current change in inverse proportion to each other according to a magnitude of a voltage AGC (VAGC) input to a base. It is biased by the collector current of TR) and is biased by the emitter current of the transistor TR and the first pin diode D11 for bypassing the high frequency input signal to ground with a resistance value that varies according to the bias value. A second pin diode D12 that transmits a high frequency input signal to the low noise amplifier A with a resistance value that varies with the bias value; And a low noise amplifier (A) for amplifying the high frequency input signal passing through the second pin diode (D12) and transmitting it to the tuner unit (20).
Description
제1도는 종래 기술에 따른 고주파 입력신호 강도 조절회로의 블록구성도.1 is a block diagram of a high frequency input signal intensity control circuit according to the prior art.
제2도는 종래기술에 따른 신호증폭부의 상세회로구성도.2 is a detailed circuit diagram of a signal amplifier according to the prior art.
제3도는 본 발명에 따른 고주파 입력신호 강도 조절회로의 블록구성도.3 is a block diagram of a high frequency input signal strength control circuit according to the present invention.
제4도는 본 발명에 따른 신호처리부의 상세회로 구성도.4 is a detailed circuit diagram of a signal processing unit according to the present invention.
＊ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명＊ Explanation of symbols on main parts of drawing
10 : 신호증폭부 A : 저잡음 증폭기10: signal amplifier A: low noise amplifier
20 : 튜너부 TR : 트랜지스터20: Tuner part TR: Transistor
30 : 복조부 40 : 스위칭 전압발생부30: demodulation part 40: switching voltage generator
50 : 신호처리부50: signal processing unit
본 발명은 고주파(RF) 전계강도의 높고 낮음에 무관하게 항상 일정한 수준의 고주파 입력 신호레벨을 튜너에 공급할 수 있게되는 튜너의 고주파 입력신호 강도 조절회로에 관한 것이다.The present invention relates to a high frequency input signal strength control circuit of a tuner capable of supplying a tuner with a constant high frequency input signal level at all times regardless of the high and low of the high frequency (RF) field strength.
TV세트나 VCR에서 고주파신호를 처리하는 튜너는 해당 지역별 전계 강도세기에 따라 그 신호 출력 특성이 다르게 나타난다.Tuners that process high-frequency signals in TV sets or VCRs have different signal output characteristics depending on the field strength of the region.
가령 낮은 전계 강도 지역에서는 해당 채널의 선극이 어렵게되거나 인접 채널의 강한 신호에 영향을 받게되기 때문에 수신상태가 불안정해지게되고, 그 반대로 높은 전계 강도 지역에서는 해당 채널의 고주파 신호 포화형상이나 방해파 배제능력이 떨어지게된다.For example, in low field strength regions, the polarity of the channel becomes difficult or affected by strong signals in adjacent channels, resulting in unstable reception. In contrast, in high field strength regions, the high frequency signal saturation or interference rejection of the channel is high. Will fall.
종래의 기술에 있어서, 지역별 전계강도의 강약에 무관하게 비교적 안정된 레벨을 튜너에 입력시킬수 있게하는 튜너의 고주파 입력 신호강도 조절회로가 제공되어, 튜너의 고주파 신호 입력단 전단에 신호 증폭부 및 스위칭 전압 발생부를 삽입하고 그 신호 증폭부를 복조부에서 발생된 AGC전압으로 스위칭 전압발생부를 통해 제어하는 특징이 있었다.In the prior art, a tuner's high frequency input signal strength control circuit is provided to enable a tuner to input a relatively stable level irrespective of the strength or weakness of the local electric field strength, thereby generating a signal amplifier and a switching voltage in front of the high frequency signal input of the tuner. Inserting a part and controlling the signal amplification part through the switching voltage generator to the AGC voltage generated in the demodulation part.
그러한 종래기술의 고주파 입력신호 강도 조절회로는 제1도 및 제2도에 도시되어 있다. 제1도에 도시된 것처럼, 안테나를 통하여 입력되는 고주파신호는 신호 증폭부(10)를 거쳐 튜너부(20)을 인가되게 구성하고, 상기 튜너부(20)에서 출력되는 중간 주파수 신호(IF)는 복조부(30)에서 복조되어 베이스 밴드의 영상 및 음성신호를 검파 출력되게 구성되어 있다.Such a prior art high frequency input signal strength adjustment circuit is shown in FIGS. 1 and 2. As shown in FIG. 1, the high frequency signal input through the antenna is configured to apply the tuner unit 20 through the signal amplifier 10, and to output the intermediate frequency signal IF output from the tuner unit 20. Is demodulated by the demodulator 30 so as to detect and output the video and audio signals of the baseband.
여기서, 신호 증폭부(10)는 상기 베이스 밴드의 영상 및 음성신호를 검파 출력하는 복조부(30)에서 발생되는 AGC전압(VAGC)에 의해 스위칭 전압발생부(40)를 통해 그의 동작여부를 제어되게 구성되어 있다.Here, the signal amplifier 10 is operated by the switching voltage generator 40 by the AGC voltage (V AGC ) generated by the demodulator 30 that detects and outputs the video and audio signals of the base band. It is configured to be controlled.
제2도는 종래기술의 신호 증폭부(10)가 스위칭 전압발생부(40)에 의해 제어되는 상세회로의 구성도이다. 여기서 참조되는 바와같이, 스위칭 전압발생부(40)는 복조부(30)에서 발생되는 AGC전압(VAGC)에 따라 그 AGC전압의 일정레벨을 기준하여 일정레벨 미만이며 제 1 전압(V1)을 발생하고, 일정레벨 이상이면 제 2 전압(V2)을 발생하도록 구성된다.2 is a block diagram of a detailed circuit in which the signal amplifier 10 of the related art is controlled by the switching voltage generator 40. As referred to herein, the switching voltage generation unit 40 is less than a predetermined level based on a predetermined level of the AGC voltage according to the AGC voltage V AGC generated by the demodulation unit 30, and the first voltage V1 may be lowered. Is generated, and generates a second voltage V2 if it is above a predetermined level.
상기 신호 증폭부(10)는 스위칭 전압발생부(40)의 제 1,2 전압(V1,V2)의 출력에 따라 그의 저잡음 증폭기가 선택적으로 동작하게된다. 즉, 일정레벨 이상의 전계(예를들어, 60dBμ)에서는 튜너에 입력되는 고주파신호를 증폭시킬 필요가 없다. 이 경우에는 복조부(30)에서 출력되는 AGC전압(VAGC)의 레벨 판정에 따라 스위칭 전압발생부(40)에서 제 2 전압(V2)이 발생된다. 그결과 신호 증폭부(10)를 구성하는 제 3,4핀 다이오드(D3,D4)가 전류패스를 형성하는 코일(L1 및 L2)에 의해 바이어스 온되어 도통 상태가 되므로 안테나에 입력되는 고주파 신호는 결합캐패시터(C1)를 통해 그대로 상기 제 3,4핀 다이오드(D3,D4)를 거쳐 튜너부(20)로 출력되게 된다.The signal amplifier 10 selectively operates its low noise amplifier according to the output of the first and second voltages V1 and V2 of the switching voltage generator 40. In other words, it is not necessary to amplify the high frequency signal input to the tuner at an electric field (for example, 60 dBμ) or more. In this case, the second voltage V2 is generated by the switching voltage generator 40 according to the level determination of the AGC voltage V AGC output from the demodulator 30. As a result, since the third and fourth pin diodes D3 and D4 constituting the signal amplifier 10 are biased by the coils L1 and L2 forming the current path, the high frequency signal is input to the antenna. The coupling capacitor C1 is output to the tuner unit 20 via the third and fourth pin diodes D3 and D4 as they are.
또한, 튜너가 설치된 지역의 전계 강도가 일정 레벨 미만인 경우에는 복조부(30)로 부터의 AGC전압(VAGC)이 스위칭 전압발생부(40)에서 기준레벨에 비교 판정되어 제 1 전압(V1)이 신호 증폭부(10)에 인가된다. 이에따라 신호 증폭부(10)를 구성하는 제 1 핀다이오드(D1)는 저항(R1)과 코일(L3)에 의해 직렬로 순 바이어스 온되고, 제 2 핀 다이오드(D2)는 저항(R2) 및 코일(L4)에 의해 직렬로 순바이어스 온된다. 그러므로 안테나에 입력된 고주파 신호는 저잡음 증폭기(A)에서 저잡음 증폭되어 출력하게된다. 결국, 낮은 전계 강도에서는 신호 증폭부(10)에서 고주파 신호가 적정레벨로 증폭되어 튜너부(20)에 인가되므로, 상기 튜너부(20)에는 일정한 레벨 이상의 고주파 입력강도를 유지하게된다.In addition, when the electric field strength of the region where the tuner is installed is less than a predetermined level, the AGC voltage V AGC from the demodulator 30 is determined in comparison with the reference level in the switching voltage generator 40, and the first voltage V1 is determined. This signal amplifier 10 is applied. Accordingly, the first pin diode D1 constituting the signal amplifier 10 is forward biased in series by the resistor R1 and the coil L3, and the second pin diode D2 is the resistor R2 and the coil. Forward bias on in series by (L4). Therefore, the high frequency signal input to the antenna is low noise amplified by the low noise amplifier (A) to output. As a result, at a low electric field strength, since the high frequency signal is amplified to an appropriate level by the signal amplifier 10 and applied to the tuner 20, the tuner 20 maintains a high frequency input intensity of a predetermined level or more.
그러나 종래의 회로에서는 스위칭 전압 발생부의 제 1,2 전압이 입력 AGC전압에 따라 선택적으로만 발생되고 있기 때문에, 설정된 제 1,2전압의 경계부근에서 스위칭 전압 발생부의 제 1전압과 제 2전압이 반대로 나타날 수 있다. 이는 튜너수신지점이 실제로는 강전계지역임에도 스위칭 전압발생부의 출력에러에 의해 입력신호를 저잡음 증폭하여 입력포화를 초래하기도 한다.However, in the conventional circuit, since the first and second voltages of the switching voltage generator are generated selectively only according to the input AGC voltage, the first and second voltages of the switching voltage generator are changed near the boundary between the set first and second voltages. It may be reversed. This causes the input signal to be low noise amplified by the output error of the switching voltage generator even though the tuner receiving point is actually a strong electric field.
또한, 실제로 약전계 지역임에도 불구하고 스위칭전압 발생부의 출력에러에 의해서, 고주파 입력신호가 저잡음 증폭기에서 충분한 크기로 증폭되지않고 직접 튜너에 입력될 수 있다.In addition, even though it is actually a weak field region, the output error of the switching voltage generator allows the high frequency input signal to be directly input to the tuner without being amplified to a sufficient size in the low noise amplifier.
이에따라 튜너전단에 마련되는 신호증폭부의 본래의 기능 즉, 입력포화방지기능 및 적정 입력전계강도 유지기능이 반대로 작용하게되거나 그 기능을 제대로 발휘할 수 없게되는 문제점이 나타나게 된다.Accordingly, the original function of the signal amplification unit provided at the front end of the tuner, that is, the input saturation prevention function and the proper input field strength maintaining function may be reversed or may not be able to properly exhibit the function.
따라서, 본 발명의 목적은 튜너의 전단에 신호 처리부를 설치하여 중, 약전계 지역에서 안정된 화질을 구현하고, 강전계시의 이득 제어를 알맞게 제어하므로서 최적의 수신능력을 갖도록하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a signal processing unit at the front end of the tuner to achieve stable image quality in the medium and weak field, and to have an optimal reception capability by appropriately controlling gain control during a strong electric field.
본 발명의 구성은 제3도에 도시된것처럼, 종래의 스위칭 전압에 의해 제어되는 스위칭 전압발생부(40) 및 그에따라 동작하는 신호 증폭부(10)와는 달리, 베이스 밴드의 영상 및 음성신호를 검파 출력하는 복조부(30)로부터 AGC전압(VAGC)을 본 발명에 따른 신호 처리부(50)에 제공하므로서 강전계, 약전계 및 중전계등 어느 대역에서도 항상 일정한 레벨의 고주파 입력강도를 유지하도록 구성된다.As shown in FIG. 3, the configuration of the present invention is different from the switching voltage generator 40 and the signal amplifier 10 operating according to the conventional switching voltage. By providing the AGC voltage V AGC from the demodulation unit 30 for detecting and outputting the signal to the signal processing unit 50 according to the present invention, a high frequency input intensity of a constant level is always maintained in any band such as a strong electric field, a weak electric field, and a medium electric field. It is composed.
보다 구체적으로, 제4도는 본 발명에 따른 신호 처리부(50)의 상세 회로도로고, 상기 신호 처리부(50)는, 베이스로 입력되는 AGC 전압의 크기에 따라 콜렉터전류와 에미터 전류가 상호 반비례하여 변화하게 되는 트랜지스터(TR)와, 상기 트랜지스터(TR)의 콜렉터 전류로 바이어스되며 그 바이어스 값에 따라 변화하는 저항값을 가지고 고주파 입력신호를 그라운드로 바이패스시키는 제 1 핀다이오드(D1)와, 상기 트랜지스터(TR)의 에미터전류로 바이어스되며 그 바이어스값에 따라 변화하는 저항값을 가지고 고주파 입력신호를 저잡음 증폭기(A)로 전달하는 제 2 핀다이오드(D2)와, 상기 제 2 핀다이오드(D2)를 거친 고주파 입력신호를 증폭하여 일정한 레벨의 고주파 입력신호를 튜너부(20)에 전달하는 저잡음 증폭기(A)로 구비되는 것을 특징으로 한다.More specifically, FIG. 4 is a detailed circuit diagram of the signal processing unit 50 according to the present invention, wherein the signal processing unit 50 is changed in inverse proportion to the collector current and the emitter current according to the magnitude of the AGC voltage input to the base. A first pin diode D1 for bypassing a high frequency input signal to ground with a transistor value biased by the collector current of the transistor TR and a resistance value changed according to the bias value, and the transistor A second pin diode D2 that is biased with an emitter current of TR and transmits a high frequency input signal to the low noise amplifier A with a resistance value that varies according to the bias value, and the second pin diode D2; It characterized in that it is provided as a low noise amplifier (A) for amplifying the high frequency input signal passing through the high frequency input signal of a predetermined level to the tuner unit 20.
상기 구성에 따른 동작설명은 다음과 같다.Operation description according to the above configuration is as follows.
상기 신호 처리부(50)는 B+전압이 저항(R14 및 R12)을 통해 제 1 핀다이오드(D11), 코일(L11) 및 저항(R11)에 의해 전류 패스를 형성하여 바이패스되도록 접지에 접속되고, 복조부(30)로부터 제어된 AGC전압이 에미터저항(R13)을 갖는 트랜지스터(TR)의 베이스에 인가되도록 연결되고 그 트랜지스터(TR)의 에미터에는 코일(L12), 제 2 핀다이오드(D12), 코일(L11)및, 저항(R11)으로 전류 패스를 형성하여 바이패스되도록 그라운드에 접속된다. 이때, 상기 핀다이오드(D11,D12)는 AGC전압을 제어함에 따라 두 핀다이오드의 저항성분 변화로 안테나로부터 들어오는 고주파 신호를 제어한다. 예를들어, AGC전압(VAGC)이 인가되면, 트랜지스터(TR)를 온시키므로서 제 2 핀다이오드(D12)에 흐르는 전류가 제 1 핀다이오드(D11)에 흐르는 전류보다 크게 됨으로써 고주파 신호는 결합 캐패시터(C12)를 통해 저잡음 증폭기(A)에 인가되어 증폭되고 결합 캐패시터(3)를 통해 튜너부(20)로 인가된다. 또한, 복조부(30)에서 제어된 AGC 전압이 인가되지 않을 때 제 1 핀다이오드(D1)에 흐르는 전류가 제 2 핀다이오드(D12)에 흐르는 전류보다 많이 흐르기 때문에 다이오드(D11)를 통해 적은 감쇄량으로 감쇄된 고주파신호는 캐패시터(C14)를 거쳐 그라운드로 바이패스된다. 반면에, 보다 큰 감쇄량으로 감쇄된 고주파신호는 다이오드(D12) 및 결합 캐패시터(C12)를 통해 저잡음 증폭기(A)에 인가되어 증폭되고 결합 캐패시터(C13)를 통해 튜너부(20)로 인가된다.The signal processor 50 is connected to the ground such that the B + voltage is bypassed by forming a current path by the first pin diode D11, the coil L11, and the resistor R11 through the resistors R14 and R12, The AGC voltage controlled from the demodulator 30 is connected to be applied to the base of the transistor TR having the emitter resistor R13. The emitter of the transistor TR is provided with a coil L12 and a second pin diode D12. ), The coil L11, and the resistor R11 form a current path and are connected to ground to bypass. At this time, the pin diodes D11 and D12 control the high frequency signal from the antenna by changing the resistance component of the two pin diodes by controlling the AGC voltage. For example, when the AGC voltage V AGC is applied, the high frequency signal is coupled by turning on the transistor TR so that the current flowing in the second pin diode D12 is greater than the current flowing in the first pin diode D11. It is applied to the low noise amplifier A through the capacitor C12 and amplified and applied to the tuner unit 20 through the coupling capacitor 3. In addition, since the current flowing in the first pin diode D1 flows more than the current flowing in the second pin diode D12 when the AGC voltage controlled by the demodulator 30 is not applied, a small amount of attenuation through the diode D11. The attenuated high frequency signal is bypassed to ground through a capacitor C14. On the other hand, the high frequency signal attenuated by the larger attenuation amount is applied to the low noise amplifier A through the diode D12 and the coupling capacitor C12, amplified, and applied to the tuner unit 20 through the coupling capacitor C13.
따라서, 종래 기술에서의, 스위칭 전압 발생부로부터 일정레벨 이상의 전계와 이하의 전계에서 튜너로 입력되는 고주파 신호를 증폭하는 과정에서 나타나는 AGC딜레이 포인트(전계강도의 크기로서 약 90dBμ)의 방해파 배제 능력을 저하시키는 요인을 해소하여 강전계 지역뿐만 아니라 중, 약전계지역에서도 고주파 신호가 적정레벨로 처리되어 튜너부에 인가되게 되므로, 튜너부에는 항상 일정한 레벨 이상의 RF입력강도를 유지하게 된다.Therefore, in the prior art, the AGC delay point (approximately 90 dB mu as the magnitude of the electric field strength) that appears in the process of amplifying the high frequency signal input to the tuner at a predetermined level or higher and an electric field from the switching voltage generator, suppresses the interference wave. By eliminating the deterioration factor, the high frequency signal is applied to the tuner unit in the medium and weak field as well as the strong electric field area, so that the tuner unit always maintains the RF input strength higher than a certain level.
이상에서 설명한 바와같은 본 발명은 RF입력 신호 강도의 세기에 따라 복조부(30)에서 발생되는 AGC 전압을 이용하여, 강전계, 중, 약전계의 어느 지역에서나 튜너의 설치위치의 전계강도 크기에 무관하게 항상 일정한 레벨의 RF 신호를 튜너부에 제공하게되어 안정된 양질의 TV화면 수신을 가능하게 한다.As described above, the present invention uses the AGC voltage generated by the demodulator 30 according to the strength of the RF input signal strength, and the magnitude of the electric field strength at the installation position of the tuner in any region of the strong electric field, the medium and the weak electric field. Irrespective of the time, a constant level RF signal is provided to the tuner to enable stable TV screen reception.
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100360119B1 (en) * | 1999-12-17 | 2002-11-04 | 삼성전기주식회사 | Tuner of pip television |
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1994
- 1994-11-03 KR KR1019940028757A patent/KR0130024B1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
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| KR100360119B1 (en) * | 1999-12-17 | 2002-11-04 | 삼성전기주식회사 | Tuner of pip television |
Also Published As
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| KR960019962A (en) | 1996-06-17 |
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| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
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Payment date: 20070918 Year of fee payment: 11 |
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| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |