KR0110411Y1 - Discharge lamp lighting device - Google Patents

Discharge lamp lighting device

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KR0110411Y1
KR0110411Y1 KR2019940003967U KR19940003967U KR0110411Y1 KR 0110411 Y1 KR0110411 Y1 KR 0110411Y1 KR 2019940003967 U KR2019940003967 U KR 2019940003967U KR 19940003967 U KR19940003967 U KR 19940003967U KR 0110411 Y1 KR0110411 Y1 KR 0110411Y1
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KR
South Korea
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discharge lamp
power supply
voltage
circuit
terminal
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Application number
KR2019940003967U
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Korean (ko)
Inventor
아쓰시 우에오까
아끼오 오꾸데
Original Assignee
미요시 도시오
마쓰시다 덴꼬오 가부시끼가이샤
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Abstract

본 고안은 저강도의 수은 아크 방전램프, 고주파 전원을 상기 방전램프에 공급하기 위한 고주파 전원부, 상기 방전램프에 공급되는 고주파 전원을 제어하는 수단, 및 상기 고주파 전원부로부터 램프에 공급되는 고주파 전원에 중첩됨으로써 낮은 광속조명시 방전을 유지할 수 있는 레벨의 DC 전원을 상기, 방전램프에 공급하기 위한 DC 전원공급 수단으로 구성되는 방전램프 조명장치에 관한 것이다.The present invention superimposes a low intensity mercury arc discharge lamp, a high frequency power supply for supplying a high frequency power to the discharge lamp, a means for controlling the high frequency power supplied to the discharge lamp, and a high frequency power supplied to the lamp from the high frequency power supply. The present invention relates to a discharge lamp lighting device comprising a DC power supply means for supplying a DC power supply having a level capable of maintaining a discharge during low luminous flux illumination to the discharge lamp.

Description

방전램프 조명장치Discharge lamp lighting device

제1도는 본 고안에 따른 방전램프 조명장치의 실시예를 도시한 블럭도1 is a block diagram showing an embodiment of a discharge lamp lighting apparatus according to the present invention

제2도는 제1도 장치의 방전램프에 대한 설명도2 is an explanatory diagram of the discharge lamp of the device of FIG.

제3도는 제1도 장치의 다른 작동특성을 도시한 블럭도3 is a block diagram showing different operating characteristics of the FIG. 1 apparatus.

제4도는 제3도 장치의 상세회로도4 is a detailed circuit diagram of the device of FIG.

제5(a) 및 제5도(b)는 제4도 회로 각부의 파형도5 (a) and 5 (b) are waveform diagrams of respective parts of the circuit of FIG.

제6도는 제4도 회로 각부의 파형도6 is a waveform diagram of each part of the circuit of FIG.

제7(a) 및 제7(b)도는 상이한 상태에서 방전램프에 각각 인가된 전력 파형도7 (a) and 7 (b) are power waveform diagrams respectively applied to the discharge lamps in different states.

제8도는 제1도 장치의 다른 동작특성에 대한 블럭도8 is a block diagram of other operating characteristics of the device of FIG.

제9도는 본 고안에 따른 방전램프의 다른 실시예를 도시한 블럭도9 is a block diagram showing another embodiment of a discharge lamp according to the present invention

제10도는 본 고안에 따른 조광 방전램프의 또다른 실시예의 블럭도10 is a block diagram of another embodiment of a dimming discharge lamp according to the present invention

제11도는 제10도 장치의 또다른 동작특성을 도시한 블럭도FIG. 11 is a block diagram showing yet another operating characteristic of the FIG. 10 apparatus.

제12도는 본 고안에 따른 조광 방전램프의 또다른 실시예의 블럭도12 is a block diagram of another embodiment of a dimming discharge lamp according to the present invention;

제13도는 제12도 장치의 주요 회로에 대한 상세회로도FIG. 13 is a detailed circuit diagram of the main circuit of the device of FIG.

제14(a) 및 제14(b)도는 제12도 장치의 제어수단에 대한 상세회로도14 (a) and 14 (b) are detailed circuit diagrams of the control means of the apparatus of FIG.

제15도는 제14도 회로 각부의 파형도FIG. 15 is a waveform diagram of each circuit of FIG.

제16도는 제12도에 도시한 다른 동작특성을 갖는 장치의 메인회로에 대한 상세회로도FIG. 16 is a detailed circuit diagram of the main circuit of the apparatus having different operation characteristics shown in FIG.

제17도는 제12도에 도시한 또다른 동작특성을 갖는 장치제어수단에 대한 상세회로도FIG. 17 is a detailed circuit diagram of a device control means having another operating characteristic shown in FIG.

제18도는 제12도에 도시한 다른 동작특성을 갖는 장치의 상세회로도FIG. 18 is a detailed circuit diagram of an apparatus having different operating characteristics shown in FIG.

제19도는 본 고안에 따른 방전램프 조명장치의 다른 실시예의 회로도19 is a circuit diagram of another embodiment of the discharge lamp lighting apparatus according to the present invention

제20(a) 및 제20(d)도는 제19도 장치의 동작 파형도20 (a) and 20 (d) are the operational waveform diagram of the device of FIG. 19.

제21도는 제19도 장치의 다른 동작특성 블럭도FIG. 21 is a block diagram of another operation characteristic of the FIG. 19 apparatus.

제22도는 제21도 장치의 주요 회로에 대한 상세회로도FIG. 22 is a detailed circuit diagram of the main circuit of the apparatus of FIG. 21. FIG.

제23도는 제21도 장치의 제어수단의 상세회로도FIG. 23 is a detailed circuit diagram of the control means of the apparatus of FIG.

제24(a) 및 제24(c)도는 제21도 장치의 동작 파형도24 (a) and 24 (c) are diagrams of the operating waveforms of the apparatus of FIG.

제25도는 제19도 장치의 다른 동작특성 블럭도FIG. 25 is a block diagram of another operation characteristic of the FIG. 19 apparatus.

제26도는 제25도 장치의 동작설명도FIG. 26 is a diagram illustrating the operation of the device of FIG. 25

제27도는 제25도 장치의 주요부분의 회로도Figure 27 is a circuit diagram of the main part of the device of Figure 25.

제28도는 본 고안에 따른 조광 방전램프 조명장치의 또다른 실시예의 블럭도28 is a block diagram of another embodiment of a dimming discharge lamp lighting apparatus according to the present invention

제29(a) 및 제29(b)도는 제28도 장치의 설명도29 (a) and 29 (b) are explanatory diagrams of the FIG. 28 device.

제30도는 제28도 장치의 주요부분의 상세회로도30 is a detailed circuit diagram of the main part of the device.

제31도는 제28도 장치의 제어수단의 상세회로도FIG. 31 is a detailed circuit diagram of the control means of the device of FIG. 28. FIG.

제32도는 제28도 장치의 다른 형태의 주요부분 회로도FIG. 32 is a schematic view of the main parts of another form of the device.

제33도는 제28도 장치의 또다른 형태의 블럭도33 is a block diagram of another form of the device of FIG.

제34도는 제33도 장치의 주요부분 회로도34 is a circuit diagram of the main part of the apparatus.

제35도는 본 고안에 따른 조광 방전램프 조명장치의 상대조명율과 소요되는 전압관계를 도시한 도면35 is a view showing the relative lighting rate and the required voltage relationship of the dimming discharge lamp lighting apparatus according to the present invention

제36도는 본 고안에 따른 DC 전원 공급수단이 없는 장치의 상대조명율과 소요되는 전압관계를 도시한 도면이다.36 is a diagram showing the relative illumination rate and the required voltage relationship of the device without the DC power supply means according to the present invention.

본 고안은 매우 낮은 광속 레벨에서도 방전 램프를 안정하게 조명할 수 있으며, 광속레벨이 아크 방전부로부터 글로우 방전부로 저하될지라도 조광 조명장치의 방전램프를 안정하게 조명할 수 있도록한 방전램프 조명장치에 관한 것이다.The present invention can stably illuminate the discharge lamp even at a very low luminous flux level, and the discharge lamp illuminator enables to stably illuminate the discharge lamp of the dimming illuminator even when the luminous flux level is lowered from the arc discharge section to the glow discharge section. It is about.

일반적으로 방전램프 조명장치에 있어서, 가능한 조명레벨을 의도적으로 낮추는 것은 방전램프 조명장치에 낮은 광속조명상태로 램프를 안정하게 조명하기 위한 수단이 제공되어 있지 않기 때문에 소정의 제한에 직면하게 되므로, 방전램프에 흐르는 램프전류가 낮아짐에 따라 방전조명은 램프를 궁극적으로 오프시키는 상태 즉 소위 플리커 오프 상태로 유지시킬 수 없고, 조명을 낮은 광속레벨로 거의 유지할 수 없다.In general, in a discharge lamp lighting apparatus, intentionally lowering the possible illumination level is subject to certain limitations because the lamp is not provided with a means for stably lighting the lamp at a low luminous flux. As the lamp current flowing through the lamp is lowered, the discharge lighting cannot keep the lamp ultimately off, i.e., the so-called flicker-off state, and can hardly maintain the illumination at a low luminous flux level.

상대 조명율이 100%로 설정되는 정격전류조명하에서 그 조명에 대해 20%를 초과할 경우, 플리커 오프 상태는 거의 발생될 수 없다.If the relative illumination rate exceeds 20% for the illumination under rated current lighting, which is set at 100%, the flicker-off state can hardly occur.

그러므로 방전램프 조명장치에 있어서, 상대조명율을 20% 이상으로 설정한 장치가 시판되며 실제로 광범위하게 얻을 수 있는 조명이 요구되는 경향이 있었다.Therefore, in the discharge lamp lighting apparatus, a device in which the relative illumination rate is set to 20% or more is commercially available, and there is a tendency for a lighting that can be obtained widely in practice.

램프필라멘트를 방전시키기 위해 공급되는 예열전류의 량이나 방전램프에 공급된 전압의 량과 같은 조건이 만족되면, 낮은 광속조명이 달성될 수 있고, 상대조명율의 5% 레벨까지 방전램프를 조명할 수 있는 방전램프 조명장치가 이미 제공되었다.When conditions such as the amount of preheating current supplied to discharge the lamp filament or the amount of voltage supplied to the discharge lamp are satisfied, low luminous flux lighting can be achieved and the discharge lamp can be illuminated up to 5% of the relative illumination rate. Discharge lamp lighting apparatus has already been provided.

그러나, 예열전류량과 공급전압의 조건을 만족시키기 위해서는 장치의 구조가 복잡하며 제조원가를 상승시키는 문제점이 제기되었다.However, in order to satisfy the conditions of the amount of preheating current and supply voltage, the structure of the device is complicated and the problem of raising the manufacturing cost has been raised.

미국의 제너럴 일렉트릭사가 제조한 “F40SP35 ”와 같이 거의 플리커 오프되지 않는 방전램프가 미국특허 제4,663,570호에 기술된 바와 같이 통상의 조광 방전램프 조명장치에 결합된 조립체가 제안된바 있으나, 이 조립체에 응용할 수 있는 방전램프는 사용자가 그 방전램프를 자유로이 선택하는 것이 제한되었으며, 이 방전램프를 시중에서 용이하게 구입할 수 없는 문제점이 있었다.An assembly has been proposed in which a discharge lamp that hardly flickers off, such as “F40SP35” manufactured by General Electric of the United States, is incorporated into a conventional dimming discharge lamp lighting device as described in US Pat. No. 4,663,570. Application of the discharge lamp is limited to the user to freely select the discharge lamp, there was a problem that can not easily purchase this discharge lamp on the market.

예컨데 일본 공개특허공고 제61-296695호에는 방전램프에 주기적으로 (예컨데 10msec 마다) 고압 펄스(예컨데 300μsec의 펄스폭을 갖는 1,000V)를 인가함으로써 방전램프가 플리커 오프되지 않도록한 수단이 기술되어 있다.For example, Japanese Patent Laid-Open No. 61-296695 describes a means for preventing the discharge lamp from flickering by applying a high voltage pulse (for example, 1,000 V having a pulse width of 300 μsec) periodically (for example, every 10 msec) to the discharge lamp. .

이것은 방전램프를 플리커 오프되지 않도록 하는 데에는 매우 효율적이고, 주기적으로 인가되는 고압 펄스가 가청범위에 있으므로 조명장치를 형성하는 회로 소자는 고압 펄스 인가로 인한 과도한 응력을 받는다.This is very efficient in preventing the discharge lamp from flickering off, and since the high voltage pulse periodically applied is in the audible range, the circuit element forming the lighting device is subjected to excessive stress due to the high voltage pulse application.

플리커 오프를 방지하는 수단을 갖는 방전램프 조명장치에 있어서, 장치가 낮은 광속레벨로 작동될 경우, 궁극적인 광선 방출은 램프관의 중앙부위가 아닌 램프관의 단부에서 밝아지게 되는바, 이러한 현상은 내측관면이 전도체로 피복된 시스템을 이용한 고주파 조명형 방전램프 조명장치의 경우 현저하게 발생된다.In a discharge lamp lighting device having means for preventing flicker-off, when the device is operated at a low luminous flux level, the ultimate light emission becomes bright at the end of the lamp tube, not at the center of the lamp tube. In the case of a high frequency illumination type discharge lamp lighting apparatus using a system in which the inner tube is covered with a conductor, it is remarkably generated.

뿐만 아니라, 일본 공개특허공고 제57-118396호나 서독 특허공고 제3,313,916호에는 고주파 전원이 방전램프에 공급되고, 직류전원이 고주파 전원에 중첩되어 인가되는 장치가 기술되었다. 이 방전램프 조명장치에 있어서, 인가된 DC 전원에 기인한 직류 자이어스는 공급된 고주파 전원의 방전램프 전류에 인가됨으로써 방전램프관에 나타나는 줄무늬와 같은 현상이 제거되어 안정된 조명을 실현할 수가 있다.In addition, Japanese Laid-Open Patent Publication No. 57-118396 and West German Patent Publication No. 3,313,916 describe a device in which a high frequency power is supplied to a discharge lamp and a DC power source is superimposed on and applied to the high frequency power. In this discharge lamp lighting apparatus, the DC zircies resulting from the applied DC power supply are applied to the discharge lamp current of the supplied high frequency power supply, thereby eliminating phenomena such as streaks appearing in the discharge lamp tube, thereby achieving stable lighting.

그러나, 이 조명장치에서는 낮은 광속조명을 전혀 성취할 수 없다.However, in this lighting device, low luminous flux cannot be achieved at all.

즉, 이러한 장치는 100%로 설정된 정격전류하에서 조명에 대해 20%를 초과하는 상대 조명율이 방전램프 조명장치를 제공하는 기술적 사상을 성취할 수 없으며, 안정된 방전램프 조명을 시현할 수가 없고, 조명을 위한 장치는 낮은 광속레벨로 제조될 수 없었다.That is, such a device cannot achieve the technical idea of providing a discharge lamp lighting device with a relative lighting rate of more than 20% for lighting under a rated current set to 100%, and cannot display stable discharge lamp lighting, The device for this could not be manufactured at low luminous flux levels.

따라서, 5%의 상대조명율 또는 종래 장치의 경우보다 훨씬 낮은 상대조명율인 훨씬 낮은 광속레벨로 안정한 조명을 성취하는 것이 절실히 요구되었다.Therefore, there is an urgent need to achieve stable illumination at a much lower luminous flux level, which is a relative illumination rate of 5% or much lower than that of conventional devices.

그러므로 본 고안의 근본 목적은 100%로 설정된 정격조건하에서의 조명에 대해 상대 조명율의 20% 이하, 특히 5% 이하의 극히 낮은 광속레벨로 조명을 안정하게 얻을 수 있으며, 정격조건하에서 100% 조명으로부터 상대조명율의 5% 이하의 매우 낮은 광속레벨까지 광범위에 걸친 방전램프의 조광을 안정하게 얻을 수 있도록 한 방전램프 조명장치를 제공하는데 있다.Therefore, the basic purpose of the present invention is to obtain a stable light at extremely low luminous flux level of 20% or less of the relative illumination rate, in particular 5% or less, for illumination under the rated condition set to 100%, and from 100% illumination under the rated condition. Disclosure of the Invention The present invention provides a discharge lamp lighting apparatus capable of stably obtaining a wide range of illumination of a discharge lamp up to a very low luminous flux level of 5% or less of relative lighting rate.

본 고안에 따르면, 상기의 목적은 고주파 전원이 조명되어질 방전램프를 작동시키기 위해서 제어수단을 매개로 고주파 전원장치로부터 낮은 강도의 수은 아크 방전램프로 공급되는 방전램프 조명장치에 의해 성취될 수 있는바, 이 장치는 고주파 전원에 램프를 중첩함으로써 낮은 광속조명시에 방전을 유지할 수 있는 레벨의 DC 전원을 낮은 강도의 수은 아크 방전램프에 인가하는 DC 전원 공급수단을 포함한다.According to the present invention, the above object can be achieved by a discharge lamp lighting device supplied from a high frequency power supply to a low intensity mercury arc discharge lamp via a control means to operate a discharge lamp to be illuminated with a high frequency power source. The apparatus includes a DC power supply means for applying a DC power supply to a low intensity mercury arc discharge lamp at a level capable of maintaining a discharge during low luminous flux by superimposing a lamp on a high frequency power supply.

본 고안의 다른 목적 및 장점은 첨부도면에 도시한 본 고안의 실시예를 참조하여 상세히 기술된 하기의 설명으로부터 명백해질 것이다.Other objects and advantages of the present invention will become apparent from the following description described in detail with reference to the embodiments of the present invention shown in the accompanying drawings.

비록 본 고안이 첨부도면에 도시한 각각의 실시예를 참조하여 기술하였을지라도, 본 고안은 실시예에 한정되는 것이 아니라, 하기의 특허청구범위의 범주내에서 많은 변경 및 수정이 있을 수도 있다.Although the present invention has been described with reference to the respective embodiments shown in the accompanying drawings, the present invention is not limited to the embodiments, and there may be many changes and modifications within the scope of the following claims.

본 고안에 따른 조광 방전램프 조명장치의 기본 실시예를 도시한 제1도를 참조하면, 이 장치는 대체로 저강도 수은 아크 방전램프(10)와, 고주파 전원을 방전램프(10)에 공급하는 고주파 전원부(11)와, 아크 방전부로 부터 글로우 방전부까지 방전램프(10)의 조광을 실행하는 조광제어수단(12) 및 고주파 전원부(11)로 부터의 고주파 전원에서 방전램프(10)에 중첩됨으로써 낮은 광속조명시 방전을 유지할 수 있는 레벨의 직류 전원을 방전램프(10)에 공급하는 직류 전원 공급수단(13)으로 구성되는바, DC 전원 공급수단(13)은 DC전원부(14)를 포함한다.Referring to FIG. 1, which shows a basic embodiment of a dimming discharge lamp lighting apparatus according to the present invention, the apparatus generally has a low intensity mercury arc discharge lamp 10 and a high frequency power supplying high frequency power to the discharge lamp 10. FIG. The power supply unit 11, the dimming control means 12 for dimming the discharge lamp 10 from the arc discharge unit to the glow discharge unit, and the high frequency power supply from the high frequency power supply unit 11 overlap the discharge lamp 10. Therefore, it is composed of a DC power supply means 13 for supplying a DC power supply to the discharge lamp 10 of a level capable of maintaining a discharge during low luminous flux lighting, the DC power supply means 13 includes a DC power supply portion 14 do.

이 경우, 상기의 구조는 방전램프(10)의 조광을 제어하기 위한 조광제어수단(12)의 제어신호가 고주파 전원부(11), 임피던스소자(Z1,Z2) 및 DC 전원부(14)에 각각 동시에 제공될 수 있도록 구성되지만, 이 구조는 제어신호를 그러한 모든 부품에 동시에 제공되지 않을 수도 있다.In this case, in the above structure, the control signal of the dimming control means 12 for controlling the dimming of the discharge lamp 10 is transmitted to the high frequency power supply section 11, the impedance elements Z 1 , Z 2 and the DC power supply section 14. Although each is configured to be provided simultaneously, this structure may not provide control signals to all such components at the same time.

예컨데 제어신호는 고주파 전원부(11)에만 제공될 수 있으며, 고주파 전원부(11)로 부터 얻어진 고주파 출력은 방전램프(10)에 공급되는 전압제어하기 위해 그의 주파수를 가변시킴으로써 조광을 수행할 수가 있다.For example, the control signal may be provided only to the high frequency power supply unit 11, and the high frequency output obtained from the high frequency power supply unit 11 may perform dimming by varying its frequency to control the voltage supplied to the discharge lamp 10.

또한, 제어신호는 조광제어수단(12)으로 부터 DC 전원부(14)에 입력되어 DC 전원 공급수단(13)으로 부터의 DC 성분이 가변되도록 할 수 있으며, 조광율에 따라 최적화되는 DC 성분이 방전램프(10)에 인가될 수 있다.In addition, the control signal may be input from the dimming control means 12 to the DC power supply 14 so that the DC component from the DC power supply means 13 is variable, and the DC component optimized according to the dimming rate is discharged. May be applied to the lamp 10.

고주파 전원부(11)과 방전램프(10) 사이, 및 DC 전원부(14)와 방전램프(10) 사이에 각각 배치된 임피던스소자(Z1,Z2)에 있어서, 그들중 임피던스소자(Z1)는 포화 인덕턴스를 포함함으로써 이 인덕턴스의 값이 조광을 수행하기 위해 그곳에 입력되는 제어신호에 의해 제어될 수 있다. 다른 임피던스소자(Z2)를 저항소자와 스위칭소자로 형성함으로써 스위칭소자는 임피던스소자(Z2)에 제공되는 제어신호에 의해 온/오프 될 수도 있으며, 방전램프(10)에 가해지는 DC 전원은 중첩되는 량으로서 제어될 수도 있다.In the impedance elements Z 1 and Z 2 respectively disposed between the high frequency power supply 11 and the discharge lamp 10 and between the DC power supply 14 and the discharge lamp 10, among them, the impedance element Z 1 . By including the saturation inductance, the value of this inductance can be controlled by a control signal input therein to perform dimming. By forming another impedance element Z 2 as a resistance element and a switching element, the switching element may be turned on / off by a control signal provided to the impedance element Z 2 , and the DC power applied to the discharge lamp 10 may be It may be controlled as the amount of overlap.

이 경우, 임피던스소자(Z2)는 스위칭소자로만 구성되며 방전램프(10)의 임피던스는 저항소자의 임피던스로서 이용될 수도 있다.In this case, the impedance element Z 2 is composed only of the switching element, and the impedance of the discharge lamp 10 may be used as the impedance of the resistance element.

교류 고주파 전원이 방전램프(10)에 인가될 경우, 방전램프(10)에 흐르는 전류는 메인 전류와 다크(암) 전류로 분할되어지는 것으로 간주될 수 있다.When AC high frequency power is applied to the discharge lamp 10, the current flowing in the discharge lamp 10 can be considered to be divided into a main current and a dark (dark) current.

제2도에 도시한 방전램프(10)의 등가회로를 참조하면, 방전경로는 부성저항(1a)과, 상기의 부성저항(1a) 및 램프관벽 사이에 배치된 용량성 임피던스(1b), 및 램프 필라멘트(F1,F2)와 램프관벽 사이에 배치된 용량성 임피던스(1c)를 포함하는 것으로 가정한다.Referring to the equivalent circuit of the discharge lamp 10 shown in FIG. 2, the discharge path is the negative resistance 1a, the negative resistance 1a and the capacitive impedance 1b disposed between the lamp tube wall, and It is assumed that it includes a capacitive impedance 1c disposed between the lamp filaments F 1 , F 2 and the lamp tube wall.

방전램프(10)가 그곳에 인가된 정격전류에 의해 발광될 경우, 메인 전류는 필라멘트(F1,F2)를 통해 방전경로로 충분히 흐르게 되어 부성저항(1a)으로 표시한 방전경로를 유지하게 된다.When the discharge lamp 10 emits light by the rated current applied thereto, the main current flows sufficiently through the filaments F 1 and F 2 to the discharge path to maintain the discharge path indicated by the negative resistance 1a. .

한편, 조광이 수행됨에 따라, 메인 전류는 감소되어 암전류의 비가 상대적으로 증가하게 되는바, 이 암전류는 발광에 기여하지 못하고, 조광이 소정의 레벨 이상으로 수행됨에 따라, 방전경로를 형성하는 부성저항(1a)을 통해 흐르는 전류는 부성저항(1a)과 관벽 사이에 있는 용량성 임피던스(1b)를 통해 관벽 임피던스(1d)에만 흐르게 되어 방전경로는 더이상 유지될 수가 없다.On the other hand, as the dimming is performed, the main current is decreased so that the ratio of the dark current is relatively increased. This dark current does not contribute to light emission, and as the dimming is performed above a predetermined level, a negative resistance for forming a discharge path is obtained. The current flowing through 1a flows only through the pipe wall impedance 1d through the capacitive impedance 1b between the negative resistance 1a and the pipe wall, so that the discharge path can no longer be maintained.

따라서, 모든 공급전류는 암전류가 되고, 방전램프(10)에서는 플리커 오프가 발생한다.Therefore, all supply currents become dark currents, and flicker off occurs in the discharge lamp 10.

정격조명 100% 하에서의 조명에 대한 전압과 상대조명율간의 관계는 고주파 전원을 40KHZ의 고주파 전원부와, 이 전원부를 절연하기 위한 절연 트랜스포머를 통해서 내측면 전도체피복형(예컨데 본 양수인 회사가 제조한 “FLR40W-F1MX ”와 같은 것) 저강도 수은 아크 방전램프의 직선 40W 관에 공급되어 그곳에 예열전류(IP=0.4A)를 인가하고, 그의 조광 동작을 위해 방전램프에 대한 고주파 전원을 변화시킴으로써 측정되는바, 그 측정결과는 제36도에 그래프로 도시하였다.The relationship between the voltage and the relative illumination rate for illumination under 100% of the rated light is that the high-frequency power supply is 40 KH Z high-frequency power supply, and the inner conductor-covered type (eg, FLR40W-F1MX ”) measured by supplying a straight 40W tube of low-intensity mercury arc discharge lamp to apply a preheating current (IP = 0.4A) to it and varying the high frequency power to the discharge lamp for its dimming operation. The measurement results are shown graphically in FIG.

그래프에서 알 수 있는 바와 같이, 램프전압은 상대 조명율이 낮아짐에 따라 상승하게 되는바, 이러한 상승은 상대조명율이 약 10-20% 일때 갑자기 변하게 되고, 그 결과 상승된 램프전압은 약 5%의 상대조명율을 향해 갑자기 낮아지므로, 상대조명율이 약 5% 일때 방전램프 조명은 플리커 오프된다.As can be seen from the graph, the ramp voltage rises as the relative illumination rate decreases, and this rise suddenly changes when the relative illumination rate is about 10-20%, and the resulting ramp voltage rises about 5%. Since the lamp is suddenly lowered toward the relative illumination rate of the lamp, the discharge lamp illumination is flickered off when the relative illumination rate is about 5%.

램프온도가 낮아질때 이러한 경향은 현저하게 발생되고, 방전램프의 조명은 램프온도에 관계없이 상대조명율이 20% 이하일때 유지하기가 어려우며, 조명은 상이한 램프온도의 경우 약 5%의 상대조명율에서 플리커 오프된다.This tendency is remarkable when the lamp temperature is lowered, and the lighting of the discharge lamp is difficult to maintain when the relative lighting rate is 20% or less regardless of the lamp temperature, and the lighting is about 5% relative lighting temperature at different lamp temperatures. Flicker off.

또한, 다른 형태의 저강도 수은 아크 방전램프에 대해서도 유사한 조치가 수행되며, 실질적으로 동일한 결과를 얻게된다.Similar measures are also taken for other types of low intensity mercury arc discharge lamps, with substantially the same results.

전술한 바와 같이, 조광을 매우 낮은 레벨의 상대조명율로 실행하기 위한 방전경로를 설정할 필요가 있으며, 이를 위해서는 전류를 암전류가 되지 않도록 공급하는 것이 필요하다. 인가된 전류는 직류전류가 필요하며, 이를 위해 전류는 부성저항(1a)과 램프관벽 사이에 있는 임피던스소자(1b)와, 필라멘트(F1,F2)와 램프관벽 사이에 있는 임피던스소자(1c)와 같은 용량성 임피던스소자에 흐르지 않게 될 것이다.As described above, it is necessary to set a discharge path for performing dimming at a very low level of relative illumination, and for this purpose, it is necessary to supply a current so that it does not become a dark current. The applied current requires a DC current, and for this, the current is an impedance element 1b between the negative resistance 1a and the lamp tube wall, and an impedance element 1c between the filaments F 1 and F 2 and the lamp tube wall. Will not flow through a capacitive impedance element such as

본 고안에 따르면, 낮은 광속시 방전을 유지할 수 있는 레벨에서의 DC 전원은 제1도에 도시한 바와 같이 DC 전원 공급수단(13)에 의해 고주파 전원에 중첩될때 방전램프(10)에 인가되므로, 암전류를 제한하거나 현저하게 경감시키기 위해 용량성 임피던스소자(1b, 1c)에는 전류가 전혀 흐르지 않게 되어 방전경로가 설정될 수 있다.According to the present invention, since the DC power at a level capable of maintaining the discharge at a low luminous flux is applied to the discharge lamp 10 when superimposed on the high frequency power by the DC power supply means 13, as shown in FIG. In order to limit or significantly reduce the dark current, no current flows through the capacitive impedance elements 1b and 1c so that the discharge path can be set.

따라서, 제36도에 도시한 바와 같이 램프전압과 상대조명율간의 관계, 다시 말하면 광속은 고주파 전원부와 절연 트랜스포머를 매개로 전원을 본 양수인 회사에서 제조한 FLR 40S/MX-36와 같은 내측면 전도체 피복형 저강도 수은 아크 방지램프의 직선 40W관에 공급하고, DC 전원 공급수단(13)에 의해 전원에 중첩되는 DC 전원을 인가하며, 예열전류(IP=0.4A)를 제공하고, 고주파 전원을 가변시킴으로써 조명을 수행하여 얻어진다. 그러한 측정 결과는 제35도에 도시하였는바, 본 고안에 따른 방전램프 조명장치는 어떠한 플리커 오프도 발생하지 않고서 매우 낮은 광속레벨에서도 램프 조명을 실현할 수 있으며, 그 조명은 상대조명율이나 광속이 약 0.1%로 낮아질지라도 얻어질 수 있다.Therefore, as shown in FIG. 36, the relationship between the lamp voltage and the relative illumination rate, that is, the luminous flux is an inner surface conductor such as the FLR 40S / MX-36 manufactured by a positive company that saw power through a high frequency power supply and an insulating transformer. Supply to the straight 40W tube of the clad low intensity mercury arc prevention lamp, apply DC power superimposed on the power by DC power supply means 13, provide preheating current (IP = 0.4A), and Obtained by performing illumination by varying. Such measurement results are shown in FIG. 35, and the discharge lamp lighting apparatus according to the present invention can realize lamp lighting at a very low luminous flux level without any flicker off, and the illumination has a weak relative illumination rate or luminous flux. Even lowering to 0.1% can be obtained.

본 고안의 실제적인 구조를 상세히 설명한다.The actual structure of the present invention will be described in detail.

제3도를 참조하면, 상용 AC 전원부(VS)의 AC 전압은 고주파 전원부(11)의 DC 변환회로(11A)에 의해 DC 전압으로 변환된 다음, 고주파 변환회로(11B)에 의해 고주파 전압으로 변환되는바, 이 고주파 전압은 공진회로(11C)를 통해 방전램프(10)에 인가된다.Referring to FIG. 3, a high-frequency voltage by a commercial AC power source (V S) of the AC voltage is the following, the high frequency conversion circuit (11B) converted to a DC voltage by a DC converting circuit (11A) of the high-frequency power source 11 The high frequency voltage is applied to the discharge lamp 10 through the resonant circuit 11C.

이와 동시에, 방전램프(10)의 필라멘트(F1,F2)에서 예열회로(11D)로 부터 예열전류가 공급된다. 고주파 변환회로(11B)에서 얻어진 고주파 전압은 DC 전원 공급수단(13)내에 DC 변환회로(13A)에 의해 DC 전압으로 변환되는바, 이 DC 전압은 임피던스소자(13B)와 다이오드(13C)를 통해 방전램프(10)에 인가되므로, 낮은 광속 조명시 방전을 유지할 수 있는 레벨의 DC 전원은 고주파 전원에 중첩됨으로써 방전램프에 인가 될 수 있다.At the same time, the preheating current is supplied from the preheating circuit 11D in the filaments F 1 and F 2 of the discharge lamp 10. The high frequency voltage obtained by the high frequency conversion circuit 11B is converted into a DC voltage by the DC conversion circuit 13A in the DC power supply means 13, and this DC voltage is transferred through the impedance element 13B and the diode 13C. Since it is applied to the discharge lamp 10, the DC power supply of a level capable of maintaining the discharge during low luminous flux can be applied to the discharge lamp by overlapping the high frequency power supply.

제4도에는 제3도 장치의 상세회로도가 도시되었는바, 이 경우, 상용 AC 전원부(VS)는 DC 변환회로(11A)내의 휴즈(F)와, 필터코일(FC1,FC2)를 통해 다이오드 브릿지(DB1)의 AC 입력단자에 연결된다.4 also has a third Toba doeeotneun a detailed circuit diagram of the apparatus shown, in this case, a commercial AC power source (V S) is a fuse (F) and a filter coil (FC 1, FC 2) in the DC conversion circuit (11A) It is connected to the AC input terminal of the diode bridge (DB 1 ).

필터코일(FC1)의 입력측에는 서어지 홉수기(ZNR)와 노이즈 방지용 콘덴서(C1)가 병렬로 연결되며, 필터코일(FC2)의 입/출력측에는 노이즈 방지용 콘덴서(C2,C3)각각 병렬 연결되어 있다. 다이오드 브릿지(DB1)의 정출력 단자에는 인턱터(CH1)의 일단이 연결되고 인턱터(CH1)의 타단은 쵸퍼로서 동작하는 MOS 트랜지스터(Q1)의 드레인단자에 연결된다.A surge hop condenser (ZNR) and an anti-noise condenser (C 1 ) are connected in parallel to the input side of the filter coil (FC 1 ), and an anti-noise condenser (C 2 , C 3 ) on the input / output side of the filter coil (FC 2 ). Each is connected in parallel. One end of the inductor CH 1 is connected to the positive output terminal of the diode bridge DB 1 , and the other end of the inductor CH 1 is connected to the drain terminal of the MOS transistor Q 1 operating as a chopper.

이 MOS 트랜지스터(Q1)의 소스단자는 저항(R1)을 매개로 다이오드 브릿지(DB1)의 부출력 단자에 연결되고, 그의 드레인 단자에는 역류방지용 다이오드(D1)의 애노드와 캐소드를 매개로 콘덴서(C4,C5)로된 직렬회로의 일단이 연결되며, 이 직렬회로의 타단은 다이오드 브릿지(DB1)의 부출력 단자에 연결된다.The source terminal of the MOS transistor Q 1 is connected to the negative output terminal of the diode bridge DB 1 via a resistor R 1 , and the anode and the cathode of the backflow prevention diode D 1 are connected to the drain terminal thereof. One end of the series circuit of the condenser C 4 , C 5 is connected, and the other end of the series circuit is connected to the negative output terminal of the diode bridge DB 1 .

콘덴서(C4,C5)로된 직렬회로에는 저항(R2,R3)과 가변저항(VR1)으로된 직결회로가 병렬로 연결되며, 저항(R2)과 (R3) 사이의 접속점 “b ”은 콘덴서(C4,C5)로된 직렬회로에서 얻어지는 DC 전압(VDC)을 검출하기 위한 검출단자를 형성한다.In a series circuit composed of capacitors (C 4 , C 5 ), a direct connection circuit composed of resistors (R 2 , R 3 ) and variable resistor (VR 1 ) is connected in parallel, and between resistors (R 2 ) and (R 3 ) The connection point "b" forms a detection terminal for detecting the DC voltage VDC obtained in the series circuit of the capacitors C 4 and C 5 .

이와 같이 구성된 DC 변환회로(11A)에 있어서, MOS 트랜지스터(Q1)는 이후 기술할 발진회로의 발진출력 “Q ”에 의해 고속으로 온/오프된다.In the DC conversion circuit 11A configured as described above, the MOS transistor Q 1 is turned on / off at high speed by the oscillation output “Q” of the oscillation circuit to be described later.

MOS 트랜지스터(Q1)가 온 될 경우 우선, 다이오드 브릿지(DB1)의 DC 출력은 인턱터(CH1)에 의해 단락회로를 구성하므로 인턱터(CH1)에 흐르는 전류는 다이오드 브릿지(DB1)의 DC 출력전압의 크기에 비례하여 증가되고, 인턱터(CH1)에는 에너지가 축적된다. MOS 트랜지스터(Q1)가 오프 될 경우, 인턱터(CH1)에 있던 에너지는 방전되므로, 다이오드(D1)를 통해 콘덴서(C4,C5)를 충전시키기 위해 부스팅 쵸퍼 회로가 형성되어, 상용 AC 전원(VS)의 전압이 일시적으로 낮아지더라도 충전전류가 콘덴서(C4,C5)에 흐르게 되어, 콘덴서(C4,C5)의 DC 전압(VDC)은 충분하게 평활된다.When a MOS transistor (Q 1) on first, DC output of the diode bridge (DB 1) is so configured to short-circuit by the inductor (CH 1) the current flowing through the inductor (CH 1) is of the diode bridge (DB 1) It is increased in proportion to the magnitude of the DC output voltage, and energy is accumulated in the inductor CH 1 . When the MOS transistor Q 1 is turned off, since the energy in the inductor CH 1 is discharged, a boosting chopper circuit is formed to charge the capacitors C 4 and C 5 through the diode D 1 . even if the voltage of the AC power source (V S) is temporarily lowered to the charge current flows to the capacitor (C 4, C 5), capacitors (C 4, C 5) DC voltage (VDC) is a sufficiently smooth.

이러한 방식으로 MOS 트랜지스터(Q1)를 고속으로 온/오프 시킴으로써 입력전류는 인턱터(CH1)를 매개로 상용 AC 전원부(VS)로 부터 항상 흐를 수 있으며, 인턱터(CH1)는 싸인파 전류파형을 갖을 것이다.By on / off at a high speed for a MOS transistor (Q 1) in this way, the input current can always flow from the commercial AC power source (V S) to the inductor (CH 1) parameters, inductor (CH 1) is a sine wave current Will have a waveform.

이러한 전류파형이 필터코일(FC1,FC2)과 노이즈 방지용 콘덴서(C1∼C3)에 의해 여과되어 연속될 경우, 상용 AC 전원부(VS)에서 출력되는 전류는 입력전압(VIN)을 갖는 인-페인즈의 싸인파이고, 입력 전원인수는 실질적으로 1일 것이다.When these current waveforms are filtered and continuous by the filter coils FC 1 and FC 2 and the noise preventing capacitors C 1 to C 3 , the current output from the commercial AC power supply unit V S is applied to the input voltage V IN. The in-paint has a sine pie, and the input power factor will be substantially one.

또한, 입력전류는 왜곡율이 적을 것이며, 고조파 성분은 적게 된다.In addition, the input current will have a low distortion rate, and the harmonic components will be low.

여기에서, 필터코일(FC1,FC2)과 노이즈 방지용 콘덴서(C1∼C3)는 시정수로 설정되어 상용 AC 주파수에 대한 저임피던스와, MOS 트랜지스터(Q1)의 절환 주파수에 대한 고임피던스를 나타내게 된다.Here, the filter coils FC 1 and FC 2 and the noise preventing capacitors C 1 to C 3 are set to time constants so that low impedance for commercial AC frequencies and high impedance for switching frequencies of the MOS transistors Q 1 are provided. Will be displayed.

고주파 변환회로(11B)에 있어서, MOS 트랜지스터(Q2)의 드레인 단자에는 DC 변환회로(11A)의 정출력단자가, 그의 소스단자에는 저항(R6)을 매개로 다른 MOS 트랜지스터(Q3)의 드레인 단자가 연결되는 바, 이 MOS 트랜지스터(Q3)의 소스단자에는 저항(R9)을 매개로 DC 변환회로(11A)의 부출력단자가 연결된다.In the high frequency conversion circuit 11B, the positive output terminal of the DC conversion circuit 11A is connected to the drain terminal of the MOS transistor Q 2 , and the source terminal of the MOS transistor Q 3 is connected through the resistor R 6 . Since the drain terminal is connected, the source terminal of the MOS transistor Q 3 is connected to the negative output terminal of the DC conversion circuit 11A via the resistor R 9 .

여기에서, MOS 트랜지스터(Q1,Q2,Q3)의 소스단자에 직렬로 연결된 저항(R1, R6, R9)은 과전류 방지용이다. 그리고, MOS 트랜지스터(Q3)의 드레인에는 DC 성분 차단용 콘덴서(C6)를 경유하여 예열회로(11D), 공진회로(11C) 및 방전램프(10)로 구성된 다음단의 부하회로가 연결된다.Here, the resistors R 1 , R 6 , and R 9 connected in series to the source terminals of the MOS transistors Q 1 , Q 2 , and Q 3 are for overcurrent protection. The drain of the MOS transistor Q 3 is connected to a next load circuit composed of a preheating circuit 11D, a resonant circuit 11C, and a discharge lamp 10 via a DC component blocking capacitor C 6 . .

고주파 변환회로(11B)에 있어서, 고전위측에 있는 MOS 트랜지스터(Q2)는 고전위측 구동단자 “C ”와 “D ”에 인가되는 제1구동신호에 의해 온/ 오프 되는 바, 이때 MOS 트랜지스터(Q2)의 게이트단자는 저항(R5)을 매개로 구동단자 “d ”에 연결된다.In the high frequency conversion circuit 11B, the MOS transistor Q 2 at the high potential side is turned on / off by a first drive signal applied to the high potential side driving terminals “C” and “D”, where the MOS transistor ( The gate terminal of Q 2 ) is connected to the driving terminal “d” through the resistor R 5 .

구동단자 “c ”와 MOS 트랜지스터(Q2)의 게이트단자 사이에는 저항(R4)이 연결되고, 이 저항(R4)에는 저항(R30)과 다이오드(D16)로 된 직렬회로가 병렬로 연결된다.A resistor R 4 is connected between the driving terminal “c” and the gate terminal of the MOS transistor Q 2. The resistor R 4 has a series circuit composed of a resistor R 30 and a diode D 1 6. Connected in parallel.

고전위측 구동단자 “c ”는 이후 기술한 인버터 제어수단에 의해 제어되므로 “H ”레벨과 “L ”레벨 상태는 고전위측 단자 “d ”에 따라 고주파수를 변경시킬 것이다.Since the high potential drive terminal "c" is controlled by the inverter control means described later, the "H" level and "L" level states will change the high frequency according to the high potential terminal "d".

이 구동단자 “c ”가 고전위측 단자 “d ”에 대해 “H ”레벨에 있을 경우, 저항(R4,R5)에 의해 “H ”레벨 전압의 분할전압은 MOS 트랜지스터(Q2)의 게이트단자에 인가되는바, MOS 트랜지스터(Q2)의 게이트와 소스간의 전압(VGS)이 상승하게 되므로 MOS 트랜지스터(Q2)는 턴온 된다.When this driving terminal “c” is at the “H” level with respect to the high potential terminal “d”, the divided voltage of the “H” level voltage by the resistors R 4 and R 5 is the gate of the MOS transistor Q 2 . bar is applied to the terminal, a voltage (VGS) between the gate and the source of the MOS transistor (Q 2) is elevated so MOS transistor (Q 2) is turned on.

구동단자 “c ”가 기준인 고전위측 단자 “d ”에 대해 “L ”레벨일 경우, MOS 트랜지스터(Q2)의 게이트와 소스를 지나 콘덴서에 축적된 전하는 다이오드(D1)와 저항(R30)을 통해 방전되고, MOS 트랜지스터(Q2)의 게이트와 소스간의 전압(VGS)은 하강하게 되므로 MOS 트랜지스터는 턴오프 된다.When the driving terminal “c” is at the “L” level with respect to the high potential terminal “d”, the charge accumulated in the capacitor across the gate and the source of the MOS transistor Q 2 is increased in the diode D 1 and the resistor R 30. ), And the voltage VGS between the gate and the source of the MOS transistor Q 2 is lowered, so that the MOS transistor is turned off.

이때, 저전위측에 있는 MOS 트랜지스터(Q3)는 저전위측 구동단자 “c ”와 접지를 통해 인가되는 제2구동신호에 의해 턴온 된다.At this time, the MOS transistor Q 3 on the low potential side is turned on by the low potential side driving terminal “c” and the second driving signal applied through the ground.

여기에서 또다른 저전위측 구동단자 “e ”는 고주파를 이후 기술할 인버터 제어수단에 의해서 기준인 접지에 대해 “H ”레벨과 “L ”레벨 상태 사이에서 변화되도록 제어된다.Here another low potential drive terminal "e" is controlled to change between the "H" level and the "L" level state with respect to ground as reference by the inverter control means to describe the high frequency later.

MOS 트랜지스터(Q3)의 구동회로 및 그의 동작은 MOS 트랜지스터(Q2)의 것과 실질적으로 동일하며, 저항(R7, R8, R31)은 저항(R4,R5,R30)에 대응하며, 다이오드(D7)는 다이오드(D6)에 대응한다.The driving circuit of the MOS transistor Q 3 and its operation are substantially the same as that of the MOS transistor Q 2 , and the resistors R 7 , R 8 , R 31 are connected to the resistors R 4 , R 5 , R 30 . And diode D 7 corresponds to diode D 6 .

이 경우, 제1 및 제2구동신호는 동시에 “H ”레벨로 되지 않고, 제1구동신호가 “H ”레벨이고 제2구동신호가 “L ”레벨인 제1주기와, 제1 및 제2구동신호가 모두 “L ”레벨인 제2주기와, 제1구동신호가 “L ”레벨이고, 제2구동신호가 “H ”레벨인 제3주기, 및 제1 및 구동신호가 모두 “L ”레벨인 제4주기는 이러한 순서대로 연속적으로 반복된다.In this case, the first and second drive signals do not become the "H" level at the same time, the first period in which the first drive signal is the "H" level and the second drive signal is the "L" level, and the first and second A second period in which the driving signals are all at the "L" level, a third period in which the first driving signals are at the "L" level, and a third period in which the second driving signals are at the "H" level, and both the first and driving signals are at the "L" level The fourth period, which is a level, is repeated continuously in this order.

좀더 상세히 설명하면, 제1주기시에는 MOS 트랜지스터(Q2)가 온 되고, MOS 트랜지스터(Q3)가 오프 되므로 전류는 DC 변환회로(11A)의 정출력단자로 부터 MOS 트랜지스터(Q2), 저항(R6), DC 성분 차단용 콘덴서(C6), 및 부하회로를 경유하여 DC 변환회로(11A)의 부출력단자로 이어지는 경로를 통해 흐를 것이다.In more detail, since the MOS transistor Q 2 is turned on and the MOS transistor Q 3 is turned off during the first cycle, the current flows from the constant output terminal of the DC conversion circuit 11A to the MOS transistor Q 2 , It will flow through the path leading to the negative output terminal of the DC conversion circuit 11A via the resistor R 6 , the DC component blocking capacitor C 6 , and the load circuit.

제2주기시에는 MOS 트랜지스터(Q2,Q3)가 동시에 오프 되므로, 발진 전류는 MOS 트랜지스터(Q3)의 드레인과 소스에 기생적으로 결합된 역방향 병렬 다이오드(D102)를 통해 흐를 것이다. 제3주기시에는 MOS 트랜지스터(Q2)가 오프 되고, MOS 트랜지스터(Q3)가 온 되므로 전원부로서 형성되는 DC 성분 차단용 콘덴서(C6)에 의해 전류는 이 콘덴서(C6)로 부터 MOS 트랜지스터(Q3), 저항(R9) 및 부하회로를 경유하여 콘덴서(C6)로 이어지는 경로를 통해 흐를 것이다.In the second period, since the MOS transistors Q 2 and Q 3 are simultaneously turned off, the oscillation current will flow through the reverse parallel diode D 102 parasiticly coupled to the drain and the source of the MOS transistor Q 3 . In the third cycle, the MOS transistor Q 2 is turned off and the MOS transistor Q 3 is turned on, so that a current is transferred from the capacitor C 6 by the capacitor C 6 for blocking the DC component formed as a power supply. It will flow through a path leading to capacitor C 6 via transistor Q 3 , resistor R 9 and load circuit.

제4주기시에는 MOS 트랜지스터(Q2,Q3)가 동시에 오프 되므로, 부하회로의 발진전류는 MOS 트랜지스터(Q2)의 드레인과 소스에 기생적으로 결합된 역방향 병렬 다이오드(D101)를 통해 흐르므로, 고주파 교류전류가 부하회로를 통해 흐르게 된다.During the fourth cycle, since the MOS transistors Q 2 and Q 3 are simultaneously turned off, the oscillating current of the load circuit is transferred through the reverse parallel diode D 101 parasiticly coupled to the drain and the source of the MOS transistor Q 2 . As a result, a high frequency alternating current flows through the load circuit.

MOS 트랜지스터(Q2,Q3)는 부하회로의 비발진 주파수보다 약간 높은 절환 주파수를 설정 할 수도 있다.The MOS transistors Q 2 and Q 3 may set a switching frequency slightly higher than the non-oscillation frequency of the load circuit.

그다음, 예열회로(11D)는 고주파 변환회로(11B)의 고주파 출력에 연결된 1차 권선과 방전램프(10)의 제1 및 제2 필라멘트(F1,F2)에 각각 연결된 제1 및 제2의 2차권선을 구비한 예열 트랜스포머(T1)로 구성되는 바, 고주파 변환회로(11B)의 고주파 출력이 강압되는 고주파 전압은 방전램프(10)의 필라멘트(F1,F2)에 인가되어 고주파수에 따라 그들을 예열시킨다. 예열 트랜스포머(T1)의 제3의 2차권선에서 얻어진 고주파 전압은 DC 변환회로(13A)에 공급되어 DC 전원 공급수단(13)의 전원이 되도록 한다.Then, the preheating circuit 11D is first and second connected to the primary winding connected to the high frequency output of the high frequency conversion circuit 11B and the first and second filaments F 1 and F 2 of the discharge lamp 10, respectively. It consists of a preheating transformer (T 1 ) having a secondary winding of the bar, the high frequency voltage at which the high frequency output of the high frequency conversion circuit 11B is stepped down is applied to the filaments (F 1 , F 2 ) of the discharge lamp 10 Preheat them according to high frequency. The high frequency voltage obtained from the third secondary winding of the preheating transformer T 1 is supplied to the DC conversion circuit 13A to be a power source of the DC power supply means 13.

공진회로(11C)는 고주파 변환회로(11B)의 고주파 출력에 연결된 인턱터(CH2)와 콘덴서(C7)로 된 직렬회로를 포함하고, 방전램프(10)는 (C8)와 필터(FC3)를 매개로 콘덴서(C7)에 연결되므로 램프(10)는 고주파 변환회로(11B)의 고주파 출력을 공진시킴으로써 작동되어 발광될 것이다. 여기에서 필터(FC3)는 노이즈 방지기능을 수행한다.The resonant circuit 11C includes a series circuit of an inductor CH 2 and a capacitor C 7 connected to the high frequency output of the high frequency conversion circuit 11B, and the discharge lamp 10 includes a C 8 and a filter FC. 3 ) is connected to the capacitor (C 7 ) via a medium, so the lamp 10 will be activated and emit light by resonating the high frequency output of the high frequency conversion circuit (11B). Here, the filter FC 3 performs a noise protection function.

DC 전원 공급수단(13)내의 DC 변환회로(13A)는 예열 트랜스포머(T1)의 제3의 2차권선에서 얻어진 고주파 전압을 정류하기 위한 다이오드(D9)와, 정류된 전압을 평활하기 위한 평활 콘덴서(C9)로 구성되므로, 전원은 고주파 변환회로(11B)의 출력인 고주파 전압이 정류되어 평활되도록한 전원을 제공하게 될 것이다.The DC conversion circuit 13A in the DC power supply means 13 includes a diode D 9 for rectifying the high frequency voltage obtained in the third secondary winding of the preheating transformer T 1 , and a smoothing voltage for the rectified voltage. Since it is composed of the smoothing capacitor (C 9 ), the power supply will provide a power supply so that the high frequency voltage, which is the output of the high frequency conversion circuit 11B, is rectified and smoothed.

평활 콘덴서(C9)에서 얻어진 DC 전압은 인턱터(CH3)와 다이오드(D2)를 통해 방전램프에 인가된다. 임피던스소자(13B)로서 작동하는 인턱터(CH3)는 직류에 대한 그의 구리손실 성분에 의한 임피던스일 수 있지만, 공진회로(11C)로부터의 고주파에 대해 인턱터(CH3)의 인덕턴스값을 표시하는 “L ”을 갖는 유도성 리액턴스(JWL)가 임피턴스이므로 고주파에 대한 소정의 회피를 방지하는 기능을 성취하도록 한다.The DC voltage obtained at the smoothing capacitor C 9 is applied to the discharge lamp through the inductor CH 3 and the diode D 2 . The inductor CH 3 acting as the impedance element 13B may be an impedance due to its copper loss component with respect to direct current, but indicates an inductance value of the inductor CH 3 with respect to the high frequency from the resonant circuit 11C. Since the inductive reactance JWL having L ″ is an impedance, it is possible to achieve a function of preventing a certain avoidance for high frequency.

제3도에서 다이오드(13c)에 대응하는 다이오드(D2)는 방전램프(10)에 가해지는 전압에 의해 평활 콘덴서(C9)가 충전되지 않도록 한다.In FIG. 3, the diode D 2 corresponding to the diode 13c prevents the smoothing capacitor C 9 from being charged by the voltage applied to the discharge lamp 10.

DC 전원 공급수단(13)으로부터의 DC 전압은 콘덴서(C8)에 의해 차단되어 예열회로(11D)의 예열 트랜스포머(T1)로 흐르지 않게 되지만, 방전램프(10)에 대한 메인 전류경로에만 흐르게 된다.The DC voltage from the DC power supply means 13 is blocked by the condenser C 8 so as not to flow into the preheating transformer T 1 of the preheating circuit 11D, but only to the main current path to the discharge lamp 10. do.

전술한 바와 같이, 고주파 변환회로(11B)로부터의 고주파 전압은 방전램프(10)에 인가되고, DC 전원 공급수단(13)으로 부터의 DC 전압은 그곳에 중첩된다.As described above, the high frequency voltage from the high frequency conversion circuit 11B is applied to the discharge lamp 10, and the DC voltage from the DC power supply means 13 is superimposed there.

DC 변환회로(11A)의 콘덴서(C4,C5)에서 얻어진 전압이 상기의 평활된 DC 전압이기 때문에 고주파 변환회로(11B)로부터의 고주파 전압의 인벨로프는 평평하게 되므로 방전램프(10)의 광출력은 실질적으로 플리커를 발생시키지 않는다.Since the voltage obtained from the capacitors C 4 and C 5 of the DC conversion circuit 11A is the smoothed DC voltage, the envelope of the high frequency voltage from the high frequency conversion circuit 11B becomes flat, so that the discharge lamp 10 The light output of does not substantially generate flicker.

조광제어수단(12)을 참조하면, 이 조광제어수단(12)은 DC 변환회로(11A)의 전압 부스팅을 위한 쵸퍼로서 이용되는 MOS 트랜지스터(Q1)를 제어하기 위한 쵸퍼제어회로부, 고주파 변환회로(11B)의 MOS 트랜지스터(Q2,Q3)를 제어하기 위한 인버터 제어회로부, 제어전압(Vcc)을 이들 회로부에 공급하기 위한 제어전원회로부로 구성된다.Referring to the dimming control means 12, this dimming control means 12 is a chopper control circuit part for controlling the MOS transistor Q 1 used as a chopper for voltage boosting of the DC conversion circuit 11A, and a high frequency conversion circuit. An inverter control circuit section for controlling the MOS transistors Q 2 , Q 3 of 11B, and a control power supply circuit section for supplying the control voltage Vcc to these circuit sections.

우선, 제어전원회로부는 DC 변환회로(11A)의 콘덴서(C2)의 양단에 연결된 1차권선과, DC 출력단에 콘덴서(C10)와 제너 다이오드(ZD1)가 병렬로 연결된 다이오드 브릿지(DB2)의 AC 입력단에 연결되는 2차권선을 갖는 강압 트랜스포머(T2)를 포함하는 바, 제너 다이오드(ZD1)의 애노오드는 접지에 연결되고, 그의 캐소우드에는 회로부들을 위한 동작전압(Vcc)이 인가된다.First, the control power circuit unit includes a primary winding connected to both ends of the capacitor C 2 of the DC conversion circuit 11A, and a diode bridge DB in which the capacitor C 10 and the zener diode ZD 1 are connected in parallel to the DC output terminal. 2 ) a step-down transformer (T 2 ) having a secondary winding connected to the AC input of the bar, the anode of the zener diode (ZD 1 ) is connected to ground, and its cathode has an operating voltage (Vcc) for the circuit parts. ) Is applied.

쵸퍼제어회로부는 일본의 NEC 사가 제조한 “μPC 494C ”와 같은 스위칭 레귤레이터를 제어하기 위한 IC와 같은 발진회로(IC1)를 포함한다. 이 제어 IC는 전원단자(12번핀)와 접지단자(7번핀)를 통해 제어전압(Vcc)을 입력받으며, 그의 내부에는 콘덴서단자(5번핀)와 접지단자 사이에 연결된 콘덴서(C14)와, 저항단자(6번핀)와 접지단자 사이에 연결된 저항(R14)에 의해 결정된 시정수에 따라 소정의 주파수로 발진하는 발진기가 내장되었다.The chopper control circuit section includes an oscillation circuit (IC1) such as an IC for controlling a switching regulator such as "μPC 494C" manufactured by NEC of Japan. The control IC receives the control voltage (Vcc) through the power supply terminal (pin 12) and the ground terminal (pin 7), and a capacitor (C 14 ) connected between the condenser terminal (pin 5) and the ground terminal. An oscillator that oscillates at a predetermined frequency according to a time constant determined by a resistor R 14 connected between the resistor terminal (No. 6 pin) and the ground terminal is embedded.

첫번째의 발진출력은 제1오픈 콜렉터단자(8번핀)와 제1오픈 에미터단자(9번핀)을 통한 단락 상태 및 개방 상태간의 변경에 의해 얻어지고, 두번째 발진출력은 제2오픈 콜렉터단자(11번핀)와 제2오픈 에미터단자(10번핀)를 통한 단락 상태 개방 상태간의 변경에 의해 얻어진다.The first oscillation output is obtained by a change between the short-circuit state and the open state via the first open collector terminal (pin 8) and the first open emitter terminal (pin 9), and the second oscillation output is the second open collector terminal (11). Burn pin) and a short-circuit open state via the second open emitter terminal (pin 10).

출력제어단자(13번핀)가 접지레벨로 될때, IC는 단일소자의 단일 완료동작을 실행하므로 제1발진출력은 제2발진출력에 대응하고, 출력제어단자가 기준전압출력단자(14번핀)에서 얻어진 기준전압(Vref)으로 설정되었을 경우 두개의 소자를 위한 푸쉬풀 동작이 수행되므로, 제1 및 제2발진 출력은 저항(R10) (R33)과 가변저항(VR2)에 의한 기준전압(Vref)의 분할전압을 데드오프시간 제어단자(4번핀)에 입력시켜 설정가능한 예정된 데드오프시간을 통해 상호 반대상태로 발생된다.When the output control terminal (pin 13) is at ground level, the IC performs a single completion operation of a single element, so the first oscillating output corresponds to the second oscillating output, and the output control terminal is connected to the reference voltage output terminal (pin 14). Since the push-pull operation for the two elements is performed when the reference voltage Vref is obtained, the first and second oscillation outputs are the reference voltages of the resistors R 10 (R 33 ) and the variable resistor VR 2 . The divided voltage of (Vref) is input to the deadoff time control terminal (pin 4), and is generated in opposite states through a predetermined deadoff time that can be set.

또한, 비반전단자(1번 및 16번핀)와 반전단자(2번 및 15번핀)는 펄스폭제어를 위한 에러 증폭 회로의 입력단자이다.Also, the non-inverting terminals (pins 1 and 16) and the inverting terminals (pins 2 and 15) are input terminals of an error amplifier circuit for pulse width control.

이 경우, 제1비반전단자(1번핀)는 저항(R2,R3)과 가변저항(VR1)에 의한 DC 변환회로(11A)의 출력전압(VDC)의 분할전압을 입력받고, 이 단자는 콘덴서(C12)를 통해 접지에 연결된다. 제1반전단자(2번핀)는 저항(R11,R12)에 의한 기준전압(Vref)의 분할전압을 입력받는다.In this case, the first non-inverting terminal (pin 1 ) receives the divided voltage of the output voltage VDC of the DC conversion circuit 11A by the resistors R 2 and R 3 and the variable resistor VR 1 . The terminal is connected to ground via a capacitor C 12 . The first inverting terminal (pin 2) receives a divided voltage of the reference voltage Vref by the resistors R 11 and R 12 .

한편, 제2비반전입력단자(16번핀)는 접지에 연결되며, 제2반전입력단자(15번핀)는 제어전압(Vcc)에 연결되는바, 이들 단자들은 사용하지 않는다.On the other hand, the second non-inverting input terminal (pin 16) is connected to the ground, the second inverting input terminal (pin 15) is connected to the control voltage (Vcc), these terminals are not used.

궤한단자(3번핀)는 저항(R13)과 콘덴서(C13)를 통해 제1반전입력단자(2번핀)에 연결된 궤한입력단자이다.The feedback terminal (pin 3) is a feedback input terminal connected to the first inverting input terminal (pin 2) through a resistor (R 13 ) and a capacitor (C 13 ).

전술한 구조에 있어서, 출력제어단자(13번핀)은 접지에 연결되어 있으므로 제1 및 제2발진 출력은 동시에 발생하고, 그들의 발진 주파수는 저항(R14과) 콘덴서(C14)의 시정수에 의해 결정되며, 펄스폭은 DC 변환회로(11A)의 출력전압(VDC)에서 발생되는 소정의 전압변화를 없애도록 제어된다.In the above-described structure, since the output control terminal (pin 13) is connected to the ground, the first and second oscillation outputs are generated at the same time, and their oscillation frequency is dependent on the time constant of the resistors (R 14 and) capacitor C 14 . The pulse width is controlled to eliminate a predetermined voltage change generated at the output voltage VDC of the DC conversion circuit 11A.

상기의 발진회로(IC1)의 발진출력은 트랜지스터(Q4∼Q6)를 포함하는 구동회로를 매개로 MOS 트랜지스터(Q1)의 구동단자 “a ”에 공급된다. 트랜지스터(Q4∼Q6)를 포함하는 구동회로에 있어서, 제1 및 제2오픈 에미터단자(9번 및 10번핀)는 접지에 연결되고, 제1 및 제2 오픈 콜렉터단자(8번 및 11번핀)는 트랜지스터(Q4)의 베이스에 연결된다. 제1 및 제2오픈 콜렉터단자가 제1 및 제2오픈 에미터단자와 함께 비전도상태에 있을 경우, 저항(R15,R16)에 의해 제어전압(Vcc)을 분할하여 얻어진 바이어스전압은 트랜지스터(Q4)의 베이스에 인가된다.The oscillation output of the oscillation circuit IC 1 is supplied to the driving terminal “a” of the MOS transistor Q 1 through a driving circuit including the transistors Q 4 to Q 6 . In a driving circuit including transistors Q 4 to Q 6 , the first and second open emitter terminals (pins 9 and 10) are connected to ground, and the first and second open collector terminals (8 and 8). Pin 11) is connected to the base of transistor Q 4 . When the first and second open collector terminals are in a non-conductive state together with the first and second open emitter terminals, the bias voltage obtained by dividing the control voltage Vcc by the resistors R 15 and R 16 is a transistor. Is applied to the base of (Q 4 ).

한편, 제1 및 제2오픈 콜렉터단자가 제1 및 제2오픈 에미터단자와 함께 전도 상태에 있을 경우, 트랜지스터(Q4)의 베이스는 접지되므로 트랜지스터(Q4)는 턴오프 된다.On the other hand, the case is in the first and second open collector terminals of the first and second open-conductive state with the emitter terminal, the base of the transistor (Q 4) is grounded because the transistor (Q 4) is turned off.

트랜지스터(Q4)의 에미터는 접지에 연결되고, 그의 콜렉터는 저항(R17)을 경유하여 제어전원전압(Vcc)과, 트랜지스터(Q5) (Q6)의 베이스에 연결된다.The emitter of transistor Q 4 is connected to ground, and its collector is connected to control power supply voltage Vcc and the base of transistor Q 5 (Q 6 ) via resistor R 17 .

트랜지스터(Q4)가 턴온 되면, 트랜지스터(Q5Q6)의 베이스에는 로우상태의 전위가 인가되어 트랜지스터(Q4)가 오프 되고, 트랜지스터(Q5,Q6)의 베이스는 하이상태의 바이어스전압이 인가된다. 트랜지스터(Q5)의 콜렉터는 제어전압(Vcc)에 연결되고, 트랜지스터(Q6)의 콜렉터는 접지에 연결된다.When the transistor Q 4 is turned on, a low potential is applied to the base of the transistors Q 5 Q 6 to turn off the transistor Q 4 , and the bases of the transistors Q 5 and Q 6 are biased in a high state. Voltage is applied. The collector of transistor Q 5 is connected to control voltage Vcc and the collector of transistor Q 6 is connected to ground.

트랜지스터(Q5,Q6)의 에미터는 저항(R18)과 다이오드(D4)로된 병렬회로를 매개로 MOS 트랜지스터(Q1)의 구동단자 “a ”에 연결되는 바, 이 단자는 접지에 연결된다. 트랜지스터(Q5)는 NPN 트랜지스터이고 트랜지스터(Q6)는 PNP 트랜지스터이며, 이들 트랜지스터의 베이스전위가 상승될 경우, 트랜지스터(Q5)는 턴온 되고, 트랜지스터(Q6)는 턴오프 되므로 트랜지스터(Q5)와 저항(R18) (R33)을 경유하여 제어전압(Vcc)으로 부터 전류가 흐르게 되고, 전압은 저항(R32)을 통해 발생된다.The emitters of the transistors Q 5 and Q 6 are connected to the driving terminal “a” of the MOS transistor Q 1 via a parallel circuit consisting of a resistor R 18 and a diode D 4 , which is grounded. Is connected to. Transistor Q 5 is an NPN transistor and transistor Q 6 is a PNP transistor. When the base potential of these transistors is raised, transistor Q 5 is turned on and transistor Q 6 is turned off so transistor Q 5 ) and current flows from the control voltage (Vcc) via resistor (R 18 ) (R 33 ), and voltage is generated through resistor (R 32 ).

발생된 전압은 MOS 트랜지스터(Q1)의 구동단자 “a ”에 인가되는 바, 트랜지스터(Q1)의 게이트-소스전위가 상승하게 되어 트랜지스터(Q1)는 턴온 된다.The generated voltage of the gate bar, the transistor (Q 1) to be applied to the drive terminal "a" of the MOS transistor (Q 1) - is the source potential rises the transistor (Q 1) is turned on.

트랜지스터(Q4)가 턴온 되어 트랜지스터(Q5,Q6)의 베이스전위가 낮아짐에 따라 트랜지스터(Q5)는 턴오프 되고, MOS 트랜지스터(Q1)의 게이트-소스를 통과하여 축적된 전하는 다이오드(D4)를 통해 방전되어 트랜지스터(Q6)의 에미터-베이스를 지나, 트랜지스터(Q4)의 콜렉터-에미터를 통과하므로, 베이스전류가 트랜지스터(Q6)를 통과하여 흐르게 된다. 따라서 트랜지스터(Q6)의 콜렉터-에미터를 통해 도통하게 되고, MOS 트랜지스터(Q1)의 게이트-소스를 지나 축전된 전하는 신속히 방전되므로 MOS 트랜지스터(Q1)의 구동회로가 형성된다.As the transistor Q 4 is turned on and the base potential of the transistors Q 5 and Q 6 is lowered, the transistor Q 5 is turned off, and the charge accumulated through the gate-source of the MOS transistor Q 1 is diode. Discharges through (D 4 ), passes through the emitter-base of transistor Q 6 , and passes through the collector-emitter of transistor Q 4 , so that a base current flows through transistor Q 6 . Therefore the collector of the transistor (Q 6) -, and the conduction through the emitter, the gate of the MOS transistor (Q 1) - the electric charge through the source storage since the rapid discharge is formed in the driving circuit of the MOS transistor (Q 1).

인버터 제어회로부는 스위칭 레귤레이터를 위해 이용되는 제어 IC (NEC의 μPC494C)인 발진회로(IC3)를 포함하는바, 이 IC의 각각의 단자는 전술한 발진회로(IC1)의 기능과 실질적으로 동일하다.The inverter control circuit section includes an oscillation circuit IC 3 which is a control IC (μPC494C of NEC) used for the switching regulator, each terminal of which is substantially the same as the function of the oscillation circuit IC 1 described above. Do.

이 발진회로(IC3)에 있어서, 비반전입력단(1번 및 16번핀)와, 펄스폭을 제어하는 반전입력단자(2번 및 15번핀)는 사용되지 않으며, 전자의 단자들은 접지에 연결되고, 후자의 단자들은 기준전압 출력단자(14번핀)에서 얻어지는 기준전압(Vref)에 연결된다. 기준전압(Vref)은 출력제어단자(13번핀)에 인가되므로, 발진회로(IC3)는 푸쉬-풀 동작을 수행하게 되며, 저항(R25)과 가변저항(VR3)에 의한 기준전압(Vref)의 분할전압은 데드-오프시간단자(4번핀)에 인가되어 데드-오프시간을 설정하도록 한다. 콘덴서단자(5번핀)는 콘덴서(C19)를 통해 접지로 연결되고, 저항단자(6번핀)는 저항(R24)과 가변저항(VR4)을 통해 접지에 연결된다.In this oscillation circuit (IC 3 ), non-inverting input terminals (pins 1 and 16) and inverting input terminals (pins 2 and 15) for controlling the pulse width are not used, and the former terminals are connected to ground. The latter terminals are connected to the reference voltage Vref obtained from the reference voltage output terminal (pin 14). Since the reference voltage Vref is applied to the output control terminal (pin 13), the oscillation circuit IC 3 performs the push-pull operation, and the reference voltage (V) by the resistor R 25 and the variable resistor VR 3 is applied. The divided voltage of Vref) is applied to the dead-off time terminal (pin 4) to set the dead-off time. The capacitor terminal (pin 5) is connected to ground through a capacitor (C 19 ), the resistor terminal (pin 6) is connected to ground through a resistor (R 24 ) and a variable resistor (VR 4 ).

발진회로(IC3)의 발진주파수는 콘덴서(C19), 저항(R24) 및 가변저항(VR4)에 의한 시정수로 결정된다.The oscillation frequency of the oscillation circuit IC 3 is determined by the time constant by the capacitor C 19 , the resistor R 24 , and the variable resistor VR 4 .

이러한 가변저항(VR4)과, 콘덴서(C18)가 병렬로 연결되어 있으므로, 발진회로(IC3)의 발진주파수는 가변저항(VR4)의 저항값이 신속히 변화되더라도 점진적으로 변화될 것이다. 소스단자(12번핀)와, 접지단자(7번핀) 사이에는 제어전압(Vcc)이 인가된다. 제1 및 제2오픈 에미터단자(9번 및 10번핀)는 접지에 연결되고, 제1 및 제2오픈 콜렉터단자(8번 및 11번핀)는 저항(R26,R27)을 통해 제어전압(Vcc)는 각각 연결되어 제1 및 제2인버터(G1,G2)의 입력단에 연결된다.Since the variable resistor VR 4 and the capacitor C 18 are connected in parallel, the oscillation frequency of the oscillation circuit IC 3 will gradually change even if the resistance value of the variable resistor VR 4 changes rapidly. The control voltage Vcc is applied between the source terminal (pin 12) and the ground terminal (pin 7). The first and second open emitter terminals (pins 9 and 10) are connected to ground, and the first and second open collector terminals (pins 8 and 11) are connected to the control voltage through resistors R 26 and R 27 . Vcc is connected to the input terminals of the first and second inverters G1 and G2, respectively.

제1오픈 콜렉터단자(8번핀)가 제1오픈 에미터단자(9번핀)에 연결될 경우, 제1오픈 콜렉터단자(8번핀)은 “L ”레벨이 되고, 제1인버터(G1)는 “H ”레벨의 출력을 발생한다.When the first open collector terminal (pin 8) is connected to the first open emitter terminal (pin 9), the first open collector terminal (pin 8) becomes “L” level, and the first inverter G1 is “H”. Generates a level output.

제1오픈 콜렉터단자(8번핀)가 제1오픈 에미터단자(9번핀)과 함께 비도전상태에 됨에 따라 제1오픈 콜렉터단자(8번핀)는 저항(R26)을 경유하여 제어전압(Vcc)에 연결되어 “H ”레벨로 되고, 제1인버터(G1)의 출력은 “L ”레벨로 된다.As the first open collector terminal (pin 8) is in a non-conductive state with the first open emitter terminal (pin 9), the first open collector terminal (pin 8) becomes the control voltage (Vcc) via a resistor (R 26 ). ) Is at the "H" level, and the output of the first inverter G1 is at the "L" level.

이와 유사하게 제2오픈 콜렉터단자(11번핀)가 제2오픈 에미터단자(10번핀)와 함께 도전상태에 있을 경우, 제2인버터(G2)의 출력은 “H ”레벨로 되지만, 이들이 비전도상태에 있을 경우 제2인버터(G2)의 출력은 “L ”레벨로 될 것이다.Similarly, when the second open collector terminal (pin 11) is in a conductive state with the second open emitter terminal (pin 10), the output of the second inverter (G2) becomes the "H" level, but they are nonconductive When in the state, the output of the second inverter (G2) will be at the "L" level.

또한, 인버터 제어회로부는 고속의 고내압 브릿지 구동기 IC (미국의 IR 사에서 제조한 “IR 2110 ”)를 이용한 구동회로(IC4)를 포함한다.In addition, the inverter control circuit portion includes a drive circuit IC 4 using a high speed, high breakdown voltage bridge driver IC (“IR 2110” manufactured by IR of USA).

여기에서 입력단자(12번 및 10번핀)는 인버터(G1,G2)의 출력단자에 각각 연결되며, 구동신호는 동일한 파형 및 500V의 유전강도를 갖는 출력단자(1번 및 7번핀)에 제공된다. 이들중 제1출력단자(1번핀)에 얻어진 한개의 출력은 인버터(G3)와 인버터그룹(BF1)을 경유하여 저전위측에 있는 MOS 트랜지스터(Q3)의 구동단자 “e ”에 공급된다. MOS 트랜지스터(Q2)의 단자 “d ”에는 구동회로(IC4)의 고전위측단자(5번핀)가 연결된다.Here, input terminals 12 and 10 are connected to output terminals of inverters G1 and G2, respectively, and a drive signal is provided to output terminals (pins 1 and 7) having the same waveform and dielectric strength of 500V. . One of these outputs obtained at the first output terminal (pin 1) is supplied to the drive terminal “e” of the MOS transistor Q 3 at the low potential side via the inverter G3 and the inverter group BF1. The high potential terminal (pin 5) of the driving circuit IC 4 is connected to the terminal “d” of the MOS transistor Q 2 .

제2출력단자(7번핀)에서 얻어진 다른 출력은 반전 쉬미트 게이트(G5)와 인버터그룹(BF2)을 경유하여 고전위측에 있는 MOS 트랜지스터(Q2)의 구동단자 “c ” 에 공급된다. 다이오스(D5)와, 저항(R28), 및 콘덴서(C20)로 된 회로는 제2출력단자(7번핀)에서 얻어진 고전위구동신호에 구동신호용 전압을 공급하는 소위 부스트랩 회로를 형성한다.The other output obtained at the second output terminal (pin 7) is supplied to the driving terminal “c” of the MOS transistor Q 2 at the high potential side via the inverted schmitt gate G5 and the inverter group BF2. The circuit of the diode D 5 , the resistor R 28 , and the capacitor C 20 uses a so-called boost circuit for supplying a driving signal voltage to the high potential drive signal obtained from the second output terminal (pin 7). Form.

콘덴서(C20)를 통해 얻어진 전압은 제너 다이오드(ZD2)에 의해 정전압으로 제한된다. 콘덴서(C20)의 전압이 예정된 레벨보다 낮아지면, 쉬미트 인버터(G4)의 출력은 “L ”레벨이 되고, 그 신호는 반전 쉬미트 게이트(G5)를 통과하기 위해 블로킹된다. 콘덴서(C20)의 전압이 상승되고, 드레시홀드 레벨을 넘는 전압이 저항(R29)과 제너 다이오드(ZD3)로된 정전압회로에 의해 쉬미트 버퍼(G4)에 입력됨에 따라, 쉬미트 버퍼(G4)의 출력은 “H ”레벨로 되고 그 신호는 반전 쉬미트 게이트(G4)를 통과하게 된다.The voltage obtained through the capacitor C 20 is limited to the constant voltage by the zener diode ZD 2 . When the voltage of the capacitor C 20 is lower than the predetermined level, the output of the Schmitt inverter G4 becomes the “L” level, and the signal is blocked to pass through the inverted Schmitt gate G5. As the voltage of the capacitor C 20 rises and the voltage exceeding the threshold level is input to the Schmitt buffer G4 by the constant voltage circuit composed of the resistor R 29 and the zener diode ZD 3 , the Schmitt buffer The output of (G4) goes to the "H" level and the signal passes through the inverted Schmitt gate (G4).

전술한 조광 제어수단(12)을 포함하는 본 고안에 따른 방전램프 조명장치에 있어서, 고주파 변환회로(11B)의 동작주파수는 가변저항(VR4)의 값을 변화시킴으로써 변화될 수 있는바, 소위 주파수조광이 가능하게 된다.In the discharge lamp lighting apparatus according to the present invention including the above-described dimming control means 12, the operating frequency of the high frequency conversion circuit 11B can be changed by changing the value of the variable resistor VR 4 , so-called Frequency dimming is possible.

이 경우, 부하회로의 자연발진주파수보다 높은 범위로 가변되는 고주파 변환회로(11B)의 작동주파수는 부하회로에 흐르는 매그전류를 발생시키므로 MOS 트랜지스터(Q2,Q3)의 절환동작은 안정하게 수행될 수 있다.In this case, the switching frequency of the MOS transistors Q 2 and Q 3 is performed stably since the operating frequency of the high frequency conversion circuit 11B, which is changed to a range higher than the natural oscillation frequency of the load circuit, generates a mag current flowing through the load circuit. Can be.

특히, 변환회로(11B)의 동작주파수는 가변저항(VR4)의 값을 점차적으로 줄이므로써 부하회로의 자연 발진주파수로 부터 점진적으로 분리시켜 공진회로(11C)의 공진작용을 점차적으로 약화시키게 되어 방전램프(10)의 조광을 성취할 수가 있게 된다.In particular, the operating frequency of the conversion circuit 11B gradually reduces the value of the variable resistor VR 4 , thereby gradually separating the natural oscillation frequency of the load circuit, thereby gradually weakening the resonance of the resonant circuit 11C. Thus, dimming of the discharge lamp 10 can be achieved.

가변저항(VR4)의 값이 연속적으로 변화될 수 있기 때문에 방전램프의 조광을 연속적으로 얻을 수가 있다.Since the value of the variable resistor VR 4 can be changed continuously, dimming of the discharge lamp can be obtained continuously.

전술한 회로의 고주파동작은 제5(a)도 및 제5(b)도에 도시하였는 바, 제5(a)도는 방전램프(10)의 완전조명 상태를 도시한 것이고, 제5(b)도는 방전램프(10)의 조광조명 상태를 도시한 것이다.The above-described high frequency operation of the circuit is shown in Figs. 5 (a) and 5 (b). Fig. 5 (a) shows the fully illuminated state of the discharge lamp 10. FIG. 10 shows a dimming illumination state of the discharge lamp 10.

도면으로부터 알 수 있는 바와 같이 발진주파수는 가변저항(VR4)의 값을 줄이므로서 상승되고 인덕터(CH2)에 흐르는 공진전류(ICH2)는 작아지고, 그에 따라 램프전류(ILa)도 줄어든다.As can be seen from the figure, the oscillation frequency is increased by decreasing the value of the variable resistor VR 4 , and the resonant current ICH 2 flowing in the inductor CH 2 is small, and thus the lamp current ILa is also reduced. .

이 때, 램프전압(VLa)에서 점유되는 DC 바이어스 성분의 비는 증가된다.At this time, the ratio of the DC bias component occupied by the ramp voltage VLa is increased.

상기 회로의 저주파 동작을 도시한 제6도에서 알 수 있는 바와 같이, 가변저항(VR4)의 값은 램프전압(VLa)에서의 DC 바이어스 성분비를 증가시키도록 작아진다.As can be seen from FIG. 6 showing the low frequency operation of the circuit, the value of the variable resistor VR 4 is made small to increase the DC bias component ratio at the ramp voltage VLa.

전압파형 및 전류파형은 제4도의 화살표로 각각 도시한 방향으로 정(+)이 된다.The voltage waveform and the current waveform are positive in the directions shown by the arrows in FIG. 4, respectively.

상시 실시예의 방전램프 조명장치에 있어서, 외측면 전도체피복, 내측면 전도체피복, 및 PSC(에너지를 저장하기 위해 방전램프관에 크립톤이 밀봉된 일종의 내측면 전도체피복)와 같은 여러가지의 방전램프에 대한 시험이 수행되었는바, 제35도에 도시한 바와 같은 결과가 얻어졌다. 이에 따르면, 안정하게 제어된 조광은 5%의 상대조명율보다 낮은 저광속레벨에 대해 각각의 램프에서의 장치에 의해 얻어질 수 있다.In the discharge lamp lighting apparatus of the present embodiment, the outer conductor coating, the inner conductor coating, and PSC (a kind of inner conductor coating in which the krypton is sealed in the discharge lamp tube to store energy) are applied to various discharge lamps. The test was carried out and a result as shown in FIG. 35 was obtained. According to this, stably controlled dimming can be obtained by the device in each lamp for a low luminous flux level lower than a relative illumination rate of 5%.

또한 상기의 회로에서 얻어질 수 있는 본 고안의 목적에 부가하여, 방전램프(10)에 인가되는 DC 전압값은 선택적으로 설정되는 바 그 전압값은 약40V로서 비교적 낮게 설정될 수가 있으며, 램프를 장착하기 전에 램프와 소켓을 지나는 전압값은 안전을 위해 낮은 것으로 설정될 수 있다.Also, in addition to the object of the present invention that can be obtained in the above circuit, the DC voltage value applied to the discharge lamp 10 is selectively set, and the voltage value can be set relatively low as about 40V. Before mounting, the voltage across the lamp and socket can be set low for safety.

또한, 방전램프(10)의 초기동작시, DC 전원 공급수단(13)으로부터의 DC 전압은 제7(a)도에 도시한 바와 같이 동진회로(23)에 의해 고주파 전압에 중첩되므로, 방전램프(10)에 인가되는 전압의 피크값은 제7(b)도에 도시한 바와 같이 높아지게 되어 기동성을 향상 시킬 수가 있다.In addition, during the initial operation of the discharge lamp 10, the DC voltage from the DC power supply means 13 is superimposed on the high frequency voltage by the oscillation circuit 23 as shown in FIG. The peak value of the voltage applied to (10) becomes high as shown in FIG. 7 (b) to improve the maneuverability.

전술한 실시예에 있어서, 주파수 조광은 조광수단으로써 이용되었지만 듀티제어와 같은 다른 조광시스템이 이용될 수도 있다.In the above embodiment, frequency dimming is used as the dimming means, but other dimming systems such as duty control may be used.

고주파 변환회로(11B)을 위해 소위 반파 브릿지 인버터시스템이 이용되어지도록 기술되었지만, 단일소자 인버터시스템이나 전파브릿지 인버터시스템이 이용될 수도 있다.Although a so-called half-wave bridge inverter system has been described for the high frequency conversion circuit 11B, a single element inverter system or a full-wave bridge inverter system may be used.

인덕터는 임피던스소자(13B)로서 이용되었지만, 저항과 같은 다른 임피던스소자가 이용될 수도 있으며, 예열회로(13D)에 이용되는 예열 트랜스포머(T1)는 공진 콘덴서에 의해 예열되는 콘덴서로 대치될 수도 있다.The inductor was used as the impedance element 13B, but another impedance element such as a resistor may be used, and the preheating transformer T 1 used in the preheating circuit 13D may be replaced by a capacitor that is preheated by the resonant capacitor. .

제1도의 방전램프 조명장치의 다른 작동특성을 도시한 제8도를 참조하면, 한개의 DC 변환회로(21A)는 제3도는 두개의 DC 변환회로(11A,13A) 대신에 공통으로 사용하기 위해 배치된다.Referring to FIG. 8, which shows the different operating characteristics of the discharge lamp lighting apparatus of FIG. 1, one DC conversion circuit 21A is used instead of the two DC conversion circuits 11A and 13A in FIG. Is placed.

즉, DC 변환회로(21A)의 DC 전압은 임피던스소자(23B)와 다이오드(23C)로 구성된 DC 전원 공급수단(23)을 매개로 방전램프(10)에 인가되어 고주파 전원에 중첩된다.That is, the DC voltage of the DC conversion circuit 21A is applied to the discharge lamp 10 via the DC power supply means 23 composed of the impedance element 23B and the diode 23C, and is superimposed on the high frequency power supply.

도시된 실시예에 있어서, DC 전압이 램프전압보다 높거나, 임피던스소자(23B)의 임피던스가 매우 큰 100K일 경우에는 방전램프(10)와 임피던스소자(23B) 사이에 직렬로 삽입된 다이오드(23C)를 생략할 수 있으므로 DC 전원에 대한 고주파 전원의 회피는 작은 것으로 간주될 수 있다.In the illustrated embodiment, the diode 23C inserted in series between the discharge lamp 10 and the impedance element 23B when the DC voltage is higher than the lamp voltage or 100K having a very high impedance of the impedance element 23B. ) Can be omitted, so the avoidance of high frequency power supply to DC power supply can be regarded as small.

본 실시예에서, 제3도와 동일한 부품은 제3도의 것에 10을 가산함으로써 동일한 참조번호로 표시하였고, 다른 부품 및 그의 기능들은 제3도의 것과 실질적으로 동일하다.In this embodiment, the same parts as those in FIG. 3 are denoted by the same reference numerals by adding 10 to that in FIG. 3, and the other parts and their functions are substantially the same as those in FIG.

본 고안의 다른 특징에 따르면, DC 전원 공급수단의 전원을 가변값을 갖도록한 방전램프 조명장치가 제공된다. 제9도에 특정형태를 작동시키기 위한 방전램프 조명장치의 요부가 도시되어 있는바, 여기에서 예열회로(31D)내의 예열 트랜스포머(T1)에 의해 얻어질 수 있는 고주파 전압은 포화리액터(ICH1)를 매개로 정류형 다이오드(D3)에 공급되는바, 포화리액터(ICH1)는 선택 인덕턴스를 설정하는 조광제어수단(12)에 의해 제어되므로 고주파 전원부로부터 평활콘덴서(C9)에 공급된 전원이 제어되고, DC 전원공급수단(33)의 전압은 선택적으로 예정된 레벨로 설정되어진다. 이 경우, 전압레벨은 방전램프(10)의 광출력과 조광레벨설정신호에 따라 설정될 수 있다. 제9도에 있어서, 제3도와 동일한 소자는 제3도의 것에 20을 가산함으로써 동일한 참조번호로 도시 하였으며, 다른 부품 및 그의 기능들은 제3도의 것과 실질적으로 동일하다.According to another feature of the present invention, there is provided a discharge lamp lighting apparatus having a variable value of the power supply of the DC power supply means. The main part of the discharge lamp lighting apparatus for operating a specific type is shown in FIG. 9, wherein the high frequency voltage that can be obtained by the preheating transformer T 1 in the preheating circuit 31D is a saturated reactor ICH 1. ) the bar to be supplied to the rectifier diode (D 3) as a medium, a saturated reactor (ICH 1) is controlled by the dimming control means (12) for setting a selected inductance supplied to the smoothing capacitor (C 9) from the high-frequency power supply section The power source is controlled and the voltage of the DC power supply unit 33 is optionally set to a predetermined level. In this case, the voltage level may be set according to the light output of the discharge lamp 10 and the dimming level setting signal. In FIG. 9, the same elements as in FIG. 3 are shown with the same reference numerals by adding 20 to FIG. 3, and the other parts and their functions are substantially the same as in FIG.

본 고안의 또다른 특징에 따르면, 방전램프(10)의 플리커-오프가 발생될 경우 조광레벨로서만 고주파 전원에 중첩됨으로써 DC 전원이 방전램프(10)에 인가되도록한 방전램프 조명장치가 제공되는바, 방전램프(10)에 중첩됨으로써 DC 전원이 항상 공급될때 발생되는 카타포레시스의 위험이나 램프수명의 단축을 제거할 수가 있다.According to another feature of the present invention, when the flicker-off of the discharge lamp 10 is generated, the discharge lamp lighting apparatus is provided so that the DC power is applied to the discharge lamp 10 by overlapping the high frequency power only as the dimming level By overlying the discharge lamp 10, it is possible to eliminate the risk of cataphoresis and shortening of lamp life that occur when DC power is always supplied.

제10도에 도시한 형상을 갖는 방전램프 조명장치를 좀더 상세히 설명하면, 이 장치에는 상대조명율을 검출하기 위한 수단인 램프전류검출회로(43)가 제공된다.The discharge lamp lighting device having the shape shown in FIG. 10 will be described in more detail. The device is provided with a lamp current detection circuit 43 which is a means for detecting the relative illumination rate.

이 경우, 전류 트랜스포머가 램프전류경로에 직렬로 삽입되며, 이 전류 트랜스포머에는 램프전류를 검출하기 위한 램프전류검출회로(43D)가 연결된다.In this case, a current transformer is inserted in series into the lamp current path, and a lamp current detection circuit 43D for detecting the lamp current is connected to this current transformer.

검출된 램프전류가 많을 경우, 이 회로(43D)에 연결된 스위칭 제어회로(43E)가 구동되고, 방전램프(10)와 임피던스소자(43B)와 다이오드(43C)로된 직렬회로 사이에 직렬 연결된 스위칭회로(43F)가 턴온 되므로, 방전램프(10)에 대한 DC 전원의 중첩공급은 방전램프(10)에 공급되는 램프전류가 소정의 레벨 즉 조광시 방전램프(10)를 플리커 오프시키지 않는 레벨을 초과할 경우에 중단된다.When the detected lamp current is large, the switching control circuit 43E connected to this circuit 43D is driven, and the switching connected in series between the discharge lamp 10 and the series circuit composed of the impedance element 43B and the diode 43C. Since the circuit 43F is turned on, the overlapping supply of the DC power supply to the discharge lamp 10 is such that the level of the lamp current supplied to the discharge lamp 10 does not flicker off the predetermined level, that is, the discharge lamp 10 during dimming. If it exceeds, it is stopped.

본 고안의 이런 구조에 있어서 장치의 안전을 위해 무부하 상태(방전램프가 장착되지 않은 상태)에서 PC전압이 램프소켓에 인가되지 않도록 할 수가 있다.In this structure of the present invention, for the safety of the device, it is possible to prevent the PC voltage from being applied to the lamp socket in a no-load state (without a discharge lamp).

상대조명율을 검출하기 위한 수단으로서 상기의 램프전류 검출회로 이외의 검출회로가 제4도의 인덕터(CH2)에 흐르는 공진전류(ICH2)를 검출할 수가 있다.As a means for detecting the relative illumination rate, a detection circuit other than the lamp current detection circuit described above can detect the resonance current ICH 2 flowing through the inductor CH 2 in FIG.

또한, 스위칭 제어회로(43)에 대한 구동신호는 제10도에 도시한 바와 같은 조광레벨설정신호에 의해 얻어질 수도 있다.Further, the drive signal for the switching control circuit 43 may be obtained by the dimming level setting signal as shown in FIG.

제10도의 실시예에 있어서, 제3도와 동일한 구성부품은 제3도의 것에 30은 가산함으로써 동일한 참조번호로 표시하였고, 기타의 구조 및 그의 기능들은 제3도의 것과 실질적으로 동일하다.In the embodiment of Fig. 10, the same components as in Fig. 3 are denoted by the same reference numerals by adding 30 to Fig. 3, and the other structures and functions thereof are substantially the same as in Fig. 3.

제11도에는 제10도 장치의 다른 작동특성도가 도시되어 있는바, 제10도의 임피던스소자(43B), 다이오드(43C) 및 스위칭회로(43F)는 제1 및 제2임피던스소자(53B1) (53B2)와, 제1 및 제2다이오드(53C1) (53C2) 및 제1 및 제2스위칭회로(53F1) (53F2)로 각각 분할된다.11 shows another operating characteristic of the apparatus of FIG. 10, wherein the impedance element 43B, the diode 43C and the switching circuit 43F of FIG. 10 are formed of the first and second impedance elements 53B 1 . 53B 2 , first and second diodes 53C 1 , 53C 2 , and first and second switching circuits 53F 1 and 53F 2 , respectively.

본 실시예에 있어서, 중첩되어지는 전류를 위해 3개이상의 스위칭회로(53F1,53F2,.. 53Fn)을 제공할 수도 있으므로, 각각의 스위칭회로가 턴온 또는 오프 되는 조광레벨은 램프전류에 중첩되어지는 조광레벨 및 적당하게 실현되어지는 조광에 따른 최적값의 DC 전원을 허용하도록 개별적으로 설정될 수도 있다.In the present embodiment, three or more switching circuits 53F 1 , 53F 2 , .. 53F n may be provided for the overlapping currents, so that the dimming level at which each switching circuit is turned on or off depends on the lamp current. It may be individually set to allow the DC power supply of an optimum value according to the dimming level to be superimposed and the dimming suitably realized.

제11도에 있어서, 램프전류가 램프전류검출회로(53D)에 의해 검출되고, 스위칭회로(53F1,53F2)가 스위칭회로(54E)를 통해 제어되며, 조광레벨에 응답하는 적당한 DC 전류가 램프전류에 중첩되도록 구성되므로 조광제어수단(52)으로 부터 스위칭회로(53F1,53F2)에 제어신호를 제공하거나, 제10도의 실시예를 참조하여 기술한 바와 같이 최적 조광레벨설정신호에 의해 스위칭회로(53F1,53F2)를 제어하기 위한 장치의 변경이 가능하다.In Fig. 11, the lamp current is detected by the lamp current detection circuit 53D, the switching circuits 53F 1 and 53F 2 are controlled through the switching circuit 54E, and a suitable DC current in response to the dimming level is Since it is configured to overlap the lamp current, the control signal is provided from the dimming control means 52 to the switching circuits 53F 1 , 53F 2 , or by the optimum dimming level setting signal as described with reference to the embodiment of FIG. 10. It is possible to change the device for controlling the switching circuits 53F 1 , 53F 2 .

한편, 제10도 및 제11도에 있어서, 각각의 스위칭회로(53F1,53F2)의 온 또는 오프 동작에는 조광레벨에 관한 히스테리시스 특성이 제공되는 것이 바람직하므로, 방전램프(10)가 각각의 스위칭회로(53F1,53F2)의 턴온 또는 턴오프 시간에서 방전램프(10)의 광출력차이에 기인한 스위칭동작이 반복시 플리커를 발생시킬지도, 그 플리커는 히스테리시스 특성에 의해 회피될 수 있다.On the other hand, in Figs. 10 and 11, since the hysteresis characteristics relating to the dimming level are preferably provided for the on or off operation of the respective switching circuits 53F 1 and 53F 2 , the discharge lamps 10 Although the switching operation due to the optical output difference of the discharge lamp 10 at the turn-on or turn-off time of the switching circuits 53F 1 and 53F 2 may generate flicker upon repetition, the flicker can be avoided by the hysteresis characteristic. .

제11도에 있어서, 제3도에 도시한 동일구성부품은 제3도의 것에 40에 가산함으로써 동일 참조 번호로 표시하고, 기타의 구성 및 그의 기능들은 제3도의 것과 실질적으로 동일하다.In FIG. 11, the same components shown in FIG. 3 are denoted by the same reference numerals by adding 40 to those in FIG. 3, and other configurations and their functions are substantially the same as those in FIG.

본 고안의 또 다른 특징에 따르면, 스위칭회로에 포함된 스위칭소자에 부과되는 소정의 응력을 효율적으로 감소하기 위한 방전램프 조명장치가 제공된다.According to still another feature of the present invention, there is provided a discharge lamp lighting apparatus for efficiently reducing a predetermined stress applied to a switching element included in a switching circuit.

예컨데 제10도 및 제11도의 장치는 스위칭회로에 스위칭소자가 기동전압으로서 고압을 필요로하는 문제점이 있으므로 이 문제점을 본 발명의 형상을 구체화한 장치에 의해 해결될 수 있다. 제12도를 참조한 본 장치를 참조하면, 제1도의 회로와 비교할 때 방전램프(10)에 대한 DC 전원을 제어하기 위한 DC 전원 제어 스위칭수단(SW1)과, 방전램프(10)의 기동시에 도전되는 과전류 방지용 스위칭수단(SW2)으로된 병렬회로가 제2임피던스소자(Z2)와 DC 전원부(64) 사이에 연결되는바, 이러한 스위칭수단은 동일한 기능을 성취하도록 제공된 공통 스위칭소자로 대치될 수도 있다.For example, the apparatus of FIGS. 10 and 11 has a problem that the switching element requires a high voltage as the starting voltage in the switching circuit, and this problem can be solved by the apparatus embodying the shape of the present invention. Referring to the present apparatus with reference to FIG. 12, in comparison with the circuit of FIG. 1, the DC power supply control switching means SW 1 for controlling the DC power supply to the discharge lamp 10 and at the time of startup of the discharge lamp 10 is shown. A parallel circuit of the overcurrent prevention switching means SW 2 to be conducted is connected between the second impedance element Z 2 and the DC power supply 64, and this switching means is replaced with a common switching element provided to achieve the same function. May be

과전류 방지용 스위칭수단(SW2)으로서는 제너 다이오드, 애벌런치 다이오드, 서어지 홉수기와 같은 수동 과전압 방지소자가 이용될 수도 있는바, 이 수동 과전압 방지소자는 램프의 기동전압보다는 낮고, 램프조명 전압보다는 높은 브레이크 다운 전압으로 작동되며, 이 소자를 위한 별도의 제어회로는 제공될 필요가 없다.Passive overvoltage protection devices, such as zener diodes, avalanche diodes, and surge hops, may be used as the switching means (SW 2 ) for preventing the overcurrent, which is lower than the starting voltage of the lamp and lower than the lamp lighting voltage. It operates at high breakdown voltages and does not need to provide a separate control circuit for this device.

제12도에 있어서, 제1도와 동일한 구성부품은 제1도의 것에 50을 가산함으로써 동일한 참조번호로 표시하였고, 기타의 구조 및 그 기능은 제1도의 것과 실질적으로 동일하다.In FIG. 12, the same components as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals by adding 50 to those in FIG. 1, and other structures and functions thereof are substantially the same as those in FIG.

제12도의 실시예에 따른 장치는 제12도 장치의 주요회로를 도시한 제13도를 참조하여 상세히 설명되는바, 제1도 장치의 주요회로인 제4도에 도시한 것과 동일한 구성부품은 동일한 참조번호로 표시하였다.The apparatus according to the embodiment of FIG. 12 is described in detail with reference to FIG. 13, which shows the main circuit of FIG. 12, the same components as shown in FIG. 4, which is the main circuit of the FIG. Reference numerals are used.

이경우, 상용 AC 전원(VS)는 다이오드 브릿지(DB1)의 AC 입력단자에 연결되는바, 다이오드 브릿지의 DC 출력단자에는 콘덴서(C21)가 연결된다.In this case, the commercial AC power supply V S is connected to the AC input terminal of the diode bridge DB 1 , and the capacitor C 21 is connected to the DC output terminal of the diode bridge.

MOS 트랜지스터(Q2, Q3)로 된 직렬회로는 병렬로 연결된 콘덴서(C21)의 양단에 연결된다. 콘덴서(C22)와, 고주파 트랜스포머(T4)의 1차 권선은 DC 성분 제거용 콘덴서(C23)를 매개로 MOS 트랜지스터(Q3)의 드레인 단자에 직력로 연결되는 바, 드레인 단자에는 방전램프(10)내의 필리멘트의 소스측 단자가 인덕터(T5)의 1차 권선을 매개로 연결된다.A series circuit of MOS transistors Q 2 and Q 3 is connected to both ends of the capacitor C 21 connected in parallel. The primary winding of the capacitor C 22 and the high frequency transformer T 4 is directly connected to the drain terminal of the MOS transistor Q 3 via the DC component removing capacitor C 23 , and the discharge terminal discharges the capacitor. The source side terminal of the filament in the lamp 10 is connected via the primary winding of the inductor T 5 .

방전램프(10)의 양측 필라멘트의 비-소스측 단자에는 공진 및 예열전류 통과용 콘덴서(C24)가 병렬로 연결된다.Resonant and preheating current passing capacitors C 24 are connected in parallel to the non-source side terminals of both filaments of the discharge lamp 10.

고주파 트랜스포머(T14)의 2차 권선 출력은 다이오드(D3)에 정류되어 콘덴서(C9)에 의해 평활됨으로써, DC 전압이 얻어진다.The secondary winding output of the high frequency transformer T 14 is rectified by the diode D 3 and smoothed by the capacitor C 9 , whereby a DC voltage is obtained.

이 콘덴서(C9)의 일단에는 쵸크코일(CH3)을 매개로 방전램프(10)의 필라멘트의 비-소스 측단부중 어느 하나가 연결되며, 콘덴서(C9)의 타단에는 다이오드(D2)와 MOS 트랜지스터(Q7, Q8)를 매개로 방전램프(10)의 타측 필라멘트의 다른 소스측 단부가 연결된다. 쵸크코일(CH3)은 고주파 차단하는 것이므로, 방전램프(10)에 인가된 고주파 전압은 콘덴서(C9)에 대한 누설을 방지한다.A capacitor (C 9), one end has a ratio of the filament of the discharge lamp 10 to the choke coil (CH 3) mediators of - and any one of the source-side end is connected to the other end of the capacitor (C 9), the diodes (D 2 ) And the other source side end of the other filament of the discharge lamp 10 via the MOS transistors Q 7 , Q 8 . Since the choke coil CH 3 blocks the high frequency, the high frequency voltage applied to the discharge lamp 10 prevents leakage to the capacitor C 9 .

인덕트(T5)는 콘덴서(C24)와 LC 직렬공진회로와 조합되어 형성되는바, 이것은 콘덴서(C24)를 통해 발생된 공진전압에 의해 방전램프(10)를 작동시켜 발광시킨다.The inductor T 5 is formed in combination with the capacitor C 24 and the LC series resonant circuit, which emits light by operating the discharge lamp 10 by the resonance voltage generated through the capacitor C 24 .

콘덴서(C22,C23)는 DC 성분을 차단하기 위한 것으로서 공진에 기여하지 않는데 충분한 콘덴서(C24)의 용량보다 큰 용량을 갖는다.The capacitors C 22 and C 23 are for blocking the DC component and have a capacity larger than that of the capacitor C 24 sufficient to not contribute to resonance.

인덕터(T5)의 2차 권선은 다이오드 브릿지(DB3)의 AC 입력단자에 연결되는바, 다이오드 브릿지의 DC 출력단자는 콘덴서(C25)와 저항(R34)으로 된 병렬회로에 연결되고, 그의 DC 출력단자에는 공진전류에 대응하는 전압(Vch)이 연결되고, 이 전압(Vch)은 단자 “g ”를 통해 제어회로에 공급된다.The secondary winding of the inductor (T 5 ) is connected to the AC input terminal of the diode bridge (DB 3 ), the DC output terminal of the diode bridge is connected to a parallel circuit consisting of a capacitor (C 25 ) and a resistor (R 34 ), A voltage Vch corresponding to the resonance current is connected to the DC output terminal thereof, and this voltage Vch is supplied to the control circuit through the terminal "g".

또한, 상용 AC 전원(VS)은 전압강하 트랜스포머(T2)를 매개로 다른 다이오드 브릿지(DB2)의 AC 입력단자에 연결되고, 그의 DC 출력단자에는 콘덴서(C10)와 제너 다이오드(ZD1)로 된 병렬회로가 연결된다.In addition, the commercial AC power supply (V S ) is connected to the AC input terminal of the other diode bridge (DB 2 ) via the voltage drop transformer (T 2 ), the DC output terminal of the capacitor (C 10 ) and zener diode (ZD) The parallel circuit of 1 ) is connected.

콘덴서(C10)에서 얻어진 DC 전압은 단자 “f ”를 매개로 제어회로에 공급된다.The DC voltage obtained at the capacitor C 10 is supplied to the control circuit via the terminal “f”.

단자 “h ”와 “i ”에는 MOS 트랜지스터(Q2)의 게이트와 소스가 연결되어 제1제어신호가 공급되고, 제2제어신호는 MOS 트랜지스터(Q3)의 게이트와 접지에 연결된 단자 “j ”를 통해 공급된다. 제1 및 제2제어신호는 제1-4도는 실시예의 것과 동일하며, MOS 트랜지스터(Q2,Q3)는 상기 실시예와 동일한 인버터동작을 수행한다.Terminals “h” and “i” are connected to the gate and the source of the MOS transistor Q 2 so that a first control signal is supplied, and the second control signal is connected to the gate and ground of the MOS transistor Q 3 . Supplied through. The first and second control signals are the same as those in the embodiment of Figs. 1-4, and the MOS transistors Q 2 and Q 3 perform the same inverter operation as in the embodiment.

제13도에 도시한 실시예에 있어서, 제3제어신호는 MOS 트랜지스터(Q7)의 게이트와 접지에 연결된 단자 “k ”를 통해 공급되므로 MOS 트랜지스터(Q7)는 방전램프(10)에 대한 고주파 전원에 DC 전원을 중첩시키기 위해 낮은 광속의 시간에서 제3제어신호에 의해 도전될 것이다.In the embodiment illustrated in claim 13 also, the third control signal is supplied via the terminal "k" is connected to the gate and ground of the MOS transistor (Q 7) MOS transistor (Q 7) is on the discharge lamp (10) It will be challenged by the third control signal at a low luminous flux time to superimpose the DC power supply on the high frequency power supply.

따라서, 램프는 플리커 오프되지 않고서 안정하게 발광될 것이다.Thus, the lamp will emit light stably without flickering off.

또한, 제4제어신호는 MOS 트랜지스터(Q8)의 게이트와 접지에 연결된 단자“l”을 통해 공급되므로 MOS 트랜지스터(Q8)는 방전램프(10)의 초기동작시 제4제어신호에 의해 도전되며, 초기구동용 고전압은 램프의 초기구동시 MOS 트랜지스터(Q7)의 인가되지 않게 된다.Also, the fourth control signal is challenged by a fourth control signal during the initial operation of the MOS transistor (Q 8) is supplied via a terminal "l" is connected to the gate and grounding MOS transistor (Q 8) of the discharge lamp (10) In this case, the initial driving high voltage is not applied to the MOS transistor Q 7 during the initial driving of the lamp.

제13도에 도시한 주요 회로에 제1 내지 제4제어신호를 제공하기 위한 제어회로를 제14(a)도를 참조하여 상세히 설명한다.A control circuit for providing the first to fourth control signals to the main circuit shown in FIG. 13 will be described in detail with reference to FIG. 14 (a).

이 제어회로에는 제어전원으로서 콘덴서(C10)에서 얻어진 낮은 DC 전압(Vcc)이 제어전원전압으로서 단자 “f ”를 통해 공급된다.The control circuit is supplied with the low DC voltage Vcc obtained from the capacitor C 10 as the control power supply via the terminal “f” as the control power supply voltage.

타이머회로(IC5,IC6)와 발진회로(IC7)는 이 제어전압(Vcc)에 의해 작동되는 바, 타이머회로(IC5)는 범용직접회로(미국 SIGNETIX사의 “NE555 ”)로 구성되며, 이것은 트리거단자(2번핀)가 로우(1/3)Vcc이고, 출력단자(3번핀)가 “H ”레벨이고, 방전단자(7번핀)가 고임피던스일 경우 트리거된다. 드레시홀드 레벨단자(6번핀)는 (2/3)Vcc에 있으며, 출력단자는 “L ”레벨로 되며, 방전단자(7번핀) 역시 “L ”레벨로 된다.The timer circuits (IC 5 , IC 6 ) and oscillation circuits (IC 7 ) are operated by this control voltage (Vcc). The timer circuit (IC 5 ) consists of a general-purpose direct circuit (“NE555” from SIGNETIX of the United States). This triggers when the trigger terminal (pin 2) is low (1/3) Vcc, the output terminal (pin 3) is at the “H” level, and the discharge terminal (pin 7) is high impedance. The threshold level terminal (No. 6 pin) is at (2/3) Vcc, the output terminal is at the “L” level, and the discharge terminal (No. 7 pin) is also at the “L” level.

전원단자(8번핀)와 접지단자(1번핀)에는 제어전압(Vcc)이 인가된다.The control voltage Vcc is applied to the power supply terminal (pin 8) and the ground terminal (pin 1).

리셋단자(4번핀)는 전원단자(8번핀)에 연결되고, 주파수 제어단자(5번핀)는 디커플링 콘덴서(C28)를 경유하여 접지단자(1번핀)에 연결된다.The reset terminal (pin 4) is connected to the power supply terminal (pin 8), and the frequency control terminal (pin 5) is connected to the ground terminal (pin 1) via the decoupling capacitor (C 28 ).

또한, 제어전압(Vcc)은 타이머회로(IC5)의 시정수를 위한 저항(R37)과 콘덴서(C27)로 된 직렬회로에 인가된다.In addition, the control voltage Vcc is applied to a series circuit composed of a resistor R 37 and a capacitor C 27 for the time constant of the timer circuit IC 5 .

저항(R37)과 콘덴서(C27)의 접속점에는 타이머회로(IC5)의 드레시홀드 값 단자(6번핀)가 연결되며, 저항(R38)을 경유하여 방전단자(7번핀)가 연결된다.The threshold value terminal (No. 6 pin) of the timer circuit (IC 5 ) is connected to the connection point of the resistor (R 37 ) and the capacitor (C 27 ), and the discharge terminal (No. 7 pin) is connected via the resistor (R 38 ). .

따라서, 타이머회로(IC5)는 단안정 멀티 바이브레이터로서 작동하게 된다.Thus, the timer circuit IC 5 operates as a monostable multivibrator.

제13도의 회로에 있어서, 상용 AC 전원(VS)이 단자 “f ”에 인가된 제어전압(Vcc)을 상승시키도록 연결됨에 따라, 콘덴서(C26)는 저항(R35)통해 충전되므로, 트랜지스터(Q10)의 베이스-에미터에 전류가 순간적으로 흐르게 되어, 이 트랜지스터(Q10)는 그 순간에 턴온 되며, 저항(R36)과 트랜지스터(Q10)간의 접속점의 전위는 순간적으로 강하되어, 타이머회로(IC5)의 트리거 단자(2번단자)는 “L ”레벨로 되며 단안정 멀티 바이브레이터(IC5)는 트리거된다.In the circuit of FIG. 13, as the commercial AC power supply V S is connected to raise the control voltage Vcc applied to the terminal “f”, the capacitor C 26 is charged through the resistor R 35 , the base of the transistor (Q 10) - is the emitter current flows for a short period, the transistor (Q 10) the potential of the connection point between the turns on at the moment, the resistance (R 36) and a transistor (Q 10) is a momentary drop in Thus, the trigger terminal (terminal 2) of the timer circuit IC 5 is at the “L” level and the monostable multivibrator IC 5 is triggered.

따라서, 단안정 멀티 바이브레이터(IC5)의 출력단자(3번핀)는 드레시홀드 단자(6번핀)가 콘덴서(C27)와 저항(R37)의 시정수에 따라 예정된 드레시홀드 전압값(Vth=(2/3)Vcc)에 도달될 때까지 “H ”레벨을 유지한다.Therefore, the output terminal (pin 3) of the monostable multivibrator (IC 5 ) has a threshold voltage value (Vth =) where the threshold terminal (pin 6) is set according to the time constant of the capacitor (C 27 ) and the resistor (R 37 ). Hold the “H” level until (2/3) Vcc) is reached.

또한, 콘덴서(C27)의 전압이 드레시홀드 전압값(Vth)에 도달함에 따라 출력단자(3번핀)는 “L ”레벨이 되고, 방전단자(7번핀)는 “L ”레벨로 변화하여 콘덴서(C27)에 충전되었던 전압은 저항(R38)을 통해 방전된다.In addition, as the voltage of the capacitor C 27 reaches the threshold voltage value Vth, the output terminal (pin 3) becomes the "L" level, and the discharge terminal (pin 7) changes to the "L" level so that the capacitor The voltage that was charged in C 27 is discharged through resistor R 38 .

이 경우, 출력단자(3번핀)는 콘덴서(C27)와 저항(R37)의 시정수에 따라 약 1초동안 “H ”레벨로 된다.In this case, the output terminal (pin 3) goes to the “H” level for about 1 second depending on the time constant of the capacitor C 27 and the resistor R 37 .

타이머회로(IC5)의 출력단자(3번핀)가 “H ”레벨일 경우, 베이스 전류는 저항(R39, R40)을 통해 트랜지스터(Q11)에 인가되어 트랜지스터를 턴온 시킨다.When the output terminal (pin 3) of the timer circuit IC 5 is at the “H” level, the base current is applied to the transistor Q 11 through the resistors R 39 and R 40 to turn on the transistor.

또한, 베이스 전류는 저항(R39, R45)을 통해 트랜지스터(Q14)의 베이스에 인가되어 트랜지스터를 턴온 시킨다. 타이머회로(IC5)의 출력단자(3번핀)가 “L ”레벨이 되면, 트랜지스터(Q11, Q14)는 모두 턴오프 된다.In addition, the base current is applied to the base of the transistor Q 14 through the resistors R 39 and R 45 to turn on the transistor. When the output terminal (pin 3) of the timer circuit IC 5 is at the "L" level, the transistors Q 11 and Q 14 are both turned off.

또한, 타이머(IC6)는 SIGNTIX “NE555 ”와 같은 집적회로로 구성되며, 제어전압(Vcc)은 전원단자(8번핀)와 접지단자(1번핀)를 통해 인가되고, 리셋단자(4번핀)는 전원단자(8번핀)에 연결되며, 주파수 제어단자(5번핀)는 디커플링 콘덴서(C33)를 통해 접지단자(1번핀)에 연결된다.In addition, the timer IC 6 is composed of an integrated circuit such as SIGNTIX “NE555”. The control voltage Vcc is applied through the power supply terminal (pin 8) and the ground terminal (pin 1), and the reset terminal (pin 4). Is connected to the power supply terminal (pin 8), the frequency control terminal (pin 5) is connected to the ground terminal (pin 1) through the decoupling capacitor (C 33 ).

타이머회로(IC6)의 시정수 회로를 형성하는 저항(R48)과 콘덴서(C32)로 된 직렬회로에는 제어전압(Vcc)이 인가된다.The control voltage Vcc is applied to the series circuit composed of the resistor R 48 and the capacitor C 32 forming the time constant circuit of the timer circuit IC 6 .

저항(R48)과 콘덴서(C32)의 접속점에는 드레시홀드 값 단자(6번핀)와 방전단자(7번핀)가 연결되므로 타이머회로(IC6)는 단안정 멀티 바이브레이터로 작동할 것이다.Since the threshold value terminal (No. 6 pin) and the discharge terminal (No. 7 pin) are connected to the connection point of the resistor (R 48 ) and the capacitor (C 32 ), the timer circuit (IC 6 ) will operate as a monostable multivibrator.

타이머회로(IC5)의 타이머 동작이 상기의 동작을 종료시키고, 출력단자(3번핀)가 “H ”레벨에서 “L ”레벨로 바뀜에 따라, 트랜지스터(Q14)가 온 상태에서 오프 상태로 되므로, 트랜지스터의 콜렉터 전위는 상승되고, 콘덴서(C34)는 저항(R46)을 통해 충전되며, 트랜지스터(Q15)의 베이스-에미터에 전류가 순간적으로 흐르게 되어 트랜지스터(Q15)는 순간적으로 온 된다.As the timer operation of the timer circuit IC 5 terminates the above operation and the output terminal (pin 3) changes from the "H" level to the "L" level, the transistor Q 14 is turned from the on state to the off state. therefore, the collector potential of the transistor is increased, a capacitor (C 34) is charged via a resistor (R 46), the base of the transistor (Q 15) - is the emitter current flows for a short period of the transistor (Q 15) is momentarily Comes on.

이 때문에 저항(R47)과 트랜지스터(Q15)의 접속점에서의 전위는 순간적으로 강하되어 타이머회로(IC6)의 트리거단자(2번핀)가 “L ”레벨로 되는 바, 이 회로는 단안정 멀티 바이브레이터로서 트리거된다.For this reason, the potential at the connection point of the resistor R 47 and the transistor Q 15 drops instantaneously, and the trigger terminal (pin 2) of the timer circuit IC 6 is at the "L" level. Triggered as a multivibrator.

이후, 출력단자(3번핀)는 드레시홀드 단자(6번핀)가 콘덴서(C32)와 저항(R48)의 시정수에 따라 예정된 드레시홀드 전압(Vth=(2/3)Vcc)에 도달할 때까지 “H ”레벨을 유지한다. 콘덴서(C32)의 전압이 드레시홀더 전압(Vth)에 도달되면, 출력단자(3번핀)는 “L ”레벨로 되고, 콘덴서(C32)의 충전된 전압은 방전된다.After that, the output terminal (pin 3) reaches the predetermined threshold voltage (Vth = (2/3) Vcc) according to the time constant of the capacitor terminal (pin 6) of the capacitor C 32 and the resistor R 48 . Keep the "H" level until When the voltage of the capacitor C 32 reaches the threshold holder voltage Vth, the output terminal (pin 3) becomes the "L" level, and the charged voltage of the capacitor C 32 is discharged.

이경우, 타이머회로(IC6)의 출력단자(3번핀)는 콘덴서(C32)와 저항(R48)의 시정수에 따라 수백 μsec동안 “H ”레벨이 된다.In this case, the output terminal (pin 3) of the timer circuit IC 6 becomes the “H” level for several hundred μsec depending on the time constant of the capacitor C 32 and the resistor R 48 .

타이머회로(IC6)의 출력단자(3번핀)가 “H ”레벨이면, 저항(R49, R51)을 경유하여 트랜지스터(Q16)의 베이스와 에미터에 전류가 인가되어 트랜지스터를 턴온 시키므로 저항(R50, R53)의 접속점 전위가 강하되어 트랜지스터(Q17)를 턴오프 시킨다.If the output terminal (pin 3) of the timer circuit IC 6 is at the “H” level, current is applied to the base and emitter of the transistor Q 16 via the resistors R 49 and R 51 to turn on the transistor. The connection point potential of the resistors R 50 and R 53 drops to turn off the transistor Q 17 .

타이머회로(IC6)의 출력단자가 “L ”레벨이 되면, 트랜지스터(Q16)는 턴오프 되고, 저항(R50, R53)간의 접속점 전위는 증가하게 되어 트랜지스터(Q17)가 턴온 된다.When the output terminal of the timer circuit IC 6 is at the "L" level, the transistor Q 16 is turned off, and the connection point potential between the resistors R 50 and R 53 is increased to turn on the transistor Q 17 .

발진회로(IC7)를 위해 제1도 내지 제4도에 도시된 실시예와 동일한 스위칭 레귤레이터로서 사용하기 위한 제어 IC (예컨데 NEC사의 “μPC494”)가 이용될 수도 있다.For the oscillation circuit IC 7 a control IC (for example "μPC494" of NEC Corporation) for use as the same switching regulator as the embodiment shown in FIGS. 1 to 4 may be used.

이 경우, 데드-오프시간은 저항(R56)과 가변저항(VR10)에 의해 기준전압(Vref)의 레벨을 분할하고, 분할된 전압을 발진회로(IC7)의 데드-오프시간 제어단자(4번핀)에 입력시킴으로써 설정될 수 있다.In this case, the dead-off time divides the level of the reference voltage Vref by the resistor R 56 and the variable resistor VR 10 , and divides the divided voltage into the dead-off time control terminal of the oscillation circuit IC 7 . It can be set by inputting to (pin 4).

발진회로(IC7)의 비반전 입력단(1번 및 6번핀)와 반전입력단자(2번 및 15번핀)는 펄스폭 제어비교기를 위한 입력단자이며, 펄스폭 제어가 수행되지 않을 경우, 발진회로는 비반전 입력단자를 접지로 연결시키고, 반전 입력단자를 기준전압(Vref) 레벨에 연결시키도록 동작한다.The non-inverting input terminals (pins 1 and 6) and the inverting input terminals (pins 2 and 15) of the oscillation circuit (IC 7 ) are input terminals for the pulse width control comparator, and when the pulse width control is not performed, the oscillating circuit The non-inverting input terminal is connected to ground and the inverting input terminal is operated to connect the reference voltage (Vref) level.

궤환단자(3번핀)는 펄스폭 제어용 궤환단자로 사용하지 않을 시에는 개방된다.The feedback terminal (pin 3) is open when not used as the feedback terminal for pulse width control.

여기에서, 출력제어단자(13번핀)는 기준전압출력단자(14번핀)에서의 기준전압(Vref)의 레벨에 대해 푸쉬-풀동작을 받는바, MOS 트랜지스터(Q2, Q3)의 제어신호는 오픈 에미터 단자(9번핀 및 10번핀)를 접지시키고, 각각의 오픈 콜렉터 단자(8번 및 11번핀)에서 얻어진 발진출력을 풀업저항(R42, R43)과 NOT 회로(G6,G9)에 의해 각각 반전 및 파형성형함으로써 얻어진다.Here, the output control terminal (pin 13) receives a push-pull operation with respect to the level of the reference voltage (Vref) at the reference voltage output terminal (pin 14), the control signal of the MOS transistors (Q 2 , Q 3 ) Grounds the open emitter terminals (pins 9 and 10) and pulls the oscillation outputs obtained from the respective open collector terminals (pins 8 and 11) and the pull-up resistors (R 42 , R 43 ) and NOT circuits (G6, G9). It is obtained by inverting and waveform shaping, respectively.

NOT 회로(G6)의 출력은 메인회로의 제2제어신호로서 단자 “j ”를 통해 MOS 트랜지스터(Q3)의 게이트에 제공되고, NOT 회로(G9)의 출력은 저항(R44)과, 트랜지스터(Q12, Q13), 커플링 콘덴서(C31) 및 펄스 트랜스포머(T10)로 된 구동회로에 의해 절연되어 메인회로의 제1제어신호로서 단자 “h ”와 “i ”를 통해 MOS 트랜지스터(Q2)의 게이트-소스에 제공된다.The output of the NOT circuit G6 is provided to the gate of the MOS transistor Q 3 as the second control signal of the main circuit through the terminal “j”, and the output of the NOT circuit G9 is a resistor R 44 and a transistor. (Q 12 , Q 13 ), MOS transistors via terminals “h” and “i” as the first control signals of the main circuit, insulated by a drive circuit consisting of a coupling capacitor (C 31 ) and a pulse transformer (T 10 ). Provided to the gate-source of (Q 2 ).

제14도에 바와 같이, 제어전압(Vcc)으로 부터 저항(R54, R55)에 의해 분할된 기준전압음 비교기(IC8)의 반전입력단자에 인가되고, 메인회로에서 검출된 공진전류에 대응한 전압(Vch)은 비반전 입력단자에 인가된다.As shown in FIG. 14, the resonant input terminal of the reference voltage comparator IC 8 divided by the resistors R 54 and R 55 from the control voltage Vcc is applied to the resonant current detected in the main circuit. The corresponding voltage Vch is applied to the non-inverting input terminal.

비교기(IC8)의 출력은 NOT 회로(G10)에서 반전되어 단자 “k ”를 통해 메인회로의 제3제어신호로서 MOS 트랜지스터(Q7)의 게이트에 공급된다. 방전램프(10)가 낮은 광속상태에서 조광되어짐에 따라, 전압(Vch)이 낮아지게 되고 비교기(IC8)의 출력이 “L ”레벨로 유지됨으로써, NOT 회로(G10)는 “H ”레벨 출력을 발생하여 MOS 트랜지스터(Q7)를 턴온 시킨다.The output of the comparator IC 8 is inverted in the NOT circuit G10 and supplied to the gate of the MOS transistor Q 7 as the third control signal of the main circuit through the terminal “k”. As the discharge lamp 10 is dimmed at a low luminous flux, the voltage Vch is lowered and the output of the comparator IC 8 is maintained at the "L" level, so that the NOT circuit G10 outputs the "H" level. Is generated to turn on the MOS transistor Q 7 .

한편, 방전램프(10)가 낮은 광속상태가 아닐 경우 MOS 트랜지스터(Q7)는 오프 된다.On the other hand, when the discharge lamp 10 is not in a low luminous flux state, the MOS transistor Q 7 is turned off.

타이머회로(IC6)의 출력단자(3번핀)의 전압은 NOT 회로(G7, G8)로 구성된 버퍼회로를 통해 파형정형되어 메인회로의 제4제어신호로서 단자“l ”를 통해 MOS 트랜지스터(Q8)의 게이트에 공급된다.The voltage of the output terminal (No. 3 pin) of the timer circuit IC 6 is waveform-formed through the buffer circuit composed of the NOT circuits G7 and G8, and the MOS transistor Q through the terminal “l” as the fourth control signal of the main circuit. 8 ) is supplied to the gate.

제14(a) 및 14(b)도의 동작을 제15도를 참조하여 설명하면, 상용 AC 전원전압(VS)에 의해 작동하는 타이머회로(IC5)는 트랜지스터(Q11)를 약 1초동안 턴온 시키는 바, 이 기동안에 전류(IRT)는 저항(R41)에 의해서만 제한되고, 발진회로(IC7)의 발진주파수(f11)는 증가된다. 이 시간에서의 발진주파수(f11)는 부하회로의 무부하상태에서의 공진주파수 보다 훨씬 높도록 설정되고, 방전램프를 지나 인가된 전압이 낮으므로, 방전램프(10)는 기동하지 않게 되고, 예열전류는 약 1초동안 필라멘트에 공급된다.Claim 14 (a) and 14 (b) degrees when the operation described with reference to the 15 degrees, a timer circuit (IC 5) is a transistor (Q 11) to be activated by the commercial AC power supply voltage (V S) about a second During this start, the current IRT is limited only by the resistor R 41 and the oscillation frequency f 11 of the oscillating circuit IC 7 is increased. The oscillation frequency f 11 at this time is set to be much higher than the resonance frequency in the no-load state of the load circuit, and since the voltage applied through the discharge lamp is low, the discharge lamp 10 is not started and preheated. The current is supplied to the filament for about 1 second.

타이머회로(IC5)의 타이머 동작이 종료되면, 트랜지스터(Q11)가 턴 오프 되고, 그후 트랜지스터(C17)가 수백 μ초동안 오프 상태를 유지하는 바, 이로 인해 전류(IRT)는 저항(R41)과 가변저항(VR11)에 의해 제한되며, 발진회로(IC7)는 낮은 발진주파수(f12)에서 발진한다.When the timer operation of the timer circuit IC 5 ends, the transistor Q 11 is turned off, and then the transistor C 17 remains off for several hundred μs, which causes the current IRT to become a resistor ( R 41 ) and the variable resistor VR 11 , and the oscillation circuit IC 7 oscillates at a low oscillation frequency f 12 .

콘덴서(C29)는 가변저항(VR11)에 병렬로 연결되어 발진주파수를 평활시킨다.The capacitor C 29 is connected in parallel with the variable resistor VR 11 to smooth the oscillation frequency.

이때의 발진부파수(f12)는 부하회로의 무부하상태시의 공진주파수에 가깝게 설정되므로, 방전램프(10)에 인가되는 전압이 매우 높게 방전램프는 방전을 진행하게 된다.At this time, since the oscillation frequency f 12 is set to be close to the resonant frequency in the no-load state of the load circuit, the discharge lamp proceeds to discharge with a very high voltage applied to the discharge lamp 10.

타이머회로(IC6)의 타이머 동작이 종료됨에 따라, 트랜지스터(Q17)는 턴온 되고, 가변저항(VR11)의 슬라이더에는 접지가 연결되는 바, 이로 인해 전류(IRT)는 저항(R41)과, 가변저항(VR11)의 일부에 의해 제한되며, 발진회로(IC7)는 f1<f13<f12인 발진주파수(f13)에서 발진된다.As the timer operation of the timer circuit IC 6 is terminated, the transistor Q 17 is turned on and the ground of the slider of the variable resistor VR 11 is connected, so that the current IRT is a resistor R 41 . And limited by a part of the variable resistor VR 11 , and the oscillation circuit IC 7 is oscillated at an oscillation frequency f 13 in which f1 < f13 < f12.

가변저항(VR11)의 슬라이더를 작동시킴으로써, 발진주파수(f13)는 하이 또는 로우로 될 수 있다.By operating the slider of the variable resistor VR 11 , the oscillation frequency f 13 can be made high or low.

발진주파수(f13)가 높아질 경우, 공진동작은 약화되어 공진전류를 감소시키게 되고, 방전램프(10)에 의해 발생된 광속은 낮아지게 된다.When the oscillation frequency f 13 is increased, the resonance operation is weakened to reduce the resonance current, and the luminous flux generated by the discharge lamp 10 is lowered.

이러한 방식으로, 방전램프(10)의 조광이 실현될 수 있다.In this way, dimming of the discharge lamp 10 can be realized.

메인 회로에 있어서 인덕터(IT5)에 흐르는 공진전류(IT5)는 전압(Vch)으로서 검출되고, 검출된 전압값이 예정된 레벨 이하일 경우, 비교기(IC8)는 “L ”레벨출력을 발생하고, NOT 회로(G10)는 “H ”레벨출력을 발생하여 MOS 트랜지스터(Q7)를 온 상태로 만든다.In the main circuit, the resonant current IT 5 flowing in the inductor IT 5 is detected as the voltage Vch, and when the detected voltage value is below the predetermined level, the comparator IC 8 generates an “L” level output. , NOT circuit G10 generates an “H” level output to turn on MOS transistor Q 7 .

그러므로, DC 전원은 방전램프(10)에 공급되어지도록 중첩되어 낮은 광속상태에서 플리커 오프가 발생되지 않도록 하여 램프를 안정하게 발광시킬 수가 있다.Therefore, the DC power is superimposed so as to be supplied to the discharge lamp 10 so that flicker-off does not occur in a low luminous flux state, so that the lamp can be stably emitted.

한편, 방전램프(10)가 낮은 광속상태에 있지 않을 경우, DC 전원의 흐름은 차단되므로 램프의 카타포레시스 현상, 램프의 수명단축과 같은 문제점의 발생을 예방할 수가 있다.On the other hand, when the discharge lamp 10 is not in a low luminous flux state, the flow of DC power is blocked, so that problems such as cataphoresis of the lamp and shortening of the life of the lamp can be prevented.

또한 DC 전원제어를 위해 MOS 트랜지스터(Q7)에 병렬연결된 MOS 트랜지스터(Q8)는 방전램프(10)의 기동시 즉, 수백마이크로초동안 온 되어 타이머회로(IC6)의 출력단자(3번핀)는 “H ”레벨로 유지된다.In addition, the MOS transistor Q 8 connected in parallel to the MOS transistor Q 7 for DC power control is turned on for several hundred microseconds at the start of the discharge lamp 10, that is, the output terminal of the timer circuit IC 6 (pin 3). ) Is maintained at the “H” level.

따라서,MOS 트랜지스터(Q7)를 지나는 전압은 그 시간동안에 0이 되어 방전램프(10)의 기동용 고압이 램프에 인가됨으로써, 소정의 응력과 같은 것은 과전압 인가에 기인하여 가해지는 것으로 부터 예방될 수가 있다.Therefore, the voltage passing through the MOS transistor Q 7 becomes zero during that time, so that the high voltage for starting the discharge lamp 10 is applied to the lamp, so that a predetermined stress or the like can be prevented from being applied due to the overvoltage application. There is a number.

제14도의 장치에 있어서, 이 장치는 방전램프(10)를 검출하기 위한 수단으로서 공진전류를 검출하도록 하였는바, 램프전류의 검출이나, 광학적 출력의 검출을 위한 장치를 배치할 수도 있다. MOS 트랜지스터(Q7, Q8)의 제어를 위해서는 조광레벨 설정신호를 이용할 수도 있을 것이다.In the apparatus of FIG. 14, the apparatus is designed to detect the resonant current as a means for detecting the discharge lamp 10, so that an apparatus for detecting the lamp current or the optical output may be arranged. The dimming level setting signal may be used to control the MOS transistors Q 7 and Q 8 .

제16도에는 제13도 장치의 다른 형태가 도시되었는바, 여기에서 제14도의 DC 전류제어용 MOS 트랜지스터(Q7)와 과전류 방지용 MOS 트랜지스터(Q7)와 과전류 방지용 MOS 트랜지스터(Q8)는 한개의 트랜지스터(Q7)에 의해 공통적으로 성취된다.FIG. 16 shows another form of the device of FIG. 13, in which the DC current control MOS transistor Q 7 , the overcurrent protection MOS transistor Q 7 and the overcurrent protection MOS transistor Q 8 of FIG. Is commonly achieved by the transistor Q 7 .

제17도에는 제어회로의 상세도가 도시되었다.17 shows a detail of the control circuit.

좀더 상세히 말하면, NOT 회로(G8, G11)의 출력은 OR 회로(G11)에 입력되고, OR 회로(G11)의 출력은 단자“l ”를 통해 MOS 트랜지스터(Q7)의 게이트에 공급되고, 제14도의 MOS 트랜지스터(Q8)는 생략될 수 있다.More specifically, the outputs of the NOT circuits G8 and G11 are input to the OR circuit G11, and the outputs of the OR circuit G11 are supplied to the gate of the MOS transistor Q 7 through the terminal " l " The 14-degree MOS transistor Q 8 may be omitted.

즉, DC 전원제어용 MOS 트랜지스터(Q7)는 낮은 광속시 뿐만 아니라 방전램프(10)의 기동시에 온 상태를 유지하고, 다른 MOS 트랜지스터(Q8)는 과전압 예방을 위해 별도로 제공될 필요가 없다. 이경우, 기타의 구조 및 기능들은 제14도의 것과 실질적으로 동일하다. 제16도 및 제17도에 있어서, DC 전원 제어용 또는 과전압 예방용으로 MOS 트랜지스터가 이용되었지만 필요한 경우에는 바이폴러 트랜지스터나 릴레이와 같은 스위칭소자가 이용될 수도 있다.That is, the DC power supply control MOS transistor Q 7 remains on not only at low light flux but also at the start of the discharge lamp 10, and the other MOS transistor Q 8 does not need to be separately provided for overvoltage prevention. In this case, the other structures and functions are substantially the same as those in FIG. 16 and 17, MOS transistors are used for DC power supply control or for overvoltage prevention, but switching elements such as bipolar transistors or relays may be used if necessary.

제18도에는 제13도 장치의 다른 형태가 도시되었다.18 illustrates another form of the FIG. 13 device.

이 경우 제너 다이오드(ZD10)는 DC 전원제어용 MOS 트랜지스터(Q7)에 병렬로 연결되어 고전압 방지용 스위칭소자로서 이용되는바, 이 제너 다이오드(ZD10)는 MOS 트랜지스터(Q7)의 드레인-소스를 지나는 브레이크다운 전압보다는 낮고, 조명시 인가되는 전압보다는 높게 설정되는 제너전압을 갖는다.In this case, the zener diode ZD 10 is connected in parallel to the MOS transistor Q 7 for DC power supply and is used as a switching device for preventing high voltage. The zener diode ZD 10 is a drain-source of the MOS transistor Q 7 . It has a zener voltage that is set lower than the breakdown voltage passing through and higher than the voltage applied during illumination.

그러므로, 제너 다이오드(ZD10)는 방전램프(10)의 초기구동시에만 전도체로 되므로 소정의 전압을 MOS 트랜지스터(Q7)를 지나 인가되지 않도록 한다. 또한, 수동고압예방소자가 이용되므로, 제어회로는 MOS 트랜지스터와 같은 능동소자에 비해 간단하며 경제적이다.Therefore, the zener diode ZD 10 becomes a conductor only during the initial driving of the discharge lamp 10 so that a predetermined voltage is not applied past the MOS transistor Q 7 . In addition, since a passive high voltage prevention element is used, the control circuit is simpler and more economical than an active element such as a MOS transistor.

제너 다이오드(ZD10)에 대신에 ZNR과 같은 서지 흡수기 또는 애벌런치 다이오드와 같은 수동소자가 이용될 수도 있을 것이다.Instead of the zener diode ZD 10 , a surge absorber such as ZNR or a passive element such as an avalanche diode may be used.

본 형태의 다른 구조 및 기능들은 제14도의 것과 실질적으로 동일하다.Other structures and functions of this form are substantially the same as in FIG.

본 발명의 또다른 특징에 따르면, 방전램프(10)의 소등시 DC 전원의 중첩된 공급을 즉시 정지시키는 방전 램프 조명장치가 제공된다.According to another feature of the present invention, there is provided a discharge lamp lighting apparatus for immediately stopping the superimposed supply of DC power when the discharge lamp 10 is turned off.

본 발명에 따른 제1도 장치의 다른 형태인 제19도를 참조하면, 제어수단(72)의 작동전원인 콘덴서(C10)의 제어전압(Vcc)은 방전램프(10)가 낮은 광속영역에서 조광제어되는 상태에서 전원스위치(SWAC)를 개방했을 때 낮아지게 되지만, 제어수단(72)은 전압이 최소전압(VMIN) 이하의 레벨에 도달할 때까지 제어신호를 출력하는 바, 여기에서 제어수단(72)의 회로소자는 제20a도에 도시한 바와 같이 계속 작동될 것이다.Referring to FIG. 19, which is another form of the FIG. 1 apparatus according to the present invention, the control voltage Vcc of the condenser C 10 , which is the operating power source of the control means 72, is determined in the light flux region where the discharge lamp 10 is low. When the power switch SW AC is opened in the controlled light control state, the control unit 72 outputs a control signal until the voltage reaches a level below the minimum voltage V MIN . The circuitry of the control means 72 will continue to operate as shown in FIG. 20A.

인버터의 메인전원인 콘덴서(C21)의 전압 역시 낮아지지만, 낮은 광속영역에서 그의 조명을 유지하는 방전램프(10)는 전력을 매우 적게 소비하므로, 제20b도에 도시한 바와 같이 콘덴서(C21)의 전압(Vc21)은 점차적으로 낮아지게 된다.Although the voltage of the capacitor C 21 , which is the main power supply of the inverter, is also lowered, the discharge lamp 10 which maintains its illumination in the low luminous flux region consumes very little power, and thus the capacitor C 21 as shown in FIG. ), The voltage Vc 21 gradually decreases.

조명을 유지하기 위한 DC 전원이 저항(R57)을 통해 콘덴서(C21)로 부터 램프에 공급되기 때문에 전원스위치(SWAC)가 개방되더라도 방전램프(10)의 조명은 유지된다. 만약에 콘덴서(C21)의 전압(Vc21)이 예정된 전압 (V0)이하로 될 때까지 방전램프(10)가 조명상태를 유지할 경우, 시간(t1)에서 정지되는 제어수단(72)의 동작은 방전램프(10)를 제20b도에 도시한 바와 같이 시간(t2)까지 조명되도록 한다.Since the DC power for maintaining the illumination is supplied to the lamp from the capacitor C 21 through the resistor R 57 , the illumination of the discharge lamp 10 is maintained even when the power switch SW AC is opened. If the discharge lamp 10 maintains the illumination state until the voltage Vc 21 of the condenser C 21 becomes equal to or less than the predetermined voltage V 0 , the control means 72 stops at time t 1 . The operation of causes the discharge lamp 10 to be illuminated until time t 2 as shown in FIG. 20B.

한편, 전원스위치(SWAC)가 방전램프(10)의 완전조명 상태에서 개방되면, 인버터에서의 소비전력은 제20c도와 같이 콘덴서(C21)의 전압(Vc21)을 신속히 낮추도록 충분히 많다. 어떤 경우에는 제20d도와 같이 제어수단(72)이 그의 동작을 정지하고, 콘덴서(C21)의 전압(Vc21)은 시간(t1)에서 예정된 전압(V0)보다 높게 유지하는바, 여기에서 인버터의 발진은 정지되고, 전압(Vc21)은 이후 점차적으로 낮아지게 되고, 방전램프(10)는 전압(Vc21)이 예정된 레벨(V0) 이하가 되는 시간(t3)까지 조명될 것이다.On the other hand, when the power switch SWAC is opened in the fully lit state of the discharge lamp 10, the power consumption in the inverter is sufficiently large to rapidly lower the voltage Vc 21 of the capacitor C 21 as shown in FIG. 20C. In some cases, as shown in FIG. 20d, the control means 72 stops its operation, and the voltage Vc 21 of the capacitor C 21 is kept higher than the predetermined voltage V 0 at the time t 1 . The oscillation of the inverter is stopped, the voltage Vc 21 is then gradually lowered, and the discharge lamp 10 will be illuminated until a time t 3 at which the voltage Vc 21 is below the predetermined level V0. .

따라서, 제21도에 도시한 바와 같이 방전램프(10)의 소등직후 DC 전원공급을 차단하기 위해서 방전램프 소등신호(S11)를 DC 전원공급수단(78)에 제공된다.Therefore, as shown in FIG. 21, the discharge lamp extinction signal S11 is provided to the DC power supply means 78 to cut off the DC power supply immediately after the discharge lamp 10 is extinguished.

좀더 상세히 말하면, 제22도에 도시한 바와 같이, MOS 트랜지스터(Q17)는 저항(R57)과 직렬로 연결되므로 MOS 트랜지스터(Q17)는 신호(P)를 이 트랜지스터의 게이트에 제공함으로써 턴오프 되고, DC 전원 공급경로는 파괴될 것이다.In other more detail, as shown in claim 22 also, the MOS transistor (Q 17) is a resistance (R 57) and since the series connection of the MOS transistor (Q 17) is turned on by providing a signal (P) to the gate of the transistor Will be turned off and the DC power supply path will be destroyed.

제21도 및 제22도의 실시예에 있어서, 다른 구성부품 및 기능들은 제1도 및 제19도의 것과 실질적으로 동일하다.In the embodiment of FIGS. 21 and 22, the other components and functions are substantially the same as those of FIGS.

제23도에는 제어신호를 제22도의 회로에 제공하기 위한 제어수단의 전형적인 예가 도시되었는바, 이 예에는 메인회로의 MOS 트랜지스터(Q2, Q3)를 위한 구동회로와, 구동신호를 구동회로에 제공하기 위한 발진회로(IC9) 및 방전램프의 소등시 MOS 트랜지스터(Q7)의 턴오프 제어를 위한 전압검출회로(77)가 제공되었다.FIG. 23 shows a typical example of the control means for providing the control signal to the circuit of FIG. 22. In this example, a drive circuit for the MOS transistors Q 2 and Q 3 of the main circuit and a drive signal are supplied. An oscillation circuit IC 9 and a voltage detection circuit 77 for controlling the turn-off of the MOS transistor Q 7 when the discharge lamp is turned off are provided.

이들 회로를 위한 동작전원으로서 제어전원부의 콘덴서(C10)에서 얻어진 제어전원전압(Vcc)이 회로에 공급된다.As the operating power source for these circuits, the control power supply voltage Vcc obtained from the condenser C 10 of the control power supply unit is supplied to the circuit.

MOS 트랜지스터(Q2)용 구동회로는 펄스 트랜스포머(T11), 저항(R63, R64) 및 다이오드(D21, D23) 를 포함한다.The drive circuit for the MOS transistor Q 2 includes a pulse transformer T 11 , resistors R 63 , R 64 and diodes D2 1 , D2 3 .

펄스 트랜스포머(T11)의 1차 권선의 중앙탭에는 제어전압(Vcc)이 제공되고, 1차 권선의 일측은 이후 상술한 구동 MOS 트랜지스터(Q18)를 매개로 접지되고, 1차 권선의 타측은 다이오드(D21)를 매개로 접지된다.A control voltage Vcc is provided to the center tap of the primary winding of the pulse transformer T 11 , one side of the primary winding is then grounded via the above-described driving MOS transistor Q 18 , and the other of the primary winding is provided. The side is grounded via a diode D2 1 .

펄스 트랜스포머(T11)의 2차 권선의 일측은 단자 “n ”을 매개로 메인회로의 MOS 트랜지스터(Q2)의 소스단자에 연결되고, 그의 타측은 정상 바이어스용 저항(R63), 역바이어스용 다이오드(D23) 및 단자 “m ”을 매개로 MOS 트랜지스터(Q2)의 게이트에 연결된다.One side of the secondary winding of the pulse transformer T 11 is connected to the source terminal of the MOS transistor Q 2 of the main circuit via the terminal “n”, and the other side thereof is the normal bias resistor R 63 , the reverse bias. It is connected to the gate of the MOS transistor Q 2 via the diode D 23 and the terminal “m”.

트랜지스터(R64)는 MOS 트랜지스터(Q2)의 게이트-소스에 병렬로 연결된다.Transistor R 64 is connected in parallel to the gate-source of MOS transistor Q 2 .

구동용 MOS 트랜지스터(Q18)가 온 되고, 펄스 트랜스포머(T11)의 일측이 접지됨에 따라, 트랜스포머(T11)의 1차 권선의 중앙탭에 인가된 제어전압(Vcc)에 의해 1차 권선에는 전류가 흐르게 되어, 2차 권선에 유기된 전류는 2차 권선에 연결된 저항(R63, R64)으로 된 직렬회로를 통해 흐르게 되고, 전압은 저항(R64) 양단에 발생되는바, 이 전압은 MOS 트랜지스터(Q2)의 게이트-소스를 지나 이 트랜지스터를 턴온 시킨다.As the driving MOS transistor Q 18 is turned on and one side of the pulse transformer T 11 is grounded, the primary winding is controlled by the control voltage Vcc applied to the center tap of the primary winding of the transformer T 11 . Current flows in the secondary winding, and the current induced in the secondary winding flows through a series circuit composed of resistors R 63 and R 64 connected to the secondary winding, and voltage is generated across the resistor R 64 . The voltage turns on the transistor past the gate-source of the MOS transistor Q 2 .

구동용 MOS 트랜지스터(Q18)가 턴오프 되고, 펄스 트랜스포머(T11)의 1차 권선을 흐르는 전류가 차단됨에 따라, 다이오드(D21)를 통해 제어전원부에는 재생전류가 1차 권선에 흐르게 된다.As the driving MOS transistor Q 18 is turned off and the current flowing through the primary winding of the pulse transformer T 11 is cut off, a regenerative current flows to the primary winding through the diode D 21 . .

이때, 펄스 트랜스포머(T11)의 2차 권선에는 역기전력이 발생되고, MOS 트랜지스터(Q2)의 게이트와 소스사이에의 역전압 바이어스는 다이오드(D23)를 통해 저항(R64)에 흐르게 되고, 게이트와 소스간의 콘덴서에 충전된 전하는 신속히 방전되어 MOS 트랜지스터(Q2)를 신속하게 턴오프 시킨다.At this time, the counter electromotive force is generated in the secondary winding of the pulse transformer T 11 , and the reverse voltage bias between the gate and the source of the MOS transistor Q 2 flows to the resistor R 64 through the diode D 23 . The charge charged in the capacitor between the gate and the source is quickly discharged to turn off the MOS transistor Q 2 quickly.

MOS 트랜지스터(Q3)를 위한 구동회로는 동일한 구조로 구성되며, 그의 동일한 작동이 수행된다.The driving circuit for the MOS transistor Q 3 has the same structure, and the same operation is performed.

MOS 트랜지스터용 구동회로는 펄스 트랜스포머(T12), 저항(R65, R66) 및 다이오드(D22, D24)로 구성되는바, 이것은 펄스 트랜스포머(T11), 저항(R63, R64) 및 다이오드(D21, D23)에 각각 대응되며 동일한 동작이 수행된다.The driving circuit for the MOS transistor is composed of a pulse transformer (T 12 ), a resistor (R 65 , R 66 ) and a diode (D 22 , D 24 ), which is a pulse transformer (T 11 ), a resistor (R 63 , R 64). ) And diodes D 21 and D 23 , respectively, and the same operation is performed.

발진회로(IC9)에 대해서, 스위칭 레귤레이터와 함께 사용하기 위한 제어용 IC(“μPC474C ”)가 이용될 수도 있으며, 전술한 실시예와 동일한 기능이 얻어진다.For the oscillation circuit IC 9 , a control IC (“μPC474C”) for use with the switching regulator may be used, and the same function as in the above-described embodiment is obtained.

이 실시예에서, 푸쉬-풀동작은 발진회로(IC9)의 출력 제어단자(13번핀)를 기준전압(Vref)에 폴링 함으로써 수행되고, 오픈 에미터단자(9번 및 10번핀)은 접지되고, 오픈 콜렉터단자(8번 및 11번핀)에서 얻어진 발진출력은 구동용 MOS 트랜지스터(Q18,Q19)에 대한 입력신호를 만든다.In this embodiment, the push-pull operation is performed by polling the output control terminal (pin 13) of the oscillating circuit IC 9 to the reference voltage Vref, and the open emitter terminals (pins 9 and 10) are grounded. The oscillation output obtained at the open collector terminals (pins 8 and 11) produces an input signal for the driving MOS transistors Q 18 and Q 19 .

즉, 제1오픈 콜렉터단자(8번핀)와 오픈 에미터단자(9번핀) 사이에 단락회로가 형성되면, MOS 트랜지스터(Q19)의 게이트는 “L ”레벨로 되지만, 이들 단자사이에 개방상태가 얻어지면, MOS 트랜지스터(Q19)의 게이트는 풀업저항(R62)에 의해 “H ”레벨이 될 것이다.That is, if a short circuit is formed between the first open collector terminal (pin 8) and the open emitter terminal (pin 9), the gate of the MOS transistor Q 19 is at the "L" level, but is open between these terminals. Is obtained, the gate of the MOS transistor Q 19 will be at the "H" level by the pull-up resistor R 62 .

이와 유사하게, MOS 트랜지스터(Q18)의 게이트는 제2오픈 콜렉터단자(11번핀)과 오픈 에미터단자(10번핀) 사이가 단락될때 “L ”레벨이 되고, 이들 단자 사이가 개방될 때 “H ”레벨이 된다.Similarly, the gate of the MOS transistor Q 18 is at the “L” level when the second open collector terminal (pin 11) and the open emitter terminal (pin 10) are shorted, and “ H ”level.

MOS 트랜지스터(Q18, Q19)는 MOS 트랜지스터(Q2, Q3)를 구동하기 위해서 인버터 회로를 형성하는 MOS 트랜지스터(Q2, Q3)용 구동회로의 펄스 트랜스포머(T11,T12)의 일측단에 각각 연결된다.MOS transistors (Q 18, Q 19) is a MOS transistor (Q 2, Q 3) MOS transistor (Q 2, Q 3) the pulse transformer of the driver circuit for forming a drive circuit to drive the (T 11, T 12) Are connected to one end of each.

발진회로(IC9)의 발진주파수는 콘덴서(C36), 고정저항(R58) 및 가변저항(VR12)의 시정수에 의해 결정된다.The oscillation frequency of the oscillation circuit IC 9 is determined by the time constants of the capacitor C 36 , the fixed resistor R 58 , and the variable resistor VR 12 .

가변저항(VR12)의 값이 적당히 조정됨에 따라 발진회로(IC9)의 발진주파수를 제어할 수가 있다. 또한, 발진출력의 데드오프시간은 저항(R59, R60)에 의한 기준전압(Vref)의 분할전압레벨에 의해 결정된다.As the value of the variable resistor VR 12 is appropriately adjusted, the oscillation frequency of the oscillation circuit IC 9 can be controlled. The dead-off time of the oscillation output is determined by the divided voltage level of the reference voltage Vref by the resistors R 59 and R 60 .

한편, 전압검출회로(77)에 있어서, 콘덴서(C10)에서 얻어진 제어전압(Vcc)은 저항(R67, R68)에 의해 분압되고, 이들 저항(R67, R68) 사이의 접속점(q)에서 얻어지는 전압은 제너 다이오드(ZD2)를 통해 저항(R70)에 인가된다.In the other hand, the voltage detecting circuit 77, a capacitor (C 10) a control voltage (Vcc) obtained is divided by a resistor (R 67, R 68), the connection point between the resistors (R 67, R 68) ( The voltage obtained in q) is applied to the resistor R 70 through the zener diode ZD 2 .

저항(R70) 양단에 발생되는 전압은 트랜지스터(Q20)의 베이스-에미터에 인가되는 바, 그의 콜렉터는 저항(R69)을 통해 제어전원(Vcc)에 연결되고, 저항(R72)을 매개로 PNP 트랜지스터(Q21)의 베이스에 연결된다.The voltage generated across the resistor R 70 is applied to the base-emitter of the transistor Q 20 , the collector of which is connected to the control power supply Vcc through the resistor R 69 , and the resistor R 72 . Is connected to the base of the PNP transistor Q 21 .

제어전압(Vcc)은 PNP 트랜지스터(Q21)의 에미터에 제공되고, 그의 콜렉터는 저항(R71)을 통해 접지된다.The control voltage Vcc is provided to the emitter of the PNP transistor Q 21 and its collector is grounded through the resistor R 71 .

저항(R73, R74)으로 된 직렬회로는 저항(R71)에 병렬로 접속되고, 이들 저항(R73, R74)간의 접속점(P)에서 얻어진 전압은 제22도의 MOS 트랜지스터(Q17)를 위한 게이트 구동저압으로서 이용된다.The series circuit of the resistors R 73 and R 74 is connected in parallel to the resistor R 71 , and the voltage obtained at the connection point P between these resistors R 73 and R 74 is the MOS transistor Q 17 of FIG. 22. Is used as the gate drive low pressure.

제24a-24c도는 제23도의 전압검출회로(77)의 동작파형을 도시하였는바, 여기에서 전원스위치(SWAC)는 타이밍(t0)전에 닫히며, 제너 다이오드(ZD1)의 제너전압에 의해 결정된 예정된 DC 전압은 콘덴서(C10)에서 발생된다.24A to 24C show an operation waveform of the voltage detection circuit 77 of FIG. 23, in which the power switch SWAC is closed before the timing t0 and determined by the zener voltage of the zener diode ZD 1 . The predetermined DC voltage is generated at the capacitor C 10 .

접속점(q)에서 유지된 전압은 저항(R67, R68)에 의해 DC 정전압을 분할함으로써 얻어지게 되는 바, 이것은 제너 다이오드(ZD2)의 제너전압보다 높게 설정된다.The voltage held at the connection point q is obtained by dividing the DC constant voltage by the resistors R 67 and R 68 , which is set higher than the zener voltage of the zener diode ZD 2 .

그러므로, 제너 다이오드(ZD2)는 타이밍(t0) 전에 도통되어 저항(R70)을 통해 전압을 발생시키므로, 트랜지스터(Q20)가 턴온 되고, 트랜지스터(Q20)의 점(r)에서의 콜렉터 전압(Vr)은 제24a도에 도시한 제어전압(Vcc)에 비해 제24b도에 도시한 바와 같이 “L ”레벨이 될 것이다.Therefore, the zener diode ZD 2 conducts before timing t0 to generate a voltage through resistor R 70 , so transistor Q 20 is turned on and the collector at point r of transistor Q 20 . The voltage Vr will be at the "L" level as shown in FIG. 24B compared to the control voltage Vcc shown in FIG. 24A.

또한, PNP 트랜지스터(Q21)의 베이스에 저항(R72)과 트랜지스터(Q20)를 통해 전류가 흐르게 되므로 PNP 트랜지스터(Q21)는 턴온 되고, 저항(R73, R74)간의 접속점(P)에서의 전위는 제24c도에 도시한 바와 같이 제어전압(Vcc)에 따라 결정된 전압이 될 것이며, 직류전류가 저항(R57)을 통해 방전램프(10)에 흐르기 때문에 MOS 트랜지스터(Q17)는 턴온 된다.Further, the connection point between, so the PNP transistor, the current flow through the resistance (R 72) and a transistor (Q 20) to the base of (Q 21) a PNP transistor (Q 21) is turned on, a resistor (R 73, R 74) ( P The potential at () is the voltage determined according to the control voltage (Vcc) as shown in FIG. 24C, and since the direct current flows to the discharge lamp 10 through the resistor R 57 , the MOS transistor Q 17 . Is turned on.

전원스위치(SWAC)가 타이밍(t0)에 개방될 때, 제어전압(Vcc)은 제24a도에 도시한 바와 같이 낮아지게 되고, 접속점(q)의 전압은 타이밍(t4)시 제너 다이오드(ZD2)의 제너전압보다 낮아지게 되고, 제너 다이오드(ZD2)가 부도통상태에 있게 되므로, 트랜지스터(Q20)는 턴오프 되고, 그의 콜렉터 전압(Vr)은 제24b도에 도시한 바와 같이 제어전압(Vcc)과 일치될 것이다.When the power switch SWAC is opened at the timing t0, the control voltage Vcc is lowered as shown in FIG. 24A, and the voltage at the connection point q is at the timing t4, and the Zener diode ZD 2 Since the zener diode ZD 2 is in a non-conductive state, the transistor Q 20 is turned off, and its collector voltage Vr is controlled as shown in FIG. 24B. Will match (Vcc).

그러므로, PNP 트랜지스터(Q21)가 턴오프 되고, 저항(Q73, Q74)간의 접속점(P)의 전위는 제24c도에 도시한 바와 같이 “L ”레벨이 되어, MOS 트랜지스터(Q18)는 턴오프 된다. 이에 따라, 저항(R57)을 통해 방전램프(10)로 흐르는 직류전류는 차단된다. 발진회로(IC9)의 작동이 정지됨에 따라 인버터 발진은 정지되고, 방전램프(10)의 방전이 정지된다. 이때 그의 조명을 유지하기 위한 직류전류는 방전램프(10)에 흐르지 않게 되고 이후의 글로우가 끊기게 된다.Therefore, the PNP transistor Q 21 is turned off, and the potential of the connection point P between the resistors Q 73 and Q 74 becomes the "L" level as shown in FIG. 24C, and the MOS transistor Q 18 . Is turned off. Accordingly, the DC current flowing to the discharge lamp 10 through the resistor R 57 is cut off. As the operation of the oscillation circuit IC 9 is stopped, inverter oscillation is stopped, and the discharge of the discharge lamp 10 is stopped. At this time, the DC current for maintaining its illumination does not flow to the discharge lamp 10 and the glow afterwards is cut off.

본 실시예에 있어서, 제어전압(Vcc)의 전압강하가 검출되어 방전램프를 위한 소등신호를 얻게 되는 바, 이는 인버터 입력전원을 형성하는 콘덴서(C21)에서의 전압강하를 검출하는데 효과적이고, 또한 소등신호는 전원스위치(SWAC)와 인터록된 다른 스위치에 의해 얻어질 수도 있다.In this embodiment, the voltage drop of the control voltage Vcc is detected to obtain an extinguishing signal for the discharge lamp, which is effective for detecting the voltage drop in the capacitor C 21 forming the inverter input power source. The extinguishing signal may also be obtained by another switch interlocked with the power switch SWAC.

제25도에는 다른 실시예가 도시되어 있는바, 여기에서 조광제어수단(82)은 방전램프(10)의 광출력을 조광신호(VDM)에 따라 100% 조명에서 0% 조명, 즉 소등으로 제어 가능하게 조광되어지도록 한다. 이경우, 페이드-아웃은 방전램프의 조명을 유지하기 위한 DC 전원을 차단함으로써 얻어진다.25 shows another embodiment, in which the dimming control means 82 can control the light output of the discharge lamp 10 from 100% illumination to 0% illumination, i.e., off, according to the dimming signal VDM. To be dimmed. In this case, fade-out is obtained by cutting off the DC power supply for maintaining the illumination of the discharge lamp.

제26도에 도시한 바와 같이, 조광율은 조광신호(VDM)가 감소될 때 감소되므로, 광출력은 적어지게 되고, 조광신호(VDM)가 예정된 도달했을 경우, 방전램프의 조명을 유지하기 위한 DC 전원은 차단되어 조명율을 0으로 하며 광출력을 사라지게 한다.As shown in FIG. 26, the dimming rate is decreased when the dimming signal VDM is reduced, so that the light output is reduced, and when the dimming signal VDM reaches a predetermined time, it is necessary to maintain illumination of the discharge lamp. DC power is cut off, lighting rate is zero and the light output is lost.

제27도에는 제22도 및 제23도에 연결되어 사용되는 페이드-아웃제어회로가 도시되었는바, 제27도에서의 단자 “p ”와 “s ”는 제23도의 단자“p ”와 “s ”에 각각 연결된다.FIG. 27 shows a fade-out control circuit for use in connection with FIGS. 22 and 23. In FIG. 27, the terminals "p" and "s" are terminals "p" and "s" of FIG. Respectively.

여기에서, 조광신호(VDM)는 입력저항(R75)을 통해 연산증폭기(IC10)의 반전입력단자에 입력되고, 연산증폭기(IC10)의 비반전입력단자에는 저항(R76, R77)에 의해 제어전압(Vcc)을 분할한 기준전압이 인가되는 바, 그의 출력단자는 궤환저항(R78)을 통해 증폭기(IC10)의 반전입력단자에 연결됨과 동시에 입력저항(R81)을 통해 다른 연산증폭기(IC11)의 비반전입력단자에는 저항(R79, R80)에 의해 제어전압(Vcc)을 분할하여 얻어진 기준전압이 인가되고, 증폭기(IC11)의 출력단자는 궤환저항(R82)을 매개로 그의 반전입력단자에 연결됨과 동시에 단자 “S ”를 통해 제23도의 발진회로(IC9)의 저항단자(6번핀)에 연결된다.Here, the dimming signal VDM is input to the inverting input terminal of the operational amplifier IC 10 through the input resistor R 75 and the resistors R 76 and R 77 to the non-inverting input terminal of the operational amplifier IC 10 . The reference voltage obtained by dividing the control voltage (Vcc) is applied to the output terminal thereof. The output terminal thereof is connected to the inverting input terminal of the amplifier IC 10 through the feedback resistor R 78 and simultaneously through the input resistor R 81 . The reference voltage obtained by dividing the control voltage Vcc by the resistors R 79 and R 80 is applied to the non-inverting input terminal of the other operational amplifier IC 11 , and the output terminal of the amplifier IC 11 is connected to the feedback resistor R. 82 ) is connected to its inverting input terminal via the terminal “S” to the resistance terminal (No. 6 pin) of the oscillating circuit IC 9 of FIG.

따라서, 조광신호(VDM)는 연산증폭기(IC10, IC11)를 매개로 발진회로(IC9)의 저항단자(6번핀)에 제공되어 조광제어가 실행된다. 이경우, 조광신호(VDM)가 높아짐에 따라 방전램프(10)의 광출력이 높아지게 된다.Therefore, the dimming signal VDM is provided to the resistor terminal (No. 6 pin) of the oscillation circuit IC9 via the operational amplifiers IC 10 and IC 11 to execute dimming control. In this case, as the dimming signal VDM increases, the light output of the discharge lamp 10 increases.

또한, 조광신호(VDM)는 저항(R83)을 매개로 비교기(IC12)의 반전입력단자에 공급되고, 그의 비반전입력단자에는 저항(R84, R85)에 의해 제어전압(Vcc)을 분할한 기준전압이 인가된다.Further, a control voltage (Vcc) by a light control signal (VDM) is supplied to the inverting input terminal of the comparator (IC12) to the resistance (R 83) parameters, in its non-inverting input terminal resistance (R 84, R 85) The divided reference voltage is applied.

이 비교기(IC12)의 출력단자는 저항(R86)을 매개로 트랜지스터(Q22)의 베이스에 연결되는바, 이 트랜지스터(Q22)는 단자 “p ”를 통해 제23도의 저항(R74)에 병렬로 연결된다.To the An output terminal of the comparator (IC12) resistance (R 86) bar which is connected to the base of the parameters of transistors (Q 22), a transistor (Q 22) is 23 degrees, the resistance through the terminal "p" (R 74) Are connected in parallel.

제26도에 도시한 바와 같이, 조광신호(VDM)가 소정의 레벨(R84/ (R84+R85))ㆍVcc 보다 클경우, 비교기(IC12)의 출력단자는 “L ”레벨이 되어 트랜지스터(Q22)를 턴오프 시킨다.As shown in FIG. 26, when the dimming signal VDM is larger than the predetermined level (R 84 / (R 84 + R 85 )) Vcc, the output terminal of the comparator IC12 is at the "L" level and the transistor Turn off (Q 22 ).

조광신호(VDM)가 상기의 예정레벨보다 작을 경우, 비교기(IC12)의 출력단자는 “H ”레벨이 되어 트랜지스터(Q22)를 턴온 시킨다.When the dimming signal VDM is smaller than the predetermined level, the output terminal of the comparator IC12 is at the “H” level to turn on the transistor Q 22 .

따라서, 제22도의 MOS 트랜지스터(Q17)는 강력하게 턴오프 되고, 방전을 위해 저항(R57)을 매개로 방전램프(10)에 인가된 DC 전압이 차단되므로, 방전램프(10)는 제26도에 도시한 바와 같이 낮은 광속 조광영역에서 방전을 유지할 수가 없게 되어 방전램프는 완전히 소등된다.Accordingly, since the MOS transistor Q 17 of FIG. 22 is strongly turned off and the DC voltage applied to the discharge lamp 10 through the resistor R 57 is blocked for discharge, the discharge lamp 10 is discharged. As shown in FIG. 26, the discharge cannot be maintained in the low luminous flux dimming area, and the discharge lamp is completely turned off.

그러므로 본 실시예에서, 방전램프의 소등은 입력전원의 차단과 같은 회로소자에 과도한 응력을 인가하는 수단을 이용하거나, 인버터의 발진중지 없이 실행될 수 있으며, 또한 인버터 발진출력을 감소시키며, 방전유지를 위한 DC 전원을 차단시킴으로써 수행될 수 있다.Therefore, in this embodiment, the extinguishing of the discharge lamp can be carried out by means of applying excessive stress to circuit elements such as the interruption of input power, or without stopping the inverter oscillation, and also reducing the inverter oscillation output and maintaining the discharge This can be done by cutting off the DC power supply.

한편, 인버터 발진이 계속되어 회로소자에 인가되는 응력이 최소화된다.On the other hand, inverter oscillation is continued to minimize the stress applied to the circuit element.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 필라멘트에서 발생하는 낮은 전자방사와 같은 비정상 방전상태가 과도한 응력이 회로소자에 가해지지 않도록 안정하게 검출될 수 있도록 한 조광 방전램프 조명장치가 제공된다.According to still another feature of the present invention, there is provided a dimming discharge lamp lighting apparatus in which an abnormal discharge state such as low electron radiation generated in a filament can be stably detected so that excessive stress is not applied to the circuit element.

즉, 제1도의 방전램프(10)의 필라멘트(f2)가 낮은 전자방사상태에 있을 경우, 이러한 상태는 MOS 트랜지스터(Q2, Q3)에 흐르는 과도한 전류를 검출함으로써 검출될 수 있다.That is, when the filament f 2 of the discharge lamp 10 of FIG. 1 is in a low electron emission state, this state can be detected by detecting excessive current flowing through the MOS transistors Q 2 and Q 3 .

그러나, 다른 필라멘트(f1)가 낮은 방사 상태에 있을 경우, 인버터 자체가 비정상 방전상태에 있을지라도 인버터는 비정상 상태를 검출하지 않고, 정상동작이 회로소자에 부가되는 과도한 응력을 발생시키도록 수행되어진다.However, when the other filament f 1 is in a low radiating state, even if the inverter itself is in an abnormal discharge state, the inverter does not detect an abnormal state, and normal operation is performed to generate excessive stress that is added to the circuit element. Lose.

제28도를 참조하면, DC 전류검출수단(99)은 제1도의 방전램프(10)와 DC 전원공급수단(13) 사이에 배치되는 바, DC 전원공급수단은 참조번호(93)로 도시하였다.Referring to FIG. 28, the DC current detecting means 99 is disposed between the discharge lamp 10 and the DC power supply means 13 of FIG. 1, and the DC power supply means is indicated by the reference numeral 93. As shown in FIG. .

따라서 정상조명의 경우보다 많으며 전류검출수단(99)에 의한 검출된 DC 전류는 비정상 방전신호로서 조광제어수단에 제공될 것이다.Therefore, more than normal lighting, the detected DC current by the current detecting means 99 will be provided to the dimming control means as an abnormal discharge signal.

이경우, 비정상 방전의 검출에 따라 고주파 전원부(91)로부터 방전램프(10)에 공급되는 고주파 전원이 중단되거나, 램프의 소등 검출에 따라 방전램프를 위해 제조명 제어가 수행될 수 있다.In this case, the high frequency power supply supplied from the high frequency power supply unit 91 to the discharge lamp 10 in response to the detection of the abnormal discharge may be stopped, or the manufacturing name control may be performed for the discharge lamp in response to the detection of the lamp being extinguished.

조광제어수단(92)은 아크 방전영역으로 부터 글로우 방전영역으로 방전램프를 조광할 수 있는 제1도의 것과 동일한 구조를 갖는다.The dimming control means 92 has the same structure as that of FIG. 1 capable of dimming the discharge lamp from the arc discharge area to the glow discharge area.

기타의 구조 및 그의 기능들은 전술한 실시예의 것과 동일하다.Other structures and their functions are the same as in the above-described embodiment.

제29a도 및 제29b도를 참조하면, 고주파 전원은 고주파 전원부(101)로부터 방전램프(10)로 공급되며, DC 전원은 고주파 전원에 중첩될 때 DC 전원공급수단(103)으로 부터 방전램프(10)에 인가되며, DC 전원의 음극에 있는 필라멘트(f2)가 낮은 방사상태에 있을 경우, 방전램프(10)를 통해 흐르는 램프전류는 필라멘트(f2)로 부터 필라멘트(f1)로만 흐르게 된다.29A and 29B, the high frequency power is supplied from the high frequency power supply 101 to the discharge lamp 10, and the DC power is discharged from the DC power supply means 103 when superimposed on the high frequency power. 10), and when the filament f 2 at the cathode of the DC power supply is in a low radiation state, the lamp current flowing through the discharge lamp 10 flows only from the filament f 2 to the filament f 1 . do.

이것은 필라멘트(f2)로부터의 방사가 없어 전자가 필라멘트(f2)로부터 거의 방출되지 않게 되어 전자가 필라멘트(f2)로부터만 방출되기 때문이다.This is because there is no radiation from the filament (f 2) electrons are hardly emitted from the filament (f 2) to electrons are emitted only from the filament (f 2).

제29b도에 도시한 제29a도의 등가회로를 참조하면, 고주파 전원은 저항(RB, RA)을 갖는 필라멘트(f1, f2)를 통해 방전램프(10)를 통해 방전램프(10)에 인가되어지고, 방전램프(10) 자체는 필라멘트(f2)에서의 낮은 방사상태의 발생시 단방향 램프 전류가 흐르는 것을 가정하여 다이오드(D0)와, 반파정류기능을 갖는 램프 임피던스를 포함한다.Referring to the equivalent circuit of FIG. 29A shown in FIG. 29B, a high frequency power source is applied to the discharge lamp 10 through the discharge lamp 10 through the filaments f 1 and f 2 having the resistors RB and RA. The discharge lamp 10 itself includes a diode D 0 and a lamp impedance having a half-wave rectification function assuming that a unidirectional lamp current flows in the occurrence of a low radiation state in the filament f 2 .

낮은 방사상태가 필라멘트(f2)에서 발생되면, 전류는 가상 다이오드(D0)의 방향으로 표시한 바와 같이 필라멘트(f2)에서부터 필라멘트로 흐르게 되므로, 고주파 전원부(101)의 스위칭소자에는 과전류가 흐르게 되어 예열값을 증가시키거나, 회로소자에 응력을 많이 가하는 현상을 용이하게 검출할 수가 있다.When a low radiation condition occurs in the filament f 2 , current flows from the filament f 2 to the filament as indicated in the direction of the virtual diode D 0 , so that an overcurrent is applied to the switching element of the high frequency power supply 101. By flowing, the preheating value can be increased or a phenomenon in which a large stress is applied to the circuit element can be easily detected.

낮은 방사상태가 필라멘트(f1)에서 발생하면, 가상 다이오드(D0)의 방향은 제29b도로 부터 반전되므로, 램프전류는 필라멘트(f1)로부터 필라멘트(f2)로만 흐르게 되고, DC 전원공급수단(103)으로 부터는 전류가 공급될 수도 있다.If a low radiation condition occurs at the filament f 1 , the direction of the virtual diode D 0 is reversed from the 29th degree, so the lamp current flows only from the filament f 1 to the filament f 2 , and the DC power supply Current may be supplied from the means 103.

고주파 전원부(101)의 회로소자에 부가되는 응력은 종래의 낮은 방사검출기가 그러한 상황을 검출할 수 없도록 매우 작게 된다.The stress added to the circuit elements of the high frequency power supply 101 is so small that the conventional low radiation detector cannot detect such a situation.

본 실시예에 있어서, 램프전류는 필라멘트(f1)에서 발생하는 낮은 방사시에 DC전원공급부(103)로부터, 수단(103)으로 부터 공급되는 DC 전원량의 증기는 목적을 성취하기 위해 검출된다.In this embodiment, the lamp current is detected from the DC power supply 103 at the time of low radiation occurring in the filament f 1 , and the steam of the amount of DC power supplied from the means 103 is achieved to achieve the purpose. .

회로의 실시예로서 참조한 제28도의 실시예를 설명하면, 전류 검출용 저항(R87, R88)은 방전램프(10)를 향하는 DC 전류공급경로를 형성하는 인턱터(CH3)에 직렬로 연결되어 있고, 방전램프(10)에 공급되는 DC 전류의 크기는 이들 저항간의 점()에서의 전위로서 검출된다.Referring to the embodiment of FIG. 28 referred to as an embodiment of the circuit, the current detecting resistors R 87 and R 88 are connected in series to an inductor CH 3 which forms a DC current supply path towards the discharge lamp 10. The magnitude of the DC current supplied to the discharge lamp 10 is the point between these resistors ( Is detected as a potential in.

제31도는 제30도에 제어신호를 공급하기 위한 제어회로의 실예인 바, 이 도면에서 DC 전류검출을 위한 모든 구조 및 그의 기능은 상기 실시예의 것과 실질적으로 동일하다.FIG. 31 is an example of a control circuit for supplying a control signal to FIG. 30, in which all the structures for DC current detection and their functions are substantially the same as in the above embodiment.

DC 전류검출수단(99)에 있어서, 제30도 회로의 점 “”에서 얻어진 전압(V)은 콘덴서(C40)에 의해 평균화되어 입력저항(R89)을 경유하여 비교기(IC13)의 비반전 입력단자에 인가되고, 저항(R90, R91)에 의해 제어전압(Vcc)을 분할한 기준전압(Vk)은 비교기(IC13)의 다른 반전입력단자에 인가된다.In the DC current detecting means 99, the point " Voltage at V ) Is averaged by the capacitor (C 40 ) and applied to the non-inverting input terminal of the comparator (IC 13 ) via the input resistor (R 89 ), and the control voltage (Vcc) is applied by the resistors (R 90 , R 91 ). The divided reference voltage Vk is applied to the other inverting input terminal of the comparator IC 13 .

방전램프(10)가 정상적으로 발광되는 한, 점 “”에서의 전압(V)은 기준전압(Vk) 보다 낮아지게 되어 비교기(IC13)의 출력을 “L ”레벨로 유지시킨다.As long as the discharge lamp 10 emits light normally, Voltage at V ) Is lower than the reference voltage (Vk) to maintain the output of the comparator (IC 13 ) to the "L" level.

낮은 방사상태가 방전램프(10)의 필라멘트(f1)에서 발생할 때마다, 방전램프(10)에 흐르는 전류는 증가되고, 점 “”에서의 전압(V)은 기준전압(Vk)이상으로 증가되며, 비교기의 출력은 “H ”레벨로 바뀌게 된다.Whenever a low radiation condition occurs in the filament f 1 of the discharge lamp 10, the current flowing in the discharge lamp 10 is increased and the point “ Voltage at V ) Increases above the reference voltage (Vk) and the output of the comparator changes to the “H” level.

DC 전류검출수단(99)의 출력은 트랜지스터(Q23)와 저항(R92) 및 (R93)으로 구성된 발진제한수단(100)에 제공되는 바, 트랜지스터(Q23)의 콜렉터는 발진회로(IC9)의 시정수를 설정하기 위한 저항(R58)과 가변저항(VR12)사이의 접속점에 연결되고, 그의 에미터는 접지되며, 그의 베이스는 저항(R92) 매개로 DC 전류검출수단(99)의 출력단자에 연결되며, 저항(R93)을 매개로 접지된다.The output of the DC current detecting means 99 is provided to the oscillation limiting means 100 composed of the transistor Q 23 and the resistors R 92 and R 93. The collector of the transistor Q 23 has an oscillating circuit ( Is connected to the connection point between the resistor R 58 and the variable resistor VR 12 for setting the time constant of the IC 9 ), its emitter is grounded, and its base is connected to the DC current detecting means (R 92 ) by the resistor R 92 . It is connected to the output terminal of 99) and grounded via a resistor (R 93 ).

DC 전류검출수단(99)의 출력이 “H ”레벨로 됨에 따라, 베이스 전류는 트랜지스터(Q23)에 흐르고, 콜렉터 및 에미터를 지나 도전되며, 가변저항(VR12)은 그의 양단 사이에서 단락되므로 발진회로(IC9)의 주파수는 상승되고, 인버터의 발진출력은 제한되며, 인버터의 회로소자에 부과되는 응력은 경감된다.As the output of the DC current detecting means 99 goes to the "H" level, the base current flows through the transistor Q 23 , conducts through the collector and the emitter, and the variable resistor VR 12 is shorted between both ends thereof. Therefore, the frequency of the oscillation circuit IC 9 is increased, the oscillation output of the inverter is limited, and the stress applied to the circuit elements of the inverter is reduced.

제32도에는 제28도 장치의 다른 동작 특성이 도시되어 있는바, 여기에서 필라멘트(f1) 뿐만 아니라 필라멘트(f2)에서의 낮은 방사상태는 공진전압검출수단(105)을 제공함으로써 검출될 수 있는데, 이 수단에 있어서, 전압 분할용 저항(R94, R95)의 직렬회로는 콘덴서(C7)에 병렬로 연결되어 있다.FIG. 32 shows another operating characteristic of the device of FIG. 28, wherein the filament f 1 as well as the low radiation state at the filament f 2 can be detected by providing the resonance voltage detecting means 105. In this means, the series circuit of the voltage dividing resistors R 94 and R 95 is connected in parallel to the capacitor C 7 .

저항(R94, R95)에 의해 분압된 고주파의 공진전압은 다이오드(D25)에서 반파전류되고, 콘덴서(C41)에서 평활되어 DC 전압으로 변환되는 바, 이 전압은 입력저항(R96)을 통해 비교기(IC14)의 비반전 입력단자에 인가되고, 저항(R97, R98)에 의해 제어전압(Vcc)을 분할한 기준전압은 비교기(IC14)의 다른 반전입력단자에 인가된다.Resistance resonance voltage of the high-frequency divided by (R 94, R 95) is a half wave current in a diode (D 25), condenser bar, this voltage is smoothed in a (C 41) is converted to a DC voltage input resistance (R 96 Is applied to the non-inverting input terminal of the comparator IC14, and the reference voltage obtained by dividing the control voltage Vcc by the resistors R 97 and R 98 is applied to the other inverting input terminal of the comparator IC 14 . .

방전램프(10)의 정상조명시에, 콘덴서(C41)의 DC 전압은 저항(R98)의 기준전압보다 낮게 되고, 비교기(IC14)의 출력은 “L ”레벨이 된다.During normal lighting of the discharge lamp 10, the DC voltage of the capacitor C 41 is lower than the reference voltage of the resistor R 98 , and the output of the comparator IC 14 is at the "L" level.

낮은 방사상태가 필라멘트(f2)에서 발생되면, 인덕터(LCH1), 콘덴서(C7)로 된 공진회로와 방전램프(10)에는 한 방향 전류만이 흐르게 되고, 콘덴서(C7)에서 발생된 공진전압은 매우 높은 전압으로 상승된다.When a low radiation state is generated in the filament f 2 , only one direction current flows through the resonant circuit and the discharge lamp 10 including the inductor LCH 1 and the capacitor C 7 , and the capacitor C 7 is generated. The resonance voltage is raised to a very high voltage.

이 때문에 콘덴서(C7)에서 얻어진 전압은 저항(R98)에서의 기준 전압보다 높게 되고, 비교기의 출력은 “H ”레벨이 된다.For this reason, the voltage obtained at the capacitor C 7 is higher than the reference voltage at the resistor R 98 , and the output of the comparator is at the “H” level.

이 비교기의 출력은 저항(R99)과 다이오드(D26)를 통해 트랜지스터(Q23)의 베이스에 입력된다.The output of this comparator is input to the base of transistor Q 23 via resistor R 99 and diode D 26 .

상기와 마찬가지로 비교기(IC13)의 출력은 저항(R92)과 다이오드(D27)를 통해 트랜지스터(Q23)의 베이스에 입력된다.As above, the output of the comparator IC 13 is input to the base of the transistor Q 23 through the resistor R 92 and the diode D 27 .

다이오드(D26, D27)는 OR 회로를 형성하므로, 공진전압검출수단(105) 출력이 “H ”레벨로 되거나, DC 전류검출수단(99)의 출력이 “H ”레벨로 될 경우, 발진제한수단(100)내의 트랜지스터(Q23) 턴온 된다.The diodes D 26 and D 27 form an OR circuit, so that when the output of the resonant voltage detecting means 105 becomes the "H" level, or the output of the DC current detecting means 99 becomes the "H" level, oscillation is performed. Transistor Q 23 in limiting means 100 is turned on.

따라서, 필라멘트(f1)나 필라멘트(f2)에서 발생되는 낮은 방사상태가 검출될 수 있고, 인버터 수단의 발진출력은 낮은 방사상태의 발생시에 제한된다.Therefore, a low radiation state generated in the filament f 1 or filament f 2 can be detected, and the oscillation output of the inverter means is limited at the time of occurrence of the low radiation state.

제33도 및 제34도는 제28도 장치의 또 다른 작동 특성도가 도시되어 있는 바, 방전램프(10)에 공급되어지는 DC 전류는 검출되지 않고, 오기동 신호는 재기동 제어를 위해 DC 전류검출수단(119)으로 부터 조광제어수단(112)에 제공된다.33 and 34 show another operating characteristic diagram of the device of FIG. 28, in which the DC current supplied to the discharge lamp 10 is not detected, and the start signal is applied to the DC current detection means for restart control. From 119 to dimming control means 112.

좀더 상세히 설명하면, 제34도에 도시한 바와 같이, 점“”에서의 전압(V)은 입력저항(R100)을 매개로 비교기(IC15)의 비반전 입력단자에 인가되고, 저항(R101, R102)에 의한 제어전압(Vcc)의 기준전압은 비교기(IC15)의 반전입력단자에 인가되어 이들 전압이 비교된다.More specifically, as shown in FIG. 34, the point “ Voltage at V ) Is applied to the non-inverting input terminal of the comparator IC 15 via the input resistor R 100 , and the reference voltage of the control voltage Vcc by the resistors R 101 and R 102 is equal to that of the comparator IC 15 . These voltages are applied to the inverting input terminals and compared.

비교기(IC15)의 출력은 저항(R103)을 매개로 재기동 제어회로(112)에 입력되는 바, 비교기(IC15)의 반전입력단자에 인가된 기준전압은 방전램프의 정상조광을 위해 점 “”에서의 전압(V) 보다 낮은 값으로 설정되므로, 램프의 정상조명은 비교기(IC15)의 출력을 “H ”레벨로 만들지만, 램프의 소등은 비교기의 출력은 “L ”레벨로 만든다.The output of the comparator IC 15 is input to the restart control circuit 112 via the resistor R 103. The reference voltage applied to the inverting input terminal of the comparator IC 15 is set for normal illumination of the discharge lamp. “ Voltage at V Since the lamp is set to a lower value, the normal lighting of the lamp will bring the output of the comparator (IC 15 ) to the "H" level, but the lamp off will make the output of the comparator to the "L" level.

그러므로, 비교기(IC15)의 출력이 “L ”레벨일 경우, 재기동 제어회로(112)는 예정된 전압을 발진회로 IC에 제공하여 인버터 수단의 절환 주파수를 부하회로의 공진주파수에 가깝게 하고, 방전램프(10)를 기동하기 위해 충분한 전압은 공전콘덴서(C)를 통해 발생되므로, 방전램프는 재기동하게 된다.Therefore, when the output of the comparator IC 15 is at the "L" level, the restart control circuit 112 provides a predetermined voltage to the oscillation circuit IC to bring the switching frequency of the inverter means closer to the resonance frequency of the load circuit, and the discharge lamp. Sufficient voltage is generated through the idle capacitor C to start the discharge lamp 10, so that the discharge lamp is restarted.

상기의 실시예에 있어서, 저강도의 수은 아크 방전램프는 조광되어지는 것으로 가정하여 기술되었을지라도, 본 발명은 방전램프를 조광하기 위한 것에 제한할 필요가 없다.In the above embodiment, although the low intensity mercury arc discharge lamp has been described assuming that it is dimmed, the present invention need not be limited to dimming the discharge lamp.

중요한 것은 조명이 정상적으로 곤란한 경우 방전램프의 저강도 수은 아크 방전램프의 조명이 효율적이면서도 안정하게 실현될 수 있다는 것이다.It is important that the lighting of the low intensity mercury arc discharge lamp of the discharge lamp can be realized efficiently and stably when the lighting is normally difficult.

Claims (15)

1~36 (삭제)1 ~ 36 (Deleted) (신설)저강도 수은 아크 방전램프, 고주파 전원을 상기 방전램프에 제공하는 고주파 전원부, 상기 방전램프에 제공된 고주파 전원을 제어하는 수단, 및 저광속 조명시 방전을 유지할 수 있는 레벨의 상기 방전램프에 DC 전원을 공급하며, 정격전류에서의 조명에 대한 상기 램프의 상대 조명율이 내정된 레벨 이상일 때 DC 전원의 중첩을 정지시키는 중첩정지수단을 포함하는 DC 전원공급수단으로 구성되며, 여기서 상기 DC 전원은 상기 고주파 전원부로부터 상기 램프에 제공된 고주파 전원에 중첩되는 것을 특징으로 하는 방전램프 조명장치(Newly established) low intensity mercury arc discharge lamp, high frequency power supply unit for providing high frequency power to the discharge lamp, means for controlling the high frequency power source provided to the discharge lamp, and the discharge lamp at a level capable of maintaining the discharge during low light illumination A DC power supply means for supplying a DC power supply and including overlapping stop means for stopping the superposition of the DC power when the relative illumination rate of the lamp with respect to illumination at rated current is equal to or greater than a predetermined level, wherein the DC power supply Discharge lamp lighting apparatus, characterized in that superimposed on the high frequency power provided to the lamp from the high frequency power supply unit (신설)제37항에 있어서, 상기 중첩정지수단은 상기 방전램프에 대하여 서로 병렬로 연결된 다수의 절환회로로 구성되며, 상기 내정된 레벨 이상의 상기 상대 조명율은 상기 각각의 절환회로에 대해 다르게 설정되는 것을 특징으로 하는 장치(Newly formed) The method according to claim 37, wherein the overlapping stop means is composed of a plurality of switching circuits connected in parallel with each other with respect to the discharge lamp, and the relative illumination rate above the predetermined level is set differently for each of the switching circuits. Device characterized in that (신설)제37항에 있어서, 상기 중첩정지수단은 상기 상대 조명율이 내정된 레벨을 초과할 때 상기 DC 전원 중첩을 정지시키는 DC 전원에서 절환수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치(Newly formed) The apparatus according to claim 37, wherein the superposition stop means includes switching means at a DC power supply that stops superimposition of the DC power supplies when the relative illumination rate exceeds a predetermined level. (신설)제39항에 있어서, 상기 방전램프의 시동시 동작하는 상기 DC 전원제어절환수단과 병렬로 연결된 과전류방지 절환수단으로 더 구성되는 것을 특징으로 하는 장치(New) The apparatus according to claim 39, further comprising an overcurrent preventing switching means connected in parallel with the DC power control switching means operating at startup of the discharge lamp. (신설)제40항에 있어서, 상기 DC 전원제어 절환수단과 상기 과전류방지 절환수단은 공통절환수단에 의해서 형성되는 것을 특징으로 하는 장치(New) The apparatus according to claim 40, wherein the DC power supply control switching means and the overcurrent prevention switching means are formed by a common switching means. (신설)제37항에 있어서, 상기 방전램프를 오프 시키기 위한 신호에 응답하여 상기 DC 전원을 중첩을 정지시키기 위한 수단으로 더 구성되는 것을 특징으로 하는 장치(New) The apparatus according to claim 37, further comprising means for stopping superimposition of the DC power supply in response to a signal for turning off the discharge lamp. (신설)제37항에 있어서, 상기 DC 전원공급수단으로부터 상기 방전램프에 공급된 DC 전원을 검출함으로써 상기 방전램프의 비정상상태를 검출하는 비정상상태 검출수단으로 더 구성되는 것을 특징으로 하는 장치(New) The apparatus according to claim 37, further comprising abnormal state detecting means for detecting an abnormal state of said discharge lamp by detecting a DC power supplied from said DC power supply means to said discharge lamp. (신설)제43항에 있어서, 상기 비정상상태 검출수단이 비정상상태를 검출할 때 상기 고주파 전원부로부터 상기 방전램프의 상기 고주파 전원 공급을 정지시키는 수단으로 더 구성되는 것을 특징으로 하는 장치(New) The apparatus according to claim 43, further comprising means for stopping the high frequency power supply of the discharge lamp from the high frequency power supply unit when the abnormal state detecting means detects an abnormal state. (신설)제37항에 있어서, 상기 DC 전원공급수단으로부터 상기 방전램프에 공급된 DC 전원 레벨을 검출함으로써 상기 방전램프의 비조명상태를 검출하는 수단으로 더 구성되는 것을 특징으로 하는 장치(New) The apparatus according to claim 37, further comprising means for detecting a non-illumination state of the discharge lamp by detecting a DC power level supplied from the DC power supply unit to the discharge lamp. (신설)제45항에 있어서, 상기 비조명상태 검출수단이 비조명상태를 검출할 때 재조명 제어를 실행하는 재조명 수단으로 다 구성되는 것을 특징으로 하는 장치(New) The apparatus according to claim 45, wherein the non-illumination state detection means is composed of re-illumination means for executing re-illumination control when detecting the non-illumination state. (신설)제37항에 있어서, 상기 제어수단은 아크 방전영역으로부터 글로우 방전영역까지 상기 방전램프를 조광하는 조광제어수단으로 구성되며, 상기 공급된 DC 전원의 상기 레벨은 저광속 조광시 상기 방전을 유지할 수 있는 것이며, 정격전류에서의 조명에 대한 상기 방전램프의 상기 상대조명율은 저광속 조명시 20% 이하이며,(Newly formed) The control unit according to claim 37, wherein the control unit is comprised of dimming control means for dimming the discharge lamp from an arc discharge area to a glow discharge area, wherein the level of the supplied DC power supplies the discharge during low light dimming. The relative illumination rate of the discharge lamp with respect to illumination at rated current is 20% or less in low luminous illumination, 상기 DC 전원공급수단은 조광레벨에 따라서 상기 DC 전원의 공급을 조절하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치And said DC power supply means comprising means for adjusting the supply of said DC power in accordance with a dimming level. (신설)제47항에 있어서, 정격전류에서의 조명에 대한 상기 방전램프의 상대조명율은 저광속 조광시 5%이며, 상기 DC 전원공급수단은 조광레벨에 따라서 상기 DC 전원 공급을 조절하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치(Newly constructed) 47. The relative illumination rate of the discharge lamp to illumination at rated current is 5% at low luminous flux dimming, and the DC power supply means means for adjusting the DC power supply in accordance with the dimming level. Apparatus comprising a (신설)제48항에 있어서, 상기 DC 전원공급수단은 조광레벨에 따라 상기 DC 전원의 공급을 조절하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치(New) The apparatus according to claim 48, wherein the DC power supply means includes means for adjusting the supply of the DC power according to the dimming level. (신설)제37항에 잇어서, 방전램프를 조광하고, 저광속을 얻기 위해서 상기 고주파 전원은 램프전류가 감소되게 제어되며, 저광속 레벨에서 램프 전류의 DC 전원 성분은 글로우 방전을 얻기에 충분한 값에서 유지 되는 것을 특징으로 하는 장치(New) The method according to item 37, wherein the high frequency power source is controlled such that the lamp current is reduced so as to illuminate a discharge lamp and obtain a low luminous flux, and at a low luminous flux level, the DC power component of the lamp current is a value sufficient to obtain a glow discharge. Device which is maintained in
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