JPWO2019012642A1 - レーザシステム - Google Patents
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Abstract
Description
A.光強度分布が光路軸を中心とした回転対称のガウシアン形状のパルスレーザ光を出力する固体レーザ装置;
B.一対の放電電極を含み、一対の放電電極の間の放電空間においてパルスレーザ光を増幅する増幅器;及び
C.増幅器から出力されるパルスレーザ光の光強度分布を変換し、一対の放電電極の放電方向と、放電方向に直交する方向とのいずれの方向についてもトップハット形状とする変換光学系。
1.比較例
1.1 構成
1.1.1 固体レーザ装置
1.1.2 増幅器
1.2 動作
1.3 課題
2.第1の実施形態
2.1 構成
2.2 動作
2.3 効果
2.4 トップハット形状の定義
2.5 変換光学系の変形例
3.第2の実施形態
3.1 構成
3.2 動作
3.3 効果
4.第3の実施形態
4.1 構成
4.1.1 設計例
4.2 動作
4.3 効果
5.第4の実施形態
5.1 構成
5.2 動作
5.3 効果
5.4 変換光学系の変形例
5.4.1 構成
5.4.2 動作
5.4.3 効果
6.第5の実施形態
6.1 構成
6.2 動作
6.3 効果
7.固体レーザ装置の具体例
7.1 構成
7.2 動作
8.増幅器の変形例
8.1 構成
8.2 動作
1.1 構成
図1A及び図1Bは、比較例に係るレーザシステム2の全体構成を示す。レーザシステム2は、マスターオシレータとしての固体レーザ装置10と、パワーアンプとしての増幅器20と、を含む。
固体レーザ装置10は、図示しない半導体レーザ、増幅器、非線形結晶等を含んで構成されている。固体レーザ装置10は、シングル横モードで、紫外のパルスレーザ光Lpを出力する。パルスレーザ光Lpは、ガウシアンビームであって、たとえば、中心波長が193.4nmである。以下、固体レーザ装置10から出力されるパルスレーザ光Lpの光路軸方向をZ方向という。
増幅器20は、チャンバ21と、凸面シリンドリカルミラー22と、凹面シリンドリカルミラー23と、を含むエキシマ増幅器である。チャンバ21内には、第1の放電電極24aと、第2の放電電極24bと、第1のウインドウ25aと、第2のウインドウ25bと、が設けられている。また、チャンバ21内には、たとえば、レアガスとしてのArガスと、ハロゲンガスとしてのフッ素ガスと、バッファガスとしてのNeガスと、を含むArFレーザガスが封入されている。
次に、比較例に係るレーザシステム2の動作について説明する。固体レーザ装置10からパルスレーザ光Lpが出力されると、パルスレーザ光LpはZ方向に進行する。このパルスレーザ光Lpは、凹面シリンドリカルミラー23の下方を通過し、放電空間26にシード光として入射する。放電空間26に入射したパルスレーザ光Lpは、Z方向に進行して、凸面シリンドリカルミラー22に入射する。パルスレーザ光Lpは、放電空間26を通過する際に、放電空間26において生じる放電によって励起されたレーザガスによって増幅される。
次に、比較例に係るレーザシステム2の課題について説明する。図3Aは、図1A中のA−A線におけるパルスレーザ光Lpのビーム断面の光強度分布を示す。図3Bは、図1A中のB−B線におけるパルスレーザ光Lpのビーム断面の光強度分布を示す。
次に、本開示の第1の実施形態に係るレーザレーザシステムについて説明する。
図4A及び図4Bは、第1の実施形態に係るレーザシステム2aの全体構成を示す。レーザシステム2aは、固体レーザ装置10と増幅器20との間のパルスレーザ光Lpの光路上に配置された変換光学系30を含む。レーザシステム2aのその他の構成は、比較例に係るレーザシステム2の構成と同一である。
次に、第1の実施形態に係るレーザシステム2aの動作について説明する。固体レーザ装置10からパルスレーザ光Lpが出力されると、パルスレーザ光LpはZ方向に進行し、変換光学系30に入射する。固体レーザ装置10から変換光学系30に入射するパルスレーザ光Lpは、光路軸であるZ軸を中心とする回転対称のガウシアン形状である。図4A中のC−C線におけるパルスレーザ光Lpのビーム断面の光強度分布は、図3Aに示した光強度分布と同様である。
図5A及び図5B中に示される破線は、比較例に係るレーザシステム2の場合におけるガウシアン形状の光強度分布を示す。このように、第1の実施形態に係るレーザシステム2aでは、固体レーザ装置10から出力されたパルスレーザ光Lpは、増幅器20に入射する前に、変換光学系30によって光強度分布がガウシアン形状からトップハット形状に変換される。パルスレーザ光Lpは、光強度分布がトップハット形状に変換されることにより、最大エネルギ密度が低下するので、第1のウインドウ25a及び第2のウインドウ25bの劣化が低減し、耐久性が向上する。
次に、図6に基づいて、光強度分布のトップハット形状の定義について説明する。トップハット形状は、下式(1)で表されるトップハット領域比RTOP(%)と、下式(2)で表される均一性C(%)とを用いて定義される。
RTOP=WFWHM/We2×100 ・・・(1)
C=(Imax−Imin)/(Imax+Imin)×100 ・・・(2)
RTOP=SFWHM/Se2×100 ・・・(3)
次に、変換光学系の変形例について説明する。第1の実施形態では、光強度分布をガウシアン形状からトップハット形状に変換する変換光学系として、2つのアキシコンレンズを組み合わせたものを用いているが、変換光学系は、この構成には限られない。
第1の実施形態に係るレーザシステムでは、2つのアキシコンレンズを組み合わせた変換光学系を用いている。各アキシコンレンズの頂点の形状が微細であるほどガウシアン形状からトップハット形状への変換性能が高まるが、頂点の微細化には限界がある。また、各アキシコンレンズの頂点とその付近を含む領域αは、高精度な研磨が困難であるので、光の散乱が生じやすい。したがって、各アキシコンレンズに入射するパルスレーザ光のビーム径が小さい場合には、ビーム径に対する領域αの大きさの比率が大きく、光の散乱等の影響により透過率が低下する。これにより、光強度分布の中央部の強度が低下する。なお、本明細書では、領域αは、アキシコンレンズの頂点及びその付近の加工精度が保障できない領域と定義する。
第2の実施形態に係るレーザシステムは、図9に示すように、変換光学系50に加えて、拡大光学系52と、圧縮光学系53とを含むこと以外は、第1の実施形態に係るレーザシステム2aと同一の構成である。
固体レーザ装置10から変換光学系50に、光強度分布がガウシアン形状であるパルスレーザ光Lpが入射する。変換光学系50に入射したパルスレーザ光Lpは、まず、拡大光学系52に入射し、ビーム径が拡大される。ビーム径が拡大されたパルスレーザ光Lpは、変換光学系50を通過することにより、光強度分布がガウシアン形状からトップハット形状に変換される。
第2の実施形態によれば、拡大光学系52により変換光学系50には、ビーム径が拡大されたパルスレーザ光Lpが入射するので、変換光学系50を構成する第1のアキシコンレンズ51aと第2のアキシコンレンズ51bとの各サイズを大きくすることができる。これにより、変換光学系50に入射するパルスレーザ光Lpのビーム径に対する第1のアキシコンレンズ51aと第2のアキシコンレンズ51bとの各領域αの大きさの比率が低下するので、パルスレーザ光Lpの透過率が向上する。すなわち、第2の実施形態によれば、変換光学系50により変換されたパルスレーザ光Lpの光強度分布における中央部の強度の低下が抑制される。その結果、光強度分布をガウシアン形状からトップハット形状に変換する変換効率が向上する。
第1の実施形態に係るレーザシステム2aでは、固体レーザ装置10と増幅器20との間に、光強度分布をガウシアン形状からトップハット形状に変換する変換光学系30を配置しているが、この変換光学系30の変換機能を増幅器内に組み込むことも可能である。以下、第3の実施形態として、光強度分布の変換機能が組み込まれた増幅器を含むレーザシステムについて説明する。
図10は、第3の実施形態に係るレーザシステム2bの全体構成を示す。レーザシステム2bは、固体レーザ装置10と、増幅器60と、を含む。固体レーザ装置10は、第1の実施形態と同一の構成である。
図11及び表2は、第1の非球面ミラー61と第2の非球面ミラー62との設計例を示す。図11に示すように、第1の非球面ミラー61と第2の非球面ミラー62とのZ方向に関する原点間距離を1000mmとし、V方向に関する原点間距離を9mmとし、H方向に関する原点間距離を0mmとする。
次に、第3の実施形態に係るレーザシステム2aの動作について説明する。固体レーザ装置10から出力されたパルスレーザ光Lpは、Z方向に進行し、シード光として増幅器60に入射する。増幅器60に入射するパルスレーザ光Lpのビーム断面の光強度分布は、光路軸であるZ軸を中心とする回転対称のガウシアン形状である。
第3の実施形態では、増幅器60に含まれる一対の折り返しミラーである第1の非球面ミラー61と第2の非球面ミラー62とに、光強度分布をガウシアン形状からトップハット形状に変換する変換光学系の機能を組み込んでいる。このため、第3の実施形態では、固体レーザ装置10と増幅器60との間に変換光学系を設ける必要がない。
第1の実施形態に係るレーザシステム2aでは、第1の放電電極24aと第2の放電電極24bの形状によって放電空間26内のゲイン分布が最初から不均一であることがある。さらに、第1の放電電極24aと第2の放電電極24bとが消耗し、放電空間26内のゲイン分布が変化することにより、増幅器20から出力されるパルスレーザ光Lpの最大エネルギ密度が変化する恐れがある。たとえば、ゲイン分布が最初から不均一である場合は、ゲイン分布に合わせて増幅後のパルスレーザ光Lpのビームの光強度分布をトップハット形状とすることを可能とする。さらに、ゲイン分布が変化して、最大エネルギ密度が上昇すると、その上昇量に応じて、第1のウインドウ25a及び第2のウインドウ25bの劣化量が増大する。以下、第4の実施形態として、増幅器20から出力されるパルスレーザ光Lpの最大エネルギ密度を安定化させることを可能とするレーザシステムについて説明する。
図14は、第4の実施形態に係るレーザシステム2cの全体構成を示す。レーザシステム2cは、固体レーザ装置10と、増幅器20と、変換光学系30aと、光強度分布計測部70と、制御部71と、を含む。固体レーザ装置10と増幅器20とは、第1の実施形態と同一の構成である。
次に、第4の実施形態に係るレーザシステム2cの動作について説明する。固体レーザ装置10からパルスレーザ光Lpが出力されると、第1の実施形態と同様に、パルスレーザ光Lpは変換光学系30aを介して増幅器20に入射し、増幅器20から増幅されたパルスレーザ光Lpが出力される。増幅器20から出力されたパルスレーザ光Lpは、光強度分布計測部70に入射し、その一部がビームスプリッタ72により反射されて転写光学系73に入射する。転写光学系73に入射した部分反射光は、2次元イメージセンサ74に転写される。2次元イメージセンサ74は、転写像を撮像し、2次元イメージデータとして制御部71に出力する。
第4の実施形態では、増幅器20から出力されるパルスレーザ光Lpの光強度分布の計測値に基づいて第1のアキシコンレンズ31aと第2のアキシコンレンズ31bとの間隔を調整することにより、最大エネルギ密度を放電空間26内のゲイン分布に合わせて、所定値以下に安定化させることができる。これにより、増幅器20のウインドウ等の劣化を抑制することができる。
次に、変換光学系の変形例について説明する。第4の実施形態では、光強度分布をガウシアン形状からトップハット形状に変換する変換光学系として、2つのアキシコンレンズを組み合わせたものを用いているが、変換光学系の構成はこれに限られない。
図15A及び図15Bは、変形例に係る変換光学系80を示す。変換光学系40は、第4の実施形態の変換光学系30aに代えて用いられる。変換光学系80は、第1のプリズム81と、第2のプリズム82と、第3のプリズム83と、第4のプリズム84と、第1のリニアステージ85と、第2のリニアステージ86と、を含む。
固体レーザ装置10から出力されたパルスレーザ光Lpは、変換光学系80の第1のプリズム81に入射する。第1のプリズム81に入射したパルスレーザ光Lpは、H方向に関して中心軸より正側の部分が負側に屈折して移動し、H方向に関して中心軸より負側の部分が正側に屈折して移動する。この移動距離は、たとえば光強度分布の半値半幅よりも大きい。これらの光が第2のプリズム82を透過することにより、パルスレーザ光Lpの光強度分布は、H方向の中央部に光強度の低い凹部を有し、その両端に光強度の高いピークを有するダブルピーク形状となる。
本変形例では、第1のプリズム81と第4のプリズム84との位置をそれぞれ調整することにより、H方向及びV方向に関する光強度分布の形状をそれぞれ調整することができる。これにより、増幅器20の放電空間26のゲイン分布や、ゲイン分布の変化に応じて、光強度分布の形状を調整し、最大エネルギ密度を低減することができる。
上記各実施形態では、増幅器として、折り返し光路を有するマルチパス増幅器を用いているので、V方向に増幅率の偏りが生じる可能がある。図17A及び図17Bは、V方向に増幅率の偏りが生じる過程を示す。増幅器に入射したパルスレーザ光Lpは、放電空間に生成された反転分布、すなわちゲインを消費することにより増幅される。図17Aに示すように、増幅器20の放電空間26に入射したパルスレーザ光Lpは、放電空間26のV方向下部のゲインを消費することにより増幅されて、凸面シリンドリカルミラー22に入射する。
図18は、第5の実施形態に係るレーザシステム2dの全体構成を示す。レーザシステム2dは、固体レーザ装置10と、増幅器20と、変換光学系90と、を含む。固体レーザ装置10と増幅器20とは、第1の実施形態と同一の構成である。
図20は、平面波として変換光学系90に入射したパルスレーザ光Lpが、位相フィルタ91により位相が変調されることにより光強度分布が変換される原理を示す。固体レーザ装置10から出力されるパルスレーザ光Lpは、高コヒーレンスであり、平面波として位相フィルタ91に入射する。このパルスレーザ光Lpは、ガウシアン振幅A(H,V)を有する。すなわち、振幅の二乗で表される光強度分布は、ガウシアン形状である。
第5の実施形態では、固体レーザ装置10から出力されたパルスレーザ光Lpを、位相フィルタ91により位相変調し、集光レンズ92により光学的にフーリエ変換することにより、光強度分布を変換する。位相フィルタ91の位相分布の設計することにより、変換後の光強度分布を、トップハット形状に対して、V方向に関して下方ほどの光強度が単調増加する形状とすることができる。折り返し光路を有する増幅器20では、V方向に関して下方ほど増幅率が小さくなる。このため、上記のように光強度分布が変調されたトップハット形状のパルスレーザ光Lpを、増幅器20に入射させることにより、増幅器20から出力されるパルスレーザ光Lpの光強度分布の偏りを低減することができる。
次に、固体レーザ装置10の具体例について説明する。
図22は、固体レーザ装置10の構成を示す。固体レーザ装置10は、第1の固体レーザ装置111と、第2の固体レーザ装置112と、ダイクロイックミラー113と、高反射ミラー114と、波長変換システム115と、同期回路116と、固体レーザ制御部117と、を含む。
同期回路116は、固体レーザ制御部117からの発振トリガ信号の入力に応じて、第1の内部トリガ信号Tr1と第2の内部トリガ信号Tr2とを生成する。同期回路116により生成された第1の内部トリガ信号Tr1は、第1の半導体光増幅器121に入力され、第2の内部トリガ信号Tr2は、第2の半導体光増幅器131に入力される。第1の半導体光増幅器121は、第1の内部トリガ信号Tr1の入力に応じて第1のシードパルス光を出力する。第2の半導体光増幅器131は、第2の内部トリガ信号Tr2の入力に応じて第2のシードパルス光を出力する。
次に、増幅器の変形例について説明する。上記各実施形態では、増幅器としてマルチパス増幅器を用いているが、増幅器の構成はこれに限られない。
図23は、変形例に係る増幅器200の構成を示す。増幅器200は、チャンバ21と、出力結合ミラー210と、高反射ミラー220〜222と、を含む。高反射ミラー220〜222は、平面ミラーである。チャンバ21の構成は、第1の実施形態と同一である。出力結合ミラー210と高反射ミラー220〜222とは、リング共振器を構成している。このリング共振器は、チャンバ21の放電空間26内において交差する2つの光路を形成している。また、リング共振器により形成される光路は、放電方向に垂直なHZ面内にほぼ平行である。出力結合ミラー210は、たとえば、反射率が20%〜40%の範囲内の部分反射ミラーである。
変換光学系30から出力結合ミラー210に入射したパルスレーザ光Lpは、一部が出力結合ミラー210を透過し、高反射ミラー220により高反射される。高反射ミラー220により高反射されたパルスレーザ光Lpは、第1のウインドウ25aを介して放電空間26に入射する。放電空間26に入射したパルスレーザ光Lpは、第1及び第2の放電電極24a,24bの長手方向であるZ方向に対して傾斜した光路に沿って進行して増幅される。増幅されたパルスレーザ光Lpは、第2のウインドウ25bを介してチャンバ21から出力される。
Claims (18)
- レーザシステムであって、以下を備える:
A.光強度分布が光路軸を中心とした回転対称のガウシアン形状のパルスレーザ光を出力する固体レーザ装置;
B.一対の放電電極を含み、前記一対の放電電極の間の放電空間において前記パルスレーザ光を増幅する増幅器;及び
C.前記増幅器から出力される前記パルスレーザ光の光強度分布を変換し、前記一対の放電電極の放電方向と、前記放電方向に直交する方向とのいずれの方向についてもトップハット形状とする変換光学系。 - 請求項1に記載のレーザシステムであって、
前記変換光学系は、前記固体レーザ装置と前記増幅器との間における前記パルスレーザ光の光路上に配置されている。 - 請求項2に記載のレーザシステムであって、
前記変換光学系は、第1のアキシコンレンズと、第2のアキシコンレンズとを含み、
前記第1のアキシコンレンズと前記第2のアキシコンレンズとは、それぞれ中心軸が前記光路軸に一致し、互いの頂点が対向するように配置されている。 - 請求項3に記載のレーザシステムであって、さらに以下を備える:
D.第1のアキシコンレンズと第2のアキシコンレンズとのうちの一方を、前記光路軸の方向に往復移動させるリニアステージ;及び
E.前記リニアステージを制御して前記第1のアキシコンレンズと第2のアキシコンレンズとの間隔を調整する制御部。 - 請求項4に記載のレーザシステムであって、さらに以下を備える:
F.前記増幅器から出力された前記パルスレーザ光の光強度分布を計測する光強度分布計測部;
ここで、前記制御部は、前記光強度分布計測部により計測される前記光強度分布の計測値に基づいて前記リニアステージを制御する。 - 請求項5に記載のレーザシステムであって、
前記光強度分布計測部は、前記増幅器から出力された前記パルスレーザ光の一部を反射するビームスプリッタと、前記ビームスプリッタにより反射された前記パルスレーザ光の一部を転写する転写光学系と、前記転写光学系により転写された転写像を撮像する2次元イメージセンサとを含む。 - 請求項2に記載のレーザシステムであって、さらに以下を備える:
G.前記変換光学系の入射側に配置され、前記パルスレーザ光のビーム径を拡大する拡大光学系;及び
H.前記変換光学系の出射側に配置され、前記パルスレーザ光のビーム径を圧縮する圧縮光学系。 - 請求項7に記載のレーザシステムであって、
前記変換光学系の前記ビーム径の拡大率は、前記圧縮光学系の前記ビーム径の圧縮率の逆数と同一である。 - 請求項2に記載のレーザシステムであって、
前記変換光学系は、第1の非球面レンズと、第2の非球面レンズとを含み、
前記第1の非球面レンズと前記第2の非球面レンズとは、それぞれ中心軸が前記光路軸に一致するように配置されている。 - 請求項2に記載のレーザシステムであって、
前記変換光学系は、前記増幅器に組み込まれている。 - 請求項10に記載のレーザシステムであって、
前記増幅器は、一対の折り返しミラーを構成する第1の非球面ミラーと第2の非球面ミラーとを含むマルチパス増幅器であって、
前記変換光学系は、前記第1の非球面ミラーと前記第2の非球面ミラーとにより構成されている。 - 請求項2に記載のレーザシステムであって、
前記変換光学系は、前記光路軸に平行でかつ前記放電方向に直交する断面が二等辺三角形である第1のプリズム及び第2のプリズムと、前記光路軸及び前記放電方向に平行な断面が二等辺三角形である第3のプリズム及び第4のプリズムとを含み、
前記第1のプリズムと前記第2のプリズムとは、前記断面における互いの頂点が対向するように配置されており、
前記第3のプリズムと前記第4のプリズムとは、前記断面における互いの頂点が対向するように配置されている。 - 請求項12に記載のレーザシステムであって、さらに以下を備える:
I.第1のプリズムと第2のプリズムとのうちの一方を、前記光路軸の方向に往復移動させる第1のリニアステージ;
J.第3のプリズムと第4のプリズムとのうちの一方を、前記光路軸の方向に往復移動させる第2のリニアステージ;及び
K.前記第1のリニアステージを制御して前記第1のプリズムと前記第2のプリズムとの間隔を調整し、前記第2のリニアステージを制御して前記第3のプリズムと前記第4のプリズムとの間隔を調整する制御部。 - 請求項13に記載のレーザシステムであって、さらに以下を備える:
L.前記増幅器から出力された前記パルスレーザ光の光強度分布を計測する光強度分布計測部;
ここで、前記制御部は、前記光強度分布計測部により計測される前記光強度分布の計測値に基づいて前記第1のリニアステージと前記第2のリニアステージとを制御する。 - 請求項14に記載のレーザシステムであって、
前記光強度分布計測部は、前記増幅器から出力された前記パルスレーザ光の一部を反射するビームスプリッタと、前記ビームスプリッタにより反射された前記パルスレーザ光の一部を転写する転写光学系と、前記転写光学系により転写された転写像を撮像する2次元イメージセンサとを含む。 - 請求項2に記載のレーザシステムであって、
前記変換光学系は、前記パルスレーザ光の位相を空間的に変調させる空間光位相変調素子と、前記空間光位相変調素子により位相が変調された前記パルスレーザ光を集光して結像するフーリエ変換素子としての集光レンズとを含む。 - 請求項16に記載のレーザシステムであって、
前記増幅器は、一対の折り返しミラーを含み、前記パルスレーザ光のビーム径を前記放電方向に拡大するマルチパス増幅器であって、
前記空間光位相変調素子には、前記集光レンズによるフーリエ変換後の前記パルスレーザ光が、前記放電方向に光強度が単調増加する形状の光強度分布となるように位相分布が形成されている。 - 請求項2に記載のレーザシステムであって、
前記増幅器は、リング共振器を含む。
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Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112018004574T5 (de) * | 2017-10-17 | 2020-06-25 | Mitsubishi Electric Corporation | Laserbearbeitungsmaschine |
WO2020152805A1 (ja) * | 2019-01-23 | 2020-07-30 | ギガフォトン株式会社 | レーザシステム、及び電子デバイスの製造方法 |
JP7390377B2 (ja) | 2019-06-11 | 2023-12-01 | ギガフォトン株式会社 | レーザシステム、及び電子デバイスの製造方法 |
CN116147593B (zh) * | 2023-04-14 | 2023-07-04 | 成都量芯集成科技有限公司 | 一种基于激光的垂直对准检测装置及方法 |
Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1995018984A1 (en) * | 1994-01-07 | 1995-07-13 | Coherent, Inc. | Apparatus for creating a square or rectangular laser beam with a uniform intensity profile |
JPH09304266A (ja) * | 1996-05-21 | 1997-11-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光放射圧による微粒子の保持方法および変位測定方法 |
EP1233483A1 (en) * | 2001-02-19 | 2002-08-21 | VDM Laser Optics | Method and device for generating an optical invariant field |
JP2003114400A (ja) * | 2001-10-04 | 2003-04-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | レーザ光学システムおよびレーザ加工方法 |
JP2004039767A (ja) * | 2002-07-02 | 2004-02-05 | Gigaphoton Inc | Mopa式又は注入同期式レーザ装置 |
WO2004095661A1 (ja) * | 2003-04-22 | 2004-11-04 | Komatsu Ltd. | 露光用2ステ-ジレ-ザ装置 |
JP2009259860A (ja) * | 2008-04-11 | 2009-11-05 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | レーザ加工装置、及び、レーザ加工方法 |
DE102008056315A1 (de) * | 2008-11-07 | 2010-05-12 | Limo Patentverwaltung Gmbh & Co. Kg | Vorrichtung zur Homogenisierung von Laserstrahlung sowie Vorrichtung zur Formung von Laserstrahlung |
JP2012204818A (ja) * | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Gigaphoton Inc | レーザシステムおよびレーザ生成方法 |
JP2013145863A (ja) * | 2011-11-29 | 2013-07-25 | Gigaphoton Inc | 2光束干渉装置および2光束干渉露光システム |
WO2015092855A1 (ja) * | 2013-12-16 | 2015-06-25 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置 |
EP2965852A1 (en) * | 2014-07-10 | 2016-01-13 | UAB Altechna R&D | Optical arrangement for laser beam shaping |
WO2016046871A1 (ja) * | 2014-09-22 | 2016-03-31 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置 |
JP2016097448A (ja) * | 2014-11-26 | 2016-05-30 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングRobert Bosch Gmbh | 被加工物上にレーザビームを結像するための装置および方法 |
WO2017006418A1 (ja) * | 2015-07-06 | 2017-01-12 | ギガフォトン株式会社 | 増幅器、及びレーザシステム |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2580122B1 (ja) * | 1985-04-05 | 1988-10-28 | Commissariat Energie Atomique | |
DE3523641C1 (de) * | 1985-07-02 | 1986-12-18 | Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V., 3400 Göttingen | Einrichtung zum Selektieren von rotationssymmetrischen Polarisationskomponenten einesLichtbuendels und Verwendung einer solchen Einrichtung |
FR2737814B1 (fr) * | 1995-08-11 | 1997-09-12 | Soc D Production Et De Rech Ap | Procede et dispositif de commande d'une source laser a plusieurs modules laser pour optimiser le traitement de surface par laser |
US6356575B1 (en) * | 1999-07-06 | 2002-03-12 | Raytheon Company | Dual cavity multifunction laser system |
US6912052B2 (en) * | 2000-11-17 | 2005-06-28 | Cymer, Inc. | Gas discharge MOPA laser spectral analysis module |
US6873454B2 (en) * | 2001-12-13 | 2005-03-29 | The Regents Of The University Of California | Hybrid chirped pulse amplification system |
US20040202220A1 (en) * | 2002-11-05 | 2004-10-14 | Gongxue Hua | Master oscillator-power amplifier excimer laser system |
FR2852155B1 (fr) * | 2003-03-03 | 2006-08-25 | Fastlite | Procede et dispositif pour le controle de l'amplitude du spectre en longueurs d'ondes des impulsions lumineuses ultra breves emises par les amplificateurs laser a passages multiples |
US7511886B2 (en) * | 2003-05-13 | 2009-03-31 | Carl Zeiss Smt Ag | Optical beam transformation system and illumination system comprising an optical beam transformation system |
US7133427B2 (en) * | 2003-09-19 | 2006-11-07 | Raytheon Company | Phase conjugate laser and method with improved fidelity |
US6894785B2 (en) * | 2003-09-30 | 2005-05-17 | Cymer, Inc. | Gas discharge MOPA laser spectral analysis module |
JP4473617B2 (ja) * | 2004-03-26 | 2010-06-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | 固体レーザ媒質の励起分布を制御する装置および方法 |
US8803027B2 (en) * | 2006-06-05 | 2014-08-12 | Cymer, Llc | Device and method to create a low divergence, high power laser beam for material processing applications |
JP5179736B2 (ja) * | 2006-09-21 | 2013-04-10 | 株式会社小松製作所 | 露光装置用レーザ装置 |
US7903351B2 (en) * | 2007-02-21 | 2011-03-08 | Corning Incorporated | Active cooling of crystal optics for increased laser lifetime |
JP5833806B2 (ja) * | 2008-09-19 | 2015-12-16 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置用レーザ光源装置及び極端紫外光源装置用レーザ光源の調整方法 |
JP2011176116A (ja) | 2010-02-24 | 2011-09-08 | Hitachi Zosen Corp | レーザ媒質及びレーザ加工装置 |
JP2013222173A (ja) * | 2012-04-19 | 2013-10-28 | Gigaphoton Inc | レーザ装置 |
DE102013005607A1 (de) * | 2013-03-25 | 2014-09-25 | Friedrich-Schiller-Universität Jena | Verfahren und Vorrichtung zum optischen Pumpen von Laserverstärkern für die Erzeugung einer Laserstrahlung mit definierten Strahleigenschaften |
JP6324487B2 (ja) * | 2014-02-25 | 2018-05-16 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置 |
US9583907B2 (en) * | 2014-04-11 | 2017-02-28 | Raytheon Company | System and method for generating high energy optical pulses with arbitrary waveform |
CN110564937B (zh) * | 2015-01-09 | 2021-03-26 | 山东迈特莱斯金属表面科技有限公司 | 激光冲击喷丸处理中使用的方法和设备 |
US11858065B2 (en) * | 2015-01-09 | 2024-01-02 | Lsp Technologies, Inc. | Method and system for use in laser shock peening and laser bond inspection process |
WO2016151827A1 (ja) * | 2015-03-25 | 2016-09-29 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置 |
US10297968B2 (en) * | 2015-11-25 | 2019-05-21 | Raytheon Company | High-gain single planar waveguide (PWG) amplifier laser system |
CN109314365B (zh) * | 2016-07-26 | 2021-05-11 | 极光先进雷射株式会社 | 激光系统 |
US9871339B1 (en) * | 2016-12-15 | 2018-01-16 | Raytheon Company | Laser transmitter for generating a coherent laser output signal with reduced self-phase modulation and method |
JP6943566B2 (ja) * | 2016-12-16 | 2021-10-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ装置及び波形制御方法 |
-
2017
- 2017-07-13 JP JP2019529387A patent/JPWO2019012642A1/ja active Pending
- 2017-07-13 CN CN201780091303.0A patent/CN110679045B/zh active Active
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-
2019
- 2019-12-09 US US16/707,880 patent/US11217962B2/en active Active
Patent Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1995018984A1 (en) * | 1994-01-07 | 1995-07-13 | Coherent, Inc. | Apparatus for creating a square or rectangular laser beam with a uniform intensity profile |
JPH09304266A (ja) * | 1996-05-21 | 1997-11-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光放射圧による微粒子の保持方法および変位測定方法 |
EP1233483A1 (en) * | 2001-02-19 | 2002-08-21 | VDM Laser Optics | Method and device for generating an optical invariant field |
JP2003114400A (ja) * | 2001-10-04 | 2003-04-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | レーザ光学システムおよびレーザ加工方法 |
JP2004039767A (ja) * | 2002-07-02 | 2004-02-05 | Gigaphoton Inc | Mopa式又は注入同期式レーザ装置 |
WO2004095661A1 (ja) * | 2003-04-22 | 2004-11-04 | Komatsu Ltd. | 露光用2ステ-ジレ-ザ装置 |
JP2009259860A (ja) * | 2008-04-11 | 2009-11-05 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | レーザ加工装置、及び、レーザ加工方法 |
DE102008056315A1 (de) * | 2008-11-07 | 2010-05-12 | Limo Patentverwaltung Gmbh & Co. Kg | Vorrichtung zur Homogenisierung von Laserstrahlung sowie Vorrichtung zur Formung von Laserstrahlung |
JP2012204818A (ja) * | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Gigaphoton Inc | レーザシステムおよびレーザ生成方法 |
JP2013145863A (ja) * | 2011-11-29 | 2013-07-25 | Gigaphoton Inc | 2光束干渉装置および2光束干渉露光システム |
WO2015092855A1 (ja) * | 2013-12-16 | 2015-06-25 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置 |
EP2965852A1 (en) * | 2014-07-10 | 2016-01-13 | UAB Altechna R&D | Optical arrangement for laser beam shaping |
WO2016046871A1 (ja) * | 2014-09-22 | 2016-03-31 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置 |
JP2016097448A (ja) * | 2014-11-26 | 2016-05-30 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングRobert Bosch Gmbh | 被加工物上にレーザビームを結像するための装置および方法 |
WO2017006418A1 (ja) * | 2015-07-06 | 2017-01-12 | ギガフォトン株式会社 | 増幅器、及びレーザシステム |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
HOFFNAGLE, JOHN A. ET AL: "Design and performance of a refractive optical system that converts a Gaussian to a flattop beam", APPLIED OPTICS, vol. 39, no. 30, JPN6021019736, 2000, pages 5488 - 5499, ISSN: 0004776909 * |
Also Published As
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