JPS63246820A - 半導体製造方法 - Google Patents
半導体製造方法Info
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- JPS63246820A JPS63246820A JP8210987A JP8210987A JPS63246820A JP S63246820 A JPS63246820 A JP S63246820A JP 8210987 A JP8210987 A JP 8210987A JP 8210987 A JP8210987 A JP 8210987A JP S63246820 A JPS63246820 A JP S63246820A
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- Japan
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- plate
- photosensitive resin
- substrate
- shaped object
- coating
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、平板状物体Ｃ以下基板と略す）上に、感光
性樹脂？少駄で均一に塗布するための技術に関するもの
である。
性樹脂？少駄で均一に塗布するための技術に関するもの
である。
近年の電子技術の発達にともない、半導体デバイスはシ
リコン基板のみならず、あらゆる材質、形状の基板上に
作成され始めている。のみならず、上記基板上において
も、平々微細化の要求は高まりつつあり％各企業ともさ
まざまな形状、材質の基板上に、いかに感光性樹脂を効
゛率良く、均一に塗布するかという問題に日夜腐心して
いるのが現状である。従来Ｌ８エプロセスなどでは、感
光性樹脂を均一に塗布する方法として、スピン値布法が
主流を占めている口（列：応用物理Ｖｏユ、 ５４Ａ
２１９８１ｓ年Ｐ、１８１〜１３１１）前記スピン値布
法は、円形基板に対して、感光性樹脂は同心円状に広が
るため効率良く、均一に塗布することができ、効果的で
ある。しかし、円形以外の基板、特に近年ではＴＩＰＴ
ＬＣＤなどに多用されている角型基板でスピン重布を
行なうと基板の隅々まで感光性樹脂を塗布するために、
多音に滴下しなければならなかった。
リコン基板のみならず、あらゆる材質、形状の基板上に
作成され始めている。のみならず、上記基板上において
も、平々微細化の要求は高まりつつあり％各企業ともさ
まざまな形状、材質の基板上に、いかに感光性樹脂を効
゛率良く、均一に塗布するかという問題に日夜腐心して
いるのが現状である。従来Ｌ８エプロセスなどでは、感
光性樹脂を均一に塗布する方法として、スピン値布法が
主流を占めている口（列：応用物理Ｖｏユ、 ５４Ａ
２１９８１ｓ年Ｐ、１８１〜１３１１）前記スピン値布
法は、円形基板に対して、感光性樹脂は同心円状に広が
るため効率良く、均一に塗布することができ、効果的で
ある。しかし、円形以外の基板、特に近年ではＴＩＰＴ
ＬＣＤなどに多用されている角型基板でスピン重布を
行なうと基板の隅々まで感光性樹脂を塗布するために、
多音に滴下しなければならなかった。
一方で、任意の形状、材質に感光性樹脂を塗布する方法
としては、ロールコータ−を用いた塗布方法がある。こ
の方法は塗布するのに必要な鼠のみ基板上に回転でき、
効率は良いが反面、ローラーの凹凸の形状か痕布したレ
ジストに移ってしまい微細化する上で非常に問題となる
。
としては、ロールコータ−を用いた塗布方法がある。こ
の方法は塗布するのに必要な鼠のみ基板上に回転でき、
効率は良いが反面、ローラーの凹凸の形状か痕布したレ
ジストに移ってしまい微細化する上で非常に問題となる
。
従来の半導体製造方法は以上のように微細那工を行なう
上ではスピン塗布法が有利であるが、角型基板に塗布す
る場合、滴下するレジスト量を多くしないと基板の隅々
にまで塗布できないという欠点があった〇 この発明げ上記のように角型基板にスピン塗布法で感光
性樹脂き塗布する際、多景に滴下しなければならないと
いう問題点を解消するためになされたもので、ロールコ
ータ−で−変革板上にレジストヲ塗布し１次にスピンナ
ーで基板を回転することによって、少鑓の感光性樹脂で
角型基板上にレジストを隅々まで均一に塗布できる方法
？堤供することを目的とする。
上ではスピン塗布法が有利であるが、角型基板に塗布す
る場合、滴下するレジスト量を多くしないと基板の隅々
にまで塗布できないという欠点があった〇 この発明げ上記のように角型基板にスピン塗布法で感光
性樹脂き塗布する際、多景に滴下しなければならないと
いう問題点を解消するためになされたもので、ロールコ
ータ−で−変革板上にレジストヲ塗布し１次にスピンナ
ーで基板を回転することによって、少鑓の感光性樹脂で
角型基板上にレジストを隅々まで均一に塗布できる方法
？堤供することを目的とする。
この発明に係る半纏体−遣方法は、従来個別に用いられ
てきた、ロールコータ−法、スピン塗布法の方法ｔａみ
合わせることによって、角型基板上に少はの感光性樹脂
で隅々まで、かつ均一に塗布を行なえるようにしたもの
である。
てきた、ロールコータ−法、スピン塗布法の方法ｔａみ
合わせることによって、角型基板上に少はの感光性樹脂
で隅々まで、かつ均一に塗布を行なえるようにしたもの
である。
この発明における。ロールコータ−法、スピン塗布法ケ
組み合わせたレジスト伍布方法とは、ます、最初にロー
ルコータ−を用いて、基板上の隅々まで感光性樹脂金塗
布する。この倹階で基板上ＶＣＣ感光性樹脂塗塗布る丸
めの全量は決定されてしまう。次に、前記ロールコータ
−によって塗布した基板？すみやかに所定の回転数に回
転させることによって、基板上の余分な感光性樹脂は取
り除かれ、最終的に角型牽板上に隅々までかつ均一に感
光性樹脂ｅ＋２１布できる。
組み合わせたレジスト伍布方法とは、ます、最初にロー
ルコータ−を用いて、基板上の隅々まで感光性樹脂金塗
布する。この倹階で基板上ＶＣＣ感光性樹脂塗塗布る丸
めの全量は決定されてしまう。次に、前記ロールコータ
−によって塗布した基板？すみやかに所定の回転数に回
転させることによって、基板上の余分な感光性樹脂は取
り除かれ、最終的に角型牽板上に隅々までかつ均一に感
光性樹脂ｅ＋２１布できる。
以下この発明の一実施例について説明する。
第１図にこの発明の一実施例による検液方法の概要を示
す。はじめｖｃあらかじめ感光性樹脂が塗れやすいよう
に所定の方法で前処理した平板状物体（基板：形状は任
意）■全用意し、ロールコータ−１２１によって感光性
樹脂を塗布する◎そして前記ロールコータ−（２１によ
って塗布した平板状物体…をすみやかにスピン座右＊
ｔ３＋に装置し、所望の暎厚を得る回転数にて回転塗布
を行なう。この工程終了の後は、プレベーク等を行なう
などして、通常の写真製版工程を施してやればよい。
す。はじめｖｃあらかじめ感光性樹脂が塗れやすいよう
に所定の方法で前処理した平板状物体（基板：形状は任
意）■全用意し、ロールコータ−１２１によって感光性
樹脂を塗布する◎そして前記ロールコータ−（２１によ
って塗布した平板状物体…をすみやかにスピン座右＊
ｔ３＋に装置し、所望の暎厚を得る回転数にて回転塗布
を行なう。この工程終了の後は、プレベーク等を行なう
などして、通常の写真製版工程を施してやればよい。
この発明の通用に際し、平板状物体の大きさ、厚み、材
質、形状は任意に選択できる。まなロールコート後の回
転塗布では、平板状物体の回転中心と支持体の回転中心
ｔｏｌ ｋ一致させて装置すれば前記平板状物体…に対
し、均一に塗布を行なうことができる。
質、形状は任意に選択できる。まなロールコート後の回
転塗布では、平板状物体の回転中心と支持体の回転中心
ｔｏｌ ｋ一致させて装置すれば前記平板状物体…に対
し、均一に塗布を行なうことができる。
以上のように、この発明によれば、感光性樹脂を平板状
物体に塗布する際、ロールコータ−法とスピン塗布法を
組み合わせたことによって任意の材質、形状の該物体に
対し少轍の感光性樹脂で均一に塗布することが可能とな
った。
物体に塗布する際、ロールコータ−法とスピン塗布法を
組み合わせたことによって任意の材質、形状の該物体に
対し少轍の感光性樹脂で均一に塗布することが可能とな
った。
図面はこの発明の一秀施的によるレジスト塗布方法を示
す斜視図である。 図において１１１は平板状物体、１２１ｉロールコータ
−１１３１はスピン塗布機
す斜視図である。 図において１１１は平板状物体、１２１ｉロールコータ
−１１３１はスピン塗布機
Claims (1)
- 平板状物体上に感光性樹脂を塗布する方法において、は
じめに、ロールコーターで上記平板状物体上に上記感光
性樹脂を塗布し、引きつづき上記平板状物体を所定の回
転数で回転させることによつて、上記感光性樹脂を塗布
することを特徴とする半導体製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8210987A JPS63246820A (ja) | 1987-04-02 | 1987-04-02 | 半導体製造方法 |
| US07/176,864 US4875434A (en) | 1987-04-02 | 1988-04-01 | Apparatus for coating a substrate with a coating material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8210987A JPS63246820A (ja) | 1987-04-02 | 1987-04-02 | 半導体製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63246820A true JPS63246820A (ja) | 1988-10-13 |
Family
ID=13765236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8210987A Pending JPS63246820A (ja) | 1987-04-02 | 1987-04-02 | 半導体製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63246820A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5099782A (en) * | 1988-02-17 | 1992-03-31 | Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha | Apparatus for forming a coating of a viscous liquid on an object |
| US5260174A (en) * | 1989-02-17 | 1993-11-09 | Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for forming a coating of a viscous liquid on an object |
| JPH0623313A (ja) * | 1992-01-31 | 1994-02-01 | Origin Electric Co Ltd | スピンコーティング方法およびその装置 |
| US6251542B1 (en) * | 1993-11-04 | 2001-06-26 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor wafer etching method |
| JP2008207171A (ja) * | 2007-01-23 | 2008-09-11 | Commissariat A L'energie Atomique | 少なくとも１つの窪み領域を備える支持体の表面にポリマ層を堆積する方法 |
-
1987
- 1987-04-02 JP JP8210987A patent/JPS63246820A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5099782A (en) * | 1988-02-17 | 1992-03-31 | Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha | Apparatus for forming a coating of a viscous liquid on an object |
| US5260174A (en) * | 1989-02-17 | 1993-11-09 | Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for forming a coating of a viscous liquid on an object |
| JPH0623313A (ja) * | 1992-01-31 | 1994-02-01 | Origin Electric Co Ltd | スピンコーティング方法およびその装置 |
| US6251542B1 (en) * | 1993-11-04 | 2001-06-26 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor wafer etching method |
| JP2008207171A (ja) * | 2007-01-23 | 2008-09-11 | Commissariat A L'energie Atomique | 少なくとも１つの窪み領域を備える支持体の表面にポリマ層を堆積する方法 |
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