JPS63131432A - Manufacture of image pickup tube target - Google Patents
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Landscapes
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、テレビカメラ等に使用されている撮像管にお
いて画像情報に応じてＭ積容量を形成するｌ最像管ター
ゲットの製造方法に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method for manufacturing an image tube target that forms M volumetric capacity according to image information in an image pickup tube used in a television camera or the like. It is.
本発明は、基板上に水素化アモルファスシリコンを主体
とした光導電膜を形成し、
該光導電膜に対して界面活性剤による洗浄工程と真空中
にて加熱アニールする工程とを経た後、ビームブロッキ
ング層を形成することにより、解像度に優れた撮像管タ
ーゲットを製造しようとするものである。In the present invention, a photoconductive film mainly made of hydrogenated amorphous silicon is formed on a substrate, the photoconductive film is subjected to a cleaning process with a surfactant and a heating annealing process in a vacuum, and then a beam is applied to the photoconductive film. By forming a blocking layer, the aim is to manufacture an image pickup tube target with excellent resolution.
一般に、放送用カラーカメラや民生用ビデオカメラ等各
種の画像撮影カメラの二次元画像情報を時系列の電気信
号に変換する装置として撮像管が使用されている。In general, an image pickup tube is used as a device for converting two-dimensional image information from various image capturing cameras such as broadcasting color cameras and consumer video cameras into time-series electrical signals.
上記４最像管は、光電変換機構°によって大別すると、
光導電現象を利用する光導型彫撮像管と光電子放出を利
用するイメージ形撮像管とになり、上記光導型彫撮像管
は光学像をターゲット（光導電膜）内において電荷像に
直接変換して蓄えるものであり、またイメージ形撮像管
は光学像を光電面でいったん光電子に変換した後、この
電子をターゲット（光導電膜）に射突させ蓄積電荷とし
て蓄える機構となっている。そして、蓄えられた光学像
信号はターゲット（光導電膜）を電子ビームで走査する
ことにより、順次時系列の電流として取り出され、電子
増倍部によって増幅され出力信号となる。The above four image tubes can be roughly classified according to the photoelectric conversion mechanism.
There are two types of imaging tubes: a photoconductive imaging tube that utilizes the photoconductive phenomenon, and an image imaging tube that uses photoelectron emission.The optical imaging tube directly converts an optical image into a charge image within a target (photoconductive film). Furthermore, an image-type camera tube has a mechanism in which an optical image is once converted into photoelectrons at a photocathode, and then these electrons are made to hit a target (photoconductive film) and stored as an accumulated charge. The stored optical image signal is then sequentially extracted as a time-series current by scanning a target (photoconductive film) with an electron beam, and is amplified by an electron multiplier to become an output signal.
上述の撮像管においては光学像を電荷として蓄える撮像
管ターゲット部は出力信号画像の解像度をはじめとする
各種両賞特性を左右する重要な部分であり、ターゲット
部に様々な光導電材料を使用した撮像管が提案されてい
る。中でも水素を含有した非晶質シリコン（以下、水素
化アモルファスシリコンと称する。）は、高い光導電変
換効率を有することが知られており、例えば特開昭５８
−１９４２３１号公報や特開昭６０−１０７８７３号公
報等に既にこの水素化アモルファスシリコンを光ｉｔｓ
とする技術が提案されている。In the above-mentioned image pickup tube, the image pickup tube target section that stores the optical image as an electric charge is an important part that affects the resolution of the output signal image and various other characteristics, and various photoconductive materials are used in the target section. An image pickup tube has been proposed. Among them, amorphous silicon containing hydrogen (hereinafter referred to as hydrogenated amorphous silicon) is known to have high photoconductive conversion efficiency;
This hydrogenated amorphous silicon has already been optically reported in JP-A-194231 and JP-A-60-107873.
A technology has been proposed to
そして、この水素化アモルファスシリコンを光導電膜と
して使用した撮像管ターゲット部は、例えばフェースプ
レート加工工程、ネサ膜形成工程。The image pickup tube target part using this hydrogenated amorphous silicon as a photoconductive film can be used, for example, in a face plate processing process or a NESA film forming process.
ホールブロッキング層形成工程、光ｉｔ膜形成工程、ビ
ームブロッキング層形成工程を経て作製されている。It is manufactured through a hole blocking layer forming process, an optical IT film forming process, and a beam blocking layer forming process.
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところが、上述のように光導電膜形成した後、直ちにビ
ームブロッキング層を形成した場合、撮像管の解像度、
特に低いターゲット電圧時において解像度の著しい劣化
を招いてしまうことが判明した。[Problems to be Solved by the Invention] However, if the beam blocking layer is formed immediately after forming the photoconductive film as described above, the resolution of the image pickup tube
It has been found that this results in significant deterioration of resolution, especially when the target voltage is low.
そこで本発明は、上述の従来の実情に鑑みて提案された
ものであって、解像度に優れた撮像管ターゲットを作製
するための製造方法を提供することを目的とする。The present invention has been proposed in view of the above-mentioned conventional situation, and an object of the present invention is to provide a manufacturing method for manufacturing an image pickup tube target with excellent resolution.
本発明は、上述の目的を達成するために、基板上に水素
化アモルファスシリコンを主体とした光導電膜を形成し
、該光導電膜に対して界面活性剤による洗浄工程と、真
空中にて加熱アニールする工程とを経た後、ビームブロ
ッキング層を形成することを特徴とするものである。In order to achieve the above-mentioned object, the present invention forms a photoconductive film mainly made of hydrogenated amorphous silicon on a substrate, and processes the photoconductive film by a cleaning process using a surfactant and in a vacuum. This method is characterized in that a beam blocking layer is formed after a heating annealing step.
光導電膜面を界面活性剤で洗浄することにより、膜面上
の異物が除去され光導電膜面の劣化がなくなり撮像管の
解像度が向上する。By cleaning the photoconductive film surface with a surfactant, foreign substances on the film surface are removed, deterioration of the photoconductive film surface is eliminated, and the resolution of the image pickup tube is improved.
また、光導電膜を真空中にて加熱アニールし、光導電膜
中の不純物を除くことが可能となる。Further, it becomes possible to heat and anneal the photoconductive film in a vacuum to remove impurities in the photoconductive film.
さらに加熱アニール後、同一装置内にてビームプロ７キ
ング層を形成するため不純物の再吸着を防ぐことができ
、したがって光導電膜の劣化を防げ撮像管の解像度が向
上する。Furthermore, since the beam blocking layer is formed in the same device after heat annealing, re-adsorption of impurities can be prevented, thereby preventing deterioration of the photoconductive film and improving the resolution of the image pickup tube.
以下、本発明を具体的な実施例によって説明する。 The present invention will be explained below using specific examples.
第１図乃至第５図は、本発明を適用した撮像管ターゲッ
トの製造工程の一例を工程順に従って示すものである。1 to 5 show an example of the manufacturing process of an image pickup tube target to which the present invention is applied, according to the process order.
水素化アモルファスシリコン（以下、ａ−３ｉ ： Ｈ
と記す。）を光導電膜とする撮像管ターゲットを製造す
るためには１．先ず第１図に示すように、撮像管ターゲ
ットの基板となるフェースプレー）（１）を加工形成す
る。フェースプレート（１）は、光学的に平なガラスが
用いられており、これを所望の撮像管ターゲットが得ら
れるような大きさ、厚さに加工する。Hydrogenated amorphous silicon (hereinafter a-3i: H
It is written as ) In order to manufacture an image pickup tube target using a photoconductive film, 1. First, as shown in FIG. 1, a face plate (1) that will become the substrate of the image pickup tube target is processed and formed. The face plate (1) is made of optically flat glass, which is processed into a size and thickness that will yield a desired image pickup tube target.
次に、第２図に示すように、フェースプレート（１）上
にネサｌ１ｌ（２）を形成する。ネサＩＦＪ （２）は
５ｎｏｔからなる透明を掻であり、通常のスパンタリン
グ法によって形成することができる。本実施例において
はこのネサ膜（２）の膜厚は１０００人とした。Next, as shown in FIG. 2, a nesa l1l (2) is formed on the face plate (1). Nesa IFJ (2) is a transparent sheet made of 5 knots and can be formed by a conventional sputtering method. In this example, the thickness of the Nesa membrane (2) was 1000.
続いて、第３図に示すように、ホールブロッキング層（
３）をネサ膜（２）上に形成する。ホールブロッキング
１！ （３）はＳｉｎ、膜からなるものでプラズマＣＶ
Ｄ法によって形成する。なお、このときホールブロッキ
ング層（３）の特性を改善するためにＮ、Ｏをグロー放
電させる。本実施例においては、その膜厚を２００人と
したが、所望の特性が得られる範囲内であれば特に制限
されない。Next, as shown in Figure 3, a hole blocking layer (
3) is formed on the Nesa membrane (2). Hole blocking 1! (3) is made of Sin film and plasma CV
Formed by method D. Note that at this time, N and O are glow-discharged in order to improve the characteristics of the hole blocking layer (3). In this embodiment, the film thickness is set to 200, but it is not particularly limited as long as the desired characteristics are obtained.
そして、第４図に示すように、光導電膜（４）をホール
ブロッキング層（３）を形成したのと同様のプラズマＣ
ＶＤ法装置を使用して以下の条件で形成する。Then, as shown in FIG.
It is formed using a VD method apparatus under the following conditions.
ａ−３ｉ：Ｈ膜形成条件
Ｓ ｉ Ｈ４４０ｓｃｃｍ
ＳｉＨ４：Ｂ２ Ｈｂ １ ： ５ｐｐｍ
圧力 ０．４↑ｏｒｒ温度
・ ２５０℃光導電膜（４）に
はａ−３ｔ：Ｈ膜を用い、さらに光導電膜（４）の特性
を改善するためＢ ｔ Ｈ＆を数ｐｐｓ＋ドーピングし
た。本実施例においては光導電１１！（４）の膜厚を２
μｍとした。a-3i: H film formation conditions SiH440sccm SiH4:B2 Hb1: 5ppm
Pressure: 0.4↑orr Temperature: 250° C. An a-3t:H film was used as the photoconductive film (4), and several pps+ of B t H& was doped to improve the characteristics of the photoconductive film (4). In this example, photoconductive 11! The film thickness of (4) is 2
It was set as μm.
次に、上述のようにして形成した光導電膜（４）の表面
を界面活性剤を用いて洗浄する。Next, the surface of the photoconductive film (4) formed as described above is cleaned using a surfactant.
洗浄にあたっては、先ず光導電膜（４）の表面を有１ｍ
溶剤を使用して洗浄した後、表面上の小さなゴミ等の異
物を洗い流すために流水超音波洗浄を行った。その後、
光導電膜（４）上の疎水成分を取り除くため界面活性剤
を使用して洗浄を行い、再び流水超音波で洗浄を行し、
フレオンにて乾燥した。For cleaning, first clean the surface of the photoconductive film (4) by 1 m.
After cleaning using a solvent, running water ultrasonic cleaning was performed to wash away foreign matter such as small dust on the surface. after that,
In order to remove hydrophobic components on the photoconductive film (4), cleaning was performed using a surfactant, and cleaning was performed again using running water ultrasonic waves.
It was dried with Freon.
上記洗浄工程において使用する界面活性剤は非アルカリ
含有界面活性剤を使用する。アルカリ成分含有界面活性
剤を使用し洗浄を行った場合には、光導ｍ＃（４）を形
成しているａ−３ｉ：Ｈ膜に対して界面活性剤中のアル
カリ成分が何らかの形で作用し、ａ−３ｉ：Ｈ膜に悪影
響を及ぼし撮像管の質実化の原因となることがあると考
えられるからである。また、水のみによる洗浄も考えら
れるがａ−３ｉ：Ｈ膜が疎水性であるために洗浄の目的
を達することができない。The surfactant used in the above washing step is a non-alkali containing surfactant. When cleaning is performed using a surfactant containing an alkali component, the alkali component in the surfactant may act in some way on the a-3i:H film forming the light guide m#(4). , a-3i:H film and may cause the image pickup tube to be made more compact. Further, cleaning with only water is also considered, but since the a-3i:H film is hydrophobic, the purpose of cleaning cannot be achieved.
使用される界面活性剤としては、中性界面活性剤（例え
ば商品名Ｅｘｔｒａｍ０２．商品名スコアロール等）が
使用可能である。なお、上述のように界面活性剤はアル
カリ成分を含有していなければよく、酸性成分が含まれ
ていてもかまわない。As the surfactant used, neutral surfactants (for example, trade name Extram02, trade name Score Roll, etc.) can be used. In addition, as mentioned above, the surfactant does not need to contain an alkaline component, and may contain an acidic component.
上記洗浄工程に続いて、ビームブロッキング層形成工程
前に上記光導電膜（４）を形成したフェースプレート（
１）を加熱処理する真空アニールを行う。Following the above cleaning step, the face plate (
1) is subjected to vacuum annealing, which is a heat treatment.
ビームブロッキング層形成工程前に真空アニールによっ
て加熱処理を行うのは、光導電１ｔ！（４）中に含まれ
ている不純物や前記洗浄工程で洗浄しきれなかった不純
物を除去するためである。これら不純物が光導電膜（４
）面に存在することは撮像管の解像度の劣化に繋がるた
めである。Photoconductive 1t! heat treatment is performed by vacuum annealing before the beam blocking layer formation process. (4) This is to remove impurities contained therein or impurities that could not be completely cleaned in the cleaning step. These impurities are present in the photoconductive film (4
) plane leads to deterioration of the resolution of the image pickup tube.
真空アニールは、第６図に示すような加熱装置により行
う。すなわち、この加熱装置は、ネサ膜（２）、ホール
ブロッキング層（３）、光導１１膜（４）を形成したフ
ェースプレート（１）を設置するテーブル（１１）と、
該テーブル（１１）上に設置したフェースプレート（１
）に対向するようにして設けられた加熱部（１５）とに
より構成されているものである。Vacuum annealing is performed using a heating device as shown in FIG. That is, this heating device includes a table (11) on which a face plate (1) on which a Nesa film (2), a hole blocking layer (3), and a light guide 11 film (4) are placed is installed;
The face plate (1) installed on the table (11)
) and a heating section (15) provided to face the heating section (15).
上記加熱部（１５）は、加熱フィラメン） （１２）と
、加熱フィラメント（１２）の周囲を覆っている反射円
筒（１３）とからなるものである。そして、テーブル（
１１）と加熱部の間にはガラス等の防着板（１４）が設
けられている。The heating section (15) is composed of a heating filament (12) and a reflective cylinder (13) surrounding the heating filament (12). And the table (
11) and the heating section is provided with an anti-adhesion plate (14) made of glass or the like.
加熱源としては加熱フィラメント（１２）の他、ガラス
対人型ヒーターや赤外線等が使用可能である。As a heating source, in addition to the heating filament (12), a glass heater, infrared rays, etc. can be used.
また、防着板（１４）には赤外線を透過するガラス等を
使用し、加熱することにより浮遊する加熱フィラメント
（１２）の微粒子がフェースプレート（１）上の光導電
膜（４）面に飛散し、その膜面に異物が付着することを
防止するために設けられている。さらにテーブル（１１
）は、回転可能な円形のものであり、一度に多数のフェ
ースプレート（１）をアニールすることができるように
なっている。温度制御はフェースプレート（１）と略同
じ位置のテーブル（１１）上に熱電対（図示は省略する
。）を設置し測定制御を行う、また・、真空アニールを
行う際には、上記加熱装置全体を真空装置内に設置し、
真空装置内を１０−’ｐａに保ち、温度を７０℃として
１時間行う。なお、温度はアモルファス層の耐熱性によ
って異なるが、６０〜２００℃が好ましく、特に７０℃
が良好な結果を得ることができる。In addition, the anti-adhesion plate (14) is made of glass that transmits infrared rays, and when heated, the particles of the floating heating filament (12) are scattered onto the surface of the photoconductive film (4) on the face plate (1). However, it is provided to prevent foreign matter from adhering to the film surface. Further tables (11
) is rotatable and circular, allowing a large number of faceplates (1) to be annealed at once. Temperature control is carried out by installing a thermocouple (not shown) on the table (11) at approximately the same position as the face plate (1), and when performing vacuum annealing, the above heating device is used. The whole thing is installed in a vacuum device,
The inside of the vacuum apparatus was maintained at 10-'pa and the temperature was set at 70°C for 1 hour. Note that the temperature varies depending on the heat resistance of the amorphous layer, but is preferably 60 to 200°C, particularly 70°C.
can give good results.
以上のようにして真空アニールを行いフェースプレート
（１）を加熱処理した後に、第５図に示すように、ビー
ムブロッキング層（５）を形成する。After vacuum annealing and heat treatment of the face plate (1) as described above, a beam blocking layer (5) is formed as shown in FIG.
ビームブロッキング層（５）は、ランディング特性が良
好なＳ ｂ、ｓ、のポーラス膜からなっており、光導電
膜形成装置と同一装置内で形成する。その時の装置内圧
もアニール時と同様な１０−！ｐａとする。また、この
他にビームブロッキング層（５）のエレクトロントラッ
プ機能性を向上させる目的で、ＡｓｇＳ、膜を形成した
後５ｂｚＳｓのポーラス膜を形成する２Ｍ構造としても
よい。The beam blocking layer (5) is made of a porous film of S b, s with good landing properties, and is formed in the same apparatus as the photoconductive film forming apparatus. The internal pressure of the device at that time was 10-!, the same as during annealing! Let it be pa. In addition, in order to improve the electron trap functionality of the beam blocking layer (5), a 2M structure may be used in which a 5bzSs porous film is formed after forming an AsgS film.
すなわち、Ａｓ１ｓ＋、Ｉｉは、エレクトロントラップ
機能が大きいため電子ビームによる走査の際に光導電膜
（４）に白キズ等の損傷を与えることが少なく、この上
部にランディング特性に優れた５ｂｚｓｓ層を積層して
形成することにより両者の特性を活かし優れたビームブ
ロッキング層（５）を形成することができるのである。In other words, As1s+, Ii has a large electron trapping function, so it rarely causes damage such as white scratches to the photoconductive film (4) during scanning with an electron beam, and a 5bzss layer with excellent landing properties is laminated on top of this. By forming these layers, an excellent beam blocking layer (5) can be formed by taking advantage of the characteristics of both.
例えばビームブロッキング層（５）を２層構造とした場
合には、Ａｓ２Ｓｅ２層とｓ ｂ！Ｓｆｆ層は、例えば
以下に示す条件で蒸着法によって形成される。For example, when the beam blocking layer (5) has a two-layer structure, two layers of As2Se and s b! The Sff layer is formed, for example, by a vapor deposition method under the conditions shown below.
Ａ Ｓ ｚ Ｓ ｅ １層形成条件
雰囲気 ５ Ｘ ｌ Ｏ−’Ｔｏｒｒ
以下速度 １３０人／秒膜厚
モニタ 水晶振動子膜厚
１０００人蒸着法
抵抗加熱Ｓ ｂ、ｓ、層形成条件
雰囲気 Ｎ２ガス０． ｉ Ｔｏｒ
ｒ速度 １５０人／秒膜厚モ
ニタ 水晶振動子膜厚
１０００人莫着法
抵抗加熱なお、７１．５ｚＳｅｓ層及び５
ｂｚＳｆｆｌＪは共にその膜厚は、１０００人としたが
、へ５２３ｅ３層の膜厚は実用上としては、５０人〜１
μの間であればよい。A S z S e 1 layer formation conditions atmosphere 5 X l O-'Torr
Speed: 130 people/second Film thickness monitor Crystal resonator film thickness
1000 person vapor deposition method
Resistance heating S b, s, layer formation conditions atmosphere N2 gas 0. i Tor
r Speed 150 people/sec Film thickness monitor Crystal resonator film thickness
1000 people method
In addition, resistance heating is performed for 71.5zSes layer and 5
bzSfflJ has a film thickness of 1,000 layers, but in practical terms, the film thickness of the 523e3 layer is 50 to 1 layer.
It suffices if it is between μ.
以上のようにして製造したａ−３ｉ：Ｈ撮像管ターゲッ
トと比較例として真空アニールを行わないで製造したａ
−３ｉ：Ｈ撮像管ターゲットを用いて、ターゲット電圧
とそれに対する変調度を２００ＴＶ本、４００Ｔ■本に
ついて測定した。The a-3i:H image pickup tube target manufactured as described above and the a-3i:H image pickup tube target manufactured as a comparative example without vacuum annealing.
Using a -3i:H image pickup tube target, the target voltage and its modulation degree were measured for 200 TV lines and 400 Tcm lines.
第７図は光導電膜に対してアニール処理を施した場合の
ターゲット電圧と変調度の関係を示す特性図であり、第
８図は光導電膜に対してアニール処理を施していない場
合のターゲット電圧と変調度の関係を示す特性図である
。第７図及び第８図からアニール処理を行ったターゲッ
トの方がターゲット電圧による変化が少なく特に低ター
ゲット電圧においての変調度の落ち込みがないことがわ
かる。したがって、真空アニールを行った場合のほうが
低ターゲット電圧に対しても非常に良好な変調度を示し
、低ターゲット電圧においても解像度が低下することが
ない。Figure 7 is a characteristic diagram showing the relationship between target voltage and modulation degree when the photoconductive film is annealed, and Figure 8 is a characteristic diagram showing the relationship between the target voltage and the modulation degree when the photoconductive film is not annealed. FIG. 3 is a characteristic diagram showing the relationship between voltage and modulation degree. It can be seen from FIGS. 7 and 8 that the target subjected to annealing treatment shows less change due to target voltage and no drop in modulation degree, especially at low target voltages. Therefore, when vacuum annealing is performed, the modulation degree is much better even at low target voltages, and the resolution does not deteriorate even at low target voltages.
上述の説明により明らかなように、本発明においては、
水素化アモルファスシリコンよりなる光導電膜面を界面
活性剤で洗浄し、さらに光導電膜を真空中にて加熱アニ
ールしているので、光導電膜の膜面及び膜中の不純物が
効果的に除去でき、加えてアニール後同一装置内にてビ
ームブロッキング層を形成するようにしたため不純物の
再吸着を防ぐことができるようになり、光導電膜の劣化
を防ぐことができる。As is clear from the above description, in the present invention,
The surface of the photoconductive film made of hydrogenated amorphous silicon is cleaned with a surfactant, and the photoconductive film is then heated and annealed in vacuum, effectively removing impurities on the surface of the photoconductive film and in the film. In addition, since a beam blocking layer is formed in the same apparatus after annealing, re-adsorption of impurities can be prevented, and deterioration of the photoconductive film can be prevented.
したがって、解像度に優れた撮像管ターゲットを製造す
ることが可能となる。Therefore, it is possible to manufacture an image pickup tube target with excellent resolution.
第１図乃至第５図は大発明を適用した撮像管ターゲット
の製造工程の一例をその工程順にしたがって示す概略断
面図であり、第１図はフェースプレートの加工工程、第
２図はネサ膜形成工程、第３図はホールブロッキング層
形成工程、第４図は光導電膜形成工程、第５図はビーム
ブロッキング層形成工程をそれぞれ示す。
第６図は光導電膜の真空アニールに使用される加熱装置
の構成例を模式的に示す側面図である。
第７図は光導電膜に対して真空アニール処理をした場合
のターゲット電圧と変調度との関係を示す特性図、第８
図は光導電膜に対して真空アニール処理をしない場合の
ターゲット電圧と変調度との関係を示す特性図である。
１・・・フェースプレート
２・・・ネサ膜
３・・・ホールブロッキング層
４・・・光導電膜
５・・・ビームブロッキング層
特許出願人 ソニー株式会社
代理人 弁理士 小池 晃
同 用材 榮−
第１図
第２図
第３図
第４図
第５図1 to 5 are schematic cross-sectional views showing an example of the manufacturing process of an image pickup tube target to which the great invention is applied in the order of the steps. FIG. 3 shows the hole blocking layer forming step, FIG. 4 shows the photoconductive film forming step, and FIG. 5 shows the beam blocking layer forming step. FIG. 6 is a side view schematically showing a configuration example of a heating device used for vacuum annealing of a photoconductive film. Figure 7 is a characteristic diagram showing the relationship between target voltage and modulation degree when a photoconductive film is subjected to vacuum annealing.
The figure is a characteristic diagram showing the relationship between target voltage and modulation degree when the photoconductive film is not subjected to vacuum annealing treatment. 1...Face plate 2...Nesa film 3...Hole blocking layer 4...Photoconductive film 5...Beam blocking layer Patent applicant Sony Corporation representative Patent attorney Kodo Koike Materials Sakae - No. Figure 1 Figure 2 Figure 3 Figure 4 Figure 5
Claims (1)
電膜を形成し、 該光導電膜に対して界面活性剤による洗浄工程と、 真空中にて加熱アニールする工程とを経た後、ビームブ
ロツキング層を形成することを特徴とする撮像管ターゲ
ットの製造方法。[Claims] A photoconductive film mainly made of hydrogenated amorphous silicon is formed on a substrate, and the photoconductive film undergoes a cleaning process using a surfactant and a heating annealing process in a vacuum. A method for manufacturing an image pickup tube target, comprising: forming a beam blocking layer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61277011A JPS63131432A (en) | 1986-11-20 | 1986-11-20 | Manufacture of image pickup tube target |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61277011A JPS63131432A (en) | 1986-11-20 | 1986-11-20 | Manufacture of image pickup tube target |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63131432A true JPS63131432A (en) | 1988-06-03 |
Family
ID=17577519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61277011A Pending JPS63131432A (en) | 1986-11-20 | 1986-11-20 | Manufacture of image pickup tube target |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63131432A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6483622B1 (en) | 1998-03-30 | 2002-11-19 | Nec Corporation | Mobile data terminal with an infrared communication capability |
-
1986
- 1986-11-20 JP JP61277011A patent/JPS63131432A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6483622B1 (en) | 1998-03-30 | 2002-11-19 | Nec Corporation | Mobile data terminal with an infrared communication capability |
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