JPS6262553A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はＣＣＤ型の固体撮像装置に関する。
代表的な固体撮像装置として、インターライン転送方式
のＣＣＤ撮像装置が知られている。第６図はこの様なＣ
ＣＤ撮像装置の一例の要部断面構造を示す。この撮像装
置は垂直オーバーフロードレイン構造とするため、ｎ型
Ｓｉ基板２１の上部にｐ型ウェル２２が形成されている
。ｐ型ウェル２２の表面部には、光電変換を行い、かつ
光電変換された信号電荷を蓄積するフォトダイオードを
構成するｎ型層２３が各画素ごとに形成されている。こ
のｎ型層２３に隣接して垂直ＣＣＤの埋込みチャネルを
構成するｎ型層２４が形成されている。ｐ＋型層２５は
チャネルストッパである。垂直ＣＣＤ部にはゲート絶縁
膜を介して２層多結晶シリコン膜からなる転送電極２６
．２７が形成されている。転送電極が形成された基板上
には絶縁膜２９を介してＣＣＤ部分を覆う光シールド膜
２８が形成され、その上に保護膜３０が形成されている
。
のＣＣＤ撮像装置が知られている。第６図はこの様なＣ
ＣＤ撮像装置の一例の要部断面構造を示す。この撮像装
置は垂直オーバーフロードレイン構造とするため、ｎ型
Ｓｉ基板２１の上部にｐ型ウェル２２が形成されている
。ｐ型ウェル２２の表面部には、光電変換を行い、かつ
光電変換された信号電荷を蓄積するフォトダイオードを
構成するｎ型層２３が各画素ごとに形成されている。こ
のｎ型層２３に隣接して垂直ＣＣＤの埋込みチャネルを
構成するｎ型層２４が形成されている。ｐ＋型層２５は
チャネルストッパである。垂直ＣＣＤ部にはゲート絶縁
膜を介して２層多結晶シリコン膜からなる転送電極２６
．２７が形成されている。転送電極が形成された基板上
には絶縁膜２９を介してＣＣＤ部分を覆う光シールド膜
２８が形成され、その上に保護膜３０が形成されている
。
第７図はインターライン転送型ＣＣＤ躍像装置の全体構
成である。Ｐｌｌ、 ＰＩ３．・・・、Ｐｍｎは二次元
配列されたフォトダイオードからなる画素部であり、３
１はこの画素列に隣接して配列形成されて各画素部の信
号電荷を読み出す複数本の垂直ＣＣＤ、３２は垂直ＣＣ
Ｄ３１により転送された信号電荷を読み出す水平ＣＣＤ
である。垂直ＣＣＤ３１は通常４電極セルＣＣＤであり
、４相のクロックパルスφＶ１．φＶ２．φＶ３゜φＶ
４により駆動され、水平ＣＣＤ３２は２電極セルＣＣＤ
であり、２相のクロックパルスφＨ１゜φＨ２により駆
動される。
成である。Ｐｌｌ、 ＰＩ３．・・・、Ｐｍｎは二次元
配列されたフォトダイオードからなる画素部であり、３
１はこの画素列に隣接して配列形成されて各画素部の信
号電荷を読み出す複数本の垂直ＣＣＤ、３２は垂直ＣＣ
Ｄ３１により転送された信号電荷を読み出す水平ＣＣＤ
である。垂直ＣＣＤ３１は通常４電極セルＣＣＤであり
、４相のクロックパルスφＶ１．φＶ２．φＶ３゜φＶ
４により駆動され、水平ＣＣＤ３２は２電極セルＣＣＤ
であり、２相のクロックパルスφＨ１゜φＨ２により駆
動される。
第８図は垂直ＣＣＤ３１の最終段部およびこれにつなが
る水平Ｃ０Ｄ３２部分の詳細な構成図である。図の破線
の外側の斜線部はフィールド領域である。３３は第１層
多結晶シリコン膜による垂直ＣＣＤ３１の最終段前の転
送電極、３４は第２層多結晶シリコン膜による垂直ＣＣ
Ｄ３１の最終段転送電極であり、それぞれクロックパル
スφＶ３．φＶ４により駆動される。これら転送電極の
下はｎ型不純物が注入された埋込みチャネル領域３７と
なっている。３５ （３５１，３５２。
る水平Ｃ０Ｄ３２部分の詳細な構成図である。図の破線
の外側の斜線部はフィールド領域である。３３は第１層
多結晶シリコン膜による垂直ＣＣＤ３１の最終段前の転
送電極、３４は第２層多結晶シリコン膜による垂直ＣＣ
Ｄ３１の最終段転送電極であり、それぞれクロックパル
スφＶ３．φＶ４により駆動される。これら転送電極の
下はｎ型不純物が注入された埋込みチャネル領域３７と
なっている。３５ （３５１，３５２。
・・・）は水平ＣＣＤ３２のバリア転送電極であり、第
１層多結晶シリコン膜により形成され、３６（３６１，
３６２、・・・）は同じく水平ＣＣＤ３２のストレージ
転送電極であり、第３層多結晶シリコン膜により形成さ
れている。バリア転送電極３５下のチャネル領域には垂
直ＣＣＤ３１のチャネル領域と同時にｎ型不純物が注入
され、ストレージＮ極３６下のチャネル領域３８は更に
これより高濃度にｎ型不純物が注入されて深い電位とな
っている。ストレージ転送電極の一つ３６２は垂直ＣＣ
Ｄの最終段転送電極３４上にまで延在し、このストレー
ジ転送電極３６２下のチャネル領［３８は垂直ＣＣＤの
チャネル＠域３７とつながっている。°ストレージ転送
電極３６とバリア転送電極３５は隣接するもの同士共通
接続され、２相クロックパルスφＨ１，φＨ２が印加さ
れるようになっている。
１層多結晶シリコン膜により形成され、３６（３６１，
３６２、・・・）は同じく水平ＣＣＤ３２のストレージ
転送電極であり、第３層多結晶シリコン膜により形成さ
れている。バリア転送電極３５下のチャネル領域には垂
直ＣＣＤ３１のチャネル領域と同時にｎ型不純物が注入
され、ストレージＮ極３６下のチャネル領域３８は更に
これより高濃度にｎ型不純物が注入されて深い電位とな
っている。ストレージ転送電極の一つ３６２は垂直ＣＣ
Ｄの最終段転送電極３４上にまで延在し、このストレー
ジ転送電極３６２下のチャネル領［３８は垂直ＣＣＤの
チャネル＠域３７とつながっている。°ストレージ転送
電極３６とバリア転送電極３５は隣接するもの同士共通
接続され、２相クロックパルスφＨ１，φＨ２が印加さ
れるようになっている。
この様なインターライン転送ＣＣＤ撮像装置において、
垂直ＣＣＤ３１の最終段転送電極３４の長さが大きくな
ると、垂直ＣＣＤ３１から水平ＣＣＤ３２への信号電荷
転送の際に不完全転送を起こず。このことを第９図を用
いて説明する。第９図＜ａ＞は第８図の更に要部を示し
ており、同図（ｂ）〜（ｄ）は信号電荷転送の様子を示
している。なお垂直ＣＣＤ用クロックパルスφＶ１ 。
垂直ＣＣＤ３１の最終段転送電極３４の長さが大きくな
ると、垂直ＣＣＤ３１から水平ＣＣＤ３２への信号電荷
転送の際に不完全転送を起こず。このことを第９図を用
いて説明する。第９図＜ａ＞は第８図の更に要部を示し
ており、同図（ｂ）〜（ｄ）は信号電荷転送の様子を示
している。なお垂直ＣＣＤ用クロックパルスφＶ１ 。
φＶ２．・・・はＯＶと一７ｖの間で変化し、水平ＣＣ
Ｄ用クロックパルスφＨ１，φＨ２はＯＶと６Ｖの間で
変化する。第９図（ｂ）は垂直ＣＣＤ３１のＲ線転送電
極３４前の転送Ｎ極３３下に信号電荷３９がある状態で
ある。この後垂直ＣＣＤ３１の最終段転送電極３４のク
ロックパルスφｖ４が一７ｖからＯｖになり、同図（Ｃ
）に示すように信号電荷３９は最終段転送電極３４下を
通って水平ＣＣＤ３２のストレージ転送電極３６２下に
転送される。そして同図（ｄ）に示すようにクロックパ
ルスφＶ４が一７Ｖになり、転送が終了する。この後水
平ＣＣＤ３２での信号電荷転送が開始されることになる
。
Ｄ用クロックパルスφＨ１，φＨ２はＯＶと６Ｖの間で
変化する。第９図（ｂ）は垂直ＣＣＤ３１のＲ線転送電
極３４前の転送Ｎ極３３下に信号電荷３９がある状態で
ある。この後垂直ＣＣＤ３１の最終段転送電極３４のク
ロックパルスφｖ４が一７ｖからＯｖになり、同図（Ｃ
）に示すように信号電荷３９は最終段転送電極３４下を
通って水平ＣＣＤ３２のストレージ転送電極３６２下に
転送される。そして同図（ｄ）に示すようにクロックパ
ルスφＶ４が一７Ｖになり、転送が終了する。この後水
平ＣＣＤ３２での信号電荷転送が開始されることになる
。
このとき同図（ｄ）に示したように、垂直ＣＣＤ３１の
最終段転送電極３４の長さが大きい場合にはその下に不
完全転送による残留電荷４０が生じる。この残留電荷４
０は撮像画質の劣化の原因となる。この画質劣化は具体
的にはａｍ画面に垂直に筋状の黒線が現われる現象であ
る。特に信号電荷量が小さい場合にはこの劣化現象が著
しい。
最終段転送電極３４の長さが大きい場合にはその下に不
完全転送による残留電荷４０が生じる。この残留電荷４
０は撮像画質の劣化の原因となる。この画質劣化は具体
的にはａｍ画面に垂直に筋状の黒線が現われる現象であ
る。特に信号電荷量が小さい場合にはこの劣化現象が著
しい。
本発明は上記した点に鑑み、垂直ＣＣＤの最終段転送電
極長が長くなることによる信号電荷の不完全転送モード
を軽減して画質向上を可能とした固体撮像装置を提供す
ることを目的とする。
極長が長くなることによる信号電荷の不完全転送モード
を軽減して画質向上を可能とした固体撮像装置を提供す
ることを目的とする。
本発明は、垂直ＣＣＤの最終段転送電極下に例えば選択
的に不純物をドーピングすることにより、この最終段転
送Ｎ極下のチャネル領域に信号電荷を水平ＣＣＤ側に加
速するような電位分布を持たせたことを特徴とする。
的に不純物をドーピングすることにより、この最終段転
送Ｎ極下のチャネル領域に信号電荷を水平ＣＣＤ側に加
速するような電位分布を持たせたことを特徴とする。
本発明によれば、垂直ＣＣＤから水平ＣＣＤへの信号電
荷の転送残しが少なくなり、優れた画質のＣＣＤ踊像装
置が得られる。
荷の転送残しが少なくなり、優れた画質のＣＣＤ踊像装
置が得られる。
以下本発明の詳細な説明する。
第１図は一実施例のインターライン転送型ＣＣＤ［ｌ装
置における垂直ＣＣＤの最終段部およびこれにつながる
水平ＣＣＤ部の構成を、従来の第８図に対応させて示す
図である。第２図（ａ）および（ｂ）はそれぞれ第１図
のＡ−Ａ−および８−Ｂ−断面での基板内電位分布を示
している。
置における垂直ＣＣＤの最終段部およびこれにつながる
水平ＣＣＤ部の構成を、従来の第８図に対応させて示す
図である。第２図（ａ）および（ｂ）はそれぞれ第１図
のＡ−Ａ−および８−Ｂ−断面での基板内電位分布を示
している。
この実施例では第６図で説明した従来例と同様にｎ型３
ｉ基板にｐ型ウェルを形成して、その表面部に信号電荷
蓄積部および垂直ＣＣＤ、水平ＣＣＤを形成した、オー
バーフロードレイン構造としている。図において、１は
垂直ＣＣＤ部、２は水平ＣＣＤ部である。垂直ＣＣＤ部
１には最終段転送電極５およびその前段の転送電極４を
示しである。転送電＃Ａ４は第１層多結晶シリコン膜に
より、またＲ終段転送電極５は第２層多結晶シリコン膜
によりそれぞれ形成されている。これら転送電極の下の
基板１０に、ｎ型不純物を注入して埋込みチャネル領域
３が形成されている。垂直ＣＣＤ部１は４層駆動方式で
ある。水平ＣＣＤ部２には、第１層多結晶シリコン膜に
よるバリア転送電極６（６１，６２，・・・）および第
３層多結晶シリコン膜によるストレージ転送電極７ （
７ｔ 。
ｉ基板にｐ型ウェルを形成して、その表面部に信号電荷
蓄積部および垂直ＣＣＤ、水平ＣＣＤを形成した、オー
バーフロードレイン構造としている。図において、１は
垂直ＣＣＤ部、２は水平ＣＣＤ部である。垂直ＣＣＤ部
１には最終段転送電極５およびその前段の転送電極４を
示しである。転送電＃Ａ４は第１層多結晶シリコン膜に
より、またＲ終段転送電極５は第２層多結晶シリコン膜
によりそれぞれ形成されている。これら転送電極の下の
基板１０に、ｎ型不純物を注入して埋込みチャネル領域
３が形成されている。垂直ＣＣＤ部１は４層駆動方式で
ある。水平ＣＣＤ部２には、第１層多結晶シリコン膜に
よるバリア転送電極６（６１，６２，・・・）および第
３層多結晶シリコン膜によるストレージ転送電極７ （
７ｔ 。
７２、・・・）が形成されている。これら転送電極の下
の基板１０には垂直ＣＣＤ部１と同様にｎ型不純物の注
入によりチャネル＠域が形成され、バリア転送電極６の
下は垂直ＣＣＤ部１のチャネル領域と同じ電位となって
いる。ストレージ転送電極７の下はバリア転送電極６の
下よりも高濃度にｎ型不純物が注入されてｎ＋型８が形
成され、深い電位分布となっている。水平ＣＣＤ部２は
、バリア転送電極６とストレージ転送電極７が隣接する
もの同士共通接続されて２相駆動式になっている。
の基板１０には垂直ＣＣＤ部１と同様にｎ型不純物の注
入によりチャネル＠域が形成され、バリア転送電極６の
下は垂直ＣＣＤ部１のチャネル領域と同じ電位となって
いる。ストレージ転送電極７の下はバリア転送電極６の
下よりも高濃度にｎ型不純物が注入されてｎ＋型８が形
成され、深い電位分布となっている。水平ＣＣＤ部２は
、バリア転送電極６とストレージ転送電極７が隣接する
もの同士共通接続されて２相駆動式になっている。
水平ＣＣＤ部２のストレージ転送電極７の内の電極７２
は垂直ＣＣＤ部１の最終段転送電極５上に一部延在され
ており、その下のチャネル領域のｎ＋型層８は垂直ＣＣ
Ｄ部１のチャネル領域３につながっている。従来のもの
と異なる点は、垂直ＣＣＤ部１の最終段転送電極５の下
のチャネル領域３の一部に、水平ＣＣＤ部２のストレー
ジ電極７の下と同様に高濃度にｎ型不純物を注入してス
トレージ電極７２下のｎ＋型層８と連続するｎ＋型＠９
が形成されていることである。これにより、垂直ＣＣＤ
部１の最終段転送電極５の下のチャネル領域には、信号
電荷を水平ＣＣＤ部２側に加速するような電位分布が形
成される。
は垂直ＣＣＤ部１の最終段転送電極５上に一部延在され
ており、その下のチャネル領域のｎ＋型層８は垂直ＣＣ
Ｄ部１のチャネル領域３につながっている。従来のもの
と異なる点は、垂直ＣＣＤ部１の最終段転送電極５の下
のチャネル領域３の一部に、水平ＣＣＤ部２のストレー
ジ電極７の下と同様に高濃度にｎ型不純物を注入してス
トレージ電極７２下のｎ＋型層８と連続するｎ＋型＠９
が形成されていることである。これにより、垂直ＣＣＤ
部１の最終段転送電極５の下のチャネル領域には、信号
電荷を水平ＣＣＤ部２側に加速するような電位分布が形
成される。
第２図は、垂直ＣＣＤ部１の転送りロックパルスが全て
ＯＶ１水平ＣＣＤ部２の転送りロックパルス力、φＨｔ
＝６Ｖ、φＨ２＝ＯＶ（７）とキノ基板１０内の電位
分布を示している。第２図（ａ）に示すように垂直ＣＣ
Ｄ部１の最終段転送電極５の下には電位の段差部１１、
即ち信号電荷を加速する電界が形成されている。
ＯＶ１水平ＣＣＤ部２の転送りロックパルス力、φＨｔ
＝６Ｖ、φＨ２＝ＯＶ（７）とキノ基板１０内の電位
分布を示している。第２図（ａ）に示すように垂直ＣＣ
Ｄ部１の最終段転送電極５の下には電位の段差部１１、
即ち信号電荷を加速する電界が形成されている。
第３図（ａ）〜（ｄ）は、垂直ＣＣＤ部１から水平ＣＣ
Ｄ部２への信号電荷の転送の様子を、従来の第９図（ａ
）〜（ｄ）に対応させて示したものである。垂直ＣＣＤ
部１はＯＶと一７ｖの間で変化する４相クロツクパルス
φＶｌ〜φｖ４により駆動され、水平ＣＣＤ部２はＯＶ
と６の間で変化する２相クロックパルスφＨ１，φＨ２
により駆動される。第３図（ｂ）は、φＶ３＝ＯＶ、φ
Ｖ４−−７Ｖ、φＨ１−６Ｖで、垂直ＣＣＤ部１の最終
段転送電極５の前の転送電極４下に信号電荷１２が蓄積
されている状態である。この後最終段転送電極５に印加
されるφＶ４が゛Ｈ″レベルのＯｖになると、第３図（
Ｃ）に示すように信号電荷１２は最終段転送電極５下を
通って水平ＣＣＤ部２のストレージ転送電極７２下に転
送される。このとき、最終段転送電極５下のｒｌ＋型層
９を設けたことによる電位段差部］１の電界により信号
電ｖＪ１２は加速される。そして第３図（ｄ）のように
φＶ３．φＶ４がこの順に゛′Ｌパレベルの一７Ｖにな
り、転送が終了する。
Ｄ部２への信号電荷の転送の様子を、従来の第９図（ａ
）〜（ｄ）に対応させて示したものである。垂直ＣＣＤ
部１はＯＶと一７ｖの間で変化する４相クロツクパルス
φＶｌ〜φｖ４により駆動され、水平ＣＣＤ部２はＯＶ
と６の間で変化する２相クロックパルスφＨ１，φＨ２
により駆動される。第３図（ｂ）は、φＶ３＝ＯＶ、φ
Ｖ４−−７Ｖ、φＨ１−６Ｖで、垂直ＣＣＤ部１の最終
段転送電極５の前の転送電極４下に信号電荷１２が蓄積
されている状態である。この後最終段転送電極５に印加
されるφＶ４が゛Ｈ″レベルのＯｖになると、第３図（
Ｃ）に示すように信号電荷１２は最終段転送電極５下を
通って水平ＣＣＤ部２のストレージ転送電極７２下に転
送される。このとき、最終段転送電極５下のｒｌ＋型層
９を設けたことによる電位段差部］１の電界により信号
電ｖＪ１２は加速される。そして第３図（ｄ）のように
φＶ３．φＶ４がこの順に゛′Ｌパレベルの一７Ｖにな
り、転送が終了する。
こうしてこの実施例によれば、垂直ＣＣＤ部の最終段転
送電極長が長い場合にも垂直ＣＣＤから水平ＣＣＤへの
信号電荷転送に際して電荷の取り残しがなくなる。従っ
てこのＣＣＤＩＩｆｌ像装置を用いれば、再生画像の画
質の劣化が防止される。
送電極長が長い場合にも垂直ＣＣＤから水平ＣＣＤへの
信号電荷転送に際して電荷の取り残しがなくなる。従っ
てこのＣＣＤＩＩｆｌ像装置を用いれば、再生画像の画
質の劣化が防止される。
第４図は本発明の別の実施例のＣＣＤ撮像装置を示す。
第１図と対応する部分には第１図と同一符号を付して詳
細な説明は省略する。この実施例では、垂直ＣＣＤ部１
の最終段転送電橋５下のｎ＋型層９を、信号電荷の転送
方向に対して末広がりパターンにイオン注入して形成し
ている。
細な説明は省略する。この実施例では、垂直ＣＣＤ部１
の最終段転送電橋５下のｎ＋型層９を、信号電荷の転送
方向に対して末広がりパターンにイオン注入して形成し
ている。
第５図（ａ）〜（ｄ）はやはり先の実施例の第３図（ａ
）〜（ｄ＞に対応させて示した転送動作の説明図である
。この実施例の場合、同図（ｂ）〜（ｄ）に示すように
最終段転送電極５下に、信号電荷を垂直ＣＣＤ部１から
水平ＣＣＤ部２側に加速するような電位傾斜部１３が形
成されている。
）〜（ｄ＞に対応させて示した転送動作の説明図である
。この実施例の場合、同図（ｂ）〜（ｄ）に示すように
最終段転送電極５下に、信号電荷を垂直ＣＣＤ部１から
水平ＣＣＤ部２側に加速するような電位傾斜部１３が形
成されている。
これにより信号電荷１２は最終段転送電極５下に取り残
されることなく、水平ＣＣＤ部２に確実に転送される。
されることなく、水平ＣＣＤ部２に確実に転送される。
従ってこの実施例によっても先の実施例と同様の効果が
得られる。
得られる。
本発明は上記実施例に限られるものではない。
垂直ＣＣＤ部のｆ＆終段転送電極下に信号電荷を加速す
る電界を形成するには、例えばその最終段転送電極下の
ゲート絶縁膜の膜厚を変えることによっても可能である
。また実施例では光電変換と信号電荷蓄積をフォトダイ
オードにより行なうＣ０Ｄｌｌｉ３像装置を説明したが
、この上にａ−８ｉ：Ｈ膜等の光電変換膜を積層して、
フォトダイオード部は信号電荷蓄積のみを行なうように
した所謂積層型ＣＣＤｍ像装置の場合にも本発明を適用
することができる。縦型オーバーフロードレイン構造以
外のＣＣＤ撮像装置にも同様に本発明を適用することが
できる。
る電界を形成するには、例えばその最終段転送電極下の
ゲート絶縁膜の膜厚を変えることによっても可能である
。また実施例では光電変換と信号電荷蓄積をフォトダイ
オードにより行なうＣ０Ｄｌｌｉ３像装置を説明したが
、この上にａ−８ｉ：Ｈ膜等の光電変換膜を積層して、
フォトダイオード部は信号電荷蓄積のみを行なうように
した所謂積層型ＣＣＤｍ像装置の場合にも本発明を適用
することができる。縦型オーバーフロードレイン構造以
外のＣＣＤ撮像装置にも同様に本発明を適用することが
できる。
第１図は本発明の一実施例のインターライン転送型ＣＣ
Ｄ撮像装置の要部構成を示す図、第２図（ａ）、（ｂ）
はそれぞれ第１図のＡ−Ａ −。 Ｂ−Ｂ−断面での基板電位分布を示す図、第３図（ａ）
〜ｌ）は同じく垂直ＣＣＤから水平ＣＣＤへの電荷転送
の様子を説明するための図、第４図は他の実施例のイン
ターライン転送型ＣＣＤ撮像装置の要部構成を示す図、
第５図（ａ）〜（ｄ）はその垂直ＣＣＤから水平ＣＣＤ
への電荷転送の様子を説明するための図、第６図はオー
バーフロードレイン構造のインターライン転送ＣＤ撮＠
装置の断面構造を示す図、第７図は同じくその全体構成
を示す図、第８図はその要部構成を示す図、第９図（ａ
）〜（ｄ）はその垂直ＣＣＤから水平ＣＣＤへの電荷転
送の様子を説明するための図である。 １・・・垂直ＣＣＤ部、２・・・水平ＣＣＤ部、３・・
・チャネル領域、４・・・垂直ＣＣＤ転送電極、５・・
・垂直ＣＣＤ最終段転送電極、６．７・・・水平ＣＣＤ
転送電極、８．９・・・ｎ＋型層、１０・・・基板、１
１・・・電位＆差部、］２・・・信号電荷、１３・・・
電位傾斜部。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 Ｕ″ ３ 第１図 Ｃ） 、Ｏ ＾
−ノ句
Ｄ撮像装置の要部構成を示す図、第２図（ａ）、（ｂ）
はそれぞれ第１図のＡ−Ａ −。 Ｂ−Ｂ−断面での基板電位分布を示す図、第３図（ａ）
〜ｌ）は同じく垂直ＣＣＤから水平ＣＣＤへの電荷転送
の様子を説明するための図、第４図は他の実施例のイン
ターライン転送型ＣＣＤ撮像装置の要部構成を示す図、
第５図（ａ）〜（ｄ）はその垂直ＣＣＤから水平ＣＣＤ
への電荷転送の様子を説明するための図、第６図はオー
バーフロードレイン構造のインターライン転送ＣＤ撮＠
装置の断面構造を示す図、第７図は同じくその全体構成
を示す図、第８図はその要部構成を示す図、第９図（ａ
）〜（ｄ）はその垂直ＣＣＤから水平ＣＣＤへの電荷転
送の様子を説明するための図である。 １・・・垂直ＣＣＤ部、２・・・水平ＣＣＤ部、３・・
・チャネル領域、４・・・垂直ＣＣＤ転送電極、５・・
・垂直ＣＣＤ最終段転送電極、６．７・・・水平ＣＣＤ
転送電極、８．９・・・ｎ＋型層、１０・・・基板、１
１・・・電位＆差部、］２・・・信号電荷、１３・・・
電位傾斜部。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 Ｕ″ ３ 第１図 Ｃ） 、Ｏ ＾
−ノ句
Claims (2)
- （１）半導体基板に、光電変換された信号電荷を蓄積す
る複数の信号電荷蓄積部と、各信号電荷蓄積部の信号電
荷を読み出すための複数本の垂直ＣＣＤと、これら垂直
ＣＣＤに転送された信号電荷を外部に読み出すための水
平ＣＣＤとを有する固体撮像装置において、前記垂直Ｃ
ＣＤの最終段転送電極下のチャネル領域に前記水平ＣＣ
Ｄ側に信号電荷を加速する電界が形成される電位分布を
持たせたことを特徴とする固体撮像装置。 - （２）前記電位分布は、チャネル領域の一部に不純物を
ドーピングすることにより形成される特許請求の範囲第
１項記載の固体撮像装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60202114A JPS6262553A (ja) | 1985-09-12 | 1985-09-12 | 固体撮像装置 |
| US07/296,324 US4949143A (en) | 1985-09-12 | 1989-01-11 | Semiconductor devices and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60202114A JPS6262553A (ja) | 1985-09-12 | 1985-09-12 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6262553A true JPS6262553A (ja) | 1987-03-19 |
Family
ID=16452189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60202114A Pending JPS6262553A (ja) | 1985-09-12 | 1985-09-12 | 固体撮像装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4949143A (ja) |
| JP (1) | JPS6262553A (ja) |
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1985
- 1985-09-12 JP JP60202114A patent/JPS6262553A/ja active Pending
-
1989
- 1989-01-11 US US07/296,324 patent/US4949143A/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4949143A (en) | 1990-08-14 |
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