JPS6255983A - External light feedback semiconductor laser using optical fiber - Google Patents

External light feedback semiconductor laser using optical fiber

Info

Publication number
JPS6255983A
JPS6255983A JP19702085A JP19702085A JPS6255983A JP S6255983 A JPS6255983 A JP S6255983A JP 19702085 A JP19702085 A JP 19702085A JP 19702085 A JP19702085 A JP 19702085A JP S6255983 A JPS6255983 A JP S6255983A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor laser
optical fiber
feedback system
ring resonator
feedback
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP19702085A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shuntaro Yamazaki
俊太郎 山崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP19702085A priority Critical patent/JPS6255983A/en
Publication of JPS6255983A publication Critical patent/JPS6255983A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/14External cavity lasers

Abstract

PURPOSE:To emit laser light preferably having a narrow spectral width while suppressing multimode oscillation and intensity noise by bonding a ring resonator to an optical fiber feedback system. CONSTITUTION:A laser light from a semiconductor laser 1 is also emitted to a feedback type optical fiber 2, and the laser 1 is controlled to be fed back to increase the narrow spectrum of the emitted light. A ring resonator 7 formed of an optical fiber is bonded to the fiber 1 to compositely feedback it. The mode interval is increased from 333MHz to 1.33GHz to emit the laser light preferably having a narrow width while substantially suppressing multimode oscillation and intensity noise.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、光通信特に光ヘテロダイン検波方式あるいは
光ホモダイン検波方式等のコヒーレント光通信方式に1
e用される半導体レーザに関するものである。
Detailed Description of the Invention (Field of Industrial Application) The present invention is applicable to optical communications, particularly coherent optical communications systems such as optical heterodyne detection systems or optical homodyne detection systems.
This invention relates to a semiconductor laser for use in electronic devices.

(従来技術) 光へテロダイン検波方式あるいは光ホモダイン検波方式
等のコヒーレント光通信では、周波数ゆらぎの少ない狭
いスペクトル幅の発振スペクトルを持つ光源が要求され
る。このためスペクトル幅の広い半導体レーザをコヒー
レント光通信の光源として用いる場合、狭スペクトル幅
化を行なう必要が有り、その一方法として外部光帰還系
により出射光を再び半導体レーザ内に帰還する方法が提
案されているi(菊池、大越、細用「光フィードバック
による半導体レーザのスペクトル純度の致方法として鏡
や回折格子を反射板として帰還系を構成するものと、光
ファイバで帰還系を構成するものが提案され、試作さt
lている。このうち、光ファイバを用いる方法は安定性
や系の大きさ等の点で、鏡や回折格子を用いる方法より
も優れている。この様な外部光帰還系を有する半導体レ
ーザの発振スペクトル幅は、帰還系での遅延時間が長い
ほど狭くなるため光ファイバを帰還系に使用する場合、
光ファイバの長さを長くすることによって狭いスペクト
ル幅の出射光を得ることができる。
(Prior Art) Coherent optical communication such as an optical heterodyne detection method or an optical homodyne detection method requires a light source having an oscillation spectrum with a narrow spectrum width and less frequency fluctuation. For this reason, when a semiconductor laser with a wide spectrum width is used as a light source for coherent optical communication, it is necessary to narrow the spectrum width, and one method proposed is to feed the emitted light back into the semiconductor laser using an external optical feedback system. I (Kikuchi, Ohkoshi, Reference ``Methods for improving the spectral purity of semiconductor lasers by optical feedback include configuring the feedback system using a mirror or diffraction grating as a reflector, and configuring the feedback system using an optical fiber.'') Proposed and prototyped
I'm there. Among these, the method using an optical fiber is superior to the method using a mirror or a diffraction grating in terms of stability, system size, etc. The oscillation spectrum width of a semiconductor laser having such an external optical feedback system becomes narrower as the delay time in the feedback system becomes longer, so when using an optical fiber for the feedback system,
By increasing the length of the optical fiber, output light with a narrow spectral width can be obtained.

ところが、帰還系の遅延時間が長くなると狭スペクトル
幅化は実現できる反面、帰還系の固有モード間隔で多モ
ード発振と強度雑音が発生し易くなる。しかしながら、
従来、光ファイバを用いた外部光帰還半導体レーザにお
いて、この多モード発振と強度雑音を抑圧し、かつ狭ス
ペクトル幅の出射光を得ることのできるものが無かった
However, when the delay time of the feedback system becomes longer, while narrowing the spectrum width can be achieved, multimode oscillation and intensity noise are more likely to occur in the eigenmode spacing of the feedback system. however,
Conventionally, there has been no external optical feedback semiconductor laser using an optical fiber that can suppress this multimode oscillation and intensity noise and can obtain output light with a narrow spectral width.

(発明の目的) 従って本発明の目的は、狭いスペクトル幅の出射光を得
るとともに、多モード発振と強度雑音の抑圧も同時に実
現できる光ファイバを用いた外部光帰還半導体レーザを
提供することである。
(Object of the Invention) Therefore, an object of the present invention is to provide an external optical feedback semiconductor laser using an optical fiber that can obtain emitted light with a narrow spectral width and simultaneously achieve multimode oscillation and suppression of intensity noise. .

(発明の構成) 本発明は半導体レーザからの出射光を光ファイバで構成
した外部光帰還系を伝播させて後、半導体レーザに帰還
させることにより出射光の狭スペクトル幅化を図る光フ
ァイバを用いた外部光帰還半導体レーザにおいて、外部
光帰還系に光ファイバで形成されたリング共振器を接合
したことを特徴とする。
(Structure of the Invention) The present invention uses an optical fiber to narrow the spectrum width of the emitted light by propagating the emitted light from the semiconductor laser through an external optical feedback system composed of an optical fiber and then returning it to the semiconductor laser. This external optical feedback semiconductor laser is characterized in that a ring resonator formed of an optical fiber is connected to the external optical feedback system.

(発明の原理) 光ファイバを用いた外部光帰還半導体レーザにおいて、
半導体レーザからの出射光を光ファイバで構成された帰
還系に入射させ、この帰還系で入射光が再び半導体レー
ザに戻るまでの遅延時間をτ(see)とする。またこ
の帰還系内には光ファイバを用いたリング共振器が形成
されており、共振周波数は1/τ(Hz )以上に設定
されている。
(Principle of the invention) In an external optical feedback semiconductor laser using an optical fiber,
The emitted light from the semiconductor laser is made incident on a feedback system composed of an optical fiber, and the delay time until the incident light returns to the semiconductor laser again in this feedback system is defined as τ(see). A ring resonator using an optical fiber is formed in this feedback system, and the resonant frequency is set to 1/τ (Hz) or more.

そこで説明を簡単にするために、光ファイバを用いたリ
ング共振器(以下リング共振器)の共振周波数を4/τ
(Hz)とする。これにより、リング共振器を含まない
時の帰還系の共振周波数のモード間隔と、リング共振器
のモード間隔の比は1対4となる。そしてリング共振器
を含んだ帰還系全体では、4/τ(Hz)おきのモード
以外は帰還光強度が弱められることになる。すなわち、
リング共振器を含んだ帰還系のモード間隔は、リング共
振器を含まない場合に対して実質的に4倍の広がりを持
つことになる。ところが、この帰還系の遅延時間は、リ
ング共振器の有無に関係なくて(sec )であるため
、スペクトル幅を狭くする効果は低下しない。
Therefore, in order to simplify the explanation, the resonant frequency of a ring resonator (hereinafter referred to as a ring resonator) using an optical fiber is 4/τ
(Hz). As a result, the ratio of the mode spacing of the resonance frequency of the feedback system when the ring resonator is not included to the mode spacing of the ring resonator becomes 1:4. In the entire feedback system including the ring resonator, the intensity of the feedback light is weakened except for the modes every 4/τ (Hz). That is,
The mode spacing of the feedback system including the ring resonator is substantially four times as wide as that of the feedback system not including the ring resonator. However, since the delay time of this feedback system is (sec) regardless of the presence or absence of the ring resonator, the effect of narrowing the spectrum width does not decrease.

この様にモード間隔を広げた帰還系を使用することによ
って次の2つの利点が得られる。まず、リング共振器の
無い帰還系を用いた場合、半導体レーザの発掘利得帯域
内に多数の帰還系のモードが存在するため、多モード発
振が生じやすくなるが、リング共振器を有する帰還系を
使用することによってモード数が実質的に減少するので
多モード発振が抑圧できる。また、外部光帰還半導体レ
ーザでは帰還系のモード間隔ごとに強度雑音が発生しや
すいが、この点もリング共振器を有する帰還系を使用す
ることによって強度雑音の発生する周波数間隔を広げる
ことができる。この効果により、一定の周波数帯域内で
強度雑音の低減を実現できることになる。
By using a feedback system with widened mode spacing in this way, the following two advantages can be obtained. First, when using a feedback system without a ring resonator, there are many modes of the feedback system within the excavated gain band of the semiconductor laser, so multimode oscillation is likely to occur. By using this, the number of modes is substantially reduced, so multimode oscillation can be suppressed. In addition, in external optical feedback semiconductor lasers, intensity noise is likely to occur at each mode interval in the feedback system, but by using a feedback system with a ring resonator, it is possible to widen the frequency interval at which intensity noise occurs. . This effect makes it possible to reduce intensity noise within a certain frequency band.

(実施例) 第1図は本発明の第1の実施例を示す構成図である。a
t図において、半導体レーザ1は発振波長が15μmで
、直流電源9により駆動されている。この半導体レーザ
1の一方の端面からの第1の出射光20は、レンズ4を
経て単一モードファイバによって構成された帰還系ファ
イバ2に入射される。帰還系ファイバ2の端面7は光軸
に対して垂直で、かつミラーが形成されているため、入
射光は端面7で反射して再び入射側端面22に戻り、レ
ンズ4を経て半導体レーザ1に帰還される。
(Embodiment) FIG. 1 is a block diagram showing a first embodiment of the present invention. a
In the figure t, the semiconductor laser 1 has an oscillation wavelength of 15 μm and is driven by a DC power supply 9. A first emitted light 20 from one end face of the semiconductor laser 1 passes through a lens 4 and enters a feedback fiber 2 constituted by a single mode fiber. Since the end face 7 of the feedback fiber 2 is perpendicular to the optical axis and is formed with a mirror, the incident light is reflected at the end face 7 and returns to the incident side end face 22, and passes through the lens 4 to the semiconductor laser 1. will be returned.

半導体レーザ1の反対側の端面からの第2の出射光21
は、レンズ3を経て伝送用ファイバ8に入射される。
Second emitted light 21 from the opposite end facet of the semiconductor laser 1
is incident on the transmission fiber 8 through the lens 3.

帰還系ファイバ2には、図に示すように光ファイバで形
成されたリング共振器6が、光ファイバを融着すること
によって接合でれている。帰還系ファイバ2の長さは3
0c′IrLであり、またリング共振器6のループ長は
15crrLである。ここで、リング共振器6を付加す
ることによって、帰還系の共振周波数のモード間隔が変
化する様子を第2図により説明する。この図では、半導
体レーザ1の発根利得帯域内(第2図(a))での帰還
系のモードが示されている。リング共振器6が無い時の
帰還系のモード間隔は、第2図(b)の様にfo = 
333 MHzとなっている〆(ファイバ内屈折率を1
5とした値)。一方、リング共振器6のモード間隔は第
2図(c)の様に4fo=1.33GHzであるため、
コレラ帰還系に接合すると第2図(d)の様f!1.3
3GHzおきのモード以外は、弱められた複合帰還系が
構成される。つまり、リング共振器6の付加により、複
合帰還系のモード間隔は実質的に333MHzから1.
33GHzKm大されたわけである。
As shown in the figure, a ring resonator 6 formed of an optical fiber is connected to the feedback fiber 2 by fusing the optical fiber. The length of the feedback fiber 2 is 3
0c'IrL, and the loop length of the ring resonator 6 is 15crrL. Here, how the mode spacing of the resonance frequency of the feedback system changes by adding the ring resonator 6 will be explained with reference to FIG. This figure shows the mode of the feedback system within the rooting gain band of the semiconductor laser 1 (FIG. 2(a)). The mode spacing of the feedback system when there is no ring resonator 6 is fo =
333 MHz (the refractive index inside the fiber is 1)
(value set at 5). On the other hand, since the mode spacing of the ring resonator 6 is 4fo=1.33GHz as shown in FIG. 2(c),
When connected to the cholera return system, f! 1.3
A weakened composite feedback system is configured except for the modes every 3 GHz. In other words, by adding the ring resonator 6, the mode spacing of the composite feedback system is substantially increased from 333 MHz to 1.
This means that the frequency has been increased by 33GHzKm.

次に、この様なリング共振器6の付加により多モード発
振の抑圧と強度雑音の低減が実現される半導体レーザが
得られることを第3図を用いて説明する。まず、帰還系
にリング共振器6が無い状態では、第3図(a)の様に
f。=333MHz間隔で多モード発振が生じやすく、
シたがって、筆3図(b)の様にf。”” 333 M
Hz間隔で強度雑音が発生しやすい。こhに対し、リン
グ共振器6を付加して複合帰還系とした場合、第31f
flfc)の様に多モード発振は抑圧され、筆3図(d
)の様に強度雑音の発生する周波数間隔は4 fo =
1.33GH2となる。また、このリング共振56が付
加されたW9合でも帰還系の遅延時間は不変であるため
、スペクトル幅の過剰な広がりは生じない。
Next, it will be explained with reference to FIG. 3 that by adding such a ring resonator 6, a semiconductor laser can be obtained in which multimode oscillation is suppressed and intensity noise is reduced. First, when there is no ring resonator 6 in the feedback system, f as shown in FIG. 3(a). = Multimode oscillation is likely to occur at 333MHz intervals,
Therefore, f as shown in Figure 3 (b). "" 333 M
Intensity noise tends to occur at Hz intervals. In contrast, if a ring resonator 6 is added to form a composite feedback system, the 31st f.
The multimode oscillation is suppressed as shown in Figure 3 (d).
), the frequency interval at which intensity noise occurs is 4 fo =
It becomes 1.33GH2. Further, even in the case of W9 in which the ring resonance 56 is added, the delay time of the feedback system remains unchanged, so that excessive broadening of the spectrum width does not occur.

第4図は、本発明の第2の実施例を示す図である。この
@2の実施例が第1の実施例と選なる点は、帰還系で第
1の実施例ではファイバの端面反射を利用していたのに
対し、第2の実施例ではファイバのループを利用してい
ることである。すなわち、第4図において半導体レーザ
1からの@1の出射光20はループ状の帰還系ファイバ
IIに入射され、方向性結合器12によって再び入射端
に戻り、半導体レーザ1に帰還づれる。帰償系ファイバ
11の端面15は無反射端面となる様に、光軸に対して
斜に切断されている。リング共振器6が付加されていな
い時の帰還系の長さを6oα。
FIG. 4 is a diagram showing a second embodiment of the present invention. The reason why this @2 embodiment is selected from the first embodiment is that in the feedback system, the first embodiment uses the end face reflection of the fiber, whereas the second embodiment uses the fiber loop. It is something that is being used. That is, in FIG. 4, the @1 emitted light 20 from the semiconductor laser 1 enters the loop-shaped feedback fiber II, returns to the input end again by the directional coupler 12, and is fed back to the semiconductor laser 1. The end face 15 of the return fiber 11 is cut obliquely to the optical axis so as to be a non-reflective end face. The length of the feedback system when the ring resonator 6 is not added is 6oα.

リング共振器6のループの長さを15函とすることによ
り、複合帰還系のモード間隔には、第1の実施例と同一
の変化が生じる。これにより、発振スペクトル及び強度
雑音も第1の実施例と同様に第3図に示される様な改善
が行なわれることになる。
By setting the loop length of the ring resonator 6 to 15 boxes, the same change as in the first embodiment occurs in the mode spacing of the composite feedback system. As a result, the oscillation spectrum and intensity noise are improved as shown in FIG. 3, as in the first embodiment.

なお、上記両実施例とも、リング共振器6の共振周波数
は、帰還系の共振周波数の4倍としたが、更に高い共振
周波数に設定することにより、多モード発振抑圧と強度
雑音低減の効果はより大きくなる。なお、より幅の狭い
スペクトルを得る必要が有る場合は、帰還系のファイバ
長を更に長くすればよい。
In both of the above embodiments, the resonant frequency of the ring resonator 6 was set to four times the resonant frequency of the feedback system, but by setting the resonant frequency to an even higher resonant frequency, the effect of multimode oscillation suppression and intensity noise reduction can be improved. Become bigger. Note that if it is necessary to obtain a narrower spectrum, the fiber length of the feedback system may be further increased.

帰還系ファイバ2,11の端面7.15からは、半導体
レーザに帰還きれない光が一部出射しているので、これ
を波長やスペクトルのモニタ光として利用することもで
きる。また、両実施例では、リング共振器を1個だけ付
加しているが、これを複数にすることによって不必要な
モードのより強い抑圧が可能となる。
Since a portion of the light that cannot be returned back to the semiconductor laser is emitted from the end faces 7.15 of the feedback fibers 2 and 11, this can also be used as wavelength and spectrum monitoring light. Further, in both embodiments, only one ring resonator is added, but by adding a plurality of ring resonators, unnecessary modes can be suppressed more strongly.

本発明に関しては以上の実施例の他に、いくつかの変形
が考えられる。たとえば、@遣系ファイバ2,11には
、単一モードファイバを使用したが、これを偏波保存フ
ァイバを使用することによって、温度変動等に依存した
ファイバ内での偏波変動による帰還光強度の変化を抑圧
することが可能となる。
Regarding the present invention, several modifications are possible in addition to the above-described embodiments. For example, single-mode fibers were used for sending fibers 2 and 11, but by using polarization-maintaining fibers, the return light intensity due to polarization fluctuations within the fibers depending on temperature fluctuations, etc. It becomes possible to suppress changes in

(発明の効果) 以上詳しく説明してきた様に、本発明により出射光の狭
スペクトル幅化と同時に、多モード発振の抑圧と強度雑
音の低減が可能な光ファイバを用いた外部光帰還半導体
レーザを得ることができる。
(Effects of the Invention) As explained in detail above, the present invention provides an external optical feedback semiconductor laser using an optical fiber that can narrow the spectral width of the emitted light, suppress multimode oscillation, and reduce intensity noise. Obtainable.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の第1の実施例を示す構成図、第2図(
a) 、 (b) 、 (c) 、 (d)は実施例に
おける帰還系のモード数低減の様子を示す図、第3図(
a) 、 (b) 、 (C) 。 (d)は実施例の発振スペクトルと強度雑音改善の様子
を示す図、第4図は本発明の第2の実施例を示す構成図
である。 1・・・・・・半導体レーザ、2.11・・・・・・帰
還系ファイバ、3.4・・・・・・レンズ、6・・・・
・・リング共振器、8・・・・・・伝送用ファイバ、9
・・・・・・直流電源、12.・・・・・方向性結合器
、20・・・・・・第1の出射光、21・・・・・・第
2の出射光、22.25・・・・・・入射端面。 庇 代理人 弁理士  内 原   日 ;六 恕 α) 栓 、4、岐    頷紳
FIG. 1 is a configuration diagram showing a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 (
a), (b), (c), and (d) are diagrams showing how the number of modes in the feedback system is reduced in the example, and Fig. 3 (
a), (b), (C). (d) is a diagram showing the oscillation spectrum and intensity noise improvement of the embodiment, and FIG. 4 is a configuration diagram showing the second embodiment of the present invention. 1...Semiconductor laser, 2.11...Return system fiber, 3.4...Lens, 6...
...Ring resonator, 8...Transmission fiber, 9
・・・・・・DC power supply, 12. ...Directional coupler, 20...First emitted light, 21...Second emitted light, 22.25...Incidence end surface. Protective Agent Patent Attorney Uchihara Hi; Rokuken α) Bon, 4, Ki Nozu

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 半導体レーザからの出射光を、光ファイバで構成した外
部光帰還系を伝搬させて再び半導体レーザに帰還させる
ことにより、前記出射光の狭いスペクトル幅化を行なう
光ファイバを用いた外部光帰還半導体レーザにおいて、
光ファイバで形成されたリング共振器を前記外部光帰還
系に接合したことを特徴とする光ファイバを用いた外部
光帰還半導体レーザ。
An external optical feedback semiconductor laser using an optical fiber, which narrows the spectrum width of the emitted light by propagating the emitted light from the semiconductor laser through an external optical feedback system composed of an optical fiber and returning it to the semiconductor laser. In,
An external optical feedback semiconductor laser using an optical fiber, characterized in that a ring resonator formed of an optical fiber is joined to the external optical feedback system.
JP19702085A 1985-09-05 1985-09-05 External light feedback semiconductor laser using optical fiber Pending JPS6255983A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19702085A JPS6255983A (en) 1985-09-05 1985-09-05 External light feedback semiconductor laser using optical fiber

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19702085A JPS6255983A (en) 1985-09-05 1985-09-05 External light feedback semiconductor laser using optical fiber

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6255983A true JPS6255983A (en) 1987-03-11

Family

ID=16367431

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP19702085A Pending JPS6255983A (en) 1985-09-05 1985-09-05 External light feedback semiconductor laser using optical fiber

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6255983A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02106083A (en) * 1988-10-14 1990-04-18 Tokyo Koku Keiki Kk Device for constricting spectrum line width of semiconductor laser
WO2009104469A1 (en) * 2008-02-19 2009-08-27 日本電気株式会社 Wavelength-variable light source

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02106083A (en) * 1988-10-14 1990-04-18 Tokyo Koku Keiki Kk Device for constricting spectrum line width of semiconductor laser
WO2009104469A1 (en) * 2008-02-19 2009-08-27 日本電気株式会社 Wavelength-variable light source
US8379300B2 (en) 2008-02-19 2013-02-19 Nec Corporation Wavelength-variable light source with dual resonator loop circuit
JP5375620B2 (en) * 2008-02-19 2013-12-25 日本電気株式会社 Tunable light source

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0489847B1 (en) Interferometer utilizing superfluorescent optical source
CA2369727A1 (en) Pump light source device for optical raman amplification and optical raman amplification system using the same
JP2000036630A (en) Optical signal surface
US4831631A (en) Laser transmitter comprising a semiconductor laser and an external resonator
JP3857868B2 (en) Semiconductor laser module
JP3760129B2 (en) Single mode fiber ring laser
JPS6255983A (en) External light feedback semiconductor laser using optical fiber
EP1518305B1 (en) A back reflection insensitive electro-optical interface and a method of coupling the same to a waveguide
EP3920346A1 (en) Self-injection locked stimulated brillouin scattering laser
JPH11289130A (en) Outer resonator type laser
JPH01291480A (en) Semiconductor laser with external resonator
JP2683307B2 (en) Optical fiber ring laser
KR100559057B1 (en) Millimeter wave generator using fiber bragg grating
US6886995B2 (en) Back reflection insensitive electro-optical interface and a method of coupling the same to a waveguide
JPH0964440A (en) Optical fiber laser
JP2717218B2 (en) Laser oscillation device
KR100281642B1 (en) Inductive Brillouin Scattering and Erbium Multi Wavelength Generator
JPH1168233A (en) Variable wavelength laser light source
JPH01143380A (en) Optical fiber for fiber laser
JP2875537B2 (en) Frequency multiplexing optical communication detector
JP2001520409A (en) Optical transmitter with wavelength stable tunable laser source
JP2701611B2 (en) Same wavelength bidirectional transceiver module
JPH0137868B2 (en)
JPH09293921A (en) Solid state laser device stimulated by semiconductor laser
JPS6164182A (en) Optical feedback type semiconductor laser device