JPS6227318A - Ｓｉｏ微粉末の製造方法およびその装置 - Google Patents
Ｓｉｏ微粉末の製造方法およびその装置Info
- Publication number
- JPS6227318A JPS6227318A JP60165676A JP16567685A JPS6227318A JP S6227318 A JPS6227318 A JP S6227318A JP 60165676 A JP60165676 A JP 60165676A JP 16567685 A JP16567685 A JP 16567685A JP S6227318 A JPS6227318 A JP S6227318A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- sio
- vapor
- carbon
- heat treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01F—COMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
- C01F11/00—Compounds of calcium, strontium, or barium
- C01F11/20—Halides
- C01F11/22—Fluorides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01F—COMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
- C01F7/00—Compounds of aluminium
- C01F7/02—Aluminium oxide; Aluminium hydroxide; Aluminates
- C01F7/38—Preparation of aluminium oxide by thermal reduction of aluminous minerals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G25/00—Compounds of zirconium
- C01G25/02—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
- C01P2004/04—Particle morphology depicted by an image obtained by TEM, STEM, STM or AFM
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/80—Compositional purity
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geology (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、ＳｉＯ粉末の製造方法およびその装置に関す
るもので、とくに、０．１ μＩ以下の超微細アモルフ
ァス状のＳｉＯ粉末を製造する方法および装置に関する
ものである。
るもので、とくに、０．１ μＩ以下の超微細アモルフ
ァス状のＳｉＯ粉末を製造する方法および装置に関する
ものである。
ＳｉＯ粉末は、５ｔ３Ｌ、ｓｉｃといった近年非常に注
目されているファインセラミックス粉末の原料となり得
るものであり、とりわけ本発明で得られるような５ｉｆ
ｔ？）末は０．１ μｍ以下という微細なもので、極め
て活性に富み、セラミックス合成用原料として工業的利
用価値は非常に高い。
目されているファインセラミックス粉末の原料となり得
るものであり、とりわけ本発明で得られるような５ｉｆ
ｔ？）末は０．１ μｍ以下という微細なもので、極め
て活性に富み、セラミックス合成用原料として工業的利
用価値は非常に高い。
（従来の技術）
ＳｉＯＨ粉末の製造に関する従来技術としては、例えば
特公昭５９−５０６０１号公翰に開示されているように
、５ｉ（ｈと炭素、あるいは、５ｉｆｔと金属Ｓｉの混
合物を１５００℃以上の高温度の減圧下で反応させてＳ
ｉＯｉ気を発生させ、該ＳｉＯｉ気を還元窒化また、還
元炭化もしくは減圧した酸素雲囲気内に断熱膨張で噴射
させることにより、粒径０．１ μｍ以下のアモルファ
ス状ｓｉｏ徽粉末を得る方法およびそのための’５ＢＴ
ｌが知られている。
特公昭５９−５０６０１号公翰に開示されているように
、５ｉ（ｈと炭素、あるいは、５ｉｆｔと金属Ｓｉの混
合物を１５００℃以上の高温度の減圧下で反応させてＳ
ｉＯｉ気を発生させ、該ＳｉＯｉ気を還元窒化また、還
元炭化もしくは減圧した酸素雲囲気内に断熱膨張で噴射
させることにより、粒径０．１ μｍ以下のアモルファ
ス状ｓｉｏ徽粉末を得る方法およびそのための’５ＢＴ
ｌが知られている。
（発明が解決しようとする問題点）
上述したＳｉＯ！粉末製造に関する従来技術は、少量生
産の場合であれば良いが、多量に製造しようとすると、
ＳｉＯｉ気を搬送するためのパイプが凝縮したＳｉＯに
よって閉塞したりする。しかも、断熱膨張で噴射させる
ためのノズルがＳｉＯｉ気によって侵食されてノズルと
しての役割を果たさなくなったり、反応物がノズルの部
分に蓄積して閉塞してしまう場合もあり、断熱膨張によ
ってＳｉＯｉ粉末を得る方法は真に工業化・量産化に適
した製造方法・装置とは言えない。
産の場合であれば良いが、多量に製造しようとすると、
ＳｉＯｉ気を搬送するためのパイプが凝縮したＳｉＯに
よって閉塞したりする。しかも、断熱膨張で噴射させる
ためのノズルがＳｉＯｉ気によって侵食されてノズルと
しての役割を果たさなくなったり、反応物がノズルの部
分に蓄積して閉塞してしまう場合もあり、断熱膨張によ
ってＳｉＯｉ粉末を得る方法は真に工業化・量産化に適
した製造方法・装置とは言えない。
本発明は、ＳｉＯＨ粉末を製造する方法および装置に関
しての上記従来技術のもつ問題点が克服できると共に０
．１ μｍ以下という極めて微細のＳｉＯｉ粉末の量産
化に適した製造方法および装置を提供することを目的と
する。
しての上記従来技術のもつ問題点が克服できると共に０
．１ μｍ以下という極めて微細のＳｉＯｉ粉末の量産
化に適した製造方法および装置を提供することを目的と
する。
（問題点を解決するための手段）
本発明者らは、Ｓｉ島島原原料、炭素含有物および／ま
たは金属珪素粉末との混合物からＳｉＯｉ粉末を製造す
る手段について種々検討した。その結果、前述の従来製
造方法における断熱膨張で噴射させるという製造技術上
の繁雑さや困難さなしに容易に０．１ μ−以下のＳｉ
Ｏ’Ｉｈ粉末が得られる方法として前記混合粉末等を減
圧下で熱処理してＳｉＯｉ気を発生させ、そのＳｉＯｉ
気を非酸化性ガスを用いて気相中で凝縮させた場合、０
．１ μｍ以下の極めて微細なＳｉＯｉ末が安定して量
産化できることを見出した。
たは金属珪素粉末との混合物からＳｉＯｉ粉末を製造す
る手段について種々検討した。その結果、前述の従来製
造方法における断熱膨張で噴射させるという製造技術上
の繁雑さや困難さなしに容易に０．１ μ−以下のＳｉ
Ｏ’Ｉｈ粉末が得られる方法として前記混合粉末等を減
圧下で熱処理してＳｉＯｉ気を発生させ、そのＳｉＯｉ
気を非酸化性ガスを用いて気相中で凝縮させた場合、０
．１ μｍ以下の極めて微細なＳｉＯｉ末が安定して量
産化できることを見出した。
すなわち、本発明法の要旨構成とするところは、第１に
、ＳｉＯ□系原料と炭素含有物および／または金属珪素
粉末との混合物を、０．１気圧以下に減圧した非酸化性
雰囲気中の１３００〜２０００℃の温度域で熱処理し、
ＳｉＯの蒸気を発生させ、ＡｉＳ’１０蒸気を前記非酸
化性ガスにより凝縮させかつ搬送し、ＳｉＯｉ末として
回収することにより、０．１ μｍ以下のＳｉＯｉ粉末
を製造すること、 第２に、ＳｉＯ２系原料と炭素含有物および／または金
属珪素粉末との混合物を、０．１気圧以下に減圧した非
酸化性雰囲気中の１３００〜２０００℃の温度域で熱処
理し、ＳｉＯの蒸気を発生させ、該ＳｉＯｉ気を前記非
酸化性ガスにより凝縮させかつ搬送し、ＳｉＯｉ末とし
て回収する一方で、減圧熱処理された原料の残部をも別
に回収することを特徴とする点にある。
、ＳｉＯ□系原料と炭素含有物および／または金属珪素
粉末との混合物を、０．１気圧以下に減圧した非酸化性
雰囲気中の１３００〜２０００℃の温度域で熱処理し、
ＳｉＯの蒸気を発生させ、ＡｉＳ’１０蒸気を前記非酸
化性ガスにより凝縮させかつ搬送し、ＳｉＯｉ末として
回収することにより、０．１ μｍ以下のＳｉＯｉ粉末
を製造すること、 第２に、ＳｉＯ２系原料と炭素含有物および／または金
属珪素粉末との混合物を、０．１気圧以下に減圧した非
酸化性雰囲気中の１３００〜２０００℃の温度域で熱処
理し、ＳｉＯの蒸気を発生させ、該ＳｉＯｉ気を前記非
酸化性ガスにより凝縮させかつ搬送し、ＳｉＯｉ末とし
て回収する一方で、減圧熱処理された原料の残部をも別
に回収することを特徴とする点にある。
そして、上記各方法の実施に使用する装置として、５ｉ
Ｏｚ粉末またはＳｉＯ２系原料と炭素含有物および／ま
たは金属珪素粉末との混合物を減圧加熱処理するための
炉と、ＳｉＯｉ末を回収するための回収装置と、炉と回
収装置との間を接続する見回の搬送路とからなり、前記
炉には、その中を非酸化性雰囲気に保持すると共に発生
したＳｉＯｉ気あるいは凝縮したＳｉＯｉ末を回収装置
まで搬送するために設置した非酸化性ガス導入管および
加熱装置を設けてなる容器を収容し、一方前記回収装に
内にはフィルターを設置してなるＳｔＯ微粉末の製造装
置を提緊する。
Ｏｚ粉末またはＳｉＯ２系原料と炭素含有物および／ま
たは金属珪素粉末との混合物を減圧加熱処理するための
炉と、ＳｉＯｉ末を回収するための回収装置と、炉と回
収装置との間を接続する見回の搬送路とからなり、前記
炉には、その中を非酸化性雰囲気に保持すると共に発生
したＳｉＯｉ気あるいは凝縮したＳｉＯｉ末を回収装置
まで搬送するために設置した非酸化性ガス導入管および
加熱装置を設けてなる容器を収容し、一方前記回収装に
内にはフィルターを設置してなるＳｔＯ微粉末の製造装
置を提緊する。
かかる製造装置の具体的構成を第１図と第２図に示す概
念図をもとに説明する。第１図において、１は原料混合
物を減圧加熱処理するための炉（真空炉）であり、必要
に応じて断熱材が内張すされあるいは水冷されている。
念図をもとに説明する。第１図において、１は原料混合
物を減圧加熱処理するための炉（真空炉）であり、必要
に応じて断熱材が内張すされあるいは水冷されている。
２は前記混合物を入れるための、容器（ルツボ）である
、３は加熱１７誼であり、高周波コイルあるいは砥抗加
熱用ヒーター等を用いる。４は炉内および容器内に外部
から非酸化性ガスを導入するための導入管である。５は
ＳｉＯ茎気が気相凝縮した結果、生成するＳｉＯ微粉末
を補集するためのフードであり、６はそれを区送するた
めの（バイブ）である。７は、ｓ；ｏ倣＄分末の回収装
置の胴部で、８は回収用のフィルターである。９はＳ
ｉ Ｏ倣ｔ＞３未搬出用のノ＼ルブである。
、３は加熱１７誼であり、高周波コイルあるいは砥抗加
熱用ヒーター等を用いる。４は炉内および容器内に外部
から非酸化性ガスを導入するための導入管である。５は
ＳｉＯ茎気が気相凝縮した結果、生成するＳｉＯ微粉末
を補集するためのフードであり、６はそれを区送するた
めの（バイブ）である。７は、ｓ；ｏ倣＄分末の回収装
置の胴部で、８は回収用のフィルターである。９はＳ
ｉ Ｏ倣ｔ＞３未搬出用のノ＼ルブである。
１０は真空排出用の真空ポンプに接続するためのパイプ
である。
である。
次に第２図の例は、横型の炉の場合を示し、第１図と同
一の符号は同じ構造を示している。なお、４′は炉外か
ら非酸化性ガスを注入するための導入管であるが、第１
図とは異なり、多数個のガス導入口を設けても良い、そ
して、１１はＳｉＯ９粉末を効率的に回収するためのマ
ツフルであり、６′はマンフル１１と回収ＨＷとをつな
ぐ搬送するためのパイプ状殿送路である。第１図と第２
図におけるＳｉＯｐ粉末回収としてフィルタータイプの
装置を示したが、その他にサイクロン方式、コットレル
タイプの電気集塵装置なども適用可能であり、さらには
、これらのｕ ｉＭの併用も好適に用いられる。
一の符号は同じ構造を示している。なお、４′は炉外か
ら非酸化性ガスを注入するための導入管であるが、第１
図とは異なり、多数個のガス導入口を設けても良い、そ
して、１１はＳｉＯ９粉末を効率的に回収するためのマ
ツフルであり、６′はマンフル１１と回収ＨＷとをつな
ぐ搬送するためのパイプ状殿送路である。第１図と第２
図におけるＳｉＯｐ粉末回収としてフィルタータイプの
装置を示したが、その他にサイクロン方式、コットレル
タイプの電気集塵装置なども適用可能であり、さらには
、これらのｕ ｉＭの併用も好適に用いられる。
（作 用）
さて、課題解決のために採用した上記手段に関し、以下
にその構成の具体的内容を説明する。
にその構成の具体的内容を説明する。
本発明法の実施に際して原ネ４として用いる５ｉＯｚ系
原ギ４扮末は、特に限定されないが、ＳｉＯ□粉末とし
てはＳｉＯＱ気を効率良く発生させるためには、微細な
粉末の方が望ましい、また、得られるＳｉＯ微粉末を高
純度に維持するために、使用する５ｉｎ２粉宋も高純度
のものの方が良い０例えば天然の高純度石英粉末や水ガ
ラスに酸あるいは炭酸ガスを反応させて製造される；い
わゆる湿式法によるＳｉＯ□粉末などが好適である。ま
た、ＳｉＯ□を含む酸化物粉末も原料として有効である
。本発明に好適な５ｉ０２を含む酸化物としては、ジル
コン（ＺｒＯｚ・５ｉｆｔ）粉末、ムライト（３Ａｊ’
ｚＯｉ ・２ ＳｉＯ□）粉末、ワラストナイト（Ｃ
ａＯ−ＳｉＯｚ）粉末などがある。さらにはこうした成
分を含有する酸化物のガラス粉末も使用可能である。こ
れらのＳｉＯ□を含む酸化物のうち最も本発明法に好適
なものはジルコン（ＺｒＱｚ・Ｓｉｎｇ）粉末である。
原ギ４扮末は、特に限定されないが、ＳｉＯ□粉末とし
てはＳｉＯＱ気を効率良く発生させるためには、微細な
粉末の方が望ましい、また、得られるＳｉＯ微粉末を高
純度に維持するために、使用する５ｉｎ２粉宋も高純度
のものの方が良い０例えば天然の高純度石英粉末や水ガ
ラスに酸あるいは炭酸ガスを反応させて製造される；い
わゆる湿式法によるＳｉＯ□粉末などが好適である。ま
た、ＳｉＯ□を含む酸化物粉末も原料として有効である
。本発明に好適な５ｉ０２を含む酸化物としては、ジル
コン（ＺｒＯｚ・５ｉｆｔ）粉末、ムライト（３Ａｊ’
ｚＯｉ ・２ ＳｉＯ□）粉末、ワラストナイト（Ｃ
ａＯ−ＳｉＯｚ）粉末などがある。さらにはこうした成
分を含有する酸化物のガラス粉末も使用可能である。こ
れらのＳｉＯ□を含む酸化物のうち最も本発明法に好適
なものはジルコン（ＺｒＱｚ・Ｓｉｎｇ）粉末である。
また、この他に５ｉＯｚ成分を含む物質も原料として有
効である。
効である。
なお、こうした５ｉ（ｈを含む酸化物を用いる場合、Ｓ
ｉＯ蒸気としてＳｉＯ成分のみを揮発させた後、原料の
残部成分、すなわちジルコン粉末からはジルコニア（Ｚ
ｒＯ□）を、ムライト粉末からはアルミナ（ＡＪ、Ｏ，
）を、そしてワラストナイト粉末からカルシア（ＣａＯ
）を同時に回収することができる。
ｉＯ蒸気としてＳｉＯ成分のみを揮発させた後、原料の
残部成分、すなわちジルコン粉末からはジルコニア（Ｚ
ｒＯ□）を、ムライト粉末からはアルミナ（ＡＪ、Ｏ，
）を、そしてワラストナイト粉末からカルシア（ＣａＯ
）を同時に回収することができる。
これらの場合、不純物成分が、減圧下の熱処理によって
ＳｉＯと一諸に揮発するので、高純度な酸化物が得られ
る。
ＳｉＯと一諸に揮発するので、高純度な酸化物が得られ
る。
次に本発明においては、以上のＳｉＯ２系原料に対して
炭素含有物を混合するが、炭素含有物としては石油コー
クスや石炭ピッチ、カーボンブランク、各種打栓樹脂な
どいずれを用いても本発明の目的は達成される。
炭素含有物を混合するが、炭素含有物としては石油コー
クスや石炭ピッチ、カーボンブランク、各種打栓樹脂な
どいずれを用いても本発明の目的は達成される。
また、炭素含有物のかわりに金属珪素粉末を用いても同
様であり、そして炭素含有物と金属珪素粉末を同時に混
合しても同様である。
様であり、そして炭素含有物と金属珪素粉末を同時に混
合しても同様である。
次に本発明においては、ＳｉＯ□系原料と、炭素含有物
および／または金属珪素粉末とを充分に混合し、混合粉
末のままあるいはそれを成形体にして、０．１気圧以下
の非酸化性ガス気の減圧下１３００〜２０００℃の温度
範囲で熱処理を行う、雰囲気内の圧力は、効率的にＳｉ
Ｏ蒸気を発生させるためには、以下にのべるとおり０．
１気圧以下にする必要がある。
および／または金属珪素粉末とを充分に混合し、混合粉
末のままあるいはそれを成形体にして、０．１気圧以下
の非酸化性ガス気の減圧下１３００〜２０００℃の温度
範囲で熱処理を行う、雰囲気内の圧力は、効率的にＳｉ
Ｏ蒸気を発生させるためには、以下にのべるとおり０．
１気圧以下にする必要がある。
例えばＳｉ０ｇ粉末と炭素含有物、あるいは金属Ｓｉ粉
末とを混合し、高温で熱処理した場合、下記（１）。
末とを混合し、高温で熱処理した場合、下記（１）。
（２）式により、それぞれ反応が進行し、ＳｉＯ□蒸気
が発生する。
が発生する。
５ｉＯｚ （ｊ’、ｓ） ＋Ｃ（ｓ）−ＳｉＯ（ｇ）
’−Ｃｏ（ｇ） −−−（１１ＳｉＯｗ （Ｌｓ
） ＋５ｉ（ｓ） −２該Ｏｚ（ｇ） −−−
（２）（１）式の反応を１気圧で継続して進行させるた
めに必要な熱力学的温度は、１７５０°Ｃ以上である。
’−Ｃｏ（ｇ） −−−（１１ＳｉＯｗ （Ｌｓ
） ＋５ｉ（ｓ） −２該Ｏｚ（ｇ） −−−
（２）（１）式の反応を１気圧で継続して進行させるた
めに必要な熱力学的温度は、１７５０°Ｃ以上である。
ところが上記したような減圧雰囲気にすれば、（１）弐
の反応を進行させるために必要な熱力学的な温度は、例
えば０．１気圧下では１６４０’ｃ、０．０１気圧下で
は１５４０℃となり、圧力を１桁下れば、反応に必要な
熱処理温度は１００℃前後低下することがわかる。
の反応を進行させるために必要な熱力学的な温度は、例
えば０．１気圧下では１６４０’ｃ、０．０１気圧下で
は１５４０℃となり、圧力を１桁下れば、反応に必要な
熱処理温度は１００℃前後低下することがわかる。
このことからｆｉｌ、 （２１式の反応を減圧下で行え
ば、低温度、短時間で熱処理ができ、ＳｉＯ茎気を効率
良（発生させることができる。
ば、低温度、短時間で熱処理ができ、ＳｉＯ茎気を効率
良（発生させることができる。
次に、炉内反応域の雰囲気としては、Ｎｌ 、Ａｒ。
ＣＯなどの非酸化性雰囲気が好適である。そして雰囲気
内における熱処理の温度として、１３００〜２０００℃
の範囲を採用する理由は、１３００℃以下ではＳｉＯ蒸
気は発生しないからであり、２０００℃以上では、Ｓｉ
Ｏ蒸気の発生には充分な温度であるが、高温度すぎて、
原料酸化物の焼結が生じ、ＳｉＯ蒸気の発生が阻害され
たり、またエネルギーコストから考えて不経済であるか
ら、かかる１３００〜２０００℃の範囲に限定したので
ある。
内における熱処理の温度として、１３００〜２０００℃
の範囲を採用する理由は、１３００℃以下ではＳｉＯ蒸
気は発生しないからであり、２０００℃以上では、Ｓｉ
Ｏ蒸気の発生には充分な温度であるが、高温度すぎて、
原料酸化物の焼結が生じ、ＳｉＯ蒸気の発生が阻害され
たり、またエネルギーコストから考えて不経済であるか
ら、かかる１３００〜２０００℃の範囲に限定したので
ある。
以上の減圧熱処理条件でＳｉ０７ｇ気を発生させるが、
さらに、本発明は熱処理の際に外部から非酸化性ガスを
減圧熱処理のための炉の中に導入し、炉内で発生したＳ
ｉＯ蒸気を気相中で凝縮させると同時に気密状態の搬送
路を経て回収装置部へ搬送し、ｓｉｏ ｍ粉末として回
収する。このとき外部より炉内に導入する非酸化性ガス
としては、Ｎｚ 、Ａｒ。
さらに、本発明は熱処理の際に外部から非酸化性ガスを
減圧熱処理のための炉の中に導入し、炉内で発生したＳ
ｉＯ蒸気を気相中で凝縮させると同時に気密状態の搬送
路を経て回収装置部へ搬送し、ｓｉｏ ｍ粉末として回
収する。このとき外部より炉内に導入する非酸化性ガス
としては、Ｎｚ 、Ａｒ。
Ｃｏ 、 Ｈ，などのガスが好適である。こうした非酸
化性ガスを外部から導入する理由には以下の三つの目的
がある。
化性ガスを外部から導入する理由には以下の三つの目的
がある。
■ ＳｉＯ蒸気を効率良く被熱処理物からは送除去させ
る。
る。
■ ＳｉＯ蒸気を急冷することによって気相から急速に
凝縮させてＳｉＯを超微粉化させる。
凝縮させてＳｉＯを超微粉化させる。
■ 生成したＳｉＯ微粉末を気流に乗せて粉末回収装置
まで搬送させる。
まで搬送させる。
この点ＳｉＯ微粉末の製造方法に関しての従来技術であ
る特公昭５９〜５０６０１号公ｆＵによれば、ＳｉＯ蒸
気を先細ノズル、または末広ノズルを用いて０．６〜数
マツハの速度でノズルから噴射し、断熱膨張させること
るよって急冷し、ＳｉＯＱ粉末を得るとある。しかし、
本発明の場合、かような製造技術および製造装置上の繁
雑さなしに、単に外部から炉内に非酸化性ガスを３大す
ることによって発生したＳｉＯ蒸気を気相中でそのまま
凝縮・搬送させ、容易にＳｉＯＨ粉末を製造することが
可能である。
る特公昭５９〜５０６０１号公ｆＵによれば、ＳｉＯ蒸
気を先細ノズル、または末広ノズルを用いて０．６〜数
マツハの速度でノズルから噴射し、断熱膨張させること
るよって急冷し、ＳｉＯＱ粉末を得るとある。しかし、
本発明の場合、かような製造技術および製造装置上の繁
雑さなしに、単に外部から炉内に非酸化性ガスを３大す
ることによって発生したＳｉＯ蒸気を気相中でそのまま
凝縮・搬送させ、容易にＳｉＯＨ粉末を製造することが
可能である。
本発明においては、非酸化性ガスを注入する目的として
、前述の■〜■が挙げられるが、ＳｉＯ蒸気からのＳｉ
Ｏ粉末の生成の過程については、ＳｉＯ蒸気の被熱処理
物からの発生と同時に、注入した非酸化性ガスの急冷作
用によりＳｉＯ微粉末が気相中凝縮により生成すると考
えられる０以上の過程で生成したＳｉＯ微粉末を注入し
た非酸化性ガスの気流に乗せて粉末回収装置まで搬送さ
せることができる。
、前述の■〜■が挙げられるが、ＳｉＯ蒸気からのＳｉ
Ｏ粉末の生成の過程については、ＳｉＯ蒸気の被熱処理
物からの発生と同時に、注入した非酸化性ガスの急冷作
用によりＳｉＯ微粉末が気相中凝縮により生成すると考
えられる０以上の過程で生成したＳｉＯ微粉末を注入し
た非酸化性ガスの気流に乗せて粉末回収装置まで搬送さ
せることができる。
本発明にあっては、ＳｉＯ２系原料と炭素含有物および
／または金属珪素粉末との配合比を、モル比（Ｃ／５ｉ
Ｏｚ ＋ ｓｉ、／ ５ｉＯｚ 、 Ｃ＋Ｓｉ／Ｓ
ｉｎｇ）で表して０．４〜２．０の範囲内にすれば、さ
らに高回収率が達成される。この理由は、０．４よりも
少ないと、Ｃ，Ｓｉ といった還元剤が不足してｓ＋
ｏ微粉末の回収率が悪くなるからであり、逆に２．０よ
りも多いと、炭素含有物の場合にＳｉＣが生成したりし
てやはりＳｉＯｇ粉末の回収率が悪くなるからである。
／または金属珪素粉末との配合比を、モル比（Ｃ／５ｉ
Ｏｚ ＋ ｓｉ、／ ５ｉＯｚ 、 Ｃ＋Ｓｉ／Ｓ
ｉｎｇ）で表して０．４〜２．０の範囲内にすれば、さ
らに高回収率が達成される。この理由は、０．４よりも
少ないと、Ｃ，Ｓｉ といった還元剤が不足してｓ＋
ｏ微粉末の回収率が悪くなるからであり、逆に２．０よ
りも多いと、炭素含有物の場合にＳｉＣが生成したりし
てやはりＳｉＯｇ粉末の回収率が悪くなるからである。
また、発生するＳｉＯ茎気に対する外部から導入する非
酸化性ガスの体積比は、０．５〜５００の範囲内にする
ことにより、ＳｉＯ微粉末の回収率を向上させることが
できる。０．５よりも少ないと、発生したＳｉＯ蒸気あ
るいは凝縮したＳｉＯ粉末を被熱処理物から搬送するの
に非酸化性ガスの量が不足してＳｉＯ微粉末の回収率が
低くなるからであり、逆に、５００を越えると、ＳｉＯ
の回収率は良いが、導入する非酸化性ガスの世が多すぎ
て、不経済であるばかりか、真空ポンプの能力によって
は、減圧脱珪熱処理の際の必要な真空度である０、１気
圧以下が確保できなくなるからである。
酸化性ガスの体積比は、０．５〜５００の範囲内にする
ことにより、ＳｉＯ微粉末の回収率を向上させることが
できる。０．５よりも少ないと、発生したＳｉＯ蒸気あ
るいは凝縮したＳｉＯ粉末を被熱処理物から搬送するの
に非酸化性ガスの量が不足してＳｉＯ微粉末の回収率が
低くなるからであり、逆に、５００を越えると、ＳｉＯ
の回収率は良いが、導入する非酸化性ガスの世が多すぎ
て、不経済であるばかりか、真空ポンプの能力によって
は、減圧脱珪熱処理の際の必要な真空度である０、１気
圧以下が確保できなくなるからである。
第３図は、本発明方法によって製造したＳｉＯ９粉末の
透過電子顕微鏡写真を示す。本発明によって得られる５
ｉＯ１＆粉末は、−次粒径が０．１ μｍ（１０００人
）以下であるが、条件の如何によっては１００〜２００
人の均一な超微粉粒の製造も可能である。
透過電子顕微鏡写真を示す。本発明によって得られる５
ｉＯ１＆粉末は、−次粒径が０．１ μｍ（１０００人
）以下であるが、条件の如何によっては１００〜２００
人の均一な超微粉粒の製造も可能である。
なお、本発明によって得られた［ｍ粉末は色８周は黄土
色でＸＬｉ的にはアモルファスであった。また、大気中
で熱処理した場合、黄土色の微粉末は真白な５ｉｎ１の
微１５）末となることが礒かめられた。
色でＸＬｉ的にはアモルファスであった。また、大気中
で熱処理した場合、黄土色の微粉末は真白な５ｉｎ１の
微１５）末となることが礒かめられた。
（実施例）
炭上
５ｉＯｚ含有ｉ９９．５％のｓ ｉ ＯＺ ｊＦｊ末、
ＺｒＱ、とＳｉｎ、の合計含有Ｔｈ９９．５％のジルコ
ン粉末、あるいはＣａＯとＳｉＯ２の合計含有物９９．
５％のワラストナイト１５）末に、第１表に示した混合
モル比で炭素含有物、もしくは金属珪素粉末を均一に混
合し、同しく第１表に示した減圧熱処理条件で熱処理を
行った。用いた真空炉は誘導加熱方式で、Ｓｉ０回収用
ハゲフィルター装置を真空炉のが殻と真空ポンプの間に
設置された第１図の形式の装置を用いた。
ＺｒＱ、とＳｉｎ、の合計含有Ｔｈ９９．５％のジルコ
ン粉末、あるいはＣａＯとＳｉＯ２の合計含有物９９．
５％のワラストナイト１５）末に、第１表に示した混合
モル比で炭素含有物、もしくは金属珪素粉末を均一に混
合し、同しく第１表に示した減圧熱処理条件で熱処理を
行った。用いた真空炉は誘導加熱方式で、Ｓｉ０回収用
ハゲフィルター装置を真空炉のが殻と真空ポンプの間に
設置された第１図の形式の装置を用いた。
第１表にＳｉＯ微粉末の回収率を示す。第１表の結果か
ら明らかなように、本発明によれば、ＳｉＯ微粉末が効
率良く製造できることがわかる。
ら明らかなように、本発明によれば、ＳｉＯ微粉末が効
率良く製造できることがわかる。
貞又
Ｚｒ０ｚと５ｉｆｔの合計含有物が９９．５％で平均粒
径が０．９５μｍのジルコンわ）末と一次粒の平均粒径
が２１０人のカーボンフ゛ラック （東ン毎カーボン製
シーストロ）とを均一混合し、該混合物から１５ｍｍ
φｘ３Ｑｍｉｌｌの形成体を多ＨＩＥＩ製し、これらの
成形体をカーボン類の容器に充填して本発明の第２図に
示した減圧脱珪熱処理装置を用いて第２表に示ず熱処理
条件にて減圧脱珪処理を行い、得られたジルコニア粉末
の純度、粉末回収装置におけるＳｉＯ微粉末の回収率を
求めた。
径が０．９５μｍのジルコンわ）末と一次粒の平均粒径
が２１０人のカーボンフ゛ラック （東ン毎カーボン製
シーストロ）とを均一混合し、該混合物から１５ｍｍ
φｘ３Ｑｍｉｌｌの形成体を多ＨＩＥＩ製し、これらの
成形体をカーボン類の容器に充填して本発明の第２図に
示した減圧脱珪熱処理装置を用いて第２表に示ず熱処理
条件にて減圧脱珪処理を行い、得られたジルコニア粉末
の純度、粉末回収装置におけるＳｉＯ微粉末の回収率を
求めた。
なお、この例では第２表から明らかなように、ＳｉＯ超
微粉とともに高純度なジルコニア粉末も効率良く回収す
ることができる。とくに、ジルコンと炭素含有物の混合
物の処理量を増加した場合、発生するＳｉＯ蒸気も多く
なるが、本発明の場合、ＳｉＯ蒸気あるいはＳｉＯ粉末
を搬送させるための非酸化製ガスを導入することにより
、ＳｉＯ粉末の搬送効率の向上によってＳｉＯ粉末の回
収効率およびジルコニア粉末の高純度の改善が認められ
た。
微粉とともに高純度なジルコニア粉末も効率良く回収す
ることができる。とくに、ジルコンと炭素含有物の混合
物の処理量を増加した場合、発生するＳｉＯ蒸気も多く
なるが、本発明の場合、ＳｉＯ蒸気あるいはＳｉＯ粉末
を搬送させるための非酸化製ガスを導入することにより
、ＳｉＯ粉末の搬送効率の向上によってＳｉＯ粉末の回
収効率およびジルコニア粉末の高純度の改善が認められ
た。
（発明の効果）
以上述べたように、５ｉｆｔ粉末あるいはＳｉｎ、を含
む酸化物粉末などのＳｉＯ□系原料と、炭素含有物また
は金属珪素粉末とからなる混合物を本発明の装置を用い
て減圧熱処理を施すことにより、Ｓｉ０１粉末またはＳ
ｉＯ微粉末と原料中に含まれる成分である酸化物粉末（
例えばジルコニア粉末）などとを効率良く製造できる。
む酸化物粉末などのＳｉＯ□系原料と、炭素含有物また
は金属珪素粉末とからなる混合物を本発明の装置を用い
て減圧熱処理を施すことにより、Ｓｉ０１粉末またはＳ
ｉＯ微粉末と原料中に含まれる成分である酸化物粉末（
例えばジルコニア粉末）などとを効率良く製造できる。
第１図は、本発明にかかる製造装置の一例を示す路線図
、 第２図は、本発明にかかる別の製造装置例を示すＩ！ｉ
８線図、 第３図は、本発明によって得られたＳｉＯｅ１微粉の透
過電子顕微鏡写真である。 １・・・炉 ２・・・容器３・・・加熱
装置 ４８４′・・・導入管５・・・フード
６．６′・・・搬送路７・・・回収装置の胴
部 ８・・・回収用フィルター９・・・パルプ
１０・・・接続パイプ１１・・・マツフル
、 第２図は、本発明にかかる別の製造装置例を示すＩ！ｉ
８線図、 第３図は、本発明によって得られたＳｉＯｅ１微粉の透
過電子顕微鏡写真である。 １・・・炉 ２・・・容器３・・・加熱
装置 ４８４′・・・導入管５・・・フード
６．６′・・・搬送路７・・・回収装置の胴
部 ８・・・回収用フィルター９・・・パルプ
１０・・・接続パイプ１１・・・マツフル
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ＳｉＯ＿２粉末と炭素含有物および／または金属珪
素粉末との混合物を、０．１気圧以下に減圧した非酸化
性雰囲気中の１３００〜２０００℃の温度域で熱処理し
、ＳｉＯの蒸気を発生させ、該ＳｉＯ蒸気を前記非酸化
性ガスにより凝縮させかつ搬送し、ＳｉＯ粉末として回
収することを特徴とするＳｉＯ微粉末の製造方法。 ２、ＳｉＯ＿２系原料と炭素含有物および／または金属
珪素粉末との混合物を０．１気圧以下に減圧した非酸化
性雰囲気中の１３００〜２０００℃の温度域で熱処理し
、ＳｉＯの蒸気を発生させ、該ＳｉＯ蒸気を前記非酸化
性ガスにより凝縮させかつ搬送し、ＳｉＯ粉末として回
収する一方で、減圧熱処理された原料の残部成分をも別
に回収することを特徴とするＳｉＯ微粉末の製造方法。 ３、ＳｉＯ＿２粉末またはＳｉＯ＿２系原料と炭素含有
物および／または金属珪素粉末との混合物を減圧熱処理
するための炉と、ＳｉＯ粉末を回収するための回収装置
と、炉と回収装置との間を接続する気密の搬送路とから
なり、 前記炉にはその中を非酸化性雰囲気に保持 するとともに発生したＳｉＯ蒸気あるいは凝縮したＳｉ
Ｏ粉末を回収装置まで搬送するために設けた非酸化性ガ
ス導入管、および加熱装置を設け、 一方前記回収装置内にはフィルターを設置 してなる ことを特徴とするＳｉＯ微粉末の製造装置。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60165676A JPS6227318A (ja) | 1985-07-29 | 1985-07-29 | Ｓｉｏ微粉末の製造方法およびその装置 |
| AU60728/86A AU597263B2 (en) | 1985-07-29 | 1986-07-29 | Method and system for manufacturing fine-grained silicon monoxide |
| EP86401693A EP0216649B1 (en) | 1985-07-29 | 1986-07-29 | Method and system for manufacturing fine-grained silicon monoxide |
| DE86401693T DE3688725T2 (de) | 1985-07-29 | 1986-07-29 | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von feinkörnigem Siliciummonoxid. |
| CA000514884A CA1317438C (en) | 1985-07-29 | 1986-07-29 | Method and system for manufacturing fine-grained silicon monoxide |
| AU49834/90A AU621717B2 (en) | 1985-07-29 | 1990-02-15 | Method and system for manufacturing fine-grained silicon monoxide |
| AU51377/90A AU623754B2 (en) | 1985-07-29 | 1990-03-15 | Method and system for manufacturing fine-grained silicon monoxide |
| US07/561,235 US5096685A (en) | 1985-07-27 | 1990-07-27 | Method for manufacturing fine-grained silicon monoxide |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60165676A JPS6227318A (ja) | 1985-07-29 | 1985-07-29 | Ｓｉｏ微粉末の製造方法およびその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6227318A true JPS6227318A (ja) | 1987-02-05 |
| JPH0481524B2 JPH0481524B2 (ja) | 1992-12-24 |
Family
ID=15816914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60165676A Granted JPS6227318A (ja) | 1985-07-27 | 1985-07-29 | Ｓｉｏ微粉末の製造方法およびその装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5096685A (ja) |
| EP (1) | EP0216649B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6227318A (ja) |
| AU (3) | AU597263B2 (ja) |
| CA (1) | CA1317438C (ja) |
| DE (1) | DE3688725T2 (ja) |
Cited By (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004512943A (ja) * | 2000-11-09 | 2004-04-30 | サイプラス・アマックス・ミネラルズ・カンパニー | 酸化モリブデンのナノ粒子を製造する方法および装置 |
| JP2005206440A (ja) * | 2004-01-26 | 2005-08-04 | Nippon Steel Corp | 高純度シリコン製造方法 |
| JPWO2006025194A1 (ja) * | 2004-09-01 | 2008-05-08 | 株式会社大阪チタニウムテクノロジーズ | ＳｉＯ蒸着材、ＳｉＯ原料用Ｓｉ粉末およびＳｉＯの製造方法 |
| US7431899B2 (en) | 2000-02-04 | 2008-10-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Apparatus for the continuous production of silicon oxide powder |
| KR101290659B1 (ko) * | 2011-02-01 | 2013-07-30 | 인하대학교 산학협력단 | 열플라즈마를 이용한 산화규소분말의 제조방법 및 이에 의하여 제조되는 산화규소분말 |
| JP2013203575A (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Jfe Engineering Corp | ＳｉＯの製造方法及び装置 |
| WO2014126272A1 (ko) * | 2013-02-13 | 2014-08-21 | 한국에너지기술연구원 | 슬라이딩 타입의 출탕 구조를 갖는 실리콘 용융 도가니를 구비하는 ＳｉＯｘ 나노 분말 제조 장치 및 이를 이용한 ＳｉＯｘ 나노 분말 제조 방법 |
| US8833987B2 (en) | 2005-09-14 | 2014-09-16 | Donnelly Corporation | Mirror reflective element sub-assembly for exterior rearview mirror of a vehicle |
| US8908039B2 (en) | 2000-03-02 | 2014-12-09 | Donnelly Corporation | Vehicular video mirror system |
| US9014966B2 (en) | 2000-03-02 | 2015-04-21 | Magna Electronics Inc. | Driver assist system for vehicle |
| US9019091B2 (en) | 1999-11-24 | 2015-04-28 | Donnelly Corporation | Interior rearview mirror system |
| US9073491B2 (en) | 2002-09-20 | 2015-07-07 | Donnelly Corporation | Exterior rearview mirror assembly |
| US9090211B2 (en) | 2002-09-20 | 2015-07-28 | Donnelly Corporation | Variable reflectance mirror reflective element for exterior mirror assembly |
| US9278654B2 (en) | 1999-11-24 | 2016-03-08 | Donnelly Corporation | Interior rearview mirror system for vehicle |
| US9352623B2 (en) | 2001-01-23 | 2016-05-31 | Magna Electronics Inc. | Trailer hitching aid system for vehicle |
| JP2017503738A (ja) * | 2013-11-28 | 2017-02-02 | ハイドロ−ケベック | ナノスケールのフィラメント構造を有するＳｉＯｘの調製のためのプロセス及びリチウムイオンバッテリにおける陽極材料としてのその使用 |
| JPWO2014157160A1 (ja) * | 2013-03-29 | 2017-02-16 | 信越化学工業株式会社 | 酸化珪素の製造装置及び製造方法 |
| US9796332B2 (en) | 2007-09-11 | 2017-10-24 | Magna Electronics Inc. | Imaging system for vehicle |
| US9809171B2 (en) | 2000-03-02 | 2017-11-07 | Magna Electronics Inc. | Vision system for vehicle |
| US10003755B2 (en) | 2007-10-04 | 2018-06-19 | Magna Electronics Inc. | Imaging system for vehicle |
| DE102018108438A1 (de) | 2017-04-20 | 2018-10-25 | Subaru Corporation | Informationdarstellungsvorrichtung |
| US10175477B2 (en) | 2008-03-31 | 2019-01-08 | Magna Mirrors Of America, Inc. | Display system for vehicle |
| US10351135B2 (en) | 2002-05-03 | 2019-07-16 | Magna Electronics Inc. | Vehicular control system using cameras and radar sensor |
| US10406980B2 (en) | 2001-07-31 | 2019-09-10 | Magna Electronics Inc. | Vehicular lane change system |
| US10462426B2 (en) | 2004-04-15 | 2019-10-29 | Magna Electronics Inc. | Vehicular control system |
| US10457209B2 (en) | 2012-02-22 | 2019-10-29 | Magna Electronics Inc. | Vehicle vision system with multi-paned view |
| US10509972B2 (en) | 2004-12-23 | 2019-12-17 | Magna Electronics Inc. | Vehicular vision system |
| US10542244B2 (en) | 2011-12-09 | 2020-01-21 | Magna Electronics Inc. | Vehicle vision system with customized display |
| US10567748B2 (en) | 2013-05-21 | 2020-02-18 | Magna Electronics Inc. | Targetless vehicular camera calibration method |
| US10574885B2 (en) | 2013-05-06 | 2020-02-25 | Magna Electronics Inc. | Method for displaying video images for a vehicular vision system |
| US10726578B2 (en) | 2007-08-17 | 2020-07-28 | Magna Electronics Inc. | Vehicular imaging system with blockage determination and misalignment correction |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6227318A (ja) * | 1985-07-29 | 1987-02-05 | Kawasaki Steel Corp | Ｓｉｏ微粉末の製造方法およびその装置 |
| EP1057782B1 (en) * | 1997-12-25 | 2004-12-15 | Nippon Steel Corporation | PROCESS FOR THE PREPARATION OF HIGH-PURITY Si AND EQUIPMENT THEREFOR |
| US20030150377A1 (en) * | 2000-08-31 | 2003-08-14 | Nobuhiro Arimoto | Silicon monoxide vapor deposition material, process for producing the same, raw material for producing the same, and production apparatus |
| JP2002260651A (ja) * | 2001-02-28 | 2002-09-13 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 酸化珪素粉末及びその製造方法 |
| DE60233663D1 (de) * | 2001-07-26 | 2009-10-22 | Osaka Titanium Technologies Co | Siliciummonoxid-sinterprodukt und herstellungsverfahren dafür |
| EP1443126B1 (en) * | 2001-09-17 | 2008-05-07 | OSAKA Titanium Technologies Co., Ltd. | Silicon monoxide vapor deposition material and method for preparation thereof |
| JP4680521B2 (ja) * | 2004-03-05 | 2011-05-11 | 新日鉄マテリアルズ株式会社 | ＳｉＯ発生装置及びＳｉＯ製造装置 |
| JP4900573B2 (ja) * | 2006-04-24 | 2012-03-21 | 信越化学工業株式会社 | 酸化珪素粉末の製造方法 |
| KR101081864B1 (ko) * | 2011-04-01 | 2011-11-09 | 한국에너지기술연구원 | 휘발성이 우수한 고순도 ＳＩＯｘ나노 분말 제조 방법 및 그 제조 장치 |
| JP5942897B2 (ja) * | 2012-03-22 | 2016-06-29 | 信越化学工業株式会社 | 酸化珪素析出体の連続製造方法及び製造装置 |
| KR101539856B1 (ko) * | 2012-10-16 | 2015-07-27 | 주식회사 엘지화학 | 규소 산화물의 제조방법 |
| KR101400883B1 (ko) * | 2013-02-13 | 2014-05-29 | 한국에너지기술연구원 | 고순도 금속산화물 나노 구조체 제조 장치 및 그 제조 방법 |
| CN103395836B (zh) * | 2013-08-15 | 2015-01-07 | 蚌埠中恒新材料科技有限责任公司 | 用电弧炉熔制锆英砂时生成一氧化硅的收集装置 |
| US20160090667A1 (en) * | 2014-09-29 | 2016-03-31 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Feed system including a deadsorption unit and a tube and a method of using the same |
| UA114572C2 (uk) * | 2016-03-29 | 2017-06-26 | Андрій Вікторович Циба | Спосіб сумісного виробництва нанопорошків монооксиду кремнію і оксиду цирконію та промисловий комплекс для його реалізації |
| CN106608629A (zh) * | 2016-12-21 | 2017-05-03 | 上海杉杉科技有限公司 | 中频感应加热方式制备高纯氧化亚硅的方法及设备 |
| CN109277057A (zh) * | 2017-05-05 | 2019-01-29 | 储晞 | 一种生产颗粒材料的反应器系统和方法 |
| CN111278770B (zh) | 2017-10-27 | 2023-04-21 | 凯文艾伦杜利股份有限公司 | 用于制造高纯度硅的系统及方法 |
| TWI658002B (zh) * | 2018-08-15 | 2019-05-01 | 國立臺灣大學 | 製造一氧化矽沉積物之方法及執行該方法之製造設備 |
| CN111747416B (zh) * | 2019-03-26 | 2022-03-04 | 新特能源股份有限公司 | 生产SiOx的装置及方法 |
| CA3151461A1 (en) | 2019-05-20 | 2020-11-26 | Joshua J. LAU | Anode active material including low-defect turbostratic carbon |
| CN111992173A (zh) * | 2019-05-27 | 2020-11-27 | 湖北万润新能源科技发展有限公司 | 一种硅氧复合物批量生产设备 |
| CN112320804B (zh) * | 2020-09-29 | 2022-09-02 | 上海皓越电炉技术有限公司 | 一种连续制备锂离子电池SiO负极材料的真空热处理装备 |
| US20230202848A1 (en) * | 2021-12-28 | 2023-06-29 | Osaka Titanium Technologies Co., Ltd. | Method for continuously generating silicon monoxide gas |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE427412C (de) * | 1926-04-07 | Norske Elektrokemisk Ind As | Vorrichtung und Verfahren zum Kondensieren von Zinkdampf | |
| CA550958A (en) * | 1957-12-31 | The B. F. Goodrich Company | Method of making silicon monoxide pigment | |
| US2160969A (en) * | 1933-02-03 | 1939-06-06 | American Magnesium Metals Corp | Process of producing pure magnesium |
| US1997741A (en) * | 1933-05-02 | 1935-04-16 | Ajax Electrothermic Corp | Muffle inductor electric furnace |
| US2743168A (en) * | 1944-09-09 | 1956-04-24 | Krohn Roy | Sublimation apparatus |
| US2823979A (en) * | 1954-05-28 | 1958-02-18 | Goodrich Co B F | Method of making pigment |
| US2912311A (en) * | 1957-11-20 | 1959-11-10 | Allied Chem | Apparatus for production of high purity elemental silicon |
| GB1279208A (en) * | 1970-03-24 | 1972-06-28 | Standard Telephones Cables Ltd | Method of and apparatus for producing fine powder |
| GB1360827A (en) * | 1970-08-06 | 1974-07-24 | Inst Metallurg Im Aa Baikova A | Method of producing powdery materials |
| US3910767A (en) * | 1972-07-05 | 1975-10-07 | Emile Joseph Jemal | Apparatus for preparing metallic compounds by sublimation |
| JPS5950601B2 (ja) * | 1982-07-05 | 1984-12-10 | 文雄 堀 | アモルフアス状ＳｉＯの超微粉とその製造方法ならびに製造装置 |
| JPS5950601A (ja) * | 1982-09-14 | 1984-03-23 | Mitsubishi Electric Corp | 不連続整合回路 |
| JPS59213619A (ja) * | 1983-05-20 | 1984-12-03 | Ube Ind Ltd | 高純度マグネシア微粉末の製造方法 |
| JPS6227318A (ja) * | 1985-07-29 | 1987-02-05 | Kawasaki Steel Corp | Ｓｉｏ微粉末の製造方法およびその装置 |
-
1985
- 1985-07-29 JP JP60165676A patent/JPS6227318A/ja active Granted
-
1986
- 1986-07-29 CA CA000514884A patent/CA1317438C/en not_active Expired - Fee Related
- 1986-07-29 AU AU60728/86A patent/AU597263B2/en not_active Ceased
- 1986-07-29 EP EP86401693A patent/EP0216649B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-07-29 DE DE86401693T patent/DE3688725T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-02-15 AU AU49834/90A patent/AU621717B2/en not_active Ceased
- 1990-03-15 AU AU51377/90A patent/AU623754B2/en not_active Ceased
- 1990-07-27 US US07/561,235 patent/US5096685A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (55)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10144355B2 (en) | 1999-11-24 | 2018-12-04 | Donnelly Corporation | Interior rearview mirror system for vehicle |
| US9019091B2 (en) | 1999-11-24 | 2015-04-28 | Donnelly Corporation | Interior rearview mirror system |
| US9278654B2 (en) | 1999-11-24 | 2016-03-08 | Donnelly Corporation | Interior rearview mirror system for vehicle |
| US7431899B2 (en) | 2000-02-04 | 2008-10-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Apparatus for the continuous production of silicon oxide powder |
| US10053013B2 (en) | 2000-03-02 | 2018-08-21 | Magna Electronics Inc. | Vision system for vehicle |
| US10131280B2 (en) | 2000-03-02 | 2018-11-20 | Donnelly Corporation | Vehicular video mirror system |
| US10179545B2 (en) | 2000-03-02 | 2019-01-15 | Magna Electronics Inc. | Park-aid system for vehicle |
| US9809171B2 (en) | 2000-03-02 | 2017-11-07 | Magna Electronics Inc. | Vision system for vehicle |
| US9809168B2 (en) | 2000-03-02 | 2017-11-07 | Magna Electronics Inc. | Driver assist system for vehicle |
| US8908039B2 (en) | 2000-03-02 | 2014-12-09 | Donnelly Corporation | Vehicular video mirror system |
| US9014966B2 (en) | 2000-03-02 | 2015-04-21 | Magna Electronics Inc. | Driver assist system for vehicle |
| US9783114B2 (en) | 2000-03-02 | 2017-10-10 | Donnelly Corporation | Vehicular video mirror system |
| US9315151B2 (en) | 2000-03-02 | 2016-04-19 | Magna Electronics Inc. | Driver assist system for vehicle |
| JP2004512943A (ja) * | 2000-11-09 | 2004-04-30 | サイプラス・アマックス・ミネラルズ・カンパニー | 酸化モリブデンのナノ粒子を製造する方法および装置 |
| US10272839B2 (en) | 2001-01-23 | 2019-04-30 | Magna Electronics Inc. | Rear seat occupant monitoring system for vehicle |
| US9352623B2 (en) | 2001-01-23 | 2016-05-31 | Magna Electronics Inc. | Trailer hitching aid system for vehicle |
| US9694749B2 (en) | 2001-01-23 | 2017-07-04 | Magna Electronics Inc. | Trailer hitching aid system for vehicle |
| US10406980B2 (en) | 2001-07-31 | 2019-09-10 | Magna Electronics Inc. | Vehicular lane change system |
| US10351135B2 (en) | 2002-05-03 | 2019-07-16 | Magna Electronics Inc. | Vehicular control system using cameras and radar sensor |
| US9545883B2 (en) | 2002-09-20 | 2017-01-17 | Donnelly Corporation | Exterior rearview mirror assembly |
| US10363875B2 (en) | 2002-09-20 | 2019-07-30 | Donnelly Corportion | Vehicular exterior electrically variable reflectance mirror reflective element assembly |
| US9878670B2 (en) | 2002-09-20 | 2018-01-30 | Donnelly Corporation | Variable reflectance mirror reflective element for exterior mirror assembly |
| US9341914B2 (en) | 2002-09-20 | 2016-05-17 | Donnelly Corporation | Variable reflectance mirror reflective element for exterior mirror assembly |
| US9073491B2 (en) | 2002-09-20 | 2015-07-07 | Donnelly Corporation | Exterior rearview mirror assembly |
| US9090211B2 (en) | 2002-09-20 | 2015-07-28 | Donnelly Corporation | Variable reflectance mirror reflective element for exterior mirror assembly |
| US10538202B2 (en) | 2002-09-20 | 2020-01-21 | Donnelly Corporation | Method of manufacturing variable reflectance mirror reflective element for exterior mirror assembly |
| US10029616B2 (en) | 2002-09-20 | 2018-07-24 | Donnelly Corporation | Rearview mirror assembly for vehicle |
| JP2005206440A (ja) * | 2004-01-26 | 2005-08-04 | Nippon Steel Corp | 高純度シリコン製造方法 |
| US10462426B2 (en) | 2004-04-15 | 2019-10-29 | Magna Electronics Inc. | Vehicular control system |
| JP4594314B2 (ja) * | 2004-09-01 | 2010-12-08 | 株式会社大阪チタニウムテクノロジーズ | ＳｉＯ蒸着材、ＳｉＯ原料用Ｓｉ粉末およびＳｉＯの製造方法 |
| JPWO2006025194A1 (ja) * | 2004-09-01 | 2008-05-08 | 株式会社大阪チタニウムテクノロジーズ | ＳｉＯ蒸着材、ＳｉＯ原料用Ｓｉ粉末およびＳｉＯの製造方法 |
| US10509972B2 (en) | 2004-12-23 | 2019-12-17 | Magna Electronics Inc. | Vehicular vision system |
| US9045091B2 (en) | 2005-09-14 | 2015-06-02 | Donnelly Corporation | Mirror reflective element sub-assembly for exterior rearview mirror of a vehicle |
| US8833987B2 (en) | 2005-09-14 | 2014-09-16 | Donnelly Corporation | Mirror reflective element sub-assembly for exterior rearview mirror of a vehicle |
| US9758102B1 (en) | 2005-09-14 | 2017-09-12 | Magna Mirrors Of America, Inc. | Mirror reflective element sub-assembly for exterior rearview mirror of a vehicle |
| US9694753B2 (en) | 2005-09-14 | 2017-07-04 | Magna Mirrors Of America, Inc. | Mirror reflective element sub-assembly for exterior rearview mirror of a vehicle |
| US11124121B2 (en) | 2005-11-01 | 2021-09-21 | Magna Electronics Inc. | Vehicular vision system |
| US10726578B2 (en) | 2007-08-17 | 2020-07-28 | Magna Electronics Inc. | Vehicular imaging system with blockage determination and misalignment correction |
| US10766417B2 (en) | 2007-09-11 | 2020-09-08 | Magna Electronics Inc. | Imaging system for vehicle |
| US9796332B2 (en) | 2007-09-11 | 2017-10-24 | Magna Electronics Inc. | Imaging system for vehicle |
| US10003755B2 (en) | 2007-10-04 | 2018-06-19 | Magna Electronics Inc. | Imaging system for vehicle |
| US11165975B2 (en) | 2007-10-04 | 2021-11-02 | Magna Electronics Inc. | Imaging system for vehicle |
| US10175477B2 (en) | 2008-03-31 | 2019-01-08 | Magna Mirrors Of America, Inc. | Display system for vehicle |
| KR101290659B1 (ko) * | 2011-02-01 | 2013-07-30 | 인하대학교 산학협력단 | 열플라즈마를 이용한 산화규소분말의 제조방법 및 이에 의하여 제조되는 산화규소분말 |
| US10542244B2 (en) | 2011-12-09 | 2020-01-21 | Magna Electronics Inc. | Vehicle vision system with customized display |
| US10457209B2 (en) | 2012-02-22 | 2019-10-29 | Magna Electronics Inc. | Vehicle vision system with multi-paned view |
| JP2013203575A (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Jfe Engineering Corp | ＳｉＯの製造方法及び装置 |
| US9975782B2 (en) | 2013-02-13 | 2018-05-22 | Korea Institute Of Energy Research | SiOx nanoparticle manufacturing apparatus including crucible for silicon melting having sliding type tapping structure and manufacturing method of SiOx nanoparticle using the same |
| WO2014126272A1 (ko) * | 2013-02-13 | 2014-08-21 | 한국에너지기술연구원 | 슬라이딩 타입의 출탕 구조를 갖는 실리콘 용융 도가니를 구비하는 ＳｉＯｘ 나노 분말 제조 장치 및 이를 이용한 ＳｉＯｘ 나노 분말 제조 방법 |
| JPWO2014157160A1 (ja) * | 2013-03-29 | 2017-02-16 | 信越化学工業株式会社 | 酸化珪素の製造装置及び製造方法 |
| US10574885B2 (en) | 2013-05-06 | 2020-02-25 | Magna Electronics Inc. | Method for displaying video images for a vehicular vision system |
| US10567748B2 (en) | 2013-05-21 | 2020-02-18 | Magna Electronics Inc. | Targetless vehicular camera calibration method |
| US10329157B2 (en) | 2013-11-28 | 2019-06-25 | HYDRO-QUéBEC | Process for the preparation of SiOx having a nanoscale filament structure and use thereof as anode material in lithium-ion batteries |
| JP2017503738A (ja) * | 2013-11-28 | 2017-02-02 | ハイドロ−ケベック | ナノスケールのフィラメント構造を有するＳｉＯｘの調製のためのプロセス及びリチウムイオンバッテリにおける陽極材料としてのその使用 |
| DE102018108438A1 (de) | 2017-04-20 | 2018-10-25 | Subaru Corporation | Informationdarstellungsvorrichtung |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AU6072886A (en) | 1987-02-05 |
| AU597263B2 (en) | 1990-05-31 |
| CA1317438C (en) | 1993-05-11 |
| US5096685A (en) | 1992-03-17 |
| AU4983490A (en) | 1990-06-07 |
| EP0216649A3 (en) | 1989-02-08 |
| EP0216649B1 (en) | 1993-07-21 |
| AU621717B2 (en) | 1992-03-19 |
| EP0216649A2 (en) | 1987-04-01 |
| AU5137790A (en) | 1990-07-05 |
| JPH0481524B2 (ja) | 1992-12-24 |
| DE3688725T2 (de) | 1993-10-28 |
| DE3688725D1 (de) | 1993-08-26 |
| AU623754B2 (en) | 1992-05-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6227318A (ja) | Ｓｉｏ微粉末の製造方法およびその装置 | |
| US5340417A (en) | Process for preparing silicon carbide by carbothermal reduction | |
| US3043660A (en) | Production of silicon dioxide | |
| JPH08503024A (ja) | 金属マグネシウム、酸化マグネシウム又は耐火材の製造方法 | |
| US3023115A (en) | Refractory material | |
| US2535659A (en) | Amorphous silica and process for making same | |
| US3469941A (en) | Ultrafine boron nitride and process of making same | |
| US2573057A (en) | Process of preparing white finely divided amorphous silica | |
| EP0208567B1 (en) | Method and apparatus for preparing high-purity metallic silicon | |
| US3043659A (en) | Process for the production of purified silicon dioxide | |
| JPS63103815A (ja) | ＳｉＯ微粉末等の連続製造装置 | |
| CA2045526C (en) | Process for preparing silicon carbide | |
| US3211527A (en) | Process for producing ultrafine silicon nitride | |
| JPS63103814A (ja) | ＳｉＯ微粉末の製造装置 | |
| JPS63147811A (ja) | ＳｉＣ微粉末の製造方法 | |
| JP3343923B2 (ja) | 高純度シリカガラス粉末の製造法 | |
| JPS616109A (ja) | ｓｉｃの製造法 | |
| JPH03187998A (ja) | 窒化アルミニウムウィスカーの製造方法 | |
| US3231335A (en) | Process for recovering phosphorus from ferrophosphorus | |
| JPH03193619A (ja) | 球状シリカの製造方法 | |
| US928476A (en) | Process of manufacturing silicon nitrid. | |
| US1963546A (en) | Process for making pigments | |
| KR940000105B1 (ko) | 일산화규소 미분말의 제조 방법 및 장치 | |
| JPS6354764B2 (ja) | ||
| JP2003034511A (ja) | 窒化アルミニウム粉末の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |